Cours Electronique 2011

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CHELLY_ Nizar 1 ISET_Zaghouan

1 Physique des semi-conducteurs

Physique des semi-conducteurs

Chapitre 1 : Physique des semi-conducteurs

CHAPITRE

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2 Le matriau de base

I. Le matriau de base
Le matriau principalement employ actuellement dans la technologie des semi-
conducteurs est le SILICIUM. Il est issu du sable que l'on purifie. Le silicium pur (on
admet aprs purification 1 atome tranger pour 10
9
atomes)a une importante
resistance : 2,3 10
7
m
En comparaison, le cuivre une rsistivit de 1,710 m. On peut donc considrer
silicium pur comme un isolant. Sa couche priphrique comprend 4 lectrons ce qui est
en particulier des semi-conducteurs.

Le silicium pur (symbole chimique : Si) aussi appel conductibilit intrinsque ne
peut tre utilis directement. Pour qu'il devienne conducteur, il faut diminuer sa
rsistivit. Il faut donc faire apparatre des lectrons libres ou des lacunes pour avoir
un terrain propice au passage du courant lectrique.
II. Le dopage
On va mlanger des corps ayant 3 ou 5 lectrons en couche priphrique avec le
silicium. Ce mlange, aprs fusion, donne un alliage avec de nouvelles caractristiques.
II.1. Le dopage P
On mlange au silicium des atomes avec 3 lectrons en couche priphrique (Indium,
Gallium, Aluminium). A chaque endroit o s'est gliss un atome trivalent dans
l'alliage, il manque une liaison cristalline. Cette lacune ou ce trou reprsente une
charge lectrique positive. Un lectron libre (ayant laiss un trou en quittant son
orbite) peut combler ce trou. Le phnomne se repetant, on assiste un mouvement
de trous, donc un courant lectrique.

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3 Le dopage

Le cristal de silicium dop de cette manire a nettement baiss sa resistivit ( de
l(ordre de
10
-3
m). Cette baisse est due l'adjonction de matire crant des trous.
Ces trous reprsentent
des charges POSITIVES. On a obtenu du silicium dop P ou Si P.
II.2. Le dopage N
On mlange au silicium des atomes avec 5 lectrons en couche priphrique
(phosphore, arsenic, antimoine). L'alliage rsultant laisse apparatre 1 lectron libre
pour chaque atome pentavalent dans la structure cristalline. Cet lectron est libre,
comme dans le cas prcdent, il abaisse la rsistivit du cristal et participe la
conduction lectrique.

Le cristal ainsi obtenu, s'il est soumis une tension, va laisser circuler le courant en
fonction de sa rsistivit.

Les lectrons libres sont attirs par le ple +. Les trous sont attirs par le ple -.

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4 La jonction
III. La jonction
III.1. La jonction lmentaire
Si l'on tablit un contact parfait entre un cristal Si P et un cristal Si N, il y a
immdiatement mariage entre les lectrons libres de la zone N et les trous de la zone P
et ce sur une largeur de
1 m la zone de contact.
Les charges lectriques mobiles
s'annulent. Il reste les charges lectriques des noyaux d'atomes dsquilibrs par cette
opration, les atomes sont immobiles. Dans la zone de 1 m, on voit apparatre un
potentiel positif du ct Si N (dominante des protons) et un potentiel ngatif du ct
P (dominante des trous combls).

Cette zone la jonction s'appelle BARRIERE DE POTENTIEL. Sur une distance de 1m,
il n'y a plus de porteurs de charges zone isole, plus de conduction possible. La
barrire de potentiel repousse les lectrons de la zone N et les trous de la zone P.
III.2. La jonction polarise en inverse

Le ple - de la source attire les trous (+) et le ple + attire les lectrons. La barrire de
potentiel s'largit. Toute conduction devient impossible, le systme est bloqu.

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5 La jonction
III.3. La jonction polarise en direct

Le ple + de la source attire les lectrons et apporte des trous dans le circuit.
Le ple - de la source attire les trous et apporte des lectrons dans le circuit.
Au fur et mesure que la tension s'lve, la barrire de potentiel se rtrcit. Elle
finit par disparatre et le courant peut circuler.
On constate dans le silicium :
Dbut de la conduction vers 0,5 V (fin barrire)
Nette augmentation de la conduction vers 0,6 V
Conduction admise normale 0,7 V

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6 /Chapitre2 : Redressement monphas
Chapitre2 : Redressement monphas
Redressement monophas

CHAPITRE

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7 Objectif
I. Objectif
Le redressement est la conversion d'une tension alternative en une tension continue.
On utilise un convertisseur alternatif-continu pour alimenter un rcepteur en continu
partir du rseau de distribution alternatif.
II. La diode

La diode est un diple passif polaris.
En lectrotechnique, la diode est quivalente un interrupteur
unidirectionnel non command.
Symbole

A : anode
K : cathode

Aspect

Caractristique dune diode parfaite

Remarque :
cette caractristique
parfaite est utilise pour
comprendre le
fonctionnement de
principe des convertisseurs
statiques en
lectrotechnique. Elle ne
convient pas en
lectronique.

Nous allons tudier le redressement double alternance avec un pont quatre diodes
(pont de Gratz)
On trouve ce montage dans les d'appareils lectromnagers : chane HiFi, ordinateur,
Les petits botiers noirs qui dlivrent une tension entre 5 et 12 V continue et que l'on
branche directement sur le secteur 220 V contiennent un transformateur suivi d'un pont
redresseur et d'un condensateur de lissage.

