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TECNOLOGIA DE LOS MATERIALES ELECTRICOS

INDICE UNIDAD II CONDUCCION ELECTRICA DE LOS MATERIALES II.1.- EL PAPEL DE LOS ELECTRONES II.2.- MOVIMIENTO ELECTRONICO II.3.- DEPENDENCIA ESTRUCTURAL DE LA RESISTENCIA SEMICONDUCTORES III.1.- GENERALIDADES III.2.- ENLACES Y CONDUCTIVIDAD. III.3.- SEMICONDUCTORES DE POTENCIA MATERIALES MAGNETICOS IV.1.- INTRODUCCION A LOS MATERIALES MAGNETICOS IV.2.- MOMENTO MAGNETICO DE UN CAMPO IV.3.- MOMENTO MAGNETICO ATOMICO DIELECTRICOS V.1.- PERMITIVIDAD V.2.- BOMBAS DE ENERGIA V.3.- LEY DE COULOMB V.4.- POLARIZACION V.5.- CLASIFICACION DE LOS DIELECTRICOS SUPERCONDUCTORES VI.1.- ANTECEDENTES Y GENERALIDADES VI.2.- MATERIALES SUPERCONDUCTORES VI.3.- APLICACIONES DE LOS SUPERCONDUCTORES BIBLIOGRAFIA 3 3 7 9 26 28 33 47 54 57 66 67 71 71 74 75 82 86 87 97 103 122 138

UNIDAD III

UNIDAD IV

UNIDAD V

UNIDAD VI

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UNIDAD II CONDUCCION ELECTRICA DE LOS MATERIALES II.1. EL PAPEL DE LOS ELECTRONES. El electrn es una partcula subatmica. En un tomo los electrones rodean el ncleo, compuesto de protones y neutrones. Los electrones tienen la carga elctrica ms pequea, y su movimiento genera corriente elctrica. Dado que los electrones de las capas ms externas de un tomo definen las atracciones con otros tomos, estas partculas juegan un papel primordial en la qumica del electrn PROPIEDADES Y COMPORTAMIENTO. El electrn tiene una carga elctrica negativa y una masa, que es aproximadamente 1800 veces menor que la masa del protn. Aunque la mayora de los electrones se encuentran formando parte de los tomos, los hay que se desplazan independientemente por la materia o juntos formando un haz de electrones en el vaco. En algunos superconductores los electrones se mueven en pareja. Cuando los electrones que no forman parte de la estructura del tomo se desplazan y hay un flujo neto de ellos en una direccin, este flujo se llama corriente elctrica. La electricidad esttica no es un flujo de electrones. Es ms correcto definirla como "carga esttica", y est causada por un cuerpo cuyos tomos tienen ms o menos electrones de los necesarios para equilibrar las cargas positivas de los ncleos de sus tomos. Cuando hay un exceso de electrones, se dice que el cuerpo est cargado negativamente. Cuando hay menos electrones que protones el cuerpo est cargado positivamente. Si el nmero total de protones y electrones es equivalente, el cuerpo est en un estado elctricamente neutro. Los electrones y los positrones pueden aniquilarse mutuamente produciendo un fotn. De manera inversa, un fotn de alta energa puede transformarse en un electrn y un positrn. Electrones en la vida cotidiana: La corriente elctrica que suministra energa a nuestros hogares est originada por electrones en movimiento. El tubo de rayos catdicos de un televisor se basa en un haz de electrones en el vaco desviado mediante campos magnticos que impacta en una pantalla fosforescente. Los semiconductores utilizados en dispositivos tales informacin en: Electricidad Electrones en la industria: Los haces de electrones se utilizan en soldaduras Electrones en el laboratorio: El microscopio electrnico, que utiliza haces de electrones en lugar de fotones, permite ampliar hasta 500.000 veces los objetos. Los efectos cunticos del electrn son la base del microscopio de efecto tnel, que permite

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estudiar la materia a escala atmica. En la vida cotidiana: La corriente elctrica que suministra energa a nuestros hogares est originada por electrones en movimiento. El tubo de rayos catdicos de un televisor se basa en un haz de electrones en el vaco desviado mediante campos magnticos que impacta en un lugar de del atmico. La existencia del electrn fue postulada por el fsico irlands G. Johnstone Stoney como una unidad de carga en el campo de la electroqumica, y fue descubierto por Joseph John Thomson en 1897 en el Laboratorio Cavendish de la Universidad de Cambridge. Influido por el trabajo de Maxwell y el descubrimiento de los rayos X, Thomson dedujo, mientras estudiaba el comportamiento de los rayos catdicos en el TRC, que existan unas partculas con carga negativa que denomin corpsculos. Aunque Stoney haba propuesto la existencia del electrn, fue Thomson quien descubri su carcter de partcula fundamental; pero para confirmar su existencia era necesario medir sus propiedades, en particular la carga elctrica. Este objetivo fue alcanzado por Robert Millikan en el clebre experimento de la gota de aceite realizado en 1909. George Paget Thomson, hijo de J. J. Thomson, demostr la naturaleza ondulatoria de los electrones logrando observar su difraccin al atravesar una lmina de metal. El experimento condujo a la aparicin de un patrn de interferencia como el que se obtiene en la difraccin de otras ondas, como la luz, probando la dualidad onda corpsculo postulada por la mecnica cuntica en 1926 por De Broglie. Este descubrimiento le vali a G. P. Thomson el Premio Nobel de Fsica de 1937. El espn del electrn se observ por vez primera en el experimento de Stern y Gerlach. Su carga elctrica puede medirse directamente con un electrmetro y la corriente generada por su movimiento, con un galvanmetro. Seis aos antes de los descubrimientos de Thomson, Stoney haba propuesto la existencia de estas partculas y, asumiendo que tenan cargas elctricas, las denomin electrones. Posteriormente, otros cientficos demostraron experimentalmente que el electrn tiene una masa 2000 veces menor que el tomo de hidrgeno. CLASIFICACIN El electrn es un tipo de partcula subatmica denominada leptn, y parece ser una de las partculas fundamentales (es decir, que no puede ser dividida en constituyentes ms pequeos) de acuerdo con el modelo estndar de partculas. Como para cualquier partcula subatmica, la mecnica cuntica predice un comportamiento ondulatorio de los electrones en ciertos casos, el ms famoso de los cuales es el experimento de Young de la doble rendija en el que se pueden hacer interferir ondas de electrones. Esta propiedad se denomina dualidad onda corpsculo.

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Propiedades el electrn tiene una carga elctrica negativa de 1,6 1019 coulombs y una masa de 9,1 10-31 kg (0,51 MeV/c2), que es aproximadamente 1800 veces menor que la masa del protn. El electrn tiene momento angular intrnseco o espn de 1/2 (en unidades de Planck). Dado que el espn es semi-entero los electrones se comportan como fermiones, es decir, colectivamente son descritos por la estadstica de Fermi-Dirac. Aunque la mayora de los electrones se encuentran formando parte de los tomos, los hay que se desplazan independientemente por la materia o juntos formando un haz de electrones en el vaco. Cuando los electrones que no forman parte de la estructura del tomo se desplazan y hay un flujo neto de ellos en una direccin, forman una corriente elctrica. En algunos superconductores, los electrones que generan la corriente elctrica se mueven en pareja o pares de Cooper. La electricidad esttica no es un flujo de electrones. Es ms correcto definirla como "carga esttica", y es causada por un cuerpo cuyos tomos tienen ms o menos electrones de los necesarios para equilibrar las cargas positivas de los ncleos de sus tomos. Cuando hay un exceso de electrones, se dice que el cuerpo est cargado negativamente. Cuando hay menos electrones que protones el cuerpo est cargado positivamente. Si el nmero total de protones y electrones es equivalente, el cuerpo est en un estado elctricamente neutro. Los electrones y los positrones pueden aniquilarse mutuamente produciendo un fotn. De manera inversa, un fotn de alta energa puede transformarse en un electrn y un positrn. El electrn es una partcula elemental, lo que significa que no tiene una subestructura (al menos los experimentos no la han podido encontrar). Por ello suele representarse como un punto, es decir, sin extensin espacial. Sin embargo, en las cercanas de un electrn pueden medirse variaciones en su masa y su carga. Esto es un efecto comn a todas las partculas elementales: la partcula influye en las fluctuaciones del vaco en su vecindad, de forma que las propiedades observadas desde mayor distancia son la suma de las propiedades de la partcula ms las causadas por el efecto del vaco que la rodea. Hay una constante fsica llamada Radio clsico del electrn, con un valor de 2,8179 1015 m. Es preciso tener en cuenta que ste es el radio que se puede inferir a partir de la carga del electrn descrito desde el punto de vista de la electrodinmica clsica, no de la mecnica cuntica. Por lo tanto esta constante se refiere a un concepto desfasado, aunque til para algunos clculos. Electrones en el Universo Los cientficos creen que el nmero de electrones existentes en el universo conocido es de al menos 1079. Este nmero asciende a una densidad media de alrededor de un electrn por metro cbico de espacio. Basndose en el radio clsico del electrn y asumiendo un empaquetado esfrico denso, se puede calcular que el nmero de electrones que cabran en el universo observable es del orden de 10130. Por supuesto, este nmero es incluso menos significativo que el propio radio clsico del electrn.

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Electrones en la prctica En la vida cotidiana La corriente elctrica que suministra energa a nuestros hogares est originada por electrones en movimiento. El tubo de rayos catdicos de un televisor se basa en un haz de electrones en el vaco desviado mediante campos magnticos que impacta en una pantalla fluorescente. Los semiconductores utilizados en dispositivos tales como los transistores En la industria y el laboratorio El microscopio electrnico, que utiliza haces de electrones en lugar de fotones, permite ampliar hasta 500.000 veces los objetos. Los efectos cunticos del electrn son la base del microscopio de efecto tnel, que permite estudiar la materia a escala atmica. Los haces de electrones se utilizan en soldaduras. Los electrones y la teora En la teora relativista el electrn se consider una partcula cuasi puntual, ya que la consideracin de que fuera puntual conduca a diversas singularidades. La teora del radio clsico del electrn trataba de explicar la masa del electrn como un efecto inercial de la energa contenida en el campo gravitatorio del electrn. Dicho radio es una cantidad finita de difcil interpretacin, si el electrn no es puntual entonces cuando es acelerado en un campo electromagntico unas partes del electrn deban ser aceleradas en mayor proporcin que otras, o empezar a moverse antes, lo cual sugera que la forma del electrn deba cambiar, pero entonces la idea de interpretar la masa como asociada al campo no funcionaba bien. Esa y otras inconsistencias como el efecto de influencia causal del futuro en la expresin de la fuerza 1 revelaron que los modelos no-cunticos del electrn eran inadecuados. En la mecnica cuntica, un electrn en un campo electromagntico es descrito por la ecuacin de Dirac, mientras que el comportamiento colectivo de los electrones viene descrito por la estadstica de Fermi-Dirac. En el modelo estndar de la fsica de partculas forma un doblete con el neutrino, dado que ambos interaccionan de forma dbil. En la naturaleza existen adems otros dos "electrones masivos", el mun y el taun, con propiedades similares al mismo aunque sin embargo son partculas diferentes, que tienen una corta existencia y se desintegran muy rpidamente. El equivalente al electrn en la antimateria, su antipartcula, es el positrn, que tiene la misma cantidad de carga elctrica que el electrn pero positiva. El espn y la masa son iguales en el electrn y el positrn. Cuando un electrn y un positrn colisionan, tiene lugar la aniquilacin mutua, originndose dos fotones de rayos gamma con una energa de 0,500 MeV cada uno. Los electrones son un elemento clave en el electromagnetismo, una teora que es adecuada desde un punto de vista clsico, aplicable a sistemas macroscpicos.

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2.2 .MOVIMIENTO ELECTRONICO. MOVIMIENTO EN UN CAMPO ELCTRICO Cuando una partcula cargada est en una regin donde hay un campo elctrico experimenta una fuerza igual al producto de su carga por la intensidad del campo elctrico

Si la carga es positiva experimenta una fuerza en el sentido del campo Si la carga es negativa experimenta una fuerza en sentido contrario al campo

Si el campo es uniforme la fuerza es constante y tambin lo es la aceleracin, aplicando las ecuaciones del movimiento rectilneo uniformemente acelerado podemos obtener la velocidad de la partcula en cualquier instante o despus de haberse desplazado una determinada distancia:

De forma alternativa, podemos aplicar el principio de conservacin de la energa, ya que el campo elctrico es conservativo La energa potencial q(V'-V) se transforma en energa cintica. Siendo V'-V la diferencia de potencial existente entre dos puntos distantes x. En un campo elctrico uniforme V'-V=Ex

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MOVIMIENTO EN UN CAMPO MAGNTICO Una partcula que se mueve en un campo magntico experimenta una fuerza dada por el producto vectorial

. El resultado de un producto vectorial es un vector de

mdulo igual al producto de los mdulos por el seno del ngulo comprendido qvBse direccin perpendicular al plano formado por los vectores velocidad y campo. y el sentido se obtiene por la denominada regla del sacacorchos. Si la carga es positiva el sentido es el del producto vectorial figura: , como en la

Si la carga es negativa el sentido de la fuerza es contrario al del producto vectorial

Dicha partcula en un campo magntico uniforme y perpendicular a la direccin de la velocidad describe rbita circular ya que la fuerza y la velocidad son mutuamente perpendiculares. El radio de dicha rbita puede obtenerse a partir de la aplicacin de la ecuacin de la dinmica del movimiento circular uniforme: fuerza igual a masa por aceleracin normal.

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Mueve en una regin donde existe un campo elctrico, en un campo magntico, o en un campo elctrico Vamos a estudiar tres situaciones en las que una partcula cargada positiva o negativa se y magnticos cruzados (perpendiculares entre s). 1. El descubrimiento del electrn consta a su vez de dos experiencias

La medida de la relacin carga/masa del electrn efectuada por Thomson La medida de la cantidad fundamental de carga efectuada por Millikan

2. La separacin de istopos de un determinado elemento mediante un espectrmetro de masas. 3. La aceleracin de iones mediante un ciclotrn. 2.3. DEPENDENCIA ESTRCTURA DE LA RESISTENCIA. Se denomina circuito elctrico a una serie de elementos o componentes elctricos o electrnicos, tales como resistencias, inductancias, condensadores, fuentes, y/o dispositivos electrnicos semiconductores, conectados elctricamente entre s con el propsito de generar, transportar o modificar seales electrnicas o elctricas. En la figura podemos ver un circuito elctrico, sencillo pero completo, al tener las partes fundamentales:

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1. elctrica, en este caso la pila o batera. 2. Una fuente de energa Una aplicacin, en este caso una lmpara incandescente. Circuito abierto. 3. Unos elementos de control o de maniobra, el interruptor. 4. Un instrumento de medida, el Ampermetro, que mide la intensidad de corriente. Circuito cerrado. 5. El cableado y conexiones que completan el circuito. Un circuito elctrico tiene que tener estas partes, o ser parte de ellas. Los circuitos elctricos se clasifican de la siguiente forma: Por el tipo de seal:

De corriente continua De corriente alterna Mixtos

Por el tipo de rgimen:


Peridico Transitorio Permanente

Por el tipo de componentes:


Elctricos: Resistivos, inductivos, capacitivos y mixtos Electrnicos: digitales, analgicos y mixtos

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Por su configuracin:

Serie Paralelo

PARTES DE UN CIRCUITO

Figura 1: Circuito Ejemplo: Para analizar un circuito deben de conocerse los nombres de los elementos que lo forman. A continuacin se indican los nombres ms comunes, tomando como ejemplo el circuito mostrado en la figura 1.

Conductor: hilo de resistencia despreciable (idealmente cero) que une elctricamente dos o ms elementos. Generador o fuente: elemento que produce electricidad. En el circuito de la figura 1 hay tres fuentes, una de intensidad, I, y dos de tensin, E1 y E2. Nodo: punto de un circuito donde concurren varios conductores distintos. En la figura 1 se pueden ver cuatro nodos: A, B, D y E. Obsrvese que C no se ha tenido en cuenta ya que es el mismo nodo A al no existir entre ellos diferencia de potencial (VA - VC = 0).

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Rama: conjunto de todos los elementos de un circuito comprendidos entre dos nodos consecutivos. En la figura 1 se hallan siete ramales: AB por la fuente, AB por R1, AD, AE, BD, BE y DE. Obviamente, por un ramal slo puede circular una corriente.

CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA

Figura 2: Circuitos Divisores De Tensin, A), y de intensidad, B). En este punto se describirn los principales circuitos en corriente continua as como su anlisis, esto es, el clculo de las intensidades, tensiones o potencias. Dos o ms resistencias conectadas en serie forman un divisor de tensin. De acuerdo con la segunda ley de Kirchhoff o ley de las mallas, la tensin total es suma de las tensiones parciales en cada resistencia, por lo que seleccionando valores adecuados de las mismas, se puede dividir una tensin en los valores ms pequeos que se deseen. La tensin Vi en bornes de la resistencia Ri, en un divisor de tensin de n resistencias cuya tensin total es V, viene dada por:

En el caso particular de un divisor de dos resistencias (figura 2 a), es posible determinar las tensiones en bornes de cada resistencia, VAB y VBC, en funcin de la tensin total, VAC, sin tener que calcular previamente la intensidad. Para ello se utilizan las siguientes ecuaciones de fcil deduccin:

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Este caso es el que se presenta, por ejemplo, a la hora de ampliar la escala de un voltmetro, donde R1 sera la resistencia de la bobina voltimtrica y R2 la resistencia de ampliacin de escala. Dos o ms resistencias conectadas en paralelo forman un divisor de intensidad. De acuerdo con la primera ley de Kirchhoff o ley de los nudos, la corriente que entra en un nudo es igual a la suma de las corrientes que salen. Seleccionando valores adecuados de resistencias se puede dividir una corriente en los valores ms pequeos que se deseen. En el caso particular de un divisor de dos resistencias (figura 2 b), es posible determinar las corrientes parciales que circulan por cada resistencia, I1 e I2, en funcin de la corriente total, I, sin tener que calcular previamente la cada de tensin en la asociacin. Para ello se utilizan las siguientes ecuaciones de fcil deduccin:

Este caso es el que se presenta, por ejemplo, a la hora de ampliar la escala de un ampermetro, donde R1 sera la resistencia de la bobina amperimtrica y R2 la resistencia shunt.

Figura 3: Ejemplo De Circuito Resistivo De Fuente nica.

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Se trata de una red de resistencias alimentadas con una sola fuente (figura 3). Para su anlisis se seguirn, en general, los siguientes pasos: 1. Se calcula la resistencia equivalente de la asociacin. 2. Se calcula la intensidad, I, que suministra la fuente, 3. Se calculan las intensidades y tensiones parciales. A modo de ejemplo de lo expuesto, se analizar el circuito de la figura 3 su poniendo los siguientes valores:

Resolucin: 1. Sea RABC la resistencia equivalente de la rama superior del circuito:

Y denominando Re a la resistencia equivalente:

2. A partir de la ley de Ohm se determina la intensidad, I, que proporciona la fuente:

3. A partir de la ley de Ohm:

R3 y R4 forman un divisor de intensidad para I1, por lo tanto:

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Figura 4: Ejemplo De Red General: Circuito De Dos Mallas. En el caso ms general, el circuito podr tener ms de una fuente. El anlisis clsico de este tipo de redes se realiza obteniendo, a partir de las leyes de Kirchhoff, un sistema de ecuaciones donde las incgnitas sern las corrientes que circulan por cada rama. En general, el proceso a seguir ser el siguiente: 1. Se dibujan y nombran de modo arbitrario las corrientes que circulan por cada rama. 2. Se obtiene un sistema de tantas ecuaciones como intensidades haya. Las ecuaciones se obtendrn a partir de: 1. Se aplica la primera ley tantas veces como nudos haya menos uno. 2. Se aplica la segunda ley a todas las mallas. Como ejemplo, se analizar el circuito de la figura 4 considerando los siguientes valores:

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Resolucin: 1. Se consideran las intensidades dibujadas en el circuito. 2. En el nudo A se cumple:

Y sumando las tensiones en ambas mallas (vea como determinar la polaridad de la cada de tensin de una resistencia en d. d. p.):

Dados los valores conocidos, tenemos:

Ordenando las ecuaciones se obtiene el siguiente sistema:

Cuyas soluciones son:

Donde el valor negativo de I3 indica que la corriente circula en direccin contraria a como se ha dibujado en el circuito. En anlisis de circuitos se puede observar el mtodo de las mallas que no simplifica el anlisis de circuitos de este tipo.

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Figura 5: Balance De Potencias. Por balance de potencias de un circuito elctrico se entiende la comprobacin de que la suma algebraica de las potencias que generan o "absorben" las fuentes es igual a la suma de potencias que disipan los elementos pasivos. Para ello es necesario analizar previamente el circuito, esto es, determinar las corrientes que circulan por cada una de sus ramas as como las cadas de tensin en bornes de las fuentes de intensidad si las hubiere. Como ejemplo, se realizar el balance de potencias del circuito de la figura 5 considerando los siguientes valores:

Resolucin: Aplicando la primera ley de Kirchhoff al nudo A y la segunda a la malla de la izquierda, se obtiene:

Operando se obtiene:

Y la tensin en bornes de la fuente de intensidad

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Terminado el anlisis, se realiza el balance de potencias cuyos resultados se presentan en la siguiente tabla:

Elementos activos

Elementos pasivos

Figura 6: Circuitos serie RL (superior) y RC (inferior) En CC.

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Figura 7: Comportamiento De Los Circuitos Serie RL y RC En CC. Los circuitos serie RL y RC (figura 6) tienen un comportamiento similar en cuanto a su respuesta en corriente y en tensin, respectivamente. Al cerrar el interruptor S en el circuito serie RL, la bobina crea una fuerza electromotriz (f.e.m.) que se opone a la corriente que circula por el circuito, denominada por ello fuerza contraelectromotriz. Como consecuencia de ello, en el mismo instante de cerrar el interruptor (t0 en la figura 7) la intensidad ser nula e ir aumentando exponencialmente hasta alcanzar su valor mximo, Io = E / R (de t0 a t1). Si a continuacin, en el mismo instante de abrir S (t2 en la figura 7) se har corto circuito en la red RL, el valor de Io no desaparecera instantneamente, sino que ira disminuyendo de forma exponencial hasta hacerse cero (de t2 a t3). Por otro lado, en el circuito serie RC, al cerrar el interruptor S (t0 en la figura 7), el condensador comienza a cargarse, aumentando su tensin exponencialmente hasta alcanzar su valor mximo E0 (de t0 a t1), que coincide con el valor de la f.e.m. E de la fuente. Si a continuacin, en el mismo instante de abrir S (t2 en la figura 7) se har corto circuito en la red RC, el valor de (Eo) no desaparecera instantneamente, sino que ira disminuyendo de forma exponencial hasta hacerse cero (de t2 a t3). En ambos circuitos se da por lo tanto dos tipos de rgimen de funcionamiento (figura 7):

Transitorio: desde t0 a t1 (carga) y desde t2 a t3 (descarga) Permanente: desde t1 a t2

La duracin del rgimen transitorio depende, en cada circuito, de los valores de la resistencia, R, la capacidad, C, del condensador y de la auto inductancia, L de la bobina. El valor de esta duracin se suele tomar como 5, donde es la denominada constante de tiempo, siendo su valor en cada circuito:

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Si R est en ohmios, C en faradios y L en henrios, estar en segundos. Matemticamente se pueden obtener las ecuaciones en rgimen transitorio de cada circuito que se muestran en la siguiente tabla:

Carga en RL

Descarga RL

en

Carga en RC

Descarga en RC

Circuitos De Corriente Alterna: En el presente apartado se vern las caractersticas de los circuitos bsicos de CA Senoidal que estn formados por los componentes elctricos fundamentales: resistencia, bobina y condensador (ver previamente su comportamiento en DC). En cuanto a su anlisis, todo lo visto en los circuitos de corriente continua es vlido para los de alterna con la salvedad que habr que operar con nmeros complejos en lugar de con reales. Adems se debern tener en cuenta las siguientes condiciones:

Todas las fuentes deben ser sinusoidales y tener la misma frecuencia o pulsacin.

Debe estar en rgimen estacionario, es decir, una vez que los fenmenos transitorios que se producen a la conexin del circuito se hayan atenuado completamente.

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Todos los componentes del circuito deben ser lineales, o trabajar en un rgimen tal que puedan considerarse como lineales. Los circuitos con diodos estn excluidos y los resultados con inductores con ncleo ferromagntico sern solo aproximaciones.

Figura 8: Circuito Serie RL (a) y Diagrama Fasorial (b). Supongamos que por el circuito de la figura 8a circula una corriente

Como VR est en fase y VL adelantada 90 respecto a dicha corriente, se tendr:

Sumando fasorialmente ambas tensiones obtendremos la total V:

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Donde, y de acuerdo con el diagrama fasorial de la figura 8b, V es el mdulo de la tensin total:

Y el gualo que forman los fasores tensin total y corriente (ngulo de desfase):

Tringulo impedancia bobina.PNG

Figura 9: Tringulo De Impedancias De Un Circuito Serie RL. La expresin representa la oposicin que ofrece el circuito al paso de la corriente alterna, a la que se denomina impedancia y se representa Z:

En forma polar:

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Con lo que la impedancia puede considerarse como una magnitud compleja, cuyo valor, de acuerdo con el tringulo de la figura 9, es:

Obsrvese que la parte real resulta ser la componente resistiva y la parte imaginaria la inductiva.

Figura 10: Circuito Serie RC (a) y Diagrama Fasorial (b). Supongamos que por el circuito de la figura 10a circula una corriente

Como VR est en fase y VC retrasada 90 respecto a dicha corriente, se tendr:

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Tringulo impedancia condensador.PNG

Figura 11: Tringulo De Impedancias De Un Circuito Serie RC. La tensin total V ser igual a la suma fasorial de ambas tensiones,

Y de acuerdo con su diagrama fasorial (figura 10b) se tiene:

Al igual que en el apartado anterior la expresin impedancia, ya que

es el mdulo de la

Lo que significa que la impedancia es una magnitud compleja cuyo valor, segn el tringulo de la figura 11, es:

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Obsrvese que la parte real resulta ser la componente resistiva y la parte imaginaria, ahora con signo negativo, la capacitiva.

Figura 12: Circuito Serie RLC (a) y Diagrama Fasorial (b). Razonado de modo similar en el circuito serie RLC de la figura 12 llegaremos a la conclusin de que la impedancia Z tiene un valor de:

Siendo

En el diagrama se ha supuesto que el circuito era inductivo ( se pueden dar los siguientes casos:

), pero en general

: circuito inductivo, la intensidad queda retrasada respecto de la tensin (caso de la figura 12, donde es el ngulo de desfase).

