TIRISTORES Y OTROS DISPOSITIVOS DE 4-CAPAS

En este captulo, se analizarn varios dispositivos de 4-capas. Primero, se estudiar una familia de dispositivos construidos con 4-capas de semiconductor (pnpn) conocidos como tiristores, que incluyen al diodo Shockley, el rectificador controlado de silicio [Silicon-Controled Rectifier (SCR)], el interruptor controlado de silicio [SiliconControlled Switch (SCS)], el DIAC y el TRIAC. Los diferentes tipos de tiristores comparten ciertas caractersticas adems de sus 4-capas de semiconductor. Actan como circuitos abiertos capaces de soportar cierto rango de voltaje hasta que se disparan. Una vez activados, pasan a ser vas de corriente de baja-resistencia y permanecen as, an despus de haber quitado la seal de disparo, hasta que se reduzca la corriente a cierto nivel o hasta se los desactive, dependiendo del tipo de dispositivo. Otros dispositivos, que no son de 4-capas, estudiados en este captulo incluyen el transistor unijuntura [UniJunction Transistor (UJT)], el transistor unijuntura programable [Programmable Unijunction Transistor (PUT)]; interruptor controlado en compuerta [Gate Turn Off switch (GTO)]; SCR activado por luz [Light Activated SCR (LASCR)]. Los tiristores se pueden usar para controlar la cantidad de energa ac entregada a una carga y se usan en lmparas tipo dimmer, control de la velocidad de motor, sistemas de ignicin, y circuitos de carga, etc. Los UJTs y los PUTs tambin se utilizan para disparar tiristores en osciladores y circuitos de temporizacin.

El Diodo Shockley.- El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales:

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nodo y ctodo. Se lo construye con 4-capas de semiconductor que forman una estructura pnpn. El dispositivo acta como un interruptor y permanece apagado hasta que el voltaje directo alcance cierto valor; entonces se activa y conduce. La conduccin contina hasta que la corriente se reduzca por debajo de un valor especfico. En esta seccin se estudia la estructura bsica y la operacin del diodo Shockley: smbolo del diodo Shockley; voltaje de ruptura directa; corriente de sustentacin; corriente de conmutacin; aplicacin. El diodo Shockley es un tiristor, una clase de dispositivo construido con 4-capas de semiconductor. La construccin bsica de un diodo Shockley y su smbolo esquemtico se muestran en la fig. 6.1.

FIG UR A 6.1

EL D IO D O SH O CK LEY

La estructura pnpn puede ser representada por un circuito equivalente que consiste de un transistor pnp y un transistor npn, como se indica en la fig. 6.2 a). Las capas superiores pnp forman en transistor Q1 y las capas inferiores npn forman el transistor Q2, con las dos capas intermedias compartidas por los dos transistores equivalentes. Se ve que la juntura base-emisor de Q1 corresponde a la juntura pn-1 en la fig. 6.1, la juntura base-emisor de Q2 corresponde a la juntura pn-3, y la juntura base-colector de Q1 y Q2 corresponde a la juntura pn-2.

FIG UR A 6.2

CIRCU ITO EQUIVA LEN TE

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Operacin Bsica.- Cuando se aplica un voltaje de polarizacin positivo

al nodo con respecto al ctodo, como se muestra en la fig. 6.2 b), las junturas base-emisor de Q1 y de Q2 [junturas pn-1 y -3 en la fig. 6.1 a)] se polarizan directamente, y la juntura base-colector [juntura pn-2 en la fig. 6.1 a)] estn inversamente polarizadas. Por tanto, ambos transistores equivalentes estn en la regin lineal. A bajos voltajes de polarizacin directa, una expresin para la corriente de nodo, IA, se desarrolla como sigue, utilizando las relaciones normalizadas del transistor y la fig. 6.3. En este anlisis se toma en cuenta la corriente de fuga, ICBO.

FIG U R A 6.3 CO RR IENTES D EL CIRCU ITO EQU IVALENTE

Para el transistor Q1 IB1 = IE1 - IC1 - ICBO1 Puesto que IC = DCIE IB1 = IE1 - DC1IE1 - ICBO1 = IE1(1 - DC1) - ICBO1 La corriente de nodo, IA, es la misma que IE1, entonces IB1 = IA(1 - DC1) - ICBO1 Para el transistor Q2 se tiene IC2 = DC2IE2 + ICBO2, pero IE2 = IK, entonces IC2 = DC2IK + ICBO2 puesto que IC2 = IB1, DC2IK + ICBO2 = IA(1 - DC1) - ICBO1
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IA e IK son iguales. Sustituyendo IK por IA en la ecuacin anterior y resolviendo para IA, se tiene

A bajos niveles de corriente, DC de los transistores en muy bajo. De donde, a bajos niveles de polarizacin, hay muy poca corriente de nodo en el diodo Shockley como se ve en la ecuacin anterior, de modo que est en el estado de corte o en la regin de bloqueo-directo. Ejemplo.- Cierto diodo Shockley est polarizado en la regin de bloqueodirecto con un voltaje nodo-a-ctodo de 20V. Bajo esta condicin de polarizacin, DC1 = 0,35 y DC2 = 0,45. Las corrientes de fuga son 100nA. Determine la corriente de nodo y la resistencia directa del diodo. Solucin.- Mediante la Ecuacin anterior se determina la corriente de nodo.

Esta es la corriente directa cuando el dispositivo est apagado, pero con una polarizacin directa de VAK = +20V. Entonces, la resistencia directa es,

Ejercicio Relacionado.- Si la corriente de nodo es 2A y VAK = 20V, Cul es la resistencia directa del diodo Shockley en la regin de bloqueodirecto?

Voltaje de Ruptura-Directa.- La operacin del diodo Shockley puede parecer

extraa porque est polarizado directamente, y an acta bsicamente como un interruptor abierto. Esta es la regin de polarizacin directa, denominada la regin de bloqueo-directo, en la que el dispositivo tiene una resistencia directa muy alta [idealmente circuito abierto] y est en el estado apagado. La regin de bloqueo-directo existe desde VAK = 0V hasta un valor de VAK denominado voltaje de ruptura-directa [forwardbreakover, VBR(F)]. Esto se indica en la curva caracterstica del diodo
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Shockley de la fig. 6.4.

