You are on page 1of 39

Kuliah 2 - 1

Struktur Fisik Bipolar Junction Transistor (BJT) npn


E Emitter n Base p Collector n

EBJ

CBJ
C

Kontak Metal
B

pnp
E Emitter p Base n Collector p C

Mode Operasi BJT Mode cut-off active saturation Junction E-B reverse forward forward Junction C-B reverse reverse forward

Kuliah 2 - 2

Aliran Arus pada BJT npn

forward bias n E iE hole injeksi elektron injeksi p

reverse bias n C iC

elektron difusi elektron koleksi

rekombinasi elektron iB

- vBE + iE iE

- vCB + iC iC

- VBE +

- VCB +

Struktur Planar BJT npn


E B C

Persamaan Arus pada BJT npn

Kuliah 2 - 3

Konsentrasi carrier

Emitter (n)

deplesi EBJ

Base (p)

deplesi CBJ

Kolektor (n)

np(0)

konsentrasi elektron np (ideal)

konsentrasi hole pn0

pn(0) np (+rekombinasi) lebar base efektif jarak

arus kolektor arus basis

iC = IS exp (vBE/VT) iB = iC / iB = IS / exp (vBE/VT)

arus emitor iE = iC + iB iE = iC ( +1)/ iE = IS( +1)/ exp (vBE/VT) = /(1-)


(KCL)

iC = iE = /( +1) iE = IS/ exp (vBE/VT)

Kuliah 2 - 4

Model Rangkaian Pengganti (Sinyal Besar)


model T (letak simpul bersama di basis)
C iC iB B + vBE E DE (I S /) iE IS exp(vBE/VT ) B + vBE iE E DE (I S /) iB C iC IE

model (letak simpul bersama di emitor)


iB B + vBE iE E E DE (I S /) iC C IS exp(vBE/VT ) B + vBE iE DE (I S /) IB iB iC C

besaran kontrol berupa tegangan (vBE) atau arus (iB) faktor idealitas (N) pada persamaan arus junction di atas adalah 1 (satu) arus mundur kolektor-basis (iCBO) dianggap nol

Kuliah 2 - 5

forward bias p E iE hole injeksi n hole difusi

reverse bias p hole koleksi C iC

rekombinasi elektron injeksi hole iB

- vBE + iE iE

- vCB + iC iC

- VBE +

- VCB +

E + vEB iB B iE DE (I S /) IS exp(vEB/VT ) iC C E

+ vEB B iB

DE (I S /) iE

IS exp(vEB/VT ) C iC

Kuliah 2 - 6

Simbol BJT

C B B

E npn pnp

Polaritas tegangan dan arah arus

VCB IB B

IC

VEB IB B

IE

VBE

IE

VBC

IC

Kuliah 2 - 7

Representasi Grafis Karakteristik BJT


iC iC T1 T2 T3 T4

0.5

0.7 vBE(V)

vBE(V) T 1 > T2 > T3 > T 4

kurva iC - vBE

Efek temeperatur kurva iC - vBE vBE naik dengan suhu sebesar -2 mV / oC

iC = IS exp (vBE/VT)

iC 4 vCB iC 3 2 iE 1 iE = 4 mA 3 mA 2 mA 1 mA

2 4 6 8 10 12

vCB (V)

Kuliah 2 - 8

Tegangan Early
iC

+ + vBE vCE -

iC daerah aktif

vBE = ...

vBE = ... daerah saturasi vBE = ...

vBE = ...

-VA

vCE

penyebab: perubahan lebar efektif basis akibat penambahan daerah deplesi kolektor-basis dengan peningkatan tegangan vCE Perubahan dianggap linier

iC = IS exp (vBE/VT) (1 + vCE/VA) ro iC -1 vCE VA/IC

Kuliah 2 - 9

Transistor sebagai Penguat


iC IC

iB

+ + vBE vCE iE

IB VCC

vbe VBE

+
VBE

+ VCE IE

VCC

vBE -

vBE = VBE + vbe


(a) rangkaian dengan sinyal lengkap (b) rangkaian DC dari (a)

Titik Kerja (Keadaan DC)

IC = IS exp (VBE/VT) IE = IC / IB = IC / VC = VCE = VCC - IC RC

Persamaan Arus Kolektor iC = IS exp (vBE/VT) = IS exp ((VBE + vbe)/VT) iC = IS exp (VBE/VT) exp (vbe/VT) = IC exp (vbe/VT)

