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a) Calcule el punto de trabajo (IC, VEC) del transistor del circuito suponiendo IB 0 b) Halle el rango de valores de para el que la aproximacin anterior es vlida (considerando despreciable si 1<<50) c) Calcule el punto de trabajo para = 35 DATOS: VE 0,7 V; VEE = 10 V; RB1 = RB2 = 10 k; RC = 8 k; RE = 20 k
+VEE
RB1
RE
RB2
RC
2. Suponiendo |VBE| 0,7 V y , calcule la corriente que circula por todas las ramas del circuito y el voltaje en todos los nodos
+10V Q1 Q3
+10V Q4
R5
1k
R2
2k
R1
10k +5V
R4
1k Q9 Q8 Q7 Q2
R3
1k Q6 Q5
-10V
-10V
3. Se quiere construir una fuente de corriente continua que suministre una corriente I0 = 1 mA segn indica la figura. Para ello se utilizan MOSFETs de acumulacin en la configuracin de espejo de corriente mostrada. a) Si todos los transistores del circuito son del mismo tipo, indicar cul ha de ser +VDD=5V ste (canal n o canal p) para que la fuente funcione correctamente. Justifique muy S S brevemente la respuesta. T1 T3 b) Demostrar que T1 y T2 trabajan en saturacin. G G D c) Si T1 y T2 son iguales (misma relacin de aspecto, Z/L), calcular las tensiones D VGS de ambos transistores (VGS1 y VGS2). d) Cul ha de ser la relacin de aspecto Z/L de T3 para que I0 = 1 mA? I0=1mA
S T2 D
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CAB 2 4. El circuito de la figura muestra una fuente de corriente compuesta por cuatro transistores pnp. Sabiendo que todos los transistores operan en activa, calcule: a) La corriente IREF suponiendo VEB2 VEB4 0,6V b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente I0 sea 5 veces menor que IREF. Desprecie las corrientes de base respecto a las dems del circuito. c) Las tensiones VEB1, VEB2, VEB3 y VEB4 con tres cifras significativas, considerando que para todos los transistores I C I S exp DATOS: R2 = 4,4 k VEE = 10 V VT = 0,025 V IS = 7,5.10-14A
VEE R1
VEE
Q1
Q2
VEB . VT
Q3 Io Vo Q4 IREF R2
5. El circuito de la figura permite medir el parmetro del transistor T3 a travs de la ganancia de tensin en pequea seal Av=vo/vs. Para ello se polariza un circuito en emisor comn con una corriente de base (IB3=IC2) fija, de 50 A, mediante un circuito Widlar. Dado que el transistor T3 es de tipo npn, para realizar esta polarizacin se requiere una fuente Widlar con transistores pnp. a) Calcular la corriente IC1 y la resistencia R2 para obtener esa corriente de base en T3. b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=vo/vs=-200, cul es el valor de del transistor T3?. Suponga en este apartado que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en pequea seal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T3 es infinita. c) Para el valor de obtenido en b) comprobar que, efectivamente, el transistor medido, T3, se encuentra en activa.
T2
I C2 T3 C vs Req
Amplificador EC
vo
Fuente Widlar
DATOS: 1 = 2 >>1; VEB1 = VBE3 = 0,7 V VEB2 (en activa); VCEsat=0,2 V; VT = 25 mV; RC1 = 4,65 k; RC3 = 1 k; VEE = 10 V; C = 100 F 6. El circuito de la figura 1 muestra un desplazador de nivel de continua. a) Si el nivel de continua a la entrada es VI=3 V, VDD calcular R1 para que el nivel de continua a la salida sea VO=0 V. Notar que en estas condiciones la corriente continua a travs de la carga RL es nula. b) Calcular entonces la ganancia de pequea seal, vI(t)= AV=vo/vi. La fuente de corriente continua es ideal. VI+ Vi sent c) Si la fuente de corriente se realiza con otro FET idntico al anterior como se ve en la figura 2, R1 calcular R2 para tener la corriente I0=2 mA.
