Karadeniz Teknik niversitesi Mhendislik Fakltesi * Elektrik-Elektronik Mhendislii Blm Elektronik Anabilim Dal * Elektronik Laboratuar I

TRANSSTRL YKSELTELER
1. Deneyin Amac Transistrlerin ykselte olarak nasl altrldnn anlalmas. Ykseltelerde DC alma noktasnn neminin anlalmas. Ykseltelerin DC kutuplama ve analizinin anlalmas. Ykseltelerde kararl alma iin eitli kutuplama yntemlerinin incelenmesi.

2. n Bilgi 2.1. DC Kutuplama ve alma Noktas Transistrl ykselte; giriinden uygulanan iaretleri ykselterek kna aktarmak zere tasarlanm bir devredir. Transistr, ykselte olarak alabilmesi iin DC kutuplama gerilimlerine gereksinim duyar. Transistre uygulanan kutuplama gerilimleri k karakteristii zerinde transistrn alma noktasn belirler. Transistrn sahip olduu kutuplama akm ve gerilim deerini gsteren bu nokta alma noktas ya da Q noktas olarak adlandrlr. ekil 1de bir transistrn k karakteristii zerinde eitli alma noktas rnekleri verilmitir.

ekil 1: Transistr iin eitli alma noktas rnekleri alma noktasnn uygun seilmemesi durumunda k iaretinde krplmalar olumaktadr. Bu durum ekil 2 de gsterilmitir.

ekil 2: Bir ykselte devresinin dorusal ve dorusal olmayan almasna rnekler

2.2. DC Yk Dorusu Transistrl ykselte devrelerinde alma noktasnn ve DC yk dorusunun nemini gstermek amac ile ekil 3.a da grlen devreden yararlanlacaktr. Bu devrede transistrn kutuplama akm ve gerilimleri, V BB ve V CC kaynaklar ile ayarlanabilmektedir. Devredeki transistr iin kolektr karakteristik erileri ise ekil 3.b de verilmitir.

ekil 3: Ayarlanabilen kaynaklarla dc kutuplama ve transistrn karakteristik erisi DC kutuplamann etkisini ve nemini anlamak amac ile ekil-3deki devrede I B akmn farkl deerlere ayarlayarak her bir I B akm deerine karlk transistrn I C ve V CE deerlerinin nasl deitiini inceleyelim. lk olarak kollektr devresi iin evre denklemi yazlrsa; VCC = RC I C + VCE IC = V 1 VCE + CC RC RC (1)

bants elde edilir. (1) bants I C VCE dzleminde eimi gelir. Bu doru DC yk dorusu olarak adlandrlr.

1 olan bir doruya karlk RC

V BB kaynan ayarlayarak I B deerini 100 A yapalm. Bu durumda transistrn kollektr akm I C ; I C = I B =200100 A=20mA olacaktr. Bu kolektr akmna karlk transistrde oluan kolektr-emiter gerilim dm V CE; V CE =V CC -( IC R C )= 10V - (20mA 200) = 6V olacaktr. Bulunan bu deerlere karlk gelen transistrn alma noktas ekil4 de transistr karakteristiinde gsterildii gibi Q1 olacaktr.

Transistrn baz akmnn IB =150 A yaplmas durumunda ise kollektr akm I C ; I C = I B =200150 A=30mA olacaktr. Bu kolektr akmna karlk transistrde oluan kolektr-emiter gerilim dm V CE ; V CE =V CC -( IC R C )= 10V - (30mA 200) = 4V olacaktr. Bulunan bu deerlere karlk gelen transistrn alma noktas ekil 4 de transistr karakteristiinde gsterildii gibi Q2 olacaktr. Son olarak baz akmnn IB =200 A yaplmas durumunda transistrn alma noktasn bulalm IC = I B =200200 A=40mA V CE =V CC -( IC R C )= 10V - (40mA 200) = 2V olacaktr. Bulunan bu deerlere karlk gelen transistrn alma noktas ekil 4 de transistr karakteristiinde gsterildii gibi Q3 olacaktr.

ekil 4: Transistr karakteristii zerinde DC yk dorusunun gsterilii ekil 4 dikkatlice incelenirse transistrn baz akmndaki deiim, kolektr akmn deitirmekte dolaysyla transistrn kolektr-emiter (V CE ) gerilimi de deimektedir. rnein I B akmndaki artma I C akmn artrmaktadr. Buna bal olarak V CE gerilimi azalmaktadr. Bu durumda V BB geriliminin ayarlanmas ile I B deeri ayarlanmaktadr. I B nin ayarlanmas ise transistrn DC alma noktasn yk dorusu zerinde hareket ettirmektedir. ekil 4 de transistr karakteristii zerinde gsterilen ve Q1, Q2 ve Q3 olarak belirtilen alma noktalarnn birletirilmesi ile elde edilen doru DC yk dorusu olarak adlandrlr.

