PROYECTO FI NAL DE ELECTRONICA

DISEO Y CONSTRUCCION DE UN AMPLIFICADOR DE AUDIO DE 20W

INTEGRANTES


YESICA BOHORQUEZ UPARELA
SANDY AURORA BONILLA URZOLA
MARIA MAZA FIGUEROA
GEORGY PARADA MASS


PROFESOR
MSC. RICARDO ARJONA ANGARITA


UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE BOLVAR
FACULTAD DE INGENIERA
INGENIERA ELECTRICA Y ELECTRNICA
CARTAGENA DE INDIAS D. T. Y C.
2010




OBJETIVOS

Disear y construir un amplificador de audio para un ancho de banda de 25Khz, con
una potencia de salida de 20W entregada sobre una carga RL = 8 (parlante) con
una distorsin total armnica inferior al 10%.

Aplicar la teora concerniente a amplificadores BJT, amplificadores de voltaje y
amplificadores de potencia para el diseo y construccin del amplificador requerido.

































INTRODUCCION

Un amplificador es un dispositivo que recibe una seal de entrada proveniente de algn
transductor o fuente, y genera un nivel ms grande de la seal.
Los dispositivos que ofrecen solamente amplificacin de voltaje de la seal de entrada
se denominan amplificadores de voltaje; Los que proporcionan una amplificacin de
voltaje y de corriente de la seal de entrada se denominan amplificadores de potencia
o de gran seal, ya que suministran potencia suficiente a una carga de salida que
permita activar un dispositivo de potencia, tal como una bocina.
Un amplificador de potencia es el ltimo componente activo en la cadena de un sistema
de sonido, est ubicado antes de los parlantes. Sus principales caractersticas son, la
eficiencia de potencia del circuito, la mxima cantidad de potencia que es capaz de
manejar el circuito, y el acoplamiento de impedancia con el dispositivo de salida.
Existen cuatro clasificaciones bsicas de amplificadores de potencia: A, AB, B y C. En
clase A, el amplificador est polarizado de tal forma que la corriente por el colector fluye
durante el ciclo completo de la seal de entrada.
Para clase AB, la polarizacin del amplificador es de tal forma que la corriente de
colector solamente fluye para un lapso menor a los 360 y mayor a los 180 de la onda
correspondiente. Para el funcionamiento en clase B, la corriente IC fluir solo durante
180 de la onda de entrada. Finalmente, para funcionamiento en clase C, el dispositivo
conducir durante un periodo inferior a 180 correspondiente a la onda de entrada.





















DISEO


Para el diseo del amplificador de audio son necesarias ciertas especificaciones que
servirn para calcular algunos de los parmetros que se necesitan para implementar
el amplificador de 20W, los requerimientos son:

Ancho de banda: 25khz
Potencia de salida: 20w
Resistencia de carga: 8
Distorsin total armnica (<10%)

El tipo de amplificador seleccionado para el diseo, fue un amplificador CLASE AB
teniendo en cuenta que:

Poseen buena calidad de sonido
Son comunes en el mercado
Poseen baja distorsin

En los amplificadores de audio de potencia se distinguen dos etapas:

1. Amplificacin de tensin o etapa de pre amplificacin:
Tiene como fin aumentar el nivel de la seal de entrada y nivelar la tensin
elctrica que le llega de las distintas fuentes de audio (cada equipo tiene una
tensin de salida diferentes), para luego, una vez igualadas, enviarlas, como
seal de entrada, a otro equipo (generalmente, una etapa de potencia).

2. Etapa de potencia:
En esta tapa se amplifica la corriente de la seal de entrada, ya que es
necesario suministrar una corriente de tal magnitud, que sea capaz de activar
el dispositivo de salida, en este caso el parlante conectado a la salida.













AMPLIFICADOR CLASE AB


Teniendo en cuenta lo anterior, el diseo que ser llevado a cabo tendr sus
correspondientes etapas de amplificacin de tensin y de potencia.
Los amplificadores clase AB funcionan bsicamente como los amplificadores en clase B,
excepto en el que se inyecta una pequea corriente de polarizacin, los transistores de
salida reciben slo una pequea corriente de polarizacin constante, para que el transistor
opere a bajos niveles de potencia de salida, tanto en el semiciclo positivo como en el
negativo, es decir, ya estn conduciendo previamente a la llegada de la seal. A bajo
nivel de salida, el amplificador clase AB funciona como clase A, mientras que, a altos
niveles de salida, la seal sobrepasa el punto cero de cruce y se comienza a comportarse
como uno clase B.