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: circuito capacitivo, la intensidad queda adelantada respecto de la tensin. : circuito resistivo, la intensidad queda en fase con la tensin (en este caso se dice que hay resonancia).

UNIDAD III SEMICONDUCTORES


Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. MATERIALES SEMICONDUCTORES Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas. En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna. Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc.

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ESTRUCTURA ATMICA Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor que otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente elctrica son conductores. Analgicamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prcticamente tampoco el conductor perfecto. Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones. Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atmica. Los conductores son, generalmente, metales esto se debe a que dichos poseen pocos tomos en sus ltimas rbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios tomos de un metal, se acercan los electrones de su ltima rbita se desprenden y circulan desordenadamente entre una verdadera red de tomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente elctrica. Los aislantes, en cambio, estn formados por tomos con muchos electrones en sus ltimas rbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fcilmente y a no establecer una corriente de electrones. De ah su alta resistencia. Tambin existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la caracterstica de los anteriores, los semiconductores. Su caracterstica principal es la de conducir la corriente slo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras. Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrnica de estado slida est basada. La estructura atmica de dichos materiales presenta una caracterstica comn: est formada por tomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su ltima rbita), por lo que les es fcil ganar cuatro o perder cuatro. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

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Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta. Elemento Cd Grupo II B Electrones en la ltima capa 2 e3 e-

Al, Ga, B, In III A Si, C, Ge P, As, Sb Se, Te, (S)

IV A 4 eVA 5 e-

VI A 6 e-

TABLA 3.1 TABLA DE SEMICONDUCTORES El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp. III.1 GENERALIDADES Semiconductores intrnsecos: Es un cristal de silicio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos

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permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

FIGURA 3.2 REFRESENTACION GRAFICA DE UN SMICONDUCTOR INTRISECOS Semiconductores extrnsecos: Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

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FIGURA 3.3 SEMICONDUCTOR DE TIPO N (A) Y SEMICONDUCTOR DE TIPO P (B) SEMICONDUCTOR TIPO N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.

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Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero. SEMICONDUCTOR TIPO P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IVA de la tabla peridica) de los tomos vecinos se le une completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural. INCREMENTO DE SEMICONDUCTOR LA CONDUCTIVIDAD EN UN ELEMENTO

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos

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semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta. En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes mtodos: _Elevacin de su temperatura _Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina _Incrementando la iluminacin. Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la luz (LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES Nmero Atmico 48 5 13 31 49 14 32 15 33 Nombre Elemento Cd (Cadmio) B (Boro) Al (Aluminio) IIIa Ga (Galio) In (Indio) Si (Silicio) IVa Ge (Germanio) P (Fsforo) Va As (Arsnico) Metaloide No metal 5 e+3, -3, +5 Metaloide 4 e+4 Metal del Grupo en la Categora Tabla Peridica IIa Metal Metaloide Electrones en la Nmeros ltima rbita valencia 2 e3 e+2 +3 de

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51 16 34 52

Sb (Antimonio) S (Azufre) No metal Se (Selenio) Te (Telurio) VIa Metaloide 6 e+2, -2 +4, +6

TABLA 3.1 TABLA DE SEMICONDUCTORES MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de conduccin. Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto. Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P". 3.2 ENLACES Y CONECTIVIDAD ENLACE QUMICO Se define como la fuerza de unin que existe entre dos tomos, cualquiera que sea su naturaleza, debido a la transferencia total o parcial de electrones para adquirir ambos la configuracin electrnica estable correspondiente a los gases inerte; es decir, el enlace es el proceso por el cual se unen tomos iguales o diferentes para adquirir la configuracin electrnica estable de los gases inertes y formar molculas estables. ENLACE INICO El enlace inico es la fuerza electrosttica que mantiene unidos a los iones en un compuesto inico.

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CARACTERSTICAS DEL ENLACE INICO -Se rompe con facilidad obtenindose los iones que lo forman, generalmente basta disolver la sustancias. -Las substancias con enlaces inicos son solubles en solventes polares. FORMACIN DE LOS COMPUESTOS INICOS Resulta de las interacciones electrostticas entre iones, que a menudo resulta de la transferencia neta de uno o ms electrones de un tomo o grupo de tomos a otro, es decir, es la atraccin de iones con carga opuesta (cationes y aniones) en grandes nmeros para formar un slido. Ejemplo: un tomo de sodio (Na) fcilmente puede perder un electrn para formar el catin sodio, que se representa como Na+, un tomo de cloro puede ganar un electrn para formar el ion cloruro Cl -, Se dice que el cloruro de sodio (NaCl), la sal comn de mesa es un compuesto inico porque est formado por cationes y aniones. El Na+ es el Cation y el Cl es el anion NaCl.

FUGURA 3.4 COMPUESTO IONICO ENLACE COVALENTE Enlace covalente es el enlace en el que dos tomos comparten dos electrones. Caractersticas del enlace covalente -Es muy fuerte y se rompe con dificultad. -Si la diferencia de electronegatividades entre los 2 tomos es marcada, tenemos un enlace polar y se favorecer la solubilidad de la sustancia en solventes polares. Ejemplo: un enlace O-H -Si la diferencia de electronegatividades es poca, tenemos un enlace no polar y se favorecer la solubilidad de la sustancia en solventes no polares. Ejemplo: un enlace C-H o C-C.

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TIPOS DE ENLACES COVALENTES Los tomos pueden formar distintos enlaces covalentes; en un enlace sencillo, dos tomos se unen por medio de un par de electrones. En muchos compuestos se formar enlaces mltiples, es decir, enlaces formados cuando dos tomos comparten dos o ms pares de electrones. Si dos tomos comparten dos pares de electrones, el enlace covalente se denomina enlace doble. Un triple enlace surge cuando dos tomos comparten tres pares de electrones. FORMACIN DE LOS ENLACES COVALENTES Se forma cuando dos tomos comparten uno o ms pares de electrones. Este tipo de enlace ocurre cuando la diferencia de electronegatividades entre los elementos (tomos) es cero o relativamente pequea. El enlace covalente se representa con una lnea recta que une a los 2 tomos, por ejemplo: O-H. Veamos un caso simple de enlace covalente, la reaccin de dos tomos de hidrgeno para formar una molcula H2. Un tomo aislado de hidrgeno tiene la configuracin electrnica del estado fundamental 1s1, con la densidad de probabilidad para este nico electrn esfricamente distribuida en torno al ncleo del hidrgeno (figura 3.5).

FIGURA 3.5 MOLECULA DE H2 Cuando dos tomos de hidrgeno se acercan uno a otro, el electrn de cada tomo de hidrgeno es atrado por el ncleo del otro tomo de hidrgeno tanto por su propio ncleo (figura 3.6).

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FIGURA 3.6 ATRACCION DE LAS MOLECULAS DE HIDROGENO Si estos dos electrones tienen espines opuestos de forma que pueden ocupar la misma regin (orbital), ambos electrones pueden ocupar preferencialmente la regin entre los dos ncleos. Porque son atrados por ambos ncleos. (figura 3.7):

FIGURA 3.7 DOS ATOMOS DE H UNIDOS

Los electrones son compartidos entre los dos tomos de hidrgeno, y se forma un enlace covalente simple. Decimos que los orbtales 1s se solapan, as que ambos electrones ahora estn en los orbtales de los dos tomos de hidrgeno. Mientras ms se aproximan los tomos, ms cierto es esto. En este sentido, cada tomo de hidrgeno ahora tiene la Configuracin del helio 1s2. Otros pares de tomos no metlicos comparten pares electrnicos para formar enlaces covalentes. El resultado de esta comparticin es que cada tomo consigue una configuracin electrnica ms estable (frecuentemente la misma que la del gas noble ms prximo).

ENLACES COVALENTES POLARES Y NO POLARES Los enlaces covalentes pueden ser polares y no polares. En un enlace no polar tal como el de la molcula de hidrgeno, H2, el par electrnico es igualmente compartido entre los dos ncleos de hidrgeno. Ambos tomos de hidrgeno tienen la misma electronegatividad (tendencia de un tomo a atraer los electrones hacia s en un enlace qumico), es decir que los electrones compartidos estn igualmente atrados por ambos ncleos de hidrgeno y por

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tanto pasan iguales tiempos cerca de cada ncleo. En este enlace covalente no polar, la densidad electrnica es simtrica con respecto a un plano perpendicular a la lnea entre los dos ncleos. Esto es cierto para todas las molculas diatnicas homonucleares, tales como H2, O2, N2, F2 Y Cl2, porque los dos tomos idnticos tienen electronegatividades idnticas. Por lo que podemos decir: los enlaces covalentes en todas las molculas diatmicas Homonucleares deben ser no polares. Un enlace covalente polar, tal como el fluoruro de hidrgeno los pares electrnicos estn compartidos desigualmente. El enlace H-F tiene algn grado de polaridad ya que H y F no son tomos idnticos y por lo tanto no atraen igualmente a los electrones. La electronegatividad del hidrgeno es 2,1 y la del fluor es de 4,0, claramente el tomo F con su mayor electronegatividad, atrae el par electrnico compartido mucho ms fuertemente que H. La distribucin asimtrica de la densidad electrnica est distorsionada en la direccin del tomo ms electronegativo F. Este pequeo desplazamiento de densidad electrnica deja a H algo positivo. El HF se considera una molcula diatmica heteronuclear, ya que Contiene dos clases de tomo. LOS MOMENTOS DIPOLARES Los momentos dipolares asociados con enlaces individuales slo pueden medirse en molculas diatmicas simples. Ms que pares seleccionados de tomos, lo que se sujeta a medicin son molculas enteras. Los valores medidos de momentos dipolares reflejan las polaridades globales de las molculas. Para las molculas poliatmica son el resultado de todos los dipolos de enlace de las molculas. El momento dipolo de una molcula formada por tres o mas tomos est determinado tanto por la polaridad de sus enlaces como por su geometra. La presencia de enlaces polares no necesariamente significa que la molcula presente un momento dipolo. Por ejemplo el dixido de carbono (CO2) es una molcula triatmica, por lo que su geometra puede ser lineal o angular. Cuando la molcula es lineal; no tiene momento dipolo y, cuando la molcula es angular; tiene un momento dipolo. En este caso, el momento dipolo de la molcula completa es la resultante de los dos momentos de enlace, es decir, de los momentos dipolos individuales de los enlaces C = O. el momento de enlace es una cantidad vectorial, lo que significa que tiene tanto magnitud como direccin. El momento dipolo medido es igual a la suma vectorial de los momentos de enlaces.

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TABLA 3.2 MOMENTOS DIPOLOS PREDICCIN DEL TIPO DE ENLACE ELECTRONEGATIVIDAD DE PAULING. USANDO LA ESCALA DE

La escala ms usada para medir electronegatividades se basa en una desarrollada por Linus Pauling. El observ que cuando se combinan los tomos de diferentes electronegatividades, sus enlaces son ms fuertes de lo esperado. Se cree que son dos los factores que contribuyen a la fuerza del enlace. Uno de ellos es el enlace covalente entre los tomos. El otro es la unin adicional producida por una atraccin entre los extremos opuestamente cargados del enlace dipolo. La fuerza extra del enlace se atribuy entonces a la unin adicional y Pauling utiliz este concepto para desarrollar su tabla de electronegatividades. Cuando se tenga algn inters en conocer algo acerca de la polaridad de un enlace, tal vez dicho inters se base en la diferencia de las electronegatividades entre los dos tomos unidos por el enlace. Si la diferencia es pequea, el enlace ser relativamente no polar, pero si es grande, el enlace ser polar. Si la diferencia en la electronegatividad es muy grande, el par de electrones se concentrar casi en forma exclusiva alrededor del tomo ms electronegativo y el enlace ser inico. Se ve por consiguiente, que el grado del carcter inico del enlace, segn sea medido por la cantidad por la carga soportada de los tomos en cada extremo podr variar desde cero hasta un 100%, dependiendo de las electronegatividades de los tomos unidos. Por ltimo, vale la pena tomar nota de las tendencias de electronegatividad dentro de la tabla peridica. Se observar que los elementos ms electronegativos se encuentran en la parte superior derecha de la tabla; los menos electronegativos se encuentran en la parte

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inferior izquierda. Esto consiste con las tendencias de la energa de ionizacin (El) y de la afinidad electrnica (AE).

FRMULAS DE LEWIS PARA MOLCULAS E IONES POLIATMICOS. Las formulas de Lewis las usamos para mostrar los electrones de valencia en dos molculas simples. Describir formulas de Lewis es un mtodo de contar los electrones que es til para la primera aproximacin para sugerir esquemas de enlaces. Es importante saber que las formulas de puntos de Lewis solo muestran el nmero de electrones de valencia, el nmero y las clases de enlaces y el orden en que estn conectados los tomos. No intentan mostrar las formas tridimensionales de las molculas e iones poliatmicos. REGLA DEL OCTETO Se basa en que un tomo diferente del hidrgeno tienden a formar enlaces hasta que se rodea de ocho electrones de valencia, es decir, un enlace covalente se forma cuando no hay suficientes electrones para que cada tomo individual tenga el octeto completo. Al compartir electrones en un enlace covalente, los tomos individuales pueden completar sus octetos. La regla del octeto funciona principalmente para los elementos del segundo periodo de la tabla peridica. Estos elementos solo tienen subniveles 2s 2p, los cuales pueden contener un total de ocho electrones. Cuando un tomo de uno de estos elementos forma un compuesto covalente, pueden obtener la configuracin electrnica de gas noble [Ne] al compartir electrones con otros tomos del mismo compuesto.

LIMITACIONES DEL LAS REGLAS DE OCTETO PARA LAS FORMULAS DE LEWIS Las formulas de Lewis normalmente no se escriben para compuestos que contienen metales de transicin d y f. los metales de transicin d y f utilizan en el enlace orbtales s y p.

1.- La mayora de los compuestos covalentes del berilio, Be. Debido a que Be contiene solo dos electrones en la capa de valencia, habitualmente forma solo dos enlaces covalentes cuando se enlaza con otros dos tomos. Por lo tanto se usa cuatro electrones como el nmero necesario para Be en la etapa 2, en la etapa 5 y 6 se usa solo dos pares de electrones para Be.

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2.- La mayora de los compuestos covalentes de los elementos del Grupo IIIA, especialmente boro, B. Estos elementos contienen solo tres electrones en la capa de valencia, as que a menudo forman tres enlaces covalentes cuando se enlazan a otros tres tomos. Por lo tanto, se usa seis electrones como el nmero necesario para los elementos IIIA contiene solo tres electrones en la etapa 2; y en las etapas 5 y 6 se usa solo tres pares de electrones para los elementos IIIA. 3.- Los compuestos o iones que contienen un nmero impar de electrones ejemplos son NO, con 11 electrones en la capa de valencia, y NO2, con 17 electrones en la capa de valencia. 4.- Compuestos o iones en los que el elemento central necesita ms de ocho electrones en la capa de valencia para mantener todos los electrones disponibles, D. cuando uno se encuentra con esto, se aaden las reglas extra a las etapas 4 y 6.

Etapa 4a: si C, el numero de electrones compartidos, es menor que el nmero necesario para enlazar todos los tomos al tomo central, entonces C se aumenta el nmero de electrones necesario. Etapa 6a: si C debe aumentarse en la etapa 4a, entonces los octetos de todos los tomos podran satisfacerse antes de que todos los electrones D hayan sido aadidos. Colocar los electrones extra sobre el elemento central. 5.- Es la distribucin tridimensional de los tomos de una molcula. La geometra de una molcula influye en sus propiedades fsicas y qumicas, como el punto de fusin, punto ebullicin, la densidad y el tipo de reaccin en que puede participar. La geometra alrededor de un tomo central dado de una molcula, es aquella que hace mnima la repulsin de los pares de electrones, los usados para formar enlaces y los no usados que quedan como pares libres alrededor de cada tomo en la molcula. Para comprender cabalmente este principio, se debe saber que la estructura electrnica de molculas en base a la configuracin de octetos, necesariamente deja en libertad pares de electrones. Obviamente, estos pares, ubicados alrededor de un tomo que se considere central, deben situarse de manera que la repulsin electrosttica entre dos pares, sea mnima. As, lo primero es hacer un balance electrnico de la molcula en base a octetos, luego decidir cual tomo se considera central para luego analizar que pasa con los pares de electrones alrededor de ste. 6.- La teora de enlace de valencia es una teora aproximada para explicar el enlace por par de electrones o covalente con la mecnica cuntica. De acuerdo con la teora sobre enlace valencia, se forma un enlace entre dos tomos cuando se satisfacen las condiciones siguientes:

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Un orbital de en un tomo viene a ocupar una porcin de la misma regin del espacio que ocupa un orbital del otro tomo. Se dice que los dos orbtales se traslapan. Esto se explica ya que a medida que el orbital de un tomo se traslapa con el otro, los electrones en orbtales comienzan a moverse alrededor de ambos tomos. Debido a que los electrones a ambos ncleos a la vez, jalan juntos a los tomos. La fuerza del enlace depende de la cantidad de traslape; mientras mayor sea la sobreposicin mayor ser la fuerza de la unin.

El nmero total de electrones en ambos orbtales no es mayor a dos. Lo dos orbtales no pueden contener ms de dos electrones, porque en una regin dada del espacio solo pueden estar dos electrones (esto ocurre siempre y cuando si los espines de los electrones son opuestos).

A medida que el orbital de un tomo se traslapa con el orbital de otro, los electrones en los orbtales empiezan a moverse alrededor de ambos tomos. Debido a que los electrones son atrados a ambos ncleos a la vez, jalan juntos a los tomos. La fuerza del enlace depende de la cantidad de traslape; mientras mayor sea la sobreposicin mayor ser la fuerza de la unin. Los dos orbtales no pueden contener mas de dos electrones, porque en una regin dada del espacio solo pueden estar dos electrones (y eso solamente si los espines de los electrones son opuestos).

IMPORTANCIA DEL ENLACE QUMICO El enlace es la unin entre los tomos de un compuesto. La unin o enlace entre los tomos tiene su origen en la estructura electrnica de los mismos. La actividad qumica de los elementos radica en su tendencia a adquirir, mediante su unin con otros tomos, la configuracin de gas noble (ocho electrones en la capa ms externa, salvo el helio que slo tiene dos), que es muy estable. Es corriente distinguir tres tipos principales de enlaces qumicos: inico, covalente y metlico. Aunque dichos enlaces tienen propiedades bien definidas, la clasificacin no es rigurosa, existiendo una transicin gradual de uno a otro, lo que permite considerar tipos de enlace intermedios. Gracias a estos enlaces se forman los compuestos qumicos, por ejemplo la sal.

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Todas las sustancias pueden existir, al menos en principio, en los tres estados: slido, lquido y gaseoso. En un slido, las molculas se mantienen unidas en forma organizada con poca libertad de movimiento. En un lquido las molculas estn unida, pero no en una posicin tan rgida y se puede mover libremente. En un gas, las molculas estn separadas por distancias que son grandes en comparacin con el tamao de las molculas. Los tres estados de la materia pueden ser convertibles entre ellos sin que cambie la composicin de la sustancia. CONDUCTIVIDAD La conductividad es una variable que se controla en muchos sectores, desde la industria qumica a la agricultura. Esta variable depende de la cantidad de sales disueltas presentes en un lquido y es inversamente proporcional a la resistividad del mismo. Con los instrumentos convencionales, la medida de la conductividad se obtiene aplicando un voltaje entre dos electrodos y midiendo la resistencia de la solucin. Las soluciones con conductividad alta producen corrientes ms altas. Para contener la intensidad de la corriente en una solucin altamente conductiva, es necesario disminuir la superficie de la sonda o incrementar la distancia entre los polos. Por esta razn se deben usar sondas diferentes para rangos de medida diferentes. Slo el mtodo de 4 anillos puede medir distintos rangos usando una nica sonda. Las ventajas de este mtodo respecto al de dos puntas (mtodo ampermetrico) son numerosas: lecturas lineales en un amplio rango, sin ninguna polarizacin, y sin necesidad de limpiezas exhaustivas por las incrustaciones. DEFINICIN La conductividad se define como la capacidad de una sustancia de conducir la corriente elctrica y es lo contrario de la resistencia. La unidad de medicin utilizada comnmente es el Siemens/cm (S/cm), con una magnitud de 10 elevado a -6 , es decir microSiemens/cm (S/cm), o en 10 elevado a -3, es decir, miliSiemens (mS/cm). CONDUCTIVIDAD DEL AGUA Agua pura: 0.055 S/cm Agua destilada: 0.5 S/cm Agua de montaa: 1.0 S/cm Agua para uso domstico: 500 a 800 S/cm Mx. para agua potable: 10055 S/cm Agua de mar: 52 S/cm

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CONDUCTIVIDAD Y DUREZA DEL AGUA Utilizando medidores de conductividad o slidos disueltos, es posible obtener con muy buena aproximacin, el valor de la dureza del agua, incluso en grados franceses. La dureza del agua est determinada por la concentracin de carbonato de calcio (CaCO3), la que constituye el 90% aproximadamente de los slidos disueltos en el agus. La unidad de medicin de dureza ms comn es el grado francs (of), definido como: 1 f = 10 ppm de CaCO3 Dividiendo por 10 las medidas en ppm obtenidas con un medidor de slidos disueltos, se obtiene el valor de dureza del agua en of. Como se sealaba anteriormente, 1 ppm = 2 S/cm de conductividad, por lo tanto: 1 f = 20 S/cm Dividiendo por 20 las medidas en S/cm, se obtiene el valor de dureza del agua en grados franceses. IMPORTANTE: Las mediciones de dureza del agua por medio de conductivmetros o medidores de TDS deben ser realizadas antes de los tratamientos de descalcificacin del agua. De hecho, estos dispositivos sustituyen el calcio (carbonato) con el sodio, diminuyendo el grado de dureza del agua, sin variar las concentraciones de slidos disueltos. CONDUCTIVIDAD Y DUREZA DEL AGUA

ppm 0-70 70-150 150-250 250-320 320-420

S/cm 0-140 140-300 300-500 500-640 640-840

f 0-7 7-15 15-25 25-32 32-42 superior 42

Dureza muy blanda blanda ligeramente dura moderadamente dura dura muy dura

superior a 420 superior a 840

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Sector Artes grficas

Aplicacin Baos de calibracin, procesado de pelculas

Produccin de Limpieza y control de filtros en las instalaciones, dosificacin de la cerveza y levadura sal en la levadura Tratamiento de las aguas de entrada en las instalaciones, control de agotamiento de resinas de suavizacin, control de membranas osmticas Hidropona y sistemas de regado Control de prdidas en los intercambiadores de calor, control de la concentracin de soluciones cidas y alcalinas y de la concentracin de sales en procesos productivos de Intercambiadores inicos, redichos de sales en el agua de las calderas, control de prdidas en humedecedores y condensadores Soluciones de grabado qumico, cincado, baos galvnicos, enjuague en la elaboracin de semi-conductores Preparacin de los minerales, procesado de la bauxita Conservas vegetales, lixiviacin, salmueras, centrales azucareras, elaboracin de quesos

Desalinizacin

Dosificacin fertilizantes

Industria qumica

Generadores calor/calderas Galvnica Elaboraciones metlicas

Industria alimenticia

Industria textil, Tratamiento de aguas residuales, baos blanqueantes y detergentes, papelera, curtidos mordientes

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GENERALIDADES DE LA CONDUCTIVIDAD ELECTRICA La conductividad elctrica, se define como la capacidad que tienen las sales inorgnicas en solucin (electrolitos) para conducir la corriente elctrica. El agua pura, prcticamente no conduce la corriente, sin embargo el agua con sales disueltas conduce la corriente elctrica. Los iones cargados positiva y negativamente son los que conducen la corriente, y la cantidad conducida depender del nmero de iones presentes y de su movilidad. En la mayora de las soluciones acuosas, entre mayor sea la cantidad de sales disueltas, mayor ser la conductividad, este efecto contina hasta que la solucin est tan llena de iones que se restringe la libertad de movimiento y la conductividad puede disminuir en lugar de aumentas, dndose casos de dos diferentes concentraciones con la misma conductividad. Valores de conductividad de algunas muestras tpicas Temperatura de la muestra 25 C Agua ultrapura Agua de alimentacin a calderas Agua potable Agua de mar 5 % NaOH 50 % NaOH 10 % HCl 32 % de HCl 31 % HNO3 Conductividad, S/cm 0.05 1a5 50 a 100 53,000 223,000 150,000 700,000 700,000 865,000

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PRINCIPIOS La conductividad elctrica es el recproco de la resistencia a-c en ohms, medida entre las caras opuestas de un cubo de 1.0 cm de una solucin acuosa a una temperatura especificada. Esta solucin se comporta como un conductor elctrico donde se pueden aplicar las leyes fsicas de la resistencia elctrica. Las unidades de la conductividad elctrica son el Siemens/cm ( las unidades antiguas, eran los mhos/cm que son numricamente equivalentes al S/cm ). En la prctica no se mide la conductividad entre electrodos de 1 cm3 sino con electrodos de diferente tamao, rectangulares o cilndricos, por lo que al hacer la medicin, en lugar de la conductividad, se mide la conductancia, la cual al ser multiplicada por una constante ( k ) de cada celda en particular, se transforma en la conductividad en S/cm. Conductividad = Conductancia de la muestra * k k = d/A k: Constante de la celda d: distancia de la separacin de los electrodos A: Area de los electrodos As, un electrodo de 1 cm de separacin y con area de 1 cm , tendr una k = 1 La medicin elctrica se efecta mediante un puente de Wheastone para medir resistencias. Las resistencias R1 y R2 son fijas y su valor va de acuerdo al intervalo de conductividad que se pretende medir. La resistencia Rx es la que proporciona la solucin a la cual se le va a medir la conductividad. La resistencia R3 se vara en forma continua hasta poner en equilibrio el puente, de tal forma que no pase corriente hacia el medidor.

FIGURA 3.8 PUENTE DE WHEASTONE PARA MEDIR LA CONDUCTIVIDAD.

