Eletronica Geral

APOSTILA PARA A DISCIPLINA
ELETRONICA GERAL
Curso
Tcnico em Automao Industrial e ca
Professor: MSc. Thiago Ribeiro de Oliveira
Betim, Agosto de 2011
Eletrnica Geral o
Sumrio a
1 Introduo e Conceitos Bsicos ca a 1.1 Sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Elementos de um sinal eltrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 1.2.1 Amplitude de um sinal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1.1 Valor Instantneo . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 1.2.1.2 Valor de pico-a-pico . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1.3 Valor de pico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1.4 Valor mdio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 1.2.1.5 Valor Ecaz ou RMS - Root Mean Square . . . . 1.2.2 Frequncia de um sinal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 1.2.2.1 Representao Grca do Espectro de Frequncia ca a e 1.2.3 Fase de um sinal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 F sica dos Semicondutores 2.1 Estrutura Atmica . . . . . . . . . . . . . . . o 2.1.1 N veis e Bandas de Energia . . . . . . 2.2 Material Extr nseco - Dopagem . . . . . . . . 2.2.1 Material Tipo n . . . . . . . . . . . . . 2.2.2 Material Tipo P . . . . . . . . . . . . . 2.2.3 Portadores Majoritrios e Minoritrios a a 1 1 2 3 3 3 4 4 4 4 6 7 12 12 14 18 18 19 20 21 21 23 24 26 26 27 28 28 29 30 30
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3 Diodos 3.1 A Juno PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ca 3.1.1 Polarizao Direta da Juno PN . . . . . ca ca 3.1.1.1 Curva Caracter stica do diodo em 3.1.2 Polarizao Reversa da Juno PN . . . . ca ca 3.1.2.1 Regio de Zener e Avalanche . . a 3.2 Modelos aproximados do Diodo . . . . . . . . . . 3.2.1 O diodo ideal . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Primeira Aproximao . . . . . . . . . . . ca 3.2.3 Segunda Aproximao . . . . . . . . . . . ca 3.2.4 Modelo de um diodo na Regio de Zener . a 3.3 Diodo Emissor de Luz - LED . . . . . . . . . . .
Prof. Thiago R. de Oliveira
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . polarizao direta ca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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Automao Industrial ca
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4 Aplicaes do Diodo em Circuitos Eletrnicos co o 4.1 Anlise de circuitos a diodos em c.c. . . . . . . . a 4.1.1 Circuito bsico . . . . . . . . . . . . . . a 4.1.2 Exemplos de circuitos a diodos simples . 4.1.3 Funes Lgicas a Diodos . . . . . . . . co o 4.2 Anlise de circuitos a diodos em c.a. . . . . . . a 4.2.1 Reticador de Meia-Onda . . . . . . . . 4.2.2 Reticador de Onda Completa . . . . . . 4.2.2.1 Reticador em Ponte . . . . . . 4.2.2.2 Reticador com Tap-central . . 4.3 Reticadores com ltro capacitivo . . . . . . . . 4.3.1 Reticador de meia-onda . . . . . . . . . 4.3.2 Reticador onda completa em ponte . . 4.4 Reguladores de Tenso . . . . . . . . . . . . . . a 4.4.1 O Regulador Zener . . . . . . . . . . . . 5 O Transistor Bipolar de Juno - TBJ ca 5.1 Operao de um transistor NPN . . . . ca 5.1.1 Transistor sem polarizao . . . ca 5.1.2 Transistor em corte. . . . . . . 5.1.3 Transistor em saturao . . . . ca 5.1.4 Transistor na regio ativa . . . a 5.1.5 Modelo de Ebers-Moll . . . . . 5.2 Conguraes Bsicas de um transistor co a 5.2.1 Congurao Base-comum . . . ca 5.2.2 Congurao Emissor-comum . ca 5.2.3 Congurao Coletor-comum . ca 5.3 Limites de Operao . . . . . . . . . . ca
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33 33 33 35 40 42 42 47 47 49 50 51 55 57 57 62 63 63 64 65 65 67 67 67 68 70 70 72 72 74 75 76 77 78 79 82
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6 Aplicao de Transistores em c.c. ca 6.1 Transistor como chave . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.1 Acionamento de rel . . . . . . . . . . . . e 6.2 Polarizao de circuitos transistorizados . . . . . ca 6.2.1 Polarizao por fonte de corrente . . . . . ca 6.2.2 Polarizao Fixa . . . . . . . . . . . . . . ca 6.2.3 Polarizao Fixa com Resistor de Emissor ca 6.2.4 Polarizao por divisor de tenso . . . . . ca a Referncias Bibliogrcas e a
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ii
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Cap tulo 1 Introduo e Conceitos Bsicos ca a

Eletrnica o ramo da cincia que estuda o comportamento de eltrons em materiais o e e e eltricos e dispositivos semicondutores e constitui formas de se controlar o uxo desses e eltrons, de modo a se poder processar sinais eltricos de diferentes formas. O estudo e e de sistemas eletrnicos envolve questes relacionadas ` f o o a sica dos semicondutores, anlise a de circuitos eltricos e tcnicas de processamento de sinais e energia. A presente apostila e e tem como intuito introduzir os conceitos envolvendo esses trs ramos bsicos e desenvolver e a tcnicas de anlise e projeto de circuitos eletrnicos de forma direcionada. e a o Neste cap tulo introdutrio sero apresentados conceitos e terminologias associadas o a a sinais eltricos e alguns procedimentos envolvendo processamento de sinais. As dise cusses realizadas neste cap o tulo serviro como base para as anlises a serem realizadas a a posteriormente. Este material foi desenvolvido para ser um instrumento de consulta complementar, no tendo como objetivo substituir o contedo apresentado nos livros didticos indicados a u a pelo professor em sala de aula. Para se obter um conhecimento mais profundo sobre o tema de eletrnica bsica altamente recomendvel que o aluno procure as bibliograas o a e a citadas por esta apostila.
1.1
Sinais
Um sinal um meio de representar as informaes contidas em fato ou fenmeno e co o f sico presentes em nosso mundo. Na rea tcnica, tratamos como sinal todo fenmeno a e o que carrega informaes uteis a um processo ou sistema. Como exemplo, imagine que co um sistema de controle tem que controlar a temperatura de um forno industrial, para esse sistema as informaes referentes ` variao da temperatura da cmara ao longo co a ca a do tempo um sinal, assim como as informaes de presso, vazo de combust e co a a vel, etc. Para um sistema de transmisso de rdio, um tipo de sinal seria a voz do locutor, a qual a a transporta as not cias a serem anunciadas. Um tipo de processo pode receber informaes co advindas de vrios sinais, alguns uteis, como os exemplicados acima, outros, indesejveis. a a Normalmente trata-se os sinais indesejados em um determinado processo como ru do.
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Os sistemas eletrnicos a serem discutidos nessa apostila tem como intuito principal o processar os sinais necessrios para o funcionamento de um processo. No entanto, os sisa temas eletrnicos apenas interpretam grandezas eltricas, como tenso e corrente. Assim o e a sendo, para que os diversos fenmenos f o sicos possam ser processados necessrio que estes e a sejam primeiramente convertidos em sinais anlogos de corrente ou tenso. Esse processo a a de converso realizado por equipamentos espec a e cos chamados de transdutores, dos quais podemos citar o microfone (transdutor de presso), o termopar (transdutor trmico), a e o LDR (transdutor luminoso), entre outros. Os transdutores mais utilizados em processos industriais sero tema das disciplinas de instrumentao e controle, para o dado momento, a ca nos basta saber que os sinais relacionados a eventos f sicos podem ser representados no dom nio eltrico. e Como os sinais eltricos so gerados a partir de eventos f e a sicos, eles possuem um comportamento varivel com o tempo, ou seja, a magnitude do sinal pode mudar de valor a ao longo do tempo. Desta forma um sinal eltrico pode ser representado por um grco e a temporal, como o ilustrado na Figura 1.1.
Figura 1.1: Sinal eltrico arbitrrio e a Existem no entanto, diversos termos utilizados para descrever as caracter sticas de um determinado sinal eltrico. Nas prximas sees esses termos sero melhor discutidos. e o co a
1.2
Elementos de um sinal eltrico e
Como comentado, um sinal eltrico pode se apresentar de diversas formas, dependendo e do evento que o criou e do processamento sobre ele realizado. Assim sendo, costuma-se denir alguns parmetros para melhor denir as caracter a sticas de cada sinal. Um sinal convencional possui trs componentes bsicos: e a Amplitude - Dene a magnitude do sinal eltrico (Unidade dependente do tipo de e grandeza analisada); Frequncia - Dene o nmero de ciclos que aquele sinal exibe em um segundo (Mee u dido em Hertz);
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Fase - Dene o deslocamento do sinal em relao a um instante de referncia (Medido ca e em graus ou radianos); Um sinal pode, portanto, transportar informaes inseridas em pelo menos um desses co trs componentes. Existem, contudo diversas formas de se interpretar e trabalhar com e cada um desses componentes, como ser discutido mais a seguir. Para tanto, considere a como exemplo inicial a representao de um sinal simples descrito na Figura 1.2. ca
Figura 1.2: Elementos de um sinal eltrico e
1.2.1
Amplitude de um sinal
A amplitude de um sinal eltrico mede a magnitude daquele sinal, sendo que a unidade e referente a tal magnitude est relacionada ` grandeza analisada. Por exemplo, um sinal a a de tenso ter sua magnitude medida em Volts, um sinal de corrente, em Ampres e um a a e sinal potncia, em Watts. A amplitude pode ser denida de vrias formas diferentes, e a determinando valores distintos. Assim sendo, apresentamos aqui algumas denies mais co comumente utilizadas. 1.2.1.1 Valor Instantneo a
O valor instantneo de um sinal representa a magnitude do sinal em cada instante de a tempo. 1.2.1.2 Valor de pico-a-pico
O Valor de pico-a-pico representa a magnitude existente entre o ponto mximo do sinal a em um per odo e o seu ponto m nimo. Na Figura 1.2 o valor de pico-a-pico representado e por AP P .
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1.2.1.3
Valor de pico
O valor de pico representa a magnitude existente entre o ponto mximo do sinal em a um per odo e o valor mdio do sinal. Na Figura, o valor de pico representado por AP . e e 1.2.1.4 Valor mdio e
O valor mdio a magnitude da mdia de um sinal ao longo de um per e e e odo. Na Figura 1.2, o valor mdio representado por Am . A denio de valor mdio dada pela equao e e ca e e ca abaixo: 1 t Am = x(t)dt (1.1) T 0 Ou seja, igual ` soma das reas sob a curva de um sinal, dividido pelo per e a a odo. 1.2.1.5 Valor Ecaz ou RMS - Root Mean Square
O valor RMS, ou seja , o valor mdio quadrtico, um representao de magnitude e a e ca muito utilizado em sistemas eltricos. Contudo esse valor no pode ser extra apenas e a do pela anlise da forma de onda do sinal, como feito com os demais. Esse valor surge com a e a necessidade de se medir a capacidade de gerar potncia de um sinal. e O valor ecaz um valor cont e nuo atribu a um sinal arbitrrio, de modo que a do a potncia dissipada sobre um resistor alimentado por um sinal cont e nuo de magnitude igual ao valor RMS de um sinal arbitrrio ser igual ` potncia dissipada pelo mesmo resistor a a a e quando este alimentado pelo sinal arbitrrio em si. e a A equao que dene o valor ecaz : ca e 1 t x(t)2 dt (1.2) ARM S = T 0 Talvez o valor RMS mais importante de ser lembrado por alunos de eletrnica o o e Valor Ecaz de uma senide pura. Considera-se uma senide pura um sinal eltrico de o o e forma de onda senoidal com valor mdio nulo e frequncia xa, como ilustra a Figura 1.3. e e Neste caso, o Valor Ecaz do sinal senoidal puro seria: AP ARM S,Senoide = 2 (1.3)
1.2.2
Frequncia de um sinal e
A frequncia de um sinal eltrico representa quantos ciclos, ou per e e odos, daquele sinal ocorrem em um intervalo de um segundo. O valor de frequncia representado pela e e unidade Hertz (Hz), a qual signica ciclos/segundo. O valor inverso da frequncia o e e per odo de um sinal, ou seja, o tempo necessrio para que este sinal complete um ciclo. a Na Figura 1.2, o per odo do sinal representado por T . Assim a frequncia do sinal seria: e e
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Figura 1.3: Sinal senoidal puro
f=
1 T
(1.4)
Em uma abordagem mais ampla, diz-se que a frequncia medida a partir do nmero e u de ciclos de um sinal a frequncia fundamental daquele sinal. Esse termo surge e e de uma anlise baseada na Teoria de Fourier, a qual estipula que qualquer sinal pode a ser constitu pela soma de sinais senoidais puros de frequncias, magnitudes e fases do e diferentes. Assim, um sinal real possuiria mais do que uma frequncia unica, mas sim um e espectro de frequncia composto por vrias componentes, sendo a componente mais e a signicativa chamada de fundamental. Para ilustrar a composio de um sinal qualquer, considere um sinal quadrado de ca 100Hz mostrado na Figura 1.4.
Figura 1.4: Sinal Quadrado de Valor de pico 1 e frequncia igual a 100Hz e O teorema de Fourier diz que esse sinal pode ser decomposto em uma srie de sinais e senoidais harmnicos, ou seja, de frequncias mltiplas da fundamental, chamada de srie o e u e
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de Fourier. Como exemplo, uma onda quadrada pode ser descrita pela seguinte srie de e Fourier: 4 1 1 AP [sen(t) + sen(3t) + sen(5t) + ...] (1.5) 3 5 Onde: = 2f e, neste exemplo, f = 100Hz. Observe que neste caso todas as demais componentes alm da fundamental possuem e uma frequncia equivalente ` frequncia da fundamental multiplicada por um fator inteiro. e a e A essas componentes d-se o nome de componentes harmnicas, pois so mltiplas da a o a u componente principal. Para exemplicar o efeito da soma de senides, realizamos a soma o da fundamental com o terceiro e o quinto harmnico, seguindo a srie descrita em (1.5), o e o resultado mostrado na Figura 1.5. e AQ =
Figura 1.5: Comparao entre a onda quadrada e o sinal composto por senides harmnicas ca o o Nota-se que o sinal resultante da soma de senides se assemelha mais ` onda quadrada o a do que a um sinal senoidal. Ao se somar mais componentes harmnicas, mas prximo se o o tornar o sinal resultante do sinal de referncia, provando o Teorema de Fourier. A decoma e posio em sries, contudo, no uma tarefa trivial, envolvendo conceitos matemticos ca e a e a que esto alm do escopo desta apostila. Logo, importante para o aluno apenas coma e e preender que qualquer sinal peridico pode ser decomposto em uma srie de Fourier, o o e que faz com que o sinal senoidal seja de grande valia no estudo e projeto de sistemas eletrnicos. o 1.2.2.1 Representao Grca do Espectro de Frequncia ca a e
Normalmente, quando se quer analisar o valor das diferentes componentes harmnicas o presentes em um sinal, ou seja, deseja-se avaliar o seu conte do harmnico, comum u o e utilizarmos uma forma mais simples de visualizao dessas componentes. Podemos conca struir um grco Amplitude x Frequncia, onde cada componente representada por a e e uma raia de amplitude igual ao valor de pico do sinal senoidal correspondente. Assim montamos um diagrama espectral do sinal, como ilustrado na Figura 1.6 para uma onda quadrada.
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Figura 1.6: Diagrama espectral de uma onda quadrada Este tipo de representao simplica muito o entendimento do funcionamento de diverca sos sistemas eletrnicos como amplicadores e ltros, temas estes abordados na disciplina o de eletrnica operacional. o
1.2.3
Fase de um sinal
Matematicamente, considera-se que um sinal peridico, seja ele eltrico ou no, tem o e a durao eterna, ou seja, comeou em um tempo innitamente distante e continuar para ca c a sempre mantendo os mesmos atributos que o descrevem. Sabemos que essa armao ca no realista, uma vez que os sinais, como representaes de eventos f a e co sicos, duram um intervalo mensurvel de tempo (mesmo que este seja de alguns milhes de anos!), no a o entanto, essa uma maneira de podermos trat-los como sinais peridicos e lanar mo e a o c a de ferramentas matemticas conhecidas e simplicadas para analis-los. Uma vez dito a a isso, ca claro que ao se analisar um per odo, ou trecho, de um sinal, importante denir e um instante de tempo de referncia, ou seja, em qual momento queremos vericar os e atributos de um determinado sinal. Acontece, todavia, que esse instante de referncia e no necessariamente estar alinhado com o in de um ciclo do sinal a ser analisado. a a cio ` distncia (em radianos ou graus) entre o instante de referncia e o in de um novo A a e cio ciclo do sinal analisado d-se o nome de ngulo de fase, ou simplesmente fase. Para a a exemplicar essa ideia, observe as duas ondas senoidais apresentadas na Figura 1.7. Note que a onda em Azul se inicia no mesmo instante em que o eixo do tempo tem seu valor nulo, ou seja, t = t0 = 0 (t0 normalmente o s e mbolo utilizado para denir o instante de referncia.). Nesse caso, dizemos que a onda senoidal possui fase nula, ou e zero, pois est em fase com o instante de referncia. J a onda em Preto se inicia em um a e a instante posterior ao da onda azul, sendo que a distncia angular entre a onda preta e o a o a instante t0 de 2 , ou 90 . Logo, podemos dizer que esta onda possui um ngulo de fase e de 90o . Comumente podemos empregar o conceito de fase ao comparar duas ondas em um mesmo intervalo de tempo. Mantendo ainda o exemplo da Figura 1.7, podemos dizer que a onda preta est 90o atrasada em relao ` onda azul, isso pois a onda azul tem seu a ca a in cio em um instante anterior ` onda preta. Logo, existe um defasamento entre as a
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Figura 1.7: Ondas senoidais defasadas entre si. duas ondas, o qual pode ser medido em graus (90o ), ou radianos ( ). No caso do sinal 2 senoidal e seus derivados, a fase pode ser incorporada ` equao que dene o sinal, como a ca mostrado a seguir: e S(t) = Ap sen(t + ) Onde: S(t) o sinal dependente do tempo; e Ap o valor de pico do sinal; e = 2f a frequncia angular do sinal, medida em radianos/s; e e f a frequncia do sinal em Hertz; e e o ngulo de fase em radianos; e a t o instante de tempo que dene um valor instantneo do sinal avaliado; e a (1.6)
Exerc cios Resolvidos