Kuliah 2 - 10

Model Sinyal Kecil dan Transkonduktansi


slope = gm iC iC 2 IC 1 3 3 Q 1 2 waktu

1 2 3

VBE vbe

vBE = VBE + vbe

waktu

arus kolektor bila v be << VT, maka aproksimasi sinyal kecil atau dimana

iC = IC exp (vbe/VT) iC IC (1 + vbe/VT) = IC + ic ic = (IC/VT) vbe ic = gm vbe gm = (IC/VT)

Kuliah 2 - 11

Arus dan Resistansi Input Basis


arus basis

iB = iC / = (IC + ic )/ iB = IC / + (1/) (IC/VT) vbe

juga sehingga atau dimana

iB = IB + ib ib = (1/) (IC/VT) vbe = (gm/) vbe ib = vbe / r r = /gm


atau

r = VT/IB

Arus dan Resistansi Input Emitor


arus emitor dimana

iE = iC / = (IC + ic )/ = IE + ie ie = ic / = gm vbe / = (IC / VT) vbe = (IE/VT) vbe ie = vbe / re


dimana

re = VT / IE re = / gm 1/ gm

Kuliah 2 - 12

Hubungan Resistansi Input Basis dan Emitor


tegangan sinyal kecil pada basis sehingga

vbe = r ib = re ie

r = ie re / ib r = ( + 1) re

Penguatan Tegangan
tegangan sinyal kecil pada kolektor

vC = VCC - iC RC = VCC - (IC + ic) RC = (VCC - IC RC) - ic RC vC = VC - ic RC


sehingga

vc = - ic RC = - gm vbe RC = ( - gm RC) vbe

penguatan tegangan

vc / vbe = - gm RC

Rangkaian Pengganti Sinyal Kecil


iC

Kuliah 2 - 13

RC
iB C B

RC
ib = vbe/r C B VCC ic = gm vbe

+ vCE
E

vbe VBE

+ vBE -

+
vbe

iE

vbe -

+ vce ie = vbe / re

Rangkaian sinyal lengkap

Rangkaian sinyal kecil

Model Hybrid-
ib B + r vbe gm = I C / VT ie E r = / gm E ie gm vbe r ic C B + vbe ib ib ic C

ie = vbe / r + gm vbe = vbe / r (1 + gm r) = vbe / r (1 + ) ie = vbe / re gm vbe = gm r ib = ib

Kuliah 2 - 14

Model T
C ic gm vbe ib B + vbe E re ie gm = I C / VT re = / gm B + vbe E re ie ib C ic ie

ib = vbe / re - gm vbe = vbe / re (1 gm re) = vbe / re (1 ) = vbe / re (1 /(+1)) ib = vbe / (re (+1)) = vbe / r gm vbe = gm re ie = ie

Kuliah 2 - 15

Penambahan Efek Early pada Model Hybrid-

ib B + r v r = VA / I C E E gm v r r ib r C B C

vo = - ic RC = - gm vbe (RC // ro)

Analisis Grafis
VCC iC RC RB + vi VBB iB vBE VBB/RB + vCE iB garis beban slope= -1/RB vCE = VCC - i C RC

Kuliah 2 - 16

Karakteristik Transfer Input garis beban iB = (VBB - vBE) / RB vBE garis beban slope= -1/RC 0 iB = ... iB = ... Karakteristik Transfer Output IC iB = ... garis beban iB = ... iC = (VCC - vCE) / RC VBE VBB IB

iC VCC/RC

VCE

VCC

vCE

Kuliah 2 - 17

Kurva Transfer Karakteristik Input

iB slope = -(1/RB) daerah dengan kurva dioda yang hampir liner ib iB2 IB iB1 Q waktu,t

VBE vbe

VBB

vBE

vbb

waktu,t

waktu,t

Kuliah 2 - 18

Kurva Transfer Karakteristik Ouput

iC

slope= -1/RC iB = iB2 ic

iC2 IC iC1

IB
waktu, t

iB2

VCE

VCC

vCE

vce

waktu, t

Kuliah 2 - 19

Rangkaian Bias Catu Daya Tunggal


VCC VBB = V CC R2 / (R1+R2) VCC

R1

RC

RC IB RB=R1//R2 IC

R2 RE

IE RE

Rangkaian nyata

Rangkaian untuk/hasil analisis dengan rangkaian basis diubah ke struktur thevenin

