INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAO, CINCIA E TECNOLOGIA DE SERGIPE Curso: Eletromecnica ELETRNICA INDUSTRIAL Lagarto-2010 PUT e UJT Relatrio elaborado

como requisito avaliao do segundo bimestre,da disciplina de Eletrnica Indstrial. Lagarto-2010 SUMRIO 1. Introduo.....................................................................................02 1. Objetivo.........................................................................................02 1. Desenvolvimento.............................................................02 1. Transistor UJT..............................................................................04 1. Oscilador de Relaxao..............................................................05 1. Testando um Transistor Unijuno............................................07 1. Transistor PUT.............................................................................08 1. Comparativo UJT e PUT.............................................................10 1. Concluso...................................................................................11 Anexos.............................................................................................12 Bibliografia......................................................................................14 1. Introduo O transistor foi criado nos laboratrios da Bell Telephone em dezembro de 1947. A inveno desse componente atribuda a trs cientistas: Bradeen, Brattain e Shockley. O primeiro transistor surgiu por acaso durante estudos de superfcies em torno de um diodo de ponto de contato e seu nome foi derivado de suas caractersticas intrnsecas: "resistor de transferncia" (transfer + resistor). Em 1955 iniciou-se a comercializao do transistor de silcio, com essa tecnologia o preo do transistor caiu j que o silcio ao contrario do germnio, mais abundante na natureza. 1. Objetivo Explicar o princpio de funcionamento, dos transistores unijuno UJT e PUT, e sua aplicabilidade, por intermdio de circuitos osciladores de relaxao. 1. Desenvolvimento 1. Estudo dos Transistores Dispositivo de 3 terminais (alguns possuem mais) que pode funcionar como amplificador ou como chave.

1. Uso para o Transistor O transistor quando opera na regio linear de sua reta de carga usado como amplificador. E na regio de corte ou saturao ele usado como chave. 1. Tipos de Transistores BIPOLARES (mais comum) FET (transistor de efeito de campo); MOSFET (transistor de efeito de campo com metal oxido semicondutor); UJT (transistor de unijuno); IGBT(transistor bipolar de porta isolada). PUT(transistor unijuno programvel) 1. Identificando os Terminais A) Mea e as resistncias no sentido direto e inverso em todos os terminais at encontrar um par em que a resistncia alta e igual em ambos os sentidos (direto e inverso). B) O terceiro terminal que no foi usado na prova acima : a base: para transistores bipolares. o gate: para transistores FET e PUT. o emissor: para transistores UJT. C)Os terminais identificados em A so: coletor e emissor: para transistores bipolares. dreno e fonte: para transistores FET. B1 e B2: para transistores UJT. 1. Transistor Unijuno (UJT) O UJT um tipo de transistor que exemplifica consideravelmente os circuitos osciladores,disparadores e temporizadores. O encapsulamento do UJT tem a forma de um transistor comum, entretanto, suas caractersticas eltricas so completamente diferentes. Ele um gerador de pulsos estreitos de alta potncia e de curta durao. Assim, pode ser usado tanto em circuitos de chaveamento como em osciladores. 1. Constituio Interna e Simbologia O UJT constitudo de uma barra de silcio do tipo N (fig 1), fracamente dopado, com uma juno P. Possuindo trs terminais, o emissor (E) ligado ao cristal P, e as bases (B1 e B2) ligadas as extremidades do material N(fig 1.1) que levemente dopado o que implica numa elevada resistncia.

fig.1 Constituio do UJT fig.1.1 Simbologia 1. Circuito Equivalente e Funcionamento do UJT fig2.0 Circuito Equivalente fig2.1 Analogia de Funcionamento 1. Caractersticas do circuito: Vdd- o diodo que representa a juno PN; Vcc- Tenso de polarizao entre as base 1 e 2. (Os limites desta tenso

especificados pelo fabricante);