FIG U R A 6.4

Al aumentar VAK desde 0, la corriente de nodo, IA, gradualmente se incrementa como se muestra en la fig. 6.4. Conforme IA se incrementa, tambin lo hacen DC1 y DC2. En el punto donde DC1 + DC2 = 1, el denominador de la Ec. (6.3) se hace cero, e IA = IS, la corriente de conmutacin. En este punto, VAK = VBR(F), y la estructura interna del transistor se satura. Cuando esto pasa, la cada de voltaje directa VAK sbitamente decrece a un valor bajo aproximadamente igual a VBE + VCE(sat) cuado IA incrementa, y el diodo Shockley entra en la regin de conduccin-directa como se indica en la fig. 6.4. Ahora, el dispositivo est en el estado encendido y acta como un interruptor cerrado. Cuando la corriente de nodo cae por debajo del valor de sustentacin (holding), IH, el dispositivo se apaga. Corriente de Sustentacin [Holding Current IH].- Una vez que el diodo Shockley est conduciendo [en el estado on], continuar conduciendo hasta que la corriente de nodo se reduzca por debajo de un nivel especfico, llamado corriente de sustentacin, IH. Este parmetro tambin est indicado sobre la curva caracterstica en la fig. 6.4. Cuando IA cae por debajo de IH, el dispositivo rpidamente cambia al estado desactivado [off] y entra en la regin de bloqueo-directo. Corriente de Conmutacin [Switching Current IS ].- El valor de la corriente de nodo en el punto donde el dispositivo pasa a la regin de bloqueodirecto (off) a la regin de conduccin-directa [on] se llama la corriente de conmutacin, IS. Este valor de corriente siempre es menor que la corriente de sustentacin, IH. Ejemplo.- a) Determine el valor de la corriente nodo en la fig. 6-5, cuando el dispositivo est apagado y DC, de cada transistor es 0,4.
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Las corrientes de fuga son 0,08A cada una; donde RS = 10K; VB = 30V; VBR(F) = 40V. b) Determine el valor de la corriente de nodo en la fig. 6.5 donde el dispositivo est en conduccin, VBR(F) = 40V. Asuma que VBE = 0,7V y VCE(sat) = 0,1V para la estructura interna del transistor; donde RS = 10K; VB = 50V.

FIG U R A 6.5

a)

b) El voltaje en el nodo es VA = VBE + VCE(SAT) = 0,7V + 0,1V = 0,8V El voltaje a travs de RS es VRS = VB - VA = 50V - 0,8V = 49,2V La corriente del nodo es

Cul es la resistencia directa del diodo Shockley?

Aplicacin.- El circuito de la fig. 6.6 a) es un oscilador de relajacin. Cuando se cierra el interruptor, el capacitor se carga a travs de R hasta que su voltaje alcanza el voltaje de ruptura directa del diodo Shockley.

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FIG UR A 6.6

O SCILA D O R D E RELA JA CI N

En este punto el diodo cambia a conduccin, y el capacitor se descarga a travs del diodo. La descarga contina hasta que la corriente del diodo sea menor que el valor de sustentacin. Ah el diodo pasa a su estado apagado y el capacitor empieza a cargarse de nuevo. El resultado de esta accin es un voltaje con una forma de onda similar a la que se muestra en la fig. 6.6 b).

Rectificador Controlado de Silicio (SCR).- El rectificador controlado

de silicio (SCR) es otro dispositivo pnpn de 4-capas similar al diodo Shockley excepto que tiene 3-terminales: nodo, ctodo, y compuerta. Como el diodo Shockley, el SCR tiene dos posibles estados de operacin. En el estado off, acta idealmente como un circuito abierto entre el nodo y el ctodo; realmente, ms que un circuito abierto, hay una resistencia muy alta. En el estado on, el SCR acta idealmente como un cortocircuito desde el nodo al ctodo; en realidad, hay una resistencia directa pequea. El SCR se usa en muchas aplicaciones, que incluye: control de motores, circuitos de retardo de tiempo, control de calefaccin, control de fase, y control de relevadores, fuentes de alimentacin reguladas, interruptores estticos, muestreadores (choppers), inversores, convertidores de ciclo, cargadores de bateras, circuitos de proteccin, etc. En esta seccin se describe la estructura bsica y la operacin de un SCR; el smbolo esquemtico; el circuito equivalente bipolar de un SCR; cmo se activa y cmo se desactiva un SCR; las curvas caractersticas de un SCR; conmutacin forzada; varios parmetros del SCR. La estructura bsica de un rectificador controlado de silicio (SCR) se muestra en la fig. 6.7 a) y el smbolo esquemtico se muestra en la fig. 6.7 b).

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FIGURA 6.7 RECTIFICADOR CON TR OLADO D E S ILIC IO [S C R ]

FIG U R A 6.8

Dispositivos tpicos del SCR se muestran en la fig. 6.8, otros tipos de tiristores se encuentran en elementos similares. Circuito Equivalente del SCR.- Igual a la operacin del diodo Shockley, la del SCR se puede entender mejor pensando que su estructura pnpn interna es un arreglo de 2-transistores, como se muestra en la fig. 6.9.

FIG U R A 6 .8

C IR C U ITO EQ U IV A LE N TE D E L S CR

Esta estructura es igual a la del diodo Shockley, excepto que tiene un tercer terminal llamado compuerta (Gate = G). Las capas pnp superiores actan como el transistor Q1, y las capa npn inferiores actan como
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el transistor Q2. Una vez ms, los transistores comparten las dos capas intermedias. Activacin del SCR.- Cuando la corriente de compuerta, IG, es cero, como se muestra en la fig. 6.10 a), el dispositivo acta como un diodo Shockley en el estado apagado. En este estado, la resistencia muy alta entre el nodo y el ctodo puede aproximarse a un interruptor abierto, como se indica. Cuando se aplica un pulso [disparo] de corriente positivo a la compuerta, los dos transistores se activan [el nodo debe ser ms positivo que el ctodo]. Esta accin se muestra en la fig. 6.10 b).

a ) SCR A P A G A D O O FF FIG U R A 6.1 0

b)

SCR EN CEN D ID O O N

IB2 activa Q2, proporcionando un camino para que IB1 salga por el colector de Q2, as se activa Q1. La corriente de colector de Q1 proporciona corriente de base adicional para Q2 de modo que Q2 permanezca en conduccin despus que se elimine el pulso de disparo de la compuerta. Esta accin regenerativa, Q2 mantiene la conduccin de saturacin de Q1 proporcionando un camino para IB1; a su vez, Q1 mantiene la conduccin de saturacin de Q2 proporcionando IB2. As, el dispositivo permanece activado [latches] una vez que est activado, como se muestra en la fig. 6.10 c).

