Unidad 1 Crecimiento de Cristales

1. Crecimiento de Cristales
1.1 Estructura atmica
El universo, como nosotros lo conocemos, est dividido en dos partes: materia y
energa. La materia es algo que ocupa espacio y tiene peso; piedras, agua, aire,
automviles, ropa, e incluso nuestros propios cuerpos son buenos ejemplos de la materia.
Toda la materia est compuesta de un elemento o combinacin de elementos. Un elemento
es una sustancia que no puede reducirse a una forma ms simple. Los ejemplos de
elementos con los que se est en contacto todos los das son fierro, oro, plata, cobre,
oxgeno, etc. Hay ms de 100 elementos conocidos de los que toda la materia est
compuesta.
Si nos adentramos a una escala ms pequea, veremos al tomo, la partcula ms
pequea en la que un elemento puede reducirse y todava pueden retenerse todas sus
propiedades originales. Los tomos de un elemento, sin embargo, difieren de los tomos de
otros elementos. Como hay ms de 100 elementos conocidos, por lo tanto, hay ms de 100
tomos diferentes, teniendo un tomo diferente para cada elemento.
Cuando investigamos el tomo, encontramos que est bsicamente compuesto de
electrones, protones, y neutrones. Adems, los electrones, protones y neutrones de un
elemento son idnticos ha aquellos de cualquier otro elemento. Existen tipos diferentes de
elementos porque el nmero y el arreglo de electrones y protones son diferentes para cada
elemento. El electrn lleva una carga negativa pequea de electricidad. El protn lleva un
carga positiva de electricidad igual y opuesta a la carga del electrn. En los tomos existe
una partcula neutra llamada neutrn. El neutrn tiene una masa aproximadamente igual a
la de un protn, pero no tiene carga elctrica.
Segn la teora, los electrones, protones y neutrones de los tomos estn colocados
de una manera similar a un sistema solar en miniatura. Vea el tomo de helio en la figura
1.1. Dos protones y dos neutrones forman el ncleo pesado con un carga positiva y
alrededor giran dos electrones muy ligeros. El camino que cada electrn toma alrededor del
ncleo se llama rbita. Los electrones se mueven continuamente en sus rbitas por la
fuerza de atraccin del ncleo. Para mantener una rbita alrededor del ncleo, los
electrones viajan a una velocidad que produce una contrafuerza igual a la fuerza de
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atraccin del ncleo. As, como se exige energa para mover un vehculo espacial de la
tierra, tambin se exige energa para mover un electrn del ncleo. Se dice que el electrn
est en el nivel de energa ms alta como un vehculo espacial cuando viaja a una rbita
ms grande. Los experimentos cientficos han mostrado que el electrn exige una cierta
cantidad de energa para quedarse en una rbita. Esta cantidad se llama nivel de energa del
electrn. En virtud solamente de su movimiento, el electrn contiene energa cintica y
debido a su posicin, contiene tambin energa potencial. La energa total contenida por un
electrn (energa cintica ms energa potencial) es el factor principal que determina el
radio de la rbita del electrn. Para que un electrn permanezca en esta rbita, no debe
perder ni ganar energa.
Figura 1.1 La composicin de un tomo de helio simple.
Los electrones no siguen caminos al azar, al contrario ellos son restringidos a
niveles de energa definidos. Visualice estos niveles como cscaras con cada cscara
sucesiva espacindose una distancia mayor del ncleo. Las cscaras (o como se nombrar
de aqu en adelante capas), y el nmero de electrones requerido para llenarlas, puede ser
predicho usando el principio de exclusin de Pauli. Este principio especifica que cada capa
contendr un mximo de 2n
2
electrones, donde n corresponde al nmero de la capa que
empieza con la primera ms cercana al ncleo. Por este principio, la segunda capa, por
ejemplo, contendra 2(2)
2
8 electrones cuando est llena.
Adems de numerarse, a las capas se les dan tambin las designaciones de letras
empezando con la ms cercana al ncleo y as progresivamente hacia afuera como se
muestra en la figura 1.2. Se considera que las capas estn llenas, o completas, cuando ellas
contienen las cantidades siguientes de electrones: 2 en la primera capa K, 8 en la segunda
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capa L, 18 en la tercera M, y as sucesivamente, de acuerdo con el principio de exclusin de
Pauli. Cada una de estas capas es una capa mayor y puede ser dividida en subniveles de
capas, de las cuales hay cuatro, nombradas s, p, d y f. Como las capas mayores, los
subniveles estn tambin limitados al nmero de electrones que ellos contienen. As, el
subnivel s est completo cuando contiene 2 electrones, el p cuando contiene 6, el d cuando
contiene 10, y el f cuando contiene 14 electrones.
Figura 1.2 Designacin de capas.
Ya que la capa K no puede contener ms de 2 electrones, debe tener slo un subnivel, el
subnivel s. La capa M est compuesta de tres subniveles: s, p, y d. Si los electrones en los
subniveles s, p, y d, son agregados tambin, se encuentra que su total es 18, el nmero
exacto exigido para llenar la capa M. Note la configuracin del Cobre ilustrada en la figura
1.3. El tomo de Cobre contiene 29 electrones que llenan completamente las primeras tres
capas y subniveles, dejando un electrn en el subnivel s de la capa N. Una lista de todos los
otros elementos conocidos, con el nmero de electrones en cada tomo, esta contenida en la
Tabla Peridica de los Elementos.
Figura 1.3 El tomo de cobre.
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El nmero de electrones en la capa externa de un tomo determina su valencia. Por esta
razn, la capa exterior de un tomo se llama Banda de Valencia Capa de Valencia, y los
electrones contenidos en esta capa se llaman electrones de valencia (Figura 1.4). La
valencia de un tomo determina su habilidad para ganar o perder un electrn que a su vez
determina las propiedades qumicas y elctricas del tomo.
Figura 1.4 La capa de valencia es la primera en captar la energa.
Cuando un tomo tiene en su capa de valencia 5 electrones, este trata de completar
su carga a 8 electrones debido a que el nmero mximo en la capa de valencia es 8; la
tendencia de este tomo es la de captar electrones y no la de cederlos. A los materiales que
contienen ms de 5 electrones de valencia se les llama aislantes. Existen tomos con menos
de 4 electrones de valencia y resulta ms fcil para ellos cederlos que captarlos de otros
tomos; a este tipo de materiales se les llama conductores. Por lo tanto a los elementos que
contienen cuatro electrones de valencia se les llama semiconductores, puesto que no son ni
buenos conductores ni buenos aislantes.
La actividad qumica de un tomo est determinada por el nmero de electrones en
su capa de valencia. Cuando la capa de valencia est completa, el tomo es estable y
muestra una pequea tendencia a combinarse con otros tomos para formar slidos. Slo
los tomos que poseen ocho electrones de valencia tienen una capa exterior completa. Estos
tomos son llamados tomos inertes o inactivos. Sin embargo, si en la capa de valencia de
un tomo falta el nmero requerido de electrones para completarla, entonces la actividad
del tomo se incrementa.
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El silicio y el germanio, por ejemplo, son los semiconductores ms frecuentemente
usados. Los dos son bastante similares en su estructura y conducta qumica. Cada uno tiene
cuatro electrones en la capa de valencia. Considere slo al silicio, puesto que tiene menos
que el nmero requerido de ocho electrones que se necesitan en la capa exterior, sus tomos
se unirn con otros tomos hasta que los ocho electrones estn compartidos. Esto da un
total de ocho electrones en cada tomo en su capa de valencia; cuatro propios y cuatro que
pidi prestado de los tomos circundantes. El compartir electrones de valencia entre dos o
ms tomos forman un enlace covalente entre los tomos. Como resultado de este proceso
de compartir, los electrones de valencia se unen. Esto puede ser ilustrado mejor por la vista
bidimensional del silicio en la figura 1.5. Los crculos en la figura representan los ncleos
de los tomos, las lneas cortas indican electrones de valencia. Debido a que cada tomo en
este modelo se une a cuatro tomos, los electrones no son libres de moverse dentro del
cristal. Como resultado de esta unin, el silicio y el germanio puro son conductores pobres
de electricidad.
Figura 1.5 Vista bidimensional de un retculo cbico de silicio.
Otro tipo de enlace es el inico electrovalente, y se presenta cuando dos tomos
son de elementos diferentes y alguno de ellos cede uno o ms electrones de valencia y el
otro los capta. Cuando esto sucede, el nmero de los electrones en los diferentes tomos es
menor mayor que el de sus protones, de modo que los tomos tienen una carga elctrica;
es decir, se convierten en iones. Cuando un tomo cede electrones a otro tomo, el que los
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cede se vuelve un in positivo y el que los capta se vuelve un in negativo. Por lo tanto, las
cargas opuestas se atraen y la atraccin mutua de los iones hace que se unan. Note en la
figura 1.6 el cloruro de sodio (sal comn), los iones se combinan formndose una molcula
con 8 electrones de valencia.
Figura 1.6 Para que exista un enlace inico, un tomo tiene que ceder electrones, al hacerlo se
convierte en un in positivo y el otro tomo en un in negativo.
Por ltimo, el enlace metlico se forma principalmente en buenos conductores
como por ejemplo el Cobre (figura 1.7). Cada tomo tiene un electrn de valencia y
siempre puede salir de su rbita; sin embargo, casi inmediatamente encontrar la rbita de
otro tomo, liberando as un electrn de valencia de ese tomo. Entonces, se repite el
proceso y los electrones de valencia pasan continuamente de una rbita a otra . Este proceso
se efecta de una manera bastante desordenada, pues los electrones de valencia no se
asocian con ningn tomo en particular, aunque siempre estn en la rbita de alguno de
ellos. Como resultado, todos los tomos comparten todos los electrones de valencia y estn
unidos.
Figura 1.7 Los electrones de valencia cambian de rbitas al azar; as, todos los tomos comparten
sus electrones de valencia.
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1.2 Materiales Semiconductores.
El trmino semiconductor proporciona una idea de las caractersticas de este
material, el prefijo semi se aplica por lo general a una gama de niveles que se encuentran a
la mitad entre dos niveles.
Un conductor es un material que soporta un flujo de carga cuando se aplica una
fuente de voltaje a travs de sus terminales. Un aislante es aquel material que ofrece un
valor muy pobre de flujo de carga bajo la tensin de una fuente de voltaje aplicada. Por
ltimo, un semiconductor es el material que presenta un nivel de conductividad situado
entre los casos anteriores.
La conductividad elctrica es la capacidad que tiene un material para permitir el
flujo de electrones. La resistividad es la inversa de la conductividad (figura 1.8), es decir,
cuanto mayor sea el nivel de conductividad, menor ser el nivel de resistencia; la
resistividad esta dada por la siguiente expresin:
( ) ( )



