Professional Documents
Culture Documents
1
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
metale izolatoare-semiconductoare
2
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
donoare acceptoare
semiconductor extrinsec
- purtătorii majoritari –– golurile - semic de tip P
- purtătorii minoritari – electronii n << p
3 3
⎛ 2π mn kT ⎞ 2 ⎛ 2π m p kT ⎞ 2
ν n = 2⎜ 2 ⎟ ν p = 2⎜⎜ 2
⎟⎟
⎝ h ⎠ ⎝ h ⎠
2
cu n0 p0 = ni (independent de WF)
Semiconductor intrinsec
Wc −WF WF −Wv
− −
n0 = p0 → νn e kT
=ν p e kT
→
Wc + Wv 3 kT m p
WF = + ln
2 2 q mn
o W + Wv
la 0 K → WF = c ;
2
∆W 3 ∆W
− −
n 2 = const. T 3 e kT → n = const. T 2 e 2kT
i i
4
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
Semiconductor extrinsec
* de tip N : n0 = p0 + N d+
- proveniţi prin generare de perechi
- proveniţi prin ionizarea impurităţilor donoare
* la temperatură ambiantă n0 ≅ N d+
* la temperatură mare n0 ≅ p 0
µ = µ (x )
5
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
6
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
La echilibru termic: j n = j p = 0
Ambele sunt mărimi care caracterizează acelaşi proces fizic cu caracter statistic
al mişcării dezordonate a purtătorilor de sarcină.
7
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
4. Ecuaţiile de continuitate
8
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
∂p div j p div j p
= Gp − Rp − = Sp −
∂t q q
∂n div j n div j n
= Gn − Rn − = Sn −
∂t −q −q
S p = G p − R p viteza efectivă de creştere
Recombinare: - directă
- indirectă: - centri de recombinare
- capcane
- centri de alipire
9
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
p − p0 1 1
Dar: S p = − → τp = ≅ (concluzie)
τp γ n0 γ N d
Forma generală a ecuaţiilor de continuitate:
∂p p − p0 div j p
=− −
∂t τp q
∂n n − n0 div j n
=− +
∂t τn q
Aplicaţie:
- regim staţionar
- semic. de tip N
- model unidimensional
- câmp electric slab
dpn dp
j p = qpn µ p E − qD p ≅ −qD p n
dx dx
pn − pn 0 1 dj p
0=− −
τp q dx
p −p
n0 + 1 d ⎛⎜ − qD
dp ⎞
n n⎟=0
τ ⎜
q dx ⎝ p dx ⎟⎠
p
d2p p −p
n − n n0 = 0
dx 2 D τ
p p
Se notează: L p = D pτ p lungimea de difuzie a golurilor
x
−
pn ( x) = pno + [ pn (0) − pn 0 ]e
Lp
-x-
10
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
11
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
1. Procese fizice
1
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
(Na) (Nd)
P N
impuritati
Na -
Nd + x
p(x)
Pp Pn pp ≅ N a
n(x)
np nn nn ≅ N d
ρ(x)
+
- x
u(x)
U0
2
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe 2003
2. Joncţiunea pn la echilibru termic
Se determină:
- lungimea regiunii de trecere, l = l p + ln
- înălţimea barierei de potenţial, U 0
Aproximaţii:
ni2
p p >> n p p pnp = n 2
i p p ≅ Na np ≅
Na
ni2
nn >> pn nn pn = ni2 nn ≅ N d pn ≅
Nd
model unidimensional
3
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe 2003
du 2 ( x)
u 2 ( x) x = −l = 0 =0
p dx x = −l p
Se integrează:
du 2 ( x) qp p qp p l p
= x + C1 rezultă: C1 = adică:
dx ε ε
du2 ( x) qp p
= (x + l p )
dx ε
Se integrează:
u 2 ( x) =
1 qp p
2 ε
(x + l p ) + C2
2
rezultă: C2 = 0 şi:
u1 ( x) =
1 qp p
(x + l p )2
2 ε
Zona 1
d 2u1 ( x) qnn
= − cu condiţiile la limită:
dx 2 ε
du1 ( x)
u1 ( x) x =l = U 0 =0
n dx x =ln
Se integrează:
du1 ( x) qn qnn ln
= − n x + C3 rezultă: C3 = adică:
dx ε ε
du1 ( x) qn
= − n ( x − ln )
dx ε
Se integrează:
1 qnn
u1 ( x) = − ( x − ln )2 + C4 rezultă: C4 = U 0 şi:
2 ε
1 qnn
u2 ( x) = U 0 − ( x − ln )2
2 ε
Racordarea soluţiilor:
1) pentru: x = 0 → u1 (0) = u 2 (0) rezultă:
U0 =
1 qp p 2 1 qnn 2 1 q
2 ε
lp +
2 ε
ln =
2ε
(
nn ln2 + p p l p2 )
du1 ( x) du ( x)
2) pentru: x = 0 → = 2 rezultă:
dx x =0 dx x =0
4
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe 2003
qp p qnn lp nn
lp = ln de unde: nn ln = p p l p sau: =
ε ε ln pp
Deoarece: l = ln + l p , rezultă imediat:
pp nn
ln = l şi: lp = l Se înlocuiesc:
p p + nn p p + nn
1q⎡ l 2 p 2p l 2 nn2 ⎤
U0 = ⎢nn + pp
2 ε ⎢⎣ (nn + p p )2 (nn + p p )2 ⎥⎥⎦
De aici se deduce lungimea zonei de trecere:
2εU 0 p p + nn
l=
q p p nn
Observaţii:
- lungimea de trecere este mică dacă zonele sunt dopate puternic;
- regiunea de trecere se extinde mai mult în zona mai puţin dopată cu
impurităţi.
varianta 1:
La echilibru termic:
dp
j p = qpµ p E − qD p =0
dx
Se deduc:
dn
jn = qnµ n E + qDn =0
dx
D p 1 dp kT 1 dp kT 1 dn
E= = E=− Dar:
µ p p dx q p dx q n dx
du
E=− şi, prin artificiu elementar:
dx
kT dp kT dn
du = − = Se integrează:
q p q n
kT p ( x) kT n( x)
u ( x) = − ln = ln
q pc q nc
pc , nc constante de integrare
Se explicitează concentraţiile de purtători:
5
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe 2003
qu ( x ) qu ( x )
−
p ( x ) = pc e kT
n( x) = nc e kT
Condiţii la limită:
x → −∞ u = 0 ⇒ p = pp ; n = np ⇒ pc = p p ; nc = n p
x → ∞ u = U0 ⇒ p = pn ; n = nn ⇒
qU 0 qU 0
−
pn = p p e kT nn = n p e kT
Din ambele relaţii rezultă:
kT nn kT p p kT p p nn kT N a N d
U0 = ln = ln = ln 2 = ln
q np q pn q ni q ni2
Pentru valori tipice ale concentraţiilor de impurităţi, rezultă valori de ordinul
zecimi de V:
N a = 1015 / cm3 ; N d = 1018 / cm3 ; ni2 = 1020 / cm6 ⇒ U 0 = 0,777 V
varianta 2:
µ 2 − µ1
Se constată: µ 2 = µ1 + qU 0 ; U 0 = Dar:
q
∆W − µ1 ∆W − µ 2
− −
p (ln ) = pn = ν p e kT ; p(−l p ) = p p = ν p e kT
∆W − µ1 ∆W − µ 2 + µ 2 − µ1 µ 2 − µ1 qU 0
− − − −
pn = ν p e kT
= ν pe kT
= p pe kT
= p pe kT
µ2 µ1 + µ 2 − µ1 µ1 µ 2 − µ1 µ 2 − µ1
− − − − −
n(−l p ) = n p = ν n e kT = ν ne kT = ν ne kT e kT = nn e kT
6
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
dn
dw
µ q v0
µ
∆W
qv w
- 4 componente ale curentului
- numărul de purtători care difuzează (purtători care înving bariera de
potenţial) depinde de U 0 ;
iD = i pM − i pm + inM − inm = 0
dn
dw
∆W µ
q(v0-u D )
µ
∆W
q v 0 q(v0-u D) w
-
Fizic: la polarizare inversă, nu există difuzie de purtători, dar în imediata
vecinătate a regiunii de trecere apare o generare termică de perechi de
purtători care sunt antrenaţi de câmpul electric; astfel, curentul invers este
un curent de generare.
7
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
dn
dw
q(v0-u D )
∆W µ µ
∆W
-
q(v0-u D) q v 0 w
Fizic: la polarizare directă, în imediata vecinătate a regiunii de trecere, în
zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu trăiesc mai mult de τ p şi nu
pătrund mai mult de Lp . La fel pentru electronii din zona P. Apare o
recombinare puternică în ambele zone şi se obţine curentul direct care este
un curent de recombinare.
⎛ i pM ⎞
i pM − i pm = i pm ⎜⎜ − 1⎟⎟ = i pm [ f (u D ) − 1]
⎝ i pm ⎠
cu condiţia: f (0) = 1
La fel şi pentru electroni.
Rezultă curentul prin joncţiune de forma:
iD = i pm [ f (u D ) − 1] + inm [ f (u D ) − 1] = I 0 [ f (u D ) − 1]
I =i +i
0 pm nm
I0 curent de saturaţie
8
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
curent de goluri
9
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
qU 0' qU 0 qu D qu D
− −
n(−l p ) = nn e kT
= nn e kT
e kT
= npe kT
10
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
dp
j D = − qD p + qnµ n E n x =ln
dx x = l n
dp
Dar: qpµ p E p = − qD p Rezultă:
x = −l p dx x = ln
dp dn
j D = − qD p + qDn
dx x = l n dx x = − l p
Ecuaţia de continuitate, în regim staţionar şi pentru flux unidimensional
de purtători:
∂p p − p0 1 dj p dp
=− − =0 cu j p ( x) = − qD p
∂t τp q dx dx
Rezultă:
p − p0 1 d ⎛ dp ⎞
− − ⎜ − qD p ⎟ = 0 cu p = p (x) si:
τp q dx ⎝ dx ⎠
d 2 p( x) p( x) − pn
2
− 2
=0
dx Lp
x x
−
p ( x) = p n + Ae + Be
Lp Lp
Soluţia: cu condiţia la limită:
x → ∞ p( x) → pn ⇒ B = 0 Deci:
x
−
p( x) = pn + Ae
Lp
qu D
A = p n (e − 1)e
kT Lp
Rezultă: ;
x −ln
qu D −
p ( x ) = p n + p n (e − 1)e
kT Lp
Deci: .
11
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
= − qD p pn (e kT
− 1)(− )e = (e kT
− 1)
Lp x =ln
Lp
qDn n p qu D
Analog: jn (−l p ) = (e kT
− 1)
Ln
qD p p n qu D
qDn n p qu D
Rezultă: jD = (e kT
− 1) + (e kT
− 1)
Lp Ln
AD fiind aria transversală a joncţiunii: i D = Aj D
⎛ qD p pn qDn n p ⎞ qukTD
iD = A⎜⎜ + ⎟(e − 1)
⎝ Lp Ln ⎠⎟
qu D
⎛ qD p qD n ⎞
i D = I 0 (e kT
− 1) cu : I 0 = A⎜⎜ p n + n p ⎟⎟
⎝ Lp Ln ⎠
(curentul de saturaţie)
Reprezentarea grafică:
12
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
kT kT
- pentru u D > 0 u D >> ( = 26mV ) la temperatura
q q
qu D
ambiantă, rezultă: iD = I 0 e ; kT
kT
- pentru u D < 0 u D >> , rezultă: iD = − I 0
q
Semnificaţia curentului de saturaţie: I 0
Concluzii:
- I 0 se dublează la fiecare 10 0 C pentru Ge şi la 6 0 C pentru Si.
- I 0 este mult mai mic la Si decât la Ge (circa 3 ordine de mărime).
13
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
⎛ qu D ⎞
- caracteristica ideală: iD = I 0 ⎜ e kT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- caracteristica unei diode reale:
15
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
Aproximarea caracteristicilor:
- dioda ideala
16
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
Circuit de polarizare:
Determinarea PSF: (U D , I D )
Ecuaţii: E = RiD + uD dreapta de funcţionare statică → PSF
iD = iD (u D ) M ( I D ,U D )
Regimul dinamic se aplică peste regimul de curent continuu. Punctul
de funcţionare se deplasează în jurul PSF iar pentru semnale variabile
suficient de mici, comportarea diodei poate fi considerată liniară.
17
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
⎛ qu D ⎞ ⎛ q (U D + u d ) ⎞ ⎛ qU D qu d ⎞
iD = I 0 ⎜ e kT − 1⎟ = I 0 ⎜ e kT − 1⎟ = I 0 ⎜ e kT e kT − 1⎟ =
⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ qU D ⎛ qud ⎞ ⎞ ⎛ qU D ⎞ qu
qU D
= I 0 ⎜ e kT ⎜1 + ⎟ − 1⎟ = I 0 ⎜ e kT − 1⎟ + I 0 d e kT
⎜ ⎝ kT ⎠ ⎟⎠ ⎜ ⎟ kT
⎝ ⎝ ⎠
qU
qud kTD
Rezultă: id = I 0 e
kT
u kT 1 kT
rezistenţa dinamică: rd = d = =
id q qU D
q( I D + I 0 )
I 0e kT
kT
La polarizare directă: U D > 0, U D >> = 0,026 V
q
kT kT vT
rd = ≅ =
q( I D + I 0 ) qI D I D
rd =
vT 26
= ; [Ω] = [mV ]
ID ID [mA]
kT
La polarizare inversă: U D < 0, U D >>
q
kT
rd = foarte mare
qI 0
b) la frecvenţe înalte apar elemente capacitive:
- datorită sarcinilor fixe din regiunea de trecere
- datorită sarcinilor mobile din zonele în care are loc difuzia de
purtători de sarcină
18
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
nn u
Qb = −qN a A l0 1 − D
nn + p p U0
∆uD ⇒ ∆Qb ⇒ Cb
dQb nn ⎛ 1 1 ⎞ 1
Cb = = −qN a A l0 ⎜⎜ − ⎟
duD nn + p p ⎝ 2 U 0 ⎟⎠ U
M 1− D
U0
nn
qN a A l0
Cb 0 nn + p p
Cb = ; Cb 0 =
UD 2U 0
1−
U0
- Cb 0 este proporţional cu aria joncţiunii;
- În funcţie de profilul de impurităţi se obţin relaţii de forma:
Cb 0
Cb = m
cu m având valori cuprinse între 0,3 si 0,5.
⎛ uD ⎞
⎜⎜1 − ⎟⎟
⎝ U0 ⎠
De regulă, are efect negativ (întârzie răspunsul la frecvenţe înalte)
Se foloseşte sub forma de diodă Varicap.
19
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
x −ln ∞
⎛ qu D ⎞ − ⎛ qu D ⎞
= qApn ⎜ e kT − 1⎟(− L p )e = qApn L p ⎜ e kT − 1⎟
Lp
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ln
⎝ ⎠
∆uD ⇒ ∆Q dp ⇒ Cd
qU D
dQdp q
Cd =
p
= qApn L p e kT componenta determinată
du D M
kT
de goluri; la fel pentru electroni.
