5.

kolokvij iz elektronike
Pitanja
1. Opisati toplinski bijeg u bipolarnom tranzistoru.
2. Na nekoj ne linearnoj I-U karakteristici definirati veliki i mali signal.
3. to je linearni reim rada?
4. Opisati sve trenutne totalne vrijednosti struja i napona tranzistora u spoju zajednikog
emitera.
5. Pokazati linearnu vezu izmeu izmjeninih promjena koncentracija naboja i
izmjeninog napona koji ju je izazvao. Reim malog signala!
6. Prema definiciji struja i napona etveropola izraziti ovisnost ulaznog napona i izlazne
struje, o ulaznoj struji i izlaznom naponu.
7. Iz totalnog diferencijala gornjih izraza odrediti h-parametre. Nacrtati nadomjesni
sklop bipolarnog tranzistora s h-parametrima.
8. Kakva je veza h-parametara i tehnolokih parametara tranzistora?
9. Nacrtati Earlyjev nadomjesni sklop. Koje fizikalno znaenje imaju elementi tog
sklopa?
10. Kako glase h-parametri takvog sklopa?
11. Pomou nadomjesnog sklopa za spoj zajednikog emitera i h-parametara za spoj
zajednike baze, nai h-parametre za spoj zajednikog emitera.
12. Grafiki odrediti h-parametre iz I-U karakteristika za spoj zajednikog emitera.
13. Objasniti naelo mjerenja h-parametara.
14. to je hibridni -nadomjesni sklop i gdje se upotrebljava?
15. Pokazati vezu izmeu otpornih elemenata -nadomjesnog sklopa i h-parametara.
16. Kako je definirana i o emu ovisi granina frekvencija spoja zajednike baze?
17. Kako je definirana granina frekvencija spoja zajednikog emitera?
18. to je frekvencija f
T
?
19. Poredati po veliini frekvencije f
hfb
, f
T
i f
hfe
.
20. to je radna toka i radni pravac? Za spoj zajednikog emitera pokazati ulazak
tranzistora u zasienje i zapiranje.
21. to je duboko zasienje?
22. Koja je svrha spajanja Schottkyjeve diode paralelno spoju baza-kolektor tranzistora?
23. koje su bitne karakteristike tranzistora kao sklopke?
1. Zato se tranzistori s efektom polja nazivaju i unipolarnim tranzistorima?
2. Koje su dvije osnovne vrste FET-ova? Po emu se oni bitno razlikuju?
3. Skicirati presjek spojnog FET-a. Oznaiti podruje uvoda S, odvoda D i upravljake
elektrode G i kanala.
4. Objasniti naelo rada FET-a.
5. Na kojem je naponu U
GS
najiri kanal N-kanalnog spojnog FET-a?
6. Na kojem se naponu U
GS
prekida kanal N-kanalnog spojnog FET-a?
7. to je napon dodira? Zbog kojih jo razloga dolazi do prekida kanala?
8. Izvesti izraz za struju spojnog FET-a. Nacrtati I-U karakteristiku.
9. Na I-U karakteristikama oznaiti: triodno podruje, podruje zasienja i podruje
linearnog naponski promjenjivog otpora.
10. Nacrtati prijenosnu karakteristiku N-kanalnog i P-kanalnog spojnog FET-a.
11. to je modulacija duljine kanala i gdje se na I-U karakteristikama vidi njezin utjecaj?
12. Definirati dinamike parametre i nacrtati nadomjesni spoj FET-a.
13. Kako je definirana izlazna dinamika vodljivost?
14. Kako je definirana strmina FET-a?
15. Objasniti princip rada MESFET-a.
Odgovori
1. Toplinski bijeg zbog pregrijavanja bipolarnog tranzistora dovodi do njegovog
unitenja. Velika snaga disipirana na tranzistoru povea njegovu temperaturu T, ona
povea efekt porasta zbog ega se kod dane struje baze povea struja kolektora. Vea
struja I
C
izaziva daljnje poveanje disipacije na kolektoru i ciklus se ponavlja sve do
samounitenja. Toplinski bijeg uzrokuje trajno unitenje tranzistora ako nisu uvedena
sklopovska ogranienja.
2. Veliki signal-simetrina promjena jedne veliine (struje) oko radne toke izazivaju
nesimetrinu promjenu druge veliine (napon)-nelinearna ovisnost veliina. Mali signal-
simetrine promjene jedne veliine (struje) oko radne toke izazivaju simetrine promjene
druge veliine (napon)-linearna ovisnost veliina. I u reimu malog i u reimu velikog
signala parametri tranzistora ovise i o frekvenciji.
3. Linearni reim nastaje kod malog signala kod kojeg simetrina promjena jedne
veliine oko radne toke izaziva simetrine promjene druge veliine. Kod takvih se uvjeta
(promjena) nelinearna karakteristika u okolici radne toke Q moe linearizirati pa je
tranzistor u linearnom reimu rada.
4. i
B
(t)= I
B
+ i
b
(t)
u
BE
(t)= U
BE
+ u
be
(t)
i
C
(t)= I
C
+ i
c
(t)
u
CE
(t)= U
CE
+ u
ce
(t)
Veliine na lijevoj strani oznaavaju trenutane ukupne vrijednosti, koje se mogu prikazati
zbrojem istosmjernih i izmjeninih vrijednosti s desne strane. Malo slovo oznaava
trenutanu, a veliko istosmjernu vrijednost. U indeksu malo slovo oznaava izmjeninu, a
veliko istosmjernu veliinu. Istosmjerne komponente odreuju radnu toku tranzistora o
kojoj ovisi da li tranzistor radi u NAP-u, podruju ZAS, podruju ZAP. Da bi radio kao
pojaalo tranzistor treba postaviti u NAP, a za rad u reimu sklopke u ZAS i ZAP.
5. Linearna veza izmeu izmjeninih promjena koncentracija naboja i izmjeninog napona
koji ju je izazvao je:
T
be B
p
b
p
U
u
n n ) 0 ( ) 0 (
0
.
Izmjenina struja emitera i
e
linearno je ovisna o promjeni napona u
be
.
6. i
UL
i
IZL
u
UL
= f (i
UL
, u
IZL
) u
UL
[h] u
IZL
i
IZL
= f (i
UL
,u
ILZ
)
7.
0 , ,