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III.3 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA La introduccin de la tecnologa de transmutacin de neutrones en los aos setenta del pasado siglo hizo posible la fabricacin de dispositivos semiconductores de potencia con tensiones de bloqueo de ms de 1.000 V. Slo esta tcnica permite producir silicio con la homogeneidad de dopado requerida. Por aquel entonces, en esta categora de tensiones el tiristor era el nico dispositivo cuya tecnologa se dominaba correctamente. Sin embargo, el nmero de aplicaciones era muy limitado, ya que este dispositivo no permita el corte de corriente en un instante cualquiera. En los aos ochenta y noventa se unieron al tiristor varios dispositivos con capacidad de corte: el tiristor de corte de puerta o GTO (Gate Turn-Off Thyristor) y, posteriormente, el transistor bipolar con puerta aislada o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y el tiristor conmutado con puerta integrada o IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). Estos dispositivos incrementaron notablemente el espectro de definiciones de tareas explotables eficientemente. Gracias a estos dispositivos, los accionamientos elctricos de velocidad variable en el rango de megavatios representan hoy da la ms avanzada tecnologa y sera imposible imaginar la transmisin de energa elctrica y los sectores de estabilizacin de redes, donde las aplicaciones alcanzan sobradamente el rango de los gigavatios, sin la existencia de soluciones basadas en componentes semiconductores de potencia. Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Durante los ltimos 10 a 15 aos, y a raz del rpido progreso alcanzado en la tecnologa de semiconductores, los interruptores de potencia de silicio se han convertido en dispositivos muy eficientes, fiables y de cmoda aplicacin. Estos dispositivos han arraigado firmemente en aplicaciones de alta tensin y alta intensidad para controlar potencias de salida de entre un megavatio y varios gigavatios. Los dispositivos semiconductores de potencia han puesto en marcha una revolucin tranquila, en el curso de la cual se estn perfeccionando soluciones electromecnicas mediante la adicin de electrnica de potencia, o incluso son sustituidas por completo por sistemas electrnicos de potencia.

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Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.

FIGURA 3.9 DIODOS

FIGURA 3.10 DIODOS DE CONMUTACION

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FIGURA 3.11 TIRISTORES Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO). Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales. El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos: Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro. El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

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Ahora veremos los tres bloques bsicos de semiconductores de potencia y sus aplicaciones fundamentales: Semiconductores de alta potencia Dispositivo Intensidad mxima

Rectificadores estndar o rpidos 50 a 4800 Amperios Transistores de potencia Tiristores estndar o rpidos GTO 5 a 400 Amperios 40 a 2300 Amperios 300 a 3000 Amperios

Aplicaciones: Traccin elctrica: troceadores y convertidores, Industria: Control de motores asncronos, Inversores, Caldeo inductivo, Rectificadores. Etc. Mdulos de potencia Dispositivo Mdulos de transistores Intensidad mxima 5 a 600 A. 1600 V.

SCR / mdulos rectificadores 20 a 300 A. 2400 V. Mdulos GTO IGBT 100 a 200 A. 1200 V. 50 a 300A. 1400V.

Aplicaciones: Soldadura al arco, Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI), Control de motores, Traccin elctrica.

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Semiconductores de baja potencia Dispositivo Intensidad mxima SCR Triac Mosfet 0'8 a 40 A. 1200 V. 0'8 a 40 A. 800 V 2 a 40 A. 900 V.

Aplicaciones: Control de motores, aplicaciones domsticas, Cargadores de bateras, Control de iluminacin, Control numrico, Ordenadores, etc.

FIGURA 3.12 APLICACIONES

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ENCAPSULADO DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA. Los encapsulados para semiconductores de potencia eran poco ms que contenedores para los dispositivos, en la actualidad se estn convirtiendo cada vez ms en el elemento limitador de los sistemas electrnicos de corrientes fuertes. Por lo tanto, la atencin de los desarrolladores se est centrando cada vez ms en los aspectos de diseo del encapsulado para abordar sus limitaciones. FORMAS DE ENCAPSULADO En el campo de las altas potencias se han establecido dos formas de encapsulado conceptualmente distintas: el mdulo aislado y el encapsulado de contacto a presin 1 . La principal diferencia entre ellos es que, en el primer caso, el circuito elctrico est separado galvnicamente del disipador trmico por un aislador cermico, mientras que en el diseo de contacto a presin la corriente circula verticalmente por todo el mdulo, es decir, tambin a travs del disipador trmico. Ambas formas de encapsulado son apropiadas fundamentalmente para los IGBT e IGCT. En la prctica, sin embargo, los IGCT slo se ofrecen en encapsulados de contacto a presin, mientras que los IGBT se fabrican en ambas variantes. El encapsulado aislado predomina actualmente en sistemas con bajas potencias de salida (generalmente por debajo de 1 MW), ya que el circuito se puede implementar con una menor complejidad mecnica y, por tanto, con menores costes. Por otro lado, el encapsulado de contacto a presin se prefiere por varias razones para potencias superiores a 10 MW. Aqu discutiremos las dos razones ms importantes: En los sistemas con potencias de salida muy altas, los semiconductores se han de conectar en paralelo y/o en serie. Para este ltimo caso, especialmente, los encapsulados de contacto a presin tienen una gran ventaja, ya que los mdulos se pueden disponer apilados y separados slo por disipadores trmicos. Un ejemplo son las instalaciones de transmisin de energa elctrica HVDC (corriente continua y alta tensin), en las que se conectan en serie hasta 200 mdulos. El encapsulado de contacto a presin debe utilizarse si la aplicacin requiere garantizar la circulacin ininterrumpida de corriente (por ejemplo, un inversor de una fuente de corriente, pero tambin todos los sistemas que han de responder al fallo de un semiconductor o a un fallo de control, descargando la energa del enlace de CC poniendo en circuito los semiconductores). En un encapsulado de contacto a presin, los polos metlicos se funden cuando falla un semiconductor, garantizado en consecuencia una va conductora de corriente con baja impedancia. Por otro lado, en el encapsulado aislado la corriente circula a travs de hilos de soldadura, que en caso de fallo pueden evaporarse dejando abierto el circuito.

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REQUISITOS DE LA TECNOLOGA DE ENCAPSULADO Crear un diseo de encapsulado es un desafo que comprende dos factores principales: Los semiconductores de potencia modernos operan con una disipacin continua de potencia de 100200 W/Cm2 de silicio. Esta densidad de potencia es (por rea de superficie) aproximadamente una magnitud mayor que la de una placa de cocina calentada a la mxima potencia. Esto impone extraordinarias exigencias a la tecnologa de encapsulado y a los materiales utilizados. El coeficiente de dilatacin trmica (CTE) del silicio es aproximadamente de cinco a diez veces menor que el de la mayora de los metales (Cu, Al) adecuados para acoplamiento elctrico y trmico. Esto significa que componentes vitales en el encapsulado (contactos de los hilos de conexin, soldaduras) estn sometidos a considerables esfuerzos termomecnicos durante los cambios de carga, lo que limita considerablemente su vida til. Como consecuencia de estos requisitos, no queda ms remedio que utilizar materiales caros y muy sofisticados. Formas comunes de encapsulado para semiconductores de alta potencia: Un mdulo aislado (3.13) y un mdulo de contacto a presin (3.14 muestra un IGCT tpico). En los mdulos de encapsulados aislados, el semiconductor f est aislado galvnicamente del disipador trmico. Los contactos elctricos dentro del mdulo se hacen con hilos soldados. En caso de fallo del dispositivo, los hilos tienden a vaporizarse y el mdulo deja de conducir.

FIGURA 3.13 MODULO DE ENCAPSULADO AISLADO. En los mdulos de contacto a presin, la corriente de carga entra por una superficie k y sale por la superficie opuesta. Las bajas resistencias elctrica y trmica de los contactos estn aseguradas por la alta presin mecnica aplicada sobre esas superficies. En caso de fallo, las piezas polares metlicas j se funden y la corriente puede seguir circulando por el mdulo.

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FIGURA 3.14 MODULO DE CONTACTO A PRESION

UNIDAD IV MATERIALES MAGNTICOS


El magnetismo es un fenmeno fsico por el que los materiales ejercen fuerzas de atraccin o repulsin sobre otros materiales. Hay algunos materiales conocidos que han presentado propiedades magnticas detectables fcilmente como el nquel, hierro, cobalto y sus aleaciones que comnmente se llaman imanes. Sin embargo todos los materiales son influenciados, de mayor o menor forma, por la presencia de un campo magntico.

Tambin el magnetismo tiene otras manifestaciones en fsica, particularmente como uno de los dos componentes de la onda electromagntica, como, por ejemplo, la luz. Cada electrn es por su naturaleza, un pequeo imn (vase Momento dipolar magntico electrnico). Ordinariamente, innumerables electrones de un material estn orientados aleatoriamente en diferentes direcciones, pero en un imn casi todos los electrones tienden a orientarse en la misma direccin, creando una fuerza magntica grande o pequea dependiendo del nmero de electrones que estn orientados.

Adems del campo magntico intrnseco del electrn, algunas veces hay que contar tambin con el campo magntico debido al movimiento orbital del electrn alrededor del ncleo. Este efecto es anlogo al campo generado por una corriente elctrica que circula

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por una bobina (ver dipolo magntico). De nuevo, en general, el movimiento de los electrones no da lugar a un campo magntico en el material, pero en ciertas condiciones, los movimientos pueden alinearse y producir un campo magntico total medible.

El comportamiento magntico de un material depende de la estructura del material y, particularmente, de la configuracin electrnica. Existen unos cuantos materiales que son magnticos de forma natural, o que tienen el potencial de convertirse en imanes. Algunos de estos materiales son: Hierro Hematita Magnetita Gases ionizados, (como el material del que estn hechas las estrellas )

Se puede hacer un imn para atraer objetos que contengan material magntico, como el hierro, aunque este no est magnetizado. Pero no se puede hacer un imn para atraer materiales plsticos, de algodn o de cualquier otro material, como roca de silicato, pues estos no son materiales magnticos. El que un material contenga hierro, o cualquier otro material magntico, no significa que sea un imn. Para que un material magntico se pueda convertir en un imn ha de tener condiciones especiales. Esto se debe a que un imn es un objeto de donde emana la fuerza del magnetismo. Historia Los fenmenos magnticos fueron conocidos por los antiguos griegos. Se dice que por primera vez se observaron en la ciudad de "Magnesia" en Asia Menor, de ah el trmino magnetismo. Saban que ciertas piedras atraan el hierro y que los trocitos de hierro atrados, atraan a su vez a otros. Estas se denominaron imanes naturales. El primer filsofo que estudi el fenmeno del magnetismo fue Tales de Mileto, filsofo griego que vivi entre 625 a. C. y 545 a. C. En China, la primera referencia a este fenmeno se encuentra en un manuscrito del siglo IV a. C. titulado Libro del amo del valle del diablo: La magnetita atrae al hierro hacia s o es atrada por ste. La primera mencin sobre la atraccin de una aguja aparece en un trabajo realizado entre los aos 20 y 100 de nuestra era: La magnetita atrae a la aguja.

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El cientfico Shen Kua (1031-1095) escribi sobre la brjula de aguja magntica y mejor la precisin en la navegacin empleando el concepto astronmico del norte absoluto. Hacia el siglo XII los chinos ya haban desarrollado la tcnica lo suficiente como para utilizar la brjula para mejorar la navegacin. Alexander Neckham fue el primer europeo en conseguir desarrollar esta tcnica, en 1187. El conocimiento del magnetismo se mantuvo limitado a los imanes, hasta que en 1820, Hans Christian Orsted, profesor de la Universidad de Copenhague, descubri que un hilo conductor sobre el que circulaba una corriente ejerca una perturbacin magntica a su alrededor, que llegaba a poder mover una aguja magntica situada en ese entorno.3 Muchos otros experimentos siguieron, con Andr-Marie Ampre, Carl Friedrich Gauss, Michael Faraday y otros que encontraron vnculos entre el magnetismo y la electricidad. James Clerk Maxwell sintetiz y explic estas observaciones en sus ecuaciones de Maxwell. Unific el magnetismo y la electricidad en un solo campo, el electromagnetismo. En 1905, Einstein us estas leyes para comprobar su teora de la relatividad especial, en el proceso mostr que la electricidad y el magnetismo estaban fundamentalmente vinculadas. El electromagnetismo continu desarrollndose en el siglo XX, siendo incorporado en las teoras ms fundamentales, como la teora de campo de gauge, electrodinmica cuntica, teora electrodbil y, finalmente, en el modelo estndar. Tipos de materiales magnticos Electromagnetos: Un electroimn es un imn hecho de alambre elctrico bobinado en torno a un material magntico, como el hierro. Este tipo de imn es til en los casos en que un imn debe estar encendido o apagado, por ejemplo, las grandes gras para levantar chatarra de automviles. Para el caso de corriente elctrica se desplazan a travs de un cable, el campo resultante se dirige de acuerdo con la "mano derecha regla." Si la mano derecha se utiliza como un modelo, y el pulgar de la mano derecha a lo largo del cable de positivo hacia el lado negativo ( "convencional actual", a la inversa de la direccin del movimiento real de los electrones), entonces el campo magntico recapitulacin de todo el cable en la direccin indicada por los dedos de la mano derecha. Como puede observarse geomtricamente, en caso de un bucle o hlice de cable est formado de tal manera que el actual es viajar en un crculo, a continuacin, todas las lneas de campo en el centro del bucle se dirigen a la misma direccin, lo que arroja un 'magntica dipolo ' cuya fuerza depende de la actual en todo el bucle, o el actual en la hlice multiplicado por el nmero de vueltas de alambre. En el caso de ese bucle, si los dedos de la mano derecha se dirigen en la direccin del flujo de corriente convencional (es decir, el positivo y el negativo, la direccin opuesta al flujo real de los electrones), el pulgar apuntar en la direccin correspondiente al polo norte del dipolo.

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Magnetos temporales y permanentes: Un imn permanente conserva su magnetismo sin un campo magntico exterior, mientras que un imn temporal slo es magntico, mientras que est situado en otro campo magntico. Inducir el magnetismo del acero en los resultados en un imn permanente sino de hierro pierde su magnetismo cuando la induccin de campo se retira. Un imn temporal como el hierro es un material adecuado para los electroimanes. Magnets son hechas por acariciar con otro imn, la grabacin, mientras que fija en un campo magntico opuesta dentro de un solenoide bobina se suministra con una corriente directa. Un imn permanente puede ser la remocin de los imanes de someter a la calefaccin, fuertes golpes o, colocarlo dentro de un solenoide se suministra con una reduccin de corriente alterna. IV.1.- INTRODUCCION A LOS MATERIALES MAGENTICOS El magnetismo, en el estado actual de la ciencia, se nos presenta como una propiedad general de la materia; es decir, cualquier sustancia en siempre activa frente a un campo magntico. Tal actividad se manifiesta porque al colocar un cuerpo en un campo magntico se pone en movimiento hacia las regiones de campos ms dbiles (cuerpos diamagnticos) o hacia las regiones de campos ms intensos (cuerpos paramagnticos). Existen sustancias, como las ferromagnticas, que son capaces de crear campos magnticos B en el espacio; es decir, producen fuerzas sobre corriente. A las sustancias que son capaces de producir campos magnticos sin que pasen por ellas corrientes libres (producidas por generadores), se le llama imanes permanentes. Se dice, en este caso, que la materia est imantada. Ampar tuvo la idea genial de explicar los fenmenos de los imanes, diciendo que por estos pasan unas corrientes internas no disipativas, las cuales son responsables de la produccin de los campos magnticos B. A estas corrientes se les llaman amperianas o internas. Hoy sabemos que las corrientes amperianas son a escala atmica, y que el momento cintico propio del electrn es el responsable principal de la imantacin de las sustancias. En lo que sigue, para analizar la influencia de las sustancias sobre el campo magntico en las que se introducen, es suficiente considerar la materia formada por un conjunto de espiras elementales situadas en el vaco. Las dems propiedades de los tomos resultan irrelevantes en lo que concierne a nuestro anlisis En algunos materiales, a los que llamaremos materiales magnticos, se observa que sus tomos o iones se comportan como si fuesen pequeos imanes que interactan entre s. En estos casos se dice que los tomos tienen un momento magntico diferente de cero, el cual se caracteriza por su magnitud y la direccin en la que est orientado. En lo sucesivo, a estos pequeos imanes los denominaremos espines magnticos o simplemente espines. Pero no todos estos materiales se comportan de la misma manera, debido a que sus propiedades magnticas dependen de dos factores. stos son: la magnitud de sus espines individuales, y

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la orientacin relativa de stos: Si los espines no tuviesen ninguna interaccin, ya sea entre ellos o con sus alrededores, entonces cada uno de ellos podra apuntar en cualquier direccin, puesto que no tendra preferencia alguna. Sin embargo, ste no es en general el caso: la orientacin que tomar cada uno de ellos depender del balance de varios factores que pueden resumirse en factores internos y externos. Como su nombre lo indica, los factores internos dependen de las caractersticas intrnsecas de cada material, esto es, del tipo de interacciones entre los espines. Por otro lado, los factores externos son los que estn relacionados con el ambiente, es decir, que dependen de la interaccin del sistema con sus alrededores. Como ejemplo de factores externos tenemos la posible existencia de un campo magntico producido por una fuente ajena al material, y por otro lado, de manera muy importante, la temperatura ambiental, ya que el medio ambiente funciona como una fuente de calor y agitacin para el material. Un ejemplo tpico de un material magntico, que todos conocemos, es el de los imanes permanentes. En este caso, una gran parte de los espines est alineada permanentemente en la misma direccin relativa. Y aunque el campo producido por cada uno estos espines es muy pequeo, al sumarse sus contribuciones individuales se produce un campo magntico que puede observarse macroscpicamente. En el otro extremo tenemos los materiales paramagnticos. En estos materiales los espines apuntan en direcciones totalmente azarosas, por lo que las contribuciones de los espines individuales tienden a anularse. Como consecuencia, a nivel macroscpico no se observa un campo magntico resultante. Sin embargo, existen localmente pequeos campos magnticos producidos por los espines, y un pequeo "imn de prueba" sentir las variaciones de este campo a lo largo del material. Interacciones entre los espines Las interacciones entre los espines son originadas por mecanismos diversos, algunos de los cuales no son del todo conocidos. Sin embargo, para nuestra discusin, nicamente es pertinente conocer el efecto de dichas interacciones, sin importar las causas que las originan. Lo que s es necesario sealar es que debido a un principio muy general de la naturaleza, la orientacin final de los espines ser aquella en donde la energa libre del sistema sea mnima. Para explicar a qu nos referimos, haremos una analoga entre un par de espines microscpicos y dos imanes permanentes. Esta analoga nos permitir hacernos una idea acerca de lo que sucede a nivel molecular.

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Si tomamos dos imanes permanentes, observaremos que los extremos de uno y otro se atraen o se repelen, debido a que cada uno de ellos tiene dos tipos de polos magnticos. Como consecuencia, si los ponemos en contacto veremos que tienden a alinearse de una cierta manera que resulta "natural" para ellos. Decimos entonces que los imanes han tomado su posicin de mnima energa, o de equilibrio. Si ahora tratamos de girar uno de ellos 180, veremos que necesitamos hacer un trabajo; esto es, dado que esta nueva posicin es de energa mayor que la anterior, necesitaremos suministrar energa para lograr y mantener esta nueva posicin, ya que en el momento en que dejemos de administrar esta energa extra, o sea, en cuanto dejemos de hacer fuerza para detener a los imanes y les permitamos girar libremente, stos cambiarn de direccin y se alinearn de nueva cuenta en su antigua direccin, esto es, regresarn a su estado de mnima energa. Algo similar sucede a nivel microscpico con los materiales a que nos hemos referido, nicamente que en vez de tener un par de imanes, tendremos un nmero del orden de 1023 pequeos imanes interactuando entre s. Entonces, cada par de espines tratar localmente de orientarse de la forma ms natural posible, es decir, de manera que la energa de ese par sea mnima. Como resultado de este proceso tenemos una gran diversidad de comportamientos en los diferentes materiales magnticos. Propiedades de los materiales magnticos Los materiales se clasifican de la siguiente manera de acuerdo con sus propiedades magnticas (vase la figura ): 1) Diamagnticos. Son aquellos materiales en los que sus tomos no tienen momento magntico resultante; debido a esto no pueden interactuar magnticamente con otros materiales. 2) Paramagnticos. Son materiales en los cuales los tomos s tienen momento magntico. Sin embargo, en ausencia de un campo magntico externo los espines individuales apuntan en direcciones diversas, de manera que sus contribuciones individuales se anulan; como consecuencia, no se observa un campo magntico resultante. Si se aplica un campo externo, entonces los espines se orientan ligeramente, dando como resultado una imantacin en la direccin del campo aplicado. Todos los materiales magnticos se comportan como paramagnetos cuando se encuentran a una temperatura alta; se dice entonces que se encuentran en su fase paramagntica. Este comportamiento se debe a que a temperaturas altas los factores externos dominan sobre los internos, por lo cual el tipo de interacciones entre los espines pierde importancia.

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3) Ferromagnticos. En estos materiales las interacciones entre los espines son tales, que stos tienden a alinearse paralelamente. Debido a esto, a temperaturas bajas, esto es, cuando los efectos internos son mucho ms importantes que los externos, hay en estos materiales una orientacin nica con la cual se reduce a su valor mnimo la energa del material. Esta orientacin corresponde a todos los espines que apuntan exactamente en la misma direccin. 4) Antiferromagnticos. En estos materiales, las interacciones entre los espines tienden a alinearlos antiparalelamente. Como resultado, a bajas temperaturas y en ausencia de un campo magntico externo, habr una configuracin nica de mnima energa. En este estado del sistema, todos los espines apuntan alternadamente hacia arriba y hacia abajo, y el material no exhibe magnetismo a nivel macroscpico. 5) Vidrios de espn. En este tipo de materiales encontramos que algunos pares de espines van a reducir su energa si se alinean paralelamente, mientras que otros lo van a hacer cuando sus posiciones sean antiparalelas. Dado que cada espn interacta con muchos otros espines, algunos de "sus compaeros" le pueden "pedir" que se alinee en una direccin y otros en otra. Una consecuencia ser que no todos los espines se puedan poner de acuerdo y que a temperaturas bajas no habr una, sino muchas configuraciones diferentes que correspondan a estados de energa mnima. Para cada una de estas configuraciones tenemos que no todos los pares de espines contribuyen a reducir la energa libre; entonces se dice que los pares que no contribuyen se encuentran frustrados. Por consiguiente toda configuracin de mnima energa contendr muchos pares frustrados,

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diferentes en cada caso, ya que no ser posible hacer que todos ellos contribuyan simultneamente a reducir la energa del sistema. Durante la dcada pasada y principios de sta, los vidrios de espn atrajeron el inters de muchos cientficos debido a que presentan propiedades para las cuales no se encontraba explicacin. Actualmente se entiende bastante bien su comportamiento, y se sabe que la frustracin desempea un papel central en ste. Todo el trabajo de investigacin realizado en este campo nos ha permitido entender otros problemas anlogos, que tienen en comn la presencia de frustracin; stos son los problemas complejos. Los vidrios espn sern el foco de nuestra atencin debido a la propiedad de que su energa libre posee muchos mnimos. Por tanto, ms adelante volveremos a tocar este tema para explicar con mayor detalle sus propiedades. Propiedades generales de los materiales magnticos Actualmente, el mbito de la teora del magnetismo es insuficiente para permitir la prediccin de las propiedades magnticas de los materiales a partir de consideraciones puramente tericas, aun conociendo con toda precisin la composicin del material. Esta insuficiencia de la teora no constituye un gran inconveniente, ya que aunque fuera posible tal prediccin, el proceso que ella entraase no sera suficientemente sencillo para tener utilidad. El proceso que suele seguirse para determinar las propiedades de las aleaciones magnticas, consiste en efectuar medidas de cada una de las propiedades, sobre muestras de cada clase de material fabricado. Frecuentemente, se hace algunas pruebas en molino, sobre muestras sacadas de cada lote al irlos fabricando. Los datos obtenidos se utilizan entonces para trazar curvas caractersticas del material en cuestin. Por ltimos, cuando se fabrica el material en diversas formas para destinarlo a elementos constitutivos de un dispositivo determinado, el funcionamiento del dispositivo o sus parmetros como elemento de circuito se suelen poder calcular a partir de dichas curvas caractersticas con precisin suficiente para la mayora de las cuestiones tcnicas. Los materiales ferromagnticos se caracterizan por uno o varios de los siguientes atributos: a) Pueden imantarse mucho ms fcilmente que los dems materiales. Esta caracterstica viene indicada por una gran permeabilidad. b) Tienen una induccin magntica intrnseca mxima muy elevada. c) Se imantan con una facilidad muy diferente segn sea el valor del campo magntico. Este atributo lleva a una relacin no lineal entre los mdulos de la induccin magntica y del campo magntico. d) Un aumento del campo magntico les origina una variacin de flujo diferente de la variacin que originaria una disminucin igual de campo magntico. Este atributo indica que las relaciones que expresan la induccin magntica y la permeabilidad como funciones del campo magntico, no son lineales ni uniformes.