E1.1 - Para o sinal mostrado na gura 1.8 abaixo calcule:
a) Valor de pico-a-pico; b) Valor mdio; e c) Valor de pico; d) Frequncia (Hz); e e) ngulo de fase. a Resoluo: ca O sinal triangular mostrado na gura 1.8 excursiona entre os valores 0 e 4V, logo, o seu valor de pico-a-pico (diferena entre ponto mximo e m c a nimo) de 4V. e
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Figura 1.8: Forma de onda do exerc E1.1. cio Para calcular o valor mdio, deve-se calcular a rea de um ciclo e dividi-la pelo e a per odo. Como a forma de onda triangular, podemos utilizar a rea de um tringulo e a a Base Altura [ ] para calcular o que desejamos. Assim: 2 Sarea = 4 6 103 2 = 12 103 V s. Como o per odo mostrado de 6ms, o valor mdio do sinal seria: e e
3 12 10 = 2V . S= 6 103
O valor de pico a diferena entre o ponto de mximo do sinal (4V) e o seu valor e c a mdio (2V), assim, o valor de pico para o sinal em questo seria de: e a Sp = 4V 2V = 2V .
1 O sinal possui per odo igual a 6ms, como a frequncia de um sinal f = T , a frequne e e cia do sinal ser de: a
f=
1 = 166, 67Hz. 6 103
Note que o primeiro ciclo do sinal aps a origem do grco se inicia no instante t = 2ms, o a este intervalo de tempo corresponde ` defasagem do sinal em relao ` origem. Contudo, a ca a como foi pedido o ngulo de defasagem, devemos realizar uma regra de trs para denir a e a resposta correta. Lembrando que um ciclo completo corresponde a uma volta completa no c rculo trigonomtrico, ou seja, 360o ou 2 radianos, fazemos: e 2ms = 6ms 360o 2ms 360o 2 = 360o = = 120o = rad. 6ms 3 3 Resp. a) 4V; b) 2V; c) 2V; d) 166,67Hz; e) 120o ou
2 rad. 3
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E1.2 caz.
- Para o sinal quadrado mostrado na Figura 1.9, calcule o valor e-
Figura 1.9: Forma de onda do exerc E1.2. cio Resoluo: ca O primeiro passo para resolver esse exerc entender a equao (1.2). O operador cio e ca integral, ao longo de um intervalo de tempo, calcula a rea sob a curva naquele intervalo a de tempo. Assim, o clculo do valor ecaz feito da seguinte forma: a e 1. Eleva-se o sinal ao quadrado; 2. Calcula a rea sob a curva do sinal quadrtico ao longo de um intervalo de tempo a a determinado (no caso, em um per odo); 3. Divide-se a rea resultante pelo intervalo de tempo; a 4. Extrai-se a raiz quadrada do resultado. Seguindo ento esses passos, elevamos primeiramente o sinal ao quadrado, encontrando a ento a forma de onda descrita na Figura 1.10. a Uma vez feito isso, podemos calcular a rea do sinal em um per a odo. Sarea = 9 1 103 = 9 103 . O valor mdio desse sinal resultante calculado ao dividir-se a rea do sinal em um e e a per odo e o intervalo de tempo que constitui esse per odo: Sm = Sarea T = 9 103 = 9V . 1 103 10
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Figura 1.10: Forma de onda do exerc E1.2 elevada ao quadrado. cio Para nalizar o clculo do valor ecaz, extra a mos a raiz quadrada do valor mdio ene contrado: SRM S = 9 = 3V .
Resp.: 3V.
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Cap tulo 2 F sica dos Semicondutores

2.1 Estrutura Atmica o
Figura 2.1: Atomo de Bohr
Os tomos, elementos constituintes da matria, so formados por trs elementos bsia e a e a cos: Prtons - Carga eltrica positiva; o e Neutrons - Elementos sem carga eltrica; e Eltrons - Carga eltrica negativa. e e O modelo atmico de Rutherford-Bohr, ilustrado na Figura 2.1, dene que um tomo o a formado por um ncleo, no qual se encontram os neutrons e prtons, componentes e u o estes responsveis por grande parte do peso atmico, e ao redor do ncleo se encontram a o u os eltrons, estes dispostos em camadas eletrnicas, tambm conhecidas como n e o e veis de energia. Neste modelo os eltrons orbitariam ao redor do ncleo como um sistema solar e u microscpico. Para se manter eletricamente neutro, um tomo precisa possuir a mesma o a quantidade de eltrons e prtons, caso contrrio ele apresentar uma carga eltrica l e o a a e quida,
12
Eletrnica Geral o
transformando-se em um positivo (falta de um eltron) ou um negativo (sobra de on e on um eltron). e O diagrama de Pauling estipula que os tomos podem possuir at 7 camadas eletrnicas a e o (K, L, M, N , O, P e Q). Cada camada, no entanto, pode ser ocupada por um nmero u mximo de eltrons, como descreve a Tabela 2.1. a e Tabela 2.1: Distribuio de Eltrons em Camadas Eletrnicas ca e o Camada Eletrnica Nmero Mximo de Eltrons o u a e K 2 L 8 M 18 N 32 O 32 P 18 Q 2 Cada camada ainda pode ser dividida em sub-n veis de energia (s, p d e f), os quais podem ser ocupados tambm por um nmero mximo de eltrons. A Tabela 2.2 explicita e u a e o nmero mximo de eltrons pass u a e veis de serem alocados em cada n de energia. vel Tabela 2.2: Distribuio de Eltrons em Sub-n ca e veis de Energia Sub-n de energia Nmero Mximo de Eltrons vel u a e s 2 p 6 d 10 f 14 ` A medida que as camadas eletrnicas se afastam do ncleo, maior a energia potencial o u e associada `quela camada, ou seja, menor a inuncia da fora de atrao do ncleo sobre a e e c ca u os eltrons das camadas mais exteriores. A variao da energia contida em cada n ao e ca vel longo das camadas ilustrada na Figura 2.2, onde as setas indicam a variao de um n e ca vel de menor energia para um de maior energia. A distribuio dos eltrons de um determinado tomo nas camadas tambm segue a ca e a e variao da energia mostrada na Figura 2.2, ou seja, os eltrons se distribuem primeiraca e mente nas camadas mais interiores (com menor energia) e vo subindo para n a veis de energia mais altos. Para exemplicar essa situao considere um tomo de Sil 1 , cujo ca a cio nmero atmico 14 (14 prtons e 14 eltrons), iremos distribuir esses eltrons nas cau o e o e e madas eletrnicas seguindo a orientao da Figura 2.2: o ca
1
O sil o material semicondutor mais utilizado atualmente para a confeco de dispositivos eletrnicio e ca o
cos.
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Eletrnica Geral o
Figura 2.2: Variao da energia nos n ca veis e camadas Camada s p d f K 2 L 2 6 M 2 2 Observe que um tomo de Sil possui apenas 3 camadas, sendo a camada M a ultima a cio camada que contm eltrons. Neste caso, a ultima camada ocupada por eltrons denome e e e inada camada de valncia. Notamos que o sil um tomo tetravalente, isto , possui e cio e a e 2 quatro eltrons em sua camada de valncia. De acordo com a regra do octeto , o tomo e e a de sil ser estvel apenas se conseguir adquirir mais quatro eltrons. Essa aquisio de cio a a e ca eltrons ocorrer por meio do compartilhamento dos eltrons da camada de valncia com e a e e outros tomos, esse tipo de ligao qu a ca mica conhecida como ligao covalente. As e ca ligaes covalentes permitem a criao de longas redes de tomos dando origem a cristais co ca a de um determinado material. Quando uma rede composta apenas por tomos de um e a mesmo material, aquela rede passa a ser denominada intr nseca, no caso de houver um grande nmero de impurezas em uma rede (tomos de outros materiais imersos na rede) u a chamamos a rede de extr nseca. O sil intr cio nseco ser formado idealmente apenas por a tomos de sil a cio, os quais fazem ligaes covalentes com outros tomos vizinhos, como co a ilustrada a Figura 2.3, nota-se que um elemento do cristal de sil possui um formato cio tetradrico. e
2.1.1
N veis e Bandas de Energia
Como comentado, os eltrons de um determinado tomo se encontram dispostos em e a camadas eletrnicas, distribu o dos de acordo com a energia potencial associada a cada um deles. A f sica quntica explica com propriedade que existem n a veis discretos de energia associados a cada uma das camadas eletrnicas, o que implica em dizer que um eltron o e
Um tomo ser estvel, ou seja, no necessita realizar ligaes qu a a a a co micas, se o nmero de eltrons u e presentes em sua camada de valncia for igual a oito. e
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Figura 2.3: Cristal de sil cio. a) Compartilhamento de eltrons entre tomos de sil e a cio. b)
Distribuio espacial de um elemento do cristal de sil ca cio.
pertencente a um tomo no pode apresentar qualquer valor de energia potencial, mas a a sim, n veis bem denidos pela estrutura atmica. Isso faz com que existam, entre as o camadas eletrnicas, bandas de energia proibidas, ou seja, as quais nunca sero ocupadas o a por eltrons. Uma banda proibida entre duas camadas eletrnicas chamada de Gap e o e de energia. O gap determina a quantidade de energia potencial necessria para que um a eltron de uma determinada camada possa pularpara uma outra camada. Normalmente e a energia associada a um eltron medida em eV (eltron.volt), onde: e e e 1eV = 1, 6 1019 J A Figura 2.4 ilustra os n veis de energia associados a um tomo simples. a (2.1)
Figura 2.4: Distribuio dos n ca veis de energia em um tomo simples. a A distribuio dos n ca veis de energia mostrada na Figura 2.4 referente apenas a um e tomo simples isolado. Contudo, como j discutimos, os tomos se dispem em redes a a a o cristalinas formadas pela associao de diversos tomos. A interao de um tomo com ca a ca a os seus vizinhos na rede cristalina altera a composio dos n ca veis de energia, uma vez que estes tambm dependem da posio de cada tomo na rede. Essa alterao age no sentido e ca a ca de se expandir o n de energia, formando bandas de energia, como ilustra a Figura 2.5. vel
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Figura 2.5: Distribuio das bandas de energia em uma rede cristalina. ca Os eltrons da banda de valncia so aqueles que menos sentem a fora de atrao e e a c ca exercida pelos seus respectivos ncleos. Caso estes eltrons recebam uma quantidade u e de energia sucientemente grande para vencer essa fora de atrao, eles iro se tornar c ca a eltrons livres, isto , no estaro mais ligados ao seu tomo de origem, podendo ento e e a a a a circular pela rede cristalina livremente. Esse estado de energia no qual um eltron se torna e um eltron livre tratado como uma nova banda de energia, acima da banda de valncia, e e e chamada de banda de conduo. Eltrons na banda de conduo esto mais suscet ca e ca a veis ` ao de campos eltricos, podendo portanto participar na conduo de corrente eltrica. a ca e ca e OBS: Quando um eltron atinge a banda de conduo, tornando-se livre, ele deixa e ca um buracona sua ligao covalente de origem. Esse buraco ou lacuna pode ser ocuca pado eventualmente por um eltron prximo, o que produzir uma nova lacuna em e o a um outro ponto do material. Para ns de estudo de eletrnica, criou-se um artif o cio matemtico que trata a lacuna como um elemento atmico prprio, tendo carga posia o o tiva e ligado ` banda de valncia, ou seja, essa produo de novas lacunas no material a e ca vista como uma corrente de lacunas na banda de valncia. e e Para se compreender o artif que a lacuna, imagine que a rede cristalina uma cio e e sala completamente cheia, com pessoas sentadas em cadeiras. Se por algum motivo uma pessoa quiser sair, ela deixar uma cadeira vazia. Essa pessoa pode ser enxergada como a um eltron livre, pois no est presa a nenhuma posio xa na rede cristalina. A cadeira e a a ca vazia seria o equivalente ` lacuna deixada pelo eltron. Imagine agora que essa cadeira a e vazia fosse ocupada por uma outra pessoa, que deixou o seu lugar de origem, notaremos que a cadeira vazia agora estar em um outro ponto da sala. Neste contexto, poder a amos avaliar o movimento das pessoas que se deslocam na sala, assim como poder amos estudar o movimento das cadeiras vazias, o que fosse mais conveniente. A quantidade de eltrons livres presentes na banda de conduo, para um determinado e ca material, depende principalmente do gap de energia existente entre a banda de conduo e ca
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a de valncia. Cada material possui um perl de gap diferente, o que inui diretamente na e condutividade do material. A Figura 2.6 mostra o perl do gap de energia para materiais ditos condutores, isolantes e semicondutores.
Figura 2.6: Materiais eltricos de acordo com a disposio do gap de energia em temperae ca
tura ambiente.
Onde Eg a energia do gap. Para alguns materiais semicondutores temos: e Ge - Eg = 0, 67eV ; Si - Eg = 1, 1eV ; GaAs - Eg = 1, 41eV . Nota-se que em temperatura ambiente os materiais isolantes no apresentaro nenhum, a a ou quase nenhum eltron na banda de conduo, constituindo uma baixa condutividade. e ca Os materiais semicondutores apresentaro poucos eltrons na banda de conduo, sendo a a e ca ocupao dessa banda fortemente dependente da temperatura. Em altas temperaturas um ca semicondutor possuir muitos eltrons livres, aproximando-se de um material condutor, a a e baixas temperaturas essa quantidade diminui, aproximando o material de um isolante. Os materiais condutores, por sua vez, apresentam um entrelaamento das bandas de conduo c ca e valncia, implicando em se ter um grande nmero de eltrons livres, ou seja, uma alta e u e condutividade. OBS: Em materiais semicondutores, o aumento da temperatura do material confere maior energia aos eltrons da banda de valncia, fazendo com que a quantidade e e de eltrons que atingem a banda de conduo aumente. Com isso, pode-se dizer que a e ca condutividade de materiais semicondutores aumenta com a temperatura, ao contrrio a dos materiais condutores, os quais perdem condutividade com o aumento da temperatura. Dizemos que os materiais semicondutores possuem coeciente de temperatura negativo, enquanto os condutores possuem coeciente de temperatura positivo.
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Eletrnica Geral o
2.2
Material Extr nseco - Dopagem
Como comentado anteriormente, em materiais semicondutores intr nsecos a quantidade de eltrons na banda de conduo e a quantidade de lacunas na banda de valncia e ca e dependem principalmente da largura do gap de energia e da temperatura do material. Na prtica, no entanto, impurezas3 presentes nos cristais de materiais semicondutores a podem alterar fortemente as caracter sticas da rede, modicando assim a concentrao de ca eltrons livres e lacunas. As caracter e sticas eltricas de um material intr e nseco pode ser completamente alterada pela adio de apenas 1 parte de impurezas por cada 10 milhes ca o de partes de semicondutor. Para a construo de dispositivos semicondutores, foco do estudo e desenvolvimento da ca eletrnica moderna, as caracter o sticas eltricas dos materiais semicondutores intr e nsecos so propositalmente alteradas pela adio de impurezas, criando os chamados materia ca ais extr nsecos tipo n e tipo p. O processo de formao dos materiais extr ca nsecos e denominado Dopagem, e ser explicada com mais detalhes nas prximas sees. a o co
2.2.1
Material Tipo n
Os materiais extr nsecos do tipo n tm como portador majoritrio os eltrons livres, e a e logo, o processo de dopagem deve ocorrer no sentido de aumentar a concentrao de ca eltrons na banda de conduo em temperatura ambiente. Como, normalmente, os matee ca riais semicondutores mais comuns como o Germnio (Ge) e o Sil (Si) so tetravalentes, a cio a a dopagem do tipo n efetuada ao se inserir na rede cristalina do semicondutor impurezas e doadoras de eltrons, isto , tomos que ao serem inseridos na estrutura cristalina iro e e a a fornecer um eltron para a banda de conduo. e ca Os elementos doadores mais comuns so: o arsnio, o fsforo ou o antimnio. Esses a e o o materiais so pentavalentes, ou seja, possuem 5 eltrons na camada de valncia. Ao se a e e inserir tomos pentavalentes em uma rede de tomos tetravalentes (Germnio ou Sil a a a cio), um eltron no ir formar uma ligao covalente. Neste caso temos a formao de um e a a ca ca on negativo dentro da rede cristalina. O eltron desassociado de qualquer ligao covalente e ca est fracamente conectado ao seu ncleo, o que faz com que ele possa ser arrancado de a u sua rbita mais facilmente. A Figura 2.7 exemplica a congurao de um elemento de o ca uma rede com uma impureza doadora. A dopagem do tipo n faz com que aparea dentro do gap entre a banda de valncia e c e a de conduo, um novo n de energia. Os eltrons desassociados encontram-se todos ca vel e nesse novo n vel, sendo que agora a energia necessria para que os eltrons desassociados a e alcancem a banda de conduo seja signicativamente menor do que o gap original do ca sil intr cio nseco.
Em uma rede cristalina de um determinado material intr nseco podem aparecer pequenas quantidades de outros tomos, os quais so chamados de impurezas a a
3
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Figura 2.7: Insero de um tomo doador em uma rede cristalina de Sil ca a cio.
2.2.2
Material Tipo P
Em um material tipo p, os portadores majoritrios so as lacunas. O processo de a a dopagem, portanto, consiste em se aumentar o nmero de lacunas presentes na banda de u valncia. Para tal, insere-se na estrutura cristalina tomos trivalentes (possuem 3 tomos e a a na camada de valncia), receptores, como o Boro, o Glio e o Indio. A Figura 2.8 ilustra e a o resultado da insero de Boro em um cristal de sil intr ca cio nseco.
Figura 2.8: Insero de um tomo receptor em uma rede cristalina de Sil ca a cio.
Observe que agora no existem eltrons sucientes para realizar todas as quatro liga e aes covalentes necessrias. A falta de um eltron provoca o aparecimento de uma lacuna. co a e
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Eletrnica Geral o
2.2.3
Portadores Majoritrios e Minoritrios a a
Em um material intr nseco, a banda de conduo ocupada exclusivamente por ca e eltrons que adquiriram energia suciente para romper as suas ligaes covalentes e vencer e co o gap de energia. Neste caso, cada eltron livre deixa na banda de valncia uma lacuna, e e isto , a concentrao de eltrons livres e lacunas a mesma. J em um material dopado, e ca e e a a concentrao de eltrons ou lacunas elevada pela insero de impurezas doadoras ou ca e e ca receptoras. Em um material do tipo n, por exemplo, a concentrao de eltrons livres na temca e peratura ambiente muito superior ` observada em um material intr e a nseco, contudo, a concentrao de lacunas no muda muito em relao ao material puro. Isso signica que ca a ca em um material do tipo n existir um grande nmero de eltrons livres e um pequeno a u e nmero de lacunas. Neste caso, chamamos os eltrons de portadores majoritrios e u e a as lacunas de portadores minoritrios. Em um material do tipo p as concentraes se a co invertem, ou seja, a lacuna representa o portador majoritrio e o eltron livre, o portador a e minoritrio. a Como comentado nas sees anteriores, a presena de um tomo doador em meio ` rede co c a a cristalina provoca o aparecimento de um negativo, enquanto que, a presena de um on c tomo receptor gera um positivo. Nesses casos importante frisar que o aparecimento a on e desses ons no faz com que o material como um todo se torne mais negativo ou positivo. a Como o nmero de eltrons e prtons em ambos os casos o mesmo, um material do tipo u e o e n, ou um material do tipo p so eletricamente neutros. a
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Cap tulo 3 Diodos