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8 Redressement double alternance
III. Redressement double alternance
III.1. Principe de fonctionnement
III.1.1. Montage
Pour comprendre le
fonctionnement dun pont
de Gratz, on peut le
raliser avec des LED qui
silluminent lorsquelles
sont traverses par un
courant et un GBF trs
basse frquence (0,5 Hz).

Alternance positive Alternance ngative Commentaires

Alternance positive : v > 0
Alternance ngative: v < 0

En suivant le sens de
parcours du courant on voit
les led qui sont allumes et
celles qui sont teintes.
On constate :
- en entre les led
sallument
alternativement ;
- dans le pont elles
fonctionnement
alternativement par paires ;
- en sortie seul la led rouge
est allume.

Schmas quivalents :
sur ces schmas, les
branches dans lesquelles il
ny a pas de courant ont t
supprimes.
Loi des mailles : v = u
v > 0
u > 0
Loi des mailles : v = -u
v < 0
u > 0
On constate que la tension
u de sortie reste toujours
positive.

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9 Redressement double alternance
III.2. Pont de Gratz
III.2.1. Schma
Le pont de Gratz est constitu
de 4 diodes.
Dans ltude de ce chapitre, les
diodes sont supposes parfaites
et donc assimiles des
interrupteurs.
v est la tension dentre du
pont.
u est la tension de sortie.
R est la charge rsistive.4

III.2.2. Analyse du fonctionnement

Alternance positive
D1 et D3 sont passantes uD1 = 0 et uD3 = 0
(interrupteurs ferms)
Loi des mailles : v - uD1 u uD3 = 0
v u = 0
u = v > 0
Loi des noeuds :

Alternance ngative
D2 et D4 sont passantes uD2 = 0 et uD4 = 0
(interrupteurs ferms)
Loi des mailles : v + uD2 + u + uD3 = 0
v + u = 0
u = -v > 0
Loi des noeuds :

Loi des mailles pour D1 : uD1 + uD4 + u = 0
uD1 = -u = v <0

III.3. Grandeurs caractristiques
Priode

Valeurs instantanes

i = i
D1
= j =
u
R
i = j =
u
R
' T =
T
2
= 10 ms ' f = 2.f =100 Hz
u =

V sin(et) i =

V
R
sin(et )

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10 Filtrage par condensateur : lissage de la tension
Valeurs moyennes

Pour trouver ce rsultat, il faut intgrer :

La valeur moyenne se mesure avec : un voltmtre numrique sur la position DC
(continue, =)
Valeurs efficaces

Pour trouver ce rsultat, il faut intgrer :

- un voltmtre numrique dit RMS capable de mesurer la valeur efficace dune tension
de forme quelconque. RMS : Root (racine carr) Mean (valeur moyenne) Square (carr)
Ce qui veut dire que lappareil mesure la vraie valeur efficace en utilisant sa dfinition
mathmatique :
Puissance absorbe par la charge

IV. Filtrage par condensateur : lissage de la tension
On place en parallle avec la charge un condensateur de capacit C.

Avantages :
On constate que la prsence d'un
condensateur diminue l'ondulation u de la
tension redresse.

avec : et

=
2

V
t
=

R
=
2

V
tR
=
1
' T

V sin
0
'
T
( ' e t).dt
U =

V
2
= V I =
U
R
=

V
R 2
U
2
=
1
' T

V
2
0
' T
sin
2
( ' e t).dt
U = 
P = RI
2
=
U
2
R
=
V
2
R
Au =

U

U

U = U
max

U = U
min

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11 Dbit sur charge active R, E
La valeur moyenne est augmente. Elle se
rapproche de

Inconvnients :
L'apparition de pointes de courant fait que le
transformateur et les diodes fonctionnent
dans de mauvaises conditions.
Pour cette raison, ce mode de fonctionnement
n'est utilis qu'avec des montages fournissant
des courants faibles tels que le petit
lectromnager.
Remarque : si la capacit du condensateur est
suffisante (RC>>T), l'ondulation u devient
ngligeable et
V. Dbit sur charge active R, E
Considrons une charge R,E. Il peut sagir par exemple dun moteur { courant continu ou
dune batterie { recharger. Observons { loscilloscope le courant i et la tension u.

Loi des mailles :

Analyse du la loi des mailles :
Si u < E0 , nous trouvons i < 0. Cette situation est impossible car les diodes se bloquent.

Finalement :
si u > E0, alors les diodes conduisent (i > 0);
si u < E0, alors les diodes sont bloques ; ce qui entrane i = 0

V
=

V
u = E
0
+ Ri i =
u E
0
R

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12 Exemple dapplication du redressement
Exemple dapplication du redressement
Ralisation dune alimentation continue stabilise avec un transformateur, un pont de
diode et un condensateur de lissage de la tension et rgulateur intgr.

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13 /Chapitre 3 : Les transistors bipolaires
Chapitre 3 : Les transistors bipolaires

CHAPITRE

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14 Introduction
I. Introduction
En lectronique, un tel composant est intressant, car il va permettre d'amplifier un signal, et
de commander des actionneurs requrant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc ) avec
des signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de temprature, de
pression, ).
Le transistor jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en lectronique.
II. Principe et caractristique
II.1. Introduction l'effet transistor
Nous avons dj vu propos de la diode que si celle-ci est polarise en inverse, les porteurs
minoritaires (lectrons de la zone P et trous de la zone N, crs par l'agitation thermique)
traversent sans problmes la jonction et sont acclrs par le champ extrieur.
On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils
deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps se recombiner
avec les porteurs opposs.
Partant des deux remarques prcdentes, on peut dduire que si on injecte dans la zone N
d'une jonction NP polarise en inverse beaucoup de trous (qui seront dans cette zone des
porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent pas avec les lectrons de
la zone N, ils vont traverser la jonction et crer un courant dans le circuit extrieur.

