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Caída
Caídade
de Temp.
Temp. Tensión
Tensión Intensidad
Intensidad Densidad
Densidad
Corriente
Corriente
Tipo
Tipo tensión
tensión interna
interna inversa
inversa directa
directa de
decorriente
corriente
de
defugas
fugas 2
directa
directa(V)
(V) máx. (ºC) máx. (V)
máx. (ºC) máx. (V) máx. (A)
máx. (A) (A/cm)2)
(A/cm
Mercurio
Mercurio 15
15aa19
19 baja
baja 400
400 20.000
20.000 5.000
5.000 4.000
4.000
Selenio
Selenio 11 alta
alta 150
150 50
50 50
50 11
Germanio
Germanio 0,5
0,5 baja
baja 120
120 800
800 200
200 100
100
Silicio
Silicio 11 muy
muybaja
baja 200
200 3.500
3.500 1.000
1.000 100
100
Oxido
Oxidode de 0,6 alta 70 30 10 11
cobre 0,6 alta 70 30 10
cobre
ENCAPSULADOS - Aislamiento
- Conexión Eléctrica
- Disipación térmica
DO - 5
Terminal de cobre
(ánodo)
Cierre metálico
Base de cobre
(cátodo) P
Pastilla
N
semiconductora
DO – 200AC
Grandes corrientes
(3500 – 5000 A)
Base de cobre
(ánodo)
Pastilla
semiconductora Cierre metálico
Cierre cerámico
Soldaduras
Base de cobre P
(cátodo) N
Cierre metálico
id
tg α = 1/rd
VRRM
IR Vd VAK
VR
Diodo real
id
Vd = 0
rd = 0
VAK
Diodo ideal
DIODO IDEAL
Ve
Ve RL VS Ve RL VS VS
DIODO REAL
Vd rd
Ve
Ve RL VS Ve RL VS VS
V-Vd -rd·id
Ve RL VS Ve RL VS
Ve
V
VS
id
1 T
Pdis =
T ∫0
v F (t) ⋅ i d (t) ⋅ dt
VF
id
PPdis = V ·I dm+r
dis = Vdd·Idm +rdd·(I
·(Idef )22
def )
Vd rd
VVd:: Tensión
Tensiónumbral.
umbral.
d
Idm
Idm:: Corriente
Corrientemedia.
media.
rrd:: Resistencia
Resistenciadinámica.
dinámica.
d
Idef
I :: Corriente eficaz.
Corriente eficaz.
def
did/dt
Id
Cierre
t
VF
Id
VFP
t
Vd -VR
trd
trd
t ::tiempo
tiempode
derecuperación
recuperacióndirecta
directa
rd
did
Irr = t a Qrr=Irr·trr/2
dt
Carga de Almacenamiento:
1
Q rr = t rr Irr t
2 VR
Vrr
2 Q rr
t rr = di d
di d Irr = 2 Q rr
dt
dt
1 T
Pdis =
T ∫
0
v F (t) ⋅ i d (t) ⋅ dt VF
trr
PPdis = Q ·V ·f
dis = Qrrrr·VRR·fSS
t
ffS::Frec. de conmutación. VR
S Frec. de conmutación.
IFAV
I ::1A
1A––6000
6000AA
FAV
VVRRM::400 – 3600 V
RRM 400 – 3600 V
VVFmax::1,2V (a II )
Fmax 1,2V (a FAVmax
FAVmax)
ttrr::10 µs
rr 10 µs
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Rectificadores
RectificadoresdedeRed.
Red.
--Baja frecuencia (50Hz).
Baja frecuencia (50Hz).
IFAV
I ::30A
30A––200
200AA
FAV
VVRRM::400 – 1500 V
RRM 400 – 1500 V
VVFmax::1,2V (a II )
Fmax 1,2V (a FAVmax
FAVmax)
ttrr::0,1 - 10 µs
rr 0,1 - 10 µs
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Conmutación
Conmutaciónaaalta
altafrecuencia
frecuencia(>20kHz).
(>20kHz).
--Inversores.
Inversores.
--UPS.
UPS.
--Accionamiento
Accionamientode
demotores
motoresCA.
CA.
IFAV
I ::1A
1A––120
120AA
FAV
VVRRM::15 – 150 V
RRM 15 – 150 V
VVFmax::0,7V (a II )
Fmax 0,7V (a FAVmax
FAVmax)
ttrr::55ns
ns
rr
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Fuentes
Fuentesconmutadas.
conmutadas.
--Convertidores.
Convertidores.
--Diodos
Diodosdedelibre
librecirculación.
circulación.
--Cargadores de baterías.
Cargadores de baterías.
IFAV
I ::0,45A
0,45A––22AA
FAV
VVR::7,5kV – 18kV
R 7,5kV – 18kV
VVRRM::20V – 100V
RRM 20V – 100V
ttrr::150 ns
rr 150 ns
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altatensión.
tensión.
IFAV
I ::50A
50A––7000
7000AA
FAV
VVRRM::400V – 2500V
RRM 400V – 2500V
VVF::2V
F 2V
ttrr:10 µs
rr:10 µs
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altacorriente.
corriente.
Ánodo Rectificador
1500V
200V 168A
DO - 5 60A 1.8V
Cátodo
Encapsulado (roscado)
cerámico Schottky
600V/6000A 120A – 150V