PAD Eletrônica - Apostila 2010-I Eng. Eletrica

Apostila didtica
Aulas prticas aplicadas a

Fundamentos de Eletrnica

Programa de Educao Tutorial Engenharia Eltrica
Programa de Apoio Disciplina

Professor: Eduardo Bragana de Moraes

Participantes: Acio da Silva Bolzon,
Cristian Mller,
Lucas Teixeira,
Lucas Vizzotto Bellinaso,
Maicol Flores de Melo,
Mrcio Dalcul Depexe,
Paulo Czar Comassetto de Aguirre,
Rafael Denardin.

2

Sumrio
Sumrio ......................................................................................................................................... 2
Introduo ..................................................................................................................................... 3
1. Levantamento de curvas caractersticas ............................................................................... 4
Folha de aula ................................................................................................................................. 6
2. TJB: Curva caracterstica e teste de transistores ................................................................... 7
Folha de aula ............................................................................................................................... 13
3. Polarizao fixa de TJB ......................................................................................................... 16
Folha de aula ............................................................................................................................... 19
4. Polarizao por divisor de tenso ....................................................................................... 20
Folha de aula ............................................................................................................................... 23
5. Medio de parmetros hbridos do TBJ ............................................................................. 24
Folha de aula ............................................................................................................................... 28
6. Simulao de circuitos eletrnicos em PSpice .................................................................... 29
7. Projeto e clculo de parmetros de um amplificador de pequenos sinais utilizando TJB .. 35
Folha de aula ............................................................................................................................... 39
8. TJB: Configurao seguidor de emissor ............................................................................... 40
Folha de aula ............................................................................................................................... 48
9. Projeto e clculo de parmetros de um amplificador de pequenos sinais utilizando
configurao darlington com TJB ................................................................................................ 50
Folha de aula ............................................................................................................................... 53
10. Curva Id X Vds do JFET ......................................................................................................... 54
Folha de aula ............................................................................................................................... 57
11. Autopolarizao FET ............................................................................................................ 58
Folha de aula ............................................................................................................................... 62
12. Polarizao de FET por divisor de tenso ............................................................................ 63
Folha de aula ............................................................................................................................... 65
13. Anlise do FET para Pequenos Sinais .................................................................................. 66
Folha de aula ............................................................................................................................... 70
14. MOSFET de intensificao ................................................................................................... 71
Folha de aula ............................................................................................................................... 76
15. Influncias externas (Rs, Rl e frequncia) num circuito com JFET ...................................... 77
Folha de aula ............................................................................................................................... 82

3

Introduo

O Programa de Apoio Disciplina (PAD) uma iniciativa de alunos do curso de
Engenharia Eltrica e visa ajudar e incentivar atividades prticas, em laboratrio,
paralelamente s aulas ministradas das diversas disciplinas como complemento graduao.
Foi desenvolvido uma srie de planos de aula para auxiliar a realizao das atividades
prticas na disciplina de Fundamentos de Eletrnica durante um semestre, as aulas reunidas
esto dispostas de forma a seguir o cronograma adotado pelo professor.

4

Universidade Federal de Santa Maria
Curso de Engenharia Eltrica
1. Levantamento de curvas
caractersticas
Disciplina de Fundamentos de Eletrnica
1. Objetivos
- Levantar a curva caracterstica do diodo;
- Levantar a curva caracterstica da juno base-emissor do transistor;
2. Base terica
a. Comportamento da juno PN
A juno PN, presente em diodos e transistores, uma estrutura fundamental dos
semicondutores, formada pela juno de dois cristais, sendo mais comumente de silcio. Estes
componentes so dopados de forma a adquirir caractersticas de excesso ou falta de
portadores de carga eltrica (eltrons ou lacunas) em sua estrutura. Quando so reunidas duas
regies com caractersticas de dopagem contrrias
ocorre atrao entre as cargas opostas na zona de
contato formando uma regio de depleo (barreira
de potencial), nem todas as cargas iro movimentar-
se de forma a se anular.
Quando aplicada tenso entre os terminais de
um dispositivo semicondutor que contenha uma
juno PN essa juno poder ser polarizada de dois
modos: direta ou inversamente.
b. Polarizao direta
Haver conduo de corrente eltrica entre
as regies com diferentes dopagens (sentido P
para N), pois o campo eltrico presente
orientado da camada P para a N.
A relao entre tenso e corrente no
obedece a Lei de Ohm, mas tem um
comportamento prprio, como na Figura 2.
Figura 1

Figura 2 esquerda a curva caracterstica e
direita uma aproximao comumente utilizada.

5

Costuma-se caracterizar a juno PN como um curto circuito estando ela polarizada
diretamente, somente sofrendo uma queda de tenso de aproximadamente 0,7 v para
dispositivos de silcio dopado.
c. Polarizao inversa
Operando dentro dos limites do dispositivo no haver conduo de corrente eltrica
significante caso o campo eltrico aplicado juno PN seja orientado da parte N para P, a no
ser em dispositivos fabricados com essa inteno como diodos Zener. Normalmente com baixa
tenso considera-se como um circuito aberto a juno PN enquanto polarizada inversamente.

3. Procedimento experimental
a. Obteno da curva I x V para o diodo
Este experimento consiste de determinar o comportamento da juno PN de um diodo
de acordo com a tenso aplicada, deve-se:
- Montar o circuito da Figura 3.
- Variar a tenso sobre o DIODO de 0,3 at 0,75V com um acrscimo de 30mV por
ponto. Medir a tenso aplicada no DIODO e a corrente com multmetros em cada
ponto (mnimo 15 pontos) preenchendo a tabela 1.
Os componentes usados devem ser o resistor R de 1,1k (Paralelo entre dois R de
2,2K), um diodo 1N4007 e uma fonte de tenso varivel.
b. Obtenso da curva Ie x Vbe para o transistor
Este experimento consiste de obter a curva caracterstica do comportamento da
corrente do emissor de um transistor em funo da tenso aplicada entre a base e o
emissor:
- Montar o circuito de acordo com a Figura 3
Figura 4.
- Variar a tenso aplicada sobre o TRANSISTOR (base-emissor) de 0,4 at 0,85V
medindo-se a corrente obtida, preencher a tabela 2 e desenhar a curva no espao para
o grfico 1.
Os componentes usados devem ser o resistor R de 1,1k (Paralelo entre dois R de
2,2K), um transistor BC548(NPN) e uma fonte de tenso varivel.

Figura 3 Figura 4 Figura 5
6

Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Obteno da curva I x V para o diodo
a. Procedimento experimental

Tenso ( mV )
Corrente ( mA )
Tabela 1
b. Anlise dos resultados
- O comportamento IxV foi o esperado? A lei de Ohm foi obedecida em algum intervalo?
O que pode-se dizer do intervalo de 0,75 v a 0,85v?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
2. Obteno da curva Ie x Vbe
Tenso V
be
( mV )
Corrente I
e
( mA )
Tabela 2

Grfico 1
conveniente a aproximao da curva como mostrada na figura 2 em uma aplicao que
no requer grande preciso? Faa uma anlise do intervalo de validade desta
aproximao.
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
0 200 400 600 800 1000
I
e
(mA)
V
be
(mV)
7

B
C
cc
I
I
= |
2. TJB: Curva caracterstica e
teste de transistores
1. Objetivos
- Identificao de estado, tipo e pinagem do transistor de juno bipolar (TJB);
- Estudo e plotagem da curva caracterstica corrente de coletor (I
C
) vs tenso entre
coletor e emissor (V
CE
) para diferentes correntes de base (I
B
).
2. Base terica
a. Beta ()
uma quantidade que relaciona os valores de I
C
e I
B
no modo cc, definida em (1), onde
I
C
e I
B
so determinados em um ponto especfico de operao da curva caracterstica. Nas
folhas de especificaes,
cc
| geralmente lido como h
FE
, com h derivado de um circuito
equivalente ca hbrido. As letras FE derivam, respectivamente, da amplificao de corrente
direta (forward) e da configurao emissor-comum.
(1)

3. Teste de transistores
Como no caso de diodos, h trs maneiras de se verificar um transistor: por meio do
traador de curvas, dos medidores digitais e do ohmmetro. Estudaremos os mtodos atravs
do multmetro digital e do teste do ohmmetro.
a. Medidores digitais (multmetros)
a) h
FE
:
Os medidores digitais podem fornecer o valor h
FE
utilizando os soquetes presentes no
medidor. H a opo entre pnp ou npn. O valor h
FE
determinado para uma corrente de
coletor de 2 mA.
b) Teste diodo:
No modo de teste de diodo, ele pode ser usado para verificar as junes p-n de um
transistor. Com o coletor aberto, a juno base-emissor deve resultar em uma tenso baixa de
aproximadamente 0.7 V com o terminal vermelho (positivo) conectado base e o terminal
preto (negativo) conectado ao emissor. A inverso dos terminais deve resultar em uma
indicao OL ou estouro de escala, para representar a juno reversamente polarizada. Da
mesma maneira com o emissor aberto, podem-se verificar os estados de polarizao direta e
reversa da juno base-coletor.
8

b. Teste do ohmmetro
a) Identificao do estado do transistor:
Pode-se utilizar um ohmmetro, ou as escalas de medidor digital para verificar o estado
de um transistor. Na regio ativa do transistor, a juno base-emissor est polarizada
diretamente e a regio base-coletor est polarizada reversamente. Portanto, a juno
polarizada diretamente deve registrar um valor de resistncia mais ou menos baixo e a juno
polarizada reversamente, um valor mais alto de resistncia. Para um transistor npn, a juno
polarizada diretamente (polarizada pela fonte interna do ohmmetro) da base para o emissor
deve ser testada, como mostra a figura 1, resultando em uma leitura que geralmente est na
faixa entre 100 e alguns quiloohms. A juno polarizada reversamente base-coletor deve ser
verificada como mostra a figura 2, com uma leitura maior do que 100 k. Para um transistor
pnp, os terminais devem ser invertidos para cada juno. Uma resistncia pequena ou grande
em ambas as direes (invertendo-se os terminais) para cada juno de um transistor npn pu
pnp indica um dispositivo defeituoso.

Figura 1 e 2 - Teste do transistor.

b) Identificao do tipo do transistor:
Se ambas as junes do transistor resultam em leituras adequadas, o tipo do transistor
tambm pode ser determinado observando-se a polaridade dos transistores ao se realizar uma
medida na juno base-emissor. Se o terminal positivo (+) for conectado base, o terminal (-)
ao emissor, a leitura de uma baixa resistncia indicar um transistor npn. A leitura de uma alta
resistncia indicar um transistor pnp.
c) Identificao da pinagem:
Para a identificao da pinagem, primeiramente identifica-se a base e depois o coletor
e o emissor. A regio de emissor do transistor mais dopada do que a regio de coletor. Essa
caracterstica utilizada para a identificao do emissor e do coletor, pois a tenso de
conduo do emissor levemente superior a tenso de conduo do coletor.
Utilizando-se um multmetro para a medio da resistncia entre base e emissor, esta
menor que a resistncia base-coletor.
Alm disso, a identificao da pinagem do componente pode ser feita observando-se a
orientao dos terminais no encapsulamento (figura 3).