Fig. 1. Injection de trous dans une zone N.
La figure 1 illustre ce propos : il y aura des recombinaisons (charges + et - encercles), mais
limites, et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront le courant I2. A noter que les
recombinaisons correspondent au courant I1-I2.

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15 Principe et caractristique
II.2. Le transistor rel
Ce que nous venons de dcrire n'est ni plus ni moins que l'effet transistor : il ne manque que
le moyen d'injecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que les recombinaisons
soient faibles, pour que la majorit des trous passent dans la zone P.
II.2.1. Principe de fonctionnement
Dans le transistor rel, on va apporter les trous en crant une jonction PN, que l'on va
polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du montage Fig. 1. Cette
zone P qui injecte les trous est alors l'metteur , et la zone N, faiblement dope est la base .
Comme dans le schma de la Fig. 1., la jonction NP est polarise en inverse. La deuxime zone
P est le collecteur (voir Fig. 2.).

Fig. 2. Schma de principe d'un transistor.
Les trous injects dans la base par l'metteur ont une faible probabilit de se recombiner
avec les lectrons de la base pour deux raisons :
- la base est faiblement dope, donc, les porteurs majoritaires (lectrons) seront peu
nombreux.
- la base est troite, et donc les trous mis sont happs par le champ lectrique collecteur-
base avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite devant la longueur de
diffusion des porteurs minoritaires injects par l'metteur, qui sont ici les trous).
On peut observer le phnomne d'un point de vue diffrent : quand on injecte un lectron
dans la base, l'metteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour qu'il y en ait un qui
se recombine avec l'lectron mis. Les autres trous vont passer directement dans le
collecteur.
En premire approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est proportionnel
au nombre d'lectrons injects dans la base.

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16 Principe et caractristique
Ce rapport de proportionnalit est un paramtre intrinsque au transistor et s'appelle le gain
en courant .
Il ne dpend que des caractristiques physiques du transistor : il ne dpend ni de la tension
inverse collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur. (ceci n'est qu'une
approximation, mais dans les hypothses de petits signaux, c'est assez bien vrifi.)
On a les relations suivantes :

(1.3)

= ( +1)
(2.3)

(3.3)

II.2.2. Constitution et caractristiques physiques d'un transistor
Un transistor bipolaire est donc constitu de trois zones de silicium alternativement dopes N
et P, formant deux jonctions PN.
Le transistor dcrit au paragraphe prcdent comporte deux zones P et une zone N. C'est une
des deux faons d'agencer les jonctions pour fabriquer un transistor :
- soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP.
- soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN.
Dans les deux cas, la zone centrale (base) est trs troite vis vis de la longueur de diffusion
des porteurs minoritaires issus de la zone adjacente (l'metteur).
La base possde en outre la caractristique d'tre trs faiblement dope en comparaison de
l'metteur.
II.3. Symboles, tensions et courants
Dans le symbole du transistor (figures 3 et 4), une flche dsigne l'metteur ainsi que le sens
de circulation du courant d'metteur ; c'est le sens de cette flche qui va reprer le type de
transistor : NPN pour un courant d'metteur sortant du transistor, et PNP dans le cas inverse.
La base est reprsente par une barre parallle l'axe collecteur-metteur. D'autres
symboles existent, mais celui-ci est le plus usit.

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17 Caractristiques lectriques
Les transistors sont des composants polariss : les courants indiqus sont les seuls possibles
pour un fonctionnement correct. En consquence, il faudra choisir le type de transistor
adapt au besoin (NPN ou PNP) et faire attention au sens de branchement.
Transistor NPN

Fig. 3. Courants et tensions sur un NPN
Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont rentrants, et le courant
d'metteur est sortant. Les tensions VBE et VCE sont ici positives.
Transistor PNP
Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont sortants, et le courant
d'metteur est rentrant. Les tensions VBE et VCE sont ici ngatives.

Fig. 4. Courants et tensions sur un PNP.
III. Caractristiques lectriques
Pour ce paragraphe, nous allons tudier les caractristiques des transistors NPN. Celles des
transistors PNP sont les mmes aux rserves de signes dcrites au paragraphe prcdent.
III.1. Montages de base.
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune l'entre
et la sortie du montage, il y a 3 manires fondamentales de procder :

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- la patte commune est l'metteur : on parle de montage metteur commun . L'entre est la
base et la sortie le collecteur.
- La patte commune est la base : on parle de montage base commune . L'entre est l'metteur
et la sortie le collecteur.
- La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun . L'entre est la
base et la sortie l'metteur.
III.2. Schma de mesure des caractristiques
Les caractristiques qui suivent sont donnes pour un montage metteur commun . Le
schma le plus simple est le suivant :

Fig. 5. Montage de base metteur commun .
Dans ce schma, la base est polarise en direct par la rsistance de base Rb : le potentiel de la
base est alors de 0,7V environ, car l'metteur est la masse et la jonction base metteur est
l'quivalent d'une diode passante.
Le collecteur est lui polaris par la rsistance de collecteur Rc de telle manire que la tension
du collecteur soit suprieure la tension de la base : la jonction base collecteur est alors
polarise en inverse.
On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et deux
rsistances. Dans ce montage, l'entre est la base et la sortie est le collecteur.
L'entre est caractrise par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs IC et
VCE, soit 4 variables.
III.2.1. Caractristique d'entre
La caractristique d'entre du transistor est donne par la relation IB = f (VBE) @ VCE = cte.

