BAB I PENDAHULUAN

1.1. Tujuan 1. Mengetahui dan mempelajari karakteristik trasnsistor FET. 2. Mengetahui dan mempelajari penguatan dari sebuah sinyal untuk FET dalam Common Source Circuit. 3. Menyelidiki amplifikasi sinyal dengan sebuah FET dalam rangkaian Common Drain.

1.2. Dasar Teori Transkonduktansi pertanyaan ac, ini didefinisikan sebagai . Dalam

. Dengan menata ulang istilah,

Persamaan ini menyatakan bahwa output arus Id, sama dengan tegangan masukan, Vgs, dikalikan dengan transkonduktansi, gm. Sirkuit Yang Ekivalen Sebuah rangkaian ekivalen FET yang ditunjukkan Gambar 1.1. Pada bagian (a), resistansi internal, rgs, muncul antara gerbang dan sumber, dan sumber arus sama dengan gm Vgs, muncul antara drain dan source. Juga, resistansi drainke-sumber internal, rds, disertakan. Pada bagian (b), model yang ideal telah disederhanakan ditampilkan. Para resistasi, rds, diasumsikan tak berhingga besar sehingga ada sirkuit terbuka antara gerbang dan sumber. Juga, rds diasumsikan cukup besar untuk diabaikan. Sirkuit internal setara FET.

Gambar 1.1. Rangkaian ekivalen FET

Voltage Gain Sebuah rangkaian ekivalen FET yang ideal dengan resistansi saluran AC eksternala ditunjukkan pada Gambar 1.2. Tegangan AC gain dari rangkaian ini adalah adalah : dimana dan . Maka dari itu, tegangan gainnya

Gambar 1.2. Rangkaian ekivalen FET dengan resistansi saluran AC

Dari rangkaian ekivalen tersebut, di dapat : Vd= Ids Rds . Dan dari definisi transkonduktansi di peroleh :

Disubstitusikan

dua

ekspresi

sebelumnya

ke

dalam

persamaan

untuk

menghasilkan gain tegangan

Contoh 1 Sebuah JFET tertentu memiliki gm = 4 mS. Dengan resistensi saluran ac eksternal 1,5 k. Apa tegangan gain yang ideal? Solusi Ar= gm Rd=(4mS)(1.5 K)= 6

Efek Dari

pada Gain

Jika resistansi drain-to-sumber internal dari sebuah FET diperhitungkan, muncul inparalel dengan Rd, seperti ditunjukkan pada Gambar 1.3. Jika Rds tidak cukup besar dari Rd (setidaknya 10 kali lebih besar), gain berkurang dari kasus ideal persamaan sebagai berikut: ( )

Gambar 1.3 Efek dari Contoh 1.3 Pada JFET pada Contoh 1 memiliki Rds adalah diperhitungkan. Solusi Para

pada Gain

.. Tentukan gain tegangan saat

secara efektif secara paralel dengan resistensi ac Rd

menguras

eksternal. Oleh karena itu,

Gain tegangan dikurangi dari nilai 6 (Contoh 1) karena dengan Rd. Pengaruh Resistansi Eksternal pada Sumber Gain

secara paralel

Berdasarkan resistansi eksternal dari terminal sumber FET pada ground dalam ekivalen Gambar 1.4. Pemeriksaan sirkuit ini menunjukkan bahwa tegangan masukan total antara gate dan ground adalah:

Tegangan output yang diambil pada Rd, yaitu :

Oleh karena itu. rumus untuk gain tegangan dikembangkan sebagai berikut:

Gambar 1.4. Resistansi eksternal dari terminal sumber FET pada ground

Penguat Common Source Sebuah penguat common-source adalah salah satu sumber tanpa resistor. Sehingga sumber terhubung ke ground. Self-bias umum-sumber n-channel JFET penguat dengan sumber ac capacitively digabungkan ke pintu gerbang ditunjukkan pada Gambar 1-5 (a). Resistor, RG, melayani dua tujuan: Ini membuat gerbang di sekitar 0 Vdc (karena IGGS sangat kecil). Dan nilai yang besar (biasanya beberapa megohms) mencegah pemuatan sumber sinyal ac. Tegangan bias yang dihasilkan oleh drop di Rs. Kapasitor bypass C2 menjaga sumber efektif FET di ground ac.