IO=2 mA
IO
R2
DATOS: Los transistores FET, de deplexin, son idnticos y trabajan siempre en saturacin, cumpliendo
-VDD
-VDD
Figura 1
Figura 2
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VCC VD + RC
RB vi
vO=Vo+vo
a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (IC, IB y VCE). El diodo Zner puede estar en tres estados posibles: comience el anlisis para el caso de que se encuentre en inversa con VD< VZ (valor absoluto de la tensin de disrupcin del diodo). b) Se aplica una seal vi variable con el tiempo. Obtenga la relacin vo/vi (suponga que el diodo no conduce). c) Para qu valor instantneo de vi se produce la ruptura inversa (Zner) del diodo? DATOS: VCC = 6 V; RC =2 k; RB =70 k; VZ=3 V; =100; VE = 0,6 V; VCEsat=0,2 V; VT = 25 mV; C.
8. El circuito de la figura muestra un amplificador en emisor comn con resistencia de emisor. Debido al condensador CE, la resistencia de emisor es diferente para el circuito de continua y para el circuito de alterna. Esto permite un mejor diseo del punto de trabajo y el margen dinmico. a) b) c) d) Calcule el punto de trabajo (IC y VCE) en funcin de RE = RE1+RE2 Determine el valor de RE para que VCE = 5 V. Calcule ahora el valor numrico de IC Calcule en alterna las relaciones ic/vce y vo/vce en funcin de RE1 Determine el valor de RE1 para que |vce|max = 3,5 V, siendo |vce|max la mxima excursin de vCE en torno al punto de trabajo tal que el transistor ni se corta ni se satura
VCC RC vo CC RB vi +
RE1
DATOS: RB = 10 k; RC = 1 k; VCC = 10 V; VBB = 3 V; CE = CC VE 0,7 V; VCE,sat 0; ro ; = 200 ( >> 1 para todos los clculos)
VBB
RE2
CE
+
vin (t)
vS(t) = 14 V + 0,9 vin(t) Se le pide: a) Calcular las tensiones que se mediran en los nodos D, O, G y S si O la seal fuera anulada (vin(t) = 0) C b) Razonar de qu tipo (acumulacin o deplexin) es el transistor R L=10k c) Calcular las tensiones alternas en los mismos nodos con la seal presente, en funcin de vin(t) d) Para qu valor instantneo de la tensin de salida vo(t) de pequea seal se corta el transistor?
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CAB 4 10. Para el circuito amplificador de la figura: a) Calcule el punto de trabajo (VGS, ID, VDS) del transistor. Determine la regin de funcionamiento b) Dibuje el circuito equivalente de pequea seal, indicando los valores numricos de los parmetros del circuito equivalente del transistor c) Calcule la ganancia de tensin Av = vo/vi
VGG R1
VDD R3
D G S
VO+vo
DATOS: C ; VGG = -10 V; VDD = 10 V; R1 = 9,1 M; R2 = 0,9 M; R3= 5,9 k; R4 = 0,1 k En saturacin, el transistor JFET obedece la ecuacion iD = k (vGS-VT)2, con k = 1 mAV-2, |VT| = 2 V
C R2
R4 vi
11. Para el circuito de la figura: a) Calcule los valores de continua de IC y VCE suponiendo . Calcule a continuacin el valor mnimo de para que el error cometido en el clculo de IC sea menor de 2% y que la precisin en el clculo de VCE sea mejor que 0,1V b) Calcule la resistencia de entrada Ri y la ganancia de tensin vo/vs en pequea seal suponiendo DATOS: Vt = 0,025 V; VE 0,7 V; VA
RBC 100 k
VCC
I0 0,5 mA
vo C Ri
RS 50 RL 1 k
vs
12. Para el circuito seguidor de emisor (colector comn) de la figura: a) Calcular RB para que la impedancia de entrada Ri = vi/ii = 500 k. Suponer que RL >> r Con este valor de RB: b) Determinar el punto de trabajo del transistor VCE, IC, IB c) Obtener el margen dinmico (mxima amplitud de la seal senoidal a la salida sin distorsin) DATOS: VCC = 15 V; RC = 2,8 k; RL = 10 k; C ; VT = 0,025 V Transistor: = 100; VE 0,7 V; VCE,sat 0,2 V; ro
