18/10/2004 1

Module PH112 (6 ECTS)

lectronique Analogique et lectronique Numrique
Responsable : Mr DJEBBOUR
18/10/2004 2
lectronique Analogique
Jonction PN (rappels)
Transistor bipolaire (grand signal)
Polarisation du transistor
Transistor bipolaire (petit signal)
Amplificateurs transistor bipolaire (structure simple)
Amplificateurs transistor bipolaire (structure
diffrentielle)
Oscillateurs
18/10/2004 3
Jonction PN (Rappels)
Semi-conducteurs
lments IV du tableau de Mendeleev
+14
+14
Atome de Silicium
Cur (+4)
4 lectrons dans la
couche extrieure
(couche de valence)
18/10/2004 4
Jonction PN (Rappels)
lments IV du tableau de Mendeleev
+32 +32
Atome de Germanium
Cur (+4)
4 lectrons dans la
couche extrieure
(couche de valence)
Semi-conducteurs
18/10/2004 5
Jonction PN (Rappels)
Semi-conducteurs intrinsques T = 0 K
Cur
Si
Cur
Si
Cur
Si
Cur
Si
Cur
Si
Si
Si
Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Matriau Silicium intrinsque la
temprature 0 Kelvin : Absence de
conduction lectrique car tous les
lectrons de valence sont engags
dans des liaisons covalentes. Le
matriau silicium est isolant pour
cette temprature thorique . [Si]
de lordre de 10
22
cm
-3
.
lectron de valence,
engag dans une
liaison
T = 0 kelvin
18/10/2004 6
Jonction PN (Rappels)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
T > 0 kelvin
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Cration de paires lectron-trou
par apport thermique
E
r
Application dun champ lectrique
externe : dplacement des lectrons
libres dans le sens oppos au
champ ; dplacement des lacunes
trous dans le sens du champ. On
assiste une conduction lectrique
lie deux types de porteurs de
charge libres : les lectrons et les
trous.
Semi-conducteurs intrinsques T > 0 K
18/10/2004 7
Jonction PN (Rappels)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
D
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Semi-conducteurs extrinsques (Notion de dopage)
D
D est un atome
pentavalent :
As, P, Bi, Sb
Dans ce type de
matriaux, les lectrons
sont majoritaires et la
conduction lectrique est
essentiellement due aux
lectrons. [D] de lordre
de 10
16
10
19
cm
-3
.
Semi-conducteur dop N
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
A
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
A
Dans ce type de
matriaux, les trous sont
majoritaires et la
conduction lectrique est
essentiellement due aux
trous. [A] de lordre de
10
16
10
19
cm
-3
.
Semi-conducteur dop P
A est un atome
trivalent : Al, B,
Ga
18/10/2004 8
Jonction PN (Rappels)
Fonctionnement dune jonction PN
+
-
+
-
Ions positifs : N
d
Ions ngatifs : N
a
Trous : p
lectrons : n
Charges
fixes
Charges
mobiles
Semi-conducteur P Semi-conducteur N
- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
+
+
+
+
+
+
+
+
- - - -
- - - -
+ + + + - - - -
+
+
+
-
-
-
Mise en contact de deux rgions de dopage diffrents
18/10/2004 9
Jonction PN (Rappels)
Jonction PN lquilibre
Zone P Zone N
- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
+
+
+
+ +
-
- -
- - -
+ + + - - -
+
Courant de
diffusion
Courant de
conduction
Zone de dpltion
: Densit de charge
qN
a
-qN
d
18/10/2004 10
Jonction PN (Rappels)
- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
+
+
+
+ +
-
- -
- - -
+ + + - - -
+
Champ et potentiel lquilibre
Potentiel
Champ lectrique
Barrire de potentiel

0
-q
0
W
dp
0
1 1 2

|
|
.
|

\
|
+ =
D A
s
dp
N N q
W
quation
de
Poisson
18/10/2004 11
Jonction PN (Rappels)
Champ et potentiel hors quilibre (Polarisation inverse)
Potentiel
Champ lectrique

0
- V
( ) V
N N q
W
D A
s
dp

|
|
.
|

\
|
+ =
0
1 1 2

- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
+
+
+
+
- -
- -
+ + - -
W
dp
V
18/10/2004 12
Jonction PN (Rappels)
Champ et potentiel hors quilibre (Polarisation directe)
Potentiel
Champ lectrique
W
dp
- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
- + - - - - + + + +
+
+
+
+ +
- - -
- - -
+ + + - - -
+
+
+
+ -
-
-
V