2
cm
cm cm
A
l
R

Figura 1.8 Definicin y representacin de la resistividad en unidades mtricas.
En donde R es la resistencia ( ), l es la longitud en metros o centmetros y A es el rea de
corte transversal en metros cuadrados o centmetros cuadrados y es la densidad en
Kg/m
3
. La tabla 1.1 proporciona distintos valores de resistividades de diferentes materiales.
7
( 1.1)
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Tabla 1.1 Resistividades tpicas de materiales a 20C.
Material
Resistividad
, m
Material
Resistividad
, m
Aluminio 2.83 x 10
-8
Grafito 8 x 10
-6
Antimonio 4.17 x 10
-7
Hierro 9.8 x 10
-7
Baquelita, compuestos y
resinas plsticas
1 x 10
10
Plomo 2.2 x 10
-7
Latn 7 x 10
-8
Aleacin de manganina 4.4 x 10
-7
Carbono 3.5 x 10
-5
Mercurio 9.6 x 10
-7
Aleacin de constantn 4.9 x 10
-7
Mica 1 x 10
14
Cobre 1.7 x 10
-8
Nicromo 1 x 10
-6
Alpaca (plata alemana) 3.3 x 10
-7
Caucho (duro) 1 x 10
16
Germanio 0.45 Silicio 1.3 x 10
3
Vidrio 1 x 10
12
Plata 1.6 x 10
-8
Oro 2.4 x 10
-8
Acero (4% Si) 5 x 10
-7
Tungsteno 5.2 x 10
-8
La conductividad elctrica puede variar debido a factores externos tales como
cambios de temperatura, excitacin ptica y concentracin de impurezas. Debido a que se
pueden variar las propiedades elctricas tales como: movilidad, conductividad, resistividad,
etc, los semiconductores son los materiales ms adecuados para el desarrollo de
dispositivos electrnicos. En el Captulo 2.6 se retomar el concepto de Conductividad
Elctrica.
A los semiconductores, Si y Ge, se les llama semiconductores elementales, por que
estn compuestos de una sola especie de tomos. Si se agregan elementos de las columnas
III ( B, Al, Ga, In, Tl ) y V (N, P, As, Sb) de la tabla peridica al silicio y al germanio se
crean los materiales extrinsecos, y combinaciones de las columnas II y III se obtienen los
semiconductores intermetlicos, compuestos. En el cuadro sinptico de la siguiente
pgina se muestran las aplicaciones de los semiconductores elementales y los compuestos.
Los materiales semiconductores presentan un patrn perfecto en el ordenamiento de
sus tomos (o casi perfecto) que es de naturaleza peridica (que se repite en forma
continua). Un patrn completo se denomina cristal y el arreglo peridico de los tomos red.
Ms adelante se amplan ms estos trminos.
8
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1.3 Redes Cristalinas.
1.3.1 Materiales Cristalinos y amorfos.
Los semiconductores son materiales slidos que poseen caractersticas tales como
elasticidad y rigidez. En la clasificacin de los slidos existen tres categoras, que son: los
slidos amorfos, los slidos cristalinos y los slidos policristalinos (Fig. 1.9). Los
materiales amorfos tienen sus tomos o molculas fuertemente unidos entre s, pero no
tienen ninguna regularidad geomtrica en el espacio que ocupan. A diferencia de los
materiales amorfos, los materiales cristalinos presentan una periodicidad perfecta (o casi
perfecta) en su estructura atmica; as, se llegan a comprender mejor fsicamente que los
slidos amorfos. La mayora de los semiconductores se fabrican a partir de materiales
cristalinos y por eso se estudiaran algunas caractersticas de ellos.
Rectificadores.
Transistores.
CIs.
Detectores de Infrarrojos.
Detectores de Radiacin
Nuclear.
Elementales
GaAs.
GaP.
GaAsP.
Emisores de Luz.
Materiales Fluorescentes.
ZnS.
Combinaciones
II-IV.
Semiconductores
InSb.
CdSe.
PbTe.
PbSe.
Compuestos
Detectores de Luz.
Diodos de Microondas
(Diodo Gunn)
GaAs.
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Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.9 Representacin bidimensional, que muestra la diferencia que existe entre los arreglos
atmicos de un slido cristalino, amorfo y policristalino.
1.3.2 Celdas Unitarias.
En los materiales cristalinos los tomos del cristal presentan un arreglo peridico al
cual se le llama red. Existen muchas maneras de colocar los tomos en un volumen, y las
distancias y orientaciones entre los tomos pueden tomar muchas formas; pero las redes
contienen un volumen llamado celda unitaria, que es una muestra representativa de la red
completa y que se repite a todo lo largo del cristal. En la Fig. 1.10 se representa una red
cristalina vista de una forma bidimensional.
Figura 1.10 Red cristalina.
Seleccionemos el paralelogramo formado por las letras ABCD como una celda
unitaria; vemos que en cada esquina existe un tomo. Si tomamos al tomo que tiene la
letra A como el origen del paralelogramo, podemos trazar dos vectores; uno de A hacia B y
otro de A hacia C. El primer vector se le denota por la letra a y al segundo por la letra b. A
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estos dos vectores se les conoce como vectores base. Si trasladamos al paralelogramo
ABCD con mltiplos enteros de los vectores a y b, una nueva celda unitaria a la original se
obtiene. De esta manera, todo el cristal se puede reproducir de una forma fcil y sencilla.
Por lo tanto, cada punto de la red del cristal se puede representar por un vector r, teniendo:
kb ha r +
en donde h y k son enteros. Por ejemplo, si el vector r = 2a + 2b entonces se obtiene una
nueva celda unitaria idntica a la original (Fig. 1.11). La celda unitaria ms pequea que
representa la red cristalina se llama celda unitaria primitiva.
Figura 1.11 La celda formada por los vectores a y b, se le conoce con el nombre de celda unitaria
primitiva.
Si vemos la Fig. 1.12, se pueden definir diversas formas de representar las celdas
unitarias; por ejemplo: ABCD y cada una contienen sus vectores base. Tambin se
puede representar a una celda unitaria en tres dimensiones y se representa de la siguiente
manera:
lc kb ha r + +
en donde h, k, y l son enteros.
11
(1.2)
(1.3)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.12 Celdas unitarias con sus correspondientes vectores base.
La celda unitaria tiene un valor muy importante debido a que se puede analizar al
cristal completo investigando un volumen representativo. Por ejemplo, con la celda unitaria
se pueden encontrar las distancias entre los tomos ms prximos y ms cercanos para
encontrar las fuerzas que unen a la red; podemos ver la fraccin del volumen de la celda
unitaria llenado por tomos y podemos relacionar la densidad del slido al arreglo atmico.
Debido a que los semiconductores presentan este tipo de arreglo en forma de red, las
propiedades de la red cristalina peridica determinan las energas de los electrones que
participan en el proceso de la conduccin; de esta forma, la red cristalina no solo determina
las propiedades mecnicas del cristal sino tambin sus propiedades elctricas.
1.3.3 Redes de Bravais.
Las redes de Bravais (Fig. 1.14) son 14 formas en las que se pueden acomodar los
tomos de las redes para que se obtenga el mismo medio circundante; dicho de otra
forma, si uno observara el cristal desde uno de los tomos de la red, vera exactamente la
misma colocacin de los tomos circundantes a la red sin importar la colocacin del
observador. Las redes de Bravais se agrupan en 7 grupos o sistemas cristalinos que son:
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Tabla 1.3 Los siete sistemas cristalinos
Sistema Red de Bravais Caracterstica de la
Celda Unitaria
Triclnico Simple
90


c b a
Monoclnico Simple centrada en la
base


90
c b a
Ortorrmbico -Simple centrada en
la base
-Centrada en el
cuerpo
-Centrada en la cara
90