VCC RB RC C
Ii C Vo RL
vi
ii(t) C vi(t)
R1 R3 R2 C RE vO(t)
a) Calcular la corriente de colector de polarizacin IC b) Dibujar el circuito equivalente de pequea seal, dando el valor de los parmetros gm y r c) Calcular la resistencia de entrada que ofrece el circuito a frecuencias medias, Ri = vi(t)/ii(t) DATOS: C ;
R1 = R2 = 20 k; R3 = 10 k; RE = 2 k; VCC = 12 V BJT: = 100; VE = 0.7 V; Vt = 0.025 V; desprecie el efecto Early (ro , VA ) NOTA: en este circuito r << R3 de forma que r || R3 r, aproximacin que puede usar si lo juzga conveniente
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CAB 5
14. El circuito de la figura es un amplificador seguidor de fuente realizado con JFETs en el que Q2 acta como fuente de corriente. Considerando que ambos transistores son idnticos y trabajan en saturacin, se pide: Valor de continua de la corriente de drenador ID2 y de la tensin puerta a fuente VGS de cada uno de los transistores (ignore el efecto Early, slo en este apartado) b) En pequea seal, resistencia equivalente de la fuente de corriente Q2 vista desde su drenador c) Ganancia de tensin de pequea seal vo/vi d) Resistencia de salida en pequea seal, Ro a) DATOS: k = 1 mAV ; |VT| = 1 V; tensin de Early VA = 50 V
-2
+VDD
D G Q1 S D G Q2 S
vi
vo Ro
-VSS
15. Calcule la ganancia vo/vg y el margen dinmico del amplificador de dos etapas de la figura. DATOS: VCC = 15 V; Rg = RL = 1 k; RB = 1,43 M; RC = 4 k = 200; VE = 0,7 V; VA ;VCE,sat 0 V
+VCC
RB Rg C vg
RC RB C
RC vo C RL
16. La seal alterna vi, de pequea amplitud, es amplificada por el circuito de la figura. Se pide:
8R
+VCC=12V RC=5k vo TN
a) b) c) d) e) f)
Calcular el punto de trabajo de los transistores Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequea seal Decir en qu configuracin trabaja cada transistor Calcular la ganancia de pequea seal Av = vo/vi Calcular la impedancia de entrada al amplificador, Ri Calcular el margen dinmico del amplificador
vi
R=2,4k
RE =0,5k
DATOS: Para ambos transistores: = 100; VBE(ON) = VEB(ON) = 0,7 V; VCE,sat = VEC,sat 0 V; VA A la frecuencia de la seal los condensadores pueden tratarse como cortocircuitos
TP Ri R -VCC =-12V
17. Para el circuito de la figura 1, se pide: a) Expresar el valor de r/R b) Expresar la relacin |Z| = |Vg/Id| de pequea seal en funcin de la frecuencia, siendo Vg e Id las amplitudes complejas (fasores) de vg e id y sabiendo que VCC - VBE >> kT/e c) Expresar y dibujar aproximadamente en la grfica de la Figura 2 la funcin |Z|/R en la regin en que se cumple 0 << << 0, donde 0 = 1/rC DATOS: >> 1; ro ; los efectos capacitivos en el transistor son despreciables
iD vg VCC
log(Z R )
C
log( 0 )
Figura 2
CAB 6
SOLUCIONES 1
RB 2 V VE = 5,7 V IE=IC= EE = 215 A, VEC=3,98 V. RE RB1 + RB 2 I VEE I I b) IB <<IC C 50 50; IB <<IB1(= IB2) 50 = 50 21,5 ; IB IB I C (RB1 + RB 2 )I C La ms restrictiva, 50. V VE = 5,97 A IC=209 A, VEC=4,03 V c) Ahora no puedo suponer IB <<IC, pero s IB <<I, luego VE=5,7 V, I B = EE RE ( + 1)
a) VE = VEB + VB = VE + VEE 2
10 VEB1 VEB 2 + 10 = I C1 = I C 2 = 1,86 mA . Todas las corrientes de colector son iguales entre s e iguales a 1,86 mA. R1
Resolviendo mallas calculamos el resto de corrientes y tensiones: IR4=3,72 mA. VC1=9,3 V; VC2=-9,3 V; VC3=3,72 V; VC4= VC5=0,7 V; VC6=3,14 V; VC7= VC8=-1,86 V; VC9= VC10=4,3 V; VC11=1,86 V. 3 a) Si ha de entregar corriente, el transistor cuyo drenador proporciona la corriente constante ha de ser de canal p b) Siendo de canal p y de acumulacin, los transistores presentarn VT = VSG (umbral ) = 0,7 V . En ambos transistores