No Cap tulo 2 discutimos a estrutura f sica de materiais semicondutores intr nsecos e extr nsecos. Esses materiais so a base da eletrnica moderna, a qual baseia-se em a o dispositivos semicondutores constitu dos por junes de materiais tipo n e tipo p. Neste co cap tulo iniciaremos os estudos dos dispositivos semicondutores bsicos e suas aplicaes a co em circuitos eltricos. e
3.1
A Juno PN ca
O dispositivo de estado slido (semicondutor) mais simples o diodo de juno, o o e ca qual constitu por uma juno PN, isto , a unio entre um cristal do tipo n e outro e do ca e a do tipo p. A a unio dos dois cristais ilustrada na Figura 3.1, onde esto explicitados a e a os portadores majoritrios de cada cristal. a
Figura 3.1: Unio entre um cristal do tipo n e outro do tipo p. a Nota-se pela gura que a concentrao de eltrons e lacunas ao longo do corpo do novo ca e material no uniforme. Esse desequil a e brio de portadores faz com que haja, assim que a juno PN formada, uma migrao de portadores de um cristal para o outro, ou seja, ca e ca eltrons do material tipo n iro se deslocar para o material tipo p, e as lacunas faro o e a a caminho contrrio. Assim que um eltron penetra no material tipo p, ele ir se combinar a e a rapidamente com uma lacuna, formando um negativo na borda do cristal. As lacunas, on
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ao penetrarem no material tipo n, tambm sofrero combinao e formaro e a ca a ons positivos na borda do material. Ao longo do tempo, a concentrao de ca ons em torno do ponto de juno entre os dois cristais ir aumentar. Devido a isso, cria-se um campo eltrico ca a e no ponto de juno, o qual age no sentido de impedir a migrao de portadores. Em ca ca um determinado momento a fora desse campo eltrico forte o suciente para impedir c e e que qualquer portador atinja a regio em torno da juno, gerando, portanto, uma regio a ca a depleta de portadores: a regio de depleo, ou camada de depleo. A Juno PN a ca ca ca e os seus elementos so ilustrados na Figura 3.2. a OBS: Para que novos portadores possam ultrapassar a regio de depleo, estes a ca devero possuir energia suciente para vencer a fora exercida pelo campo eltrico a c e formado na juno. Isto indica que a formao da camada de depleo gera uma ca ca ca barreira que impede o deslocamento de portadores entre os cristais do tipo n e do tipo p, essa barreira referenciada comumente como barreira de potencial. A largura e da camada de depleo e a intensidade da barreira de potencial podem variar devido a ca fatores construtivos do dispositivo, material semicondutor utilizado e principalmente pela temperatura do material.
Figura 3.2: Juno PN e a regio de depleo. ca a ca Para a aplicao em circuitos eltricos, adota-se um s ca e mbolo para representar um diodo de juno, o qual apresentado na Figura 3.3. Ao terminal conectado ao material tipo ca e p d-se o nome de Anodo, ao terminal conectado ao material tipo n, d-se o nome de a a Catodo.
Figura 3.3: S mbolo eltrico de um diodo de juno. e ca Observa-se que o diodo de juno um dispositivo de dois terminais, logo, podemos ca e polariz-lo de duas formas: a
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Polarizao Reversa - Aplicao de uma tenso negativa entre o anodo e o catodo; ca ca a Polarizao Direta - Aplicao de uma tenso positiva entre o anodo e o catodo; ca ca a
3.1.1
Polarizao Direta da Juno PN ca ca
Neste tipo de polarizao, aplica-se ao diodo uma tenso externa positiva (VR > 0) ca a entre o anodo e o catodo. Essa diferena de potencial age no sentido de forar os portadores c c majoritrios de cada cristal contra a barreira de potencial. Para explicar melhor como a essa fonte externa afeta o comportamento dos portadores, explicaremos o que ocorre com um eltron pertencente ao material tipo n, a lacuna, por sua vez, se comportar de forma e a semelhante.
Figura 3.4: Polarizao Direta de um Diodo. ca A Figura 3.4 ilustra o comportamento do diodo com a polarizao direta. Com a ca aplicao de uma fonte externa (VR > 0), um eltron do material tipo n ir ser acelerado ca e a contra a barreira de potencial, ou seja, receber energia cintica. Os efeitos causados pelo a e aumento da energia cintica do eltron variam de acordo com a intensidade da tenso e e a aplicada ao diodo: Para pequenos valores de VR - A energia cintica do eltron no suciente para e e a e vencer a barreira, o que faz com que nenhuma corrente eltrica seja percebida entre e os terminais do diodo; ` - A medida que a tenso externa aumenta de magnitude, o eltron ter energia a e a suciente para atravessar a barreira. Uma vez dentro do material tipo p, o eltron e comea a ser freado pela atrao das lacunas presentes naquele material, caso a c ca sua energia cintica seja baixa ele ir eventualmente se combinar com uma lacuna, e a formando um negativo e aumentando a barreira de potencial; on
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Eletrnica Geral o
VR VD - Existe, contudo, um valor de limiar (VD ), a partir do qual a energia cintica transferida ao eltron suciente para que ele vena a barreira de potencial e e e c e percorra todo material tipo p sem se combinar. Desse ponto em diante, observa-se uma corrente ID nos terminais do diodo, a qual ir aumentar exponencialmente com a o incremento de VR . A tenso de limiar depende de diversos fatores como: Tipo de diodo, material do a semicondutor, temperatura, etc. Informaes espec co cas sobre cada diodo so fornecidas a pelos fabricantes de semicondutores nos Datasheets de cada modelo de componente. Para diodos de aplicao comum, a tenso de limiar, ou tenso de conduo, dos diodos ca a a ca a temperatura de 25o so: a Sil - VD 0, 7V ; cio Germnico - VD 0, 3V . a A variao trmica afeta a tenso de conduo do diodo de sil ca e a ca cio da seguinte forma: VD = 2mV /o C (3.1)
OBS: A corrente IS apresentada na Figura 3.4 diz respeito ` corrente formada a pelos portadores minoritrios, os quais so acelerados pela camada de depleo, essa a a ca corrente est na faixa de pico a nanoampres. A corrente entre os terminais do diodo a e ser, logicamente, igual a diferena entre a corrente de portadores majoritrios e mia c a noritrios: a ID = Imajoritarios IS (3.2)
3.1.1.1
Curva Caracter stica do diodo em polarizao direta ca
sica quntica permite levantar uma equao que descreve o comportamento do A f a ca diodo em polarizao direta: ca ( ) ID = IS eVR /nVT 1 (3.3)
Onde: IS a corrente devida aos portadores minoritrios (corrente de saturao); e a ca n = 1, para o sil cio; VT a tenso trmica. Para a temperatura ambiente VT = 25mV . e a e A Figura 3.5 mostra a curva caracter stica do diodo em polarizao direta. ca
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Figura 3.5: Curva caracter stica de um diodo na polarizao direta. ca A forma da curva caracter stica de um diodo independe do tipo de diodo utilizado, no entanto, os valores de tenso e corrente associados a cada ponto da curva podem a variar. Observa-se pela curva, que abaixo da tenso de 0,6V a corrente ID possui valores a insignicantes. Para tenses entre 0,6V e 0,7V, a corrente possui um perl fortemente o exponencial, ` essa regio d-se o nome de Joelho. A partir de 0,7V, a corrente varia com a a a uma inclinao praticamente constante, no entanto, nota-se tambm que uma pequena ca e variao de tenso provocar uma grande variao de corrente. ca a a ca Diodos reais no suportam grandes variaes de corrente, na realidade, eles so faba co a ricados para trabalhar dentro de uma faixa de valores de corrente e tenso. Assim, para a que o componente no exceda os seus limites de segurana, importante associar ao diodo a c e um resistor limitador de corrente. A colocao de um resistor em srie com o diodo ir ca e a determinar, para um determinado circuito, qual o valor de corrente e tenso exibidos pelo a semicondutor. A denio desse ponto feita por meio da reta de carga do circuito, ou ca e seja, traa-se em um grco a caracter c a stica de funcionamento do circuito sem o diodo e a curva caracter stica do diodo, o ponto de cruzamento entre as duas curvas (Ponto Quiescente) ser o ponto de operao do circuito eletrnico. A Figura 3.6 exemplica esse a ca o sistema.
Figura 3.6: Denio de ponto de operao por anlise de reta de carga. ca ca a

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Eletrnica Geral o
3.1.2
Polarizao Reversa da Juno PN ca ca
A polarizao reversa de um diodo semicondutor consiste na aplicao de uma tenso ca ca a negativa (VR < 0) entre os terminais do componente. Ao se fazer isso, a fonte externa injeta lacunas no material tipo n e eltrons no material tipo p. Esses portadores iro e a se combinar formando ons. Esses iro aumentar a camada de depleo e a barreira on a ca de potencial. Esse aumento da barreira de potencial impedir o uxo de portadores a majoritrios, de modo que a corrente observada nos terminais do diodo ser igual apenas a a ` corrente de saturao (devida aos portadores minoritrios). A Figura 3.7 ilustra o a ca a comportamento do diodo durante a polarizao reversa. ca
Figura 3.7: Polarizao Reversa do diodo. ca 3.1.2.1 Regio de Zener e Avalanche a
A corrente reversa de um diodo se mantm em patamares muito baixos mesmo com e grandes variaes da tenso reversa. Contudo, sempre existir um ponto onde os porco a a tadores injetados em cada cristal ter energia suciente para vencer a nova barreira de a potencial e atravessar todo o diodo. Neste ponto, a corrente vista nos terminais do diodo voltar a aumentar com o incremento da tenso aplicada a seus terminais. O ponto onde a a ocorre essa inexo na curva chamado de regio de zener, e mostrado na Figura 3.8. a e a e
Figura 3.8: Curva caracter stica do Diodo com a Regio de Zener. a