c b a
Tetragonal Simple centrada en el
cuerpo
90


c b a
Cbico -Simple centrada en
el cuerpo
-Centrada en la cara
90


c b a
Hexagonal Simple


90 120 ;
c b a
Trigonal
(Rombohdrico)
Simple
90


c b a
La Fig. 1.13 Nos muestra los ngulos y dimensiones dentro de la celda para representar los valores
dados en la tabla 1.3.
Figura 1.13 Notacin de ngulos y dimensiones dentro de la celda unitaria.
13
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.14 Representacin tridimensional de las 14 Redes de Bravais.
14
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
1.4 Bandas de Energa.
1.4.1 Interaccin de los niveles de energa u rbitas.
Hemos visto que en los materiales semiconductores, los tomos estn unidos por
electrones de valencia compartidos (enlace covalente) y para entender que sucede cuando
dos o ms tomos en un semiconductor estn prximos entre s, a continuacin se explica
que sucede cuando se vara la distancia de dos tomos vecinos.
Cuando dos tomos se encuentran muy separados entre s, los niveles de energa
ms externos al ncleo de cada tomo no interactan y, por lo tanto, no se presenta ningn
cambio en dichos niveles (figura 1.15a). Al disminuir la distancia entre los dos tomos, los
niveles de energa ms alejados del ncleo interactan y se traslapan, formando un solo
nivel de energa (figura 1.15b). Si se contina disminuyendo la distancia entre ambos
tomos, el mismo fenmeno se presentar ahora con los niveles de energa mas cercanos a
sus ncleos (figura 1.15c).
Figura 1.15 Formacin de las bandas de energa.
15
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Si consideramos que un semiconductor slido contiene alrededor de 10
23
tomos/mol, se puede observar que los niveles de energa para un conjunto de tomos se
encuentran tan prximos entre s que prcticamente forman una banda de energa.
Todos los materiales slidos presentan su propia estructura de bandas de energa.
Las variaciones en esta estructura son las responsables de la amplia gama de caractersticas
elctricas que presentan varios materiales. Las bandas de energa representan la cantidad de
energa requerida para liberar a los electrones de sus rbitas, en otras palabras, que tan fcil
o difcil es liberar a los electrones para iniciar la conduccin elctrica. Existen niveles de
energa para cada uno de los electrones de cada capa; sin embargo, slo nos interesa
conocer los niveles correspondientes a las ltimas capas.
Para que los electrones puedan producir una corriente elctrica primero necesitan
liberarse de sus bandas de valencia y as, poder pasar a la siguiente banda que se denomina
banda de conduccin. Entre estas dos bandas existe una banda intermedia que recibe el
nombre de banda prohibida, debido a que en esta zona no puede estar presente ningn
electrn (figura 1.16).
Figura 1.16 Representacin de las bandas de valencia y conduccin de forma ideal.
La banda prohibida es considerada el parmetro ms importante en la fsica de
semiconductores. Resultados experimentales muestran que la banda prohibida de muchos
semiconductores decrece con el incremento de la temperatura. La figura 1.17 muestra las
16
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
variaciones de la banda prohibida como una funcin de la temperatura para el Ge, Si y
GaAs. La variacin de la banda prohibida con la temperatura puede ser expresada por una
funcin universal, dada por:
( ) ( )

