Studio Dei Sistemi Fotovoltaici Grid-Connected

Studio dei Sistemi Fotovoltaici Grid-Connected.
Docente Relatore: Prof. Giorgio Spiazzi Laureando: Piero Ceccato

Matricola: 530501
Corso di laurea specialistica in Ingegneria Elettronica
A mamma Giovanna, pap Ezio, Lisa & Andrea.
Un sentito ringraziamento allIng. Franco Mela e tutta Selco Engineering s.r.l.
Indice
Presentazione dellazienda. Pag.
Capitolo 1 - Introduzione.
1.1 LEFFETTO FOTOELETTRICO. Pag. 1
1.2 FISICA DELLA CELLA FOTOVOLTAICA... Pag. 1.2.1 1.2.2 1.2.3 1.2.4 1.2.5 Silicio Intrinseco...... Pag. Diffusione e deriva... Pag. Drogaggio dei semiconduttori..Pag. Giunzione pn Pag. Generazione di una coppia elettrone-lacuna per assorbimento di un fotone Pag. 1.2.6 La giunzione pn in polarizzazione diretta Pag.
3 3 4 7 9
13 17
1.3 TIPI DI CELLE FOTOVOLTAICHE... Pag.
21
1.4 CARATTERISTICA I-V DI UNA CELLA FOTOVOLTAICA...Pag.
24
1.5 INTRODUZIONE AGLI IMPIANTI FOTOVOLTAICI..Pag.
33
Capitolo 2 - Analisi del mercato di inverter gridconnected 3kW.

2.1 PREMESSA...Pag. 41
2.2 CARATTERISTICHE DI UN IMPIANTO FOTOVOLTAICO...Pag. 2.1.1 Parametri dingresso (Lato DC)Pag. 2.2.2 Parametri duscita (Lato AC)Pag.
46 46 47 47 48 48 50 50 50 51 60
2.2.3 Parametri di efficienza..Pag. 2.2.4 Parametri relativi alla tipologia costruttiva . Pag. 2.2.5 Caratteristiche e funzionalit di sicurezzaPag. 2.2.6 Caratteristiche meccaniche........................... Pag. 2.2.7 Ambiente...Pag. 2.2.8 Garanzia Pag.
2.3 PRODOTTI COMMERCIALI NEL RANGE 2kW 4kW. Pag. 2.3.1 Tecnologie a confronto. Pag. 2.3.2 Massima efficienza ed efficienza europea delle varie tipologie....................................................................... Pag. 2.3.3 Distribuzione delle varie tipologie Pag. 2.3.4 Stadio dingresso e MPPT.Pag. 2.3.5 Tensione dingresso al MPPT e tensione massimaPag. 2.3.6 Frequenza di funzionamento 50Hz e 60Hz........................... Pag. 2.3.7 THD (Total Harmonic Distorsion) Pag. 2.3.8 Garanzia Pag. 2.3.9 Struttura MASTER SLAVE...........................Pag. 2.3.10 Sistemi di comunicazione Pag. 2.3.11 Design... ... Pag.
63 68 69 69 69 70 70 70 71 72
Capitolo 3 - Normative.
3.1 PREMESSA....... Pag. 3.2 IMPIANTI FOTOVOLTAICI IN ITALIA Pag. 3.2.1 Direttiva Enel DK 5940.. Pag. 3.2.2.1 Schema di collegamento di un impianto di produzione alla rete pubblica dellENEL... Pag. 3.2.1.2 Dispositivo Generale.. Pag. 3.2.1.3 Dispositivo di Interfaccia Pag. 3.2.1.4 Protezione di Interfaccia e taratura. Pag. 3.2.1.5 Dispositivo di Generatore... Pag. 3.2.1.6 Qualit dellenergia prodotta...Pag. 3.2.2 Normative IEC, EN, CEI per inverter fotovoltaici. Pag. 75 77 77 79 80 81 86 73 75 75
3.3 IMPIANTI FOTOVOLTAICI NEGLI STATI UNITI.. Pag. 3.3.1 Articolo NEC 690Pag. 3.3.1.1 Sistemi fotovoltaici con tensione superiore ai 600V...Pag. 3.3.2 UL1741Pag.
100 100 105 106
3.4 PANORAMICA SUGLI ALTRI PAESI........................Pag. 3.4.1 Germania. Pag. 3.4.2 Spagna. Pag. 3.4.3 Australia.. Pag.
113 113 117 118
3.5 NORMATIVE PER LA MARCATURA CE.Pag. 3.6 ELENCO RIASSUNTIVO NORME IEC, EN, CEI PER INVERTER FOTOVOLTAICI. Pag. 3.6.1 Norme Generali... Pag. 3.6.2 Normative CE..Pag. 3.6.3 Norme Stati Uniti Pag. 3.6.4 Norme per lAustralia. Pag.
119
120 120 124 130 131
Capitolo 4 Topologie elettroniche.

4.1 PREMESSA... Pag. 133
4.2 TOPOLOGIE ELETTRONICHE A DOPPIO STADIO.... Pag. 4.2.1 Configurazione non isolata: Boost Full BridgePag. 4.2.1.1 Modulazione PWM bipolare... Pag. 4.2.1.2 Modulazione PWM unipolare. Pag. 4.2.2 Configurazione multistringa non isolata: Boost Half Bridge.Pag. 4.2.3 Configurazione isolata: Boost Full Bridge...........................Pag. 4.2.4 Convertitore isolata: Flyback Full Bridge.... Pag. 4.2.5 Configurazione isolata: Push Pull Inverter a corrente impressa. Pag. 4.2.6 Configurazione isolata: Full Bridge Inverter a corrente impressa............................. Pag.
141 141 146 149
151 153 154
156
160
4.3 TOPOLOGIE ELETTRONICHE PROPOSTE IN LETTERATURA.Pag. 4.3.1 Topologia GCC............................Pag. 4.3.1.1 Introduzione alla topologia GCCPag. 4.3.1.2 Principio di funzionamento del circuito GCC.Pag. 4.3.1.3 Realizzazione pratica del circuito GCC.. Pag. 4.3.1.4 Analisi del circuito GCC realizzato con chopper a due stadi...Pag. 4.3.1.5 Caratteristica Potenza-Tensione...Pag. 4.3.1.6 Conclusioni...Pag. 4.3.2 Topologia risonante multicella ... Pag. 4.3.2.1 Introduzione alla topologia Multicella. Pag. 4.3.2.2 Analisi convertitore Multicella Pag. 4.3.2.3 Forme dondaPag. 170 173 174 175 175 176 180 162 162 162 164 167
4.3.3 Topologie multilivello. ... Pag. 4.3.3.1 Premessa...Pag. 4.3.3.2 Convertitore Multilivello Half Bridge Diode Calmped (HBDC).Pag. 4.3.3.3 Convertitore Cascaded H-Bridge. Pag. 4.3.3.4 Configurazione multilivello isolata.. Pag. 4.3.3.5 Conclusioni.. Pag. 4.4 ALGORITMI MPPT.. Pag. 4.4.1 MPPT Perturbe and Observe (P&O).. Pag. 4.4.2 MPPT Incremental Conductance (ICT)...... Pag. 4.4.3 MPPT Costant Voltage (CV).. Pag. 4.4.4 MPPT Short Circuit Current (SC)........................... Pag.
184 184
184 186 187 187 188 188 192 195 197 199
ConclusioniPag. Bibliografia
Riviste e testi sul settore fotovoltaico.. Pag. Normative. Pag. Testi di ElettronicaPag. Articoli IEEE sugli articoli normativi...Pag. Articoli IEEE sugli inverter fotovoltaici.. Pag. Manuali e Data SheetPag.
201 200 203 203 204 206
Presentazione dellazienda
Via palladio 19 35019 Onara di Tombolo(PD) Tel. +39 049 9413111 Fax. +39 049 9413311 www.selcogroup.it
Selco s.r.l. nasce nel 1979 e ben presto diventa la realt italiana pi all'avanguardia nella progettazione e industrializzazione di generatori ed impianti per saldatura ad arco e taglio al plasma per utilizzi ed applicazioni professionali. L'innovazione tecnologica, l'apertura verso il cambiamento, la continua ricerca di maggior efficienza e velocit, il lavoro e lo spirito di squadra caratterizzano la filosofia aziendale Selco. La ragione del successo riscosso da Selco su scala internazionale riassumibile in due concetti fondamentali: affidabilit totale e tecnologia all'avanguardia. Nel 2006 Selco s.r.l diventa un Gruppo di aziende controllate dalla Holding Selco Group S.p.A alla quale fanno capo 12 societ.
II
SELCO GROUP SPA
SELCO SRL
SELCO CZECH REPUBLIC S.R.O.
SELCO MANUFACTURING SRL
SELCO ENGINEERING SRL
INTECO SRL
SELCO DEUTSCHLAND
SELCO FRANCE SARL
SELCO POLAN SP. ZO.O.
OOO SELCO RU
S.C. SELCO ROMANIA S.R.L.
SELCO SOLDADURA SL
SELCO WELD LTD
SOCIETA COMMERCIALI
SOCIETA COMMERCIALI ESTERE
SOCIETA MANUFACTURING
SOCIETA DI INGEGNERIZZAZIONE
III
Lattivit di progettazione, produzione e controllo qualit di Selco Group svolta su unarea di 12800m2 fra la sede di Onara di Tombolo (PD) e Cittadella(PD).
La
progettazione
delle da
schede Selco
elettroniche
realizzata
Engineering, nel Dipartimento Ricerca & Sviluppo dove ricercatori e progettisti, con elevate competenze specialistiche, si avvalgono delle pi sofisticate e moderne tecnologie. Particolare cura ed attenzione viene posta sia nella definizione di soluzioni di design innovative, capaci di unire funzionalit e sicurezza a linee moderne, sia nella razionalizzazione e standardizzazione dei componenti. Sulla base di un' attenta analisi delle diversificate esigenze del mondo della saldatura, viene condotta una costante e metodologica attivit di ricerca e sviluppo sia di funzioni, parametri e prestazioni che meglio rispondano alle molteplici esigenze applicative, sia di soluzioni tecnologiche tali da definire prodotti sempre pi affidabili e flessibili in termini di prestazioni.
L'attivit produttiva svolta da Selco Manufacturing s.r.l una sintesi di tradizione, raffinatezza tecnologica e tecniche di produzione
all'avanguardia: le attuali linee di produzione, informatizzate, automatizzate sono ed infatti
attrezzate in funzione della massima flessibilit, con processi e metodi che consentono agli operatori di lavorare nelle migliori condizioni.
IV
Controlli rigorosi vengono effettuati in ogni fase del processo di produzione, a partire dal ricevimento delle materie prime e dei semilavorati provenienti dai fornitori. Accurati test di collaudo, statici e dinamici, vengono inoltre effettuati su ogni singolo prodotto finito prima che avvenga la fase di imballaggio.
Per Selco Group la qualit significa attribuire ai prodotti una natura che li distingua sul mercato. Questo aspetto della cultura aziendale, focalizzata sull'innovazione e sulla continua e costante ricerca di maggior efficienza ed efficacia, ha ottenuto, oltre al riscontro pratico di un crescente successo internazionale, anche un importante riconoscimento formale: la certificazione VISIO 9001. Tutti i prodotti Selco Group vengono
sottoposti ad una rigorosa procedura di collaudo finalizzata a verificarne la funzionalit in condizioni ambientali critiche, la resistenza a forti
sollecitazioni meccaniche ed il rispetto della compatibilit elettromagnetica. Selco utilizza la componentistica pi moderna ed affidabile reperibile a livello mondiale e, inoltre, progetta e sviluppa internamente diversi componenti considerati strategici per l'ottimizzazione delle funzioni e delle prestazioni del prodotto. Tutta la produzione Selco soddisfa, inoltre, le normative di prodotto IEC/EN 60974-1/-2/-3/-5 sulla sicurezza elettrica e la severa IEC/EN 60974-10 sulla compatibilit elettromagnetica; l'applicazione di queste normative permette la rispondenza del prodotto Selco alle Direttive Comunitarie ed assicura all'operatore la massima sicurezza nell'utilizzo.
Il Servizio di Assistenza Tecnica assicura rapidit ed efficacia di intervento: gran parte del Servizio avviene telefonicamente e tramite posta elettronica, garantendo ai
Clienti quella continuit e puntualit di supporto competente che il mercato internazionale nuovissimo si aspetta. Il
magazzino
ricambi
computerizzato assicura un'evasione rapida e puntuale delle richieste dei Clienti. Selco Group dispone di un training centre per la formazione e l'aggiornamento specialistico del
proprio staff tecnico-commerciale e di quello dei propri distributori, per consentire una sempre maggior
conoscenza del prodotto, delle sue funzioni e potenzialit, e per trasferire alla propria rete distributiva tutte le competenze tecniche necessarie ad una corretta manutenzione di tutti i prodotti della gamma. Selco Group, anche grazie a questo costante impegno nella formazione, in grado di offrire un servizio di assistenza qualificato mediante la propria capillare rete di distribuzione. Selco Group comprende, al 31-12-2006, circa 160 persone di cui 24 dislocate nelle filiali europee con mansioni tecniche commerciali.
VI
Capitolo 1 - Introduzione.
1.1 Leffetto fotoelettrico.
La prima osservazione delleffetto fotoelettrico risale al 1887 ad opera di Heinrich Hertz mentre stava cercando di dimostrare lesistenza delle onde elettromagnetiche. Questo fenomeno osservato venne comunque catalogato da Hertz come un fenomeno nuovo e misterioso. Successivamente con la teoria dei quanti Albert Einsten diede una spiegazione a tale fenomeno. Leffetto fotoelettrico consiste nellemissione di elettroni da parte di materiali, in particolare i metalli, colpiti da radiazione elettromagnetica di frequenza sufficientemente alta. In pratica si osserva che lemissione di elettroni avviene solo se la radiazione incidente caratterizzata da una frequenza maggiore di una certa frequenza di soglia 0. Gli elettroni emessi, chiamati fotoelettroni, hanno velocit e quindi energia cinetica che va da zero ad un valore massimo EMAX legato alla frequenza della radiazione incidente dalla relazione:
E MAX =
1 2 m v MAX = h (v v0 ) 2
(1.1.1)
EMAX
Fig. 1.01 - Energia cinetica massima dei fotoelettroni in funzione della frequenza della radiazione incidente.
0 chiamata Legge di Einstein dove h la costante di Planck.
Si osserva inoltre che lintensit degli elettroni emessi (cio il numero di elettroni emessi per unit di tempo e superficie) proporzionale allintensit della radiazione incidente, mentre la loro velocit e quindi la loro energia cinetica ne indipendente. La fisica classica ammetteva che elettroni appartenenti agli atomi superficiali del corpo irraggiato potessero essere sollecitati ad oscillare dallazione del campo elettrico variabile associato alla radiazione elettromagnetica incidente. In base a tale interpretazione, se le oscillazioni imposte allelettrone risultassero molto ampie, gli elettroni potrebbero allontanarsi tanto dal nucleo da essere espulsi dagli atomi. Come conseguenza la velocit degli elettroni espulsi dovrebbe aumentare allaumentare dellintensit del campo elettrico incidente e quindi, a parit di frequenza, allaumentare dellintensit della radiazione elettromagnetica, contrariamente a quanto si osservava in pratica. Linterpretazione delleffetto fotoelettrico fu data nel 1905 da A. Einstein. Egli suppose che nellinterazione con la materia le radiazioni elettromagnetiche si comportino come costituite da quanti di luce, chiamati fotoni, ciascuno dotato di una energia h , essendo h la costante di Planck e la frequenza della radiazione. Allaumentare dellintensit di questultima, lenergia di ogni fotone rimane invariata, mentre aumenta il numero di fotoni che attraversano lunit di superficie nellunit di tempo, cio aumenta lintensit del fascio fotonico. Nellinterazione della radiazione con la materia, un fotone, colpendo un atomo, gli pu cedere la sua energia h : se questa maggiore di quella necessaria per strappare un elettrone dallatomo, lelettrone stesso ne viene espulso ed assume energia cinetica pari alla differenza tra lenergia del fotone incidente e la propria energia di legame EG. E chiaro che leffetto fotoelettrico pu avvenire solo se lenergia del fotone incidente in valore assoluto maggiore di EG, cio se la frequenza della radiazione incidente risulta maggiore di EG/h. Da tale teoria deriva inoltre che allaumentare dellintensit della radiazione incidente, dato che aumenta il numero di fotoni incidente (rimanendo costante la loro energia), aumenta anche il numero di elettroni espulsi, senza che la loro energia cinetica ne sia influenzata, come si osserva sperimentalmente.
1.2 Fisica della cella fotovoltaica.

1.2.1 Silicio intrinseco.
Un cristallo di silicio puro ha una struttura cristallina dove gli atomi sono legati tra loro tramite legami covalenti formati da quattro elettroni di valenza. A basse temperatura, vicine allo zero assoluto 0K, tutti i legami covalenti sono intatti e nessun elettrone libero per condurre corrente elettrica. A temperatura ambiente alcuni legami sono rotti per ionizzazione termica e sono quindi disponibili alcuni elettroni per la conduzione. Quando un legame covalente viene rotto, lelettrone abbandona latomo, lasciando cos lo stesso carico positivamente di una quantit in modulo pari alla carica dellelettrone che si allontanato. Un elettrone di un atomo vicino pu quindi essere attratto dalla carica positiva abbandonando il suo atomo dorigine. Questa azione di colmare la lacuna esistente nellatomo ionizzato crea quindi una nuova lacuna nellatomo da cui si staccato lelettrone che ha colmato la prima lacuna. Questo processo si ripete e si quindi in presenza di un flusso di carica positiva, o di lacune, che si pu muovere attraverso il cristallo e pu essere disponibile per la conduzione di corrente elettrica. La ionizzazione termica d un numero di elettroni uguale a quello delle lacune e quindi una uguale concentrazione. Allinterno del cristallo di silicio il movimento degli elettroni e delle lacune casuale e gli elettroni vanno a colmare le lacune esistenti effettuando cos una ricombinazione. In equilibrio termico la concentrazione di elettroni liberi n uguale al numero di lacune p e vale:
n = p = ni
(1.2.1.1)
dove ni rappresenta la concentrazione di elettroni e lacune liberi nel silicio intrinseco ad una data temperatura. Tale concentrazione vale circa:
ni 2 = B T 3 e EG / (k T )
(1.2.1.2)
dove: B = parametro che dipende dal materiale = 5.4 10 31 per il silicio EG= Energy Gap = 1.12 eV per il silicio k = costante di Boltzmann = 8.62 10 5 eV/K Si noti che lenergy gap EG la minima energia necessaria per rompere un legame covalente nellatomo di silicio e generare una coppia elettrone lacuna. A temperatura ambiente ni 2 = B T 3 e EG / (k T ) = 1.5 1010 portatori / cm 3
1.2.2 Diffusione e Deriva.
Esistono due meccanismi secondo cui gli elettroni e le lacune possono muoversi allinterno di un cristallo di silico: la diffusione e la deriva. a) La diffusione associata al movimento casuale dovuto allagitazione termica. In un pezzo di silicio, con concentrazione uniforme di elettroni e lacune, questo movimento casuale non d luogo ad un flusso netto di carica. Se invece si realizza un pezzo di silicio con concentrazione non costante, si avr un flusso di carica dalla zona pi concentrata a quella meno concentrata con il risultato di una corrente per diffusione. Concentrazione lacune p
++++ +++ ++ + ++++ +++ ++ +
Fig. 1.02 Esempio di concentrazione non uniforme.
Si consideri, per esempio, la concentrazione di lacune rappresentata in figura 1.02 la quale rappresenta il profilo di lacune creato lungo lasse x. Dallesistenza di tale profilo lungo lasse x, risulta una corrente di diffusione di lacune in tale direzione con modulo proporzionale al gradiente di concentrazione in quel punto, cio:
J p = qD p
dp dx
(1.2.2.1)
dove: Jp = densit di corrente sul piano perpendicolare allasse x [A/m2] q = carica dellelettrone = 1.6 10 19 C Dp = costante di diffusione delle lacune nel silicio intrinseco= 12 cm 2 s .
Essendo il gradiente dp/dx negativo, si ha una corrente positiva nel verso delle x come doveva essere. Nel caso si consideri una corrente di diffusione di elettroni dovuta ad un gradiente di concentrazione di elettroni si ha:
J n = qDn
dn dx
(1.2.2.2)
dove: Dn = costante di diffusione degli elettroni nel silicio intrinseco = 34 cm 2 s .
Come si pu notare un gradiente di concentrazione negativo d luogo ad una corrente nel verso positivo come d convenzione. b) Laltro meccanismo di movimento delle cariche allinterno di un semiconduttore la deriva. Le cariche si muovono per deriva quando un campo elettrico E applicato al
pezzo di silicio. Gli elettroni e lacune sono accelerate dal campo elettrico acquisiscono una componente di velocit chiamata velocit di deriva.
Se un campo elettrico di valore E [V/m] applicato, le lacune si muovono in direzione di E e acquisiscono una velocit pari a: v deriva _ lacune = E p dove p la mobilit delle lacune ed espressa in m2/Vs. Per il silicio intrinseco p = 480cm 2 /Vs . (1.2.2.3)
Gli elettroni liberi si muoveranno in verso opposto al campo E e la loro velocit di deriva sar pari a: v deriva _ elettroni = E n dove n la mobilit delle lacune ed espressa in m2/Vs. Per il silicio intrinseco n = 1350cm 2 /Vs . Cos facendo si ha una densit di carica positiva q p [C/m3] che si muove lungo la direzione delle x positive con velocit v deriva _ lacune = E p . Ne segue che in un secondo la carica q p E p A [C] attraverser la sezione di area A. Dividendo per larea A si ottiene la densit di corrente causata dalla deriva delle lacune: J = q pE p (1.2.2.5) (1.2.2.4)
Con lo stesso procedimento si ricava la densit di corrente dovuta alla deriva degli elettroni e si arriva cos alla densit di corrente di deriva totale che pari a: J = q p p + n n E
(1.2.2.6)
In fine vale la pene citare la semplice relazione conosciuta come relazione di Einstein, che esiste tra la costante di diffusione e la mobilit.
k T q
VT =
Dn
Dp
(1.2.2.7)
dove VT la tensione termica che vale circa 25mV a temperatura ambiente.

1.2.3 Drogaggio dei semiconduttori.
Un cristallo di silicio intrinseco ha una concentrazione di elettroni liberi uguale alla concentrazione di lacune generate per ionizzazione termica. Queste concentrazioni, ni , sono fortemente dipendenti dalla temperatura. I semiconduttori drogati sono semiconduttori nei quali un tipo di carica predomina sullaltro. Un silicio drogato nel quale le cariche maggioritarie sono gli elettroni chiamato di tipo n, mentre un silicio drogato nel quale le cariche maggioritarie sono le lacune chiamato di tipo p. Un drogaggio di tipo n o p realizzato semplicemente introducendo degli atomi impuri in piccole quantit. Introducendo un atomo pentavalente come il fosforo al posto di un atomo di silicio, si ha che quattro dei cinque elettroni di valenza del fosforo si legano in legami covalenti con gli atomi di silicio adiacenti e un elettrone rimane libero. Il fosforo quindi un atomo donatore, in quanto dona un elettrone libero al cristallo di silicio. Cos facendo non si generano lacune libere, quindi la carica maggioritaria in un pezzo di silicio drogato con il fosforo saranno gli elettroni. Se la concentrazione di atomi donatori ND allequilibrio termico, la concentrazione di elettroni liberi nel silicio drogato di tipo n sar pari a: nn0 = N D (1.2.3.1)
In equilibrio termico, il prodotto tra la concentrazione di elettroni e lacune deve rimanere costante e pari ad ni2, pertanto si ricava che la concentrazione di lacune vale:
ni = n n 0 p n 0 p n 0
n = i ND
(1.2.3.2)
Essendo ni funzione della temperatura, chiaro che la concentrazione di cariche minoritarie, lacune, dipender dalla temperatura. Per produrre un semiconduttore di tipo p baster drogare il silicio con un elemento trivalente come per esempio il boro. In questo caso avendo il boro solo tre elettroni di valenza, tutti e tre gli elettroni andranno a formare legami covalenti con gli atomi di silicio adiacenti e rester una lacuna. Per questo motivo gli atomi si chiamano accettori. Se la concentrazione di atomi accettori NA, allora la concentrazione di lacune sar pari a p p0 = N A (1.2.3.3)
In equilibrio termico, il prodotto tra la concentrazione di elettroni e lacune deve rimanere costante e pari ad ni2, pertanto si ricava che la concentrazione di elettroni vale:
2
ni = n p 0 p p 0 n p 0
n = i NA
(1.2.3.4)
Un pezzo di materiale drogato di tipo n o tipo p rimane comunque elettricamente neutro.
1.2.4 Giunzione pn.
Il termine di giunzione indica la superficie di separazione fra due conduttori o fra un metallo e un semiconduttore o fra due semiconduttori. In particolare la giunzione pn, la superficie di separazione fra due campioni di uno stesso semiconduttore drogato uno di tipo p e laltro di tipo n. In campo elettronico, non possibile ottenere giunzioni pn ponendo a contatto due campioni dello stesso materiale semiconduttore drogati in modo diverso, in quanto i difetti della superficie poste a contatto influenzerebbero negativamente le caratteristiche elettriche. Per questo motivo, una giunzione pn viene ottenuta drogando in modo diverso due zone contigue dello stesso campione monocristallino. Una volta ottenuta la giunzione pn in condizioni di circuito aperto si ha:
ID IS
++++++ ++++++ regione p ++++++ ++++++
+ + +
--------------regione n ---------------
Regione di svuotamento
Fig. 1.03 Giunzione pn in condizioni di circuito aperto.
a) Corrente di diffusione: essendoci una concentrazione di lacune maggiore
nella zona p rispetto alla zona n, le lacune si diffondono attraverso la giunzione dal lato drogato p al lato drogato n. Allo stesso modo, essendo la concentrazione di elettroni maggiore nella zona n rispetto alla zona p, gli elettroni diffondono attraverso la giunzione dal lato n al lato p. Queste due componenti si sommano e formano la corrente di diffusione ID.
b) Regione di svuotamento: le lacune che si diffondono dal lato p al lato n, si
ricombinano velocemente con gli elettroni maggioritari del lato n e scompaiono
10
Questo processo fa si che in prossimit della giunzione alcuni elettroni liberi scompaiono dal materiale di tipo n. Cos facendo, la carica positiva non pu essere neutralizzata dagli elettroni liberi e rimane scoperta. Nei pressi della giunzione si ha quindi la presenza di una regione svuotata di elettroni e costituita quindi di carica positiva scoperta. Analogamente, gli elettroni che si diffondono dal lato n al lato p a causa della differenza di concentrazione, si ricombinano velocemente con le lacune che sono carica maggioritaria nella regione p. Cos facendo nei pressi della giunzione si crea una regione di carica negativa scoperta Nei pressi della giunzione, si ha la presenza di una regione svuotata delle cariche maggioritarie, che sul lato n sar costituita da cariche positive e sul lato p sar costituita da cariche negative, la cosiddetta regione di svuotamento. La regione di svuotamento anche chiamata regione di carica spaziale. Questa regione di carica spaziale crea nei pressi della giunzione un campo elettrico, che d quindi luogo ad una differenza di potenziale ai capi della giunzione. Questa differenza di potenziale si opporr alla diffusione delle lacune nella regione n, e alla diffusione degli elettroni nella regione p, agendo quindi come una barriera.
Fig. 1.04 Andamento del potenziale lungo un asse perpendicolare alla giunzione.
potenziale
Barriera di potenziale V0 x
11
c) Corrente di deriva ed equilibrio.
Oltre alla corrente dovuta alla diffusione delle cariche maggioritarie, esiste anche una corrente dovuta alla deriva delle cariche minoritarie attraverso la giunzione. In special modo alcune delle lacune generate termicamente nel semiconduttore di tipo n, si diffondono sul lato drogato n e raggiungono il bordo della regione di svuotamento. In corrispondenza della giunzione, il campo elettrico spinger le lacune presenti nel lato drogato n nel lato drogato p. In maniera analoga, gli elettroni generati termicamente nella regione di tipo p si diffonderanno fino a raggiungere la regione di svuotamento dove il campo elettrico le diffonder sul lato n. Queste due correnti, gli elettroni che si muovono per deriva dal lato n al lato p e lacune che si muovono dal lato n al lato p, si sommano formando la corrente
di deriva IS.
In condizioni di circuito aperto, la corrente deve essere nulla, pertanto la corrente di diffusione risulta in modulo uguale alla corrente di deriva ma ovviamente con verso opposto. ID=IS (1.2.4.1)
Questa condizione di equilibrio garantita dalla barriera di potenziale V0. Infatti se per qualche ragione la corrente di diffusione aumentasse rispetto alla corrente di deriva, allora aumenterebbe la carica scoperta da entrambi i lati della giunzione pn, con conseguente allargamento delle regione di svuotamento e aumento quindi della barriera di potenziale V0, con conseguente diminuzione della corrente di diffusione. Allo stesso modo, se aumentasse la corrente di deriva IS rispetto alla corrente di diffusione, allora diminuirebbe la carica scoperta con conseguente restringimento della regione di svuotamento e diminuzione della barriera di potenziale V0, con conseguente aumento di ID fino a raggiungere lequilibrio con IS. Senza tensione esterna applicata il valore di V0 vale:
12
N N V0 = VT ln A 2 D n i
(1.2.4.2)
Infatti, imponendo a zero la somma tra la corrente di deriva degli elettroni e la corrente di diffusione degli elettroni e ricordando che E = dV si trova: dx
q n n
dn dV + qDn =0 dx dx
dV = Vj =
Dn dn k T dn = n n q n kT nn 0 ln q n p0
Vj =
kT N A N D ln q ni 2
= VT ln N A N D n2 i
(1.2.4.3)
dove NA e ND sono le concentrazioni di drogante sul lato p e sul lato n. La larghezza della regione di svuotamento vale circa:
Wdep =
2 s q
1 1 + N A ND
V0
(1.2.4.4)
dove S costante dielettrica del silicio e vale S = 11.70.
13
1.2.5 Generazione di una coppia elettrone-lacune per assorbimento di un fotone.
Lenergia di un fotone data da: hc
E = h =
[ joules]
(1.2.5.1)
dove: h la costante di Plank che vale h = 6.63 10 34 j s . c la velocit della luce c = 2.998 10 8 m / s . la frequenza della radiazione in Hz. la lunghezza donda espressa in m. Normalmente le energie a livello atomico vengono espresse in electron volt dove
1eV = 1.6 10 19 J e la lunghezza donda viene espressa in micrometri [m]. Per
ricavare lenergia dei fotoni in electron volt, corrispondenti ad una radiazione avente una lunghezza donda espressa in micrometri, basta applicare la seguente relazione. 1.24 [eV ] [ m]
E=
(1.2.5.2)
Se lenergia dei fotoni eccede lenergy gap EG del semiconduttore allora il fotone sar assorbito, produrr una coppia elettrone lacuna, e lenergia in eccesso sar smaltita in calore. Se lenergia dei fotoni non eccede invece lenergy gap del semiconduttore, il fotone non sar assorbito e non produrr coppie elettroni lacune. Banda di conduzione Energy Gap EG=1.12eV Banda di valenza
Fig. 1.05 - Energy gap del silicio.
14
Avendo il silicio un energy gap di 1.12eV, lenergia minima che un fotone deve avere per generare una coppia elettrone lacuna proprio 1.12eV, che corrisponde ad una radiazione di lunghezza donda pari a: 1.24 1.24 = = 1.11m E 1.12
(1.2.5.3)
La radiazione incidente per i sistemi fotovoltaici la radiazione solare il cui spettro il seguente:
Fig. 1.06 Andamento della densit spettrale di potenza in funzione della lunghezza donda della radiazione solare.
Il picco della densit di potenza della radiazione solare si trova circa a =0.5m. Si osservi che, pi piccola la lunghezza donda e pi alta lenergia dei fotoni incidenti, e quindi la radiazione utile incidente su un pezzo di silicio per la generazione di una coppia elettrone lacuna tutta la radiazione con lunghezza donda inferiore a =1.11m che pari a circa il 75% di tutta la densit di potenza.
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La radiazione con lunghezza donda pi corta della necessaria porta ad avere oltre che alla liberazione di una coppia elettrone lacuna, la generazione di calore. In questo modo della totale energia utile (75% della radiazione solare) solo il 44% pu essere convertito in energia elettrica mentre il restante 56% viene trasformato in calore.
Fig. 1.07 Radiazione solare utile per la generazione di una coppia elettronelacuna per il silicio.
Una volta che una coppia elettrone lacuna stata generata per foto-assorbimento di un fotone, il campo elettrico ai capi della giunzione pn diretto dal lato n al lato p della giunzione, spinger gli elettroni sul lato drogato n e le lacune sul lato drogato p. Cos facendo gli elettroni spinti sul lato n e le lacune spinte sul lato p diventano ora cariche maggioritarie e compare quindi un aumento di tali cariche ai capi della giunzione. Questo eccesso di cariche maggioritarie appare come una differenza di potenziale ai terminali, o se un filo connette il lato p con il lato n, come una circolazione di corrente dal lato p al lato n. La corrente risulter proporzionale al numero di coppie elettrone lacune generate.
16
Giunzione
IPHO
p + + +
Coppia elettrone lacuna.

