C.E.E.

P PROFESSORA MARIA DO ROSRIO CASTALDI

Amplificadores

NATAN DOS SANTOS N: 14 2 Mecatrnica

AGOSTO - 2011 LONDRINA PR

Transistor O transistor bipolar o transistor mais importante do ponto de vista histrico e o de utilizao mais corrente. No entanto, convm referir os transistores de efeito de campo (FET, Field Effect Transistor), nomeadamente, os transistores FET de juno unipolar, os transistores MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), e os CMOS (complementary MOSFET), os quais so muito usados na eletrnica integrada de alta densidade. O material semicondutor mais usado no fabrico de transistores o silcio. Contudo, o primeiro transistor foi fabricado em germnio. O silcio prefervel porque possibilita o funcionamento a temperaturas mais elevadas (175 C, quando comparado com os ~75C dos transistores de germnio) e tambm porque apresenta correntes de fuga menores. O transistor bipolar formado por duas junes p-n em srie, podendo apresentar as configuraes p-n-p e n-p-n . Os transistores n-p-n so os mais comuns, basicamente porque a mobilidade dos eltrons muito superior das lacunas, isto , os eltrons movem-se mais facilmente ao longo da estrutura cristalina o que traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta freqncia. E so mais adequados produo em massa. No entanto, deve-se referir que, em vrias situaes, muito til ter os dois tipos de transistores num circuito. O transistor de juno bipolar um dos componentes mais importantes na Eletrnica. um dispositivo com trs terminais. Num elemento com trs terminais possvel usar a tenso entre dois dos terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal, i.e., obter uma fonte controlvel. O transistor permite a amplificao e comutao de sinais, tendo substitudo as vlvulas termo-inicas na maior parte das aplicaes. A figura da pgina seguinte mostra, de forma esquemtica, um transistor bipolar p-n-p. Este transistor formado por duas junes p-n que partilham a regio do tipo n (muito fina e no representada escala). Neste aspecto, o dispositivo corresponde sanduche de um material do tipo n, entre duas regies do tipo p. Existe tambm a estrutura complementar (npn). Dependendo da polarizao de cada junes (directa ou inversa), o transistor pode operar no modo activo/linear, estar em corte ou em saturao. Verifique e simule a polarizao e funcionamento de um transistor bipolar . Um transistor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) constitudo por duas junes PN (juno base-emissor e juno base-colector) de material semicondutor (silcio ou germnio) e por trs terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Coletor (C).

Smbolos Transistores

Zonas Funcionamento Transistores

NPN PNP Zona Condies Corte VBE < 0.7V VBC < 0.7V IC = 0 IE = 0 IB = 0 VEB < 0.7V VCB < 0.7V IC = 0 IE = 0 IB = 0 Modelo Condies Modelo

Ativa

VBE =0.7V VBE =0.7V

VBC <0.7V IC = * IB IE = IC+IB ou

IE = (+1)*IB VEB = 0.7V VCB < 0.7V VEB =0.7V IC = * IB IE = IC+IB ou IE = (+1)*IB Saturao VBE = 0.8V

VBC = 0.7V VBE =0.8V VCE =0.1V IE = IC+IB VEB = 0.8V

VCB = 0.7V VEB =0.8V VEC =0.1V IE = IC+IB

Em cada transistor bipolar existem duas junes que iro apresentar zonas de funcionamento diferentes, consoante as junes base-emissor e base-colector se encontram polarizadas direta ou inversamente. Os transistores tm trs zonas de funcionamento distintas: Corte - Ambas as junes esto polarizadas inversamente

Saturao - Ambas as junes esto polarizadas diretamente

Ativa - Juno base-emissor polarizada diretamente e juno base coletor polarizada inversamente Transistor como Amplificador Um transistor funciona como amplificador, quando a corrente de base oscila entre zero e um valor mximo. Neste caso, a corrente de coletor um mltiplo da corrente de base. Se aplicarmos na base do transistor um sinal, vamos obter uma corrente mais elevada no coletor proporcional ao sinal aplicado:

Ganho de um transistor O ganho de um transistor, uma caracterstica do transistor, o fator de multiplicao da corrente de base (Ib)ou Beta ou hfe do transistor. 5

A formula matemtica que permite efetuar o clculo : Ic = Ib x * Ic: corrente de coletor * Ib: corrente de base * : beta (ganho) Existem algumas especificaes definidas pelo fabricante: Ref ou Tipo: o nome do transistor. VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta. VCER: tenso entre coletor e emissor com uma resistncia no emissor. Pol: polarizao; N=NPN e P=PNP. PTOT: Potncia mxima que o transistor pode dissipar Ft: Freqncia mxima. Encapsulamento: Cpsula do transistor que define cada um dos terminais. Determinar Tenses e Correntes TJB (Transistor Juno Bipolar) Considerando o circuito da figura em que o transistor bipolar NPN caracterizado por =100 (ganho)

Determinar tenses e correntes do transistor. Considerando que o transistor est na zona ativa, consideramos o circuito seguinte

Circulando pela malha da base: -V1 + RB * IB + VBE = 0 ou IB = (V1 - VBE) / RB IB = (10-0,7)/220 IB = 42,27A IC=*IB ou IC=4,23mA para as tenses temos: VE=0 VB=0,7 VC=10-RC*IC ou VC=5,7 onde VBE=0,7 e VBC=-6,4 < 0,7 Podemos concluir que o transistor se encontra na zona activa. Frmula e simulao de funcionamento de transistor Configuraes Transistor Bipolar ligao tpica transistor Configurao comum comum comum Impedncia entradamdia baixa alta Impedncia sada mdia alta Ganho de tenso mdio alto baixa baixo Base Coletor Emissor

Ganho de corrente mdio baixo alto 7

Ganho de potncia alto Desvio de fase

baixo mdio 0

180 0

Base Comum (Ganho em tenso, sem ganho em corrente). Emissor Comum (Ganho em tenso e corrente). Coletor Comum (Ganho em corrente, sem ganho em tenso). Transistor - Emissor Comum A montagem de um transistor em emissor comum um estgio baseado num transistor bipolar em srie com um elemento de carga. O termo "emissor comum" refere-se ao fato de que o terminal do emissor do transistor tem uma ligao "comum", tipicamente a referncia de 0V ou Terra. O terminal do coletor ligado carga da sada, e o terminal da base atua como a entrada de sinal. O circuito do emissor comum constitudo por uma resistncia de carga RC e um transistor NPN; os outros elementos do circuito so usados para a polarizao do transistor e para o acoplamento do sinal. Os circuitos emissor comum so utilizados para amplificar sinais de baixa voltagem, como os sinais de rdios fracos captados por uma antena, para amplificao de um sinal de udio ou vdeo

Caractersticas de um amplificador com transistor em emissor comum:

IMPEDNCIA DE ENTRADA (Ze): igual ao quociente entre a tenso de entrada (Ee = tenso CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do sinal de entrada). A impedncia de entrada est compreendida entre 10K e 100K Ze=Ee / Ie IMPEDNCIA DE SADA (Zs): igual ao quociente entre a tenso CA do sinal de sada (Es), quando a sada esta em vazio (isto , Is = 0) e a corrente CA do sinal de sada (Is), quando a sada est em curto-circuito (Es =0).A impedncia de sada esta situada entre 10Ke 100K. Zs= Es (sada em vazio) / Is (sada em curto) AMPLIFICAO DE CORRENTE (Ai): o quociente entre a corrente CA do sinal de sada e a corrente CA do sinal de entrada. A amplificao de corrente est compreendida entre 10 e 100 vezes. Ai = Is / Ie AMPLIFICAO DE TENSO (Av): o quociente entre a tenso CA do sinal de sada e a tenso CA do sinal de entrada. A amplificao de tenso est situada entre 100 e 1000 vezes. Av = Es / Ee AMPLIFICAO DE POTNCIA (Ap): igual ao produto entre a amplificao de corrente e a amplificao de tenso. A amplificao de potncia est compreendida entre 1.000 e 100.000 vezes. Ap = Ai x Av RELAO DE FASE: Ocorre uma defasa mento de 180 entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada (180 = 180 graus). Transistor - Coletor Comum O circuito com um transistor com coletor comum possui um ganho de tenso muito prximo da unidade, significando que os sinais em CA que so inseridos na entrada sero replicados quase igualmente na sada, assumindo que a carga de sada no apresente dificuldades para ser controlada pelo transistor. O circuito possui um ganho de corrente tpico que depende em grande parte do hFE do transistor. Uma pequena mudana na corrente de entrada resulta em uma mudana muito maior na corrente de sada enviada carga. Deste modo, um terminal de entrada com uma fraca alimentao pode ser utilizado para alimentar uma resistncia menor no terminal de sada. Esta configurao comumente utilizada nos estgios de sada dos amplificadores Classe B e Classe AB, o circuito base modificado para operar o transistor no modo classe B ou AB. No modo classe A, muitas vezes uma fonte de corrente ativa utilizada em vez do RE para melhorar a linearidade ou eficincia. 9