+

T
T
g
E T
g
E
2
0
Figura 1.17 Variacin de la Banda prohibida para el Ge, Si y GaAs, como una funcin de la
temperatura.
los valores de E
g
( 0 ), y se dan en el Apndice E; T corresponde a la temperatura. A la
temperatura ambiente(300K), los valores de la banda prohibida para el Ge, Si y GaAs son:
0.66 eV, 1.12 eV y 1.42 eV respectivamente.
Para hacer el estudio terico de las bandas de energa en los slidos existen varios
mtodos numricos. Para el caso de los semiconductores los ms usados frecuentemente
son: el mtodo Ortogonalizado de onda plana, el mtodo Seudopotencial y el mtodo
k p; los cuales no se analizaran en este material. En la figura 1.18 se muestra la estructura
de bandas que se han calculado para el Si, Ge y GaAs
17
(1.4)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.18 Estructuras de banda de energa para el Si, Ge y GaAs, en donde Eg es la energa de la
banda prohibida.
En la figura 1.19 podemos ver los diagramas de bandas de energa para un aislante,
semiconductor y conductor en su forma ideal.
La banda de valencia representa el nivel de energa que poseen los electrones de
valencia, en tanto que la banda de conduccin, representa el nivel de energa que los
electrones deben alcanzar para poder liberarse de su capa. Si al electrn se le aplica una
energa menor a la energa de la banda prohibida, el electrn permanecer en la banda de
valencia; por el contrario, si la energa aplicada al electrn es mayor o igual a la energa de
la banda prohibida el electrn adquiere energa suficiente para saltar a la banda de
conduccin.
En los materiales semiconductores a una temperatura de 0 K, los electrones se
encuentran en la banda de valencia estticos. Si se aumenta la temperatura, por ejemplo a
300 K (25 C) un gran nmero de los electrones adquieren suficiente energa para
abandonar la banda de valencia y pasar a la banda de conduccin, en otras palabras, brincan
la banda prohibida.
18
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.19 Diferentes alturas de la banda prohibida para un aislante, semiconductor y conductor.
Se puede ver en las figuras que la banda prohibida tiene diferentes valores de
energa en los distintos materiales, esto nos indica que tan fcil o difcil es liberar un
electrn e iniciar la conduccin. Para el aislante la banda prohibida es muy ancha, el
semiconductor tiene una banda prohibida ms estrecha y el conductor no tiene debido al
traslapamiento de la banda conduccin y la de valencia.
La energa necesaria para que el electrn salga de la banda de valencia a la banda
de conduccin se mide en electrn-volts (eV), que se define como la energa cintica
adquirida por un electrn cuando es acelerado en un campo elctrico producido por una
diferencia de potencial de un volt. Numricamente, un eV equivale a 1.6x10
-19
joules, o
bien un joule son 6.2x10
18
eV. Por ejemplo, se necesitaran 6.2x10
20
eV/sec para encender
una bombilla de luz de 100 watts."
1.5 Semiconductores Directos e Indirectos.
En la figura 1.18 se mostraron las bandas de valencia y conduccin para el Ge, Si y
para el GaAs. Se puede ver una diferencia notable entre las grficas del Si y GaAs. En el
GaAs, el mnimo de la banda de conduccin coincide con el mximo de la banda de
valencia; si un electrn en la banda de valencia saltara la banda prohibida, caera
directamente en la banda de conduccin. Al aplicar una energa externa al semiconductor
(voltaje, calor, etc) los electrones logran pasar de la banda de valencia a la de conduccin;
19
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
al quitar esta excitacin, los electrones tienden a regresar a la banda de valencia, emitiendo
la energa que absorbieron en forma de un fotn de luz. A este tipo de semiconductor se le
conoce como semiconductor directo.
Por otra parte, en el caso del Si no coinciden las dos bandas. Al aplicarle una
energa externa y luego quitar la excitacin, los electrones regresan a la banda de valencia
pero, la energa que recibieron ya no la liberan en forma de un fotn de luz sino en forma
de calor. Esta diferencia de estructuras de bandas directas e indirectas es muy importante
para decidir cuales semiconductores pueden ser usados en dispositivos que emiten luz (por
ejemplo, para fabricar LEDs).
1.5.1 Materiales Intrnsecos
Un material intrnseco es aquel que se ha refinado para obtener un semiconductor
puro. Un cristal de silicio es un semiconductor puro, si cada tomo existente en el cristal es
un tomo de silicio. A la temperatura de 0 K todos los electrones se encuentran en la
banda de valencia y por lo tanto, la banda de conduccin se encuentra vaca (Figura 1.20).
Figura 1.20 Electrones de valencia en reposo.
Cuando se incrementa la temperatura de un semiconductor slido, un nmero
creciente de electrones de valencia absorben suficiente energa trmica para romper el
enlace covalente y lograr alcanzar la banda de conduccin. Estos electrones contribuyen a
20
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
un nmero mayor de portadores libres e incrementan el ndice de conductividad,
produciendo un nivel inferior de resistencia (Figura 1.21).
Figura 1.21 Al adquirir energa los electrones saltan a la banda de conduccin.
A pesar de que se ha incrementado el nmero de electrones libres dentro del
material, el flujo de electrones ser mnimo y desordenado y no existe una corriente
elctrica en s. Este fenmeno se abordar a fondo en el apartado 2.3 (Proceso de
conduccin).
1.5.2 Materiales Extrnsecos.
Para aumentar la muy poca conductividad que presenta un semiconductor puro
(material intrnseco), lo que se hace es impurificarlo doparlo. Para el caso del Silicio este
proceso consiste en aadir tomos de elementos que contengan 5 electrones de valencia y 3
electrones de valencia. Aunque al material intrnseco se le agrega una pequea cantidad de
impurezas (quiz 1 parte en 10 millones), se alteran considerablemente las propiedades
elctricas del material. A un semiconductor puro que se ha impurificado se le conoce como
semiconductor extrnseco. Existen dos tipos de materiales semiconductores extrnsecos, el
material tipo p y el material tipo n.
1.5.2.1 Material tipo N.
Para el caso del silicio y el germanio se pueden agregar impurezas pentavalentes (5
electrones de valencia) como antimonio, arsnico y fsforo, y obtener lo que se llama
21
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
semiconductor tipo n. En los semiconductores tipo n existen ms electrones libres que en
un semiconductor intrnseco(Figura 1.22). En este caso a los electrones se les da el nombre
de portadores mayoritarios mientras que al dficit de huecos, conforman los portadores
minoritarios en el material tipo n. En conclusin podemos decir que a las impurezas
pentavalentes se les da el nombre de impurezas donadoras por que aportan electrones
libres al semiconductor.
Figura 1.22 Representacin simblica del dopaje con tomos pentavalentes.
Si vemos la figura 1.23, existe un tomo de antimonio rodeado por tomos de silicio; el
tomo de antimonio al tener 5 electrones de valencia, 4 de ellos los comparte con los
tomos circundantes (uniones covalentes), pero el ltimo electrn queda relativamente
libre, ya que queda dbilmente unido a su tomo padre, este electrn, requerir muy poca
energa para "saltar" a la banda de conduccin y generar una corriente elctrica.
Una caracterstica importante es que an cuando hay un nmero mayor de
electrones, el material tipo n sigue siendo neutro porque existe el mismo nmero de
protones como de electrones en la estructura.
Figura 1.23 Un tomo de antimonio rodeado por tomos de silicio.
22
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.24 Efecto que producen las impurezas donadoras sobre la estructura de las bandas de
energa.
Si se observa el efecto que tiene agregar las impurezas desde el punto de vista de las
bandas de energa se obtiene lo siguiente. El nivel de energa que tienen los electrones
libres parece en la figura 1.24, a este tipo de energa se le denomina nivel donador y tiene
una E
g
mucho menor al del material semiconductor. Estos electrones fcilmente pueden
absorber energa y moverse hacia la banda de conduccin; as, el nmero de electrones
libres (portadores mayoritarios) aumenta y por lo tanto, existe una mayor conductividad del
material.
1.5.2.2 Material tipo P.
Considerando el caso anterior, se puede obtener un semiconductor tipo p si se
agregan al material intrnseco tomos de impureza que contengan 3 electrones de valencia
como son: boro, galio, indio (figura 1.25)
23
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.25 Impurificacin de un material intrnseco para obtener un material extrnseco tipo p.
En la figura 1.26 se muestra la impureza del Boro. En los enlaces covalentes que presenta
con los tomos de silicio, se ve claramente que falta un electrn en uno de los enlaces; a
esta vacante se le llama hueco. Este hueco atraer inmediatamente a cualquier electrn que
pase cerca de l.
Figura 1.26 Existe un hueco en uno de los enlaces debido a la impureza de Boro.
Las impurezas trivalentes reciben el nombre de impurezas aceptoras. El
semiconductor tipo p tambin presenta un diagrama de bandas de energa. La figura 1.27
muestra el nivel de energa que presentan los huecos; este nivel surge de una mayor
cantidad de huecos que de electrones; por lo tanto, los portadores mayoritarios son los
huecos y los minoritarios los electrones.
24
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.27 Debido al exceso de huecos, el nivel de energa de los portadores aceptores es ms alto
que el nivel de valencia.
1.6 Crecimiento de Cristales.
Los diferentes dispositivos semiconductores son muestras de un monocristal que
puede impurificarse intencionalmente con algn tomo de impureza, para obtener un
material con un tipo de conductividad y una resistencia elctrica especfica. Son varios los
procesos para fabricar monocristales y cada uno posee ciertas ventajas para aplicaciones
particulares.
1.6.1 Proceso de refinacin por zonas.
Lo primero que se debe de hacer para fabricar cualquier dispositivo semiconductor
es la obtencin de los materiales semiconductores con el nivel de pureza deseado. Las
materias primas tanto como las del dixido de silicio y el dixido de germanio (que son las
ms utilizadas) se someten a procesos qumicos y de fundicin para obtener silicio y
germanio. Los tomos de estos cristales se encuentran desordenados (material
policristalino). Para que se logre una purificacin mayor y un ordenamiento de los
cristales, se someten al proceso llamado Refinacin por Zonas Mtodo de Bridgman.
En la figura 1.28 se muestra el aparato o dispositivo con el cual se logra la purificacin y
ordenamiento del cristal. Este sistema est formado por un recipiente (bote) largo y angosto
25
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
hecho de material de cuarzo o de grafito para que exista una contaminacin mnima,
adems de un contenedor de cuarzo en forma de tubo y un grupo de bobinas de induccin
de RF (radio frecuencia). Existen dos formas para fundir el material que se encuentra en el
interior; una es que las bobinas se muevan a lo largo del contenedor en otro caso sea el
recipiente el que se mueve. El resultado es el mismo en cualquiera de los dos casos, el fin
es fundir una pequea porcin del lingote y hacer un desplazamiento de la zona fundida
continuamente a todo lo largo del lingote, de un extremo al otro; aunque para este ejemplo,
son las bobinas las que se mueven. Para un mayor grado de purificacin, al interior del
contenedor se le aplica un vaco para reducir la posibilidad de contaminacin. El material
que va ser purificado se coloca en el recipiente (bote). En un extremo se coloca una
pequea semilla, que es una pequea muestra monocristalina con el patrn deseado de los
tomos (como alguna de las redes de Bravais) y se colocan las bobinas en el mismo
extremo de la semilla. Posteriormente se le aplica a la bobina la seal de radio frecuencia la
cul, inducir un flujo de carga en el lingote o barra. La magnitud de estas corrientes
aumenta hasta que se desarrolla una cantidad de calor suficiente para fundir esa regin del
material semiconductor as, las impurezas en el lingote pasarn a un estado lquido. Al
mover en forma transversal las bobinas de radio frecuencia, se va creando un material
fundido que al irse enfriando, los tomos adoptan un patrn de red similar al de la semilla.
Figura 1.28 Proceso de refinamiento de zonas.
Conforme la zona fundida va pasando lentamente a travs de la barra slida, la
mayor parte de los tomos de impureza en el fundido son rechazados por el slido en la
interfaz, en donde la regin que est fundida se solidifica para volver a formar una barra
slida. Cuando la zona fundida pasa a travs del lingote largo, los tomos de las impurezas
26
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
se van acumulando (recogiendo) en el lquido y al final se acumulan solamente en el
extremo del lingote cuando la ltima parte de la zona fundida se solidifica finalmente; o
sea, las bobinas de induccin ya han alcanzado el extremo de la barra. Esta parte del lingote
contiene casi todas las impurezas y entonces se corta, y se repite el proceso completo hasta
que se haya logrado el nivel de impurezas que se desea. Una desventaja que presenta este
mtodo, es el contacto del material fundido con las paredes del crisol; la interferencia
resultante de la pared del crisol introduce tensiones durante la solidificacin y forma
desviaciones en la estructura reticular de los tomos, por lo que el arreglo peridico de los
tomos no es del todo perfecto.
1.6.2 Mtodo de Czochralski.
Un mtodo alternativo que elimina el problema anterior es el mtodo de
Czochralski. En un crisol de cuarzo se coloca la materia prima de la cual se obtendr un
lingote de material monocristalino (figura 1.29).
Figura 1.29 Mtodo de Czochralski.
27
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Por medio de las bobinas de calefaccin de grafito se funde el material contenido en
el crisol a una temperatura aproximada de 1500C; cuando el material est totalmente
fundido, la temperatura se comienza a disminuir hasta alcanzar unos pocos grados arriba
del punto de solidificacin y a continuacin se introduce la semilla de muestra
monocristalina en el fundido apenas penetrando debajo de la superficie del mismo hasta
que se forma una interfase slido-lquido adecuada (Figura 1.30)
Figura 1.30 Vista superior de la extraccin de la semilla del material fundido.
Los tomos del material fundido tienen mas energa que los de la semilla y tienden a
ocupar los lugares de mnima energa que sta les proporciona. Cuando todos los lugares de
una capa de tomos se han ocupado, la semilla se retira en forma gradual mientras se gira
lentamente el eje que sostiene a la misma en sentido contrario a las manecillas del reloj y el
eje del pedestal del crisol en sentido horario; esto se hace para obtener una perfeccin del
cristal y controlar el dimetro del lingote. Cuando el eje que sostiene a la semilla est
girando, se retira lentamente del fundido y se logra formar otra capa de tomos y as
sucesivamente una red reticular con las caractersticas de la semilla se empieza a formar
(Figura 1.31).
28
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.31 Vista lateral del crecimiento del lingote.
Una vez que se ha alcanzado el tamao deseado del lingote se procede a desmontarlo de la
semilla que lo sostiene (Figura 1.33).
Figura 1.32 Representacin de las diferentes temperaturas en el crecimiento del lingote.
29
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 1.33 Lingote terminado.
Figura 1.34 Diferentes tamaos de lingotes.
Un crisol de grafito puede ser satisfactorio para hacer crecer cristales de germanio;
pero se requiere un recubrimiento de cuarzo amorfo de alta pureza para el silicio. Un
elemento contaminante que aparece en los lingotes crecidos por este mtodo es el oxgeno,
este es elctricamente inactivo pero cuando el material se somete a tratamientos trmicos,
los tomos del oxgeno intervienen en fenmenos complejos que provocan la aparicin de
los llamados defectos trmicos; si estos son elctricamente activos, tendrn un
comportamiento que produce efectos degradantes en un buen nmero de dispositivos. Otro
elemento contaminante que aparece durante el crecimiento es el carbono, debido a que se
utiliza grafito como calefactor para fundir el silicio (ya sea como elemento resistivo, o
como elemento emisor para calentamiento por radio frecuencia). Todo el proceso se realiza
en una atmsfera inerte con el fin de desalojar todo el oxgeno y el carbono que surgen de
la reaccin del material del fundido con el crisol de cuarzo y las partes de grafito del
30
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
calefactor. Para esto se introduce un flujo controlado de argn de ultra alta pureza
manteniendo un vaco. Durante el proceso de crecimiento de monocristales por este
mtodo, se deben controlar cuatro parmetros crticos, que son la temperatura del horno y
de la interfase slido-lquido, la velocidad de tiro de la semilla, las velocidades de rotacin
del crisol y la semilla y el flujo de argn.
1.6.3 Comparacin de los dos mtodos.
El mtodo de Czochralski es capaz de producir cristales de varios pies de longitud y
con dimetros arriba de 12 o ms pulgadas. Generalmente, el crecimiento de cristales por el
mtodo de Zona-Flotante no es capaz de producir grandes dimetros como el proceso de
Czochralski, puede tener un lmite superior en resistividad y puede producir en los cristales
gran densidad de dislocaciones (defectos en el cristal). Pero al mismo tiempo, el mtodo de
zona-flotante produce esencialmente cristales que contienen los ms bajos niveles de
oxgeno en comparacin con el mtodo de Czochralski. Se comparan los dos mtodos en la
Tabla 4.
Tabla 4 Comparacin entre los dos mtodos.
PARAMETROS CZOCHRALSKI ZONA-FLOTANTE
Cristales grandes Si Difcil
Costo Bajo Alto
Dislocaciones 0 1e
5
/cm
2
1e
3
1e
5
/cm
2
Resistividad radial 5 10% 5 10%
Contenido de Oxgeno 1e
16
1e
18
0- muy bajo
Las principales tendencias en la tecnologa de crecimiento del silicio pueden resumirse
como siguen:
1.Extenso aumento del dimetro, longitud y masa de mono-cristales.
2.Mejora de la calidad estructural del cristal: produciendo dislocaciones en los
mono-cristales con el ms bajo nivel de microdefectos (MD).
3. Bajando el nivel residual de impurezas, especialmente oxgeno y carbono que
influyen en las propiedades elctricas del cristal as como la formacin del microdefectos.
4. Proporcionando alta uniformidad en las propiedades elctricas del cristal.
5. Esperando las maneras de disminuir el costo del material.
31
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
2. Nivel de Fermi Dirac
2.1 Densidad de Estados.
En este apartado estudiaremos como estn distribuidos los portadores de carga en el
material semiconductor con respecto a la energa. Para describir el flujo de corriente en un
semiconductor nosotros necesitamos saber cuntos electrones y huecos residen en las
bandas de energa. Para contestar esta pregunta, nosotros necesitamos conocer el nmero de
estados permitidos por unidad de volumen y por unidad de energa.
Si el nmero promedio de partculas del sistema ocupa un solo estado cuntico de
energa se designa como f( ) y si se hace que g( )d sea el nmero de estados
cunticos del sistema, cuya energa est dentro de un rango d alrededor de estar dado
por N( )d , lo anterior se expresa en la siguiente frmula:
( ) ( ) ( ) d g f d N
en donde f( ) es la funcin de distribucin del sistema y g( ) es la densidad de estados.
Conociendo estas dos cantidades, conoceremos el valor promedio del nmero de
partculas en el semiconductor. El valor de g( ) es el siguiente:
( )

d m
h
d g
2
3
3
*
2 8

de donde h es la Constante de Planck (La constante de Planck se usa para describir la

cuantizacin que se produce en las partculas, para las cuales ciertas propiedades fsicas
slo toman valores mltiplos de valores fijos en vez de un espectro continuo de valores) y
m
*
la masa efectiva.
32
(2.1)
(2.2)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
La densidad de estados g( ) es para la banda de valencia como en la conduccin;
por lo tanto, la frmula anterior cambia quedando de la siguiente manera:
( )

d m
h
d g
c n c

2
3
*
3
2 8
( )

d m
h
d g
v p v

2
3
*
3
2 8
donde:
g
c
( ) = Densidad de estados en la banda de conduccin.
g
v
( ) = Densidad de estados en la banda de valencia.
v

= Energa de la banda de valencia.

c

= Energa de la banda de conduccin.

