Welcome to Scribd, the world's digital library. Read, publish, and share books and documents. See more
Download
Standard view
Full view
of .
Look up keyword
Like this
29Activity
0 of .
Results for:
No results containing your search query
P. 1
PENGUAT FET

PENGUAT FET

Ratings: (0)|Views: 1,280|Likes:
Published by Nicholas Melky
PENGUAT FET
PENGUAT FET

More info:

Published by: Nicholas Melky on May 21, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOCX, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

06/15/2013

pdf

text

original

 
H al   am an
PENGUAT FET
Praktikan: Nicholas Melky S Sianipar (13206010)
Asisten: SaifulWaktu Percobaan: 8 April 2009EL2140 – Praktikum ElektronikaLaboratorium Dasar Teknik ElektroSekolah Teknik Elektro dan Informatika – ITB
Abstrak 
Pada praktikum ini praktikan mencoba kit  praktikum yang berisi rangkaian percobaankarakteristik FET yaitu transistor FET dankomponen rangkaian penguaberkonfigurasi lainnya. Denganmenggunakan 3 buah multimeter, praktikan dapat memahami dan mengamatikarakteristik transistor yaitu tegangan danarus diantara diketiga kakinya. Denganmengubah-ubah kondisi rangkaian, sepertitegangan yang akan mengakibatkan perubahan arus, maka praktikan dapamemproyeksikan data-data tersebut padakurva yang dapat menghasilkan beberapakesimpulan. Namun juga, praktikanmencoba rangkaian-rangkaian penguat FET seperti rangkaian percobaan commonsource dan kedua konfigurasi pengualainnya. Dan dari hasil pengamatantersebut, praktikan dapat mengamatibagaimana karakteristik rangkaian penguat FET dan bermacam-macam output ketiga penguat berkonfigurasi ini.
1.
Pendahuluan
Pada Praktikum Elektronika EL2140 yangkeempat ini, bertujuan agar praktikan dapatmelakukan percobaan dan pengamatansecara langsung mengenai komponenelektrik, yaitu transistor. Jenis transistoryang digunakan pada praktikum adalahField Effect Transistor / FET yang bertipeCD4007UB. Dan karakteristik yang diukurpraktikum ini adalah I
D
, V
t
, V
GS
, V
DS
dan gmdari transistor. Dari data-data pecobaanpraktikan akan mencoba memamahaiketerkaitan antara kondisi karakteristikarus-tegangan tersebut. Untuk teganganyang digunakan adalah V
CC
sebesar 10Vdari power supply. Dan untuk percobaanmemahami penguat common source, Vinadalah sebesar 50 mV
pp
dengan frekuensi10KHz. Dengan berbagai rangkaiantersebut, diharapkan praktikan dapatmemahami karakteristik FET danaplikasinya.
2.Dasar Teori
2.1Transistor FET
 Transistor FET adalah transistor yangbekerja berdasarkan efek medan elektrikyang dihasilkan oleh tegangan yangdiberikan pada kedua ujung terminalnya.Mekanisme kerja transistor ini berbedadengan transistor BJT. Pada transistor ini,arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain(analogi dengan kolektor pada BJT),dilakukan oleh tegangan antara Gate danSource (analogi dengan Base dan Emiterpada BJT). Bandingkan dengan arus padaBase yang digunkan untuk menghasilkanarus kolektor pada transistor BJT. Jadi,dapat dikatakan bahwa FET adalahtransistor yang berfungsi sebagai“konverter” tegangan ke arus. Transistor FET memiliki beberapa keluarga,yaitu JFET dan MOSFET. Pada praktikum iniakan digunakan transistor MOSFETwalaupun sebenarnya karakteristik umumdari JFET dan MOSFET adalah serupa.Karakteristik umum dari transistor MOSFETdapat digambarkan pada kurva yang dibagimenjadi dua, yaitu kurva karakteristik I
D
vsV
GS
dan kurva karakteristik I
D
vs V
DS
. Kurvakarakteristik I
D
vs V
GS
diperlihatkan padagambar di bawah ini. Pada gambar tersebutterlihat bahwa terdapat VGS minimum yangmenyebabkan arus mulai mengalir. Tegangan tersebut dinamakan teganganthreshold, Vt. Pada MOSFET tipe depletion,Vt adalah negative, sedangkan pada tipeenhancement, Vt adalah positif.
Gambar 2.1–1 Karakteristik Transistor FET (V
GS
– ID)
Pada gambar tersebut terlihat bahwaterdapat V
GS
minimum yang menyebabkanarus mulai mengalir. Tegangan tersebut
 