Figura 3 - Pinagem de alguns tipos de encapsulamento.

9

Apesar da aplicabilidade dos testes descritos, recomenda-se sempre verificar a folha
de dados do componente quando voc for manipular qualquer dispositivo eletrnico.
c. Transistor Bipolar
O transistor bipolar (ou de juno) um dos dispositivos eletrnicos mais empregados
em circuitos amplificadores e em circuitos de chaveamento. basicamente, um dispositivo que
permite controlar a corrente que entra num dos terminais, atravs da corrente injetada em
outro terminal. A construo de um transistor bipolar semelhante de um diodo, mas com
duas junes. Pode ser dos tipos: pnp ou npn. Observe a figura 4.

Figura 4 Transistores PNP e NPN.
d. Curva caracterstica do transistor IC x VCE
A curva caracterstica I
C
(V
CE
, I
B
) importante pois
proporciona uma informao mais completa do
transistor utilizado. Este grfico permite calcular o ponto
de operao, conforme pode ser observado na figura 5.
A partir deste podemos obter, por exemplo, a
corrente de base necessria para obtermos um V
CE
igual
a um valor previamente determinado. Para isso, basta
traarmos uma reta vertical passando por V
CE
=3V
(exemplo da figura) e obtemos I
B
=10mA. Ainda, o
contrrio verdadeiro.
4. Modos de operao do transistor bipolar
A partir da curva caracterstica I
C
(V
CE
,I
B
) podemos identificar 3 principais regies distintas
de operao do transistor. So as regies de saturao, linear e corte. Ainda temos uma quarta
regio chamada de reversa, sem aplicao prtica. Observe a figura 6.

Figura 5 - Curva caracterstica de um TJB.

10

Figura 6 Modos de operao do transistor bipolar.

Abaixo apresenta um esquemtico sobre estas regies:
a. Regio Linear ou Ativa:
Modo de Operao
Polarizao
Principais caractersticas e
aplicaes NPN PNP
Juno BE: dir. polarizada
Juno CB: rev. polarizada

VBE>V
VBCs0
VCE>0,3

VEB>V
VCBs0
VEC>0,3

I
C
= I
E
I
C
=.I
b
satisfeita
- nica regio de interesse na
amplificao linear
* Tenses de polarizao para o silcio (V =0,5V).

b. Regio de Saturao:
Modo de Operao
Polarizao
aplicaes NPN PNP
Juno BE: dir. polarizada
Juno CB: dir. polarizada

VBE>V
VBC>V
VCEs0,3

VEB>V
VCB>V
VECs0,3

- Transistor se comporta como um
curto-circuito entre CE. (I
C
max.)
I
C
=V
CC
/R
C

- No possvel manter a
relao I
C
=.I
b

- Regio de interesse em circuitos
de chaveamento
** VCE
Saturao
(caracterstico do transistor, 0.3 V para o Silcio)
11

c. Regio de Corte:
Modo de Operao
Polarizao
aplicaes NPN PNP
Juno BE: rev. polarizada
Juno CB: rev. polarizada

VBEs0
VBCs0

VEBs0
VCBs0

I
C
= I
B
= I
CB0
; I
E
=0
- O transistor se comporta como um
circuito aberto entre CE
( I
c
0; V
ce
Vcc)
- Regio de interesse em circuitos de
chaveamento
d. Regio Reversa:
Modo de Operao
Polarizao
aplicaes NPN PNP
Juno BE: rev. polarizada
Juno C-B: dir. polarizada

VBEs0
VBC>V
VCE>0,3
VEBs0
VCB>V
VEC>0,3

- Sem aplicao prtica, pois |
R

muito baixo, entre 1 e 5
normalmente
a. Verificao do estado do transistor
Mea as resistncias pedidas na Tabela 1 para o transistor BC547B com o multmetro
digital na funo de ohmmetro.
b. Verificao do tipo do transistor
Verifique se o transistor BC547B npn ou pnp, utilizando o teste do ohmmetro.
Conecte o terminal positivo (+) base, o terminal (-) ao emissor, e anote na Tabela 2 se
a resistncia baixa ou elevada.
c. Identificao da pinagem do transistor
Faa o teste do ohmmetro com todas as combinaes possveis entre os terminais do
transistor BC548B. Anote esses valores na Tabela 4.
Analise os estados de conduo verificados e identifique a base, o coletor e o emissor
do transistor BC547B.
Confirme estes resultados atravs da funo diodo do multmetro.
OBS: Siga o exemplo realizado para o transistor BD135. Para este transistor realizou-se
todas as combinaes de polarizaes possveis e verificou-se o estado de conduo para essas
combinaes. Aps analisou-se a pinagem que corresponde aos estados de conduo
verificados nas polarizaes.
12

Tabela 3
Terminal
Estado de Conduo

1 2 3
+ - No conduz
- + No conduz
+ - No conduz
- + Conduz com 0.660 V
+ - No conduz
- + Conduz com 0.662 V
Polaridade NPN, Coletor: 2, Emissor: 1 e Base: 3.
d. Ganho do transistor
Mea e anote o ganho cc () do transistor BC547B. Utilize os soquetes do multmetro
para a medio do h
FE
do transistor.
e. Traado da curva caracterstica IC x VCE de um transistor bipolar
- Montar um circuito com duas fontes de
tenso independentes de acordo com o
esquema da figura 7:
- Inclua voltmetro e ampermetros para
medio de V
CE
, I
C
e I
B
.
- Fixar a corrente de base do transistor em
5A.
- Com o ampermetro no ramo do coletor,
mea simultaneamente valores de I
C
e V
CE
,
variando a tenso da fonte V
CC
. Anote os
valores obtidos na Tabela 5.
Utilize R
b
=820k, e se necessrio, faa
ajuste fino em V
bb
.
- Repita o procedimento anterior para
I
b
=15A e 40A a fim de obter outras curvas I
C
x V
CE
, utilize a Tabela 6 e a Tabela 7,
respectivamente. Calcule os valores de R
b
para esses nveis de corrente de base
mantendo V
bb
da figura anterior.

- Trace os grficos I
C
x V
CE
para os diferentes valores de I
B
.

Figura 7 - Esquema eltrico para o
procedimento experimental 3.5.

Q1
BC547
Vbb
5Vdc
Vcc
Rc
1,5k
Rb
0
13

Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Verificao do estado do transistor
Juno
Resistncia ()
polarizada diretamente polarizada reversamente
base-coletor
base-emissor
Tabela 1
2. Anlise dos resultados
Baseando-se nos valores obtidos para as resistncias, pode-se avaliar que o transistor
est funcional? Por qu?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
3. Verificao do tipo do transistor
Tabela 2
Juno Resistncia (elevada ou baixa)
base-emissor
Qual o tipo do transistor BC547B?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

14

4. Identificao da pinagem do transistor
Tabela 3
Terminal
Estado de Conduo

1 2 3
+ -
- +
+ -
- +
+ -
- +
Qual a a pinagem do transistor BC547B?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

5. Ganho do transistor
Ganho cc () do transistor BC547B temperatura ambiente: ________
6. Curva caracterstica do transistor
Preencha as tabelas conforme item 3.5.
Pontos da curva caracterstica para Ib=5A
Vce (V)
Ic (mA)
Tabela 5

Vce (V)
Ic (mA)
Tabela 6

Clculo de R
B
:
15

Tabela 7
Vce (V)
Ic (mA)

Clculo de R
B
:
Grfico da curva caracterstica curva caracterstica I
C
(V
CE
, I
B
):

Observaes:
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
c. Bibliografia:
- Robert L. Boylestad e Louis Nashelsky, Dispositivos Eletrnicos e teoria de circuitos,
8a edio, 2004, Prentice Hall.
- http://www.psi.poli.usp.br/psi/cursos/graduacao/PSI2325/E3-
NT_PolarizacaoTransistorBipolar.pdf
- http://w3.ualg.pt/~jmariano/introelec/iae_transistor_1.pdf
- http://www.labiem.cpgei.cefetpr.br/Members/humberto/disciplinas/electronics_a_la
b/folhas_tarefas/tarefa_3.pdf
- http://www.ebah.com.br/apostila-de-eletronica-basica-unicamp-pdf-pdf-a10823.html
- http://www.coinfo.cefetpb.edu.br/professor/ilton/apostilas/discip_yahoo/iltonbarbac
ena/alarme/ident_transistor1.pdf
- http://www.mspc.eng.br/eletrn/comptest_110.shtml

16

3. Polarizao fixa de TJB

1. Objetivos
- Calcular e montar circuitos com polarizao DC de forma a operar na faixa mais
adequada para amplificar pequenos sinais AC. As polarizaes montadas sero fixa e
estvel do emissor.
2. Base terica
a. Polarizao fixa
A polarizao fixa consiste em ligar um resistor da
base (Rb) e do coletor (Rc) de um transistor NPN para VCC
e aterrar o terminal de emissor. A corrente de base ser
controlada pelo resistor Rb de forma a manter a corrente
DC que passa do coletor ao emissor constante em torno
da metade da corrente mxima possvel determinada por
Rc. Ao introduzir-se uma pequena perturbao de
corrente AC na base do transistor ela ser amplificada na
intensidade da corrente que passa pelo transistor.
b. Projeto do circuito para polarizao fixa
Define-se a tenso de alimentao do circuito (V
cc
) e a corrente mxima desejada (I
max
)
entre coletor e emissor do transistor, definidas nessa montagem V
cc
sendo 15v e I
max
como 10
mA. A partir destes parmetros escolhe-se um transistor disponvel e calcula-se o R
c
:
= 1,5
Deseja-se que a corrente de polarizao do transistor (I
q
) seja metade da corrente
mxima, ento, sabendo-se o ganho do transistor () escolhido (BC548), medido prximo a
350, pode-se calcular a corrente esperada na base do transistor (I
b
):
= 14,29
Fazendo a anlise de malhas no lado esquerdo do circuito, para obter a corrente de base
desejada deve-se obedecer (V
be
aproximadamente 0,7v):
1

Figura 1-Circuito para montagem da
polarizao fixa
17

c. Polarizao estvel do emissor
A polarizao estvel do emissor consiste em
ligar um resistor da base (Rb) e um do coletor (Rc) de
um transistor NPN para Vcc e um resistor do emissor
(Re) aterrado. Essa polarizao contm um resistor do
emissor para melhorar o nvel de estabilidade do
circuito com a polarizao fixa. A diferena nesta
polarizao que a corrente de base (Ib) tambm
limitada pela resistncia do emissor (Re), fato o qual
pode ser verificada pela lei das tenses de kirchhoff na
malha base-emissor.
d. Projeto do circuito para polarizao estvel do emissor
Define-se a tenso de alimentao do circuito (V
cc
) e a corrente mxima desejada (I
max
)
entre coletor e emissor do transistor, definidas nessa montagem V
cc
sendo 15v e I
max
como 5
mA. A partir destes parmetros escolhe-se um transistor disponvel e calcula-se o R
c
+ R
e
:
= 3
Deseja-se que a corrente de polarizao do transistor (I
q
) seja metade da corrente
mxima, ento, sabendo-se o ganho do transistor (), medido prximo a 350 (BC548), pode-se
calcular a corrente esperada na base do transistor (I
b
):
= 7,14
Fazendo a anlise de malhas no lado esquerdo do circuito, tendo-se a corrente de base
desejada deve-se obedecer (V
be
aproximadamente 0,7v):
+ +1.

