CHƯƠNG 2

MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN

 1. MẠCH KĐCS ÂM TẦN LỚP A (nhắc lại)

 Lớp A: Transistor chỉ làm việc trong cả chu kì của tín

hiệu ngõ vào  phải phân cực DC cho transistor.
 Ưu điểm:
 Méo phi tuyến ít do chọn được đoạn đặc tuyến làm
việc của transistor.
 Nhược điểm:
 Công suất tín hiệu ra nhỏ do mạch chỉ làm việc với
tín hiệu nhỏ.
 Hiệu suất bé do phải phân cực DC trước cho
transistor  gây tiêu tán DC không mong muốn.
 2. MẠCH KĐCS ÂM TẦN LỚP B

 Lớp B: Transistor chỉ làm việc trong 1 bán kì của

tín hiệu ngõ vào  Với tín hiệu xoay chiều có 2 bán
kì ta phải dùng 2 transistor.

 Mạch KĐCS âm tần lớp B transistor ghép đẩy

kéo (push – pull) dùng biến áp.

 Mạch KĐCS âm tần lớp AB transistor ghép bổ

phụ: mạch OTL, mạch OCL.

 Vấn đề nâng công suất cho mạch KĐCS âm tần.

 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp

iT1
Nguyên lý hoạt động:
a
iL
 Bán kì dương của Vi:
Q1
T1 T2 (Va>Vb>Vc) Q1 dẫn, Q2
không dẫn  iT1, iT2= 0.
b Vcc
Vi RL Bán kì âm của Vi:
iS
iT2 (Va<Vb<Vc) Q1 không
Kp:2Ks 2Np:Ns
dẫn, Q2 dẫn  iT2, iT1= 0.
Q2
c
 Dòng tải: iL = iT1- iT2
 Dòng nguồn: iS = iT1+ iT2
 Về DC: Các biến áp T1, T2 cách ly nên các transistor Q1, Q2
không được phân cực DC trước  Tổn hao DC không đáng kể.
 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)

Vi t  Để dòng tải không méo

 IP1 = IP2 = IP
IP1
t  Hoạt động của 2 transistor phải
iT1
đối xứng  Q1≡Q2, các biến áp T1
IP2
t và T2 phải có điểm giữa ở cuộn thứ
iT2 cấp và cuộn sơ cấp tương ứng.
t
(center-tapped transformer)
IP1

iL  Dòng trung bình của nguồn

-IP2 cung cấp:
IP1 IP2
T /2
2 2I P
iS t
I SAV   I P sin wtdt 
T/2 T 3T/2 2T
T 0 
 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)

Công suất trung bình phân phối trên tải PL:

1 1 VPL2 1 2
PL  VPL I PL   I PL RL
2 2 RL 2
Với VPL, IPL là biên độ điện áp đỉnh và biên độ
dòng đỉnh của tải:
 NS
VPL  VP VP , IP là biên độ áp và biên độ
 NP
 dòng không méo ở ngõ ra của
I  NP
 PL
IP các transistor.
NS
2 2
2
1 1  NS  V 1  NP  2
Suy ra: PL  VP I P    P
   I P RL
2 2  N P  RL 2  N S 
 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)

Công suất trung bình phân phối trên tải cực đại:
2 2
2
1 1  NS  V 1  NP  2
P max
PLmax  VPmaxI Pmax       I PmaxRL
2 2  NP  RL 2  NS 
Từ đường tải một chiều DCLL,
ta có biên độ áp ở ngõ ra của
mỗi transistor cực đại:
VPmax = VCC
2 2
1  N S  VCC
Suy ra: PL max   
2  N P  RL
2
1 VCC
Trường hợp NP = NS  PL max 
2 RL
 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)

Công suất trung bình của nguồn cung cấp PS:

2I P
PS  VCC I SAV  VCC

 Công suất trung bình cực đại của nguồn cung cấp PSmax:
khi tải tiêu thụ công suất cực đại PLmax.
2 I P max
PS max  PS PL max  VCC
 2
 NS   N S  VPL max  N S  VCC
Với: I P max    I PL max      
 NP   N P  RL  N P  RL
2 2
2  N S  VCC
Suy ra: PS max   
  N P  RL
 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)
Công suất tiêu tán của các transistor:
PC  Ptt (tiêu tán )  Pd ( dissipation )  PS  PL
 Công suất tiêu tán của 1 transistor: Pd/2
Công suất tiêu tán cực đại của các transistor:
2 2
2  N S  VP 1  N S  VP2
PC  PS  PL  VCC       f (VP )
  N P  RL 2  N P  RL
Lấy đạo hàm, khảo sát cực trị ta suy ra công suất tiêu tán
cực đại của các transistor: 2 2
2  
2 N S VCC
 VP  VCC thì PC max  2  
   N P  RL
 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)