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En fait, le circuit d'entre est la jonction base metteur du transistor, soit une jonction diode.
Cette caractristique va dpendre trs peu de la tension collecteur metteur : on la donne en
gnral pour une seule valeur de VCE. La courbe est la suivante :

Fig. 6. Caractristique d'entre du transistor.
La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor (courant de
base infrieur au mA). Cette valeur est donc lgrement suprieure celle d'une jonction de
diode.
III.2.2. Caractristique de transfert
La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC = f (IB) @ VCE = cte.
Nous avons dj dit que le courant d'metteur est proportionnel au courant de base.

Fig. 7. Caractristique de transfert du transistor.
La caractristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un gnrateur de courant
command par un courant.

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Si on considre le courant de fuite ICEO, la caractristique ne passe pas par l'origine, car IC =
ICEO pour IB = 0.
Le du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 10 pour des
transistors de grosse puissance, 30 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de
100 500 pour des transistors de signal.
III.2.3. Caractristique de sortie
La caractristique de sortie du transistor est dfinie par la relation IC = f (VCE) @ IB = cte. En
pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs de IB.

Fig. 8. Caractristiques de sortie du transistor.
Sur ces caractristiques (Fig. 8.), on distingue deux zones :
- une zone importante o le courant IC dpend trs peu de VCE IB donn : cette
caractristique est celle d'un gnrateur de courant rsistance interne utilis en rcepteur.
Dans le cas des transistors petits signaux, cette rsistance est trs grande : en premire
approche, on considrera que la sortie de ce montage transistor est un gnrateur de
courant parfait.
- La zone des faibles tensions VCE (0 quelques volts en fonction du transistor) est diffrente.
C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-metteur diminue pour devenir trs
faible, la jonction collecteur-base cesse d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot
alors trs rapidement. A la limite, la jonction collecteur-base devient aussi polarise en
direct : on n'a plus un transistor, mais l'quivalent de deux diodes en parallle. On a une
caractristique ohmique dtermine principalement par la rsistivit du silicium du
collecteur. Les tensions de saturation sont toujours dfinies un courant collecteur donn :
elles varient de 50mV pour des transistors de signal des courants d'environ 10mA, 500mV
pour les mmes transistors utiliss au maximum de leurs possibilits (100 300 mA), et
atteignent 1 3V pour des transistors de puissance des courants de l'ordre de 10A.

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21 Montage de base
En bref
Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor , c'est que c'est un amplificateur de
courant
C'est un gnrateur de (fort) courant (en sortie) pilot par un (faible) courant (en
entre).
IV. Montage de base
IV.1. Prliminaire
IV.1.1. Mise en uvre du transistor
On a vu que le transistor tait un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser pour
amplifier des signaux issus de sources diverses.
Il va falloir pour cela mettre en uvre tout un montage autour du transistor pour plusieurs
raisons :
Alimentation.
Le transistor, tout en tant classifi dans les composants actifs, ne fournit pas d'nergie : il
faudra donc que cette nergie vienne de quelque part ! C'est le rle de l'alimentation qui va
servir apporter les tensions de polarisation et l'nergie que le montage sera susceptible de
fournir en sortie.
Polarisation.
Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc falloir le polariser
pour pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est dire superposer au courant alternatif
un courant continu suffisamment grand pour que le courant total (continu + alternatif)
circule toujours dans le mme sens. Il faudra en plus que la composante alternative du
courant soit suffisamment petite devant la composante continue pour que la linarisation
faite dans le cadre de l'hypothse des petits signaux soit justifie.
Conversion courant/tension.
Le transistor est un gnrateur de courant. Comme il est plus commode de manipuler des
tensions, il va falloir convertir ces courants en tensions : on va le faire simplement en mettant
des rsistances dans des endroits judicieusement choisis du montage.
Liaisons.