H al   am an
dinamakan tegangan threshold, Vt. PadaMOSFET tipe depletion, Vt adalah negative,sedangkan pada tipe enhancement, Vtadalah positif.Kurva karakteristik I
D
vs. V
DS
ditunjukkanoleh gambar di bawah ini. Pada gambartersebut terdapat beberapa kurva untuksetiap V
GS
yang berbeda‐beda. Gambar inidigunakan untuk melakukan desainpeletakan titik operasi/titik kerja transistor.Pada gambar ini juga ditunjukkan daerahsaturasi dan Trioda.
Gambar 2.1–2 Karakteristik Transistor FET (V
DS
– ID)
2.2Penguat FET
Untuk menggunakan transistor MOSFETsebagai penguat, maka transistor harusberada dalam daerah saturasinya. Hal inidapat dicapai dengan memberikan arus IDdan tegangan VDS tertentu. Cara yangbiasa digunakan dalam mendesain penguatadalah dengan menggambarkan garisbeban pada kurva ID vs VDS. Setelah ituditentukan Q point‐nya yang akanmenentukan ID dan VGS yang harusdihasilkan pada rangkaian.Setelah Q point dicapai, maka transistortelah dapat digunakan sebagai penguat,dalam hal ini, sinyal yang diperkuat adalahsinyal kecil (sekitar 40‐50 mVp‐p denganfrekuensi 1‐10 kHz). Terdapat 3 konfigurasi penguat padatransistor MOSFET, yaitu1.Common Source2.Common Gate3.Common DrainKetiganya memiliki karakteristik yangberbeda‐beda dari faktor penguatan,resistansi input, dan resistansi output. Tabelberikut ini merangkum karakteristik dariketiga konfigurasi tersebut.
Gambar 2.2–1 Rangkuman Karakteristik KetigaKonfigurasi
1.Metodologi
Gambar 3–1 Metodologi Percobaan
Pada kit praktikum telah tersedia komponenyang akan dilakukan pada percobaan.Praktikan dipermudah karena cukupmenghubung-hubungkan komponentersebut sesuai model rangkaian beserta 3buah multimeter yang dipakai untukmengukur arus dan tegangan pada kakitransistor. Power supply disetting sebesar10V sebagai V
CC
rangkaian. Untuk V
IN
padarangkaian bias, akan telebih dahuludilakukan kalibrasi osiloskop, danpengukuran amplitude dan frekuensi sinyaldari generator sinyal yang tepat.
2.Hasil dan Analisis
2.1Kurva Karakteristik Transistor MOSFET
Gambar 4.1–1 Rangkaian Pengukuran V
GS
– I
D
Hasil pengukuran dari rangkaiankarakteristik transistor pada Gambar 4.1-1dilakukan dengan mengubah-ubahtegangan V
GS
. Akibat perubahan pada V
GS
,dapat diukur perubahan I
D
. Data yangdiperoleh dapat dilihat pada tabel berikut.
Tabel 4.1–1 Karakteristik I
D
-V
GS
V
GS
(V)I
D
(mA)
001.5020.122.50.3930.8141.9253.447.58.23
Apabila data karakteristik diatasdiproyeksikan dalam sebuah kurva,diperoleh kurva sebagai berikut.
Gambar 4.1–2 Kurva Karakteristik I
D
-V
GS
Dari data diatas dapat diamati bahwa arusI
D
meningkat apabila V
GS
meningkat juga.Arus I
D
meningkat dengan cepat ketika V
BE
diantara 0,25V-0,7V. Peningkatan initerlihat jelas secara eksponensial. Hal inisama dengan perhitungan matematis padasifat yang menyerupai transistor BJT. DanV
GS
antara 0V-0,25V merupakan tegangancut-off yang ditunjukan dengan nilai I
D
nol.
 