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Ao atingir a regio de zener, a tenso terminal do diodo sofre pouca alterao com o a a ca incremento da corrente reversa. Esse atributo muito utilizado em reguladores de tenso e a ou grampeadores de tenso (tema de cap a tulos posteriores). Devido ao alto interesse em utilizar essa regio do diodo, os fabricantes desenvolveram tipos de diodos, cuja tenso a a de Zener muito bem denido, a essa classe de diodos especiais d-se o nome de diodo e a Zener. O s mbolo de um diodo zener um pouco diferente do diodo convencional, sendo e mostrado na Figura 3.9.
Figura 3.9: S mbolo de um diodo zener.
OBS: Em polarizao direta o diodo zener se comporta como um diodo convenca cional. Caso a tenso reversa aplica ao diodo aumentar de magnitude alm da tenso de Zener, a e a os portadores minoritrios iro ser ganhar energia cintica suciente para colidir com os a a e tomos da rede cristalina dos cristais e arrancar os eltrons de valncia de sua rbita. a e e o Quando isso acontece, a concentrao de eltrons na banda de conduo se eleva abrupca e ca tamente e a magnitude da corrente reversa varia rapidamente. Essa grande variao de ca corrente recebe o nome de avalanche. Caso um diodo entre em avalanche, a sua estrutura cristalina ser destru a da, provocando a queimado componente. Nota-se portanto que o ponto de avalanche (normalmente descrito pelo fabricante do componente) deve sempre ser evitado.
3.2
Modelos aproximados do Diodo
Na seo anterior discutimos o funcionamento microscpico do diodo e descrevemos ca o as curvas caracter sticas do dispositivo. Vericamos que o comportamento do diodo para diferentes faixas de tenso extremamente no-linear. Apesar de existirem equaes bem a e a co precisas que descrevem o comportamento do diodo em toda a sua faixa de operao, ca para um estudo rpido e realizao de projetos de circuitos eletrnicos interessante a ca o e encontrarmos um modelo para o diodo que represente as suas caracter sticas principais. Os modelos mais complexos so utilizados em softwares de simulao de circuitos, sendo a ca utilizados quando se deseja obter uma resposta mais precisa do comportamento do circuito. Para a anlise e projeto de circuitos eletrnicos bsicos, 3 modelos aproximados do a o a diodo so utilizados, os quais sero descritos a seguir. a a
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3.2.1
O diodo ideal
Nesta aproximao, o diodo tratado como uma chave ideal, capaz de conduzir corca e rente em apenas um sentido, ou seja: Polarizao Direta - Chave fechada (curto-circuito); ca Polarizao Reversa - Chave aberta (circuito aberto); ca Neste caso, a tenso de limiar ignorada e considera-se que o circuito eletrnico foi a e o projetado de modo a se impedir que o diodo atinja a regio de zener. A gura 3.10 mostra a as duas condies do diodo ideal e a curva caracter co stica desse modelo.
Figura 3.10: Curvas e s mbolos de um diodo ideal. A Tabela 3.1 mostra as caracter sticas do diodo ideal em cada condio de operao. ca ca Tabela 3.1: Caracter sticas de um diodo ideal VD Pol. Direta 0V Pol. Reversa Va ID Va R 0A Resistncia de Contato e 0
3.2.2
Primeira Aproximao ca
Nesta aproximao, a tenso de limiar do diodo representada como uma fonte conca a e stante de tenso em srie com um diodo ideal. Novamente as caracter a e sticas de zener e ruptura (avalanche) so desprezadas. A Figura 3.11 mostra as curvas e os s a mbolos associados com o modelo.
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Figura 3.11: Curvas e s mbolos de um modelo de primeira aproximao. ca As caracter sticas do modelo em primeira aproximao do diodo so mostradas na ca a Tabela 3.2. Tabela 3.2: Caracter sticas de um modelo em primeira aproximao ca VD Pol. Direta Pol. Reversa VLimiar Va ID Va VLimiar R 0A Resistncia de Contato e 0
3.2.3
Segunda Aproximao ca
Nesta aproximao, alm da tenso de limiar, a variao da corrente com a tenso ca e a ca a aplicada ao diodo tambm representada. O modelo consiste em diodo ideal em srie e e e com uma fonte de tenso e um resistor. O valor da resistncia pode ser inferido a partir a e da anlise de algumas regies da curva caracter a o stica do diodo. A Figura 3.12 mostra as curvas e os s mbolos do modelo.
Figura 3.12: Curvas e s mbolos de um modelo de segunda aproximao. ca

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As caracter sticas do modelo em segunda aproximao so apresentadas na Tabela 3.3. ca a Tabela 3.3: Caracter sticas de um diodo em segunda aproximao ca VD Pol. Direta Pol. Reversa VLimiar + rD ID Va ID Va VLimiar R + rD 0A Resistncia de Contato e rD
3.2.4
Modelo de um diodo na Regio de Zener a
Os modelos aproximados de diodos apresentados at o momento dizem respeita a e componentes desenvolvidos para trabalhar longe da regio de zener. No entanto, como a comentado anteriormente, existem componentes projetados para trabalhar nessa regio. a O diodo Zener, contudo, tambm lana mo de modelos aproximados para representar o e c a seu comportamento. Normalmente consideramos que o diodo zener, na polarizao direta ca assume um dos 3 modelos descritos acima, j na regio de zener ele assume um outro a a modelo, descrito na Figura 3.13.
Figura 3.13: Curva e s mbolo do modelo de um diodo zener na regio de zener. a Como mostra a Figura, o diodo zener na regio de zener representado por uma fonte a e de tenso em polarizao reversa de valor VZ0 (tenso de Zener nominal) e um resistor rZ a ca a (resistor de zener) que representa a variao da corrente no zener com a variao da tenso ca ca a aplicada ao diodo. Normalmente, rZ muito pequeno, o que faz com que VZ VZ0 . e
3.3
Diodo Emissor de Luz - LED
Existem diversos tipos de diodos, desenvolvidos para cada tipo de aplicao. Um diodo ca muito interessante e muito utilizado na eletrnica o diodo emissor de luz (LED - Light o e Emitting Diode). O LED funciona da mesma maneira que os diodos comuns, contudo, ao ser polarizado diretamente, ele emite luz em uma banda bem denida. Existem diversos
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tipos de LEDs (alto brilho, indicador, LED de potncia, LED Branco, LED Vermelho, e LED Verde, LED Azul, etc...). No curso de eletrnica geral, consideraremos apenas os LEDs indicadores, os quais o possuem Tenso de Limiar (V ) na faixa de 1,5V a 2,5V e assume corrente de at 100mA. a e A Figura 3.14 ilustra o encapsulamento t pico de um LED indicador com os seus elementos principais e o seu s mbolo eltrico. Note que para identicar um LED corretamente deve-se e localizar no encapsulamento o chanfro que indica a posio do Catodo. ca
Figura 3.14: Encapsulamento de um LED e seus elementos principais.
Existem muitos encapsulamentos de diodos dispon veis no mercado, contudo, uma grande variedade delas trazem uma marca, cuja funo facilitar a identicao dos ca e ca terminais do diodo. Normalmente essa marca uma tarja escura localizada no terminal e Catodo, como ilustra a Figura 3.15.
Figura 3.15: Exemplo de tarja de identicao de um diodo (Encapsulamento DO-41). ca
Questes o
E.3.1 - Procure na Internet os Datasheets dos seguintes Diodos:
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Eletrnica Geral o
1N4007; 1N5407; 1N4148; 1N4736; BAS116; MUR860; A partir dos dados do datasheet determine: 1. Tenso de limiar; a 2. Corrente mxima Direta; a 3. Tenso de Ruptura ou Tenso de Zener; a a 4. Resistncia srie; e e 5. Mxima Potncia; a e 6. Tempo de recuperao Reversa1 (trr ) ; ca 7. Encapsulamento.
Todo diodo demanda um tempo para que a corrente que o atravessa chegue a zero, esse o tempo de e recuperao reversa. Esse tempo indica a velocidade com que um diodo pode trabalhar (ligar e desligar). ca
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Eletrnica Geral o
Cap tulo 4 Aplicaes do Diodo em Circuitos co Eletrnicos o

O estudo do comportamento de dispositivos semicondutores e o levantamento de modelos aproximados que possibilitem uma rpida e consistente avaliao dos estados das a ca grandezas eltricas (corrente e tenso) dos dispositivos nos permitem realizar a anlise e e a a o projeto de circuitos eletrnicos. A associao de diodos e outros dispositivos d origem o ca a a uma gama innita de conguraes, as quais apresentam variadas respostas aos sinais co de entrada dos circuitos eletrnicos, isto , a partir da associao de dispositivos semio e ca condutores podemos construir desde uma simples porta lgica a um complexo sistema de o processamento de dados (computador, DSP e microcontroladores). Contudo, para que o estudante de eletrnica seja capaz de compreender plenamente o funcionamento de tais o sistemas e possa tambm constru e -los extremamente importante que ele compreenda e como que os dispositivos semicondutores interagem com outros elementos em um circuito eltrico. Neste sentido interessante que o estudante esteja familiarizado com algumas e e conguraes bsicas, as quais constituem blocos elementares utilizados na construo de co a ca diversos sistemas eletrnicos. o A abordagem utilizada neste cap tulo ser baseada na anlise de algumas topologias a a bsicas de circuitos a diodos. A princ discutiremos circuitos a diodos com entrada em a pio corrente cont nua e em seguida discutiremos os circuitos com corrente alternada.
4.1
4.1.1
Anlise de circuitos a diodos em c.c. a

Circuito bsico a
Nesta seo analisaremos o circuito a diodos mais elementar poss ca vel, mostrado na Figura 4.1, onde possu mos uma fonte de tenso (E) um diodo (D1 ) e um resistor (R). a A gura tambm apresenta a curva caracter e stica do diodo empregado em polarizao ca direta. Como comentado em cap tulos anteriores, a denio do ponto de operao do circuito ca ca como um todo pode ser feita por meio da anlise da reta de carga, onde cruzamos em um a
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Figura 4.1: Circuito a diodos elementar e curva caracter stica. mesmo grco a curva caracter a stica do diodo empregado e a reta de carga do circuito. Para levantar a reta de carga para o circuito apresentado na Figura 4.1, lanamos mo c a da lei de Kirchho: E = VD + VR = VD + RID (4.1)
Considerando a tenso E = 10V (c.c.) a equao apresenta apenas duas variveis a ca a (VD e ID ), as quais so exatamente as mesmas variveis que compem os eixos da curva a a o caracter stica do diodo. Assim sendo, podemos avaliar qual seria o comportamento do circuito ao longo do quadrante mostrado na curva caracter stica: ID = E VD R (4.2)
Verica-se que a relao entre ID e VD para o quadrante avaliado uma reta com ca e inclinao negativa, a qual corta o eixo das ordenadas em VD = E e o eixo das abscissas em ca E ID = R . Assim, podemos traar essa reta de carga em conjunto com a curva caracter c stica do diodo e encontrar o real ponto de operao do sistema. Essa combinao mostrada ca ca e na Figura 4.2.
Figura 4.2: Anlise por reta de carga do circuito da Figura 4.1. a

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Observa-se que para o circuito em questo, a tenso VD = 0, 78V e a corrente ID = a a 9, 22mA. Outra forma de se analisar o circuito seria utilizar os modelos aproximados discutidos no cap tulo anterior. Para a primeira aproximao, por exemplo, ter ca amos: ID = 10V 0, 7V = 9, 3mA 1k (4.3)
Nota-se que o erro obtido pela aproximao foi de aproximadamente 1%, algo muito ca irrisrio, uma vez que a tolerncia de muitos componentes eltricos muito maior do o a e e que isso. Esse erro, no entanto, pode variar de diodo para diodo. Para que a anlise a simplicada seja mais convel, importante vericar o datasheet do componente e buscar a e o valor de VD mais condizente com a aplicao. Pode-se concluir, portanto, que a aplicao ca ca dos modelos simplicados permite uma avaliao mais rpida do estado de um circuito ca a eletrnico, tendo em contrapartida uma perda de preciso na denio das grandezas o a ca eltricas, contudo esta perda muito pequena. Assim sendo, para as prximas anlises e e o a iremos considerar apenas o modelo em primeira aproximao do diodo. ca
4.1.2
Exemplos de circuitos a diodos simples
Para se realizar a anlise de circuitos a diodos importante determinar primeiramente a e o sentido da corrente que passa pelo diodo e ento empregar o modelo em polarizao a ca direta ou reversa. A denio do sentido da corrente, contudo, pode no ser trivial ` ca a a primeira vista, de modo que muitas vezes o estudante deve fazer uma investigao sobre ca o estado do dispositivo. Iremos apresentar alguns exemplos de circuitos a diodos simples, de modo a podermos exemplicar formas de anlise de circuitos a diodos. a Circuito 4.1.2.A
Figura 4.3: Circuito a diodos do Exemplo A Neste primeiro exemplo consideraremos o circuito mostrado na Figura 4.3. Necessitamos primeiramente determinar o sentido da corrente que ter amos caso o diodo estivesse em conduo. Para isso, lanaremos mo de um artif ca c a cio: Considerando que trabalhamos com corrente cont nua (o valor da corrente no muda com o tempo) e que ao conduzir um a diodo apresenta uma queda de tenso xa (VD = 0, 7V ), podemos tratar o diodo como a
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Eletrnica Geral o
D um elemento resistivo (Req = VD ). Assim, substitu mos o diodo por um resistor e vemos I qual seria o sentido da corrente resultante.
Figura 4.4: Determinando o sentido da corrente atravs o diodo. e Notamos que se o diodo estivesse em conduo a corrente iria uir do catodo para o ca anodo, ou seja, o diodo entraria em corte (polarizao reversa). Uma vez conhecido o ca sentido da corrente, aplicamos o modelo adequado para o diodo, neste caso o diodo seria representado por um circuito aberto.
Figura 4.5: Estado nal do circuito do exemplo A. Observa-se ento que a corrente ID = 0A, de modo que a tenso sobre a carga VR = 0V a a e a tenso sobre o diodo de VD = E. a e Circuito 4.1.2.B
Figura 4.6: Circuito do exemplo B.