Hiệu suất:
2
1  N S  VP2
 
PL 2  N P  RL  VP
  2

PS 2  N S  VP 4 VCC
VCC  
  N P  RL
Hiệu suất cực đại khi PLmax và PSmax  VPmax = VCC

PL max 
  max    78.5%
PS max 4
 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)
 Ưu điểm:
 Do mỗi transistor làm việc ở 1 bán kì tín hiệu vào nên
mạch có thể hoạt động với tín hiệu có biên độ lớn công
suất ra trên tải của mạch lớn.
 Hiệu suất cao.
 Nhược điểm:
 Méo xuyên tâm do ngưỡng dẫn của transistor.
 Biến áp cồng kềnh, đắt tiền.
 Để tín hiệu ngõ ra không méo thì các biến áp trong
mạch phải có cuộn sơ cấp (T2) và thứ cấp (T1) đối xứng.
 Méo tín hiệu ở cuộn thức cấp biến áp khi tín hiệu vào
cuộn sơ cấp lớn do hiện tượng từ trễ.
 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
Bài tập áp dụng:
dùng biến áp (tt)
Một mạch khuếch đại công suất âm tần lớp B transistor
ghép đẩy kéo dùng biến áp có dòng collector đỉnh và điện
áp đỉnh ở ngõ ra mỗi transistor là 4 (A) và 12 (V). Nguồn
cung cấp 24 (V), tỷ số biến áp Np:Ns = 1:1. Giả sử bỏ qua
các tổn hao dây quấn của các biến áp. Hãy tìm:
a. Công suất trung bình phân phối trên tải.
b. Công suất trung bình được cung cấp từ nguồn DC.
c. Công suất tiêu tán trên mỗi transistor.
d. Hiệu suất của mạch trong trường hợp này.
e. Giả sử tải 8 (Ω), tính công suất cực đại phân phối
trên tải.
 2.1. Mạch KĐCS lớp B transistor ghép đẩy kéo
dùng biến áp (tt)
Bài giải:
Theo đề bài: VP = 12 (V), IP = 4 (A), Np/Ns = 1.
a. Công suất trung bình phân phối trên tải: PL= 0.5VPIP = 24 (W)
b. Công suất trung bình được cung cấp từ nguồn DC:
PS = VCCISAV = VCC(0.636IP) = 61.115 (W)
c. Công suất tiêu tán trên mỗi transistor:
Pd = PS – PL = 37.115 (W)  1 transistor: Pd/2 = 18.5575 (W)
d. Hiệu suất:  = PL/PS = 39.27 %
e. Công suất cực đại phân phối trên tải nếu RL = 8 (Ω):
PLmax = 0.5(VCCVCC)/RL = 36 (W).
 Bài tập về nhà: 2.13, 2.14, 2.15, 2.16, 2.17, 2.18.
 2.2. Mạch KĐCS lớp AB transistor ghép bổ phụ

 Lớp AB: Transistor chỉ làm việc trong 1 bán kì của

tín hiệu ngõ vào nhưng để tránh méo xuyên tâm ta
phải phân cực trước cho mỗi transistor điện áp mối nối
VBE và điện áp mối nối VEB đủ lớn (0.7 V) để khi có
tín hiệu xoay chiều ngõ vào thì transistor sẽ dẫn ngay.
 Do hạn chế của mạch KĐCS ÂT dùng biến áp nên để
tránh các hạn chế đó thì ta không dùng biến áp trong
các mạch KĐCS ÂT nữa  mạch KĐCS ÂT không
dùng biến áp ở ngõ ra dạng OTL (Output
TransformerLess).
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL
Phân tích mạch và nguyên lý
+Vcc hoạt động:
R1  Điện trở R1, R2, diode D1, D2: tạo
B1 Q1 phân cực trước cho transistor Q1,
Q2. Các dạng khác:
D1 Re1 iT1 B1
B1 B1 B1
M iL
Rx
Co VR
D1 D1
D2 Re2 RL
Ci VR VR
B2 Q3
Q2
Vi iT2 D2 VR
R2 Ry
B2 B2 B2 B2
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)

