STOJAN RISTI

ELEKTRONSKE KOMPONENTE
PREDAVANJA Godina: I Semestar: II

Elektronski fakultet Ni

2011.

SADRAJ
1. UVOD 2. KOMPONENTE SA IZVODIMA I KOMPONENTE ZA POVRINSKO MONTIRANJE (SMD)
2.1. KOMPONENTE SA IZVODIMA 2.2. KOMPONENTE ZA POVRINSKO MONTIRANJE SMD 2.3. KUITA 2.4. LEMLJENJE KOMPONENATA 7

9 9 10 13 18 25 25 25 26 28 29 31 33 35 37 38 39 40 40 41 42 43 44 44 46 47 48 48 52 53 55 58 58 58 60 61 61

3. OTPORNICI
3.1. OPTE O OTPONICIMA 3.1.1. Vrste otpornika 3.1.2. Osnovne karakteristike otpornika 3.1.3. Nizovi nazivnih vrednosti otpornosti i klase tanosti 3.1.4. Oznaavanje otpornika 3.1.5. Stabilnost karakteristika otpornika 3.1.6. Frekventna svojstva otpornika 3.2. NENAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI 3.2.1. Ugljenini otpornici 3.2.2. Metalslojni otpornici 3.2.3. Slojni kompozitni otpornici 3.2.4. Maseni kompozitni otpornici 3.2.5. ip otpornici 3.2.6. Otporniki moduli (otpornike mree) 3.3. NAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI 3.3.1. Temperaturna kompenzacija 3.4. OTPORNICI PROMENLJIVE OTPORNOSTI (POTENCIOMETRI) 3.4.1. Osnovne karakteristike potenciometara 3.4.2. Vrste potenciometara 3.4.3. Regulacioni otpornici (trimeri) 3.5. OTPORNICI SA NELINEARNOM PROMENOM OTPORNOSTI 3.5.1. NTC otpornici 3.5.2. PTC otpornici (pozistori) 3.5.3. Varistori 3.5.4. Fotootpornici

4. KONDENZATORI
4.1. OPTE O KONDENZATORIMA 4.1.1. Kapacitivnost kondenzatora 4.1.2. Klase tanosti; oznaavanje kondenzatora 4.1.3. Dielektrici i dielektrina konstanta 4.1.4. Otpornost izolacije i vremenska konstanta kondenzatora
3

4.1.5. Frekventna svojstva kondenzatora 4.1.6. Gubici u kondenzatoru 4.1.7. Stabilnost kondenzatora 4.2. KONDENZATORI STALNE KAPACITIVNOSTI 4.2.1. Papirni kondenzatori 4.2.2. Kondenzatori sa plastinim i metaliziranim plastinim folijama 4.2.3. Liskunski kondenzatori 4.2.4. Stakleni kondenzatori 4.2.5. Keramiki kondenzatori 4.2.6. Elektrolitski kondenzatori 4.2.7. UltraCap kondenzatori 4.3. KONDENZATORI PROMENLJIVE KAPACITIVNOSTI 4.3.1. Obrtni kondenzatori 4.3.2. Polupromenljivi kondenzatori trimeri 4.3.3. Varikap diode

63 64 66 67 68 68 71 72 72 75 80 82 82 82 83 85 85 85 86 89 90 92 93 98 98 98 100 102 104 105 106 107 108 108 111 114 115 116 116 121 121 124 125 126

5. KALEMOVI
5.1. OPTE O KALEMOVIMA 5.1.1. Induktivnost kalemova 5.1.2. Kalemska tela i vrste namotaja 5.1.3. Frekventna svojstva kalemova 5.1.4. Faktor dobrote kalemova 5.2. KALEMOVI BEZ JEZGRA 5.3. KALEMOVI SA JEZGROM

6. TRANSFORMATORI I PRIGUNICE
6.1. KONSTRUKCIJA I PRORAUN 6.1.1. Materijali za magnetna jezgra 6.1.2. Oblici magnetnih jezgara 6.1.3. Osnovne relacije kod transformatora 6.2. MRENI TRANSFORMATORI 6.2.1. Dimenzionisanje jezgra 6.2.2. Namotaji 6.3. PRIGUNICE

7. OSNOVNE OSOBINE POLUPROVODNIKA

7.1. ELEMENTARNI POLUPROVODNICI I POLUPROVODNIKA JEDINJENJA 7.2. SLOBODNI ELEKTRONI I UPLJINE U POLUPROVODNICIMA 7.3. PRIMESNI POLUPROVODNICI 7.3.1. Poluprovodnici n-tipa 7.3.2. Poluprovodnici p-tipa 7.4. ENERGETSKE ZONE 7.5. TRANSPORT NOSILACA NAELEKTRISANJA 7.5.1. Drift nosilaca naelektrisanja 7.5.2. Specifina otpornost i provodnost homogenih poluprovodnika; driftovska struja 7.5.3. Difuzija u poluprovodnicima; difuziona struja 7.5.4. Ukupna struja

8. DIODE
8.1. p-n I n-p SPOJEVI 8.1.1. Ravnoteno stanje na p-n spoju 8.1.2. Kapacitivnost prostornog naelektrisanja 8.2. STRUJA DIODE 8.2.1. Testiranje ispravnosti dioda 8.3. PROBOJ p-n SPOJA 8.3.1. Zenerov proboj 8.3.2. Lavinski proboj 8.4. KONTAKT METAL-POLUPROVODNIK 8.5. PRIMENA DIODA U IZVORIMA NAPAJANJA

127 127 131 135 136 139 141 141 142 143 144 150 150 153 156 157 157 157 161 163 164 165 166 167 169 174 176 177 178 181 181 183 184 188 188 193 193 197 198

9. BIPOLARNI TRANZISTORI
9.1. VRSTE TRANZISTORA 9.1.1. Nain rada tranzistora 9.2. KOEFICIJENT STRUJNOG POJAANJA 9.3. STATIKE STRUJNO-NAPONSKE KARAKTERISTIKE 9.3.1. Statike strujno-naponske karakteristike tranzistora sa uzemljenom bazom 9.3.2. Statike strujno-naponske karakteristike tranzistora sa uzemljenim emitorom 9.4. PRIMENA TRANZISTORA 9.5. ELEKTRINI MODEL TRANZISTORA 9.6. TESTIRANJE ISPRAVNOSTI TRANZISTORA

10. MOS TRANZISTORI

10.1. VRSTE MOS TRANZISTORA 10.1.1. Osnovni principi rada MOS tranzistora 10.2. IZLAZNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA 10.3. PRENOSNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA

11. OSNOVI FOTOELEKTRONSKIH KOMPONENATA

11.1. FOTODIODA 11.2. FOTOGENERATOR (SOLARNA ELIJA) 11.3. FOTOTRANZISTOR 11.4. SVETLEE DIODE (LED) 11.6. KOMPONENTE SA SVETLOSNOM SPREGOM 11.6. POLUPROVODNIKE LASERSKE DIODE

12. OSNOVI INTEGRISANIH KOLA

12.1. VRSTE INTEGRACIJE 12.2. VRSTE INTEGRISANIH KOLA 12.2.1. Monolitna inetgrisana kola 12.2.2. Tankoslojna i debeloslojna integrisana kola 12.2.3. Hibridna integrisana kola
5

13. TAMPANE PLOE

13.1. JEDNOSLOJNE TAMPANE PLOE 13.1.1. Izrada crtea tampanog kola 13.1.2. Prenoenje crtea na ploicu 13.1.3. Nagrizanje ploice 13.1.4. Dvostrano tampana ploa 13.2. VIESLOJNE TAMPANE PLOE 13.3. TAMPANE PLOE ZA POVRINSKU MONTAU

201 202 203 206 210 211 212 214

1. UVOD
Danas se ve pouzdano moe tvrditi da smo savremenici elektronske revolucije. Uvoenje pojma elektronska revolucija ima i stvarni smisao, s obzirom da se kod nje mogu izdvojiti nekoliko faktora bitnih za svaku revoluciju. Prvi od njih je veliina i raspon promene: elektronska revolucija je iz osnova promenila drutvo, zahvatajui pojedinca, njegov dom i radno mesto, obrazovanje, ivotni vek, pa ak i nain raanja i smrti. Druga osobina elektronske revolucije je brzina kojom je osvojen svet, iako vreme njenog najjaeg uticaja traje svega tridesetak godina. Najzad, posle pokretanja, elektronsku revoluciju nita vie nije moglo zaustaviti. Svake godine u elektronici nas impresionira sve ve}i broj tehnolo{kih inovacija, koje su, prvenstveno, posledica intenzivnog razvoja elektronskih komponenata. Ipak, s pravom se mo`e re}i da su ta teholo{ka ~uda veoma skromna u odnosu na ono {to tek dolazi. Pogled na samo deo budu}nosti tehnologije izrade elektronskih komponenata i elektronskih naprava fascinira da je, prakti~no, nezahvalno prognozirati {ta }e se sve i kako u budu}nosti proizvoditi. Kada je re~ o elektronskim komponentama, osnovni cilj }e i dalje biti smanjivanje dimenzija istih, sve do nivoa molekula, pa, ~ak, i atoma. Elektronika bazirana na takvim komponentama ve} sada se zove molekularna elektronika. Pored znatno ve}eg stepena integracije, odnosno izuzetno ve}eg broja komponenata po ~ipu, smanjivanje dimenzija komponenata dove{}e do daljeg pove}anja brzine njihovog rada. Naravno, postoje}i materijali bi}e zamenjeni drugim, tako da }e i principi rada sada{njih komponenata biti druga~iji. Na sl. 1.1 prikazano je kako su se tokom godina smanjivale dimenzije (konkretno du`ina) komponenata.