Fig. 1.08 Verso della corrente generata dai fotoni.
Le coppie elettrone lacune generate fuori dalla giunzione, ma vicino ad esse, possono essere spinte dal campo elettrico allinterno della giunzione e risultare coppie utili alla generazione di corrente. Le coppie elettrone lacuna generate lontano dalla giunzione, si ricombinano prima di raggiungere la giunzione e non risultano quindi utili al processo di conversione. Si indichi con m il tempo di vita di una carica minoritaria, la carica per poter essere utile al processo di conversione deve raggiungere la giunzione in un tempo inferiore a m, il che corrisponde ad una lunghezza di diffusione pari a: Lm = D m m
(1.2.5.4)
Pertanto dal processo fotovoltaico di assorbimento dei fotoni, si viene a generare una corrente IPHO che se fatta circolare per un circuito esterno avr la direzione uscente dalla regione p ed entrante nella regione n.
17
1.2.6 La giunzione pn in polarizzazione diretta.
Per completare lo studio di una giunzione pn operante come cella fotovoltaica resta da analizzare il comportamento della giunzione con polarizzazione esterna applicata. Si consideri una giunzione pn polarizzata direttamente. EINT EEXT
+ + +
++++++ ++++++ regione p ++++++ ++++++
--------------regione n ---------------
+ I
pn(xn) np(-xp) np(x) pn0 -xp xn pn(x)
Fig. 1.09 Distribuzione delle cariche minoritarie in una giunzione pn polarizzata direttamente e nellipotesi che la regione p sia fortemente drogata.
La concentrazione di cariche minoritarie ai lati della regione di svuotamento in condizione di polarizzazione diretta vale:
18
p n ( x n ) = p n 0 eV / VT = p n 0 eV (q / (k T ))
(1.2.6.1)
nota come legge della giunzione. La concentrazione delle lacune in eccesso, mostrata in figura 1.09, una funzione a decadimento esponenziale funzione della distanza data da: p n (x ) = p n0 + [ p n (xn ) pn0 ] e
( x xn ) / L p
(1.2.6.2)
dove LP una costante che determina la rapidit del decadimento esponenziale, ed chiamata lunghezza di diffusione delle lacune nella regione n. Pi piccola LP, e pi velocemente le lacune iniettate si ricombinano con gli elettroni maggioritari, dando come risultato un rapido decadimento della concentrazione delle cariche minoritarie. Infatti LP legata ad un altro parametro conosciuto con il nome di tempo di vita delle cariche minoritarie in eccesso P dalla relazione:
L p = D p p
(1.2.6.3)
p diffusione lacune diffusione elettroni
Fig. 1.10 Verso della corrente di diffusione.
Le lacune che diffondono nella regione n, danno luogo alla corrente di lacuna, la cui densit valutata prima pu ora essere espressa nel seguente modo:
Jp = q
Dp Lp
p n 0 eV / VT 1 e
( x xn ) / L p
(1.2.6.4)
19
In x = xn la densit vale:
Jp = q
Dp Lp
p n 0 eV / VT 1
(1.2.6.5)
Analogamente per liniezione degli elettroni attraverso la giunzione nel lato p, si ricava la densit di corrente:
Jn = q
Dn n p 0 eV / VT 1 Ln
(1.2.6.6)
dove Ln la lunghezza di diffusione degli elettroni nella regione p. Essendo Jp e Jn nella stessa direzione le due componenti si sommano. Moltiplicando per larea A la corrente totale vale:
Dp Dp Dn V / VT Dn V / VT e e I = A q ni 2 1 1 = A q ni 2 + + L p N D Ln N A L p N D Ln N A
I0 che pu essere espressa come:

qV I = I 0 e kT 1
(1.2.6.7)
Si noti che questa corrente ha il verso opposto della corrente generata dallassorbimento di un fotone IPHO.
20
La corrente in una cella fotovoltaica diventa pertanto esprimibile dalla seguente relazione:
qV I 0 e kT 1
I PV _ CELL = I PHO
(1.2.6.8)
h n IPV_CELL
Fig. 1.11 Corrente nella cella PV.
Per poter quindi ottimizzare la fotocorrente bisogna: minimizzare le riflessioni dei fotoni incidenti con strati antiriflesso. minimizzare la corrente di saturazione inversa. minimizzare la perdite resistite della cella. massimizzare la lunghezza di diffusione dei portatori minoritari. massimizzare la larghezza della giunzione.
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1.3 Tipi di celle fotovoltaiche.

Il silicio un materiale adatto alla realizzazione delle celle fotovoltaiche avendo un energy gap di 1.12eV ed essendo il 75% della radiazione luminisa ad energia maggiore od uguale di tale valore. Inoltre, un materiale molto presente in natura di cui si conoscono bene, dallindustria microelettronica, i processi tecnologici di lavorazione, drogaggio e finitura. Pertanto la maggior parte di celle fotovoltaiche realizzate oggi giorno vengono realizzate in silicio. Le celle fotovoltaiche pi utilizzate al giorno doggi sono realizzate in silicio
monocristallino e sono quelle che hanno il rendimento pi elevato tra tutte le celle
disponibili in commercio . Il rendimento di una cella fotovoltaica pu essere espresso con la seguente relazione:
PMAX _ OUT R A
(1.3.1)
dove: PMAX_OUT la massima potenza elettrica ottenibile in uscita. R la radiazione incidente espressa in W/m2. A larea. Per le celle in silicio monocristallino, rendimenti medi sono tra il 12% e il 15%, con punte del 24%. Uno svantaggio di tale tecnologia lelevato costo di produzione del silicio puro. Con il metodo Czochralsky si produce un lingotto di silicio puro che viene poi tagliato a wafer del diametro di 10-12.5cm e dello spessore di 200m. Quindi dal processo produttivo si ottengono wafer rotondi, che devono essere ulteriormente lavorati per essere ben incastonati nella costruzione di un pannello fotovoltaico. Il taglio per dare una forma pi adatta allincapsulamento, comporta un ulteriore costo con la perdita di materiale utile. Una soluzione a tale problema pu essere lutilizzo di scarti provenienti dallindustria microelettronica. Tale industria necessita infatti delle concentrazioni di impurit pari a 10-8 - 10-9 contro i livelli di 10-5 10-6 richiesti dallindustria fotovoltaica.
22
Oltre alle celle in silicio monoscristallino, si trovano in commercio celle in silicio

policristallino che hanno un costo di produzione inferiore alle precedenti, ma hanno un
rendimento medio pi basso compreso fra circa l 11% e il 14% con punte intorno al 15%. Oltre ad avere un costo di produzione inferiore, possibile ottenere dal processo produttivo lingotti ottogonali e quindi il taglio in wafer li rende gi adatti per linglobamento in pannelli con una utilizzazione ottimale dello spazio.
Un problema degli impianti fotovoltaici che si riscontrato e si riscontra tuttora limpatto ambientale visivo che tali impianti hanno. Lindustria architettonica, ha richiesto e richiede tuttora, pannelli fotovoltaici esteticamente pi belli e se possibile flessibili da essere utilizzati nella costruzione di edifici. Per far fronte a tali richieste, vengono realizzate celle fotovoltaiche a film sottile. Tali celle sono composte da strati di materiale semiconduttore, non sempre presente il silicio, depositati generalmente come miscela di gas su supporti a basso costo come vetro, polimero, alluminio che danno consistenza fisica alla cella. Una delle pi utilizzate celle a film sottile la cella in silicio amorfo. Lo spessore del film ottenuto di 4-5m contro i 300m delle celle in silicio cristallino con immediato beneficio di materiale attivo risparmiato. Il vantaggio quindi di ottenere pannelli fotovoltaici flessibili ed esteticamente pi gradevoli, ma il loro rendimento di molto inferiore ai pannelli fotovoltaici in silicio monocristallino. Per le celle in silicio amorfo si parla di rendimenti medi attorno al 5%-7%, con punte che non superano il 10%. Inoltre tali pannelli hanno un problema di stabilit. Dopo le prime 300-400 ore di lavoro perdono infatti circa il 10% dellefficienza dichiarata che gi bassa (effetto Staebler Wronski). Questo comporta difficolt di: a) Stabilire a priori le vere prestazioni dellimpianto realizzato e il degrado iniziale. b) Confrontare economicamente in termini di costi/prezzi dei moduli, espressi in watt, lamorfo con le altre scelte a pari potenza acquisita. Per contro il processo produttivo pu essere altamente automatizzato, con aumento di risparmio e aumento della velocit di produzione. Il prezzo commerciale resta comunque superiore proprio per laspetto estetico nonostante il processo produttivo sia pi economico.
23
Per far fronte ai bassi rendimenti delle celle a film sottile al silicio amorfo esistono celle fotovoltaiche al Cadmio- Tellurio (CdTe) che presentano un rendimento tipico del 10%. Il materiale un semiconduttore con caratteristiche vicine a quelle delle efficienti ma costose celle allarseniuro di gallio (GaAs), realizzate per le applicazioni spaziali. La tipica cella CdTe a 4 strati e 3 giunzioni. Per contro, il cadmio un elemento tossico e pertanto al termine del ciclo di vita , che seppur lungo prima o poi arriva, la cella deve essere opportunamente smaltita come rifiuto tossico con conseguente aumento dei costi. Per far fronte allutilizzo del cadmio, si sono realizzate celle CIS (Copper Indium
Diselenide). Tale tipo di cella, sviluppata per la prima volta nel 1974 nei laboratori Bell,
era assai attraente in quanto il materiale presenta una energy gap di 1eV, un ottimo coefficiente di assorbimento e un costo di preparazione notevolmente inferiore al silicio cristallino, senza lutilizzo di materiale tossico quale il cadmio e senza problemi di stabilit. Per contro, il rendimento sempre inferiore alle celle in silicio monocristallino ed arriva a valori tipici inferiori al 10%. La peculiarit che li rende attraenti il fatto di poter utilizzare substrati flessibili. Oggi giorno una tecnologia che sta avendo interesse sono le celle della famiglia III-V. Le celle fabbricate in strati di Al - In - P di superficie 1cm2 hanno ottenuto rendimenti attorno al 16% con fill factor (vedere il paragrafo successivo, FFideal=1) pari a 0.854.
Tab 1.01 Tabella riassuntiva delle prestazioni delle celle fotovoltaiche.
Costi di produzione
Costo dei Materiali
Efficienza
Cristallino CdTe Amorfo CIS -
Amorfo Cristallino CdTe CIS
Cristallino CIS CdTe Amorfo
24
1.4 Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica.

Dalla fisica della cella fotovoltaica si ha che lequazione caratteristica I-V di una cella :
qV I 0 e kT 1
I PV _ CELL = I PHO
(1.4.1)
In figura 1.12 rappresentata tale equazione.

I ISC
VOC Fig. 1.12 Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica.
Landamento illustrato mostra che le celle fotovoltaiche hanno un limite di tensione e un limite di corrente. Il limite di corrente dato dalla corrente di cortocircuito, ISC, che si ha quando V=0 e in tal caso vale:
I SC = I PHO
(1.4.2)
Per ricavare il limite di tensione si ponga a zero la corrente I.
25
I = I PHO
qV e kT
qV I 0 e kT 1 = 0 I PHO I0
kT I PHO q ln I 0
1 =
VOC =
kT I PHO + I 0 ln q I0
(1.4.3)
dove lultima approssimazione risulta valida essendo in pratica IPHO>>I0. Per dare una indicazione dei valori di potenza ottenibili da una cella fotovoltaica, si consideri che una cella fotovoltaica presenta ai suoi capi una tensione di circa 0.5V e in essa pu circolare una corrente, che dipende dalla superficie della cella, di circa 300A/m2 quando illuminata da una radiazione di 1000W/m2 alla temperatura di 25C.
I [ A/m2] 300
0.6 Fig. 1.13 Esempio di caratteristica di una cella fotovoltaica.
V [V]
Tale caratteristica dipende ovviamente dalla radiazione incidente. Allaumentare della radiazione R [W/m2] incidente, aumenta la corrente prodotta e la tensione a vuoto della cella, con conseguente aumento della potenza disponibile in uscita.
26
V Fig. 1.14 Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica al variare della radiazione incidente.
La caratteristica I-V dipende dalla temperatura a cui la cella opera.

I
T T
V Fig. 1.15 Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica al variare della temperatura.
Allaumentare della temperatura, si registra una diminuzione della tensione a vuoto VOC e un aumento della corrente di cortocircuito. Valori indicativi delle variazioni sono:
27
dI SC A = 0 .1 dT C
dVOC mV = 2 .2 dT C dPMAX = 0.5%C 1 dT
(1.4.4) (1.4.5) (1.4.6)
Allaumentare della temperatura, si registra pertanto una diminuzione della massima potenza estraibile dalla cella fotovoltaica. Si consideri per esempio una cella fovoltaica di A=1dm2 illuminata da una radiazione solare di 1000W/m2 . La cella produrr circa una corrente di 3A con una tensione di 0.5V per una potenza massima duscita pari a:
P = V I = 0.5 3 = 1.5W
Questa comunque la massima potenza estraibile dalla cella, e per poterla estrarre, bisogna far lavorare la cella nel suo MPP (Maximum Power Point).
I
Im
MPP
Vm Potenza massima estraibile dalla cella.
Fig. 1.16 MPP (Maximum Power Point) in una cella fotovoltaica.
28
Se la corrente nel punto di massima potenza vale Im e la tensione vale Vm allora la potenza massima vale:
PMAX = Vm I m
(1.4.7)
che viene anche espressa come:

PMAX = Vm I m = FF I SC VOC
(1.4.8)
dove ISC la corrente di cortocircuito, VOC la tensione a circuito aperto e FF (Fill Factor) un fattore di riempimento. Una cella con una resistenza interna elevata, ha un piccolo Fill Factor e quindi una bassa potenza massima disponibile. Un Fill Factor unitario implica una caratteristica I-V rettangolare.
I
ISC
VOC
Fig. 1.17 - Caratteristica I-V con FF=1
Tipici Fill Factor vanno comunque da 0.5 a 0.82. A questo punto resta da rappresentare graficamente landamento della potenza in funzione della tensione ai capi della cella. Si esegua punto per punto il prodotto tensione corrente dalla caratteristica della cella. Landamento che si ottiene illustrato in figura 1.18.
29
V Fig. 1.18 Andamento della caratteristica P-V.
Allaumentare della temperatura la potenza massima disponibile in uscita diminuisce. Infatti le caratteristiche P-V al variare della temperatura diventano le seguenti:
T
V Fig. 1.19 Andamento della caratteristica P-V al variare della temperatura.
Per ottenere una adeguata tensione duscita, le celle fotovoltaiche vengono connesse in serie in modo da formare un pannello con una tensione duscita adeguata. Tipicamente, i pannelli fotovoltaici forniscono in uscita una tensione di 12V o suoi multipli. Ovviamente la tensione di 12V dei moduli deve essere la tensione che il pannello presenta ai suoi capi in condizioni di irragiamento medio. Al massimo irragiamento tali pannelli fotovoltaici riescono a fornire anche tensioni di 16-18V.
30
Si consideri una tensione media di 0.5V per cella; un modulo da 12V verr realizzato con la connessione in serie di circa 33-36 celle elementari, con una superficie totale di circa mezzo metro quadrato, per una potenza massima di uscita che va dai 50 ai 70W. Se si desiderano potenze pi elevate, si connettono i moduli in serie e/o in parallelo a seconda della configurazione che si desidera. Nelle tabelle 1.01, 1.02 ed 1.03 sono riportate le caratteristiche di alcuni pannelli fotovoltaici commerciali.
Tab. 1.02 - Esempio di Pannelli Fotovoltaici EVERGREEN
ES-110-GL String Tecnologia Ribbon N Celle Pp Vp Ip VOC ISC Diodi bypass 72 110W 17V 6.47A 21.3V 7.48V si ES-115-GL String Ribbon 72 115W 17.1V 6.73A 21.3V 7.62V si ES-120-GL String Ribbon 72 120W 17.6V 6.82A 21.5V 7.68V si ES-170-RL String Ribbon 108 170W 25,3V 6,72A 32,4V 7,55A si ES-180-RL String Ribbon 108 180W 25,9V 6,95A 32,6V 7,78A si ES-190-RL String Ribbon 108 190W 26,7V 7,12A 32,8V 8,05A si
Tutti i dati elencati si intendono in condizioni standard: irraggiamento R=1000W/m2 e temperatura di 25C.
Legenda:
Pp = Potenza tipica duscita. Vp = Tensione duscita alla massima potenza. Ip = Corrente duscita alla massima potenza. VOC = Tensione in condizioni di circuito aperto. ISC = Corrente in condizioni di cortocircuito.
Fonte www.evergreensolar.com
31
Tab. 1.03 - Esempio di Pannelli Fotovoltaici SHARP

NE - L5E2E Tecnologia N Celle Pp Vp Ip VOC ISC Efficienza Cella Efficienza modulo Diodi bypass poli 54 in serie 125W 26V 4,8A 32,3V 5,46A 14.70% 13.30% si NE - Q5E2E poli 72 in serie 165W 34.6V 4.77A 43.1V 5,46A 14,60% 12,70% si NT-175E1 mono 72 in serie 175W 35,40% 4,95A 44.4V 5,40A 16,40% 13,50% si NU - SOE3E NT - S5E3E mono 48 in serie* 180W 23,7V 7,6A 30V 8,37A 15,70% 13,70% si mono 72 in serie 185W 36,21V 5.11A 44.9V 5.75A 17,10% 14,20% si
Legenda:
Fonte www.sharp.com
32
Tab. 1.04 - Esempio di Pannelli Fotovoltaici HELIOS TECNOLOGY

H1500 110W Tecnologia N Celle Pp Vp Ip VOC ISC Diodi bypass mono 36 in serie 110W 17V 6.47A 21V 7.22A si H1500 125W mono 36 in serie 125W 17V 7.36A 21V 8.20A si H1540 130W mono 40 in serie 130W 17.39V 7.48A 22.6V 8.20A si H1540 135W mono 40 in serie 135W 17.40V 7.76A 22,70V 8.45A si H1540 140W mono 40 in serie 140W 17.73V 7.90A 23V 8.65A si
Legenda:
Fonte www.heliostecnology.com
33
1.5 Introduzione agli impianti fotovoltaici.

I sistemi fotovoltaici forniscono in uscita una tensione e corrente costanti, mentre i sistemi di alimentazioni da rete sono in tensione alternata monofase sinusoidale di valore efficace 230V e frequenza 50Hz. Pertanto, il sistema di alimentazione fotovoltaico necessita di essere connesso ad un dispositivo in grado di convertire la potenza elettrica continua fornita dai pannelli solari nella potenza elettrica alternata richiesta. Il dispositivo che si occupa della conversione DC/AC si chiama inverter. Esistono varie topologie di collegamento dellinverter allimpianto fotovoltaico. Una prima topologia consiste nellutilizzare un
inverter centralizzato. Una serie di stringhe di
pannelli fotovoltaici vengono connesse in parallelo tra loro per fornire la potenza DC necessaria. Alluscita sar presente un unico inverter che operer la trasformazione da tensione/corrente continua in tensione/corrente alternata desiderata. Questa topologia viene utilizzata per potenze duscita superiori a 10kW e linverter ha una elevata efficienza ed un costo contenuto. Lo svantaggio di questo tipo di connessione consiste nel fatto che linverter controlla tutto il campo
Fig. 1.20 Inverter centralizzato per P>10kW
fotovoltaico e il suo blocco comporta il blocco dellintero sistema di alimentazione. Inoltre linverter pu ottenere dal campo fotovoltaico solamente lMPP dellintero campo e non lMPP di ogni singola stringa o ancora meglio di ogni singolo pannello.
34
Per applicazioni nel campo domestico 3kW

10kW la soluzione maggiormente utilizzata risulta
quella di collegare pi stringhe in parallelo tra loro ma ogni stringa ha il suo inverter chiamato anche
inverter di stringa.
Questa topologia ha il vantaggio di poter ottenere il punto di massima potenza MPP di ogni singola stringa e non solo lMPP dellintero campo fotovoltaico con incremento quindi delle prestazioni. Linverter di stringa sta diventando la
topologia standard nei sistemi grid connected. Una alternativa a questa topologia, che ha gli
stessi vantaggi, consiste nellutilizzare un unico

Fig. 1.21 Inverter di stringa per 3kW<P<10kW
inverter centralizzato e collegare alluscita di ogni stringa o pannello un convertitore DC/DC che ottenga il punto di massima potenza relativo al pannello o alla stringa.
Questa terza soluzione, una soluzione pi economica, che sta prendendo piede in questi ultimi anni e che garantisce lopportunit di poter collegare tra loro stringhe di pannelli fotovoltaici di diverse tecnologie ed orientate in modo diverso. Si pensi ad esempio al problema dellinstallazione dei pannelli fotovoltaici su un tetto di una abitazione. Lo spazio ridotto costringe ad installare stringhe pi piccole o a disporle con orientazioni diverse. Disporle con orientazioni diversi, significa sottoporle ad irraggiamenti diversi, e quindi se fossero collegate semplicemente in serie la corrente dominante quella del pannello meno illuminato. Cos facendo, si riesce ad ottenere i migliori benefici da tutte le stringhe. Unultima soluzione consiste nellavere moduli integrati nei singoli pannelli fotovoltaici. Questa soluzione si adotta soprattutto per basse potenze, da 50W a 400W, e consistono nellavere un inverter per ogni pannello.
35
Tale inverter ovviamente di pi difficile implementazione, in quanto la tensione tipica duscita monofase sinusoidale 230V 50Hz di molto superiore alla tensione duscita del pannello fotovoltaico.
Fig. 1.22 Inverter integrato per 50W<P<400W
La costruzione dellinverter verr trattata pi avanti, non unica, e varia a seconda delle scelte progettuali e delle normative presenti nei vari paesi. Una prima suddivisione pu essere rappresentata in figura 1.23.
Fig. 1.23 Suddivisone degli inverter fotovoltaici.
Un problema che pu verificarsi durante lesercizio dellimpianto relativo ad una condizione che nella pratica pu verificarsi frequentemente: si pensi ad una singola cella fotovoltaica ombreggiata parzialmente o totalmente. In queste condizioni, il dispositivo si trova a funzionare come un carico, trovandosi a dover dissipare potenze che danno origine a riscaldamenti localizzati o, nel caso in cui la tensione fornita dalle altre celle in
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serie fosse sufficientemente elevata, lo stesso pu trovarsi sottoposto ad un valore di tensione inversa in grado di provocare la rottura del dispositivo. La massima potenza dissipabile da una cella, che si trova a funzionare come carico, dipende dalla tecnologia costruttiva ed un dato che si riesce a conoscere solo sperimentalmente o applicando modelli matematici. Si consideri una temperatura limite per cella di 100C, una cella di silicio cristallino di 100cm2, sottoposta ad un irraggiamento di 1kW/m2 e ad una temperatura di 25C in grado di dissipare dai 20 ai 30W, che per si riducono allaumentare della temperatura. Qualora la cella fosse ombreggiata, il limite massimo potrebbe essere, oltre alla potenza, anche la massima corrente ammissibile sui contatti (20-40A). La tensione in grado di provocare la conduzione inversa di una cella, che quindi pu provocare danni irreversibili, si aggira generalmente intorno ai 10-30V secondo la tecnologia usata. Per proteggere i moduli fotovoltaici si utilizzano dei diodi di bypass posti in antiparallelo al pannello cos da escludere la cella contropolarizzata.
1.24 - Diodo di bypass.
1.25 - Diodi di Blocco.
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Inoltre, quando una stringa ha una tensione a circuito aperto pi bassa di quella delle altre stringhe connesse in parallelo, in mancanza di adeguate protezioni la corrente tenderebbe a recarsi sulla stringa a tensione minore. In questo caso la protezione consiste in un diodo, chiamato diodo di blocco, posto in serie alla polarit positiva di ogni stringa il quale impedisce il ritorno della corrente. Fra i diodi pi usati vi il diodo Schottky, che caratterizzato da una bassa caduta diretta con conseguenti basse perdite. Una volta ottenuta la tensione sinusoidale 230Vrms a frequenza 50Hz esistono vari tipi di impianti. Un primo esempio un impianto stand alone, cio un sistema autonomo di alimentazione che utilizza solamente limpianto fotovoltaico. Uno schema di principio di tale tipologia di impianto la seguente:
CAMPO FOTOVOLTAICO
REGOLATORE DI CARICA BATTERIA
INVERTER
CARICO IN C.A. CARICO IN C.C.
Fig. 1.26 - Schema di principio di un sistema stand alone.
Tale tipologia dimpianto non prevede il collegamento alla rete di alimentazione standard. Finch limpianto in grado di produrre energia, oltre ad alimentare i carichi dellutilizzatore si provveder anche a ricaricare un banco di accumulatori che servir a fornire lenergia durante le ore notturne nelle quali il campo fotovoltaico non produce energia e viene staccato dallimpianto dal sistema di controllo. Questo tipo dimpianto si utilizza soprattutto nelle zone dove non arriva la rete elettrica pubblica. Altri esempi dimpianti sono i sistemi grid-connected, cio sistemi che sono connessi anche alla rete elettrica pubblica. Un primo schema di principio riportato in figura 1.27 nel quale bisogna inserire un opportuno circuito di interfaccia per poter
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interfacciare il sistema di alimentazione alla rete elettrica pubblica, che richiede caratteristiche ben precise di valore nominale di tensione, frequenza e sfasamento.
RETE
CAMPO FOTOVOLTAICO
INVERTER
QUADRO ELETTRICO DI INTERFACCIA
UTENZA
Fig. 1.27 - Primo schema a blocchi di un sistema grid-connected.
Questo sistema durante le ore del giorno alimenter i carichi dellutilizzatore con lenergia proveniente dal campo fotovoltaico e se questa in eccesso rispetto alle richieste, la immetter nella rete elettrica pubblica e gli verr pagata come energia rinnovabile prodotta. Durante le ore notturne il sistema ricever lalimentazione dalla rete elettrica pubblica pagandola.
Il beneficio notevole, durante le ore notturne il consumo di energia richiesto assai
inferiore a quello delle ore giornaliere. Inoltre, il corrispettivo che lente pubblico paga per ogni kW/h prodotto circa tre volte il costo del kW/h pagato a tale ente in quanto si tratta di produzione di energia rinnovabile.
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In Italia, per esempio, il Ministro delle Attivit Produttive di concerto col Ministro dell'Ambiente e della Tutela del Territorio ha emanato il 28/07/2005 il Decreto Ministeriale previsto all'art. 7 comma 1 del D.Lgs 29/12/2003 n 387, che definisce i criteri per l'incentivazione dell'energia elettrica prodotta da impianti fotovoltaico. Successivamente l'Autorit per l'Energia Elettrica e il Gas (AEEG) ha adottato il 14/09/2005 la Delibera n 188/05 nella quale stato individuato il GRTN (ora GSE) quale "soggetto attuatore" che eroga le tariffe incentivanti. Il 6 febbraio 2006 stato firmato il secondo decreto fotovoltaico che amplia e integra il DM28/07/2005. L'incentivazione interessa gli impianti fotovoltaici della potenza da 1 kW sino a 1000 kW entrati in esercizio dopo il 30/09/2005 a seguito di nuova costruzione o rifacimento totale o potenziamento di un impianto preesistente. Gli impianti fotovoltaici che potranno essere realizzati sono stati suddivisi in tre differenti classi di potenza alle quali verranno riconosciute, per venti anni, le tariffe incentivanti riportate nella tabella 1.01.
Impianto FV Classe 1 Classe 2 Classe 3
Potenza in kW 1 P 20 20 < P 50 50 < P 1.000
Tariffe incentivanti / kWh 0,445 (servizio di scambio sul posto) 0,460 0,490 (valore massimo soggetto a gara)
Tab. 1.01 Tariffe riconosciute in Italia.
Le tariffe incentivanti riconosciute sono incrementate del 10% qualora i moduli fotovoltaici siano integrati in edifici di nuova costruzione ovvero in edifici esistenti oggetto di ristrutturazione Esistono anche applicazioni dedicate. Si pensi ad esempio ad un sistema fotovoltaico che deve far funzionare una pompa. Uno schema di principio rappresentato in Fig. 1.28.
CAMPO FOTOVOLTAICO
Azionamento a INVERTER frequenza variabile
POMPA
Fig. 1.28 - Applicazione dedicata.
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Capitolo 2 Analisi del mercato inverter grid connected 3kW.

