MINISTERUL EDUCAŢIEI, CERCETĂRII ŞI TINERETULUI

GRUPUL ŞCOLAR “PETRU MAIOR” REGHIN

 
 

 
SPECIALITATE: TEHNICIAN OPERATOR
TEHNICĂ DE CALCUL

 
PROIECT PENTRU CALIFICARE PROFESIONALĂ
DE NIVEL 3
 

 
 
 
PROFESOR: ABSOLVENT:
ING. CRISTIANA PANTELIMON SUCIU ALINA
TRANZISTOARE
BIPOLARE

Reghin 2010
 Istoric

 Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone

Laboratories din New Jersey în decembrie 1947 de John
Bardeen, Walter Houser Brattain, şi William Bradford
Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat
dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele
mai mari descoperiri ale erei moderne.
 Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor
alcătuit dintr-o succesiune de trei regiuni realizate prin
impurificarea aceluiaşi cristal semiconductor, regiunea
centrală fiind mult mai îngustă şi de tip diferit faţă de
regiunile laterale (fig. 1).
 Regiunea centrală este mult mai slab dotată cu
impurităţi decât celelalte regiuni şi se numeşte bază (B).
Una dintre regiunile laterale, puternic dotată cu
impurităţi, se numeşte emitor (E).
 Cealaltă, mai săracă în impurităţi decât emitorul, se
numeşte colector (C).
Fig. 1 - structura şi simbolul tranzistorului bipolar de tip: a) pnp; b) npn
 Denumirile regiunilor extreme sunt corelate cu
funcţiile lor. Emitorul este sursa de purtători,
care determină în general curentul prin tran-
zistor, iar colectorul colectează purtătorii ajunşi
aici. Baza are rolul de a controla(modifica)
intensitatea curentului prin tranzistor în funcţie
de tensiunea dintre bază şi emitor.

 Tranzistorul transferă curentul din circuitul de

intrare de rezistenţă mică în circuitul de ieşire
de rezistenţă mare, de unde şi denumirea de
tranzistor (transistor = transfer resistor)
 Tranzistorul bipolar este un dispozitiv activ care are ca funcţie de
bază pe cea de amplificare. Proprietatea de amplificare a tranzistorului
bipolar se datorează aşa-numitului efect de tranzistor.
Pentru tranzistorul bipolar se pot defini trei curenţi şi trei tensiuni
aşa cum sunt prezentate in figura 2:

Fig. 2 - mărimile la bornele tranzistorului bipolar: a); b).


Tensiunile sunt legate prin relaţia: vCB = vCE + vEB, (1)
iar curenţii prin relaţia: I E = IC + IB . (2)
 Pentru a obţine relaţia (2), tranzistorul bipolar este asimilat
cu un nod în care suma algebrică a curenţilor este zero. Ca
urmare a relaţiilor (1) şi (2) numai două tensiuni şi doi curenţi
sunt mărimi independente.
 Alegerea mărimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face in moduri diferite.
 Criteriul este următorul: se consideră tranzistorul ca un diport
(un bloc cu două borne ce formează poarta de intrare şi alte
două borne ce formează poarta de ieşire). Deoarece
tranzistorul are doar trei borne (terminale), una dintre ele
trebuie să fie comună intrării şi ieşirii. Borna comună defineşte
conexiunea tranzistorului...
 ...aşadar, tranzistorul bipolar are trei noduri de
conectare fundamentale:
– conexiunea BC (cu baza comuna) (fig. 3, a);
– conexiunea EC (cu emitorul comun) (fig.3, b);
– conexiunea CC (cu colectorul comun) (fig. 3, c).
Fig. 3 - conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar:
a) conexiunea BC; b) conexiunea EC; c) conexiunea CC
 Regimuri de lucru:

 In cazul tranzistorului bipolar se pot realiza următoarele

regimuri(regiuni) de lucru:
 1) regimul normal de lucru (regiunea activă directă) când
joncţiunea emitorului este polarizată direct şi cea a
colectorului invers;
 2) regimul inversat de lucru (regiunea activă inversă) când
joncţiunea emitorului este polarizată invers şi cea a
colectorului direct, iar emitorul si colectorul îşi inversează
rolurile; acest regim nu este folosit in mod practic deoarece
parametrii atinşi de tranzistorul bipolar sunt inferiori celor
corespunzători regimului normal (colectorul este mai slab
dopat decât emitorul);
 3) regimul de blocare sau de tăiere) (regiunea de blocare sau
de tăiere) când ambele joncţiuni sunt polarizate invers; iar
curentul prin tranzistorul bipolar este practic nul;

 4) regimul (regiunea) de saturaţie când ambele joncţiuni

sunt polarizate direct; poate exista atât regim de saturaţie
normal cât şi invers; tensiunile pe cele două joncţiuni sunt
mici şi nu pot varia decât foarte puţin.

 Primele două regiuni de lucru sunt regiuni active,

deoarece tranzistorul bipolar permite obţinerea unei
amplificări. Ultimele două regiuni de lucru nu sunt regiuni
active deoarece tranzistorul bipolar nu poate amplifica.
Totuşi aceste regiuni permit utilizarea tranzistorului bipolar
ca element de comutaţie, deoarece în aceste cazuri puterea
disipată de tranzistor este mică din cauza valorii reduse a
curentului (tranzistor bipolar – blocat), respectiv a tensiunii
(tranzistor bipolar – saturat).
 Modelul Ebers-Moll

 Legătura dintre curenţii şi tensiunile

tranzistorului bipolar pentru cele patru
modalităţi de cuplare în circuit pot fi studiate
cu ajutorul modelului matematic Ebers-Moll,
bazat pe schema echivalentă formată din două
diode conectate una în întâmpinarea celeilalte
şi a două surse de curent continuu care indică
interacţiunea dintre aceste diode.
 Acesta este modelul Ebers – Moll pentru tranzistorul
pnp(4.a) şi pentru tranzistorul npn(4.b)...

Fig. 3 - modelul Ebers-Moll pentru tranzistor: a) pnp; b) npn

 ...iar aceasta este schema echivalentă a tranzistorului
bipolar după modelul Ebers – Moll:

Fig. 5 – schema echivalentă a tranzistorului bipolar după modelul Ebers – Moll

 Temperatura maximă a joncţiunilor

 Valoarea temperaturii maxime a joncţiunilor până la care

tranzistorul funcţionează normal depinde de natura
semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din
siliciu funcţionează corect până spre 200 grade C, în timp ce
cele realizate din germaniu sunt limitate în funcţionare în
jurul valorii de 100 grade C.

 Observaţie: La temperaturi mai mari decât cele menţionate,

are loc creşterea extraordinar de rapidă a concentraţiei
purtătorilor minoritari şi semiconductorul se apropie de
unul intrinsec, dispozitivul pierzându-si proprietăţile
iniţiale.
 Puterea maximă disipată

 Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului

prin dispozitiv. O parte din această putere este radiată în
mediul ambiant şi o parte produce încălzirea tranzistorului.

 Puterea disipată de un tranzistor este , în principal, puterea

disipată în cele două joncţiuni ale acestuia.
 Tensiunea maximă admisă

 Reprezintă valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate

suporta un tranzistor fără ca acesta să se deterioreze.
Această valoare este limitată de tensiunea de străpungere a
joncţiunii colector bază (polarizată invers).

 Acest parametru are valori diferite în funcţie de conexiunea

tranzistorului şi este prezentat în foile de catalog pentru
fiecare situaţie în parte.
 Tranzistoare de joasă frecvenţă

Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvenţa de

circa 100kHz, în circuite audio şi de control al puterii.

Tranzistoare de înaltă frecvenţă

Sunt tranzistoare destinate aplicaţiilor la frecvenţe peste 100kHz,

cum este domeniul radio –TV, circuite de microunde, circuite de
comutaţie etc.
 Utilizare

 Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice

cu componente discrete în amplificatoare de semnal (în
domeniul audio, video, radio), amplificatoare de
instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si
demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau în
comutaţie sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi
permiţând integrarea într-o singură capsulă a milioane de
tranzistori.