Resultando em
+351.
2
Estabelecendo
= 1,5, das equaes anteriores obtemos
= 1,5 e

1,48
e. Anlise por reta de carga
A anlise de circuitos de polarizao por reta de carga feita relacionando-se equaes
caractersticas de cada polarizao com seus correspondentes grficos. As variveis de sada
desses circuitos so a corrente de coletor (Ic) e a tenso entre coletor e emissor (V
ce
). No caso
da Polarizao Fixa a equao que apresenta as variveis de sada do circuito
e no caso da polarizao estvel do emissor
). Figura 3 temos as
variveis de sada apresentadas graficamente.

Figura 2-Circuito para montagem da
polarizao estvel do emissor

18

Figura 3 -Analise por reta de carga
Para a plotagem do grfico da figura acima so utilizadas as equaes de cada
polarizao, onde se calcula a tenso entre coletor e emissor (V
ce
) para uma corrente de
emissor (I
c
) igual a zero e logo aps a corrente de emissor (I
c
) para uma tenso (V
ce
) igual a
zero. Com os dois pontos calculados, se une os mesmos o que da origem a reta de carga.
Define-se ento um ponto de operao do circuito atravs dessa anlise o que pode propiciar
uma escolha mais adequada e uma melhor visualizao das consequncias da modificao de
alguns componentes do circuito.
a. Polarizao Fixa
- Medir o do transistor com um multmetro, fora de operao.
- Montar o circuito da figura 4.
- Medir com ampermetros as correntes de base, I
b
, e entre coletor e emissor, I
c
.
- Medir a tenso de base e de coletor.
- Calcular o ganho de corrente durante a operao ( I
C
/ I
B
) .
- Trocar o transistor utilizado por um BC337 e refazer as medidas.
b. Polarizao estvel do emissor
- Medir com ampermetros as correntes de base, I
b
, e entre coletor e emissor, I
c
.
- Medir a tenso de base, de coletor e de emissor.
- Calcular o ganho de corrente durante a operao ( I
C
/ I
B
) .
- Trocar o transistor utilizado por um BC337 e refazer as medidas.

Figura 4 - Polarizao fixa Figura Figura 5 - Polarizao estvel do emissor
Vcc
15V
Rb
1M
Rc
1.5k
+
Vce
Vbe
-
-
+
Vcc
15V
Rb
1.48M
Rc
1.5k
Re
1.5k
+
+
-
-
Vce
Vbe
19

Utilizando BC548:

I
b
= A
I
c
I
e
= mA
=
I
c
I
b
=
V
C
= V
V
E
= V. V
B
= V
Utilizando BC337:

=
=
=
V
E
= V. V
B
= V
Vce
Ic
5 10 15
5
10
Desenhar a reta de carga
(marcar o ponto Q)
Utilizando BC548:

I
b
= A
I
c
I
e
= mA
=
I
c
I
b
=
V
C
= V. V
B
= V
Utilizando BC337:

=
=
=
V
C
= V. V
B
= V
Vce
Ic
5 10 15
5
10
(marcar o ponto Q)
Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Circuito com polarizao fixa
a. Valores medidos no circuito:
- Fazendo uma observao referente reta de carga, qual seria a variao da tenso na
sada (V
C
) se fosse incrementada em 2mA a corrente I
C
? ............... V
- Qual o parmetro do circuito que define a inclinao da reta de carga (conseqente
proporcionalidade entre I
c
e V
c
)? O valor de ............
- Escreva uma expresso para clculo de V
c
.

=
2. Circuito com polarizao estvel do emissor
a. Valores medidos no circuito
- O que se pode observar em relao polarizao (localizao do ponto Q) quando foi
trocado o transistor (variou o ganho) na polarizao:
o Fixa?
_____________________________________________________________________
o Estvel do emissor?
_______________________________________________________
- Escreva uma expresso para V
c
.
=
- Explique (ou desenhe) o efeito na reta de carga do aumento de V
cc
, R
c
ou R
e
.

20

4. Polarizao por divisor de
tenso
1. Objetivos
- O objetivo desta aula montar o circuito de polarizao DC por diviso de tenso.
- Projetar um circuito de polarizao por divisor de tenso.
2. Base terica
3. Polarizao por divisor de tenso
Tambm conhecida por polarizao universal, este polarizao consiste em criar um
divisor de tenso para alimentar a base do transistor.
Esta polarizao conhecida por ser menos dependente de Beta do transistor. Uma de
suas grandes vantagens manter-se estvel com variaes de temperatura, visto que o Beta
varia com esta.
permanecero constantes, visto que estes parmetros definem o

ponto Q.

Figura 1 Polarizao por divisor de tenso

A anlise deste circuito pode ser feita por dois mtodos:
a. Anlise exata
Analisando o circuito da figura 1 podemos redesenhar o circuito de alimentao da base
do transistor como um equivalente Thvenin onde o resistor de Thvenin dado pelo
paralelo entre os resistores R1 e R2.

21

Figura 2 Equivalente Thvenin
Fazendo as leis de Kirchhoff de tenses obtemos:
=

+( +1)

Sendo: R = 1||2 , =
2
1+2
. e

Como Vce dado por: = ( +)
Desta forma obtemos os valores de polarizao do transistor.
b. Anlise aproximada
Esta anlise considera
muito menor que

1
ou
2
, logo, igualando
1
a
2
, podemos
dizer que
=
2
1+2
. Na figura abaixo temos que
= +1.
.
A condio que define se o mtodo aproximado pode ser aplicado :
10
2

Quanto maior for
em relao
2
, maior ser a preciso deste mtodo.

Figura 3 Circuito para Anlise aproximada
c. Anlise por reta de carga
A reta de carga pode ser traada atravs das seguintes equaes.
para
= 0
para
= 0
22

4. Projeto de circuito por divisor de tenso
Para projetar um circuito para polarizao por divisor de tenso precisamos da
especificao da corrente de coletor (
) e tenso de fonte desejada (
) e usar as
seguintes definies:
- A queda de tenso sobre
10% de
40% de
.
- Para calcular
1
e
2
basta utilizar a relao citada na anlise aproximada:
10
2

para que
seja desprezvel em relao

1
ou
2
, logo
2
=

10
. Encontramos
1

aplicando a lei das tenses de Kirchhoff em
1
e
2
.
Para projetar este circuito temos
= 10 V, = 100 e
= 5 mA e podemos seguir a
seguinte ordem:
1 -
=
10%
=
1
0.005
= 200.
2 -
=
40%
=
4
0.005
= 800.
3 -
2
=
.
10
=
100.200
10
= 2.
4 - Aplicando a Lei das tenses de Kirchoff em
1
e
2
temos que
1
=
2
.
1,
como
= 1 +0,7 = 1,7, logo

1
= 2.
10
1,7
1 = 9,8.
a. Projetar o circuito para polarizao por divisor de tenso
- Calcular todos os resistores para o circuito de polarizao especificado, conforme o
projeto.
- Calcular valores para traar a reta de carga e marcar o ponto Q.
b. Montar o circuito projetado
- Conferir com os monitores da aula se os valores do projeto esto corretos.
- Medir com ampermetros a corrente de base (
), e entre coletor e emissor (
).
- Medir a tenso entre base e de coletor do transistor (
).
- Calcular o ganho de corrente durante a operao (
).

23

Divisor de tenso:

I
b
= A
I
c
I
e
= mA
=
I
c
I
b
=
V
C
= V. V
B
= V
Ic
5 10 15
5
10
(marcar o ponto Q)
20
15
Vce
Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Projeto do circuito para polarizao por divisor de tenso
Para projetar o circuito use
= 12 V, = ______,
= 10 mA:
1 -
=
10%
= ________.
2 -
=
40%
= _________.
3 -
2
=
.
10
= ________.
4 -
+0,7 = _______, logo

1
=
2
.
1 = ___________.
a. Traar a reta de carga.
Para
= 0 =>
= _________
Para
= 0 =>
= _________
2. Monte o circuito projetado e
realize as seguintes medies

Por que utilizamos a seguinte relao,
10
2
, na anlise aproximada do circuito de
polarizao por divisor de tenso?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
Se aumentar R
c
ou R
e
, qual o efeito na reta de carga?
___________________________________________________________
Deduza a seguinte expresso,
1
=
2
.
1, a partir do circuito:
24

5. Medio de parmetros
hbridos do TBJ
1. Objetivos
- Revisar o teorema dos quadripolos;
- Medir o parmetro hFE do TBJ, para a configurao emissor comum;.
2. Base terica
a. Quadriplos
Pode-se aplicar a teoria dos quadripolos para resolver problemas em que h dois pares
de terminais, sendo um par de entrada e outro de sada (Figura 1). utilizado para
modelamento e anlise de circuitos.

Figura 6: Quadripolos

A relao entre a tenso e a corrente de entrada com a tenso e a corrente de sada
pode ser expressa por uma matriz (sistemas lineares), que pode ser de impedncias,
admitncias ou hbrida (veja em: http://pt.wikipedia.org/wiki/Quadripolo). Na figura 2 est o
circuito equivalente de um quadripolo hibrido. Em (1) est a matriz caracterstica.
25

b. Parmetro hbridos para o TBJ

Para o transistor bipolar de juno, define-se que (padro IEEE):

Para cada tipo de configurao, os valores dos parmetros h so diferentes. Para isso,
adicionam-se os ndices e (emissor comum), c (coletor comum) ou b (base comum).
Para obteno dos parmetros hbridos, nem sempre e possvel zerar uma das variveis.
Assim, podem-se fazer pequenas variaes de duas variveis, mantendo outra constante, em
torno
do ponto quiescente, para obteno de algum do parmetro desejado.
Para a configurao emissor comum, obtm-se (2).

Ento, a matriz hibrida para o transistor em pequenos sinais, na configurao emissor
comum e como em (3).
26

O circuito equivalente CA hibrido do transistor, na configurao emissor comum para
pequenos
sinais, esta na figura 2.

Figura 7

a. Medio de hFE para valores de Ic, com Vce constante.

Figura 8: Pinagem do transistor BC547B

Exemplo de descrio da atividade:
- Montar o circuito da Figura 3.
- Deixar o potencimetro no valor mximo da resistncia, para Ib ser um valor baixo.
- Preencher a tabela 1, que ser utilizada para o simulador PSPICE.
27

Figura 9: Circuito do experimento

28

Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Medio de hFE para valores de Ic, com Vce constante..