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Realizando sobre o circuito apresentado na Figura o mesmo artif utilizado no exemcio plo anterior, para se descobrir o sentido da corrente, iremos vericar que o diodo se encontrar diretamente polarizado. Contudo ao tentarmos calcular o valor da corrente ID a observaremos uma incoerncia, observe: e ID = 0, 5V 0, 7V = 0, 17mA 1, 2k (4.4)
Note que a corrente encontrada possui um sinal negativo, isto , circula no sentido e contrrio ao denido no circuito, ou seja, o diodo estaria reversamente polarizado, o que a estaria em desacordo com a nossa anlise. Na realidade o que ocorreu foi o seguinte: a O diodo est diretamente polarizado, no entanto, a tenso da fonte inferior ` tenso a a e a a limiar do diodo, o que indica que os portadores majoritrios do diodo no conseguiram a a ainda vencer a barreira de potencial, logo, o diodo encontra-se em corte, isto , apesar de e polarizado diretamente a corrente que o atravessa igual a zero. e
Circuito 4.1.2.C
Figura 4.7: Circuito do exemplo C. Neste exemplo, ao invs de um diodo apenas, possu e mos uma associao de dois diodos ca em srie: um de Sil e cio (VD = 0, 7V ) e um de Germnio (VD = 0, 3V ). Para avaliar a o sentido da corrente utilizamos o mesmo artif empregado nos exemplos anteriores. cio Observaremos que ambos os diodos estaro diretamente polarizados. O clculo da corrente a a ID e da tenso sobre a carga (Vo ) so feitos da seguinte forma: a a ID = 12V 0, 7V 0, 3V = 1, 96mA 5, 6k (4.5)
Vo = 12V 0, 7V 0, 3V = 11V
(4.6)
Nota-se que para se denir as grandezas eltricas do circuito necessrio considerar e e a as quedas de tenso em ambos os diodos. a
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Eletrnica Geral o
Circuito 4.1.2.D
Figura 4.8: Circuito do exemplo D. Neste exemplo temos um circuito com duas fontes de tenso. Nesse caso, o artif de a cio substituir o diodo por um elemento resistivo no ser suciente para determinar o sentido a a da corrente, uma vez que o valor do elemento pode interferir na anlise. Assim sendo, a iremos por outro caminho: assumiremos que o diodo est em conduo e resolveremos o a ca circuito. Se a nossa considerao estiver equivocada (o diodo no est conduzindo), isso ca a a ser indicado por incoerncias nos valores de tenso e corrente encontrados. a e a Caso o diodo estivesse em conduo, a equao da malha seria: ca ca 10V R1 ID VD R2 ID 25V = 0 Lembrando que, se o diodo conduz: I1 = ID . Assim, ter amos: 10V 25V 0, 7V = 15, 1mA (4.8) R1 + R2 Novamente encontramos uma corrente com sentido inverso ao determinado no in cio da anlise. Isso signica que o diodo encontra-se na realidade em corte, ou seja, ID = 0A. a Logo, necessitamos refazer os nossos clculos e modicar o modelo do diodo empregado. a Considerando que o diodo est inversamente polarizado, o circuito nal caria da seguinte a forma: ID = (4.7)
Figura 4.9: Circuito do exemplo D com o diodo em seu estado correto. Notamos ento que a corrente ID = I1 = 0A. A tenso VO = 25V . e a tenso sobre o a a a diodo ser: a
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Eletrnica Geral o
VD = (10V R1 ID ) (R2 I1 + 25V ) = 10V 25V = 15V Circuito 4.1.2.E
(4.9)
Figura 4.10: Circuito do exemplo E. Neste exemplo, existem dois diodos em paralelo no caminho da corrente. Neste caso, a tenso entre os terminais dos diodos deve ser a mesma, isso indica que o diodo que possuir a a menor tenso limiar ir impor esta tenso sobre o outro diodo. a a a Na prtica, como no existem dois diodos com as mesmas caracter a a sticas, a disposio de dispositivos em paralelo far como que a corrente vista por cada diodo ca a seja diferente (mesmo que minimamente), gerando o que chamamos de desequil brio de corrente. O clculo exato desse desequil a brio imposs de ser realizado, uma e vel vez que no sabemos a priori as caracter a sticas exatas de um diodo espec co (OBS: o datasheet de um diodo indica faixas de valores para um mesmo lote de componentes), por isso consideraremos para anlise que todos os diodos de um mesmo tipo possuem a caracter sticas iguais. No exemplo em questo temos um diodo de Sil e outro de Germnio em paralelo. a cio a Utilizando o artif do elemento resistivo vericamos que ambos os diodos esto diretacio a mente polarizados, contudo, como a tenso limiar do diodo de Germnio menor do que a a e a do de Sil cio, o diodo de Germnio estar conduzindo e o de Sil estar em corte. A a a cio a gura abaixo exemplica essa situao: ca Assim, a corrente ID,Si = 0 e a corrente ID,Ge ser: a ID,Ge = A tenso sobre a carga ser: a a VO = 12V 0, 3V = 11, 7V
12V 0, 3V = 5, 32mA 2, 2k
(4.10)
(4.11)
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Eletrnica Geral o
Figura 4.11: Circuito do exemplo E redesenhado.
4.1.3
Funes Lgicas a Diodos co o
Uma tarefa muito requisitada por sistemas eletrnicos a realizao de operaes o e ca co lgicas e aritmticas com sinais eltricos. As operaes aritmticas (soma, subtrao, etc) o e e co e ca so realizadas no dom a nio analgico por circuitos especiais chamados de amplicadores o operacionais, cujo estudo ser feito em outra disciplina. J as operaes lgicas podem a a co o ser implementadas por meio de circuitos integrados espec cos, conhecidos como portas lgicas (TTL, CMOS, BICMOS, etc), ou por associaes simples de diodos (Funes AND o co co e OR) e transistores (Funo NOT). Nessa seo apresentaremos as conguraes bsicas ca ca co a que implementam as funes OR e AND com diodos. co OBS: Apesar de funcionalmente um circuito lgico a diodos e uma porta lgica o o operarem da mesma maneira, existem diferenas importantes entre as duas implec mentaes de funes lgicas. Para sistemas digitais complexos importante sempre co co o e lanar mo das portas lgicas, por questo de compatibilidade e conana nas inforc a o a c maes manipuladas. co
Funo OR ca
Figura 4.12: Congurao de uma funo OR implementada com diodos. ca ca

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Eletrnica Geral o
A congurao mostrada na Figura 4.12 ilustra uma funo OR implementada com ca ca diodos. As entradas da funo so as tenses V1 e V2 e a sa da mesma a tenso sobre ca a o da e a o resistor de pull-down, VO . Para se realizar a anlise do circuito e comprovar que ele a capaz de implementar uma funo booleana OR sobre as entradas, temos que vericar e ca a resposta do sistema frente a todas as combinaes de entrada poss co veis. Faremos isso a seguir: A. V1 = 0V e V2 = 0V Nesse caso, todas as tenses envolvidas no circuito so nulas, o o a que indica que no h circulao de corrente. Isto indica que ambos os diodos devem a a ca estar em corte. Assim, a tenso sobre o resistor de pull-down ser zero; a a B. V1 = 10V e V2 = 0V Utilizando o artif cio do elemento resistivo, vericamos que o diodo D1 se encontra em conduo e o diodo D2 se encontra em corte. Assim, a ca tenso na sa ser VO = 10V 0, 7V = 9, 3V ; a da a C. V1 = 0V e V2 = 10V Esse caso semelhante ao anterior, sendo que agora o diodo D1 e est em corte e o diodo D2 , em conduo; a ca D. V1 = 10V e V2 = 10V Nessa situao ambos diodos se encontram em conduo e a ca ca tenso sobre a sa ser 9,3V. a da a Resumimos as consideraes feitas acima na Tabela 4.1. co Tabela 4.1: Comportamento do circuito de uma funo OR a diodos ca V1 V2 0V 0V 0V 10V 10V 0V 10V 10V VO 0V 9,3V 9,3V 9,3V
Se considerarmos que a tenso 0V representa um n lgico 0 e uma tenso igual ou a vel o a superior a 9,3V representa um n lgico 1, ento vericamos que o circuito da Figura vel o a 4.12 implementada de fato uma funo OR. ca Funo AND ca A Figura 4.13 apresenta a congurao de um circuito que implementa uma funo ca ca AND. As entradas so novamente V1 e V2 , e a sa a da, a tenso VO . Observamos que agora a temos uma fonte externa de 10V conectada ` sa por um resistor de pull-up. Para que a da o circuito funcione adequadamente, o valor do n lgico 1, nas entradas, dever ser vel o a igual ou superior ` tenso externa. a a Nesse circuito, caso alguma das entradas possuir uma tenso igual a 0V, o diodo a ligado `quela entrada estar em conduo. Este diodo forar a tenso na sa a ser a a ca c a a da
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Eletrnica Geral o
Figura 4.13: Congurao de uma funo AND implementada com diodos. ca ca igual ` queda de tenso sobre ele, ou seja, quando uma das entradas 0V, a sa ser a a e da a igual a 0,7V. Quando ambas as entradas forem iguais a 10V (tenso da fonte externa), a ambos os diodos estaro em corte, o que faz com que a tenso na sa seja igual a 10V. a a da Tente analisar o circuito pelos mtodos discutidos anteriormente e comprove as armaes e co acima. A Tabela 4.2 resume o comportamento do sistema. Tabela 4.2: Comportamento do circuito de uma funo AND a diodos ca V1 V2 0V 0V 0V 10V 10V 0V 10V 10V VO 0V 0V 0V 10V
4.2
Anlise de circuitos a diodos em c.a. a
Nesta seo iremos discutir as aplicaes de diodos em circuito que manipulam tenses ca co o em corrente alternada. Algumas das conguraes mais importantes de circuitos a diodos co esto relacionadas a este tema. a
4.2.1
Reticador de Meia-Onda
Os circuitos reticadores so utilizados em uma larga gama de aplicaes: convera co sores CA/CC, fontes de alimentao, detectores de valor de pico, geradores de forma de ca onda, etc. Nesta apostila teremos como foco o estudo de reticadores aplicados a fontes de alimentao, contudo os conceitos aqui desenvolvidos servem para qualquer circuito ca reticador encontrado em sistemas eletrnicos. o O circuito bsico de um reticador monofsico de meia-onda mostrado na Figura a a e 4.14.
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Eletrnica Geral o
Figura 4.14: Congurao bsica de um reticador de meia-onda. ca a Onde: Vi a tenso senoidal de entrada. Vi = Vm sen(2f t); e a VO a tenso de sa e a da; VD a tenso sobre o diodo do reticador; e a ID a corrente que circula pelo diodo e a carga; e R a carga do circuito. e Observa-se que o circuito de um reticador de meia-onda se assemelha ao circuito apresentado na Figura 4.1. Naquele circuito mostramos que o diodo estaria em conduo ca sempre que a tenso da fonte fosse superior ` tenso de limiar do diodo (0,7V). Para o a a a circuito em c.a., essa condio se mantm, no entanto, como a tenso de entrada varia ca e a com o tempo, haver regies de conduo e de bloqueio do diodo. O comportamento do a o ca sistema pode ser melhor entendido se observarmos as formas de onda apresentadas pelo circuito, as quais so apresentadas na Figura 4.15. a
Figura 4.15: Formas de onda de um circuito reticador de meia-onda durante um per odo
do sinal de entrada.
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Eletrnica Geral o
A tenso de pico reversa (ou TPI - Tenso de pico inversa) o valor mximo a a e a negativo atingido pela tenso sobre o diodo do reticador. Ao se escolher um diodo a reticador importante observar se a tenso de ruptura, ou avalanche, desse diodo e a e superior ` TPI do circuito. a Observando as formas de onda apresentadas na gura podemos identicar duas regies o de operao no circuito reticador de meia-onda: ca Semi-ciclo positivo do sinal de entrada - Enquanto a tenso de entrada inferior ` a e a tenso limiar do diodo, no h conduo. Quando a tenso de entrada superior ` a a a ca a e a tenso limiar, o diodo entra em conduo, ento a tenso na sa se iguala ` tenso a ca a a da a a de entrada subtraindo a queda de tenso no diodo (VO = Vi 0, 7V ) a Semi-ciclo negativo do sinal de entrada - Nesse intervalo a tenso de entrada a e inferior a 0V, logo, o diodo se encontrar bloqueado. A tenso na sa nula e a a a da e tenso sobre o diodo igual ` tenso de entrada. a e a a Observando novamente a gura, vericamos que o reticador bloqueou a tenso nega ativa do sinal de entrada, deixando que a carga recebesse apenas a parcela positiva desse sinal. Desta forma, o reticador faz com que um valor mdio seja percebido pela carga. e Isto signica que o sinal de sa VO possui uma parcela alternada e uma parcela conda t nua, enquanto que o sinal de entrada puramente alternado (valor mdio nulo). Por e e esse motivo o reticador tambm conhecido como conversor CA/CC. e e Essa funo de converso CA/CC muito importante em sistemas eletrnicos, uma ca a e o vez que a energia eltrica gerada e distribu no mundo ainda se apresenta no formato e da alternado e as fontes de alimentao da grande maioria do equipamentos eletrnicos devem ca o estar na forma cont nua. Assim sendo, conhecer o valor do n c.c. aplicado ` carga em vel a sistemas reticadores muito importante. Esse valor pode ser encontrado ao se calcular o e valor mdio do sinal de sa utilizando para isso os conceitos discutidos no Cap e da, tulo 1. A resoluo do valor mdio para a forma de onda en questo no est no escopo deste texto, ca e a a a de modo que apenas o resultado ser apresentado. Considerando uma tenso senoidal, o a a valor mdio visto pela carga em um reticador de meia-onda ser: e a Vm 0, 7V = 0, 318(Vm 0, 7V ) (4.12) A Figura 4.16 ilustra a representao do valor mdio em relao ao sinal de sa do ca e ca da reticador. Essa tenso cont a nua ir provocar sobre a carga uma corrente cont a nua tambm, o seu e valor pode ser encontrado ao dividirmos (4.16) pelo valor da resistncia de carga: e VO = 0, 318(Vm 0, 7V ) (4.13) R Considerando que a parcela cont nua do sinal de sa o termo de maior interesse em da e fontes de alimentao, a parcela alternada se torna algo indesejado. Neste caso tratamos ca ID =
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Eletrnica Geral o
Figura 4.16: Forma de onda do sinal de sa do reticador de meia-onda e representao da ca

do valor mdio. e
a parcela alternada pelo nome de ripple1 . No caso apresentado, o valor de pico-a-pico do ripple : e VO = Vm 0, 7V (4.14)
Com essas condies, podemos resumir as caracter co sticas de um circuito reticador de meia-onda em uma tabela, como apresentado a seguir: e Tabela 4.3: Caracter sticas de um circuito reticador de meia-onda. VO 0, 318(Vm 0, 7V ) ID 0, 318(Vm 0, 7V ) R IR 0, 318(Vm 0, 7V ) R VO Vm 0, 7V TPI Vm
Reticador com transformador Ao tratarmos de fontes de alimentao, a tenso de entrada se torna a tenso eltrica ca a a e fornecida pelas concessionrias de energia na rede de distribuio. Nas residncias brasileiras a ca e essa tenso se apresenta nas magnitudes 127Vrms / 220Vrms e com frequncia de 60Hz. a e Nota-se portanto que no poder a amos, com o circuito reticador apresentado acima, produzir uma tenso c.c. qualquer, uma vez que esta dependeria do valor de pico do sinal do a sinal de rede, o qual xo. Para resolver esse problema utilizamos um componente eletroe magntico chamado de transformador. O transformador composto por duas bobinas e e dispostas em um mesmo ncleo ferromagntico2 , como ilustra a Figura 4.17. u e Os pontos presentes sobre as bobinas do primrio e do secundrio indicam a polaridade a a de cada bobina. O termos NP e NS signicam o nmero de bobinas do primrio e do u a secundrio, respectivamente. A relao entre as tenses as correntes nas duas bobinas a ca o e mostrada a seguir:
Ripple um termo ingls que signica oscilao. Logo, ao tratarmos a parcela alternada de um sinal e e ca como ripple estamos dizendo que ela uma oscilao que existe entorno de uma parcela cont e ca nua. 2 Transformadores de baixa frequncia utilizam ncleo de ao-sil e u c cio, j transformadores de altaa frequncia utilizam ncleo cermicos como o ferrite e o permalloy. e u a
1
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Eletrnica Geral o
Figura 4.17: S mbolo de um transformador ideal.
VP IS NP = = (4.15) NS VS IP Ou seja, dependendo da relao entre as espiras do primrio e do secundrio, podemos ca a a elevar ou abaixar o valor da tenso na sa do transformador e assim alterar o valor a da da tenso reticada. Um reticador de meia-onda com transformador apresentado na a e Figura 4.18.
Figura 4.18: Reticador de meia-onda com transformador. Neste circuito a tenso da rede (VS ) aplicada ao primrio e a tenso Vi (entrada do a e a a reticador) a tenso do secundrio. A anlise feita anteriormente a mesma, a unica e a a a e modicao est relacionada com o valor de pico da tenso de entrada do reticador que ca a a agora : e Vi = VS NS NP (4.16)
Exemplo: Se VS a tenso de rede (127Vrms = 180Vpico ) e utilizamos um transfore a mador de 100 espiras no primrio e 10 espiras no secundrio, de modo que NP = 10, a a NS qual o valor de pico do sinal de entrada do reticador de meia-onda e quais so os a seus valores caracter sticos: Valor de Vi - Vi = 180V 10 = 18Vpico ; Valor de V O - V O = 0, 318 (18 0, 7) = 5, 51V ; 46
Eletrnica Geral o
Valor de VO - VO = 18 0, 7 = 17, 3V ; Valor de TPI - TPI = 18V.
4.2.2
Reticador de Onda Completa
O circuito reticador de meia-onda no utiliza a energia contida no semi-ciclo negativo a do sinal de entrada. Para se aproveitar essa parcela de energia utilizamos uma congurao de onda-completa, onde reticamos os dois semi-ciclos. Existem duas topologias de ca reticador de onda-completa: a topologia em ponte e a topologia com tap-central. 4.2.2.1 Reticador em Ponte
A Figura 4.19 mostra o diagrama bsico de um reticador em ponte. a
Figura 4.19: Reticador de onda-completa em ponte. Este circuito possui duas etapas de funcionamento: uma durante o semi-ciclo positivo do sinal de entrada, e outra durante o semi-ciclo negativo. Em cada situao uma dupla ca de diodos est em conduo. A Figura 4.20 ilustra as duas etapas de funcionamento, a ca explicitando quais diodos encontram-se em conduo em cada uma delas e as polaridades ca das tenses e correntes no circuito. o
Figura 4.20: Etapas de funcionamento de um reticador de onda completa em ponte.