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c) SCR SE M A N TIEN E A CTIVA D O O N FIG U R A 6.1 0

En este estado, la resistencia muy baja entre el nodo y el ctodo puede ser aproximada a un interruptor cerrado, como se indica en la fig. 6.10. Como el diodo Shockley, un SCR tambin puede ser activado, sin una corriente de disparo en la compuerta, incrementando el voltaje nodo-a-ctodo a un valor que exceda el voltaje de ruptura-directa [forward-breakover] VBR(F), como se muestra en la curva caracterstica en la fig. 6.ll a).

FIG U R A 6 .1 1

a ) C UR V A S CA R A C TER S TIC A S D E L S CR P A R A I G = 0

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FIGURA 6.11 b ) CU R VA S CA R A CTER STICAS DEL SCR PARA A LG UN O S VALO RES D E I G .

El voltaje de ruptura-directa decrece cuando IG se incrementa sobre 0A, como se muestra en el conjunto de curvas en la fig. 6.11 b). Eventualmente, se alcanza un valor de IG al que el SCR se enciende a un voltaje nodo-a-ctodo muy bajo. As, como se puede ver, la corriente de compuerta controla el valor del voltaje directo VBR(F) requerido para encenderlo. Aunque los voltajes nodo-a-ctodo VBR(F) en exceso no daarn al dispositivo si se limita la corriente, esta situacin debe evitarse porque se pierde el control normal del SCR. Normalmente debe dispararse solo con un pulso de corriente en la compuerta. Apagado del SCR.- Cuando la compuerta regresa a 0V despus que se ha quitado el pulso de disparo, el SCR no puede apagarse; permanece en la regin de conduccin directa. La corriente de nodo debe caer por debajo del valor de la corriente de sustentacin, IH, para que ocurra el apagado. La corriente de sustentacin se indica en la fig. 6.11.

F IG U R A 6.1 2 IN TERR UP CI N CO R RIEN TE D E NO D O

DE

LA

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Hay dos mtodos bsicos para apagar un SCR: interrupcin de la corriente de nodo y conmutacin forzada. La corriente de nodo se puede interrumpir momentneamente con un arreglo de interruptores en serie o en paralelo, como se muestra en la fig. 6.12. El conmutador en serie en la parte a) simplemente reduce la corriente de nodo a cero y determina el apagado del SCR. El interruptor en paralelo en la parte b) enruta una parte de la corriente total fuera del SCR, esto reduce la corriente del nodo a un valor menor que IH. El mtodo de conmutacin forzada bsicamente requiere que la corriente a travs del SCR momentneamente se fuerce en direccin opuesta a la conduccin directa de manera que la corriente directa neta se reduzca por debajo del valor de sustentacin.

FIG U RA 6.1 3

CO N M U TA CI N FO R ZA D A

El circuito bsico, como se muestra en la fig. 6.13, consiste de un interruptor [normalmente un transistor interruptor] y una batera en paralelo con el SCR. Mientras conduce el SCR, el interruptor est abierto, como se muestra en la parte a). Para apagar al SCR, el interruptor est cerrado, poniendo la batera a travs del SCR y fuerza su corriente en direccin opuesta a la corriente directa, como se muestra en la parte b). Tpicamente, el rango de tiempo de apagado para el SCR va de unos pocos microsegundos hasta unos 30s. Caractersticas y Rangos del SCR.- Varias de las caractersticas y rangos ms importantes del SCR se definen como sigue. Para una referencia apropiada se usa la curva en la fig. 6.11 a) donde sea necesario. Voltaje de Ruptura-Directa, VBR(F).- Este es el voltaje al que el SCR entra en la regin de conduccin-directa. El valor de VBR(F) es mximo cuando IG = 0 y se lo designa VBR(F0). Cuando la corriente de la compuerta aumenta, VBR(F) disminuye y se lo denomina VBR(F1), VBR(F2), etc., para pasos de incremento de la corriente de compuerta [IG1, IG2, etc.]. Corriente de Sustentacin, IH.- Este es el valor de la corriente de nodo
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debajo de la que el SCR pasa de la regin de conduccin-directa a la regin de bloqueo-directo. El valor se incrementa con decrementos en el valor de IG y es mximo para IG = 0. Corriente de Compuerta de Disparo, IGT.- Este es el valor de la corriente de compuerta necesario para conmutar al SCR desde la regin de bloqueodirecto a la regin de conduccin-directa bajo condiciones especificas. Corriente Promedio Directa, IF(avg).- Esta es la corriente continua (DC) de nodo mxima que el dispositivo puede mantener en el estado de conduccin bajo condiciones especificas. Puede llegar a ser de miles de amperios. Regin de Conduccin-Directa.- Esta regin corresponde a la condicin del SCR donde hay corriente directa de nodo a ctodo a travs de la muy baja resistencia [aproximadamente corto circuito] del SCR. Regiones de Bloqueo-Directo e Inverso.- Estas regiones corresponden a la condicin de apagado del SCR donde la corriente directa de ctodo a nodo est bloqueada por el circuito abierto efectivo del SCR. Voltaje de Ruptura-Inverso, VBR(R).- Este parmetro especifica el valor del voltaje inverso de nodo a ctodo al que el dispositivo se rompe en la regin de avalancha y empieza a conducir rpidamente (lo mismo que en un diodo de juntura pn). 1. 2. 3. 4. Qu es un SCR? Mencione los terminales del SCR. Cmo se puede encender [activar] a un SCR? Cmo se puede apagar a un SCR?

Aplicaciones del SCR.- El SCR tiene muchas aplicaciones en las reas de control de potencia y conmutacin. En esta seccin se describen unas pocas aplicaciones bsicas. En esta seccin se describen varias aplicaciones del SCR: cmo se puede usar un SCR para controlar corriente; control de potencia de media-onda; circuito bsico para control de fase; sistema de respaldo [backup] de iluminacin en caso de interrupciones de energa; circuito para proteccin de sobre-voltaje o crowbar. Control de Encendido-Apagado de Corriente.- La fig.6.14 muestra un circuito con SCR que permite que se conmute una corriente a una carga mediante el cierre momentneo del interruptor SW1 y que se quite la corriente de la carga mediante el cierre momentneo del interruptor SW2.
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Asumiendo que el SCR inicialmente est apagado, el cierre momentneo de SW1 proporciona un pulso de corriente a la compuerta, as se activa el SCR de modo que conduce corriente a travs de RL.

FIGURA 6.14 CIRCUITO DE ACTIVACIN Y D E S A C TIV A C I N D E L S CR

El SCR permanece en conduccin an despus de que el contacto momentneo de SW1 termine. Cuando se cierra momentneamente SW2, la corriente se desva del SCR a tierra, reduciendo su corriente de nodo por debajo del valor de sustentacin IH. Esto desactiva al SCR y as la corriente de carga se reduce a cero. Control de Potencia de Media-Onda.- Una aplicacin comn de los SCR es en el control de energa ac para lmparas tipo dimmer, calentadores elctricos, y motores elctricos.