Sl. 1.1. Smanjivanje dimenzija komponenata tokom godina i predvi|anje do 2020. godine.

Elektronske komponente se mogu podeliti u dve osnovne grupe: pasivne i aktivne. Pod pasivnim komponentama se podrazumevaju one komponente koje nisu u stanju da pojaavaju neki elektrini signal; suprotno njima, komponente koje pojaavaju elektrini signal jesu aktivne
7

komponente. Treba napomenuti da se, pored toga to osnovu savremene elektronike ine poluprovodnike komponente i integrisana kola, pasivne elektronske komponente i dalje masovno proizvode i ugrauju u elektronske ureaje, ali da je, zbog velikog broja i raznovrsnosti, praktino nemogue opisati sve postojee komponente. Na sl. 1.2 su prikazane osnovne pasivne i aktivne elektronske komponente kojima e biti posveena panja u okviru ovoga predmeta, sa naznakom glave u kojoj e biti razmatrane.

Sl. 1.2. Osnovne pasivne i aktivne elektronske komponente kojima e biti posveena panja u okviru kursa koji sledi, sa naznakom glave u kojoj e biti razmatrane.

2. KOMPONENTE SA IZVODIMA I KOMPONENTE ZA POVRINSKO MONTIRANJE (SMD)

Svaka elektronska komponenta mora da poseduje elektrini prikljuak kojim se povezuje sa drugim komponentama u elektrinom kolu. Prema izgledu tih elektrinih prikljuaka elektronske komponente se dele na komponente sa izvodima (to su tkzv. klasine komponente) i na komponente za povrinsko montiranje, ili SMD (od Surface Mounted Devices). Vizuelna razlika izmeu ovih dveju vrsta komponenata moe se uoiti sa sl. 2.1, na kojoj je predstavljen vieslojni keramiki kondenzator u obe verzije.

Sl. 2.1. Vieslojni keramiki kondenzator sa ianim izvodima i u SMD izvedbi.

2.1. KOMPONENTE SA IZVODIMA

Da bi se, u cilju oformljenja unapred definisanih elektronskih kola, komponente sa izvodima (sl. 2.2) nanosile na tampane ploe neophodno je da te ploe poseduju otvore (sl. 2.3) kroz koje se uvlae izvodi komponenata, koji se sa suprotne strane ploe leme (sl. 2.3 i sl. 2.4 a).

Sl. 2.2. Komponente sa izvodima (tkzv. klasine komponente).

Sl. 2.3. tampana ploa sa otvorima (rupama) za montiranje komponenata sa izvodima.

Sl. 2.4. a Montiranje komponenata sa izvodima; b, c povrinsko montiranje komponenata.

2.2. KOMPONENTE ZA POVRINSKO MONTIRANJE SMD

Odmah treba rei da SMD (sl. 2.5) nisu bezizvodne komponente, ve su kod njih izvodi takvog oblika (nekada su to samo kontaktni zavreci) da omoguuju povrinsko montiranje komponenata. Dakle, povrinski montirane komponente, za koje se odmah naglaava da su veoma malih dimenzija (sl. 2.6 i sl. 2.7), jesu komponente koje se direktno leme za tampanu plou, a ne ubacuju se u nju ili neku drugu podlogu (sl. 2.4 b, sl. 2.4c i sl. 2.8). SMD tehnologija ima nekoliko prednosti u odnosu na montiranje komponenata sa izvodima. Prva i najoiglednija prednost jeste drastino poveanje raspoloivog prostora na tampanoj ploi, s obzirom da su komponente za povrinsko montiranje izuzetno malih dimenzija. Na taj nain SMD tehnologija prua mogunost da se prevaziu ograninja u pogledu veliine i teine i daje dopunski stepen slobode pri projektovanju novih minijaturnih elektronskih kola.
10

Otpornik

Keramiki kondenzator

Elektolitski Al Otporniki modul kondenzator

Svetlee diode (LED) Tranzistor (SOT 23)

Diode (SOD 80C)

Integrisana kola
Sl. 2.5. Komponente za povrinsko montiranje SMD.

Sl. 2.6. Jedno integrisano kolo u SMD izvedbi u poreenju sa vrhom prsta.

11

Druga velika prednost je ekonomska. Naime, povrinskim montiranjem komponenata moe da se utedi do 50% ukupnih trokova sklapanja tampanih ploa, a to se postie automatskim ureajima za montau. Istina, i kod komponenata sa izvodima se koristi automatsko ubacivanje izvoda u otvore na tampanoj ploi, ali ta tehnika, iako je brza i pouzdana, zahteva priblino 30% vie prostora na ploi u poreenju sa runom montaom. Trea prednost je u brzini nanoenja, s obzirom da se u SMD tehnologiji mogu da koriste najsavremenije metode lemljenja, kao to su talasno lemljenje i lemljenje razlivnjem, uz napomenu da je lake smetati komponente na supstrat nego ubacivati njihove izvode u otvore na tampanoj ploi. Na taj nain su SMD sistemi bri od ma kojeg ureaja za montau.

Sl. 2.7. Uz prikaz veliine SMD-a.

12

Sl. 2.8. SMD na tampanoj ploi.

etvrta prednost je u poveanju nivoa pouzdanosti gotovih ploa, uz istovremeno njihovo krae testiranje i znaajno smanjeni kart. Izuzetno mali kart kod SMD tehnologoje posledica je nepostojanja otvora u tampanoj ploi, odnosno eliminacije otkaza koji nastaju prilikom formiranja i korienja tih otvora, a takoe i nemogunosti pogrenog smetanja komponenata, s obzirom da je montaa kontrolisana raunarom. Peta dobra osobina SMD tehnologije jeste to su, zbog nepostojanja izvoda, odnosno veoma kratkih izvoda, parametri parazitnih elemenata svedeni na minimalne vrednosti. To, pak, znai da su takva kola sa boljim elektrinim karakteristikama i sa veom brzinom rada. Bolje mehanike karakteristike, odnosno vea izdrljivost na udarce i vibracije jeste esta prednost kola u SMD tehnologiji. I konano, SMD mogu da imaju vei broj izvoda i kontaktnih zavretaka od klasinih komponenata sa izvodima. Nedostaci SMD tehnologije ogledaju se u sloenijim tehnolokim postupcima lemljenja (posebno kada je re o runom lemljenju), teem ispitivanju usled slabije pristupanosti kontaktima, odnosno kontaktnim zavrecima komponenata, kao i u nepostojanju nekih (posebno pasivnih) komponenata sa izrazito visokim nazivnim vrednostima (otpornika veoma velikih otpornosti, kondenzatora sa velikim vrednostima kapacitivnosti).

2.3. KUITA
Velika veina komponenata, o kojima e nadalje biti rei, inkapsulirana je u odreena kuita. Kuita su, prvenstveno, neophodna da bi se sama komponenta, odnosno njen funkcionalni deo pelet (ip) (sl. 2.9), zatitio od spoljanjih uticaja (vlage, temperature, mehanikih oteenja). Pored toga, sama kuita su tako izvedena da se preko njih komponenta vezuje (lemi) u odreeno elektronsko kolo; drugim reima, kuita omoguuju da se preko njih (sl. 2.9) privrste elektrini izvodi kojima se ostvaruje elektrina veza izmeu peleta i ostalog dela elektronskog kola, odnosno drugih komponenata. Elektrina veza izmeu peleta i izvoda ostvaruje se icom koja se sa jedne strane bondira za pelet, a sa druge strane na izvod (sl. 2.9). esto se prema vizuelnom izgledu kuita moe prepoznati vrsta elektronske komponente; to se posebno moe rei za komponente sa izvodima, sl. 2.10. Meutim, kod SMD-a, kada su komponente paralelopipednog (sl. 2.1a), odnosno cilindrinog oblika (sl. 2.11b), vrlo je teko vizuelno razlikovati otpornik od kondenzatora, odnosno otpornik ili kondenzator od diode.
13

Sl. 2.9. Poloaj peleta unutar kuita.

Na sl. 2.10 prikazana su najee koriena kuita za standardene (klasine) diskretne poluprovodnike komponente sa izvodima, konkretno za bipolarne tranzistore. Napominje se da kuita za komponente sa poveanom disipacijom (komponente snage) TO-3, TO-220 i TO247, imaju otvore kroz koje se zavrtnjima privruju za hladnjake, ime se poboljavaju uslovi hlaenja tih komponenata.