Vee- tenso aplicada ao emissor sendo que Vcc deve ser maior que Vee; RBB- a resistncia que pode ser medida entre os terminais B1 e B2 (sendo constituda da soma de rb1 e rb2) esta resistncia possui valores entre 1. a 10 k. (Rbb= Rb1 + Rb2) Na Fig2.1 enquanto VE < 0,7 + VRb1 o UJT estar cortado, pois o diodo est reversamente polarizado.Quando VE = 0,7 + VBB = VP = tenso no ponto de pico, o diodo fica polarizado diretamente e o UJT dispara. (eta) a razo intrnseca de disparo,caracterstica fornecida pelo fabricante, dependendo da posio do emissor em relao s bases. Seu valor determina a relao entre o valor de Rb1 a Rb2.Tipicamente o valor de est compreendido entre 0,5 e 0,8. 1. Oscilador de Relaxao com UJT

Fig 3.0 Oscilador de Relaxao O oscilador de relaxao um circuito em que a freqncia controlada pela carga e descarga de um capacitor atravs de um resistor. No circuito, o resistor R1 tem duas funes: fornecer pulsos de tenso de sada do oscilador e limitar a corrente de descarga do capacitor, protegendo o UJT. O R2 estabiliza termicamente o UJT por meio da variao de tenso. Uma das principais aplicaes do UJT como oscilador de relaxao ou seja o perodo de oscilao do circuito pode dividir-se em dois intervalos.

Quando a alimentao ligada pela primeira vez, o capacitor se encontra descarregado, logo VC = VE = 0, portanto o UJT estar cortado (IE=0). Nessas condies o capacitor comea a se carregar atravs de R, tendendo a tenso nele para +VCC com constante de tempo =R.C. Quando VC = VP = VE = 0,7V+ .VBB; o UJT dispara fazendo o capacitor se descarregar atravs do UJT e da resistncia RB1. Como mostra (fig.3.1) a figura a seguir:

Fig 3.1(A) Formas de Onda no Capacitor e (B) Forma de onda entre B1 e Emissor Quando VC cair abaixo de VV (tenso crtica mnima do emissor) o UJT corta e C volta a se carregar , e o ciclo se repete. A forma serrilhada da onda causada pela carga relativamente lenta do capacitor e sua descarga muito rpida. A forma de onda de sada corresponde a um pico de tenso provocado pela descarga rpida de C atravs de R1. 1. Testando um Transistor Unijuno Para testarmos este componente usaremos um multmetro digital na escala de Ohms.O Transistor unijuno um semicondutor de 3 terminais. A maioria destes componentes tem a numerao 2N2646 de fabricao da Motorola. Conhecendo os terminais fica fcil test-lo. Na Fig. 4.0 da temos o smbolo e na Fig. 4.1 temos a viso "por baixo" indicando a posio dos terminais (B1, B2 e Emissor). Fig. 4.0 Fig. 4.1 1. Com o multmetro na posio de Ohms medimos a resistncia entre B1 e B2, invertemos a posio e fazemos a mesma medida: O valor, nos dois casos deve ser praticamente o mesmo, uma resistncia muito alta. 2. Agora medimos a resistncia entre Emissor e B1, em seguida medimos Emissor e B2 (a ponta preta (-) deve estar no Emissor para os dois casos). O valor encontrado deve ser praticamente o mesmo: uma alta resistncia. 3. Realize o mesmo teste anterior s que desta vez a ponta vermelha (+) conectada ao emissor. O valor ser uma resistncia baixa tando emissor/B1 e emissor/B2. Foram usados para o teste modelos : 2N2646, NTE6401, ECG6401, 2N2647,NTE6409. 1. Transistor Unijuno Programvel O transistor unijuno programvel (PUT) um UJT no qual o valor de h (Razo Intrnseca de disparo) pode ser imposta atravs de resistores externos. A sua estrutura anloga de um SCR, tendo, porm o gate na

regio N prxima do anodo. A figura abaixo (Fig 5.0) mostra a estrutura ( A), o smbolo (B) e circuito equivalente (C) de um PUT.