VBB = I B RB + VBE + I B(+1) RE IB = (VBB-VBE)/(R B + RE (+1) ) IE = (VBB-VBE)/(R E +RB /(+1) )

Untuk menurunkan sensitivitas IE terhadap temperatur


VBB >> VBE dan R E >> RB / (+1)

Rule of thumb:
VBB = (1/3) VCC VCE = (1/3) VCC

Rangkaian Bias Catu Daya Ganda

+VCC

Kuliah 2 - 20
RC

VEE = I B RB + VBE + I B(+1) RE IB = (VEE-VBE)/(R B + RE (+1) ) RB IE = (VEE-VBE)/(R E + RB/(+1) )

IB=I E /(+1)

IE L RE

Rangkaian Bias Lain


+VCC

-VEE +VCC

(a) dengan sumber arus

RC

(b) dengan resistor kolektor-basis

RC

RB RB IE +VCC IC+I B=I E IE

analisis rangkaian (b)


RC VCC = I E RC + I B RB + VBE IB VCC = I E RC + IE RB /( +1) + VBE IE = (VCC-VBE)/(R C + RB /(+1) ) VBE RB IC IE VC=VBE+I BRB

Untuk menurunkan sensitivitas IE terhadap


RC >> RB / (+1)

Kuliah 2 - 21

Rangkaian Dasar Penguat Satu Tingkat BJT


+VCC

RC Z C1 X C B RB E C3 RE C2 Y

-VEE

Jenis Penguat Common Emitter Common Base Common Collector

Node Common (grounded) Y (emitter) X (base) Z (collector)

Node Input X (base) Y (emitter) X (base)

Node Output Z (collector) Z (collector) Y (emitter)

Penguat Common Emitter

Kuliah 2 - 22
+VCC

RC C2= Rs ii X+ vi Ri -VEE transistor amplifier Rs ii X+ vi Ri C1= C B C3= RB E RE Y Ro RL Z + vo -

vs

B + v RB r E gmv r

C Z io RC Ro + vo RL -

vs

amplifier Rs Ri = RB // r Gm= -gm Ro = RC // r vs ii X+ vi Ri Ro Gm vi Z io + vo RL -

Analisis Rangkaian Penguat Common Emitter


Kapasitor C1 dan C2 sebagai kapasitor kopling Kapasitor C3 sebagai kapasitor bypass Resistansi input Ri vi ii = RB // r
vo=0

Kuliah 2 - 23

bila

RB >> r

Transkonduktasi Gm io vi =
vo=0

-gm v v

= -gm

Resistansi Output Ro vo io = RC // r
vi=0

RC

bila

RC << r

Penguatan Tegangan (beban terbuka) Avo vo vi = Gm Ro = -gm (RC // r)


io=0 atau RL=

Avo

= -gm ro = -(IC/VT) (VA/IC) = -VA / V T


max

Kuliah 2 - 24

Analisis Rangkaian Penguat Common Emitter


Penguatan Arus (beban terhubung singkat) Ais io ii Gm vi =
vo=0

= Gm Ri vi / Ri gm r RB RB + r

Ais

= -gm (RB // r) = 1 = - 1 + r / RB

Penguatan Tegangan Av = vi vs vo = vi (RB // R) = (RB // R) + Rs r gm (RC // ro // RL) r + Rs (RC // ro // RL) r + Rs bila RB >> r gm (RC // ro // RL) Ri R i + Rs Gm (Ro // RL)

Av =

Kuliah 2 - 25

Penguat Common Emitter dengan Resistor Emitter


+VCC

RC C2= Rs ii X+ vi Ri RE Rib RE1 C1= C B E Re C3= Ro Y RL Z + vo -

vs

RB

-VEE transistor amplifier Rs ii X+ vi - RB Ri Rib Re

B + v r E gmv r

C Z io RC Ro Roc + vo RL -

vs

Kuliah 2 - 26
Rs ii + vi - RB Ri=vi/ii ib=v/r vb B + v r E Re C io gmv RC + vo RL -

vs

(gm+1/r)v Rib=vb/ib =vi/ib

ix + v r gmv ix E Re

C + vx -

(i x-gmv) r

Rs

RB

ve/(r+RB//Rs)

vei xRe Rs vs ii X+ vi Ri Ro Gm v i

Z io + vo RL -

Ri = RB // r(1+gmRe)

