FET

El transistor de efecto de campo (FET, por las siglas en inglés de

Field Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales
que se utiliza para aplicaciones diversas.
Este tipo de dispositivo es unipolar porque su funcionamiento
depende sólo de un tipo de carga, ya sea en electrones libres
o huecos. En otras palabras, el FET tiene portadores
mayoritarios pero no minoritarios. El extremo inferior se
llama fuente (source) y el superior drenador (drain). La
fuente de alimentación VDD obliga a los electrones libres a
circular desde la fuente hacia el drenador. Para producir un
JFET, el fabricante difunde dos áreas de semiconductor tipo p en el semiconductor tipo n. Estas
dos áreas p están conectadas internamente para tener un solo terminal de conexión externo llamado
puerta (gate).

La puerta tipo p y la fuente tipo n forman el diodo puerta

fuente. En un JFET siempre polarizamos en inversa el diodo
puerta-fuente. Debido a la polarizaci6n inversa, la corriente de
puerta IG es aproximadamente cero, o lo que es equivalente, un
JFET tiene una resistencia de entrada casi infinita.

Un JFET típico tiene una resistencia de entrada de cientos de

mega ohmios.
Esta es la gran ventaja que tiene un JFET sobre un transistor
bipolar.
Y es la razón de que los JFET sean excelentes en
aplicaciones en las que se requiere una gran impedancia de entrada. Una
de las aplicaciones mhs importantes del JFET es el seguidor de fuente, circuito análogo al seguidor
de emisor, excepto en que su impedancia de entrada es del orden de cientos de mega ohmios para
frecuencias bajas.

La tensión de puerta controla la corriente de drenador

Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador deben pasar a través del estrecho canal
situado entre las dos zonas de deplexi6n. Cuanto más negativa sea la tensión de puerta, más se
expande la capa de deplexión y mis estrecho será el canal de conducción. En otras palabras, la
tensi6n de puerta. Puede controlar la comente a través del canal.
Cuanto más negativa sea la tensi6n de puerta, menor seria la comente entre la fuente y el drenador.
El JFET actúa como un dispositivo controlado por tensión, ya que una tensión de entrada controla
una comente de salida. En un JFET, la tensión puerta-fuente V Gs determina cuanta corriente circula
entre la fuente y el drenador.
Cuando V, es cero, la comente máxima de drenador circula a través del JFET. Por otra parte, si VGs
es suficientemente negativa, las capas de deplexión entran en contacto y la corriente se corta.
Tipo de JFET

Polarización de puerta: es una tensión negativa de puerta de -VGG se aplica a la puerta a través de
la resistencia de polarización RG. Esto provoca una comente de drenador que es menor que IDSS.
Polarización con divisor de tensión. El divisor de tensión provoca una tensión en la puerta que es
una fracción de la tensión de alimentación. Como VGS es negativa, la tensión de fuente será
ligeramente mayor que 'la tensi6n de puerta. Cuando la tensión de puerta es grande, podemos
despreciar las variaciones de VGs desde un JFET a1 siguiente. Idealmente, la comente drenador es
igual a la tensión de puerta dividida entre la resistencia de fuente. Como resultado, la comente de
drenador es casi constante para cualquier JFET.
Polarización con dos fuentes: la comente de colector esigual a la tensi6n de alimentaci6n de la
fuente entre la resistencia de fuente. En este caso, la corriente de drenador es casi constante incluso
si sustituimos el JFET o ante cambios de temperatura.
Polarización con fuente de corriente: Cuando la fuente de tensión del drenador no es lo
suficientemente grande, puede que no haya la suficiente tensi6n en la puerta como para despreciar
las variaciones de VGS. En este caso, un diseñador puede preferir usar la polarización con fuente de
corriente.
Autopolarización: nos indica que la tensión puerta-fuente es igual a la tensi6n negativa a través de
la resistencia de la fuente. Básicamente, el circuito crea su propia polarizaci6n usando la tensión
que aparece en Rs para polarizar en inversa la puerta.