Tabela 3
Vce =constante= 5V
Ib
(uA)
Ic hFE
(cc)

5
10
15
20
25
30
40
50

2. Anlise dos resultados:

Como se comportou o valor de hFE com o aumento da corrente de base Ib?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
Baseando-se nos resultados obtidos, o valor de hFE, assim como de outros parmetros
hbridos, depende ou no do ponto de operao do circuito?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
Observaes:
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
29

6. Simulao de circuitos
eletrnicos em PSpice
1. Objetivos
- Simular no Orcad Pspice circuitos eletrnicos.
- Utilizar parmetros medidos em laboratrio (aula 4) nos componentes da
simulao.
- Analisar informaes a fim de melhorar o design de circuitos eletrnicos.
2. Base terica
Nessa base terica, sero introduzidos tpicos que no foram vistos em aulas prticas
anteriores.
a. Amplificador base comum
Na figura 1 est o esquema de um amplificador base-comum, utilizando um transistor
PNP.

Figura 1 Amplificador base-comum (BOYLESTAD, NASHELSKY; 8 Ed; p.295)

Do modelamento para pequenos sinais, obtem-se como a figura 2.

Figura 2 Modelo matemtico do amplificador base-comum
No caso,
20 e
1
Assim, retiram-se as equaes para a configurao base-comum:
30

||
||
1
b. Estgios em cascata
Estgios em cascata so 2 ou mais estgios ligados em srie, com o objetivo de
aumentar ganhos de tenso e corrente ou alterar impedncias de entrada e sada. Na figura 3
est o esquema geral de circuitos com estgios em cascata.

Figura 3 Esquema de circuito com estgios em cascata

Dessa forma, as equaes dos parmetros do circuito so:
1
.
2
.

c. Realimentao
A realimentao utilizada no controle de sistemas para minimizar as variaes do
sistema ao longo do tempo, sem influenciar o resultado final.
Na figura 4 est o esquema de uma realimentao de um circuito eltrico, com um
amplificador de ganho -A. Utilizando a realimentao, possvel controlar o ganho
para que
no dependa muito do parmetro A.

Figura 4
Se a impedncia de entrada do amplificador de ganho -A for muito maior do que as
resistncias R
2
e R
1
, ento a corrente que passa no resistor R
2
igual do resistor R
1
.
Tem-se que
= .
.
A partir da corrente,

2
. =

2
.
1
+
2

.

2
1
+
2
+

.

2
1
+
2

31

Ao final, encontra-se (1).

=
.
1
.
2
+
1
+
2
(1)
Se o ganho A for bastante alto, ento
2
.
a. Modificando parmetros e criando novos componentes no Orcad:

Para modificar parmetros de um componente existente nas bibliotecas do Orcad,
basta adicionar o componente na tela do esquemtico e clicar sobre o componente, e
selecionar Edit Pspice Model(figura 5). Uma lista de parmetros aparecer. Basta modificar o
valor desejado e salvar, que nas prximas simulaes este ser o valor utilizado para o
parmetro em questo.

Figura 5 - Opes para um componente.

Para criar um novo componente, repita o mesmo procedimento, com um componente
qualquer, entretanto, clique em New Model (figura 6).

Figura 6 - New Model

32

Na prxima tela, os parmetros do novo componente so introduzidos. Parmetros
que no forem introduzidos tero valores default. Nesta aula utilizaremos apenas os
parmetros referentes ao hFE.

Figura 7 - Parmetros.

Em seguida, v em tools >> options... e selecione Aways Create Part When Saving
Model. Salve o arquivo. Assim, ser criada uma library contendo os componentes criados pelo
usurio.
Para simular o novo componente, necessrio adicionar esta library para os arquivos
de simulao. Faa o seguinte: Crie um novo arquivo de simulao, ou se j foi criado um
arquivo v at Simulation Settings. Ento abra a aba Libraries (figura 8) e procure pelo arquivo
criado anteriormente. Selecione o arquivo e depois clique em Add to Design.

Figura 8

Em seguida, basta rodar a simulao normalmente.

33

4. Amplificador no-inversor base comum

Simular o circuito do amplificador no-inversor da figura 9 no PSpice, utilizando o
modelo do transistor inserido na seo 3.1. Fazer
= 10. Medir A
i
e A
v
.

Figura 9

5. Amplificador inversor com divisor de tenso
Simular o amplificador inversor por emissor comum da figura 10. Fazer
= 10.
Medir A
i
e A
v
.

Figura 10
6. Seguidor de emissor e circuito em cascata
Implementar o circuito do seguidor de emissor 11, com sua entrada ligada na sada do
amplificador inversor com divisor de tenso. Medir Av e Ai do circuito seguidor de emissor e
do circuito em cascata.
34

Figura 11
7. Realimentao
Inserir no circuito em cascata do item 3.4 uma realimentao, com resistores R
1
e R
2
,
como a figura 4.
Utilizar R
2
fixo e variar R
1
para observar as variaes no ganho de tenso. Calcular R
2
e R
1

para que a impedncia de entrada do primeiro estgio no influencie muito a equao
(1).

35

7. Projeto e clculo de parmetros
de um amplificador de pequenos
sinais utilizando TJB
1. Objetivos
- Calcular e montar um circuito com polarizao DC de forma a funcionar como um
amplificador de pequenos sinais. Nesta aplicao sero calculados os valores de ganhos e
impedncias.
2. Base terica
a. Polarizao por divisor de tenso
A abordagem sobre o projeto de um circuito com
polarizao por divisor de tenso no ser o foco desta aula. Ser
utilizada a anlise aproximada e o pequeno erro obtido no ser
considerado por tornar-se pequeno em comparao, por
exemplo, com o erro causado pela variao do ganho () do
transistor durante a operao.
b. Especificao do circuito
No projeto de um circuito para uma aplicao real deve-se ter bem claro a influncia
de cada componente que tem os seus valores definidos ao incio do projeto para atingir os
requisitos ao final da montagem.
Sero especificados: alimentao em 15 V, impedncia de entrada (Z
i
) maior que 500,
impedncia de sada (Z
o
) maior que 100 e ganho de tenso (A
v
) 20. O transistor utilizado deve
ser um BC548, com o ganho esperado 350.
c. Polarizao CC
Foi fixada em 20mA a corrente mxima que deve circular pelo emissor do TJB, assim:
=
1
2
= _________ ,
=
15
20
= ___________
Com uma menor corrente de polarizao consegue-se impor uma maior resistncia no
coletor, o que ir influenciar a impedncia de sada.
(Dividiu-se em valores comerciais
de forma que
= 180 e
= 560 . )

Figura 1 -Circuito com polarizao
por divisor de tenso

36

Calcula-se a tenso a corrente na base pela malha que envolve base e emissor do
transistor:
+0,7 = _________ e
=
10
= ________ A
Com uma corrente de 1 mA no divisor de tenso j pode-se considerar desprezvel a
corrente de base do transistor, assim
2
=

1
= _______ e
1
=
(15
)
1
= _________ .
(Passando para valores comerciais R
2
4x 1,5k+ 320 e R
1
2x 3,8k+1k)
d. Circuito equivalente AC
O circuito da figura 1 j estando polarizado em um nvel DC apropriado pode ser
reduzido ao circuito equivalente AC neste momento,
todos os nveis DC sero desconsiderados. Nesta
anlise as fontes de tenso contnua e os capacitores
representam um curto circuito para sinal alternado na
freqncia de teste. Desta forma tem-se o circuito da
figura 2 ( importante entender esta etapa para seguir
adiante).
A seguir substitui-se o transistor pelo circuito r
e

equivalente que uma resistncia .r
e
e uma fonte de
corrente, dando origem ao circuito da figura 3.
Este circuito no real,
somente serve de ferramenta de
forma a visualizar e analisar o
comportamento em AC por meio de
ferramentas j conhecidas de
circuitos.
O valor de r
e
existe somente
para anlise AC, dado pelo I
E
de polarizao (DC) :
r
e
=
26mV
I
E
= ______
A impedncia de entrada a impedncia vista entre os terminais de entrada, assim:
Zi = R1//R2// . re ______
A impedncia de sada a impedncia vista entre os terminais de sada quando
nenhum estmulo aplicado entrada, assim a fonte de corrente um circuito aberto. Tem-
se:
Zo = r
o
//R
C
______
Como r
o
dado na folha de dados do fabricante entre 18 e 60 S, o que equivale a
55,5 e 16,7 k, este paralelo praticamente o mesmo valor de R
C
.

Figura 2 - Circuito para anlise AC

Figura 3 Circuito incluindo o modelo AC do transistor
37

O ganho de tenso sem carga esperado deste circuito dado pelo produto do valor da
corrente que circula pela fonte de corrente e impedncia de sada.
Av =
R
C
//
r
E

O ganho de corrente ser:
=

+(
)

Sendo = 1//2 conforme Figura. De forma alternativa o ganho de corrente pode
ser obtido atravs do ganho de tenso, assim:
=

e. Parmetros de influncia em Zi e Zo.
Observando-se a Figura pode-se concluir que Zi caracterizada por uma
associao em paralelo entre R1, R2 e . re. Como um valor caracterstico do transistor,
re pode ser alterado com a corrente de polarizao, Zi pode ser alterada de acordo com os
valores das resistncias R1 e R2. Do mesmo modo, a impedncia de sada caracterizada
pela associao paralela entre ro e Rc, sendo alterada ento pela mudana da resistncia de
coletor (Rc) visto que ro tambm um valor caracterstico do transistor.
- Inserir um sinal alternado para ser amplificado sem resistncia na entrada e nem
carga.
- Medir o ganho de tenso sem carga.
- Colocar uma alta resistncia, valor prximo a Z
i
, na entrada e verificar a variao do
ganho. Calcular ento a impedncia de entrada.
- Para que se calcule a impedncia de sada, sem a resistncia de entrada, coloca-se
uma pequena carga (valor prximo a Z
o
) e verifica-se a queda de tenso.