Gm= -gm/(1+gmRe)

Ro RC

Analisis Rangkaian Penguat Common Emitter dengan Resistansi Emitter


Kapasitor C1 dan C2 sebagai kapasitor kopling Kapasitor C3 sebagai kapasitor bypass Resistansi input Ri vi ii Rib = RB // Rib vb ib ib = v / r

Kuliah 2 - 27

vb = v + (gm + 1/ r) v Re dengan (gm + 1/ r) = re maka vb = (1 + Re/ re) v Rib = r (1 + Re/ re) Rib r (1 + gm Re) Ri = RB // r (1 + gm Re) Perhatikan Rib = r (1 + Re/ re) = ( + 1) re (1 + Re/ re) Rib = ( re + Re) kali di base (reflection rule) dengan re 1/gm maka

Resistansi emitter dirasakan

Transkonduktasi Gm io vi =
RL=0

Kuliah 2 - 28
-gm v v sebelumnya telah didapat vb = (1 + Re/ re) v

Gm =

gm 1 + Re / re

dengan re 1/gm maka Gm gm 1 + gm Re

Perhatikan Rib naik sebesar (1+gmRe) kali dan Gm turun (1+gmRe) kali. Resistansi Output Ro = RC // Roc dengan Roc = vx / ix vx = (ix - gm v) ro + ve v = ix Re r r + (Rs // RB) g m Re r ) + Re r + (Rs // RB) ve ix Re

Roc = ro (1 +

untuk Re << ro maka g m Re r Roc ro (1 + ) r + (Rs // RB) sehingga Ro = RC // ro (1 + Ro RC g m Re r ) r + (Rs // RB)

Penguatan Tegangan Av = vo vs = vo vs vo vs

Kuliah 2 - 29

Ri Gm (Ro // RL) R i + Rs (RB // r (1+gmRe) (RB // r (1 + gm Re)) + Rs gm (RC // RL) 1 + gm Re

Perhatikan 1. Penguatan Av menjadi lebih bebas dari nilai . Bila RB cukup besar maka Av gm r (RC // RL) r (1 + gm Re) + Rs

Bila r (1 + gm Re) >> Rs maka Av gm (RC // RL) 1 + gm Re

atau dalam bentuk lain 1 (RC // RL) Av re + Re 2. Penguat lebih tahan distorsi nonlinear pada sinyal besar karena dengan v yang sama vi dapat dinaikan dengan faktor 1 + Re/re 3. Penguat mempunyai respons frekuensi yang lebih baik (Bab 7)

Penguat Common Base

+VCC

Kuliah 2 - 30

RC C2= X C1= C B C3= RB E RE amplifier transistor C ie B ie E Y RE + vi Ri Rs Ri = RB // r Gm= -gm Ro = RC // r vs ii X+ vi Ri Ro Gm vi Z io + vo RL vs Ro re i i Rs Z io RC + vo RL -VEE Z RL ii Ro Y+ vi Ri Rs io + vo vs

Analisis Rangkaian Penguat Common Base


Kapasitor C2 dan C3 sebagai kapasitor kopling Kapasitor C1 sebagai kapasitor bypass Resistansi input Ri Transkonduktasi Gm io vi =
vo=0

Kuliah 2 - 31

vi ii

= RE // re
vo=0

re - ie vi

untuk RE >> re

= -gm

karena ie = -(vi / re)

Resistansi Output Ro vo io = RC
vi=0

Penguatan Tegangan (beban terbuka) Avo Penguatan Arus Ais io ii =


vo=0 atau RL=0

vo vi

= Gm Ro = -gm RC
io=0 atau RL=

Gm vi v i / Ri

= Gm Ri = gm re =

Penguatan Tegangan Av = Ri Ri + Rs Gm (RC // RL) = re re + Rs Gm (RC // RL)