No se disean en clase A. Se disean casi en corte, pero sin llegar a estar en ese estado.
De esta forma se consigue eliminar la distorsin de cruce.

El punto de funcionamiento Q debe estar ubicado antes del corte, como se muestra en la
figura 1(a), la corriente en el colector fluye por un lapso menor a 360 y mayor a 180 de
la seal de entrada, figura 1(b).


a) b)
[Fig.1 a) punto de funcionamiento para un amplificador clase AB, b) curva de
Corriente en el colector]

DISEO DE LA ETAPA DE POTENCIA

Los amplificadores de potencia de audio proporcionan alta corriente a una carga de
salida, que corresponde al parlante.
En el diseo de la etapa de potencia se debe asegurar la estabilidad del punto Q de
operacin para que los transistores no entren en corte, para lograr esto se recurre al
espejo de corriente, que consiste en conectar dos diodos en paralelo con la unin base-
emisor, que garanticen la polarizacin de los transistores. Se necesitan un transistor de
seal y dos transistores de potencia del mismo tipo, se pueden usar dos transistores
Darlington complementarios como lo requiere el diseo del amplificador clase AB o se
puede recurrir a armar estos con simetra complementaria y par Darlington que fue el
criterio usado en este diseo.
En la [Fig. 2] se puede ver el diseo planteado para esta etapa.



[Fig. 2 Esquemtico de la etapa de potencia]


CARACTERSTICAS, CLCULO Y ELECCIN DE LOS COMPONENTES
USADOS EN LA ETAPA DE POTENCIA

El anlisis se har de derecha a izquierda para simplicidad en los clculos.

Clculo de la fuente de alimentacin

Para el clculo del voltaje de alimentacin del circuito se tiene en cuenta la potencia
requerida de diseo (20W) y la resistencia de la carga (8).
La carga utilizada es un parlante con resistencia de 8. Pero teniendo en cuenta que un
parlante (speaker) utiliza una bobina mvil para su funcionamiento, esto hace que tenga
una inductancia asociada.
En los clculos siguientes, se asumir el parlante como una carga puramente resistiva
para facilitar los clculos teniendo en cuenta que la potencia activa suministrada a la
carga ser de 20W.
Entonces, la potencia activa est definida por la ecuacin (1)

Donde:
P: potencia en la carga
V
L
: Voltaje eficaz en la carga (rms)
I
L
: Corriente en la carga
Adems se sabe que:

Donde:
R
L
: resistencia en la carga
Reemplazando (2) en (1) queda:

Si se excita el amplificador con alimentacin simtrica de

como se muestra en el
diseo [Fig. 2], la desviacin mxima de tensin que se presentara en la carga es

,
entonces:

Reemplazando (5) en (3) queda:

El voltaje de alimentacin de la fuente se calcula mediante la ecuacin (7)

Se tiene para el diseo una resistencia en la carga de 8 y se desea una potencia de
salida de 20W, reemplazando los anteriores valores en la ecuacin (7) queda:

Aproximando este valor para la fuente, esta debe suministrar una tensin simtrica de
18v

Ahora;
La mxima corriente que debe entregar cada fuente es:

Calculo de la corriente de saturacin

Basados en la [Fig.1] la cual ilustra el punto de funcionamiento del transistor en clase AB,
podemos hallar La corriente de saturacin y la corriente de polarizacin de los transistores
mediante las expresiones:

Caractersticas de los transistores Q2, Q3, Q4, Q5 y Q6

Los transistores de salida, tambin denominados de potencia, tienen como misin
entregar a la carga una seal de potencia grande con la mnima distorsin y el mximo
rendimiento. La impedancia de salida es pequea puesto que la carga es un altavoz de
8.

Se puede disear un amplificador de alta ganancia de corriente utilizando la conexin de
un par Darlington y transistores. Esta configuracin se conoce como amplificador clase AB
cuasi complementario, e incorpora un par Darlington con transistores NPN y un par
retroalimentado consistente en un transistor NPN y uno PNP.