Gambar 1.5. Self bias sumber n-channel JFET

Penguat Common Drain Seperti dalam semua amplifier, gain tegangan adalah A1 = Vout / Vin. Untuk pengikut-sumber, Vout adalah Id R2 dan Vin adalah Vgs + IdR2. Oleh karena itu, gain tegangan gerbang-to-source Id R 5I(VGX + IdR2). Mengganti Id = gin VGX ke dalam ekspresi memberikan hasil sebagai berikut:

Istilah Vgs dibatalkan, sehingga:

BAB II PROSEDUR PERCOBAAN

2.1. Alat dan Bahan Tabel 2.1. Alat dan Bahan No. 1. 2. UniTr@in Kartu percobaan Field effect transistors SO4201-7J 3. 4. 5. 6. 7. Voltmeter Function Generator Osiloskop Jumper Kabel Penghubung 1 1 1 Secukupnya Secukupnya Alat dan Bahan Jumlah 1 1

2.2. Prosedur Percobaan Common Source Circuit Percobaan Set-up

Gambar 2.1. Rangkaian percobaan common source circuit

1. Suatu percobaan dihubungkan dengan UniTr@in di interface dan kartu percobaan Field effect transistors SO4201-7J dimasukkan. Jumper dimasukkan seperti yang ditunjukkan oleh garis padat dalam diagram rangkaian dan dihubungkan ke UniTr@in seperti yang tercantum dalam daftar sambungan. Tabel 2.2. Daftar Sambungan Dari Interface S (analog out) Interface (analog out) Untuk MP3 MP5 (mungkin dihilangkan) Interface A+ Interface A Interface B+ Interface B Jumper B1, B2 (awal) B4 (ditambahkan kemudian)

Interface S (analog) Interface (analog out)

MP2 (operating point)/MP7 (output) Interface A

2. Semua instrumen virtual ditutup yang mungkin telah dibuka dan instrumen virtual berikut dibuka dari menu Instrumen - Voltmeter B - Function Generator - Osiloskop (Voltmeter ditutup terlebih dahulu) dan menyesuaikan seperti yang ditunjukkan dalam tabel. Karena voltmeter dan osiloskop tidak dapat digunakan pada saat yang bersamaan, mungkin akan membantu untuk menyimpan satu ruang kerja dengan voltmeter mengatur dan lain dengan pengaturan untuk osiloskop. Kemudian Anda dapat beralih di antara ruang kerja daripada harus membuka dan menutup Vs dan menyesuaikan pengaturannya setiap kali.

Tabel 2.3. Daftar Setting Setting Range 10V Voltmeter B DC dan AV untuk mengukur titik operasi AC dan Vpp untuk mengukur gain A volt/div 100mV AC merah B volt/div 100mV AC biru Osiloskop Time/div 500s Mode X/T Trigger A meningkat Tegangan 1:10, 20% Function Generator Frekuensi 1 kHz Mode Sinus Power ON

3. Dengan B1 dan B2 jumper dimasukkan, potensiometer R3 digunakan un tuk mengatur tingkat operasi dari setengah pasokan listrik tegangan VB pada drain FET (MP2) yang diukur sehubungan dengan pentanahan (MP5). Kemudian tegangan VGS ditentukan antara gate dan source. 4. Sinyal 1 kHz gelombang sinus 400 mV amplitudo diaplikasikan ke input di MP3. Tegangan input (MP3-MP5) dan output (MP7-MP5) pada osilos kop dicatat dan disalin ke dalam Grid 1. 5. Ditentukan gain tegangan dari rangkaian. Gain Vu = 6. Jumper B4 ditambahkan sehingga sumber terhubung ke tanah melalui kapasitor C4. Sinyal gelombang sinus 1 kHz yang sama dari 400 mV amplitudo diterapkan ke input diMP3. Masukan dan tegangan keluaran pada osiloskop dicatat dan disalin ke dalam Grid 2. 7. Ditentukan gain tegangan dari rangkaian dengan kapasitor pada sumbernya. Gain Vu = 8. Apa yang dapat disimpulkan dari hasil yang Anda peroleh ?

9. Jelaskan bagaimana rangkaian beroperasi, digunakan transistor bipolar dengan rangkaian penguat untuk menyoroti persamaan dan perbedaan.