2.1 Premessa.
Questa tesi di laurea specialistica articolata in tre punti fondamentali: Analisi del mercato di inverter per applicazioni grid connected da 3kW. Analisi delle topologie elettroniche proposte in articoli specialistici. Normative UE, USA, ecc. per limmissione in commercio di questa tipologia di prodotti. Dopo una breve introduzione panoramica sui sistemi fotovoltaici effettuata nel Capitolo 1 si analizzer lo stadio fondamentale di un impianto grid connected; ovvero lo stadio inverter. Linverter la sezione dellimpianto fotovoltaico che si occupa di convertire la potenza continua fornita dal campo fotovoltaico nella potenza alternata da immettere in rete. =
Fig. 2.01 Blocco Inverter. In commercio si trovano inverter fotovoltaici che si possono ricondurre essenzialmente a tre filosofie costruttive: 1) Inverter fotovoltaici con trasformatore a frequenza di linea. 2) Inverter fotovoltaici con trasformatore ad alta frequenza. 3) Inverter fotovoltaici senza trasformatore.
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Una schematizzazione a blocchi delle tre tipologie pu essere la seguente:
a) Schema a blocchi inverter con trasformatore a frequenza di linea.
b) Schema a blocchi inverter con trasformatore ad alta frequenza.
c) Schema a blocchi inverter senza trasformatore. Fig. 2.02 Schema a blocchi degli inverter PV commerciali: a) con trasformatore LF. b) Con trasformatore HF. c) Senza trasformatore.
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Come si pu notare tutte e tre le tipologie presentano in ingresso uno stadio chiamato MPPT (Maximum Power Point Tracking). Scopo di tale blocco quello di inseguire il punto di massima potenza del campo fotovoltaico. I ISC Im MPP
Vm
VOC
Fig. 2.03 Caratteristica di una stringa fotovoltaica. Linverter opera su una struttura multistringa, sar necessario, perci, decidere in fase progettuale il massimo numero di stringhe collegabili in ingresso e il numero di MPPT interni. Alcuni inverter sono in grado di gestire pi stringhe in ingresso, presentando un solo MPPT, gestiscono il parallelo delle stringhe e non il MPP di ogni singola stringa.
IN Sting A MPPT IN String B Fig. 2.04 Esempio di ingresso di un inverter che riceve in ingresso pi stringhe ma con un solo MPPT.
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Altri inverter presenti in commercio associano ad ogni stringa dingresso un circuito MPPT in modo da sfruttare al massimo i vantaggi della topologia multistringa e ricavare la massima potenza da ogni singola stringa.
IN String A
MPPT
Al resto del circuito.
IN String B
MPPT
Al resto del circuito.
Fig. 2.05 Esempio di ingresso inverter multistringa con pi MPPT. A valle di tale blocco, comune a tutte le tipologie costruttive, ogni soluzione circuitale ha i suoi blocchi funzionali e ogni tecnologia ha i suoi pregi e difetti. Nelle soluzioni con trasformatore a frequenza di linea si hanno i seguenti vantaggi: a) Presenza di un trasformatore di isolamento che garantisce lisolamento galvanico tra il campo fotovoltaico e la rete elettrica. b) Non viene immessa in linea una componente continua grazie alla presenza del trasformatore a 50 Hz. c) Con il rapporto spire del trasformatore N1:N2 si pu dimensionare lo stadio di potenza a monte, con livelli di tensione pi bassi e alzare il livello di tale tensione solo allultimo stadio. Per contro: a) Un trasformatore a 50Hz ingombrante e pesante. b) La presenza del trasformatore comporta un abbassamento del rendimento dellinverter a causa delle inevitabili perdite intrinseche al componente.
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Per ovviare ai limiti della tipologia a trasformatore di linea si pu utilizzare una struttura che fa uso di un trasformatore ad alta frequenza. Cos facendo si ottengono: a) Dimensioni e peso dellinverter ampiamente ridotti rispetto al caso precedente. b) E garantito lisolamento galvanico tra il generatore fotovoltaico e la linea. c) Qualche stadio di potenza opera con livelli di tensione minori. d) Perdite nel trasformatore minori rispetto al caso precedente. Per contro: a) E necessario controllare la componente continua immessa in rete che deve rispettare i livelli imposti dalle normative vigenti. Per ultimo, una tipologia costruttiva che sta prendendo sempre pi piede in questi ultimi anni risulta essere la tipologia senza trasformatore. Questa tipologia garantisce sicuramente il massimo rendimento tra tutte le tipologie esistenti in quanto lassenza del trasformatore evita le perdite dissipative intrinseche del componente stesso. Per contro viene a mancare lisolamento galvanico, fino a qualche anno fa, imposto dalle normative per la sicurezza dellutente. Si vedr nel capitolo dedicato alle Normative che in molti Stati il trasformatore non pi necessario. Questo dovuto al fatto che i pannelli fotovoltaici ,oggi giorno in commercio, sono prodotti in classe II di isolamento e ci permette di sviluppare un sistema di controllo elettronico che supervisiona lo stato dellisolamento del sistema, delle correnti di perdita e di guasto garantendo cos un grado di protezione per lutente paragonabile ai livelli delle topologie con trasformatore.
Si rende, perci, necessario definire dei parametri con cui descrivere gli inverter fotovoltaici e sui quali si effettueranno delle importanti considerazioni dal mercato. Si definiscono le caratteristiche dingresso (lato DC), le caratteristiche duscita (lato AC) e tutti quei parametri che descrivono le prestazioni di un inverter fotovoltaico in termini di efficienza, di sicurezza ecc.
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2.2 Caratteristiche di un inverter fotovoltaico.

2.2.1 Parametri dingresso (lato DC). Pnom_DC = Potenza nominale continua alla quale linverter lavora. max PV Power = Massima potenza del campo fotovoltaico da connettere
allinverter, consigliata dal costruttore per operare in modo sicuro. VNOM_DC = Tensione continua nominale alla quale linverter normalmente lavora. MPP range DC = Range di tensione allingresso nel quale linverter riesce a ricavare lMPP dal campo fotovoltaico. VMAX_DC = Massima tensione continua che pu avere allingresso linverter. Superata tale tensione lunit pu danneggiarsi. Vmin_for_Pnom= Minima tensione continua dingresso affinch linverter fornisca in linea la potenza nominale. Inom_DC = Corrente nominale dingresso per linverter. IMAX_DC = Corrente dingresso massima. N di connettori ingresso stringhe: Numero di stringhe che possono essere collegate separatamente allinverter. N di MPPT (Maximum Power Point Tracking) = N di circuiti MPPT presenti.
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2.2.2 Parametri duscita (lato AC). Pnom_AC = Potenza nominale che linverter immette in linea in condizioni di pieno carico. PMAX_AC = Massima potenza che linverter pu immettere in rete per un periodo di tempo limitato (es. 30 minuti). Dopo il tempo specificato la temperatura allinterno dellinverter salita ad un livello tale che il circuito di controllo limita la potenza fornita per far tornare la temperatura di lavoro entro i limiti stabiliti. Inom_AC = Corrente duscita nominale. IMAX_AC = Corrente duscita massima. THD (Total Harmonic Distorsion) = Distorsione armonica totale della corrente di linea. Rappresenta lentit della deformazione rispetto alla forma donda sinusoidale ideale. N fasi = Identifica la tipologia di applicazione.
2.2.3 Parametri di efficienza. Starts feeding-in at = Minima potenza fornita dal campo fotovoltaico affinch linverter sia in grado di immettere potenza in linea. Standby Consumption = Consumo in modalit standby. Night Consumption = Consumo in modalit notturna. Maximum Efficiency = Massima efficienza dellinverter.
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European Efficiency = Parametro di efficienza pesata. Tiene conto dell efficienza nelle diverse condizioni operative.
EU = 0.03 5% + 0.06 10% + 0.13 20% + 0.1 30% + 0.48 50% + 0.2 100% (2.2.3.1)
dove X % rappresenta lefficienza del convertitore rilevata durante il funzionamento alla potenza X% rispetto alla nominale.
2.2.4 Parametri relativi alla tipologia costruttiva. Le tipologie costruttive dellinverter possono essere classificate come segue: 1) Tipologia con trasformatore a frequenza di linea (LF). 2) Tipologia con trasformatore ad alta frequenza (HF). 3) Tipologia senza trasformatore (TL).
2.2.5 Caratteristiche e funzionalit di sicurezza. Regolarazione dei parametri di disconnessione dalla rete: Questa funzionalit permette di impostare i livelli dei parametri che causano la disconnessione dellinverter dalla rete. Utile quando si opera su linee problematiche. ENS (Einrichtung zur Netzurberwachung mit zugeodnetem Schaltogan) = Equivalente tedesco di Grid Guard System. Indica che linverter ha al suo interno un dispositivo ENS. E prescritto per motivi di sicurezza e impedisce limmissione di energia in una rete esterna se viene a mancare la rete pubblica. All pole sensitive RCM = Il dispositivo RCM (Residual Current Monotoring) esegue il controllo delle correnti di guasto nelle apparecchiature senza trasformatore e deve essere sensibile sia alla corrente continua che alternata.
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Isolation Monotoring = Funzionalit che supervisiona lo stato dellisolamento del campo fotovoltaico. Overload Behavior = Impostazione della modalit di funzionamento. OPC (Operation Point Change) = Linverter reagisce al sovraccarico cambiando il suo punto di lavoro. PL (Power Limitation) = Linverter reagisce al sovraccarico limitando la potenza duscita. PR (Power Reduction) = Linverter reagisce al sovraccarico riducendo la potenza duscita. SO (Switch Off) = Linverter reagisce al sovraccarico spegnendosi. CL (Current Limitation) = Linverter reagisce al sovraccarico limitando la corrente duscita.
Internal Switch = Dispositivo di disconnessione automatica dal campo fotovoltaico. Per gli inverter privi del dispositivo in oggetto leventuale disconnessione dal campo fotovoltaico deve essere effettuata manualmente.
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2.2.6 Caratteristiche Meccaniche. Classe di sicurezza = Indica la classe di sicurezza dellinverter secondo la normativa EN 60529. Ventilazione = Tipo di ventilazione interna.
2.2.7 Ambiente. Temperatura ambiente = Range della temperatura ambiente ammesso per il funzionamento. TMAX_AT_Pnom = Massima temperatura ammessa per il funzionamento alla potenza nominale. Umidit ambiente = Umidit ambiente alla quale linverter pu operare.
2.2.8 Garanzia. Anni di garanzia e possibilit di estensione.
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2.3 Prodotti commerciali nel range 2kW - 4kW.

Per una azienda che vuole introdurre un nuovo prodotto risulta fondamentale una ricerca di mercato atta ad identificare le tipologie dei prodotti presenti e la loro segmentazione avvalendosi di strumenti idonei quali riviste specializzate, siti internet dei produttori, fiere espositive ecc. Lanalisi di seguito riportata stata eseguita facendo fede alle indicazioni della rivista PHOTON INTERNATIONAL - THE PHOTOVOLTAIC MAGAZINE Aprile 2006, che di riferimento per il settore. Lo scopo dellanalisi effettuata quello di identificare le caratteristiche tipiche degli inverter fotovoltaici nel range di potenza nominale 2kW-4kW. Riportiamo qui di seguito in tabella 2.01 una serie di potenziali concorrenti.
marca
Anno
MODELLO
Pnom_DC max PV Power VNOM_DC MPP Range VMAX_DC [kW] [kW] [V] [V] [V]
Vmin_for_Pnom
Inom_DC [A]
IMAX_DC [A]
1 AIXCON 2 AIXCON 3 ALPHA 4 ASP 5 ASP 6 ATERSA 7 BEACON 8 BEACON 9 CONERGY 10 CONERGY 11 CONNECTE ENERGY 12 DELTA ENERGY 13 DELTA ENERGY 14 DELTA ENERGY 15 DIEHL 16 EAI 17 EXENDIS 18 EXENDIS 19 FRONIUS 20 FRONIUS 21 FRONIUS 22 FRONIUS 23 FRONIUS 24 FRONIUS 25 FRONIUS 26 G&H 27 G&H 28 INGETEAM 29 INGETEAM 30 INGETEAM 31 INGETEAM
2002 2003 1996 1996 2005 2006 2006 2004 2006 2005 2003 2005 2006 2006 2005 2003 2005 2004 2004 2001 2004 2003 2003 2004 2001 2005 2001 2004 2005 2005
PS2500 PT300 SOLARIS 3500 TCG2500/6 TCG4000/6 CICLO-3000 M4PLUS M4 WR3300 IPG 4000 CE400 GRIDFIT2200 PVI2500 SI3300 PLATINUM 3100S SI3-05-G GRIDFIT2200 GRIDFIT2500 IG2000 IG2500LV IG30 IG3000 IG40 INDOOR IG40 OUTDOOR IG 4000 SB2500 SB3000 SUN 2.5 SUN 2.5TL SUN 3.3TL SUN 3.3
2,5 2,5 3,8 2,5 4 2,75 4,6 4,6 2,69 4 3,3 2,45 2,75 3,63 2,7 4,2 2,44 2,75 2,13 2,53 2,69 2,88 3,76 3,76 4,26 2,5 2,89 3 3 4 4
2,9 2,9 3 4,5 3 5,4 5,4 3,6 5 4 3,1 5 2,64 3,3 2,5 3 3,6 3,3 5,5 5,5 5,4 3,1 3,8 4 4 5 5
96 96 48 48 280 62 270 270 270 400 270 270 280 280 280 280 280 280 280 340 340 340 340
125-500 125-500 96-200 82-120 82-120 250-550 50-100 50-101 150-400 220-750 55-77 125-350 125-351 125-400 300-750 600-750 125-350 125-350 150-400 150-400 150-400 150-400 150-401 150-402 150-403 125-390 200-390 125-450 125-450 125-451 125-452
500 500 145 145 550 110 110 500 800 100 400 400 470 750 750 400 400 500 500 500 500 500 500 500 450 450 450 450 450 450
250 57 57 150 220 62 180 180 180 320 600 180 150 150 150 150 150 150 150 150 150 200 195 195 195 195
12 12 26 41 12 68 68 9,6 16,2 53 9,1 10,2 14,5 7,8 6 9 10,2 7,6 9,05 9,6 10,3 13,44 13,44 15,21 16 16 16 16 22 22
12 12 42 30 46 12 100 100 19 16,2 62 12,5 14 24 9 7,5 12 18 14,2 16,85 19,2 10,3 29,39 29,39 28,37 16 16 16 16 22 22
N DC connectors N MPPT Pnom_AC PMAX_AC [kW] [kW]
Inom_AC [A]
IMAX_AC [A]
50Hz
60Hz
max %
EU %
Design Garanzia Anni
3 1 1 1 3 3 3 5 2 1 1 3 1 2 4 4 4 4 5 4 5 5 3 1 1 3 3 3 3
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2,3 2,4 3,5 2,3 3,5 2,75 4 4 2,5 3,4 3 2,2 2,5 3,3 2,5 4 2,2 2,5 2 2,35 2,5 2,7 3,5 3,5 4 2,27 2,7 2,5 2,5 3,3 3,3
2,5 2,5 2,3 3,5 2,75 7,5 7,5 2,65 3,8 3 2,7 4,2 2,2 2,5 2 2,35 2,65 2,7 4,1 4,1 4 2,5 3 2,5 2,7 3,8 3,8
9,6 10 14,6 10 15 10,9 34 34 10,9 14,8 12,5 9,6 12 14,5 10,8 5,7 9 10,9 8,35 10,34 10,87 11,25 15,22 15,22 16,7 9,9 11,7 10,8 10,8 14,3 14,3
10,5 11 10 15 10,9 65 65 11,52 16,5 13 11,2 14 17 11,7 6 10 12,8 8,35 11,3 11,52 11,25 17,83 17,83 16,7 10,9 13 13 13 17 17
SI SI NO SI SI SI NO NO SI NO SI SI SI SI SI NO NO SI NO SI SI NO SI SI SI SI SI SI
NO NO SI NO NO NO SI SI NO SI NO NO NO NO SI SI SI SI SI SI SI SI NO NO NO NO NO NO
95 95 92 94 94 96,27 93,5 92,9 94,3 96,7 94 93,5 94,2 96 95,3 94 94 94 95,2 94,4 94,3 95,2 94,3 94,3 95,2 93 94,1 94,66 96,5 96,5 94,66
93,5 94,2 90,8 91,5 92 95,5 92 91,4 92,7 96 91,5 92,8 93 94,4 92 92 92 93,4 92,9 92,7 98,8 93,5 93,5 94,4 91 93,2 93,49 95,5 95,5 93,49
LF TL LF LF TL LF LF HF TL HF LF TL HF HF HF HF HF HF HF HF HF LF LF LF TL TL LF
2 OPT 5 2 OPT 5 5 2 2 2 OPT 3-5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 OPT 20 2 5 5 7 7 5 OPT 20 7 5 OPT 20 5 OPT 20 7 6 OPT 10 6 3 3 3 3
32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67
KACO KACO KACO KYOCERA MAGNETEK MAGNETEK MAGNETEK MAGNETEK MASTERVOLT MITSUBISHI MOTECH OELMAEIR OMRON PAIRAN PAIRAN PAIRAN PHOENIXTEC PHOENIXTEC PHOENIXTEC PHOENIXTEC PHOTOWATT PV POWERED SANYO SHARP SHARP SHARP SHARP SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SMA SMA SMA SMA
2004 2500XI 2005 3501XI 2004 3500 XI 2004 KC 3.6i 2006 PVI 2000 OUTD 2004 PVI 3000 I OUTD US 2004 PVI-3600-OUTD 2004 PVI-3600 2004 QS3200 2006 PV-PN04F PVMate4000 2006 PAC 1-3 2001 KR40F 2003 PESOS PVI 2300T 2004 PESOS PVI 2300 2004 PESOS PVI 3500 2005 SUNVILLE2000 2005 SUNVILLE2800 2006 SUNVILLE400A 2005 SUNVILLE4000 2005 PWI-5-40 2004 PVP2800-240 2001 SSI-TL40A2 2004 JHS402 2004 JHS403 2004 JHS404 2003 JHS3500 U 2004 2000 SLAVE 2004 2000 MASTER 2003 2300 MASTER 2003 2300 SLAVE 2004 3000 IP 65 2001 SUNNY BOY SWR 2500U 2001 SUNNY BOY 2500U 1999 SUNNY BOY 2500 2002 SUNNY BOY 2800i
2,7 3,5 3,6 3,9 2,2 3,6 4 4 2,75 3,46 4,17 3,5 4,25 2,2 2,2 3,3 2,2 2,947 4,21 4,4 3,3 3 3 3 3,5 2,15 2,15 2,45 2,45 3,2 2,38 2,38 2,48 2,8
3,2 4 4,2 4,5 3,6 3,46 4,58 4 4,3 2,5 2,6 3,8 2,4 4,8 4 3,7 3,9 3,9 3,9 4,5 2,6 2,6 3 3 3,6 2,8 2,8 3 3,4
475 262 475 360 360 360 360 250 420 400 240 350 300 350 360 360 360 360 250 200 200 200 240 300 300 300 300
350-600 125-400 350-600 100-350 90-580 90-580 90-580 90-581 75-260 115-380 330-550 350-600 100-370 125-400 125-400 125-400 150-450 150-450 150-450 150-450 200-500 200-390 90-370 80-320 80-320 80-320 110-350 200-630 200-630 200-630 200-630 200-630 233-600 233-601 224-600 224-600
800 500 800 450 600 600 600 600 325 380 650 750 370 500 350 500 450 500 500 450 600 450 370 350 350 350 380 675 675 675 675 675 600 600 600 600
350 125 350 150 170 180 180 140 165 330 380 215 215 220 250 245 245 245 245 245 233 233 224 224
5,7 13,7 7,6 10 12 12 12 20 13,8 10 8,8 17,7 7,3 7,3 10 5,8 11,7 11,6 15 15 15 15 7,9 7,9 8,3 9,3
8,6 30,5 11,5 16 12 20 20 20 20 21 15 12 24,5 10 10 15 10 13 20 20 14 15 16 24 32 22,5 10 10 10 10 16 12 12 12 13,5
3 2 3 2 1 2 2 2 2 1 2 3 1 2 2 2 1 1 3 2 2 2 3 4 3 1 1 1 1 2 3 3 3 3
1 1 1 2 1 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 2 2 3 4 3 1 1 1 1 2 1 1 1
2,6 3,3 3,45 3,3 2 3 3,6 3,6 2,6 3,3 4 3 4 2 2 3 2 2,8 4 4 3,3 2,8 4 3 3 3 3,5 2 2 2,3 2,3 3 2,2 2,2 2,3 2,6
2,85 3,6 3,8 3,6 2 3 3,6 3,6 2,75 3,3 4,4 3,3 4 2,3 2,3 3,5 2,2 3 4,4 4,4 3,6 3,05 4 3 3 3 3,5 2,2 2,2 2,5 2,5 3,3 2,5 2,5 2,5 2,8
11,3 14,5 15 13 7,7 13 16 16 12 16,5 17,39 13 20 8,7 8,7 13 8,6 11,8 17,4 17,2 13 20 15 15 15 15 8,7 8,7 10 10 13,1 9,2 9,2 9,6 11,3
12,4 15,7 16,5 15,5 8,6 13 16 16 13 16,5 19,13 15 20 10 10 15 10,2 15,3 22,4 20,4 15,5 14 20 15 15 15 15 9,6 9,6 10,9 10,9 14,4 12 12 12,5 14
SI SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI NO NO SI SI
NO NO NO NO SI SI SI SI SI SI SI NO SI NO NO NO SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI SI NO NO NO NO NO SI SI SI SI
95,9 94,5 95,7 94,2 96 94 96 96 96 95,5 97 95,7 95,6 94,3 95,8 96,4 96 >96 >96 96 94,2 97 94,5 91 91 91 92 94 94 94 95 94,5 94,1 94,1 94,1 94
94,21 93,3 94,71 93,4 95 95 95 94,5 95,2 94,8 93,1 95 95,6 94 >94 >94,5 94 93,4 93 93 93 94 93,5 93,2 93,2 93,2 93
TL 6 OPT 10 HF 6 OPT 10 TL 6 OPT 10 HF 5 TL 5 5 TL 5 OPT 10 TL 5 HF 5 TL TL 3 TL 5 TL 1 OPT 2 LF TL TL TL 2 OPT 5/10 TL 5 TL 5 TL 2 OPT 5/10 HF 5 OPT 10 10 TL HF HF HF HF TL 5 TL 5 TL 5 TL 5 TL 5 LF 5 OPT 10 LF 5 OPT 10 LF 5 OPT 10 LF 5 OPT 10
68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103
SMA SMA SMA SMA SMA SMA SOLAR KONZEPT SOLAR KONZEPT SOLAR KONZEPT SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLAR STOCC SOLARWORLD SOLARWORLD SOLARWORLD SOLARWORLD SOLARWORLD SOLECTRIA SOLECTRIA SLOTRONIC SLOTRONIC SPUTNIK SPUTNIK SPUTNIK STECA STECA SUNSET SUNSET SUNTECHNICS SUNTECHNICS
2001 SUNNY BOY 3000 2005 SUNNY BOY 3000TL 2005 SUNNY BOY 3800 2005 SUNNY BOY 3300 2005 SUNNY BOY 4200TL HC 2006 SUNNY BOY 5000TL HC SKN 1030 SKN 1040 2002 SKN 1050 M 2005 PS3000-MV 2005 PS3000i-MV 2005 PS3000-HV 2005 PS3000i-HV 2005 PS4000-MV 2005 PS4000i-MV 2005 PS4000-HV 2005 PS4000i-HV 2005 PS5000-MV SPI 3000 HV OUTDOOR SPI 3000 HV INDOOR SPI 3000 MV INDOOR SPI 3000 MV OUTDOOR SPI 4500 HV OUTDOOR 2004 PV2500-208 2004 PV2500-240 SOLPLUS 25 2005 SOLPLUS 35 2005 SOLARMAX 3000C 2005 SOLARMAX 4000C 2005 SOLARMAX 4200C 2005 STECAGRID 2000SLAVE 2005 STECAGRID 2000MASTER 2005 SUNSTRING 4000 2005 SUN3GRID 4000 2003 STW 2600 2003 STW 3400 CV
2,93 3,13 4,04 4,04 4,04 4,2 2,3 2,7 4,2 2,7 2,7 2,7 2,7 3,2 3,2 3,2 4,3 4,3 3,6 3,6 3,6 3,6 5,4 2,7 2,7 2,6 3,6 3 4 4,2 2,1 2,1 4 4 2,69 3,55
3,6 3,85 4,5 4,3 4,04 4,9 2,5 3,3 4,8 3,2 3,2 3,2 3,2 3,9 3,9 3,9 5,1 5,1 2,7 2,7 3 4,2 3,3 4,5 5 2,5 2,5 3,6 4
350 520 200 200 200 520 180 180 345 345 210 210 280 -
268-600 125-750 200-500 200-500 195-500 125-750 120-200 120-200 120-200 100-350 100-350 200-500 200-500 100-350 100-350 200-500 200-500 100-350 200-500 200-500 100-350 100-350 200-500 125-350 125-350 330-750 330-750 90-560 400-800 90-560 80-400 80-401 125-400 125-400 150-400 220-750
600 750 500 500 500 750 250 250 250 450 450 600 600 450 450 600 600 450 600 600 450 450 600 400 400 850 850 600 900 600 450 450 500 800 500 800
268 391 200 200 195 190 190 190 345 345 240 400 180 210 210 150 220
8,4 6 20 20 20 8 13 15,5 26 14 14 20 20 21 14 14 7,5 10,4 10 10 9,6 16,2
12 8 20 20 20 22 14 28 22 22 14 14 22 22 14 14 33 15 15 7,9 11,1 11 10 22 10 10 30 11,5 19 16,2
3 1 3 3 2 2 2 4 2 2 2 2 2 2 2 2 3 1 1 3 3 3 3 3 2 2 2 2 5 2
1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 2 2 2 2 3 1 1 1 1 1 1 2 2 1 1 1 1
2,75 3 3,8 3,3 3,8 4 2,2 2,5 4 2,75 2,75 2,75 2,75 3,3 3,3 3,3 3,3 4 3,3 3,3 3,3 3,3 4 2,5 2,5 2,5 3,5 2,5 3,8 4,18 2 2 3,45 3,45 2,5 3,4
3 3,3 3,8 3,6 3,8 4,2 2,4 4,5 3 3 3 3 3,6 3,6 3,6 3,6 4,4 3,6 3,6 3,6 3,6 5 2,5 2,5 2,85 4 2,75 3,8 4,18 2 2 3,8 3,8 2,65 3,8
11,3 13 16,5 14,5 16 17,5 11 12 22 11,3 11,3 11,3 11,3 13 13 13 13 17,5 12 10 10,9 15,3 11 16 16 8,7 8,7 10,9 14,8
15 16 18 18 16 19 12 24 13 13 13 13 15,5 15,5 15,5 15,5 19,2 8 15,5 15,5 8 8 12 10,4 12,4 17,4 12 18 19 20 20 16,5 16,5 11,52 16,5
SI SI SI SI NO SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO NO SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI
SI NO SI SI SI NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO SI SI NO NO NO NO NO NO NO SI SI SI NO
95 95,6 95,6 95,6 95,6 96,2 96,7 96,5 94,4 93,9 93,9 93,9 94,4 94,4 94,4 94,4 94,5 94,4 94,2 94,2 94,4 94,5 93,9 93,9 97,2 97,3 97 95 97 95 95 94,5 95,7 94,2 96,7
93,6 94,5 94,7 94,7 95 95,4 96,3 96,2 96,1 92,6 92,6 92,6 92,6 93,6 93,6 93,6 93,6 93,6 92,6 93,4 93,4 92,6 93,2 96,6 96,8 95,5 93,6 95,8 92,6 92,4 93,3 94,8 92,7 96
LF TL LF LF LF TL TL TL HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF HF TL TL TL TL TL HF HF HF TL HF TL
5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 5 5 OPT 10 5 OPT 10 5 5 5 5 5 6 5 5 OPT 10 5 OPT 10
104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 Legenda: - = Non dichiarato LF = Tecnologia con trasformatore a frequenza di linea. HF = Tecnologia con trasformatore ad alta frequenza. TL = Tecnologia senza trasformatore.
SUNTECHNICS SUNTECHNICS SUNWAYS SUNWAYS SUNWAYS TOTAL ENERGIE TOTAL ENERGIE XANTREX XANTREX XANTREX XANTREX XANTREX
2006 2006 2003 2003 2005 2003 2005 2005 2006 2003 2005 2005
STW 3400 C STW 3600 SUNWAYS NT 2006 SUNWAYS NT 4000 SUNWAYS 5000 GRIDFIT 2200 GRIDFIT 2500 GT 2.5DE GT 2.8SP GT 3.0-240 GT 3.8SP GT 3.8DE
3,55 3,76 2,3 3,4 4,3 2,45 2,75 2,43 2,63 3,3 3,47 3,7
4 5 2,75 4,125 4,8 3,06 3,43 2,65 3 4 4
280 400 400 400 270 270 -
220-750 150-400 350-750 350-751 350-752 125-350 125-351 195-550 195-551 195-552 195-553 195-554
800 500 850 850 850 400 400 600 600 600 600 600
220 150 350 350 350 200 150 195 195 195 195 195
16,2 13,44 5,75 8,5 10,8 9,1 10,2 -
16,2 29,39 7 10 13 12,5 18 14,1 15,7 16,6 21,3 21,3
2 5 2 2 2 4 4 2 2 2 2 2
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
3,4 3,5 2,2 3,3 4 2,2 2,5 2,3 2,5 3 3,3 3,5
3,8 4,1 2,2 3,3 4,2 2,2 2,5 2,5 2,8 3 3,8 3,8
14,8 15,22 9,6 14,3 17,4 9,6 10,9 10 10,89 12,5 14,35 15,22
16,5 17,83 12,08 17,9 22,8 11,2 12,8 12,5 14,3 14,2 19 19
SI SI SI SI SI SI SI SI SI NO SI SI
NO SI NO NO NO NO NO NO NO SI NO NO
96,7 94,3 97 97 97 93,5 93,5 95 95 94,6 95,3 95,3
96 93,6 96,2 96,4 96,5 90 91 94 94 94,5 94,5
TL HF TL TL TL HF HF HF HF HF HF HF
5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 5 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10 5 OPT 10
60
I dati rilevati sono di seguito visualizzati in forma grafica per meglio evidenziare i confronti tra i prodotti presi in esame. 2.3.1 Tecnologie a confronto. La prima informazione estrapolata riguarda il tipo di inverter immessi nel mercato nei vari anni e ancora in produzione.
N Modelli im essi sul m m ercato nei vari anni di tipo LF

