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047 DiseÑo y FabricaciÓn de Un Amplificador de Banda Ancha

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URSI 2001
1
DISEÑO Y FABRICACIÓN DE UN AMPLIFICADOR DE BANDA ANCHAA 44 GHz
 Marco Detratti, M 
a
Luisa de La Fuente, Eduardo Artal
Dpto Ingenieria de ComunicacionesETSI TelecomunicaciónUniversidad de Cantabria
 
daitarn@dicom.unican.es
 
ABSTRACT
This paper deals with the process of realisation of a two-stageMIC broadband amplifier in the 44 GHz Band using acommercially available P-HEMT transistor.The attention has been focused mainly on the practicalaspects of the fabrication of a hybrid circuit in the millimetrewave band. The problems related with the manufacturing (due tothe inevitable tolerances) and its effects on circuit performanceare described and analysed.
1. INTRODUCCIÓN
En el campo de los circuitos de microondas losamplificadores MMIC tienen ventajas como la repetibilidad yel bajo coste para producción a gran escala. Sin embargo, enmuchos casos, una solución híbrida (MIC) puede ser mejor.Cuando hay necesidad de pequeñas cantidades, buenasprestaciones (especialmente en lo que concierne al ruido) yrápida disponibilidad del producto, los circuitos MICrepresentan la mejor alternativa. Lo que hay que tener en cuenta,son las desventajas directamente relacionadas con la propiafabricación. Las tolerancias de las dimensiones (
 process offset 
) yla presencia de los necesarios hilos de conexión afectansignificativamente al comportamiento global.El propósito de este trabajo es mostrar lo críticos que sonestos aspectos para un amplificador de banda ancha diseñadopara la banda Q y como las consecuencias de estas imprecisionespueden ser minimizadas por medio de la realización de unmontaje apropiado.
2. DISEÑO
Para el diseño del amplificador se ha elegido el transistorEC2612 de United Monolithic Semiconductors. En lassimulaciones se ha usado un modelo de circuito equivalente(Vd=2V, Ids=10 mA) proporcionado por el fabricante y validadohasta 50 GHz.El primer objetivo del método de diseño ha sido obteneruna ganancia plana en banda ancha. Se ha diseñado la red deadaptación de salida usando los círculos de ganancia constanteen el plano
Γ 
L
, para asegurar una ganancia plana en la banda de39 a 49 GHz. A continuación se ha conseguido la adaptaciónconjugada a la entrada usando redes pseudo paso-bajo[1]. Elamplificador resultante daba una ganancia de aproximadamente5 dB a 44 GHz. Dicha ganancia pareció bastante bajaconsiderando que las pérdidas asociadas con las transiciones ylos conectores de la caja en que el dispositivo se va a alojar,pueden ser del orden de 1-2 dB. Entonces dos etapas se pusieronen cascada y se optimizaron con la ayuda del simulador circuitalADS (Agilent). En la fig. 1 se muestran los resultados de lasimulación con una satisfactoria ganancia de 10 dB de 39.5 a49.5 GHz.
05101520253035404550Frequency (GHz)-50-40-30-20-1001020304050
   S   2   1   (   d   B   )
 Figura 1.
 Resultados de la simulación para el amplificador dedos etapas.
3. FABRICACIÓN Y MEDIDA
En la figura 2 se puede ver una fotografía del amplificadoren la caja, de fabricación propia, que se ha realizado con unaanchura de 2.6 mm para suprimir los modos en guía y reducir lasperdidas de radiación. Las redes pasivas están hechas ensubstrato Al
2
O
3
con un espesor de 0.254 mm y
ε
r
=9.9. Se hanusado condensadores cerámicos para bloqueo de DC y comoparte de las redes de adaptación, mientras hilos de bonding delongitud
λ
 /4 actúan como choque de RF.Figura 2.
Fotografía del amplificador MIC de dos etapas
Como se puede notar una resistencia (
thick film
) está conectadaa la entrada de la primera etapa. Ésta se ha usado, junto con las

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