FIG U RA 6.1 5 CIR CU ITO D E CO N TRO L D E FA SE [M ED IA -O N D A ] CO N RESISTEN CIA VA R IA B LE

Un circuito para control de fase de media-onda, con resistencia variable, se muestra en la fig. 6.15; los 120VRMS se aplican a travs de los terminales A y K; RL representa la resistencia de la carga [por ejemplo, un elemento calentador o el filamento de una lmpara] R1 es un limitador de corriente, y el potencimetro R2 establece el nivel de disparo para el SCR. Ajustando R2, el SCR puede dispararse en cualquier punto entre 0 y 90 del medio ciclo positivo de la onda ac, como se muestra en la fig. 6.16.
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Cuando el SCR se dispara cerca del inicio del ciclo [aproximadamente 0], como en la fig. 6.16 a), conduce aproximadamente 18O y se entrega la mxima potencia a la carga. Cuando se activa cerca del pico positivo del medio-ciclo (90), como en la fig. 6.16 c), el SCR conduce aproximadamente 90 y se entrega la menor potencia a la carga.

FIG UR A 6.1 6 a)

18 0 D E CO N D U CCI N

FIG UR A 6.1 6 b )

13 5 D E CO N D U CCI N

FIG UR A 6.1 6 c)

90 D E CO N D U CCI N

Ajustando R2, el disparo puede ocurrir en cualquier parte entre estos dos extremos, y por tanto, se puede entregar una cantidad de potencia variable a la carga. La fig. 6.16 b) muestra como ejemplo un punto de disparo a los 45. Cuando la entrada ac se hace negativa, el SCR se desactiva y no conduce otra vez hasta el punto de disparo en el prximo medio-ciclo positivo. El diodo evita que el voltaje ac negativo se aplique a la compuerta del SCR. Sistema de iluminacin en caso de interrupciones de energa.- Otro ejemplo de aplicacin del SCR, es el circuito que mantiene la iluminacin utilizando una batera de reserva [backup] cuando hay una falla de energa. La
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fig. 6.17 muestra un rectificador de onda-completa con tap-central usado para proporcionar energa ac a una lmpara de bajo-voltaje. Mientras se disponga de energa ac, la batera se carga a travs del diodo D3 y de la resistencia R1. El voltaje de ctodo del SCR se establece cuando el capacitor se carga al voltaje pico de la onda de rectificacin completa (6,3VRMS menos las cadas en R2 y D1). El nodo est a los 6V de la batera, hacindolo menos positivo que el ctodo, as se previene su conduccin. La compuerta del SCR est a un voltaje establecido por el divisor de voltaje formado por R2 y R3. Bajo estas condiciones la lmpara se ilumina con la energa ac de la lnea y el SCR est desactivado, como se muestra en la fig. 6.17 a).

FIGURA 6.17 a) CIRCUITO DE ILUMINACIN AUTOMTICA [BACKUP]

FIG U RA 6.1 7 b ) EN ER G A D ESD E LA B A TER A D E R ESER VA [SIN VO LTA JE D E LA RED ]

Cuando hay una interrupcin de la energa ac, el capacitor se descarga a travs del lazo cerrado formado por D3, R1, y R3, haciendo al ctodo menos positivo que el nodo o la compuerta. Esta accin establece una condicin de disparo, y el SCR empieza a conducir. La corriente desde la batera circula por el SCR y la lmpara, as se mantiene la iluminacin, como se muestra en la fig. 6.17 b). Cuando se restablece la energa ac, el capacitor se recarga y el SCR se desactiva. La batera
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empieza a recargarse. Circuito para Proteccin de Sobre-Voltaje o Crowbar.- La fig. 6.18 muestra un circuito para proteccin de sobre-voltaje simple, a veces llamado circuito crowbar, en una fuente de energa DC.

FIG U R A 6 .1 8 C IR C U ITO B S IC O C O N S C R P R O TE CC I N D E S O B R E -V O L TA J E C R O W B A R

PARA

El voltaje DC de salida del regulador es monitorizado por el diodo Zner D1 y el divisor de voltaje resistivo [R1 y R2]. El lmite superior del voltaje est establecido por el voltaje zner. Si se excede este voltaje, el zner conduce y el divisor de voltaje produce un voltaje de disparo del SCR. El voltaje de disparo activa al SCR, que est a travs del voltaje de la lnea. La corriente del SCR hace que el fusible se queme, as se desconecta el voltaje de lnea de la fuente de poder. Interruptor Controlado de Silicio (SCS).- El interruptor controlado de silicio [SCS] es similar en construccin al SCR. El SCS, sin embargo, tiene 2-terminales para compuertas, la compuerta de ctodo y la compuerta de nodo. El SCS puede activarse y apagarse usando cualquiera de los terminales de compuerta. Recuerde que el SCR solo puede encenderse usando su terminal de compuerta. Normalmente, el SCS est disponible en rangos de potencia menores que los del SCR. En esta seccin se describe la operacin bsica de un SCS: mediante su smbolo esquemtico del SCS; circuito bipolar equivalente para describir la operacin del SCS; comparacin del SCS con el SCR. El smbolo y la identificacin de los terminales del interruptor controlado de silicio [SCS] se muestran en la fig. 6.19.

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FIG U R A 6 .1 9 IN T ER R U P T O R CO N T R A LA D O D E SILIC IO [S C S]

Al igual que con los dispositivos previos de 4-capas, la operacin bsica del SCS se puede entender refirindose al circuito equivalente con transistores, que se muestra en la fig. 6.20. Para empezar, se asume que tanto Q1 como Q2 estn apagados, y por tanto que el SCS no conduce. Un pulso positivo en la compuerta del ctodo har que Q2 conduzca y as proporciona una va para la corriente de base de Q1. Cuando Q1 conduce, su corriente de colector proporciona la corriente de base para Q2, as se sostiene el estado encendido del dispositivo. Esta accin regenerativa es la misma que en el proceso de encendido del SCR y que la del diodo Shockley y se ilustra en la fig. 6.20 a).