Figura 4 Circuito para anlise AC
R1
R2
Rc
RE
C1
Ce
C2
c
e
b
Vcc
Vo
Vi
38

4. Materiais a serem utilizados
- 3 capacitores eletrolticos c =100 F
- 4 resistores de 1.5k + 1 resistor de 320 = 6,3k
- 2 resistores de 3.8k + 1 resistor de 1k = 8,6k
- 1 resistor de 180
- 1 resistor de 560

5. Bibliografia:
BC546 THRU BC549 Datasheet em
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/GeneralSemiconductor/mXyzqszz.pdf

39

Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Comparao entre parmetros tericos e prticos.
Calcular os valores apresentados na fundamentao terica e preencher a Tabela 1.
Apresentar na Tabela 5 os valores reais (implementados na prtica) e os medidos.
R
e
=

Z
i
=

Z
o
=

A
v
=

A
i
=
1) Com base na anlise feita sobre os parmetros que influenciam nos valores de Z
i
e
Z
o
, faa uma anlise sobre os parmetros que influenciam nos ganhos de tenso e corrente.
Dentre esses parmetros quais (e qual melhores valores) podem ser alterados quando se
deseja:
-Maior ganho de tenso:
_______________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
-Maior ganho de corrente:
_______________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
-Alta impedncia de entrada:
_______________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

2) Por que no se pode utilizar grandes resistores de coletor e emissor para a
polarizao, qual caracterstica do transistor define esse comportamento?
_______________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

Parmetros Valores
Z
i

Z
o

A
v

A
i

Tabela 4-Valores Calculados

Parmetros Valores
Z
i

Z
o

A
v

A
i

Tabela 5-Valores Medidos

40

8. TJB: Configurao seguidor
de emissor

1. Objetivos

- Polarizao CC da configurao seguidor de emissor de Transistores de Juno Bipolar
(TJB);
- Anlise CA da configurao seguidor de emissor de TJB;
- Caractersticas e aplicaes de Emissor Comum, Coletor Comum e Base Comum.
2. Base terica
a. Configurao Seguidor de emissor

Quando a sada se d atravs do terminal emissor do transistor, o circuito chamado
seguidor de emissor. Nesta configurao, a tenso de sada um pouco menor que o sinal de
entrada, devido queda de tenso de base para emissor. Assim, pode-se dizer que Av ~ 1.
Diferentemente da tenso do coletor, a tenso do emissor est em fase com o sinal Vi.
E devido ao fato de o coletor estar aterrado para anlise CA, tem-se na verdade, uma
configurao coletor-comum.
Um circuito seguidor de emissor tem uma alta impedncia de entrada, uma baixa
impedncia de sada, oposto do comportamento da configurao-padro com polarizao fixa.
Apresenta tambm uma baixa distoro linear. Muitas vezes este circuito usado como um
estgio de reforo (buffer) entre a alta impedncia da fonte de sinal e a baixa impedncia da
carga.
A configurao seguidor de emissor freqentemente utilizada para fins de
casamento de impedncias. O resultado quase o mesmo que obtido com um transformador,
em que uma carga casada com a impedncia da fonte para a mxima transferncia de
potncia pelo sistema.
Neste experimento voc poder verificar como caracterstica sua alta impedncia de
entrada e baixa impedncia de sada.
41

b. Comparao das configuraes dos amplificadores a transistor:

Configurao EC: a configurao emissor comum apresenta ganho de tenso e ganho de
corrente maiores do que a unidade. Este tipo de ligao o mais verstil e o mais til das trs
configuraes.
Ri e Ro variam muito pouco com R
L
e R
S
, respectivamente, para o circuito EC.

Configurao BC: para o estgio base comum, A
I
menor do que a unidade, A
V
alto
(aproximadamente igual ao do estgio EC), R
i
a menor e R
o
a maior das trs configuraes.
O estgio BC apresenta poucas aplicaes. Algumas vezes usado para casamento de uma
baixa impedncia de fonte, que alimenta uma carga de alta impedncia, ou como um
amplificador no inversor com ganho de tenso maior que a unidade. tambm usado como
uma fonte de corrente constante (por exemplo, como um circuito de varredura para carregar,
linearmente, um capacitor).

Configurao CC: para o estgio coletor comum, A
i
alto (aproximadamente igual ao do
estgio EC), A
V
menor que a unidade, R
i
a maior e R
o
a menor das trs configuraes. Este
tipo de circuito encontra muitas aplicaes, principalmente em acopladores entre estgios de
circuitos com funes diferentes, como por exemplo, uma fonte com alta impedncia e uma
carga de baixa impedncia.

c. Polarizao CC

A polarizao CC determina o ponto de operao quiescente do transistor.
Para o circuito seguidor-de-emissor, se
2
. 10 . R R
E
>> |
Ento:

2 1
2
.
R R
R V
V
CC
B
+
=

V V
BE
7 , 0 =
E B BE
V V V =

BE B E
V V V = 1 ~ A
42

CC c
V V =

Figura 1. Circuito seguidor-de-emissor, polarizao CC.
d. Anlise CA

Encontrando modelo equivalente re:
Como desejamos a resposta CA do circuito, todas as fontes CC podem ser substitudas
por um potencial nulo equivalente (curto-circuito), uma vez que determinam apenas o
componente CC (nvel quiescente) da tenso de sada, e no a amplitude da oscilao de sada.
Alm disso, os capacitores de acoplamento podem ser substitudos por um curto-
circuito, j que so calculados com pequena reatncia para a freqncia utilizada.
Redesenhamos o circuito para anlise CA de pequenos sinais, conforme a figura 2:

Figura 2. Redesenhando para anlise CA de pequenos sinais.

43

Determinao dos parmetros Zi, Zo, Av, Ai.
Conforme apresentado na figura 2, o modelo re equivalente do circuito, podemos a partir
deste determinar os parmetros fundamentais para realizao desse experimento.
Aplicando a Lei de Kirchhoff das tenses seo de entrada da figura 2 temos:
E
R Ie re Ib Vi . . + = | (1)
B
R Ii Vi '. = (2)

Com
Zb
Vi
Ib = (3) Substituindo (1) em (3):
E
R re Zb ) 1 ( + + = | | (4)

Determinando Impedncia de entrada, Zi:
Para Zi, temos:
Ii
Vi
Zi = (5)
Sendo Ii a corrente que passa por R
B
, por divisor de corrente temos:
Zb R
Zb Ii
Ii
B
+
=
.
' (6)
Substitumos (6) e (2) em (5) e obtemos:
Zb R Zi
B
// = (7)

Determinando Impedncia de sada, Zo:
o
o
o
I
V
Z = (8)

Equacionamos I
E
a partir da figura 2: 1)Ib ( I
E
+ = | (9)
Substituindo (3) e aproximando ( | +1) ~ | , j que | alto, temos:
E
E
R re
Vi
I
+
= (10)
Para obtermos a impedncia de sada construmos o circuito conforme da equao (10). Este
representado na figura 3:
44

Figura 3. Definio de impedncia de sada para configurao seguidor-de-emissor.
Assim:
re R Z
E o
// = (11)
Onde re = 26mV/Ie
(cc)

Determinando Av:
Podemos determinar Av, utilizando o divisor de tenso na figura 3. Assim, temos que:

re R
R
Vi
Vo
Av
E
E
+
= = (12)
Geralmente R
E
muito maior que re, por isso desconsideramos o valor de re, e o ganho de
tenso prximo de 1.
1 ~ Av (13)

Determinando Ai:
Ii
Io
Ai = (14)
Por diviso de corrente, na entrada da figura 2, temos:
Zb R
Ii R
Ib
B
B
+
= (15)
Tambm,
E
I Io = , substituindo (9) na anterior, temos:
Ib Io ) 1 ( + = | (16)
Agora, isolando Ii de (15) e substituindo (15) e (16) em (14), temos:
45

Zb R
R
Ai
B
B
+
+ = ) 1 (| (17)
Com (+1) | ~ .
Zb R
R
Ai
B
B
+
= | (18)
De outra forma, podemos apresentar:
E
R
Zi
Av Ai = (19)
Para grande parte das aplicaes, os resultados reais podem ser bem aproximados,
ignorando os efeitos de r
0
para essa configurao.
Para o exemplo trabalhado nesta experincia prtica, ser utilizado na base do circuito
seguidor-de-emissor um divisor de tenso, portanto, basta substituirmos o R
B
das equaes
por R1//R2.
Ainda, a impedncia de entrada Zi e a impedncia de sada Zo no so afetadas por Rc,
pois ele no refletido para os circuitos equivalentes da base ou emissor. R
C
s influencia na
determinao do ponto quiescente.

Anlise do circuito seguidor-de-emissor com carga:

Os parmetros de impedncia de entrada e sada para o circuito seguidor de emissor
so sensveis carga aplicada e resistncia da fonte.
Para simplificarmos o trabalho, apresentamos o resultado das dedues para uma o
circuito com carga.

(20)

re R Z
E o
// = (21)

re Rs R R
R R
Avs
L E
L E
+ +
=
| / //
//
: com R
S
(22)
re R R
R R
Av
L E
L E
+
=
//
//
46

|
|
.
|
\
|
+ = re
Rs
R Z
E o
|
'
// : com R
S
(23)

Onde Rs=Rs//R1//R2

) // ( // '
L E B
R R re R Zi + = | (24)

Onde R
B
=R1//R2

L
R
Zi
Av Ai =
a. Seguidor-de-emissor

Figura 4 Circuito da configurao seguidor-de-emissor.

1. Calcule as tenses CC na base, emissor e coletor da figura 4. Anote suas respostas na tabela
1.
2. Calcule e anote a tenso CA pico a pico na base, emissor e coletor.
3. Monte o circuito. Mea e anote a tenso CC na base, emissor e coletor.
4. Ajuste o gerador de sinais para obter um sinal de 1 Vpp e 10 kHz (mea esse sinal entre uma
ponteira do gerador de sinal e a referncia).
5. Mea e anote a tenso pico a pico na base, emissor e coletor.
47

b. Impedncia de sada

6. Calcule a impedncia de sada do circuito apresentado na figura 4. Anote este valor na
tabela 2.
7. Agora reduza o sinal do gerador de 1 V para 100 mV.
8. Mea e anote a tenso de pico a pico na sada (sem carga).
9. Conecte uma resistncia de carga de 47 na sada.
10. Mea e anote a tenso de pico a pico na sada (com carga).
11. Calcule a impedncia de sada do seguidor de emissor com os dados obtidos nos
procedimentos 8 a 10. Anote sua resposta experimental na tabela 1.

48

Folha de aula
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_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Seguidor-de-emissor
Tabela 1 Seguidor-de-emissor: h
fe
= ______________
Valores
Calculado Medido
B E C B E C
CC
CA
2. Impedncia de sada
Tabela 2 Impedncia de Sada
Calculada Z
sada
:
Sem carga V
sada
:
Com carga V
sada
:
Experimental Z
sada
:

1. O dado na tabela 1 mostra que o ganho de tenso do seguidor-de-emissor foi
aproximadamente:
a) 0; b) 1; C) 4,3 V; d) 10 V.

2. A tenso CA no coletor do seguidor-de-emissor foi prxima de:
a) 0; b) 0,58 V; C) 1 V; d) 10 V.

3. Pelo fato de a tenso CA no emissor ser aproximadamente igual tenso CA na tabela 1, a
impedncia de entrada da base deve ser:
a) 0; b) muito baixa; C) 10 ; d) muito alta.

49

4. Explique como voc obteve o valor experimental de Z
sada
na tabela 2.

Observaes:
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

Bibliografia:

- Robert L. Boylestad e Louis Nashelsky, Dispositivos Eletrnicos e teoria de circuitos,
8a edio, 2004, Prentice Hall.
- Albert Paul Malvino, Eletrnica no laboratrio, 3a edio, 1991, Makron, McGraw-
Hill.