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e) Conserva la imantacin cuando se suprime el campo magntico. f) Tiende a oponerse a la inversin del sentido de la imantacin una vez imantados. La importancia de algunas de estas caractersticas en las aplicaciones particulares de los materiales magnticos depende de las circunstancias que concurran en cada aplicacin. De entre los materiales de que se dispone, el hierro es el ms utilizado. Su permeabilidad es grande y su costo por unidad de peso es el ms bajo de todos los materiales ferromagnticos disponibles. En su forma comercialmente pura, se emplea frecuentemente en las estructuras de muchas maquinas. Tambin se emplea como elemento bsico en casi todas las aleaciones ferromagnticas. La aleacin producida en mayor cantidad es, probablemente, la compuesta por hierro esencialmente puro con un 1-4% de silicio, dependiendo este porcentaje del fin a que se destine el material. Dando a esta aleacin un tratamiento trmico adecuado, se obtiene un material que, comparando con el hierro, tiene mejores propiedades magnticas para campos magnticos dbiles y una resistividad mayor. Esta aleacin se lamina en chapas y flejes, principalmente de espesores comprendidos entre 0,35 y 0,635 mm, recocidos; en el lenguaje corriente se conoce con el nombre de chapa o fleje de acero al silicio. La chapa es muy conveniente para troquelarla en diversas formas utilizadas en la construccin de aparatos electromagnticos. Los aceros al silicio en chapa utilizados en la industria elctrica, se conocen entre los fabricantes de acero y los diseadores de aparatos elctricos, por nombres descriptivos. Las chapas del tipo de campo contienen entre y 1 % de silicio y tienen una resistividad de unos 16-cm. Este tipo se emplea para motorcitos baratos. Las chapas de tipo de inducido contiene entre y 1 % de silicio y tienen una resistividad de unos 19-cm. Este acero es relativamente blando y por tal razn, fcil de troquelar. Se emplea para piezas polares e inducidos de motores y generadores pequeos y en otros dispositivos en los que se precisan fuertes inducciones magnticas, sin ser de gran importancia las perdidas en el ncleo. Las chapas del tipo elctrico contienen alrededor de un 1% de silicio y tiene una resistividad de unos 26-cm. Este tipo se emplea muchos motores y generadores industriales de tamao no demasiado grande y rendimiento mediano y en transformadores, rels y otros dispositivos de trabajo intermitente. Las chapas del tipo de motor contienen un 2,5% de silicio y tienen una resistividad de unos 42-cm. Modelo matemtico de los sistemas magnticos Para poder predecir las propiedades de los materiales magnticos es necesario, primero, hacer un modelo o idealizacin que describa dichos materiales de una manera simple pero sin dejar de lado las caractersticas esenciales del sistema, y segundo, hacer los

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clculos pertinentes para ese modelo dentro del marco de la mecnica estadstica. Una vez que se han seguido estos dos puntos, se confrontan los resultados de los clculos matemticos con los resultados obtenidos experimentalmente. Esta comparacin nos permitir evaluar si el modelo logr captar las caractersticas fundamentales del sistema a estudiar, y nos aportar nuevos elementos que permitirn confirmar, modificar o desechar el modelo. Existen varios modelos para describir los materiales magnticos. Nosotros utilizaremos el llamado modelo de Ising, segn el cual los espines pueden orientarse nicamente a lo largo de dos direcciones: hacia arriba o hacia abajo. Para explicar la idea de este modelo, dividiremos mentalmente el material que queremos describir en bloques pequeos, de manera que en cada bloque se encuentre localizado un espn. Matemticamente, denotaremos al espn que se encuentra en el lugar i-simo por medio de la cantidad Si, la cual podr tornar dos valores: +1 si el espn apunta hacia arriba, y -1 si apunta hacia abajo. Llamaremos configuracin a cada uno de los posibles arreglos o combinaciones de estados de los espines (vase la figura 2). La funcin que representa la energa total del sistema se denomina hamiltoniana y est dada por la ecuacin: H= - S J ij S i S j - h S S i , (ij ) I (1)

en donde j es otro ndice mudo, esto es, toma (de uno por uno) todos los valores entre 1 y N; Jij representa la magnitud de la interaccin existente entre los espines i y j. Por otro lado, el smbolo S , presente en el primero y segundo trminos de la ecuacin (1), significa que debemos sumar, sobre todos los pares de espines y sobre todos los espines respectivamente.

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La ecuacin que acabamos de escribir nos dice lo siguiente: la energa total del material est dada por la suma de las energas de interaccin de cada uno de los pares de espines (i, j), ms la energa de acoplamiento del sistema con el campo magntico externo h. Es decir, si conocemos el valor de las interacciones {Jij}, el uso de esta ecuacin nos permitir calcular la energa total que corresponde a cualquier configuracin particular. Debe notarse que el valor de las interacciones entre los espines es fijo y depende del material; por otro lado, de acuerdo con el principio de mnima energa, los espines tienden a orientarse de manera que la energa total del sistema, representada por H, sea mnima. Si pudiramos dibujar el valor de H para cada uno de los estados posibles, tendramos una grfica en N dimensiones; en ella podramos observar que para algunos conjuntos de valores de {Si}, H toma valores muy altos, lo cual nos indica que dichas configuraciones sern muy poco probables debido a que tienen energas altas. De la misma manera, de acuerdo con este principio, las configuraciones o estados para los cuales H toma su valor mnimo son los estados ms naturales para el sistema. La figura 3 muestra de manera esquemtica el valor de H para diferentes configuraciones.

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El modelo de Ising puede ser utilizado, con mayor o menor xito, para describir cualquier tipo de material magntico, siempre y cuando el conjunto de interacciones {Jij} tomen los valores adecuados. Para facilitar esta explicacin, vamos a considerar el caso en que no hay ningn campo magntico externo; esto es, tomaremos h = 0. Si suponemos que la interaccin Jij toma un valor J, mayor que cero, cuando los espines localizados en los lugares i y j son contiguos, y vale cero en cualquier otro caso, entonces podemos observar lo siguiente: la configuracin {Si} para la cual H toma su mnimo valor posible, se da cuando todos los espines apuntan a lo largo de la misma direccin; esto es, cuando todos valen +1, o equivalentemente, si todos valen -1 (vase la ecuacin (1). Si el material se encuentra en este estado, entonces todos y cada uno de los pares contribuyen a reducir el valor de la energa. Ahora supongamos que Jij toma el valor -J, (con J>0), si los lugares i y j son vecinos, y el valor cero en cualquier otro caso. En esta ocasin, tenemos que el valor mnimo que H puede tomar corresponde al caso en que los espines apuntan en direcciones alternadas. Esto se representa matemticamente con Si = +1, Sj = -1, de manera que la contribucin de cada par( i, j), dada por el producto Jij X Si X Sj, tiene un valor mayor que cero, con lo cual dicho par contribuir a la reduccin de la energa. En los dos casos anteriores, si queremos construir mentalmente la configuracin de mnima energa, entonces tenemos que una vez escogida la direccin de uno de los espines, la direccin del resto quedar determinada.

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As, hemos visto que la ecuacin (1) describe materiales ferromagnticos o antiferromagnticos cuando las interacciones Jij tienen un valor mayor, o menor que cero, respectivamente. Pero, qu sucede si algunas interacciones tienen valores positivos y otros negativos? Como mencionamos anteriormente, existen algunos materiales en los cuales no es posible que todos los pares de espines contribuyan simultneamente a reducir su energa. Este es el caso de los vidrios de espn, los cuales pueden ser descritos con la ecuacin (1) si algunas interacciones Jij tienen valores positivos y otras valores negativos. Esta mezcla matemtica de interacciones positivas y negativas refleja el hecho de que a algunos pares les gusta alinearse paralelamente y a otros antiparalelamente. En estos materiales no podemos construir mentalmente una configuracin en la cual todos los pares de espines contribuyan a reducir la energa, ya que muy pronto llegaremos a contradicciones (vase la figura 1). Por esto no habr una configuracin nica, de energa mnima. La figura 1(a) muestra una de las seis posibles configuraciones de mnima energa para un sistema hipottico, compuesto de tan solo tres espines. En el caso de un material magntico con frustracin, el nmero de estados de energa mnima aumenta, muy rpidamente, en funcin del nmero de espines (para sistemas con frustracin). Y los materiales reales tienen del orden de 1023 espines. Pero si hay muchas configuraciones de energa mnima, cul de ellas ser la que "escoja" el sistema? Hacia cul de ellas evolucionar? En las secciones subsecuentes trataremos de dar respuesta a esta pregunta IV.2.- MOMENTO MAGNENTICO DE UN CAMPO En fsica, el momento magntico de un elemento puntual es un vector que, en presencia de un campo magntico (inherentemente vectorial), se relaciona con el torque de alineacin de ambos vectores en el punto en el que se sita el elemento. El vector de campo magntico a utilizarse es el B denominado como Induccin Magntica o Densidad de Flujo Magntico cuya magnitud es el Weber por metro cuadrado. Momento magntico de espn Los electrones y muchos ncleos atmicos tambin tienen momentos magnticos intrnsecos, cuya explicacin requiera tratamiento mecanocuntico y que se relaciona con el momento angular de las partculas. Son estos momentos magnticos intrnsecos los que dan lugar a efectos macroscpicos de magnetismo, y a otros fenmenos como la resonancia magntica nuclear.

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El momento magntico de espn es una propiedad intrnseca o fundamental de las partculas, como la masa o la carga elctrica. Este momento est relacionado con el hecho de que las partculas elementales tienen momento angular intrnseco o espn, para partculas cargadas eso lleva inevitablemente a que se comporten de modo similar a un pequeo circuito con cargas en movimiento. Sin embargo, tambin existen partculas neutras sin carga elctrica como el neutrn que sin embargo tienen momento magntico (de hecho el neutrn no se considera realmente elemental sino formado por tres quarks cargados). Momento magntico de algunas partculas elementales

Neutrn

Momento magntico del electrn El momento (dipolar) magntico de un electrn es:

Donde es el magnetn de Bohr, [la teora clsica predice que ; un gran xito de la ecuacin de Dirac fue la prediccin de que , que est muy cerca del valor exacto (que es ligeramente superior a dos; esta ltima correccin se debe a los efectos cunticos del campo electromagntico)]. es la constante de Plank racionalizada y S es el espn del electrn

4.3.- MOMENTO MAGNETICO ATOMICO En los tomos tenemos momentos magnticos asociados al movimiento orbital de los electrones pero tambin asociados al espn intrnseco de los mismos. El ncleo tambin tiene espn y por lo tanto momento magntico, pero a causa de su mayor masa el efecto resulta difcilmente observable. Consideraremos como momento magntico atmico el

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resultante de sumar (vectorialmente) los momentos magnticos orbitales e intrnsecos de sus electrones. La imanacin de un material paramagntico o ferromagntico puede relacionarse con los momentos magnticos permanentes de los tomos individuales o electrones del material. El momento magntico orbital de un electrn atmico pueden deducirse semiclasicamente, aunque es de origen mecnicocuntico. En efecto, consideremos una partcula de masa m y carga q que se mueve con velocidad v en un circulo de radio r, como muestra la siguiente figura. El modulo del momento angular de la partcula es L = mvr (1) El modulo del momento magntico es el producto de la corriente por el rea del circulo = IA = I r2 Si t es el tiempo durante el cual la carga completa una revolucin, la intensidad de la corriente (carga que pasa por un punto en la unidad de tiempo) es q/ T. Como el periodo T es igual a la distancia 2r dividida por la velocidad v, la intensidad es

I= = El momento magntico es, por lo tanto,

= IA =

= qvr (2)

Teniendo en cuenta que vr = L/m (ecuacin 1) resulta para el momento magntico =

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Si la carga q es positiva, el momento angular y el momento magntico tiene igual sentido. Podemos por lo tanto escribir:

L (3)

La ecuacin 3 es la relacin general clsica entre el momento magntico y el momento angular. Se cumple tambin en la teora cuntica del tomo para el momento angular orbital, pero no para el momento angular de espn intrnseco del electrn. Para el espn electrnico, el momento magntico es el doble que el previsto por esta ecuacin. El factor extra 2 en un resultado de la teora cuntica que no tiene analoga en la mecnica clsica. Como el momento angular esta cuantizado, el momento magntico de un tomo tambin lo est. En cuanto del momento angular es h = h/2, en donde h es la constante de Planck. Por lo tanto, podemos expresar el momento magntico en funcin de L/h: = Para un electrn, m=me y q=-e, de modo que el momento magnetico del electrn debido a su movimiento orbital es

MOMENTO MAGNETICO DEBIDO AL MOVIMIENTO ORBITAL DE UN ELECTRN (4) en donde

MOGNETN DE BOHR.

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es la unidad cuntica del momento magntico llamada magnetn de Bohr. El momento magntico de un electrn debido a su momento angular de espn intrnseco S es

s = MOMENTO MAGNTICO DEBIDO AL ESPN ELECTRNICO (6) Aunque el clculo del momento magntico de un tomo es un problema complicado en teora cuntica, el resultado para todos los electrones, de acuerdo con la teora y la experiencia, es que el momento magntico es del orden de unos pocos magnetones de Bohr. Para los tomos de momento angular neto nulo, el momento magntico neto es cero. Si todos los tomos o molculas de un material poseen alineados sus momentos magnticos, el momento magntico por unidad de volumen del material es el producto del nmero de molculas por unidad de volumen n y el momento magntico de cada molcula. En este caso lmite, la imanacin de saturacin

(7) El nmero de molculas por unidad de volumen puede determinarse a partir de la masa molecular M, la densidad del material p y el nmero de Avogadro NA :

(8)

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UNIDAD V DIELECTRICOS
V.1.-PERMITIVIDAD

La permitividad (o impropiamente constante dielctrica) es una constante fsica que describe cmo un campo elctrico afecta y es afectado por un medio. La permitividad del vaco es 8,8541878176x10-12 F/m. La permitividad est determinada por la tendencia de un material a polarizarse ante la aplicacin de un campo elctrico y de esa forma anular parcialmente el campo interno del material. Est directamente relacionada con la susceptibilidad elctrica. Por ejemplo, en un condensador una alta permitividad hace que la misma cantidad de carga elctrica se almacene con un campo elctrico menor y, por ende, a un potencial menor, llevando a una mayor capacitancia del mismo. Explicacin En electromagnetismo se define un campo de desplazamiento elctrico D, que representa cmo un campo elctrico E influir la organizacin de las cargas elctricas en el medio, por ejemplo, redistribucin de cargas y reorientacin de dipolos elctricos. La relacin de ambos campos (para medios lineales) con la permitividad es

Donde es un escalar si el medio es istropo o una matriz de 3 por 3 en otros casos. La permitividad, tomada en funcin de la frecuencia, puede tomar valores reales o complejos. Generalmente no es una constante ya que puede variar con la posicin en el medio, la frecuencia del campo aplicado, la humedad o la temperatura, entre otros parmetros. En un medio no lineal, la permitividad puede depender de la magnitud del campo elctrico. La unidad de medida en el Sistema Internacional es el faradio por metro (F/m). El campo de desplazamiento D se mide en culombios por metro cuadrado (C/m2), mientras que el campo elctrico E se mide en voltios por metro (V/m). D y E representan el mismo fenmeno, la interaccin entre objetos cargados. D est relacionado con las densidades de carga asociada a esta interaccin. E se relaciona con las fuerzas y diferencias de potencial involucrada. La permitividad del vaco , es el factor de

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escala que relaciona los valores de D y E en ese medio. es igual a 8.8541878176...10-12 F/m. Las unidades de en el Sistema Internacional de Unidades es farad por metro (F/m). En el Sistema Internacional de Unidades, la fuerza se mide en newtons (N), la carga en coulombs (C), la distancia en metros (m), y la energa en julios (J). Como en todas las ecuaciones que describen fenmenos fsicos, usar un sistema consistente de unidades es esencial. Permitividad del vaco La permitividad del vaco es el cociente de los campos D/E en ese medio. Tambin aparece en la ley de Coulomb como parte de la constante de fuerza de Coulomb, , que expresa la atraccin entre dos cargas unitarias en el vaco.

Donde c es la velocidad de la luz y 0 es la permeabilidad magntica del vaco. Estas tres constantes estn totalmente definidas en unidades del SI. Permitividades absoluta y relativa La permitividad de un material se da normalmente en relacin a la del vaco, denominndose permitividad relativa, (tambin llamada constante dielctrica en algunos casos). La permitividad absoluta se calcula multiplicando la permitividad relativa por la del vaco:

donde es la susceptibilidad elctrica del material. En la siguiente tabla se muestran las permitividades absolutas de algunos dielctricos: Material (pF/m) Material Caucho Madera (pF/m) de 20 a 50 de 10 a 60

Aceite mineral 19,5 Acetona Aire 191 8,84

Papel duro 49,5

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Agua destilada 81 Baquelita

PVC

de 30 a 40 de 40 a 60

de 50 a 80 Vidrio

La permitividad en los medios En el caso comn de un medio istropo, D y E son vectores paralelos y es un escalar, pero en medios anistropos, este no es el caso y es un tensor de rango 2 (lo que causa birrefringencia). La permitividad elctrica y la permeabilidad magntica de un medio determinan la velocidad de fase v de radiacin electromagntica dentro del mismo:

Cuando un campo elctrico es aplicado a un medio, una corriente fluye. La corriente total que discurre por un material real est, en general, compuesta de dos partes: una corriente de conduccin y una de desplazamiento. La corriente de desplazamiento puede pensarse como la respuesta elstica de un material al campo elctrico aplicado. Al aumentar la magnitud del campo elctrico, la corriente de desplazamiento es almacenada en el material, y cuando la intensidad del campo disminuye, el material libera la corriente. El desplazamiento elctrico se puede separar entre una contribucin del vaco y una del material:

Donde P es la polarizacin del medio y es la susceptibilidad elctrica. Se deduce que la permitividad relativa y la susceptibilidad de un material estn relacionadas, .

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V.2.-BOMBAS DE ENERGIA (TIPOS DE BOMBAS) Tipos de bombas Segn el principio funcionamiento de

La principal clasificacin de las bombas segn el funcionamiento en que se base: Bombas de desplazamiento positivo o volumtricas, en las que el principio de funcionamiento est basado en la Bomba de engranajes. hidroesttica, de modo que el aumento de presin se realiza Bomba de lbulos dobles. por el empuje de las paredes de las cmaras que varan su volumen. En este tipo de bombas, en cada ciclo el rgano propulsor genera de manera positiva un volumen dado o cilindrada, por lo que tambin se denominan bombas volumtricas. En caso de poder variar el volumen mximo de la Bomba centrfuga de 5 etapas. cilindrada se habla de bombas de volumen variable. Si ese Bomba rotodinmica axial. volumen no se puede variar, entonces se dice que la bomba es de volumen fijo. A su vez este tipo de bombas pueden subdividirse en

Bombas de mbolo alternativo, en las que existe uno o varios compartimentos fijos, pero de volumen variable, por la accin de un mbolo o de una membrana. En estas mquinas, el movimiento del fluido es discontinuo y los procesos de carga y descarga se realizan por vlvulas que abren y cierran alternativamente. Algunos ejemplos de este tipo de bombas son la bomba alternativa de pistn, la bomba rotativa de pistones o la bomba pistones de accionamiento axial. Bombas volumtricas rotativas o rotoestticas, en las que una masa fluida es confinada en uno o varios compartimentos que se desplazan desde la zona de entrada (de baja presin) hasta la zona de salida (de alta presin) de la mquina.

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Algunos ejemplos de este tipo de mquinas son la bomba de paletas, la bomba de lbulos, la bomba de engranajes, la bomba de tornillo o la bomba peristltica. Bombas rotodinmicas, en las que el principio de funcionamiento est basado en el intercambio de cantidad de movimiento entre la mquina y el fluido, aplicando la hidrodinmica. En este tipo de bombas hay uno o varios rodetes con labes que giran generando un campo de presiones en el fluido. En este tipo de mquinas el flujo del fluido es continuo. Estas turbomquinas hidrulicas generadoras pueden subdividirse en:

Radiales o centrfugas, cuando el movimiento del fluido sigue una trayectoria perpendicular al eje del rodete impulsor. Axiales, cuando el fluido pasa por los canales de los labes siguiendo una trayectoria contenida en un cilindro. Diagonales o helicocentrfugas cuando la trayectoria del fluido se realiza en otra direccin entre las anteriores, es decir, en un cono coaxial con el eje del rodete.

Segn el tipo de accionamiento Electrobombas. Genricamente, son aquellas accionadas por un motor elctrico, para distinguirlas de las motobombas, habitualmente accionadas por motores de explosin

Bombas neumticas que son bombas de desplazamiento positivo en las que la energa de entrada es neumtica, normalmente a partir de aire comprimido. Bombas de accionamiento hidrulico, como la bomba de ariete o la noria. Bombas manuales.

V.3 TERCERA LEY DE COULOMB La ley de Coulomb puede expresarse como: La magnitud de cada una de las fuerzas elctricas con que interactan dos cargas puntuales en reposo es directamente proporcional al producto de la magnitud de ambas cargas e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las separa.

Desarrollo de la ley Coulomb desarroll la balanza de torsin con la que determin las propiedades de la fuerza electrosttica. Este instrumento consiste en una barra que cuelga de una fibra capaz de torcerse. Si la barra gira, la fibra tiende a regresarla a su posicin original, con lo que conociendo la fuerza de torsin que la fibra ejerce sobre la barra, se puede determinar la fuerza ejercida en un punto de la barra.La ley de Coulomb tambin conocida como ley de

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cargas tiene que ver con las cargas elctricas de un material, es decir , depende de sus cargas sean negativas o positivas.

Variacin de la Fuerza de Coulomb en funcin de la distancia. En la barra de la balanza, Coulomb coloc una pequea esfera cargada y a continuacin, a diferentes distancias, posicion otra esfera tambin cargada. Luego midi la fuerza entre ellas observando el ngulo que giraba la barra. Dichas mediciones permitieron determinar que:

La fuerza de interaccin entre dos cargas y duplica su magnitud si alguna de las cargas dobla su valor, la triplica si alguna de las cargas aumenta su valor en un factor de tres, y as sucesivamente. Concluy entonces que el valor de la fuerza era proporcional al producto de las cargas: y

en consecuencia:

Si la distancia entre las cargas es , al duplicarla, la fuerza de interaccin disminuye en un factor de 4 (2); al triplicarla, disminuye en un factor de 9 (3) y al cuadriplicar , la fuerza entre cargas disminuye en un factor de 16 (4). En consecuencia, la fuerza de interaccin entre dos cargas puntuales, es inversamente proporcional al cuadrado de la distancia:

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Asociando ambas relaciones:

Finalmente, se introduce una constante de proporcionalidad para transformar la relacin anterior en una igualdad:

Enunciado de la ley La ley de Coulomb es vlida slo en condiciones estacionarias, es decir, cuando no hay movimiento de las cargas o, como aproximacin cuando el movimiento se realiza a velocidades bajas y en trayectorias rectilneas uniformes. Es por ello que es llamada fuerza electrosttica. En trminos matemticos, la magnitud de la fuerza que cada una de las dos cargas puntuales y ejerce sobre la otra separadas por una distancia se expresa como:

Dadas dos cargas puntuales y separadas una distancia repelen entre s con una fuerza cuya magnitud est dada por:

en el vaco, se atraen o

La Ley de Coulomb se expresa mejor con magnitudes vectoriales:

donde es un vector unitario que va en la direccin de la recta que une las cargas, siendo su sentido desde la carga que produce la fuerza hacia la carga que la experimenta.

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Al aplicar esta frmula en un ejercicio, se debe colocar el signo de las cargas q1 o q2 ,segn sean stas positivas o negativas. El exponente (de la distancia: d) de la Ley de Coulomb es, hasta donde se sabe hoy en da, exactamente 2. Experimentalmente se sabe que, si el exponente fuera de la forma , entonces .

Representacin grfica de la Ley de Coulomb para dos cargas del mismo signo. Obsrvese que esto satisface la tercera de la ley de Newton debido a que implica que fuerzas de igual magnitud actan sobre y . La ley de Coulomb es una ecuacin vectorial e incluye el hecho de que la fuerza acta a lo largo de la lnea de unin entre las cargas. Constante de Coulomb

La constante

es la Constante de Coulomb y su valor para unidades SI es donde es la permitividad relativa,

Nm/C. , y

A su vez la constante

F/m es la permitividad del medio en el vaco. Cuando el medio que rodea a las cargas no es el vaco hay que tener en cuenta la constante dielctrica y la permitividad del material. La ecuacin de la ley de Coulomb queda finalmente expresada de la siguiente manera:

La constante, si las unidades de las cargas se encuentran en Coulomb es la siguiente K = 9 * 109 * N * m2 / C2 y su resultado ser en sistema MKS (N / C) En cambio, si la unidad de las cargas estn en UES (q), la constante se expresa de la siguiente forma K = d * m2 / ues(q) y su resultado estar en las unidades CGS (D / UES(q))

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Verificacin experimental de la Ley de Coulomb Es posible verificar la ley de Coulomb mediante un experimento sencillo. Considrense dos pequeas esferas de masa "m" cargadas con cargas iguales que del mismo signo que cuelgan de dos hilos de longitud l, tal como se indica en la figura.

Sobre cada esfera actan tres fuerzas: el peso mg, la tensin de la cuerda T y la fuerza de repulsin elctrica entre las bolitas . En el equilibrio: Dividiendo (1) entre (1) y (2) miembro a (2). miembro, se obtiene:

Siendo

la separacin de equilibrio entre las esferas cargadas, la fuerza

de repulsin

entre ellas, vale, de acuerdo con la ley de Coulomb: cumple la siguiente igualdad: (3)

y, por lo tanto, se

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Al descargar una de las esferas y ponerla, a continuacin, en contacto con la esfera cargada , cada una de ellas adquiere una carga q/2, en el equilibrio su separacin ser y la

fuerza de repulsn entre las mismas estar dada por: Por estar en equilibrio, tal como se dedujo ms arriba: .

Y de modo similar se obtiene:

(4)

Dividiendo (3) entre (4), miembro a miembro, se llega a la siguiente igualdad:

(5) Midiendo los ngulos y y las separaciones entre las cargas verificar que la igualdad se cumple dentro del error experimental. y es posible

En la prctica, los ngulos pueden resultar difciles de medir, as que si la longitud de los hilos que sostienen las esferas son lo suficientemente largos, los ngulos resultarn lo bastante pequeos como para hacer la siguiente aproximacin:

Con esta aproximacin, la relacin (5) se transforma en otra mucho ms simple:

De esta forma, la verificacin se reduce a medir la separacin entre cargas y comprobar que su cociente se aproxima al valor indicado.

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Comparacin entre la Ley de Coulomb y la Ley de la Gravitacin Universal Esta comparacin es relevante ya que ambas leyes dictan el comportamiento de dos de las fuerzas fundamentales de la naturaleza mediante expresiones matemticas cuya similitud es notoria. La ley de la gravitacin universal establece que la fuerza de atraccin entre dos masas es directamente proporcional al producto de las mismas e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las separa.