+Vcc
 Các điện trở Re1, Re2: là các điện trở
ổn định nhiệt cho Q1, Q2.
R1

B1 Q1
 Tụ điện Co: cách ly DC tải với ngõ
ra tầng công suất (M) và đóng vai trò
D1 Re1 iT1
nguồn cung cấp cho Q2 hoạt động ở
bán kì âm của Vi nên gọi là tụ xuất
M iL

Co
âm.
D2 Re2 RL  Bán kì dương của Vi:Q1 dẫn, Q2
Ci
B2
không dẫn  iT1, iT2= 0.
Q2
Vi iT2
 Bán kì âm của Vi:Q1 không dẫn,
R2 Q2 dẫn  iT2, iT1= 0.
 Dòng tải: iL = iT1- iT2
 Dòng nguồn: iS = iT1
2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)

 Để dòng tải không méo

 IP1 = IP2 = IP
 Hoạt động của 2 transistor
phải đối xứng  Q1≡Q2 (chọn
theo cặp), R1 = R2, Re1 = Re2, điện
thế tại điểm giữa VM = Vcc/2.
 Dòng trung bình của nguồn
cung cấp:
T /2
1 IP
I SAV  0 I P sin wtdt  
T
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)

Công suất trung bình phân phối trên tải PL:

2
1 1 VPL 1 2
PL  VPL I PL   I PL RL
2 2 RL 2
 Với VPL, IPL là biên độ điện áp đỉnh và biên độ dòng
đỉnh của tải. Giả sử VP , IP là biên độ áp và biên độ dòng
không méo ở ngõ ra của các transistor. Ta xét Q1 dẫn:
 RL
+
 V PL  VP
Q1
Vp  Re  RL

-
I  I  VP
Re
I =I
P PL
 PL P
Re  R L
2
1  RL  VP2
+
RL
VpL  PL   
- 2  Re  RL  RL
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)

Công suất trung bình phân phối trên tải cực đại khi: VP = Vpmax
V
Xét đường tải DCLL:  VP max  CC
2
2
2
1  RL  VCC
 PL max   
8  Re  RL  RL

QAB
Nếu chọn Re << RL
0
( thường chọn Re = 0.1RL):
VCC/2
2
1 VCC
 PL max 
8 RL
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)

Công suất trung bình của nguồn cung cấp PS:

IP
PS  VCC I SAV  VCC

 Công suất trung bình cực đại của nguồn cung cấp PSmax:
khi tải tiêu thụ công suất cực đại PLmax.
I P max
PS max  PS PL max  VCC

V P max V CC
I P max  
Re  R L 2( Re  R L )
2
V CC
 PS max  PS P 
L max
2 ( Re  RL )
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)

Công suất tiêu tán của một transistor:

PC  Ptt (tiêu tán )  Pd ( dissipation )  PS  PL
Hiệu suất:
2
1  RL  VP2
 
PL 2  Re  RL  RL   RL  VP
    
PS 1 VP 2  R  R  V
VCC e L CC
 RL  Re
Hiệu suất cực đại khi Plmax và Psmax  VPmax = VCC /2
PL max   RL 
  AB max       B
PS max 4  Re  RL 
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)

 Ưu điểm:
 Mạch không dùng biến áp nên khắc phục các nhược
điểm của mạch KĐCS ÂT dùng biến áp.
 Tín hiệu ra không méo xuyên tâm.
 Hiệu suất cao.
 Nhược điểm:
 Mạch dùng tụ xuất âm nên làm suy hao tín hiệu.
 Do suy hao của tụ không đồng đều theo tần số nên dùng
tụ xuất âm sẽ hạn chế những tín hiệu có tần số thấp 
mạch hạn chế tín hiệu siêu trầm. Tần số cắt thấp của mạch:
1
fC 
2 ( Re  RL )Co
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)
Bài tập áp dụng:
Cho mạch KĐCS ÂT dạng OTL có nguồn cung cấp 20 (V), các điện trở R1 = R2 =
10 (KΩ), Re1 = Re2 = 1(Ω), RL = 8 (Ω). Diode dùng loại Si. Tụ Co = 500 (uF). Giả
sử mạch được thiết kế đối xứng. Hãy tìm:
a. Các dòng điện qua các điện trở R1, R2.
b. Các điện thế tại các nút B1, B2.
c. Nếu biên độ áp đỉnh ngõ ra của mỗi transistor là 8 (V), tính công suất trung
bình phân phối trên tải trong trường hợp này.
d. Công suất trung bình của nguồn cung cấp ở câu c.
e. Hiệu suất ở câu c.
f. Công suất trung bình cực đại phân phối trên tải.
g. Nếu Vi có giá trị 5 (Vrms), tính công suất trung bình phân phối trên tải.
h. Tần số cắt thấp của mạch.
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)
Bài giải:
a. Về DC, các transistor được phân cực điện áp B-E đủ lớn nên ta có
thể xem IB1, IB2 << IR1, IR2, ID1, ID2  IR1 = IR2 = ID1 = ID2.
VCC  2V
I R1  I R 2   0.93 (mA)
R1  R2
b. Các điện thếVtại 
cácRđiểm
I B1,
9.3B2:
(V )
B2 2 R2

