Apuntes SEC.

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7. Amplificadores RF de potencia
7.1 Introduccin El amplificador de potencia (PA) es la ltima etapa del emisor. Tiene la misin de amplificar la potencia de la seal (no necesariamente la tensin) y transmitirla a la antena con la mxima eficiencia. En eso se parecen a los amplificadores de baja frecuencia, pero aqu la distorsin o falta de linealidad puede no ser importante. A continuacin se mencionan algunas caractersticas de un PA para equipos de comunicaciones mviles y sus valores tpicos Potencia de salida, so +20 a +30 dBm Eficiencia, 30% a 60% Ganancia, GP 20 a 30 dB Distorsin, IMR 30 dB (*) Control de potencia ON OFF (*) Para cada armnico se define IMR = so(armnico)/so(til) cuando la entrada es la suma de dos tonos con el mismo nivel, aquel que hace so(til) = so, max 6 dB Clasificacin de los amplificadores de potencia Los amplificadores de potencia tradicionales emplean dispositivos activos (BJT o MOSFET) que se comportan como fuentes de corriente controladas por tensin. Estos se clasifican atendiendo a la fraccin del periodo de la seal en que los dispositivos permanecen en conduccin. Si la entrada es una funcin sinusoidal, su argumento se incrementa 360 a cada periodo de seal. La fraccin del periodo en que los dispositivos conducen se mide por el semingulo de conduccin, , que est comprendido entre 0 y 180. Se definen tres clases: Clase A = 180 (conducen siempre) Clase B = 90 (conducen medio periodo) Clase C < 90 (conducen menos de medio periodo) Cuanto menor es mayor es la eficiencia pero menor es la linealidad. Existe otro tipo de amplificadores de potencia donde los dispositivos funcionan en conmutacin. Actan como interruptores que pasan alternativamente de corte a conduccin. La eficiencia es tericamente del 100% puesto que un interruptor ideal no consume potencia en ninguno de los dos estados: en corte i = 0 y en conduccin v = 0. En la prctica la eficiencia se reduce porque hay prdidas de potencia durante el transitorio de conmutacin. Por eso se han ideado diferentes esquemas que minimizan estas prdidas. Estos amplificadores reciben distintos nombres (clase D, E, F,) a partir del momento en que se les reconoce su innovacin respecto a los existentes.

7.2 Clase A En este tipo de amplificador el elemento activo est siempre en zona activa si es un BJT, o en saturacin si se trata de un MOSFET. De todos es el que produce menos distorsin, pero tambin el que tiene menor rendimiento. Su esquema es similar al de un amplificador de pequea seal. De las configuraciones bsicas se elige la EC (SC si es con MOSFET) porque tiene mayor ganancia en potencia. El circuito con BJT se muestra en

7.1

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la figura 7.1. La nica diferencia respecto al EC bsico es que se ha sustituido la resistencia de colector por una inductancia de gran valor para mejorar el rendimiento. VCC L C C vi RL RB VBB (a) vi + vo RB r + v gmv RL + vo

(b)

Fig. 7.1 (a) Esquema de un amplificador clase A con BJT. (b) Circuito equivalente en pequea seal En RF los valores de RL estn normalizados para una aplicacin determinada, los ms frecuentes son 50, 75 y 300 , aunque en frecuencias altas se usa generalmente 50 . Cuando se trata de amplificar seales de RF de banda estrecha se suele poner en paralelo con RL un circuito LC sintonizado, pero en el clase A no es imprescindible. En reposo la tensin sobre la inductancia es nula por lo que VCEQ = VCC. Pero la inductancia mantiene una corriente constante ICQ, es decir que para c.a. se comporta como un circuito abierto. La corriente y la tensin en el transistor se muestran en la figura 7.2 para una tensin de entrada sinusoidal. iC ICQ ot vCE VCC ot Fig. 7.2 Tensiones de entrada y salida en el amplificador clase A. Los mrgenes de variacin de vo, aproximando VCE,sat = 0, son (saturacin) (reposo) (corte) VCC 0 ICQRL La amplitud mxima de vo, Vp, que se puede lograr es VCC y para eso es necesario que ICQRL > VCC La potencia entregada a la carga es
so = 1 Vp 2 RL
2

Y el consumo de potencia, despreciando la potencia consumida para polarizar el BJT, es

s D = I CQVCC
El rendimiento mximo se obtiene cuando Vp = VCC y ICQRL = VCC, entonces

7.2

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mx = 50 %

Si en lugar de la inductancia empleamos una RC para polarizar el transistor, el rendimiento mximo es slo del 25 %. Notar que el consumo de potencia es independiente del nivel de seal. Cuando no hay seal el rendimiento es nulo y adems toda la potencia consumida se disipa en el transistor. En la prctica el rendimiento suele estar alrededor del 15%.