Los transistores de salida en este diseo deben ser iguales; para conseguir que dichos
transistores sean del mismo tipo se recurre al criterio anterior. Esto se puede observar en
la [Fig. 2].

Estos transistores Q3 y Q5 se denominan complementarios, pues utilizan pares de
transistores similares, pero de tipos opuestos, NPN y PNP. A su vez son denominados
simtricos, pues cada transistor amplifica la mitad de la seal de entrada, y posee una
polarizacin DC que tambin se reparte en forma simtrica, en general el concepto
simtrico corresponde a una distribucin simtrica de voltajes en los transistores Q3 y Q5.

La configuracin par Darlington es una configuracin compuesta de dos transistores. Esta
combinacin de transistores posee algunas caractersticas deseables que la hacen ms
til que un solo transistor en ciertas aplicaciones. Por ejemplo, el circuito tiene alta
impedancia de entrada, baja impedancia de salida y alta ganancia de corriente. Una
desventaja del par Darlington es que la corriente de fuga del primer transistor es
amplificada por el segundo.

La seal de entrada positiva provoca que Q3 conduzca, pero Q5 permanece en corte ya
que se trata de un transistor PNP. Conforme la seal de entrada se hace negativa, Q3 se
corta y Q5 conduce.

Entonces, Q4 y Q6 son transistores NPN que juntos forman la configuracin par
Darlington; Q3 es un transistor PNP, Q5 es un transistor NPN, juntos forman la
configuracin Darlington complementaria.

Los transistores Q5 y Q6 deben tener las siguientes caractersticas:

Al ser estos transistores de potencia su tiene un rango de variacin entre 20 y 100, para
el diseo del amplificador se toma la de 20 ya que se disea para el peor caso que es
donde la tiene el valor ms pequeo admisible.
Los transistores Q2, Q3 y Q4 son transistores de seales y por esto solo interesa su , ya
que por estos va a circula una tensin muy pequea (mV); como son transistores de
seales tienen un que vara entre 100 y 300, para el diseo se toma el peor caso que es
donde el tiene el valor ms pequeo admisible (100).
Los transistores Q4 y Q6 en configuracin par Darlington, vistos como uno solo, al igual
que Q3 y Q5 en simetra complementaria tienen un = 1* 2, es decir, tienen una
ganancia de 2000, esto no afecta el diseo del amplificador AB en vez de esto mejora la
ganancia de corriente en esta etapa.

Caractersticas de las resistencias R9 y R10
Estas resistencias no son necesarias para el buen funcionamiento del amplificador, en
general existen muchos diseos en los cuales estas resistencias no existen, para este
diseo se hace uso de ellas colocndose R9 y R10 en serie con el emisor de Q5 y Q7
respectivamente con el fin de evitar problemas trmicos. Dichas resistencias al ser de
potencia deben ser pequeas y se escogen de acuerdo a resistencias comerciales por
facilidad.
Caractersticas de los diodos D1 y D2
Los diodos D1 y D2 pertenecen a la configuracin espejo de corriente usada cuya funcin
es obligar a los transistores del amplificador a mantenerse polarizados en el punto de
operacin calculado. Si analizamos el circuito mostrado en la [Fig. 2], se ve que por estos
diodos no va a pasar una corriente mayor a I
CQ
, por tanto no habr problema al momento
de elegir cualquier diodo de pequea seal que soporte la corriente de polarizacin.
Escogencia de Q6 y Q5
Para la eleccin de los transistores de de potencia Q6 y Q5 se debe tener en cuenta los
criterios mencionados en sus caractersticas y la mxima potencia disipada por estos la
cual se obtiene mediante la ecuacin (8).