FIG UR A 6.20 a) EN CEND ID O D EL SCS

El SCS tambin puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del nodo, como se indica en la fig. 6.20 a). Esto hace que Q1 conduzca lo que, a su vez, genera una corriente de base para Q2. Una vez que Q2 est encendido, provee una va para la corriente de base para Q1, as se sustenta el estado encendido. Para apagar al SCS, se aplica un pulso positivo a la compuerta de nodo. Esto polariza inversamente la juntura base-emisor de Q1 y lo apaga. Q2, a su vez, se apaga y el SCS termina su conduccin, como se muestra en la fig. 6.20 b). El dispositivo tambin puede apagarse con
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un pulso negativo en la compuerta del ctodo, como se indica en la parte b). El SCS generalmente tiene un tiempo de apagado ms rpido que el SCR.

FIG U R A 6.20 b) SCS

AP A G A D O D EL

FIG U R A 6 .2 1

E N C EN D ID O Y A P A G A D O D E L S CS

Adems del pulso positivo en la compuerta del nodo o el pulso negativo en la compuerta del ctodo, hay otros mtodos para apagar un SCS. Las figs. 6.21 a) y b) muestran dos mtodos de conmutacin para reducir la corriente de nodo por debajo del valor de sustentacin. En cada caso, el transistor bipolar acta como un conmutador. Figura 6.21 El transistor de conmutacin reduce IA por debajo de IH y apaga al SCS. Aplicaciones.- El SCS y el SCR se usan en aplicaciones similares. El SCS tiene la ventaja de mayor rapidez de apagado con pulsos en cualquier terminal de compuerta; sin embargo, los rangos mximos de corriente y voltaje son ms limitados. Tambin, el SCS a veces se usa en aplicaciones digitales tales como contadores, registros, y circuitos temporizadores. 1.Explique la diferencia entre un SCS y un SCR. 2.Cmo se puede encender un SCS? 3.Describa cuatro maneras con las que puede apagarse un SCS.
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El DIAC y el TRIAC.- Tanto el DIAC como el TRIAC son tipos de tiristores que pueden conducir corriente en ambas direcciones [bilateral]. La deferencia entre los dos dispositivos es que el DIAC tiene dos terminales, mientras que el TRIAC tiene un tercer terminal, que es la compuerta. El DIAC funciona bsicamente como dos diodos Shockley en paralelo conduciendo en direcciones opuestas. El TRIAC funciona bsicamente como dos SCRs en paralelo conduciendo en direcciones opuestas con un terminal de compuerta comn. En esta seccin se describe la estructura bsica y la operacin del DIAC y del TRIAC: el smbolo esquemtico; circuito equivalente y las condiciones de polarizacin; curva caracterstica; aplicacin. DIAC.- La construccin bsica del DIAC y su smbolo esquemtico se muestran en la fig. 6.22. Se observa que hay dos terminales, denominados A1 y A2. La conduccin en el DIAC ocurre cuando se alcanza el voltaje de ruptura [breakover] con cualquier polaridad a travs de los dos terminales. La curva en la fig. 6.23 ilustra estas caractersticas.

FIG U RA 6.2 2

EL D IA C

FIGURA 6.23 CURVA CARACTERSTICA DEL D IA C

Una vez que se produce la ruptura, la corriente es en una direccin dependiendo de la polaridad del voltaje a travs de los terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae por debajo del valor de sustentacin. El circuito equivalente de un DIAC consiste de cuatro transistores arreglados como se muestra en la fig. 6.24 a). Cuando el DIAC est polarizado como en la fig. 6.24 b), la estructura pnpn desde A1 a A2 provee la operacin del dispositivo de cuatro-capas como se describi para el diodo Shockley. En el circuito equivalente, Q1 y Q2 estn directamente-polarizados, y Q3 y Q4 estn inversamentepolarizados. El dispositivo opera en la porcin superior derecha de la curva caracterstica de la fig. 6.23 bajo esta condicin de polarizacin. Cuando el DIAC est polarizado como se muestra en la fig. 6.24 c), se usa la estructura pnpn desde A2 a A1. En el circuito equivalente, Q3 y Q4 estn directamente-polarizados, y Q1 y Q2 estn
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inversamente-polarizados. Bajo esta condicin de polarizacin, el dispositivo opera en la porcin inferior izquierda de la curva caracterstica, como se muestra en la fig. 6.23.

a) b) c) FIG U R A 6.2 4 a ) CIR C U IT O EQ U IVA LEN TE D EL D IA C . P O LA RIZ A CI N D IR ECTA . c) P O LA RIZ A CI N IN VER SA .

b)

TRIAC.- El TRIAC es como un DIAC con un terminal de compuerta. El TRIAC puede activarse con un pulso de corriente y no requiere el voltaje de ruptura (breakover) para iniciar la conduccin, como el DIAC. Bsicamente, al TRIAC se lo puede pensar como dos simples SCRs conectados en paralelo y en direcciones opuestas con un terminal de compuerta comn. A diferencia del SCR, el TRIAC puede conducir corriente en cualquier direccin cuando est activado, dependiendo de la polaridad del voltaje a travs de sus terminales A1 y A2. Las figs. 6.25 a) y b) muestran la construccin bsica y el smbolo esquemtico para el TRIAC.

(a ) (b ) F I G U R A 6 .2 5 TR IA C : a ) C O N S T RU C CI N ; b ) SM B O LO .

Las curvas caractersticas se muestran en la fig. 6.26. Se observa que el potencial de ruptura [breakover] decrece cuando se incrementa la corriente de compuerta, tal como con el SCR.

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FIG URA 6 .2 6 C U R VA C A R A C T ER S TIC A D EL TR IA C

Igual que con los otros elementos de 4-capas, el TRIAC deja de conducir cuando la corriente de nodo cae por debajo del valor especfico de corriente de sustentacin, IH. La nica manera de desactivar al TRIAC es reducir la corriente a un nivel suficientemente bajo.

(a) F IG UR A 6.27

(b)

La fig. 6.27 muestra al TRIAC activado en ambas direcciones de conduccin. En la parte a), el terminal A1 est con polarizacin positiva con respecto a A2, as el TRIAC conduce como se muestra cuando se activa con un pulso positivo en el terminal de compuerta. El circuito equivalente con transistores en la parte b) muestra que Q1 y Q2 conducen cuando se aplica un pulso de disparo positivo. En la parte c), el terminal A2 est con polarizacin positiva con respecto a A1, as el TRIAC conduce en la direccin indicada. En este caso, Q3 y Q4 conducen como se indica en la parte d) con la aplicacin de un pulso positivo.

