Welcome to Scribd. Sign in or start your free trial to enjoy unlimited e-books, audiobooks & documents.Find out more
Download
Standard view
Full view
of .
Look up keyword
Like this
1Activity
0 of .
Results for:
No results containing your search query
P. 1
03 Studi Pengaruh Doping Fadhol

03 Studi Pengaruh Doping Fadhol

Ratings: (0)|Views: 2|Likes:
Published by Rochman Hadi

More info:

Published by: Rochman Hadi on Apr 19, 2012
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

04/19/2012

pdf

text

original

 
 MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 7, NO. 1, APRIL 2003
15
STUDI TENTANG PENGARUH
 DOPING
TINGGITERHADAP RESISTANSI BASIS DAN
 BANDGAP NARROWING
 PADA Si/Si
1-x
Ge
x
/Si HBT
Achmad Fadhol
Jurusan Teknik Elektro, Institut Teknologi Adhi Tama Surabaya, Surabaya 60117, Indonesia
 E-mail: afdolurr@yahoo.com
Abstrak
 Heterojunction
adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan
bandgap
yang berbedayang mempunyai ketipisan di bawah 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si
1-x
Ge
x
sebagai basis.Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang
abrupt 
atau
graded 
. Pada penelitian ini dipelajari formulasi daripengaruh konsentrasi
doping
terhadap tahanan basis dan
bandgap narrowing
pada Si/Si
1-x
Ge
x
 /Si
 Heterojunction Bipolar Transistor 
dengan sambungan emitter-basis yang
abrupt 
, selain memperhatikan mobilitas dan lebar basis padaresistansi basis juga pengaruh fraksi mole pada energi
bandgap
. Dari hasil perhitungan menunjukkan bahwapenambahan konsentrasi
doping
dari N
B
=5.10
18
cm
-3
menjadi N
B
=5.10
20
cm
-3
pada basis dapat menurunkan nilairesistansi basis sebesar 3.6 %, menaikkan
bandgap narrowing
sebesar 0.126, dan meningkatkan kerapatan arus kolektorsebesar 1.36 kali pada Ge sebesar 24%.
Abstract
Study About High Influence Doping to Base Resistance and Bandgap Narrowing at Si/Si
1-x
Ge
x
 /Si HeterojunctionBipolar Transistor
.
 Heterojunction
is a link formed bedween two semiconductor materials and differend
bandgap
 which has thinness under 50nm and grow the mixture of plate SiGe as bases. The link is an
abrupt 
link or
graded 
one.In this research learnt formulation of 
doping
concentration influence to basis resistance and
bandgap narrowing
throughSi/Si
1-x
Ge
x
 /Si
 Heterojunction Bipolar Transistor 
with
abrupt 
emitter-basis link, besides taking care to mobility andbasis wide to basis resistance, it is also influence of mole fraction to
bandgap
power. From the result shows that
doping
 concentration addition of N
B
=5.10
18
cm
-3
to N
B
=5.10
20
cm
-3
in basis can decrease resistance basis value about 3.6%,increase
bandgap narrowing
about 0.126, and increase collector current density for about 1.36 times to Ge 24%.
Keywords : Heterojunction, doping, bandgap narrowing
1. Pendahuluan
Konsep awal HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)telah disampaikan sekitar lima puluh tahun yang lalutepatnya tahun 1951 oleh Shockley dan Kromer yangbertujuan untuk memperbaiki unjuk kerja dari sebuahtransistor homojunction bipolar yang ada saat itu. Untuk memperbaiki unjuk kerja tersebut digunakan komposisimaterial yang menghasilkan bandgap lebih lebar padaemitter dibandingkan pada basis. Adapun unjuk kerjayang dimaksud adalah penguatan arus (
current gain
),efisiensi emitter dan kecepatan yang tinggi.Untuk memenuhi hal tersebut di atas maka digunakanbeberapa teori [1]. Pertama memberikan konsentrasi
doping
yang tinggi pada emitter sehingga diperolehpenguatan yang besar, dengan konsentrasi
doping
yangtinggi pada emitter dapat menyebabkan penyempitan
bandgap
yang mengakibatkan peningkatan injeksi daribasis yang pada akhirnya akan mengurangi penguatanyang ingin diperoleh. Kedua untuk mendapatkanpenguatan yang besar dan divais yang cepat, konsentrasi
doping
pada basis harus rendah dan basis harus dibuattipis, akan tetapi hal ini dapat menyebabkan resistansibasis menjadi tinggi sehingga dapat menurunkankecepatan divais.Permasalahan tersebut dapat diatasi dengan solusi yangditawarkan adalah membuat transistor bipolar dengan
bandgap
yang lebih sempit pada basis yang disebut
 Heterojunction Bipolar Transistor 
. Dengan cara ini
 
 MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 7, NO. 1, APRIL 2003
 16
dapat digunakan bahan semikonduktor yang
bandgap-
nya lebih lebar pada emitter, resistansi basis dapatdibuat rendah dengan memberikan konsentrasi
doping
yang tinggi pada basis dan basis dapat dibuat tipis.Adapun material yang dapat memberikan
 Heterojunction Bipolar Transistor 
dengan unjuk kerjayang baik sampai saat ini antara lain Si/SiGe,GaAlAs/GaAs dan InGaAs/InAlAs/InP.Pada penelitian ini dipelajari tentang pengaruhkonsentrasi
doping
yang tinggi terhadap resistansibasis dan
bandgap narrowing
pada Si/Si
1-x
Ge
x
 /Si
 Heterojunction Bipolar Transistor 
dengan lebar basisdan fraksi mole yang berbeda-beda.
2. Metode
Pada perancangan divais SiGe heterojunction bipolartransitor tipe npn ini persamaan mobilitas yang dipakaidiambil dari persamaan yang digunakan oleh ZeljkaMatutinovic-Krstelj [2].
5.0317,
10135020
 ⎠ ⎞⎝ ⎛ ++=
cm N 
 Bdrift  p
µ 
(1)
 p
µ 
adalah mayoritas carrier
hole
 