Donde:

Vpp: voltaje pico pico 36 V
R
L
: Resistencia de la carga 8
Reemplazando estos valores en (8) queda:

Para el diseo del amplificador (etapa de potencia) cumpliendo con los requisitos ya
planteados se escogi el transistor TIP 41 para Q5 y Q6 cuyas caractersticas son las
siguientes:

Dadas dichas caractersticas si cumple con los planteamientos necesarios para el diseo.
Escogencia de las resistencias R9 y R10
Dado los criterios mencionados en las caractersticas de estas resistencias, cuya tarea es
la proteccin contra embalamiento trmico y no producir una cada de tensin
considerable se escogen de 0.47, las cuales disiparan una potencia mxima calculada
mediante la ecuacin (9) as:

Escogencia de Q4 y Q3

Dado sus caractersticas cualquier transistor de seal con 100 sirve, en este caso se
escogi para Q4 el transistor 2N2222A y para Q3 el 2N2905 cuyas hojas de
especificaciones muestran una ganancia de corriente con variacin entre 100 y 300 para
ambos transistores.

Calculo de R8

Para el funcionamiento correcto de la configuracin de espejo de corriente de los
amplificadores AB, se necesita una resistencia limitadora, que se muestra en la [Fig. 2]
como R8; para el clculo de esta se necesita saber la corriente y la diferencia de potencial
en los extremos. Despreciando la cada de tensin en la resistencia de 0.47, la tensin
en la base de Q4 es 1.4V.

Se sabe que:

El valor mximo de la corriente por la base va a estar dado por la ecuacin (10), donde el
al estar constituido por dos transistores va a ser de 1(Q6) * 2(Q4).





Reemplazando en (11) tenemos:




Se toma para R8 una corriente ligeramente superior para garantizar que los diodos y el
transistor Q2 siempre estn conduciendo. Por ejemplo 5mA

Escogencia de los Diodos

Dado las caractersticas mencionadas para estos y que la corriente que circula por estos
es pequea (5mA), sirve cualquier diodo de seal, en este caso se escogi el 1N4148 el
cual soporta una corriente mxima de 150mA.

Calculo de C4
C4 garantiza la unin elctrica de las bases de los transistores para alterna. Se puede
realizar un clculo aproximado para obtener el valor del mismo.

Sustituyendo en (12)







CLCULO DE LA IMPEDANCIA DE ENTRADA Y SALIDA DE ESTA ETAPA

La impedancia de entrada se calcula mediante la expresin (13)

= 2000(8+0.74)

= 17480

=0.74

GANANCIA DE TENSIN ETAPA DE POTENCIA

Se calcula con la siguiente ecuacin:

DISEO DE LA ETAPA DE PREAMPLIFICACION DE VOLTAJE

Esta etapa tiene como funcin amplificar la seal de audio, la cual tiene magnitudes que
generalmente no superan el orden de los mili voltios, para entregar a la salida del
amplificador de potencia una seal acstica.

En la [Fig. 3] se puede ver el diseo planteado para esta etapa.



[Fig. 3 Esquemtico de la etapa de pre amplificacin]

CARACTERSTICAS, CALCULO Y ELECCIN DE LOS COMPONENTES
USADOS EN ESTA ETAPA

Escogencia de Q2

Q2 es un transistor que funciona con una corriente y una tensin reducida. Cualquier
transistor de seales sirve para esta aplicacin. Se elige el transistor NPN 2N2222A de
= 100.
Calculo de R7
R7 debe calcularse de forma que permita el correcto funcionamiento del transistor Q2
para cualquier variacin de la seal de entrada.
Para el clculo de esta se elige una cada de tensin de

, es decir, 1.8 V.
R7 se calcula mediante la ecuacin (13)

Calculo de R5
Se elige una corriente por R5 y R6 superior a la de la base. La corriente por la base de Q2
se obtiene mediante la ecuacin (10).

Se toma una corriente de 1mA. De esta forma se puede despreciar la base.
R5 se calcula mediante la ecuacin (14) as:

Calculo de R6
Como se expres, se asumir que la corriente que circula por esta resistencia va a ser de
1mA. La diferencia de potencial en sus extremos es:


R6 se calcula mediante la ecuacin (15)

Calculo de C3
C3 se calcula mediante la ecuacin (16)




R4 = 720 (el clculo de esta se hace en la etapa de pre amplificacin de voltaje)
Z
in1
= (El clculo de esta se hace ms adelante en el clculo de la ganancia de la
etapa de amplificacin de Q2)





Se elige uno superior en este caso de 1ouF.