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22 Montage de base
Une fois le transistor polaris, il va falloir prvoir le branchement de la source alternative
d'entre sur le montage. En rgle gnrale, ceci se fera par l'intermdiaire d'un condensateur
de liaison plac entre la source et le point d'entre du montage transistor (base pour
montages metteur et collecteur commun, metteur pour montage base commune). De la
mme manire, pour viter que la charge du montage transistor (le dispositif situ en aval
et qui va utiliser le signal amplifi) ne perturbe sa polarisation, on va aussi l'isoler par un
condensateur de liaison. Ces condensateurs vont aussi viter qu'un courant continu ne circule
dans la source et dans la charge, ce qui peut leur tre dommageable.
IV.2. Mthodologie de calcul
Nous avons dj vu lors d'une approche globale de l'lectronique qu'il convenait pour des
raisons de simplification des calculs de sparer l'tude de la polarisation de l'tude en
alternatif petits signaux.
La polarisation est calcule dans un premier temps ; on fait alors un schma quivalent du
montage pour le continu. Le calcul se fait simplement avec la loi d'Ohm et les principaux
thormes de l'lectricit.
Pour la partie petits signaux alternatifs, on a vu qu'on va devoir linariser les caractristiques
du transistor au point de fonctionnement dfini par la polarisation. Il faut donc dfinir les
paramtres linariser et en dduire un schma quivalent du transistor.
La solution globale (celle correspondant ce qui est physiquement constat et mesur sur le
montage) est la somme des deux solutions continue et alternative dfinies ci-dessus.
IV.2.1. Schma quivalent alternatif petits signaux du transistor
IV.2.1.1. Paramtres hybrides
En pratique, pour simplifier l'expos, nous allons d'abord donner le schma quivalent et les
quations qui s'y rapportent, pour ensuite justifier ces lments l'aide des caractristiques
des transistors.
Le transistor est considr comme un quadriple ; il a deux bornes d'entre et deux bornes de
sortie (une patte sera alors commune l'entre et la sortie) et va tre dfini par 4 signaux :
courant et tension d'entre, courant et tension de sortie. Ces variables ont dj t dfinies
(Fig.5) pour le montage metteur commun : il s'agit du courant IB et de la tension VBE pour
l'entre, du courant IC et de la tension VCE pour la sortie.
En fait, ces signaux se dcomposent en deux parties : les tensions et courants continus de
polarisation nots IBo, VBEo, ICo, et VCEo, et les petites variations alternatives autour du point de
repos qui sont respectivement ib, vbe, ic, et vce.

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23 Montage de base
Nous avons les quations :

=
0
+
(4.3)

=
0
+
(5.3)

=
0
+
(6.3)

=
0
+
(7.3)

Ce sont les petites variations qui vont nous intresser pour le schma quivalent alternatif
qui est le suivant :

Fig. 10. Schma quivalent du transistor NPN.
L'appellation schma quivalent du montage metteur commun provient de la dfinition des
variables d'entre et de sortie qui sont celle de ce type de montage.
Nota : On peut remarquer ici que les sens des courants sont conventionnels, et non absolus, et
ne servent qu' effectuer les calculs comme si les sources taient continues ; une seule chose
est imprative : phaser convenablement ib et ic.
Dans ce schma, nous avons les relations suivantes :

=
11

+
12

=
21
+
22

(8.3)

L'indice e sur les paramtres hije (qu'on appelle paramtres de transfert) indique qu'il s'agit
des paramtres metteur commun. On peut mettre le systme [10] sous la forme matricielle
suivante :

11

12
21

2

(9.3)

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24 Montage de base
Si on analyse la premire quation du systme [10], on y voit l'expression de vbe en fonction
de ib et vce. On a :
- h11e = vbe/ib @ vce = 0 . Si on se rappelle que vbe et ib sont des petites variations autour du
point de repos (VBEo,IBo) et que la caractristique d'entre du transistor est la courbe IB =
f(VBE) @ VCE = cte (donc vce = 0), alors, on voit que h11e est la rsistance dynamique de la
jonction base-metteur .
- h12e = vbe/vce @ ib = 0 . Ce paramtre est en fait la raction de la sortie sur l'entre dans la
thorie des quadriples. Lors de l'tude du principe du transistor, il a t dit que cette
raction tait ngligeable . Dans toute la suite de l'expos, il ne sera plus fait mention de ce
paramtre.
La deuxime quation nous donne :
- h21e = ic/ib @ vce = 0 . Ce paramtre est le gain en courant en fonctionnement dynamique du
transistor. Il peut tre lgrement diffrent du gain en fonctionnement statique dj
mentionn, car il a t dit que la linarit de ce paramtre n'est pas rigoureusement vrifie.
- h21e = ic/vce @ ib = 0 . Ce paramtre a la dimension d'une admittance : c'est l'inverse de la
rsistance du gnrateur de courant de sortie du transistor. En pratique, sa valeur est faible
(donc la rsistance est leve), et sauf montage un peu pointu , on le ngligera, car son
influence sera modre vis vis de l'impdance de charge du montage.
On voit qu'en fait, les paramtres de transfert issus de la thorie des quadriples colle bien
aux caractristiques physiques du transistor :
- une entre rsistive (la rsistance diffrentielle de la jonction base-metteur), la raction de
la sortie sur l'entre tant ngligeable.
- une sortie quivalente un gnrateur de courant proportionnel au courant d'entre , ce
gnrateur tant imparfait, donc avec une rsistance interne non nulle.
IV.3. Montage metteur commun
Le dcor tant entirement plant, on va pouvoir passer au montage fondamental
transistor : le montage metteur commun . Il ralise la fonction amplification de base de
l'lectronique.
IV.3.1. Polarisation, Point de fonctionnement

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

25 Montage de base
IV.3.1.1. Polarisation par une rsistance.
Le montage le plus lmentaire tout en tant fonctionnel est le suivant :

Fig. 11. Polarisation par rsistance de base.
Le fonctionnement est simple : le courant de base IBo est fix par Rb, ce qui entrane un
courant de collecteur ICo gal IBo. Le courant collecteur tant fix, la tension aux bornes de
Rc va tre gale Rc ICo. Le montage est entirement dtermin.
Pour calculer les lment Rb et Rc, on va procder l'envers : on va partir de ce qu'on dsire
(le courant ICo et la tension VCEo), et remonter la chane :
- On se fixe un courant collecteur de repos ICo (c'est le courant de polarisation). Ce courant
sera choisi en fonction de l'application, et variera entre une dizaine de A (applications trs
faible bruit), et une dizaine de mA (meilleures performances en haute frquence, soit
quelques MHz).
- On se fixe une tension de collecteur VCEo, qu'on prend en gnral gale E/2, pour que la
tension du collecteur puisse varier autant vers le haut que vers le bas lorsqu'on appliquera le
signal alternatif.
- La rsistance de collecteur Rc , en plus d'assurer une polarisation correcte de la jonction
base-collecteur, convertit le courant collecteur (et ses variations) en tension. Elle est
dtermine par la formule :