7.3 Clase B En el amplificador clase B los elementos activos estn en zona activa si es un BJT, o en saturacin si se trata de un MOSFET, la mitad del tiempo en cada ciclo de la seal. Es posible utilizar el mismo esquema del clase A que se muestra en la figura 7.1, pero ahora con VBB 0.7, de forma que el BJT slo conduce cuando vi > 0. En este caso es imprescindible poner en paralelo con RL un circuito LC sintonizado que elimina todos los armnicos y deja pasar a la carga nicamente la componente fundamental. Sin embargo el amplificador clase B que vamos a analizar es otro, se trata del que utiliza dos transistores complementarios y que est representado en la figura 7.3. En este caso no es necesario poner un circuito LC sintonizado en paralelo con RL. VCC Q1 + vo

VBB vi VBB

Q2 VCC

RL

Fig. 7.3 Esquema de un amplificador clase B con BJT complementarios. Tambin aqu se elige VBB 0.7, para que cuando sea vi > 0 conduzca Q1 y cuando sea vi < 0 conduzca Q2. Admitiendo que los parmetros del modelo en pequea seal de ambos BJT son iguales y que tienen el mismo valor desde el momento en que stos entran en zona activa, sus corrientes de colector en el semiciclo que conducen son proporcionales a vi. iC1 Im iC2 Im vo ot ot Fig. 7.4 Tensiones de entrada y salida en el amplificador clase B complementario. ot

7.3

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La tensin de salida es vo = (iC1 iC2)RL Las corrientes de colector y la tensin de salida se muestran en la figura 7.4 para una tensin de entrada sinusoidal. La potencia entregada a la carga es
so = 1 Vp 2 RL
2

Donde Vp es la amplitud mxima de vo. El mximo valor de Vp que se puede lograr es VCC VCE,sat VCC y en ese caso ImRL = VCC. Y el consumo de potencia, despreciando la potencia consumida para polarizar los BJT, es

s D = ( I CQ1 + I CQ 2 )VCC = 2 I CQ1VCC

siendo ICQ1 el valor medio de la corriente de colector en Q1
I CQ1 = 1 T

T /4

T / 4

I m cos(o t )dt =

Im

El rendimiento mximo se obtiene cuando Vp = VCC e ImRL = VCC, entonces

mx = = 78 % 4

Notar que en el clase B si no hay seal no se consume potencia. Pero el mximo rendimiento slo se consigue cuando Vp = VCC . A cambio el amplificador no es tan lineal como el clase A, especialmente por la distorsin de cruce, justo en el momento en que un transistor se corta y empieza a conducir el otro. Los transistores de este amplificador trabajan en colector comn (CC), no ganan en tensin, slo en corriente. Si la tensin de entrada no es suficiente hace falta una etapa previa de ganancia en tensin. En el amplificador de la figura 7.1 trabajando en clase B, o en el clase B que se muestra en la figura 7.5, el cual emplea dos transistores idnticos trabajando en contrafase, los transistores estn configurados en EC. En ambos casos la ganancia en potencia es mayor pero el rendimiento es el mismo.

+ vi

VBB

VCC

RL

+ vo

Fig. 7.5 Amplificador clase B que emplea dos transistores trabajando en contrafase.

7.4 Clase C En esta clase de amplificadores el elemento activo conduce un tiempo t1 t2 en cada periodo T = 2/o, de forma que el semingulo de conduccin, definido como 2 = o(t1 t2) sea inferior a /2. En el clase B = /2, mientras que = en el clase A.

7.4

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Su esquema es similar al del clase A que se muestra en la figura 7.1 y que repetimos aqu para comodidad del lector, pero en este caso es imprescindible poner en paralelo con RL un circuito LC sintonizado. . VCC L C C vi L RB VBB Fig. 7.6 Esquema de un amplificador clase C con BJT. La tensin VBB es ahora negativa, de forma que el BJT slo entra en zona activa alrededor del mximo de vi, cuando vi + VBB > 0.7 V. vi 0.7 VBB iC Im vCE VCC ot Fig. 7.7 Tensiones de entrada y salida en el amplificador clase A. Si asumimos que en toda la zona activa la corriente de colector es proporcional a la tensin de control, para una entrada sinusoidal toma la forma representada en la figura 7.7. Esta corriente puede escribirse como iC = IPcos(ot) ID, iC = 0, mientras sea IPcos(ot) ID en el resto ot 2 ot C RL + vo