Sl. 2.10. Najee koriena kuita bipolarnih tranzistora sa izvodima; diode su u slinim kuitima (samo sa dva izvoda), i tada nose oznake DO.

Najee korieni tipovi i kuita SMD-a prikazani su na sl. 2.11. Paralelopipedni oblik, tkzv. ip-komponente (sl. 2.11a), imaju otpornici, kondenzatori, pa ak i neki kalemovi. Otpornici, takoe, mogu biti i cilindrinog oblika (sl. 2.11b). Cilindrini oblik kuita se koristi i za diode, a oznaava se sa SOD (skraenica od Small Outline Diodes niskoprofilne diode). Kuita diskretnih poluprovodnikih komponenata, prvenstveno se misli na tranzistore (i bipolarne i unipolarne), oznaavaju se sa SOT (od Small Outline Transistors niskoprofilni tranzistori), sl. 2.11c.
14

Integrisana kola u SMD izvedbi se pakuju na vie naina. Kuita SOIC (od Small Integrated Circuits niskoprofilna integrisana kola), sl. 2.11d, koriste se za integrisana kola sa relativno malo izvoda (od 6 do 28). Najea integrisana kola tipa CHIP CARRIER (nosa ipa), sl. 2.11e, jesu PLLC (Plastic Leaded Chip Carrier, sl. 2.12); napominje se da je kod njih izvod sa donje strane savijen ka unutranjosti kuita (u obliku slova J), sl. 2.13. Na sl. 2.11f VSO oznaava kuita za veoma niskoprofilna integrisana kola (od Very Small Outline). U kuita FLATPACK (ravna) sa sl. 2.11g spadaju veoma esto koriena kvadratna QFP (Quad Flat Pack, sl. 2.12 i sl. 2.14a) i bezizvodna kvadratna QFN (Quad Flat Pack Non-lead, sl. 2.12 i 2.14b) kuita. MICROPACK (sl. 2.11h) ili TAB (od Tape Automated Bonding) interisana kola se koriste za automatsko bondiranje sa trake.

Sl. 2.11. Najee korieni tipovi i kuita komponenata za povrinsku montau.

Sl. 2.12. Podtipovi i kuita integrisanih kola za povrinsku montau.

Sl. 2.13. Izvodi (u obliku slova J) kod integrisanih kola sa kuitima tipa Chip carrier. 15

Sl. 2.14. a. Kvadratna QFP (Quad Flat Pack) kuita; (TQFP: Thin Quad Flat Pack; PQFP: Plastic Quad Flat Pack; cifra iza QFP oznaava broj izvoda); b bezizvodna kvadratna QFN (Quad Flat Pack Non-lead) kuita.

Na sl. 2.15 prikazana je tampana ploa jednog elektronskog ureaja sa povrinski montiranim komponentama, na kojoj se vide komponente u SOIC, SOT i QFP kuitima.

Sl. 2.15. Deo jednog elektronskog ureaja sa naznakom komponenata sa SOIC, SOT i QFP kuitima. 16

Za integrisana kola sa veoma velikim brojem izvoda (bolje rei kontaktnih zavretaka) pokazalo se da su najpogodnija tkzv. BGA (od Ball Grid Array) kuita, sl. 2.12 i sl. 2.16. Prednosti BGA kuita ogledaju se u sledeem: imaju svojstvo samocentriranja, imaju krae elektrine veze (a to znai manje parazitne kapacitivnosti i induktivnosti, pa samim tim veu brzinu rada), imaju manju mehaniku osetljivost izvoda, imaju vei razmak izmeu lemnih taaka i imaju bolja termika svojstva u odnosu na ostala SMD kuita.

Sl. 2.16. Integrisana kola u BGA kuitima.

Sl. 2.17. Vieipna MCP (Multi Chip Package) kuita.

17

Na ovom mestu interesantno je pomenuti da postoje, kao na sl. 2.17, vieipna kuita koja u sebi sadre vie meusobno razdvojenih i naslaganih ipova, kao i dvojna kuita (sl. 2.18), gde se, praktino, jedno kuite nalazi u drugom.

Sl. 2.18. Dvojna POP (Package on Package) kuita.

2.4. LEMLJENJE KOMPONENATA

Pod lemljenjem se podrazumeva postupak kojim se, pomou rastopljenog dodatnog materijala (lema), izvodi komponenata spajaju sa provodnim vezama na tampanoj ploi (ili sa izvodima drugih komponenata) u nerazdvojnu celinu. Pri lemljenju se izvodi i metal na tampanoj ploi samo zagrevaju, ali ne tope, a topi se samo materijal za lemljenje, s obzirom da ima nisku taku topljenja (reda 180oC).

Sl. 2.19. Koturovi ice za lemljenje (tinol ice). 18

Za runo lemljenje elektronskih komponenata materijal za lamljenje je najee tinol ica, sl. 2.19, prenika ne veeg od 1 mm (optimalni prenik ovakve ice je 0,7 mm). Dosadanje tinol ice, koje su se pokazale izuzetno efikasne u praksi, najee su sadrale 60% kalaja i 40% olova (taka topljenja 178oC). Meutim, svi elektronski ureji koji e se proizvoditi u zemljama evropske unije ili koji e se u te drave uvoziti moraju da, u skladu sa direktivama RoHS (Restriction of Hazardous Substances), eliminiu iz proizvodnje tih ureaja olovo (Pb), kadmijum (Cd), ivu (Hg), hrom (Cr) i brom (Br). Stoga se proces lemljenja u proizvodnji elektronskih ureaja preusmerava na ice za lemljenje koje ne koriste olovo. U praksi to znai vie temperature topljenja (to ima za posledicu i poveanje radne temperature opreme), slabiji, tj. sporiji temperaturni odziv potrebno je dodatno vreme za rad bez olova, pojavljivanje mostova koji ne obezbeuju dobar kontakt, a takoe povrina lema je hrapava, to oteava pregled spojeva.

Sl. 2.20. Runo lemljenje komponenata.

Kod runog lemljenja komponenata sa izvodima (sl. 2.20), neophodno je prvo dobro oistiti sve delove koji e se lemiti, a zatim vrh lemilice nasloniti na lemno mesto tako da dodiruje i provodni sloj na tampanoj ploi i metalni izvod komponente koji se lemi. Odmah potom treba prisloniti tinol icu na taku koja predstavlja tromeu vrha lemilice, metalnog sloja ploice i lemnog vrha komponente, sl. 2.21a. Ako je lemilica dobro zagrejana (na oko 300oC) i ako su lemne povrine iste, vrh tinola e se trenutno istopiti i, zahvaljujui adheziji, poeti da obuhvata sve metalne povrine. Bez prekida treba nastaviti da se uvodi tinol i, kad se proceni da ga je dovoljno, skloniti tinol icu i nastaviti sa dranjem lemilice na istom mestu jo oko jedne sekunde, odnosno lem se ne sme dugo grejati moe doi do unitenja komponente ili odvajanja bakarne folije sa ploice. Posle toga se ukloni lemilica i procenjuje kvalitet uraenog lema. Ohlaeni i oformljeni tinol treba da ima oblik kupe kao na noici koja je na sl. 2.21b.

Sl. 2.21. Runo lemljenje komponenata sa izvodima. 19

Treba napomenuti da, iako postoji posebna pasta za lemljenje, nju ne treba koristiti, s obzirom da se u samoj tinol ici nalazi sredstvo koje pospeuje proces lemljenja. Meutim, to sredstvo deluje samo u prvom trenutku, kad se tinol rastapa, a posle hlaenja postaje potpuno neaktivno. Ovo sredstvo je neophodno, odnosno lemljenje je bez njega nemogue, ali ako lemljenje nije uspelo iz prvog pokuaja (npr. ako tinol nije u celosti obuhvatio lemne povrine), nita se nee popraviti samo lemilicom, bez novog tinola. Pored toga, kada delovi koji se leme (bakarna folija na tampanoj ploi i izvodi komponente) nisu isti, ili je sam proces lemljenja loe izveden, spojevi mogu da dobiju jedan od oblika kao na sl. 2.21c. U tom sluaju nije preporuljivo dalje dodavanje tinola, iako se njegovim upornim nanoenjem mogu ostvariti spojevi koji lie na one sa sl. 2.21b to su tkzv. hladni spojevi, tj. spojevi koji vizuelno izgledaju kao dobri, a u stvari su neispravni, jer ne obezbeuju elektrinu vezu na mestima lemljenja. Tada, kao i u sluaju da tinola ima previe na lemnom mestu, bolje ga je ukloniti pomou vakuum pumpice (sl. 2.22), ponovo dobro oistiti lemne povrine, pa ponoviti proces lemljenja od poetka. Vrh lemilice potrebno je s vremena na vreme obrisati vlanim suneriem, da bi se odrao uvek istim, ali se ne sme koristiti sintetiki suner (onaj koji se obino koristi u domainstvu za pranje), jer e se istopiti.