6 5 4 N Modelli 3 2 1 0 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005
Anno immissione
Fig. 2.06 Modelli LF immessi nel mercato nei vari anni e ancora in commercio.
61
N di Modelli im essi sul m m ercato nei vari anni di tipo HF

20 18 16 14 N Modelli 12 10 8 6 4 2 0 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005
Anno immissione
Fig. 2.07 Modelli HF immessi nel mercato nei vari anni e ancora in commercio.
N Modelli im essi sul m m ercato nei vari anni di tipo TL

14 12 10 N Modelli 8 6 4 2 0 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005
Anno di immissione
Fig. 2.08 Modelli TL immessi nel mercato nei vari anni e ancora in commercio.
62
Da questi grafici si pu dedurre che: la tecnologia con trasformatore a bassa frequenza la pi vecchia che si trova in commercio. Negli anni ha avuto un trend pressoch decrescente con punte negli anni 2001 e 2005 nettamente inferiori rispetto alle punte delle altre due tecnologie. Sembra quindi essere un prodotto dedicato a particolari applicazioni ad esempio per linee critiche dove la corrente continua immessa in linea deve essere nulla. Diversamente avviene per le altre filosofie costruttive. La soluzione con inverter ad alta frequenza sembra essere quella trainante nel settore, con un trend crescente in maniera esponenziale. Pertanto, per unazienda che punta ad entrare nel settore fotovoltaico, consigliato proporsi con un inverter con trasformatore ad alta frequenza. Questo permette di approcciare tutti i mercati, sia quelli dove lisolamento galvanico per mezzo del trasformatore imposto dalla legge, sia nei mercati in cui il trasformatore non necessario, mantenendo un elevato grado di efficienza. Infine, la tipologia costruttiva senza trasformatore presenta anchessa un trend crescente, ma il mercato sembra essere ancora un po titubante nei confronti di tale tecnologia anche se alcuni costruttori la ritengono vincente per il futuro. La titubanza del mercato nei confronti delle tecniche costruttive senza trasformatore pu essere dettata da falsi pregiudizi sul livello di sicurezza di queste soluzioni e dal fatto che in alcuni paesi sono ancora in vigore norme che stabiliscono la necessit dellisolamento galvanico per tali apparecchiature chiudendo cos il proprio mercato a tali inverter. Non appena le normative permetteranno, anche in questi Stati, leliminazione del trasformatore per la sicurezza elettrica, si aprir maggiormente il mercato per tali prodotti che risultano essere meno ingombranti e pi efficienti.
63
2.3.2 Massima efficienza ed efficienza europea delle varie tipologie. Lanalisi prosegue mettendo in evidenza i rendimenti medi per tipo di applicazione. I dati raccolti sono visualizzati negli istogrammi comparativi, che seguono:
Rendim ento inverter con trasform atore a frequenza di linea

Percentuale di inverter con un dato rend 60,00% 50,00% 40,00% _ 30,00% 20,00% 10,00% 0,00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98%
R endimento
Fig. 2.09 Percentuale di inverter LF che hanno un rendimento compreso tra X% e X+1%.
64
Rendim ento inverter con trasform atore HF

Percentuale inverter con un dato rend 60,00% 50,00% 40,00% _ 30,00% 20,00% 10,00% 0,00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98%
Rendimento
Fig. 2.10 Percentuale di inverter HF che hanno un rendimento compreso tra X% e X+1%.
Rendim ento inverter senza trasform atore

Percentuale inverter con un dato rend 45,00% 40,00% 35,00% 30,00% 25,00% 20,00% 15,00% 10,00% 5,00% 0,00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98%
Rendimento
Fig. 2.11 Percentuale di inverter LF che hanno un rendimento compreso tra X% e X+1%.
65
I dati evidenziano che i rendimenti tipici per soluzione con trasformatore a frequenza di linea si attestano a valori dal 94% al 95%. Per quanto riguarda gli inverter con trasformatore ad alta frequenza si hanno rendimenti medi sempre attorno al 94% con punte del 96%. Quindi la sostituzione di una applicazione con un dispositivo dotato di trasformatore ad alta frequenza porta ad un miglioramento di un 1% circa nellefficienza globale. Come previsto la tecnologia senza trasformatore risulta essere la pi efficiente con rendimenti tipici del 95%-96% con punte del 97%. E evidente che tale scelta tecnologica risulta sicuramente promettente. Vi sono, infatti, aspettative di rendimento dichiarati del 98%. Per gli inverter si definisce anche un altro rendimento: il rendimento europeo. Tale parametro tiene conto che linverter non opera sempre alla massima potenza durante lanno a causa delle varie intensit di radiazione che si hanno con le diverse stagioni.
66
Rendim ento EU per inverter con trasform atore LF

Percentuale di inverter con un dato rendim
60,00% 50,00% 40,00% 30,00% 20,00% 10,00% 0,00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98%
Rendimento Percentuale
Fig. 2.12 Percentuale di inverter LF che hanno un rendimento EU compreso tra X% e X+1%.
Rendimenti EU per inverter con tras formatore HF

Percentuale di inverter con un dato rend 45,00% 40,00% 35,00% 30,00% 25,00% 20,00% 15,00% 10,00% 5,00% 0,00% 90% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98%
Rendimento Percentuale
Fig. 2.13 Percentuale di inverter HF che hanno un rendimento EU compreso tra X% e X+1%.
67
Rendimento EU per inverter s enza tras formatore TL

Percentualedi inverter con un dato rend 35,00% 30,00% 25,00% 20,00% 15,00% 10,00% 5,00% 0,00% 91% 92% 93% 94% 95% 96% 97% 98%
Rendimento percentuali
Fig. 2.14 Percentuale di inverter TL che hanno un rendimento EU compreso tra X% e X+1%.
Si evidenzia che il rendimento percentuale europeo inferiore rispetto al rendimento percentuale massimo. Per gli inverter con trasformatore a frequenza di linea e quelli con trasformatore in alta frequenza mediamente del 93% contro il 94% di rendimento massimo. Per gli inverter senza trasformatore del 95% contro il 96% di rendimento massimo. Quindi il rendimento EU, EU, mediamente di un punto percentuale inferiore rispetto al rendimento massimo dichiarato. E, comunque, da tenere in considerazione che per molti inverter commerciali lefficienza dipende dalla tensione dingresso. Come si pu notare dalla figura 2.15 lefficienza di un inverter che riceve in ingresso una stringa il cui punto di massima potenza si trova per una tensione di 420V risulta pi efficiente dell1%-2% rispetto al caso in cui tale punto si trovi ad una tensione di 250V.
68
Fig. 2.15 Andamento dellefficienza in funzione della tensione di MPP. 2.3.3 Distribuzione delle varie tipologie.
Percentuale di inverter nel m ercato distribuiti sul range 2kW 4kW

35,00% 30,00% Percentuale prodo 25,00% 20,00% 15,00% 10,00% 5,00% 0,00% 2-2,5 2,5-3 3-3,5 3,5-4
Range di potenza [kW]
Fig. 2.16 Distribuzione degli inverter in funzione della potenza nominale AC immessa in linea.
69
Dallanalisi eseguita si nota, infine, che i livelli di potenza nominale sono uniformemente distribuiti nel range 2kW-4kW e non risulta possibile identificare una taglia di potenza predominante per il tipo di applicazione in esame.
2.3.4 Stadio dingresso e MPPT. Per quanto riguarda lo stadio dingresso, mediamente si ha la possibilit di collegare 3 4 stringhe che vengono solitamente gestite da un solo inseguitore del punto di massima potenza. Il range di tensione allingresso del MPPT per il quale linverter riesce ad estrarre la massima potenza tipicamente 150V-400V, 200V-600V a seconda dei costruttori con punte che si spingono fino a 750V. Generalmente non si superano i 600V in quanto 600V massimo 800V sono la massima tensione disolamento dei moduli fotovoltaico. La tensione nominale DC dingresso si aggira sui 300V e la corrente nominale DC dingresso vale mediamente 10A. 2.3.5 Tensione dingresso al MPPT e tensione massima. Il range di tensione accettato in ingresso dal circuito inseguitore del punto di massima potenza varia da costruttore a costruttore e generalmente lo stesso per tutta la gamma di prodotti del costruttore. Un valore medio di range MPPT degli inverter in commercio 125V 500V. La tensione massima continua collegabile in ingresso si aggira tra i 500 e i 700V. 2.3.6 Frequenza di funzionamento 50Hz e 60Hz. Negli ultimi anni risultano essere immessi in commercio inverter che lavorano sia a 230Vrms - 50 Hz (tipico UE) che a 120Vrms - 60Hz (tipico USA) programmabili a seconda delle rete, ma una soluzione ancor poco diffusa. Diffusa invece la, distinzione tra prodotti destinati al mercato UE e prodotti destinati al mercato USA sia per diversa tensione vAC in uscita, sia per le diverse normative da rispettare.
70
2.3.7 THD (Total Harmonic Distorsion). La distorsione armonica totale definita come:
THD =
I rms I 21 _ rms I 21 _ rms
(2.3.7.1)
dove Irms la corrente di linea e I1rms la componente alla frequenza fondamentale. Per gli inverter fotovoltaici immessi in commercio mediamente del 3% e per normativa non pu superare il 5%. 2.3.8 Garanzia. Un inverter deve ovviamente essere garantito per un periodo di tempo minimo imposto dalla legge e per un tempo che comunque pu essere superiore. Risulta diffuso tra i costruttori garantire per 5 anni il prodotto sul mercato europeo e per 7 anni sul mercato americano. Entrambe con la possibilit di estensione della garanzia a 10 anni o 20 anni. Tale periodo di tempo non deve sembrare troppo elevato, ma allineato al tempo medio di vita dellinstallazione, che si aggira intorno ai 20-30 anni, e al seguente ammortamento del costo di impianto. 2.3.9 Struttura Master Salve. Gli inverter presenti in commercio presentano unefficienza che varia in funzione delle condizioni dirraggiamento. In caso di basso irraggiamento, come per esempio allalba o al tramonto, lefficienza dellinverter minore rispetto alle ore del giorno in cui la potenza disponibile pi elevata. Per far fronte a tale problema, alcuni inverter commerciali, realizzano una struttura denominata Master Slave la quale prevede lutilizzo combinato di due stadi DC/AC di potenza inferiore rispetto alla potenza massima gestita. In particolare, con irraggiamento debole e/o parziale, la conversione della potenza demandata al solo stadio master. Allaumentare della potenza in ingresso, lo stadio slave viene immediatamente portato
71
in funzionamento. La struttura realizza, altres, un sistema di tipo ridondate (guasti al master vengono sopperiti temporaneamente dallo slave) che oltre ad aumentare laffidabilit complessiva del sistema, porta a massimizzare anche il ciclo di vita dellapparecchiatura, distribuendo alternativamente, tra gli stadi master e slave, gli stress elettrici e termici dei vari componenti. 2.3.10 Sistemi di comunicazione. Quasi tutti i produttori offrono, a corredo dellinverter, una serie di sistemi di monitoraggio e comunicazione per rendere visibile tutte le informazioni sullo stato di funzionamento dellimpianto fotovoltaico. Molti inverter sono equipaggiati con interfacce RS232, RS485, e sistemi di comunicazione via radio o via powerline e sfruttano la tecnologia Plug&Play per il riconoscimento automatico dei vari dispositivi collegati. A queste interfacce possono essere collegati diversi sistemi, tra cui: Sistemi dallarme sonoro e visivo che avverte di un eventuale guasto verificatosi. Sistemi di monitoraggio delle condizioni meteo, costituito da sensori di temperatura ambiente, irradiazione e sensori eolici. Sistemi di visualizzazione e data logging per visualizzare e registrare tutti i dati dellinverter anche per lunghi periodi di tempo.
Dispositivi di visualizzazione e memorizzazione dei dati che possono essere collegati via ethernet o USB ad un PC. Un apposito software progettato, provveder poi alla visualizzazione dei dati anche su internet tramite una applet Java. Il software normalmente fornito gratuitamente e scaricabile dal sito internet del produttore dove si possono trovare sempre versioni pi aggiornate.
72
Schede di comunicazione di tipo Plug&Play che si occupano delle comunicazioni di guasto e di sistema tramite email, SMS o fax. Linvio di una email pu essere effettuato in due modi: tramite il server SMTP o ASMTP del provider del cliente o attraverso un opportuno dispositivo elettronico opportunamente progettato che collega linverter alla propria linea telefonica.
Campo fotovoltaico
Sensori
Internet Inverter Sistema Visualizzazione PC SMS/FAX EMAIL Sistema Segnalazioni allarme Sistema trasmissione dati
2.17 - Sistema di comunicazione Inverter - Utente. Ovviamente tutti i sistemi di visualizzazione, allarme, monitoraggio, ecc. possono ricevere informazioni da pi inverter. Questo perch gli impianti di grosse dimensioni vengono, generalmente, realizzati connettendo pi stadi inverter in parallelo.
2.3.11 Design. Si tenga presente che in molti casi linverter viene installato internamente in casa in un ambiente visibile. Di conseguenza, forme, sistemi di visualizzazione con display grafici, colori e accessori sono da considerarsi come elementi di valore aggiunto utili ad aumentare lappeal di un prodotto cos tecnologico.
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Capitolo 3 Normative.
3.1 Premessa.
Il quadro normativo vigente nel settore fotovoltaico risulta complesso. Non esiste una normativa internazionale di prodotto, ma ogni Paese ha la propria legislazione. Alcuni organismi internazionali, quali IEEE ed IEC, hanno pubblicato negli ultimi anni diversi articoli e proposto standard al riguardo. Hanno inoltre istituito apposite commissioni per la stesura di nuove normative di prodotto. IEEE. Nel 2000, la IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) ha pubblicato: Standard 929 IEEE Reccomended Practice for Utility Interface of Photovoltaic (PV) System up to 10kW. Questo standard risulta laggiornamento della pubblicazione: IEEE Standard 929-1988 e in linea con lo standard americano UL1741: Standard for Static Inverters and Charge Controllers for Use in Photovoltaic Power Systems. Nel 2004 stato pubblicato lo standard di interconnessione IEEE 1547 IEEE Standard for Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems. IEC. Nel 2000, la commissione IEC (International Electrotechnical Commission) ha formato un gruppo di sviluppo per le normative sui sistemi di energia rinnovabile. Le linee guida in fase di elaborazione sono: a) IEC 61727: Characteristics of Utility Interface for Photovoltaic (PV) Systems. Aggiornamento della IEC 61727 (1995-06) Characteristic of Utility Interface . b) IEC 62109: Safety of Power Converters for Use in Photovoltaic Power Systems Part 1 General Requirements. c) IEC 60364-7-712 Electrical Installations of Buildings Part 7 - 712 : Requirements for Special Installations or Locations Solar Photovoltaic (PV) Power Supply Systems.
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Le normative hanno una formulazione molto simile. Generalmente descrivono: 1) Requisiti Generali. - REGOLAZIONE DI TENSIONE. - REGOLAZIONE DI FREQUENZA. - SINCRONIZZAZIONE. - MONITORAGGIO. - COLLEGAMENTO A TERRA. - SBILANCIAMENTO DI TENSIONE. - IMMUNITA. 2) Requisiti di Sicurezza e Protezione. - LIMITI AI DISTRURBI DI TENSIONE. - LIMITI AI DISTURBI DI FREQUENZA. - ISOLAMENTO. - DISCONNESSIONE A SEGUITO DI ERRORE. - RICONNESSIONE. - DISPOSITIVI ANTI-ISLAND. - PROTEZIONE CONTRO SURGE. 3) Qualit della Potenza. - CONTENUTO ARMONICO. - LIMITI CORRENTE CONTINUA INIETTABILE IN RETE. - FLICKER. - FATTORE DI POTENZA. I gestori delle reti elettriche nazionali prendono in considerazione i vari standard, ed emanano delle direttive e normative al riguardo, valide per la propria rete di distribuzione.
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3.2 Impianti fotovoltaici in Italia.

Si consideri il quadro normativo vigente in Italia. La normativa di riferimento la norma CEI 11-20 alla quale si riferisce la direttiva ENEL DK 5940 entrata in vigore nel giugno 2006 e che sostituisce la direttiva ENEL DK 5950 del marzo 2002.
3.2.1 Direttiva ENEL DK 5940.

3.2.1.1 Schema di collegamento di un impianto di produzione alla rete pubblica dellENEL. In figura 3.01 riportato lo schema di collegamento di un impianto fotovoltaico alla rete pubblica italiana. I gruppi di generazione possono essere monofasi o trifasi. Per gli allacciamenti monofase la potenza massima ammessa di 6kW. Per il collegamento di generatori trifase ammesso collegare, fra una fase e il neutro, generatori monofase purch lo squilibrio, fra la potenza installata sulla fase con pi generazione e quella con meno generazione, non superi i 6kW. Generalmente, gli impianti di potenza nominale minore od uguale a 50kW vengono allacciati alla rete bassa tensione dellEnel, mentre gli impianti con potenza superiore a 75kW vengono connessi alla linea a media tensione. Pertanto, un sistema da 3kW monofase e collegato alla rete a bassa tensione per mezzo di tre dispositivi: 1) Dispositivo Generale. 2) Dispositivo di Interfaccia. 3) Dispositivo di Generatore.
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Dispositivo della rete ENEL
Sbarra BT cabina ENEL
Punto di consegna Dispositivo Generale
Parte di rete utente non abilitata al funzionamento in isola Dispositivo di Interfaccia
Parte di rete utente abilitata al funzionamento in isola. Dispositivo di Generatore
Inverter DC/AC
Figura 3.01 Schema di collegamento di un impianto di produzione fotovoltaico alla rete ENEL come da direttiva DK 5940.
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3.2.1.2 Dispositivo Generale. Il dispositivo generale separa lintero impianto privato dalla rete pubblica. Deve essere costituito da un interruttore con sganciatori di massima corrente e deve soddisfare i requisiti sul sezionamento della norma CEI 64-8. 3.2.1.3 Dispositivo di Interfaccia. Il dispositivo di interfaccia ha il compito di svolgere la protezione di interfaccia, separando i gruppi di generazione dalla rete elettrica pubblica. Deve essere un dispositivo a sicurezza intrinseca, cio dotato di una bobina di apertura a mancanza di tensione. Tale bobina, alimentata in serie ai contatti di scatto delle protezioni, deve provocare lapertura del dispositivo in caso di corretto intervento, di guasto interno alle protezioni e in mancanza di alimentazione ausiliaria. Il dispositivo di interfaccia pu trovarsi allinterno del convertitore statico DC/AC. Lesecuzione del dispositivo di interfaccia deve soddisfare i requisiti sul sezionamento della Norma CEI 64-8. Pertanto, sono ammesse le seguenti tipologie: Interruttore automatico con bobina ausiliaria a mancanza di tensione. Contattore con bobina di apertura a mancanza di tensione, combinato con fusibile o con interruttore automatico. Nel caso monofase, il contattore dovr essere conforme alla norma CEI EN 61095. Nel caso trifase, il contattore dovr essere conforme alla norma CEI EN 60947-4-1. Commutatore (inteso come Interruttore di manovra CEI EN 60947-3) accessoriato con bobina di apertura a mancanza di tensione, combinato con fusibile o con interruttore automatico.
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Nel caso in cui il dispositivo di interfaccia si trovi allinterno dellinverter, sono ammesse tipologie diverse, ad esempio combinazioni di rel elettromeccanici, purch siano certificate da un laboratorio accreditato. Lequivalenza alle topologie precedentemente citate deve essere verificata per le seguenti caratteristiche: a) Corrente e tensione nominale. b) Potere nominale di chiusura, interruzione e relativi fattori di potenza. c) Prestazioni in servizio. d) Modalit di sezionamento e caratteristiche dei contatti principali. e) Categoria di utilizzazione. f) Sicurezza intrinseca. g) Tensione disolamento e di tenuta.
In assenza di carichi del produttore, o se tutta la rete del produttore pu funzionare in isola, il dispositivo generale pu svolgere le funzioni di dispositivo di interfaccia. In tal caso il dispositivo deve essere equipaggiato con doppi circuiti di apertura comandati rispettivamente da: 1) Sganciatori di massima corrente. 2) Bobina a mancanza di tensione. Conformemente alle prescrizioni CEI 11-20, la funzione di dispositivo di interfaccia deve essere svolta da un unico dispositivo, ovvero, qualora nellimpianto siano presenti pi protezioni di interfaccia associate a diversi generatori, queste dovranno comandare un unico dispositivo di interfaccia che escluda tutti i generatori dalla rete pubblica. In deroga, per impianti di produzione collegati a rete BT pubblica e di potenza complessiva 20 kW, la funzione pu essere svolta da pi dispositivi distinti fino ad un massimo di tre.
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Sistema Potenza Tipo
Monofase < 6kW < 20kW
Trifase >20kW
Interruttore automatico con bobina di apertura a mancanza di tensione. Contattore con bobina di apertura a mancanza di Impianti collegati tensione, combinato con fusibile o con interruttore automatico. tramite sistema di conversione Commuttatore (inteso come interruttore di manovra CEI EN 60947-3 categoria AC-22A o AC-22B) con bobina di apertura a mancanza di tensione combinato con fusibile o interruttore automatico. Anche interno al sistema di conversione.
Interruttore automatico con bobina di apertura a mancanza di tensione. Contattore con bobina di apertura a mancanza di tensione, combinato con fusibile o con interruttore automatico. Esterno al sistema di conversione
Tabella 3.01 Tipologie di dispositivo di interfaccia amesse.
3.2.1.4 Protezione di Interfaccia e taratura. Le protezioni di interfaccia possono essere realizzate tramite: 1) Un dispositivo dedicato (rel). 2) Il sistema di controllo dellinverter. Le funzioni di protezione di interfaccia previste dalla Norma CEI 11-20 sono: Protezione di minima tensione. Protezione di massima tensione. Protezione di minima frequenza. Protezione di massima frequenza. Protezione a derivata di frequenza (richiesta dallEnel in condizioni particolari di rete). Le tarature di tali protezioni sono elencate in tabella 3.02.
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Protezione
Massima tensione Minima tensione Massima frequenza Minima frequenza Derivata di frequenza ( se richiesta)
Esecuzione
unipolare/tripolare unipolare/tripolare unipolare unipolare unipolare
Valore di Taratura Tempo di Intervento