Calculo de R3 y R4
Se elige una corriente de colector de 10mA, un punto de funcionamiento clase A y una
tensin de emisor de 1.8V. A partir de estos datos se disean las resistencias:

En el colector de Q1 se tiene la siguiente tensin:

La resistencia R4:

Escogencia de Q1

Q1 es un transistor de seal se puede elegir perfectamente el 2N2222A.

Calculo de R1 y R2

La corriente por la base de Q1 es Ib1=Ic/100 = 0.1mA

Se toma una corriente por R2 diez veces superior para poder hacer aproximaciones:

La tensin en la base de Q1 es:

R2 se calcula apartir de:

Calculo de C1
C1 se calcula mediante la ecuacin (17), teniendo en cuenta la impedancia de entrada de
la primera etapa y la frecuencia inferior de corte.





Z
in
= (El clculo de esta se hace ms adelante en el clculo de la ganancia de
la etapa de amplificacin de Q2)





El comercial ms cercano disponible es 1ouF.

CLCULO DE LA IMPEDANCIA DE ENTRADA Y DE SALIDA

Pero

mA Entonces,

CLCULO DE LA IMPEDANCIA DE ENTRADA Y DE SALIDA DE LA
SIGUIENTE ETAPA

Entonces,

CALCULO DE GANANCIA DE VOLTAJE PARA LA ETAPA DE PRE
AMPLI FI CACIN

La ganancia en tensin para esta etapa se puede calcular mediante la siguiente
expresin:

Donde

, entonces

DISEO COMPLETO: ETAPA DE PREAMPLIFI CACION MAS ETAPA DE
POTENCIA


[FIG.4 Esquemtico del circuito amplificador implementando resistores y
capacitores comerciales.]

RESISTENCIA VALOR CALCULADO [] VALOR COMERCIAL []

3k

18k

220

820

3k

39k

510

3320 4.7k

0.47

3.45uF 10uF

2.36uF 10uF

530uF 680uF

PUNTOS DE OPERACIN PARA CADA TRANSISTOR
Q1:

Q2:

Q3:

Q4:

Q5:

Q6:

SI MULACIONES

Amplificacin de voltaje por etapas.
A continuacin se presenta la ganancia de voltaje que se obtuvo a partir de la simulacin
del circuito diseado en el software Proteus Isis Professional de las diferentes etapas del
circuito a diferentes frecuencias.



[Grafica 1. Ganancia de voltaje del amplificador a 60Hz. La lnea naranja representa la
sea de salida y la azul representa la seal de entrada.]

[Grafica 2. Ganancia de voltaje del amplificador a 20kHz. La lnea naranja representa la
seal de salida y la azul representa la seal de entrada.]

[Grafica 3. Ganancia de voltaje de la primera etapa (pre amplificacin) a 60Hz. La lnea
naranja representa la sea de salida y la azul representa la seal de entrada.]

[Grafica 4. Ganancia de voltaje de la primera etapa (pre amplificacin) a 20kHz. La lnea
naranja representa la sea de salida y la azul representa la seal de entrada.]

[Grafica 5. Ganancia de voltaje de la segunda etapa de amplificacin a 60Hz. La lnea
naranja representa la sea de salida y la azul representa la seal de entrada.]

[Grafica 6. Ganancia de voltaje de la segunda etapa de amplificacin a 20kHz. La lnea
naranja representa la sea de salida y la azul representa la seal de entrada.]

Ganancia de corriente del amplificador por etapas

Vin Vout CorrienteIN CorrienteOUT
Etapa1 800mVp 13,54Vp 0,0001A 0,0001A
Etapa2 13,54Vp 13,31Vp 0,0001A 1.24A
Tabla 2.

Etapa1

Etapa 2

DETERMI NACION DE LA DISTORSION ARMONICA TOTAL (THD)

Se define como el valor rms de las componentes armnicas de la seal de salida,
exceptuando la fundamental expresada como un porcentaje valor rms de la frecuencia
fundamental

TBB
Potencia ue los aimonicos
Potencia ue la fiecuencia funuamental

P

Para la medicin de la THD del amplificador diseado se hicieron medicines tericas y
experimentales.

Medicin terica de la THD (simulacin)
La simulacin del circuito se realizo en el software PROTEUS, y el espectro en frecuencia
se muestra en la figura 5.


