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Carlos Novillo MonteroCan 
FIGURA 4.3 (a) CANAL-N (b) CANAL-P
 
FIGURA 4.1FIGURA 4.2
TRANSISTORES DEEFECTO DE CAMPO FETs
 Todos ellos pueden ser Canal-N o Canal-PMOS = Metal Oxide SemiconductorD = Depletion [Decremental]E = Enhancement [Enriquecimiento]CMOS
A
Complementary - MOSFET, tecnología MOSFET complementaria [enun mismo circuito se usan MOSFETs canal-N y canal-P].
JFET (Junction Field Efect Transistor)
.- El JFET es un tipo de transistorque opera con una juntura polarizada inversamente para controlar lacorriente de un canal. Dependiendo de su estructura, los JFET caendentro de 2 categorías: canal-N o canal-P. Las figs. 4.1 y 4.2 muestranla estructura básica de un JFET canal-N y de un JFET canal-Prespectivamente. El Drenaje [Drain] corresponde al terminal superior,el Fuente [Source] el terminal inferior. Las 2 regiones tipo-P estándifundidas en el material tipo-N para formar el
canal
, y las 2 regionestipo-P están conectadas al terminal Compuerta [Gate].
Símbolo del JFET 
.- Las figs. 4.3 (a) y (b) muestran los símbolosesquemáticos para los JFETs canal-N y canal-P respectivamente.
 
FETs- 283 -
Carlos Novillo MonteroCan 
FIGURA 4.4FIGURA 4.5
Operación Básica
.- Para ilustrar la operación de un JFET, la fig. 4.4muestra los voltajes de polarización aplicados al dispositivo canal-N.
DD
V proporciona el voltaje Drenaje-a-Fuente y genera la corriente de
GG
Drenaje-a-Fuente. V establece el voltaje inverso entre la Compuertay la Fuente.
El JFET siempre opera con la juntura PN Compuerta-Fuente polarizada inversamente
. La polarización inversa de la juntura Compuerta-Fuente con un voltaje de Compuerta negativo produce una región desérticaa lo largo de la juntura
PN 
, que se extiende en el canal-N y asíincrementa su resistencia restringiendo el ancho del canal.El ancho del canal puede controlarse variando el voltaje de laCompuerta, por tanto, también se puede controlar la cantidad de corriente
D
de Drenaje I.
Características y Parámetros del JFET 
.- En esta sección se verá como operaun JFET como un dispositivo controlado por voltaje, con corrienteconstante.Se considera primero el caso cuando el voltaje Compuerta-a-Fuente
GS
es cero [V = 0V]. Esto se produce cortocircuitando la Compuerta ala Fuente, como en la fig. 4.5, donde ambos terminales están conectados
DDDSD
a tierra. Conforme V (es decir, V) se incrementa desde 0V, Iincrementará proporcionalmente a través del material tipo-N como semuestra en la fig. 4.5 entre los puntos A y B. En esta región la
 
FETs- 284 -
Carlos Novillo MonteroCan 
FIGURA 4.6 (a) (b)
resistencia del canal básicamente se mantiene constante puesto quela región desértica no es muy grande para tener un efecto significativo.
DSD
Esta es la
región óhmica
debido a que V e I están relacionadas porla ley de Ohm.
D
En el punto B de la fig. 4.5, la curva de I comienza a ser
DS
prácticamente constante. Conforme V se incrementa, a partir del puntoB hacia el punto C, el voltaje de polarización inversa de Compuerta-a-
GD
Drenaje (V) produce una región desértica bastante grande para compensar
DSD
los incrementos de V, así I se mantiene relativamente constante.
P
 Voltaje PINCH-OFF [V]
(pinch-off = estrangulamiento, estrechamiento o
GSDSD
estricción).- Para V = 0V, el valor de V en el que I empieza a sercasi constante [punto B de la curva característica] es el voltaje
 pinch-
PP
off 
V. Para un JFET particular, V tiene un valor fijo. Como puede
DS
verse, un incremento continuo de V sobre el voltaje pinch-off produceuna corriente de Drenaje constante. Este valor de corriente de Drenaje
DSS
es I [
D
rain to
S
ource current with Gate
S
horted = corriente Drenaje-a-Fuente con la Compuerta cortocircuitada] y siempre está especificadaen las hojas de datos del JFET.
DSS
I es la máxima corriente de Drenaje que puede circular a travésdel canal de un JFET específico, sin importar el circuito externo,
GS
y siempre está especificada para las condiciones V = 0V.
D
La
ruptura
ocurre en el punto C [fig. 4.5], cuando I empieza a
DS
incrementar rápidamente con incrementos posteriores de V. La rupturapuede generar daños irreversibles al dispositivo, así los JFETs siempredeben operar por debajo de la ruptura y dentro de la
región de corrienteconstante
[entre los puntos B y C del gráfico].
DGS
Control de I con V 
.- La conducción de corriente a través del canal se
GG
la realiza mediante la conexión de un voltaje de polarización, V,desde la Compuerta a la Fuente como se muestra en la fig. 4.6 (a).
GSGG
Conforme V se hace más negativo, ajustando V, se produce La familiade curvas características de Drenaje, que se indica en la fig. 4.6(b).
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