VSG1 = VSG 2 =
d) Puesto que VSG3 = VSG1 =2,5V e ID3 = I0 = 1 mA, se tendr:
VDD = 2,5 V 2
I D3 =
4 a) b)
I REF =
V EB 2 = VEB1 + I 0 R1 I I 0 R1 = VT ln REF I I0 V EB 2 = VT ln REF VT I REF IS R = = 100,6 ln 1 I0 I0 I V EB1 = VT ln 0 IS I c) v EB1 = v EB 3 = VT ln 0 = 0,560 V IS I v EB 2 = VEB 4 = VT ln REF = 0,600 V IS
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CAB 7 5 a) I C1 =
2 +1 I C 2 R2 VEB 2 + I C 2 R2 2
i=0 + vs Req ib r
ib RC3
-
vo
a) I RL = 0 I R1 = 2 mA = I D = (VGS VT ) = (V I I D R1 VT ) R1 = 2,5 k , pues la otra solucin no hace VGS>VT d g vi b) Circuito equivalente: gmvgs vo = g m v gs RL s
2
R1 + RL v o -
c) I D = (VGS VT ) ; VG = V DD ; VS = V DD + I D R2 R2 = 1 k
2
7 a) Diodo cortado ID=0, VCC = ( I C + I B ) RC + I B RC + V BE ; I C = I B , luego I B = 0,02 mA, I C = 2 mA Comprobamos transistor en activa: I B > 0; VCE = VCC ( I C + I B ) RC = 2 V > 0,2 Comprobamos diodo cortado: VD = VBE VCE = 1,4 V < 0, sin llegar a ruptura. b) Circuito equivalente:
vi v o RC ib RC RB RC RC vo RC + vo 1 + R = vi R r v = 155,5 v B i B i b r vo vi ib = i ib R C r 0,025 donde r = = 1,25 k IB c) VD = vCE v BE = (VCE + vce ) (VBE + vbe ), con VCE = 2 V ; vce = vo ; VBE = 0,6 V ; vbe = vi ; y adems vo = 155,5vi Cuando VD = VZ = 3 V se produce la ruptura, sustituyendo 3 = 1,4 156,5vi vi = 10,2 mV
vo =
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CAB 8 8.
VCC RC
RB
RB
r ib
ve
v o= v c
vi
RE1 RE2
RE1
ib
RC
VBB
Circuito de alterna
VBB =
IC
VCE = VCC
(RC + ( + 1)RE ) = VCC RC + ( + 1)RE (VBB VBE ) VCC RC + RE (VBB VBE ) RB + RE RB + ( + 1)RE
vo = vc = RC ic
max, saturacin
max, saturacin
iC = I C + i c 0 i c =
max,corte
max
RE1 =
IC
RC = 0,23 k
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CAB 9 9.
VSS RG IG=0 G D RD S RS ID VS ID
a) En continua, como IG = 0, VG = VSS = 15 V. De la medida de VS = 14 V ID = (VSS-VS)/RS = 1 mA. Como no hay corriente por RL: VO = 0 V. Entonces ID circula por RD y VD = IDRD = 10 V
O RL
b) El transistor, de canal p, est conduciendo con VSG = VS-VG = -1 V < 0. Por tanto ha de ser de deplexin
D=O ig=0 G id S id RG RS RD RL
c) Del circuito vg(t) = vin(t) y de la medida vs(t) = 0,9 vin(t) id(t) = -vs(t)/RS vo (t ) = vd (t ) = id (t ) R D R L = v s (t ) d) La corriente total de drenador es:
RD RL RS
= 4,5vin (t )
+
vin (t)
i D (t ) = I D +
vo (t ) VSS VS v (t ) v (t ) = + o = 1 mA + o 5 k RD RL RS RD RL
VGG R1
VDD R3
D G S
Los transistores JFET son de deplexin. Pero adems en este circuito VG < 0 mientras que VS > 0, lo que quiere decir que el transistor funciona con tensiones VGS negativas y ha de ser por tanto VT = -2 V a) Las ecuaciones del circuito de continua son, puesto que no hay corriente de puerta,:
VG = VGG
VO
Por otra parte si el transistor est saturado I D = k (VGS VT ) que introducido en la primera de las ecuaciones precedentes conduce a:
2
R2 = VGS + I D R4 R1 + R2
R2
R4
VGS VT =
La raz negativa se ha desechado desde el principio pues llevara a VGS-VT negativo, incompatible con la suposicin de que el transistor conduce. Con este valor:
R4 vi
gmvgs
S D
vo R3
b) En pequea seal la puerta est a tierra por efecto del condensador C. ro no est presente (es infinita) pues en la expresin de la corriente de drenador no aparece el efecto Early.