VB1  VB 2  2V  10.7 (V )

c. Cho VP = 8 (V)  cộng suất trung bình trên tải:
2
1  RL  VP2
PL     3.16 (W )
2  Re  RL  RL
 2.2.1. Mạch KĐCS âm tần OTL (tt)
Bài giải: (tt)
d. Công suất trung bình của nguồn cung cấp:
IP VP
PS  VCC I SAV  VCC  VCC  5.66 (W )
  ( Re  RL )
e. Hiệu suất:
PL
  55.84%
PS
f. Công suất trung bình trên tải cực đại  VPmax = VCC/2 = 10 (V)
2
2
1  RL  VCC
PL max     4.94 (W )
8  Re  RL  RL
g. Công suất trung bình trên tải nếu Vi = 5 (Vrms)  VL= 5 (Vrms)
1
h. Tần số cắt thấp: C f   35.37 ( Hz )
2 ( Re  RL )Co
 Bài tập về nhà: 2.22, 2.23
 2.2.2. Mạch OCL (Output CapacitorLess)

+Vcc
So sánh với mạch OTL và nguyên lý
hoạt động:
R1
 Sử dụng nguồn đôi: +VCC/-VEE.
B1 Q1
 Tải RL được ghép trực tiếp với ngõ ra
D1 Re1 iT1 của tầng công suất (M).
M iL
 Bán kì dương của Vi:Q1 dẫn, Q2
không dẫn  iT1, iT2= 0.
D2 Re2 RL
Ci
B2
 Bán kì âm của Vi:Q1 không dẫn, Q2
Q2
dẫn  iT2, iT1= 0.
Vi iT2
R2  Dòng tải: iL = iT1- iT2.
-Vee  Dòng nguồn: iS = iT1+iT2.
 2.2.2. KĐCS âm tần OCL (tt)

 Để dòng tải không méo

Vi t
 IP1 = IP2 = IP
IP1  Hoạt động của 2 transistor
t
iT1 phải đối xứng  Q1≡Q2 (chọn
theo cặp),
IP2
t R1 = R2, Re1 = Re2, VCC = VEE
iT2 (nguồn đôi đối xứng) điện thế tại
IP1
t điểm giữa VM = 0.
iL  Dòng trung bình của nguồn
-IP2 cung cấp:
IP1 IP2
T /2
2 2I P
iS t
I SAV  0 I P sin wtdt  
T/2 T 3T/2 2T
T
 2.2.2. KĐCS âm tần OCL (tt)

Công suất trung bình phân phối trên tải PL:

2
1 1 VPL 1 2
PL  VPL I PL   I PL RL
2 2 RL 2
 Với VPL, IPL là biên độ điện áp đỉnh và biên độ dòng
đỉnh của tải. Giả sử VP , IP là biên độ áp và biên độ dòng
không méo ở ngõ ra của các transistor. Ta xét Q1 dẫn:
 RL
+
 V PL  VP
Q1
Vp  Re  RL

-
I  I  VP
Re
I =I
P PL
 PL P
Re  R L
2
1  RL  VP2
+
RL
VpL PL   
- 2  Re  RL  RL
 2.2.2. KĐCS âm tần OCL (tt)

Công suất trung bình phân phối trên tải cực đại khi: VP = Vpmax
Xét đường tải DCLL: VP max  VCC
2
2
1  RL  VCC
PL max   
2  Re  RL  RL

QAB
Nếu chọn Re << RL
0
( thường chọn Re = 0.1RL):
VCC
2
1 VCC
PL max 
2 RL
 2.2.2. KĐCS âm tần OCL (tt)

Công suất trung bình của nguồn cung cấp PS:

2I P
PS  VCC I SAV  VCC

 Công suất trung bình cực đại của nguồn cung cấp PSmax:
khi tải tiêu thụ công suất cực đại PLmax.
2 I P max
PS max  PS PL max  VCC