H al   am an
 3 
Dan besar tegangan threshold adalahsebesar 0.25 V.
Gambar 4.2–1 Rangkaian Percobaan Karakteristik I
D
-V
DS
Pada praktikum ini digunakan dua sumbertegangan yang besarnya dapat dipilih untukmenentukan tegangan pada kaki-kakitransistor. Oleh sebab itu tidak diperlukanlagi pengukuran tegangan menggunakanmultimeter karena telah tertampil padapower supply. Jadi dengan mengubah-ubahtegangan V
DS
dari power supply, dapatdiukur perubahan I
D
untuk setiap besartegangan V
GS
yang berbeda-beda, sepertipada tabel berikut.
Tabel 4.2–1 Karakteristik Output Ic-V
CE
 
V
DS
(V)I
D
(mA)V
GS
=2VV
GS
=2.5VV
GS
=3VV
GS
=4VV
GS
=5VV
GS
=7VV
GS
=9V
000000000.250.10.230.350.510.660.911.120.50.130.350.610.991.291.942.3310.130.40.81.552.193.594.1620.130.410.831.823.15.577.4530.130.410.841.863.236.619.5340.130.420.841.873.266.9110.7350.140.420.841.883.286.9711.1460.140.420.851.893.297.011.2370.140.420.851.93.317.0211.2780.140.420.861.913.317.0411.2790.140.430.861.913.327.0511.28
Apabila data tabel diatas diproyeksikandalam sebuah kurva, diperoleh kurvasebagai berikut.
Gambar 4.2–2 Kurva Karakteristik I
D
-V
DS
Dari kurva diatas dapat diamati bahwa arusI
D
meningkat sangat cepat sampai ketikaV
DS
disekitar 0.4V. Namun ketika V
DS
bernilailebih besar dari 0.4V kurva I
D
meningkatdengan lambat dengan suatu kemiringan /slope yang lebih kecil. Fenomena ini hampirsama pada penguat BJT yaitu Early Effect.Namun yang paling dapat diamatiperbedaannya adalah untuk suatu nilai V
GS
menghasilkan suatu kurva I
D
tersendiri yangmana semakin besar nilai V
GS
maka nilai I
D
beserta tegangan thresholdnya jugasemakin besar. Dari sifat ini dapatdisimpulkan bahwa I
D
bergantung /merupakan fungsi dari nilai V
GS
. Ini adalahsifat dari transistor pada keadaan active.Untuk itu daerah kerja transistor terlihat jelas yaitu trioda region sampai pada V
DS
=4V dan daerah cut-off seperti pada kurva I
D
untuk V
DS
= 0V yang nilainya nol / sejajarsumbu datar kurva tersebut.
2.2Desain Q-Point
Gambar 4.2–1 Merancang Load Line (garis beban)Gambar 4.2–2 Menentukan Q Point pada kurva
Pada kurva karakteristik I
D
vs. V
DS
setelahdirancang load line (garis beban) sepertipada Gambar 4.2-2 dapat kita hitung g
m
dengan terlebih dahulu mencari nilai K berdasarkan formula dan perhitunganberikut.
2
( )
 D GS
i K v
=
3 2
3.23 10 (5 0.25)
 x
=
0.00014316
 K 
=
Dan setelah diketahui konstanta K dapatdiperhitungkan nilai gm seperti berikut.
2 ( )
m GS
 g K v
=
0.00028632(5 0.25)
m
 g 
=
3
1.36 10
m
 g x
=

Activity (29)

You've already reviewed this. Edit your review.
Muh Rifai Physics added this note
fet
Muh Rifai Physics added this note
rifai
1 thousand reads
1 hundred reads
harmono liked this
Nofy Hachi liked this
Madina Rizkya liked this
Kafil Mawaidz liked this
May-may Mayang liked this

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->