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Resumen En este trabajo se estudian las caracter sticas generales de los diodos y se analizan diversos circuitos bsicos que son afectados por el comportamiento no lineal de los a mismos. Finalmente se estudian en detalle un circuito recticador de media onda y un puente recticador de onda completa.
1.
Introduccin o
Un semiconductor [1] tipo n es aquel que est dopado con exceso de electrones lia bres, mientras que un semiconductor de tipo p corresponde a uno dopado con aumento de huecos. Al unir un semiconductor tipo p con uno tipo n se produce un desplazamiento de portadores por difusin de una regin a la otra, hasta llegar a un equilibrio o o en donde se forma una zona de deplexin la cual tiene asociada una diferencia de poo tencial de contacto. Una vez alcanzado el equilibrio, los portadores deben vencer esa diferencia de potencial para poder desplazarse. Debido a que la tensin en la zona n es o mayor que en la zona p se necesitar de una tensin externa, con el positivo en la zona a o p y el negativo en la n, para vencer esta diferencia de potencial y permitir el ujo de corriente desde la zona p a la n. A esta direccin de tensin la llamaremos polarizacin o o o directa; si la polarizacin es inversa, la diferencia de potencial de contacto aumenta (se o ensancha la zona de deplexin), impidiendo asi el ujo de corriente. o Un diodo es un dispositivo conformado por la unin de dos semiconductores, uno o p y otro n, llamada unin pn. Es un dispositivo electrnico de dos terminales cuya o o respuesta tensin-corriente es no lineal. o Un diodo ideal es aquel que permite el ujo de corriente en directa y lo impide en inversa. El s mbolo elctrico de un diodo es el que se esquematiza en la g. 1. Y la e curva caracter stica de corriente-tensin del mismo se muestra en la g. 2. o En cambio, en un diodo real la diferencia de potencial (umbral) es no nula y depende del material semiconductor del diodo. A temperatura ambiente, en los diodos
eugenia@df.uba.ar mricci@df.uba.ar *** ascarpet@df.uba.ar
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p n
de germanio el umbral es aproximadamente 0, 3V mientras que en los diodos de silicio es aproxidamdamente 0, 7V . Una curva caracter stica de un diodo ideal se muestra en la g. 3. Es interesante destacar, que en la curva caracter stica de un diodo real, una pequea n corriente circula en polarizacin inversa. Esta corriente es denominada corriente de fuga o y es principalmente causada por las impurezas (no buscadas) en el material. Tambin e puede notarse una regin, a la que se denomina tensin de ruptura, que corresponde o o a la tensin mxima con la que se puede polarizar en inversa el diodo. Este valor de o a tensin por lo general es del orden de los 50V . o
I Zona Directa
Tensin de Ruptura
Corriente de Fugas
su principal utilizacin es en reguladores de tensin. Su s o o mbolo elctrico es el que se e muestra en la g. 4. Segn el nivel de dopaje que se le de al silicio, la tensin de ruptura, u o Vz puede variar de 2V a 200V. Los diodos Zener se caracterizan por tener un cambio muy brusco de corriente en la zona de ruptura, manteniendo el voltaje practicamente constante como se muestra en la g. 5. La ruptura Zener no origina necesariamente la destruccin del diodo, mientras la corriente est limitada en el diodo por el circuito o a exterior hasta un nivel que no exceda la capacidad de potencia del diodo.
I Zona Directa
Vz
Zona Zener Umbral V
Zona Inversa
En el presente informe se caracterizan ambos tipos de diodos: los comunes y los Zener. Tambin se estudian aplicaciones posibles en circuitos con diodos. e
2.
2.1.
Para la caracterizacin de un diodo es necesario analizar la curva carcter o a stica de corriente-tensin del diodo. Para ello se arm el circuito de la g. 6 que consta o o de un generador de ondas (fuente), una resistencia limitadora (R) y un diodo. La fuente entregaba una seal sinusoidal de 50Hz, con una diferencia de potencial pico n a pico Vpp = (22 1)V . La resistencia limitadora en el caso del diodo comn era de u R = (987 7). En la g 7 se muestra la curva caracter stica obtenida para un diodo comn. Se u puede observar que en la zona de polarizacin inversa, el diodo impide que uya la coro riente. Esta zona se extiende aproximadamente hasta los +0, 4V en donde comienza a circular gradualmente corriente, hasta los aproximadamente +0, 7V en donde el diodo se comporta similar a una llave abierta permitiendo el paso de corriente. Se observa tambin un pequea corriente de fuga (en polarizacin inversa) cuya magnitud oscila e n o alrededor de los 200A.