mobility
didalambasis. Dengan mengetahui harga mayoritas carrier
hole
 mobility didalam
hole
tersebut, maka kita akanmendapatkan juga harga dari resistansi basis didalambasis dengan menggunakan persamaan seperti di bawahini [3]
 B B p B
 N q R
µ 
1
=
(2)dengan
q
: muatan electron,
 N 
 B
: konsentrasi
doping
 basis dan
 B
: lebar basis.Pada penelitian sambungan yang terbentuk berupasambungan
abrupt 
dan persamaan
bandgap narrowing
 yang dipakai adalah sebagai berikut [2]
)(68810log4.276.28
31810
 xcm N  E 
 Bg
+ ⎠ ⎞⎝ ⎛ +=
(3)dengan
g
 E 
: energi
bandgap norrowing
,
 x
: molefraction.Persamaan dasar arus kolektor untuk mekanisme
difusi
 dan
drift 
yang digunakan pada pemodelan ini adalah 
Gambar 1. Profil
 doping
pada emitter, basis dan colektorTabel 1. Struktur divais
Emiter Basis Kolektor
 N 
 E 
: 10
18
cm
-3
 
 E 
: 50 nmBahan : Si
 N 
 B
 
: 5.10
18
,
 
5.10
19
,5.10
20
cm
-3
 
 B
: 10,20,30,40,50 nmBahan : Si
1-x
Ge
 x
 
 x
: 8% s/d 24% , interval 4%
 N 
: 7.10
17
cm
-3
 Bahan : Si
 
 MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 7, NO. 1, APRIL 2003
17
persamaan arus yang digunakan oleh Benedicte Le Tron[4]. Untuk transistor bipolar
npn
berlaku dengan
 ⎠ ⎞⎝ ⎛  ⎠ ⎞⎝ ⎛ =
kT  E kT qV  N nkT  J 
gb BE  B BionSi
expexp
2)(
µ 
(4)
: konstanta Boltzman,
: temperature,
µ 
n
: mobilitaselektron (pembawa minoritas) didalam basis,
n
io2
:konsentrasi pembawa muatan intrinsik,
q
: muatanelektron, V
 BE
: tegangan B-E,
 N 
 B
: konsentrasi
doping
 pada basis, W
B
: lebar basis dan
 E 
gb
:
bangap narrowing
(
doping
 
induced 
) dalam basis.Sedangkan persamaan untuk konsentrasi pembawaintrinsic diberikan sebagai berikut [4]
( )
 ⎠ ⎞⎝ ⎛  ⎠ ⎞⎝ ⎛ =
kT  E mmhn
G pnio
exp24
32 / 3322
π 
(5)dengan
h
: konstanta Planck,
m
n
: massa efektif electron,
m
 p
: massa efektif 
hole
dan
 E 
G
adalah Variasi bandgapsilicon. Perubahan konsentrasi pembawa muatanintrinsik ini mempengaruhi besarnya arus rekombinasipada basis netral, arus rekombinasi pada
base space-charge region
dan arus kolektor.Pengaruh mekanisme
drift 
-difusi pada HBT dihitungdengan cara yang sama seperti pada BJT. Perbedaannyaadalah karena basis HBT terbuat dari SiGe maka nilaiparameter yang digunakan berbeda dengan nilaiparameter Si, terutama pada nilai
bandgap narrowing
 yang selain dipengaruhi oleh konsentrasi
doping
yangtinggi, juga dipengaruhi oleh besarnya fraksi mol Ge.Adapun kerapatan arus electron untuk SiGe adalahsebagai berikut [4]
 ⎠ ⎞⎝ ⎛ =
kT  E  N  N  N  N  J  J 
gSinSiGenSiSiGeSiSiGe
exp
)()()()()()(
µ µ 
(6)dengan
 N 
: konsentrasi konduksi,
 N 
: konsentrasivalensi dan
 E 
g
:
bandgap narrowing
pada basis(germanium).Struktur divais yang digunakan dalam penulisan iniseperti yang terlihat dalam Gambar 1. Adapun Strukturdivais yang digunakan dalam perhitungan nilai
 N 
 E 
dan
 E 
dibuat tetap yaitu 10
18
cm
-3
dan 50 nm, sedangkannilai
 N 
 B
dan
 B
bervariasi seperti yang terlihat dalamTabel 1.
3. Hasil dan Pembahasan
Pada analisa ini struktur divais yang digunakan sepertiyang terlihat dalam Tabel 1, sedangkan perhitungannyadilakukan dengan bantuan
 MatLab
dan hasilnyasebagian besar dinyatakan dalam bentuk tabel dangrafik.
10
18
10
19
10
20
10
21
30405060708090100110120130Doping basis (cm
-3
)
   M   o   b   i   l   i   t  y   h   o   l   e   (   c   m
  -   2
   /   V   s   )
 
Gambar 2. Pengaruh
 doping
pada basis terhadap mobilitas
 hole
 Tabel 2. Pengaruh
 doping
pada basis terhadap mobilitas
 hole
 
NB (cm
-3
)
µ
p
 
NB1 = 5 x 10
18
128.15NB2 = 5 x 10
19
 
63.36NB3 = 5 x 10
20
 
34.98

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->