Caractersticas de um amplificador com transistor em coletor comum: IMPEDNCIA DE ENTRADA: de 100K a 1M . IMPEDNCIA DE SADA: de 50 a 5000. AMPLIFICAO DE CORRENTE: de 10 a 100 vezes. AMPLIFICAO DE TENSO: menor do que 1. Neste tipo de amplificador no h amplificao de tenso. AMPLIFICAO DE POTNCIA: de 10 a 100 vezes. RELAO DE FASE: no h desfasamento entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada. Transistor - Base Comum A ligao de um transistor em base comum uma configurao de um transistor na qual sua base ligada ao ponto comum do circuito. Esta montagem utilizada de forma menos frequente do que as outras configuraes em circuitos de baixa de baixa freqncia, utilizada para amplificadores que necessitam de uma impedncia de entrada baixa. Como exemplo temos o pr-amplificador de microfones. utilizado para amplificadores VHF e UHF onde a baixa capacitncia da sada entrada de importncia crtica. Os parmetros (Alfa) e (Beta) de um transistor bipolar Quando um transistor bipolar ligado em base comum, o quociente entre a corrente de coletor (Ic) e a corrente de emissor (Ie) recebe o nome de GANHO DE CORRENTE ESTTICO DA MONTAGEM BASE COMUM, e indicado pela letra grega (ALFA). =Ic/Ie

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Caractersticas de um amplificador com transistor em base comum: IMPEDNCIA DE ENTRADA: entre 10e 100 . IMPEDNCIA DE SADA: entre 100 K e 1M . AMPLIFICAO DE CORRENTE: um pouco inferior unidade (entre O,95 e O,99).Portanto, neste tipo de circuito no h amplificao de corrente. AMPLIFICAO DE TENSO: entre 500 e 5.000 vezes. AMPLIFICAO DE POTNCIA: entre 100 e 1.000 vezes. RELAO DE FASE: no h desfasamento entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada. Transistor Darlington O Darlington no mais do que a ligao de vrios transistores com a finalidade de aumentar o ganho. O ganho (HFE) total do Darlington a multiplicao dos ganhos individuais de cada um dos transistores. Vantagens: Maior ganho de corrente. Tanto o disparo como bloqueio so seqenciais. 11

A queda de tenso em saturao constante. Desvantagens: Utilizao apenas com mdias freqncias e mdias potncias.

Fototransistor

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O fototransistor no mais do que um transistor bipolar em que a luz incide sobre a base. O seu funcionamento no difere do funcionamento do transistor bipolar, no entanto, a base polarizada pela luz. Tem um tempo de resposta maior e mais sensvel que o fotodiodo. Tem uma enorme utilizao nos acopladores pticos que tm a funo de isolar eletricamente circuitos diferentes. O acoplador ptico composto por um dodo emissor de luz (LED) e um fototransstor.

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Bibliografia http://www.electronica-pt.com/index.php/content/view/47/37/

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