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Figura 6: Circuito utilizado para obtener la curva caracter stica del diodo
Luego reemplazando en el mismo circuito el diodo comn por un diodo Zener, se u obtuvo la curva caracter stica correspondiente detallada en la g. 8. All se puede ob servar el valor de la tensin de ruptura de la zona de polarizacin inversa alrededor de o o los Vz = 5V , mientras que la tensin umbral en directa es alrededor de los +0, 8V . o
2.2.
Circuitos Recticadores
Una de las principales aplicaciones de los diodos es la de recticar seales, es decir, n transformar una seal alterna en una continua. En este trabajo se estudian dos circutos n recticadores, el de media onda y el de onda completa.
2.2.1.
Para comprender mejor como funciona un circuito recticador, analicemos primero el circuito de la g. 6. Si en vez de observar la curva caracter stica analizamos la ca da
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de tensin sobre la resistencia en funcin del tiempo, se obtiene un grco como el que o o a se muestra en la g. 11.
Figura 11: Comparacin temporal de las o tensiones sobre la fuente y la resistencia del circuito de la g. 6
En este grco es posible observar que en el semiciclo positivo (polarizacin dia o recta)la tensin sobre la resistencia sigue a la seal de la fuente, mientras que en el o n semiciclo negativo (polarizacin inversa) la tensin sobre la resistencia es nula, se recoro o ta la seal debido a que el diodo no permite el ujo de corriente. n Si a este circuito bsico le agregamos un capacitor (C) y una resitencia de carga a (Rc) como se muestra en la g. 12, se puede obtener un circuito transformador de seal alterna en seal continua. La idea bsica del funcionamiento de este circuito es la n n a siguiente: cuando la seal corresponde al semiciclo positivo de la tensin de la fuente, n o alimenta la resistencia de carga y adems se carga el capacitor. En el semiciclo negativo, a el diodo no permite el ujo de corriente y por consiguiente la resistencia es alimentada por el capacitor que comienza su ciclo de descarga hasta que el semiciclo positivo vuelve. En principio la transformacin de tensin alterna en continua depender fuerteo o a mente de la eleccin de los valores del capacitor y las resistencias del circuito. En un o circuito RC el tiempo caracter stico de carga y descarga est dado por el producto RC. a En este caso, el proceso de carga depende de la resistencia limitadora (R), mientras que el proceso de descarga depende de la resistencia de carga (Rc ). Entonces, analizando slo la descarga: o
Ts el capacitor se descarga completamente, Caso 1: Rc C Caso 2: Rc C Ts el capacitor se descarga parcialmente, Caso 3: Rc C Ts el capacitor apenas se descarga. en donde Ts es el per odo de la seal de la fuente. Este comportamiento es posible de n observar en la g. 13, en donde se muestran los tres casos especicados para valores dados por: Ts = 20ms (f = 50Hz), R = (987 7) , Rc = (986 7) y Ts , Caso 1: C = (0, 95 0, 01) F Rc C 1ms Caso 2: C = (18, 0 0, 4) F Rc C 20ms = Ts , Caso 3: C = (0, 97 0, 03) mF Rc C 1s Ts . En la g. 13 se puede observar claramente que para obtener una seal continua de n una alterna es necesario tener una descarga del capacitor dada por el caso 3. En esta gura tambin se observa un detalle curioso, la seal continua no est rece n a ticada al mayor valor de tensin de la seal alterna. Esto se debi a una eleccin o n o o incorrecta de valores de resistencias. Los valores elegidos eran por un lado iguales y por otro sumamente grandes; la consecuencia de esta eleccin sobre el circuito es por o un lado: que el tiempo de carga del capacitor (dado por RC) es igual al tiempo de descarga (dado por Rc C,) y por otro al ser R un valor grande, la tensin de la fuente o se repart entre ambas resistencias por igual, llegando por consecuencia a la Rcarga un a valor de tensin mucho menor al entregado por la fuente. Haciendo una eleccin ms o o a conveniente de estos valores de manera de maximizar la tensin sobre la Rc , se obtiene o un recticacin como la que se muestra en la g. 14 con valores dados por: Ts = 20ms o (f = 50Hz), R = (0, 98 0, 02) , Rc = (1, 04 0, 01) M y C = (0, 94 0, 01) F . En esta gura se observa que la seal oscila entre un valor acotado de tensin (de 10, 1V n o a 10, 3V ) indicando una buena recticacin para un valor de tensin de la fuente de o o