[Figura 5. Grafica del espectro en frecuencia obtenido en la simulacin del amplificador]
El clculo de la THD en la simulacin se encuentra en la Tabla 3.



THD terico
Frecuencia Amplitud(dB) Voltaje rms Potencia
1kHz 21.9 12.44514612 8.80004721 9.68010387
2kHz -10.9 0.285101827 0.20159744 0.00508019
3kHz 6.12 2.023019179 1.43049058 0.25578791
4kHz -17.2 0.138038426 0.09760791 0.00119091
5kHz -21.9 0.080352612 0.05681788 0.00040353
6kHz -16.8 0.144543977 0.10220803 0.00130581
7kHz -21.3 0.086099375 0.06088145 0.00046332
8kHz -26.6 0.046773514 0.03307387 0.00013674
Tabla 3.

o
P

o

Medicin experimental de la THD
Para las mediciones experimentales se utilizo el osciloscopio en el modo matemtico -
anlisis de Fourier. Se introdujo al amplificador una seal senoidal de 1kHz y se tomo
la grafica del espectro en frecuencia a la salida. Los datos obtenidos se encuentran en
la tabla 4.
THD medido
Frecuencia Amplitud(dB) Voltaje rms Potencia
1kHz 21.8 12.30268771 8.69931391 9.4597578
2kHz -4.19 0.617305292 0.43650076 0.02381661
3kHz 7.01 2.241300046 1.58483846 0.31396412
4kHz -12.6 0.234422882 0.16576201 0.00343463

[Tabla 4: Datos obtenidos experimentalmente del espectro en frecuencia a la salida
del amplificador]

Entonces, calculando la THD experimental se tiene:

TBBexpeiimental

GANACIAS DE VOLTAJE OBTENIDAS EXPERI MENTALMENTE

Av (60Hz) = 3.125
Av (1 kHz) = 2.17
Av (10 kHz) = 2.7
Av (20kHz)= 2.6
POTENCIA DESALIDA HALLADA CON EL VOLTAJE MEDIDO
EXPERIMENTALMENTE
El voltaje medido con ayuda del multimetro, en las terminales de la carga fue:

Con dicho dicha medida de voltaje rms procedemos a calcular la potencia real que entrega el
amplificador de audio construido, mediante la expresin:

El amplificador de audio construido entrega una potencia de salida, al parlante de 12.5W. Es
notable la aparente prdida de potencia, ya que el amplificador debi suministrar una potencia a
la carga de 20W, pero teniendo en cuenta la eficiencia que posee un amplificador de clase AB y las
prdidas de potencia en forma de calor, tanto en resistencias como en transistores, se justifica el
hecho de obtener a la salida 12.5W, los 7.5 W restantes son perdidos en los transistores de
potencia, teniendo en cuenta que cada uno disipa mximo de acuerdo a lo calculado en
la seccin de diseo y teniendo en cuenta que las resistencias de salida tambin poseen una
disipacin mxima de potencia de As la prdida de los 7.5W est justificada claramente
bajo estas consideraciones.
CONCLUSIONES

y Las mediciones experimentales obtenidas para el amplificador de audio de 20w,
diseado e implementado, fueron consecuentes con los valores tericos que se
determinaron mediante las simulaciones realizadas al prototipo, con la ayuda del
software PROTEUS, lo cual permite afirmar que el procedimiento llevado a cabo,
es decir los criterios de diseo adoptados, as como los clculos desarrollados
resultan validos y pertinentes para disear y construir amplificadores de audio de
clase AB.

y La distorsin total armnica (THD) obtenida para el diseo (3.6%) fue satisfactoria
de acuerdo con lo esperado al realizar la simulacin del circuito completo (2.73%),
y adems cumpli con las especificaciones dadas, siendo requerida una THD
inferior al 10% para este diseo.

y El amplificador de audio diseado no entreg a la carga, la potencia esperada
(20W), debido a las consideraciones de disipacin de potencia en los transistores
de gran seal (potencia) y en las resistencias, dichas prdidas deben ser tenidas
en cuenta previamente para garantizar la potencia requerida a la salida, aun as el
diseo resulta completamente valido para construir amplificadores de audio
operando en clase AB.