<1.2Vn >0.8Vn 50,3Hz o 51Hz 0,5 Hz/s
(1)
< 0,1s < 0,2s senza ritardo intenzionale senza ritardo intenzionale senza ritardo intenzionale
49 o 49,7Hz(1)
(1)
Le tarature di default sono 49.7Hz , 50.3Hz. Qualora le variazioni di frequenza, in normali condizioni di esercizio, siano tali da provocare interventi intempestivi della protezione di massima/minima frequenza potranno, su indicazione del personale ENEL, essere adottate le tarature 49Hz, 51Hz.
Tabella 3.02 Funzioni delle protezioni di interfaccia e relative tarature.
3.2.1.5 Dispositivo di Generatore. Dispositivo installato a valle dei terminali di ciascun gruppo generatore, tale da escludere il singolo gruppo in condizioni di aperto. Sono ammesse le seguenti tipologie di dispositivo di generatore: Interruttore automatico con sganciatore di apertura. Contattore combinato con fusibile o con interruttore automatico. Commutatore (inteso come interruttore di manovra CEI EN 60947-3), combinato con fusibile o con interruttore automatico. Lesecuzione del dispositivo di generatore deve soddisfare i requisiti della norma CEI 64-8. Nel caso in cui limpianto di produzione sia costituito da un solo generatore e non sia previsto per il funzionamento in isola, il dispositivo del generatore pu svolgere la funzione di dispositivo di interfaccia.
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3.2.1.6 Qualit dellenergia prodotta. Il convertitore statico fornisce potenza elettrica alla rete pubblica. Deve rispettare i limiti previsti dalle normative vigenti. Il dispositivo di conversione statica non deve essere in grado di sostenere autonomamente la frequenza e la tensione della rete pubblica, ovvero, non si deve comportare come generatore di tensione. Relativamente alle componenti armoniche della corrente immessa nella rete pubblica, i convertitori devono soddisfare le prescrizioni CEI EN 61000-3-2 o CEI EN 61000-3-12 in base alla potenza dellimpianto. Armoniche Dispari Corrente armonica massima ammessa h [A] 3 5 7 9 11 13 15 < h < 39 Armoniche Pari h 2 4 6 8 < h < 40 2,3 1,14 0,77 0,4 0,33 0,21 0,15*(15/h) Corrente armonica massima ammessa [A] 1,08 0,43 0,30 0,23*(8/h)
Tabella 3.03 Limite delle armoniche di corrente tabulato nella norma CEI 61000-3-2.
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Per le fluttuazioni di tensione ed i flicker, si devono soddisfare le norme CEI EN 61000-3-3 o CEI EN 61000-3-11 in base alla potenza dellimpianto. La separazione metallica, fra la rete pubblica in AC e la parte in CC dei convertitori, mediante trasformatore di isolamento a frequenza industriale, obbligatoria per gli impianti di potenza maggiore a 20kW. Per impianti di potenza complessiva minore o uguale a 20 kW, tale separazione pu essere sostituita da una protezione che interviene, agendo sul dispositivo di generatore o interfaccia, quando la componente in corrente continua della corrente immessa nella rete pubblica supera lo 0,5% della corrente nominale duscita del convertitore stesso, distaccandolo dalla rete pubblica entro 0,1 s. La protezione di minima tensione pu essere in esecuzione unipolare o tripolare ad una soglia di intervento. La soglia non deve essere escludibile. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia : (0,51)Vn regolabile con passo di 0,05Vn (0,051)s regolabile con passo di 0,05s
Tempo di ritardo:
La protezione di massima tensione pu essere in esecuzione unipolare o tripolare ad una soglia di intervento. La soglia non deve essere escludibile. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (11,3)Vn regolabile con passo di 0,05Vn. (0,051)s regolabile con passo di 0,05s
Tempo di ritardo:
La protezione di minima frequenza deve essere in esecuzione unipolare a una soglia di intervento. La soglia non deve essere escludibile. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (48,5 49,8)Hz regolabile con passo di 0,1Hz. (0,051)s regolabile con passo di 0,05s.
Tempo di ritardo:
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La protezione deve essere insensibile a transitori di frequenza di durata minore o uguale a 40ms. Deve funzionare correttamente nel campo di tensione in ingresso compreso tra 0,2Vn e 1,3Vn e deve inibirsi per tensioni in ingresso inferiori a 0,2Vn. La protezione di massima frequenza deve essere in esecuzione unipolare ad una soglia di intervento. La soglia non deve essere escludibile. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (50 51,5)Hz regolabile con passo di 0,1Hz. (0,051)s regolabile con passo di 0,05s.
Tempo di ritardo:
La protezione deve essere insensibile a transitori di frequenza di durata minore o uguale a 40ms. Deve funzionare correttamente nel campo di tensione in ingresso compreso tra 0,2Vn e 1,3Vn e deve inibirsi per tensioni in ingresso inferiori a 0,2Vn. La protezione a derivata di frequenza deve essere in esecuzione unipolare a una soglia di intervento. La soglia deve essere escludibile. I campi di taratura previsti sono i seguenti: Soglia: (0,11)Hz/s regolabile con passo di 0,1Hz/s. (0,051)s regolabile con passo di 0,05s.
Tempo di ritardo:
Sistema di regolazione del fattore di potenza. Gli impianti di produzione collegati alla rete ENEL tramite dispositivi di conversione statica, possono erogare energia attiva con fattore di potenza (riferito alla componente fondamentale): - Non inferiore a 0,8 in ritardo (cio assorbimento di potenza reattiva) quando la potenza attiva erogata compresa tra il 20 % ed il 100 % della potenza complessiva installata.
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- In fase (cio, costante pari ad 1). - In anticipo, quando erogano una potenza reattiva complessiva non superiore al minor valore tra 1kVAr e (0,05 + P/20) kVAr, dove P la potenza complessiva installata espressa in kW. Certificazioni. Le prove di certificazione, dove previste e ad eccezione di quelle funzionali, dovranno essere eseguite da laboratori accreditati presso lEuropean cooperation for Accreditation (EA). Le prove di funzionamento devono essere effettuate verificando che le seguenti grandezze di influenza siano mantenute nelle condizioni di riferimento riportate qui di seguito:
1) Prove di isolamento. La norma di riferimento la CEI EN 60146-1-1. Si tenga in considerazione che la tensione di alimentazione sulla rete ENEL BT conforme alla CEI EN 50160. 2) Verifica delle funzioni di protezione. 3) Verifica del fattore di potenza. 4) Verifica della componente continua della corrente di uscita. 5) Prove di compatibilit elettromagnetica (EMC). Le prove di compatibilit elettromagnetica (immunit ed emissione) devono fare riferimento alle seguenti norme ed a quelle da esse richiamate.
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a) CEI EN 61000-2-2: " Compatibilit Elettromagnetica (EMC) Parte 2-2: Ambiente Livelli di compatibilit per disturbi condotti di bassa frequenza e la trasmissione dei segnali sulle reti pubbliche di alimentazione a bassa tensione. b) CEI EN 61000-3-2 e CEI EN 61000-3-12: Limiti di emissione armoniche (classe A). c) CEI EN 61000-3-3 e CEI EN 61000-3-11: Limiti di fluttuazioni di tensione e flicker. 6) Nel caso in cui linverter realizzi anche le funzioni relative alla Protezione di interfaccia le precedenti prove andranno integrate con le seguenti: a) Prove di isolamento (ENEL R EMC 01). b) Rigidit dielettrica (GLI 02, livello di severit 3). c) Prova ad impulso (GLI 01, livello di severit 3). d) Misura della resistenza di isolamenti (GLI 03 livello di severit 3). e) Prove climatiche (ENEL R CLI 01). f) Verifica funzioni e misura delle precisioni (ENEL DV1501A e DV1500). g) Prove di compatibilit EMC CEI EN 61000-6-1 e CEI EN 61000-6-3. h) Prove di sovraccaricabilit dei circuiti voltmetrici di misura. - La sovraccaricabilit permanente deve essere superiore o uguale a 1,3Vn; - La sovraccaricabilit transitoria (1s) deve essere superiore o uguale a 2Vn. Per le prove del dispositivo di interfaccia integrato, che sono da eseguire anche per linverter, dovranno essere considerate quelle pi restrittive.
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3.2.2
Normative
IEC,
EN,
CEI
per
inverter
fotovoltaici.
IEC 61173 (EN 61173, CEI 82-4) Protezione contro le sovratensioni dei sistemi fotovoltaici (PV) per la produzione di energia Guida. La normativa IEC 61173 stabilisce le caratteristiche dei dispositivi di protezione contro le sovratensioni. Tali dispositivi: Non devono degradarsi al si sotto delle caratteristiche minime durante la vita utile. Devono limitare la tensione ai terminali protetti ad un livello di sicurezza. Non dovrebbero guastarsi durante i transitori previsti. In alcuni casi, dovrebbero riportare le sovracorrenti a valori di sicurezza finch non intervengono i dispositivi di sicurezza della linea posti a monte (fusibili). Non devono degradare la normale prestazione del sistema. Devono avere un impatto minimo sullefficienza del sistema.
Il principio di funzionamento di un sistema di protezione consiste nellinserimento, in parallelo ai terminali da proteggere, di un elemento non lineare che commuti in uno stato di bassa impedenza quando vengono superati i limiti di tensione. Possibili dispositivi di protezione dellinverter sono: Diodi. Varistori. Dispositivi spinterometrici e fusibili a scarica di gas. Trasformatori di isolamento. Fotoaccoppiatori.
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IEC 61683 (EN 61683, CEI 82-20) Sistemi fotovoltaici. Condizionatori di Potenza. Procedure per misurare lefficienza. La normativa IEC 61683 descrive la procedura di misura dellefficienza di un inverter fotovoltaico. - Sorgente DC. La sorgente DC da collegare in ingresso ad un inverter fotovoltaico con MPPT pu essere un array fotovoltaico o un simulatore di array fotovoltaico. - Temperatura. La temperatura alla quale si effettuano le misure deve essere di 25C + 2C. - Tensione duscita e frequenza. La tensione duscita e la frequenza devono essere mantenute entro i valori nominali dichiarati dal costruttore. - Tensione dingresso. Le misure devono essere effettuate in ognuna delle seguenti condizioni: a) Con la tensione dingresso al minimo valore dingresso dichiarato dal costruttore. b) Con la tensione dingresso al valore nominale o al valore medio del range dingresso. c) Con la tensione dingresso pari al 90% del massimo valore dingresso dichiarato dal costruttore.
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- Calcolo dellefficienza nominale duscita. Lefficienza nominale il rapporto tra la potenza duscita e dingresso quando linverter sta erogando la potenza nominale duscita. Si calcola dai dati misurati con la seguente relazione:
=
dove: = efficienza nominale duscita.
PO 100 Pi
(3.2.2.1)
PO = potenza nominale duscita (kW). Pi = potenza dingresso (kW) quando la potenza duscita quella nominale. Nel computo della potenza nominale dingresso si deve considerare ogni potenza ausiliaria dingresso come, per esempio, la potenza del sistema di controllo dellinverter (gate driver). - Calcolo dellefficienza parziale duscita. Lefficienza parziale rappresenta il valore dellefficienza dellinverter al di sotto della potenza nominale duscita. E calcolata dai dati misurati con la seguente relazione:
PAR =
POP 100 PiP
(3.2.2.2)
dove: PAR = efficienza parziale duscita. POP = potenza parziale duscita (kW). PiP = potenza parziale dingresso (kW). Nel computo della ausiliaria potenza parziale dingresso si deve considerare ogni potenza
dingresso come, per esempio, la potenza del sistema di controllo
dellinverter (gate driver).
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- Tolleranza dellefficienza. Quando un valore di efficienza garantito, la tolleranza espressa dalla seguente relazione:
0.2 (1 )
(3.2.2.3)
- Circuito di test raccomandato.
A1
W1
W2
A2
PF
PS
V1
PC Under Test
V2
Legenda: PS = Variable voltage-current dc power supply. PC = Power Conditioner. A1 = Amperometro DC. A2 = Amperometro AC. W1 = Wattmetro DC. W2 = Wattmetro AC. F = Frequenzimetro. V1 = Voltmetro DC. V2 = Voltmetro AC.
Figura 3.02 Circuito raccomandato per la misura dellefficienza. - Procedura di misura. a) Lefficienza calcolata con lespressione precedente. La potenza Pi pu essere misurata con il wattmetro W1 o determinata moltiplicando la lettura dellamperometro A1 con quella del voltmetro V1.
90
b) La tensione dingresso deve essere fatta variare finch la corrente duscita varia dal valore minimo al valore nominale. La tensione dingresso misurata con il voltmetro V1, La corrente duscita con lamperometro A2. c) Il voltmetro DC e lamperometro DC devono essere strumenti a valore medio. Voltmetro AC e amperometro AC devono essere strumenti a vero rms. d) Il fattore di potenza pu essere misurato con un apposito strumento o essere calcolato dalle letture di V2, A2, W2 con la seguente relazione:
PF =
(W2 )
V2 A2
100
(3.2.2.4)
e) Ogni strumento pu essere analogico o digitale. La precisione deve essere inferiore al + 0,5% del valore di fondo scala per ogni misura di potenza. f) In un inverter fotovoltaico con MPPT le variazioni di tensione devono essere mediamente inferiori al 5% della tensione dingresso. Il periodo di osservazione deve essere di almeno 30s.
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IEC 61724 (EN61724, CEI 82-15) Rilievo delle prestazioni dei sistemi fotovoltaici. Linee guida per la misura, lo scambio e lanalisi dei dati. La norma IEC 61724 descrive le procedure per il rilievo delle caratteristiche di un sistema fotovoltaico. Scopo di queste procedure quello di valutare le prestazioni globali di sistemi fotovoltaici, configurati come autonomi o collegati alla rete di distribuzione elettrica. Nelle tabelle seguenti sono elencati i parametri da misurare con le relative unit di misura. - Parametri metereologici. Parametro Irraggiamento Totale Temperatura dellaria in uno schermo contro le radiazioni Velocit del vento Simbolo GI TAM Unit di misura W/m2 C
SW
m/s
Tabella 3.04 Parametri metereologici. - Parametri dellarray fotovoltaico. Parametro Tensione duscita Corrente duscita Potenza duscita Temperatura dei moduli Angolo di inclinazione dellinseguitore Simbolo VA IA PA TM T Unit di misura V A W C gradi
gradi A Angolo azimutale dellinseguitore Tabella 3.05 Parametri del campo fotovoltaico.
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- Parametri dellenergia immagazzinata. Parametro Tensione di funzionamento Corrente verso il dispositivo di immagazzinamento Corrente dal dispositivo di immagginamento Potenza verso il dispositivo di immagazzinamento Potenza dal dispositivo di immaggazinamento Simbolo VS Unit di misura V
ITS IFS
A A
PTS PFS
W W
Tabella 3.06 Parametro dellelemento di accumulo. - Parametri del carico. Parametro Tensione del carico Corrente del carico Potenza del carico Simbolo VL IL PL Tabella 3.07 Parametri del carico. Unit di misura V A W
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- Parametri rete di distribuzione. Parametro Tensione di rete Corrente verso la rete di distribuzione Corrente dalla linea di distribuzione Potenza verso la rete di distribuzione pubblica Simbolo VU ITU IFU PTU Unit di misura V A A kW
PFU kW Potenza dalla rete di distribuzione pubblica Tabella 3.08 Parametri della rete di distribuzione.
- Parametri da misurare in tempo reale.

GI
Array Fotovoltaico
Condizionatore di potenza
VA,IA PA VL , IL PL
Carico
TAM SW ITS, PTS IFS, PFS IFU, PFU VBU, IBU PBU ITU,PTU
Generatori di supporto
Rete di distribuzione pubblica
Dispositivi di immagazzinament o
Fig. 3.03 Misura dei parametri in tempo reale.
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- Metodi di rilievo. a) La precisione dei sensori di temperatura, compreso il condizionamento del segnale, deve essere superiore a 1K. b) La precisione dei sensori di velocit del vento deve essere migliore di 0,5m/s, per velocit del vento uguali od inferiori a 5m/s, e migliore del 10% della lettura per velocit superiori a 5m/s. c) La precisione dei sensori di corrente e tensione (DC e AC), compreso il condizionamento dei segnali, deve essere migliore dell1% della lettura. d) La potenza in corrente continua pu essere calcolata in tempo reale, come il prodotto della tensione e della corrente campionate, o essere misurata direttamente con un sensore di potenza. La potenza in corrente alternata deve essere misurata utilizzando un sensore di potenza che tenga conto, in modo adeguato, del fattore di potenza e della distorsione armonica. La precisione dei sensori di potenza, compreso il condizionamento del segnale, deve essere migliore del 2% della lettura. e) Per le grandezze che variano con lirraggiamento, lintervallo di campionamento deve essere inferiore ad 1 minuto. Per parametri con elevate costanti di tempo, lintervallo di campionamento pu essere compreso tra 1 minuto e 10 minuti.
Inoltre, la norma descrive le operazioni di elaborazione, memorizzazione dati e i formati dei file per il loro trasferimento.
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EN 50178 (CEI 22-15) Apparecchiature elettroniche da utilizzare negli impianti di potenza. La norma EN 50178 (CEI 22-15) si applica alluso di apparecchiature elettroniche (EE Electronic Equipment) in impianti di potenza, in cui necessario mantenere un livello tecnico uniforme di sicurezza ed affidabilit. La norma definisce i requisiti minimi di progettazione e costruzione per la protezione dalla scossa elettrica, per la prova e lintegrazione nei sistemi per installazioni di potenza. Inoltre, si applica ad apparecchiature elettroniche per le quali non esiste una specifica norma di prodotto. La norma specifica: a) Prescrizioni per lintero sistema. b) Prescrizioni di sicurezza. c) Requisiti e condizioni ambientali. d) Prescrizioni per lapparecchiatura elettronica. e) Prescrizioni per lassemblaggio dellapparecchiatura elettronica negli impianti di potenza. f) Prove per la conformit. Le prove da effettuare per la conformit alla norma sono: 1) Esame a vista. 2) Prove ambientali e climatiche. a) Prova a caldo secco. b) Prova a caldo umido. 3) Prove meccaniche. a) Prove di ribaltamento. b) Prove di vibrazione. c) Prove di tenuta stagna per apparecchiature raffreddate a liquido.
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4) Prove meccaniche relative alla sicurezza. a) Distanza di isolamento in aria e di scarica superficiale. b) Prova di non accessibilit. c) Prova dellinvolucro. d) Prove di idoneit della verniciatura o del rivestimento. 5) Prove elettriche (dielettriche) relative alla sicurezza. a) Prove di tensione impulsiva. b) Prove di tensione ca o cc. c) Prove di scariche parziali. d) Prova di resistenza di isolamento in impianti di potenza. e) Impedenza di protezione, schermatura di protezione. 6) Prove elettriche ambientali. a) Emissione di disturbi elettromagnetici. b) Immunit dai disturbi elettromagnetici. c) Tenuta al cortocircuito. 7) Prove sulle prestazioni. Gli inverter commerciali fanno riferimento alla seguente normativa per le dichiarazioni di sicurezza CE. Pertanto, merita particolare attenzione il paragrafo 5 a pag. 23. In questa sezione la norma descrive gli accorgimenti da attuare per la protezione delle persone e degli animali. Sono presenti numerosi flow-chart che permettono, al progettista, una rapida identificazione delle caratteristiche costruttive.
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IEC 60529 (EN 60529) - Gradi di protezione degli involucri (Codice IP). In Europa, il grado di protezione dellinvolucro indicato dal codice IP (International Protection). Il codice IP strutturato nel seguente modo: IP Lettere caratteristiche (International Protection) Prima cifra caratteristica (cifra da 0 a 6, o letteraX) Seconda cifra caratteristica (cifra da 0 a 8, o lettera X) Lettera addizionale (opzionale) (lettere A, B, C, D) Lettera supplementare (opzionale) (lettere H, M, S, W) Nelle tabelle seguenti riportata una breve descrizione degli elementi del codice IP. 2 3 C H
Prima cifra caratteristica. Cifra o lettere Significato per la protezione dellapparecchiattura Contro la penetrazione di corpi estranei: 0 1 2 3 4 5 6 non protetto > 50mm di diametro > 12.5mm di diametro > 2.5mm di diametro > 1mm di diametro protetto contro la polvere totalmente protetto contro la polvere Significato per la protezione delle persone
Contro laccesso a parti pericolose con: non protetto dorso della mano dito attrezzo filo filo filo
Tabella 3.09 Significato della prima cifra caratteristica del codice IP.
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Seconda cifra caratteristica. Cifra o lettere Significato per la protezione dellapparecchiattura Contro la penetrazione di acqua con effetti dannosi: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 non protetto caduta verticale caduta di gocce dacqua pioggia spruzzi dacqua getti dacqua getti potenti immersione temporanea immersione continua
Tabella 3.10 Significato della seconda cifra caratteristica del codice IP.
Lettera addizionale (opzionale). Cifra o lettere Contro laccesso a parti pericolose con: A B C D dorso della mano dito attrezzo filo Significato per la protezione delle persone
Tabella 3.11 Significato della lettera addizionale del codice IP.
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Lettera supplementare (opzionale). Cifra o lettere Significato per la protezione dellapparecchiatura. Informazioni supplementari relative a: H M S W apparecchiature ad alta tensione prove con acqua con apparecchiatura in moto prova con acqua con apparecchiatura non in moto condizioni atmosferiche
Tabella 3.12 Significato della lettera supplementare del codice IP.
100
3.3 Impianti fotovoltaici negli Stati Uniti.

Le normative statunitensi da considerare sono: a) Normativa NEC, National Electrical Code. b) Normativa UL1741. c) Normativa FCC per la compatibilit elettromagnetica.
3.3.1 Articolo NEC 690.

Larticolo 690 del National Electrical Code classifica i sistemi fotovoltaici in: 1) Interactive System = Impianti connessi alla linea elettrica pubblica (Grid connected). 2) Impianti Ibridi = rinnovabile. 3) Impianti Stand Alone. Impianti costituiti da vari tipi di sorgenti di energia
Fig. 3.04 Sistemi fotovoltaici descritti nellarticolo NEC 690.
101
Fig. 3.05 Diagramma semplificato di un sistema grid-connected.
In fig. 3.05 riportato lo schema semplificato dei sistemi grid connected, riportato nella norma NEC 690 che definisce:
Inverter: Equipment that is used to change voltage level or waveform, or both, of electrical energy. Commonly, an inverter [also know as a power conditioning unit (PCU) or power conversion system (PCS)] is a device that changes dc input to an ac output. Inverters may also functions as battery charges that use alternating current from another source and convert it into direct current for charging batteries.
(National Electrical Code Handbook National Fire Association , Quincy, Massachusetts).
La parte pi importante della normativa NEC, che impatta sulla progettazione e costruzione dellinverter, rappresentata dalla connessione a terra imposta dallarticolo
102
690.41 System Grounding, per il lato DC, e dallarticolo 250.20B Alternating-Current Systems to Be Grounded, per il lato AC. Larticolo 690.41 afferma: For a photovoltaic power source, one conductor of a two wire system with a photovoltaic system voltage over 50 volts and the reference (center tap) conductor of a bipolar system shall be solidly grounded or shall use methods that accomplish equivalent system protection in accordance with 250.4(A) and that utilize equipment listed and identified for the use.
(National Electrical Code Handbook National Fire Association , Quincy, Massachusetts)
Pertanto, quando la tensione di stringa supera i 50V, un terminale deve essere connesso a terra. Se la stringa bipolare deve essere connesso a terra il punto centrale. Si possono anche utilizzare dei sistemi di protezione equivalenti in accordo con larticolo 250.4(A) Grounded System, il quale afferma: (1) Electrical System Grounding: Electrical System that are grounding shall be connected to earth in a manner that limit the voltage imposed by lightning, line surge, or unintentional contact with higher voltage lines and that will stabilize the voltage to earth during normal operation. (2) Grounding of Electrical Equipment: Non current carrying conductive materials enclosing electrical conductors or equipment , or forming part of such equipment , shall be connected to earth so as to limit the voltage to ground on these materials. (3) Bonding of Electrical Equipment: Non current carrying conductive materials enclosing electrical conductors or equipment , or forming part of such equipment , shall be connected together and to electrical supply source in a manner that establishes an effective ground fault current path.
103
(4) Bonding of Electrical Equipment: Electrical conductive materials that are likely to become energized shall be connected together and to the electrical supply source in a manner that establishes an effective ground fault current path.
(5) Effective Ground Fault current path: Electrical equipment and wiring and other electrically conductive material likely to become energized shall be installed in a manner that creates a permanent , low-impedance circuit facilitating the operation of the overcurrent device or ground detector for high impedance grounded system. It shall be capable of safety carrying the maximum ground fault may occur to the electrical supply source. The earth shall not be considered as an effective ground fault current path..
(National Electrical Code Handbook National Fire Association , Quincy, Massachusetts).
Fig. 3.06 Connessione a terra lato DC.
104
Per quanto riguarda il lato rete, larticolo 250.20B impone la connessione a terra di un terminale lato AC. Alternating-current systems of 50 volts to 1000 volts that supply premises wiring and premises wiring systems shall be grounded under any of the following conditions: (1) Where the system can be grounded so that the maximum voltage to ground on the ungrounded conductors does not exceed 150 volts. (2) Where the system is 3-phase, 4-wire, wye connected in which the neutral is used as a circuit conductor. (3) Where the system is 3-phase, 4-wire, delta connected in which the midpoint of one phase winding is used as a circuit conductor.
a) b) Fig. 3.07 a) Connessione a terra di un tipico sistema monofase in accordo con larticolo 250.20B. b) Connessione a terra di un tipico sistema trifase in accordo con larticolo 250.20B.
La necessit di connettere a terra un conduttore sul lato DC e uno sul lato AC, noto con il nome di dual grounding.
105
Tale imposizione si trasforma, di fatto, con la necessit di un trasformatore disolamento allinterno dellinverter.
3.3.1.1 Sistemi fotovoltaici con tensione superiore ai 600V. Sistemi fotovoltaici, con una tensione massima superiore ai 600V, devono rispettare larticolo NEC 490 e tutti i requisiti imposti dalle installazioni con tensione superiore ai 600V. Larticolo NEC 690 definisce come tensione massima, la somma delle tensioni di circuito aperto dei moduli fotovoltaici connessi in serie. La tensione di circuito aperto da prendere in considerazione, quella alla minima temperatura ambiente che ci si aspetta. Per i moduli in silicio monocristallino e policristallino, la tensione calcolata deve essere moltiplicata per un opportuno coefficiente moltiplicativo come riportato nella tabella 690.7 del National Electrical Code (Tabella 3.13).
Tabella 3.13 Tabella 690.7 del NEC.
n VMAX = VOC _ T min k i =1
(3.3.1.1.1)
106
3.3.2 Normativa UL1741.

La norma UL1741, Standard for Static Inverter and Charge Controllers for Use in Photovoltaic Systems, definisce i requisiti elettrici e meccanici degli inverter e convertitori di tipo stand-alone e grid connected. Regolazione della tensione: Il valore nominale della tensione 120Vrms. Il sistema deve intervenire nei tempi riportati in tabella 3.14 nel caso in cui il valore della tensione prodotta non sia conforme ai valori stabiliti. Tensione Tempo massimo di N di cicli intervento massimo prima di intervenire 0.1s 2s 2s (2/60)s 6 120 120 2
V < 0.5 Vn 0.5 Vn < V < 0.88 Vn 1.10 Vn < V < 1.37 Vn 1.37 Vn < V
Tabella 3.14 Risposta a condizioni anomale di tensione.
Dalla tabella 3.14 si pu dedurre che il valore della tensione, in normali condizioni di lavoro, deve essere: 0.89 Vn V 1.10 Vn (3.3.2.1)
107
Regolazione di frequenza: La frequenza nominale di 60Hz. Il sistema deve disconnettersi dalla rete nei tempi indicati in tabella 3.15 qualora non rispetti i limiti imposti. Frequenza Tempo massimo di intervento N di cicli massimo prima di intervenire
f > 60.5Hz f < 59.3Hz
0.1s 0.1s
6 6
Tabella 3.15 Risposta a condizioni anomale di frequenza. Pertanto, la frequenza deve essere compresa nel range:
59.3Hz f 60.5Hz
(3.3.2.2)
La frequenza non pu variare troppo velocemente. La norma stabilisce:
Hz f < 0.5 t s
(3.3.2.3)
Armoniche.
La distorsione armonica totale, THD (Total Harmonic Distorsion) del valore efficace della corrente, deve essere inferiore al 5% della fondamentale a pieno carico. Le armoniche pari e dispari devono rispettare i limiti riportati nelle tabelle 3.16 e 3.17.
108
Armoniche Pari h
Massima distorsione Ammessa (%)
2 < h < 10 12 < h < 16 18 < h < 22 24 < h < 34 h > 36
1 0.5 0.375 0.15 0.075
Tabella 3.16 Distorsione massima per le armoniche pari. Armoniche Dispari h Massima distorsione Ammessa (%)
3<h<9 11 < h < 15 17 < h < 21 23 < h < 33 h > 33
4 2 1.5 0.6 0.3
Tabella 3.17 Distorsione massima per le armoniche dispari.
109
Corrente Continua immessa in linea. La corrente continua immessa in linea non deve superare il 5% del valore della corrente AC immessa in linea. Power Factor. Il fattore di potenza deve essere maggiore di 0.85. Sistemi di interconnessione. Per quanto riguarda i sistemi di interconnessione linverter deve essere conforme allo standard IEEE 1547 e IEEE 1547.1.
GFDI (Ground Fault Detector/Interrupter).
Linverter deve essere equipaggiato con un sistema di rilevamento dellerrore di terra (Ground - Fault). Il sistema deve essere in grado di rilevare il guasto e di segnalarlo opportunamente, interrompere la circolazione della corrente di errore e isolare il campo fotovoltaico o linverter per cessare lesportazione di potenza. Il valore massimo della corrente derrore riportato in tabella 3.18.
Potenza DC [kW] Massima corrente derrore [A]
0-25 25-50 50-100 100-250 >250
1 2 3 4 5
Tabella 3.18 Valore della corrente derrore.
Anti Island Protection.
Linverter deve distaccarsi dalla rete entro due secondi dalla formazione dellisola.
110
Caratteristiche costruttive.
La norma UL1741 descrive, nella prima parte, le caratteristiche costruttive degli involucri che contengono linverter fotovoltaico. La norma descrive, ai paragrafi 4 e 5 (da pag. 13 a pag. 33), le caratteristiche degli involucri metallici e non metallici, la realizzate delle aperture sullinvolucro e le note sul montaggio. Si consideri, come esempio, le aperture del sistema di ventilazione che consente il raffreddamento dellelettronica di potenza dellinverter. Le aperture per la ventilazione sulla parte inferiore dellinvolucro possono essere realizzate come illustrato in figura 3.08. Tali aperture permettono al materiale che cade dallinterno dellinverter di depositarsi sullapposita locazione.
Figura 3.08 Esempio di aperture inferiori.
Le aperture sulla parte superiore devono essere dimensionate e localizzate per proteggere il circuito dallintroduzione di oggetti estranei. Le aperture realizzate sopra parti non isolate: a) Non devono superare i 4.7mm in ogni direzione. b) Devono garantire la protezione contro lintroduzione di oggetti estranei.
111
Fig. 3.09Aperture per la ventilazione: a) a) Aperture inclinate. b) Aperture verticali.
b)
Le aperture realizzate nelle altre parti dellinvolucro non devono superare i 305mm di lunghezza e larea non deve superare i 0.129m2.
Protezione delle persone.
Al paragrafo 33, pag 80, la norma descrive le tecniche da attuare per la protezione delle persone.
Test.
Al paragrafo 47, pag. 94, la norma descrive i test dellinverter in funzionamento anomalo. a) Test di sovraccarico. b) Test di cortocircuito. c) Test di ventilazione. d) Test dellimpedenza di terra. e) Test di protezione contro la sovracorrente. f) Test di sovratensione. g) Test anti island. h) Test di protezione contro gli spruzzi dacqua.
condizioni di
112
Marcatura.
Gli inverter grid-connected devono essere marcati: Utility-Interactive o Interconnection System Equipment. Inoltre possono essere presenti altri marchi.
a) Direct Current Supply
b) Alternating Current Supply
c) Phase.
d) Equipment grounding Conductor
e) On and Off.
Figura 3.10 Esempio di marcature.
Tipo di Involucro
Marchio Opzionale
1 3, 3S, 4, 4X, 6 o 6P 3R 4 o 4X 4X o 6P 2, 12, 12K o 13 3, 3S, 12, 12K o 13
indoor use only rainlight rainproof waterlight corrosion resistance drip tight dust tight
Tabella 3.19 Marchi opzionali relative al tipo di involucro.
Revisioni. Alcuni punti della normativa UL1741 saranno revisionati il 7 maggio 2007.
113
3.4 Panoramica sugli altri Stati.