Common Drain Circuit Percobaan set-up

Gambar 2.1. Rangkaian percobaan common source circuit

1. Suatu percobaan dihubungkan dengan UniTr@in di interface dan kartu percobaan Field effect transistors SO4201-7J dimasukkan. Jumper dimasukkan seperti yang ditunjukkan oleh garis padat dalam diagram rangkaian dan dihubungkan ke UniTr@in seperti yang tercantum dalam daftar sambungan. Tabel 2.4. Daftar Sambungan Dari Interface S (analog out) Interface (analog out) Untuk MP3 MP5 (mungkin dihilangkan) Interface A+ Interface A

Interface S (analog) Interface (analog out)

MP6 (operating point)/MP8 (output) Interface A Jumper B1, B2, B3

Interface B+ Interface B

2. Semua instrumen virtual ditutup yang mungkin telah dibuka dan instrumen virtual berikut dibuka dari menu Instrumen - Voltmeter B - Function Generator - Osiloskop (Voltmeter ditutup terlebih dahulu) dan menyesuaikan seperti yang ditunjukkan dalam tabel. Karena voltmeter dan osiloskop tidak dapat digunakan pada saat yang bersamaan, mungkin akan membantu untuk menyimpan satu ruang kerja dengan voltmeter mengatur dan lain dengan pengaturan untuk osiloskop. Kemudian Anda dapat beralih di antara ruang kerja daripada harus membuka dan menutup Vs dan menyesuaikan pengaturannya setiap kali.

Tabel 2.3. Daftar Setting Setting Range 10V Voltmeter B DC dan AV untuk mengukur titik operasi AC dan Vpp untuk mengukur gain A volt/div 100mV AC merah B volt/div 100mV AC biru Osiloskop Time/div 500s Mode X/T Trigger A meningkat Tegangan 1:10, 20% Function Generator Frekuensi 1 kHz Mode Sinus Power ON

3. Dengan B1, B2 dan B3 jumper dimasukkan, potensiometer R3 digunakan untuk mengatur tingkat operasi dari setengah pasokan listrik tegangan VB pada drain FET (MP2) yang diukur sehubungan dengan pentanahan (MP5). Kemudian tegangan VGS ditentukan antara gate dan source. 4. Sinyal 1 kHz gelombang sinus 4 V amplitudo diaplikasikan ke input di MP3. Tegangan input (MP3-MP5) dan output (MP8-MP5) pada osilos kop dicatat dan disalin ke dalam Grid 1. 5. Ditentukan gain tegangan dari rangkaian Gain Vu = 6. Jelaskan bagaimana rangkaian beroperasi kesamaan dan perbedaan dengan disorot rangkaian penguat menggunakan transistor bipolar. 7. Diringkas perbedaan antara sumber yang sama dan sirkuit common souce, tabel berikut diisi dengan karakteristik yang telah diamati selama percobaan. Tabel 2.4 Perbedaan antara common source dan common drain Common Source Input resistansi re Output resistansi ra Tegangan gain Vu Perbedaan Common Drain

8. Beberapa aplikasi disarankan untuk rangkaian common source dan common drain dengan FET.

BAB III ANALISA DATA DAN PEMBAHASAN

3.1. Data Hasil Percobaan

Tabel 3.1 Data Hasil Percobaan No . Bentuk Gelombang

1.

2.

3.

3.2 ANALISA DATA

Common Source Circuit

dik :

Tegangan 1 : 10 Vin = 1 V Vout = 10 V

Vp-p A

= 1,8 div x 100 mV/div = 180 mV

Amplitudo

= x Vp-p = x 180 mV = 90 mV

Vp-p B

= 4 div x 500 mV/div = 2000 mV

Amplitudo

= x 2000 mV = 1000 mV

Waktu (T)

= 2 div x 500s = 1 ms

Frekuensi

= 1/T = 1/1 ms

= 1000 Hz Gain Vu = = = 10

setelah ditambahkan jumper B4, maka dik : Tegangan 1 : 10 Vin = 1 V Vout = 10 V

Vp-p A

= 4 div x 100 mV/div = 400 mV

Amplitudo

= x 400 mV = 200 mV

Vp-p B

= 4 div x 500 mV/div = 2000 mV

Amplitudo

= x 2000 mV = 1000 mV

Waktu (T)

= 2 div x 500s = 1 ms

Frekuensi

= 1/T = 1/1 ms = 1000 Hz

Gain Vu

= 10

Common Drain Circuit dik : Tegangan 1 : 10 Vin = 1 V Vout = 10 V

Vp-p A

= 0,4 div x 500 mV/div = 200 mV

Amplitudo

= x 200 mV = 100 mV

Vp-p B

= 0,8 div x 500 mV/div = 400 mV

Amplitudo

= x 400 mV = 200 mV

Waktu (T)

= 2 div x 500s = 1 ms

Frekuensi

= 1/T

= 1/1 ms = 1000 Hz Gain Vu = = = 10

3.3. Pembahasan

Dalam modul 5 ini, membahas tentang penguat Field Effect Transistor (FET) yang dilakukan sebanyak 2 kali percobaan dengan tujuan untuk melihat perbedaan dari ke tiga komponen FET, yaitu konfigurasi Common Source Circuit, Common Gate Circuit, dan Common Drain Circuit. Dua jenis percobaan yang dilakukan yaitu common source dan common drain.