0
- V
( ) V
N N q
W
D A
s
dp

|
|
.
|

\
|
+ =
0
1 1 2

18/10/2004 13
Jonction PN (Rappels)
I
V
Polarisation directe Polarisation inverse Claquage
(

|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
S
U
V
I I
I
S
: Courant de saturation inverse
-V
Z
q
T k
U
B
T
=
: Tension thermodynamique
avec k
B
, la constante de Boltzmann
T, la temprature absolue (K)
q, la charge lmentaire
Caractristique I(V)
V
A K
I
V
Z
I
V
seuil
Sous polarisation directe, la jonction PN ne commence effectivement conduire
qu partir dune tension seuil (V
seuil
). Cette tension est de lordre de 0,6 0,7 volt
pour une jonction PN silicium.
18/10/2004 14
Phnomnes capacitifs
Jonction PN (Rappels)
Capacit de transition
La jonction PN agit comme un condensateur, avec des charges positives,
ct P et ngatives ct N, de part et dautre de la zone de dpltion.
0
0
1

V
C
C
i
i
+
= : cas dune jonction abrupte
m
i
i
V
C
C
|
|
.
|

\
|
+
=
0
0
1

: cas dune jonction graduelle. 1/3<m<1/2.

Sous polarisation directe, les porteurs injects contribuent un autre
phnomne capacitif, appel capacit de diffusion :
T
T d
U
I
C =
Capacit de diffusion
o
T
est une sorte de temps de transit moyen des
porteurs de charge.
I
I I
n n p p
T

+
=
0
0
1 1 1 2

|
|
.
|

\
|
+ =
d a
s
j
N N q
C
18/10/2004 15
Transistor bipolaire
Comportement grand signal
Fonctionnement en mode normal direct et inverse
Il existe deux types de transistors bipolaires : le NPN et le PNP. Pour traiter
du principe de fonctionnement et de lutilisation, il suffit de ne considrer que
le NPN. Les quations rgissant le PNP se dduisent de celles du NPN en
remplaant V
be
par V
eb
.
V
cb
-
-
+
+
+ + + +
+ + + +
- - -
- - -
-
-
+ +
+ +
- -
- -
+
+
-
-
V
be
metteur n Collecteur n Base p
lectrons injects lectrons collects
I
C
I
E
I
B
lectrons recombins
dans la base
Mode normal direct :
V
be
> V
be seuil
V
bc
< 0
18/10/2004 16
Transistor bipolaire
Rgime normal de fonctionnement du transistor (i.e. mode normal direct) :
Le courant I
C
dans le collecteur est un courant de porteurs minoritaires
dans la base, provenant de lmetteur.
Une grande partie des minoritaires diffusent dans la base et la zone
dplte de la jonction base-collecteur, grce au champ lectrique
intense de cette rgion.
|
|
.
|

\
|
=
T
be
S C
U
V
I I exp
Courant du collecteur
I
C
I
E
I
B
V
bc
V
be
NPN
B
E
C
I
C
I
E
I
B
V
bc
V
be
PNP
B
E
C
18/10/2004 17
Transistor bipolaire
Toujours en rgime normal de fonctionnement du transistor :
Une partie des lectrons injects par lmetteur dans la base, est
recombine avec une partie des trous de la base.
Le circuit extrieur doit fournir assez de trous la base pour compenser
ce dficit.
Le courant de base est trs faible, compar celui du collecteur.
Courant de base (notion de gain en courant)
|
|
.
|

\
|
= =
T
be
F
S
F
C
B
U
V I I
I exp

F
, correspond au gain en courant. Cest un paramtre grand signal. Lindice F
(Forward) indique que lon est bien en mode normal direct (V
be
> 0 et V
bc
< 0).

F
est de lordre de 100 500 pour les transistors BF, et de 80 100 pour les
transistors RF.
18/10/2004 18
Transistor bipolaire
20
40
60
80
100
120
140
160
0,001 0,01 0,1 1 10 100
B
e
t
a
I
C
(mA)
-55 C
25 C
75 C
volution du bta avec le courant collecteur et la temprature pour
un transistor RF.
18/10/2004 19
Transistor bipolaire
Courant de lmetteur
Le courant de lmetteur I
E
sobtient en additionnant les deux courants de base
et du collecteur :
F
C
C
F
B C E
I
I I I I

=
|
|
.
|

\
|
+ = + =
1
1
Le coefficient de transfert
F
est proche de 1 par dfaut, pour un
F
trs grand
devant 1.
Modle grand signal en zone normale active
Zone active, signifie que la jonction polarise en direct est passante (V > V
seuil
).
|
|
.
|