(10.3)
- le courant IBo est alors impos par les caractristiques de gain en courant du transistor (le
). On note ici qu'il est impratif de le connatre (donc de le mesurer) :

(11.3)

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

26 Montage de base
- La rsistance de base Rb est alors calcule l'aide de la formule :

(12.3)
- Pour ce faire, on prendra VBEo = 0,7V, car un calcul plus prcis (il faudrait connatre la
caractristique IB = f (VBE) pour le faire !) ne servirait rien.
On peut rsumer toute cette tape de polarisation sur un seul graphique :

Fig. 12. Polarisation du transistor.
On reconnatra ici les trois caractristiques du transistor (entre, transfert, sortie) jointes sur
le mme graphique. Attention : il faut bien remarquer que les axes sont diffrents de part et
d'autre du zro !
Ce montage assure les diverses fonction vues prcdemment : il est correctement aliment,
polaris (jonction base-metteur en direct, jonction base collecteur en inverse, courants dans
le bon sens ), et il possde des condensateurs de liaison. En effet, on peut remarquer que :
- Si on veut changer le transistor par un autre dont le gain soit trs diffrent, vu que IBo est
impos par E et Rb, ICo = IBo n'aura pas la bonne valeur, et VCEo non plus. Et il ne s'en faut pas
de quelques %, car pour une mme rfrence de transistor, le gain peut varier d'un facteur
1,5 5 ou plus ! On peut donc se retrouver avec un montage dont le transistor serait satur,
donc inutilisable pour l'amplification de petits signaux.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

27 Montage de base
Comme il est impensable de mesurer chaque transistor avant de l'utiliser, on ne peut pas en
pratique exploiter le montage dcrit Fig. 11. Ce montage n'a qu'un intrt pdagogique, et
pour des montages rels, on va lui prfrer le montage polarisation par pont de base.
IV.3.1.2. Polarisation par pont de base.
Ce schma est un peu plus complexe que le prcdent. Nous allons d'abord analyser les
diffrences, et ensuite, nous suivrons pas pas la mthode de calcul de la polarisation.

Fig. 13. Polarisation par pont de base.
Par rapport au schma Fig. 11, on note que la base est polarise l'aide d'un pont de
rsistances Rb1 et Rb2. Le rle de ces rsistances sera de fixer le potentiel de base. Comme la
tension VBE est voisine de 0,7V, ceci impose de mettre une rsistance entre l'metteur et la
masse. Cette rsistance est dcouple par le condensateur CDE, qui va tre l'quivalent d'un
court-circuit en alternatif.
A quoi servent ces lments ? Pour raisonner, on va faire abstraction du condensateur CDE,
qui est un circuit ouvert pour le rgime continu.
Les rsistances du pont de base vont tre choisies de telle manire que le courant circulant
dans ce pont soit trs suprieur au courant rentrant dans la base (au moins 10 fois plus
grand), ceci afin que des petites variations du courant de base ne modifient pas le potentiel
de la base, qui restera donc fixe.
Le potentiel d'metteur va tre gal au potentiel de base moins environ 0,7V et sera lui aussi
fixe, courant de base donn. Dans ce cas, la tension aux bornes de RE est dtermin. Le
courant d'metteur (donc celui du collecteur, et celui de la base, via le ) sera alors fix par la
valeur de la rsistance RE et la tension du pont de base.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

28 Montage de base
Le courant collecteur tant dfini, on choisit la rsistance de collecteur pour avoir VCEo au
milieu de la plage de tension utilisable.
Quel est l'avantage de ce montage ? Supposons que le courant ICEO augmente sous l'effet de la
temprature. La tension aux bornes de RE va alors augmenter. Comme le potentiel de base est
fix par le pont Rb1/Rb2, la tension VBE va diminuer. Cette diminution va entraner une baisse
du courant de base, donc du courant de collecteur.
Cet effet vient donc s'opposer l'augmentation du courant collecteur d l'augmentation du
courant de fuite ICEO. Le montage s'auto-stabilise.
L'autre avantage, c'est que le courant de collecteur est fix par le pont de base et par la
rsistance d'metteur. Ces lments sont connus 5% prs en gnral, donc, d'un montage
un autre, on aura peu de dispersions, et surtout, le courant collecteur sera indpendant du
gain du transistor. On a dit cet effet que le pont de base est calcul de manire ce que le
potentiel de base soit indpendant du courant de base : ce potentiel ne dpendra pas du
transistor, et le courant de base s'ajustera automatiquement en fonction du gain du transistor
sans perturber le pont de base.
On fera les calculs dans l'ordre suivant :
- On fixe le courant collecteur de repos ICo . A noter que le courant d'metteur sera quasiment
le mme car IC = IE - IB # IE.
- On fixe le potentiel d'metteur VEo (au maximum E/3, et en pratique, une valeur plus
faible : 1 2V est une valeur assurant une assez bonne compensation thermique sans trop
diminuer la dynamique de sortie).
- On calcule alors la rsistance RE par la formule :

(13.3)
- On se fixe la tension collecteur metteur VCEo : en gnral, on la prendra gale la moiti de
la tension disponible qui est gale non plus E, mais E - VEo. On en dduit la rsistance Rc :

(14.3)
- On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour le du transistor,
cette valeur n'tant pas critique ici) :

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

29 Montage de base

= 10
10

(15.3)
- On calcule Rb2 (en rgle gnrale, on prendra VBEo gal 0,7V) :

2
=

(16.3)
- On en dduit Rb1 :

1
=

2
(17.3)
Le point de repos du montage tant dtermin, on va passer au comportement en alternatif.