Capacitatea totală de difuzie:
Aq 2 ( pn L p + n p Ln ) qU D
Cd = e kT = ct.I D (din PSF).
kT
⎧ N a >> N d ; p p 2 >> nn ;
⎪
Pentru o joncţiune P+N: ⎨ ni2 ni2
⎪n p = p << n = pn
⎩ p n
Aq 2 pn L p qUkTD 2
q qApn D p L p kTD
qU
Cd ≅ Cd =p
e = e ;
kT kT L p D p
q
Cd = τ pID
kT
Capacitatea de difuzie este proporţională cu curentul direct prin diodă.
Capacitatea de difuzie este mai importantă decât capacitatea de barieră în
conducţie directă şi este neglijabilă la polarizarea inversă a diodei.
20
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
Modele simplificate:
- la frecvenţă joasă:
- la blocare:
21
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
22
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
23
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
iD
uD
24
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
1. Introducere
2. Procese fizice
3. Ecuaţii de funcţionare
4. Caracteristicile statice ale TBIP
5. Modelul Early
6. Circuitul echivalent Giacoletto
7. Parametrii de cuadripol ai TBIP
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
1. Introducere
p n p n p n
- regiunea din mijloc – foarte îngustă → d << L p , ordin de mărime: 0,1µ .
- regiuni laterale – emitor, colector
- mult mai dotate
- de acelaşi tip
- au proprietăţi electrice şi fizice diferite (prin dotări
diferite şi prin dimensiuni diferite).
1
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
2
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
2. Procese fizice
2 3
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
2 4
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
3. Ecuaţii de funcţionare
Ipoteze simplificatoare
- model unidimensional;
- concentraţii constante de impurităţi;
- grosimile zonelor neutre ale E şi C >> lungimile de difuzie;
- nivele mici de injecţie (conc. purtători injectaţi << conc. maj.);
- se neglijează fenomenele de generare-recombinare în regiunile de
trecere;
- se presupune absenţa altor agenţi externi;
- tranzistor PNP în RAN;
- d << L p , p p , p p >> nn → se neglijează regiunea de trecere EB.
'
5
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
j p (0)
p( x) = p (0) − x (variaţie liniară);
qD p
j p (0)
Se calculează: p ( w) = p (0) − w şi rezultă:
qD p
qD p qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞
j p (0) = [ p(0) − p( w)] sau: j p (0) = ⎜e − e kT ⎟
w w ⎜⎝ ⎟
⎠
kT qD p pn qukTE
Pentru RAN: uC < 0, uC >> → j p ( 0) = e
q w
Semnificaţia lui w :
w ≅ d −l = d −
(
2ε U 0' −u C nn + p p
'
)
q nn p 'p
Se observă că dacă uC ↓ ⇒ w ↓ ⇒ efect de modulaţie a grosimii bazei
(ceea ce duce la ideea de reacţie internă în tranzistor).
Etapa II:
Se calculează curentul de recombinare pornind de la ecuaţia de
continuitate, în regim staţionar:
∂p p − pn 1 dj p ( x)
=− − = 0 sau:
∂t τp q dx
dj ( x)
q
[ p( x) − pn ] + p = 0 Se integrează pe toată lungimea bazei:
τp dx
w w
∫ [ p( x) − pn ]dx + ∫ dj p ( x) = 0
q
Dar:
τp 0 0
6
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
w
∫ dj p ( x) = j p ( w) − j p (0) = − jr Rezultă:
0
w
q w⎡ j p ( 0) ⎤
jr =
q
∫ [ p ( x ) − p ]dx = ∫⎢ p ( 0 ) − p − x ⎥dx =
τp 0 n
τ p 0 ⎢⎣ n
qD p ⎥⎦
1 q j p ( 0) 2
= [ p(0) − pn ]w −
q
w =
τp 2 τ p qD p
qw ⎡ 1 w qD p pn ⎤⎛⎜ kTE ⎞
qu E qu qu C
⎢p e kT
− pn − ⎥⎜ e − e kT ⎟=
τ p ⎢⎣ n 2 qD p w ⎥⎦⎝ ⎟
⎠
qwpn ⎛⎜ kTE ⎞
qu qu qu
1 kTE 1 kTC ⎟ Rezultă:
= e −1− e + e
τ p ⎜⎝ 2 2 ⎟
⎠
qpn w ⎡ kTE ⎤
qu qu C
jr = ⎢e +e kT
− 2⎥
2τ p ⎢⎣ ⎥⎦
qu
qpn w kTE
Pentru RAN: jr ≅ e .
2Dp
Etapa III:
- curentul local de electroni la joncţiunea emitor-bază:
qDn n p ⎛ qukTE ⎞
jn (0) = ⎜e − 1⎟
Ln ⎜⎝ ⎟
⎠
Etapa IV:
- curentul propriu la joncţiunea colector-bază (ca la o joncţiune PN
polarizată invers, dar cu zona P “subţire”→w):
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞⎛ qu C ⎞
− jco = ⎜ + ⎟⎜ e kT
− 1⎟ (colectorul este dopat
⎜ w '
Ln ⎠⎝ ⎟⎜ ⎟
⎝ ⎠
diferit cu impurităţi în comparaţie cu emitorul);
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞
jco = ⎜ + ⎟ pentru RAN
⎜ w L ' ⎟
⎝ n ⎠
(pentru jco s-a luat semnul corelat cu semnul curentului de colector).
7
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
8
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
i p ( w) j p ( w) j p (0) − jr jr
βt = = = =1− =
i p ( 0) j p ( 0) j p ( 0) j p ( 0)
qpn w ⎛⎜ kTE ⎞
qu qu C
e + e kT − 2 ⎟ qu E qu C
2τ p ⎝⎜ ⎟ 2
1 ⎛⎜ w ⎞⎟ e kT + e kT − 2
= 1− ⎠ =1−
qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞ 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠ qu E qu C
⎜e − e kT ⎟ e kT − e kT
w ⎜⎝ ⎟
⎠
2
1 ⎛⎜ w ⎞⎟
Rezultă, pentru RAN: βt ≅ 1 − ⎜ ⎟ → 1 w << L p
2 ⎝ Lp ⎠
Se observă:
iC = i p ( w) + ico = β t i p (0) + ico = γβ t iE + ico = α oiE + ico
- relaţia fundamentală a tranzistorului.
1 ⎡ 1 ⎛ w ⎞2 ⎤ w σ 1 ⎛ w ⎞
2
α0 ≅ ⎢1 − ⎜ ⎟ ⎥ ≅ 1 − n
− ⎜ ⎟
w σn ⎜ ⎟
⎢ 2 ⎝ Lp ⎠ ⎥ Ln σ p 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠
1+ ⎣ ⎦
Ln σ p
α 0 este factorul de curent al tranzistorului în conexiunea BC. Valorile tipice
sunt apropiate de 1 dar mai mici decât 1.
9
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
10
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞⎛ qu C ⎞
ico = − A⎜ + ⎟⎜ e kT − 1⎟
⎜ w L'n ⎟⎠⎜⎝ ⎟
⎝ ⎠
1 ⎡ 1 ⎛ w ⎞2 ⎤
α0 ≅ ⎢1 − ⎜ ⎟ ⎥
w σ n ⎢ 2 ⎜ Lp ⎟ ⎥
1+ ⎣ ⎝ ⎠ ⎦
Ln σ p
⎛ qu C ⎞
- pentru iE = 0 , ⎜
iC = −ico e kT
− 1⎟ :
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- pentru uC = 0 , iC = 0
- pentru uC < 0 iC = ic 0 = ct.
⎛ qu C ⎞
- pentru iE = 1 mA , iC = α 0 ⋅ 1 − ico ⎜ e kT − 1⎟ :
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- pentru uC < 0 iC = α 0 ⋅ 1 + ico
- anularea lui iC se face pentru uC > 0
⎛ qu C ⎞
- pentru iE = 2 mA , iC = α 0 ⋅ 2 − ico ⎜ e kT − 1⎟ (în mA):
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- pentru uC < 0 iC = α 0 ⋅ 1 + ico
- anularea lui iC se face pentru uC > 0 , dar la o valoare
cu puţin mai mare decât în cazul precedent;
⎛ qu C ⎞
- pentru iE = 3 mA , ⎜
iC = α 0 ⋅ 3 − ico e kT
− 1⎟ (în mA):
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- pentru uC < 0 iC = α 0 ⋅ 1 + ico
- anularea lui iC se face pentru uC > 0 , dar la o valoare
cu puţin mai mare decât în cazul precedent;
11
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
Observaţii:
- caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaţia lui
ico şi a lui α 0 cu tensiunea uC prin intermediul lui w ;
- caracteristici aproape echidistante la creşteri egale ale curentului de
emitor provenind de la variaţia lui α 0 cu curentul de emitor (colector);
- anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector
pozitive, mici şi foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale
curentului de emitor.
Regimuri de funcţionare:
- regiunea de blocare (tăiere), pentru iE ≤ 0 ;
- regiunea activă normală;
- regiunea de saturaţie.
b2) caracteristica de ieşire iC = iC (uC ) u = ct .
E
Relaţii:
α0
qu E qu E
qD p pn
iC = α oiE + ico = α 0 A e kT + ico = ct. e kT + ico
w w
Observaţii:
- caracteristicile nu sunt echidistante;
- panta caracteristicilor este mai mare (w apare şi explicit la numitor şi
el scade când tensiunea de colector creşte în modul);
- anularea curentului se face tot pentru valori pozitive ale lui uC .
b3) caracteristica de intrare iE = iE (u E ) u = ct .
C
Relaţii:
qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞ qD p pn qukTE
iE = A ⎜e − e kT ⎟≅ A e (pentru RAN)
w ⎝ ⎜ ⎟ w
⎠
12
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
Observaţii:
- caracteristica exponenţială;
- pentru uC = 0 , caracteristica trece prin origine;
- influenţa lui uC este mică, prin intermediul lui w;
b4) caracteristica de transfer iC = iC (iE ) sau iC = iC (u E )
Relaţii:
iC = α oiE + ico
Observaţii:
- practic, paralelă cu prima bisectoare;
- la curenţi mari, α 0 scade.
b5) influenţa temperaturii asupra caracteristicilor statice:
13
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
Observaţii:
- caracteristicile se deplasează către stânga sus, PSF se apropie de
zona de saturaţie.
14
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
15
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
α0
iC = β 0iB + iceo cu β0 = (factorul de curent al
1 − α0
ico
tranzistorului în conexiune EC) şi iceo = .
1 − α0
Observaţii:
- caracteristicile au panta mai mare deoarece β 0 depinde mai puternic
de uc = uC − u E prin intermediul lui w :
'
2
1⎛ w ⎞ w σn
1− ⎜ ⎟ −
α0 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠ Ln σ p 1
β0 = ≅ ≅
1 − α0 ⎡ 1 ⎛ w ⎞2 w σ ⎤ 1 ⎛⎜ w ⎞⎟
2
w σn
1 − ⎢1 − ⎜ ⎟ − n⎥
+
⎢ 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠ Ln σ p ⎥ 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠ Ln σ p
⎣ ⎦
- caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine;
- caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependenţa de curentul
de colector a factorului de curent în conexiune EC este mai mare decât în
cazul conexiunii BC.
16
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
Observaţii:
- carateristicile nu trec prin origine;
- tensiunea u'C are o influenţă mică.
c4) caracteristica de transfer iC = iC (iB ) , parametru u'C ;
Relaţii:
iC = β 0iB + ico
17
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
Observaţii:
- influenţă mai mare a tensiunii de colector prin intermediul lui w
care determină o variaţie mai puternică a lui β 0 .
c5) Dependenţa de temperatură a caracteristicilor statice
c6) Valori uzuale pentru α 0 (0.95 - 0.995) şi β o (20 -300);
c7) Aproximarea caracteristicilor statice:
18
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
5. Modelul Early
∆i2
Definiţie: factor de amplificare în curent:
∆i1 ∆u 2 = 0
∆iC
- pentru conexiunea BC: α=
∆iE u C = ct .
∆iC
- pentru conexiunea EC: α ' =
∆iB u ' C = ct .
∆i E
- pentru conexiunea CC: α ' ' =
∆i B u ' ' C = ct .
Conexiunea BC:
18
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
Relaţii:
iC = α 0iE + ico rezultă, prin derivare:
⎛ dα 0 ⎞ ⎛ dα ⎞
diC
= α 0 + ⎜⎜ iE ⎟⎟ ⎜
= α 0 + iE 0 du E ⎟
diE ⎝ di E ⎠u
⎜ du E u = ct . diE u = ct . ⎟
C = ct . ⎝ C C ⎠
qD p pn qukTE ⎛ diE ⎞ q
Deoarece: iE = A e , ⎜⎜ ⎟⎟ = I E deci:
w ⎝ E ⎠ PSF
du kT
dα 0 kT 1 kT dα 0
α = α0 + IE = α0 +
du E uC = ct .
q IE q du E u C = ct .
Conexiunea EC:
∆iC
Relaţii: α'= =β
∆iB u ' C = ct .
19
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
α
iE = iC + iB → ∆iE = ∆iC + ∆iB ∆iC = α∆iE ⇒β =
1−α
Factor de amplificare în regim variabil în conexiunea EC: β = h21e .
Variaţia lui β cu curentul de emitor (colector) este mult mai puternică
decât în cazul conexiunii BC.
Modelul Early:
20
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
Observaţii:
- ren : rezistenţa naturală a emitorului:
qu E
qD p pn kT
iE = A e kT (pentru RAN: uC < 0, uC >> )
w q
qu
∂iE qD p pn q kTE q
=A e = IE Rezultă:
∂u E w kT kT
M
1 kT 1 0,026
ren = = = (valoare mică)
⎛ ∂iE ⎞ q IE IE
⎜⎜ ⎟⎟
∂
⎝ E ⎠M
u
- K : coeficientul de modulaţie a grosimii bazei:
qu E
∂iE ⎛ 1 ⎞ ∂w ⎛ 1 ⎞ ∂w
= AqD p pn e kT ⎜ − 2 ⎟ = IE ⎜− ⎟
∂uC M ⎝ w ⎠ ∂uC M ⎝ w ⎠ ∂uC M
∂iE qI E
∂u E kT 1
K =− M
=− =
∂iE 1 ∂w kT 1 ∂w
− IE
∂uC M
w ∂uC M
q w ∂uC M
(reprezintă influenţa ieşirii asupra intrării prin intermediul grosimii efective
a bazei – reacţia internă în tranzistor).
w≅d −
(
2ε U 0' − uC nn + p p
'
) u
= d − l0' 1 − C'
'
q nn p p U0
∂w l0' 1
=
∂uC 2U 0' U
M 1 − C'
U0
Valori tipice pentru K: 103 ÷ 105 .
b) circuitul de ieşire
Relaţia:
iC = α 0iE + ic 0 = α 0 (iE , uC )iE + ic 0 (uC )
21
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
Se diferenţiază:
⎛ ∂α 0 ⎞ ⎛ ∂α 0 ⎞ ∂i
∆iC = α 0 ∆i E + ⎜⎜ i E ⎟⎟ ∆i E + ⎜⎜ i E ⎟ ∆u C + c 0 ∆u C
⎟
⎝ ∂i E ⎠ M ⎝ ∂u C ⎠ M ∂u C M
⎡ ⎛ ∂α 0 ⎞ ⎤ ⎡⎛ ∂α 0 ⎞ ∂i ⎤
∆iC = ⎢α 0 + ⎜⎜ iE ⎟⎟ ⎥ ∆iE + ⎢⎜⎜ iE ⎟⎟ + c 0 ⎥ ∆uC
⎣ ⎝ ∂iE ⎠ M ⎦ ⎣⎝ ∂uC ⎠ M ∂uC M ⎦
Se poate scrie sub forma:
∆iC = α∆iE − g cn ∆uC
Se desenează sub forma unui circuit electric:
Observaţii:
- α factor de amplificare în curent în conexiunea BC
- g cn conductanţa naturală a emitorului – dependenţa de PSF:
2 2
1⎛ w ⎞ w σn 1⎛ w ⎞
α 0 = 1 − ⎜⎜ ⎟⎟ − ≅ 1− ⎜ ⎟
2 ⎝ L p ⎠ Ln σ p 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠
∂α 0 1 1 w ∂w ⎛ 1 ⎜ w ⎟ ⎞⎟ 1 ∂w
⎛ ⎞
2
1 ∂w
=− 2 =2 −⎜ = −2(1 − α 0 )
∂uC 2 L p L p ∂uC ⎜ 2 ⎜ L ⎟ ⎟ w ∂u w ∂uC
⎝ ⎝ p⎠ ⎠ C
⎡ ∂ic 0 ⎛ ∂α 0 ⎞ ⎤ 1 ∂w
g cn = − ⎢ + ⎜⎜ iE ⎟⎟ ⎥ = g c 0 + 2 I E (1 − α 0 )
⎣ ∂uC M ⎝ ∂uC ⎠ M ⎦ w ∂uC M
22
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
1 ∂w kT q 2(1 − α 0 )
g cn = g c 0 + 2 I E (1 − α 0 ) = gc0 +
w ∂uC M
q kT Kren
Se obţin valori mici pentru conductanţa naturală a emitorului -
10−6 − 10−7 S - ceea ce conferă TBIP caracterul de generator de curent şi în
regim dinamic.