Sl. 2.22. Vakuum pumpica za uklanjanje vika tinola sa lemnog mesta.

Runo lemljenje komponenata za povrinsku montau (SMD-a) se obavlja lemilicama male snage (12 W do 18 W) sa izuzetno uzanim vrhom. U tu svrhu se na mesto lemljenja na tampanoj ploi prvo lemilicom nanese malo lemnog materijala iz tinola (sl. 2.23a), a zatim se na ta ostrvca postavi SMD (sl. 2.23b). Potom se vrh lemilice zajedno sa tinol icom prisloni na to ostrvce (sl. 2.23c), tako da se lemni materijal rastopi, a SMD lagano pritiska na dole sve dok ne legne na svoje mesto, a lem dobije oblik kao na sl. 2.23c (desno).

Sl. 2.23. Runo lemljenje komponenata za povrinsko montiranje (SMD-a).

20

Za runo lemljenje SMD-a, uz izuzetnu spretnost izvrioca lemljenja, pored opisanog lemljenja lemilicom, koriste se i duvaljke toplog vazduha, koje u principu izgledaju kao na sl. 2.24.

Sl. 2.24. Duvaljke toplog vazduha za lemljenje SMD-a.

Pored opisanog naina lemljenja SMD-a, postoji i lemljenje selektivnim grejaem. Naime, posebno oblikovani zagrejani greja se postavlja samo na izvode komponenata, tako da se svi izvodi (samo jedne komponente) istovremeno leme; ovaj nain lemljenja je posebno pogodan za lemljenje integrisanih kola sa ravnim kuitima. Izvodi (ili kontaktni zavreci) ostaju pritisnuti grejaem sve dok se mesto lemljenja ne ohladi. Nedostaci ovog lemljenja jesu to se na taj nain ne mogu lemiti svi tipovi komponenata (npr. integrisana kola sa keramikim kuitima) i to se istovremeno ne moe lemiti vie komponenata, ve samo jedna po jedna. Pored tampanih ploa samo sa komponentama sa izvodima i iskljuivo sa komponentama za povrinsku montau, postoje i tampane ploe meovitog tipa, sl. 2.25a. Osnovni koraci sklapanja (montae) tampanih ploa meovitog tipa prikazani su na sl. 2.25b. Prvo se ubacuju komponente sa izvodima u otvore na ploi i krajevi privrste; zatim se ploa okree i nanosi lepak (adheziv) na plou ili na komponentu. Posle nanoenja adheziva postavljaju se SMD i, da bi adheziv formirao dobru vezu pri lemljenju, ploa se sui. Nakon toga se komponente leme. Napominje se da je, takoe, mogue montiranje na istoj strani tampane ploe i SMD-a i komponenata sa izvodima. Metode koje su nale iroku primenu pri lemljenju SMD komponenata, posebno pri automatskoj montai SMD-a, jesu lemljenje razlivanjem i talasno lemljenje, sl. 2.26. Za lemljenje razlivanjem neophodno je korienje paste za lemljenje. Pasta za lemljenje je meavina osnovnog sredstva za lemljenje (obino srebro-paladijuma), vezivnog sredstva i tenog materijala. Ova pasta se nanosi na tampanu plou, a zatim se komponente postavljaju tako da se izvodi, odnosno kontaktni zavreci, praktino urone u pastu. Nakon toga se i tampana ploa i komponente zagrevaju, pri emu se lem razliva i ostvaruje istovremeno lemljenje svih komponenata; tipine temperature pri ovom nainu lemljenja su (215230)0C. Kod talasnog lemljenja komponente se privruju za tampanu plou lepkom, odnosno adhezivom i, nakon suenja, alje se velika koliina lema u obliku talasa preko ploe i komponenata. Za razliku od klasinog talasnog lemljenja koje se iroko primenjuje u konvencionalnoj tehnici montae tampanih ploa sa komponentama sa izvodima, kod SMD talasnog lemljenja se, najee, koristi dvostruki talas: najpre se turbulentnim talasom nanosi lem na sve kritine
21

take tampane ploe, a potom se laminarnim talasom sa tih mesta uklanja suvini lem. Nedostatak ovog naina lemljenja je potrebno relativno veliko rastojanje izmeu komponenata.

Sl. 2.25. a Meoviti tipovi tampanih ploa; b nain montae ploa meovitog tipa: 1. formiranje otvora (rupa) u ploi; 2. ubacivanje komponenata sa izvodima; 3. okretanje ploe i nanoenje adheziva; 4. nanoenje komponenta za povrinsko montiranje; 5. gotove ploe, sa talasno zalemljenim komponentama.

Za ureaje automatske montae (sl. 2.27) komponente za povrinsko montiranje su najee pakovane u reljefne trake sa udubljenjima za smetaj komponenata, sl. 2.28. Reljefne trake su od papira ili kartona i namotavaju se u koture, slino filmskim trakama (sl. 2.29). Sa ovih traka komponente se uzimaju pomou pipetnih jedinica. Pipetne jedinice za podizanje (uzimanje) i postavljanje komponente predstavljaju osnovni deo ureaja za montau SMD-a na tampanu plou. Njihova izvoenja mogu biti razliita, ali kod svih njih same pipete imaju par mehanikih vilica i njima hvataju komponente iz leita u traci, a zatim ih kompjuterom upravljano sputaju na odreena mesta na tanpanoj ploi.

22

Sl. 2.26. Prikaz osnovnih koraka pri lemljenju razlivanjem i talasnom lemljenju.

Sl. 2.27. Laboratorijski ureaji za montau SMD-a. 23

Sl. 2.28. Reljefne trake sa udubljenjima za smeta SMD-a.

Sl. 2.29. Trake sa komponentama za povrinsko moniranje (na slici levo su prikazani elektrolitski kondenzatori).

24

3. OTPORNICI
Pod otpornikom se podrazumeva komponenta koja poseduje tano odreenu vrednost otpornosti, a koja se koristi za regulaciju raspodele elektrine energije izmeu komponenata elektronskog kola. Na sl. 3.1 su prikazani simboli kojima se oznaavaju otpornici u emama elektronskih kola.

Sl. 3.1. Simboli kojima se oznaavaju otpornici u emama elektronskih kola.

3.1. OPTE O OTPORNICIMA 3.1.1. Vrste otpornika

Sa aspekta otpornosti postoje tri osnovne grupe otpornika; to su: otpornici stalne otpornosti, otpornici promenljive otpornosti (potenciometri) i nelinearni otpornici. Ako se dele po konstrukciji, otpornici mogu biti slojni, od mase i iani. U zavisnosti od namene dele se na otpornike opte i posebne namene. U otpornike opte namene spadaju otpornici od kojih se ne trae povieni zahtevi u odnosu na tanost njihove proizvodnje i stabilnost njihovih karakteristika pri eksploataciji. Oni se koriste u razliitim oblastima elektronike (najvie u ureajima iroke potronje). U otpornike posebne namene spadaju visokoomski, visokofrekventni, otpornici poviene stabilnosti (precizni i poluprecizni) i neki drugi tipovi otpornika sa posebnim zahtevima. Konstruktivni izgled otpornika stalne otpornosti prikazan je na sl. 3.2.

Sl. 3.2. Konstruktivni izgled otpornika stalne otpornosti: a otpornik od mase (cilintrini); b slojni; c slojni sa prorezima; d slojni sa spiralnim narescima.

25

3.1.2. Osnovne karakteristike otpornika

1. Nazivna otpornost. Pod nazivnom otpornou, koja se jo zove i nominalna otpornost, podrazumeva se otpornost otpornika pri normalnim radnim uslovima. Nazivna otpornost i doputeno odstupanje otpornosti od nazivne vrednosti (tolerancija) najee su oznaeni na samom otporniku. Otpornost otpornika konstantnog preseka povrine S i duine l data je izrazom:

R=

l , S

(3.1)

pri emu je specifina otpornost otpornog materijala, koja se izraava u mm2/m, m ili cm. Otpornost cilindrinog otpornika ija je zapremina od otporne mase prenika D, prikazanog na sl. 3.2a, iznosi:

R=

4l . D 2

(3.2)

S obzirom da kod slojnih otpornika (o kojima e vie biti rei u delu 3.2.2) debljina otpornog sloja moe biti veoma mala, esto znatno ispod 1 m, to je kod njih u velikoj meri poremeena idealna atomska struktura, usled ega je specifina otpornost h takvih slojeva vea od zapreminske specifine otpornosti v . Stoga se za karakterizaciju tankog otpornog sloja koristi slojna otpornost RS jednaka odnosu specifine otpornosti tankog sloja h i njegove debljine h:
RS = h h

(3.3)

i izraava se u / (ita se oma po kvadratu).

Sl. 3.3. Zavisnost slojne otpornosti od debljine filma, uz specifinu otpornost filma h kao parametar.

