Welcome to Scribd, the world's digital library. Read, publish, and share books and documents. See more
Download
Standard view
Full view
of .
Save to My Library
Look up keyword
Like this
333Activity
0 of .
Results for:
No results containing your search query
P. 1
B13 Transistores NPN y PNP

B13 Transistores NPN y PNP

Ratings:

4.78

(9)
|Views: 89,034|Likes:
Published by Tu Cuaderno Virtual

More info:

Published by: Tu Cuaderno Virtual on Oct 13, 2008
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

08/04/2013

pdf

text

original

 
Lección B13 : Transistores NPN y PNP
- 1 -
LECCIÓN B13: TRANSISTORES NPN y PNP
OBJETIVOS
 
Reconocimiento de un transistor PNP o NPN.
 
Medida de las resistencias interunión.
 
Reconocimiento de los tres terminales: Base, Emisor y Colector utilizando un óhmetro.
 
Verificación de las relaciones fundamentales de corriente continua.
 
Medida de la corriente de colector en función de la corriente de base.
 
Cálculo de los factores de amplificación
α
y
β
.
MATERIAL
 
Unidad básica para sistema IPES (Unidad de alimentación mod.PSU/EV, Caja de soporte de los módulos mod. MU/EV, Unidad decontrol individual mod. SIS1/SIS2/SIS3)
 
Módulo de experimentación mod. MCM4/EV
 
Multímetro
B13.1 NOCIONES TEÓRICASEstructuras PNP y NPN
Los modelos físicos de los transistores PNP y NPN se muestran en lafigura B13.1. La zona central se denomina "Base", mientras que laszonas externas se denominan respectivamente "Emisor" y "Colector".
 fig. B13.1
 
Lección B13 : Transistores NPN y PNP
- 2 -
El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad decontrolar la corriente que fluye entre Colector y Emisor a través de laaplicación de una corriente en la base B, lo cual se obtiene polarizandodirectamente la unión base-emisor e inversamente la unión base-colector.En ausencia de tensiones de polarización, las barreras de potencialexistentes se muestran en las figuras.
 fig. B13.2
Funcionamiento del Transistor PNP
En la condición de funcionamiento normal el diodo base-emisor D
2
está polarizado directamente (polo positivo en el emisor y polo negativo enla base); en cambio, el diodo colector-base D
1
está polarizadoinversamente y el colector tiene un potencial negativo respecto a la base(figura B13.3a).Con el circuito base-colector abierto (figura B13.3b), ya que el diodo D
2
está polarizado directamente, su barrera de potencial se reduce y de estaforma favorece un desplazamiento de cargas positivas desde el emisor hacia la base.Consideremos ahora la situación en la cual el circuito colector-base estácerrado y el circuito base-emisor está abierto (figura B13.3c). Debido ala polarización inversa, la barrera de potencial del diodo colector-baseaumenta; de esta forma sólo una pequeña corriente de huecos positivosfluye desde la base hacia el colector y al mismo tiempo una corriente deelectrones fluye desde el colector hacia la base.Supongamos ahora que tanto el circuito base-emisor como el circuitocolector-base (figura B13.3d) se cierren simultáneamente. El espesor dela base es muy delgado respecto a la distancia media que puedenrecorrer los huecos positivos procedentes del emisor; una parteconsiderable de estas cargas puede atravesarla y llegar a la unióncolector-base, donde serán atraídas por el potencial negativo delcolector, creando así una corriente emisor-colector.Un razonamiento análogo lleva a resultados similares en el caso de untransistor NPN (figura B13.4).
 
Lección B13 : Transistores NPN y PNP
- 3 -
 fig. B13.4
Las estructuras PNP y NPN constituyen la base constructiva de lostransistores bipolares o "BJT" (Bipolar Junction Transistor).Los símbolos gráficos correspondientes se muestran en las figurassiguientes.
 fig. B13.5
 fig. B13.3

You're Reading a Free Preview

Download
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->