50

9. Projeto e clculo de parmetros
de um amplificador de pequenos
sinais utilizando configurao
darlington com TJB
1. Objetivos
- Montar o circuito para amplificao de pequenos sinais de dois estgios proposto
na figura 2.
- Realizar clculos de impedncia de entrada e sada e ganho de tenso para os dois
estgios.
2. Base terica
a. Configurao darlington
A configurao darlington consiste na conexo de dois
transistores bipolares de juno operando como um transistor
superbeta. A composio dede transistores atua como uma
unidade nica, com um ganho de corrente que o produto dos
ganhos de corrente dos transistores individuais.
Ser utilizada a anlise aproximada e o pequeno erro
obtido no ser considerado por tornar-se pequeno em
comparao, por exemplo, com o erro causado pela variao do
ganho () dos transistores durante a operao.
Geralmente utiliza-se a configurao darlington num circuito seguidor-de-emissor,
pois a finalidade deste circuito ter uma grande impedncia de entrada, ganho de tenso igual
a 1 e altssimo ganho de corrente.
b. Circuito proposto para a montagem
Na figura 2 est o circuito amplificador de pequenos sinais de dois estgios. O primeiro
estgio consiste num circuito com polarizao por diviso de tenso, destinado ao aumento de
tenso do sinal de entrada. O segundo estgio um circuito para amplificao de corrente
com um seguidor-de-emissor e configurao darlington.

Figura 1 - Configurao
darlington num seguidor de
emissor (coletor comum)

51

Figura 2 -circuito amplificador de pequenos sinais com dois estgios.
c. Anlise AC
Estes clculos so os mesmos vistos nas aulas prticas anteriores, no sendo
necessrio deduzi-los novamente.
A seguir seguem os clculos para a anlise AC do primeiro estgio considerado sem
carga, pois a impedncia de entrada do segundo estgio muito alta, conforme ser visto
durante a execuo dos clculos. Utilize =
1
=
2
= 350 para todos os clculos.

r
e
=
26mV
I
E
= _________ , para I
E
= 10mA
Zi = R1//R2// . re __________

Zo = r
o
//R
C
__________ , para r
o
= 50k
Av =
R
C
// r
o
r
E
= ___________
=

= ___________

A seguir seguem os clculos para a anlise AC do segundo estgio com uma carga de
10 (que ser substituda por um auto-falante ao final do experimento).

r
e
=
26mV
I
E
= _________ , para I
E
= 30mA
Zi = R
1
//R
2
//
1
.
2
(re +R
E
// R
L
) ___________

Zo = R
E
//
R
1
//R
2
1
.
2
+r
e
____________

Av =

//
//
___________

=

= ___________
C2
1u
ReA
100
R1B
147k
R2B
47k
C4
10u
R1A
22k
RL
10
RcA
470
BC548
0
R2A
4.7k
ReB
47
BC548
BC337
C1
1u
Vcc
12
Vi
FREQ = 10k
VAMPL = 0.009 C3
1u
52

- Realizar os clculos da anlise AC acima.
- Inserir um sinal alternado de 10mV e 1kHz (Vi) e medir o ganho de tenso do
primeiro estgio.
=

0
= _________
- Inserir um sinal alternado de 10mV e 1kHz na entrada do segundo estgio e medir o
ganho de corrente.
=

0
= _________
- Unir os dois estgios e testar amplificador de som.
- Capacitores eletrolticos: 3 x 1F, 1 x 10F
- Resistores: 22k, 4,7k, 470, 100 , 47k , 100k , 47 , 10
5. Bibliografia:
http://www.datasheetcatalog.org

53

Folha de aula
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1. Resultado dos clculos.
Calcular os valores apresentados na anlise AC e completar as tabelas.

=

0
= _________ ,do primeiro estgio.
=

0
= _________, do segundo estgio.

1. Por que utilizamos dois estgios de amplificao? Comente a importncia de cada
um deles na amplificao do som.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

2. Qual a finalidade de utilizarmos a configurao darlington?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

1 estgio Valores
Z
i

Z
o

A
v

A
i

2 estgio Valores
Z
i

Z
o

A
v

A
i

54

10. Curva Id X Vds do JFET
1. Objetivos
- Entender o comportamento do transistor JFET.
- Traar a curva
do JFET MPF102, para alguns valores de V

GS
.
2. Base terica
a. Funcionamento do JFET de canal N
O JFET um transistor em que a corrente que passa do Drain para o Source (I
D
)
controlada pela tenso entre o Gate e Source (
).
Se
= 0 e a tenso
positiva, ento h corrente passando entre Drain e Source,

pois a regio de depleo, que impede a passagem de eltrons no canal N a menor possvel
(Figura 2). Nesse caso, o canal N funciona como uma regio resistiva. Tornando-se
mais
negativo, h um aumento na regio de depleo, o que faz a resistncia do canal N aumentar,
at tornar-se infinita.

O JFET no feito para funcionar com
> 0, pois ocorreria passagem de corrente

entre Gate e Source. Nesse caso, seria como um diodo. por isso que o smbolo do JFET canal
N possui a seta para dentro do Gate (Figura 1). o sentido que teria a corrente caso
> 0.

Figura 10

55

Figura 11

Aumentando V
DS
, h um aumento da corrente no JFET e tambm um aumento na
resistncia do canal N, pois ocorre um aumento na regio de depleo. Isso se d at ocorrer a
saturao da corrente, quando a resistncia do canal ( =

) torna-se muito alta e o JFET

funciona como uma fonte de corrente. Na figura 3, pode-se verificar o comportamento do
transistor para alguns valores de V
GS
.
Explicaes mais detalhadas sobre o funcionamento do JFET no captulo 5 do livro
Dispositivos Eletrnicos e teoria de circuitos, de Boylestad e Nashelsky.

Figura 12
56

a. Desenho da curva ID X VDS para diversos valores de VGS

- Montar o circuito da figura 5, utilizando o transstor MPF102 (figura 4).
- Variar lentamente V
DS
(medir com voltmetro) para um V
GS
constante e medir a
corrente I
D
(com ampermetro), completando a tabela 1. No permitir que a corrente
I
D
exceda 10mA.
- Fazer o mesmo procedimento para os valores V
GS
= -2V e V
GS
= -4V.
- Traar o grfico na Figura 6, para os valores de V
GS
medidos. A curva deve ser parecida
com a da figura 3.
- Para a tenso V
DS
= 10V, descobrir o valor de V
GS
em que no ocorre corrente I
D
. Para
isso, aumentar lentamente V
GS
(na tenso negativa) e verificar a variao de I
D
.

Figura 13

Figura 14

57

Folha de aula
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1. Desenho da curva ID X VDS para diversos valores de VGS

Tabela 6
VGS = 0V VGS = -2V VGS = -4V
VDS
I
D
V
DS
I
D
V
DS
I
D

Figura 15

- Para V
DS
= 10V: Valor de V
GS
que no h corrente I
D
: ___________

I
D
Vgs
58

11. Autopolarizao FET
1. Objetivos
- Montar o circuito com JFET na configurao autopolarizao.
- Encontrar o ponto quiescente atravs do mtodo matemtico, grfico e das
medies no circuito montado.
2. Base terica
a. Autopolarizao
A configurao com autopolarizao elimina a necessidade de duas fontes dc. A tenso
controladora gate-source agora determinada pela tenso atravs do resistor Rs, colocado
entre a fonte e o terra, como mostrado na figura 1.
Para a anlise DC os capacitores podem ser considerados como curtos-circuitos, assim
como o resistor
, pois
considerada praticamente zero, resultando na figura 2.

pode ser determinada pela malha representada na figura 2.
= 0

Para traar a reta de autopolarizao, precisamos determinar dois pontos no grfico de
. O primeiro ponto o prprio zero e o segundo pode ser determinado por dois
mtodos:

Figura 1- Configurao para JFET com
autopolarizao.

Figura 2- Anlise DC da configurao
com autopolarizao.
59

b. Mtodo mtemtico
Basta unir a equao que determina
para o JFET em autopolarizao com a equao

de Shockley, assim temos:

2
=
1 +

2

Rearranjando os termos temos:
2
+
2
+
2
= 0
Atravs da equao acima determinamos a correte de dreno-source em que o circuito
estabilizar, que podemos chamar de valor de corrente quiescente (
). Com essa corrente

podemos determinar
com a equao a seguir:

c. Mtodo grfico
Para este mtodo primeiro precisamos traar a curva de transferncia do dispositivo, e
para isto precisamos apenas dos valores de
. Como determinar estes dois parmetros

empiricamente ser mostrado na prxima seo.
Conforme a figura 3, podemos traar a curva caracterstica do JFET atravs das
extremidades (
) e um ponto intermedirio dado por
2
e
4
.

Com a curva caracterstica pronta, precisamos determinar mais um ponto dado por
2
e
2
, conforme a figura 4. Ento traamos uma reta do ponto zero at o ponto recm
calculado, sendo que a intercesso entre esta reta e a curva caracterstica o ponto
quiescente.

Figura 3- Anlise DC da configurao com
autopolarizao.

Figura 4- Esboo da reta de autopolarizao e
determinao do ponto quiescente.
60

O ponto quiescente (
) calculado e o encontrado atravs do grfico devem ser

bem prximos, pois s existe erro devido s imperfeies no grfico.
3. Determinao de
.
Caso no seja informado no datasheet do JFET utilizado, os valores de
podem
ser encontrados atravs de testes prticos.
Para determinar
, primeiro ligamos uma fonte de tenso varivel no Gate do JFET e

um ohmmetro entre o Dreno e o terra do circuito, conforme a figura 5. Ento aumentamos
negativamente a tenso at que o multmetro passe a acusar resistncia infinita. Este ponto
considerado
.
Para determinar
, primeiro ligamos o Gate do JFET direto no terra do circuito, assim

como o Source (para ter zero de
). Aps ligamos uma fonte de tenso varivel direto no

Dreno e um ampermetro entre os terminais livres vistos na figura 6, para monitormos o
aumento da corrente de Dreno no JFET conforme aumentamos a tenso da fonte varivel.
Quando a corrente apresentar uma variao muito pequena se comparado com a variao de
tenso do JFET, encontramos a
.

- Para esta atividade utilize
= 4 e
= 12.
- Medir os valores de
.
- Determinar o ponto quiescente atravs do mtodo matemtico.
1 +

- Traar a curva caracterstica do JFET.
- Traar reta de autopolarizao do circuito.
- Determinar numericamente o ponto quiescente pela intercesso entre os grficos
anteriores.

Figura 6- Circuito para determinar
.

ampermetro
0
G
MPF102
V2
S
D
0

Figura 5- Circuito para determinar
.

G
S
V1
0
ohmmetro
MPF102
0 0
D
61

- Comparar o ponto quiescente encontrado pelo mtodo matemtico com o encontrado
pelo mtodo numrico.

- Transistor JFET MPF102
- Resistores: 1k, 1M, 3.3k

Figura 7- Configurao JFET em autopolarizao.