Pentru semnale rapid variabile, intervin elementele capacitive:
Capacităţile tranzistorului
23
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
Cbe 0 Cbc 0
Cbe = Cbc =
U U
1− E 1 − C'
U0 U0
Capacitatea de difuzie este determinată de variaţia sarcinii purtătorilor
mobili de sarcină din bază la variaţii ale tensiunii emitor bază respectiv
colector-bază.
24
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
25
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
26
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
27
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
7. Parametrii de cuadripol
28
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
29
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
⎛1 1 Zπ ⎞⎟
U o ⎜⎜ + +S
Io ⎝ ro Zπ + Z µ Zπ + Zµ ⎟⎠
h22 = ho = = =
Uo Ii =0
Uo
1 1 + Srπ 1 1 + β
= + = +
ro rµ ro rµ
−4 −5
- valori tipice: 10 "10 S ;
- dependent de PSF şi de frecvenţă.
30
Cap.4. Amplificatoare elementare
1. Parametrii amplificatoarelor
2. Scheme de principiu, scheme electrice, scheme echivalente
3. Amplificator caracterizat prin parametrii de cuadripol
4. Structuri fundamentale cu TBIP
5. Influenţa circuitelor de polarizare asupra performanţelor amplificatoarelor
fundamentale cu TBIP
6. Tranzistoare echivalente. Tranzistoare compuse
7. Circuite cu impedanţă de intrare mărită
8. Circuite cu impedanţă de ieşire micşorată
9. Amplificatoare cu sarcină dinamică
10. Amplificatoare diferenţiale
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 1 notiţe
1. Parametrii amplificatoarelor
U2
- amplificarea de tensiune: Au = A = (depinde de Zs )
U1
I2
- amplificarea de curent: Ai = (depinde de Zs )
I1
U
- impedanţa de intrare: Z int = 1 (depinde de Zs )
I1
U
- impedanţa de ieşire: Z ies = 2
I2 E g = 0; Z g ≠ 0; Z s → ∞
(se anulează sursa de semnal dar impedanţa sa internă, Z g , rămâne în circuit)
U2
- amplificarea globală de tensiune: Aug =
Eg
(pentru excitaţie cu generator de tensiune)
I2
- amplificarea globală de curent: Aig =
Ig
(pentru excitaţie cu generator de curent)
- amplificarea de putere: Ap = Au Ai
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 2 notiţe
- alţi parametri
- banda de frecvenţe
- tensiunea echivalentă de zgomot
- puterea debitată în sarcină
- puterea absorbită de la sursele de alimentare
- valori limită absolute pentru tensiuni, curenţi, puteri
- etc.
Zs
U2 = U0
Z s + Z ies
Z s → ∞ (în gol) → U 2∞ = U 0
Deci:
Zs
U 2 = U 2∞
Z s + Z ies
U2 U
Dar: = A şi 2∞ = A∞
U1 U1
U2 U Zs Zs
= 2∞ sau A = A∞
U1 U1 Z s + Z ies Z s + Z ies
Rezultă:
⎛A ⎞
Z ies = Z s ⎜ ∞ − 1⎟ comentariu
⎝ A ⎠
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 81 notiţe
( ''
)
* se echivalează T " , Z s cu un tranzistor echivalent în conexiunea CM;
dinspre emitor se vede schema echivalentă Thevenin cu:
81
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 82 notiţe
A∞ = 1, Z ies = zib" .
* se introduce şi R0 şi se echivalează din nou cu Thevenin cu notaţiile:
R0 zib" R0
Z1 = R0 z = "
ib k1 =
R0 + zib" R0 + zib"
82
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 83 notiţe
ho' hi''
ho' Z1 = ho' k1 zib'' ≅ k1 " → 0
hf
'
* tensiunea de la ieşirea lui T se scrie prin superpoziţie:
U1 = Au*e1 + Aub
* *
k1e2 = − Aub (e1 − k1e2 ) deoarece:
Au* =−
h*f Z s'
; *
Aub =
(h
*
f )
− ∆h* Z s'
⇒ Au* = − Aub
*
hi* + Z s' ∆h *
hi* + Z s' ∆h*
*
* calculul lui Aub :
* se definesc:
- tensiunea diferenţială de la intrare: vid = e1 − e2 ;
e +e
- tensiunea de mod comun de la intrare: vic = 1 2 .
2
v v
- se deduc tensiunile de intrare: e1 = vic + id ; e2 = vic − id .
2 2
- din expresiile factorilor de cuplaj se calculează:
1 − k1 1 − k2
zib'' = R0 ; zib' = R0 .
k1 k2
- se calculează tensiunea de ieşire:
83
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 84 notiţe
zib'
U1 = Au' '
(e1 − k1e2 ) =
zib + Z1
1 − k2
R0 sau:
k2 ⎛ v ⎛ v ⎞⎞
= Au' ⎜ vic + id − k1 ⎜ vic − id ⎟ ⎟
1 − k2 1 − k1 ⎝ 2 ⎝ 2 ⎠⎠
R0 + R0
k2 k1
U1 = Au'
(1 − k2 )(1 + k1 ) ⎛⎜ v + 2(1 − k1 ) v ⎞⎟
2(1 − k1k 2 ) ⎜⎝
id ic ⎟
1 + k1 ⎠
1 + k1 1 + k2
- se notează: r1 = ; r2 = . (coeficienţi de rejecţie, de
2(1 − k1 ) 2(1 − k 2 )
valoare mare)
- se calculează:
2r1 − 1 2r − 1
k1 = ; k2 = 2 şi se obţine:
2r1 + 1 2r2 + 1
r1 ⎛ v ⎞
U1 = Au' ⎜⎜ vid + ic ⎟⎟ ; la fel:
r1 + r2 ⎝ r1 ⎠
r2 ⎛ v ⎞
U 2 = Au'' ⎜⎜ − vid + ic ⎟⎟
r1 + r2 ⎝ r2 ⎠
• cazul AD simetric:
84
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 85 notiţe
1 ⎛ v ⎞ 1 ⎛ v ⎞
U1 = Au ⎜ vid + ic ⎟; U 2 = Au ⎜ − vid + ic ⎟; U1− 2 = Au vid .
2 ⎝ r ⎠ 2 ⎝ r ⎠
(influenţă mică a tensiunii de mod comun ⇒ r → ∞ ).
e1 − e2 = vid ; e1 + e2 = 0 ⇒ vic = 0
Rezultă:
r1 r2 Au' r1 + Au'' r2
U1 = Au' ''
vid ; U 2 = − Au vid ; U1− 2 = vid
r1 + r2 r1 + r2 r1 + r2
Se notează:
r1 r2
Ad' = Au' '' ''
; Ad = Au (amplificare diferenţială)
r1 + r2 r1 + r2
Rezultă:
U1 = Ad' vid ; U 2 = − Ad'' vid ;
1
Ad' = Ad' ' = Ad = Au (pentru un circuit simetric).
2
• excitaţie pe modul comun:
e1 − e2 = 0; e1 = e2 = vic ; vid = 0.
Se notează:
' Au' '' Au''
AMC = ; AMC = şi rezultă:
r1 + r2 r1 + r2
'
U1 = AMC ''
vic ; U 2 = AMC '
vic ; U1− 2 = AMC ''
− AMC vic ( )
85
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 86 notiţe
Observaţie:
- pentru un AD simetric, se poate scrie că:
Au A
AMC = = u.
r1 + r2 2r
* din cele două moduri de excitaţie se poate scrie, pentru un circuit simetric:
U1 (vid ) = Ad vid
U1 (vic ) = AMC vic
- rezultă că, pentru a produce acelaşi efect la ieşire, este necesar ca:
r vid = vic ceea ce înseamnă că, aceeaşi tensiune la ieşire este realizată de o
tensiune de mod comun la intrare de r ori mai mare decât tensiunea de mod
diferenţial de la intrare. Raportul dintre tensiunea de mod comun şi tensiunea de
mod diferenţial de la intrare care provoacă acelaşi efect la ieşire se numeşte
factor de rejecţie a modului comun, CMR.
- rezultă: (CMR' ) = r1; (CMR" ) = r2 .
- pentru circuitul simetric: (CMR) = r .
- valori tipice: (− 100 ÷ −140 )dB .
* tensiunile de ieşire se mai pot scrie şi sub forma:
⎛ vic ⎞
U1 = Ad' vid + AMC
'
vic = Ad' ⎜⎜ vid + ⎟
'⎟
⎝ (CMR) ⎠
⎛ vic ⎞
U 2 = − Ad'' vid + AMC
''
vic = Ad'' ⎜⎜ − vid + ⎟
'' ⎟
⎝ (CMR) ⎠
86
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 87 notiţe
c) comportarea AD la intrare:
*
- din amplificarea de curent a tranzistorului T :
h*f
I c' = I b' Ai' = I b' ≅ Ai' I b'
1 + ho* Z s'
- se calculează curentul de intrare:
/
I c' U1 1 1 r ⎛ v ⎞
I b' '
= ' = − ' ' = − ' ' Au 1 ⎜⎜ vid + ic ⎟⎟
Ai Z s Ai Ai Z s r1 + r2 ⎝ r1 ⎠
- se foloseşte relaţia generală:
Z s'
Au' = − Ai'
Z i'
şi rezultă:
1 r1 ⎛ vic ⎞ 1 r2 ⎛ vic ⎞
I b' = ⎜ v + ⎟ şi I b'' = ⎜ − v + ⎟
Z i' r1 + r2 ⎜⎝ r1 ⎟⎠ Z i'' r1 + r2 ⎜⎝ r1 ⎟⎠
id id
în care:
hi' + Z s' ∆h' hi'' + Z s''∆h''
Z i' = ≅ hi
'
; Z i
''
= ≅ hi
''
1 + ho' Z s' 1 + ho'' Z s''
(ca pentru un tranzistor în conexiune EM).
Cazuri particulare:
87
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 88 notiţe
vid
a) e1 = vid ; e2 = 0 ⇒ vic = ;
2
* impedanţa de intrare diferenţială va fi:
88
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 89 notiţe
89
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 90 notiţe
hi''
Z ic'' = h 'f' Ro + Ro h 'f şi: Z ic = Zic' Z ic''
hi'
- pentru un circuit simetric:
Z ic' = Z ic'' = 2h f Ro
Comparaţie: Z id = 2hi cu Z ic = h f Ro
d) factorul de merit al AD
Ro h f
* prin definiţie, este produsul: M = Z id r = 2hi = 2h f Ro .
hi
- cu cât M este mai mare, cu atât performanţele AD (r şi Z id ) sunt mai bune.
- pentru a avea M cât mai mare: hf ↑ şi/sau Ro ↑ .
90
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 91 notiţe
Z id = 2 H i ≅ 4hi şi M ≅ 4h 2f Ro
(dacă h 'f = h 'f' = h f şi hi
'
= hi'' = hi ).
91
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 92 notiţe
r1 ⎛ v ⎞
U1 = Au' ⎜⎜ vid + ic ⎟⎟
r1 + r2 ⎝ r1 ⎠
92
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 93 notiţe
r2 ⎛ v ⎞
U 2 = Au'' ⎜⎜ − vid + ic ⎟⎟
r1 + r2 ⎝ r2 ⎠
- dar: r1 = r2 = r şi:
'
h Z hf
= − Z s (1 + δ ) = Au (1 + δ )
' f s
Au ≅ −
hi hi
''
h Z hf
= − Z s (1 − δ ) = Au (1 − δ )
f s
Au'' ≅ −
hi hi
- rezultă:
1 ⎛ v ⎞
U1 = Au (1 + δ )⎜ vid + ic ⎟
2 ⎝ r ⎠
1 ⎛ v ⎞
U 2 = Au (1 − δ )⎜ − vid + ic ⎟
2 ⎝ r ⎠
- se deduc tensiunile diferenţiale şi de mod comun de la ieşire:
Auδ
U od = U1 − U 2 = Au vid + vic = Add vid + Acd vic
2
U + U 2 Auδ A
U oc = 1 = vid + u vic = Adc vid + Acc vic
2 2 r
* s-au folosit notaţiile:
Add = Au (amplificarea cu care tensiunea diferenţială de la intrare
pătrunde în tensiunea diferenţială de la ieşire);
Auδ
Acd = (amplificarea cu care tensiunea de mod comun de la intrare
2
pătrunde în tensiunea diferenţială de la ieşire);
Auδ
Adc = (amplificarea cu care tensiunea diferenţială de la intrare
2
pătrunde în tensiunea de mod comun de la ieşire) şi
Au
Acc = (amplificarea cu care tensiunea de mod comun de la intrare
2r
pătrunde în tensiunea de mod comun de la ieşire).
- se vede influenţa factorului de rejecţie a modului comun şi influenţa
nesimetriilor circuitului.
* exemplu numeric:
93
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 94 notiţe
f) scheme electrice
- abateri mici ale rezistenţelor pot duce la blocarea unuia dintre tranzistoare.
94
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 95 notiţe
****
95
DCE 1Amplificatoare elementare N. Cupcea 96 notiţe
* amplificarea de tensiune:
U 2 U 2 U1'
Au = = ' = AuBM (T " ) AuEM (T ' )
U 1 U1 U1
(h 'f' − ∆h" ) Z s − h 'f Z 's
Au = cu:
hi" + Z s ∆h" hi'
+ Z s' ∆h'
hi'' hi'' hi''
Z s' = Z int BM (T " ) ≅ ≅ '' ≅ ''
N" hf + 1 hf
- rezultă: Z s' ∆h' <<< hi' ; dar: Z s ∆h" << hi" şi h 'f' >>> ∆h"
DCE 1Amplificatoare elementare N. Cupcea 97 notiţe
* impedanţa de intrare:
hi' + Z s' ∆h' '
Z int = ≅ h
1 + ho' Z s'
i
* impedanţa de ieşire:
* dezavantaje:
- zgomote induse/captate în/din circuit;
- bandă de trecere variabilă.