\
|
T
be
F
S
U
V I
exp

|
|
.
|

\
|
T
be
S
U
V
I exp
B
E
C
18/10/2004 20
Transistor bipolaire
Mode normal inverse
En mode normal inverse, la jonction base-metteur est polarise en inverse et la
jonction base-collecteur est polarise en direct. Le transistor bipolaire nest pas
optimis pour fonctionner dans ce mode. Le taux de dopage tant en effet plus
fort ct metteur que ct base, pour favoriser linjection des porteurs de charge
dans un seul sens, le sens direct, de lmetteur vers le collecteur.
Le mode inverse a son propre gain en courant
R
( 0,02 <
R
< 1 ) et son
propre coefficient de transfert
R
( 0,02 <
R
< 0,5). Lindice R indique le mode
inverse (Reverse).
B
E
R
I
I
=
C
E
R
I
I
=
18/10/2004 21
V
cb
> V
cb seuil
, V
eb
< 0 V
eb
> V
eb seuil
, V
cb
< 0
PNP
V
bc
> V
bc seuil
, V
be
< 0 V
be
> V
be seuil
, V
bc
< 0
NPN
Mode normal inverse actif Mode normal direct actif
|
|
.
|

\
|
T
be
F
S
U
V I
exp

|
|
.
|

\
|
T
be
S
U
V
I exp
B
E
C
B
E
C
|
|
.
|

\
|
T
eb
F
S
U
V I
exp

|
|
.
|

\
|
T
eb
S
U
V
I exp
|
|
.
|

\
|
T
bc
R
S
U
V I
exp

|
|
.
|

\
|
T
bc
S
U
V
I exp
B E
C
|
|
.
|

\
|
T
cb
R
S
U
V I
exp

|
|
.
|

\
|
T
cb
S
U
V
I exp
B E
C
Transistor bipolaire
Rsum des diffrents modes normaux en rgime grand signal
18/10/2004 22
Modle de Gummel-Poon
Transistor bipolaire
|
|
|
.
|

\
|
= 1
T
bc
U
V
R
S
DC
e
I
I

B
C
E
|
|
|
.
|

\
|
= 1
T
be
U
V
F
S
DE
e
I
I

DC R DE F
I I
Ce modle plus gnral,regroupe les modles grand signal, direct et inverse.
En mode direct ( V
be
> 0 et V
bc
< 0), le courant I
DE
est ngligeable devant I
DC
,
ce qui permet de retrouver le modle de ce mode. Par contre, lorsque V
be
< 0
et V
bc
> 0, I
DC
devient ngligeable son tour devant I
DE
, ce qui permet
retrouver le modle du mode inverse.
18/10/2004 23
Transistor bipolaire
Rseau de caractristiques
I
C
I
B
V
ce
(V
ec
)
V
be
(V
eb
)
A
V
A
V
R
B
R
C
E
C
E
B
I
B
= Cte
I
B
= Cte
V
ce
= Cte
V
ce
= Cte
Sens des I
B
croissants
18/10/2004 24
Transistor bipolaire
Droites dattaque et de charge
R
B
R
C
E
C
E
B
I
B
I
C
V
be
V
ce
Ces droites sont donnes par la loi des mailles applique aux mailles
dentre (droite dattaque reliant I
B
V
be
) et de sortie (droite de charge
reliant I
C
V
ce
) dun montage de polarisation de transistor.
B
be B
B
R
V E
I

=
Exemple
B B be B
I R V E + =
: Droite dattaque.
C
ce C
C
R
V E
I

=
C C ce C
I R V E + =
: Droite de charge.
18/10/2004 25
Point de polarisation
Transistor bipolaire
Le point de polarisation est un point particulier du rseau de caractristiques
du transistor. Une fois la source de polarisation est choisie, avec le jeu de
rsistances de protection du transistor, celui-ci est travers par des courants
fixes I
C0
et I
B0
, avec entre ses bornes des tensions imposes V
ce0
et V
be0
.
Cest lensemble des points (I
B0
, V
be0
) et (I
C0
, V
ce0
) qui constitue le point de
polarisation du transistor. Il peut sobtenir par plusieurs mthodes :
La mthode graphique utilisant le rseau de caractristiques et les
droites dattaque et de charge.
La mthode analytique approche.
18/10/2004 26
Transistor bipolaire
Point de polarisation (mthode graphique)
R
B
R
C
E
C
E
B
I
B
I
C
V
be
V
ce
B
be B
B
R
V E
I

=
: Droite dattaque.
C
ce C
C
R
V E
I

= : Droite de charge.
I
C
I
B
V
ce
V
be
I
C0
I
B0
I
B0
V
ce0
V
be0
B
B
R
E
C
C
R
E
E
C
E
B
18/10/2004 27
Transistor bipolaire
Point de polarisation (mthode analytique approche)
En remarquant quen zone normale active, la tension V
be
est voisine de la tension
seuil V
be seuil
, on peut procder comme suit :
on pose V
be0
= V
be seuil
;
on calcule I
B0
partir de la droite dattaque ;
connaissant le
F
(quon pose dornavant ), on calcule I
C0
partir de la
relation transistor ;
on dtermine finalement V
ce0
, partir de la droite dattaque.
Exemple
R
B
R
C
E
C
E
B
I
B
I
C
V
be
V
ce
seuil be be
V V =
0
B
seuil be B
B
R
V E
I