,
_

izl IZL
UL
UL
u konst U
i
u
=> h
i
-ulazni dinamiki otpor uz konstantan istosmjerni
napon na izlazu ili KS izlaz za izmjenini signal

0 , ,

,
_

ul UL
IZL
UL
i konst I
i
u
=> h
r
- faktor povratnog djelovanja uz konstantnu istosmjernu
struju na ulazu ili odspojen ulaz za izmjenini signal

0 , ,

,
_

izl IZL
UL
IZL
u konst U
i
i
=> h
f
- faktor strujnog pojaanja uz konstantan istosmjerni
napon na izlazu ili KS izlaz za izmjenini signal

0 , ,

,
_

ul UL
IZL
IZL
I konst I
u
i
=> h
0
- izlazna dinamika provodnost uz konstantnu
istosmjernu ulaznu struju ili odspojen ulaz za izmjenini signal
h
i
i
ul
i
izl
+ h
o
u
ul
h
r
u
izl
~ h
f
i
ul
u
izl
8. Pomou gore definiranih h-parametara male izmjenine struje i naponi tranzistora
linearno su povezani, pa vrijedi:
u
ul
=h
i
i
ul
+h
r
u
izl
i
izl
=h
f
i
ul
+h
0
u
izl
9. Ako se hibridnom nadomjesnom sklopu idealnog tranzistora doda omski otpor baze r
bb'
(ima ulogu u reimu malog signala), tada se dobiva hibridni niskofrekvencijski nadomjesni
sklop realnog tranzistora tzv. Earlyjev nadomjesni sklop:
h'
ib
=r'
e
E i
ul
=-i
e
i
c
=i
izl
C
+ h'
ob
=g'
c
u'
eb
h'
rb
u
cb
~ h'
fb
i
e

u'
cb
u
eb
B
'
u
cb
r
bb'
=R
BB'
i
b
B
10. Kod svih ' parametara oznaava se da se radi o idealnom tranzistoru. Kod ovih h
parametara drugo slovo u indeksu oznaava da se radio o spoju sa zajednikom bazom.
h
ib
-ulazni dinamiki otpor uz konstantan istosmjerni napon na izlazu~r'
e
+r
bb'
(1+h'
fb
)
h
rb
-faktor povratnog djelovanja uz konstantnu istosmjernu struju na ulazu~h'
rb
+r
bb'
g'
c
h
fb
- faktor strujnog pojaanja uz konstantan istosmjerni napon na izlazu~h'
fb
h
0b
- izlazna dinamika provodnost uz konstantnu istosmjernu ulaznu struju~g'
c
11. pomou h parametara zajednike baze
h
ie
= (u
be
/i
b
)
uce=0
h
ib
/(1+h
fb
)
h
re
= (u
be
/u
ce
)
ib=0
[h
0b
h
ib
/(1+h
fb
)]-h
rb
~ -h
rb
h
fe
= (i
c
/i
b
)
uce=0
-h
fb
/(1+h
fb
)
h
0e
= (i
c
/u
ce
)
ib=0
h
0b
/(1+h
fb
)
-h
fb
i
e
E i
ul
=i
b
i
c
=i
izl
C
Spoj ZE s h parametrima ZB.
h
0b
u
be
h
ib
u
ce
-i
e
B
12. Grafiko odreivanje h parametara iz I-U karakteristika tranzistora za spoj ZE
h
ie
=
. konst U
I
U
CE
B
BE