- T1 şi T2 formează un AD;
- cu ∆E se modifică curenţii prin tranzistoare şi, ca urmare şi amplificarea de
tensiune:
U2 R I
Au = = − c C 2 = ct.I C 2
U1 R IC 3
- la variaţiile lui ∆E în jurul valorii fixe E curentul continuu al tranzistorului
T2 se modifică între valorile: 0 , pentru T2 blocat şi I C 3 pentru T1 blocat;
⎡ R ⎤
deci amplificarea de tensiune se va modifica întra limitele: 0,− c .
⎣⎢ R ⎥⎦
* avantaje:
- reglajul se fac e cu o tensiune continuă;
- tensiunea de reglaj se poate obţine în cadrul unei scheme de reglaj
automat al amplificării;
- în colectorul tranzistorului T1 se obţine simultan o tensiune în antifază
cu aceea de la ieşire;
- comanda se poate face şi pe baza unuia dintre tranzistoare;
- tranzistoarele T1 şi T2 formează o structură diferenţială cu toate
avantajele (rejecţia semnalelor de mod comun determinate de variaţiile
tensiunilor de alimentare sau a temperaturii);
- tranzistoarele T2 şi T3 formează o structură cascodă cu avantajele
respective.
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 3 notiţe
⎧ EC = RbiRb + u BE ⎧u g = Rg ig + U Cb + u BE
⎨E = R i + u ⎨u = U + u
⎩ C c Rc CE ⎩ CE Cc s
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 5 notiţe
⎧ig + iRb = iB
⎨i + i = i us = − Rsis
⎩ Rc s C
⎧iB = iB (uCE , u BE )
⎨
⎩iC = iC (uCE , u BE )
Se prelucrează relaţiile:
( )
⎧⎪ EC = Rb I Rb + iRb (v) + U BE + ube
⎨
( )
⎪⎩ EC = Rc I Rc + iRc (v) + U CE + uce
⎧u g = Rg ig + U Cb + U BE + ube
⎨U + u = U + u
⎩ CE ce Cc s
⎧⎪ I B + ib = ig + I Rb + iRb (v)
⎨
⎪⎩ I Rc + iRc (v) = is + I C + ic
În absenţa semnalului variabil (ug=0), în circuit se stabileşte
numai un regim de curent continuu:
⎧⎪ EC = Rb I Rb + U BE ⎧0 = U Cb + U BE ⎧ I B = I Rb
⎨ ⎨U = U ⎨I = I
⎪⎩ EC = Rc I Rc + U CE ⎩ CE Cc ⎩ C Rc
care caracterizează comportarea circuitului în curent continuu şi permit
determinarea PSF. Se observă că aceste relaţii corespund unui circuit
echivalent în c.c.
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 6 notiţe
* determinarea PSF:
⎧ EC = Rb I B + U BE ⎧ I B = I B (U BE ,U CE )
⎨ ⎨
⎩ EC = Rc I C + U CE ⎩ I C = I C (U BE ,U CE )
* metoda analitică - caracter profund neliniar al celor două
caracteristici statice ale tranzistorului;
* metoda grafo-analitică:
** pentru circuitul de intrare:
- caracteristica statică de intrare a tranzistorului în conexiunea EC
(UCE are o influenţă mică).
- ecuaţia corespunzătoare dreaptei de funcţionare statică (în planul
iB, uBE).
- la intersecţia celor două curbe se obţine punctul static de
funcţionare (în planul iB, uBE), M’, de coordonate (IB,UBE).
IC = β0IB
UCE = EC - RcIC.
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 8 notiţe
U Cb = −U BE = −0,6V
U Cc = −U CE
us uce
iC = =
Rs || Rc Rs || Rc
şi ea reprezintă ecuaţia unei drepte în planul ( iC , uCE ) denumită dreapta
de funcţionare dinamică, şi care este reprezentată prin segmentul de
dreaptă AB care are o pantă diferită de cea a dreptei de funcţionare
statice. Se observă că dreapta de funcţionare dinamică este, de fapt, un
segment de dreaptă, care trece (simetric) prin PSF şi are o lungime finită,
determinată de amplitudinea semnalului (presupus sinusoidal).
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 10 notiţe
alimentare.
- static, dreapta de funcţionare este determinată de rezistenţa serie a
primarului (foarte mică) fiind aproape verticală;
- dreapta de funcţionare dinamică este determinată de rezistenţa
reflectată de secundar în primar, de valoare mai mare.
Dreapta de funcţionare dinamică permite determinarea amplitudinii
maxime a semnalului variabil ce poate fi obţinut la ieşirea
amplificatorului astfel încât elementele active să nu intre în zonele de
funcţionare profund neliniare.
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 11 notite
U1 = H i I1 − H r Z s I 2 = H i I1 − H r Z s Ai I1 ,
de unde se calculează impedanţa de intrare:
U1
Z int = = H i − H r Ai Z s sau:
I1
Hr H f Zs H i + Z s ∆H
Z int = H i − =
1 + HoZs 1 + HoZs
U g = Z int I1 + Z g I1
U 2 = −Z s I2
H f Zs
Aug = −
H i + Z s ∆H + Z g (1 + H o Z s )
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 13 notite
U 2 U 2 U1 Z int
Aug = = = Au .
U g U1 U g Z int + Z g
I 2 I 2 I1 Zg
Aig = = = Ai
I g I1 I g Z g + Z int
H f Zg
Aig =
Z g (1 + H o Z s ) + H i + Z s ∆H
U1=-ZgI1.
H f U2
- curentul de intrare va fi: I1 = −
Z g + Hi
Hr H fU2
- rezultă: I2 = − + H oU 2 , adică,
Z g + Hi
U2 Hi + Z g
Z ies = =
I 2 U g , I g = 0 ∆H + Z g H o
Z g ≠0
Ap = Au Ai
Relaţiile pot fi folosite pentru orice amplificator caracterizat prin
parametrii H, indiferent de structura sa.
Aşadar, pentru circuitele elementare (emitor la masă, bază la masă,
respectiv colector la masă) amplificările de tensiune şi de curent şi impedanţele
de intrare şi de ieşire vor fi determinate cu relaţiile deduse în care, în locul
parametrilor H, vor fi introduşi parametrii hibrizi corespunzători.
În funcţie de circuitele concrete de polarizare vor putea fi determinate
amplificările globale de tensiune Aug sau de curent Aig şi apoi amplificările de
putere AP numai pentru sarcini rezistive.
Având în vedere faptul că impedanţele de intrare şi de ieşire sunt afectate,
uneori în mod esenţial, de rezistenţele din circuitele de polarizare în c.c.,
impedanţa de intrare a schemei de principiu va fi notată cu Zi (pentru schema cu
emitor la masă), respectiv Zib (pentru schema cu bază la masă) şi Zic (pentru
schema cu colector la masă) şi va fi calculată cu relaţia dedusă aici, iar
impedanţa de intrare în amplificator, inclusiv cu circuitul de polarizare se va
nota cu Zint.
Similar, impedanţa de ieşire a schemei de principiu va fi notată cu Zo
(pentru schema cu EM) respectiv Zob (pentru schema cu BM) şi Zoc (pentru
schema cu CM) şi va fi calculată cu relaţia dedusă în cazul general, iar
impedanţa de ieşire din amplificator, inclusiv cu elementele circuitului de
polarizare se va nota cu Zieş.
Influenţa elementelor circuitului de polarizare, mai mare sau mai mică,
depinde de schema concretă de polarizare în c.c. şi de valorile elementelor de
circuit în comparaţie cu parametrii elementelor active.
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 15 notiţe
Schema de principiu:
hf Zs
Au = −
hi + Z s ∆h
- în majoritatea situaţiilor practice (există şi excepţii) este
îndeplinită condiţia |Zs∆h| << hi :
hf Zs
Au ≅ − = − SZ s
hi
- se constată că, pentru o sarcină rezistivă:
- amplificarea este negativă (adică circuitul schimbă faza semnalului de
la ieşire cu 180º faţă de faza semnalului de la intrare);
- valoarea modulului amplificării este proporţională cu impedanţa de
sarcină şi, pentru valori rezonabile ale acesteia poate fi de ordinul
zeci-sute;
- modulul amplificării depinde esenţial de PSF prin intermediul pantei S
( S ≅ 40 I C ).
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 16 notiţe
* Amplificarea de curent, Ai
hf
Ai =
1 + ho Z s
- pentru sarcini rezonabile: |hoZs| << 1 şi amplificarea de curent
se poate calcula cu relaţia aproximativă:
Ai ≅ h f
(amplificare de curent mare).
* Impedanţa de intrare Zi :
hi + Z s ∆h hh Z kT
Zi = = hi − r f s ; Z i ≅ hi ≅ h f
1 + ho Z s 1 + ho Z s qI C
(amplificatorul cu EM are o impedanţă de intrare de valoare medie (sute
de Ω sau kΩ) invers proporţională cu curentul de colector din PSF).
hi + Z g
Zo =
∆h + Z g ho
Întrucât raportul dintre hi şi Zg nu poate fi precizat, rezultă că nu
poate fi luată în consideraţie o relaţie aproximativă;
U2 Zi − hf Zs
Aug = = Au ; Aug ≅
U g Zi + Z g hi + Z g
cu: N = hf + 1 + ∆h – hr.
* Amplificarea de tensiune:
Aub = −
h fb Z s
=
(h f + ∆h )Z s
hib + Z s ∆hb hi + Z s ∆h
hf Zs
Aub ≅ = SZ s
hi
- expresie asemănătoare cu aceea pentru schema cu emitor la masă;
- amplificarea de tensiune este pozitivă;
- egală cu aceea a schemei cu emitorul comun (ca modul)
- depinde de curentul de colector din PSF (prin S).
* Amplificarea de curent:
h fb h f + ∆h h f + ∆h
Aib = =− =−
1 + hob Z s N + hob Z s h f + 1 + ∆h − hr + hob Z s
hf
- aproximativ: Aib ≅ − = −α ≅ −1
hf + 1
- amplificarea de curent este, practic, egală cu –1;
- semnul (–) nu are semnificaţie, el depinde numai de convenţia de
semne pentru curenţii de intrare şi de ieşire.
* Impedanţa de intrare:
hib + Z s ∆hb hi + Z s ∆h
Z ib = =
1 + ho Z s N + ho Z s
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 19 notiţe
- expresie aproximativă:
hi 1
Z ib ≅ ≅
hf + 1 S
- este foarte mică, de ordinul zecilor de ohmi;
- se recomandă ca, în cazul amplificatoarelor cu mai multe etaje,
să nu se conecteze un amplificator cu BM după un amplificator cu EM
pentru că amplificarea de tensiune a acestuia va fi mult micşorată.
* Impedanţa de ieşire:
hib + Z g hi + Z g N
Z ob = =
∆hb + Z g hob ∆h + Z g ho
- impedanţa de ieşire are o valoare mare (la numărătorul expresiei
apare termenul NZg);
- tranzistorul se comportă, la ieşire, ca un generator de curent şi în
regim dinamic; (scheme cu BM pot fi folosite ca sarcini dinamice sau ca
generatoare de curent constant, exemple de astfel de scheme fiind
întâlnite în toate circuitele integrate liniare).
- nu se poate da o formă aproximativă atâta timp cât nu este
precizată impedanţa de generator, Zg, decât, cel mult, înlocuind pe N cu
hf+1;
- pentru cele două situaţii limită în care se poate afla Zg, se obţin
rezultatele:
- când tranzistorul este comandat cu generator ideal de tensiune,
impedanţa de ieşire este aceeaşi pentru cele două conexiuni:
hi
Z ob ( Z g = 0) = = Z o ( Z g = 0)
∆h
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 20 notiţe
Schema de principiu:
cu: N = hf + 1 + ∆h – hr ≈ hf + 1.
* Amplificarea de tensiune:
− h fc Z s (h f + 1) Z s (h f + 1) Z s
Auc = = ≅
hic + Z s ∆hc hi + Z s N hi + (h f + 1) Z s
- amplificarea de tensiune este pozitivă şi subunitară.
- dacă este îndeplinită condiţia |(hf+1)Zs|>>hi, amplificarea de
tensiune devine aproape egală cu unitatea, adică circuitul repetă la ieşire
tensiunea aplicată la intrare, şi de aici şi denumirea de repetor pe emitor
pentru această conexiune a tranzistorului BIP.
- condiţia impusă se poate scrie şi sub forma:
hi 1
Zs > ≅ hib ≅ sau S Z s >> 1
hf + 1 S
şi se îndeplineşte în cea mai mare parte a cazurilor practice.
- formula aproximativă pentru amplificarea de tensiune a
repetorului pe emitor se scrie:
SZ s
Auc ≅ ≅1
1 + SZ s
* Amplificarea de curent:
h fc − ( h f + 1)
Aic = =
1 + hoc Z s 1 + ho Z s
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 22 notiţe
* Impedanţa de ieşire:
hic + Z g hi + Z g
Z oc = =
∆hc + Z g hoc N + Z g ho
sau, dacă se înlocuieşte N cu relaţia aproximativă şi se neglijează Zgho:
hi + Z g hi Zg 1 Zg
Z oc ≅ = + ≅ +
hf + 1 hf + 1 hf + 1 S hf + 1
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 23 notiţe
rezultă: repetorul pe emitor este un foarte bun etaj de adaptare între alte
etaje de amplificare ale unui amplificator de tensiune cu mai multe etaje
(ulterior se va arăta că şi răspunsul în frecvenţă al repetorului pe emitor
este foarte bun).
* Amplificarea globală de tensiune este afectată mai puţin de
prezenţa impedanţei generatorului de semnal de valoare nu prea mare,
deoarece impedanţa de intrare în repetor este mare:
Z ic
Aug = Au
Z ic + Z g
* Amplificarea de putere (pentru amplificatorul elementar încărcat
cu sarcină rezistivă):
(h f + 1)(h f + 1) Rs
AP = Au ⋅ Ai = ≅ hf + 1
hi + (h f + 1) Rs
- repetorul pe emitor are amplificare de putere mare realizată pe
seama amplificării de curent.
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 24 notiţe
- amplificarea de tensiune:
- negativă şi mare în valoare absolută pentru EM;
- pozitivă şi mare pentru BM;
- unitară(foarte aproape de 1, <1) pentru CM;
- amplificarea de curent:
- mare pentru EM;
- practic egală cu -1 pentru BM;
- mare pentru CM;
- impedanţa de intrare:
- medie pentru EM;
- foarte mică pentru BM;
- foarte mare pentru CM;
- impedanţa de ieşire:
- mare pentru EM;
- foarte mare pentru BM;
- foarte mică pentru CM;
Conexiune EM BM CM
amplificare de mare mare 1
tensiune negativă pozitivă
amplificare de curent mare -1 mare
impedanţă de intrare medie foarte mică foarte mare
impedanţă de ieşire mare foarte mare foarte mică
amplificare de putere foarte mare mare mare
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 25 notiţe
- amplificarea de curent, Ai :
Ai = h f = 100 .
- impedanţa de intrare, Z i :
Z i = hi = 1,25kΩ .
- impedanţa de ieşire, Z 0 → ∞.
- impedanţa de intrare în amplificator, Z int :
Z int = Rb1 || Rb2 || Z i = 1,07kΩ .
(efectul rezistenţelor de polarizare nu este prea important).