+VCC

Kuliah 2 - 32

Penguat Common Collector


RC C2= Rs ii X+ vi Ri Rib -VEE Rs ii X+ vi - RB Ri Rib r E Y io + vo RL Re = RE // ro // RL : Ro transistor i B b ib r C amplifier C1= C B E C3= Y io RE Ro RL + vo Z

vs

RB

vs

ground sinyal

vb re RE Rib

ro

ve/vb = RE / (re + RE ): RL

ground sinyal

Analisis Rangkaian Penguat Common Collector Kuliah 2 - 33


Kapasitor C1 dan C2 sebagai kapasitor kopling Kapasitor C3 sebagai kapasitor bypass Resistansi input Ri = RB // Rib Rib = ( + 1) (re + Re) dan Re = RE // ro // RL : Ri = RB // ( + 1) (re + (RE // ro // RL)) Jika RB cukup besar maka Ri ( + 1) (re + (RE // ro // RL)) dan bila RL << (RE // ro) maka Ri ( + 1) (re + RL) = r + ( + 1) RL Penguatan tegangan Av = vo/vs = vo/vi vi/vs vi/vs = vo/vi = Ri R i + Rs

Ri R i + Rs

dengan Ri besar maka vi/vs

(RE // ro // RL) re + (RE // ro // RL)

Av =

(RE // ro // RL) re + (RE // ro // RL) bila RB besar dan RL << RE / ro

( +1) RL ( +1) RL + r +Rs

Penguatan Arus Ai io/ii = vo/RL vs/(Ri + Rs) = Ri RL RE // ro // RL (RE // ro // RL) + re

Kuliah 2 - 34
Ri RL

Jika RL << (RE // ro ) serta RB >> Rib maka Resistansi Output


Rs i B b RB

Ai +1

C ib ix

E Rib RE // ro Rie = vx/i

vx

Ro= vx/ix

Ro vx / ix = Rie // RE // ro ib = vx r + (Rs // RB)

Rie vx / i Rie =

i = ( +1) ib

r + (Rs // RB) ( +1)

r + (Rs // RB) Ro = RE // ro // ( +1) = re + Rs // RB ( +1)

r + (Rs // RB) ( +1) Rs ( +1) bila RB cukup besar

Kuliah 2 - 35

Transistor sebagai Switch


VCC

Daerah Cutoff
RC iB = 0 iE = 0 iC = 0 RB

iC vC

vC = VCC

vI

iB

Daerah Aktif iB = (vI - VBE) / RB (vI - 0.7) / RB iC = iB Daerah Saturasi


iCsat

vC = VCC - RC iC
VCC

iCsat = (VCC - VCEsat) / RC IBsat = iCsat) / dalam desain IB > IBsat (faktor 2 - 10 kali) forced = iCsat) / IB
vI iB RB

RC

+ VBE -

+ vCEsat -

Transistor sebagai Switch


Inverter Transistor
cut0ff vC(V) VCC aktif saturasi

Kuliah 2 - 36

titik bias sebagai penguat

VCEsat 0.3 0.5 vI untuk IB maks vI(V)

Model Transistor dalam keadaan saturasi


B VBE 0.7 E C VCEsat 0.3 VEB 0.7 B C B VECsat 0.3 C E

npn

pnp
model sangat disederhanakan

Kuliah 2 - 37

Karakteristik Statis Lengkap dan Efek Orde Dua


Karaktersistik Common-Base

iC saturasi aktif iE = IE1 iE = IE2

iE = 0 0 0.4 - 0.5 BVCB0

vCB

r B r + v r gmv C

Karakteristik Statis Lengkap dan Efek Orde Dua


Karaktersistik Common-Emitter
iC sat aktif iB = IB1 iB = IB2 iB = IBQ+iB iC ICQ Q iB = IBQ IB

Kuliah 2 - 38

iC iB vCE

iB = 0 0 VCEQ BVCE0

vCE

hFE dc ICQ/IBQ
iC sat kenaikan rendah aktif

hfe ac iC/iB = konstan


iC kenaikan tinggi slope =1/RCEsat

vCE 0 0.1 0.2 0.6 0.8 0 VCE0ff

vCE

Kuliah 2 - 39
transistor
hFE () 400 T = 125oC 300 T = 25oC 200 T = -55oC 100 IC (A) 1 10 10 2 10 3 10 4 10 5

iC slope = R CEsat

garis beban

vCE 0 VCEsat

You might also like