g m = 2k (VGS VT ) = 2 m -1
c)
g m v gs = g m (v g v s ) = g m v s v s = vi + g m R4 v gs = vi g m R4 v s vi = (1 + g m R4 )v s vo g m R3 = = 9,83 vo = g m R3 v gs = g m R3 v s v i 1 + g m R4
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CAB 10
11.
VCC
I0
I0 = I B + IC IC
El error cometido en el clculo de IC:
VO RL
RBC
RS
VCE = V BE +
R BC V BE 0,7 V
Si es muy grande. Para que el error cometido en VCE por despreciarIB fuera menor de 0,1 V (que es ms o menos la precisin que se tiene en VBE y por tanto no merece la pena afinar ms):
VCE =
I 0 R BC
Ri RS vs ib
ib=gmvbe
E C
vo RBC||RL
Esto quiere decir que ib es tambin muy pequea en alterna, ib 0, pero desde luego no implica que ic sea nula: el producto ib est indeterminado Una solucin es trabajar con gm que tiene un valor finito:
B
r = Vt I B = Vt I C
g m = I C Vt = 20 m -1 Un BJT con una muy grande se parece pues en alterna a un JFET: la base est en circuito abierto y el generador de
corriente est gobernado por la tensin base emisor. Entonces, puesto que ib = 0,:
g m R L R BC v be g m R L R BC v e g m R L R BC vs v ; o = = = 10 ve = v e = v x + g m R S v be vs vs 1 + g m RS v s 1 + g m RS v be Ri = = 1 g m = 50 g m v be Otra solucin es trabajar con ib, r y normalmente como si tuvieran valor finito y derivar las frmulas. Al final, se hacen tender r y a infinito teniendo en cuenta que su cociente es finito. Por ejemplo: vs v e = ib r = v s + R S ( + 1)ib ib = r + ( + 1)R S
g m v be = g m v e
R L R BC R L R BC R L R BC R L R BC v o R L R BC ib = = = = 10 vs vs r + ( + 1)R S r + (1 + 1 )R S r + R S 1 g m + R S
12. a) El circuito equivalente de pequea seal queda:
Ii Vi RB r Ib Ib RL
de donde Ri =
vi = RB (r + ( + 1) RL ) RB RL con lo que RB = 1 M ii
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CAB 11
VCC RB RC
b) En continua:
iC = I C + i c = I C + v o
RL
( + 1)RL
0 vo
I C R L = 7,15 V
Margen a la saturacin:
v CE = VCE + v ce = VCE v o VCE ,sat v o VCE VCE ,sat = 5,85 0,2 = 5,65 V
Las relaciones entre las magnitudes de pequea seal se obtienen del circuito equivalente (apartado a)) Luego la mxima amplitud de la seal de salida simtrica es 5,65 Vp (11,3 Vpp)
13.