Y puesto que en ot = tenemos iC = 0, resulta que ID = IPcos( ). La funcin iC(t) es par y por eso puede descomponerse en serie de Fourier como iC = Io + I1cos(ot) + I2cos(2ot) + donde Io es su valor medio, I1 la componente fundamental y el resto, de I2 en adelante, armnicos.
Io = IP (sin o o cos o ) I I 1 = P (2 o sin 2 o ) 2

7.5

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Las tensiones vCE y vo tienen una forma sinusoidal porque el filtro LC cortocircuita todos los armnicos de iC(t) y slo deja la componente fundamental. La potencia entregada a la carga es
so = 1 2 I1 RL 2

El consumo de potencia, despreciando la potencia empleada para polarizar el BJT, es

s D = I CQVCC
donde ICQ = Io. El rendimiento mximo se obtiene cuando vo toma la mxima amplitud posible, VCC si aproximamos VCE,sat, = 0, y para eso se requiere que I1RL = VCC. En ese caso el rendimiento slo depende de
mx = 1 2 o sin(2 o ) 4 sin( o ) o cos( o )

En la figura 7.8 se muestra el rendimiento mximo en funcin del semingulo de conduccin. Si = 180 max = 50 % (Clase A), si = 90 max = 78 % (Clase B) y para la clase C siempre es superior. Si = 0 max = 100 %, claro que en este caso la corriente mxima que debera soportar el transistor es infinita. As que un buen compromiso consiste en emplear = 60 para obtener max = 90 %. max (%) 100 Clase B

Clase A 50 0 90 180 o

Fig. 7.8 Rendimiento mximo del amplificador clase C en funcin del semingulo de conduccin. Notar que, a diferencia del clase A o B, el clase C no es un amplificador lineal: la salida es nula hasta que la amplitud de la tensin de entrada supera VBB + 0.7. Este amplificador slo puede usarse para FM o PM porque emplea seales de amplitud constante o para seales digitales y de banda estrecha.

7.5 Clase D. Este es el tipo bsico de amplificador en que los transistores trabajan en conmutacin, pasan del estado de corte al de conduccin y viceversa de forma instantnea. Su esquema se muestra en la figura 7.13a. La seal de entrada, vin, debe ser cuadrada y de suficiente amplitud para llevar los transistores alternativamente de corte a saturacin (de corte a zona lineal si son MOSFETs). Trabajando en este modo el transistor se puede asimilar a un interruptor ideal (abierto en corte, cerrado en saturacin). Al reemplazar los transistores por interruptores resulta el circuito equivalente que se representa en la figura 7.9b.

7.6

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VCC QP vi QN RL + vo L C vi

VCC Zin vx L C + vo

RL

VCC
(a)

VCC
(b)

Fig. 7.9 (a) Amplificador clase D. (b) Circuito equivalente En este circuito la seal vx es cuadrada de amplitud VCC. El circuito LC est sintonizado a la frecuencia fundamental de vin (la frecuencia de trabajo) y tiene un Q elevado: a RL solo le llega la componente fundamental de vx
vo = 4 VCC cos( o t )

adems, a esa frecuencia Zin = RL por lo que

iL = vo 4 VCC = cos( o t ) RL RL

Esta corriente circula durante medio periodo por QN y en el otro medio por QP. Las tensiones y corrientes en el circuito se muestran en la figura 7.10 vi ot vx VCC

VCC
iCP

ot

ot iCN ot vo ot Fig. 7.10 Tensiones y corrientes en el amplificador clase D La potencia entregada a la carga es
so =
2 vo , eff

RL

4 1 = ( VCC ) 2 2 RL

Y la potencia total disipada es la misma, porque en todo el circuito tan slo la carga disipa potencia, as que el rendimiento es = 100%.

