Professional Documents
Culture Documents
I C = α I ES eVBE /η kT
Persamaan ini dapat digambarkan sebagai
kurva seperti ditunjukkan pada gambar Gambar 2.2–1 Daerah Mode Kerja Transistor
berikut ini.
2. Metodologi
melebih daya disipasi tersebut maka tidak Pada percobaan ini tidak dilakukan pada kit
akan dilakukan pengukuran (seperti pada praktikum akan tetapi dirangkai pada
tabel 4.1-2 untuk IB=1.6mA dan VCE=10V). Breadboard. Untuk itu pemasangan
komponen sangat rentan / mudah lepas dan
3.3 Early Effect mempengaruhi pengamatan. VIN rangakaian
diinput dari generator sinyal dengan
gelombang sinusoid VPP sebesar 50mV
1KHz. Karena amplitude sinyal tersebut
sangat kecil digunakan fungsi tombol -20dB
pada generator sinyal dan pengukurannya
dilakukan di osiloskop. Karena current
source sama seperti sebelumnya sudah
memiliki nilai tertentu, maka pengukuran IB
tidak perlu dilakukan dengan multimeter.
Gambar 4.3–1 Grafik Ektrapolasi Early Effect
Dan dengan mengubah-ubah resistor
variable seperti gambar diatas, maka
Untuk mendapatkan tegangan early VA
tegangan VCE dapat diatur supaya mengikuti
dilakukan ekstrapolasi seperti pada gambar
daerah kerja transistor yang diinginkan.
diatas. Dalam percobaan ini hanya diamati
Hasil tegangan output pada ketiga daerah
ektrapolasi dari dua buah kurva saja (untuk
kerja transistor (saturasi, aktif, dan cut-off)
dua buah nilai IB) seperti pada tabel berikut.
dapat dilihat pada tabel berikut.
Tabel 4.3–1 Pengukuran Percobaan Early Effect
Tabel 4.4–1 Tabel Pengaruh Bias Pada Kerja Transistor
IC (mA)
VCE (V) VIN dan VOUT
IB = 25µA IB = 50µA
9 11.73 18.14
10 12.43 19.40
Daerah
Halaman
Halaman
6