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ESTRUCTURA ELECTRNICA DE LOS SLIDOS II

Efectos de la dimensionalidad sobre la estructura electrnica. Heterouniones semiconductoras. Pozos cunticos y superredes. Hilos y puntos cunticos.

Efectos de la dimensionalidad sobre la estructura electrnica

Efectos de la dimensionalidad sobre la estructura electrnica

Tcnicas de crecimiento
Semiconductores masivos p. ej. Mtodo de Czochralski

Capas delgadas, heterostructuras,... p. ej. Epitaxia por haces moleculares (MBE)

Epitaxia por haces moleculares

Cmara de crecimiento por MBE

Crecimiento capa atmica a capa atmica

Heterouniones semiconductoras

Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

First MOSFET ~1960

Near the SiO2-Si interface SiO2 E2 E1 Electron density p-Si 10nm

CB E= -edg eF e x

V=0

V>Vth

= *
2DEG

V between metal gate and p-substrate creates n-conducting channel -> source-drain resistance decreases dramatically Almost no current passes (vertically) through oxide But many impurities in conducting channel (dissipation, slow)

distance

Modulation Doping Field Effect Transistor (MODFET)

Pozos cunticos y superredes

Estados electrnicos en un pozo cuntico: Efectos de confinamiento

Ga Al As AlAs GaAs AlAs

Nuevo material artificial formado por capas delgadas de materiales con diferente gap. Estados electrnicos?

Aproximacin de la masa efectiva

libre cuantizado

Estados confinados (e)

E gAlAs

GaAs g

Nuevo gap
(mayor que el de GaAs) Estados confinados (h)

Diseo de un pozo cuntico

La importancia del substrato
Substratos comerciales ms utilizados

 La importancia del alineamiento de los gaps

Tipo II

Tipo III

Eleccin de los materiales: Investigacin bsica

Energy Gap Eg (eV)

AlxGa1-xAs: un material ideal para la investigacin de pozos cunticos y superredes

Para 0 < x < 0.4 AlxGa1-xAs tiene un gap directo, que es mayor que el GaAs. GaAs y AlGaAs tienen aproximadamente la misma constante de red. Por tanto, AlGaAs es una excelente barrera de potencial para estudiar pozos cunticos basados en GaAs.

Al content x
H.C. Casey and M.B. Panish, J. Appl. Phys. 40, 4910 (1969).

Eleccin de los materiales: Aplicaciones en telecomunicaciones

Modelo de pozo cuntico con barreras infinitas

Si E

Aproximacin E ( barreras infinitas )

V(z)

Lz

E4

Niveles de energa m=4

(z)

|(z)|2

E3 E2 E1

m=3 m=2 m=1

a is the length

Las funciones de onda tienen paridad definidad respecto a z = 0 los estados se pueden clasificar por su simetra par o impar El estado m tiene (m-1) nodos La energa de confinamiento E1 y las energas entre niveles (Em+1-Em) dependen de la anchura del pozo como 1/Lz2 of the well y son inversamente proporcionales a la masa m*,z

Lz

Barreras finitas
E

m=2 m=1

La funcin envolvente penetra en la barrera Los estados todava pueden ser identificados por su paridad y nmero de nodos La energa de confinamiento se reduce respecto al modelo con barreras infinitas: Ejemplo: GaAs/AlGaAs Ec = 300 meV Lz = 10 nm m*AlGaAS = 0.092 m0 m*GaAs = 0.067 m0 E1 = 31.5 meV En el modelo de barreras infinitas E1 = 57 meV Al menos un estado confinado aparicin de un espectro continuo

Barreras finitas

Pozo triangular
Puede aparecer un pozo cuntico triangular cuando en una heterostructura hay un campo elctrico

Los estados cunticos de un pozo triangular

(en la aprox. de barreras infinitas)

donde F es el campo elctrico

Excitones en pozos cunticos

e

Modelo (exactamente) bidimensional

Estado fundamental

Modelos cuasi-bidimensionales Para un pozo de barreras infinitas R crece montonamente a medida que el pozo se hace estrecho, como los estados discretos del pozo. Para un pozo de barreras finitas R alcanza un mximo, y luego decrece porque el electrn y el hueco se deslocalizan en la barrera. El exciton light-hole tiene en general una energa de enlace ms grande que el heavy hole porque m*lh, > m* hh, En cualquier caso, la energa de enlace del excitn es mucho mayor en un pozo cuntico que en el GaAs masivo (4.5 meV)

----- Light-hole exciton _____ Heavy-hole exciton

Superredes
Pozo cuntico B A B Pozos cunticos mltiples B B A B A Superred A B A B

Niveles de energa discretos

No hay solapamiento; todava niveles de energa discretos

Barreras estrechas Solapamiento de las funciones envolventes las subbandas discretas se ensanchan y forman minibandas

Ei
~ E i + Ai 2 B i

4 Bi
~ E i + Ai + 2 B i

LA + LB

1st

Brillouin zone

+ LB

Hilos y puntos cunticos