IV.3.2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
Si on applique les rgles dfinies auparavant, on obtient :

Fig. 14. Schma quivalent en alternatif.
On notera que la rsistance d'metteur a disparu, car elle est shunte par le condensateur de
dcouplage CDE.
En quoi va consister l'tude en alternatif ?
Tout d'abord, on va valuer la capacit du montage amplifier le signal d'entre . La
caractristique reprsentative de cette fonction est le gain en tension Av, qui est le rapport
entre les tensions de sortie et d'entre.
Ensuite, il faut regarder en quoi le montage peut s'interfacer avec la source d'entre sans la
perturber ; il doit rester le plus neutre possible vis vis de cette source, surtout s'il s'agit d'un
capteur de mesure ! La grandeur reprsentative est l'impdance d'entre .

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

30 Montage de base
Mme chose vis vis de la charge branche en sortie du montage, qui va utiliser le signal
amplifi : il va falloir regarder dans quelle mesure l'tage transistor n'est pas perturb par
cette charge . La grandeur reprsentative est l'impdance de sortie .
Nous allons calculer ces trois paramtres. On pourrait y rajouter le gain en courant Ai qui est
le rapport des courants de sortie et d'entre, et aussi le gain en puissance. En amplification
petits signaux, ces paramtres sont peu utiliss, nous n'en parlerons donc pas.
IV.3.3. Gain en tension.
Le gain en tension peut tre dfini de deux manires :
le gain vide , c'est dire sans charge connecte en sortie du montage.
le gain en charge , avec la charge connecte.
Dans ce paragraphe, nous allons calculer le gain de l'tage vide. Nous verrons ensuite qu'il
est simple de calculer le gain en charge postriori. On va d'abord procder quelques
simplifications dans le schma :
- les deux rsistances du pont de base sont en parallle du point de vue alternatif. Nous allons
donc les remplacer par une seule rsistance Rp dont la valeur sera gale Rb1 // Rb2.
- la rsistance de sortie 1/h22e du transistor est grande (plusieurs dizaines de k ). Pour une
alimentation E de 12V, un courant ICo de 2mA et une tension VCEo de 5V, on aura Rc = 2500 ,
soit environ le dixime de 1/h22e. On va donc ngliger ce dernier terme.
- on supprime la charge Ru (hypothse de calcul).
Avec ces hypothses, le schma devient :

Fig. 15. Schma quivalent simplifi.
On a les quations suivantes :

=
11

(18.3)

(19.3)

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

31 Montage de base

=
21

(20.3)

=
21

(21.3)
Si on pose h21e = (le gain dynamique est gal au gain statique), on obtient l'expression du
gain en tension :

11
(22.3)
Cette expression montre que le gain de l'tage dpend de deux paramtres du transistor : le
gain en courant et la rsistance dynamique d'entre h11e.
IV.3.4. Bilan. Utilisation du montage.
Au final, le montage metteur commun est un montage ayant :
une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines).
une impdance d'entre relativement faible (gale h11e, soit de l'ordre de plusieurs k
), variable en fonction de la polarisation (plus ICo est faible, plus l'impdance d'entre
est leve).
une impdance de sortie assez leve Rc qui va aussi dpendre du courant de
polarisation ICo.
Ce montage est l'amplificateur de base transistor et sera donc utilis comme sous-fonction
dans des circuits plus complexes (discrets, ou intgrs comme dans l'amplificateur
oprationnel). Par contre, il sera souvent inexploitable seul, et il faudra lui adjoindre des
tages adaptateurs d'impdance.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

32 / Chapitre 4: Lamplificateur oprationnel
Chapitre 4: Lamplificateur oprationnel

4
CHAPITRE
4

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

33

Notion damplification:
On appelle amplificateur tout montage qui dlivre sa sortie un signal de mme nature et de
mme frquence que le signal appliqu { son entre et dont lamplitude et la phase peuvent
tre diffrentes

I. LAmplificateur Linaire Intgr
Un amplificateur linaire intgr ( A.L.I ) est constitu dun ensemble de composants
lectroniques ( Transistors ), connects les uns aux autres dans un mme botier.
Il est aussi appel Amplificateur Oprationnel ( A.O.P ) car ses premires applications ont t
la ralisation doprations mathmatiques.
Aujourdhui, les domaines dapplications des amplificateurs linaires intgrs sont tendus
tous les domaines de llectronique.

e+ : entre non inverseuse.
e - : entre inverseuse.
c : Tension diffrentielle.
: Symbole de lamplification.
: Infini
Amplifie la diffrence de potentiel c = Ve+ - Ve-. Vs = A . c ; Na pas de courant dentres. Ie+
= Ie- = 0A.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

34 LAmplificateur Linaire Intgr
I.1. Lamplificateur idal

Ze = => Ie = 0
Zs = 0
A =
I.2. Lamplificateur rel

Ze = 10
9
=> Ie ~ 0
Zs = Quelques ohms.
A = 10
5

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

35 Mode de fonctionnement
I.3. Symboles

signification des symboles : : circuit amplificateur ; : coefficient amplification trs
grande
I.4. Alimentation des ALI
LA.L.I est un composant actif, il a donc besoin dune alimentation continue externe.
- Alimentation externe symtrique Valim ( 15V, 5V, ....... )
- Alimentation externe simple + Valim ( +15V, + 5V, ....... )
I.4.1. Caractristique de transfert Vs = f ( c ).