3.4.1 Germania.
In Germania, le norme di riferimento per le applicazioni fotovoltaiche sono imposte dalla German Commision for Electrical, Electronic & Information Tecnologies of DIN and VDE e sono direttive europee EN. Di seguito presente lelenco completo delle normative EN da considerare per i sistemi fotovoltaici. Sono evidenziate con un riquadro le norme relative agli inverter. DIN EN 60891:1996-10 Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices. DIN EN 60904 1:1995-04 Photovoltaic devices Part 1 : Measurement of photovoltaic current-voltage characteristics (IEC 60904-1 :1987).
DIN EN 60904-2:1995-04 Photovoltaic devices Part 2 : Requirements for
reference solar cells (IEC 60904-2 :1989).

DIN EN 60904-3:1995-04 Photovoltaic devices Part 3: Measurement principles
for terrestrial photovoltaic (PV) solar devices with reference spectral irradiance data (IEC 60904-3:1989).
DIN EN 60904-5:1996-12 Photovoltaic devices Part 5: Determination of the
equivalent cell temperature (ECT) of photovoltaic (PV) devices by the open circuit voltage method (IEC 60904-5:1993).
DIN EN 60904-6:1996-02 Photovoltaic devices Part 6: Requirements for
reference solar modules (IEC 60904-6 :1994).

DIN EN 60904-7:1998-11 Photovoltaic devices Part 7: Comptation of spectral
mismatch error introduced in the testing of a photovoltaic device (IEC 60904-7:1998).
114
DIN EN 60904-8 :1998-11 Photovoltaic devices Part 8 : Measurement of spectral
responce of a photovoltaic (PV) devices (IEC 60904-8 :1998).

DIN EN 60904-10 :1998-11 Photovoltaic devices Part 10 : Methpds of linearity
measurement (IEC 60904-10 :1998).

DIN EN 61173 :1996-10 Overvoltage protection for photovoltaic (PV) power
generating systems Guide (IEC 61173 :1992).

DIN EN 61194 :1996-12 Characteristic parameters of stand-alone photovoltaic
(PV) systems.
DIN EN 61215 :1996-10 Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV) modules
Design qualification and type approval (IEC 61215 :1993). DIN EN 61277:1999-02 Terrestrial photovoltaic (PV) power generatine system General and guide (IEC 61277:1995).
DIN EN 61345:1998-11 UV test of photovoltaic (PV) modules (IEC 61345:1998). DIN EN 61646:1998-03 Thin-film terrestrial photovoltaic (PV) modules Design
qualification and type approval (IEC 61646:1996).

DIN EN 61683:2000-08 Photovoltaic system Power Conditioner Procedure for
measuring efficiency (IEC 61683:1999).

DIN EN 61701:2000-08 Salt mist corrosion testing of photovoltaic (PV) modules
(IEC 61702:1995).
DIN EN 61702:2000-08 Rating of direct coupled photovoltaic (PV) pumping
systems (IEC 61702:1995).
115
DIN EN 61724:1999-04 Photovoltaic system performance monitoring Guidelines
for measurement, data exchange and analysis (IEC 61724:1998).

DIN EN 61725:1998-03 Analytical expression for daily solar profiles (IEC
61725:1997).
DIN EN 61727:1996-12 Photovoltaic (PV) systems Characteristics of the utility
interface (IEC 61727:1995).

DIN EN 61721:2000-08 Susceptibility of a photovoltaic (PV) module to accidental
impact damage (resistance to impact test), (IEC 61721:1995).

DIN EN 61829:1999-02 Crystalline silicon photovoltaic (PV) array On site
measurement of I-V characteristics (IEC 61829:1995).

DRAFT DIN VDE 0126 (VDE 0126):1999-04 with Authorization Automatic
disconnecting facility for photovoltaic installations with a rated output = 4.6kVA and a single- phase parallel feed by means of an inverter into the public low-voltage mains.
DIN V VDE V 0126-17-1 (VDE V 0126 Part 17-1): 2004-06 Solar Cells Part
17-1 : Datasheet information and product data for crystalline silicon solar cells.
IEC 60364-7-712:2002-05 Electrical installations of buildings Part 7-712:
Requirements for special installations or locations Solar photovoltaic (PV) power supply systems.
IEC 60904-9:1995-09 Photovoltaic Devices Part 9: Solar simulator performance
requirements.
DIN EN 50380:2003-09 Datasheet and nameplate information for public modules.
116
DIN EN 61427:2002-03 Secondary cells and batteries for a solar photovoltaic
energy systems- General requirements and methods of test.
117
3.4.2 Spagna.
La normativa vigente in Spagna la Royal Decree 1663/2000. I punti principali sono: Connessione alla rete elettrica monofase fino ad una potenza di 5kW. Per potenze superiori deve essere trifase. La connessione e disconnessione del sistema fotovoltaico non deve causare una variazione di tensione superiore al 5% nel punto di consegna. Il fattore di potenza deve essere tenuto quanto pi possibile vicino allunit. Protezione di massima e minima frequenza. 49 Hz f 51Hz . Protezione di massima e minima tensione. 0.85 Vn V 1.1 Vn .
Allarticolo 12 la normativa impone la separazione galvanica: The installation must have galvanic separation between the low voltage network and the photovoltaic installation either by means of an insulation transformer or any other means performing the same functions with a basis in techno-logical development. La connessione a terra del sistema fotovoltaico deve essere un collegamento indipendente alla terra del neutro della compagnia elettrica. Si conclude che in Spagna non sono ammessi inverter fotovoltaici senza trasformatore.
118
3.4.3
Australia.
In Australia sono in vigore le norme AS4777.

AS 4777.1-2005 : Grid connection of energy systems via inverters - Installation
requirements .
AS 4777.2-2005 : Grid connection of energy systems via inverters - Inverter
requirements .
AS 4777.3-2005 : Grid connection of energy systems via inverters - Grid protection
requirements .
119
3.5 Normative per la marcatura CE.

Un inverter fotovoltaico deve essere dotato di marchio CE per poter essere immesso nel mercato europeo. Per ottenere la marcatura CE, bisogna rispettare le seguenti direttive e norme: Direttiva 73/23/EEC Apparecchi elettrici. Direttiva basso voltaggio. Direttiva 89/336/EEC Compatibilit Elettromagnetica. Direttiva 93/68/EEC Marchio CE. Emissioni EMC:
DIN EN 61000-6-3 DIN EN 61000-6-4 DIN EN 55022 DIN EN 61000-3-3 DIN EN 61000-3-2
(CEI 210-65) (CEI 210-66) (CEI 110-5) (CEI 110-28) (CEI 110-31) (CEI 210-64) (CEI 210-54) (CEI 22-15)
IMMUNITA:
DIN EN 61000-6-1 DIN EN 61000-6-2
SICUREZZA:
DIN EN 50178
120
3.6 Elenco Riassuntivo Norme IEC, EN, CEI per inverter fotovoltaici.
3.6.1 Norme Generali. IEC EN CEI STRUTTURA TITOLO SOMMARIO
La presente Norma definisce i criteri di installazione per gli impianti di produzione di energia elettrica diffusi, in corrente alternata, funzionanti in isola o in parallelo con sistemi di I e II categoria. La presente Norma considera anche i sistemi statici di continuit (UPS).
----
----
11-20
11-20 11-20;V1
Impianti di produzione di energia elettrica e gruppi di continuit collegati a reti di I e II categoria.
61173
61173
82-4
82-4 Anno 1998 Ed. Prima
La presente Norma fornisce una guida sulla protezione da sovratensioni per sistemi fotovoltaici, sia isolati che connessi in rete, per la produzione di energia. Si propone di identificare le fonti di pericolo derivanti da I Protezione sovratensioni (incluse le contro le sovratensioni dei fulminazioni) e definire i tipi di protezione quali sistemi fotovoltaici (FV) messa a terra, per la produzione schermatura, captazione di scariche atmosferiche di energia e dispositivi di Guida protezione. La presente Norma costituisce la ristampa senza modifiche, secondo il nuovo progetto di veste editoriale, della Norma pari numero ed edizione (Fascicolo 2605 E)
121
61724
61724
82-15
Rilievo delle prestazioni dei sistemi fotovoltaici Linee guida per la misura, lo scambio e l'analisi dei dati.
La presente Norma fornisce linee guida generali per il rilievo e l'analisi delle prestazioni elettriche di sistemi fotovoltaici (FV). Essa non descrive le prestazioni dei singoli componenti, ma si focalizza sulla valutazione delle prestazioni di una schiera di moduli in quanto parte di un sistema FV. Lo scopo dell'analisi dei dati quello di fornire un sommario delle prestazioni adatto per paragonare impianti FV di differenti dimensioni, che funzionano in climi diversi e che forniscono energia per usi diversi, cos da rendere evidente la validit relativa a progetti e procedure di funzionamento diversi. Vengono incluse anche linee guida per il formato dei file da utilizzare per lo scambio dei dati rilevati tra diverse organizzazioni. La presente Norma pu non essere applicabile a sistemi autonomi di piccole dimensioni a causa dei costi relativamente elevati degli apparecchi di misura
122
61683
61683
82-20
Sistemi fotovoltaici Condizionatori di potenza Procedura per misurare l'efficienza
La presente descrive una procedura per misurare lefficienza dei condizionatori di potenza usati nei sistemi fotovoltaici, sia isolati che connessi alla rete elettrica , nel caso in cui luscita del del condizionatore di potenza sia una tensione alternata a frequenza costante o una tensione continua stabile. Lefficienza viene calcolata a partire da una misura diretta della potenza di entrata e di uscita nellimpianto. La presente norma viene pubblicata dal CEI nella sola lingua originale inglese, a causa della sua limitata utilizzazione , particolarmente mirata a settori specialistici. Lo scopo della presente norma consiste nel definire i requisiti minimi di progettazione e costruzione delle apparecchiature elettroniche, ai fini della protezione contro la scossa elettrica, della prova e dellintegrazione negli impianti di potenza. Linserimento dellapparecchiatura in impianti di potenza rende particolarmente importante il far ricorso a prescrizioni minime, cos da poter garantire che tutte le apparecchiature integrate nellimpianto mantengano un livello tecnico uniforme di sicurezza ed affidabilit. A parte le esclusioni dal campo di applicazioni elencate nel seguito, la norma si applica d ogni tipo di apparecchiatura elettronica prevista per
----
50178
22-15
Apparecchiature elettroniche da utilizzare negli impianti di potenza
123
lutilizzo in impianti di potenza. La norma per anche applicabile a tutte quelle apparecchiature elettroniche per le quali non esista una specifica norma di prodotto, indipendentemente dal loro inserimento o meno in impianti di potenza. Lapparecchiatura elettronica in generale qualunque apparecchiatura elettrica la cui funzione principale viene svolta da componenti elettronici, e comprende perci apparecchiature elettroniche di potenza. Sono esclusi dal campo di applicazione: - Accessori e apparecchi elettrici per uso domestico. - Apparecchiature Medicali. - Apparecchiature elettriche per impianti ferroviari. - Elaborazione dati senza controllo di sistemi e di processi. - Apparecchiature e reti di telecomunicazioni e radiocomunicazione non industriali pubbliche e private. - Rel di protezione. - Dispositivi differenziali di protezione. - Sistemi di continuit. - Apparecchiature di illuminazione. - Apparecchiature pubbliche di ricarica di veicoli elettrici.
60529
60529
70-1
Gradi di protezione degli involucri (Codice IP)
124
3.6.2 Normative CE. Emissioni EMC. IEC EN CEI TITOLO

Compatibilit elettromagnetica (EMC) Parte 6-3: Norme generiche Emissione per gli ambienti residenziali, commerciali e dellindustria
SOMMARIO
La presente Norma, relativa alle prescrizioni sull'emissione di disturbi elettromagnetici compresi nella gamma di frequenze da 0 Hz a 400 GHz, si applica alle apparecchiature elettriche ed elettroniche previste per essere usate in ambienti residenziali, commerciali e dell'industria leggera, per le quali non esistono Norme di emissione di prodotto o di famiglie di prodotti. La presente Norma si applica alle apparecchiature previste per essere collegate direttamente alla rete pubblica di alimentazione a bassa tensione o a una particolare sorgente in c.c. che funga da interfaccia tra l'apparecchiatura e la rete pubblica di alimentazione a bassa tensione. Le apparecchiature progettate per irradiare energia elettromagnetica nel campo delle radiocomunicazioni sono escluse dalla norma. La presente Norma ha lo scopo di definire i limiti e i metodi di prova per le apparecchiature elettriche ed elettroniche da utilizzare negli ambienti industriali, in relazione alle emissioni elettromagnetiche, che possono causare interferenze ad altre apparecchiature, nella gamma di frequenze da 0 a 400 GHz e per le quali non esistono norme sull'emissione riferite al prodotto o a famiglie di prodotti. Quando esiste una norma di compatibilit elettromagnetica specifica relativa all'emissione specifica per un prodotto o per una famiglia di prodotti, questa prevale su tutti gli aspetti della presente Norma generica. Gli ambienti considerati sono quelli industriali, sia interni che esterni. Le apparecchiature considerate sono previste per essere connesse ad una
61000-6-3 61000-6-3 210-15
61000-6-4 61000-6-4
Compatilit elettromagnetica (EMC) Parte 6-4: Norme generiche Emissione per gli ambienti industriali
125
rete di potenza, derivata da un trasformatore di media o alta tensione dedicato, che alimenta una installazione per la distribuzione ad impianti manifatturieri o simili e il cui funzionamento previsto in ambienti industriali o in prossimit di essi. Le apparecchiature progettate per irradiare energia elettromagnetica nel campo delle radiocomunicazioni sono escluse dalla presente norma.
55022
55022
110-5 110-5; V1 110-5;V2 110-5;V3
Apparecchi per la tecnologia dell'informazione - Caratteristiche di radiodisturbo Limiti e metodi di misura.
CEI 110-5 La presente Norma si applica agli apparecchi per la tecnologia dell'informazione (ITE). Sono indicati i metodi di misura dei livelli dei segnali spuri generati dagli ITE; inoltre sono specificati i limiti nel campo di frequenza da 9 kHz a 400 GHz per gli apparecchi di Classe A e di Classe B, ma soltanto in bande di frequenza ristrette. L'oggetto stabilire requisiti uniformi per il livello di radiodisturbo degli apparecchi che rientrano nel campo di applicazione, fissare limiti di disturbo, descrivere metodi di misura e normalizzare condizioni di funzionamento ed interpretazione dei risultati CEI 110-5; V1 La presente Variante modifica alcuni paragrafi della Norma base CEI EN 55022, soprattutto quello relativo allallestimento della configurazione di prova, allo scopo di rendere le misure pi riproducibili. Considera anche un Errata Corrige CEI 110-5; V2 La presente Variante estende il campo di applicazione della Norma base agli apparecchi multifunzione CEI 110-5; V3 Questa Variante recepisce il Corrigendum CENELEC del marzo 2005 alla EN 55022 (1993) e il Corrigendum del settembre 2005 ai suoi Amendment A1 (2000) e A2 (2003). Detti Corrigenda introducono le seguenti modifiche:
126
61000-3-3 61000-3-3 CEI 110-28 Compatibilit V1 e V2
- Corrigendum del marzo 2005: cambia la dow della Norma di base, modifica l'ultima frase dell'articolo 8.2 e aggiunge una nota all'Allegato ZA, in relazione alla ISO/IEC 11801. - Corrigendum del settembre 2005: cambia la dow degli Amendment A1 e A2 CEI 110-28; V1 Questa Variante alla CEI EN 610003-3 introduce importanti modifiche e c aggiornamenti al campo di applicazione, alle definizioni, ai limiti, alle procedure di prova e alle Appendici A e B che definiscono rispettivamente i limiti e le condizioni di prova per specifiche apparecchiature e le condizioni di prova e le procedure per la misura delle variazioni di tensione massime provocate da commutazioni manuali CEI 110-28;V2 Compatibilit elettromagnetica (EMC) Parte 3-3: Limiti - Limitazione delle fluttuazioni di tensione e del flicker in sistemi di alimentazione in bassa tensione per apparecchiature con corrente nominale <= 16 A e non soggette ad allacciamento su condizione
elettromagnetica (EMC) Parte 3-3: Limiti - Limitazione delle fluttuazioni di tensione e del flicker in sistemi di alimentazione in bassa tensione per apparecchiature con corrente nominale <= 16 A e non soggette ad allacciamento su condizione
61000-3-2 61000-3-2 110-31
Compatibilit elettromagnetica (EMC) Parte 3-2: Limiti - Limiti per le emissioni di corrente armonica (apparecchiature con corrente di ingresso <= 16 A per fase)
La presente Norma definisce i limiti, in condizioni specifiche di prova, delle correnti armoniche immesse nella rete pubblica di distribuzione a bassa tensione dagli apparecchi elettrici ed elettronici, comprese le apparecchiature per saldatura ad arco non professionali, con corrente assorbita inferiore o uguale a 16 A per fase. La Norma non applicabile alle apparecchiature per saldatura ad arco professionali, che possono essere soggette a restrizioni di installazione, come indicato nella IEC 61000-3-4. Rispetto alla precedente edizione i cambiamenti sono abbastanza modesti, in quanto tale precedente edizione era basata sulle norme CENELEC che gi avevano introdotto, in anticipo rispetto alla IEC, le importanti modifiche sulla
127
classificazione delle apparecchiature. Questa nuova edizione consolidata, basata sulla nuova normativa CENELEC/IEC, finalmente allineate, comprende il testo delle Norme europee EN 61000-3-2:2000 (gi Norma CEI 110-31, seconda edizione) e sua Modifica A2:2005.
Immunit EMC. IEC EN CEI TITOLO

Compatibilit elettromagnetica (EMC). Parte 6-1: Norme generiche Immunit per gli ambienti residenziali, commerciali e dell'industria leggera
SOMMARIO
La presente Norma, relativa alle prescrizioni sull'immunit ai disturbi elettromagnetici compresi nella gamma di frequenze da 0 Hz a 400 GHz, si applica alle apparecchiature elettriche ed elettroniche previste per essere usate in ambienti residenziali, commerciali e dell'industria leggera, per le quali non esistono Norme di immunit di prodotto o di famiglie di prodotti. La presente Norma si applica alle apparecchiature previste per essere collegate direttamente alla rete pubblica di alimentazione a bassa tensione o a una particolare sorgente in c.c. che funga da interfaccia tra l'apparecchiatura e la rete pubblica di alimentazione a bassa tensione. Essa si applica anche alle apparecchiature funzionanti a batteria o alimentate da un sistema di distribuzione dell'energia a bassa tensione non pubblico, ma non industriale, e previste per gli ambienti sopraccitati
61000-6-1 61000-6-1 210-64
61000-6-2 61000-6-2 210-54
Compatibilit elettromagnetica (EM Parte 6-2: Norme generiche - Immunit per gli ambienti industriali C).
La presente Norma si applica alle apparecchiature elettriche ed elettroniche da utilizzare negli ambienti industriali, per i quali non esistono Norme sull'immunit riferite al prodotto o a famiglie di prodotti. Riguarda le prescrizioni di immunit comprese nella banda
128
di frequenze da 0 Hz a 400 GHz. Quando esiste una Norma di compatibilit elettromagnetica specifica relativa all'immunit per un prodotto o per una famiglia di prodotti, questa prevale su tutti gli aspetti della presente Norma generica. Gli ambienti considerati sono quelli industriali, sia interni che esterni. Le apparecchiature considerate sono previste per essere connesse ad una rete di potenza, derivata da un trasformatore di media o alta tensione dedicato, che alimenta una installazione per la distribuzione ad impianti manifatturieri o simili e il cui funzionamento previsto in ambienti industriali o in prossimit di essi. La presente Norma riporta il testo in inglese e italiano della EN 61000-6-2; rispetto al precedente fascicolo n. 8027E di dicembre 2005, essa contiene la traduzione completa della EN sopra indicata e, in aggiunta, il Foglio di Interpretazione CENELEC, pubblicato nel marzo 2006 come Variante 1 alla CEI 210-54
Sicurezza. IEC EN 50178 CEI 22-15 Anno 1999 Ed. Prima TITOLO
Apparecchiature elettroniche da utilizzare negli impianti di potenza
SOMMARIO
Lo scopo della presente norma consiste nel definire i requisiti minimi di progettazione e costruzione delle apparecchiature elettroniche, ai fini della protezione contro la scossa elettrica, della prova e dellintegrazione negli impianti di potenza. Linserimento dellapparecchiatura in impianti di potenza rende particolarmente importante il far ricorso a prescrizioni minime, cos da poter garantire che tutte le apparecchiature integrate nellimpianto mantengano un livello tecnico uniforme di sicurezza ed affidabilit. A parte le esclusioni dal campo di applicazioni elencate nel seguito, la
----
129
norma si applica d ogni tipo di apparecchiatura elettronica prevista per lutilizzo in impianti di potenza. La norma per anche applicabile a tutte quelle apparecchiature elettroniche per le quali non esista una specifica norma di prodotto, indipendentemente dal loro inserimento o meno in impianti di potenza. Lapparecchiatura elettronica in generale qualunque apparecchiatura elettrica la cui funzione principale viene svolta da componenti elettronici, e comprende perci apparecchiature elettroniche di potenza. Sono esclusi dal campo di applicazione: - Accessori e apparecchi elettrici per uso domestico. - Apparecchiature Medicali. - Apparecchiature elettriche per impianti ferroviari. - Elaborazione dati senza controllo di sistemi e di processi. - Apparecchiature e reti di telecomunicazioni e radiocomunicazione non industriali pubbliche e private. - Rel di protezione. - Dispositivi differenziali di protezione. - Sistemi di continuit. - Apparecchiature di illuminazione. - Apparecchiature pubbliche di ricarica di veicoli elettrici.
130
3.6.3 Norme Stati Uniti.
UL1741 Anno
Revisioni: 1) 17/01/2005
1999
Ed. 1.0 2) 11/07/2006
The revisions dated November 7, 2005 include a revised title. The previous title, Standard for Inverters, Converters, and Controllers for Inverters, Use in Independent Power Systems, has Converters, been revised to Inverters, Converters, Controllers and Controllers and Interconnection System Interconnection Equipment for Use With Distributed System equipment for Use Energy Resources. In addition, the revisions dated November 7, 2005 were With Distributed Energy Resources issued to incorporate the following revised requirements:
Titolo:
1. Clarification of the Inclusion of Interconnection Equipment for StandAlone and Utility-Connected Systems 2. Clarification of Grounding Requirements 3. Clarification of Converter Requirements 4. Clarification of Ground-Fault Detector/Interrupter (GFDI) Requirements for Photovoltaic Equipment, Including Revisions in Accordance with the NEC. 5. Revisions in Accordance with the NEC Including a Clarification of Screw Engagement, Markings for Conductor Temperature Limitations, and the Deletion of "Natural" from "Natural Gray" 6. Replacement of the UtilityInterconnection Requirements and Tests with References to the Standard for Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems, IEEE 1547, and the Standard for Conformance Test Procedures for Equipment Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems, IEEE 1547.1. The provision of this article apply to solar photovoltaic systems, including the array circuit(s), controller(s) for such systems. Solar photovoltaic systems covered by this article may be interactive with other electrical power production
NEC
Anno 2005
----
Articolo 690
Solar Photovoltaic
131
System
source or stand alone, with or without electrical energy storage such as battery. These systems may have ac or dc output for utilization.
3.6.4 Norme per lAustralia.
AS
Anno
Revisioni ----
Titolo
Grid connection of energy systems via inverters Installation requirements.
Sommario
This Standard specifies the electrical installation requirements for inverter energy systems and grid protection devices with ratings up to 10 kVA for single phase units, or up to 30 kVA for three-phase units, for the injection of electric power through an electrical installation to the electricity distribution network. Although this Standard does not apply to larger systems, similar principles can be used for the installation of such systems. This Standard does not cover detailed installation requirements for the energy source(s) and its associated wiring This Standard specifies the requirements for inverters, with ratings up to 10 kVA for single-phase units or up to 30 kVA for three-phase units, for the injection of electric power through an electrical installation to the electricity distribution network. Although this Standard does not apply to larger systems, similar principles can be used for the design of such systems. Although this Standard is written on the basis that the renewable energy is from a d.c. source (e.g. photovoltaic array), this Standard may be used for systems where the energy is from a variable a.c. source (e.g. wind turbine or micro-hydro system) by appropriate changes to the tests. This Standard does not include EMC requirements. These are mandated by the Australian Communications Authority (ACA). Users attention is drawn to Australian Communication Authoritys document Electromagnetic CompatibilityInformation for suppliers of electrical and electronic products in Australia and New Zealand for guidance.
AS4777.1 2005
AS4777.2 2005
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Grid connection of energy systems via inverters Inverter requirements.
132
AS4777.3 2005
----
Grid connection of energy systems via inverters - Grid protection requirements
This Standard specifies the requirements for grid protection devices intended to be used in inverter energy systems, with ratings up to 10 kVA for single-phase units, or up to 30 kVA for three-phase units, and for the injection of electric power through an electrical installation to the electricity distribution network. Although this Standard does not apply to larger systems, similar principles can be used for the grid protection of such systems. These devices do not replace devices used for protection and/or isolation as required in AS/NZS 3000. Although this Standard is written on the basis that the renewable energy is from a d.c. source (e.g. photovoltaic array), this Standard may be used for systems where the energy is from a variable a.c. source (e.g. wind turbine or micro-hydro system) by appropriate changes to the tests. This Standard does not include EMC requirements. These requirements are mandated by the Australian Communications Authority (ACA). Users attention is drawn to Australian Communications Authoritys document Electromagnetic Compatibility Information for suppliers of electrical and electronic products in Australia and New Zealand for guidance.
133
Capitolo 4 Topologie elettroniche.

4.1 Premessa.
Linverter fotovoltaico denominato anche modulo di conversione o sistema di condizionamento della potenza (PCS Power Conditioner System) pu essere realizzato in molti modi diversi, ma deve, in ogni caso, garantire quanto segue: a) Presentare una elevata efficienza, tipicamente dellordine del 94%. b) Contenere un elemento di accumulo, capacitivo o induttivo, per la gestione dello sbilanciamento di potenza. c) Garantire lisolamento galvanico tra la sorgente DC e la rete elettrica pubblica, se richiesto dalle normative vigenti. d) Estrarre dal campo fotovoltaico la massima potenza disponibile. e) Iniettare potenza in rete rispettando tutte le normative vigenti. Le prime caratteristiche influenzano notevolmente la topologia elettronica del sistema di conversione. Per garantire unelevata efficienza sono state studiate soluzioni a singolo stadio, dato che, teoricamente offrono la possibilit di minimizzare ingombri, complessit, dissipazioni e costi. Tuttavia, nei sistemi monofase, tutte le tipologie a singolo stadio devono essere dimensionate per una potenza istantanea doppia rispetto a quella media erogata dal campo fotovoltaico. Per questi motivi, le soluzioni a singolo stadio, illustrate in figura 4.1, vengono realizzate per applicazioni di bassa potenza, dellordine delle centinaia di watt (50W 400W).
134
a)
b)
c)
d)
e) Fig. 4.1 Soluzioni circuitali a singolo stadio. a) Buck con trasformatore a frequenza di rete. b) ed c) Buck-boost a quattro interruttori. d) Boost a quattro interruttori. e) Buck-boost risonante a quattro interruttori.
135
136
In figura 4.2 illustrato lo schema di controllo tipico di un inverter a singolo stadio. Il sistema produce il riferimento di corrente a partire dalle misure di tensione e corrente del campo fotovoltaico (figura 4.3).
Fig. 4.3 Parte del sistema di controllo delle topologie a singolo stadio. Luscita dellMPPT il riferimento di corrente AC, il quale viene moltiplicato per il sin catturato dal circuito PLL (Phase-Looked-Loop) per produrre il riferimento della corrente duscita Iref, sincronizzato con la tensione di rete. La variabile duscita dellalgoritmo MPPT comunque il riferimento di tensione continua V*PV come illustrato in figura 4.4. Un regolatore PI usato per stabilizzare lanello di tensione. Luscita del controllo di tensione il riferimento dellampiezza di corrente I ref .
^
Fig. 4.4 Parte del sistema di controllo delle topologie a singolo stadio. Infine, con un controllo feed-forward della potenza dingresso possibile migliorare la dinamica del sistema fotovoltaico in quanto lMPPT piuttosto lento, ottenendo lo schema di controllo completo illustrato precedentemente.
137
Le soluzioni maggiormente utilizzate in commercio, per potenze di qualche kW, sono soluzioni a doppio stadio, isolate e non isolate. Un primo stadio DC/DC consente linnalzamento della tensione continua dingresso, evitando cos linstallazione problematica di lunghe stringhe di moduli connessi in serie. Luscita del convertitore DC/DC un bus o link in corrente continua dove allocato lelemento di accumulo. Questo stadio svolge inoltre la funzione di inseguitore del punto di massima potenza (MPPT), e dove richiesto, viene realizzato con soluzioni isolate basate su trasformatore ad alta frequenza. In cascata allo stadio DC/DC si connette uno stadio DC/AC che si occupa dellinterfacciamento con la rete elettrica e controlla il livello della tensione del bus. Inoltre, la struttura a doppio stadio si adatta bene alla realizzazione di topologie multistringhe.
Quando si connettono in cascata due convertitori di potenza, come illustrato in figura 4.5, la funzione di trasferimento del sistema vale:
+ uIN -
W1(s)
W2(s)
+ uOUT -
ZOUT1
ZIN2
Fig. 4.5 Connessione in cascata di due convertitori. u OUT W1 (s ) W2 (s ) = Z u IN 1 + OUT 1 Z IN 2
(4.1.1)
138
dove: ZOUT1 limpedenza duscita del primo convertitore, considerando leffetto della sorgente. ZIN2 limpedenza dingresso del secondo convertitore, considerando leffetto del carico. In figura 4.7 illustrato un tipico sistema di controllo per inverter a due stadi, attualmente utilizzato dallindustria e in figura 4.8 una sua possibile implementazione. In tale sistema di controllo, luscita dellalgoritmo MPPT una funzione duty cycle. Essendo la tensione del bus controllata dallo stadio inverter, le variazioni del duty cycle cambieranno la tensione alluscita dei moduli fotovoltaici secondo la relazione:
V BUS = k
VFV 1
(4.1.2)
dove la costante k tiene conto della configurazione utilizzata per la realizzazione dello stadio DC/DC innalzatore. Linverter DC/AC solitamente un inverter a tensione impressa con controllo di corrente e limplementazione di tale sistema di controllo necessita della comunicazione tra i due stadi. Pertanto, come si pu notare in figura 4.6, per lanalisi delle topologie elettroniche a due stadi saranno presi in considerazione i convertitori DC/DC e gli inverter DC/AC tenendo presente che luscita del primo stadio un generatore di tensione costante VBUS, controllato dal sistema di supervisione del secondo stadio. Per lo stadio inverter la tensione costante VBUS costituisce, invece, il segnale dingresso.
+ DC/DC VBUS
+ VBUS DC/AC
LINE
Fig. 4.6 - Schema a blocchi semplificato per lanalisi dei convertitori a due stadi.
139
140
141
4.2 Topologie elettroniche a doppio stadio.