Expresndolo matemticamente: siendo la constante de gravitacin universal, y las masas de los cuerpos en cuestin y r la distancia entre los centros de las masas. vale 6,6710-11 Nm2/kg2. A pesar del chocante parecido en las expresiones de ambas leyes se encuentran dos diferencias insoslayables. La primera es que en el caso de la gravedad no se han podido observar masas de diferente signo como sucede en el caso de las cargas elctricas, y la fuerza entre masas siempre es atractiva. La segunda tiene que ver con los rdenes de magnitud de la fuerza de gravedad y de la fuerza elctrica. Para aclararlo analizaremos como actan ambas entre un protn y un electrn en el ncleo de hidrgeno. La separacin promedio entre el electrn y el protn es de 5,310-11 m. La carga del electrn . Sustituyendo los datos: y la del protn valen y y

respectivamente y sus masas son

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Al comparar resultados se observa que la fuerza elctrica es de unos 39 rdenes de magnitud superior a la fuerza gravitacional. Lo que esto representa puede ser ilustrado mediante un ejemplo muy llamativo. 1 C equivale a la carga que pasa en 1 s por cualquier punto de un conductor por el que circula una corriente de intensidad 1 A constante. En viviendas con tensiones de 220 Vrms, esto equivale a un segundo de una bombilla de 220 W (120 W para las instalaciones domsticas de 120 Vrms). Si fuera posible concentrar la mencionada carga en dos puntos con una separacin de 1 metro, la fuerza de interaccin sera:

, o sea, 916 millones de kilopondios, o el peso de una masa de casi un milln de toneladas (un teragramo)! Si tales cargas se pudieran concentrar de la forma indicada ms arriba, se alejaran bajo la influencia de esta enorme fuerza, aunque tuvieran que arrancarse del acero slido para hacerlo! Si de esta hipottica disposicin de cargas resultan fuerzas tan enormes, por qu no se observan despliegues dramticos debidos a las fuerzas elctricas? La respuesta general es que en un punto dado de cualquier conductor nunca hay demasiado alejamiento de la neutralidad elctrica. La naturaleza nunca acumula un Coulomb de carga en un punto. V.4.-POLARIZACIN DE UN DIELCTRICO Efecto de un campo elctrico sobre un dielctrico, comenzando por precisar que existen dos tipos de sustancias dielctricas una de ellas caracterizada porque las cargas elctricas, en cada una de sus molculas, se encuentran distribuidas simtricamente, de forma tal que el centro de simetra de las cargas positivas coincide con el centro de las cargas elctricas negativas, llamndose estas molculas no polares; mientras que el otro tipo est caracterizado porque la distribucin de la electricidad en sus molculas no es simtrica, es decir, que el centro de simetra de las cargas elctrica positivas no coincide con el centro de simetra de las cargas elctricas negativas y, por consiguiente cada molcula constituye un dipolo elctrico y recibe el nombre de molcula polar. Si suponemos que las molculas no son polares e imaginamos que el dielctrico se encuentra entre dos placas metlicas cargadas respectivamente de electricidad positiva y negativa, entonces la distribucin de la electricidad pierde su simetra en todas sus molculas, dirigindose las cargas elctricas negativas hacia la parte superior y las cargas

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positivas hacia la parte inferior, de tal forma que cada molcula se convierte en un dipolo elctrico. En estas condiciones decimos que el dielctrico est polarizado. En el caso de tratarse de molculas polares, los dipolos elctricos, que existen en cada molcula, en el caso de que no se encuentren en un campo elctrico, estn distribuidos con orientaciones distintas. Si ahora suponemos que el dielctrico se encuentra en un campo elctrico entonces las fuerzas del mismo dan lugar a un cambio de orientacin de los dipolos que, sin embargo, no adquieren orientaciones paralelas, como ocurra anteriormente. No obstante, las cargas elctricas negativas se encuentran siempre en la parte superior de los respectivos dipolos, mientras que las positivas se encuentran en la parte inferior. Luego, tanto en un caso como en otro, en al parte prxima a la placa positiva la superficie del dielctrico se encuentra cargada negativamente. Por otro lado, en el interior del dielctrico las cargas elctricas positivas de los dipolos se neutralizan con las negativas de los inmediatos, de manera que, en definitiva, la presencia del campo elctrico da lugar a que en la superficie del dielctrico existan cargas elctricas; pero no varia la carga elctrica total en el interior del mismo. La polarizacin elctrica de un material en una magnitud vectorial definida como el momento dipolar elctrico por unidad de volumen. Por tanto, si p es el momento dipolar inducido en cada tomo o molcula y n el nmero de tomos o molculas por unidad de volumen, la polarizacin es: P=pn en general la polarizacin elctrica tiene la misma direccin que el campo elctrico aplicado. Campo creado por un dielctrico polarizado; densidades de carga superficial y volmica de polarizacin. Vector desplazamiento. Un dielctrico polarizado tiene cargas sobre su superficie y, a menos que su polarizacin sea uniforme, tambin en su volumen. Estas cargas de polarizacin, sin embargo, estas cargas estn ligadas a un tomo especfico o a molculas y no tienen libertad de moverse por el dielctrico. Consideremos un bloque de material dielctrico situado entre dos placas conductoras paralelas, que tienen las mismas cargas libres pero de signo contrario. La densidad de carga superficial en la placa de la izquierda es +o libre y la de la derecha es -o libre. Estas cargas producen un campo elctrico que polariza el bloque de modo que aparecen cargas de polarizacin en cada una de sus superficies. Estas cargas de polarizacin tienen signo contrario a las de la placa que est a su lado. Por tanto, las cargas de polarizacin del

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dielctrico equilibran parcialmente a las cargas libres de las placas. Si P es la polarizacin del bloque, la densidad de carga superficial en la cara izquierda es o pol = - P , mientras en la derecha es o pol = + P. La densidad de carga superficial neta o efectiva es: o = o libre + o pol o = o libre - P con el resultado opuesto en el lado derecho. Estas cargas netas superficiales dan lugar a un campo elctrico uniforme que est dado por E = o / Eo . As, usando el valor efectivo de la o , tenemos: E = 1 / Eo (o libre - P) o libre = Eo E + P Expresin que relaciona las cargas libres de la superficie de un conductor rodeado por un dielectrico con el campo elctrico y la polarizacin de este. En el caso que estamos analizando E y P son vectores que tienen la misma direccin, pero en general sus direcciones pueden ser distintas. El resultado anterior sugiere la introduccin de un nuevo campo vectorial, conocido como desplazamiento elctrico y definido como: D = Eo E + P Extensin de la ley de Gauss para los dielctricos. Susceptibilidad elctrica y constante dielctrica. Relacin entre campo externo y vector polarizacin a travs de la susceptibilidad elctrica (ecuacin constitutiva). Materiales lineales, homogneos e istropos: clasificacin en funcin del comportamiento de la susceptibilidad y la constante dielctrica. En general el vector de polarizacin resultante P es proporcional al campo elctrico aplicado E. De aqu que se acostumbre escribir: P =Eo E X La magnitud X se conoce como susceptibilidad elctrica del material. No tiene dimensiones. Para la mayora de las sustancias es una cantidad positiva. Para los casos en que la ecuacin anterior es vlida podemos escribir: D = Eo E + Eo X E = (1 + X) Eo E = E E donde el coeficiente E = (1 + X) Eo

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Se conoce como permitividad elctrica del medio y se expresa en las mismas unidades que Eo, es decir: m^-3 Kg^-1 s^2 C^2. Cuando la relacin D = E E es vlida para un medio podemos escribir la ecuacin como: Qlibre = E E dS Si E es constante: E dS = Qlibre / E Al comparar esta ecuacin con la ley de Gauss vemos que el efecto del dielctrico en el campo elctrico consiste en sustituir Eo por E , si slo se toman en cuenta las cargas libres. Como usualmente E es mayor que Eo la presencia del dielctrico reduce la interaccin entre las cargas debido al efecto pantalla producido por la polarizacin de las molculas del dielctrico. La susceptibilidad elctrica, que describe la respuesta de un medio a la accin de un campo elctrico externo, est relacionada con las propiedades de los tomos y molculas del medio. Por esta razn la susceptibilidad elctrica es diferente para campos elctricos estticos y oscilantes. Dentro de la variedad de comportamientos de los dielctricos reduciremos nuestra descripcin a aquellos cuya polarizacin es aproximadamente lineal, es decir, proporcional al campo electroesttico, y en la misma direccin de ste, lo cual significa que la proporcionalidad es la misma en todas las direcciones, o que el material es isotrpico. Normalmente se utilizan dielctricos homogneos, aunque sean varios, pero cada uno de ellos con caractersticas iguales en todos sus puntos. Dichas caractersticas se resumen en la susceptibilidad elctrica. Contribucin a la polarizacin de un material dielctrico: Polarizacin inducida, polarizacin dipolar y polarizacin inica. Polarizacin inducida: Los procesos de polarizacin de tipo elctrico e inico son, en esencia, muy similares. La polarizacin electrnica se originase origina como consecuencia de la deformacin elstica de la nube electrnica que rodea a los ncleos atmicos, mientras que la polarizacin inica se debe al desplazamiento elstico de los iones que componen la molcula. En ambos casos se produce un dipolo inducido al aplicar el campo elctrico, de donde resulta el nombre de POLARIZACIN INDUCIDA. Tratndose de cargas elctricas su desplazamiento bajo la accin del campo es prcticamente instantneo. Polarizacin electrnica: sta surge como consecuencia del desplazamiento de la nube de los tomos o iones respecto del ncleo al aplicar un campo elctrico. Este hecho hace que le

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centro de gravedad de la carga negativa se desplace respecto del centro de gravedad de la carga positiva, originndose como consecuencia un momento dipolar inducido (Uind). Polarizacin Inica: La polarizacin inica est asociada a la variacin del momento dipolar permanente formado por las parejas de iones de signo opuesto que componen una molcula. En el caso ms general, esta variacin puede consistir en el cambio de la distancia de equilibrio. Polarizacin Dipolar: En ausencia de campo elctrico las molculas polares de un gas en equilibrio trmico estn orientadas al azar. Al aplicar el campo elctrico existe una orientacin preferencial de los dipolos moleculares en la direccin del campo. A este tipo de polarizacin se le denomina polarizacin dipolar. A diferencia de los otros mecanismos de polarizacin electrnica y atmica, la polarizacin dipolar depende fuertemente de la temperatura del sistema. V.5.- CLASIFICACIN DE LOS DIELCTRICOS Los dielctricos se clasifican en dos grupos principales: dielctricos polares y dielctricos no polares. Influencia de un campo elctrico en un dielctrico tipo polar Las molculas de algunos dielctricos tienen la propiedad de que la distribucin interna de sus cargas no es simtrica. En estos casos la parte positiva y negativa de cada molcula estn separadas una de otra. Si al dielctrico se le aplica un campo elctrico, estas molculas llamadas dipolos, no se desplazan como lo hacen lo electrones en lo metales, sino que se orientan segun el campo aplicado. Con esta situacin se dice que el dielctrico ha sido polarizado. Cuando el campo elctrico desaparece, las molculas vuelven a su estado original. Influencia de un campo elctrico en un dielctrico tipo no polar

Este tipo de dielctrico est constituido por molculas simtricas, desde el punto de vista de distribucin de cargas. Cuando se aplica un campo elctrico intenso a este dielctrico, las molculas se transforman en dipolos orientados segn el campo aplicado.

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En este tipo de polarizacin, cuando el campo elctrico desaparece, las molculas recobran simetra anterior. De forma similar al caso de la polarizacin de un conductor, la polarizacin de un dielctrico es producida por la energa transportada por el campo elctrico.

UNIDAD VI SUPERCONDUCTORES.
La conductividad elctrica de un material, y especficamente de un metal, es una propiedad de la materia que palpamos cotidianamente. En efecto, cuando conectamos cualquier aparato elctrico, un radio, un tostador, la plancha o encendemos la luz, permitimos que la corriente elctrica fluya a travs de los cables que tiene el aparato. Los cables se fabrican por lo comn de un metal rojizo que en realidad es una aleacin con un alto contenido de cobre. Se usa cobre porque es buen conductor de la corriente elctrica. Tambin el oro y la plata son buenos conductores, pero demasiado costosos para utilizarlos comercialmente. Pero tomemos al cobre como ejemplo de buen conductor. Cul es la caracterstica de este metal que le permite conducir fcilmente la corriente elctrica? Recordemos que la estructura de elementos metlicos como el cobre, la plata, el aluminio, etc., permite la existencia de electrones que no estn firmemente ligados a los ncleos de los tomos metlicos. Estos electrones pueden visualizarse como si estuvieran brincando o inmigrando de un tomo a otro del metal y, por lo tanto, ocupan un volumen mayor que el de los electrones firmemente ligados a los ncleos. As pues, cuando un trozo de metal se somete a una diferencia de potencial elctrico los electrones que entran al metal por la terminal negativa producen un desplazamiento o corriente de los electrones no localizados, de manera que por cada carga que entra al conductor una cantidad equivalente sale por la terminal positiva. Esto produce la imagen de que existe un flujo de carga elctrica a travs del metal y eso es lo que comnmente denominamos corriente elctrica. Sin embargo, este desplazamiento de cargas no ocurre libremente. Los electrones no localizados encuentran obstculos en su camino que son los propios ncleos del metal, junto con los electrones fuertemente ligados a ellos. La resistencia que oponen los ncleos al paso de los electrones no localizados se manifiesta en el hecho de que, al fluir los primeros, el metal se calienta. Si quisiramos visualizar este fenmeno de una manera ms simple, podramos imaginar a los ncleos metlicos, mucho ms masivos que los electrones, como un conjunto de obstculos rgidos dispuestos de manera regular en el espacio. Los electrones no localizados, al ser impulsados por la diferencia de potencial externo, tratan de pasar a travs de ellos sufriendo infinidad de choques.

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En cada choque, el electrn cede parte de su energa cintica al ncleo que vibra como un resorte alrededor de su posicin. Estas vibraciones reflejan la energa perdida por las colisiones de los electrones con los ncleos y se manifiestan en forma de calor. Nosotros los percibimos al notar que al paso de la corriente el metal se calienta. Esta descripcin sugiere entonces que, si enfriamos los conductores metlicos, el paso de los electrones no localizados entre los ncleos encontrar menos resistencia y por consiguiente fluirn con mayor agilidad. Y en efecto, esta propiedad se corrobora en el laboratorio. La conductividad de un metal aumenta si disminuimos la temperatura. Tambin nos podemos preguntar si esta disminucin tiene un lmite, esto es, si debajo de una cierta temperatura la resistencia que opone el metal al paso de la corriente, o sea de los electrones no localizados, ya no disminuye. Estas cuestiones constituan un continuo dolor de cabeza para los fsicos tericos a fines del siglo pasado. Dentro del esquema de la fsica clsica, imaginar la corriente elctrica como causada por el flujo de un "gas de electrones" a travs de una malla formada por los ncleos fijos en sus posiciones, era atractivo. No obstante su simplicidad, tal planteamiento es incorrecto. En efecto, considerando el metal como un conjunto de electrones y de ncleos, de acuerdo con la teora cintica de la materia, la inercia trmica del metal, esto es, su capacidad calorfica, deba tener un cierto valor que no concordaba con el experimental. Por otra parte, la conductividad elctrica misma, definida como la capacidad del metal para dejar pasar los electrones resulta ser, a temperaturas normales, 20C, inversamente proporcional a la temperatura, en tanto que este modelo, el gas de electrones, predeca que debera variar como uno entre la raz cuadrada de la temperatura. La situacin aqu descrita era la que prevaleca en 1905-1911. Para entonces, el gran fsico holands H. Kamerlingh Onnes ya haba revolucionado la tecnologa de las bajas temperaturas y en 1908 haba logrado licuar el gas helio alcanzando la temperatura rcord de 267.8 C en el laboratorio. Instigado por la curiosidad de averiguar si en efecto la conductividad

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de los metales decreca sin lmites con la temperatura, en 1911 dio a conocer a la comunidad cientfica un descubrimiento sorprendente. Usando mercurio para sus experimentos, encontr que la resistencia elctrica del metal medida en ohmios caa prcticamente a un valor igual a cero por debajo de una temperatura aproximadamente igual a 4.2 K. En la figura 2 se ilustra el flujo de electrones (crculos blancos) a travs de una malla cristalina. Los iones pesados (crculos negros) actan como "centros disipadores". La corriente elctrica es el desplazamiento efectivo de los electrones durante un tiempo dado.

Este descubrimiento sorprendente marc el inicio de toda una rama de la fsica de bajas temperaturas conocida ahora como superconductividad. La propiedad que encontr Onnes en el mercurio se ha logrado verificar hasta hoy en da en ms de la mitad de los metales conocidos. Estos incluyen los llamados metales simples, aluminio, galio, indio y talio, estao, plomo y, tambin, un grupo grande de los llamados metales de transicin, que incluyen al titanio, vanadio, zirconio, niobio, molibdeno y otros conocidos como tierras raras. Curiosamente, no existen metales superconductores monovalentes ni tampoco hexavalentes. Para cada uno de los metales sealados existe una temperatura caracterstica a la cual el valor residual de la resistencia elctrica se hace cero. Para el mercurio es de 4.26 K. El niobio exhibe la ms alta entre los metales puros, 9.2 K. A esta temperatura caracterstica de cada metal se le conoce como temperatura de transicin. La transicin superconductiva ocurre dentro de un intervalo de 0.001 K alrededor de la temperatura de transicin, razn por la cual se puede medir con mucha precisin. Pero la superconductividad no es slo una propiedad caracterstica de algunos metales. Hoy en da se conocen ms de mil aleaciones y otros compuestos que exhiben esta propiedad. La temperatura de transicin es usualmente mayor que para los metales puros. Algunos ejemplos estn dados en la tabla 1.

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TABLA 1. Algunas aleaciones superconductoras Aleacin Nb3-Ge Nb3Sn Nb3Al NbSn V3Si V3Ga Nb-N Temperatura de transicin 23.3 18.07 18.0 17.91 16.3 15.3 16

Curiosamente, existen tambin aleaciones que exhiben la transicin superconductora sin que ninguno de los elementos integrantes sea un superconductor. Ejemplos de ellos son el B3 Sr con una temperatura de transicin de 5.62 K y una aleacin de platino antimonio (PtSb), cuya temperatura de transicin es de 21 K. Qu quiere decir que la resistencia de un conductor sea nula? Si pensamos ingenuamente en el modo de los electrones no localizados como aquel que proporciona un mecanismo adecuado para describir la conduccin en un metal, esto implicara que la conductividad elctrica es infinita. En trminos ms simples, significa que debajo de la temperatura de transicin los electrones no localizables no encuentran resistencia alguna a su paso por la malla metlica. Pero tal resultado tiene ciertas consecuencias. De acuerdo con nuestros conocimientos elementales de electricidad, la resistencia que presenta al paso de la corriente un conductor metlico es igual al campo elctrico aplicado dividido entre la corriente, si sta es diferente de cero y la resistencia es nula, el campo elctrico debe ser cero. El resultado, a su vez, nos dice algo ms. De acuerdo con las ecuaciones que gobiernan al campo electromagntico, establecidas por Maxwell antes de finalizar el siglo XIX, si en un medio material el campo elctrico es constante, o nulo, el campo de induccin magntica que acompaa a dicho campo elctrico no puede variar con el tiempo. Entonces, si asociamos a un superconductor una resistencia nula, el campo magntico en el momento de llevarse a cabo la transicin superconductiva debe permanecer igual al campo que exista antes de la transicin. Este hecho ocasion enormes dificultades en la conceptualizacin de la superconductividad, pues un metal superconductor que se lleva a travs de la transicin superconductiva, conserva una memoria de su estado inicial! Pues, en efecto, si antes de la transicin no hay campo magntico en el interior del superconductor y si se pone en presencia de uno despus de la transicin, las lneas del campo magntico no pueden penetrar a su interior respetando la condicin de que el campo no puede variar en el tiempo. Por el contrario, si la transicin superconductiva se efecta en presencia de un

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campo magntico existente antes de la transicin y las lneas del campo penetran en el superconductor, permanecern dentro despus de la transicin. El estado magntico de un superconductor depende de su estado inicial! Esto desafa las leyes de la termosttica pues el proceso no es reversible. (Vanse figuras 4 (a) y (b).) Estas consideraciones pusieron en jaque a todos los fsicos de aquella poca, hasta que en 1983 el fsico alemn W. Meissner, midi lo que nunca antes se haba medido: la forma del campo magntico en la vecindad de un superconductor. Y para la sorpresa de los interesados en este fenmeno, descubri que al pasar por la transicin superconductiva todo superconductor expele de su interior al campo magntico, independientemente de cul sea su estado inicial. (Vanse figuras 3 y 4 (c).) Este experimento se conoce hoy en da como efecto Meissner-Ochsenfeld.

El resultado implica que la transicin superconductiva s puede concebirse como un proceso reversible y ser estudiada en el contexto de la termosttica. Aun y cuando el campo magntico no es completamente expelido del interior del superconductor, pues penetra en un espesor que puede llegar a ser hasta del orden de 500 a 1 000 milimicras, el hecho de que la

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conductividad sea infinita y el campo magntico en el interior casi nulo, no fue suficiente para poder dar una explicacin del fenmeno en base a las leyes de la fsica clsica. Adems de la importancia que tiene la influencia del campo magntico en las propiedades de los superconductores a travs del efecto Meissner-Ochsenfeld, existen otras propiedades magnticas que conviene mencionar. Si un superconductor que se encuentra a una temperatura menor que su temperatura de transicin se somete a la accin de un campo magntico, existe un valor de dicho campo para el cual la propiedad superconductora desaparece. Al valor del campo en el cual esto ocurre se le conoce como el valor crtico del campo o simplemente campo crtico. Se ha encontrado experimental y tericamente que dicho campo crtico slo depende de la temperatura. Cuando sta tiende a ser cada vez ms baja, el valor del campo tiende a un valor mximo (Figura 5).

En 1956 el fsico norteamericano H. W. Lewis descubri que, para un conjunto de sustancias, algunas de ellas siendo metales con bajo punto de fusin y otras que tengan propiedades electrnicas semejantes a dichos metales, existe una relacin comn que vincula el campo crtico a la temperatura cero, con la temperatura de transicin. En general, estos superconductores, llamados suaves, y todos los dems metales de transicin que son superconductores, tienen otras propiedades en comn, por ejemplo la misma longitud de penetracin del campo magntico. Y aunque slo los primeros, esto es los suaves, muestran la relacin emprica entre el campo crtico y la temperatura de transicin por la similitud de otras propiedades se les conoce como superconductores de tipo I. Pero existen otros tipos de superconductores cuyas caractersticas y propiedades son muy tcnicas o bien son an desconocidas para listar aqu. Y, curiosamente, estos superconductores son los que tienen la mayor aplicacin en la prctica. Entre ellos estn los

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llamados superconductores del tipo II que pueden formarse haciendo aleaciones de pelculas delgadas, formando compuestos con estos superconductores y de otras maneras diferentes. La caracterstica esencial de este tipo de superconductores puede entenderse si recurrimos de nuevo al modelo simple de la conductividad metlica que hemos expresado con base en el movimiento de los electrones no localizados por la malla metlica. Cuando un electrn no localizado viaja por dicha latiz, choca con los ncleos metlicos fijos en los sitios de la malla. Si medimos cul es la distancia promedio que recorre el electrn entre dos colisiones sucesivas, despus de numerosas colisiones, se obtiene lo que se conoce como la trayectoria libre media. Claramente, esta cantidad tiene dimensiones de longitud, al igual que la longitud por la cual penetra el campo magntico en el experimento de Meissner-Ochsenfeld. Una caracterstica comn a todos los superconductores del tipo 1 es que la longitud de penetracin del campo magntico (que es del orden de 10-6 cm) es mucho menor que la trayectoria libre media (que es del orden de 10-4 cm). En los superconductores del tipo II ocurre lo contrario y esto tiene como consecuencia que la forma en que ocurre la transicin superconductiva, cuando un campo magntico est presente, difiere radicalmente del comportamiento que obedecen los superconductores del tipo I. Si volvemos por un momento a la figura 5 veremos que la transicin de un metal de su fase normal no superconductora a la fase superconductora, a una temperatura dada, ocurre para uno y slo un valor del campo magntico crtico. En un superconductor del tipo II existe toda una gama de valores del campo magntico para los cuales el material es simultneamente superconductor y metal normal (Figura 6). En esta regin, llamada fase mixta, el material puede ser portador de una corriente elctrica sin resistencia y, adems, permanecer como tal aun si se trata de campos magnticos grandes. As se han construido superconductores que, una vez que se establece en ellos una corriente de 20 a 30 amperios, pueden generar campos magnticos enormes sin requerir para ello de energa alguna.

Pero retrocedamos un poco para preguntarnos la causa del fenmeno de la superconductividad. La idea bsica al respecto fue propuesta en 1950 por H. Frhlich en Inglaterra

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y John Bardeen en EUA. De acuerdo con nuestro modelo de un conductor metlico, los electrones que no estn firmemente ligados a los tomos encuentran una resistencia proveniente de estos ltimos en su desplazamiento a travs del metal. La razn es que, en realidad, estos tomos no estn completamente en reposo. Vibran a lo largo de tres direcciones perpendiculares entre s, alrededor de sus posiciones de equilibrio, como si fuesen resortes. Este movimiento es producido por la resultante de todas las fuerzas que sobre cada tomo individual ejerce el resto de los tomos que componen el metal. Y son precisamente estas vibraciones las que impiden el paso libre de los electrones. Sin embargo, Frhlich y Bardeen argumentaron que, a medida que la temperatura disminuye, las vibraciones dejan de obstruir el flujo de electrones conducindolos como lo hace con un bote un oleaje regular. En otras palabras, las mismas vibraciones de los tomos se convierten en el agente que hace que un metal sea superconductor. Y, de acuerdo al principio de incertidumbre de Heisenberg, esta vibracin jams puede desvanecerse aun en el cero absoluto. As pues, a temperaturas muy bajas las vibraciones de los tomos y el movimiento de los electrones se sincronizan. Al hacerlo, los electrones viajan suaves y alegremente junto con las vibraciones como un buen surfer lo hace con la cresta de una ola (Figura 7).

Por qu entonces, puede uno preguntar, los metales que son comparativamente malos conductores a temperaturas normales son los ms aptos para ser buenos superconductores? El argumento de Frhlich y Bardeen se basa en que dichos metales tienen un fuerte efecto dispersor sobre los electrones a temperaturas altas. As que al enfriarlos deben tener un fuerte efecto sobre los electrones a bajas temperaturas cuando las vibraciones de los tomos y el movimiento de los electrones se coordinan entre s. Por lo tanto, entre ms pesado sea un elemento, menor es su posibilidad de convertirse en un superconducor pues las vibraciones de sus tomos a bajas temperaturas sern comparativamente ms lentas que para un metal ligero. As pues, los istopos ms ligeros de un elemento dado sern superconductores a temperaturas ms elevadas que los pesados. Este efecto fue previsto por Frhlich y comprobado experimentalmente. Aun cuando la hiptesis del efecto fuera puesta dentro de un modelo ms riguroso en 1957 por Bardeen, Cooper y Schrieffer en EUA y por N. N. Bogoliubov en la URSS, las

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correspondientes teoras no ofrecan entonces una forma confiable de predecir qu sustancias son candidatos viables a convertirse en superconductores ni la temperatura en que se dara el fenmeno. La solucin al problema fue encontrada, tambin en 1950, por B. T. Matthias y John K. Hulm, en EUA, quienes con gran paciencia probaron un compuesto tras otro hasta que, paulatinamente, fue emergiendo la regla deseada. El factor decisivo para determinar qu tan fcilmente un compuesto se converta en superconductor a bajas temperaturas es el nmero de electrones de valencia. stos son los que se encuentran menos ligados al ncleo atmico y determinan la afinidad qumica del compuesto. Los nicos compuestos o elementos que se transforman en superconductores son aquellos que, en promedio, tienen entre dos y ocho electrones de valencia por tomo. Y en este intervalo, los materiales con nmero impar de electrones de valencia por tomo, tres, cinco o siete, son los que se convierten en superconductores con mayor facilidad.