7.7

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Si los transistores no son ideales, en cuanto a que en conduccin no tienen resistencia nula (Ron 0),el circuito equivalente es el que se muestra en la figura 7.15

VCC Ron iL L C + vo

vi

RL Ron

VCC
Fig. 7.11 Circuito equivalente del amplificador clase D con interruptores no ideales La tensin de salida se reduce a
vo = RL 4 VCC cos(o t ) Ron + R L

y la potencia de salida a
RL 4 1 s o = ( VCC )2 Ron + R L 2 R L

El rendimiento tambin se reduce

=
2 i L , eff R L so RL = 2 = s D i L , eff ( Ron + R L ) Ron + R L

Este tipo de amplificadores no son lineales (muchas veces ni siquiera ganan en tensin, slo en corriente), slo se pueden aplicar a seales de amplitud constante, como por ejemplo las moduladas en PM o en FM (pero de banda muy estrecha), o a seales digitales. En RF no se suelen emplear debido a que las prdidas de conmutacin en los transistores son elevadas. Estas prdidas se producen en los transitorios de corte a conduccin y de conduccin a corte, porque durante los transitorios ni la corriente ni la tensin en el transistor son nulas. En RF se emplean los amplificadores clase E y F que emplean un solo transistor trabajando en conmutacin y un circuito optimizado para reducir las prdidas de conmutacin.

7.6 Adaptadores de impedancia. Generalmente, los amplificadores de potencia llevan una red adaptadora de impedancia entre el transistor de salida y la carga como muestra la figura 7.12. El objetivo es doble: primero que la impedancia vista desde el colector del transistor tenga el valor adecuado a la potencia de salida deseada, y segundo, minimizar las perdidas de potencia debidas a los elementos parsitos del transistor. En el amplificador clase A, B o C sin adaptador la amplitud mxima de vo que se puede lograr es VCC y la mxima potencia que se puede entregar a la carga es

so =

2 1 VCC 2 RL

7.8

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Por ejemplo si VCC = 5 V y RL = 50 , que es tpica de una antena, la mxima potencia de salida ser de 0.25 W. Esta potencia se puede aumentar empleando una red adaptadora de impedancia para conseguir que la impedancia reflejada de RL en colector del transistor sea menor. VCC L C C vi RB VBB Fig. 7.12 Situacin de la red adaptadora de impedancia en el amplificador de potencia. En el circuito de la figura 7.13, cuando queremos extraer la mxima potencia de un generador con una determinada impedancia de salida, Zo, debemos hacer que la impedancia de carga ZL est adaptada: ZL = Zo*. No es este el caso, aqu la impedancia de carga est fijada, para que toda la potencia del generador vaya a la carga y no se disipe en su resistencia interna debemos hacer que Zo >> ZL. Red adaptadora de impedancia RL + vo

io

Zo

ZL

Fig. 7.13 Impedancia de carga conectada a un generador real. La resistencia de salida de los transistores en baja frecuencia es muy alta, funcionan como fuentes de corriente casi ideales, pero en alta frecuencia no es tan alta debido la capacidad de salida. En amplificadores RF es necesario compensar esta capacidad, esta es la otra funcin de la red adaptadora. La figura 7.14 muestra el circuito equivalente de salida para pequea seal del amplificador de la figura 7.12, junto con una posible red adaptadora de impedancia. Existe una gran variedad de redes adaptadoras de impedancia aunque a este nivel slo emplean bobinas, condensadores y transformadores en su construccin. Z2 gmvi

C1 L2 RL + vo

ro

Co

L1

Red adaptadora de impedancia Fig. 7.14 Circuito equivalente de salida en pequea seal del amplificador de la figura 7.12, junto con una posible red adaptadora de impedancia.

7.9

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La impedancia Z2 es
Z 2 = 1 / jC1 + ( jL2 || RL )
2 Si el circuito L2C1 est sintonizado a la frecuencia de trabajo ( o = 1 / L2 C1 ), entonces Z2 es equivalente a

una capacidad C1 en paralelo con una resistencia de valor L2/RLC1 como muestra la figura 7.15.

gmvi

ro

Co

L1

C1

L2/C1RL

Fig. 7.15 Circuito equivalente del de la figura 7.11, a la frecuencia de trabajo. Ahora el condensador Co queda en paralelo con C1 y con L1. Eligiendo L1 para que el circuito L1(Co + C1) est sintonizado a la frecuencia de trabajo, es decir que presente una impedancia infinita a esa frecuencia, la impedancia equivalente que ve el generador de corriente es la resistencia L2/RLC1 (ro es mucho ms grande y se puede despreciar). Por ejemplo, si elegimos L2 = 100C1 y RL = 50 , la impedancia de carga se transforma en 2 . Con VCC = 5 V la potencia que se puede tener ahora a la salida son 6.25 W. Claro que el transistor debe ser capaz de suministrar la corriente necesaria. En la prctica se parte de un determinado transistor de potencia y se disea la red adaptadora de impedancia para conseguir la mxima potencia de salida.

7.10