Professional Documents
Culture Documents
EBJ
CBJ
C
Kontak Metal
B
pnp
E Emitter p Base n Collector p C
Mode Operasi BJT Mode cut-off active saturation Junction E-B reverse forward forward Junction C-B reverse reverse forward
Kuliah 2 - 2
reverse bias n C iC
rekombinasi elektron iB
- vBE + iE iE
- vCB + iC iC
- VBE +
- VCB +
Kuliah 2 - 3
Konsentrasi carrier
Emitter (n)
deplesi EBJ
Base (p)
deplesi CBJ
Kolektor (n)
np(0)
Kuliah 2 - 4
besaran kontrol berupa tegangan (vBE) atau arus (iB) faktor idealitas (N) pada persamaan arus junction di atas adalah 1 (satu) arus mundur kolektor-basis (iCBO) dianggap nol
Kuliah 2 - 5
- vBE + iE iE
- vCB + iC iC
- VBE +
- VCB +
E + vEB iB B iE DE (I S /) IS exp(vEB/VT ) iC C E
+ vEB B iB
DE (I S /) iE
IS exp(vEB/VT ) C iC
Kuliah 2 - 6
Simbol BJT
C B B
E npn pnp
VCB IB B
IC
VEB IB B
IE
VBE
IE
VBC
IC
Kuliah 2 - 7
0.5
0.7 vBE(V)
kurva iC - vBE
iC = IS exp (vBE/VT)
iC 4 vCB iC 3 2 iE 1 iE = 4 mA 3 mA 2 mA 1 mA
2 4 6 8 10 12
vCB (V)
Kuliah 2 - 8
Tegangan Early
iC
+ + vBE vCE -
iC daerah aktif
vBE = ...
vBE = ...
-VA
vCE
penyebab: perubahan lebar efektif basis akibat penambahan daerah deplesi kolektor-basis dengan peningkatan tegangan vCE Perubahan dianggap linier
Kuliah 2 - 9
iB
+ + vBE vCE iE
IB VCC
vbe VBE
+
VBE
+ VCE IE
VCC
vBE -
Persamaan Arus Kolektor iC = IS exp (vBE/VT) = IS exp ((VBE + vbe)/VT) iC = IS exp (VBE/VT) exp (vbe/VT) = IC exp (vbe/VT)
Kuliah 2 - 10
1 2 3
VBE vbe
waktu
arus kolektor bila v be << VT, maka aproksimasi sinyal kecil atau dimana
Kuliah 2 - 11
r = VT/IB
re = VT / IE re = / gm 1/ gm
Kuliah 2 - 12
vbe = r ib = re ie
r = ie re / ib r = ( + 1) re
Penguatan Tegangan
tegangan sinyal kecil pada kolektor
penguatan tegangan
vc / vbe = - gm RC
Kuliah 2 - 13
RC
iB C B
RC
ib = vbe/r C B VCC ic = gm vbe
+ vCE
E
vbe VBE
+ vBE -
+
vbe
iE
vbe -
+ vce ie = vbe / re
Model Hybrid-
ib B + r vbe gm = I C / VT ie E r = / gm E ie gm vbe r ic C B + vbe ib ib ic C
Kuliah 2 - 14
Model T
C ic gm vbe ib B + vbe E re ie gm = I C / VT re = / gm B + vbe E re ie ib C ic ie
ib = vbe / re - gm vbe = vbe / re (1 gm re) = vbe / re (1 ) = vbe / re (1 /(+1)) ib = vbe / (re (+1)) = vbe / r gm vbe = gm re ie = ie
Kuliah 2 - 15
ib B + r v r = VA / I C E E gm v r r ib r C B C
Analisis Grafis
VCC iC RC RB + vi VBB iB vBE VBB/RB + vCE iB garis beban slope= -1/RB vCE = VCC - i C RC
Kuliah 2 - 16
Karakteristik Transfer Input garis beban iB = (VBB - vBE) / RB vBE garis beban slope= -1/RC 0 iB = ... iB = ... Karakteristik Transfer Output IC iB = ... garis beban iB = ... iC = (VCC - vCE) / RC VBE VBB IB
iC VCC/RC
VCE
VCC
vCE
Kuliah 2 - 17
iB slope = -(1/RB) daerah dengan kurva dioda yang hampir liner ib iB2 IB iB1 Q waktu,t
VBE vbe
VBB
vBE
vbb
waktu,t
waktu,t
Kuliah 2 - 18
iC
iC2 IC iC1
IB
waktu, t
iB2
VCE
VCC
vCE
vce
waktu, t
Kuliah 2 - 19
R1
RC
RC IB RB=R1//R2 IC
R2 RE
IE RE
Rangkaian nyata
Rule of thumb:
VBB = (1/3) VCC VCE = (1/3) VCC