26

Dakle, slojna otpornost RS zavisi od debljine filma i njegove specifine povrinske otpornosti. To znai, a to se i vidi sa sl. 3.3, da bi se, na primer, dobila slojna otpornost RS = 100 / , mogue je koristiti materijale specifinih otpornosti h = 0,1 mm2/m, h = 1 mm2/m, h = 10 mm2/m ili h = 100 mm2/m sa debljinama filma h = 0,001 m, h = 0,01 m, h = 0,1 m ili h = 1 m, respektivno. Treba napomenuti da se vea stabilnost karakteristika osigurava debljim otpornim slojevima, pa je bolje za istu vrednost slojne otpornosti koristiti materijal vee specifine otpornosti h. Otpornost slojnih otpornika cilindrinog oblika (jedan od takvih je prikazan na sl. 3.2b), kod kojih je debljina otpornog sloja h znatno manja od prenika tela otpornika (h << D), data je izrazom:
R = h l l l . = h = RS Dh h D D

(3.4)

Da bi se poveala otpornost tankoslojnog otpornika, otporni sloj je ponekad prorezan nizom neprovodnih crta (pruga) irine a, sl. 3.2c. Otpornost takvog otpornika odreena je irinom neprovodne trake i njihovim brojem N i iznosi: R= Ro , Na 1 D (3.5)

gde je Ro otpornost nenarezanog slojnog otpornika, data sa (3.4). Poveanje otpornosti tankoslojnih otpornika cilindrinog oblika jo vie se postie spiralnim narezivanjem neprovodnih traka, sl. 3.2d. Na ovaj nain moe se postii poveanje otpornosti i nekoliko hiljada puta u odnosu na otpornost otpornika kada nema ovih traka. Otpornost takvih otpornika je:
R = Ro t 2 + 2 D 2 , t (t a )

(3.6)

pri emu su: t korak narezane spirale (sl. 3.2d); a irina neprovodne trake; Ro otpornost otpornika pre nego to su narezane neprovodne trake.
2. Nazivna (nominalna) snaga Pn. To je maksimalna dopustiva snaga koja se razvija na otporniku u toku relativno dugog vremenskog perioda pri neprekidnom optereenju i odreenoj temperaturi okolne sredine, pri emu parametri otpornika ostaju u odreenim granicama. Pri optereenju otpornika snagama koje su iznad nazivne dolazi do razaranja otpornog materijala, ime se smanjuje vek otpornika, ili, ak, do pregorevanja istog. Ova snaga se zasniva na maksimalnoj temperaturi koju ne sme da pree nijedno mesto na otporniku. Nazivna snaga zavisi od dimenzija otpornika i uslova hlaenja, kao i od uslova eksploatacije. Ovom snagom odreena je i maksimalna vrednost struje kroz otpornik:
I max = Pn . R

(3.7)

Vrednosti nazivnih snaga odreene su standardom. Na sl. 3.4 prikazani su, ako se to eli posebno da naznai, nain obeleavanja nazivnih snaga otpornika snage od 0,25 W do 2 W i dimenzije pojedinih otpornika zavisno od njihove nazivne snage.
27

Sl. 3.4. Obeleavanje nazivnih snaga otpornika (tamo gde se to eli da istakne) i dimenzije pojedinih otpornika odgovarajue nazivne snage.

3.1.3. Nizovi nazivnih vrednosti otpornosti i klase tanosti

U cilju svrstavanja otpornika stalne otpornosti i kondenzatora nepromenljive kapacitivnosti u grupe sa tano utvrenim vrednostima otpornosti, odnosno kapacitivnosti, kao i zbog uniformnosti u proizvodnji i korienju otpornika i kondenzatora, koriste se nizovi nazivnih (nominalnih) vrednosti otpornosti i kapacitivnosti, koje je ustanovila Meunarodna elektrotehnika komisija. Ovi nizovi se oznaavaju slovom E. Tako, postoje nizovi E6, E12, E24...E192 i kazuju da u navedenim nizovima respektivno ima u jednom redu veliine 6, 12, 24...192 nazivnih vrednosti otpornosti, odnosno kapacitivnosti. Nizovi su dobijeni zaokrugljivanjem vrednosti koje slede iz 10n/q, pri emu je n ceo pozitivan ili negativan broj, a q = 6, 12, 24. ...192 (npr. niz E12 se dobija iz 10n/12), to se najbolje vidi iz T3.1. Numerike vrednosti navedene u T3.1 pomnoene sa 10m (m = 0, 1, 2, 3...) ine nizove otpornika i kondenzatora ije su otpornosti izraene u , a kapacitivnosti u pF (zakljuno sa 106pF).
T3.1. E nizovi nazivnih vrednosti otpornosti nepromenljivih otpornika i kapacitivnosti nepromenljivih kondenzatora
Oznaka niza E6 E12 E24 Nazivne vrednosti 1,0 1,0 1,2 1,0 1,1 1,2 1,3 1,5 1,5 1,8 1,5 1,6 1,8 2,0 2,2 2,2 2,7 2,2 2,4 2,7 3,0 3,3 3,3 3,9 3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 4,7 5,6 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 6,8 8,2 6,8 7,5 8,2 9,1 Tolerancija 20% 10% 5%

Klase tanosti. U procesu proizvodnje komponenata dobijaju se i komponente kod kojih postoji odstupanje otpornosti, kapacitivnosti, induktivnosti, itd. od nazivne vrednosti. Maksimalno dozvoljeno odstupanje otpornosti, kapacitivnosti ili induktivnosti od nazivne vrednosti, tj. = Nimax/Ni odreeno je klasom tanosti, odnosno tolerancijom. Tolerancija se obino izraava u procentima. Za otpornike i kondenzatore opte namene propisane su tolerancije: 0,1%, 0,25%, 0,5%, 1%, 2%, 5%, 10% i 20%.
28

Nazivne vrednosti veliina i tolerancija meusobno su povezane tako da se maksimalna stvarna vrednost veliine Nimax pri nazivnoj vrednosti Ni poklopi sa minimalnom stvarnom vrednou parametra N(i+1)min sledee nazivne vrednosti N(i+1), tj. Nimax N(i+1)min. Na primer, za niz E6 je tolerancija = 0,2. Pri nazivnoj vrednosti otpornosti Ri = 2,2 k je Rimax = 2,2(1 + 0,2) = 2,64 k. Za sledeu nazivnu vrednost (T3.1) je R(i+1) = 3,3 k i R(i+1)min = 3,3(1 0,2) = 2,64 k. Kao to se vidi, dobija se potpuno poklapanje vrednosti otpornosti. Zbog toga, dakle, nema smisla proizvoditi otpornike sa nazivnim vrednostima otpornosti veim od 2,2 k i manjim od 3,3 k sa tolerancijom 20%.

3.1.4. Oznaavanje otpornika

Otpornik mora sadrati sledee podatke: nazivnu otpornost (u , k ili M), toleranciju nazivne otpornosti, nazivnu snagu (u W), granini napon (u V), itd. Ovi podaci se na otporniku naznauju datim redosledom, a ako na telu otpornika nema mesta za sve podatke, onda prvenstvo imaju oznake po nabrojanom redosledu. Vrednosti nazivnih otpornosti, kao i tolerancija te otpornosti, nanose se na telo otpornika ispisivanjem cifara i slova, ili boja. Otpornost ip otpornika obino se oznaava pomou tri cifre; trea cifra kazuje koliko nula ima iza prve i druge cifre. Na primer: 220 221; 47 470; 5600 562. Kada se oznaavanje vri ciframa i slovima koristi se skraena notacija kao u T3.2. T3.2. Skraeno oznaavanje otpornika ciframa i slovima
Jedinica merenja Omi () Kiloomi (k) Megaomi (M) Gigaomi (G) Teraomi (T) Oznaavanje jedinice merenja E ili R Primer skraenog oznaavanja E47 ili R47 4E7 ili 4R7 47E ili 47R K47 4K7 47K M47 4M7 47M G47 4G7 47G T47 1T0 Odgovarajue znaenje 0,47 4,7 47 0,47 k 470 4,7 k 47 k 0,47 M 470 k 4,7 M 47 M 0,47 G 470 M 4,7 G 47 G 0,47 T 470 G 1,0 T

G T

Oznaavanje bojama vri se prema T3.3, sa napomenom da oznaavanje poinje prvom bojom (odnosno trakom) koja je blia jednom (levom) kraju otpornika. Oznakom sa etiri trake oznaavaju se otpornici sa dvocifrenom osnovnom vrednou otpornosti i sledeim vrednostima tolerancije otpornosti: 1%, 2%, 5%, 10% i 20%. Sa pet traka oznaavaju se otpornici koji imaju trocifrenu osnovnu vrednost otpornosti, sa tolerancijom otpornosti 0,1%, 0,25%, 0,5%, 1% i 2%. Znai, oznaavanje otpornika sa tolerancijama otpornosti 1% i 2% moe biti i sa etiri boje i sa pet boja. Na sl. 3.5a dat je primer oznaavanja otpornika sa etiri boje, a na sl. 3.5b sa pet boja.
29

Pored ovoga, prema publikaciji IEC 115-1 (klauzula 4.5), za otpornike kod kojih je bitna mala temperaturna promena otpornosti, pri oznaavanju bojama mogu se koristiti i est traka; u tom sluaju, esta traka, koja je dvostruko ira od ostalih, oznaava vrednost temperaturnog koeficijenta otpornosti, T3.3. T3.3. Oznaavanje otpornika bojama

Napomena: umesto 10-6 esto se koristi oznaka ppm, tako da je 10-6/ oC ppm/ oC.