Vs = A . c ; ( Avec c = Ve+ - Ve-)
II. Mode de fonctionnement
II.1. Mode linaire
Condition de cblage :
Il existe obligatoirement une liaison lectrique entre la sortie et lentre inverseurse e -.
On parle alors de contre raction ngative ou de rtroaction ngative.
Cette liaison peut-tre un fil, une rsistance, ...

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Exemple :

Proprit :
Dans ces cas on considre pour effectuer les calculs que c est ngligeable devant les autres
tensions. c = 0V
II.2. Mode non linaire
II.2.1. Condition de cblage :
Il nexiste pas de liaison lectrique entre la sortie et lentre inverseurse e -.
On parle alors de boucle ouverte.
Mais il peut y avoir une liaison entre la sortie et lentre non inverseuse e+.
On parle alors de rtroaction positive.
Exemple

Proprit :
Dans ces cas c peut prendre toutes les valeurs : c nest pas ngligeable devant les autres
tensions. c = 0V
Si c >0 alors Vs = +Valim.
Si c <0 alors Vs = - Valim.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

II.3. Montage linaire
II.3.1. Montage amplificateur non-inverseur

Pour avoir un fonctionnement en rgime linaire, la contre raction se fait sur lentre
inverseuse.
En appliquant le diviseur de tension, dterminer Vs = f ( Ve )
Effectuez vos calculs ci-dessous :
Ie- = Ie+ = 0A
Diviseur de tension : V- = Vs * R1 .
R1 + R2
En rgime linaire : V+ = V-
Ve = V- Vs = Ve * ( R1 + R2 / R1) = Ve * (1 + R2/ R1 )
Exercice dapplication :

En sachant que : Vcc =12V
-Vcc = -12V
R1 = 1K
R2 = 2K
1. Dterminer Av = Vs / Ve
2. Ve = 3V Vs = ?
3. Ve = -5V Vs = ?

1. Av = Vs = 1 + R2 = 3
Ve R1

2. Ve = 3V Vs = Av * Ve = 3 * 3 = 9V

3. Ve = -5V Vs = Av * Ve = 3 * -5 = -15V
( Comme Vcc = -12V Vs = - 12V )

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

II.3.2. Montage amplificateur inverseur

Pour avoir un fonctionnement en rgime linaire, la contre raction se fait sur lentre
inverseuse.
Aprs avoir indiqu les grandeurs lectriques du montage, appliquez la loi dohm et
dterminez Vs = f ( Ve )
Effectuez vos calculs ci-dessous
Ie- = Ie+ = 0A
En rgime linaire V+ = V- V+ = V- = 0V
Ve est aux bornes de R1 et Vs est aux bornes de R2

I1 = Ve/ R1 = -Vs/ R2 Vs = -Ve* R2/ R1


En sachant que : Vcc = 12V
-Vcc = 0V
R1 = 1K
R2 = 2K

1. Determinier Av = Vs / Ve
2. Ve = 3V Vs = ?
3. Ve = -5V Vs = ?

1. Av = Vs = - R2 = -2
Ve R1

2. Ve = 3V Vs = Av * Ve = -2 * 3 = -6V

3. Ve = -5V Vs = Av * Ve = -2* -5 = -10V
( Comme Vcc = 0V Vs = 0V )

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

II.3.3. Montage suiveur

Ce montage en amplification suiveur peut aussi sappeler amplificateur en courant ou
adaptateur dimpdance ({ gain unitaire)
Aprs avoir indiqu les grandeurs lectriques du montage, dterminer
Vs = f ( Ve )
Effectuez vos calculs ci-dessous
Ie- = Ie+ = 0A
En rgime lineaire V+ = V- Vs = Ve

En sachant que : Vcc = 12V
-Vcc = -12V
R1 = 1K
R2 = 2K

1. Determiner Av = Vs / Ve
2. Ve = 3V Vs = ?
3. Ve = -5V Vs = ?

1. Av = Vs = 1
Ve

2. Ve = 3V Vs = Av * Ve = 1 * 3 = 3V

3. Ve = -5V Vs = Av * Ve = 1 * -5 = -5V

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

II.4. Montage Non-Linaire
La sortie ne peut prendre que 2 tats stables dpendant du signe de e= V+ - V-
Si e > 0 donc V+> V- alors Vs = +Vcc
Si e < 0 donc V+< V- alors Vs = -Vcc
II.4.1. Comparateur 1 seuil (Sans raction positive)
II.4.1.1. Comparateur non-inverseur

Basculement :
Si Ue > Urf alors Us = +Vcc
Si Ue < Urf alors Us = -Vcc

Caractristique de transfert Us = f ( Ue )

II.4.1.2. Comparateur inverseur

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Basculement :
Si Ue < Urf alors Us = +Vcc
Si Ue > Urf alors Us = -Vcc

Caractristique de transfert Us = f ( Ue )

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