*
n
m = Masa efectiva de los electrones en la banda de conduccin.
*
p
m
=Masa efectiva de los huecos en la banda de valencia.
En la regin de la banda prohibida (
v
< <
c
), la densidad de estados tiene un
valor de cero debido a que en esta regin no hay niveles permitidos. La grfica de la figura
2.1 nos muestra las curvas de densidad de estados, tanto de la banda de conduccin como la
de valencia en un semiconductor intrnseco.
33
(2.3a)
(2.3b)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 2.1 Representacin de las densidades de estados en la banda de valencia y conduccin
en un semiconductor intrnseco.
2.2 Funcin de distribucin de Fermi-Dirac.
Existen varias frmulas estadsticas para determinar el nmero promedio de
partculas de un material semiconductor, entre ellas se encuentran:
Funcin de distribucin de Maxwell-Boltzmann.
Funcin de distribucin de Fermi-Dirac.
Funcin de distribucin de Bose-Einstein.
La estadstica de distribucin de Fermi-Dirac tiene una importancia enorme, debido
a que describe como se comportan los electrones en los semiconductores.
Una caracterstica importante de las estadsticas de Fermi-Dirac, es que obedece el
Principio de Exclusin de Pauli, el cual dice que dos partculas no pueden ocupar un
mismo estado cuntico. Cuando estas partculas se aaden a una banda de energa, ellas
llenarn los estados disponibles en una banda de energa as como el agua llena una cubo.
Los estados con la energa ms baja se llenan primero, seguido por los prximos ms altos.
34
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
La distribucin de Fermi-Dirac es la siguiente:
( )
( )
kT
E E
F
e
E f

+

1
1
en donde k representa a la constante de Boltzmann, T la temperatura, E es la energa y E
F
es el Nivel de Fermi.
Esta frmula nos dice que probabilidad existe de que un estado de energa (nivel de
energa) E pueda ser ocupado por un electrn. Veamos como vara f(E) empezando por
calcular su lmite para T0.
Para T = 0 K y E < E
F
:
( ) 1
1
1

e
E f
Para T = 0 K y E > E
F
:
( ) 0
1
1

e
E f
El trmino E
F
es un valor muy importante para el anlisis del comportamiento del
semiconductor, mas adelante se ver con detalle. Para un nivel de energa E igual al nivel
de energa de Fermi E
F
, la probabilidad de ocupacin es:
( )
2
1
1
1
0

+

e
E f
Del resultado anterior podemos observar que f(E) valdr 0.5 siempre que E = E
F
.
De los valores anteriores se obtiene la grfica de la figura 2.2. Todos los estados cunticos
correspondientes a energas menores que E
F
estn ocupados y todos los que corresponden a
energas mayores que E
F
estn vacos; en otras palabras, todos los electrones se encuentran
en la banda de valencia.
35
(2.4)
(2.4a)
(2.4b)
(2.4c)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 2.2 Funcin de distribucin de Fermi-Dirac.
De la figura anterior se observa la variacin de la energa de Fermi con la
temperatura. Conforme se incrementa la temperatura los bordes del escaln se redondean y
la funcin de distribucin vara rpidamente desde la unidad hasta casi cero, presentndose
una mayor probabilidad de que los estados superiores al nivel de Fermi puedan ser
ocupados por los portadores de carga.
2.3 Nivel de Fermi-Dirac en un Semiconductor Intrnseco.
La funcin de Distribucin de Fermi-Dirac se puede usar para calcular las
densidades de electrones y huecos en un semiconductor si las densidades de estados
disponibles tanto en la banda de valencia y conduccin son conocidas.
La expresin general que proporciona la densidad en un semiconductor es obtenida
integrando el producto de la densidad de estados con la funcin de la densidad de
probabilidad sobre todos los estados posibles. Para los electrones en la banda de
conduccin la integral es tomada del fondo de la banda de conduccin, llamado Ec, a la
cima de la banda de conduccin como se expresa en la ecuacin de abajo:

Ec
dE E g E f n ) ( ) (
36
(2.5)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
donde g(E) es la densidad de estados en la banda de conduccin y f(E) es la funcin de
Fermi.
En la relacin anterior se puede ver que el nmero de electrones por unidad de
volumen nes el producto de la densidad de estados por la probabilidad de ocupacin, es
decir:
) ( ) ( E f E N n
En el borde de la banda de conduccin (E
c
) existe la mayor concentracin de
electrones, por lo tanto, existe una mayor densidad de estados N(E), esto se puede ver en la
grfica (d) de la figura 2.3.
Podemos representar tal densidad de estados en el borde de E
c
como una densidad efectiva
quedando la ecuacin anterior como:
) (
C C
E f N n
N
C
representa la densidad de estados en la banda de conduccin.
Ahora ocuparemos la funcin de distribucin de Fermi-Dirac cambiando E por la
energa en el borde de la banda de conduccin E
c
:
Figura 2.3 Representacin de los diagramas de: (a) Bandas de energa, (b) densidad de estados, (c)
distribucin de Fermi-Dirac, y (d) concentracin de portadores para un semiconductor intrnseco.
37
(2.6)
(2.7)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
kT
E E C
F C
e
E f

+

1
1
) (
En la expresin anterior, se asume que el nivel de Fermi E
F
est varias unidades por
debajo de la banda de conduccin (E
C
E
F
) con lo cual, el trmino exponencial es grande
en comparacin con la unidad; as, se simplifica a:
kT
E E
C
F C
e E f

) (
Substituyendo la ec 2.9 en la ec 2.7, tenemos:
kT
E E
C
F C
e N n

La densidad efectiva N
C
est dada por:
2
3
2
*
2
2

,
_

h
kT m
N
n
C

De esta frmula conocemos todos los valores de los parmetros involucrados
(Apndices C y D). Ocupando el procedimiento anterior para N
C
, ahora se puede determinar
lo propio para la densidad de estados en la banda de valencia (N
V
) como se muestra a
continuacin:
[ ] ) ( 1
V V
E f N p
Donde
) ( 1
V
E f
expresa la probabilidad de no ocupacin, dicho de otra forma,
los estados vacos. N
V
representa la densidad efectiva de estados en la banda de valencia.
38
(2.8)
(2.9)
(2.10)
(2.11)
(2.12)
(2.13)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
) ( 1
v
E f
kT
E E
V
F V
e
E f

+

1
1
) (
substituyendo ec 2.14 en ec 2.13:
kT
E E
F V
V F
e
kT
E E
e

1
1
1
para un valor de E
F
ms grande que E
V
.
Por lo tanto, substituyendo la ec 2.15 en ec 2.12 tenemos:
kT
E E
V
V F
e N p

De la ecuacin anterior se obtiene la densidad de huecos en la banda de valencia.

La densidad de estados efectiva en el borde de la banda de valencia es:
2
3
2
*
2
2

,
_

h
kT m
N
p
V

2.3.1 Calculo de la densidad intrnseca de portadores.

Si consideramos a E
F
para un semiconductor intrnseco como E
Fi
,

podemos escribir
dos relaciones con las expresiones 2.10 y 2.16 entre la densidad intrnseca de portadores y
la energa; se pueden rescribir como:

,
_

kT
E E
C i
Fi C
e N n
39
(2.14)
(2.15)
(2.16)
(2.17)
(2.18)
(2.19)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales

,
_

kT
E E
V i
V Fi
e N p
Cuando un electrn salta de la banda de valencia a la banda de conduccin, detrs
de l deja un hueco; por lo tanto, la densidad de huecos y electrones es la misma (n
i
= p
i
=
n
int
(T) ); en donde n
int
(T) representa el nmero de huecos o electrones en una muestra
intrnseca del semiconductor en funcin de la temperatura T. Es posible eliminar la energa
intrnseca de Fermi de ambas ecuaciones simplemente multiplicando ambas ecuaciones y
sacando raz cuadrada. Esto proporciona una expresin para la densidad intrnseca de
portadores como una funcin de la densidad efectiva de estados en la banda de conduccin
y de valencia y la energa de la banda prohibida Eg = Ec - Ev:

,
_

kT
E
V C
g
e N N n
2
int
Si se desea obtener una grfica para la concentracin intrnseca de cualquier otro
semiconductor, se debe ocupar la frmula siguiente:
( )
kT
E
n p
g
e
h
kT m m
T n
2
3
2
2
1
* *
int
2
2 ) (

1
1
]
1

El valor de la densidad intrnseca de portadores (n
i
) para una temperatura dada se
puede encontrar en el Apndice H para l Si y el Ge.
2.3.2 Ley de la accin de masa.
Resulta que el producto de las densidades de huecos y electrones (n y p) en un
semiconductor es siempre igual al cuadrado de la densidad intrnseca de portadores, esta es
una relacin importante y se puede ocupar tanto para materiales intrnsecos como para
materiales extrnsecos. Al multiplicar las expresiones por las densidades de electrones y
huecos en un semiconductor da:
40
(2.20)
(2.21)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales

,
_

,
_

kT
Eg
V C
kT
E E
V C i
e N N e N N n p n
C V
2
Esta propiedad se conoce como la Ley de Accin de Masa y es una relacin poderosa que
habilita a encontrar rpidamente la densidad de huecos si se sabe la densidad de electrones
o viceversa.
2.3.3 Clculo de la energa intrnseca de Fermi.
El nivel de Fermi es de particular importancia al estudiar el problema de dos slidos
en contacto. Cuando dos slidos o ms se ponen en contacto y el sistema formado se halla
en equilibrio trmico, el nivel de Fermi en uno de los slidos debe coincidir exactamente
con el del otro; en un diagrama de niveles de energa, los niveles de Fermi deben estar
alineados. Esto debe ser interpretado como el principio fsico de vasos comunicantes, en el
cual independientemente del nivel de lquido que cada recipiente posea, al interconectarse
mutuamente los niveles de los recipientes se igualarn. Lo enunciado se cumple cuando la
juntura se logra por procesos qumicos en un mismo cristal. Si se parte de un trozo de
cristal tipo p y otro del tipo n y se los une mecnicamente (juntarlos uno a otro), se
producir una unin policristalina que no poseer las caractersticas deseadas. Las
ecuaciones anteriores para la densidad intrnseca de electrones y huecos pueden ser
resueltas para la energa intrnseca de Fermi, quedando:
C
V V C
Fi F
N
N kT E E
E E ln
2 2
+
+

La energa de Fermi est tpicamente cerca de la mitad de la banda de energa prohibida, a
medio camino entre los bordes de la banda de conduccin y de la banda de valencia.
2.3.4 Las densidades de portadores expresadas como una funcin de los parmetros
intrnsecos.
41
(2.22)
(2.23)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Dividiendo la expresin para las densidades de portadores por una para la densidad
intrnseca, permite escribir las densidades de portadores como una funcin de la densidad
intrnseca y la energa de Fermi, dando:

,
_

kT
E E
i
Fi F
e n n
y

,
_

kT
E E
i
F Fi
e n p
Las mismas relaciones se pueden reordenar tambin para obtener la energa de Fermi de
cualquier densidad de portadores, quedando:

,
_

+
i
Fi F
n
n
kT E E ln
y

,
_

i
Fi F
n
p
kT E E ln
Ejemplo: Considerando las expresiones 2.11, 2.17 y 2.23 utilice un semiconductor
intrnseco de Si con una temperatura T= 300K, y determine la concentracin de
portadores y el valor del nivel de Fermi.
De los datos anteriores podemos dibujar el siguiente esquema:
42
(2.24a)
(2.24b)
(2.25a)
(2.25b)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Se puede observar que el nivel de Fermi para este semiconductor intrnseco deber
estar a la mitad de E
g
, es decir E
F
= 0.67 eV, para comprobar lo anterior primero se
proceder a calcular la densidad de estados en la banda de conduccin; partiendo de la ec
2.11 tenemos que:
2
3
2
*
2
2

,
_

h
kT m
N
n
c

3
2
*
2
2

,
_

h
kT m
N
n
C

3
2
0
*
2
2
1
]
1

h
kT m m
N
n
C

( )( )( )( )
( )
3
2
15
23 30
10 62617 . 6
300 10 38066 . 1 10 91095 . 0 09 . 1 2
2
1
1
]
1

x
x x
N
C

3 25
10 8556 . 2

m x N
C
Figura 2.4 Representacin del diagrama de bandas de energa.
43
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Convirtiendo de metros a centmetros, se obtiene el resultado:
3 19
10 8556 . 2

cm x N
C
Una vez determinado N
C
procedemos a determinar la densidad de estados en la
banda de valencia N
V
, y de acuerdo con la relacin 2.17 tenemos:
2
3
2
*
2
2

,
_

h
kT m
N
p
V

3
2
*
2
2

,
_

h
kT m
N
p
V

3
2
0
*
2
2
1
1
]
1

h
kT m m
N
p
V

( )( )( )( )
( )
3
2
34
23 30
10 62617 . 6
300 10 38066 . 1 10 91095 . 0 03 . 1 2
2
1
1
]
1

x
x x
N
V

3 25
10 6231 . 2

m x N
V
Haciendo la conversin de unidades:
3 19
10 6231 . 2

cm x N
V
A continuacin necesitamos convertir la energa trmica kT, de joules a eV.
( ) K
K
J
x kT

300 10 38066 . 1
23
44
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
J x kT
21
10 14198 . 4

J x eV
19
10 60218 . 1 1

J x
J x
kT
19
21
10 60218 . 1
10 14198 . 4

eV kT 02585 . 0
De esta manera, podemos calcular el valor de la densidad intrnseca de la frmula 2.22,
obteniendo:
kT
Eg
V C i
e N N n
2
2

( )( )

,
_

02585 . 0
12 . 1
19 19 2
10 6231 . 2 10 8556 . 2 e x x n
i
3 10 2
10 0708 . 1

cm x n
i
Tambin podemos calcular el nmero de electrones en la banda de conduccin mediante las
ecuaciones 2.10, 2.18 2.24a; elegiremos la ltima ecuacin:

,
_

kT
E E
i
i F
e n n
( )

,
_

02585 . 0
66 . 0 66 . 0
10
10 0708 . 1 e x n
( ) 1 10 0708 . 1
10
x n
3 10
10 0708 . 1

cm x n
45
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
este es el valor de la densidad de electrones en la banda de conduccin.
Para encontrar el nmero de huecos en la banda de conduccin se utiliza la ecuacin
2.24b, obteniendo:

,
_

kT
E E
i
F i
e n p

,
_

02585 . 0
66 . 0 66 . 0
10
10 0708 . 1 e x p
( ) 1 10 0708 . 1
10
x p
3 10
10 0708 . 1

cm x p
Ahora bien, con el valor de n y p ya conocidos, se puede aplicar la ecuacin 2.24a
2.24b para encontrar el valor del nivel de Fermi. Ocuparemos la ecuacin 2.24a,
obteniendo:

,
_

+
i
i F
n
n
kT E E ln
1
]
1

,
_

+
10
10
10 0708 . 1
10 0708 . 1
ln 02585 . 0 66 . 0
x
x
E
F
( )( ) 0 02585 . 0 66 . 0 +
F
E
eV E
F
66 . 0
Habiendo obtenido el valor del nivel de Fermi, podemos utilizar la frmula de la
Funcin de Distribucin de Fermi-Dirac (ecuacin 2.4) y obtener la grfica para f(E). El
valor de f(E) se puede calcular dando diferentes valores para E arriba y abajo del valor de
46
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
E
F
, por ejemplo, con los valores de la siguiente tabla se obtiene la grafica (c) de la figura
2.5.
Tabla 1.1 Valores obtenidos sustituyendo valores de E en la ecuacin 2.4.
Figura 2.5 Representacin grfica de los valores obtenidos del ejemplo anterior.
Los resultados anteriores nos muestran que en un semiconductor intrnseco libre de
cualquier impureza qumica o defecto de estructura del cristal semiconductor obtenemos
n = p = n
i
y adems E
F
= E
Fi
.
2.4 Nivel de Fermi-Dirac en un Semiconductor Extrnseco.
E (eV)
f(E)
E (eV)
f(E)
0.1 1 0.57 0.68
0.2 0.99 0.59 0.5
0.3 0.99 0.61 0.31
0.4 0.99 0.63 0.17
0.5 0.97 0.65 0.08
0.51 0.95 0.67 0.04
0.53 0.91 0.69 0.02
0.55 0.82 0.7 0.01
47
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Cuando en un semiconductor intrnseco se introducen impurezas ( N
d
impurezas
donadoras y N
a
impurezas aceptoras ), el nivel de Fermi debe ajustarse para preservar la
neutralidad de las cargas ( figura 2.6).
Anteriormente se ha mencionado que al dopar un material semiconductor intrnseco con
algn tipo de impureza (ya sea donadora o aceptora), los portadores de carga adquieren una
energa mayor a la energa de la banda de valencia y que tal energa en un material
semiconductor impurificado con tomos donadores recibe el nombre de nivel donador. La
frmula siguiente nos da el nmero de electrones en un semiconductor tipo n:
kT
E E
d
d
F d
e
N
n

+

2
1
1
en donde E
d
es la energa de los niveles donadores, N
d
el nmero de tomos de impureza
que se agregan al material y n
d
representa al nmero de electrones que ocupan los niveles
donadores (es decir, la concentracin de donadores no ionizados).
48
(2.26)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Figura 2.6 Funcin de distribucin aplicada a los semiconductores: (a) material intrnseco;
(b) material tipo p; (c) material tipo n.
De manera similar podemos obtener una frmula para encontrar el nmero de
huecos que ocupan los niveles aceptores para un semiconductor tipo p:
kT
E E
a
a
a F
e
N
p

+

2
1
1
49
(2.27)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
as, p
a
es el nmero de huecos que ocupan los niveles aceptores, N
a
es el nmero de
impurezas aceptoras agregadas al material y E
a
el nivel de energa de los niveles aceptores
(la energa de los niveles donadores y aceptores se obtienen del Apndice H).
Las siguientes ecuaciones se utilizan para encontrar el Nivel de Fermi en un
semiconductor extrnseco, ya sea para un material tipo n o un material tipo p
respectivamente.