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(c)

(d)

Aplicaciones.- Como los SCR, los TRIAC tambin se usan para control de potencias promedias a una carga mediante el control de fase. El TRIAC puede activarse tal que la energa ac sea entregada a la carga por una porcin controlada de cada medio-ciclo. Durante cada medio-ciclo positivo del voltaje ac, el TRIAC se desactiva durante cierto intervalo, llamado ngulo de retardo (medido en grados), y se activa y conduce corriente a travs de la carga por el resto del medio-ciclo positivo, llamado ngulo de conduccin. Similar accin ocurre en el medio-ciclo negativo excepto que, por supuesto, la conduccin de corriente a travs de la carga es en direccin opuesta. La fig. 6.28 ilustra esta accin.

FIG UR A 6.2 8 TR IA C .

CO N TR O L D E FA SE B S IC O CO N

Un ejemplo de control de fase usando un TRIAC se ilustra en la fig. 6.29 a). Los diodos se usan para proporcionar los pulsos de disparo a la compuerta del TRIAC. El diodo D1 conduce durante el medio-ciclo positivo. El valor de R1 establece el punto en el medio-ciclo positivo al que se dispara el TRIAC. Note que durante esta porcin del ciclo ac, A1 y G son positivos con respecto a A2.
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F IG U R A 6.29

C IR C U IT O D E L C O N T R O L D E F A S E C O N TR IA C

El diodo D2 conduce durante el medio-ciclo negativo, y R1 establece el punto de disparo. Se nota que durante esta porcin del ciclo ac, A2 y G son positivos con respecto a A1. La forma de onda a travs de RL resultante se muestra en la fig. 6.29(b). En el circuito de control de fase, es necesario que el TRIAC se desactive al final de cada alternacin positiva y negativa de ac. La fig. 6.30 ilustra que hay un intervalo cerca de cada cruce por cero donde la corriente del TRIAC cae por debajo del valor de sustentacin, as se desactiva el dispositivo.

FIG UR A 6.30 TR IA C .

IN TERVALO D E DESA CTIVA D O D EL

Intervalo durante el cual la corriente cae por debajo de IH Revisin 1 Compare el DIAC con el diodo Shockley en trminos de su operacin bsica. 2 Compare el TRIAC con el SCR en trminos de su operacin bsica. 3 En qu se diferencia un TRIAC de un DIAC? Transistor Unijuntura (UJT).- El transistor unijuntura [Uni Junction Transistor] no pertenece a la familia de los tiristores porque no tiene una construccin del tipo de 4-capas. El trmino unijuntura se refiere al hecho de que el UJT tiene una sola juntura pn. Como se ver en esta seccin, el UJT es til en ciertas aplicaciones de osciladores y como dispositivo de disparo en circuitos con tiristores. En esta seccin se describe la estructura bsica y la operacin del UJT; smbolo esquemtico del UJT; circuito equivalente; por qu un UJT no es un tiristor; definicin de standoff ratio [relacin de apagado]; anlisis de la operacin de un oscilador de relajacin con
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un UJT. El Transistor Unijuntura (UJT).- Es un dispositivo de 3-terminales cuya construccin bsica se muestra en la fig. 6.31(a); el smbolo esquemtico aparece en la fig. 6.31(b). Note que los terminales se denominan Emisor (E), Base-1 (B1), y Base-2 (B2).

(a) (b) FIGUR A 6.31 TRAN SISTOR UN IJUN TURA UJT.

No debe confundirse este smbolo con el del JFET; la diferencia es que la flecha forma un ngulo para el UJT. El UJT solo tiene una juntura pn, y adems, la caracterstica de este dispositivo es muy diferente de las de un transistor de juntura bipolar o las del FET, como se ver. Circuito Equivalente.- El circuito equivalente del UJT, que se muestra en la fig. 6.32 a), ayudar a entender la operacin bsica. El diodo que se muestra en la figura representa la juntura pn, rB1 representa la resistencia dinmica interna de la barra de silicio entre el emisor y la base-1, rB2 representa la resistencia dinmica entre el emisor y la base-2. La suma rB1 + rB2 es la resistencia total entre los terminales de base y se llama resistencia interna, rBB. rBB = rB1 + rB2 El valor de rB1 vara inversamente con la corriente de emisor IE, y por tanto, se presenta como una resistencia variable. Dependiendo de IE, el valor de rB1 puede variar desde varios miles de ohmios hasta decenas de ohmios. Las resistencias internas rB1 y rB2 forman un divisor de voltaje cuando el dispositivo se polariza como se muestra en la fig. 6.32(b). El voltaje en la resistencia rB1 se puede expresar como

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(a) (b) FIGUR A 6.32 C IRC UITO EQ UIV ALEN TE D EL UJT.

Relacin Standoff.- La relacin rB1/rBB es una caracterstica del UJT llamada relacin standoff intrnseca [relacin de apagado intrnseca] y se la designa con la letra griega .

(64)

Mientras el voltaje de emisor VEB1 aplicado sea menor que VrB1 + Vpn, no hay corriente de emisor porque la juntura pn no est polarizada directamente (Vpn es el potencial de la barrera de la juntura pn). El valor del voltaje emisor que hace que la juntura pn se polarice directamente se llama VP (voltaje punto-pico) y se expresa como (6.5) Cuando VEB1 alcanza VP, la juntura pn se polariza-directamente y empieza IE. Los huecos se inyectan en la barra tipo-n desde el emisor tipo-p. Esto incremento de huecos causa un incremento en electrones libres, incrementando as la conductividad entre el emisor y B1 [rB1 disminuye)] Despus de activado, el UJT opera en una regin de resistencia negativa hasta un cierto valor de IE como se muestra en la curve caracterstica en la fig. 6.33. Como se puede ver, despus del punto-pico [VE = VP y IE = IP], VE disminuye conforme se incrementa IE, as se produce la caracterstica de resistencia negativa. Ms all del punto del valle (VE = VV e IE = IV), el dispositivo est en saturacin, y VE se incrementa muy poco con un aumento de IE. Ejemplo.- La hoja de datos de cierto UJT da = 0.6. Determine el voltaje de emisor punto-pico VP si VBB = 20V. Solucin VP = VBB + Vpn = 0.6(2OV) + 0.6V = 12.6V

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Ejercicio Relacionado Cmo se puede incrementar el voltaje de emisor puntopico de un UJT? Aplicacin del UJT.- El UJT puede usarse como un dispositivo disparador para SCRs y TRIACs. Otras aplicaciones incluyen osciladores no sinusoidales, generadores diente-de-sierra, control de fase, y circuitos de temporizacin. La fig. 6.34 muestra, como ejemplo de una aplicacin, un oscilador de relajacin con UJT.

F IG UR A S 6.34 y 35.- O S C ILA D OR D E R E LA JA C I N Y F O R M A S D E ONDA.