DC yk dorusu x eksenini 10Vda kesmektedir. Bu deer V CE =V CC noktasdr. Bu noktada transistr kesimdedir nk kolektr ve baz akmlar idealde sfrdr. Gerekte baz ve kolektr akmlar bu noktada tam sfr deildir. ok kk bir sznt akm vardr. Bu nedenle bu kesim noktas gerekte 10V dan biraz daha kktr. Yine bu rnekte dc yk dorusunun I C eksenini kestii deer idealde 50mAdir. Bu deer ise transistr iin doyum noktasdr. Transistrn doyum noktasnda kolektr akm maksimumdur. nk bu noktada VCE 0 dr. Kolektr akm; V (2) I C CC RC deerinde olacaktr ve maksimumdur. Dorusal alma Dorusal ykseltme ilemini incelemek iin ekil 5 de verilen devreden yararlanlacaktr. Balangta devre giriine V s iaretinin uygulanmadn dnelim. Devrede baz akmnn I B =150A ve buna karlk kollektr akm 30mA olacaktr. Bu durumda transistrn alma noktas V CE =4V olacaktr. Bu nokta ekil 5.b de transistr karakteristii zerinde gsterilen Q alma noktasdr.

ekil 5: Transistrl ykselte devresi ve yk dorusu zerinde sinyal davranlar

Devre giriine Vs kaynandan baz akm zerinde 50A(tepe deeri) etkisi olan bir sins iareti uygulandn varsayalm. nce Vs iaretinin pozitif saykl geldiini kabul edelim. Bu iaret; VBB kayna ile ayn ynde etki edecek ve baz akmnn ykselmesine neden olacaktr. Giri iareti VS, pozitif tepe deerine ulatnda baz akmda maksimum oranda ykselecektir. Bu anda IB=150+50=200A olacaktr. Bu deer ekil5.bde karakteristikte A noktas olarak iaretlenmitir. Buna karlk kolektr akm 40mA deerine ykselecek, kollektr-emiter gerilimi ise 2V deerine decektir. Bu aamadaki almaya dikkat edilirse transistrn alma noktas A noktasna kaymtr. Burada giri iaretinde toplam 50A lik bir deiim vardr. k kolektr akmnda ise 10mAlik bir deiim sz konusudur. Dolaysyla giri iaretinin pozitif saykl 200 kat ykseltilmitir. Giri iaretinin negatif sayklnda ise; bu iaret baz akmn dolaysyla kolektr akmn azaltacaktr. Transistr ekil 5.bde karakteristik zerinde gsterilen ve B olarak adlandrlan alma noktasna kayacaktr. Bu alma noktasnda; IB=100A, IC=20mA ve VCE=6V deerine ulaacaktr. Ayn ekilde dikkat edilirse giri iaretinin 200 kat ykseltildii grlecektir. Buraya kadar anlatlanlardan da anlalaca gibi, devre giriinde AC giri iareti yokken, transistr Q alma noktasnda (sknet noktas) kalmaktadr. Girie bir sinyal gelmesi durumunda ise alma noktas bu sinyalin ynne bal olarak kesime veya doyuma doru kaymaktadr. Giri iareti ykseltme ileminde Q noktasnn etrafnda salnmaktadr. Transistrn kesim veya doyum noktalarna ulamamaktadr. kta elde edilen iaret, giri iaretinin ykseltilmi bir formudur. k iaretinin dalga biiminde herhangi bir bozulma yoktur. Bundan dolay bu ileyie Dorusal alma denir. kn Bozulmas(Distorsiyon) Transistrle gerekletirilen ykseltelerde; ktan elde edilen ykseltilmi iaretin giri iareti ile ayn dalga formunda olmas istenir. k iaretinde her hangi bir bozulma olmas istenmez. k iaretinde oluan veya oluabilecek bozulmaya ise distorsiyon ad verilir. Ykselte devrelerinde birok nedenden dolay distorsiyon oluabilir. ekil 6 de transistr devresinde oluabilecek distorsiyonlar k karakteristikleri zerinde gsterilmitir.