4.2.1 Configurazione non isolata: Boost Full Bridge. In figura 4.9 rappresentata una topologia non isolata realizzata con la cascata di un convertitore Boost e un inverter a ponte intero. In figura 4.10 ridisegnato lo schema del convertitore Boost.
Fig. 4.9 Inverter fotovoltaico non isolato a doppio stadio: boost pi ponte intero.
+ VIN -
L + vL S
D + C V0 -
Fig. 4.10 Convertitore boost.
Supponendo che il convertitore Boost lavori in modo CCM (Continuos Conduction Mode), la corrente nellinduttore non si annulla mai. Chiudendo lo switch S si ha: v L = V IN seguente relazione: (4.2.1.1)
La corrente nellinduttanza cresce linearmente, dal suo valore iniziale, secondo la
142
i L (t ) = I L 0 +
1 V IN dt con S = ON L 0
(4.2.1.2)
Allistante t = tON si apre linterruttore. Ai capi dellinduttanza si presenta una differenza di potenziale pari a: v L = VIN VO < 0 (4.2.1.3)
Pertanto, la corrente nellinduttanza decresce linearmente dal valore massimo raggiunto allistante t = tON secondo la relazione: i L (t ) = i L (t ON ) +
S
1 (VIN V0 ) dt con S = OFF per t > t ON L t

ON
(4.2.1.4)
t vL VIN t VIN V0 iL IL Ts iS Ts t
t iD ID=I0 t
Fig. 4.11 Forme donda del convertitore boost.
143
A regime, lintegrale di tensione ai capi dellinduttore deve essere nullo.
V IN t ON + (V IN V0 ) t OFF = 0 V IN TS + (V IN V0 ) (1 ) TS = 0 V IN + V IN V IN V0 + V0 = 0 V IN = V0 (1 )
V0 1 = V IN 1
(4.2.1.5)
La tensione duscita mantenuta costante al valore VBUS dallo stadio DC/AC in cascata e la caratteristica potenza tensione della sorgente dingresso illustrata in figura 4.12.
P[W]
U [V] Fig. 4.12 Diversi punti di lavoro del modulo fotovoltaico.
Modulando opportunamente il duty cycle del convertitore Boost si controlla il valor medio della corrente iL sullinduttanza L, che coincide con la corrente DC fornita dal campo fotovoltaico IFV. Controllando il valor medio della corrente iL, si controlla la
144
posizione del punto di lavoro sulla caratteristica potenza-tensione. Quando il convertitore Boost assorbe una corrente di valor medio Im, il sistema sta lavorando nellMPP e la relazione 4.2.1.5 diventa:
V0 U BUS 1 = = V IN Vm 1
(4.2.1.6)
Se il punto di lavoro situato nei punti 1 o 2 di figura 4.12, il sistema di controllo ridurr il duty cycle in modo da avvicinarsi allMPP. Viceversa, se il punto di lavoro situato in 3 o 4 il controllo incrementa il duty-cycle. Lo schema del convertitore Boost completato in figura 4.13 con laggiunta di un condensatore dingresso CIN.
iL IFV CIN iC +
L + vL S -
D + C V0 = UBUS -
VIN -
Fig. - 4.13 Stadio DC/DC boost.
La funzione del condensatore dingresso quella di eliminare il ripple di corrente assorbito dallinduttanza dingresso (che dipende anche dallimpedenza duscita del modulo fotovoltaico). In questo modo si estrae dal campo fotovoltaico solo una componente continua IFV (figura 4.14).
145
iL IL =IFV Ts iC_IN t IFV t VIN Ts t
t Fig. 4.14 Andamento delle correnti dingresso.
Lo stadio DC/AC in cascata realizzato da un inverter a ponte intero a tensione impressa controllato con la tecnica della modulazione PWM (Pulse With Modulation) come rappresentato in figura 4.15.
+ S1 VBUS S2
vOUT
vLINE
S3 -
S4
Fig. 4.15 Stadio DC/AC
146
4.2.1.1 Modulazione PWM bipolare.
Per ottenere una forma donda sinusoidale, un segnale di controllo sinusoidale con la frequenza desiderata e sincronizzato con la rete elettrica confrontato con unonda triangolare, come illustrato in figura 4.16.
vTR t vcontrollo Fig. 4.16 Segnale di controllo e segnale portante per la modulazione PWM.
La frequenza dellonda triangolare stabilisce la frequenza di commutazione degli interruttori fS ed chiamata frequenza portante (di solito mantenuta costante assieme alla sua ampiezza vTR_MAX). Il segnale di controllo vcontrollo usato per modulare il duty cycle dellinterruttore e ha la frequenza fRETE, che la frequenza desiderata per la prima armonica della tensione duscita (fRETE chiamata anche frequenza modulante e nel nostro caso uguale alla frequenza della rete elettrica). Si definisce: a) Rapporto di modulazione di ampiezza ma:
ma =
vcoontrollo _ MAX vTR _ MAX
(4.2.1.1.1)
dove:
vcoontrollo _ MAX = ampiezza del segnale di controllo.
vTR _ MAX = ampiezza del segnale triangolare.
a)
Rapporto di modulazione di frequenza mf:

mf = fS f RETE
(4.2.1.1.2)
147
Se la portante minore della modulante, si chiudono gli switch S1 e S4 generando in uscita un livello di tensione pari a VBUS. Se la portante maggiore della modulante si chiudono gli interruttori S2 e S3 generando in uscita una tensione - VBUS. Cos facendo, si genera alluscita dellinverter la forma donda a frequenza fissa e duty cycle variabile illustrata in figura 4.17.
vOUT
+UBUS
t
-UBUS Fig. 4.17 Forma donda duscita e valore medio.
Il valor medio della forma donda duscita la tensione sinusoidale desiderata. Lo spettro del segnale duscita illustrato in figura 4.18.
vOUT_h / UBUS
h Fig. 4.18 Spettro della forma donda duscita.
Dallo spettro della forma donda duscita si nota che il segnale costituito dalla componente fondamentale (h=1), che ha ampiezza pari a ma U BUS , e da componenti ad alta frequenza che si trovano a frequenze mf volte la frequenza fondamentale. In figura 4.19 illustrata la relazione tra il coefficiente di modulazione dampiezza e la componente fondamentale.
148
vOUT_1/UBUS
Fig. 4.19 Ampiezza della tensione duscita in funzione di ma.
Finch il rapporto di modulazione dampiezza minore di uno, il legame tra lampiezza della prima armonica e il coefficiente di modulazione lineare. Infatti:
vOUT _ 1 = ma U BUS sin (t ) per 0 < ma < 1.
(4.2.1.1.3)
La distanza tra le righe spettrali facilita la realizzazione del filtro e permette limmissione in rete di una tensione con forma donda a basso contenuto armonico. Lo stadio DC/AC equipaggiato con un sistema di controllo di corrente, in questo modo la corrente iniettata in rete in fase con la tensione e il fattore di potenza unitario.
149
4.2.1.2 Modulazione PWM unipolare.
Alcuni costruttori di inverter utilizzano per lo stadio DC/AC una modulazione PWM con tensione unipolare. Gli interruttori dei due rami non sono comandati contemporaneamente, come nella tecnica PWM precedente. I rami A e B dellinverter sono comandati separatamente. Il ramo A viene comandato confrontando il segnale portante vTR con il modulante vcontrollo, mentre il ramo B confrontando la stessa portante con vcontrollo.
S1 UBUS A B S3 S4 vOUT S2
Gamba A
Gamba B
Fig. 4.19 Stadio DC/AC a ponte intero.

vcontrollo > vTR vcontrollo < vTR
S1 = ON e v AN = U BUS S 4 = ON e v AN = 0
vcontrollo > vTR e vcontrollo < vTR
S 2 = ON e v BN = U BUS S3 = ON e v BN = 0
La tensione duscita varia tra 0 e +UBUS o tra 0 e UBUS e per questo motivo chiamata modulazione unipolare. Questa seconda tecnica di modulazione PWM ha il vantaggio di raddoppiare la frequenza di commutazione. Analizzando lo spettro della forma donda duscita si nota che oltre alla fondamentale, le righe sono centrate solo sui multipli pari del rapporto di modulazione di frequenza. Inoltre, le variazioni della tensione duscita in ogni commutazione sono ridotte a UBUS rispetto al valore 2UBUS del caso bipolare.
150
- vcontrollo vTR t vAN UBUS vBN UBUS vOUT= vAN - vBN UBUS t -UBUS Fig. 4.20 Segnali di controllo e duscita dellinverter con modulazione unipolare. t t vcontrollo
vOUT_h/UBUS
h Fig. 4.21 Spettro segnale PWM unipolare.
151
4.2.2 Configurazione multistringa non isolata: Boost - Half Bridge .
La struttura Boost - Inverter utilizzata commercialmente per la realizzazione di inverter multistringa. La soluzione diffusamente utilizzata in commercio illustrata in figura 4.22.
+
C1 UBUS C2
+
S1 UBUS/2
+
S2 UBUS/2
Fig. 4.22 Struttura multistringa.
Ogni stringa fotovoltaica ha il proprio convertitore DC/DC dedicato a svolgere la funzione di MPPT, le uscite sono connesse in parallelo su un bus DC e la tensione del bus controllata dal sistema di controllo dello stadio DC/AC. La tensione del bus DC applicata ad un partitore capacitivo C1-C2 che produce due livelli di tensione, +UBUS/2 e UBUS/2, rispetto al riferimento. Mediante la modulazione PWM si costruisce una forma donda a due livelli (+UBUS/2 e UBUS/2), di frequenza fissa e duty cycle variabile il cui valor medio uguale alla forma donda desiderata.
152
+UBUS/2
vOUT
t
-UBUS/2 Fig. 4.23 Forma donda generata dal convertitore a mezzo ponte.
Mediante un filtro duscita si eliminano, successivamente, le componenti armoniche in alta frequenza iniettando in rete una tensione sinusoidale. Chiaramente, anche in questa applicazione, lo stadio inverter dotato di un controllo di corrente.
153
4.2.3 Configurazione isolata: Boost Full Bridge.
La struttura Boost Full Bridge viene anche utilizzata per la realizzazione di inverter fotovoltaici isolati con trasformatore a frequenza di rete.
Fig. 4.24 Inverter con trasformatore a frequenza di rete.
La topologia funziona in maniera analoga a quella descritta precedentemente. Lunica variante la presenza del trasformatore a frequenza di rete. La presenza del trasformatore garantisce: a) Lisolamento galvanico tra la sorgente fotovoltaica e la rete. b) Leliminazione della componente DC della corrente iniettata in linea. Per contro: a) Il trasformatore a frequenza di rete ingombrante e pesante. b) Lefficienza del sistema si riduce a causa delle perdite del trasformatore. Tale struttura sembra essere sempre meno utilizzata per applicazioni grid connected da 3 kW e viene ancora utilizzata, invece, per inverter di taglia superiore a 20kW dove la presenza del trasformatore a frequenza di rete imposta dalle normative.
154
4.2.4 Configurazione isolata: Flyback Full Bridge.
Le configurazioni isolate vengono realizzate principalmente con un trasformatore ad alta frequenza inserito sul convertitore DC/DC, pertanto lo stadio DC/DC un convertitore DC/DC di tipo isolato. In figura 4.25 illustrata una realizzazione di un inverter fotovoltaico con una struttura Flyback seguita da uno stadio a ponte intero. In figura 4.26 stato ridisegnato lo stadio DC/DC dinterfaccia con il campo fotovoltaico. A livello elementare, la struttura Flyback quella che presenta il minor numero di componenti tra tutti i convertitori DC/DC di tipo isolato e prevede lutilizzo di un mutuo induttore realizzato su un nucleo magnetico con un traferro in grado di immagazzinare lenergia richiesta.
Fig. 4.25 Inverter fotovoltaico isolato a doppio stadio: flyback pi ponte intero.
+ -
v1
-
v2
CIN
vIN
-
C0 D
VBUS -
Fig. 4.26 Stadio isolato DC/DC Flyback.
155
v1 vIN t -VBUS (N1/N2) i1 IFV TS TS t Fig. 4.27 - Forme donda al primario del mutuo induttore.
Quando si chiude linterruttore S , al primario del mutuo induttore applicata la tensione dingresso VIN e la corrente i1 cresce linearmente dal suo valore minimo (figura 4.27). A secondario il diodo risulta contropolarizzato e lenergia necessaria fornita dal condensatore di uscita C0. Allistante t = tON = TS linterruttore viene aperto e al secondario risulta applicata la tensione VBUS in quanto il diodo forzato in conduzione dalla corrente magnetizzante che si trasferita al secondario. Allavvolgimento primario risulta applicata una tensione pari a VBUS(N1/N2). A regime, lintegrale di tensione sul trasformatore deve essere nullo. Pertanto, si ricava la relazione tra tensione dingresso VIN e tensione duscita VBUS:
V IN TS = V BUS N1 (1 ) TS N2
(4.2.4.1)
M =
V BUS N2 = V IN 1 N1
(4.2.4.2)
La presenza di un trasformatore disolamento, oltre a garantire lisolamento galvanico, permette di adattare il livello di tensione utilizzando il rapporto spire del trasformatore. Il sistema di controllo aggiuster, quindi, il duty cycle in modo da prelevare dal campo fotovoltaico la massima potenza disponibile. Lo stadio DC/AC in cascata realizzato ancora una volta da un convertitore a ponte intero come nel caso precedentemente analizzato.
156
4.2.5 Configurazione isolata: Push Pull Inverter a corrente impressa.
In figura 4.28 illustrato un inverter fotovoltaico a due stadi realizzato con la cascata di uno stadio push-pull e un inverter a corrente impressa a frequenza di rete.
L0
Fig. 4.28 Inverter fotovoltaico isolato a doppio stadio: push-pull pi ponte intero.
N1 + VFV S1 S2
N2 V2
N1
Fig. 4.29 Stadio isolato DC/DC push-pull.
In figura 4.29 illustrato lo stadio DC/DC. Chiudendo lo switch S2 si applica al primario del trasformatore una tensione +VFV. Viceversa, chiudendo linterruttore S1 si applica VFV. Con tutti e due gli interruttori aperti, la corrente magnetizzante si trasferisce al secondario. Il ponte di Graetz diventa un cortocircuito e la tensione al secondario, e quindi al primario, risulta nulla. Landamento della tensione al primario illustrato in figura 4.30.
V1
+VFV
t
- VFV
Fig. 4.30 Forma donda della tensione sul primario.
157
La tensione v1 si riflette al secondario secondo la ben nota relazione:
v1 N1 N = v 2 = v1 2 v2 N 2 N1
(4.2.5.1)
v2
V FV N2 N1
t
V FV N2 N1
Fig. 4.31 Forma donda di tensione al secondario.
La tensione v2 viene raddrizzata dal raddrizzatore a doppia semionda e applicata allinduttanza L0.
vR2
V FV N2 N1
t v2
Andamento di vGRID su un periodo di commutazione Fig. 4.32 Tensione alluscita del ponte di Graetz.
Linduttanza L0 si trova quindi sottoposto ad una differenza di potenziale che vale:

v L = v 2 v grid
(4.2.5.2)
158
Essendo la frequenza di commutazione molto maggiore della frequenza di rete, durante un periodo di commutazione la tensione di rete pu essere considerata costante come illustrato in figura 4.32. Con questa ipotesi, quando |v2| > |vGRID| la corrente iL0 cresce linearmente. Viceversa, se |v2| < |vGRID| la corrente iL0 decresce linearmente. Il duty cycle viene modulato opportunamente in modo tale che il valor medio della corrente sullinduttore iL0 sia una sinusoide raddrizzata a frequenza di rete.
i L0
t a) iL0(t)
L0
t b) Fig. 4.33 a) Valor medio della corrente sullinduttanza L0. b) Valor medio e istantaneo della corrente nellinduttanza.
Facendo commutare gli interruttori del ponte intero duscita a 50Hz si inetta in rete durante un semiperiodo la semionda positiva e durante il semiperiodo successivo la semionda negativa.
159
iOUT
t Fig. 4.34 Corrente duscita.
Uno degli svantaggi di questa configurazione consiste nella tensione inversa che devono sopportare gli interruttori al primario. Infatti, quando uno switch chiuso la tensione applicata ad uno dei due avvolgimenti primari si riflette anche sullaltro avvolgimento. Cos facendo, ai capi dello switch aperto applicata una tensione inversa pari al doppio della tensione dingresso. Se la stringa ha un valore di tensione intorno ai 400V, ci implica che gli interruttori devono sopportare una tensione inversa di 800V il che comporta lutilizzo di switches a tensione elevata i quali presentano perdite in conduzione e commutazione non trascurabili. Tutto ci, conseguentemente, degrada lefficienza del sistema rispetto a soluzioni che utilizzano componentistica a 600V, molto pi performante in termini di perdite in conduzione e velocit di commutazione.
160
4.2.6 Configurazione isolata: Full Bridge Inverter a corrente impressa.
Una soluzione simile alla precedente realizzata da alcuni costruttori illustrata in figura 4.35.
L0 iL0
Fig. 4.35 Inverter fotovoltaico a doppio ponte intero.
Il principio di funzionamento lo stesso della cascata Push Pull - Inverter precedentemente illustrata. Lo stadio DC/DC realizzato con un convertitore a ponte intero in grado di generare una forma donda a tre livelli (-VFV, 0 , +VFV). Modulando opportunamente la tensione ai capi dellinduttanza L0 si ottiene una corrente sinusoidale raddrizzata. Un secondo full bridge a frequenza di rete inietta in rete alternativamente la semionda positiva e negativa della corrente iL0, generando cos la sinusoide raddrizzata. Rispetto alla configurazione con Push Pull si ha la presenza di un trasformatore con un solo avvolgimento primario. In letteratura sono presenti soluzioni alternative a questa soluzione. Le soluzioni proposte utilizzano un trasformatore a presa centrale con un raddrizzatore a singola semionda.
Fig. 4.36 Raddrizzatore a singola semionda
In questa soluzione la corrente che scorre sul secondario circola su un solo diodo anzich due come nel caso del ponte di Graetz, diminuendo cos le perdite sui diodi. Per
161
contro, la realizzazione di due semi-avvolgimenti secondari risulta pi complessa. In conclusione, tale soluzione risulta vantaggiosa per applicazioni ad elevate correnti e basse tensioni duscita, mentre per applicazioni fotovoltaiche risulta pi vantaggiosa la prima soluzione proposta.
162
4.3 Topologie elettroniche proposte in letteratura.

4.3.1 Topologia GCC (Generation Control Circuit). 4.3.1.1 Introduzione alla topologia GCC.
Il sistema di generazione fotovoltaico organizzato, normalmente, con una o pi stringhe di moduli connesse in parallelo. Ogni stringa fotovoltaica realizzata con la connessione in serie di pi moduli, in modo da ottenere una tensione sufficientemente elevata alla realizzazione di un sistema ad elevato rendimento. Il collegamento in serie di pi moduli presenta seri inconvenienti qualora anche solo uno dei pannelli fotovoltaici sia parzialmente ombreggiato. Infatti, la corrente di stringa imposta dal modulo meno illuminato, la cui corrente , a sua volta, imposta dalla cella meno illuminata (ogni modulo realizzato con la connessione in serie di pi celle). Si consideri, per esempio, le caratteristiche potenza-tensione di tre moduli fotovoltaici connessi in serie sottoposti a diverso irraggiamento (figura 4.37). La caratteristica potenza-tensione della stringa rappresentata in figura 4.38. Dalla figura risultano due inconvenienti: a) Esistono due picchi di potenza A e B. b) Si pu verificare sperimentalmente che il picco di potenza inferiore al picco di potenza teorico che si otterrebbe con una connessione in parallelo dei tre moduli. Pertanto, non solo si estrae meno potenza di quella disponibile, ma lalgoritmo MPPT pu fallire. Infatti, lesistenza del secondo punto di massimo, B, potrebbe ingannare lalgoritmo di MPPT e portare il sistema a funzionare in tale punto con ulteriore perdita di potenza, rispetto a quella realmente disponibile.
163
Per far fronte a questo inconveniente sono stati studiati dei sistemi di controllo denominati GCC (Generation Control Circuit).
Pannelli non oscurati
Pannello ombreggiato
Fig. 4.37 Caratteristica Potenza-Tensione di tre moduli fotovoltaici sottoposti a diverse condizioni di irraggiamento.
Fig. 4.38 Caratteristica Potenza Tensione della serie dei tre pannelli
164
4.3.1.2 Principio di funzionamento del circuito GCC.
In figura 4.39 illustrato il principio di funzionamento di due circuiti GCC, nei quali m moduli fotovoltaici sono connessi in serie. Im + V1 I1 X1 IOUT + IC + V1 I1 X1 IOUT
+ V2 I2 X2 VOUT
+ V2 I2 X2
+ Vm -
Im
Xm
+ Vm -
Im
Xm
a) GCC tipo A.
b) GCC tipo B.
Fig. 4.39 Principio di funzionamento circuito GCC. a) Tipo A, b) Tipo B.
I circuiti GCC presentano una sorgente di tensione multipla, X1, X2,., Xm , connessa in parallelo ai moduli fotovoltaici PV1, PV2,., PVm rispettivamente. La tensione di uscita VOUT pari alla somma delle tensioni di uscita dei singoli moduli.
VOUT = Vi
i =1
(4.3.1.2.1)
165
Si consideri la tipologia A. Il circuito GCC alimentato dalla potenza duscita. Si assuma che le correnti dei moduli fotovoltaici valgano:
I m > I m1 > .... > I i > .... > I 2> I 1
(4.3.1.2.2)
Ne consegue che, la differenza tra la corrente Im e la corrente Ii sar fornita dalla sorgente Xi permettendo al modulo fotovoltaico PVi di mantenere ai suoi capi una differenza di potenziale pari a Vi. Pertanto, le potenze dingresso e duscita al circuito sono espresse dalle seguenti relazioni:
PIN = VOUT I C
POUT = Vi (I m I i )
i =1 m
(4.3.1.2.3) (4.3.1.2.4)
dove IC il valore della corrente entrante nel circuito GCC. Assumendo che le perdite del GCC siano trascurabili, vale la relazione:
PIN = POUT
(4.3.1.2.5)
da cui si ottiene:
VOUT I C = Vi (I m I i )
i =1 m
(4.3.1.2.6)
Essendo la corrente duscita espressa dalla seguente relazione:
166
I OUT = I m I C = = Im Vi (I m I i ) = VOUT i =1
m
= Im
1
VOUT
m m Vi I m Vi I i = i =1 i =1
= Im
1
VOUT
m VOUT I m Vi I i = i =1
I OUT =
1
VOUT
Vi I i
i =1
(4.3.1.2.7)
si ottiene, per la potenza duscita, la seguente relazione:
POUT = VOUT I OUT = Vi I i

i =1
(4.3.1.2.8)
Lequazione
(4.3.1.2.8)
dimostra
come
ogni
modulo
fotovoltaico
generi
indipendentemente la propria potenza massima, sebbene la propria corrente non coincida con quella degli altri moduli estraendo cos la massima potenza disponibile anche dalla stringa sebbene uno o pi moduli sia sottoposto a parziale ombreggiamento. Nella realizzazione B, la potenza dingresso nulla, PIN = 0. Quindi, la corrente duscita vale:
PIN = VOUT I C = 0 I C = 0 I OUT = I m I C = I m
(4.3.1.2.9)
167
Il flusso di potenza sar dalla sorgente Xi al modulo PVi, quando la differenza tra IOUT e Ii positiva e viceversa quando la differenza negativa. La somma delle potenze delle sorgenti Xi deve essere nulla, dunque:
Vi (I OUT I i ) = 0
i =1
(4.3.1.2.10)
Per la corrente duscita vale:
I OUT =
1
VOUT
Vi I i
i =1
(4.3.1.2.11)
di conseguenza, come per il caso precedente, la potenza duscita data da:
POUT = VOUT I OUT = Vi I i

i =1
(4.3.1.2.12)
ottenendo, ancora una volta, lestrazione della massima potenza disponibile da ogni singolo modulo, e perci dalla stringa.
4.3.1.3 Realizzazione pratica del circuito GCC.
Le figure 4.40 e 4.41 rappresentano le soluzioni circuitali proposte da Shimizu in [32]. Nella realizzazione di tipo A, la tensione duscita dei singoli convertitori DC/DC controllata a VOUT / m, quando il numero delle sorgenti m. Si nota che, le tensioni duscita V1, V2,, Vm non possono essere controllate individualmente e perci la gestione non risulta ottimale. In ogni caso, il circuito garantisce una parziale limitazione nella perdita di potenza dovuta alla riduzione dellirraggiamento.
168
IOUT L1 V1 IC +
L2 V2
S1
S2
VI S3 S4
VOUT
Lm-1 Vm Fig. 4.40 Configurazione circuitale GCC tipo A.
La seconda soluzione realizzata con una tipologia a chopper multistadio, come illustrato in figura 4.41. Comandando gli interruttori con i segnali di gate illustrati in figura 4.42, si ottiene che:
I OUT = i I i
i =1 m
(4.3.1.3.1)
dove:
i =
Ti (OFF ) TSW
(4.3.1.3.2)
Ti(OFF) = tempo di spegnimento dello switch. TSW = Periodo di commutazione.
169
+
V1 L1 S1
V2 L2
S2
VOUT
Lm-1
Vm
Sm
Fig. 4.41 Configurazione circuitale GCC tipo B. Circuito basato su Chopper multistadio. S1 T1(OFF)
S2
T2(OFF)
S3
T3(OFF)
Sm
Tm(OFF)
TSW Fig. 4.42 Segnali di abilitazione del chopper multistadio per il circuito GCC.
170
In questo caso possibile controllare ogni tensione generata Vi, ottenendo la gestione ottimale di ogni singolo elemento della stringa.
4.3.1.4 Analisi del circuito GCC realizzato con chopper a due stadi.
Si consideri il circuito chopper a due stadi e i relativi segnali di figura 4.43 .