=
0
( )
B
seuil be B
B C
R
V E
I I

= =

0 0
( )
B
seuil be B C
C C C C ce
R
V E R
E I R E V

= =

0 0
18/10/2004 28
Transistor bipolaire
Relations rigoureuses entre courants
I
C
= I
B
est une relation approche. En effet, lorsque la base est en lair, le courant
de base est rigoureusement nul, ce qui nest pas le cas de I
C
:
I
B
= 0
I
C
= I
CE0
La relation rigoureuse est donc : I
C
= I
B
+ I
CE0
Il en est de mme pour I
C
= I
E
. En effet, lorsque lmetteur est en lair, le courant
dmetteur est rigoureusement nul, ce qui nest pas le cas de I
C
:
I
E
= 0
I
C
= I
CB0
La relation rigoureuse est donc : I
C
= I
E
+ I
CB0
18/10/2004 29
Transistor bipolaire
Relations rigoureuses entre courants
I
CB0
est le courant de saturation inverse de la jonction base-collecteur polarise en
inverse. Il dpend fortement de la temprature et peut ainsi perturber la
polarisation optimale dun montage transistor. Il existe une relation entre I
CB0
est
I
CE0
:
( )
0 0 CB B C CB E C
I I I I I I + + = + =
( )
0
1
CB B C
I I I + =
( ) ( )

=
1 1
0 CB
B C
I
I I
( )
0
1
CB B C
I I I + + =
On trouve alors :
I
CE0
= ( + 1)I
CB0
.
Ces relations rigoureuses ne sont utilises que dans ltude du comportement
thermique des montages transistor. On peut sen passer dans un premier
temps, lorsquil sagit de polariser par exemple de tels montages.
18/10/2004 30
Transistor bipolaire
Rgime de commutation
Ce rgime est exploit en lectronique numrique (technologie TTL). Lopration
consiste en la commutation du transistor entre deux tats : le blocage et la
saturation.
tat de blocage
Lorsque lon fait tendre E
B
vers 0,
I
B
tend vers 0. I
C
tend son tour
vers 0 (I
C
= I
B
). Comme I
E
= I
C
+
I
B
, I
E
tend aussi vers 0. Le
courant dans la maille de sortie
est pratiquement nul (I
E
= I
C
= I
CE0
= (+1)I
CB0
. On considre en
premire approximation que le
transistor reprsente un circuit
ouvert entre lmetteur et le
collecteur. La tension entre ces
deux bornes dpend du montage.
Elle vaut E
C
ici.
Maille dentre
Maille de sortie
R
B
R
C
E
C
E
B
I
B
I
C
V
be
V
ce
I
E
I
C
I
B
V
ce
V
be
B
B
R
E
C
C
R
E
E
C
E
B
Zone de blocage :
I
C
= ( + 1)I
CB0
V
CE
= E
C
R
C
( + 1)I
CB0
18/10/2004 31
tat de saturation
Lorsque lon fait crotre E
B
, I
B
croit
son tour, suivi par I
C
(I
C
= I
B
)
jusqu une certaine limite I
C max
:
Maille dentre
Maille de sortie
R
B
R
C
E
C
E
B
I
B
I
C
V
be
V
ce
I
E
Transistor bipolaire
Rgime de commutation
I
C
I
B
V
ce
V
be
B
B
R
E
C
C
R
E
E
C
E
B
Zone de saturation :
C
sat ce C
sat C C
R
V E
I I

= =
sat ce ce
V V =
C
C
C
R
E
I =
max
Pour cette valeur de I
C
, V
ce
devient nul daprs la loi des
mailles. En ralit, V
ce
atteint une
valeur de saturation V
ce sat
.
La relation transistor nest plus
valable et le courant collecteur
doit vrifier dans cet tat de
saturation la relation :
I
C max
< I
B
Dans le cas du transistor silicium
en saturation, on a V
be sat
0,8
volt et V
ce sat
0,2 volt.
18/10/2004 32
Transistor bipolaire
Rgime de commutation
On peut conclure sur le rgime de commutation en considrant le transistor
bipolaire comme une sorte dinterrupteur command par le courant de base. A
ltat de blocage, le transistor est un circuit ouvert entre la borne dmetteur et
celle du collecteur et ltat de saturation, le transistor est un court-circuit entre
lesdites bornes.
R
B
R
C
E
C
I
B
=0
I
C
=I
CE0
V
ce
R
B
R
C
E
C
E
B
I
B
>I
C max
I
C
=I
C sat
V
be sat
V
ce sat
Blocage
Saturation
Cas rel Cas idal
C
E
I
CE0
C
E
C
E
I
C sat
V
ce sat
C
E
I
C max