UNIVERCIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS Escuela de ciencias fsicas Departamento de fsica Electrnica Anlogo - Digital

Anlisis transitorios
Determinacin del punto operacional
Profesor : Oscar Baltuano Grupo :NG Integrantes : Prez rumiche 08130089 Yauri Diego 08130028

Ciclo 2010 - I

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CIENCIA FISICAS

TRANSISTORES
1. OBJETIVOS:
Calcular el punto Q experimentalmente y tericamente. Comparar los resultados experimentales con los tericos. Conocer el funcionamiento de los amplificadores con transistores. Analizar el circuito y poder identificar si es base comn, emisor comn o colector comn. Poder comprobar matemticamente todo lo visto anteriormente en teora.

2. INTRODUCCIN:
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3. EQUIPOS Y MATERIALES:
01 Voltmetro Cables 01 transistor BJT Resistencias 01 Protoboad Fuente de alimentacin

4. MARCO TERICO:
TRANSISTOR El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc. Tipos de transistor

EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin

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igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

EMISOR COMN
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin:

y la impedancia de salida, por RC Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor es: VE = VB Vg Y la corriente de emisor: La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de base:

Despejando: La tensin de salida, que es la de colector se calcula como:

Como >> 1, se puede aproximar:

y, entonces Que podemos escribir como

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Vemos que la parte es constante (no depende de la seal de entrada), y la parte

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nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida est desfasada 180 respecto a la de entrada. Finalmente, la ganancia queda: La corriente de entrada que aproximamos por Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir y la impedancia de entrada: , .

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

BASE COMN
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente: . La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

COLECTOR COMN
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente

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inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de salida por 1/.

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (BJT)

El transistor Bipolar de Juntura, abreviado como TBJ, es un dispositivo electrnico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas PN. Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La caracterstica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una corriente en la puerta de salida mediante una corriente en la puerta de entrada. Los TBJ poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P N, y entre ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P N respectivamente. ste conjunto formar dos uniones PN: entre el emisor y la base, y una entre la base y el colector. Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P, el transistor ser del tipo NPN. Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor ser del tipo PNP.

El estudio y anlisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las "curvas caractersticas" del mismo, con las cuales se puede caracterizar completamente el comportamiento o funcionamiento elctrico del transistor, siendo sta expresada en relaciones grficas de las corrientes IB, IC e IE, en funcin de las tensiones externas y para las distintas configuraciones: Emisor Comn (EC), Base Comn (BC) y Colector Comn (CC).

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta 2010 -I Pgina 5

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refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP. Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: ACTIVA DIRECTA:
El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito.

SATURACIN:
En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.

CORTE:
El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic).

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ACTIVA INVERSA:
Esta zona se puede considerar como carente de inters. El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario: Se sustituye el transistor NPN por un PNP. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL

Fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

TRANSISTOR DE UNIN UNIPOLAR DE JUNTURA

Tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

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UNMSM FOTOTRANSISTOR

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Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente.

TRANSISTORES Y ELECTRNICA DE POTENCIA

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

5. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL:
Los datos experimentales son: Para hallar el punto Q tenemos que hallar lo siguiente:

Donde: Los datos tericos son: En el sistema la resistencia equivalente es: Luego desconectando y usando thevenin tenemos q el voltaje de thevenin es:

Al final se tiene la siguiente ecuacin:

Se sabe que

Punto Q

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Luego se armo el esquema:

Identificar si es base comn, colector comn o emisor comn: Con la ayuda del Multmetro pudimos determinar que es base comn: Entonces en el circuito tenemos:

Al realizar la toma de datos obtuvimos: Con estos datos podemos determinar la grfica de la salida del transistor:

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Donde Q es el punto de operacin. Adems cabe mencionar que se realiz algunos cambios en la resistencias ya que al trabajar con una resistencia de 3.3 k el punto de operacin se encontraba en la zona de corte es por ello que se hizo el cambio por una resistencia de 13.3 k con este cambio se logr que el punto de operacin subiera. Ahora determinaremos la ganancia terica y experimental: Para determinar la ganancia terica utilizaremos lo siguiente: Ahora para determinar la ganancia experimental utilizaremos:

6. CONCLUSIONES:
En este laboratorio pudimos ubicar donde se encontraba la base, el emisor y el colector del transistor usando el voltmetro. Nos dimos cuenta que la comparacin de lo experimental con lo terico no tiene mucho porcentaje de error.

Pudimos calcular el punto Q usando algunos conceptos de thevenin y usando algunos clculos en lo terico y en lo experimental todo se calculo con el voltmetro. Debido a que el punto de operacin estaba muy cercano a la zona de corte entonces tuvimos que cambiar la resistencia de 3.3 K a 13.3 K ya que aumentando la resistencia el punto de operacin logr subir un poco. Si la intensidad de la base aumenta entonces el punto comn sube. La pequea diferencia de los valores de las ganancias obtenidas tanto terica como experimental se debe: A que en el momento de la toma de datos no consideramos la carga del osciloscopio. Otro factor puede ser que los valores de las resistencias no son muy precisos. Si obtenemos signo negativo en la ganancia esto significara que la onda obtenida en el osciloscopio esta invertida.

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