+ S1 V1 I0
+ vL V0 V2 S2 LOAD
S1 t S2 1 TS TS
t vL V1 t -V2
Fig. 4.43 Andamento temporale dei segnali di gate e della tensione sullinduttore.
171
Chiudendo lo switch S1 la tensione ai capi dellinduttanza vale V1, chiudendo S2 vale V2. Gli interruttori chiaramente non dovranno mai essere contemporaneamente chiusi, onde evitare il cortocircuito ai capi della sorgente di alimentazione fotovoltaica. A regime, lintegrale di tensione sullinduttore deve essere nullo. Pertanto:
V1 1 TS = V2 (1 1 ) TS
(4.3.1.4.1)
Si indichi (1 1 ) TS = 1 TS e si noti che:
1 TS = (1 2 ) TS = 2 TS
Sostituendo l espressione (4.3.1.4.2) nella (4.3.1.4.1), si ottiene:
V1 2 TS = V2 1 TS
(4.3.1.4.2)
V1 1 = V2 2
(4.3.1.4.3)
dove, 1 + 2 = 1 .
Per calcolare lespressione della corrente dingresso si faccia lipotesi che la potenza totale duscita sia la somma delle potenze duscita dei singoli moduli fotovoltaici. La potenza duscita vale perci:
POUT = VOUT I OUT I OUT =
POUT VOUT
(4.3.1.4.4)
172
dove:
POUT = V1 I1 + V2 I 2 e VOUT = V1 + V2
(4.3.1.4.5)
Considerando che 1 + 2 = 1 , sostituendo si ottiene:

POUT V1 I1 + V2 I 2 = = VOUT V1 + V2 V2 =
I OUT =
1 I 1 + V2 I 2 2 = 1 + V2 V2 2
V2 1 I 1 + 2 I 2 =
)
=
2 1 V2 + 2 V2 2 1 I1 + 2 I 2 = 1 + 2
I OUT = 1 I1 + 2 I 2
(4.3.1.4.6)
Pertanto, la potenza totale duscita pu essere espressa con la seguente relazione:

P0 = P1 + P2 = V1 I1 + V2 I 2
P0 = 1 I 1 V0 + 2 I 2 V0
(4.3.1.4.7)
173
4.3.1.5 Caratteristica Potenza-Tensione.
La corrente generata da ogni modulo fotovoltaico dipende, come noto, dalla caratteristica corrente-tensione. Quindi, come illustrato in [32]:
I i <0 VOUT
(4.3.1.5.1)
Tenendo costante lintervallo (1 1 ) TS = 1 TS , la derivata seconda della potenza duscita rispetto alla tensione duscita pu essere espressa come:
2 P0 VOUT 2
2 P1 VOUT 2
2 P2 VOUT 2
<0
(4.3.1.5.2)
Questo risultato conferma che la caratteristica potenza-tensione di un circuito GCC ha un solo punto di massimo, come illustrato nella curva b) di figura 4.44.
Fig. 4.44 Esempio di caratteristica P-V ottenuta sperimentalmente con un circuito GCC.
Non solo la caratteristica potenza-tensione presenta un solo punto di massimo, ma si pu verificare sperimentalmente che la potenza massima estraibile aumenta.
174
In conclusione, nella soluzione GCC di tipo B: a) Il punto di lavoro di ogni modulo fotovoltaico pu essere controllato indipendentemente. b) Per un dato tempo di spegnimento, si pu osservare un solo punto di massimo nella curva potenza-tensione, cos facendo, lo stadio successivo che realizza la funzione MPPT pu gestire correttamente la stringa. c) Ogni modulo opera nel suo punto di massima potenza. d) La potenza sul carico pari alla somma delle massime potenze duscita di tutti i moduli fotovoltaici. e) Lanalisi fatta per il circuito a due stadi pu essere iterata per m stadi ottenendo:
I0 = i Ii
i =1
(4.3.1.5.3) (4.3.1.5.4)
P0 = Vi I i
i =1
4.3.1.6 Conclusioni.
La configurazione GCC non utilizzata, attualmente, da nessun costruttore di inverter fotovoltaici. Pertanto, rappresenterebbe una evoluzione tecnologica che permetterebbe di differenziarsi dai prodotti attualmente in commercio. Per contro, resta da verificare leffettivo aumento di rendimento ottenibile. Il circuito GCC permette, in caso di ombreggiamento, di aumentare la potenza estratta e di avere una caratteristica potenzatensione con un solo massimo. Per contro, rappresenta un ulteriore stadio di potenza con aumento dei costi e delle perdite.
175
4.3.2 Topologia risonante Multicella. 4.3.2.1 Introduzione alla topologia multicella.
Una delle caratteristiche fondamentali di un inverter fotovoltaico quella di presentare una efficienza elevata. Per migliorare lefficienza di un inverter fotovoltaico a due stadi, quindi, si pu utilizzare un convertitore DC/DC risonante. Tale convertitore, commutando a tensione e/o corrente nulla, riduce e/o elimina le perdite di commutazione aumentandone cos la sua efficienza globale. I convertitori risonanti DC/DC si suddividono in: 1) Convertitori con risonanza lato carico (load resonant) a) Convertitori a tensione impressa con risonanza di tipo serie. (SRL Series Loaded Resonant, PRL Parallel Loaded Resonant, Ibridi) b) Convertitori a corrente impressa con risonanza di tipo parallelo. c) Convertitori risonanti in classe E e sottoclasse E. 2) Convertitori con risonanza sullinterruttore ( resonant switch). a) Convertitori con commutazione a corrente nulla (ZCS Zero Current Switching). b) Convertitori con commutazione a tensione nulla (ZVS Zero Voltage Switching). c) Convertitori con commutazione a tensione zero e con tensione limitata (ZVSCV Zero Voltage Switching Clamped Voltage). 3) Convertitori con rinonanza lato DC.
Un esempio di inverter fotovoltaico a due stadi, realizzato con convertitore DC-DC risonante, descritto in [39] e verr di seguito analizzato.
176
4.3.2.2 Analisi convertitore Multicella. DC/DC risonante
Fig. 4.45 Inverter fotovoltaico con tecnologia multicella.
In figura 4.45 rappresentato linverter fotovoltaico proposto in [39]. Il sistema realizzato usando una topologia multicella isolata dove la potenza totale duscita fornita dalla connessione in serie di convertitori a ponte intero. Il bus DC dei convertitori a ponte intero alimentato dai singoli stadi isolati DC/DC connessi in parallelo al campo fotovoltaico. In figura 4.46 riproposto lo schema di uno dei convertitori DC/DC risonanti. S+ D+
U1
S-
DFig. 4.46 Stadio DC/DC del convertitore multicella.
177
Al convertitore DC/DC corrispondono i circuiti equivalenti di figura 4.47 a) e b). i2

U1/2 S+ D+ L C U2
U1/2
S-
D-
a) L u1 C u2
b) Fig. 4.47 Circuiti equivalenti al convertitore DC/DC.
Si consideri il circuito di figura 4.47 b) dove ui = u1-u2 la differenza di potenziale ai capi del circuito risonante serie. Si analizza il circuito considerando la risposta ad un gradino di ampiezza U1, condizione che si verifica quando il sistema commuta da U1/2 a +U1/2. Le equazioni che governano il circuito sono:
di L u i = v L + vC = L dt + vC i = i = C dvC L C dt
(4.3.2.2.1)
Risolvendo il sistema con lausilio della trasformata di Laplace e considerando IL0 e VC0 le condizioni iniziali delle variabili di stato iL e vC allistante t = 0, si ottiene:
178
U i s = L [s I L (s ) I L 0 ] + VC (s ) I (s ) = C [s V (s ) V ] C C0 L
(4.3.2.2.2)
Sostituendo la seconda equazione del sistema (4.3.2.2.2) nella prima, si ricava lespressione di VC(s).
Ui = L [s (s C VC (s ) C VC 0 ) I L 0 ] + VC ( s ) s VC (s ) s 2 L C + 1 =
Ui + s L C VC 0 + L I L 0 s
Ui + s L C VC 0 + L I L 0 s 2 L C VC 0 + s L I L 0 + U i s = VC (s ) = s2 L C +1 s s2 L C +1
VC (s ) =
s 2 VC 0 + s
I L0 U + i C L C 1 s s 2 + LC
(4.3.2.2.3)
Per ricavare lespressione nel dominio del tempo si esegue la trasformata inversa di Laplace:
VC (s ) =
s 2 VC 0 + s
I L0 U + i C LC = A + B s + D 1 1 s s2 + s s 2 + LC LC
(4.3.2.2.4)
da cui si ottiene:
179
A = Ui B = VC 0 U i I D = L0 C
(4.3.2.2.5)
U VC (s ) = i + s
s (VC 0 U i ) + 1 2 s + LC
I L0 C =
U = i + (VC 0 U i ) s
s 1 s + LC
2
1 s + LC
2
I L0 C
Ui + (VC 0 U i ) s
s 1 s2 + LC
LC LC I L0 1 C 2 s + LC (4.3.2.2.6)
VC (s ) =
Ui s + (VC 0 U i ) 2 + 2 0 2 Z 0 I L0 2 s s + 0 s + 0
dove:
0 =
Z0 =
LC
= pulsazione di risonanza
(4.3.2.2.7) (4.3.2.2.8)
L = impedenza caratteristica C
Antitrasformando lultima espressione si ricava:
vC (t ) = U i + (VC 0 U i ) cos( 0 t ) + Z 0 I L 0 sin ( 0 t )
(4.3.2.2.9)
180
Eseguendo lo stesso procedimento per iL si ricava landamento descritto dalla seguente espressione:
U i VC 0 sin ( 0 t ) Z0
i L (t ) = I L 0 cos( 0 t ) +
(4.3.2.2.10)
Il verso della corrente iL determina se la tensione u2 positiva o negativa, mentre il sistema di controllo ad imporre la polarit di u1. Ad ogni commutazione, il sistema reagisce, perci, con una risposta al gradino descrivibile dalle equazioni precedentemente ricavate, partendo dalle condizioni iniziali IL0 e VC0, ovvero il valore della corrente dellinduttanza e della tensione ai capi del condensatore, allistante in cui si verifica la commutazione da +ui a -ui o viceversa.
4.3.2.3 Forme donda.
Il sistema proposto opera con una frequenza di commutazione superiore alla frequenza di risonanza f 0 = 1 2 LC . In figura 4.48 sono illustrati gli andamenti della corrente e della tensione ottenuti da una simulazione con il software PSpice.
181
iL
vC
t0 Fig. 4.48 risonante.
t1 t2
t3
t4
Forme donda ottenute con simulazione PSpice del convertitore
182
Allistante t0, momento in cui la corrente nellinduttore nulla , inizia a condurre linterruttore S+. Allistante t1, prima che finisca il semiperiodo di oscillazione della corrente, linterruttore S+ forzato ad aprirsi con corrente non nulla, obbligando cos la corrente positiva iL a passare attraverso il diodo D-. Poich al circuito oscillante, ora applicata una tensione negativa (-u1-u2) e la corrente nel diodo viene condotta a zero rapidamente, nellintervallo di tempo t [t1, t2]. Non appena D- entra in conduzione, S- chiuso a tensione e corrente nulla e inizia a condurre non appena il verso della corrente si inverte. Prima che termini il semiperiodo di oscillazione, lo switch S- forzato ad aprirsi con corrente non nulla, istante t4. A questo punto entra in conduzione D+ e lo switch S+ pu essere chiuso a tensione e corrente nulla in modo da iniziare a condurre non appena il verso della corrente iL si inverte. La corrente i2 la corrente iL raddrizzata. Il suo andamento illustrato in figura 4.49.
i2
0 Fig. 4.49 Forma donda della corrente i2.
In figura 4.50 illustrato landamento della tensione duscita al variare della frequenza per frequenze al di sopra del valore di risonanza.
183
I2
U2 1 S/0
Fig. 4.50 Caratteristica duscita del convertitore risonante.
Quindi per una data tensione dingresso e per un determinato carico, la tensione U2 pu essere regolata controllando la frequenza di commutazione fS del convertitore come illustrato in figura 4.51.
VDC_REF
+
Guadagno + compensazione
VCO Voltage Controlled Oscillator
fS
Convertitore DC-DC SLR
VDC
Fig. 4.51 Schema di controllo stadio DC/DC risonante.
184
4.3.3 Topologie multilivello. 4.3.3.1 Premessa.
I convertitori multilivello presentati in [40] e [56] permettono di generare una forma donda sinusoidale con una bassa distorsione armonica. Dovuto allelevato numero di interruttori da utilizzare, resta comunque da verificare la possibilit di ottenere rendimenti elevati, dellordine del 94%, cosa indispensabile per un inverter commerciale.
4.3.3.2 Convertitore Multilivello Half Bridge Diode Calmped (HBDC).
VPV1
S1 S2 S3 + vOUT S4 vLINE
VPV2
Fig. 4.52 Convertitore Multilivello HBDC.
In figura 4.52 illustrato un convertitore HBDC di tipo three-level. I tre possibili valori della tensione duscita sono:
vOUT = VPV 1 vOUT = 0 vOUT = V PV 2 se S1 = ON e S 2 = ON se S 2 = ON e S3 = ON se S3 = ON e S 4 = ON
(4.3.3.2.1)
185
In questa configurazione circuitale, non essendoci uno stadio elevatore, la tensione di stringa deve essere pi alta del picco della tensione di rete, per poter garantire liniezione di potenza in linea. La struttura three-level pu essere modulata per ottenere topologie multilivello a cinque o pi livelli. In figura 4.53 illustrato lo schema di un convertitore HBDC a cinque livelli.
Fig. 4.53 - HBDC a cinque livelli.
Questa topologia costruttiva presenta il vantaggio di effettuare la doppia connessione a terra, moduli fotovoltaici e rete, permettendo cos leliminazione delle correnti capacitive di dispersione verso terra. Inoltre, la distorsione armonica assai contenuta. Per contro, lelevato numero di switch e la complessit del sistema di controllo ne ha, finora, pregiudicato lutilizzo in applicazioni commerciali.
186
4.3.3.3 Convertitore Cascaded H-Bridge.
In figura 4.55 illustrato lo schema della topologia multivello Cascaded H- Bridge. In particolare, illustrata la connessione in serie di due moduli full-bridge, dove ogni ponte pu generare in uscita una tensione a tre livelli. Si consideri, come effettuato in [56], p il numero di convertitori a ponte intero connessi in serie, allora, il numero di livelli nV della tensione duscita pu essere calcolato come segue:
nV = 3 + 2 ( p 1)
(4.3.3.3.1)
Con p=2, per esempio, si ottengono 5 livelli. Selezionando diversi valori di tensione DC per i vari moduli fotovoltaici si pu utilizzare la ridondanza della struttura al fine di incrementare il numero di livelli della tensione duscita con la riduzione della distorsione armonica
Fig. 4.54 Inverter multilivello di tipo Cascaded H-Bridge.
187
4.3.3.4 Configurazione Multilivello Isolata.
In figura 4.55 illustrata una topologia Multilivello Isolata realizzata con la connessione di tre inverter a ponte intero. La struttura ovviamente modulare e pu essere realizzata con p stadi di tipo full bridge. In generale, come proposto in [56], collegando p stadi di tipo full bridge, come illustrato, si ottiene in uscita una forma donda a:
nV = 3 p livelli.
(4.3.3.4.1)
Nellesempio di figura 4.55, il numero di stadi p=3, il che produce una tensione duscita a 27 livelli. Il vantaggio di questa topologia sicuramente lalto numero di livelli per la tensione duscita che permette di ottenere una bassissima distorsione armonica. Per contro, lalto numero di interruttori e lutilizzo di n trasformatori ha pregiudicato il suo utilizzo in applicazioni commerciali.
Fig. 4.55 Topologia multilivello isolata. 4.3.3.5 Conclusioni.
Le configurazioni multilivello sono proposte in letteratura per la loro modularit e per la generazione di forme donda con bassissima distorsione armonica. Lelevato numero di componenti, con conseguente aumento dei costi, e le buone prestazioni in fatto di distorsione armonica delle configurazioni a due stadi, non ne giustifica, attualmente, lapplicazione in ambito fotovoltaico grid-connected.
188
4.4 Algoritmi MPPT.

4.4.1 MPPT Perturbe and Observe (P&O).
Lalgoritmo di inseguimento del punto di massima potenza, pi diffuso e utilizzato negli inverter commerciali, il metodo Perturba e Osserva. La sua larga diffusione dovuta soprattutto alla sua semplice implementazione. Tale algoritmo si basa sullanalisi della caratteristica potenza tensione di una stringa fotovoltaica. Perturbando la tensione di lavoro in una data direzione, se si rileva che
dP > 0 allora dV
significa che il punto di lavoro si sta muovendo verso il punto di massima potenza (MPP). Lalgoritmo continuer a perturbare in tale direzione finch non si otterr
dP < 0. dV Quando dP < 0 , il punto di lavoro si sta allontanando dal Maximum Power Point e dV
lalgoritmo comincer, quindi, a perturbare il campo fotovoltaico nella direzione opposta per riportare il sistema verso il punto di massimo.
P
Semipiano Sinistro
Semipiano Destro
V Fig. 4.56 Andamento della caratteristica P-V.
Lalgoritmo per prima cosa provvede alla misurazione della tensione e della corrente della stringa fotovoltaica e successivamente calcola la potenza e la sua variazione rispetto al campione precedentemente memorizzato. Dalle variazioni di potenza e tensione, lalgoritmo identifica se il sistema si trova ad operare nel semipiano alla destra
189
o nel semipiano alla sinistra del punto di massima potenza e provvede quindi a sommare o sottrarre lincremento di perturbazione VINC in modo da spostare il punto di lavoro a tensione pi alta o pi bassa, ovvero verso il punto di massima potenza. In fig. 4.57 rappresentato un flow-chart di una possibile implementazione del metodo P&O.
START
Misurare v(n), i(n)
Calcolare p(n)=v(n)*i(n)
Calcolare v(n)=v(n)-v(n-1) p=p(n)-p(n-1)
v >= 0
No
Si
p >= 0
No
Si
p >= 0
No
VREF = VREF + VINC
VREF = VREF - VINC
VREF = VREF - VINC
VREF = VREF + VINC
RETURN
Fig. 4.57 Flow Chart dellalgoritmo P&O (Perturb and Observe)
190
Un limite di questa semplice implementazione, consiste nella continua oscillazione del punto di lavoro attorno allMPP.
P A B
V Fig. 4.58 Oscillazione del punto di lavoro nella caratteristica P-V per un algoritmo P&O.
Lentit delloscillazione pu essere ridotta riducendo il passo di perturbazione. Avere un passo di perturbazione breve porta ad avere un MPPT lento. Per risolvere questo inconveniente si pu effettuare un incremento variabile che diventa sempre pi piccolo a mano a mano che ci si avvicina al punto di massima potenza. Questo algoritmo pu fallire in caso di rapide variazioni delle condizioni atmosferiche.
P P2 P1 C
A B
V Fig. 4.59 Fallimento dellalgoritmo P&O.
191
Si consideri la situazione illustrata in figura 4.59. Il punto di lavoro collocato nel punto A che corrisponde ad una tensione VA della stringa. Lalgoritmo incrementer il riferimento di tensione in modo da spostare il punto a tensione VA + V. Se allinterno dellintervallo di campionamento, le condizioni atmosferiche cambiano rapidamente, in modo da passare dalla curva di potenza P1 alla curva di potenza P2, il sistema non si porter nel punto di lavoro B, ma si porter in C. Cos facendo si registra un incremento della potenza duscita e si mantiene la stessa direzione di perturbazione, con il conseguente allontanamento dallMPP. Pertanto, se la radiazione incrementa costantemente, il punto di lavoro tende a divergere, provocando il fallimento dellalgoritmo stesso.
192
4.4.2 MPPT Incremental Conductance (ICT).
Un altro esempio di algoritmo utilizzato dallindustria fotovoltaica basato sul metodo della conduttanza incrementale. Questo metodo si basa sul fatto che la pendenza della curva dP/dV, di un campo fotovoltaico, vale:
dP dV = 0 dP >0 dV dP < 0 dV
nell' MPP.
a sinistra dell' MPP.
(4.4.2.1)
a destra dell' MPP.
Si esprima dP/dV in funzione dei valori istantanei di tensione e corrente. La relazione precedente diventa, perci: dP d (V I ) dI I = = I +V I +V dV dV V dV La condizione di massima potenza vale:
(4.4.2.2)
dP =0 dV I =0 I +V V I I = V V I I = V V
(4.4.2.3)
193
Il sistema pu essere descritto, di conseguenza, nel seguente modo: I I V = V I I > V V I < I V V
nell' MPP.
a sinistra dell' MPP.
(4.4.2.4)
a destra dell' MPP.
La direzione di perturbazione successiva, ottenuta sommando o sottraendo un valore di riferimento VINC, ricavata dal semplice confronto tra la conduttanza istantanea I/V e la conduttanza incrementale I/V. In caso di variazioni rapide delle condizioni atmosferiche lalgoritmo insegue bene il punto di massima potenza, a differenza del metodo P&O. Per, la sua implementazione richiede una capacit elaborativi superiore realizzabile con un DSP. Nelle applicazioni grid-connected questo ultimo aspetto non risulta problematico in quanto i sistemi di controllo degli stadi DC/AC vengono realizzati con DSP. Pertanto, tale algoritmo sembra preferibile al precedente. Si riporta, di seguito, il diagramma di flusso relativo al funzionamento dellalgoritmo sopra descritto.
194
START
Misurare v(n), i(n)
No
v = 0
I/V = - I/V
I = 0
No
I/V > - I/V
No
I > 0
No
No
VREF = VREF + VINC
VREF = VREF - VINC
VREF = VREF - VINC
VREF = VREF + VINC
RETURN
Fig. 4.60 Flow Chart dellalgoritmo ICT (Incremental Conductance)
195
4.4.3 MPPT Costant Voltage (CV).
Il metodo CV si basa sullesistenza di una relazione di proporzionalit tra la tensione a vuoto del campo fotovoltaico e la tensione nel punto di massima potenza Vm. Tale relazione espressa da: Vm = k1 VOC dove k1 ha valori compresi tra 0.71 e 0.78. Dopo una determinazione sperimentale della costante k1, fatta sul campo fotovoltaico, lalgoritmo imposta momentaneamente a zero la corrente della stringa fotovoltaica e misura la tensione a vuoto. A questo punto, il controllore MPPT imposter i parametri di controllo del convertitore DC/DC in modo che la tensione nel punto di lavoro sia il 71%-78% del valore misurato. (4.4.3.1)
START
Misurare VOC
Vm = k1 VOC
Imposto
RETURN
Fig. 4.61 Flow Chart dellalgoritmo CV (Costant Voltage)
196
Questo algoritmo non sembra idoneo ad applicazioni fotovoltaiche grid-connected. La costante k1 deve essere determinata per ogni campo fotovoltaico e il suo valore inevitabilmente cambia nel tempo. Quindi, si realizzerebbe un sistema in cui il punto di lavoro non sarebbe il punto di massima potenza, ma una sua stima con conseguente perdita di potenza utile.
197
4.4.4 MPPT Short Circuit Current (SC).
Il metodo SC si basa sul fatto che esiste una relazione di proporzionalit tra la corrente nel punto di massima potenza Im e la corrente di cortocircuito del campo fotovoltaico, ovvero: I m = k 2 I SC (4.4.4.1)
dove k2 ha valori compresi tra 0.78 e 0.92 e viene determinata con metodi sperimentali. Lalgoritmo misura la corrente di cortocircuito e imposta i parametri del convertitore in modo tale che la corrente fornita dal campo fotovoltaico sia pari a Im. Il grosso limite di questo metodo, sta nel dover rilevare la corrente di cortocircuito ISC durante il funzionamento del sistema e per questo motivo non quasi mai usato nella pratica.
START
Misurare ISC
Im = k2 ISC
Imposto
RETURN
Fig. 4.62 Flow Chart dell algoritmo SC (Short Circuit Current).
198
199
Conclusioni.
Gli inverter fotovoltaici presenti attualmente in commercio sono riconducibili a tre topologie costruttive: 1) Inverter con trasformatore a frequenza di rete. 2) Inverter con trasformatore ad alta frequenza. 3) Inverter senza trasformatore. In alcuni Stati le normative impongono lisolamento galvanico o il dual grounding che si traduce nella necessit di una struttura dotata di un trasformatore disolamento. Per questo motivo, attualmente, le topologie isolate sono quelle maggiormente utilizzate. Lingresso dellinverter solitamente predisposto per collegare pi stringhe distinte, ma nella maggior parte dei casi vengono connesse in parallelo allinterno dellinverter stesso e quindi collegate ad un unico circuito MPPT, pertanto, non si in presenza di una reale gestione multistringa e gli inverter vengono cos definiti centrali. Recentemente sono stati immessi sul mercato i primi inverter multistringa realizzati con uno stadio MPPT per ogni stringa e un convertitore DC/AC che processa la totale potenza DC dingresso, aumentando quindi le prestazioni globali del sistema. Attualmente non esiste una norma di prodotto per gli inverter fotovoltaici, ma ogni Paese e ogni rete elettrica ha la propria legislazione. Un inverter deve rispettare le direttive emanate dalle compagnie elettriche del Paese nel quale viene commercializzato e attenersi a tutte le norme di apparecchiatura elettronica di potenza vigenti. In ogni caso gli enti internazionali IEEE ed IEC stanno lavorando per lemanazione di standard. Nel 2000 la IEEE ha pubblicato : Standard 929 IEEE Reccomended Practice for Utility Interface of Photovoltaic (PV) System up to 10kW e nel 2004: IEEE 1547 IEEE Standard for Interconnecting Distributed Resources with Electric Power Systems. La IEC ha in fase di elaborazione le seguenti norme: a) IEC 61727: Characteristics of Utility Interface for Photovoltaic (PV) Systems. Aggiornamento della IEC 61727 (1995-06) Characteristic of Utility Interface. b) IEC 62109: Safety of Power Converters for Use in Photovoltaic Power Systems Part 1 General Requirements.
200
c) IEC 60364-7-712 Electrical Installations of Buildings Part 7 - 712 : Requirements for Special Installations or Locations Solar Photovoltaic (PV) Power Supply Systems.
Dalle analisi effettuate si ricava che la struttura tipica, sia per le soluzioni centrali che per quelle multistringa, una configurazione a due stadi realizzata con uno stadio DC/DC innalzatore, che svolge anche la funzione di MPPT, e uno stadio DC/AC che inietta potenza in rete nel rispetto delle normative vigenti. I due stadi sono collegati per mezzo di un bus o DC link sul quale si trova lelemento di accumulo, capacitivo o induttivo e dove la tensione del bus mantenuta costante dal sistema di controllo dellinverter. Unanalisi pi approffondita merita la configurazione GCC proposta in letteratura in quanto si presta a ridurre e/o risolvere i problemi legati allombreggiamento parziale delle stringhe, ma attualmente non risulta ancora applicata ad inverter fotovoltaici gridconnected di potenze dellordine del kW.
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Studio dei Sistemi Fotovoltaici Grid-Connected.

Docente Relatore: Prof. Giorgio Spiazzi Laureando: Piero Ceccato

Corso di laurea specialistica in Ingegneria Elettronica

A mamma Giovanna, pap Ezio, Lisa & Andrea.

Un sentito ringraziamento allIng. Franco Mela e tutta Selco Engineering s.r.l.

Presentazione dellazienda. Pag.

1.3 TIPI DI CELLE FOTOVOLTAICHE... Pag.

1.4 CARATTERISTICA I-V DI UNA CELLA FOTOVOLTAICA...Pag.

1.5 INTRODUZIONE AGLI IMPIANTI FOTOVOLTAICI..Pag.

Capitolo 2 - Analisi del mercato di inverter gridconnected 3kW.

100 100 105 106

113 113 117 118

120 120 124 130 131

Capitolo 4 Topologie elettroniche.

141 141 146 149

151 153 154

201 200 203 203 204 206

SELCO GROUP SPA

SELCO CZECH REPUBLIC S.R.O.

SELCO MANUFACTURING SRL

SELCO ENGINEERING SRL

SELCO FRANCE SARL

SELCO POLAN SP. ZO.O.

S.C. SELCO ROMANIA S.R.L.

SELCO WELD LTD

SOCIETA COMMERCIALI ESTERE

all'avanguardia: le attuali linee di produzione, informatizzate, automatizzate sono ed infatti

0 chiamata Legge di Einstein dove h la costante di Planck.

1.2 Fisica della cella fotovoltaica.

++++ +++ ++ + ++++ +++ ++ +

Fig. 1.02 Esempio di concentrazione non uniforme.

dove: Dn = costante di diffusione degli elettroni nel silicio intrinseco = 34 cm 2 s .

dove VT la tensione termica che vale circa 25mV a temperatura ambiente.

Un pezzo di materiale drogato di tipo n o tipo p rimane comunque elettricamente neutro.

1.2.4 Giunzione pn.

++++++ ++++++ regione p ++++++ ++++++

a) Corrente di diffusione: essendoci una concentrazione di lacune maggiore

ricombinano velocemente con gli elettroni maggioritari del lato n e scompaiono

c) Corrente di deriva ed equilibrio.

dove S costante dielettrica del silicio e vale S = 11.70.

1.2.5 Generazione di una coppia elettrone-lacune per assorbimento di un fotone.

Lenergia di un fotone data da: hc

Coppia elettrone lacuna.

1.2.6 La giunzione pn in polarizzazione diretta.

++++++ ++++++ regione p ++++++ ++++++

pn(xn) np(-xp) np(x) pn0 -xp xn pn(x)

p diffusione lacune diffusione elettroni

Fig. 1.10 Verso della corrente di diffusione.

I0 che pu essere espressa come:

Fig. 1.11 Corrente nella cella PV.

1.3 Tipi di celle fotovoltaiche.

Oltre alle celle in silicio monoscristallino, si trovano in commercio celle in silicio

Costo dei Materiali

Cristallino CdTe Amorfo CIS -

Amorfo Cristallino CdTe CIS

Cristallino CIS CdTe Amorfo

1.4 Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica.

In figura 1.12 rappresentata tale equazione.

VOC Fig. 1.12 Caratteristica I-V di una cella fotovoltaica.

Per ricavare il limite di tensione si ponga a zero la corrente I.

0.6 Fig. 1.13 Esempio di caratteristica di una cella fotovoltaica.

La caratteristica I-V dipende dalla temperatura a cui la cella opera.

(1.4.4) (1.4.5) (1.4.6)

Vm Potenza massima estraibile dalla cella.