Untuk percobaan pertama, yaitu percobaan dengan konfigurasi Common Source Circuit. Berdasarkan prosedur percobaan, UniTr@in interface

dihubungkan dengan UniTr@in experiment yang sebelumnya telah dimasukkan kartu percobaan Field effect transistors SO4201-7J. Setelah selesai dirangkai, tutup aplikasi UniTr@in, kemudian hidupkan UniTr@in dan tunggu sampai lampu indikator bewarna hijau. Selanjutnya buka kembali software Lucas Null dan diatur pula ketentuan yang sesuai dengan yang ada pada prosedur percobaan yaitu menentukan besar tegangan pada voltmeter B.

Setelah selesai menutup voltmeter B, langkah selanjutnya yaitu mengatur Function Generator dan osiloskop sesuai dengan Tabel 2.3. Daftar Setting pada prosedur percobaan. Kemudian akan dapat dilihat bentuk sinyal yang dihasilkan, dilihat dan dicatat masukan dan keluarannya pada osiloskop dan diatur gelombangnya dengan menggunakan potensiometer yang ada pada kartu percobaan. Jumper B1 dan B2 dimasukkan kemudian dengan menggunakan

potensiometer R3 di atur tingkat operasi dari setengah pasokan listrik tegangan VB pada drain FET (MP2) yang diukur sehubungan dengan ground (MP5). Bentuk gelombang A adalah setengah dari gelombang B. Hasilnya adalah bentuk amplitudo gelombang A lebih tinggi daripada gelombang B. Kemudian ditambahkan jumper B4 sehingga sumber terhubung ke ground melalui kapasitor C4. Maka diperoleh bentuk gelombang A dan gelombang B sama besar dan amplitudo serta periode juga sama besarnya.

Pada percobaan kedua dengan konfigurasi Common Drain Circuit, peralatan praktikum yang digunakan sama seperti pada percobaan pertama, hanya saja ada penambahan konektor B3 dan konektor B4 dihilangkan. Dengan menggunakan potensiometer R3 di atur tingkat operasi dari setengah pasokan listrik tegangan VB pada drain FET (MP2) yang diukur sehubungan dengan ground (MP5). Diperoleh bentuk gelombang A dan gelombang B sama besar dan amplitudo serta periode juga sama besarnya namun bentuk gelombang pada percobaan Common Drain Circuit lebih kecil dibanding pada percobaan Common Source Drain.

Dari percobaan ini menghasilkan perbedaan antara percobaan common source dan percobaan common drain. Seperti yang terdapat pada tabel 3.2 berikut ini.

Tabel 3.2 Perbedaan Antara Common Source dan Common Drain Common Source Input resistansi re Output resistansi ra Tegangan gain Vu Perbedaan Sama Berbeda Sama Berbeda Common drain Sama Berbeda Sama Berbeda

Isi tabel di ganti lebih pada penjelasan

BAB IV PENUTUP

4.1. Kesimpulan Dari percobaan ini, dapat disimpulkan bahwa : 1. Ada 3 konfigurasi penguat pada FET, yaitu: Common Source Circuit Common Gate Circuit Common Drain Circuit

2. FET menghasilkan arus dari Drain, dilakukan oleh tegangan antara Gate dan Source. 3. Pada penguat FET ini dilakukan dua percobaan , yaitu common source dan common drain. 4. Untuk percobaan common source gelombang keluaran yang dihasilkan lebih besar dari gelombang pertama. 5. Pada percobaan ini potensiometer digunakan untuk mengatur besar kecilnya sinyal gelombang keluaran yang dihasilkan. 6. Nilai tegangan puncak ke puncak pada channel A (Vpp-A) yang dihasilkan pada common source bernilai 180 mV, saat ditambahkan jumper B4 VppA-nya bernilai 400mV, sedangkan pada common drain bernilai 200 mV.