ekil 6: Transistrl ykselte devrelerinde oluan distorsiyonlar

3.Deneyin Yapl 3.1. Deney Donanmlar KL-21001 Lineer Devre Seti KL-23002 Deney Modl l Aletleri: Osiloskop, aret reteci, Avometre 3.2. Deneyler 3.2.1. Sabit kutuplama deneyi 1. KL21001 lineer devre setini ve KL23002 deney modln kullanarak ekil 7 deki devreyi kurunuz. 2. V CE =V CC /2 olacak ekilde VR4 ayarlaynz. 3. Sinyal retecini devrenin giriine balayarak, devre knda maksimum genlikli bozulmam 1kHz sins dalgas gsterecek ekilde osiliskopta giri ve ck gerilim dalga ekillerini gzlemleyiniz. 4. Giri sinyalini deitirmeden VR4 1M a ayarlayarak k gzlemleyiniz. 5. Elde ettiiniz sonular Tablo 1 e kaydediniz.

ekil 7: Sabit kutuplama iin devre Tablo 1: Sabit kutuplama deney sonular VC I I VC VB Giri
C B C E E

k
V t t

AV

3.2.2. Kendi kendine kutuplama deneyi 1. KL21001 lineer devre setini ve KL23002 deney modln kullanarak ekil 8 deki devreyi kurunuz. 2. VR1 i 0 a ayarlayn. 3. V CE =V CC /2 olacak ekilde VR4 ayarlaynz.

4. Sinyal retecini devrenin giriine balayarak, devre knda maksimum genlikli bozulmam 1kHz sins dalgas gsterecek ekilde osiliskopta giri ve ck gerilim dalga ekillerini gzlemleyiniz. 5. Giri sinyalini deitirmeden VR4 1M a ayarlayarak k gzlemleyiniz. 6. VR1 i 1k a ayarlayarak ayn ilemleri tekrarlaynz. 7. Elde ettiiniz sonular Tablo 2 ye kaydediniz.

ekil 8: Kendi kendine kutuplama iin devre Tablo 2:Kendi kendine kutuplama deney sonular VC I I VC VB Giri k
C B C E E

AV

V t

V t

3.2.3. deerinden bamsz kutuplama deney 1. KL21001 lineer devre setini ve KL23002 deney modln kullanarak ekil 9 daki devreyi C2 devrede olmayacak ekilde kurunuz. 2. V C =V CC /2 olacak ekilde VR2 yi ayarlaynz. 3. Sinyal retecini devrenin giriine balayarak, devre knda maksimum genlikli bozulmam 1kHz sins dalgas gsterecek ekilde osiliskopta giri ve ck gerilim dalga ekillerini gzlemleyiniz. 4. Giri sinyalini deitirmeden VR2 yi 10K a ayarlayarak k gzlemleyiniz. 5. C2(20F) yi devreye ekleyerek, basamak 4 ve 5i tekrarlaynz. 6. Elde ettiiniz sonular Tablo 3 ye kaydediniz.

ekil 9: deerinden bamsz kutuplama iin devre Tablo 3: deerinden bamsz kutuplama deney sonular C2 VCC IB IC VCE VBE Giri k V V Devrede t V
Devrede deil

AV t

V t t

3.2.4. Kollektr geri beslemeli kutuplama iin deney 1. KL21001 lineer devre setini ve KL23002 modln kullanarak ekil 10 daki devreyi kurunuz. 2. V CE =V CC /2 olacak ekilde VR4 ayarlaynz. 3. Sinyal retecini devrenin giriine balayarak, devre knda maksimum genlikli bozulmam 1kHz sins dalgas gsterecek ekilde osiliskopta giri ve k gerilim dalga ekillerini gzlemleyiniz. 4. Giri sinyalini deitirmeden VR4 1M a ayarlayarak k gzlemleyiniz. 5. Elde ettiiniz sonular Tablo 4 e kaydediniz.

ekil 10: Kollektr geribeslemeli kutuplama iin devre

Tablo 4: Kollektr geribeslemeli kutuplama deney sonular VC I I VC VB Giri k

C B C E E

AV

V t

V t

3.2.5. Darlington Devresi Deneyi 1. KL21001 lineer devre setini ve KL23002 deney modln kullanarak ekil 11 deki devreyi kurunuz. 2. VR4 (1 M) maksimuma ayarlayarak I B ve I C akmlarn ve V b gerilimini lnz. 3. VR4 (1 M) minimuma ayarlayarak I B ve I C akmlarn ve V b gerilimini lnz. 4. Elde ettiiniz sonular Tablo 5 e kaydediniz.

ekil 11: Darlington devresi Tablo 5: Darlington devresi deney sonular VR4 VR4 max VR4 min Ib Ic Ai Vb Zi

Hatrlatma; Ai=(1+1)2=Ic/Ib Zi=Vb/Ib(1+1)2Re