- amplificarea globală de curent:
I s I s I 2 I1 Rc Rb1 R b 2
Aig = = = Ai = 42 ,8.
I g I 2 I1 I g Rc + Rs Rb1 R b 2 + Z i
- efectul rezistenţei de colector
- amplificarea globală de tensiune:
U2 U U Z int
Aug = = 2 1 = Au = 62 .
Ug U1 U g Z int + Z g
(amplificarea de tensiune realizată de circuit este circa 25% din ceea ce poate
realiza tranzistorul pe sarcina de 3kΩ).
- impedanţa de ieşire a amplificatorului:
Z ies = Ζ 0 || Rc = Rc = 2kΩ .
- efectul rezistenţei de colector
- amplificarea de putere, Ap , pentru: Rs → Rs || Rc :
Ap =| Au | × | Ai |= 120 × 100 = 12000 .
- în absenţa rezistenţei de polarizare, Rc, amplificarea de putere maximă
ce ar fi putut fi realizată cu acest montaj este de 24000;
- amplificarea totală de putere - definită ca raportul dintre puterea dată în
sarcina Rs şi puterea cedată de sursa de semnal va fi:
Rs I s2 U2 I s
Apt = = = Aug × Aig = 62× 42,8 = 2654
Ug I g Ug I g
(din cauza circuitelor de polarizare şi a valorii finite a impedanţei de intrare
medie, se obţine o amplificare de putere de numai circa 20% din amplificarea
de putere maximă posibilă cu acest circuit, dar, totuşi, de valoare mare).
* se pot folosi şi alte circuite de polarizare în curent continuu
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 29 notiţe
* schema electrică:
- amplificarea de tensiune:
hf Zs hf
Aub = = Rc Rs =120.
hi hi
- amplificarea este pozitivă, mare şi are aceeaşi valoare ca şi modulul
amplificării de tensiune pentru amplificatorul cu EM;
- amplificarea de curent, Aib , este –1;
- impedanţa de intrare, Zib :
hi
Z ib ≅ ≅ 12,4 Ω . (de valoare foarte mică).
h f +1
- impedanţa de ieşire, Z ob → ∞;
- impedanţa de intrare în amplificator, Z int :
Z int = Z ib || Re ≅ 12,3Ω
- practic neschimbată, pentru că Zib este foarte mică.
- impedanţa de ieşire din amplificator, Z ies :
Z ies = Ζ ob || Rc = Rc = 3kΩ .
- influenţă foarte puternică a circuitului de polarizare care adaugă unui
generator de curent aproape ideal o impedanţă în paralel de numai 3kΩ;
- amplificarea globală de tensiune:
U 2 U 2 U1 Z int
Aug = = = Au ≅ 1,46.
U g U1 U g Z int + Z g
- o reducere foarte puternică a amplificării de tensiune deoarece un
amplificator cu BM nu se comandă cu un generator de tensiune cu o impedanţă
internă aşa de mare; este necesar ca Z g << Z ib !)
- amplificarea globală de curent:
Is I I I Rc Re
A ig = = s 2 1 = Ai ≅ − 0 ,5 .
Ig I 2 I1 I g Rc + Rs R e + Z ib
- rămâne numai influenţa rezistenţei de polarizare din colectorul
tranzistorului;
- amplificarea de putere, Apb :
Apb =| Aub | × | Aib |= 120 × 1 = 120
- amplificarea de putere este mare datorită amplificării de tensiune;
* concluzie:
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 31 notiţe
* schema electrică:
* concluzie:
- eficienţa repetorului pe emitor este cu atât mai bună cu cât circuitul de
polarizare a bazei are o influenţă mai mică asupra impedanţei de intrare a
circuitului.
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 33 notiţe
Tranzistoare echivalente
* schema de principiu:
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 35 notiţe
⎧ hi' = hi + ZN ; h + Zh0
hr' = r
⎪ 1+ Zh0 1+ Zh0
⎨ ' h f − Zh0 h
⎪⎩ h f = 1+ Zh0 ; h0' = 0
1+ Zh0
unde N = h f + 1 + ∆h − hr .
* trebuie remarcat faptul că rezistenţa Z nu poate avea în cazurile practice
valori prea mari, astfel că aproape întotdeauna se poate face neglijarea
| Zh0 |<< 1 ; se obţin relaţii aproximative:
hi' ≅ hi + h f Z; hr' ≅ hr + Zh0 ; h'f ≅ h f ; h0' ≅ h0
∆h' ≅ hi h0 + h f Zh0 − f r h f − Zh0 h f ≅ ∆h
* panta tranzistorului devine:
h'f hf hi 1
S'= = =S =S
hi' hi + h f Z hi + h f Z 1 + SZ
- micşorarea pantei echivalente este importantă chiar pentru valori
nu prea mari ale impedanţei Z şi duce la micşorarea modulului amplificării de
tensiune a tranzistorului cu EM.
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 37 notiţe
devine:
h'f h f Zs SZs
Au = − Zs = − =−
hi' hi + h f Z 1 + SZ
şi în condiţiile în care | SZ |>> 1 , se deduce expresia:
Z
Au ≅ − S -
Z
- această relaţie arată că amplificarea de tensiune nu mai depinde (în mod
esenţial) de parametrii tranzistorului, ci numai de raportul a două impedanţe;
- efectul impedanţei Z se poate considera şi ca o reacţie negativă serie de
curent.
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 38 notiţe
Schema de principiu:
* se obţin relatiile:
'= '=
' '
*se obţin relaţiile:
⎧ ' hi Z
hi = '
= hi ||Z ; h f =
hf Z
=h f
hi'
⎪ hi + Z hi + Z hi
⎨ hZ h Z + ∆h
hr' = r ; h0' = 0
⎪⎩ hi + Z hi + Z
* se constată că panta tranzistorului echivalent este identică cu aceea a
tranzistorului iniţial, S' = S . De multe ori, în cazurile practice, impedanţa Z, o
rezistenţă, are o valoare mult mai mare decât hi, astfel încât, din punct de vedere
numeric, parametrii tranzistorului echivalent sunt practic identici cu cei ai
tranzistorului iniţial.
* dacă tranzistorul inţial este caracterizat de parametrii
hr = 0 si h0 = 0 , atunci parametrii circuitului echivalent vor fi:
Z
hi' = hi || Z ; h 'f = h f ; hr = 0 si h0 = 0 ,
Z + hi
ceea ce permite utilizarea relaţiilor aproximative pentru calculul performanţelor
amplificatoarelor;
* din punct de vedere fizic, se observă că prezenţa impedanţei Z duce la
micşorarea curentului care intră efectiv în baza tranzistorului pentru a fi
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 40 notiţe
amplificat, o parte din el mergând prin Z spre borna comună. Cu cât impedanţa
Z este mai mare, cu atât această pierdere de curent este mai mică;
* cel mai adesea, rezistenţa dintre bază şi emitor apare fie din necesităţile
de polarizare corectă a tranzstorului, fie din circuitele de bootstrapare utilizate
pentru micşorarea influenţei curentului de polarizare din bază asupra impedanţei
de intrare, aşa cum se va vedea în paragrafele următoare.
⎧ U1' −U 2'
⎪
' '
U1 =U1 ; I1 = I1 +
⎨ ' Z
U 2' −U1'
⎪⎩ U 2 =U 2 ; I 2 = I 2 + Z
'
* conform definiţiei:
U 1' U1 U1
hi' = ' = = = hi Z
I1 U ' =0 I1 + I z U 2 =0
U 1 U
+ 1
2
hi Z
U1' | 1 ⎡ Z hi ⎤ Zhr + hi
hr' = ' = + =
U 2 ⎢⎣ Z + hi Z + hi ⎥⎦ Z + hi
h U
r 2
U 2 |I1' = 0
I 2' 1 − hr h f (1 − hr ) Zh0 + ∆h
h0' = ' = h0 + + =
U2 I1' = 0
Z + hi Z + hi Z + hi
I 2' h f I1 − I Z Zh f hi Z
h 'f = ' = = − ≅ hf
I1 U 2 =0
I1' Z + hi Z + hi Z + hi
* se constată că sunt afectaţi în mod substanţiali trei dintre parametrii
tranzistorului echivalent; astfel, chiar dacă tranzistorul iniţial este caracterizat
prin hr = 0 si h0 = 0 rezultă:
hi
hr' = ≠0
hi + Z
ceea ce înseamnă că în calculul performanţelor amplificatoarelor cu astfel de
tranzistoare echivalente trebuie să fie luate în considerare relaţiile exacte deduse.
* se recomandă ca în analiza circuitelor cu tranzistoare astfel de echivalări
să fie evitate.
* prezenţa unei rezistenţe între baza şi colectorul unui tranzistor poate să
apară frecvent datorită faptului că acest mod de polarizare a tranzistorului
asigură o bună stabilizare termică a PSF. În plus, la polarizarea tranzistorului cu
o rezistenţă între bază şi emitor se elimină posibilitatea saturării tranzistorului,
indiferent de condiţiile de lucru.
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 42 notiţe
* schema de principiu:
⎧ '
⎪⎪ hhi' ==hhi ;;
⎨ r' r 1 1
h0' = h0 +
⎪ hf =hf ; =
Z Z || 1
.
⎪⎩ h0
* având în vedere că impedanţa Z are în mod obişnuit valori sensibil mai
1 '
mici decât , parametrul ho capătă importanţă.
ho
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 43 notiţe
Tranzistoare compuse
⎧ U1 = hie I1 + hreU 2
⎨ I = h e I + h eU
⎩ 2 f 1 0 2
de unde, prin identificare se determină parametrii hibrizi ai tranzistorului
compus .
Calculele sunt laborioase şi se rocomandă deducerea acestor parametri pornind
de la definiţie. Astfel, condiţia U 2 = 0 duce la următorul circ. echiv:
hi'
- rezultă: hie ≅ hi' + (h 'f + 1) ≅ 2hi'
h' f
e
* Deci mărirea parametrului hi nu este foarte mare aşa cum apare în
relaţia iniiala, ci se constată doar o dublare a parametrului respectiv al primului
tranzistor.
* din punct de vedere practic, acest lucru înseamnă că tensiunea variabilă
care se aplică la intrarea tranzistorului compus Darlington se repartizează în
mod egal pe intrările celor două tranzistoare.
* pentru determinarea factorului de amplificare în curent al tranzistorului
echivalent, h ef , trebuie determinat curentul I 2 sub forma:
compus Darlington este de circa 2 ori mai mare decât cea oferită de tranzistorul
T′ luat separat ca repetor pe emitor (fără a lua în considerare rezistenţa
generatorului de semnal al cărei efect este mult micşorat datorită faptului că
factorul de amplificare în curent al tranzistorului echivalent este mult mărit;
* fizic, deoarece tensiunea de intrare U i' se repartizează în părţi aproape
egale pe intrările celor două tranzistoare, adică U1 ≅ U1 şi, deoarece curentul
' "
* deoarece I 2
'
= I 1" , rezultă:
I 2 = I 2' + I 2" = I 2' + h"f I1' + h0"U 2 = ( h"f + 1) I 2' + h0"U 2
U 2 − h2"U 2
Dar: I 2'=
1
hi" + '
h0
U 2 (1 − h2" )
Deci: I 2 = (h f + 1)
"
+ h0"U 2
1
hi" + '
h0
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 50 notiţe
h0"
N + ' "
( h "
+ 1)(1 − h "
) h0 h0" + h0' N "
h0 = + h0 = =
e f r "
adică:
hi + '
" 1 1
hi + '
" 1 + h0
' "
hi
h0 h0
În condiţiile obişnuite de aproximare, rezultă:
h0e = h0" + h0' ( h"f + 1)
adică de valoare foarte mare, mai mare decât la fiecare dintre cele două
tranzistoare luate separat.
Observând că:
U − h2"U 2
U1 = −hr' U 2' + h2 "U 2 + hi" 2
1
hi" + '
ho
1 U 2 (1 − hr" )
şi că: U 2' = ' ,
h0 h +" 1
i
h0'
după calcule elementare, rezultă că:
hr' hr" + hr" − hr' + hi"h0'
hre =
1 + h0' hi"
Această relaţie se poate reduce la forma aproximativă:
hre ≅ hr" − hr' + hi"h0'
o expresie care nu se mai poate simplifica avînd în vedere faptul că cei trei
termeni pot avea valori apropiate.
* parametrii dinamici aproximativi ai tranzistorului compus Darlington
vor fi:
⎧
⎪hie = 2hi' ; h ef = h 'f h"f ;
⎪⎪ e
⎨hr = hr − hr + hi h0 ; ho = h0 + h0 (h f + 1)
" ' " ' e " ' "
⎪ "
⎪S e = S
⎪⎩ 2
* deci, din punct de vedere dinamic, tranzistorul compus Darlington
prezintă un factor de amplificare în curent mărit, dar panta echivalentă redusă
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 51 notiţe
* schema de principiu:
h 'f
h ef = (h"f + 1) ≅ h 'f (h"f + 1) ≅ h 'f h f"
1+ h0' hi"
Factorul de amplificare în curent al acestui tranzistor compus va avea
valoarea foarte mare.
* panta tranzistorului compus echivalent.
h ef h 'f h"f
Se = ≅ = S ' h"f
hie hi'
- foarte mare în comparaţie cu panta primului tranzistor (şi, de aici,
denumirea sa, deoarece panta tranzistorului se mai notează şi cu g m ) .
- se observă că:
hi"
S =e
S ' h"f = S " h 'f
hi'
- deoarece, pentru o schemă elementară de polarizare curenţii continui
prin cele două tranzistoare sunt în raportul factorilor de curenţi ai celor două
tranzistoare, se poate scrie:
kT
h"f
qI C" " " IC
'
" " IC
'
I C'
S = S hf
e " '
= S hf " ≅ S hf " ≅ S hf " ' " "
h"f '
kT IC IC β0 IC
qI C
- în această ultimă relaţie, dacă se apreciază că, numeric, h f = β 0 ,
" "
rezultă:
S e = S"
- acest lucru se poate interpreta în felul următor: tranzistorul compus
super-G asigură o pantă echivalentă mare (panta tranzistorului T " prin care
e
circulă curent continuu de valoare mare), în condiţiile în care parametrul hi are
şi el valoare mare fiind asigurat de primul tranzistor T ' , prin care circulă curent
continuu de valoare mică.
- comparând rezultatele obţinute cu cele ale tranzistorului compus
Darlington, se constată că diferenţele nu sunt esenţiale:
- pentru tranzistorul compus Darlington:
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 54 notiţe
⎧ e S"
⎨hi = 2hi ; S ≅
' e
⎩ 2
⎪
⎪⎩ e
S = S"
* în locul tranzistorului T”, se poate utiliza un alt tranzistor compus (de tip
Darlington sau de tip super-G) care să asigure un factor de amplificare în curent
de valoare cît mai mare.
* exerciţiu: să se determine pantele echivalente ale trazistoarelor compuse
tripleţi în funcţie de panta ultimului tranzistor, considerînd că în schema de
polarizare în curent continuu nu intervin alte elemente şi că factorii de
amplificare în curent şi factorii de curent ai celor 3 tranzistoare sunt toţi egali cu
hf .
Observaţie:
- în toate cazurile, mărirea pantei echivalente a tranzistorului compus
provine în principal din fructificarea pantei mari a ultimului tranzistor (prin care
circulă cel mai mare curent).