Sl. 3.5a. Primer oznaavanja otpornika sa dvocifrenim osnovnim brojem: otpornik otpornosti 1200 sa dozvoljenim odstupanjem otpornosti 5% i jedan takav otpornik.

Sl. 3.5b. Primer oznaavanja otpornika sa trocifrenim osnovnim brojem: otpornik otpornosti 86,4 sa dozvoljenim odstupanjem otpornosti 0,1% i nekoliko takvih otpornika; napomena: da ne bi dolo do zabune, peta traka moe biti ira od ostalih 1,5 do 2 puta. 30

3.1.5. Stabilnost karakteristika otpornika

Pod dejstvom razliitih spoljanjih uticaja, kao to su toplota (hladnoa), vlanost, pritisak, potresi, radijacija, itd., parametri otpornika su podloni promenama, pri emu te promene mogu biti povratne ili nepovratne, tj. posle ukidanja dejstva spoljanjih faktora nazivne vrednosti mogu imati ili nemati prvobitnu vrednost.
1. Temperaturna stabilnost otpornosti. Povratne promene otpornosti otpornika pri porastu temperature karakteriu se temperaturnim koeficijentom otpornosti R, koji je jednak relativnoj promeni otpornosti pri promeni temperature:

R =

1 dR 1 . R dT o C

(3.8)

Temperaturni koeficijent otpornosti, koji zavisi i od same vrednosti otpornosti, kod nenamotanih otpornika ima vrednosti R = (110)10-41/oC, a kod namotanih otpornika R = (0 2)10-4/oC. Treba napomenuti da vrednost temperaturnog koeficijenata otpornosti h tankih slojeva zavisi od debljine sloja, sastava legure, naina nanoenja filma, vrste podloge i temperature. Jedna tipina zavisnost temperaturnog koeficijenata otpornosti h nihromskog (nihrom legura nikla i hroma) tankog filma od debljine filma prikazana je na sl. 3.6. Sa slike se vidi da vrlo tanki filmovi nihroma imaju h < 0, a da je kod odreene debljine sloja h = 0.

Sl. 3.6. Temperaturni koeficijent otpornosti h nihromskog tankog filma naparenog na staklenu podlogu kao funkcija debljine filma h.

Za opseg radnih temperatura T otpornost otpornika stalne otpornosti na nekoj temperaturi T vrlo priblino jednaka je: R = Ro (1 + R T ) , (3.9)

pri emu je Ro otpornost otpornika pri temperaturi To, a T = T To. Dugotrajno dejstvo poviene temperature moe dovesti do nepovratnih promena otpornosti ili oteenja otpornika, a ove promene posebno su izraene kod nenamotanih otpornika.
31

Zbog toga, za svaki tip otpornika postoji maksimalna temperatura okolne sredine pri kojoj se sme otpornik da optereti nazivnom snagom. Kada otpornik treba da radi pri viim temperaturama, onda se mora opteretiti snagom koja je manja od nazivne, sl. 3.7.

Sl. 3.7. Zavisnost dopustive snage otpornika od temperature okolne sredine.

Kada se otpornik zagreje iznad temperature okoline To za vrednost T=TTo, to se ova toplota mora preneti na okolinu. Ovo prenoenje toplote se, uglavnom, odvija preko spoljanje povrine otpornika. U tom sluaju, snaga koju otpornik odaje spoljanjoj sredini iznosi:
P = ST ,

(3.10)

pri emu je S spoljanja povrina otpornika (povrina hlaenja), a koeficijent prenoenja toplote, ija je vrednost = (12)10-3 W/oCcm2.
2. Vlanost. Otpornost otpornika moe biti izmenjena u sluaju da je on pod uticajem vlage. Ova promena otpornosti nastupa zbog toga to se usled vlane povrine otpornika stvara provodni most, te se antira otpornik (ova pojava je izraenija kod otpornika velike otpornosti), ili se usled oksidacije i elektrohemijskih procesa razara otporni sloj otpornika. Zbog toga se vri zatita povrine otpornika kvalitetnim lakovima, emajlima ili, pak, ulaganjem u plastine mase. Na taj nain se, pored zatite od vlage, otporni sloj titi i od mehanikih povreda. Savremeni otpornici mogu raditi u sredinama sa relativnom vlanou i do 98%. 3. Elektrino optereenje. Za razliku od metalnih provodnika, otpornost nenamotanih otpornika ne ostaje konstantna kada su oni prikljueni na odreeni napon. Naime, kod otpornika, ak i pri neznatno malom porastu napona na njemu, otpornost toga otpornika poinje da opada, a sama pojava ima nelinearan karakter. Nelinearnost otpornosti otpornika sa zrnastom strukturom uslovljena je promenom provodnosti kontakata izmeu estica, to je posledica neravnomernog zagrevanja istih. Kod kompozitnih otpornika sa vrlo grubom krupnozrnastom strukturom moe doi do lokalnog stapanja zrnaca, usled ega se menja otpornost otpornika; kod isto metalnih slojeva se ne primeuje nelinearnost otpornosti. Kao mera nelinearnosti otpornosti moe posluiti naponski koeficijent otpornosti. Ovaj koeficijent, ija je vrednost negativna, oznaava promenu otpornosti otpornika kada se na njega prikljui napon V i jednak je:

V =

1 R 100 (%/V). V R

(3.11)

Kod ianih i metalslojnih otpornika vrednost koeficijenta U je zanemarljiva, dok se kod otpornika od mase i slojnih kompozitnih otpornika o ovom koeficijentu mora voditi rauna.
32

4. umovi. U otpornicima su od znaaja dve vrste umova: termiki i strujni. Termiki ili Donsonov um je posledica termike fluktuacije nosilaca naelektrisanja i nezavisan je od vrste materijala od koga je izraen otpornik. Napon ovoga uma Vter se rauna na osnovu:
Vter = 4kTRf (V),

(3.12)

pri emu su: k = 1,3810-23 J/K Bolcmanova konstanta, T (K) apsolutna temperatura, R () otpornost otpornika, f (Hz) irina frekventnog podruja u kome se meri um. Strujni um, koji je posebno izraen kod nenamotanih otpornika, javlja se samo kada protie struja kroz otpornik. On je posledica promene povrine kontakata izmeu zrna otpornog materijala pri proticanju struje kroz otpornik. Usled toga ovaj um zavisi od fizikih osobina materijala i naina izrade otpornika, te se ak menja od jednog do drugog uzorka iste vrste otpornika. Intenzitet strujnog uma, kao i termikog, izraen preko napona Vstr proporcionalan je kvadratnom korenu iz otpornosti otpornika, ali, za razliku od termikog uma, zavisi od struje koja protie kroz otpornik i slabo zavisi od temperature. Nivo ovoga uma se smanjuje sa poveanjem duine otpornika i sa smanjenjem veliine zrna otpornog materijala. Na sl. 3.8 prikazan je strujni um (kao odnos Vstr/V) u funkciji vrednosti otpornosti tri tipa otpornika (videti odeljak 3.2). Vidi se da slojni kompozitni otpornici imaju nivo uma priblino za dva reda veliine vei nego to ga imaju metalslojni otpornici. Ukupan napon uma (V = Vter + Vstr) definie nivo sopstvenih umova, izraen preko V/V. Po nivou sopstvenih umova standardni otpornici se dele na dve grupe. Prvu grupu ine otpornici kod kojih nivo umova nije vei od 1 V/V, a drugu otpornici sa nivoom uma ne veim od 5 V/V u frekventnom opsegu od (606000) Hz.

Sl. 3.8. Zavisnost strujnog uma od otpornosti tri tipa otpornika.

3.1.6. Frekventna svojstva otpornika

Otpornik, kao i svaka druga komponenta, poseduje reaktivne parazitne elemente, u ovom sluaju parazitnu induktivnost LP i parazitnu kapacitivnost CP. Na frekvencijama na kojima se uticaj reaktivnih elemenata moe zanemariti, a to su niske frekvencije, otpornost otpornika se moe smatrati aktivnom. Meutim, na visokim frekvencijama, pored aktivne komponente otpornosti postoji i reaktivni deo, tj. otpornik se ponaa kao impedansa. Uzimajui aktivne i reaktivne elemente, uticaj frekvencije na karakteristike otpornika moe se razmatrati na osnovu uproenih ekvivalentnih ema prikazanih na sl. 3.9.
33

Sl. 3.9. Uproene ekvivalentne eme otpornika: a velike otpornosti (visokoomskog); b male otpornosti (niskoomskog).