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Eletrnica Geral o
Observa-se que em ambas as etapas a corrente na carga (IR ) sempre positiva, logo, e existir tambm uma tenso positiva sobre a carga. As formas de onda de tenso envolvia e a a das no circuito so mostradas na Figura 4.21. a
Figura 4.21: Formas de onda de tenso em um reticador de onda completa em ponte a Nota-se a presena de um segundo lbulo na tenso de sa do circuito, esse segundo c o a da lbulo praticamente dobra o valor da tenso cont o a nua sobre a carga. Constata-se tambm e que, como existem dois diodos no caminho da corrente, a queda de tenso total que incide a sobre a tenso de entrada de 1,4V, ou seja, VO = |Vm 1, 4V |. A TPI tambm a e e e levemente menor do que a observada no reticador de meia-onda. O valor mdio resultante : e e VO = A corrente na carga : e I R = 0, 637 A corrente mdia em cada diodo : e e I R = 0, 318 Vm 1, 4V R (4.19) Vm 1, 4V R (4.18) 2 (Vm 1, 4V ) = 0, 637(Vm 1, 4V ) (4.17)
Nota-se que a corrente no diodo inferior ` corrente na carga, isso porque cada diodo e a conduz apenas meio ciclo da corrente. A Figura 4.22 ilustra as formas de onda das
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Eletrnica Geral o
correntes na carga, nos diodos D1 e D2 e a corrente fornecida pela rede (IS ). OBS: em um reticador de meia-onda todas essas correntes so iguais. a
Figura 4.22: Formas de onda de corrente em um reticador de onda completa em ponte As caracter sticas de um reticador onda-completa em ponte esto resumidas na Tabela a 4.4. Tabela 4.4: Caracter sticas de um circuito reticador de onda-completa em ponte. VO 0, 637(Vm 1, 4V ) 4.2.2.2 ID 0, 318(Vm 1, 4V ) R IR 0, 637(Vm 1, 4V ) R VO Vm 1, 4V TPI (Vm 0, 7V )
Reticador com Tap-central
Figura 4.23: Reticador onda-completa com tap-central

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Eletrnica Geral o
A Figura 4.23 mostra o diagrama de um reticador onda completa com tap-central. Esse reticador usa obrigatoriamente um transformador com dois enrolamentos secundrios. a A tenso em cada enrolamento a metade da tenso total do secundrio. Assim como o a e a a reticador em ponte, este circuito tambm possui duas etapas de operao, ilustradas na e ca Figura 4.24.
Figura 4.24: Etapas de funcionamento de um reticador onda-completa com tap-central Nota-se que o reticador de onda completa com tap-central se equivale a dois reticadores de meia-onda operando de forma complementar, ou seja, em cada semi-ciclo um reticador de meia-onda ir atuar. As formas de onda obtidas com esse circuito so a a muito semelhantes `s vericadas no reticador de onda completa em ponte, no entanto, a a magnitude das tenses sobre alguma variao. A Tabela 4.5 resume as caracter o ca sticas desse circuito. Tabela 4.5: Caracter sticas de um circuito reticador de onda-completa com tap-central. VO (Vm 1, 4V ) 0, 637 2 ID (Vm 1, 4V ) 0, 318 2R IR (Vm 1, 4V ) 0, 637 2R VO Vm 1, 4V 2 TPI Vm 0, 7V
Note que para uma mesma relao de espiras, o reticador com tap central apresenta ca uma tenso cont a nua menor na sa da. Logo, para que ambas as topologias apresentem o mesmo valor de tenso na sa a da, necessrio que a relao de espiras do transformador e a ca com tap-central seja o dobro da de um reticador em ponte. Nesta situao a TPI sobre ca os diodos de um reticador com tap-central ser o dobro da TPI de um reticador em a ponte!
4.3
Reticadores com ltro capacitivo
Como vimos nas discusses da seo anterior, os reticadores tem como intuito fazer a o ca converso CA/CC. No entanto, para um reticador monofsico, mesmo com uma topologia a a
50
Eletrnica Geral o
onda-completa, o maior valor mdio a ser obtido 63% do valor de pico de um sinal e e senoidal. Para melhorar essa converso costuma-se acrescentar ao circuito reticador a um componente armazenador de energia, como um capacitor. A insero do capacitor ca modica o comportamento do circuito, de modo a manter a tenso de sa em um a da patamar mais elevado. As sees seguintes sero dedicadas ao estudo de reticadores com co a ltro capacitivo.
4.3.1
Reticador de meia-onda
Figura 4.25: Reticador meia-onda com ltro capacitivo Ao se inserir um capacitor a um circuito reticador, estamos impedindo que a tenso a decaia rapidamente, logo a variao da tenso de sa ser menor do que em um retica a da a cador puro. A forma de onda da tenso de sa de um reticador de meia-onda com a da ltro capacitivo mostrada na Figura 4.26. e
Figura 4.26: Forma de onda da tenso de sa de um reticador de meia-onda com ltro a da

capacitivo
Observa-se que h uma reduo do ripple de tenso e uma consequente elevao do a ca a ca valor mdio do sinal de sa e da. Para podermos realizar a anlise do sistema, considere o a seguinte:
51
Eletrnica Geral o
VM ax = Vm 0, 7V VM in = VM ax VO VO =
(4.20) (4.21)
VM ax + VM in VO = Vm 0, 7V (4.22) 2 2 Observe que a tenso cont a nua na sa do reticador depende agora do valor do ripple. da Para calcular o ripple sobre a tenso de sa iremos avaliar a carga l a da quida transferida da fonte para o capacitor durante um ciclo da tenso de rede. Sabendo que, para um a capacitor; Qc = CVc (4.23)
Podemos, ento, considerar que a carga mantida pelo capacitor no ponto de m a nima tenso : a e QM in = CVM in J a carga no ponto de mxima tenso ser: a a a a QM ax = CVM ax Assim: Qc = C(VM ax V M in) = CVO (4.26) (4.25) (4.24)
Dividindo ambos os termos da equao pelo per ca odo do sinal de rede encontraremos a equao que dene o valor mdio da corrente de carga: ca e Qc CVO = T T I R = CVO fRede Assim, podemos explicitar a equao que dene o ripple de tenso: ca a VO = IR CfRede (4.29) (4.27) (4.28)
O Onde: I R = VR Vm 0,7V . R Nota-se que para se obter um ripple muito baixo, necessrio que a capacitncia e a a utilizada seja muito alta.
52
Eletrnica Geral o
Exemplo: Calcule o valor do capacitor para se obter um ripple de 5% para um reticador que trabalhe com uma tenso de entrada de 25Vrms e alimente uma carga a de 10. Para resolver esse problema, consideraremos que a tenso de sa aproximadaa da e mente (Vm 0, 7V ). Assim; Vm = 25V 2 = 35, 35V ; V O 35, 35 0, 7 = 34, 65V ; IR = VO 34, 65V = = 3, 46A; R 10
VO = 5% de 34,65V = 1,73V; C= IR 3, 46A = = 33.333, 33F . VO f 1, 73V 60Hz
No existe um capacitor de 33.000 F , logo seria necessrio utilizar um conjunto a a de vrios capacitores em paralelo, chamado de banco capacitivo. a Para avaliarmos as formas de onda de tenso no diodo reticador e a corrente na fonte a e no diodo, utilizaremos um ambiente de simulao, uma vez que denio anal ca ca tica destas formas de onda so muito trabalhosas. Na Figura 4.27 vemos a forma de onda de tenso a a na carga e no diodo.
Figura 4.27: Formas de onda de tenso na carga e no diodo reticador a

53
Eletrnica Geral o
Note que o diodo apenas conduz durante um pequeno intervalo de tempo, na realidade ele conduz apenas durante o tempo em que o capacitor de ltro est sendo carregado. No a restante do tempo, o diodo est bloqueando a tenso da rede. Na simulao, utilizamos a a ca uma tenso de entrada de 30V de pico, observe que a TPI no diodo aproximadamente a e 60V (se o ripple for muito pequeno ela ser exatamente 60V). Assim, para ns de simplia cao, diremos que a TPI de um reticador de meia-onda com ltro capacitivo o dobro ca e de Vm . As formas de onda de corrente na fonte e no diodo so apresentadas na Figura 4.28. a
Figura 4.28: Formas de onda de corrente na fonte e no diodo reticador Para o reticador de meia onda, as formas de onda de corrente no diodo e na fonte so a exatamente iguais. Observa-se que a corrente que passa pelo o diodo possui um carter a pulsante. Isso ocorre porque o intervalo de conduo do diodo muito pequeno, o que faz ca e com que a fonte tenha que entregar uma grande quantidade de carga ao capacitor durante um intervalo muito curto de tempo, dando origem a esses pulsos. A anlise desses pulsos a est fora do escopo desse texto, mas pode ser encontrada nas referncias da apostila. Por a e agora basta saber que: O valor mdio da corrente no diodo igual ao valor mdio da corrente na carga; e e e O valor de pico dos pulsos repetitivos (Ipr ) : e 2f CVO ) ( VO arccos 1 Vm 0,7V 54
Ipr
(4.30)
Eletrnica Geral o
As caracter sticas de um reticador de meia-onda com ltro capacitivo esto resumidas a na Tabela 4.6.
Tabela 4.6: Caracter sticas de um circuito reticador de meia-onda com ltro capacitivo. VO Vm 0, 7V ID Vm 0, 7V R IR Vm 0, 7V R VO IR Cf TPI 2Vm Ipr 2f CVO ( ) VO arccos 1 Vm 0,7V
4.3.2
Reticador onda completa em ponte
Figura 4.29: Reticador onda completa em ponte com ltro capacitivo.
O funcionamento do reticador onda-completa com o ltro capacitivo semelhante ao e descrito na seo anterior. Contudo, como o reticador onda completa possui dois lbulos ca o durante um per odo do sinal de rede, o ripple de tenso para este reticador ser menor. a a Para ns de clculo do valor do ripple, consideramos que um reticador de onda completa a dobraa frequncia do sinal visto pelo capacitor, assim: e IR 2fRede C
VO =
(4.31)
A nova congurao tambm afeta as formas de onda do circuito. A Figura 4.30 ca e mostra as formas de onda de tenso no circuito (carga e diodo). Observamos que, para as a mesmas condies utilizadas na seo anterior, a TPI a metade da encontrada para um co ca e reticador de meia-onda. As formas de onda de corrente so mostradas na Figura 4.31. a Notamos tambm que o valor de pico dos pulsos de corrente diminu e ram, alm disso o e valor mdio da corrente nos diodos ser igual ` metade da corrente mdia na carga. e a a e
55
Eletrnica Geral o
Figura 4.30: Formas de onda de tenso no reticador de onda completa com ltro capacitivo. a
Figura 4.31: Formas de onda de corrente no reticador de onda completa com ltro capacitivo.
As caracter sticas do circuito reticador de onda completa com ltro capacitivo esto a resumidas na Tabela 4.7.
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Eletrnica Geral o
Tabela 4.7: Caracter sticas de um circuito reticador de onda completa com ltro capacitivo. VO Vm 1, 4V ID Vm 1, 4V R IR Vm 1, 4V 2R VO IR 2f C TPI Vm Ipr 2f CVO ( ) VO arccos 1 Vm 1,4V
4.4
Reguladores de Tenso a
Como discutido nas sees anteriores, para que o ripple de tenso na sa de uma co a da fonte de alimentao simples seja pequeno, necessrio que o capacitor seja muito elevado. ca e a Contudo, o uso de bancos capacitivos grandes eleva consideravelmente o custo da fonte. Desta forma, se a regulao3 da tenso de sa for um quesito importante, costuma-se ca a da utilizar circuitos reguladores. Circuitos reguladores podem ser implementados de diversas formas, sendo as mais comuns: o regulador Zener e o uso de circuitos integrados dedicados.
4.4.1
O Regulador Zener
O diodo zener um diodo constru de modo a trabalhar na regio de zener, onde a e do a variao da tenso terminal do diodo com a corrente muito pequena. Esse atributo do ca a e diodo zener utilizado para se construir circuitos reguladores. Considerando o circuito e mostrado na Figura 4.32.
Figura 4.32: Circuito regulador associado ` sa de uma fonte de alimentao. a da ca Para a anlise do circuito regulador, consideraremos: a IZ - Corrente drenada da sa do reticador com ltro, que passa pelo resistor RZ ; da IDZ - Corrente no diodo zener; IR - Corrente na carga (R); VZo - Tenso nominal do diodo zener. a
Regulao indica uma baixa variao da tenso de sa de um circuito, perante fatores como variao ca ca a da ca de carga e variao de linha (rede eltrica) ca e
3
57
Eletrnica Geral o
Substituindo no circuito o modelo do diodo zener, temos o circuito da Figura 4.33.
Figura 4.33: Circuito regulador zener. Realizando uma anlise por meio da lei de kirchho, encontramos as seguintes relaes: a co VO = VC RZ IZ VO = VZo + rZ IDZ IDZ = IZ IR Manipulando as equaes acima, encontramos tambm: co e VO = VC rZ RZ rZ RZ + VZo IR RZ + r Z RZ + r Z RZ + r Z (4.35) (4.32) (4.33) (4.34)
O projeto de um regulador zener passa pela denio da tenso nominal do diodo e ca a pelo clculo do resistor RZ . Esse resistor ir limitar a corrente na carga e garantir um a a n de corrente m vel nimo para fazer o zener funcionar. Podemos explicitar a equao que dene o resistor limitador: ca RZ = VC VZo IDZ + rZ IDZ + IR IDZ + IR (4.36)
Observando os datasheets de diodos zener, vericamos que o fabricante garante a tenso nominal do diodo zener para uma faixa de valores. Normalmente, escolhemos o a valor da corrente no diodo zener (IDZ ) como o ponto central dessa faixa. Assim, temos que garantir que no instante em que a carga estiver drenando a maior corrente, essa corrente IDZ deve passar pelo diodo zener. Para isso, calculamos o valor do resistor limitador (RZ ), de modo que a corrente que passa por ele seja igual a IDZ = IRmax , onde IRmax a mxima corrente drenada pela carga. Escolhemos para os clculos o menor valor da e a a tenso sobre o ltro capacitivo (VM in ), isso pois neste instante que h a maior demanda a e a de carga. Assim, o clculo do resistor limitador ser: a a
58
Eletrnica Geral o
VM in VZo IDZ + rZ (4.37) IDZ + IRmax IDZ + IRmax Outro parmetro importante no projeto de um regulador zener a potncia dissipada a e e pelo diodo. Os fabricantes de diodos projetam os componentes para que eles operem em uma determinada faixa de potncia (devido a questes de dissipao de calor), logo, e o ca deve-se estipular qual a potncia mxima que o zener ir dissipar ao longo da operao do e a a ca circuito. A mxima potncia dissipada pelo diodo zener ocorrer quando a corrente que a e a por ele passa mxima. Isso se dar quando a carga for nula (R ), e a tenso de e a a a entrada for mxima. Neste ponto toda corrente IZ circular pelo diodo zener. Utilizando a a as equaes acima, vemos que: co RZ = VO,P max = VM ax rZ RZ + VZo RZ + r Z RZ + rZ VO,P max VZo rZ (4.38) (4.39) (4.40)
IDZ,P max =
PM ax = VO,P max IDZ,P max Regulao de linha e de carga ca
Quando se constri um circuito regulador, importante vericar a regulao de linha o e ca e a regulao de carga do mesmo. Esses ca ndices indicam qual a variao da tenso de ca a sa do regulador frente a variaes de linha (tenso de entrada) e de carga (corrente de da co a sa da). Em um circuito regulador zener, a denio dos ca ndices de regulao pode ser feito de ca modo direto, a partir da equao (4.35): ca Regulao de Linha ca Regulao de Carga ca VO rz = ; VC RZ + rZ VO RZ rZ = . IR RZ + r Z
Exemplo: Para um sistema que possua os seguintes parmetros: a VM ax = 35V ; VM in = 27V ; IRmax = 500mA; VZo 15V ; rz = 100m;
59
Eletrnica Geral o
IDZmin = 100mA. Calcule: RZ ; Potncia dissipada no resistor RZ ; e VO ; R; PM ax ; Regulao de linha; ca Regulao de carga. ca Utilizando as equaes acima: co VM in VZo IDZ - RZ = + rZ IDZ + IRmax IDZ + IRmax 27 15 100mA RZ = + 100m 100mA + 500mA 100mA + 500mA RZ 20. - PRZ = RZ (IDZmin + IRmax ) = 20 (600mA)2 = 7, 2W . rZ RZ r Z RZ + VZo IR RZ + rZ RZ + rZ RZ + rZ 0, 1 20 2 VO = 27V + 15V 500mA 20, 1 20, 1 20, 1 - VO = VM in VO = 15, 004V 15V ; 15V = = 30. IRmax 500mA [ ] rZ RZ - VO,P max = VM ax + VZo ; RZ + r Z RZ + r Z 0, 1 + 15V 2020, 1 = 15, 09V ; VO,P max = 35V 20, 1 15, 09V 15V VO,P max VZo = = 900mA; - IDZ,P max = rZ 0, 1 -R= - PM ax = VO,P max IDZ,P max = 15, 09V 900mA = 13, 58W . VO
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Eletrnica Geral o
rZ 0, 1 = = 0, 00497 = 0, 497%; RZ + r z 20, 1 RZ r Z 2 - Regulao de carga = ca = = 0, 0995 = 9, 95%. RZ + rz 20, 1 - Regulao de linha = ca
61
Eletrnica Geral o
Cap tulo 5 O Transistor Bipolar de Juno ca TBJ