As que hoy en da se cuenta con una gua muy especfica para sintetizar superconductores. Desde luego esta condicin no es nica, existen otros factores que tambin son determinantes. Por ejemplo, se sabe que la superconductividad es favorecida por ciertas estructuras cristalinas, por el espacio del cristal no ocupado por tomos, etc. Esto ha dado lugar a innumerables compuestos formados por elementos que por s mismos no son superconductores pero cuya combinacin s lo es. El silicio y el cobalto constituyen un caso tpico. El silicio no es metal, ni siquiera es un buen conductor de la electricidad. El cobalto tiene dos peculiaridades que lo descalifican completamente como superconductor: nueve electrones de valencia y es fuertemente magntico, como el hierro. Sin embargo, si ambos se combinan para formar una estructura cbica simple se convierten en un superconductor, pues el silicio neutraliza el poder

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magntico del cobalto y reduce el nmero promedio de electrones de valencia por tomo hasta caer en el intervalo apropiado. Hasta hace poco, digamos los ltimos cinco aos, la tendencia en la investigacin cientfica en este campo se ha polarizado fuertemente hacia la bsqueda de materiales superconductores que sean interesantes desde el punto de vista cientfico y tecnolgico. Y el descubrimiento ms interesante a lo largo de estas lneas lo constituyen los llamados superconductores exticos, esto es, superconductores que muestran propiedades inesperadas y que hasta hoy exhiben un comportamiento que no ha sido posible interpretar tericamente. As, los investigadores intentan sintetizar este tipo de compuestos pues cada nuevo miembro de esta clase de materiales arroja nueva evidencia sobre el comportamiento de tales materiales a bajas temperaturas. De entre todas estas clases de materiales, quizs lo ms impactante sean los superconductores orgnicos, descubiertos por investigadores de la compaa Dupont a principios de la dcada de los aos sesenta, con los que el vasto campo de la qumica orgnica se abri al campo de la fsica de los metales. La temperatura de transicin ms alta reportada hasta 1984 en los superconductores orgnicos es de 2.3 K, as que la bsqueda de este tipo de compuestos con temperaturas de transicin mayores contina. No obstante estos adelantos, el impacto ms sorprendente en el campo de la superconductividad se produjo cuando en el mes de enero de 1986 Karl A. Mller y Johannes G. Bednorz, de los laboratorios de investigacin de la IBM en Zurich, Suiza, anunciaron que un xido de bario, lantano y cobre exhiba propiedades superconductoras a 35 K. El descubrimiento, por el cual Mller y Bednorz fueron galardonados con el premio Nobel de Fsica en 1987, desat una verdadera oleada de trabajos experimentales y tericos conocidos ahora con el nombre de superconductividad a temperaturas altas. En unos cuantos meses, varios grupos de investigadores, entre ellos S. Tanaka de Tokio, P.W.C. Chu de Houston, B. Battogg de la compaa Bell Telephone, informaron sobre diferentes compuestos superconductores cuya temperatura crtica era de hasta 90 K. Segn Paul Chu, de la Universidad de Houston, Texas, con un poco de suerte ser posible llegar a obtener superconductores con temperaturas hasta de 240 K. Pero la euforia inicial se ha visto un poco ensombrecida por un sinnmero de dificultades y hasta ahora slo ha sido posible fabricar tales compuestos, por cierto de estructura un tanto complicada, en el laboratorio. Alrededor de estos materiales se concibieron fabulosas aplicaciones tecnolgicas que no nos detendremos aqu a enumerar. Las expectativas, aunque promisorias y atractivas, todava estn muy lejos de poderse alcanzar a nivel tecnolgico.

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Por una parte, en opinin de V. Ginzburg del Instituto Lebedev de la Academia de Ciencias de la Unin Sovitica y uno de los grandes expertos en superconductividad, dos aos no han sido suficientes para poder aclarar las propiedades fsicas de los superconductores de alta temperatura. Desconocemos todava el mecanismo inherente a la superconductividad y a la naturaleza misma de las aplicaciones que con ella pueden llevarse a cabo. En particular, no se sabe cules son las restricciones generales sobre el valor de la temperatura crtica Tc y que parecen no existir para Tc hasta del orden de 100 K. Posiblemente tampoco las haya para temperaturas ms altas, del orden de 400 K. As pues, existe toda la razn para hacer superconductores de Tc alta y los mejores candidatos parecen ser los superconductores orgnicos y los compuestos inorgnicos laminados. Por otra parte, el campo de la superconductividad a temperaturas altas sigue siendo concebido como uno de grandes perspectivas tecnolgicas, a largo plazo. Slo para ejemplificar, el consorcio formado por la American Telegraph and Telephone (ATT), la IBM y el Instituto Tecnolgico de Massachussetts, invertir varios millones de dlares para buscar la aplicabilidad de estos materiales a la industria aeroespacial y la industria electrnica. En Japn tambin se invierten grandes cantidades de dinero con objetivos muy similares. Es probable que en un futuro no muy lejano, veamos algunos resultados sorprendentes. VI.1. ANTECEDENTES Y GENERALIDADES. Un superconductor es un material que no opone resistencia al flujo de corriente elctrica por l. La superconductividad es una propiedad presente en muchos metales y algunas cermicas, que aparece a bajas temperaturas, caracterizada por la prdida de resistividad a partir de cierta temperatura caracterstica de cada material, denominada temperatura crtica.

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Los superconductores tambin presentan un acusado diamagnetismo, es decir, son repelidos por los campos magnticos. El fenmeno fue observado por primera vez en 1911 por el fsico holands H. Kamerlingh Onnes, y sus explicaciones tericas tardaron ms de cuarenta aos en establecerse. El hecho de que la teora que explicaba este fenmeno se mostrara tan elusiva tiene su justificacin en que ni la teora clsica de materiales, construida por Drude y Lorentz, ni la posterior teora cuntica que Bloch y Grneisen desarrollaron en la dcada de los treinta podan dar cuenta del fenmeno de la desaparicin de resistencia elctrica. Por su ausencia de resistencia, los superconductores se han utilizado para fabricar electroimanes que generan campos magnticos intensos sin prdidas de energa. Los imanes superconductores se han utilizado en estudios de materiales y en la construccin de potentes aceleradores de partculas. Aprovechando los efectos cunticos de la superconductividad se han desarrollado dispositivos que miden la corriente elctrica, la tensin y el campo magntico con una sensibilidad sin precedentes. El descubrimiento de mejores compuestos semiconductores es un paso significativo hacia una gama mayor de aplicaciones, entre ellas ordenadores ms rpidos y con mayor capacidad de memoria, reactores de fusin nuclear en los que el plasma se mantenga confinado por campos magnticos, trenes de levitacin magntica de alta velocidad y, tal vez lo ms importante, una generacin y transmisin ms eficiente de la energa elctrica. El Premio Nobel de Fsica de 1987 se concedi al fsico alemn J. Georg Bednorz y al fsico suizo K. Alex Mueller por su trabajo sobre la superconductividad a altas temperaturas. Se denomina superconductividad a la capacidad intrnseca que poseen ciertos materiales para conducir corriente elctrica con resistencia y prdida de energa nulas en determinadas condiciones. DESCUBRIMIENTO: En 1911 Heike kamerlingh Onnes observo que la resistencia elctrica del mercurio desapareca bruscamente al enfriarse a 4 K (-269C), cuando lo que se esperaba era que disminuyera gradualmente hasta el cero absoluto. Gracias a sus descubrimientos, principalmente por su mtodo para lograr la produccin de helio lquido, recibira dos aos ms tarde el premio Nobel de fsica. Durante los primeros aos el fenmeno fue conocido como supraconductividad. En 1913 se descubre que un campo magntico suficientemente grande tambin destruye el estado superconductor, descubrindose tres aosdespus la existencia de una corriente elctrica crtica.

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CARACTERISTICAS: La mayora de las propiedades fsicas de los superconductores varan de un material a otro, tales como la capacidad calorfica y la temperatura critica a la que se destruye la superconductividad. Por otro lado, hay una clase de propiedades que son comunes a todos ellos. Por ejemplo, todos los superconductores tienen exactamente resistividad cero a pequeas corrientes aplicadas cuando no hay campo magntico. La existencia de estas propiedades implica que la superconductividad es una fase termodinmica, y, por tanto, posee ciertas propiedades distintivas que son independientes de los detalles microscpicos. Hasta ahora no se conoce ningn caso de superconductor cuya temperatura critica sea superior a los 185K, unos -88C1 a presin ambiente. No obstante no es suficiente con enfriar, tambin es necesario no exceder una corriente crtica ni un campo magntico critico para mantener el estado superconductor. COMPORTAMIENTO MAGNETICO Un material superconductor es diamagntico, lo que quiere decir que el campo no puede atravesar el cuerpo, lo que se conoce como efecto Meissner.

COMPORTAMIENTO ELECTRICO La aparicin del superdiamagnetismo es debida a la capacidad del material de crear supercorrientes. Estas son corrientes de electrones que no disipan energa, de manera que se pueden mantener eternamente sin obedecer el Efecto Joule de prdida de energa por generacin de calor. Las corrientes crean el intenso campo magntico necesario para sustentar el efecto Meissner. Estas mismas corrientes permiten transmitir energa sin gasto energtico, lo que representa el efecto ms espectacular de este tipo de materiales. Debido a que la cantidad de corriente que puede soportar el material es limitada. Por tanto, existe una corriente crtica a partir del cual el material deja de ser superconductor y comienza a disipar energa.

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OBTENCION DE MATERIALES SUPERCONDUCTORES Debido a las bajas temperaturas que se necesitan para conseguir la superconductividad, los materiales ms comunes se suelen enfriar con helio lquido. El montaje necesario es complejo y costoso, utilizndose en muy contadas aplicaciones como, por ejemplo, la construccin de electroimanes muy potentes para resonancia magntica nuclear. Sin embargo, en los aos 80 se descubrieron los superconductores de alta temperatura. Esto ha abaratado mucho los costos en el estudio de estos materiales y abierto la puerta a la existencia de materiales superconductores a temperatura ambiente, lo que supondra una revolucin en la industria del siglo XXI. La mayor desventaja de estos materiales es su composicin cermica, lo que lo hace poco apropiado para fabricar cables mediante deformacin plstica, el uso ms obvio de este tipo de materiales. Sin embargo se han desarrollado tcnicas nuevas para la fabricacin de cintas como IBAD (deposicin asistida mediante haz de iones). Mediante esta tcnica se han logrado cables de longitudes mayores de 1 kilmetros. CLASIFICACION Los superconductores se pueden clasificar en funcin de: Su comportamiento fsico, pueden ser de tipo I (con un cambio brusco de una fase a otra) o de tipo II (si pasan por un estado mixto en que conviven ambas fases) La teora que los explica, llamndose convencionales o no convencionales. Su temperatura crtica, siendo de alta temperatura (generalmente se llaman as si se puede alcanzar su estado conductor enfrindolos con nitrgeno liquido, es decir, si Tc>77K), o de baja temperatura (si no es as). El material de que estn hechos, pudiendo ser elementos puros (como el mercurio o el plomo), superconductores orgnicos (si estn en forma de fulerenos o nanotubos) cermicas entre la que destaca el diboruro de magnesio o aleaciones APLICACIONES: Los imanes superconductores son algunos de los electroimanes ms poderosos conocidos. Se utilizan en los trenes maglev, en mquinas para la resonancia magntica nuclear en hospitales y en el direccionamiento del haz de acelerador de partculas. Los superconductores se usan para construir uniones Josephson, que son los bloques de construccin de los SQUIDs (dispositivos superconductores de interferencia cuntica), los magnetmetros conocidos ms sensibles.

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Aplicaciones futuras prometedoras incluyen transformadores de alto rendimiento, dispositivos de almacenamiento de energa, la transmisin de energa elctrica, motores elctricos (por ejemplo, para la propulsin de vehculos, como en vactrains o trenes maglev) y dispositivos de levitacin magntica. Sin embargo la superconductividad es sensible a los campos magnticos en movimiento de modo que las aplicaciones que usan corriente alterna (por ejemplo, los transformadores) sern ms difcil de elaborar que las que dependen de corriente continua. Qu es la superconductividad? HISTORIA: El descubrimiento de la superconductividad es uno de los ms sorprendentes de la historia de la ciencia moderna. Est ntimamente ligado con el inters de los fsicos del siglo XIX en licuar todos los gases conocidos en aquel tiempo. Era ya bien sabido que la inmensa mayora de los gases slo podran licuarse a temperaturas muy por debajo de cero grados centgrados. La licuefaccin de los gases permitira estudiar los fenmenos que se presentan en los materiales a temperaturas muy bajas. Un par de aos antes de la guerra de EUA contra Mxico, esto es, en 1845, Michael Faraday de la Royal Institution de Londres pudo, finalmente, perfeccionar una tcnica para licuar gases que 23 aos antes haba encontrado en forma accidental. Sin embargo, esta tcnica no resultaba fcil para la licuefaccin del helio (He), del hidrgeno (H), del oxgeno (O2), del nitrgeno (N2), del metano (CH4), del monxido de carbono (CO), ni del xido ntrico (NO), que eran los nicos gases que faltaban por licuar de todos los que se conocan en aquella poca y, en consecuencia, tampoco el aire haba sido licuado. Sin embargo, para 1867 el francs Luis Cailletet fue el primero en licuar oxgeno (90.2K o -182.96C) y realizar descubrimientos que mostraron la posibilidad de licuar el aire, que a la postre dieron origen al mtodo que permiti licuar de manera sencilla y adecuada el gas helio. En el mismo ao de 1877, y siguiendo un mtodo diferente del de Cailletet, el suizo Raoul Pictet tambin pudo licuar oxgeno. Para 1898, James Dewar de la Royal Institution de Londres pudo licuar hidrgeno, que tiene una temperatura de ebullicin de 20.8K, que corresponde aproximadamente a -252.36C. Fue diez aos despus, en 1908, cuando Heike Kamerlingh Onnes pudo, por primera vez en el mundo, obtener helio lquido que tiene una temperatura de ebullicin de 4.22K, recurdese que el cero absoluto equivale a -273.16C. Este logro se realiz en la universidad de Leyden, Holanda y abri el paso a Onnes para su descubrimiento de la superconductividad.

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Con el helio lquido Kamerlingh Onnes pudo ya disponer de un bao trmico a muy bajas temperaturas y se dispuso a investigar las propiedades de la materia a esas temperaturas. Seleccion, como uno de los temas de sus investigaciones a bajas temperaturas, el comportamiento de la resistividad elctrica de los metales. Esto se debi a que la medicin de esta propiedad se puede realizar con relativa facilidad a cualquier temperatura y, tambin, a que el tema de la resistividad elctrica de los metales era, ya en aquel tiempo, de considerable importancia. Las teoras existentes en esos tiempos sobre la resistividad elctrica de los metales se encontraban en un estado bastante rudimentario. Se pensaba que eran probables cualquiera de las tres posibilidades mostradas en la figura 12 para el comportamiento de la resistividad al disminuir la temperatura.

Se deca que la curva A de la figura 12 ocurrira si la resistencia elctrica se deba completamente a la dispersin que los electrones sufran por las vibraciones de la red atmica. Se esperaba que la curva B pudiera ocurrir si las dispersiones de los electrones por las impurezas que estuvieran presentes fuesen importantes. La curva C se producira si los electrones de conduccin, esto es, los electrones libres de moverse por el metal, disminuyeran rpidamente al disminuir la

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temperatura. Esto ltimo sera posible, se pensaba, si al disminuir la temperatura, y con ella la energa de movimiento de los electrones, stos pudieran ir quedando atrapados alrededor de los iones en el metal. Kamerlingh Onnes se dispuso a averiguar, por medio de la experimentacin, cul era la verdadera variacin de la resistividad con la temperatura. Para comenzar, decidi examinar la primera hiptesis. Para esto seleccion el mercurio para estudiarlo, porque era el metal ms puro que poda obtenerse en esa poca. Cuando observ que la resistividad elctrica del mercurio a una temperatura inferior a 4.22K era menor, por un factor de 10-11, que su valor correspondiente a una temperatura un poco arriba de 4.22 K, pens que haba verificado la validez de la hiptesis A de la figura 12. Investigaciones posteriores le mostraron a Onnes que la resistividad no disminua de manera continua, como se indica en la curva A de la figura 12, sino que desapareca muy abruptamente a una temperatura de 4.15K. Por otro lado, tambin observ que este comportamiento no se alteraba al introducir impurezas en la muestra de mercurio. Bien pronto se dio cuenta de la existencia de un nuevo estado del mercurio, en el cual no haba resistividad elctrica. A este nuevo estado lo llam estado superconductor. As naci el estudio de los superconductores. VI.2. MATERIALES SUPERCONDUCTORES. La transicin del estado normal al estado superconductor puede ser tan bien marcada como que el cambio tenga lugar en un intervalo de un diezmilsimo de 1 K. En la tabla 2 se muestra un conjunto de materiales superconductores con sus correspondientes temperaturas de transicin. Ntese el enorme salto en el valor de Tc cuando empezaron a prepararse aleaciones con tierras raras (como el itrio), con cobre y oxgeno. Hay algunas caractersticas de los materiales superconductores del tipo metlico (primera parte de la tabla 2, que no cambian con la transicin al estado superconductor, entre ellas podemos sealar las siguientes: El patrn de difraccin de los rayos X no cambia. Esto indica que no hay cambio en la simetra de la red cristalina. Tampoco hay cambio en la intensidad del patrn de difraccin, lo que indica que prcticamente no hay cambio en la estructura electrnica. No hay cambio apreciable en las propiedades pticas del material, aunque stas estn usualmente relacionadas con la conductividad elctrica.

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En ausencia de un campo magntico aplicado sobre la muestra, no hay calor latente en la transicin. Las propiedades elsticas y de expansin trmica no cambian en la transicin. Por otro lado, hablando de los materiales de la primera parte de la tabla 2, hay algunas propiedades que cambian en la transicin al estado superconductor como: a) Las propiedades magnticas (que cambian radicalmente). En el estado superconductor puro prcticamente no hay penetracin de flujo magntico en el material; b) el calor especfico, que cambia discontinuamente a la temperatura de transicin. En presencia de un campo magntico se produce tambin un calor latente de la transformacin; c) todos los efectos termoelctricos desaparecen en el estado superconductor, y d) la conductividad trmica cambia discontinuamente cuando se destruye la superconductividad en presencia de un campo magntico. TABLA 2 Sustancia Temperatura crtica (K) W ( wolframio ) ~0.01 Ir ( iridio ) 0.014 Ti ( titanio ) 0.39 Ru ( rutenio ) 0.49 Zi ( zirconio ) 0.55 Cd ( cadmio ) 0.56 Os ( osmio) 0.66 Ba La4 Cu5 O13.4 35.00 Nb3 Ge 23.30 Nb3 Ga 20.30 Nb3 Al 18.80 Nb3 Sn 18.30 V3 Si 17.10 V3 Ga 15.00 Aleacin Temperatura crtica (K)

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U ( uranio ) 0.68 Zn ( zinc ) 0.88 Mo ( molibdeno ) 0.92 Ga ( galio ) 1.09 Al ( aluminio ) 1.19 Th ( toi-io ) 1.37 Re ( renio ) 1.70 In ( indio ) 3.40 Sn ( estao ) 3.72 Hg ( mercurio ) 4.15 Ta ( tantalio ) 4.48 V ( vanadio ) 5.30 La ( lantano ) 5.91 Pb ( plomo ) 7.19 Tc ( tecnecio ) 8.20 Hg Ba2 Ca2 Cu3 O8+x 133.00 Tl2 Ba2 Ca2 Cu3 O10 125.00 Bi2 Sr2 Ca2 Cu3 O10 110.00 Tl2 Ba2 Ca Cu2 O8 99.00 YBa4 Cu5 Ox 98.00 YBa2 Cu3 O7 90.00

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Nb ( niobio ) 9.46

La clase de aleaciones que se sealan en los ltimos lugares de la tabla 2 son del tipo cermico y de reciente descubrimiento. No se esperaba que materiales de este tipo pudieran tener temperaturas de transicin al estado superconductor tan elevadas. Por ello es que no se haban explorado con anterioridad. A principios de 1987 comenz a informarse sobre temperaturas de transicin tan altas como las mostradas al final de la tabla 2, a partir del compuesto cermico BaLa4 Cu5 O13.4, que haba sido sintetizado y dado a conocer en 1986. Estos nuevos materiales son bastante complicados, en su estructura y propiedades. Su estudio y comprensin se ha ido realizando con bastante dificultad desde su descubrimiento. An, no se entiende claramente cmo ocurre la transicin al estado superconductor. Hay indicios de que es posible lograr una temperatura de transicin an ms elevada que las indicadas en la tabla 2. Parece ser que el oxgeno desempea un papel crucial en la aparicin del estado superconductor y en el alto valor de la temperatura crtica, junto con el cobre. Tambin se empieza a tener la certeza de que el efecto de dimensionalidad es muy importante. Esto quiere decir que en estos materiales los fenmenos dominantes para la superconductividad ocurren en dos dimensiones. Este espacio bidimensional corresponde a las capas de la estructura del material donde se encuentran el cobre y el oxgeno. La obtencin de este tipo de materiales superconductores se inici en Suiza, China y EUA, la tecnologa que implica su preparacin es sencilla y est al alcance de los pases del llamado Tercer Mundo, esto es, pases que, cmo Mxico, no tienen gran desarrollo industrial. Sin embargo, la investigacin relacionada con la creacin de nuevos materiales cermicos superconductores de una temperatura de transicin al estado superconductor cada vez ms alta requiere una gran inversin y un esfuerzo conjunto y coordinado de cientficos de diversas especialidades. Esta conjuncin y coordinacin de esfuerzos es difcil de lograr en nuestro pas por el nmero relativamente bajo de cientficos que tenemos.

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En el Instituto de Investigaciones en Materiales y en el Instituto de Fsica, ambos de la Universidad Nacional Autnoma de Mxico, se ha logrado la preparacin de estos materiales muy poco despus de su descubrimiento. Sin embargo, a diez, aos de este importante hallazgo, muy pocos investigadores en Mxico permanecen trabajando en este campo. Las investigaciones en la aplicacin de estos materiales ni siquiera se iniciaron (salvo por unos pocos casos de esfuerzos individuales que no han podido continuarse), a pesar de que el universo de las aplicaciones tecnolgicas de los superconductores es amplsimo, como veremos con detalle ms adelante. SUS DIFERENCIAS Existen diferencias importantes entre los superconductores que permiten clasificarlos en dos grandes grupos. Ciertos metales; en particular los que tienen bajas temperaturas de fusin y son mecnicamente suaves y de fcil obtencin en un alto grado de pureza y libres de esfuerzos mecnicos internos, exhiben semejanzas en su comportamiento en el estado superconductor. Estos materiales superconductores reciben el nombre de superconductores ideales, superconductores Tipo I, o suaves. Por otro lado, el comportamiento de muchas aleaciones y de algunos de los metales superconductores ms refractarios es complejo e individual, particularmente con respecto a la forma cmo resultan afectados en el estado superconductor en presencia de un campo magntico. A estos superconductores se les ha dado el nombre de superconductores Tipo II, o si la superconductividad se conserva aun bajo la influencia de campos magnticos intensos, se les conoce con el nombre de duros o de campo intenso. Para entender mejor estas diferencias, veamos cmo un campo magntico aplicado afecta a cada uno de los tipos de superconductores que hemos mencionado. Para ello describiremos brevemente lo que es el efecto Meissner-Oschenfeld. En 1933, W. Meissner y R. Oschenfeld encontraron experimentalmente que un superconductor se comporta de manera tal que nunca permite que exista un campo de induccin magntica en su interior. En otras palabras, no permite que un campo magntico penetre en su interior. El campo magntico en el interior de un superconductor no slo est congelado, sino que vale siempre cero. Una consecuencia inmediata de lo anterior es que el estado de magnetizacin del material que pasa por la transicin superconductora no depende de los pasos que se hayan seguido al establecer el campo magntico. Esta consecuencia marca tambin la diferencia fundamental entre lo que es un conductor perfecto y lo que es un superconductor. Por conductor perfecto entendemos un material cuya resistencia elctrica es igual a cero. En tanto que un superconductor,

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adems de presentar resistencia cero, presenta tambin el efecto Meissner-Oschenfeld. Se puede demostrar fcilmente que, en un conductor perfecto, el campo magntico tiene un valor constante, esto es, est congelado en su interior, pero no necesariamente vale cero, y esto trae como consecuencia que su estado de magnetizacin dependa necesariamente de los pasos, que se hayan seguido para magnetizarlo. Para entender ms claramente la diferencia entre un conductor perfecto y un superconductor; veamos qu ocurre cuando tratamos de magnetizar un conductor perfecto y cuando tratamos de magnetizar un superconductor. Consideremos primero al conductor perfecto, esto es, pensemos que la transicin nos lleva nicamente a un estado de resistencia cero sin el efecto Meissner-Oschenfeld.

En ausencia de campo magntico externo, tomemos la muestra a una temperatura T mayor que la temperatura de transicin., Tc al estado de resistencia cero del conductor perfecto (figura 14(a)). Luego, enfriemos la muestra a una temperatura T < Tc , e introduzcamos un campo magntico (figura 14(b)). Como en el instante en que ocurri la transicin al estado de conductor perfecto el campo magntico en el interior de la muestra era cero, permanecer con ese valor y, por tanto, el campo magntico ser excluido del interior de la muestra. Finalmente, suprimamos el campo magntico aplicado, manteniendo la temperatura por debajo de Tc (figura 14(c)). Obtendremos que el campo magntico en el interior de la muestra sigue siendo cero. Ahora tomemos la muestra nuevamente a una temperatura T > Tc pero con un campo magntico externo aplicado distinto de cero (figura, 14(d)). Despus, enfriemos la muestra a una temperatura T < Tc (figura 14(e)). El campo magntico en el interior de la muestra sigue siendo el mismo que haba antes de enfriarla. Finalmente, suprimamos el campo magntico, aplicado (figura 14(f)). Lo que ahora ocurre es que se generan corrientes superficiales en la muestra de tal modo

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que el campo en el interior de ella tenga el mismo valor que tena antes de bajar la temperatura a T < Tc . Por lo anterior podemos afirmar que si la transicin nos llevara simplemente a un conductor perfecto (esto es, a la ausencia del efecto Meissner-Oschenfeld en la transicin), el estado de magnetizacin de la muestra depender de la manera en que se alcance el estado final. Ahora consideremos que la transicin, adems de llevar la muestra a un estado de resistencia elctrica cero, nos indica la existencia del efecto Meissner-Oschenfeld.