VCC
R1 R3 R2 RE
Donde V BB = VCC
ii(t) vi(t)
Donde gm = IC/Vt = 95,5 m-1, r = /gm 1 k c) Llamando RX = r||R3 0,91 k, RY = RE||R1||R2 1,67 k
v i = v be + v o
v i = ib r + v o
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CAB 12 14. a) Los transistores JFET son de deplexin; vase adems que VGS2 = 0: si conduce, como afirma el enunciado, la tensin umbral ha de ser negativa VT = -1 V. La ecuacin de la corriente de drenador para Q2, que tiene puerta y fuente cortocircuitados, es, en saturacin e ignorando el efecto Early, :
I D 2 = k (VGS 2 VT ) = kVT = 1 mA
2 2
I D1 = k (VGS 1 VT )
Y como el nivel de continua en la puerta de Q1 es cero: 0 = VGS1 = VG1-VS1 = 0-VO VO = 0 Ntese que no se ha utilizado el valor de las tensiones de alimentacin: sera preciso conocerlas para calcular el valor de VDS y verificarla saturacin de los transistores y la coherencia de los resultados. Sin embargo, el enunciado asegura la saturacin y no se pide la comprobacin. b) Los dos transistores son iguales y estn polarizados con la misma corriente de drenador, y por tanto los parmetros de su circuito equivalente de pequea seal son iguales: gm = 2k(VGS-VT) = 2 m-1; ro VA/ID = 50 k. El circuito equivalente de la fuente es: Y se pide Req = vx/ix: i
x
+
ro
SG
gmvgs
Req =
vx
vx = ix
vx
g m v gs +
vx ro
= (v gs = 0) = ro 50 k
c) El circuito equivalente de pequea seal, con la fuente de corriente reducida a su resistencia equivalente, :
G1 S1 S2
vo
v gs1 = v g1 vs1 = vi vo
vi
gmvgs1
ro
Req
g m ro Req 1 + g m ro Req
= 0,98
D1D2 G2
d) La resistencia de salida es la relacin entre la tensin aplicada a la salida y la corriente que entra por ella con las fuentes de seal anuladas:
G1
ix gmvgs1 ro Req
S1 S2
+
vx
D1D2 G2
15. La polarizacin es la misma en las dos etapas. Con los transistores en activa directa:
IB =
vg
ib1
ib2
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CAB 13
ib1 =
r RB R G + r RB r
vg
iC1 = I C + ic1 = I C
Donde se ha aprovechado el valor de vo/vce1 que se dedujo al calcular la ganancia. Notar que la desigualdad cambia de sentido al multiplicar ambos lados por vo/vce1 que es negativo. El primer transistor no se satura:
iC 2 = I C + ic 2 = I C
vo 0 vo I C RC RL = 2 0,5 = 1 V RC RL
La corriente de emisor de los transistores es la misma; si estn ambos en activa directa y dada la igualdad de las s y la ausencia del efecto Early, las corrientes de colector son iguales, IC (por cierto, este razonamiento es vlido tanto en continua como en alterna) La cada de tensin a lo largo del divisor resistivo:
Donde se ha despreciado la corriente de base frente a 10IX, lo que puede validarse a posteriori. Observando la diferencia de tensin entre las bases de los dos transistores:
R IC/
RI X = 2VBE ( ON ) + (1 + 1 )RE I C I C
RI X 2VBE ( ON ) RE
= 2 mA
TP IX R
IC/ = 0,02 mA << 1 mA = IX, lo que justifica la aproximacin anterior. Y para verificar el funcionamiento en modo activo directo:
VCEN = VCC I C RC (VCC 8 RI X VBE ( ON ) ) = 9,9 V VECP = VCC + RI X + VEB ( ON ) ( VCC ) = 3,1 V
-VCC b) En pequea seal el circuito equivalente es el siguiente, donde rN = rP r = kT/e /IC = 1,25 k.
TP B
RE ibN
ibN
E
TN C
vi
rN
B
RC
vo
c) TP trabaja en colector comn, y TN en base comn d) En los nodos de emisor: (+1)ibN = -(+1)ibP ibN = -ibP
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CAB 14
Av =
e)
Ri =
vi vi + ibP R2
vi vi ibN R2
=
vi vi v + o R 2 RC
A 1 + v R 2 RC
1 1 1 + R 2 ( + 1)RE + 2r
R (( + 1)RE + 2r ) R = 1,2 k 2 2
f) El corte de los dos transistores sera simultneo por la igualdad de las corrientes de colector:
iCN = iCP = I C + ic = I C
vCEN = VCEN + vcen VCE ,sat vcen
vo 0 vo I C RC = 10 V RC
La no-saturacin de TN impone:
Y la de TP:
r + (1 + 1 )RE R vo E vecp = ibn r + iep RE = icn ( r + (1 + 1 )RE ) = vo RC RC R R vo E VECP + VEC ,sat vo C (VECP VEC ,sat ) 31 V RE RC
Luego el margen dinmico, limitado por la saturacin de TN, es 9,9 Vp 17.
ID VCC R IB
a) En continua:
IB =
b) En alterna:
Id Vg
R Ib r C
Z=
Vg Id
Ib
2 + ( 0 )
1 + ( 0 )
2 2
Z R
Z =R
Z =R
0 = 1
0 = + 1
log( 0 )
Actualizado Octubre 03