- structurile de tranzistor de tip super-G sau Darlington, se pot obţine şi în
cazul unor polarizări de alt tip ale tranzitoarelor pentru a obţine alte valori ale
parametrilor individuali ai tranzistoarelor prin care să se îmbunătăţească
parametri globali, în particular, panta echivalentă:
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 56 notiţe
Observaţie:
Pentru toate aceste trei tipuri de tranzistoare compuse se constată că se
măreşte substanţial factorul de amplificare în curent echivalent, ceea ce
reprezintă un câştig pentru îmbunătăţirea unor perfomanţe de regim dinamic ale
circuitelor în care sunt folosite.
hi' + hib"
Deci: hi
e
=
1 + hib" h0'
hi"
Dar: hib ≅ "
"
; hib" ∆h ' ≤ hi ; hib2 h0' ≤ 1, rezultă: hie ≅ hi'
hf +1
I 2'
"
- observînd că I1 = − I 2' şi că raportul reprezintă amplificarea de
I1'
curent a primului tranzistor, rezultă:
h"fbhrb
" '
h0
= h0"b +
1+ h0' hib"
Z int
U1 = E g U1 → E g ⇒ Zint → ∞
Z int + Z g
* alegere între structurile elementare: BC, EC, CC → CC
* schema de principiu:
* trebuie folosită relaţia exactă pentru că, pentru valori mari ale impedanţei de
intare, nu mai pot fi neglijaţi cei doi parametri:
hi + NZ s
Z int =
1 + ho Z s
- dificil de interpretat.
* schema Giacoletto:
- se neglijează rx şi se redesenează:
id hiid + Z 's N id
* Zi = = hiid + (hid + ( h id
f + 1) Z ' s = hi + ( h f + 1) Z '
1 + hoid Z 's i s
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 63 notiţe
* rezultă:
⎧⎪Z i' = hi + (h f + 1) Z '
Z ic = Z i' Z i" cu: ⎨ s
''
⎪⎩Z i = Z µ
* schemă simplă de polarizare şi schema echivalentă în regim dinamic:
Z int = Z ic Rb1 Rb 2
* expresia completă:
[
Z int = Rb1 Rb 2 Z µ hi + (h f + 1) Z s ro ]
- efectele circuitelor de polarizare în c.c. (din bază şi din colector);
- se obţin impedanţe de intrare de ordinul zecilor de kΩ .
* tehnica bootstrapării:
V1
Z AB =
I1
Z AB ↑ ⇒ I1 ↓
V1 V1 Z
Z AB = = =
I1 V1 − kV1 1 − k
Z
k < 1; k → 1 ⇒ Z AB ↑
exemplu: impedanţa de intrare a unui repetor pe emitor:
hi hi hi
Z ic = = = = hi + ( h f + 1) Z s
1 − k 1 − Auc
1−
(h f + 1)Z s
hi + (h f + 1)Z s
* regulă: încălzirea “punctului rece” (borna rece a impedanţei se “încălzeşte”
prin introducerea unei surse de tensiune comandate în tensiune).
- se obţine o impedanţă de intrare ceva mai mare, dar Rb nu poate fi prea mare
(stabilitatea termică a circuitului, zgomote proprii)
* aplicarea “bootstrapării”:
a1) - schema electrică: schema echivalentă:
* schema de bază
- schema electrică: - schema echivalentă:
U BE + R 'e I E'
- în c.c.: I E = I B' + (se apropie cei doi curenţi din
Re
PSF);
- în c.a.:
[
Z int = Rb hi + (h f + 1)ro Re Z ic' ] cu:
Z ic' = Z µ' [h + (h
i
' '
f ]
+ 1)ro' Re' >> Re
şi rămâne, practic, numai influenţa lui Re .
- schema echivalentă:
Z int =
Rb Z µ
1− k
[h + (h
i f + 1) Z ic'' ] (ambele componente sunt de
''
(h f + 1)Z '' (h ''
f + 1)ro
'
R e 2 Re
'
Rc
k = Ac A ≅ ic
Zs
U2 = U0 ; U 2 → U 0 ⇒ Z ies → 0 ;
Z s + Z ies
- alegere între schemele fundamentale, EC, BC, CC ⇒ CC;
* repetorul pe emitor:
hi + Z g 1 Zg
Z ies ≅ ≅ +
hf + 1 S hf + 1
- fizic: Z s ↓ U 2 ↓ (U1 − U 2 ) ↑ U1 ( EC ) ↓ U 2 EC ↑ ( )
- schema echivalentă a circuitului folosind modelul Giacoletto:
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 73 notiţe
( )
I 2 ≅ I c1 − I c 2 = S1'U1' − S 2' U 2' = S1'U1' − S 2' − ZS1'U1' =
( )
= S1' 1 + S 2' Z U1' = SU1'
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 74 notiţe
'
- dar: U1 = U1 − U 2
U
- deci: I 2 = 2 = S (U1 − U 2 ) ⇒ U 2 = SZ s (U1 − U 2 )
Zs
U SZ s Zs
- rezultă: Au = 2 = = ;
U1 1 + SZ s Z + 1
s
S
1
Z ies =
S
- panta echivalentă este foarte mare;
- se mai observă că: I 2 ≅ I c 2 >> I c1
* schemă electrică:
* exemplu de scheme:
- sursă de stabilizare:
- generator de baleiaj:
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 76 notiţe
- dacă: Rs = Rc ;
- amplificarea de tensiune: Au ≅ − SRs = − SRc = −40 I C Rc ;
(cu dimensiuni corespunzătoare);
în c.c.: Ec = Rc I C + U CE
- dar Rc I C poate fi cel mult 0,5EC (pentru a se asigura excursie maximă de
tensiune la ieşire);
EC
- deci: Au max ≅ −40 × = −20 EC ;
2
(mărirea amplificării se poate face prin mărirea tensiunii de amplificării de
alimentare);
- expresia completă:
hf Zs
Au = − ;
hi + Z s ∆h
(la amplificări mari – expresia exactă);
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 77 notiţe
* soluţii:
- TBIP în conexiune BM în circuitul de colector;
- TBIP în conexiune CM în circuitul de intrare.
hf Zs
Au = − ; cu:
hi + Z s ∆h
hi + NRg
Z s = R1 Z iesT2 BM ; Z iesT2 BM = .
∆h + Re h0
- deoarece: Z iesT2 BM >> R1 (uşor de realizat chiar cu valori mici ale lui Re ),
rezultă:
hf 4
Au ≅ − (valoarea maximă posibilă – ordin de mărime: 10 )
∆h
- comentarii privind raportul dintre rezistenţa R1 din acest circuit şi rezistenţa
Rc din circuitul precedent;
- echivalare: T2
'
≡ (T2 , Rc1 ) cu parametrii aproximativi:
Rc1 Rc1
hi' 2 ≅ hi 2 ; h'f 2 ≅ h f 2 ;
Rc1 + hi 2 Rc1 + hi 2
hf 1
- amplificarea de tensiune: Au → Au max = − ;
∆h1
(teoretic, se obţine cea mai mare valoarea a amplificării de tensiune dintre toate
cele trei scheme);
- comentarii.
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 1 notiţe
1. Generalităţi
* schema de principiu:
- presupuneri (aproximaţii):
- transferul direct se face numai prin amplificatorul de bază;
- transferul invers (reacţia) se face numai prin circuitul de reacţie.
* relaţii:
- amplificatorul de bază ( A ): vo = Avia ;
- circuitul de reacţie ( β r ): vr = β r vo ;
- circuitul de comparare (sau de diferenţă) ( C ): via = vi − vr ;
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 2 notiţe
- amplificarea cu reacţie:
A
A' = (diferenţa de întoarcere F = 1 + βr A)
1 + βr A
1 + βr A > 1 reacţie negativă;
1 + βr A < 1 reacţie pozitivă;
1 + βr A = 1 oscilator ( vo ≠ 0 chiar dacă vi = 0 ).
- toate cele trei cazuri au aplicaţii în circuitele electronice
* schema de principiu:
a) amplificarea cu reacţie:
vo
A' =
vi
Dar:
Z s Z or
vo = A∞ via = A(Z s , Z or )via
Z oa + Z s Z or
A(Z s , Z or ) - amplificarea amplificatorului de bază ţinând seama de impedanţa
de sarcină şi de încărcarea pe care o produce circuitul de reacţie;
La intrare:
Z ia
via = (vi − β r vo ) (prin divizor);
Z ia + Z ir
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 5 notiţe
Deci:
Z ia
vo = A(Z s , Z or ) (vi − β r vo );
Z ia + Z ir
Se notează:
Z ia
A(Z s , Z or , Z ir ) = A(Z s , Z or )
Z ia + Z ir
(amplificarea amplificatorului de bază cu încărcările pe care le produce circuitul
de reacţie şi sarcina);
Rezultă:
A' =
vo
=
(
A Z s , Z or , Z ir )
(
vi 1 + β r A Z s , Z or , Z ir )
Dacă:
Z oa << Z or
Z ia >> Z ir A(Z s , Z or , Z ir ) → A(Z s ) → A∞
Z oa << Z s
Observaţii:
1. pentru ca reacţia să fie negativă este necesar ca:
1 + β r A(Z s , Z or , Z ir ) > 1
dA' dA β r dA dA 1
= − =
A' A 1 + βr A A 1 + βr A
- dacă reacţia este puternică, adică dacă: β r A >> 1 rezultă:
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 6 notiţe
1
A'≅
βr
b) impedanţa de intrare:
c) impedanţa de ieşire
vo − A∞ via vo
io = +
Z oa Z or
Dar, din circuit, pentru vi = 0 :
Z ia
via = − β r vo (divizor de tensiune);
Z ia + Z ir
Deci:
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 7 notiţe
Z ia
vo − A∞ (− β r vo )
Z ia + Z ir vo
io = +
Z oa Z or
Rezultă:
Z oa Z oa
Z ies = Z or = Z or
1 + β r A∞
Z ia 1 + β r A(Z ir , Z g )
Z ia + Z ir
Z oa
Dacă: Z ir << Z ia → Z ies ≅ Z or .
1 + β r A∞
Altfel:
Z oa
Z or
Z oa 1 + β r A∞ ( Z ir )
Z ies = Z or = =
1 + β r A∞ ( Z ir ) Z + Z oa
1 + β r A∞ ( Z ir )
or
Z or Z oa
Z or Z oa Z or + Z oa
= =
Z or + Z oa + β r A∞ ( Z ir ) Z or 1 + β A ( Z ) Z or
r ∞
Z or + Z oa
ir
Z or Z oa
Z ies =
1 + β r A∞ ( Z or , Z ir )
* schema de principiu:
* cazul cel mai des întâlnit, reacţia printr-o impedanţă cuplată între intrare şi
ieşire:
a) impedanţa de intrare:
via − vo
iia +
1 i +i Z2 i 1 via − vo
= ia ir = = ia + =
Z int via via via Z 2 via
1 1 ⎛ v ⎞
= + ⎜⎜1 − o ⎟⎟
Z ia Z 2 ⎝ via ⎠
Dar:
Z 2 + Z1 Z ia
vo = A(Z s )via +
Z 2 + Z1 Z ia + Z oa Z s
Z ia Z oa Z s
+ vi ≅
Z ia + Z1 Z 2 + Z1 Z ia + Z oa Z s
Z or
≅ A(Z s )via = A(Z s , Z or )via
Z or + Z oa Z s
(al doilea termen este neglijabil, el reprezintă transferul direct prin circuitul
de reacţie care se neglijează);
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 10 notiţe
Z or
A(Z s , Z or ) = A(Z s ) =
Z or + Z oa Z s
Zs Z or Z s Z or
= A∞ = A∞
Z s + Z oa Z or + Z oa Z s Z or + Z s Z or
- influenţa sarcinii;
- influenţa încărcării circuitului de reacţie.
Rezultă:
Z2
Z int = Z ia
1 − A(Z s , Z or )
- amplificarea de tensiune este negativă;
- importanţa esenţială a celui de al doilea termen;
- impedanţă de intrare foarte mică.
b) amplificarea de tensiune
- echivalare:
Z ia Z1 Z ia
vi ' = vi ; βr =
Z1 + Z ia Z 2 + Z1 Z ia
vo v'
+ i
Z Z1 Z ia
via = 2 = β r vo + (1 − β r )vi '
1 1
+
Z 2 Z1 Z ia
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 11 notiţe
Z or Z oa Z s
vo = A(Z s )via + vi '
Z or + Z oa Z s Z or + Z oa Z s
Z or
≅ A(Z s )via = A(Z s , Z or )via
Z or + Z oa Z s
(al doilea termen se neglijează fiind transferul direct prin circuitul de reacţie)
c) impedanţa de ieşire:
- circuitul echivalent:
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 12 notiţe
v
Z ies =
i
v v − A∞ β r v
+
1 i Z + Z1 Z ia Z oa
= = 2
Z ies v v
1 1 1 − β r A∞ Z oa
= + ; Z ies = Z or
Z ies Z or Z oa 1 − β r A∞
- impedanţa de ieşire este foarte mică;
1 Z + Z or − β r A∞ Z or Z oa + Z or ⎛ Z or ⎞
= oa = ⎜⎜1 − β r A∞ ⎟⎟
Z ies Z or Z oa Z or Z oa ⎝ Z or + Z oa ⎠
1
=
1
[1 − β r A( Z or )] sau:
Z ies Z oa Z or
Z oa Z or
Z ies = ( Z oa Z or este impedanţa de ieşire fără reacţie)
(
1 − β r A Z or )
comentariu.
* surse:
- zgomote proprii ale componentelor electrice şi electronice;
- modificări ale PSF;
- variaţia tensiunilor de alimentare, inclusiv zgomote suprapuse peste
acestea;
- neliniarităţi ale circuitelor.
* schema echivalentă la ieşire fără tensiuni perturbatoare şi fără reacţie:
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 13 notiţe
Zs
vo = A∞ via = v semnal (tensiune utilă)
Z s + Z oa o
Zs Zs
vo = A∞ via + ep = vosemnal + vopert
Z s + Z oa Z s + Z oa
vosemnal
- se defineşte raportul semnal/perturbaţie: Rsp = pert .
vo
Observaţie: raportul semnal/perturbaţie se defineşte pentru valoare nominală a
semnalului.