,
_

odreuje se iz ulaznih karakteristika

h
re
=
. konst I
U
U
B
CE
BE

,
_

odreuje se iz ulaznih karakteristika za dva napona U

CE2
i U
CE1
h
fe
=
. konst U
I
I
CE
B
C

,
_

odreuje se iz izlaznih karakteristika za dvije struje I

B2
i I
B1
h
0e
=
. konst I
U
I
B
CE
C

,
_

odreuje se iz izlaznih karakteristika

13. Odreivanje h parametara mjerenjem. Prema uvjetima iz 7. zadatka. za izmjenine
signale, h parametri se mjere uz kratko spojeni izlaz ili uz otvoren ulaz.
14. Hibridni -nadomjesni se dobiva -nadomjesnog sklopa dodavanjem otpora r
bb'
. Svi
elementi tog nadomjesnog sklopa mogu se izraunati iz h-parametara i imaju izravnu vezu s
fizikalnim pojavama u tranzistoru. Upotrebljava se pri visokim frekvencijama.
15.
h-parametri izraeni preko elemenata hibridnog -sklopa
h
ie
= r
bb'
+ r
b'e
h
re
~ r
b'e
/r
b'c
h
fe
= g
m
r
b'e
h
0e
= (h
fe
+1)/r
b'c
+1/r
ce
Elementi hibridnog -sklopa izraeni preko h-parametara
r
bb'
=h
ie
-r
b'e
lateralni (boni)otpor baze
r
b'e
=h
fe
/g
m
otpor aktivnog dijela baze
g
m
=h
fe
/r
b'e
strmina tranzistora
r
b'c
=r
b'e
/h
r
otpor nepropusno polariziranog kolektorskog spoja
r
ce
=1/[h
0b
-(h
fe
+1)/r
b'c
] izlazni dinamiki otpor kolektora
16. Porastom radne frekvencije poveavaju se i reaktivni uinci zbog kojih pojaanja
struje, napona i snage postaju frekvencijski ovisne veliine i smanjuju se porastom
frekvencije. Reaktivni uinci locirani su u bazi zbog akumulacije naboja u njoj, te
kapacitivnosti emiterskog i kolektorskog PN-spoja.
Granina frekvencija spoja ZB ovisi o:
-emiterskoj difuzijskoj kapacitivnosti C
de
-najvie utjee na frekvencijsku ovisnost pojaanja
tranzistorafaktor strujnog pojaanja se smanjuje s porastom frekvencije
-emiterskoj barijernoj kapacitivnosti C
be
-kolektorskoj difuzijskoj kapacitivnosti C
dc
-utjecaj na graninu frekvenciju vrlo mali
-kolektorskoj barijernoj kapacitivnosti C
bc
-
-kolektorskoj struji I
c
-naponu U
CB
17.
18. Frekvencija f
T
se naziva frekvencijom irine pojasa strujnog pojaanja i kod nje vrijedi
fa je |f
hfe
|=1
19. Frekvencije poredane po veliini f
hfe
<f
T
<f
hfb
.
20. Statiki radni pravac predstavlja doputene statike radne toke u zadanom sklopu, a
njegov nagib prema apscisi jednak je -1/R
C
. Statika radna toka je odreena naponima
napajanja i strujama tranzistora. Kad tranzistor radi kao sklopka onda je polariziran tako
da radi ili u zasienju ili u zapiranju. Zasienje odgovara zatvorenoj sklopci (''ON'' stanje), a
zapiranje odgovara otvorenoj sklopci (''OFF'' stanje).
Tranzistor ulazi u zasienje ako je struja baze dovoljno velika, tada se radna toka seli
u krajnji gornji poloaj u kojem e kroz tranzistor tei velika kolektorska struja
I
C
~U
CC
/R
C
, a pad napona na kolektoru je vrlo mali U
CEzas
Tranzistor se nalazi u zapiranju ako je struja baze nula ili negativna, tada je statika
radna toka u krajnjem desnom poloaju radnog pravca. Struja kolektora je zanemariva ,
pad napona je gotovo jednak naponu kolektorske baterije U
CC.
21. Duboko zasienje je zasienje kod kojeg se kolektorska struja gotovo ne mijenja,
iako je struja baze poveana, a napon U
CE
se i dalje smanjuje sve do U
CEzas
. Duboki ulazak u
zasienje vaan je jer on utjee na vrijeme koje je potrebno da tranzistor izae iz stanja
zasienja. to je tranzistor manje u zasienju to je i njegovo vrijeme iskljuivanja
(prelazak iz zasienja u zapiranje) krae.
22. Schottkyjevu diodu spajamo paralelno spoju baza-kolektor zbog ubrzanja rada
prekidakih tranzistora, preklapaju i do 10 puta bre od obinog tranzistora.
23. Bitne karakteristike tranzistora kao sklopke su vremena ukljuivanja i iskljuivanja.
Vrijeme ukljuivanja t
uklj.
= t
d
+ t
r
, gdje je t
d
vrijeme kanjenja definirano kao vrijeme
potrebno da pri baznoj struji, struja kolektora dosegne 10% njene konane vrijednosti, a t
r
vrijeme porasta definirano kao vrijeme u kojem struja kolektora poraste sa 10% na 90%
vrijednosti.
Vrijeme iskljuivanja t
isklj.
= t
st
+ t
f
, gdje je t
st
vrijeme zadravanja obino definirano kao
vrijeme potrebno da struja I
C
padne na 90% pune vrijednosti, a t
f
vrijeme pada definirano kao
vrijem u kojem struja kolektora padne s 90% na 10% vrijednosti.
1. Tranzistori s efektom polja se nazivaju i unipolarnim tranzistorima zato to struju ine
samo veinski nosioci naboja.
2. Dvije osnovne vrste FET-a su N-kanalni FET i P-kanalni FET. Najee se koriste N-
kanalni FET-ovi jer je vea pokretljivost elektrona nego upljina.
4. Spojni FET radi tako to upravljaki napon U
GS
stvara el. polje koje e ovisno o
svojoj jakosti i smjeru inducirati tj. poveati ili smanjiti koliinu naboja u poluvodiu.
Na taj nain se poveava ili smanjuje vodljivost poluvodia. Upravljaki napon U
GS
osigurava nepropusnu polarizaciju izmeu p
+
i N podruja. irina PN barijere je vee s
poveanjem napona U
GS
. Kroz preostali el. neutralni dio poluvodia N-tipa zvanog kanal
tei e struja koja e ovisiti kako o naponu U
DS
tako i o naponu U
GS
. Ta struja se zove
struja odvoda I
D
.
5. Kanal N-kanalnog FET-a je najiri kada je napon U
GS
=0.
6. Kanal N-kanalnog FET-a se prekida kada je napon U
GS
= -U
p
.
7. Napon dodira U
p
je napon pri kojem se prekida kanal-zasienje.
8. Izraz za struju spojnog FET-a:
DS
p
GS
D
U
U
U
G I
1
1
]
1

