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Lab Oratorio Di Fisica Dei Materili I - Appunti (by Michele Ceriotti)

Lab Oratorio Di Fisica Dei Materili I - Appunti (by Michele Ceriotti)

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Appunti di \ufb01sica dei semiconduttori
11 giugno 2004
Indice
1 Propriet`a di conduzione di un semiconduttore
1
1.1 Bande, elettroni e lacune. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1
1.2 Drogaggio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2
1.3 Massa e\ufb03cace di elettroni e lacune. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2
1.4 Mobilit`a e conducibilit`a. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3
2 Trattamento statistico all\u2019equilibrio
4
2.1 Statistica e concentrazione dei portatori. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4
2.2 Semiconduttori intrinseci e legge di azione di massa. . . . . . . . . . . . . . . . . .
5
2.3 Semiconduttoriestrinseci. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6
3 Semiconduttori fuori equilibrio
8
3.1 Processidi\ufb00usivi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8
3.2 Iniezione. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9
3.3 Processi di ricombinazione. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9
3.3.1 RicombinazioneSRH. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
4 Giunzione p-n
12
4.1 Giunzione non polarizzata. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

4.1.1 Andamento del potenziale chimico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 4.2 Giunzionepolarizzata. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 4.3 Correnti nella giunzione. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

1 Propriet`a di conduzione di un semiconduttore
1.1 Bande, elettroni e lacune

I semiconduttori sono solidi caratterizzati da avere una struttura a bande con una banda di valenza piena, ed una banda di conduzione vuota separata da ungap con un\u2019energia dell\u2019ordine di uno o pochi elettronvolt. A temperatura ambiente solo pochi elettroni hanno un\u2019energia su\ufb03ciente per accedere alla banda vuota, in modo da potere condurre. La conducibilit`a di un semiconduttore puro (intrinseco) `e quindi bassa, dell\u2019ordine di 10\u22121 \u2126\u22121\u00b7cm\u22121.

Una caratteristica importante dei semiconduttori `e inoltre quella di avere, oltre agli elettroni, un secondo tipo di portatori di carica, in grado di generare una corrente: gli elettroni eccitati in banda di conduzione lasciano degli stati liberi in banda di valenza, che permettono una certa mobilit`a agli altri elettroni rimasti. Il moto concertato di tutti gli elettroni della banda di valenza `e descritto in modo molto pi`

u e\ufb03cace come il moto di unalacuna positiva, il livello lasciato libero
dall\u2019elettrone eccitato.
Si distinguono semiconduttori a gapdiretto, per i quali il massimo della banda di valenza
ed il minimo di quella di conduzione hanno lo stesso momento cristallino, e semiconduttori a gap
indiretto, per i quali minimo e massimo corrispondono a diversi valori dik; in questo caso per avere
1
E
accettori
donori
Figura 1: Struttura a bande di semiconduttori puri e drogati
una transizione `e necessaria la produzione o l\u2019assorbimento di un fonone, in modo da garantire la
conservazione del momento cristallino.
1.2 Drogaggio

Seconda prerogativa dei semiconduttori `e quella di variare di svariati ordini di grandezza la propria conducibilit`a con l\u2019aggiunta di piccole quantit`a (dalle ppm \ufb01no a pochi percento) di elementi del gruppo III (drogaggiop) o del V (drogaggion). Questo fenomeno si pu`o spiegare ammettendo che tali impurezze generino degli stati elettronici localizzati, con un\u2019energia che ricade nel gap del semiconduttore.\u00b4

E poi su\ufb03ciente un\u2019energia termica anche contenuta per eccitare gli elettroni da
o verso tali stati, generando elettroni o lacune in grado di condurre.
In particolare i drogantin hanno un elettrone in pi`

u degli atomi di semiconduttore (in genere del IV gruppo) che lo circondano. Generano stati nella parte alta del gap, da dove gli elettroni vengono facilmente eccitati in banda di conduzione. Al contrario di drogantip hanno un elettrone in meno del loro intorno; generano stati vuoti nella parte bassa del gap, che \u201ccatturano\u201d gli elettroni della vicina banda di valenza, lasciandovi delle lacune responsabili della conduzione.