* schema echivalentă la ieşire cu tensiuni perturbatoare, fără semnal util la
intrare şi cu reacţie :
reactie = ep − Z A∞ β r vopert
reactie = vo − Aβ r vopert
Zs Zs
vopert Z s + Z oa
pert
s + Z oa
reactie
vopert
vopert =
1 + βr A
reactie
6. Dubletul serie
** schema de principiu
- reacţie
- negativă
- serie
- de tensiune
- se calculează amplificarea de tensiune, impedanţa de intrare, impedanţa de
ieşire;
- parametrii TBIP – se neglijează hr şi ho pentru ambele tranzistoare;
a) soluţia 1:
** se determină parametrii hibrizi echivalenţi ai circuitului:
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 17 notiţe
H f = −(h f '+1)
Z1 Z c1
− hf ''hf ' ≅
Z1 + Z 2 Z c1 + hi ' '
Z c1
≅ −h f ' ' h f ' = − h f ' h*f
Z c1 + hi ' '
(se neglijează transferul direct prin circuitul de reacţie)
- cu intrarea în gol:
Z1
Hr =
Z1 + Z 2
1
Ho =
Z1 + Z 2
∆H =
1
Z1 + Z 2
[
hi' + (h 'f + 1) Z1 Z 2 + h 'f h*f Z1 = ]
=
1
Z1 + Z 2
[
H i + h 'f h*f Z1 ]
** amplificarea de tensiune:
H f Zs − h f ' h*f Z c 2
Au ' = − =− =
H i + Z s ∆H Hi +
Z c2
Z1 + Z 2
H i + h f ' h*f Z1 ( )
h f ' h*f Z c 2
Hi
= =
Zc2 h f ' h*f Z c 2 Z1
1+ +
Z1 + Z 2 Hi Z1 + Z 2
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 18 notiţe
(fiind reacţie serie, încărcarea la ieşire se obţine lăsând intrarea în gol; fiind
reacţie de tensiune, încărcarea la intrare se obţine punând ieşirea în scurt
circuit);
* pentru amplificatorul de bază se determină amplificarea de tensiune:
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 19 notiţe
Au = Au (T ' ) Au (T " ) =
⎛ h 'f ⎞⎛ h ''
⎞
⎜
= − ' Z h − Z (Z + Z 2 ) ⎟ =
'' ⎟⎜ f
⎜ h + (h' + 1) Z Z c1 i ⎟⎜ h'' c 2 1 ⎟
⎝ i f 1 2 ⎠⎝ i ⎠
h 'f h*f
= Z c 2 (Z1 + Z 2 )
Hi
Z1
iar pentru circuitul de reacţie se determină factorul de reacţie, βr =
Z1 + Z 2
* dacă amplificarea pe buclă ( β r Au ) este suficient de mare, amplificarea
de tensiune cu reacţie devine:
1 Z1 + Z 2 Z
Au ≅ = =1+ 2
βr Z1 Z1
** impedanţa de intrare:
Hr H f Zs Z1 h'f h*f
Z' = H −
i 1+ H Z = H +
i Z +Z Z =
int Zc 2 c 2
o s 1 2 1+
Z1 + Z2
⎛ ⎞
⎜ h' h* Z ⎛ Z + Z ⎞ ⎟
Z1 ⎜ ⎟
⎜ f f c2 ⎝ 1 2⎠⎟
= Hi ⎜1+ ⎟=
⎜ Z1 + Z2 Hi ⎟
⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ⎠
⎡ ⎛ ' ⎞ ⎤
= hi + ⎜ h f +1⎟ Z1 Z2 ⎥ ⎛⎜1+ βr Au ⎞⎟ = Zint ⎛⎜1+ βr Au ⎞⎟
⎢ '
⎢ ⎝ ⎠ ⎥⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎣ ⎦
- observaţii:
** impedanţa de ieşire:
Z1 + Z 2
Zc2
Z1 + Z 2 1 + β r Au∞
"
Z ies = Zc2 = =
1 + β r Au∞ Z1 + Z 2
Zc2 +
1 + β r Au∞
Z c 2 (Z1 + Z 2 )
Z c 2 (Z1 + Z 2 ) Z c 2 + Z1 + Z 2
= = =
Z c 2 + Z1 + Z 2 + β r Au∞ Z c 2 β r Au∞ Z c 2
1+
Z c 2 + Z1 + Z 2
Z c 2 (Z1 + Z 2 ) Z c 2 (Z1 + Z 2 )
= =
h'f h*f (Z1 + Z 2 ) Zc2 1 + β r Au
1 + βr
Hi Z c 2 + Z1 + Z 2
- interpretare;
T" Ta Tb Tc T
Hi hi" hia = hi" Z c1 hib = hia hic = hia hi'
Hr 0 0 0 0 0
b
Zc1 h
H f h"f haf =h"f = h*
f h =h =h
b a * h c
= f
h'f hcf
Zc1 +hi"
f
Z
f f f 1+ 2
Z
Ho 1 1 hoc
0 0 hob = hoc =
Zc2 Z 2 + Zc 2
Z 2 + Z1
U 2 = ( Z 2 + Z1 ) I c 2 = U1
Z1
Z 2 + Z1
- rezultă amplificarea de tensiune: Au aprox ≅
Z1
- se poate calcula eroarea:
1
hcf +
Au' aprox
Au' = Au' aprox - concluzii;
hcf +1
- se pot calcula impedanţele de intrare şi de ieşire.
** exemple:
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 23 notiţe
7. Dubletul paralel
** schema de principiu
Z1 Z ia 1
cu: βr = ; Z ia = hi ' ; β r =
Z 2 + Z1 Z ia ⎛ 1 1⎞
1 + Z 2 ⎜⎜ + ' ⎟⎟
⎝ Z1 hi ⎠
h 'f Z s (T ' ) h 'f Z c1 Z int (T " ) h 'f Z c1
Au = Au' Au'' ≅− ⋅1 = − ≅−
hi' hi' hi'
Z2
- dacă: β r Au >> 1 , amplificarea devine: Aur (U 2' ) = − ;
Z1
- amplificarea raportată la ieşirea din colector:
Z c 2 I c 2 U 2' Z c 2 Z 2
Aur (U 2 ) ≅− ≅ (dacă Z 2 >> Z e 2 )
Z e 2 I e 2 U1 Z e 2 Z1
(dependentă numai de rapoarte de rezistenţe)
* impedanţa de intrare:
Z2
'
Z int = hi' foarte mică;
1 − Au
* impedanţa de ieşire la colector:
'
Z ies (U 2 ) = Z c 2
- dacă Z c 2 este chiar sarcina, impedanţa de ieşire deja mare (ieşire din
colector este mărită datorită reacţiei de curent; circuitul se comportă la această
ieşire ca un generator de curent);
* impedanţa de ieşire la emitor ( Z e 2 este chiar sarcina):
hi'' + Z c 2
'
Z ies (
(U 2' ) = Z 2 + Z1 hi' )1− β A
h 'f' + 1
r u
Z 2 hi' Z1 A
= ' =
hi + Z1 Z1 Z1hi' Z1hi'
Z2 + − A '
hi' + Z1 hi + Z1
Z1 hi'
A
Z Z1 hi' A Z2 Z2 + Z1 hi'
= 2 =
Z1 Z 2 + Z1 hi' − AZ1 hi' Z1 Z1 hi'
1− A
Z2 + Z1 hi'
Z βr A Z1 hi'
Aur = 2 cu βr = comentarii
Z1 1 − β r A Z 2 + Z1 hi'
** scheme tipice:
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 27 notiţe
- schema echivalentă:
- exemplu numeric:
- alte variante.
1 1 1− A 1 1− A 1 ⎛1 ⎞
= + = + = + jωCµ + (1 − A)⎜⎜ + jωCπ ⎟⎟
Zint Zia Z2 Zµ Zπ rµ ⎝ rπ ⎠
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 30 notiţe
SZ s 1
A= ; 1− A =
1 + SZ s 1 + SZ s
1 1 1
= +
Z int Z µ Zπ (1 + SZ s )
- capacitatea de intrare este redusă foarte mult iar rezistenţa de intrare creşte
10
(deci nu şuntează etajul anterior): Cint = 1 + ≅ 1,1 pF ...
101
1 1
** cazul unei sarcini capacitive: = + jωCs
Z s Rs
- se presupune că: SZ s >> 1;
1 1 1⎛ 1 ⎞⎛ 1 ⎞
= + jωCµ + ⎜⎜ + jωCs ⎟⎟⎜⎜ + jωCπ ⎟⎟
Z int rµ S ⎝ Rs ⎠⎝ rπ ⎠
1 1 1 ω 2Cπ Cs ⎛ C C ⎞
= + − + jω ⎜⎜ Cµ + π + s ⎟⎟
Z int rµ Srπ Rs S ⎝ SRs Srπ ⎠
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 31 notiţe
Cπ C
Cint = Cµ + + s
SRs Srπ
- capacitatea de intrare este mică (etaj de cuplare); şi capacitatea de
sarcină se reflectă micşorată la intrare;
S
Rint = rµ Srπ Rs −
ω 2CsCπ
- rezistenţă de intrare mare;
- componentă negativă dependentă de pătratul frecvenţei semnalului
devine importantă la frecvenţe relativ mici);
- compensarea se poate face cu rezistenţă antioscilantă în serie cu baza:
Uc h f Zc SZ c
Ac = =− ≅−
Ui hi + (h f + 1)Z e 1 + SZ e
Ae =
Ue
=
(h f + 1)Z e
≅
SZ e
U i hi + (h f + 1)Z e 1 + SZ e
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 32 notiţe
- cazul obişnuit:
SRc SRe
Z c = Rc ; Z e = Re → Ac = − ; Ae =
1 + SRe 1 + SRe
1 1 − Ae 1 − Ac 1 1 + S (Re + Rc )
= + = +
Z int Zπ Zπ (
1 + SRe Zπ ) (
1 + SRe Z µ )
1 + SRe
Rint = [(1 + SRe )rπ ] rµ
1 + S ( Rs + Re )
1 1 + S (Re + Rc )
Cint = Cπ + Cµ
1 + SRe 1 + SRe
- reacţia serie:
- măreşte rezistenţa de intrare;
- micşorează efectul capacităţilor parazite;
( R2 rµ )(1 + SRe )
Rint = Rb [rπ (1 + SRe )]
1 + S ( Rc + Re )
- rezistenţa R2 se reflectă la intrare micşorată iar rezistenţa Re se reflectă
mărită (rezistenţa Rb nu este afectată de reacţie);
- caz particular: Re = 0 , numai reacţie paralel; exemplu numeric:
R2 = 200 kΩ (este folosită pentru polarizare în c.c.); SRc = 200 (la
un curent de colector de 1mA şi pentru o rezistenţă de colector de 5kΩ )
R2
- rezultă: ≅ 1kΩ (foarte mică şi încarcă puternic etajul
1 + SRc
anterior);
- capacitatea de intrare se determină ca în cazul anterior.
9. Impedanţe simulate
- dacă: β r A∞ >> 1:
Z oa Z 1 1 1
Z AB ≅ = − oa =
− β r A∞ A∞ β r S A β r
A
- S A = − ∞ , panta echivalentă a amplificatorului;
Z oa
- dacă: Z ia >> Z1 :
Z1 1 Z1 + Z 2 1 Z
βr = şi Z AB = = + 2
Z1 + Z 2 S A Z1 S A S A Z1
* exemple:
a) circuitul cu amplificator cu tranzistoare:
1 C1R2
cu: RAB = şi LAB = (reglabilă prin S 2 );
S2 S2
- pentru factor de calitate bun ( RAB << ωLAB ):
1 1 Z2 Z2 Z1
<< → >> 1 → β r = << 1
S2 S 2 Z1 Z1 Z1 + Z 2
- pentru a realiza condiţia iniţială β r A∞ >> 1, este necesar un amplificator cu
mai multe etaje.
1
e) Z2 = ; Z1 = R1 (multiplicator de capacitate)
j ωC 2
1 1 1
Z AB = + = RAB +
S 2 S 2 jωC2 R1 jωC AB
1
cu: RAB = şi C AB = C2 S 2 R1 (uşor de realizat S 2 R1 > 1)
S2
- exemplu: C2 capacitatea de barieră a unei diode (varicap) iar R1 rezistenţa de
polarizare în c.c. – multiplicare de capacitate variabilă prin tensiunea continuă
de polarizare.
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 1 notiţe
* ipoteze simplificatoare:
- tranzistor cu joncţiuni plane, flux unidimensional;
- baza mai slab dopată cu impurităţi p p , p 'p >> nn ;
- lungimile zonelor neutre ale emitorului şi colectorului mult mai mari
decât lungimile de difuzie ale electronilor LE >> Ln ; LC >> Ln ;
'
∂p ( x, t ) p ( x, t ) − pn 1 ∂
=− − j p ( x, t )
∂t τp q ∂x
∂n( x, t ) n ( x, t ) − n p 1 ∂
=− + jn ( x, t )
∂t τn q ∂x
* densităţile de curent:
jE (0, t ) = j p (0, t ) + jn (0, t ) iE = AjE (0, t )
curenţii:
jC ( w, t ) = j p ( w, t ) + jn ( w, t ) iC = AjC ( w, t )
* se presupune regim sinusoidal de semnal mic:
p ( x, t ) = p0 ( x) + p1 ( x)e jωt p1 ( x) << p0 ( x)
cu:
n( x, t ) = n0 ( x) + n1 ( x)e jωt n1 ( x) << n0 ( x)
*din ecuaţia de continuitate:
∂p ( x, t ) p ( x, t ) − pn 1 ∂ ⎡ ∂p ( x, t ) ⎤
=− − − qD
∂t τp q ∂x ⎢⎣ dx ⎥⎦
p
kT
* verificare pentru RAN ( u E > 0; uC < 0; uC >> ):
q
qu E quC
BE = − 1; BC =
e kT e kT − 1 ≅ −1;
w << L p ; x << L p ;
⎡ ⎛ qu E ⎞w− x x ⎤
⎢ ⎜ e kT −1 ⎟ + (−1) ⎥
⎢ ⎝ ⎜ ⎟ L L ⎥ −
qu E
p0 ( x) = pn ⎢1 + ⎠ p p
≅ pn
w x
e kT
w ⎥ Lp
⎢ ⎥
⎢ Lp ⎥
⎣ ⎦
(distribuţia liniară din teoria elementară a TBIP);
* curenul de goluri:
w− x x
− BE ch + BC ch
dp0 ( x) Lp Lp
j p 0 ( x) = − qD p = − qD p pn
dx w
L p sh
Lp
* curentul de goluri la joncţiunea emitor-bază:
qD p pn ⎛ ⎞
j p 0 ( 0) = ⎜ BE ch w − BC ⎟
w ⎜ Lp ⎟
L p sh ⎝ ⎠
Lp
kT
- verificare pentru RAN ( u E > 0; uC < 0; uC >> ; w << L p ):
q
qD p pn ⎡⎛⎜ kTE ⎞⎛ 1 w2 ⎞ quC ⎤
qu
j p 0 ( 0) ≅ ⎢ e ⎟⎜
−1 1+ ⎟
+ ... − e kT + 1⎥ ≅
w ⎢⎜ ⎟⎜ 2 L2p ⎟ ⎥⎦
Lp ⎣⎝ ⎠⎝ ⎠
Lp
qD p pn
qu E
⎛ 1 w2 ⎞
≅ e kT ⎜1 + ⎟
w ⎜ 2L ⎟
2
⎝ p ⎠
(la fel ca în teoria elementară a TBIP);
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 5 notiţe
1 qD p pn w ⎛⎜ kTE ⎞ 1 qp w ⎛ qu E ⎞
qu quC quC
= e +e kT ⎟
−2 = n ⎜ kT
e +e kT − 2⎟
2 L p ⎝⎜
2 ⎟ 2 τp ⎜
⎠ ⎝
⎟
⎠
(ca în teoria elementră).