LEMBAR KERJA/TUGAS

1. Carilah dasar teori tentang Voltmeter, Osiloskop dan Transistor FET! Jawab : Voltmeter Voltmeter adalah alat yang digunakan untuk mengukur beda potensial listrik . Voltmeter biasanya disusun secara paralel (sejajar) dengan sumber tegangan atau peralataan listrik. Cara memasang voltmeter adalah dengan menghubungkan ujung sumber tegangan yang memiliki potensial lebih tinggi (kutub positif) harus dihubungkan ke terminal positif voltmeter,dan ujung sumber tegangan yang memiliki potensial lebih rendah (kutub negatif) harus dihubungkan ke terminal negatif voltmeter. Biasanya voltmeter digunakan untuk mengukur sumber tegangan seperti baterai, elemen Volta, atau aki.

Gambar 4.1. Rangkaian Voltmeter yang dipasang terhadap beban

Bagian-bagian voltmeter hanya terdiri dari skala penunjuk besarnya tegangan, setup pengatur fungsi, dan kutub positif serta negatif. Selain voltmeter sederhana, juga tedapat voltmeter elektronik yaitu voltmeter elektronik analog dan voltmeter digital.

Osiloskop

Osiloskop adalah alat ukur yang di gunakan untuk memetakan atau membaca sinyal listrik maupun frekuensi. Osiloskop di gunakan dalam pengukuran rangkaian elektronik seperti stasiun pemancar radio, TV, atau dalam kegunaan memonitor frekuensi elektronik seperti di rumah sakit dan untuk kegunaankegunaan lainnya. Beberapa fungsi osiloskop antara lain untuk: * Mengukur besar tegangan listrik dan hubungannya terhadap waktu. * Mengukur frekuensi sinyal yang berosilasi. * Mengecek jalannya suatu sinyal pada sebuah rangkaian listrik. * Membedakan arus AC dengan arus DC. * Mengetahui noise pada sebuah rangkaian listrik.

Transistor FET Transistor Bipolar dinamakan demikian karena bekerja dengan 2 (bi) muatan yang berbeda yaitu elektron sebagai pembawa muatan negatif dan hole sebagai pembawa muatan positif. Ada satu jenis transistor lain yang dinamakan FET (Field Efect Transistor). Berbeda dengan prinsip kerja transistor bipolar, transistor FET bekerja bergantung dari satu pembawa muatan, apakah itu elektron atau hole. Karena hanya bergantung pada satu pembawa muatan saja, transistor ini disebut komponen unipolar. Umumnya untuk aplikasi linear, transistor bipolar lebih disukai, namun transistor FET sering digunakan juga karena memiliki impedansi input (input impedance) yang sangat besar. Terutama jika digunakan sebagai switch, FET lebih baik karena resistansi dan disipasi dayanya yang kecil. Ada dua jenis transistor FET yaitu JFET (junction FET) dan MOSFET (metaloxide semiconductor FET). Pada dasarnya kedua jenis transistor memiliki

prinsip kerja yang sama, namun tetap ada perbedaan yang mendasar pada struktur dan karakteristiknya.

Transistor JFET

Gambar dibawah menunjukkan struktur transistor JFET kanal N dan kanal P. Kanal N dibuat dari bahan semikonduktor tipe N dan kanal P dibuat dari semikonduktor tipe P. Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal kedua sisi implant ini terhubung satu dengan lainnya secara internal dan dinamakan Gate.

Gambar 4.2. Struktur JFET (a) kanal-n (b) kanal-p

Istilah field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor ini yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk antara semikonduktor tipe N dan tipe P, karena bergabungnya elektron dan hole di sekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source. Pada gambar di atas, lapisan deplesi ditunjukkan dengan warna kuning di sisi kiri dan kanan.

Transistor MOSFET Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain, source dan gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET.

Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua jenis enhancement-mode. Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk IC (integrated circuit), uC (micro controller) dan uP (micro processor) yang tidak lain adalah komponen utama dari komputer modern saat ini.

DAFTAR PUSTAKA

1. Floyd, Thomas L, Electronic device, Pearson prentice Hall, US, 2005. 2. http://nationalinks.blogspot.com/2009/02/definisi-voltmeter.html 3. http://elektronika-dasar.com/tag/pengertian-transistor-fet/

LAMPIRAN

1.

2.

3.

Darussalam, 24 Maret 2012 Asisten

(Oktavina)

Revisi 1 1. 2. 3. 4. 5. 6. Dasar teori harus beda dengan kawan Jelasan perbedaan pada tabel common souce dan comom drain Kesimpulan di tambah Isi prosedur percobaan di perjelas Analisis kesalahan dibuat Prosedur percobaan yang belum di buat tolong di buat