La operacin es como sigue. Cuando se aplica energa DC, el capacitor se carga exponencialmente a travs de R1 hasta que alcanza el voltaje punto-pico VP. En este punto, la juntura pn se polariza-directamente, y la caracterstica del emisor va a la regin de resistencia negativa [VE decrece e IE crece]. Entonces el capacitor rpidamente se descarga a travs de la juntura directamente polarizada, rB, y R2. Cuando el voltaje del capacitor decrece al voltaje VV del punto-valle, el UJT se desactiva, el capacitor empieza a cargarse otra vez y el ciclo se repite, como se muestra en la forma de onda del voltaje de emisor en la fig. 6.35 [superior]. Durante el tiempo de descarga del capacitor, el UJT conduce. Por tanto, se genera un voltaje a travs de R2, como
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se indica en la forma de onda en el diagrama de la fig. 6.35 [inferior]. Carga del capacitor: VC = VV + (VBB - VV)e-t/R1C Descarga del capacitor: VC = VP e-t/(RB1 + R2)C RB1 = 100; RBB = 5K; = 0,6; VV = 1V; IV = 10ma;

IP = 10A.

Condiciones para encendido y apagado.- En el oscilador de relajacin de la fig. 6.34, se deben cumplir ciertas condiciones para que el UJT se active y desactive de manera confiable. Primero, para asegurar que se active, R1 no debe limitar IE al punto-pico menor que IP. Para asegurar esto, la cada de voltaje a travs de R1 en el punto-pico debera ser ms grande que IPR1. As, la condicin para encendido es

VBB - VP > IPR1

Para asegurar el apagado del UJT en el punto-valle, R1 debe ser bastante grande de modo que IE [en el punto-valle] pueda decrecer por debajo del valor especfico de IV. Esto significa que el voltaje a travs de R1 en el punto-valle debe ser menor que IVR1. As, la condicin para apagado es

VEE - V < IR1

As, para un apropiado encendido y apagado, R1 debe estar en el rango

Ejemplo.- Determinar un valor de R1 que asegure encendido y apagado apropiado del UJT de la fig. 6.36.

F IG UR A 6.36

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La caracterstica del UJT exhibe los siguientes valores: = 0.5, VV = 1V, IV = 10mA, IP = 20A, y VP = 14V.

Solucin

Entonces

Como se puede ver, R1 tiene un amplio rango de valores posibles. Ejercicio Relacionado.- Determine un valor de R1 para el circuito de la fig. 6.36 que asegure el encendido y apagado para los siguientes valores: = 0,33, VV = 0,8V, IV = 15mA, IP = 35A, y VP = 18V. REVISIN 1 Nombre los terminales del UJT. 2 Qu es la relacin standoff intrnseca? 3 En un oscilador de relajacin bsico con UJT tal como en la fig. 6.34, cules son los tres factores que determinan el perodo de oscilacin? El Transistor Unijuntura Programable (PUT).- El transistor unijuntura programable [PUT] en realidad es en trminos de estructura un tipo de tiristor y no como el UJT. La nica similitud a un UJT es que al PUT se lo puede usar en algunas aplicaciones de osciladores para remplazar al UJT. El PUT es ms similar a un SCR excepto que su voltaje nodo-a-compuerta puede usarse tanto para encender como para apagar al dispositivo. En esta seccin se describe la estructura y operacin del PUT: estructura del PUT con la del SCR; diferencia entre un PUT y un UJT; cmo establecer el voltaje de disparo del PUT; aplicacin. La estructura del transistor unijuntura programable (PUT) es similar a la del SCR [cuatro-capas] excepto que la compuerta se la obtiene como se muestra en la fig. 6.37 [(a) construccin bsica y (b) smbolo]. Note que la compuerta se conecta a la regin n adyacente al nodo. Esta juntura pn controla los estados on y off del dispositivo. La compuerta siempre es positiva con respecto al ctodo. Cuando el voltaje del nodo excede al voltaje de la compuerta por aproximadamente 0.6V, la juntura pn est polarizada directamente y el PUT se activa. El PUT permanece activado hasta que el voltaje de nodo cae por debajo de este nivel, entonces el PUT se desactiva.
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(a)
FIG U R A 6.3 7

(b)

Establecimiento del voltaje de disparo.- La compuerta puede polarizarse a un voltaje deseado con un divisor de voltaje externo, como se muestra en la fig. 6.38(a), as que cuando el voltaje de nodo excede este nivel programado, el PUT se activa.

V A K (voltaje nodo-a-ctodo)

[corriente de nodo]

a)

FIGUR A 6.38 PO LARIZAC IN D EL PUT.

b)

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Aplicacin.- El grfico del voltaje nodo-a-ctodo VAK en funcin de la corriente de nodo IA de la fig. 6.38 b) revela una curva caracterstica similar a la del UJT. Por tanto, el PUT remplaza al UJT en muchas aplicaciones. Una de tales aplicaciones es el oscilador de relajacin en la fig. 6.39 a), en la que VBB = 18V; R1 = 470K; R2 = 10K; R3 = 10K; R4 = 22; C = 0,2F. La compuerta est polarizada a +9V por el divisor de voltaje formado por las resistencias R2 y R3. Cuando se aplica la energa DC, el PUT est desactivado y el capacitor se carga hacia +18V a travs de R1. Cuando el capacitor alcanza VG = +0,6V, el PUT se activa y el capacitor rpidamente se descarga a travs de la baja resistencia de activado del PUT y R4. Durante la descarga se genera un pico de voltaje a travs de R4. Tan pronto como se descarga el capacitor, el PUT se desactiva y el ciclo de carga empieza otra vez, como se observa en las formas de onda de la fig. 6.39(b).

(a) FIG UR A 6.39

(b) O SCILAD O R D E RELA JA CI N CO N P UT.

Interruptor Controlado Por Compuerta [GTO].- El interruptor controlado por compuerta [GTO: Gate Turn-Off switch] es otro dispositivo pnpn. Al igual que el SCR, tiene slo tres terminales externos, como se indica en la figura 6.40 a).