+VCC
Kuliah 2 - 20
RC
IB=I E /(+1)
IE L RE
-VEE +VCC
RC
RC
Kuliah 2 - 21
RC Z C1 X C B RB E C3 RE C2 Y
-VEE
Kuliah 2 - 22
+VCC
vs
B + v RB r E gmv r
C Z io RC Ro + vo RL -
vs
Kuliah 2 - 23
bila
RB >> r
Transkonduktasi Gm io vi =
vo=0
-gm v v
= -gm
Resistansi Output Ro vo io = RC // r
vi=0
RC
bila
RC << r
Avo
Kuliah 2 - 24
= Gm Ri vi / Ri gm r RB RB + r
Ais
= -gm (RB // r) = 1 = - 1 + r / RB
Penguatan Tegangan Av = vi vs vo = vi (RB // R) = (RB // R) + Rs r gm (RC // ro // RL) r + Rs (RC // ro // RL) r + Rs bila RB >> r gm (RC // ro // RL) Ri R i + Rs Gm (Ro // RL)
Av =
Kuliah 2 - 25
vs
RB
B + v r E gmv r
C Z io RC Ro Roc + vo RL -
vs
Kuliah 2 - 26
Rs ii + vi - RB Ri=vi/ii ib=v/r vb B + v r E Re C io gmv RC + vo RL -
vs
ix + v r gmv ix E Re
C + vx -
(i x-gmv) r
Rs
RB
ve/(r+RB//Rs)
vei xRe Rs vs ii X+ vi Ri Ro Gm v i
Z io + vo RL -
Ri = RB // r(1+gmRe)
Gm= -gm/(1+gmRe)
Ro RC
Kuliah 2 - 27
vb = v + (gm + 1/ r) v Re dengan (gm + 1/ r) = re maka vb = (1 + Re/ re) v Rib = r (1 + Re/ re) Rib r (1 + gm Re) Ri = RB // r (1 + gm Re) Perhatikan Rib = r (1 + Re/ re) = ( + 1) re (1 + Re/ re) Rib = ( re + Re) kali di base (reflection rule) dengan re 1/gm maka
Transkonduktasi Gm io vi =
RL=0
Kuliah 2 - 28
-gm v v sebelumnya telah didapat vb = (1 + Re/ re) v
Gm =
gm 1 + Re / re
Perhatikan Rib naik sebesar (1+gmRe) kali dan Gm turun (1+gmRe) kali. Resistansi Output Ro = RC // Roc dengan Roc = vx / ix vx = (ix - gm v) ro + ve v = ix Re r r + (Rs // RB) g m Re r ) + Re r + (Rs // RB) ve ix Re
Roc = ro (1 +
Penguatan Tegangan Av = vo vs = vo vs vo vs
Kuliah 2 - 29
Perhatikan 1. Penguatan Av menjadi lebih bebas dari nilai . Bila RB cukup besar maka Av gm r (RC // RL) r (1 + gm Re) + Rs
atau dalam bentuk lain 1 (RC // RL) Av re + Re 2. Penguat lebih tahan distorsi nonlinear pada sinyal besar karena dengan v yang sama vi dapat dinaikan dengan faktor 1 + Re/re 3. Penguat mempunyai respons frekuensi yang lebih baik (Bab 7)
+VCC
Kuliah 2 - 30
Kuliah 2 - 31
vi ii
= RE // re
vo=0
re - ie vi
untuk RE >> re
= -gm
Resistansi Output Ro vo io = RC
vi=0
vo vi
= Gm Ro = -gm RC
io=0 atau RL=
Gm vi v i / Ri
= Gm Ri = gm re =
+VCC
Kuliah 2 - 32
vs
RB
vs
ground sinyal
vb re RE Rib
ro
ve/vb = RE / (re + RE ): RL
ground sinyal
Ri R i + Rs
Av =
Kuliah 2 - 34
Ri RL
Ai +1
C ib ix
vx
Ro= vx/ix
Rie vx / i Rie =
i = ( +1) ib
Kuliah 2 - 35
Daerah Cutoff
RC iB = 0 iE = 0 iC = 0 RB
iC vC
vC = VCC
vI
iB
vC = VCC - RC iC
VCC
iCsat = (VCC - VCEsat) / RC IBsat = iCsat) / dalam desain IB > IBsat (faktor 2 - 10 kali) forced = iCsat) / IB
vI iB RB
RC
+ VBE -
+ vCEsat -
Kuliah 2 - 36
npn
pnp
model sangat disederhanakan
Kuliah 2 - 37
vCB
r B r + v r gmv C
Kuliah 2 - 38
iC iB vCE
iB = 0 0 VCEQ BVCE0
vCE
hFE dc ICQ/IBQ
iC sat kenaikan rendah aktif
vCE
Kuliah 2 - 39
transistor
hFE () 400 T = 125oC 300 T = 25oC 200 T = -55oC 100 IC (A) 1 10 10 2 10 3 10 4 10 5
iC slope = R CEsat
garis beban
vCE 0 VCEsat