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Transistores unipolares

Transistores unipolares

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Apuntes de electrónica.
Apuntes de electrónica.

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LIC. EN FÍSICA ELECTRÓNICA
 
Curso 03-04 Tema 4
 
F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICAFACULTAT DE FÍSICA Universitat de València
 
1
TEMA 4. TRANSISTORES UNIPOLARES.4.1. Transistores unipolares: JFET y MOSFET.
Los transistores
JFET (J
unction
F
ield
E
ffect
T
ransistor) y
MOSFET (M
etal
O
xide
S
emiconductor
F
ield
E
ffect
T
ransistor)
,
son dispositivos semiconductores de tresterminales cuyas corrientes se controlan mediante un campo eléctrico creado por unatensión aplicada entre dos de sus terminales. Son dispositivos controlados por tensión.Los BJT son dispositivos controlados por corrienteTambién a diferencia de los
BJT
los procesos de conducción tienen lugar en ellosfundamentalmente por los portadores mayoritarios, lo cual da pie a la denominación detransistores unipolares.Existen dos tipos básicos de transistores unipolares:
FET
de unión (
JFET
) y
FET
depuerta aislada (
IGFET
). Este último tipo se conoce más por las denominaciones:
MOS
,
MOST
o
MOSFET
. Se usarán las denominaciones
FET
para el primer tipo y
MOSFET
para el segundo.
4.2. El FET.
De cada uno de los dos tipos de transistores unipolares,
FET
o
MOSFET
, existen dosformas básicas: canal n y canal p
.
Para el estudio del
FET
se usará un
FET canal n.
La
figura 4.1
muestra el perfil de la estructura de un
FET canal n
, junto con dos fuentes de alimentaciónde tensión constante
V
GG
y
V
DD
, y una resistencia
R
D
 que servirán para polarizar el dispositivo.Un
FET canal n
es una barra de semiconductorextrínseco tipo n, en cuyos extremos
S
y
D
, terminalesde
surtidor
y
drenador
, dispone de contactosohmicos. En los laterales de la barra hay dos bloquesde semiconductor extrínseco tipo p+ con contactos
Fig. 4.1
óhmicos cortocircuitados externamente, es el terminalde
puerta
,
G
.
 
Entre
drenador
y
surtidor
existe una diferencia de potencial
V
DS
, y para valorespequeños de
V
GG
, circulará una corriente
I
DS
cuyo valor estará limitado por laresistencia externa
R
D
y por la resistencia del cuerpo semiconductor n. Esta corriente laforman los electrones libres del semiconductor extrínseco n, portadores mayoritarios.Estos portadores circulan del surtidor hacia el drenador, por ello los nombres que tomandichos terminales. La corriente de huecos en la barra n se puede obviar por serdespreciable frente a la de los electrones..Si se aumenta el valor de la fuente
V
GG
, sin disminuir
V
DD
, disminuye la corriente
I
DS
.Dado que la unión p-n está polarizada inversamente, la conducción en ella esdespreciable, la disminución de
I
DS
solo se puede justificar por un aumento de laresistencia de la barra semiconductora n. Se tratará de analizar en detalle que es lo queestá sucediendo.
VV
DDGG
GDSp++pnR
D
 
ELECTRÓNICA LIC. EN SICA
 
Tema 4 Curso 03-04
 
F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICAFACULTAT DE FÍSICA Universitat de València
 
2
La pila
V
GG
polariza inversamente la unión p-n. Lazona p
+
está mucho más dopada que la zona n (
N
A
>>N
D
), la profundidad de la zona de cargas descubiertasen la zona n será mucho mayor que la profundidad dela zona de cargas descubiertas en la zona p (
ln >> lp
).Al aumentar
V
GG
se aumenta la zona de cargasdescubiertas fundamentalmente en la zona n (
ln
) locual estrecha el canal de conducción en dicha zonahasta una anchura
x
,
figura 4.2.
La disminución de lasección del canal de conducción aumenta laresistencia equivalente del cuerpo semiconductor n
 Fig. 4.2
y disminuye la corriente de
drenador
a
surtidor
,
I
DS
.
 Tal como muestran las curvas características de salida del
FET canal n 2N3819
,
figura4.3
, para un valor fijo de
V
GS
,
V
GS
= -V
GG
,
 
en el intervalo de valores
 
0V >
V
GS
> -
3V alaumentar
V
DS
paulatinamente desde 0V, en un principio
I
DS
 
aumenta rápido y con unadependencia casi lineal con
V
DS
,
hasta que se llega a un valor de saturación a partir delcual casi no aumenta con
V
DS
. La razón de ello es que los incrementos en la diferenciade potencial
V
DS
se suman a la diferencia de potencial
V
GS
, dando lugar a una grandiferencia de potencial negativa
puerta-drenador
mayor que la diferencia de potencial
puerta-surtidor,
el canal de conducción se estrecha más en las proximidades del
drenador
que del
surtidor,
 
figura 4.2
. Para cada valor de
V
GS
existe un valor de
V
DS
 
que contrae el canal de conducción hasta que solo deja un pequeño paso que estabilizael valor de la intensidad de corriente que pasa. Se ha alcanzado un valor tan alto decampo eléctrico en el canal que la corriente eléctrica deja de cumplir la ley de
Ohm
.
Fig. 4.3
VV
DDGG
GDSp++pR
D
x
n
 
LIC. EN FÍSICA ELECTRÓNICA
 
Curso 03-04 Tema 4
 
F. MUGARRA, DEP. D’ENGINYERIA ELECTRÓNICAFACULTAT DE FÍSICA Universitat de València
 
3
Antes de continuar con un análisis más detallado de la gráfica de la
figura 4.3
, convieneintroducir el parámetro tensión de estrangulamiento
V
p
,
el subíndice
p
procede de sudenominación en inglés pinch-off. Si en el circuitode la
figura 4.2
se cortocircuitan los terminales de
drenador
y
surtidor
del
FET,
la corriente
I
DS
 
seanula
 
y el nuevo perfil de la zona de cargasdescubiertas es el que muestra la
figura 4.4.
Segúnse vio en el
tema
 
(
2-19
), la longitud de la zona decargas descubiertas en una unión p-n:
l = ln + lp ln N
D
= lp N
A
 Fig. 4.4
ya que en esta unión:
N
D
(zona n) << N
A
(zona p
+
)
l
ln
De la expresión (
2-25
),
tema 2º,
que relaciona la profundidad de la zona de cargasdescubiertas con la diferencia de potencial en la unión, se deduce que la profundidad dela zona de cargas descubiertas en la zona n es:
( )
21GSO*n
VVNq2cKl
ε=
 
(4-1)
como:
( )
21GSODnDDADA*
VVNq2lNNNNNN
ε=+=
 El valor de polarización inversa de
puerta
a
surtidor
que anula el canal de conducciónserá el que anule
c
:
2DPGS
K2NqVV
ε==
(4-2)
Expresión en la que se a despreciado
V
O
, diferencia de potencial en la unión en ausenciade polarización externa,
 
ya que
V
O
 
<<
V
GS
.
Despejando el término
(qN
D
 /2
ε
)
en (
4-2),
ysustituyendo en
(4-1
), se obtiene:
P2GS
VKc1V
     =
 
(4-3)
VV
DDGG
GD
    S
p
      +      +
pnR
D
2K2c

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