Primeramente, tomemos la muestra a una temperatura T > Tc sin la presencia de un campo magntico aplicado (figura 15(a)). Despus, enfriemos la muestra hasta T < Tc e introduzcamos un campo magntico, como se indica en la figura 15(b). Por el efecto MeissnerOschenfeld se inducirn corrientes superficiales en la muestra de manera tal que el campo en su interior sea cero. Posteriormente, suprimamos el campo magntico aplicado (figura 15(c)). Las corrientes superficiales desaparecen y el campo magntico en el interior de la muestra es cero. Intentemos ahora el otro camino. Tomemos la muestra a una temperatura T > Tc en presencia de un campo magntico aplicado, como se ve en la figura 15(d). Despus, enfriemos la muestra hasta una temperatura T < Tc (figura 15(e)). Tendremos que, por el efecto MeissnerOschenfeld, se inducirn corrientes superficiales en la muestra de manera que el campo en el interior de ella sea cero. Posteriormente, suprimamos el campo externo (figura 15(f)); Tendremos que las corrientes superficiales desaparecen y que el campo magntico en el interior de la muestra vale cero. Como acabamos de ver, debido al efecto Meissner-Oschenfeld, el estado de magnetizacin de la muestra no depende de la manera en que se llegue al estado final.

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Es claro que un superconductor es, adems de un conductor perfecto, una sustancia en un estado en el que se presenta el efecto Meissner-Oschenfeld.

Es necesario sealar que, si bien existe una clara diferencia entre lo que es un superconductor y un conductor perfecto, los nicos conductores perfectos que se han encontrado hasta ahora en la naturaleza son, precisamente, los superconductores. An no se descubren conductores perfectos solamente, es decir, materiales con resistencia cero y sin que presenten el efecto Meissner-Oschenfeld. L O S S U P E R C O N D U C T O R E S EL ESTADO MIXTO Como ya se mencion anteriormente, existe otra clase de superconductores que recibe el nombre de superconductores Tipo II o superconductores duros. Estos presentan propiedades magnticas muy diferentes a los del Tipo I que ya hemos analizado. En 1957, por vez primera, el cientfico sovitico Abrikosov public un estudio terico en el que sealaba que poda haber otra clase de superconductores con propiedades diferentes de los estudiados experimentalmente hasta entonces. Daba como caracterstica esencial de estos materiales el hecho de que presentan una energa superficial negativa para fronteras que separan la parte que se encuentra en estado normal de la parte que se encuentra en estado superconductor en el material. Recordemos que la energa superficial es la energa mnima que se necesita para crear una superficie en un material. De esta manera, la inmensa mayora de los materiales conocidos en la naturaleza tienen una energa superficial positiva, lo que significa que es necesario invertir cierta cantidad de energa para formar una superficie en un material. Por ejemplo, si tenemos un D U R O S

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trozo de metal, para crear una nueva superficie en l (por ejemplo, partindolo) tendremos que invertir cierta cantidad de energa. De este modo queda claro el significado de tener una energa superficial negativa entre una parte en el estado normal y una parte en el estado superconductor. Para un superconductor duro (o Tipo II) ser ms conveniente, porque disminuir su energa total, tener la frontera ms grande posible entre su parte en estado normal y su parte en el estado superconductor. Esta circunstancia explica la existencia del llamado estado mixto en los superconductores Tipo II. Visto de una manera un poco distinta, se puede decir que, como un material toma siempre la configuracin de energa libre total mnima, tendremos que para un valor de la energa superficial negativa suficientemente grande entre una parte normal y una parte superconductora del material, podran formarse un gran nmero de regiones normales en l cuando se aplicara un campo magntico. La configuracin que tomara el material sera tal que el rea entre la parte normal y la parte conductora sera lo ms grande posible, lo que podra lograrse si el material superconductor se dividiera en una mezcla, a muy fina escala, de regiones normales y superconductoras cuyas fronteras fueran paralelas al campo magntico aplicado. De hecho, esta configuracin existe y se le denomina estado mixto. Es muy importante distinguir entre lo que es el estado mixto y lo que es el estado intermedio. Recurdese que el estado intermedio aparece en los superconductores Tipo I en virtud de la forma geomtrica de la muestra; que lleva a asignarle un valor del factor de desmagnetizacin diferente de cero. El estado mixto, por otra parte, es una caracterstica intrnseca de los superconductores Tipo II y que aparece aun si la forma de la muestra es tal que lleve a asignarle un valor del factor de desmagnetizacin igual a cero. Adems, la estructura del estado intermedio es relativamente gruesa y puede verse a simple vista. El estado mixto, en cambio, presenta una estructura mucho ms fina, con una periodicidad de menos de 10-5 cm. El superconductor en el estado mixto est atravesado por finos cilindros de material en estado normal que son paralelos al campo magntico aplicado. Estos cilindros reciben el nombre de ncleos normales, los cuales quedan distribuidos en un arreglo peridico triangular. Al estudiar con detalle la energa libre del estado mixto del superconductor Tipo II, se obtiene que la estructura del estado mixto es como la que se muestra en la figura 16. Tambin se encuentra que las propiedades del superconductor en el estado mixto varan de una manera peridica con la posicin.

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Hacia el centro de cada ncleo normal, el nmero de electrones en el estado superconductor tiende a cero. El material, como un todo, es diamagntico. El campo magntico aplicado recibe la oposicin de un campo magntico generado por corrientes superficiales que circulan alrededor del permetro de la muestra. Dentro de cada ncleo normal que atraviesa al material hay un flujo magntico que tiene la misma direccin que el flujo del campo aplicado. El flujo, dentro de cada ncleo normal, es generado por un vrtice de corriente persistente que circula alrededor de l, con un sentido de rotacin opuesto al de la corriente en el permetro de la muestra. El flujo total generado en cada ncleo por la corriente que contiene es igual a un flujn, que es un cuanto de flujo magntico. El flujn tiene un valor de h /2e = 2.07 x 10-15 Weber. CMO SE MAGNETIZAN Pasemos ahora a ver la manera como se magnetizan los superconductores Tipo II. El comportamiento de esta clase de superconductor al aplicar un campo magntico es el que se muestra en las figuras 18 y 19. Puede verse que para campos magnticos aplicados, Ha, cuya intensidad est por debajo de un cierto valor Hc1 el material se comporta como un superconductor Tipo I. El efecto Meissner (exclusin total del campo magntico en el interior de la muestra) est presente. Cuando el campo magntico aplicado alcanza el valor Hc1, la penetracin de flujo magntico deja de ser cero. Esto ocurre en virtud de que se formaron los ncleos normales con sus vrtices asociados que permiten la penetracin de flujo en la muestra. Para campos aplicados con

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intensidades entre Hc1 y Hc2, el nmero de vrtices que ocupa la muestra est gobernado por el hecho de que se repelen entre s.

El hecho de que los vrtices se repelan entre s puede ser entendido fcilmente al notar que, por las corrientes que circulan en ellos, son equivalentes a electroimanes normales con polaridades iguales. El nmero de ncleos normales, por unidad de rea, para la intensidad dada de campo magntico aplicado, es tal que hay un equilibrio entre la energa libre del material debida a la presencia de cada ncleo no diamagntico (o lo que es lo mismo, cada ncleo de material en el estado normal) y la existencia de la repulsin mutua entre los vrtices.

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Conforme aumenta la intensidad del campo magntico aplicado, los ncleos de material normal aumentan en nmero por unidad de rea y de esta manera aumenta el flujo magntico que penetra la muestra. As, a partir de Hc1 la magnetizacin tiende a cero de una manera suave, lisa, como puede verse en la figura 19. Cerca del valor de Hc2 la magnetizacin cambia linealmente con el campo aplicado. Sin embargo, cuando el campo llega al valor de Hc2, existe un cambio discontinuo en la pendiente de la grfica con respecto al campo aplicado. Para valores de Ha, mayores que Hc2, la muestra pasa al estado normal. Por otro lado, los superconductores Tipo II presentan tambin ciclos de histresis de la magnetizacin con respecto al campo magntico aplicado. La figura 20 muestra un ciclo de histresis tpico de un metal superconductor duro. Este ciclo contrasta con el ciclo tpico de un metal ferromagntico normal, como el que se muestra en figura 21.

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Los ciclos de histresis para los superconductores duros se presentan cuando en las muestras se tienen defectos (impurezas, vacancias en la red cristalina, dislocaciones en la red, etc.). Estos defectos estorban el desplazamiento de los vrtices, anclndolos y restringiendo su movimiento. En un material que est casi libre de defectos y que se encuentre en el estado mixto, los vrtices pueden moverse muy fcilmente por el superconductor. Si se suprime el campo magntico aplicado, los vrtices desaparecen y la magnetizacin resulta reversible, lo que significa que no existe un ciclo de histresis. As, para materiales superconductores Tipo II en un estado muy puro y casi libre de defectos, no hay ciclos de histresis. Los defectos en el material superconductor al anclar los vrtices restringiendo o impidiendo su movimiento, retrasan la entrada del flujo magntico y tambin previenen parcialmente su salida. Esto resulta en curvas de histresis. Del mismo modo que existen corrientes crticas para los superconductores Tipo I, tambin existen corrientes crticas para los superconductores duros. Bajo la accin de un campo magntico aplicado, de una intensidad menor que la del campo magntico crtico inferior, un material de Tipo II se encuentra en un estado en el que se da completamente el efecto Meissner y se comporta como un superconductor Tipo 1. Claro que esto ocurrir si el material es muy puro y con muy pocos defectos. Para valores del campo entre Hc1 y Hc2, la corriente crtica es muy pequea, pero distinta de cero. Sin embargo, la mayora de las muestras no son perfectas y para stas la corriente crtica es bastante grande aun para campos magnticos aplicados entre Hc1 y Hc2, siendo su valor mucho mayor que para el caso de los materiales del Tipo 1. La dependencia del valor de la corriente crtica con la perfeccin y pureza del material es de mucha importancia tecnolgica porque, en la prctica, se requiere que los electroimanes superconductores soporten una corriente elctrica lo ms grande posible, manteniendo su estado superconductor. LOS ACOPLAMIENTOS En la teora de Bardeen, Cooper y Schrieffer sobre la superconductividad se hace un conjunto de suposiciones sobre la interaccin electrn-fonn-electrn, ahora conocido como la aproximacin del acoplamiento dbil. Segn sta, los fonones que intervienen en la interaccin electrn-fonn-electrn no son muy energticos, comparados con las agitaciones trmicas de los electrones a la temperatura crtica.

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Por otro lado, existe cierto nmero de metales superconductores para los cuales la aproximacin de acoplamiento dbil no es satisfactoria ya que no da predicciones correctas de las propiedades de estos materiales, por ejemplo el plomo (Pb) y el mercurio (Hg). A los superconductores cuyas propiedades no pueden ser predichas con la teora BCS (de Bardeen, Cooper y Schrieffer) se les llama de acoplamiento fuerte. El nombre de acoplamiento fuerte proviene del hecho de que para estos materiales los fonones que intervienen en la interaccin atractiva electrn-fonn-electrn son mucho ms energticos que en los otros casos. Por otro lado, el modelo de interaccin electrn-fonn-electrn que se utiliz en la teora BCS es muy simple e involucr solamente un parmetro cuyo valor tiene que ser evaluado a partir de algunos datos experimentales. Por ejemplo, puede ser obtenido a partir del valor de la temperatura crtica. Una vez fijado el valor de este parmetro, la teora BCS predice toda clase de propiedades de los superconductores. Claro que esta prediccin slo funciona en el caso de aquellos materiales en los que vale la aproximacin del acoplamiento dbil. La teora del acoplamiento fuerte va ms all de la teora BCS. No se introduce ningn modelo para la interaccin del par de electrones que constituyen el par de Cooper, sino que se considera el conjunto de interacciones que tienen o sufren los electrones, los fonones y el acoplamiento entre ellos. Despus se busca una solucin a las ecuaciones resultantes que lleve al estado superconductor. El conjunto de ecuaciones resultantes, para este caso, recibe el nombre de ecuaciones de Eliashberg, en honor al cientfico que por primera vez las propuso. En este punto, es conveniente hacer notar que la idea bsica de apareamiento entre los electrones de espines opuestos no se modifica sino, ms bien, que el formalismo del acoplamiento fuerte se extiende para incluir interacciones realistas y evitar la utilizacin de la interaccin tipo BCS. As, en este formalismo, el estado superconductor est relacionado directamente (y en forma realista) con los parmetros que se tienen en el estado de conductividad normal. El precio que se paga por tomar este tratamiento realista de las interacciones es que las ecuaciones que relacionan los parmetros de las propiedades de estado normal con los parmetros de las propiedades en el estado superconductor se vuelven sumamente complicadas. Sin embargo, estas ecuaciones son muy precisas. Las propiedades de los superconductores pueden obtenerse resolviendo las ecuaciones de Eliashberg, as se explican muchos resultados experimentales que no quedaran claros con la teora BCS. Finalmente, es conveniente sealar que para los superconductores convencionales (no para los nuevos materiales superconductores cermicos) se entiende muy bien la naturaleza del estado superconductor.

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EL EFECTO DE PROXIMIDAD Este efecto, que haba sido sugerido por Cooper en 1961, consiste en que las propiedades superconductoras de las pelculas metlicas delgadas pueden verse seriamente afectadas por el contacto directo con otros metales: si tenemos capas delgadas de material superconductor depositadas sobre un metal en estado normal podran pasar al estado normal a pesar de estar a una temperatura inferior a la temperatura crtica y en ausencia de un campo magntico (que, como hemos visto, puede destruir el estado superconductor). Recprocamente, si tenemos capas delgadas de material en estado normal depositadas sobre un material en estado superconductor podran pasar al estado superconductor. Los primeros experimentos que verificaron la existencia del efecto de proximidad fueron realizados por Meissner entre 1958 y 1960, quin encontr que una pelcula de cobre depositada sobre estao (encontrndose el estao en estado superconductor) se volva superconductora. El argumento intuitivo para justificar la aparicin del efecto de proximidad puede expresarse de la siguiente manera. Como explic Cooper en 1961, es necesario distinguir entre el alcance de la interaccin atractiva entre electrones y la distancia sobre la cual, como un resultado de esta interaccin, los electrones estn correlacionados en pares de Cooper. El alcance de la interaccin atractiva es muy corto, del orden de 1 angstrom (del orden del tamao de la celda unitaria en la red cristalina). La distancia de correlacin para los pares de Cooper es del orden de 104 angstroms (o 10-4 cm). En virtud de esta longitud de coherencia grande para los pares de Cooper, stos pueden extenderse considerablemente dentro de una regin en la cual la interaccin entre electrones no es atractiva. As, cuando una pelcula delgada de material superconductor est en contacto con una pelcula de material en estado normal, la formacin de pares de Cooper puede extenderse a ambas capas. Es interesante hacer notar que las teoras existentes sobre el efecto de proximidad slo dan una concordancia cualitativa con los resultados experimentales. Tambin hay bastantes dificultades en lo que se refiere a la parte experimental del efecto de proximidad. Por una parte, es difcil obtener a nivel microscpico fronteras bien definidas entre los metales. Depositar pelculas delgadas a la temperatura ambiente puede llevar a que se produzca algo de difusin de un material en el otro y la formacin de aleaciones si los materiales no se seleccionan adecuadamente. Por otra parte, depositar pelculas delgadas a bajas temperaturas dificulta mucho la determinacin precisa del espesor de ellas.

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LOS NUEVOS MATERIALES SUPERCONDUCTORES Hemos mencionado ya que en abril de 1986 se anunci el descubrimiento de unos nuevos materiales superconductores que eran cermicos y que presentaban una temperatura de transicin superior a cualquiera de los materiales existentes en esas fechas. Al escribir estas lneas la temperatura crtica de transicin superconductora ms alta reportada es de alrededor de 135K, bastante arriba de la temperatura de ebullicin del nitrgeno lquido, que es un refrigerante de precio muy econmico y fcil de obtener en Mxico. Tambin hay indicios muy prometedores de que se podrn lograr temperaturas de transicin quiz por arriba de 200K. El descubrimiento de este nuevo tipo de superconductores fue realizado por J. C. Bednorz y K. A. Mller en un laboratorio de investigacin de la compaa IBM en Zurich, Suiza. Por vez primera, despus de ms de 12 aos fue posible encontrar una sustancia con una temperatura de transicin superior a 23.3 Kelvin. En su investigacin leyeron un artculo cientfico que resulta pieza clave en su trabajo. Se deba a los cientficos franceses C. Michel, L. Er-Rakho y B. Raveau, y en l se presentaba un nuevo material cuyas caractersticas de ser un xido metlico nuevo de cobre de valencia mixta lo convertan en candidato ideal para presentar superconductividad, de acuerdo con las hiptesis de trabajo de Bednorz y Mller. La composicin de este material es: BaLa4Cu5 O134. Bednorz y Mller empezaron a explorar sus propiedades, variando la concentracin de Ba. En la primavera de 1986 publicaron su artculo anunciando la superconductividad a una temperatura de 35 Kelvin en esta clase de compuestos. En stos, el arreglo de los iones corresponde a una geometra tpicamente conocida como perouvskita y que es muy comn entre los materiales llamados ferroelctricos. El rpido progreso que se ha alcanzado para encontrar materiales de este tipo, con temperaturas de transicin superconductora cada vez ms altas, ha sido realmente sorprendente. Muy pocos avances cientficos, si es que ha habido alguno, han generado tal flujo de actividad cientfica casi frentica en todo el mundo y, al mismo tiempo, un inters inmediato y muy grande entre el pblico en general. Lo que la inmensa mayora pensaba ya como algo imposible es ahora algo real y palpable: tener superconductividad a temperaturas mayores que las el nitrgeno lquido. El trabajo de Bednorz y Mller les vali el premio Nobel de Fsica de 1987. Es interesante notar que es la segunda vez que se otorga un premio Nobel a temas relacionados con la superconductividad. Casi inmediatamente despus del anuncio del descubrimiento de Bednorz y Mller, muchos grupos de cientficos en el mundo se lanzaron a tratar de obtener temperaturas de transicin ms altas. Uno de los grupos ms exitosos ha sido el del doctor Paul Chu, de la

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Universidad de Houston, uno de los primeros en darse cuenta de la importancia del descubrimiento de Bednorz y Mller, quien se dedic de lleno a la investigacin de este tipo de materiales. Pronto encontraron que la temperatura crtica poda ser aumentada a 57 Kelvin aplicando presin al material. Tanto la magnitud del cambio en Tc, como el hecho de que aumentara con la presin aplicada eran anormales si se comparan con los superconductores conocidos con anterioridad a estos nuevos materiales. Con esto en mente, Chu y sus colaboradores empezaron a buscar maneras de simular una "presin interna" en estos materiales reemplazando el lantano (La) con iones parecidos, como el de itrio (Y). A fines de febrero de 1987, Chu anunci que haba encontrado un compuesto que tena una temperatura de transicin al estado superconductor mayor de 90 Kelvin. La composicin de este material est dada por YBa2Cu3Ox. Casi simultneamente se anunci la obtencin de un material de composicin semejante y propiedades similares en China. En unos pocos das, con composiciones que eran variantes de la reportada por Chu y sus colaboradores, una docena de grupos alrededor del mundo informaron sobre la obtencin de materiales superconductores cermicos con temperaturas de transicin arriba de los 90 Kelvin, que ya han sido preparados en la Universidad Nacional Autnoma de Mxico; la manera de sintetizarlos es muy sencilla y puede efectuarse con la tecnologa que est al alcance de los pases del llamado Tercer Mundo. Es muy claro que disponer de materiales superconductores de temperatura crtica por arriba del nitrgeno lquido es una realidad en nuestro pas y en muchas otras naciones tercermundistas. Tambin comienza a ser muy claro que con ellos el mundo no volver a ser el mismo. Es muy probable que, una vez ms, la fsica cambiar nuestra manera de vivir como ocurri con el advenimiento del motor elctrico, del transistor, etctera. Vale la pena sealar que las perouvskitas de cobre y oxgeno, los nuevos materiales superconductores, haban sido muy estudiadas en la ltima dcada, especialmente por Raveau, Michel y colaboradores. Gran parte de su trabajo sent las bases para alcanzar un rpido progreso inmediatamente despus del descubrimiento de Bednorz y Mller. El inters inicial por estos materiales radic en la alta movilidad del oxgeno a temperaturas elevadas, lo que altera su comportamiento elctrico, de manera tal que se haba sugerido, como una de sus posibles aplicaciones, la de sensor de oxgeno. Muchos estudios han dejado bien claro ahora que las propiedades superconductoras del compuesto de itrio (Y), bario (Ba) y cobre (Cu) (muy ampliamente conocido como el 1-2-3, por su composicin: YBa2Cu3Ox) dependen crticamente en la cantidad y en el ordenamiento de oxgeno, que a su vez depende de los detalles del proceso para su obtencin. Por considerarlo de inters, general y para exhibir la sencillez de la preparacin de estos materiales, vamos a dar un pequeo resumen de la manera ms usual de prepararlos.

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Se trata de una reaccin de estado slido que se prepara mezclando polvos de tres materiales: xido de itrio (Y2O3), carbonato de bario (BaCO3) y xido de cobre, (Cu O). Las proporciones de la mezcla son de 1:2:3>, tornadas en el orden que las hemos mencionado. Se muele la muestra en un mortero (de gata, por ejemplo), hasta obtener un grano muy fino. Luego se procede a hornear este polvo para lograr una buena oxidacin. Se pueden utilizar crisoles de cuarzo, almina o platino. La almina parece permanecer inerte, siempre que la temperatura no sobrepase los 1 000C durante demasiado tiempo. La reaccin de estado slido tiene lugar suavemente en un lapso de 10 a 12 horas, manteniendo la temperatura. constante en 900C. Posteriormente, el polvo se vuelve a moler y se preparan por compresin unas pastillas que luego son horneadas, volviendo a calentarlas por varias horas. El proceso es simple y a veces ha de repetirse varias veces hasta conseguir la formacin del compuesto. Hay que tener cuidado de que la presin parcial de oxgeno durante el calentamiento del polvo no sea demasiado baja, de que no se saquen las muestras del horno demasiado pronto, pues de ser as no se encontrar la superconductividad por arriba de la temperatura del nitrgeno lquido. Las temperaturas de transicin ms altas y mejor definidas se obtienen cuando la muestra se calienta en una atmsfera de oxgeno y se deja enfriar lentamente desde 900C hacia la temperatura ambiente en un proceso de varias horas. La preparacin de la muestra 1-2-3 en el seno de una atmsfera inerte evita totalmente la obtencin de una muestra superconductora. En cuanto a las mediciones de las propiedades superconductoras de estas muestras es conveniente sealar lo siguiente. Las cadas abruptas de la resistividad elctrica a cero constituyen un indicador pobre, y adems peligroso, de la presencia del estado superconductor. Este comportamiento, puede provenir de muchas situaciones que no corresponden a un estado superconductor y que tienen que ser cuidadosamente exploradas antes de emitir conclusin alguna acerca de si se tiene o no un superconductor. Por ejemplo, es comn que se encuentre que las cadas abruptas del valor de la resistencia hacia cero se deban a problemas de corto circuitos o, en la tcnica de las cuatro puntas que es tan usual para este tipo de mediciones, al problema de las fases elctricas. En la prctica se encuentra que las muestras que han sido sobreprocesadas y que contienen muchas fases distintas del material son ms susceptibles de presentar este tipo de problemas, ya que son tan heterogneas en su comportamiento elctrico que pueden llevar a trayectorias alternativas para la corriente entre los electrodos y a resistencias de contacto que varan grandemente con la temperatura. Por otro lado, se sabe ya que en estos materiales se tienen pares de Cooper. En efecto, el 30 de abril de 1987 se tuvo la evidencia experimental de su presencia. El experimento se realiz

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en la Universidad de Birmingham, Inglaterra, siguiendo el mismo principio que se utiliz en un experimento realizado en 1961 con el mismo fin. Claro que se emple equipo ms refinado. En esencia, el experimento se refiere a la determinacin de la cuantizacin del flujo magntico que est dada en trminos de los portadores de carga del material, que resulta ser de dos veces la carga de un electrn, o lo que es lo mismo, la carga que corresponde a un par de Cooper. Sin embargo, no existe una teora convincente, hasta el momento, de cmo se forman estos pares de Cooper. Por otro lado, se ha reportado ya la manera en que el calor especfico de estos materiales vara con la temperatura. Se produce de manera muy diferente de como sucede en el caso de los superconductores convencionales. En los superconductores cermicos el calor especfico vara linealmente con la temperatura. En tanto que en el caso de los superconductores convencionales, como ya hemos visto, se da una variacin exponencial con la temperatura. La estructura de estos materiales corresponde a la estructura conocida como perouvskita, que es una estructura tpica de los materiales ferroelctricos. Adems, el contenido, de oxgeno parece ser sumamente importante para las propiedades superconductoras. Uno de los problemas ms importantes a resolver en estos materiales y que se ha estudiado poco hasta el momento, es el que se refiere al deterioro del material, pues al transferir un cierto tiempo el material deja de presentar propiedades superconductoras. El tiempo para que esto ocurra es de semanas y depende mucho del tipo de atmsfera en que se conserven las muestras. La complejidad qumica de los materiales superconductores de alta temperatura crtica implica una estabilidad limitada. De los sistemas de alta Tc, el 1-2-3 es el ms susceptible de deterioro, y los de lantano, bario, cobre y oxgeno son de los ms estables. El deterioro se puede evitar dando a los materiales un recubierta de proteccin de un material que no reaccione con la atmsfera circundante. Como ya se ha mencionado, existe en todo el mundo un enorme inters por estos nuevos materiales. Hay pases tercermundistas que han emprendido proyectos nacionales de superconductividad que tienen como fin el estudio y las aplicaciones de estos nuevos materiales que van a tener una tremenda importancia econmica en un futuro no lejano. Dentro de esos pases contamos a la India y a China. Esta ltima ya tiene un programa muy competitivo en el mbito mundial. Por otro lado, varios de los cientficos que encabezan actualmente los estudios de fabricacin y caracterizacin de estos materiales son de la India, pas que ha decidido invertir una parte apreciable de su producto interno bruto en apoyar su proyecto nacional de superconductividad. En Mxico tenemos algunos especialistas en el tema de superconductividad, y aunque existen los expertos en metalurgia necesarios para la obtencin de estos materiales, no se ha dado

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el trabajo conjunto entre ambos grupos. De este modo, la actividad en Mxico sobre los nuevos superconductores se redujo, casi en su totalidad, a la obtencin de muestras, caracterizndolas por la medicin de algunas de sus propiedades. No se abord el problema de su aplicacin. En la actualidad prcticamente no existen grupos de investigacin en superconductividad ni en la preparacin de nuevos materiales superconductores cermicos. Se mencionaba, por un tiempo, un plan nacional de superconductividad. Hasta ahora no se ha producido tal plan. Hay que tener en cuenta que es necesario emprender la formacin de recursos humanos en este importante campo para poder abordar un proyecto de esta naturaleza con la seriedad adecuada. Japn tiene un proyecto nacional de superconductividad desde la dcada de los setenta. Tal es la relevancia de estos materiales para este pas. En 1987 Estados Unidos emprendi tambin, un programa nacional de superconductividad con un considerable apoyo financiero, tanto gubernamental, como privado. Sin embargo, el esfuerzo econmico ms grande no proviene de los gobiernos de los distintos pases, sino de la industria privada. As, varias compaas industriales de Estados Unidos, Japn y naciones de Europa estn realizando enormes esfuerzos por utilizar los nuevos materiales superconductores. Cabe sealar que este descubrimiento cientfico, calificado ya varias veces de espectacular y esotrico, puede ahora reproducirse, con muy poco dinero (alrededor del equivalente de un salario mnimo mensual) prcticamente en cualquier laboratorio de qumica o fsica de una escuela preparatoria, o de nivel equivalente, en nuestro pas. Es muy claro que, a lo largo y ancho del mundo (y ojal nuestro Mxico no se quede fuera de este movimiento) hay una actividad cada vez mayor de toda una generacin de cientficos e ingenieros que se estn formando ya con un bagaje cultural que incluye el conocimiento y aplicacin de nuevos materiales sobre los cuales volcarn toda su creatividad e ingenio para explotar todas sus posibilidades. En el siguiente y ltimo tema presentaremos algunas de las posibles aplicaciones de los materiales superconductores, tanto de los superconductores convencionales, como de las perspectivas que ofrecen los nuevos materiales cermicos superconductores. VI.3. APLICACIONES DE LOS SUPERCONDUCTORES. Puede decirse que existen tres tipos de aplicaciones de la superconductividad: 1) La produccin de grandes campos magnticos. Al decir grandes nos referimos tanto a una gran intensidad del campo magntico como al espacio en el cual se crea el campo.