0 0
S Rg
1000k
Rs
1k
Rd
3.3k
MPF102
D
0
G
Fonte
15
62

Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Resultado dos clculos.
Mtodo
matemtico
Mtodo
grfico
Valores
medidos

Porque ocorreram diferenas entre os resultados dos dois mtodos utilizados para
encontrar o ponto quiescente do circuito?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
Qual a principal vantagem da utilizao do transistor JFET em relao ao TJB? Cite duas
aplicaes em que o JFET substitui o TJB.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
I
D
Vgs
63

12. Polarizao de FET por
divisor de tenso
1. Objetivos
- O objetivo desta aula montar o circuito de polarizao DC por diviso de tenso com
um transistor de efeito de campo.
- Entender a influncia no projeto de cada elemento do circuito.
2. Base terica
a. Polarizao por divisor de tenso
O circuito polarizado com a utilizao de um divisor de
tenso similar ao BJT, com a vantagem de que a anlise ser
exata, pois a corrente de gate nula.
Para projeto define-se a tenso na fonte (V
s
) de acordo
com os valores de R
F
e corrente quiescente esperados, ento a
tenso de gate definida pelo divisor de tenso de forma
independente.
Graficamente tem-se a curva de transferncia do FET e
com ela cruza a reta que descreve V
GS
em funo da corrente
de polarizao quiescente I
D
:

O ponto comum s duas linhas ser o ponto de polarizao (Q), como no grfico 1, a
seguir.

Grfico 1 Interpretao grfica da polarizao por divisor de tenso.

Figura 1 Polarizao por divisor de
tenso
64

3. Projeto de circuito com divisor de tenso
No circuito de polarizao por divisor de tenso utilizando um transistor JFET (MPF102)
vai-se admitir os valores de V
P
e I
DSS
como sendo 4 V e 12 mA, respectivamente.
1. Inicialmente define-se o ganho de corrente em relao tenso de entrada, ou
transcondutncia, esperado na polarizao deste FET, para isso olha-se para a
inclinao da curva de transferncia (grfico 1, curva mais esquerda). Pode-se
obter valores relativamente baixos, prximos de V
P,
at valores bastante altos,
prximos a I
DSS
(V
GS
zero). Estes valores ficam definidos pela inclinao da reta
I
DSS
x V
GS
, pela derivada da equao de Shockley. Esta relao ser melhor vista
na anlise AC.
=
2.

2. Definido o ponto de operao (V
GSq
) se obtm na curva de transferncia a
corrente equivalente (I
Dq
) e com ela, j definido um valor para R
F
, determina-se
V
F
por V
F
=
.
.

3. Tendo V
D
e sabendo-se V
GS
necessrio para a operao no ponto escolhido
determina-se a tenso no divisor por

4. Escolhe-se um valor para R1 ou R2 e aps isso determina-se o outro valor a
partir da anlise do divisor de tenso formado com essas resistncias.
O circuito j projetado tem Rf=3.3 k, Rd=1 k R1 = R2 = 100 k.
a. Calcular o que se espera do circuito montado sugesto: j ir montando o
circuito enquanto o grupo calcula
- Desenhar a curva de transferncia (I
D
x V
GS
) esperada para os valores
de V
P
e I
DSS
admitidos na folha em anexo.
- Calcular tenso no divisor (V
DIVISOR
).
- Desenhar no mesmo grfico a reta esperada de
, ou rearranjando-se

- Observar o ponto de encontro das retas (ponto de polarizao) e anotar os valores de
V
GS
e I
D
.
- Desenhar no mesmo grfico outras retas esperadas caso RF seja aumentada em 1k e
2k mantendo-se a tenso no divisor.
b. Montar o circuito
- Fazer medidas de V
GS
,V
F
, V
D
e I
D
.
- Preencher a tabela com os valores medidos.

65

Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Resultados experimentais
- Esboce o grfico apresentando as curvas pedidas no Item 3.1:
Id
Vgs

Preencha a tabela com os valores solicitados:
Parmetros Valores medidos
V
GS

V
f

V
D

I
D

- Apresentar o clculo da tenso no divisor de tenso:

Qual o erro observado entre os valores tericos (calculados) e prticos (medidos)? Esse erro
tolervel?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
Qual a influncia de Rf no ponto de polarizao? Os valores de Rf e I
D
so diretamente
proporcionais? Justifique a resposta.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
A polarizao por divisor de tenso do FET apresenta alguma vantagem em relao do BJT?
Justifique a resposta.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
66

13. Anlise do FET para
Pequenos Sinais
1. Objetivos
- Realizar a anlise CA de um circuito JFET com polarizao fonte comum.
- Medir e calcular a tenso de sada, o ganho de tenso CA e a impedncia de sada do
circuito.
2. Base terica
a. Amplificadores FET
Os amplificadores com transistores de efeito de campo proporcionam um timo ganho
de tenso, alm de fornecer alta impedncia de entrada. Possuem baixo consumo de potncia
e so aplicveis a uma ampla faixa de freqncias.
b. Amplificador fonte comum
Devido a curva de transcondutncia do JFET ser parablica, a operao do amplificador
fonte comum produz uma distoro quadrtica, por isso um amplificador fonte comum
usualmente preferido para operar em pequeno sinal. Devido ao fato de g
m
ser relativamente
baixo, o amplificador fonte comum tpico tem um ganho de tenso relativamente baixo.
c. Modelo do FET para pequeno sinal
Princpio: A tenso porta-fonte controla a corrente dreno-fonte (canal) de um FET. A
tenso porta-fonte controla o valor CC da corrente de dreno pela relao de Shockley:
2
1
|
|
.
|
\
|
=
P
GS
DSS D
V
V
I I
A variao na corrente de dreno resulta em uma variao da tenso porta-fonte.
Determina-se essa variao atravs do fator transcondutncia g
m
:
D
GS
m
I
V
g
A
A
=
Determinao matemtica de g
m
similar a soluo da resistncia CA de um diodo
encontra-se pela derivada de uma funo em um ponto que igual inclinao de uma
reta tangente desenhada nesse ponto a derivada de I
D
com relao a V
GS
na equao de
Shockley:
67

Impedncia de entrada: Z
i
= . Valor comum: 10
9
para JFETs.
Impedncia de sada: No datasheet obtida por y
OS
.

Z
o
=r
d
=1/y
OS
. Uma aproximao
bastante comum considerar a impedncia de sada infinita (circuito aberto).
te cons V
D
DS
d
GS
I
V
r
tan =
A
A
=

Equivalente CA do FET:

Fig. 1 - Equivalente CA do FET.
d. Circuito JFET com polarizao fonte comum
A anlise similar anlise CA realizada em amplificadores com TJB. Definem-se
parmetros como Zi, Zo e Av.

Fig. 2 - Circuito para polarizao CC fonte comum.
Na anlise CA:
- Os capacitores de acoplamento atuam como curtos-circuitos;
- g
m
e r
d
so determinados a partir da polarizao CC, datasheet ou da curva
caracterstica;
68

- Atravs da teoria da sobreposio V
DD
= 0 V.
Desse modo:

Fig. 3 - Circuito equivalente CA da polarizao fonte comum.
Z
I
: R
G

Z
O
: Para obter Z
O
deve-se fazer V
i
= 0 V, desse modo g
m
.V
GS
= 0 mA, a fonte de corrente
passa a ser um circuito aberto e a impedncia de sada Z
O
= R
D
//r
d
. Se r
d
for alta (pelo menos
10:1 em relao a R
D
) pode-se considerar Z
O
~R
D
.
A
V
: Resolvendo para V
O
:
V
O
= - g
m
V
gs
(R
D
//r
d
)
V
gs
= V
i
e V
O
= - g
m
V
i
(R
D
//r
d
)

O sinal negativo de A
v
evidencia um desvio de 180 na fase entre a tenso de entrada e
sada.


1. Seja o circuito da figura 4. Considerando g
m
igual a 2000 uS, calcule o ganho de tenso
de sada (A
V
) e impedncia de sada (Z
O
). Anote a resposta na tabela 1.
) //r (R g -
V
d D m
= =
i
O
V
V
A
69

Fig. 4 Circuito experimental.

2. Monte o circuito com R
L
igual a infinito. (Sem R
L
)
3. Ajuste o gerador de funes para 1 kHz e 0,1 V
PP
na entrada.
4. Observe o sinal de sada. Ele deve ser uma senide amplificada. Mea e anote a tenso
de sada pico a pico. Depois calcule o ganho de tenso (Av). Anote a resposta na tabela
1.
5. Insira um potencimetro como carga varivel. Ajuste esta carga at que a tenso na
sada seja metade da tenso sem carga.
6. Desconecte o potencimetro do circuito e mea sua resistncia. Anote este valor como
Z
O
na tabela 1. Assim, voc acaba de encontrar a impedncia Thevenin (Z
o
) pelo mtodo
do casamento de impedncias.
7. Substitua o MPF102 por um MOSFET do tipo depleo e preencha a ltima linha da
tabela 1.
8. Repita os passos de 1 a 6 com o novo componente.

70

Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
a. Resultados experimentais

Tabela 1
FET Calculado Medido
V
sada
Av Z
o
V
sada
Av Z
o
MPF102
MOSFET-D

Espao para demonstrao dos clculos:

OBS: MPF102

71

14. MOSFET de intensificao
1. Objetivos
- Entender o MOSFET de intensificao.
- Fazer a polarizao CC do MOSFET.
- Fazer modelagem AC e utilizar o circuito como amplificador inversor.
2. Base terica
a. MOSFET de intensificao tipo N

O MOSFET tipo intensificao o mais utilizado em circuitos integrados analgicos e
digitais. Na Figura 1 est o MOSFET de intensificao tipo N (NMOS).

Figura 16 - (Boylestad, Nashelsky)

O MOSFET de intensificao possui um canal que ativado quando a tenso VGS
maior do que uma tenso de gatilho (trigger): VGS(Th).
Essa tenso VGS(Th) normalmente est entre 0,3V e 5V, de acordo coma aplicao.
Na figura 2 esto as curvas do NMOS para diversos valores de VGS.
72

Figura 17 Curva do MOSFET de intensificao para vrios valores V
GS
(Wikipdia)

Na regio de saturao (saturation region), a corrente no dreno (I
D
) comporta-se como
uma parbola para valores de V
GS
>V
GS(Th)
. Na figura 3 est o grfico de I
D
na regio de saturao
(Figura 2) do transistor. A equao dada por (1). O valor de k depende do transistor.

Figura 18 I
D
(V
GS
) para V
DS
fixo

I
D
= k V
GS
Q

2
(1)
b. Polarizao para divisor de tenso

Para fazer a aplicao do transistor para pequenos sinais, necessrio deixar o
transistor em um ponto de polarizao.
73

Como a figura 4, tem-se que
=

2
1
+
2

. Assim,
.
Sabe-se tambm que
).
Para polarizar o transistor, pode-se fazer:
- Escolher V
DS
= 0,5V
DD
(regra de projeto).
- Escolher um valor de I
D(Q)
, de acordo com os limites de corrente do transistor.
- Fazer R
S
= 4.R
D
(regra de projeto) e calcular esses resistores a partir de I
D(Q)
.
- Na equao (1), sabendo-se I
D(Q)
, k e V
GS(Th)
, calcula-se V
GS(Q)
.
- A partir de V
GS(Q)
e V
S
, pode-se calcular os resistores R
1
e R
2
do divisor de tenso.