Kod otpornika velike otpornosti, kod kojih je R2 > Lp/Cp, moe se zanemariti induktivnost otpornika i ekvivalentna ema je predstavljena paralelnom vezom Rn i Cp, sl. 3.9a, tako da je aktivna komponenta kompleksne otpornosti jednaka:
Ra = Rn , 1 + ( C p R n ) 2

(3.13)

pri emu je Rn nazivna otpornost otpornika. Iz (3.13) se vidi da se pri malim vrednostima CpRn aktivna komponenta Ra malo razlikuje od Rn. Smanjenje aktivne otpornosti otpornika na visokim frekvencijama zavisi, takoe, i od povrinskih efekata, skin efekta i dielektrinih gubitaka (u telu otpornika, keramici, zatitnom sloju, itd.). Uzimanje svih ovih efekata pri proraunu uticaja frekvencije na karakteristike otpornika je veoma kompleksno. Zbog toga se u praksi najee koriste zavisnosti promene otpornosti od frekvencije dobijene eksperimentalnim putem, sl. 3.10. Iz ovih zavisnosti je evidentno da se na visokim frekvencijama aktivna komponenta otpornika velike otpornosti moe da smanji i nekoliko puta, o emu se mora voditi rauna pri upotrebi odreenog otpornika.

Sl. 3.10. Promena aktivne otpornosti visokoomskih ugljeninih otpornika sa frekvencijom.

S obzirom da otpornost otpornika zavisi od frekvencije, to e i dozvoljeni napon, takoe, zavisiti od frekvencije. Naime, pri odravanju stalne vrednosti napona, usled postojanja parazitne kapacitivnosti, na viim frekvencijama struja kroz prethodno kolo bila bi uveana. Da do toga ne bi dolo, na visokim frekvencijama se napon ograniava na vrednost (Vmax = Vn kada tei nuli):

34

Vdoz = Vmax

1 + (C p R p )

(3.14)

Za razliku od visokoomskih otpornika, koji obino imaju spiralni narezak, niskoomski otpornici se izrauju od glatkih povrina. Uproena ekvivalentna ema otpornika male otpornosti prikazana je na sl. 3.9b. Kod ovih otpornika, sa nazivnim otpornostima manjim od 300 , uticaj parazitne kapacitivnosti je znatno manji od parazitne induktivnosti. Sa porastom frekvencije impedansa raste i na nekoj frekvenciji moe nastupiti rezonansa. Zavisnost modula impedanse otpornika od frekvencije ima oblik kao na sl. 3.11. Pri vrlo malim vrednostima nazivne otpornosti otpornika (pri R2 < 5Lp/Cp) moduo impedanse otpornika moe imati maksimum (obino na frekvencijama iznad 100 MHz).

Sl. 3.11. Zavisnost modula impedanse niskoomskog otpornika od frekvencije.

3.2. NENAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI

Konstrukcija otpornika je uslovljena njegovom primenom, tipom otpornog materijala i za veinu otpornika je relativno prosta. Na sl. 3.12 su prikazani nenamotani otpornici sa izvodima, a na sl. 3.13 otpornici za povrinsku montau (SMD) i razliite kombinacije otpornika konstantne otpornosti, poznate pod nazivom otporniki moduli (otpornike mree).

Sl. 3.12. Spoljanji izgled nenamotanih otpornika sa izvodima konstantne otpornosti.

35

SMD

Otporniki moduli (otpornike mree)

Sl. 3.13. Otpornici za povrinsku montau (SMD) i otporniki moduli.

Nenamotani otpornici stalne otpornosti se mogu podeliti na nain prikazan na sl. 3.14.

Sl. 3.14. Podela nenamotanoh otpornika stalne otpornosti.

Nadalje e ukratko biti date osnovne osobenosti razliitih tipova otpornika konstantne otpornosti. Pre svega bie rei o slojnim otpornicima, koji se sastoje od otpornog sloja (filma) nanetog na izolacionu podlogu, na primer na keramiki tapi ili cevicu na ijim su krajevima uvreni kontakti. Ovi otpornici su stabilnih elektrinih karakteristika, malih dimenzija, dugog veka eksploatacije, itd. Za nanoenje otpornih materijala u obliku tankih slojeva (filmova) koristi se ili vakuumsko naparavanje ili katodno raspravanje. Vakuumsko naparavanje je metoda kod koje se, u uslovima pritiska reda (10-710-4) Pa, otporni materijal zagreva do temperature isparenja i koji se, zatim, naparava na izolatorsku podlogu. Sa druge strane, metoda katodnog raspravanja ne zahteva vakuum, ve se to raspravanje odvija u uslovima niskog pritiska, reda (0,020,1) Pa i u prisustvu nekog inertnog gasa, npr. argona. Kod ove metode egzistira jako elektrino polje izmeu katode i anode, ostvareno potencijalnom razlikom od (35) kV. Katoda je od materijala koji treba da se nanese u tankom sloju na podlogu, dok je sama podloga u blizini anode. Pozitivni joni, koji se generiu izmeu katode i anode, dobijaju dovoljnu kinetiku energiju da, udarivi u katodu, izbacuju iz nje atome, odnosno jone materijala koji se naparava i koji se potom, pod uticajem elektrinog polja, taloe na izolacionu podlogu.
36

Svaka od ovih metoda ima prednosti i nedostatke. Tako, katodnim raspravanjem se dobijaju homogeniji slojevi tekotopljivih, i po hemijskom sastavu, sloenijih materijala na veoj povrini. Istovrermeno, pri procesu katodnog raspravanja, nastaje reakcija rasprenog materijala sa ostacima gasova u komori, to ozbiljno pogorava osnovna svojstva tako dobijenih slojeva. Vakuumskim naparavanjem se dobijaju najistiji slojevi. Stepen zagaenja slojeva se kontrolie pritiskom zaostalih gasova; za snienje pritiska praktino nema ogranienja. Sa druge strane, pak, vakuumskim naparavanjem se mogu dobiti samo otporni slojevi relativno prostog hemijskog sastava.

3.2.1. Ugljenini otpornici

Ugljenini otpornici kao otporni materijal imaju sloj pirolitikog ugljenika na keramikoj cevici ili tapiu. Debljina ovakvih slojeva, ija je otpornost znatno vea od otpornosti legura metala, iznosi od 0,001 m do 1 m. Popreni presek slojnog ugljeninog otpornika prikazan je na sl. 3.15, a na sl. 3.16 spoljanji izgled takvih otpornika. Ove otpornike odlikuju jednostavnost proizvodnje, relativno mali negativni temperaturni koeficijent otpornosti, mali nivo uma, mala zavisnost otpornosti od frekvencije i dovedenog napona, poviena stabilnost. Stabilnost se poveava primenom debljih slojeva, posebnih zatitnih prekrivaa, smanjenjem optereenja i radnih napona i dodavanjem male koliine bora.

Sl. 3.15. Presek slojnog ugljeninog otpornika.

Sl. 3.16. Spoljanji izgled nekih slojnih ugljeninih otpornika.

Otpornici sa dodatkom bora predstavljaju posebnu grupu ugljeninih otpornika i esto se zovu otpornici od sloja karbida bora. Oni su veoma stabilnih karakteristika, ija je stabilnost istog reda veliine kao i stabilnost ianih otpornika.
37

3.2.2. Metalslojni otpornici

Otporni sloj ovih otpornika, ija je debljina reda (0,10,5) m, a kao to se vidi sa sl. 3.14, moe biti sastavljen od legura metala (metalizirani), od oksida metala i od meavine metala i dielektrika. Popreni presek jednog metalslojnog otpornika prikazan je na sl. 3.17.

Sl. 3.17. Presek metalslojnog otpornika.

Metalslojni otpornici su 23 puta manjih dimenzija od odgovarajuih ugljeninih otpornika opte namene pri istoj nazivnoj snazi, sl. 3.18.

Ugljenini

Metalslojni

Sl. 3.18. Uporedni prikaz dimenzija ugleninih i metalslojnih otpornika.

Pored otpornika sa klasinim aksijalnim izvodima, danas metalslojni otpornici poprimaju i drugaije oblike, posebno kada je re o otpornicima koji omoguavaju njihov mehaniki kontakt sa hladnjacima. Tako, na sl. 3.19 su prikazani otpornici sa jednostranim izvodima i mogunou vezavinja za hladnjake.

Sl. 3.19. Metalslojni otpornici pogodni za hladnjake sa jednostranim izvodima.