FIG U R A 6.4 0

a) G TO

b)

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Su smbolo esquemtico se muestra en la fig. 6.40 b). Aunque el smbolo esquemtico es diferente del correspondiente al SCR o al SCS, el equivalente del transistor es exactamente el mismo y las caractersticas son similares. La ventaja ms obvia del GTO sobre el SCR o el SCS es el hecho de que puede conducir o cortarse aplicando el pulso apropiado en la compuerta del ctodo [sin la compuerta del nodo y los circuitos asociados que requiere el SCS]. Una consecuencia de esta capacidad de apagado es un aumento en la magnitud de la corriente de compuerta que se requiere para el disparo. Para un SCR y un GTO de valores nominales similares de corriente RMS mximos, la corriente de disparo de compuerta de un SCR particular es 30A, en tanto que la corriente de disparo del GTO es de 20mA. La corriente de apagado de un GTO es ligeramente mayor que la corriente de disparo requerida. Los valores nominales de corriente RMS y disipacin mximos de los GTO fabricados en la actualidad, estn limitados a cerca de 3A y 20W, respectivamente. Una segunda caracterstica muy importante del GTO es su caracterstica de conmutacin mejorada. El tiempo de disparo es similar al del SCR [por lo general, 1s] pero el tiempo de apagado es de aproximadamente la misma duracin [1s] que es mucho menor que el tiempo de apagado tpico de un SCR [5 a 30s]. El hecho de que el tiempo de apagado sea similar al tiempo de encendido en lugar de ser considerablemente mayor, permite el empleo de este dispositivo en aplicaciones de alta velocidad. Las caractersticas de entrada de la compuerta del GTO y los circuitos de apagado pueden encontrarse en un manual de amplio contenido o en la hoja de especificaciones. La mayor parte de los circuitos de apagado del SCR pueden emplearse tambin en los GTO. Algunas de las reas de aplicacin del GTO incluyen los contadores, los generadores de pulso, multivibradores y reguladores de voltaje. La fig. 6.41 es una ilustracin de un sencillo generador diente de sierra que emplea un GTO y un diodo Zener.

FIG UR A 6.41

G ENER A D O R D IENTE D E SIERRA CO N G TO

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Cuando se energiza la alimentacin el GTO se dispara, lo que producir un equivalente de corto circuito del nodo al ctodo. El capacitor C1 empezar entonces a cargarse hacia el voltaje de alimentacin como se muestra en la fig. 6.41. Como el voltaje en el capacitor C1 se carga por encima del potencial del Zener, se producir un voltaje inverso en la compuerta-ctodo, estableciendo una inversin en la corriente de la compuerta. A la larga, la corriente de compuerta negativa ser lo suficientemente grande como para cortar el GTO. Una vez que ste se corta, resultando la representacin en circuito abierto, el capacitor C1 se descargar a travs de la resistencia R3. El tiempo de descarga ser determinado por la constante de tiempo del circuito = R3C1. La seleccin adecuada de R3 y C1 dar por resultado la forma de onda de diente de sierra de la fig. 6.41. Una vez que el potencial de salida VO disminuye por debajo de VZ, el GTO se dispara y el proceso se repete. SCR Activado por Luz [LASCR].- El siguiente dispositivo pnpn es el SCR activado por luz [LASCR; Light Activated-SCR). Como indica la terminologa, se trata de un SCR cuyo estado es controlado por la luz que incide sobre una capa del semiconductor de silicio del dispositivo. La construccin bsica de un LASCR se muestra en la fig. 6.42(a). Como se indica en esta figura, tambin se proporciona un terminal de compuerta para permitir el disparo del dispositivo empleando los mtodos tpicos del SCR. Observe en la figura que la superficie de montaje para la configuracin de silicio es la conexin del nodo en el dispositivo. Los smbolos esquemticos que se emplean ms comnmente para el LASCR se incluyen en la fig. 6.42 (b).

Luz

b)

a) FIG U R A 6.4 2 SC R A CTIVA D O P O R LUZ (LA SC R ): A ) CO N STR U CC I N B SICA ; B ) SM B O LO S

Algunas de las reas de aplicacin para el LASCR incluyen controles pticos luminosos, relevadores, control de fase, control de motores y una diversidad de aplicaciones de computadora. Los valores nominales
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mximos de corriente [RMS] y potencia [compuerta] de los LASCR disponibles comercialmente en la actualidad son aproximadamente 3A y 0,1W. Las caractersticas [disparo de luz] de un LASCR representativo se presentan en la fig. 6.43. Obsrvese en esta figura que un aumento en la temperatura de la unin produce una reduccin en la energa luminosa que se requiere para activar el dispositivo.

FIG U R A 6.4 3 LA SCR : CA R ACTERSTIC A D E D IS P A R O P O R LU Z . [CO R TESA D E G EN ER A L ELECTR IC CO M P A N Y].

Una aplicacin interesante de un LASCR se observa en los circuitos AND y OR de la fig. 6.44. Slo cuando incida luz sobre LASCR1 y LASCR2 ser aplicable la representacin en corto circuito para cada uno y el voltaje de alimentacin aparecer a travs de la carga. En el circuito OR, la energa luminosa aplicada a LASCR1 o LASCR2 producir el voltaje de alimentacin que aparece en la carga.

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a) b) FIG U R A 6.4 4 C IR CU ITO S L G ICO S O P TO ELECTR N ICO S D E L LA S CR : a) C O M P U E RTA A N D , S E R EQ U IE R EN E N TR A D A S A L LA S C R 1 Y A L LA S C R 2 P A R A LA ENER G IZA CI N D E LA CA RG A ; b) CO M P UERTA O R, LA ENTRA D A YA SEA A L LA SCR 1 O A L LA SCR 2 EN ER G IZ A R LA CA RG A

El LASCR es ms sensible a la luz cuando el terminal de la compuerta se encuentra abierto. Su sensibilidad puede reducirse y controlarse un poco mediante la insercin de una resistencia de compuerta, como se muestra en la fig. 6.44. Una segunda aplicacin del LASCR aparece en la fig. 6.45. Es la analoga semiconductora de un relevador electromecnico. Advirtase que ste ofrece un aislamiento completo entre la entrada y el elemento de conmutacin. La corriente de polarizacin puede hacerse circular a travs de un diodo emisor de luz o una lmpara, como se muestra en la figura. La luz incidente ocasionar el disparo del LASCR y permite un flujo de carga [corriente] a travs de la carga como lo establece la alimentacin DC. El LASCR puede cortarse empleando un interruptor de restablecimiento S1. Este sistema ofrece las ventajas adicionales en comparacin con un interruptor electromecnico de una larga vida de servicio, respuesta en microsegundos, tamao pequeo y la eliminacin de rebotes de los contactos.

FIG U RA 6.4 5 RELEVA D O R D E SEG U RO [CORTESA D E G EN ER A L ELECTR IC SEM ICO N D U CTO R P R O D U CTS D IVIS IO N ]

D :\~ \ELECTR O N ICA \D E _Cp 7 .w p d Revisin : M a rzo - 2 01 0

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