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DIFUSIN

UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PEREIRA TECNOLOGIA MECANICA

CONTENIDO

Concepto de difusin Mecanismos de difusin Difusin en rgimen permanente y en rgimen transitrio Fatores que influeyen en la difusin: espcies que estn difundiendo, temperatura, tipo de estructura cristalina, etc. Caminos de difusin: dislocaciones, lmites de grano, interfaces y superficies externas. Aplicaciones

ALGUNAS APLICACIONES

Modificacin superficial de piezas Procesadores de microcomputadores Filtros para purificacin de gases Sensores para inyecin electrnica de combustibles

1) INTRODUCIN

Muchas reaciones y procesos importantes en la fabricacin de un componente o de una estructura de ingenieria, ocurren por medio de transporte de masa . El transporte de masa geralmente ocurre a escala microscpica.

DIFUSIN: fenmeno de transporte de masa por moviminto atmico (en el caso de metales); de cationes y aniones (en el caso de cermicas inicas) y de macromolculas (en el caso de polmeros).
La difusin ocurre en el interior de slidos, lquidos y gases.
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Par de difusin (dos pedazos de metal unidos entre s)

a) Un par de difusin Cu-Ni antes de tratamiento a alta temperatura. b) b) Representacin esquemtica de la localizacin atmica del Cu (crculos coloreados y del Ni (Crculos negros) en el par de difusin. c) c) Concentracin de Cu y Ni en funcin de la posicin a travs del par.

a) Un par de difusin Cu-Ni despus de tratamiento a alta temperatura. b) b) Representacin esquemtica de la localizacin atmica del Cu (crculos coloreados y del Ni (Crculos negros) en el par de difusin. c) c) Concentracin de Cu y Ni en funcin de la posicin a travs del par.

2) MECANISMOS DE DIFUSIN

Difusin: migracin paso a paso de tomos de determinadas posiciones del reticulado para otras. Para que ocurra el movimiento de los tomos son necesrias dos condiciones: 1) Debe existir un espacio libre adyacente y 2) El tomo debe poseer energa suficiente para romper los enlaces qumicos y causar una distorsin en el reticulado cristalino.

DIFUSIN SUBSTITUCIONAL

DIFUSIN POR VACANCIAS: tomos substitucionales cambian de posicin con vacancias existentes en el reticulado cristalino.
El movimiento es una funcin del nmero de vacancias presentes. El nmero de vacancias aumenta exponencialmente con la temperatura. El movimiento del tomo ocurre en una direccin y la de vacancias ocurre en la direccin contraria.

AUTODIFUSIN (difusin de tomos de la misma especie) INTERDIFUSIN (difusin de tomos de especies diferentes)
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DIFUSIN INTERSTICIAL

DIFUSIN INTERSTICIAL: aqu tomos intersticiales migran para posiciones intersticiales adyacentes no ocupadas del reticulado. No hay necesidad de que existan vacancias vecinas. En metales y aleaciones, la difusin de impurezas de radio atmico muy pequeo en relacin al radio atmico de la matriz. Ejemplos: hidrgenio, carbono, nitrognio y oxgenio en el acero. Difusin intersticial es mucho ms rpida que la difusin substitucional (por vacancias).
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DIFUSIN EN ESTADO ESTACIONARIO


Difusin um proceso dependiente del tiempo En un determinado proceso, es importante conocer la rapidez con la que ocurre el transporte de masa El flujo de transferencia de masa puede ser expresada por medio del FLUJO DE DIFUSIN (J):

Y en forma diferencial

M J = At

1 dM J= A dt
Donde: M, masa (o el equivalente nmero de tomos); A, seccin transversal; y t, tiempo.
[J] kg/(m2s)
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DIFUSIN EN ESTADO ESTACIONARIO

El flujo no vara con el tiempo El perfil de concentracin: C = f(x) El gradiente de concentracin: se mide como la tangente de la curva de concentracin vs distancia (perfil de concentraan) en un determinado ponto C (C C ) A B = Cuando la concentracin es funcin lineal de la x (xAxB) distancia:

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PRIMEIRA LEI DE FICK

C J = D x
D = Coeficiente de difusin [D] = m2/s El signo negativo indica que o flujo ocurre en la direcin contraria al gradiente de concentracin. En la primera ley de Fick, el potencial termodinmico (driving force) para que ocurra el fenmeno de difusin, es el gradiente de concentracin.
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DIFUSIN EN ESTADO TRANSITORIO Y SEGUNDA LEY DE FICK

En muchos fenmenos estudiados, la difusin ocurre en regimen transitrio. En este caso, tanto el flujo como la concentracin varian con el tiempo

C C = D x x t
Segunda ley de Fick
Cuando el coeficiente de difusin no depende de la concentracin (por tanto, de la posicin):

C 2C =D t x 2

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SEGUNDA LEY DE FICK


En general, la deducin de las soluciones de la segunda ley de Fick es compleja.

Por ejemplo, en el proceso de cementacin de una placa de acero se puede considerar que: El contenido de carbono en la superficie del acero sea constante (CS = constante) El coeficiente de difusin para una temperatura dada no vara con la concentracin (D = constante) El contenido de carbono de la placa antes de la cementacin es homognea e igual a Co En ese caso, la solucin es:
CS C X x = erf CS Co 2 Dt

Donde: x es la distancia a la superficie cementada


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DISTANCIAS DE DIFUSIN

Las distancias de difusin son proporcionales a Dt , as:

x = cons tan te 2 Dt
Para Cx = (CS-Co), tem-se :

x Dt
Corte de un engrenaje cementado

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EFEITO DE LA TEMPERATURA ATIVACIN TRMICA

Qd D = Do exp RT

Donde: Do, Es una constante (m2/s); Qd, energa de ativacin para difusin (J/mol); R, constante universal de los gases (8,31 J/mol K); y T, temperatura absoluta (K).
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EFECTO DE LA TEMPERATURA ATIVACIN TRMICA

Qd ln D = ln Do R

1 T

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FATOCRES QUE AFECTAN EL COEFICIENTE DE DIFUSIN


Espcie que se difunde Medio donde ocurre a difusin Temperatura Tipo de estructura cristalina Cantidad de defectos presentes y tipo de defectos Tiempo de difusin

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CAMINOS PARA LA DIFUSIN El movimiento de tomos puede ocurrir: 1) En el volumen del material aprovechando vacancias o intersticios 2) A lo largo de defectos lineales: dislocaciones 3) A lo largo de defectos bidimensionais: lmites de grano, superficies externas. El movimiento de tomos por los defectos cristalinos es mucho ms rpida que por el volumen En algunos casos, la contribucin del flujo de tomos a travs de los defectos cristalinos es insignificante (la seccin transversal de las reas es muy pequea comparada con el interior del material) 19

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