O transistor foi desenvolvido em meados dos anos 50 por pesquisadores do Bell Labs nos EUA, como um substituto mais eciente e econmico `s vlvulas eletrnicas. Esse o a a o componente passou rapidamente a ser empregado nos mais diversos sistemas, de amplicadores de udio a sistemas de processamento digital, tornando-os mais baratos, coma pactos e ecientes e obviamente, mais acess veis ao grande pblico. u O transistor bipolar de juno (TBJ) um dispositivo semicondutor constitu de ca e do trs camadas de semicondutor extr e nseco, podendo se apresentar de duas formas: Transistor NPN - Uma camada do tipo P entre duas camadas do tipo N; Transistor PNP - Uma camada do tipo N entre duas camadas do tipo P. A Figura 5.1 mostra esses dois tipos de transistores de forma esquemtica. a
Figura 5.1: Camadas de transistores NPN e PNP. Cada camada cristalina de um transistor recebe um nome espec co, relacionado com a sua funo na operao do dispositivo. A camada mais interna chamada de Base, ca ca e sendo utilizada para controlar o uxo de eltrons ao longo do dispositivo. As camadas e mais externas recebem o nome de Coletor e Emissor, ambas so constitu a das pelo mesmo semicondutor dopado, no entanto, o emissor possui um n de dopagem maior vel do que o coletor. A Figura 5.2 mostra os s mbolos eltricos de um TBJ npn e outro pnp. e
62
Eletrnica Geral o
Figura 5.2: S mbolos eltricos de transistores bipolares. e
Se observarmos bem a Figura 5.1, notaremos a presena de duas junes PN ao c co longo do transistor. Logo, poder amos interpretar o transistor como dois diodos: um entre emissor e base e outro, entre o coletor e a base. Essa abordagem, no entanto, no a nos auxilia no estudo do comportamento do transistor, porm nos permite identicar e os terminais de um transistor real. Para identicar os terminais de um transistor devemos, com um mult metro, na funo de medio de diodo, tentar localizar as junes PN do transistor. Como o ca ca co emissor mais dopado do que o coletor, o diodo emissor-base ter uma tenso limiar e a a um pouco maior do que o diodo coletor-base. A Figura 5.3 exemplica essa questo, a para um transistor npn.
Figura 5.3: Identicao de terminais de um transistor npn. ca
A seguir ser analisado o funcionamento de um transistor npn, o transistor pnp tem a um funcionamento semelhante, no entanto os portadores majoritrios so lacunas e no a a a eltrons. e
5.1
5.1.1
Operao de um transistor NPN ca

Transistor sem polarizao ca
A partir da unio dos trs cristais de semicondutor dopado, cria-se duas junes PN. a e co A difuso dos portadores majoritrios em cada cristal gera duas camadas de depleo a a ca prximas aos pontos de juno, assim como ocorre com o diodo de juno. A Figura o ca ca
63
Eletrnica Geral o
5.4 mostra as camadas de depleo e explicita os portadores majoritrios em cada regio ca a a formada.
Figura 5.4: Transistor npn no polarizado. a Notamos pelo esquema apresentado na gura acima que a regio de base de um trana sistor bipolar muito estreita e fracamente dopada. A regio coletora possui uma menor e a dopagem do que a regio emissora, logo a largura da camada de depleo na juno BC a ca ca maior do que na juno BE. Observe que, assim como ocorre com os diodos, os e ca ons formados nas bordas das junes PN formam um campo eltrico, cujo efeito impedir co e e que os portadores majoritrios de cada regio atravessem a camada de depleo, o que a a ca implica em se dizer que existem duas barreiras de potencial, uma em cada juno. ca
5.1.2
Transistor em corte.
Podemos polarizar ambas as junes PN de modo reverso, como indica a Figura 5.5. co
Figura 5.5: Transistor npn com ambas as junes reversamente polarizadas. co Nesta situao, as fontes externas esto injetando portadores minoritrios nas trs ca a a e regies, o que faz com que as camadas de depleo se elevem e impeam ainda mais o o ca c uxo de portadores majoritrios entre os cristais. Com isso, nenhuma corrente pode ser a observada entre o coletor e o emissor. Dizemos ento que o o transistor est em corte, a a funcionando como uma chave aberta.
64
Eletrnica Geral o
5.1.3
Transistor em saturao ca
Nesta situao, polarizamos diretamente as duas junes PN, como mostra a Figura ca co 5.6.
Figura 5.6: Transistor npn com ambas as junes diretamente polarizadas. co Caso as tenses VBE e VBC forem superiores `s tenses de limiar dos diodos de cada o a o juno, haver um estreitamento das regies de depleo, fazendo com que, praticamente, ca a o ca todo eltron emitido pelo emissor atravesse a base e o coletor. O uxo de corrente ir dee a pender exclusivamente de componentes externos ao transistor, no podendo ser controlado a por um circuito de base, por isso chamamos essa regio de operao do transistor como a ca regio de saturao. Um transistor saturado se comporta como uma chave fechada, a ca existe porm uma tenso m e a nima de saturao entre os terminais do emissor e do coletor, ca chamada de tenso de saturao de coletor-emissor, ou VCESat . a ca VCESat 0, 2V (5.1)
5.1.4
Transistor na regio ativa a
Alm das regies de corte e saturao, o transistor tambm pode operar em uma regio e o ca e a chamada de regio ativa. Esta regio obtida quando polarizamos diretamente a juno a a e ca base-emissor e reversamente a juno base-coletor, como mostra a Figura 5.7. ca
Figura 5.7: Transistor npn polarizado na regio ativa. a

65
Eletrnica Geral o
Nesta condio, se a tenso VBE 0, 7V , de modo que o diodo de base-emissor esteja ca a diretamente polarizado, eltrons do emissor iro ser acelerados com a juno BE com e a ca energia suciente para vencer a sua barreira de potencial. Esses eltrons iro penetrar e a na base (uma parcela ir recombinar com as lacunas da base, as concentrao de lacunas a ca perdidas recomposta por uma corrente IB ), e atravess-la. Quando os eltrons atingem e a e a juno de base-coletor eles so acelerados para o coletor. A fonte VBC ento retira o ca a a excesso de concentraao de eltrons livres do coletor, estabelecendo ento uma corrente c e a eltrica entre o emissor e o coletor. e Pela lei de Kirchho, podemos deduzir uma relao entre as correntes das trs regies: ca e o IE = IC + IB (5.2)
O circuito de base desempenha uma funo muito importante em um transistor poca larizado na regio ativa: a injeo de lacunas na base faz com que a barreira de potencial a ca entre base e emissor diminua, de modo que o uxo de eltrons entre emissor e coletor e aumenta. Dessa forma, o circuito de base atua como um controlador da corrente entre emissor e coletor. A f sica de semicondutores nos mostra que existe uma relao entre a ca magnitude da corrente injetada na base e a magnitude das correntes de coletor e emissor: IC = IB O que implica em dizer que: IE = ( + 1)IB IE = IE ( + 1) (5.4) (5.3)
IC =
(5.5)
O termo denominado ganho DC do transistor e um parmetro fornecido por e e a fabricantes. Este parmetro muito dependente da temperatura! Na regio ativa o a e a transistor funciona como uma fonte de corrente controlada por corrente. A Figura 5.8 mostra dois transistores (npn e pnp) polarizados na regio ativa. As a polaridades de cada fonte externa e o sentido da corrente eltrica so explicitados. e a
Figura 5.8: Transistores bipolares polarizado na regio ativa. a) npn. b) pnp. a

66
Eletrnica Geral o
5.1.5
Modelo de Ebers-Moll
O modelo de ebers-moll um circuito equivalente para o transistor polarizado na regio e a ativa. Ele representa o transistor como um diodo entre base e emissor e uma fonte de corrente dependente entre coletor e base. A Figura 5.9 mostra o modelo ebers-moll.
Figura 5.9: Modelo de Ebers-Moll.
5.2
5.2.1
Conguraes Bsicas de um transistor co a

Congurao Base-comum ca
A congurao Base-comum consiste em se ter um ponto comum (de tenso nula) ca a no terminal da base e aplicar as tenses VBE e VBC de modo a polarizar o transistor na o regio ativa. A Figura 5.10 mostra um diagrama de um transistor npn em congurao a ca Base-comum.
Figura 5.10: Transistor em congurao Base-comum. ca Este tipo de congurao possui dois conjuntos de curvas caracter ca sticas: um referente ` relao entre as grandezas de entrada (corrente e tenso no circuito entre base-emissor) a ca a e outro referente ` sa (corrente e tenso no circuito de coletor-base). A Figura 5.11 a da a mostra as curvas caracter sticas de entrada, enquanto a Figura 5.12 mostra as curvas de sa da.
67
Eletrnica Geral o
Figura 5.11: Curvas caracter sticas em base-comum, circuito de entrada.
Figura 5.12: Curvas caracter sticas em base-comum, circuito de sa da. Nota-se pelas curvas de entrada que a caracter stica IE VCE no se altera signicaa tivamente com a variao da tenso VCB . Alm disso, a relao de entrada se assemelha ca a e ca muito ` curva caracter a stica de um diodo em polarizao direta. Assim sendo, podemos ca considerar que na regio ativa, a tenso VBE ser praticamente constante e igual a 0,7V, a a a para qualquer valor de IE e VCB . As curvas de sa mostram que a corrente de coletor da ser muito prxima da corrente de emissor, de modo que para ns de simplicao podea o ca mos considerar IE IC . Com essa simplicao podemos determinar facilmente o ponto ca quiescente de um circuito em base-comum, por meio, por exemplo, da anlise por reta de a carga.
5.2.2
Congurao Emissor-comum ca
A congurao emissor-comum apresentada na Figura 5.13. ca e

68
Eletrnica Geral o
Figura 5.13: Congurao Emissor-Comum. ca As curvas de entrada e de sa so apresentadas nas Figuras 5.14 e 5.15, respectivada a mente.
Figura 5.14: Curvas caracter sticas em emissor-comum, circuito de entrada.
Figura 5.15: Curvas caracter sticas em emissor-comum, circuito de sa da.