1.3 Massa e\ufb03cace di elettroni e lacune

Nell\u2019ambito dell\u2019approssimazione degli elettroni non interagenti (l\u2019unica nella quale si possa a rigore parlare di stati di particella singola e quindi di onde di Bloch) ogni stato di particella singola `e caratterizzato da un vettore d\u2019ondak e da un indice di bandan. Con tale nomenclatura, la funzione d\u2019onda dello stato si pu`o scrivere come\u03c8n,k =eik\u00b7run,k (r), doveun,k (r) individua una funzione con la stessa periodicit`a del reticolo, e ad ogni stato `e associata un\u2019energia\ue000n (k) (quik viene scritta come se fosse una variabile continua, visto che gli stati sono molto ravvicinati ed ha senso parlare di operazioni di derivazione, lecite a rigore solo su una funzione di variabile continua). La forma della\ue000n (k) dipende radicalmente dalle caratteristiche del solido, ma bastano poche informazioni per poter caratterizzare in prima approssimazione le propriet`a elettriche.

Consideriamo innanzi tutto che un elettrone in moto venga descritto da un pacchetto d\u2019onde
di Bloch, e che quindi abbia una velocit`a pari alla velocit`a di gruppo del pacchetto,
vg=\u2202\u03c9
\u2202k=1
\ue000
\u2202\ue000
\u2202k=1
\ue000
\ue00c
i
\u02c6
ei\u2202\ue000
\u2202ki
2
Sotto l\u2019azione di una forza esterna l\u2019energia dell\u2019elettrone varier`a (con una trattazione classica)
come
d\ue000
dt=F\u00b7 vg =1
\ue000
\ue00c
i
\u2202\ue000
\u2202kiFi
e, dato che sviluppando
d\ue000(k)
dt=
\ue00c
i
\u2202\ue000
\u2202ki
\u2202ki
\u2202t
per confronto ricaviamo che\u02d9
k= F/\ue000; il risultato non `e del tutto banale, visto che \ue000knon `e un
momento nel senso proprio del termine. L\u2019accelerazione subita dall\u2019elettrone sar`a invece
\u02d9
v=1
\ue000
\ue00c
i
\u02c6
ei\u2202
\u2202ki
\u2202\ue000
\u2202t=1
\ue000
\ue00c
i
\u02c6
ei\u2202
\u2202ki
\ue00c
j
\u2202\ue000
\u2202kj
\u2202kj
\u2202t
Il termine con\u2202
\u2202t
\u2202kj
\u2202kisommer`a a zero, e ci resta quindi
\u02d9
v=1
\ue000
\ue00c
ij
\u02c6
ei\u22022\ue000
\u2202ki\u2202kj
\u2202kj
\u2202t=1
\ue0002
\ue00c
ij
\u02c6
ei\u22022\ue000
\u2202ki\u2202kjFj
\u00b4

E evidente l\u2019analogia formale con la classica legge di Newton: l\u2019elettrone si comporter`a sotto l\u2019azione di forze esterne come se fosse dotato di unamassa e\ufb03cace (in questo caso un tensore, ma che diventa uno scalare nel caso monodimensionale) de\ufb01nita da

m\ue001ij=\ue0002
\ue008
\u22022\ue000
\u2202ki\u2202kj
\ue009
\u22121
tale chevi =
\ue00b
ijFj /m\ue001ij.

Basta quindi conoscere la massa e\ufb03cace degli elettroni in prossimit`a del minimo della banda di conduzione per descriverne in modo semiclassico il moto. In pratica di solito ci si limiter`a a considerare una massa e\ufb03cace scalare, pari ad una qualche \u201cmedia\u201d dei valori nelle varie direzioni cristallogra\ufb01che.

Un apparente paradosso `e che la massa e\ufb03cace di elettroni in prossimit`a di un massimo `e negativa; in e\ufb00etti in questo caso ci interesseremo alla massa e\ufb03cace delle lacune, che si pu`o ricavare essere uguale all\u2019opposto della massa e\ufb03cace di un elettrone vicino al massimo della banda di valenza (e quindi `e positiva).

1.4 Mobilit`a e conducibilit`a
Consideriamo un conduttore al quale sia applicato un campo elettrico; limitandosi a trattare la
massa e\ufb03cace come uno scalare, i portatori saranno sottoposti ad un\u2019accelerazione
\u02d9
vd=q
m\ue001E
Consideriamo per`o che il moto dei portatori sia ostacolato da \u201ccollisioni\u201d istantanee con il
reticolo, e che tale interazione si traduca in un termine di attrito viscoso. Abbiamo quindi
\u02d9
vd=q
m\ue001E\u2212k
m\ue001vd=q
m\ue001E\u22121
\u03c4vd
dato chek/m\ue001 ha le dimensioni dell\u2019inverso di un tempo, e\u03c4 si pu`o interpretare come tempo
medio che intercorre tra due collisioni.
In regime stazionario
\u02d9
vd= 0 =q
m\ue001E\u22121
\u03c4vd
3

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