FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL CARRERA ELECTRNICA Y COMUNICACIONES MICROPROCESADORES

INTEGRANTES:

 Analuisa Muso Jaime  Snchez Zumba Andrea  Vega Rodrguez Jorge

NIVEL: FECHA: Sexto Electrnica Lunes, 09 de mayo de 2011

Estudio de Memorias Pequeas

Las memorias ayudan de una manera primordial al desarrollo de nuevas tecnologas, ya que simplifican la complejidad y optimizan recursos, adems de mejorar la eficiencia de cualquier sistema. Con el paso del tiempo, el desarrollo de las memorias ha ido mejorando a pasos agigantados, esto por la necesidad de sus aplicaciones que cada da son ms tiles.

MEMORIA FLASH
Usan una memoria de almacenamiento derivada de la memoria EPROM, la cual permite la lectura y escritura de mltiples posiciones de memoria en una misma operacin, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los dispositivos pendrive.

MEMORIAS FLASH DE TIPO NAND

Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen un coste bastante inferior, slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de

almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND. Este tipo de celdas permiten conservar guardada informacin sin necesidad de alimentacin elctrica hasta por 10 aos y dependiendo el tipo de chip instalado, soportan como mnimo 10,000 ciclos de escritura y borrado de datos.

MEMORIAS MICRO SD
SD proviene de las siglas ("Secure Digital") seguridad digital, debido a que cuenta con un cifrado de seguridad en el Hardware para proteccin de datos. Es una pequea tarjeta de memoria basada en tecnologa flash NAND, la cual est diseada para ser colocada como soporte de memoria en pequeos dispositivos electrnicos modernos tales como: y y y y y cmaras fotogrficas digitales reproductores MP4 telfonos celulares filmadores ipod

Los cules cuentan con una ranura especfica para ello.. Es de los formatos ms utilizados junto con Memory Stick de Sony.

Como parte del avance de la tecnologa y la tendencia a disminuir el tamao de los dispositivos, las memorias SD ha derivado en tarjetas de menor tamao mayor capacidad:
y

Memoria SD: mide de alto 24 mm., ancho 32 mm. y espesor de 2.1 mm. Hay una nueva generacin de tarjetas SD que tienen la caracterstica de ser contra agua.

Memoria mini SD: mide de alto 20 mm., ancho 21.5 mm. y espesor de 1.4 mm.

Memoria micro SD: mide de alto 15 mm., ancho 11 mm. y espesor de 1 mm.

Memoria SDXC (SD EXtended Capacity): mide de alto 32 mm., ancho 24 mm. y espesor de 2.1 mm. No es compatible con ninguna de las versiones anteriores de SD y est diseada para utilizar el sistema de archivos exFAT).

Para no perder compatibilidad entre ellas, se han diseado adaptadores SD para poder utilizarlas en cualquier aparato que utilice tecnologa SD adaptadores directamente a conectores USB, exceptuando el formato SDXC. Cuadro comparativo de capacidades de almacenamiento:
Formato de memoria SD SD HC (High Capacity) MiniSD / SD Mini MiniSD HC (Clase 4) MicroSD / SD Micro MicroSD HC (Clase 2) MicroSD HC (Clase 4) MicroSD HC (Clase 6)

Capacidad de MB/GB 32 MegaBytes (MB), 64 MB, 128 MB, 256 MB , 512 MB, 1 GigaByte (GB), 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB 4 GB, 8 GB y 16 GB, 32 GB 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB, 4 GB 4 GB, 8 GB 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB 16 GB 4 GB, 8 GB, 16 GB 8 GB, 16 GB

Las tarjetas SD se pueden conectar a un PIC a travs de un bus SPI. Comnmente, las SD incluyen en sus hojas de datos las instrucciones de conexin acorde al tipo de memoria. Topologa de bus SPI La memoria de la tarjeta de interfaz de SPI es compatible con los anfitriones SPI disponibles en el mercado. Como cualquier otro dispositivo SPI tarjeta de memoria miniSD canal SPI consta de los siguientes cuatro seales:
1. CS: anfitrin tarjeta chip Seleccione la seal. 2. SCLK: anfitrin seal de la tarjeta de reloj. 3. DATAIN: host a la tarjeta de seal de datos. 4. DATAOUT: Tarjeta de acoger la seal de datos.