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2) La fabricacin de cables de transmisin de energa. Aunque stos ya se manufacturan a partir de los superconductores convencionales (no de los nuevos superconductores cermicos), actualmente no son competitivos comercialmente con respecto a los cables areos normales, a menos de que cubran una gran distancia (de cientos de kilmetros). En los casos en que las lneas de transmisin deben ser subterrneas, habra cierta ventaja econmica con la utilizacin de los cables superconductores. 3) La fabricacin de componentes circuitos electrnicos. Estos dispositivos electrnicos fueron ideados originalmente con la intencin de utilizar la transicin de estado normal a estado superconductor como un interruptor, mas resultaron decepcionantes con respecto a los logros alcanzados por los transistores de pelculas delgadas y se ha abandonado su uso en este aspecto. Este panorama puede cambiar con el descubrimiento de los nuevos materiales superconductores cermicos. Cabe mencionar que son de gran inters los dispositivos basados en la utilizacin del llamado efecto Josephson (que es el efecto de "tunelamiento" conocido por la mecnica cuntica, pero de corriente de superconductividad aun en ausencia de un voltaje aplicado). Resultan superiores a otras tecnologas y tienen un gran campo de aplicacin que va desde la deteccin de seales del infrarrojo lejano que provienen del espacio exterior, hasta pequesimos campos magnticos que se producen en el cerebro humano. Tambin la corriente Josephson a voltaje cero depende fuertemente de un campo magntico aplicado, lo que lleva a la posibilidad de tener un interesante interruptor para circuitos lgicos en las computadoras. La aplicacin ms importante, en cuanto a la cantidad de material empleado, es y ser por mucho tiempo la produccin de campos magnticos, que se emplean, principalmente, en los laboratorios de fsica con fines de investigacin, y es comn ver pequeos electroimanes superconductores que sirven para producir campos magnticos con intensidades del orden de 103 Oersted. Dentro de la investigacin en el campo de la fsica, tambin se utilizan electroimanes superconductores para generar campos magnticos altamente estables, tiles en los estudios de la resonancia magntica nuclear y la microscopa electrnica de alta resolucin. Son muy utilizados en las cmaras de burbujas que sirven para la deteccin de partculas y que requieren campos magnticos muy intensos. Por otro lado, se espera que los motores y generadores superconductores tendrn enormes consecuencias en lo social y econmico, en unos aos ms, pues para su elaboracin se utilizan campos magnticos intensos. Tambin se desea utilizar electroimanes superconductores para la levitacin de trenes de transporte de pasajeros o de carga. Es conveniente sealar las propiedades que se requieren en los superconductores comerciales:

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1) La mayor temperatura crtica posible. Esto se debe a que, cuanto mayor sea, ms elevada podr ser la temperatura de operacin del dispositivo fabricado, reducindose de esta manera los costos por refrigeracin requeridos para alcanzar el estado superconductor en operacin. 2) El mayor campo magntico crtico posible. Como se pretende utilizar el superconductor para generar campos magnticos intensos, mientras mayor sea el campo magntico que se quiere generar, mayor tendra que ser el campo crtico del material superconductor. 3) La mayor densidad de corriente crtica posible. A mayor densidad de corriente crtica que la muestra pueda soportar antes de pasar al estado normal, ms pequeo podr hacerse el dispositivo, reducindose, de esta manera, la cantidad requerida de material superconductor y tambin la cantidad de material que debe refrigerarse. 4) La mayor estabilidad posible. Es muy comn que los superconductores sean inestables bajo cambios repentinos de corriente, de campos magnticos, o de temperatura, o bien ante choques mecnicos e incluso por degradacin del material al transcurrir el tiempo (como ocurre en muchos de los nuevos materiales superconductores cermicos). As que, si ocurre algn cambi sbito cuando el superconductor est en operacin, ste podra perder su estado superconductor. Por eso es conveniente disponer de la mayor estabilidad posible. 5) Facilidad de fabricacin. Un material superconductor ser completamente intil para aplicaciones en gran escala si no puede fabricarse fcilmente en grandes cantidades. 6) Costo mnimo. Como siempre, el costo es el factor ms importante para considerar cualquier material utilizado en ingeniera y deber mantenerse tan bajo como sea posible. ALGUNAS APLICACIONES DE LOS ELECTROIMANES SUPERCONDUCTORES Se han propuesto muchas aplicaciones industriales a gran escala de los imanes superconductores. En la actualidad existen algunos mtodos alternativos que emplean campos magnticos pero, si se aplica la superconductividad en estas reas, se espera obtener un ahorro considerable en costos de operacin. En algunas otras reas el uso de electroimanes superconductores ha hecho la idea tcnica y econmicamente posible. Algunas de las aplicaciones ms importantes de los electroimanes superconductores, sin que la lista pretenda ser exhaustiva, es la siguiente: 1) Aplicaciones biolgicas. Se sabe desde hace mucho tiempo que los campos magnticos intensos afectan el crecimiento de plantas y animales. As, se han utilizado electroimanes superconductores para generar campos magnticos intensos y estudiar sus efectos en el crecimiento de plantas y animales y, adems, analizar su efecto en el comportamiento de estos ltimos.

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2) Aplicaciones qumicas. Es un hecho conocido que los campos magnticos pueden cambiar las reacciones qumicas y ser utilizados en la catlisis. 3) Aplicaciones mdicas. Se han aplicado campos magnticos para arreglar arterias, sacar tumores y para sanar aneurismas sin ciruga. Tambin se estudia la influencia de los campos magnticos en las funciones vitales del cuerpo humano. 4) Levitacin. Una aplicacin muy importante es en el transporte masivo, rpido y econmico. La idea de usar una fuerza magntica para hacer "flotar" vehculos de transporte ha estado en la mente de los cientficos por casi un siglo y la posible aplicacin de la superconductividad a este problema lo ha renovado y actualizado. Hay, esencialmente, dos mtodos posibles para conseguir la levitacin. Uno corresponde a la utilizacin de un sistema atractivo y el otro a un sistema repulsivo. Describiremos muy brevemente los principios de funcionamiento de cada uno.

El sistema atractivo ha sido investigado, principalmente, en Alemania y Estados Unidos. Como es sabido, la fuerza magntica entre un material ferromagntico colocado en el seno de un campo magntico y la fuente que genera al campo magntico es siempre atractiva. El peso del vehculo es sostenido por esta fuerza atractiva. Las caractersticas bsicas de este sistema son: a) el campo magntico necesario puede ser generado por electroimanes convencionales hechos de metales normales, a causa de la presencia de material ferromagntico; b) el uso de electroimanes de metal normal requiere una pequea brecha de alrededor de 1 cm entre el material ferromagntico y los electroimanes. Aun con un diseo ptimo, utilizando metal normal, el costo es mucho menor cuando se utilizan electroimanes superconductores;

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c) la fuerza magntica aumenta cuando la brecha se hace ms pequea y disminuye cuando aumenta, lo cual significa que el sistema es inherentemente inestable, y para lograr su estabilizacin es necesario que tenga un mecanismo de retroalimentacin que le permita regular la corriente y, por tanto, la fuerza atractiva.

Aunque no se puede hacer ninguna conclusin negativa acerca del sistema atractivo, ste presenta, al menos, dos desventajas cuando se trata de velocidades superiores a 250 km/h. La primera es la pequea brecha en la cual debe operar. Una razn fundamental por la que el tren convencional de ruedas y rieles no puede viajar a velocidades superiores a 300 km/h es que su posicin vertical tiene que ser mantenida dentro de una variacin no mayor de 2 milmetros sobre una distancia de 10 metros. La segunda razn es que el sistema es intrnsecamente inestable con respecto al movimiento vertical. Estas dos desventajas, si bien no hacen imposible la operacin a alta velocidad, si requieren una gran cantidad de energa elctrica para lograr mantener una brecha del tamao adecuado para velocidades mayores que 250 km/h. Se ha sugerido que los electroimanes de metal normal sean sustituidos por electroimanes superconductores para que sea posible construir una brecha de mucho mayor tamao. La contraparte de este beneficio radica en la dificultad de controlar las corrientes necesarias para estabilizar la posicin vertical.

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En lo que se refiere al sistema de levitacin por repulsin se puede decir que presenta mejores perspectivas. Este sistema funciona como una aplicacin de la ley de Lenz de induccin de corrientes elctricas al tener campos magnticos que varan con el tiempo, en cuyo seno existe una espira de material conductor. El campo magntico que genera la corriente inducida da lugar a un campo magntico que tiene una polaridad opuesta al campo magntico original, crendose una repulsin entre ambos campos magnticos. Un aspecto importante del sistema repulsivo es la disipacin de energa que se da en el conductor; es una prdida por la resistencia elctrica del material conductor. Esta disipacin depende de la frecuencia de excitacin y tiene un mximo para cierto valor de la frecuencia. Sin embargo, tiende a cero conforme la frecuencia de excitacin crece hacia valores ms grandes. La caracterstica ms importante del sistema repulsivo, en lo que se refiere a transportacin masiva, es la utilizacin de electroimanes superconductores para proporcionar los campos magnticos requeridos. Los electroimanes superconductores hacen posible generar un campo magntico intenso en un volumen grande y esto tiene profundos efectos en el diseo del sistema. Los puntos sobresalientes del sistema son:

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a) La brecha entre los electroimanes y el material conductor puede ser, al menos, de una magnitud mayor que para el caso atractivo. Esto es fundamental para el diseio de operacin de vehculos de alta velocidad. b) Un campo magntico intenso, generado sobre un gran volumen por los electroimanes superconductores, puede incorporarse fcilmente a un mecanismo de propulsin y de esta manera los mecanismos de suspensin (o levitacin) y los de propulsin son compatibles. A menos que investigaciones posteriores indiquen lo opuesto, parece que no existen problemas tcnicos fundamentales con este sistema. Sin embargo, se requieren algunas innovaciones tcnicas antes de poder completar un diseo comercial. El descubrimiento de materiales superconductores cermicos con una elevada temperatura crtica hace an ms atractiva la idea de la utilizacin de materiales superconductores para la transportacin masiva. Cuando menos ya no se requerir enfriar a temperatura de helio lquido, bastar con la refrigeracin que proporciona el nitrgeno lquido. Claro que an sigue la bsqueda de materiales cermicos superconductores de temperatura crtica superior a la temperatura ambiente y, si se logra hallarlos, ya no ser necesaria la refrigeracin del sistema, reducindose as los costos de construccin y operacin. 5) Generacin de energa. Utilizacin de imanes superconductores para lograr "botellas magnticas" que sirvan para la generacin de energa nuclear por fusin que no presenta problemas de desechos radiactivos, como sucede con los actuales generadores de energa nuclear por fusin. 6) Separacin magntica. sta se aplica comercialmente para separar materiales paramagnticos y materiales ferromagnticos: en la industria del caoln, para separar sustancias magnticas de la arcilla; para la limpieza magntica selectiva del carbn, o sea, separar sustancias minerales de sustancias orgnicas. 7) Limpieza de aguas contaminadas. Por medio de campos magnticos se pueden separar las impurezas que al estar disueltas en agua quedan ionizadas y al fluir a travs de un campo magntico pueden ser desviadas por ste y ser apartadas del agua. 8) Blindaje y modelaje de campos magnticos. Puede lograrse por medio de planos superconductores que ya han sido utilizados para este fin en sistemas de produccin de energa. 9) Aceleradores de mucha energa. Se han podido desarrollar electroimanes dipolares y cuadrupolares oscilantes de materiales superconductores, capaces de generar los campos magnticos ms intensos de la historia para su utilizacin en aceleradores de partculas de energa muy grandes.

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SISTEMAS INDUCTIVOS DE ALMACENAMIENTO DE ENERGA Un ejemplo de aplicacin a gran escala de los electroimanes superconductores es el almacenamiento de energa, sistema que podra servir para una gran variedad de propsitos importantes. Para valores adecuados del campo magntico se pueden almacenar densidades de energa muy altas comparadas con otros sistemas de almacenamiento de energa. En esencia, en una bobina hecha de un material superconductor se deja circulando una corriente. Como no hay disipacin de energa al no existir resistencia elctrica, la corriente permanecer circulando por mucho tiempo. Al momento de necesitarse la energa almacenada en la bobina, se toma. Dependiendo del tiempo en el que puede realizarse la descarga de energa elctrica, los electroimanes pueden utilizarse en reactores de fusin o en sistemas de distribucin comercial de energa elctrica. Las descargas de energa del orden de milisegundos pueden utilizarse para iniciar una reaccin de fusin nuclear de deuterio-tritio o de deuterio-helio3. Aunque ya es posible construir con los superconductores convencionales (con los nuevos superconductores cermicos todava no) electroimanes superconductores capaces de almacenar 10 000 millones de Joules (esto es del orden de 2 800 kilowatts-hora), el interruptor que permite la rpida descarga de energa aun presenta muchos problemas en su funcionamiento. Realizar descargas de 2.8 kilowatts-hora en 0.1 seg es posible con interruptores superconductores. De cualquier modo, el principal atractivo de la aplicacin de estos sistemas sera su utilizacin en las redes comerciales de distribucin de energa elctrica, sobre todo para el consumo en las llamadas "horas pico". La lista puede extenderse para incluir muchos otros usos, pero la confiabilidad, la facilidad en la operacin de los electroimanes y las consideraciones econmicas constituirn los factores ms importantes en el diseo de sistemas electromagnticos que utilicen superconductores. Para la mayora de las aplicaciones tcnicas, la operacin de los electroimanes debe ser totalmente automtica y esto requiere sistemas complicados de control y retroalimentacin, as como sistemas de refrigeracin de circuito cerrado interconectados con el sistema de alimentacin de energa. ALGUNAS NOCIONES SOBRE CABLES SUPERCONDUCTORES Actualmente, un cable superconductor necesita de una cubierta refrigerante a su alrededor para mantenerlo a una temperatura inferior a la temperatura crtica del material que lo forma. Es evidente que si se dispusiera de un superconductor que trabajara a la temperatura ambiente (o mayor) el sistema de refrigeracin no sera necesario. Claro que si se tuviera un elemento conductor fabricado con los nuevos materiales cermicos, el sistema de refrigeracin se simplificara muchsimo en su diseo y disminuira mucho su costo de fabricacin. Nos referimos

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a los actuales cables superconductores convencionales. Aunque la filosofa del diseo permanecer con los nuevos materiales cermicos superconductores. Puede hacerse, a grandes rasgos, una distincin entre las caractersticas de los cables superconductores a partir de sus componentes: el aislamiento trmico y el sistema conductor elctrico.

Por otro lado, con respecto a la construccin mecnica, se tienen tres tipos de cables superconductores: 1) Rgidos. El aislamiento y el conductor se fabrican con tubos rgidos. Una de las dificultades principales de este diseo es que la longitud mxima de manufactura transportable es de 20 metros aproximadamente, de lo que resulta un gran nmero de uniones. Se requieren, adems, componentes corrugados para compensar las contracciones trmicas.

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2) Semiflexibles. En este caso tambin el sistema de aislamiento trmico consta de tubos rgidos con componentes corrugados para compensar las contracciones trmicas. Sin embargo, el conductor es flexible y puede consistir de un tubo corrugado, o de alambres doblados en forma helicoidal sobre un soporte cilndrico hueco. Estos cables superconductores pueden fabricarse en longitudes de 200 a 500 metros y ser transportados en tambores.

3) Completamente flexibles. En este tipo de cable el aislamiento trmico tambin es flexible. El cable est construido con tubos corrugados, de manera que no hay problemas con respecto al transporte o a las contracciones trmicas. El conductor puede ser, otra vez, un tubo corrugado o alambre doblado en forma helicoidal.

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En los tipos de cable rgido y semiflexible todos los conductores pueden acomodarse en una envoltura trmica rgida comn, lo que tiene un efecto para evitar prdidas trmicas. Estos cables han sido utilizados hasta ahora, principalmente, para la construccin de electroimanes de gran intensidad de campo y en pocos casos para lneas de transmisin. Es necesario mencionar que la tecnologa de fabricacin vara dependiendo de si el cable va a transportar corriente directa o corriente alterna. La diferencia se refiere a la disposicin de los superconductores dentro del cable. Sin embargo, el esquema general permanece prcticamente sin cambio. Los materiales ms utilizados hasta este momento siguen siendo Nb3Sn y NbTi. Hay que mencionar que las cualidades mecnicas de los nuevos materiales superconductores cermicos para la fabricacin de alambres son muy pobres. Sin embargo, se est trabajando febrilmente en desarrollar una tecnologa que permita hacer alambres con los nuevos materiales superconductores cermicos; ya se estn comercializando algunas pequeas bobinas para diferentes usos, especialmente en las fbricas de componentes electrnicos muy pequeos (de los llamados microchips).

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ALGUNAS APLICACIONES EN LA ELECTRNICA La primera sugerencia para utilizar la transicin del estado normal al estado superconductor en la electrnica fue hecha en 1956. El dispositivo que se propuso recibi el nombre de criotrn. A continuacin haremos una pequea descripcin de este dispositivo. Consiste en un par de alambres superconductores, uno enrollado alrededor de otro. Usualmente un alambre de niobio se coloca alrededor de un alambre de tantalio, aislados elctricamente entre s. El campo magntico crtico del niobio es bastante mayor que el del tantalio. Ambos alambres se encuentran inicialmente en un estado superconductor. Supongamos ahora que una corriente, I, pasa por el alambre de tantalio que, al ser superconductor, no ofrece resistencia al paso de la corriente. Si hacemos pasar una corriente IC, a travs del alambre Nb, se genera un campo magntico dentro del cual el alambre de tantalio (Ta) queda inmerso. Si la corriente es suficientemente intensa se puede generar un campo magntico que lleve al tantalio a su estado normal. Si esto ocurre, aparece una resistencia elctrica en el tantalio al paso de la corriente, reducindose as el valor de esa corriente. Sin embargo, el alambre de Nb puede permanecer en el estado superconductor ya que el campo magntico crtico del Nb es mayor que el del Ta para la misma temperatura. Por tanto, el valor de la corriente en el alambre del tantalio puede controlarse con una corriente menor. El alambre de tantalio recibe el nombre de alambre de paso o paso. El alambre de niobio recibe el nombre de alambre de control, o control. Por lo general el calibre del alambre de paso se toma lo ms grande posible para as tener en l la mayor cantidad de corriente. Al principio se utilizaron criotrones como interruptores rpidos para su posible uso en computadoras. Incluso, existen criotrones de pelculas delgadas. En general, hubo bastante esfuerzo dedicado al desarrollo de circuitos superconductores de criotrones. Sin embargo, a mediados de los aos sesenta, estos dispositivos haban perdido ya terreno respecto a los dispositivos de transistores que funcionan a la temperatura ambiente. La razn ms importante, quiz, es que el criotrn no fue tan eficiente comparado con las versiones mejoradas del transistor. Sin embargo, con los nuevos materiales superconductores cermicos los criotrones podran ser de nuevo competitivos, ya que en ellos las temperaturas de refrigeracin son mucho ms grandes. Por otro lado, el criotrn se ha utilizado y se utiliza para controlar corrientes en circuitos de imanes superconductores.

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Tambin ocurri que el descubrimiento del llamado efecto Josephson y el desarrollo alcanzado en el campo de los circuitos integrados trajeron como consecuencia una perspectiva esplndida de aplicaciones de la superconductividad en la electrnica. El efecto Josephson consiste en el paso de corrientes superconductoras (pares de Cooper) a travs de una unin que, normalmente y desde un punto de vista clsico, no debera dejar pasar ningn electrn. Es un fenmeno tpicamente cuntico, explicable por la mecnica cuntica. La corriente Josephson est presente aun en ausencia de un voltaje aplicado a la unin (que recibe el nombre de unin tnel). Esta corriente de voltaje cero depende fuertemente de un campo magntico aplicado. Estas caractersticas permiten disponer de un interesante interruptor para circuitos lgicos. Este efecto tambin se observa, desde luego, en los nuevos materiales superconductores cermicos. Es evidente que si tenemos pequeas espiras de material superconductor por las que circula una corriente, se contar con informacin almacenada, pues la corriente permanecer circulando en la espira sin prdida y, como sabemos, toda corriente que circula genera un momento magntico. Si la corriente circulara en sentido contrario, el momento magntico generado sera opuesto al inicial. Estos dos sentidos de circulacin pueden constituir dos estados de una clula de memoria. Para las computadoras, el uso de dispositivos de efecto Josephson lleva a tiempos de transferencia de corriente extremadamente breves. Los tiempos de respuesta de un interruptor de efecto Josephson son de 5 a 10 picosegundos (un picosegundo es igual a 10-12 segundos).

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La dificultad de la aplicacin del efecto Josephson radica en la elaboracin de la unin en donde se da este efecto. Dicha unin ha de construirse con capas de oxido de unos 30 angstroms y, adems, las caractersticas han de ser estables ante ciclajes trmicos y almacenamiento. Sin embargo, su utilizacin parece muy ventajosa y polifactica. El SQUID (dispositivo superconductor de interferencia cuntica, por sus siglas en ingls) es uno de los dispositivos superconductores ms utilizados. Existen dos tipos de este dispositivo: el SQUID de corriente directa (cd) y el SQUID de radio frecuencia (rf). Son los instrumentos ms sensibles que existen para medir una gran variedad de cantidades fsicas: campos magnticos, cambios espaciales de campos magnticos, susceptibilidades magnticas, voltajes muy pequeos y desplazamientos microscpicos. El SQUID de corriente directa est formado por dos uniones de tipo Josephson conectadas en paralelo en un circuito de superconductores. Cuando aplicamos una pequea corriente, I, sta fluye a travs de las uniones como una supercorriente sin ocasionar una cada de potencial, esto es, sin requerir un voltaje aplicado a travs de la barrera. Sin embargo, cuando esta corriente excede cierto valor crtico, IC, se genera un voltaje V en la unin y la corriente, IC, es una "La superconductividad en imgenes"). El periodo de esta funcin es de un flujn, que es un -15 weber. La naturaleza oscilatoria de la 0 = h/2e = 2.07 x 10 corriente se debe a la interferencia de las dos ondas que describen los pares de Cooper en las uniones, de manera anloga a la interferencia de dos ondas electromagnticas coherentes (o sea dos ondas de luz). Por esto, al SQUID se le llama algunas veces interfermetro. El SQUID puede utilizarse como un magnetmetro extremadamente sensible, ya que es de flujo magntico bloqueado que genera una corriente en la espira acoplada. al SQUID de manera flujo magntico total del SQUIDen un valor magntico

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El SQUID de radio frecuencia, es un diseo anterior al del SQUID cd. Consta de una unin Josephson incorporada a un circuito superconductor. El circuito est acoplado a la bobina de un circuito enfriado LC (bobina-condensador) que est excitado a su frecuencia de resonancia, tpicamente de 30 MHZ. La amplitud del voltaje oscilante de radio frecuencia a travs del resonante es peridico en el flujo magntico, con periodo de un flujn. Despus de desmodular la seal de radiofrecuencia, la salida se utiliza para bloquear el flujo del SQUID, de la misma manera que en el SQUID cd. Este tipo de SQUID es mucho menos sensitivo que el SQUID cd, pero ha permanecido en el mercado hasta muy recientemente. Aunque, por ahora, es demasiado pronto para que estos dispositivos tengan una gran repercusin en aplicaciones prcticas, dentro de la prxima dcada se espera un gran auge, tanto en la variedad de estos dispositivos superconductores como en la variedad de sus aplicaciones. Una de las ms novedosa es en biomagnetismo, donde se utilizan para detectar espeacialmente las fuentes de los pequesimos campos magnticos generados por el cerebro.

Para finalizar, existen computadoras que tienen muchos elementos y dispositivos superconductores y que son mucho ms rpidas que las construidas con materiales normales. En general las utilizan los departamentos de defensa de las grandes potencias para procesar la informacin de los satlites espas sobre un posible ataque con proyectiles. Se requiere procesar muchsima informacin sobre las trayectorias de los proyectiles para repeler un ataque y dar una respuesta rpida y contundente. Tambin se utilizan para detectar y cuantificar los movimientos militantes cotidianos de todos los pases del mundo. Desafortunadamente el mundo cientfico todava no tiene acceso de manera plena a estas computadoras para realizar trabajos de investigacin. En Mxico se han dado ya los primeros pasos para entrar a la era de los nuevos materiales superconductores cermicos de alta temperatura crtica que ofrecen tantas aplicaciones

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pacficas para el mejoramiento de nuestras condiciones nacionales de vida. Sin embargo, el esfuerzo deber no slo mantenerse sino tambin incrementarse.

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BIBLIOGRAFIA
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