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Transistores

Transistores

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3
 
Transistores bipolares
3.1
 
Introducción
En los capítulos precedentes hemos analizado elementos de circuito con dos terminales accesibles,en éste estudiaremos el funcionamiento y algunas aplicaciones básicas de un dispositivo que poseetres: el transistor bipolar de unión, al que nos referiremos mediante las siglas BJT (correspondientesa las palabras en inglés Bipolar Junction Transistor).Este transistor es un descubrimiento norteamericano del año 1948. El equipo de investigación al quedebemos su logro (William Shockley, John Bardeen y Walter H. Brattain) buscaba otro dispositivo(el de efecto campo) pero fue el BJT el primer transistor en ver la luz. Por este trabajo los tresinvestigadores fueron galardonados con el premio Nobel de Física en 1956 (más tarde John Bardeenrecibió otro Nobel en 1972 por trabajos en superconductividad).El BJT es el transistor discreto que más se utiliza. Un componente electrónico discreto es aquel quese puede extraer del resto del circuito y ser sustituido por otro. Los circuitos electrónicos discretosse montan colocando sus elementos individualmente. Discreto se contrapone a la palabra integrado;los circuitos integrados tienen sus componentes sellados sobre un material base y son inseparablesunos de otros. Por otro lado, el transistor bipolar presenta multitud de aplicaciones tanto en circuitosanalógicos como en circuitos digitales.Organizamos este capítulo de manera similar al anterior, comenzando con la presentación de laestructura básica del dispositivo, su símbolo de circuito y modelos de funcionamiento. Despuésabordamos las aplicaciones básicas de las que destacaremos la amplificación.
3.2
 
Objetivos
Los objetivos didácticos del tema se pasan a describir a continuación
 
Inicialmente se presenta el transistor bipolar de unión mostrando a efectos introductorios laestructura semiconductora en la que se basa, así como un esbozo de sus principios defuncionamiento. Igualmente se presentan los símbolos circuitales con los que serepresentará.
 
 96
 
El siguiente objetivo es presentar uno de los varios modelos con los que se describe elfuncionamiento del transistor en este caso el de Ebers-Moll
 
Se describen las distintas regiones de operación del transistor y se ven las características quese han de cumplir para que el transistor esté en cada una de ellas
 
Se analizan las ecuaciones de funcionamiento del transistor particularizándolas para cadauna de las regiones de funcionamiento una fijada la entrada y la salida del transistor.
 
Una vez vistas en general las posibilidades de funcionamiento del transistor bipolar separticulariza una de ellas que es la emisor común
 
Hasta ahora se ha visto de forma práctica los resultados de las ecuaciones en los modelos deforma que el funcionamiento sea ideal. En este apartado se tratan las desviaciones delmodelo de Ebbers-Moll, de forma que se profundiza más en el funcionamiento real deldispositivo.
 
En el siguiente apartado se trabaja el análisis del transistor bipolar en estática. Es deimportancia fundamental para el funcionamiento del dispositivo como amplificador y portanto se hará mucho hincapié en él.
 
Finalmente se estudia el circuito incremental del transistor bipolar lo que permitirá elanálisis del dispositivo como amplificador viéndose tanto el análisis de la ganancia así comolos límites de funcionamiento (margen dinámico).
3.3
 
Estructura del transistor bipolar de unión
Recordemos que el diodo es un dispositivo cuya operación se basa en la unión pn. Dicha unión es elcontacto íntimo de un semiconductor tipo n, llamado cátodo y uno tipo p llamado ánodo. Unsemiconductor tipo n es aquel en el que son mucho más numerosos los portadores de carga negativa(electrones); en el tipo p los portadores positivos (llamados huecos) son mayoritarios. Una unión pnestá polarizada en directa si la caída de tensión entre el terminal del ánodo y el del cátodo espositiva. Lo está en inversa en caso contrario.El transistor bipolar está formado por dos uniones pn muy próximas entre sí. Por lo tanto es posiblela existencia de dos estructuras distintas que dan lugar a los transistores bipolares pnp y a los npncuyos símbolos de circuito están indicados en las Figura 3-1a y b.
 
 97Figura 3-1. Estructura y símbolo de circuito de BJT a) pnp y b) npn
 
La región central de ambas estructuras se denomina base del transistor y el terminal que la haceaccesible es el de base (B). La región dibujada abajo se llama emisor (E) y arriba situamos la regiónde colector (C). La región de emisor se fabrica de manera que posea más portadores mayoritariosque la región de colector (electrones en los npn o huecos en los del tipo pnp). Esto se pone demanifiesto en la figura colocando un superíndice + en la letra, n o p, que indica el tipo desemiconductor. Esta diferencia hace que no sean intercambiables los terminales de emisor ycolector.Consideraremos que el sentido positivo de la corrientes en los tres terminales del transistor bipolares el fijado en las Figura 3-2a y b. Notemos que para el terminal de emisor es positiva la corrienteque fluye según la punta de flecha en el emisor del símbolo de circuito. Los terminales de base ycolector tienen el sentido contrario, es decir, si la corriente de emisor positiva está entrando aldispositivo, las de base y colector salen (este es el caso del pnp, para el npn es al contrario).Figura 3-2. Asignación del sentido positivo a las corrientes en el BJT: a) pnp, b) npn
 
Las caídas de tensión entre los terminales se definen como en el diodo: la tensión más positivacorresponde a la zona tipo p. Por eso, como se muestra en la Figura 3-3, para los transistores pnp

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