Otra caracterstica comn de SPI, que se implementa en la tarjeta de memoria, as, es la transferencia de bytes. Todas las fichas de datos son mltiplos de 8 bits y bytes de bytes siempre alineados a la seal CS. El estndar SPI define la conexin fsica y no el protocolo de transferencia de datos completa. En el modo de bus SPI, la tarjeta de memoria miniSD utiliza un subconjunto de la Memory Tarjeta miniSD de protocolo y sistema de comando. La memoria miniSD de Identificacin de la tarjeta y los algoritmos de abordar son reemplazados por un equipo de Chip Select (CS) de la seal. Un nmero de tarjeta (esclavo) est seleccionado, para cada comando, al afirmar (activo bajo) la seal del CS. La seal CS debe estar continuamente activo durante la duracin de la operacin SPI (comando, respuesta y datos). La nica excepcin es el momento tarjeta de programacin. En este momento el anfitrin puede de-afirmar la seal CS sin afectar el proceso de programacin. La bi-direccional CMD y lneas de DAT se sustituyen por DATAIN unidireccional y seales DATAOUT. Esto elimina la posibilidad de ejecutar comandos, mientras que los datos estn siendo ledos o escritos. Una excepcin es la de varios de lectura / escritura. El comando de detener la transmisin se puede enviar durante la lectura de datos. En el bloque de mltiples operaciones de escritura de transmisin una parada token es enviada como el primer byte del bloque de datos.

COMPARACIN MEMORIAS RAM Y ROM

DRAM ms lenta Caractersticas Velocidad de Acceso Baja Menor consumo de Potencia Menor costo por Bit Mayor densidad y capacidad Borrado Elctrico Voltaje (V) Corriente (mA) Potencia Ta Tc Fabricantes Costo 2.5V -3.3V 18mA a 48mA 45mW - 160mW 80-60ns

MEMORIA RAM lectura/escritura Memoria voltil (temporal) SRAM ms rpidas y ms caras Velocidad de Acceso Alta Mayor Consumo de Potencia Mayor costo por Bit Menor capacidad Borrado Elctrico 2.6V, 3V, 3.3V,5V 18mA a 48mA 495mW - 550mW 25-10 ns

NVRAM no pierde la informacin almacenada al cortar la alimentacin elctrica. Tiene una batera interna Usadas en routers 3V - 5.5V 50mA a 85mA 48mW - 270mW 200 - 70ns (acorde a fabricante) 45ns - 25ns (acorde a fabricante) Texas Instrument, Cypress

Capacidad de Memoria

Memorias Integradas MOS: 2ns - 300ns Memorias Integradas Bipolares: 0.5ns - 30ns 35ns 20ns - 70ns INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY, Micron Tecnologies, Renesas, Dual Port DDR3 SDRAM 2GB: $31.99 2114N 1kx4: $4,05 DDR SDRAM 512MB: $18.94 6264P 8kx8: $4,33 1kx4bit Tarjeta de memoria: 256KB, 512KB y 1MB 16kx9bit Discos duros: Hasta 8MB 2kx9bit Microprocesadores: Hasta 12MB 512kx9bit Renesas: hasta 32 Mb 8kx9bit Dual Port: hasta 36Mb

Desde: 16kbites hasta 16Mbites

ROM Caractersticas Memoria slo de lectura

MEMORIA ROM lectura Memoria no voltil (permanente) EPROM Memoria slo lectura programable y borrable

EEPROM Memoria slo lectura elctricamente programable y borrable Borrable a travs de corriente elctrica Se pueden escribir 1000 veces

Borrado imposible

Borrable a travs de rayos UV 1.8V - 6V De Programacin (Vpp): 12,5V, 13V, 21V y 25V 1mA-32mA 474mW 350ns 60ns Texas Instrument, AMD, Intel 27128A 16kx8 : $5,58 2716 2kx8: $7,96

Escritura sin previo borrado 1.8 - 7 0.02 mA - 125mA 180mW 10ns - 10ms 20ns - 150ns Microchip, Texas Instrument, Renesas PIC16F877A 8 bits gama media: $7,1 PIC18F2550 8bits gama media: $9,42 Serie: 1Kbit hasta 64Kbit

Voltaje (V) Corriente (mA) Potencia Ta Tc Fabricantes Costo

1.8 - 5.5 1mA-32mA 600mW 150ns 75ns Micrn Tecnologies, AMD, Intel, Texas Instrument D-Link ROM (boot) : $14,75

Capacidad de Memoria

Hasta 512Kb

Hasta 1 MB Paralelo: Hasta 1 MB

MEMORIA RAM:
y y

NMOS SRAM 2114A: 1K x 4 (Compatible con TTL) CY7C150: 1K x 4 (Fabricante CYPRESS)

MEMORIA ROM:
y y

PROM 74s476: 1K x 4 PROM Bipolar 82S137A: 1K x 4