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R C Rc
Figura 13: Circuito Recticador de Media Onda con diferentes valores de capacitores
Vpp = (22 1)V , como se ve en el inset de la g. 14 y optimizando as el valor de la tensin de salida. Es interesante adems observar que el tiempo de carga del capacitor o a se da en tiempos cortos (RC 0, 1ms), mientras que el tiempo de descarga es largo (RcC 1s); manteniendo asi la tensin entre valores acotados. o En el g. 15 se muestran la tensin de la fuente y sobre el capacitor. All se obsero va que la carga comienza cuando la tensin de la fuente excede a la tensin sobre el o o capacitor en un valor igual a la tensin umbral del diodo, es decir, el diodo comienza a o permitir el ujo de corriente, La carga naliza cuando la tensin de la fuente comienza o su camino decreciente, quedando su diferencia con la tensin sobre el capacitor por o debajo de la tensin umbral del diodo. o Otro circuito analizado es el que se muestra en la g 16. All se agrega al circuito de la g. 6 una pila de Vpp = (5, 05 0, 05)V . En las g. 17 y 18 se muestra la seal n sobre el diodo y la pila, conectando el diodo tanto en directa como en inversa. Cuando el diodo est conectado segn la g.16, el conjunto diodo y pila deja uir a u la corriente en semiciclos positivos mayores a aproximadamente 5, 75V (diferencia de potencial de la pila (5, 05V ) ms ca de tensin sobre el diodo en directa (0, 7V )), en a da o cambio cuando se invierte la conexin del diodo, la corriente uye para los semiciclos o negativos impidiendo el ujo de corriente en el semiciclo positivo desde aproximademante 4, 35V (diferencia de potencial de la pila (5, 05V ) menos ca de tensin sobre da o el diodo en directa (0, 7V )).
Figura 14: Circuito Recticador de Media Onda con valores ms apropiados de resistena cias y capacitor
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V0
Figura 16: Mismo circuito que g. 6 en donde se agreg la conexin de una pila o o
Figura 17: Circuito con pila y diodo con el diodo conectado invertido respecto de la g.16
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2.2.2.
Tambin se estudi el circuito que se muestra en la g. 19. Este circuito se denomina e o Puente recticador de Onda Completa, y consiste en 4 diodos colocados de manera tal que cuando la fuente est su semiciclo positivo la corriente uye por los diodos 1 y 2, a mientras que cuando la fuente est en inversa lo hace por los diodos 3 y 4. Con este a cirucito pero sin el C y la Rc , si se mide la tensin sobre la resistencia se observa el o grco que se muestra en la g. 20. a
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4 C
Rc
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Figura 20: Tensin sobre la resistencia en o el puente recticador de onda completa, pero sin capacitor ni Rc
Figura 21: Salida continua del puente recticador de onda completa sobre la reistencia de carga
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3.
Conclusiones
En este trabaj se estudi la curva caracter o o sticas de los diodos, tanto comunes como del tipo Zener, y se analizaron aplicaciones de los mismos. Las curvas caracter sticas obtenidas concuerdan con los comportamientos esperados dados en la Introduccin, dando como tensin umbral 0, 7V para el diodo comn o o u y 0, 8V para el diodo Zener cuya tensin de ruptura en inversa est dada por aproxio a madamente 5V . Se puede concluir adems que el diodo es un dispositivo electrnico muy importante a o que permite aplicaciones tales como la recticacin de una seal alterna. Para ello se o n montaron dos dispositivos, el recticador de media onda y el puente recticador de onda completa Ambos dispositivos estn compuestos por diodos, resistencias y capacitores, a de los que fue posible obtener una seal recticada de alrededor de 10V en ambos casos n para una tensin de entrada Vpp = (22 1)V . De estas dos aplicaciones se pudo ver o que son muy importantes los valores de los dispositivos del circuito para obtener una buena recticacin. o Si se comparan ambos circuitos recticadores se puede ver que el puente recticador de onda completa presenta ventaja respecto del de media onda, en que la carga y la descarga del capacitor se produce en la mitad de tiempo, mejorando asi el rendimiento ya que se desacarga menos y la carga se realiza en un tiempo menor.
Referencias
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