V P max V CC
I P max  
Re  RL Re  RL
2
2V CC
PS max  PS P 
L max
 ( Re  RL )
 2.2.2. KĐCS âm tần OCL (tt)
Công suất tiêu tán của một transistor:
PC  Ptt (tiêu tán )  Pd ( dissipation )  PS  PL
Hiệu suất: 2
1  RL  VP2
 
PL 2  Re  RL  RL   RL  VP
    
PS 2 VP 4  R  R  V
VCC e L CC
 RL  Re
Hiệu suất cực đại khi PLmax và PSmax  VPmax = VCC
PL max   RL 
 AB max       B
PS max 4  Re  RL 
 2.2.2. KĐCS âm tần OCL (tt)

 Ưu điểm:
 Mạch không dùng tụ xuất âm nên băng thông của mạch được
mở rộng ở tần số thấp  tiếng sẽ ấm hơn  khắc phục nhược
điểm mạch OTL.
 Tín hiệu ra không méo xuyên tâm.
 Hiệu suất cao.
 Nhược điểm:
 Mạch khó thiết kế.
 Mạch sử dụng nguồn đôi.
 Do tải ghép trực tiếp nên phải có mạch bảo vệ quá công suất,
mạch bảo vệ lệch điểm 0 V, mạch đóng chậm tải.
 Một số bài tập yêu cầu

Bài 1: Hãy chọn transistor công suất, điện trở ổn

định nhiệt, nguồn cung cấp cho mạch OTL một
kênh có công suất 16 (W), tải loa 8 (Ω), hiệu suất
thiết kế 0.6.
Bài 2: Hãy chọn transistor công suất, điện trở ổn
định nhiệt, nguồn cung cấp cho mạch OCL một
kênh có công suất 20 (W), tải loa 8 (Ω), hiệu suất
thiết kế 0.6.
Bài 3: Các bài tập 2.19, 2.20, 2.21.
 2.3. Vấn đề nâng công suất cho mạch KĐCSÂT

Công suất trung bình phân phối trên tải PL:

2
1 1V 1 2 PL
PL  VPL I PL   I PL RL
2 2 RL 2
 Nâng biên độ dòng qua tải.
 Nâng biên độ áp trên tải  mạch ghép transistor
dạng cầu BTL (Bridge (Balanced) Transistor Line-
out).
 Nâng biên độ dòng và biên độ áp trên tải.
 2.3. Vấn đề nâng công suất cho mạch KĐCSÂT (tt)
Nâng biên độ dòng qua tải:
 Ghép transistor dạng Darlington.
 Ghép song song transistor: thường sử dụng trên thực tế.
+Vcc +Vcc
R9
R1 R1 Q2

R7
Q1 Q1

Q2 D1
D1 R5

R3 R3

D2 D2

RL RL
R4 R4
R6
D3 Q4 D3
Ci Ci R8
Q3 Q3

Vi Vi R10
Q4
R2 R2

-Vcc -Vcc
2.3. Vấn đề nâng công suất cho mạch KĐCSÂT (tt)
Nâng biên độ điện áp trên tải BTL:
+Vcc

R1 R1

Q1 Q1

D1 D1

R3
R3

RL
D2 D2

R4 R4

D3 D3
Ci Ci
Q3 Q3

Vi -Vi
R2 R2

-Vcc

 Phải dùng mạch khuếch đệm đảo.

 2.3. Vấn đề nâng công suất cho mạch KĐCSÂT (tt)
Nâng biên độ điện áp và biên độ dòng tải:
+Vcc

R9 R9
R1 Q2 Q2 R1

R7 R7
Q1 Q1

D1 D1
R5 R5
R3
R3

RL
D2 D2

R4 R4
R6 R6
D3 D3
Ci R8 R8 Ci
Q3 Q3

Vi R10 R10 -Vi

Q4 Q4
R2 R2

-Vcc

 Phải dùng mạch khuếch đệm đảo.

 2.3. Vấn đề nâng công suất cho mạch KĐCSÂT (tt)

Một số bài tập yêu cầu:

Bài 1: Lý luận việc tăng công suất trên tải cho các dạng mạch
nâng công suất bằng phương pháp nâng dòng, nâng áp, nâng
dòng và nâng áp.
Bài 2: Tìm hiểu nguyên lý mạch điều chỉnh âm sắc, mạch
equalizer.
Bài 3: Tìm hiểu sơ đồ khối và mạch nguyên lý của 1 ampli hoàn
chỉnh.

Q&A