69
Eletrnica Geral o
Novamente vericamos que a caracter stica de entrada do transistor em emissor-comum se assemelha a um diodo em polarizao direta. J nas curvas de sa vericamos uma ca a da leve inclinao da corrente com o aumento de VCE , isso indica a presena de um elemento ca c resistivo em paralelo com os terminais emissor-coletor. Esse termo chamado de resistor e de sa do transistor (rO ) que um parmetro do fabricante. da e a
5.2.3
Congurao Coletor-comum ca
A ultima congurao bsica de um transistor a congurao coletor-comum, mostrada ca a e ca na Figura 5.16.
Figura 5.16: Congurao Coletor-Comum. ca
As curvas caracter sticas de entrada e sa para o transistor nessa congurao so as da ca a mesmas obtidas para a congurao emissor-comum. A diferena entre elas que a conca c e gurao emissor-comum pode ser utilizada para trabalhar o transistor como uma chave ca eletrnica, um inversor lgico, um amplicador de tenso ou potncia, entre outras coisas, o o a e j a congurao coletor-comum utilizada como um buer. Isto porque a tenso vista a ca e a pelo resistor de carga ser aproximadamente a tenso aplicada na base (ganho unitrio de a a a tenso), mas o transistor amplica a corrente de base, de forma que o circuito de entrada a precisa entregar uma corrente muito pequena para alimentar a carga.
5.3
Limites de Operao ca
Todo transistor projetado para funcionar em uma faixa de valores de tenso, corrente e a e potncia. Caso um determinado circuito force o transistor para regies fora dessa faixa de e o valores, o fabricante no ir garantir a sua correta operao, e provavelmente o componente a a ca sofrer algum dado. Os limites de operao de um determinado transistor em congurao a ca ca emissor-comum so mostrados na Figura 5.17. a
70
Eletrnica Geral o
Figura 5.17: Limites de operao de um TBJ em emissor-comum. ca Podemos identicar alguns desses limites: Corrente constante - Existe um valor de corrente mximo suportado pelo TBJ. a Normalmente no datasheet do componente esse valor determinado como mxima e a corrente de coletor (ICmax ). No grco exemplo, essa corrente mxima de 50mA; a a e Tenso de breakdown - Esse o mximo valor de tenso aplicado entre os terminais a e a a de coletor e emissor suportado pelo TBJ. Acima desse valor ocorre o rompimento das ligaes covalentes dos cristais e a destruio do componente. No exemplo, o co ca VCEmax = 20V ; Regio de potncia constante - O TBJ tambm suporta dissipar apenas uma certa a e e quantidade de potncia. Assim deve-se garantir que a potncia mxima dissipada e e a pelo componente no superior ao valor estipulado pelo fabricante. No grco de a e a exemplo, a potncia mxima de 300mW. e a e Existe porm uma margem de segurana, representada pela parte mais escura do e c grco. Isto signica que os valores denidos pelo fabricante esto abaixo dos reais limites a a de operao do dispositivo, no entanto, por segurana, prudente no penetrar na regio ca c e a a de segurana! c
71
Eletrnica Geral o
Cap tulo 6 Aplicao de Transistores em c.c. ca

Como discutido no cap tulo anterior, um transistor um componente muito verstil, e a podendo operar como uma chave de estado slido (regies de corte e saturao) ou como o o ca uma fonte de corrente (regio ativa). Essa versatilidade faz do transistor o elemento a bsico de sistemas eletrnicos analgicos e digitais. Neste cap a o o tulo veremos como utilizar o transistor em circuitos c.c., a aplicao em sistemas c.a. ser feita em disciplinas ca a posteriores.
6.1
Transistor como chave
A aplicao de transistores como chaves de estado slido muito importante em ca o e eletrnica de potncia e sistemas digitais, uma vez que as chaves transistorizadas so o e a os blocos bsicos de uma porta lgica. As anlises entorno dessa questo sero feitas a o a a a considerando o circuito da Figura 6.1.
Figura 6.1: Congurao emissor-comum - Transistor como chave. ca A corrente IB no circuito em questo denida pela tenso de entrada, de modo que: a e a IB =
Ventrada 0, 7V RB 72
(6.1)
Eletrnica Geral o
A tenso de sa VO , que no caso igual a VCE ser dada por: a da e a VO = VC RL IC
(6.2)
O transistor operar como uma chave comandada pela tenso de entrada se os n a a veis de corrente impostos na base do transistor zerem o mesmo funcionar apenas nas regies o de corte e saturao. O corte ocorrer sempre que a corrente de base for nula, a saturao, ca a ca por outro lado, depende das caracter sticas do diodo e do circuito. Para avaliarmos as condies que garantem a operao como chave, observemos a curva caracter co ca stica do transistor em emissor-comum e a reta de carga do circuito, mostrados na Figura 6.2.
Figura 6.2: Anlise de reta de carga de um transistor como chave. a
Pela anlise de reta de carga, vericamos que para o circuito utilizado como exemplo a a saturao ocorrer para uma corrente de base de 70A. Se considerarmos que o valor ca a mximo da tenso de entrada de 5V, por exemplo, ter a a e amos que utilizar um RB 62k. A denio das condies nas quais o transistor opera como chave parece, a primeira ca co vista ser muito simples. No entanto, devemos lembrar que as curvas fornecidas pelo fabricante so referentes a um determinado , a temperatura ambiente. Como o de a transistor pode variar fortemente com a temperatura, no aconselhvel fazer o projeto a e a simplesmente pelos dados de catlogo. Um erro na magnitude da corrente de base far com a a que o transistor entre na regio ativa, o que geraria uma maior dissipao de potncia no a ca e transistor, alm de no garantir que a resposta desejada para o circuito ocorra. A Figura e a 6.3 exemplica a questo de aumento da energia dissipada pelo transistor quando este a no entra na saturao. a ca
73
Eletrnica Geral o
Figura 6.3: Perdas de chaveamento em um transistor. Para garantir a saturao em um circuito com TBJ, costumamos ento adotar uma ca a regra de projeto: Consideramos que todo transistor possui um igual a 10 (valor muito inferior aos valores de ganho DC encontrados no mercado). Esse chamado de forte. e F orte = 10 Assim: IBSat = ICmax F orte (6.4) (6.3)
6.1.1
Acionamento de rel e
Uma das aplicaes de transistores como chave o acionamento de cargas de potncia, co e e como lmpadas e motores via rel. O rel um elemento eletromecnico composto por a e ee a uma bobina e um ou mais contatos mecnicos. Ao se passar um determinado n de a vel corrente na bobina o contato mecnico fechado. Esse tipo de operao permite acionar a e ca cargas que demandem muita corrente, por meio de um circuito eletrnico simples. O o circuito bsico de acionamento de um rel mostrado na Figura 6.4. a ee
Figura 6.4: Circuito de acionamento de um rel. e

74
Eletrnica Geral o
O diodo posto em anti-paralelo com a bobina do rel se chama diodo de roda-livre. e Ele necessrio para descarregar a energia armazenada na bobina e impedir que ela gere e a uma sobre tenso no transistor. A Figura 6.5 mostra as formas de onda envolvidas no a circuito de acionamento.
Figura 6.5: Formas de onda de um circuito de acionamento de lmpada a rel. a e
OBS: Note na forma de onda apresentado na Figura 6.5 que a a tenso de sa do a da circuito transistorizado (VO ) inversa ` tenso de entrada do circuito (Vi ), ou seja, e a a quando Vi positiva, VO nula e vice-versa. Essa caracter e e stica pode ser utilizada para construir um circuito inversor lgico. o
6.2
Polarizao de circuitos transistorizados ca
Na regio ativa, os transistores normalmente operam como amplicadores de sinais. a Para isso necessrio que o transistor esteja polarizado na regio ativa, de preferncia e a a e em um ponto quiescente que permita que toda a excurso do sinal de entrada c.a. ocorra a tambm na regio ativa. A Figura 6.6 exemplica uma condio onde um sinal alternado e a ca injetado na base de um circuito em emissor-comum. Esse sinal ir gerar uma onda e a alternada de corrente, que ao passar pelo circuito de sa ser amplicado. da a A amplicao de sinais e a anlise de amplicadores transistorizados ser realizada em ca a a uma disciplina posterior. O que nos interessa no momento estudar como podemos fazer e com que um determinado transistor se encontre polarizado em um ponto quiescente desejado. Existem diversos circuitos de polarizao de transistores, a seguir apresentaremos ca alguns dos circuitos mais comuns.
75
Eletrnica Geral o
Figura 6.6: Exemplo de amplicao de sinal com um transistor polarizado. ca
6.2.1
Polarizao por fonte de corrente ca
A forma mais simples de se polarizar um circuito transistorizado aplicando diretae mente pelo transistor uma corrente cont nua, por meio de uma fonte externa. Desta forma podemos denir diretamente o ponto de operao do circuito, sem depender de fatores ca como o ganho DC e a temperatura. Esse tipo de polarizao mostrado na Figura 6.7. ca e
Figura 6.7: Polarizao por fonte de corrente. ca Neste caso: IC = IS IS A tenso de sa ser: a da a
(6.5)
76
Eletrnica Geral o
VO = VCC RC IS
(6.6)
Existem diversos circuitos que podem ser utilizados como fonte de corrente, como os espelhos de corrente. Este tema no ser abordado nesta apostila. a a
6.2.2
Polarizao Fixa ca
Figura 6.8: Polarizao Fixa. ca A Figura 6.8 mostra o circuito de polarizao xa. Desconsidere os capacitores de ca bloqueio, eles existem para fazer a conexo de sinais alternados ao circuito, para as anlises a a de c.c. basta consider-los como circuitos abertos. a Note que existem dois ramos para a circulao de corrente. Um ramo conecta o coletor ca ` fonte de alimentao, e o outro conecta a base ` mesma fonte. Podemos ento denir a ca a a duas equaes, uma para cada ramo: co VCC RB IB VBE = 0 VCC RC IC VCE = 0 (6.7) (6.8)
A denio do ponto quiescente se d a partir da denio dos resistores de base e ca a ca coletor, da seguinte forma: IC = IB = VCC VBE RB (6.9) (6.10)
VCE = VCC RC IC
OBS: Lembre que VBE = 0, 7V na regio ativa. O grande problema desta topologia a e que ela muito dependente de , logo, o ponto de polarizao pode variar fortemente com e ca a temperatura e outros fatores. O que possivelmente iria gerar resultados indesejveis. a
77
Eletrnica Geral o
6.2.3
Polarizao Fixa com Resistor de Emissor ca
Figura 6.9: Polarizao Fixa com resistor de emissor. ca A polarizao xa com resistor de emissor apresentada na Figura 6.9. Nesta situao ca e ca os caminhos de corrente pela base e pelo coletor se encontram no resistor de emissor. As equaes dos ramos so mostradas a seguir: co a VCC RB IB VBE RE IE = 0 VCC RC IC VCE RE IE = 0 Analisando a malha de base temos que, se IE = ( + 1)IB : VCC RB IB VBE RE ( + 1)IB = 0 Logo, IB = Ento: a VCC VBE RB + ( + 1)RE VCC VBE RB + RE ( + 1) (6.14) (6.13) (6.11) (6.12)
IC =
(6.15)
Analisando a malha de coletor temos que: VCC RC IC VCE RE (IC ) = 0 Assim: (6.16)
78
Eletrnica Geral o
VCE = VCC IC (RC + RE )
(6.17)
OBS: O uso do resistor de emissor torna o circuito mais estvel, ou seja, menos dea pendente de !
6.2.4
Polarizao por divisor de tenso ca a
Figura 6.10: Polarizao por diviso de tenso. ca a a A polarizao por divisor de tenso visa estipular o ponto de operao de um transistor ca a ca de modo que este seja o menos suscet vel a variaes de poss co vel. A anlise deste a circuito pode ser feita de duas formas: uma forma exata, levando em considerao todas ca as correntes presentes no circuito, e uma forma aproximada, onde fazemos simplicaes co para agilizar o processo de anlise. A seguir descrevermos as duas formas de anlise: a a Anlise exata a O circuito da Figura 6.10 pode ser redesenhado, de modo que o circuito de base se apresente da seguinte forma:
Figura 6.11: Circuito de base.

79
Eletrnica Geral o
Podemos desenvolver o circuito equivalente de Thevenin visto pela base do transistor. Utilizando as tcnicas de anlise aprendidas em circuitos, temos que a resistncia de e a e Thevenin para o circuito de base : e RT h = R1 //R2 = R1 R2 R1 + R2 (6.18)
A tenso de Thevenin ser igual a diviso de tenso: a a a a ET h = VCC R2 R1 + R2 (6.19)
Assim, podemos redesenhar mais uma vez o circuito de base de modo que:
Figura 6.12: Circuito de base redesenhado. Agora, podemos escrever a equao que dene a corrente de base: ca ET h IB RT h VBE RE IE = 0 Assim: IB = ET h VBE RT h + ( + 1)RE (6.21) (6.20)
Uma vez conhecida IB podemos denir IC e ento VCE : a ET h VBE RT h + ( + 1)RE
IC =
(6.22) (6.23)
Anlise aproximada a Considerando a Figura 6.12, analisando o caminho da corrente no circuito de base, podemos perceber que a corrente que passa pelo resistor R1 ir se dividir entre a corrente a IB e a corrente no resistor R2 . Pelas nossas anlises anteriores, notamos que a corrente a
80
Eletrnica Geral o
IB inversamente proporcional a ( + 1)RE , logo, quanto maior esse termo, menor ser a e a corrente de base. Para ns de simplicao, costuma-se considerar que se ( + 1)RE for ca pelo menos 10 vezes maior do que R2 , a corrente IB ser desprez em relao ` corrente a vel ca a IR2 , de modo que podemos desconsider-la da anlise. Fazendo isso, podemos estimar que a a a tenso no terminal de base do transistor ser: a a VB = VR2 = VCC Assim, a tenso no terminal do emissor ser: a a VE = VB 0, 7V Logo: VE VB 0, 7V = (6.26) RE RE Uma vez denida a corrente de emissor, podemos encontrar a corrente de coletor e a tenso VCE : a IE = VB 0, 7V RE (6.25) R2 R1 + R2 (6.24)
IC =
(6.27) (6.28)
81
Eletrnica Geral o
Referncias Bibliogrcas e a
[1] Robert Boylestad e Louis Nashelsky, Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, o Editora LTC, Sexta Edio, 1999. ca [2] Adel S. Sedra e Kenneth C. Smith, Microeletrnica, Makron Books, Quarta Edio, o ca 2000.
82

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APOSTILA PARA A DISCIPLINA

Professor: MSc. Thiago Ribeiro de Oliveira

Betim, Agosto de 2011

Prof. Thiago R. de Oliveira

Cap tulo 1 Introduo e Conceitos Bsicos ca a

Elementos de um sinal eltrico e

Figura 1.2: Elementos de um sinal eltrico e

Figura 1.3: Sinal senoidal puro

Exerc cios Resolvidos

1 = 166, 67Hz. 6 103

- Para o sinal quadrado mostrado na Figura 1.9, calcule o valor e-

Prof. Thiago R. de Oliveira

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Cap tulo 2 F sica dos Semicondutores

Figura 2.1: Atomo de Bohr

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N veis e Bandas de Energia

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Prof. Thiago R. de Oliveira

Material Extr nseco - Dopagem

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Portadores Majoritrios e Minoritrios a a

Prof. Thiago R. de Oliveira

Cap tulo 3 Diodos

Polarizao Direta da Juno PN ca ca

Curva Caracter stica do diodo em polarizao direta ca

Figura 3.6: Denio de ponto de operao por anlise de reta de carga. ca ca a

Polarizao Reversa da Juno PN ca ca

Figura 3.7: Polarizao Reversa do diodo. ca 3.1.2.1 Regio de Zener e Avalanche a

Figura 3.8: Curva caracter stica do Diodo com a Regio de Zener. a

Figura 3.9: S mbolo de um diodo zener.

Modelos aproximados do Diodo

Figura 3.12: Curvas e s mbolos de um modelo de segunda aproximao. ca

Modelo de um diodo na Regio de Zener a

Diodo Emissor de Luz - LED

Figura 3.14: Encapsulamento de um LED e seus elementos principais.

Figura 3.15: Exemplo de tarja de identicao de um diodo (Encapsulamento DO-41). ca

Prof. Thiago R. de Oliveira

Cap tulo 4 Aplicaes do Diodo em Circuitos co Eletrnicos o

Anlise de circuitos a diodos em c.c. a

Figura 4.2: Anlise por reta de carga do circuito da Figura 4.1. a

Exemplos de circuitos a diodos simples

Figura 4.6: Circuito do exemplo B.

VD = (10V R1 ID ) (R2 I1 + 25V ) = 10V 25V = 15V Circuito 4.1.2.E

Figura 4.11: Circuito do exemplo E redesenhado.

Funes Lgicas a Diodos co o

Figura 4.12: Congurao de uma funo OR implementada com diodos. ca ca

Anlise de circuitos a diodos em c.a. a

Prof. Thiago R. de Oliveira

Figura 4.16: Forma de onda do sinal de sa do reticador de meia-onda e representao da ca

Prof. Thiago R. de Oliveira

Figura 4.17: S mbolo de um transformador ideal.

Prof. Thiago R. de Oliveira

Valor de VO - VO = 18 0, 7 = 17, 3V ; Valor de TPI - TPI = 18V.

Reticador de Onda Completa

A Figura 4.19 mostra o diagrama bsico de um reticador em ponte. a

Figura 4.20: Etapas de funcionamento de um reticador de onda completa em ponte.

Reticador com Tap-central

Figura 4.23: Reticador onda-completa com tap-central

Reticadores com ltro capacitivo

Figura 4.26: Forma de onda da tenso de sa de um reticador de meia-onda com ltro a da

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VO = 5% de 34,65V = 1,73V; C= IR 3, 46A = = 33.333, 33F . VO f 1, 73V 60Hz