,
_

2
1
0
1
, gdje je G
0
vodljivost
potpuno otvorenog kanala (dobivenu uz U
GS
=0), tj. vodljivost od zanemarive debljine
osiromaenog sloja (x
n
<<D). Za zadanu vrijednost reverznog napona U
GS
taj izraz pokazuje
linearnu ovisnost struje odvoda I
D
o naponu U
DS
.
11. U realnim tranzistorima efektivna duljina kanala se skrauje ime se smanjuje i njegov
otpor, pa se poveanjem napona U
DS
struja odvoda ipak malo povea (predstavlja onu
iscrtkanu liniju na izlaznoj karakteristici). Taj efekt se naziva modulacijom duljine kanala.
U biti to je poveanje struje odvoda u zasienju (odstupanje od idealne karakteristike).
12. Dinamiki parametri:
g
m
=
. konst U
u
i
GS
GS
D

,
_

strmina (prijenosna vodljivost)

.
1
konst U
u
i
g
r
GS
DS
D
d
d

,
_

izlazna dinamika provodnost
=g
m
r
d
faktor naponskog pojaanja
14. Strmina je predstavljena nagibom prijenosnih karakteristika. Strmina je maksimalna za
U
GS
=0, osim toga strmina se moe poveavati poveavanjem omjera W/L (irim, a kraim
kanalom).