Figura 19

c. Modelagem AC
Transcondutncia (gm)

Para fazer a modelagem AC, da mesma forma que o JFET, necessrio saber a
transcondutncia do transistor para o ponto de operao quiescente. A equao :
g
m
=
I
D
V
GS
= 2k V
GS
Q

()
(2)

Modelo AC

O modelo do transistor NMOS na regio de saturao, dado pela figura 5.
74

Figura 20 Modelo AC do transistor NMOS
Na figura 5, r
d
a resistncia do dreno, que pode ser observada pela declividade das
curvas na regio de saturao (figura 2).
Para a polarizao por divisor de tenso, adicionam-se os resistores R
1
, R
2
e R
D
no
circuito de pequenos sinais, como na figura 6.

Figura 21

Assim, os principais parmetros do circuito so:

=
1
||
2

||

a. Polarizao do circuito de divisor de tenso

Dado o da figura 7.

75

Figura 22

A tenso de entrada deve ser em torno de 100mV. Para isso, ajuste a amplitude de
tenso no gerador de funes, com o potencimetro, no mnimo valor possvel.
Depois selecione 20dB de atenuao. Isso faz com que a amplitude do sinal seja
dividida por um fator de 10. A atenuao de 40dB atenua por um fator de 100, enquanto que a
atenuao 60dB (ambos botes pressionados) um fator de diviso por 1000.
Em seguida, utilizando o osciloscpio, faa medidas da tenso de entrada e da tenso
de sada. Calcule a relao entre as tenses e verifique se os sinais esto ou no defasados.
Faa uma aproximao de quantos graus a defasagem.

Pinos do MOSFET 2N4351:

Figura 23

76

Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Para cada valor de tenso da fonte, faa medidas do ganho em
tenso para a configurao dada.

Sendo o ganho em tenso G =Vo/Vin
Tabela 7
Vfonte = 5V Vfonte = 10V Vfonte = 15V
Vin
Vo G

Vin

Vo G

V
in
Vo G
100mV 100mV 100mV
200mV 200mV 200mV
300mV 300mV 300mV
400mV 400mV 400mV
500mV 500mV 500mV

Questes:
Observando as caractersticas da regio de saturao e da linear na figura 2, o que se conclui: o
transistor trabalhou na regio linear ou de saturao? Por qu?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________
O que se pode dizer sobre o ganho para uma mesma tenso da fonte?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________
Houve saturao do MOSFET? A partir de quais tenses de entrada Vin?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________
Os sinais de entrada e sada esto ou no em fase? Faa uma aproximao para cada valor de
tenso da fonte.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________
77

15. Influncias externas (Rs, Rl e
frequncia) num circuito com JFET
1. Objetivos
- Perceber como afetam o ganho de um amplificador a JFET uma resistncia de sinal
(
), uma carga (
) e a banda de corte devido ao efeito dos capacitores tanto em baixa

como em alta freqncia.
- Montar um circuito com JFET em autopolarizao e analisar isoladamente as trs
influncias externas descritas acima.
2. Base terica
a. Circuito com JFET em autopolarizao
Conforme mostrado em aulas prticas anteriores, a
configurao com autopolarizao elimina a necessidade
de duas fontes dc. A tenso controladora gate-source
agora determinada pela tenso atravs do resistor
,
colocado entre a fonte e o terra do circuito, como
mostrado na figura 1.
Ser utilizado este circuito, pela sua simplicidade
de compreenso, para mostrar a influncia de fatores
externos
e a frequncia em que o sinal ser

atenuado. Para a anlise AC do circuito da figura 1,
apenas ser adicionado um capacitor entre o source e terra para desviar
.
b. Influncia da impedncia da fonte (
) e da carga de sada (
)
O isolamento que existe entre o gate e o dreno ou source de um amplificador a JFET
assegura que variaes em
no afetam o nvel de
e variaes em
no afetam
.
Isso garante as equaes abaixo, conforme o a configurao em autopolarizao da figura 2
com
desviado.

A resistncia de sinal (
) influncia no ganho do circuito atuando como divisor de

tenso, reduzindo o sinal que chegar em
. Logo
ser dado por:

Figura 1 - Configurao para JFET com
autopolarizao.
78

A resistncia de carga tambm
reduzir o ganho de tenso do circuito,
pois este depende diretamente da
impedncia de sada, que incluindo a
carga
ir sofrer uma grande

reduo. O novo ganho de tenso
considerando a carga ser:
||
=
I
D
I
GS

Conforme o circuito de polarizao da aula prtica 11, para o transistor JFET MPF102,
temos I
DSS
= 12mA , V
P
= 4V e V
GS
2.3, logo:
=
2I
DSS
V
P
. 1
V
GS
V
P
=
2 0.012
4
. 1
2.3
4
= 2,55
O ganho de corrente dado por:

A influncia de
em outras configuraes utilizando JFET pode ser vista no

quadro 10.1 (Resumo de Configuraes a transistor) do livro Dispositivos Eletrnicos e Teoria
de Circuitos, de Boylestad e Nashelsky.
c. Influncia da frequncia
Determinar a faixa de frequncia em que um circuito consegue manter um ganho
estvel muito importante, pois quando se trata de altas ou baixas frequncias, o sinal de
entrada pode ser atenuado de forma significativa, ou seja, possui um ganho
consideravelmente menor que numa freqncia de operao normal.
Na figura a segui temos um grfico de uma banda de passagem, ou seja, faixa de
freqncia em que o ganho do circuito praticamente constante. A frequncia de corte (
1
e
2
) ocorre quando o sinal de sada sofre um reduo de 3 decibis(db), que so equivalentes
30%.

Figura 2 - Amplificador a JFET com
desviado e com
.

79

d. Determinao da regio de corte em baixa frequncia (
).
Para de terminao desta frequencia devemos levar em considerao os trs
capacitores utilizados no circuito (
). Ento calculamos a frequncia de corte para

cada um deles. A frequncia de corte mais alta considerada como a regio de corte (
1
) da
figura 3. Para o clculo destas frequncias seguem as equaes a seguir:
=
1
2. .
||
1
=
1
2. .
=
1
2. .

e. Determinao da regio de corte em alta frequncia (
).
Para altas frequncias ocorre que capacitncias intereletrodos e de fiao iro
determinar as caractersticas dos amplificadores. Os capacitores
variam,
tipicamente, de 1 at 10pF, enquanto que a capacitncia
normalmente um pouco menor,

variando de 0.1 at 1pF.
No circuito da figura 4 vemos as capacitncias considerveis para altas frequncias,
junto com o circuito simplificado. Para determinar a frequncia de corte
2
, precisamos
determinar a frequncia de corte para
, sendo que a freqncia mais baixa ser

considerada a de corte. As capacitncias desse circuito so informadas pelo fabricante. A
seguir temos os clculos para essas frequncias.

Figura 3 - Exemplo de resposta de freqncia.
80

=
1
2. .
1
.
1
=
||
= 1
=
1
2. .
2
.
2
=
||
0
= 1
1

Calcule o ganho do circuito da figura 5 para os quatro casos a seguir, considerando
= 2,55 e
:
a) Sem carga (
) nem resistncia de sinal (
);

b) Apenas com

c) Apenas
||

d) Com
||

- Monte o circuito da figura 5 e mea o ganho dos quatro casos anteriores para um
sinal de entrada de 0.5 mV de amplitude.
- Compare o valor do ganho calculado com o encontrado na prtica.
- Com
, tire o capacitor
e mea o ganho.

Figura 4 - Elementos capacitivos que afetam a resposta em altas
frequncias de um amplificador JFET.

81

- Com
mea a amplitude do sinal de sada do circuito para 5kHz. Ento

aumente e diminua a freqncia at encontrar as freqncias de corte do circuito (
1
e
2
),
sendo estas caracterizadas por uma diminuio de 30% da amplitude do sinal de sada.

- Com
e mudando
para 4,7k, mea novamente a amplitude do sinal de

sada do circuito para 5kHz. Ento aumente e diminua a freqncia at encontrar as
freqncias de corte do circuito (
1
e
2
).
- Capacitores eletrolticos: 3 x 1F
- Resistores: 47k, 1M, 1k, 2 X 3.3k

Figura 5 - Circuito para ser montado nesta aula prtica, incluindo
.

Rd
3.3k
Vs
FREQ = 5k
VAMPL = .5 CS
1u
D Ci
1u
0 0
Rsig
47k
G MPF102
S Rg
1000k
0
Co
1u
RL
3.3k
Rs
1k
0 0
Fonte
15
0
82

Folha de aula
Nome(s):______________________________________________________________________
_____________________________________________________________ Data: ___/___/___
1. Resultados.
Na tabela a seguir insira os resultados dos clculos e das medies realizada para os
quatro casos mensionados anteriormente.
para: Valores calculados Valores medidos

Sem

Apenas

Apenas

Com
sem o capacitor
:______.
Na tabela a seguir insira as frequncias de corte encontradas na prtica.

= 47k
= 4,7k
1
(corte em baixa freq.)
2
(corte em alta freq.)

1. O que ocorre com o ganho de tenso quando adicionamos uma resistncia de sinal ao
circuito? Justifique.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

2. O que ocorre com o ganho de tenso quando adicionamos uma carga ao circuito?
Justifique.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
3. Explique o que banda passante de frequncia:
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

PAD Eletrônica - Apostila 2010-I Eng. Eletrica

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Apostila didtica

Aulas prticas aplicadas a

= 1,5, das equaes anteriores obtemos

e no caso da polarizao estvel do emissor

permanecero constantes, visto que estes parmetros definem o

muito menor que

) e tenso de fonte desejada (

seja desprezvel em relao

= 1 +0,7 = 1,7, logo

), e entre coletor e emissor (

+0,7 = _______, logo

= _________ ,do primeiro estgio.

= _________, do segundo estgio.

do JFET MPF102, para alguns valores de V

positiva, ento h corrente passando entre Drain e Source,

> 0, pois ocorreria passagem de corrente

) torna-se muito alta e o JFET

considerada praticamente zero, resultando na figura 2.

pode ser determinada pela malha representada na figura 2.

para o JFET em autopolarizao com a equao

). Com essa corrente

com a equao a seguir:

. Como determinar estes dois parmetros

) e um ponto intermedirio dado por

) calculado e o encontrado atravs do grfico devem ser

, primeiro ligamos uma fonte de tenso varivel no Gate do JFET e

, primeiro ligamos o Gate do JFET direto no terra do circuito, assim

). Aps ligamos uma fonte de tenso varivel direto no

) e a banda de corte devido ao efeito dos capacitores tanto em baixa

e a frequncia em que o sinal ser

) influncia no ganho do circuito atuando como divisor de

ser dado por:

ir sofrer uma grande

em outras configuraes utilizando JFET pode ser vista no

). Ento calculamos a frequncia de corte para

normalmente um pouco menor,

, sendo que a freqncia mais baixa ser

) nem resistncia de sinal (

mea a amplitude do sinal de sada do circuito para 5kHz. Ento

para 4,7k, mea novamente a amplitude do sinal de

para: Valores calculados Valores medidos

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