,
_

+
i
no
Fi F
n
n
kT E E ln

,
_

+
d
C
C F
N
N
kT E E ln
donde n
no
: es el nmero de electrones, n
i
la concentracin intrnseca del material, E
Fi
el
nivel de Fermi intrnseco, N
C
la densidad efectiva en la banda de conduccin y N
d
el
nmero de impurezas donadoras agregadas. Las siguientes ecuaciones se ocupan para
obtener el Nivel de Fermi en un material tipo p:

,
_

+
i
po
Fi F
n
p
kT E E ln

,
_

+
a
V
V F
N
N
kT E E ln
de donde: p
po
es el nmero de huecos presente en el material, N
V
es la densidad efectiva en
la banda de valencia y N
a
el nmero de impurezas aceptoras agregadas al material.
En un material semiconductor extrnseco adems de los portadores de carga
agregados (impurezas), existen los portadores del propio material. Para encontrar la
cantidad de portadores mayoritarios que hay en el material semiconductor se utilizan las
siguientes expresiones:
50
(2.28a)
(2.28b)
(2.29a)
(2.29b)
(2.30)
Ecuaciones de
Fermi
para el material
tipo p.
Ecuaciones de
Fermi
para el material
tipo n.
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
( ) ( ) [ ]
2 2
4
2
1
i a d a d no
n N N N N n + +
no
i
no
n
n
p
2

Para el caso de los materiales fuertemente dopados las ecuaciones anteriores se simplifican
quedando:
d no
N n
si a d
N N
>> i
n
y
d
N
>>
a
N
d
i
no
N
n
p
2

( ) ( ) [ ]
2 2
4
2
1
i d a d a po
n N N N N p + +
po
i
po
p
n
n
2

Igual que en el caso anterior en un material tipo p fuertemente dopado:

a po
N p
si d a
N N
>> i
n
y a
N
>> d
N
a
i
po
N
n
p
2

Cuando en un material semiconductor extrnseco tipo n, los portadores que ocupan

el nivel donador adquieren energa suficiente para saltar a un nivel de energa superior
(banda de conduccin), se convierten en donadores ionizados. Lo mismo pasa para un
material semiconductor extrnseco tipo p; si los electrones que se encuentran en la banda de
51
(2.31)
(2.32a)
(2.33b)
(2.32b)
(2.33a)
(2.34a)
(2.34b)
Para el material tipo
n.
Para el material
tipo p.
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
valencia adquieren suficiente energa para saltar al nivel aceptor, las impurezas aceptoras
que se encuentran en el nivel aceptor sern ocupadas y se convertirn en impurezas
aceptoras ionizadas. Las siguientes expresiones nos dan la cantidad de portadores
ionizados tanto para un material tipo n como tipo p respectivamente:
1
1
1
1
]
1

,
_

+
kT
E E
d d
F d
e
N N
2
1
1
1
1

,
_

kT
E E
a
a
F a
e
N
N
4 1
en las ecuaciones anteriores
+
d
N representa la cantidad de donadores ionizados y

a
N la
cantidad de aceptores ionizados.
En el material intrnseco existe una neutralidad de cargas y el material extrnseco no
es la excepcin. Si el material es elctricamente neutro, la suma de las cargas positivas
(huecos y tomos donadores ionizados) y la suma de cargas negativas (electrones y tomos
aceptores ionizados) debe ser igual con cero; as se obtiene:
0 +
a d o o
N N n p
Ejemplo: A un material intrnseco (Silicio) se le agregan impurezas de Arsnico
(As) con un valor de N
d
= 2.3x10
16
cm
-3
. Calcule el Nivel de Fermi, la densidad de huecos y
electrones a una temperatura de 400K; con E
C
= 2eV, E
V
= 0.88eV, E
Fi
= 1.44eV.
Como primer paso se debe calcular la cantidad de portadores minoritarios que
existen en el material semiconductor de silicio. En un material semiconductor extrnseco
tipo n, los portadores mayoritarios estn formados por los electrones y se denominan como
n
no
(electrones en un material tipo n en equilibrio) y, a los portadores minoritarios en el
mismo material como p
no
(huecos en un material tipo n en equilibrio); as, la ec 2.22 queda
de la siguiente manera:
52
(2.35)
(2.37)
(2.36)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
np n
i

2
po no i
p n n
2
Si se introducen impurezas de As (impurezas donadoras N
d
) al material de Si, estas
se convierten en los portadores mayoritarios (o sea, N
d
= n
no
) y, los portadores minoritarios
sern los huecos (es decir, N
a
= p
no
). Substituyendo N
d
y N
a
en la ec anterior, se obtiene:
a d i
N N n
2
Despejando N
a
:
d
i
a
N
n
N
2

Necesitamos conocer el valor de la densidad de portadores intrnseca. Este valor lo

podemos obtener de la grfica que se encuentra en el apndice H. Substituyendo los valores
correspondientes, se tiene:
( )
16
2
12
10 3 . 2
10 2 . 6
x
x
N
a

3 9
10 67 . 1

cm x N
a
Conociendo este valor, podemos comprobar con la ec 2.30 y 2.31 el nmero de portadores
existentes en el material:
( ) ( ) [ ]
2 2
4
2
1
i a d a d no
n N N N N n + +
53
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
( ) ( ) ( )
1
]
1

+ +
2
12
2
9 16 9 16
10 2 . 6 4 10 6713 . 1 10 3 . 2 10 6713 . 1 10 3 . 2
2
1
x x x x x n
no
3 16
10 15 . 1

cm x n
no
d
i
no
i
po
N
n
n
n
p
2 2

( )
16
2
12
10 15 . 1
10 2 . 6
x
x
p
po

3 9
1 0 3 4 2 . 3

c m x p
p o
Se observa que los resultados anteriores concuerdan con los de N
a
y N
d
.
A continuacin se calcular el nivel de Fermi utilizando la ecuacin 2.26 para un material
semiconductor tipo n.

,
_

+
i
no
Fi F
n
n
kT E E ln
( )( )

'

1
]
1

,
_

+

12
16
6
10 2 . 6
10 3 . 2
ln 400 10 2 . 86 44 . 1
x
x
x E
F
( ) [ ] { }
6 3
10 7096 . 3 ln 10 48 . 34 44 . 1 x eV x eV E
F

+
eV E
F
72 . 1
54
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Para encontrar el nmero de donadores ionizados se utiliza la ec 2.34 pero antes,
debemos calcular el valor de E
d
(el valor de E
D
se encuentra en el Apndice H) de la
siguiente manera:
D C d
E E E
013 . 0 2
d
E
eV E
d
987 . 1
Ahora podemos calcular el nmero de portadores que est presente en el nivel
donador de la siguiente manera:
kT
E E
d
d
F d
e
N
n

+

2
1
1

,
_

3
10 48 . 34
72 . 1 987 . 1
16
2
1
1
10 3 . 2
x
d
e
x
n
3 16
10 0019 . 0

cm x n
d
Substituyendo el valor de E
d
y el de E
F
para encontrar el nmero de portadores ionizados en
la ec 2.34, se obtiene:
1
1
1
1
]
1

,
_

+
kT
E E
d d
F d
e
N N
2
1
1
1
1
55
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
( )( )
1
1
1
1
1
]
1

,
_

400 10 2 . 86
72 . 1 987 . 1
16
6
2
1
1
1
1 10 3 . 2
x
d
e
x N
3 14
10 2999 . 2
+
cm x N
d
El cristal semiconductor debe preservar la neutralidad de carga elctrica, por lo
tanto, la condicin de neutralidad nos sirve para comprobar que el material es
elctricamente neutro, como se muestra a continuacin:
0 +
d a
N p N n
0 10 3 . 2 10 6713 . 1 10 6713 . 1 10 3 . 2
3 16 3 3 9 3 16
+

cm x cm x cm x cm x
0 0
Graficando el resultado anterior se obtiene lo siguiente:
La densidad de los portadores mayoritarios n (impurezas donadoras, electrones)
es mayor que el nmero de portadores minoritarios p (huecos) originan que el nivel de
Fermi se encuentra desplazado unos cuantos electrn-volts por encima de E
g
/ 2. Al ser
no d
n N
+
significa que todos los portadores mayoritarios han pasado del nivel donador E
d
a la banda de conduccin (como puede verse en la ltima grafica de la figura anterior). Las
Figura 2.7 Representacin grfica de los resultados anteriores.
56
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
frmulas vistas anteriormente nos muestran que tipo de material semiconductor extrnseco
podemos obtener variando la cantidad de impurezas, ya sea donadoras o aceptoras, que se
obtendr. Inclusive estas frmulas sirven para un material semiconductor intrnseco al cual
se le agreguen los dos tipos de impurezas (aceptoras y donadoras) como se ver en la
siguiente unidad.
2.5 Proceso de Conduccin.
Conociendo el valor de la densidad de cargas en un semiconductor, podemos
calcular el flujo de corriente en presencia de un campo elctrico o magntico.
A la temperatura del cero absoluto ( 0K ), los tomos en un semiconductor se mantienen
estticos en sus posiciones dentro de la estructura del retculo. Si el material experimenta
una temperatura superior al cero absoluto, los tomos comenzarn a vibrar en sus
posiciones de equilibrio, provocando una dispersin de cargas (portadores). Los portadores
dentro del semiconductor se mueven como si ellos fueran partculas libres que no son
afectadas por la presencia de tomos en el material. A la temperatura ambiente la velocidad
trmica de los electrones en volumen en un semiconductor es aproximadamente de 10
7
cm/seg.
Los portadores se mueven a travs del semiconductor hasta que ocurre una colisin.
Las colisiones tambin llamadas eventos de difusin, se deben a los defectos, impurezas,
etc. Estas colisiones causan un cambio abrupto en la velocidad y la energa del portador en
el momento de la colisin. El movimiento del portador resultante es semi-azaroso debido a
cambios frecuentes en la direccin y velocidad.
Tomando como ejemplo a un solo electrn, su movimiento trmico resultara ser
azaroso y la probabilidad de que este volviera a su posicin inicial es remota (figura 2.8).
57
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Si se considera un nmero mucho mayor de electrones (por ejemplo 10
25
/cm
3
) no
existir una direccin preferida de movimiento del grupo y por lo tanto, no existir un flujo
de electrones neto. Lo anterior cambiar si se aplica un campo elctrico al semiconductor
(figura 2.9). Cada electrn experimenta una fuerza debida al campo, esta fuerza es de
magnitud suficiente como para sobreponerse al movimiento desordenado de los portadores
producidos por la agitacin trmica.
Sin embargo, la trayectoria de los electrones no est libre debido a que existen otros
tomos en el material provocando colisiones que reducen la velocidad con la cual se
desplazaban, pero el campo aplicado hace que recuperen su velocidad.
Figura 2.8 Movimiento trmico de
un electrn.
Figura 2.9 Arrastre de electrones y huecos por accin
del campo elctrico.
58
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
2.6 Movilidad de los portadores.
Si partimos de una carga en reposo q que est situada en la proximidad de un campo
elctrico E, entonces q experimentar una fuerza F igual a:
qE F
esta fuerza produce una aceleracin de la carga definida como:
m
F
a
m
qE
a
La partcula adquiere una velocidad de vuelo libre en , dando:
m
qE
at v