* curenţii de electroni de la cele două joncţiuni se scriu ca pentru diode:
qDn n p ⎛⎜ kTE ⎞ qDn n p
qu
jn 0 (0) = e − 1⎟ = BE
Ln ⎝ ⎜ ⎟ Ln
⎠
qDn' n' p ⎛⎜ kTC ⎞ qD 'n n' p
qu
jn 0 ( w) = e −1 =⎟ BC
L'n ⎝⎜ ⎟
⎠ L n
* densităţile de curent continuu la cele două joncţiuni:
jE 0 = j p 0 (0) + jn 0 (0)
jC 0 = j p 0 ( w) + jn 0 ( w)
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 6 notiţe
= jA ):
* curenţii de emitor şi de colector ( i
qD p pn ⎛ w ⎞ qDn n p
iE = A ⎜ B ch ⎟
− BC + A BE = a11BE − a12 BC
w ⎜ E Lp ⎟ L
L p sh ⎝ ⎠ n
Lp
qD p pn ⎛ w ⎞ qDn' n 'p
iC = A ⎜ BE − BC ch ⎟ − A BE = a21BE − a22 BC
w ⎜ ⎟
Lp ⎠ Ln '
L p sh ⎝
Lp
în care:
qD p pn w qD n
a11 = A ch +A n p
w Lp Ln
L p sh
Lp
qD p pn
a12 = a21 = A
w
L p sh
Lp
qD p pn w qDn' n 'p
a22 = A ch +A
w L Ln '
L p sh p
Lp
* ecuaţiile Shockley-Sparks-Teal
iE = a11BE − a12 BC
iC = a21BE − a22 BC
- cele mai generale ecuaţii pentru funcţionarea TBIP;
- parametrii aij depind de parametrii fizici, geometrici şi tehnologici ai TBIP şi
sunt greu de măsurat.
* se pun în evidenţă parametri măsurabili:
kT
a) RAN ( u E > 0; uC < 0; uC >> ):
q
BC = −1
i E a12
iE = a11BE + a12 de unde: BE = −
a11 a11
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 7 notiţe
⎛i a ⎞ a ∆a
iC = a21BE + a22 = a21⎜⎜ E − 12 ⎟⎟ + a22 = 21 iE +
⎝ a11 a11 ⎠ a11 a11
- dar:
iC = α 0iE + I c 0
(α 0 şi I c 0 sunt parametri de c.c. în RAN, măsurabili direct);
- rezultă:
a21 ∆a
α0 = ; Ic0 =
a11 a11
kT
b) RAI ( uC > 0; u E < 0; u E >> ; BE = −1):
q
- similar, rezultă:
a12 ∆a
αi = ; I e0 =
a22 a22
(α i şi I e 0 sunt parametri de c.c. în RAI, măsurabili direct);
- semnificaţiile celor 4 parametri;
- din egalitatea: a21 = a12 rezultă: α 0 I e 0 = α1I c 0 ;
- deoarece: α 0 >> α i I e 0 << I c 0
(TBIP este nesimetric), rezultă:
** se presupune că sunt cunoscuţi parametrii măsurabili α 0 , α i , I c 0 , I e 0 :
∆a a11a22 − a12 a21 a11a22 − a11a22α 0α i
Ic0 = = = =
a11 a11 a11
= a22 (1 − α 0α i )
- rezultă:
Ic0 α 0 I e0
a22 = ⇒ a21 =
1 − α 0α i 1 − α 0α i
- similar:
I e0 αi Ic0
a11 = ⇒ a12 =
1 − α 0α i 1 − α 0α i
- se înlocuiesc în ecuaţiile Sparks-Teal:
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 8 notiţe
** modelul Ebers-Moll:
- relaţiile anterioare se pot scrie sub forma:
BC I c 0 = α 0 I e 0 BE − (1 − α 0α i )iC
BE I e 0 = α i I c 0 BC + (1 − α 0α i )iE
Deci:
αi
iE =
I e 0 BE
− [α 0 I e0 BE − (1 − α 0α i )iC ] sau:
1 − α 0α i 1 − α 0α i
iE = I e 0 BE + α iiC
- similar:
α0
iC = [α i I c 0 BC + (1 − α 0α i )iE ] − I c 0 BC sau:
1 − α 0α i 1 − α 0α i
iC = α 0iE − I c 0 BC
- rezultă:
iE = I e 0 BE + α iiC
iC = α 0iE − I c 0 BC
- ecuaţiile pentru cei doi curenţi se pot desena sub forma unui circuit electric;
modelul Ebers-Moll:
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 9 notiţe
** aplicaţie:
- TBIP utilizat ca un comutator analogic:
* conexiune normală:
BE = −1; BC = −1:
- comutator blocat,
α I Ic0 I (1 − α i )
iC = − 0 e 0 + = c0
1 − α 0α i 1 − α 0α i 1 − α 0α i
- comutator deschis:
kT 1
VCEsat direct ≈ ln .........
q βi
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 10 notiţe
* conexiune inversă:
∆iC
- conform definiţiei: α in =
∆iE ∆u C = 0
- se neglijează rx iar rµ se neglijează în paralel cu rπ :
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 2 notiţe
Sub 'e S
α in = = =
ub 'e Srπ + 1
Sub 'e + jωCπ ub 'e + + jωCπ
rπ rπ
Srπ 1 α0
= ≅
Srπ + 1 1 + jω Cπ rπ 1 + jω π
C
Srπ + 1 S
S α0
- se notează: ωα = şi rezultă: α in = ;
Cπ ω
1+ j
ωα
α0
- modulul factorului de curent: α in = ;
2
⎛ω ⎞
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ω0 ⎠
α0 α0
- conform definiţiei: α in ω =ω3 dB
= = ;
2 2
⎛ω ⎞
1 + ⎜⎜ 3dB ⎟⎟
⎝ ωα ⎠
- rezultă:
q
IC 2Dp
S
ω3dB = ωα = = kT 2 = 2 ;
Cπ q w w
IC
kT 2 D p
2,43D p
(dacă se rezolvă ecuaţia pt. regim dinamic, se obţine ω3dB = 2
);
w
ω ω
− jν − jν
ωα ωα
α 0e α 0e
β0 = = =
ω ⎛ ω ⎞ 1 − α + j ω (1 + α ν )
1+ j − α 0 ⎜⎜1 − jν ⎟⎟
ωα ⎝ ωα ⎠
0
ω α
0
ω
α 0 − jν ωα − jν
ω
− jν
ω
e
1 − α0 β 0e ωα β 0e ωα
= = =
ω 1 + α 0ν α 0 ω β0 ω
1+ j 1+ j 1+ j β
ωα α 0 1 − α 0 ωα α 0 ωT 0
1 + α 0ν
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 4 notiţe
α 0ωα ωα
- se notează: ωT = ≅ ;
1 + α 0ν 1 + α 0ν
β0 β0
- pentru ν = 0 : ωT = ωα ; β= =
ω ω
1+ j β0 1 + j
ωα ωβ
ωα
- rezultă: ωβ = ;
β0
ω
− jν
ωα
β 0e
- pentru ν ≠ 0: ; β= ;
ω
1+ j β
ωT 0
ω ω 1
- rezultă: ωβ = T ≅ α
β0 β0 1 + ν
- cu cât excesul de fază creşte se reduce frecvenţa limită în coneziunea EC.
ω
− jν
ωα
β 0e β0
β ( jω ) = ⇒ β ( jω1 ) =
ω 2
1+ j β ⎛ω β ⎞
ωT 0 1 + ⎜⎜ 1 0 ⎟⎟
⎝ ωT ⎠
1
- rezultă: ω1 = ωT 1 − ≅ ωT ;
β 02
ω
- pentru: β >> 1:
ωT 0
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 5 notiţe
β0 ω
- β ( jω ) ≅ = T ⇒ ω β ( jω ) = ωT = ct.
ω
β0 ω
ωT
- la frecvenţe înalte:
- capacităţi parazite;
- capacitatea de intrare a circuitului de sarcină;
- comportarea TBIP
- la frecvenţe joase:
- capacităţile de cuplaj;
- capacităţile de decuplare.
- banda de trecere:
- frecvenţa limită de sus, f s (la scăderea cu 3 dB a modulului amplificării
de tensiune în comparaţie cu valoarea din banda de trecere);
- frecvenţa limită de jos, f β (la scăderea cu 3 dB a modulului amplificării
de tensiune în comparaţie cu valoarea din banda de trecere);
* elemente reactive:
- capacitatea de cuplaj C" ( C ' are acelaşi rol);
- capacitatea de decuplare a emitorului, Ce ;
- capacitatea de intrare a circuitului de sarcină, Ci ;
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 7 notiţe
β0
β = β( f ) = ;
f
1+ j
fβ
1
Z s = Rc Ri ;
jωCi
(Rc Ri )
1
β0 1 jωCi Au 0
Au = − = cu:
1+ j
f rπ
Rc Ri +
1 ⎛ ⎞⎛ ⎞
⎜1 + j f ⎟⎜1 + j f ⎟
fβ jωCi ⎜
⎝ f β ⎟⎠⎜⎝ f1 ⎟⎠
1
f1 = (rezistenTa la borne);
2πCi Rc Ri
* determinarea frecvenţei limită de sus, f s :
Au 0
Au =
⎡ ⎛ f ⎞2 ⎤ ⎡ ⎛ f ⎞2 ⎤
⎢1 + ⎜ ⎟ ⎥ ⎢1 + ⎜⎜ ⎟⎟ ⎥
⎢ ⎜⎝ f β ⎟⎠ ⎥ ⎢⎣ ⎝ f1 ⎠ ⎥⎦
⎣ ⎦
Au ( f s ) 1 1
= = ⇒ fs :
Au 0 2 ⎡ ⎛ f ⎞ ⎤⎡ ⎛ f ⎞ ⎤
2 2
⎢1 + ⎜ s ⎟ ⎥ ⎢1 + ⎜⎜ s ⎟⎟ ⎥
⎢ ⎜⎝ f β ⎟⎠ ⎥ ⎢⎣ ⎝ f1 ⎠ ⎥⎦
⎣ ⎦
** la frecvenţe joase:
- se neglijează dependenţa factorului de curent de frecvenţa;
- se neglijează reactanţa capacităţii de intrare a circuitului următor;
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 9 notiţe
⎛ 1 ⎞
Rc ⎜ Ri + ⎟
Ri β0 β0 Ri ⎝ j ω C " ⎠=
Au = (− ) Z s = −
1 rπ rπ R + 1 R + R + 1
Ri +
jωC" j ωC " j ωC "
i c i
1 1
= Au 0 = Au 0
1 f
1+ 1− j 2
jωC" (Rc + Ri ) f
1
cu: f 2 = (rezistenţa la borne)
2πC" ( Rc + Ri )
b) se consideră efectul capacităţii de decuplare din emitor:
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 10 notiţe
β 0 Rc Ri β 0 Rc Ri
Au = − =− =
rπ + ( β 0 + 1) Z e rπ + ( β 0 + 1)
RE
1 + jωReCe
β R R 1 + jωCe Re
=− 0 c i
rπ 1 + (β 0 + 1)Re + jωC R
e e
rπ
f
1+ j
f3 1
Au = Au 0
f ( β + 1) Re
1+ j 1+ 0
f4 rπ
1 1
cu: f3 = şi f 4 = (rezistenţa echivalentă la
2πCe Re r
2πCe Re π
β0 + 1
borne);
f2 < f4 f2 > f4
* condiţii de proiectare (se precizează f j );
- deoarece:
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 11 notiţe
1 r
Rech (C" ) = << Rech (Ce ) = Re π
2πC" ( Rc + Ri ) β0 + 1
rezultă că este recomandată varianta:
fj 10 f j
Ce = şi C" >
⎛ r ⎞ 2π (Rc + Ri )
2π ⎜⎜ Re π ⎟⎟
⎝ β0 + 1 ⎠
(invers, s-ar obţine valori prea mari pentru Ce ).
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 12 notiţe
Mα 0 I e 0 MI c 0
iC = Be + cu:
1 − α 0α i 1 − α 0α i
1
M = n
⎛ uC ⎞
1 − ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ U Cstr ⎠
n
3 P+N Ge
4÷7 PN+ Ge
4÷7 Si
a) conexiunea BC:
- deoarece: iE = iC + iB rezultă:
- pentru RAN: iB = (1 − α 0 )iE − I c 0
- pentru regim de avalanşă: iB = iE − iC = iE (1 − α 0 M ) − MI c 0
- concluzii:
- în absenţa multiplicării în avalanşă, curentul de bază are un anumit sens
( iB > 0 ) şi o valoare mică;
- în prezenţa multiplicării în avalanşă, curentul de bază îşi schimbă sensul
( iB < 0 ) şi are o valoare mare ( M → ∞ );
- rezultă:
- curentul de emitor este constant;
- curentul de colector creşte datorită curentului de bază;
- tensiunea de străpungere a TBIP este tensiunea de străpungere a
joncţiunii colector-bază: U Cstr
BC
= U Cstr ;
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 16 notiţe
b) conexiunea EC:
- relaţii:
iC = M (α 0iE + I c 0 )
iE = iC + iB
- rezultă:
iC = Mα 0 (iC + iB ) + MI c 0 de unde:
α0M M
iC = iB + Ic0 ;
1 − α0M 1 − α0M
1
- rezultă: iC →∞ dacă: α 0 M → 1 adică dacă: M → ;
α0
- se deduce:
1 1
= ; de unde:
EC
U Cstr = U Cstr n 1 − α 0
⎛ U Cstr
EC
⎞
n
α0
⎜
1− ⎜ ⎟
⎟
⎝ U Cstr ⎠
- concluzii:
Mα i I c 0 MI c 0
- iC = Be + (creşterea este datorită lui iE ).
1 − α 0α i 1 − α 0α i
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 17 notiţe
( Rb ≠ 0) :
c) influenţa rezistenţei de bază
- Rb → ∞ ⇒ iB = ct. conexiune EC;
- Rb ≠ 0 :
qu
diC ⎛ α i I c 0 BE Ic0 ⎞ α i I c 0 kTE q du E diC
=⎜ + ⎟+M e
dM ⎜⎝ 1 − α 0α i 1 − α 0α i ⎠⎟ 1 − α 0α i kT diC dM
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 18 notiţe
diC
- se calculează factorul: din relaţiile:
duE
α0M M
iC = iB + Ic0
1 − α0M 1 − α0M
1 − α0M M
iB = iC − I
α0M α 0M c0
- se deduce:
⎛1 − α0M M ⎞
u E = E − Rb ⎜⎜ iC − I c 0 ⎟⎟ şi rezultă:
⎝ α0M α0M ⎠
du E R (1 − α 0 M
=− b
diC α0M
- rezultă:
diC ct
= qu E
→∞
dM Mα i 1 − α0M
1+ I c 0 Rb e kT
1 − α 0α i α0M
- deci:
qu
α i 1 − α 0 M q kTE
1+ e Rb I c 0 = 0 de unde:
α 0 1 − α 0α i kT
1 1
1 − α0M = − qu
−
α i Rb I c 0 q kTE a
e
α 0 1 − α 0α i kT
1 1 ⎛ 1⎞ 1
α0M = 1 + ⇒ M = ⎜1 + ⎟ =
a α0 ⎝ a ⎠ ⎛ uC ⎞
n
1 − ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ U Cstr ⎠
n
⎛ u ⎞ α
1 − ⎜⎜ CE ⎟⎟ = 0 rezultă tensiunea de străpungere cu Rb ≠ 0 :
⎝ U Cstr ⎠ 1 + 1
a
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 19 notiţe
α0
CE
U str ( Rb ) = U Cstr 1 − α kT 1−α 0α i
n 1+ 0
αi q qu E
Rb I c 0 e kT
- concluzii:
- Rb → ∞ , conexiune EC: U str
CE
= U Cstr n 1 − α 0 ;
- Rb → 0 , conexiune BC: U str
CB
= U Cstr
- concluzii:
- la creşterea curentului de saturaţie, I C 0 , tensiunea de străpungere scade;
- la creşterea temperaturii ambiante, tensiunea de străpungere scade;
- la creşterea tensiunii de polarizare directă, tensiunea de străpungere
scade;
- la creşterea rezistenţei de bază tensiunea de străpungere scade.