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Unidad II - Amplificador Sintonizado Con Elementos Reales

Unidad II - Amplificador Sintonizado Con Elementos Reales

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amplificador sintonizado
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06/11/2013

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Amplificador Pasabandas con Elementos Reales
 Introducción
Hasta ahora se ha supuesto que el dispositivo activo era unilateral, no obstante la existencia del capacitor C
μ
en lostransistores bipolares, y la capacidad drain-gate (Cdg) en los transistores de efecto de campo (FET y MOSFET), hacenque como estos amplificadores trabajan a frecuencia muy elevada exista una realimentación desde la salida hacia laentrada que los puede tornar inestables.En esta unidad se va a desarrollar toda una teoría destinada a evitar las oscilaciones debidas a posibles realimentacionespor no ser unilateral el dispositivo activo, se analizará el caso de un amplificador sintonizado a la entrada y sintonizadoa la salida, pues en estos se nota mucho el problema de que el dispositivo activo no sea unilateral, si la entrada es R – Cel problema queda muy apantallado, un circuito representativo podría ser el siguiente:Capacidad entre pistasque también realimenta
+VL1´ C2C1´CpL2Bg´ ZLRg´
 Los capacitores remarcados en azul sólo son de acople, lo que inciden en la sintonía sólo son C´
1
y C
2
. En el análisis seva a analizar la influencia del capacitor C
μ
del bipolar; no obstante la geometría del circuito debe cuidarse para que noincidan las capacidades propias del “Layout”, como la Cp indicada en la figura debido a capacidades parásitas entrepistas, también las bobinas se blindan para evitar acoplamientos magnéticos indeseables que pueden producir eventualesoscilaciones.La ganancia máxima que se puede obtener de un amplificador de esta naturaleza está limitada por la posibilidad deoscilación.Todo el análisis que sigue busca encontrar las condiciones para que el amplificador no oscile.
 Análisis de la estabilidad de un pasabanda con elementos reales
Se va a trabajar reflejando todo lo que haya en la entrada del amplificador a la base del dispositivo activo (asumiendoque fuera un bipolar) y todo lo que haya en la salida al colector del dispositivo activo, así resulta un modelo equivalentecomo el siguiente:
L1IgBg Rg Rpb1 C1 Y11Y12 V2Y21 V1Y22 L2 Rpb2 C2 RL
V1 V2
 Los parámetros del transistor son:
222211
b j g Y b j g Y
221111
+=+=
1
 
 Se agrupan partes reales e imaginarias
11pb1g1
gggG
++=
,
Lpb2222
g ggG
+=
 
1111g1
L1 -C bBB
ωω++=
,
1222L2
L1 -CbBB
ωω++=
 Luego se hace
111
B jGY
+=
e , resultando el siguiente circuito:
222
B  jGY
+=
 V1 V2
Y11Y12 V2Y22Y21 V1Ig
 Se pueden escribir las siguientes expresiones:
+=+=
22121 21211
VY VY 0 VY VYIg
 
122121 221121
YY-YY  YYYY 
==Δ
 
IgY Y0YIg V
22121
==Δ
 Así el valor de V
1
que resulta es el siguiente:
211221 21
YY-YY IgYV
=
 Luego la admitancia de entrada que resulta:
2211212211221 1
YYY Y YYY - YY  VIg
===
 
221121IN
YYY - Y Y
=
(1) Admitancia de entrada, depende de los parámetros de transferencia del dispositivo activo yde la carga, cosa que antes no ocurría pues resultaba directamente Y
1
, el término que aparece restando se debe a que eldispositivo activo no es unilateral.Esta resta puede derivar en una admitancia de entrada con parte real negativa
se estaría portando como un generador
EL CIRCUITO OSCILARÁ.Por lo tanto el análisis de estabilidad se realizará a partir de la admitancia de entrada, el circuito resultará establemientras que la admitancia de entrada no tenga parte real negativa.Se realizarán gráficos de lugares geométricos para efectuar el estudio comentado.2
 
B
ω→∞
(capacitivo)Y1wcs45º 
ω
=
ω
o (no hay pte. imag.)GG1 45º 
ω
ci
ω→
0 (inductivo) El lugar geométrico de Y
2
es idéntico.B
ω→
Y2 
ω
=
ω
oG2G 
ω→
0 Se puede pasar al lugar geométrico de
22
zY1
=
recordando que a recta que no pasa por el origen corresponde unacircunferencia que pasa por el origen.X
ω→
0 1 / Y
2
ω
ci45º 
ω
=
ω
oR245º 
ω
cs 
ω→
 Se analizan ahora Y
12
e Y
21
que pueden escribirse:
12 j1212
e YY
ϕ
=
 
21 j2121
e YY
ϕ
=
 Se las multiplica teniendo en cuenta el signo (-) de la (1):-
 
)2112( j12212112
e Y YYY
ϕ+ϕ+π
=
 ahora se analizan las fases
01V2112
VI Y
=
=
 3

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