Fig 5.0 (A) 7.1 Funcionamento:

(B)

(C)

Para compreender o seu funcionamento consideremos o circuito com PUT da (Fig 6.0) e o seu equivalente EM Thevenin, (Fig 6.1). O funcionamento do circuito anlogo ao do oscilador de relaxao com UJT. Ligada a alimentao e estando o capacitor inicialmente descarregado ( VA = VC = 0 ) o PUT estar cortado ou seja, polarizado reversamente ). O capacitor C se carrega atravs de R. Quando a tenso no capacitor ultrapassar a tenso de gate (VRB1) em cerca de 0,7V; Q2 comea a conduzir disparando o PUT. Nesse instante C se descarregar atravs do PUT e de RL . Quando a tenso de anodo (tenso no capacitor) cair abaixo da tenso de vale, o PUT voltar a cortar e C volta a se carregar novamente atravs de R. Fig 6.0 Fig 6.1 Da Fig 6.1 obtemos:

Podemos verificar na Fig 6.1 que, se VA < VTH + VBE o transistor no conduzir, nessas condies o PUT estar cortado. Quando, porm VA=V TH + VBE o transistor ficar polarizado diretamente assim conduzindo. Nessas condies a realimentao positiva interna existente levar o PUT ao disparo.

Aps ter disparado o PUT s voltar ao corte quando a tenso de anodo cair abaixo da tenso de vale V V, anloga tenso de manuteno no SCR. Se fizermos uma analogia com o UJT teremos no ponto de disparo: UJT :
VP=0,7+ .VCC

PUT: VA =VBE + VTH Onde: Comparando as duas expresses conclumos que a relao intrnseca de disparo do PUT pode ser ajustada externamente atravs de RB1 e RB2.

Obtendo a forma de onda no PUT: 1. Comparativo UJT e PUT Apesar de sua semelhana com o SCR, o PUT chamado transistor de unijuno, uma vez que o mesmo usado em circuitos onde poderiam ser usados UJTs convencionais. As caractersticas de ambos dispositivos so semelhantes, mas a tenso de disparo do PUT programvel, podendo ser fixada atravs da escolha de um divisor resistivo adequado. Alm disso, o PUT mais rpido e mais sensvel que o UJT e embora encontre aplicaes limitadas como elemento de controle de fase, em circuitos de tempo de longa durao, seu desempenho superior face sua menor corrente de

pico no disparo. 1. Concluso

Observe que agora a relao de disparo no pode ser mais chamada de intrnseca, pois no depende mais do dispositivo. Como fica evidente, a caracterstica de um PUT semelhante do UJT, e sendo assim, a nomenclatura utilizada a mesma o que ir variar o tempo de disparo. Em um PUT as grandezas Ip (corrente de disparo), Iv (corrente de fim de disparo) ,

Vp (tenso de disparo) e

so programveis.

As correntes Ip e Iv dependem dos valores de Vs e RG. Anexos EXEMPLO DE PUT COMERCIAL 2N6027 e 2N6028 Encapsulamento TO-92 Terminais 1. Anodo 2.Gate 3. catodo

A tabela a seguir mostra os limites e os valores de alguns parmetros. Bibliografia

http://www.eletrohoo.com.br/site/componentes/transistores/o_tuj/index.asp http://www.coinfo.cefetpb.edu.br/professor/ilton/apostilas/discip_yahoo/iltonbarbacena/alarme/transistores5.pdf www.newtoncbraga.com.br

www.ilton.tk 1230 visitas | 115 downloads

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Comentrios

1. Adriano - em 08/03/2011 Achei esse arquivo muito explicativo.......Muito bom =) Material de apoio: Perguntas frequentes Privacidade Termos de uso Sobre o ebaH!: O que o ebaH!? Fale conosco Ajude-nos a melhorar Imprensa Fique ligado: Blog do ebaH! Twitter do ebaH! EbaH! no Orkut Forum do ebaH! EbaH! no Facebook