La carga experimenta una colisin perdiendo toda la velocidad que haba ganado
por la accin del campo, quedando una velocidad media dada por:
m
qE
v
2

Esta velocidad se superpone a la agitacin trmica y viene a ser la velocidad de

arrastre con que la carga se desplaza a travs del material. En la ecuacin anterior los
trminos E y v no son constantes para cada material y cada tipo de portador. La velocidad
de arrastre que llamaremos v
d
, es proporcional al campo elctrico aplicado. Por lo tanto la
ecuacin anterior se puede escribir como:
59
(2.38)
(2.39)
(2.40)
(2.41)
(2.42)
(2.43a)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
*
m
q

E v
d

en donde es la movilidad de arrastre de las partculas. A lo largo de esta derivacin
nosotros simplemente consideramos la masa, m, de la partcula. Sin embargo para
incorporar el efecto del potencial peridico de los tomos en el semiconductor se consider
la masa efectiva, m
*
, en lugar de la masa de la partcula libre. La movilidad definida de la
ecuacin anterior puede expresarse como la velocidad promedio de la partcula por unidad
de campo elctrico aplicado expresada por:
E
v

La unidad de movilidad es la velocidad por unidad de campo, es decir, cm
2
/Vseg. La
movilidad decrece con el incremento de la masa efectiva pero, se incrementa con la
temperatura.
Ejemplo: La movilidad de los electrones en un semiconductor puro de Arseniuro de
Galio es de 8,500 cm
2
/Vseg y su masa efectiva es de 0.067 m
0
. Cul es el tiempo libre
medio entre los eventos de dispersin?
Usando la ecuacin 2.43a para la movilidad, tenemos:
*
m
q

q
m
*

convirtiendo 8,500 cm
2
/Vseg a m
2
:
60
(2.44)
(2.43b)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
( ) [ ]
19
30
10 6 . 1
10 91095 . 0 067 . 0 85 . 0

x
x

seg x
12
10 324 . 0


pseg 324 . 0
2.7 Densidad de la Corriente de Corrimiento.
Si tenemos un semiconductor que presenta una concentracin de electrones de
conduccin n, la cantidad de carga mvil Q en un paraleleppedo de una seccin transversal
A y una longitud l est dada por:
nqAl Q
q es el valor de la carga del electrn. Si vemos Al representa una distancia d; substituyendo
en la ecuacin anterior:
nqd Q
La carga Q necesita un tiempo t para recorrer la distancia d debido a la aplicacin
de un campo elctrico E perpendicular a A, la corriente resultante debida al flujo de
electrones est dada por:
t
Q
J
n

t
nqd
J
n

t
d
v
61
(2.45)
(2.46)
(2.47)
(2.48)
(2.49)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
d n
nqv J
substituyendo la ecuacin 2.36 en la ecuacin 2.43, queda:
E nq J
n n

donde
n
es la velocidad de corrimiento de los electrones en el semiconductor. Si el
semiconductor presenta adems de la concentracin de electrones n, una concentracin de
huecos p, la densidad de corriente J
p
debida al flujo de huecos es:
E pq J
p p

donde p representa la concentracin de huecos y
p
la movilidad de corrimiento de los
huecos. Como la corriente total es la suma de corriente de electrones y huecos, la densidad
de corriente de corrimiento es:
( )
p n
p n qE J +
Esta ecuacin representa simplemente la Ley de Ohm. La tensin aplicada es E y
(n
n
+ p
p
) es una constante para el material supuesto a una temperatura dada, de esta
forma se obtiene:
R
V
I
R
1

substituyendo ecuacin 2.46 en la ecuacin 2.45:
E I
62
(2.50)
(2.51)
(2.52)
(2.53)
(2.54)
(2.55)
(2.56)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
representa la conductividad elctrica.
2.8 Conductividad Elctrica.
La conductividad elctrica de un material ( la recproca de la resistividad )es
la densidad de corriente por unidad de campo elctrico, es decir:
E
I

teniendo en cuenta la ecuacin 2.48 y despejando la ecuacin 2.44 se obtiene:
( )
p n
p n q +
La ecuacin anterior nos da una expresin general aplicable a cualquier tipo de
material. Para un semiconductor intrnseco n = p = n
i
, la ecuacin 2.49 se convierte en:
( )
p n i
qn +
En el caso de un material tipo n, la conductividad resulta:
( )
n n p n n n n
q n p n q +
debido a que la contribucin que presentan los huecos a la conductividad de un material
tipo n es por lo general despreciable. A su vez, para el material tipo p la ecuacin 2.51
queda:
( )
p p n p p p n
q p n p q +
63
(2.57)
(2.58)
(2.59)
(2.60)
(2.61)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
Las unidades para la conductividad estn expresadas en mho/metro u (ohmio-
metro)
-1
, e en coulombios, n y p en portadores por metro cbico (cm
-3
), y en m
2
/Vseg.
2.9 Resistividad.
La resistividad se define como la constante de proporcionalidad entre el campo
elctrico y la densidad de corriente J:
J
es el valor recproco de la conductividad, esto es:

y
J
Para semiconductores con ambos tipos de portadores, electrones y huecos, se
obtiene:
( ) p n q
p n

+

1 1
Si n >> p, como en un semiconductor tipo n:
n q
n

n q
n

Para el caso contrario, en que p >> n:
64
(2.62)
(2.63)
(2.64)
(2.65)
(2.66a)
(2.66b)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
p q
p

p q
p

Ejemplo: Calcule la conductividad y la resistividad de una oblea de silicio tipo n la
cul contiene 10
16
electrones por centmetro cbico con una movilidad de electrones de
1,400 cm
2
/Vseg.
La conductividad se obtiene agregando al producto de la carga electrnica q, la
movilidad de portadores, y la densidad de portadores de cada tipo, :
( )
p n
p n q +
Como un material tipo n no contiene casi huecos, la conductividad ser igual a:
n q
n

sustituyendo valores:
( )( )
16 19
10 400 , 1 10 6 . 1

x
( )
1
24 . 2

cm
La resistividad es la inversa de la conductividad :
( ) p n q
p n

+

1 1
y es igual a:
65
(2.67a)
(2.67b)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
24 . 2
1

cm 446 . 0
2.10 Proceso de difusin.
En un semiconductor los portadores (electrones o huecos) no estn bien distribuidos
y hay zonas donde existe una mayor cantidad concentrada que otras zonas. Por lo tanto,
existe un movimiento azaroso de las regiones de alta concentracin a las de baja
concentracin, a este proceso se le conoce como difusin (figura 2.10).
En un semiconductor se presenta una difusin a travs de impurezas, esto significa
que los tomos de impureza son centros de difusin eficiente cuando tienen una carga neta.
Los donadores y aceptores ionizados en un semiconductor son un ejemplo comn de tales
impurezas. La cantidad de difusin debida a fuerzas electroestticas entre el portador y la
impureza ionizada depende del tiempo de interaccin y el nmero de impurezas. Las
concentraciones de impureza ms grandes producen una
movilidad ms baja.
El movimiento de difusin se superpone al movimiento
de los portadores por la accin trmica. Es importante recalcar
que el proceso de difusin es el resultado natural del movimiento
azaroso de los portadores mientras no exista una fuerza que fuerce a los portadores a
Figura 2.10 Difusin de cargas.
66
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
moverse de un punto a otro. La corriente de difusin es debida a los gradientes de las
concentraciones de los portadores y se da por:
n n n
qD J
p p p
qD J
en donde:
q = Carga del electrn.
D
n
= Coeficiente de difusin.

n
= Operador nabla de electrones.
El signo negativo en la ecuacin anterior nos indica solamente que el flujo de
huecos es en sentido contrario al flujo de los electrones.
Existe una relacin entre la constante de difusin y la movilidad. Al principio
parece no haber ninguna relacin entre las dos ya que la fuerte tendencia es distintamente
diferente: la difusin es causada a travs de la energa trmica mientras que el arrastre es
causado por un campo externamente aplicado.
Para semiconductores en los cuales n es mucho menor que N
C
, se tiene:
n n
q
kT
D

,
_

p p
q
kT
D

,
_

Las ecuaciones (2.70) y (2.71) son conocidas como las relaciones de Einstein. A
300K kT/q = 0.0259 V, y los valores de D son obtenidos de los resultados de la movilidad
mostrados en el Apndice X. Las movilidades discutidas anteriormente son las movilidades
de conductividad, que se ha mostrado para ser igual a las movilidades de arrastre.
2.11 Corriente Total.
67
(2.68)
(2.69)
(2.70)
(2.71)
Unidad 1 Crecimiento de Cristales
La corriente total de los electrones es obtenida agregando la corriente de difusin
causada por el gradiente de concentracin de portadores y la corriente de arrastre causada
por el campo elctrico, obteniendo:
n qD n q J
n n n
+
p qD p q J
p p p
+
la densidad de la corriente total es la suma de las densidades de las corrientes de electrones
y huecos:
p n cond
J J J +
Aqu J
n
y J
p
son la densidad de corriente de electrones y la densidad de corriente de
huecos. En las ecuaciones (2.72a) y (2.72b) se supone que no hay campos magnticos
presentes o cuando menos, que su efecto en los portadores es pequeo en comparacin con
el campo elctrico.
La corriente total es igual a la densidad de corriente multiplicada por el rea
perpendicular al flujo del portador:
( )
p n total total
J J A AJ I +
Los smbolos J
n
y J
p
se usa para representar la densidad de flujo de partcula en
tanto que I se usa para la densidad de la corriente elctrica.
68
(2.72a)
(2.72b)
(2.73)
(2.74)