38

Metalizirani otpornici
Kod metalslojnih otpornika sa otpornim slojem od legura metala (metalizirani) legure su obino sastavljene od vie metala; one mogu biti veome velike specifine otpornosti. Jedan od esto upotrebljavanih otpornih materijala za metalizirane otpornike jeste legura hroma i nikla, poznata i kao nihrom. Povrinska otpornost slojeva nihroma se regulie promenom odnosa hroma i nikla u leguri, a kada im se dodaju male koliine bakra i alumunijuma, dobija se materijal koji ima vrednost temperaturnog koeficijenta otpornosti priblino jednak nuli na sobnoj temperaturi (videti sl. 3.6). Uopte, metalizirani otpornici imaju neke bolje, a neke loije karakteristike od odgovarajuih ugljeninih otpornika opte namene pri istoj nazivnoj snazi. Naime, oni imaju bolje temperaturne karakteristike i stabilniji su i otporniji na klimatske uslove (posebno vlagu), to se postie dugotrajnom termikom i elektrinom stabilizacijom otpornog sloja. Nedostatak metaliziranih otpornika jeste manja pouzdanost pri veim disipacijama, posebno pri impulsnom radu, to je posledica lokalnog pregrevanja nehomogenog otpornog sloja. Takoe, ovi otpornici imaju loije frekventne osobine od ugljeninih otpornika.

Metaloksidni otpornici
Metaloksidni otpornici imaju otporni sloj od toplotnootpornih oksida metala, najee dioksida kalaja ili oksida rutenijuma naneenih obino na staklenu podlogu (a ne na keramiku kao kod metaliziranih otpornika). U poreenju sa metaliziranim otpornicima, proizvodnja metaloksidnih otpornika je prostija, karakteristike su im sline, dimenzije identine, imaju izrazito nizak nivo uma, imaju vei temperaturni koeficijent otpornosti, ali su stabilniji pri impulsnim optereenjima i mehanikim dejstvima.

Kermetni otpornici
Otpornici sa mikrokompozitnim filmovima od dielektrika i metala zovu se kermetni otpornici (naziv kermet potie od KERamika i METal). Kermetni slojevi se odlikuju vrlo velikom slojnom otpornou. Za tankoslojne otpornike najbolje karakteristike od kermetnih materijala pokazuje smesa hroma i silicijum monoksida. Taj kermet je homogen, ima visoko atheziono svojstvo, visoku temperaturnu stabilnost i dobre mehanike osobine.

3.2.3. Slojni kompozitni otpornici

Ovo su, praktino, debeloslojni otpornici. Kod njih se otporni materijal, koji je sastavljen od mehanikih smesa prahova provodnih materijala i organskih ili neorganskih dielektrika (kao vezivnih sredstava), u relativno debelom sloju od 7 m do 20 m, nanosi na keramiku podlogu. Jedan od takvih tipova otpornika jeste onaj kod koga se otporni sloj sastoji od smese stakla i meavine provodnih materijala. Zato to je otporni sloj kompozitnih otpornika vei nego kod tankoslojnih ugljeninih i metalslojnih otpornika, to su ovi otpornici vrlo visoke pouzdanosti. Ostale dobre osobine su, pored pomenutog, jednostavnost izrade i, uprkos retkim i skupim metalima (koji se dodaju u malom procentu), niska cena. Nedostaci su niska stabilnost, visoki nivo umova, znatna zavisnost otpornosti od prikljuenog napona i relativno loa frekventna karakteristika.
39

3.2.4. Maseni kompozitni otpornici

Otpornici od mase izrauju se od smese otpornih materijala i vezivnih sredstava. Ove smese se na povienoj temperaturi najee presuju u obliku tapia. Proizvodnja je jeftina, ali su veoma nestabilni, imaju relativno veliki um, otpornost im znatno zavisi od snage optereenja i temperature okoline. Otpornost i snaga im je priblino ista kao kod slojnih otpornika. Ovi otpornici se proizvode kao kompozitni i to na keramikoj bazi i na bazi laka. Otporni materijal na keramikoj bazi je od smese ugljenika i peska (zato se ovi otpornici esto i zovu ugljenini kompozitni otpornici). Otporni materijali na bazi laka su smese grafita ili ai sa vezivnim sredstvima, kao to su ugljovodonici i razliite vrste vetakih smola, sa dodatkom neorganskih materijala za ispunu (azbestno brano ili liskunsko brano). Pri presovanju otpornog materijala na povienoj temperaturi, najee u obliku tapia, umeu se sa obe strane iani izvodi za prikljuke.

3.2.5. ip otpornici
ip otpornici, koji se koriste za povrinsko montiranje, mogu biti sa tankim (tankoslojni SMD) i debelim (debeloslojni SMD) otpornim slojem. Na sl. 3.20 su prikazani osnovni delovi jednog tankoslojnog ip otpornika za povrinsku montau: na supstrat, koji je od alumine, keramike ili stakla, naneen je tanak sloj otpornog materijala. Tipini otporni materijali su: nihrom, legura hroma i kobalta i tantalnitrid. Otporni sloj i kontaktna elektroda (kontaktni zavretak) spojeni su metalnim filmom, odnosno spojnom elektrodom. Pored ve klasinih ip otpornika za povrinski montirane tampane ploe, danas metalslojni otpornici poprimaju i drugaije oblike, posebno kada je re o veoma preciznim otpornicima (sl. 3.21).

Sl. 3.20. Tankoslojni ip otpornik za povrinsku montau.

40

Sl. 3.21. Precizni metalslojni otpornici za povrinsku montau.

3.2.6. Otporniki moduli (otpornike mree)

Otporniki moduli se sastoje od vie otpornika smetenih u jedno kuite sa vie izvoda. Izvodi mogu biti samo sa jedne strane (sl. 3.22) i tada se zovu SIL moduli (od single-in-line), i sa obe strane (sl. 3.23), tzv. DIL moduli (od dual-in-line), u kuitima slinim onim koja se koriste za integrisana kola. Moduli se mogu sastojati iz vie individualnih otpornika, ili su otpornici u njima tako povezani da ine otpornike mree (stoga se ovi moduli zovu i otpornike mree).

Sl. 3.22. SIL (single-in-line) otporniki moduli (otpornike mree).

Sl. 3.23. DIL (dual-in-line) otporniki modul.

Na sl. 3.24 prikazan je presek otpornikog modula sa jednostranim izvodima i zajednikim izvodom (tipa prvog modula na sl. 3.22). Sami otpornici u otpornikim modulima najee su dobijeni ili tankoslojnom ili debeloslojnom tehnologijom.

41

Sl. 3.24. Presek otpornikog modula sa zajednikim izvodom.

3.3. NAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI

Namotani ili iani otpornici se koriste svuda gde je neophodna velika snaga otpornika. Ako se porede sa nenamotanim otpornicima, oni su od njih skuplji, proizvodnja je sloenija, imaju vee dimenzije (sl. 3.25) i nisu pogodni za rad na viim frekvencijama. Ipak, za posebne primene ovi otpornici imaju bolje karakteristike od nenamotanih otpornika, jer se mogu koristiti pri viim temperaturama, imaju veoma nizak nivo uma, veoma su stabilni i mogu se izraivati za vee nazivne snage sa malim odstupanjem otpornosti od nazivne vrednosti. Neki tipovi ianih otpornika su standardizovani, ali se mnogi od njih rade van standarda za konkretne primene u elektronskim ureajima.

Sl. 3.25. Spoljanji izgled ianih otpornika sa i bez hladnjaka.

Ovi otpornici se dobijaju namotavanjem na izolacionu podlogu izolovane ili neizolovane ice od legura velike specifine otpornosti (hromnikal, hromaluminijum, manganin, konstantan
42

ima negativan temperaturni koeficijent otpornosti R, kazma, evanom, itd). ice su razliitih prenika. Izborom duine, prenika i legure od koje je otporna ica nainjena mogu se dobiti otpornici od 0,1 do 1 M i snaga znatno iznad 10 W.

Sl. 3.26. Oklopljavanje ianih otpornika keramikim kuitima, postavljanje hladnjaka na iste i vezivanje hladnjaka za asije.

S obzirom da iani otpornici rade sa velikim snagama, razvijajui, pri tom, visoke temperature, neki od njih se ugrauju u keramika kuita sa ljebovima, koja omoguavaju da se na njih relativno lako postave metalni hladanjaci, koji su ili slobodni, ili se, u cilju efikasnijeg hlaenja, vezuju za same asije (sl. 3. 26). Na sl. 3.27 prikazan je spoljanji izgled ianih otpornika sa hladnjacima.

Sl. 3.27. Spoljanji izgled ianih otpornika sa hladnjacima.

3.3.1. Temperaturna kompenzacija

Pogodna osobina ianih otpornika jeste mogunost temperaturne kompenzacije, koja se postie namotavanjem osnovnog i kompenzacionog namotaja suprotnih znakova temperaturnih
43

koeficijenata otpornosti. Neka su R1o i R2o otpornosti osnovnog i kompenzacionog namotaja pri temperaturi To, a 1 i 2 odgovarajui temperaturni koeficijenti otpornosti. Otpornost ovakve redne veze, pri promeni temperature za T, na osnovu (3.9) je:
R + 2 R2 o R = Ro (1 + u T ) = ( R1o + R2o )1 + 1 1o T . R1o + R2 o

(3.15)

Potpuna temperaturna kompenzacija bie kada je dR/dT = 0, odnosno kada je ukupni temperaturni koeficijent otpornosti ove veze jednak nuli, odakle sledi uslov temperaturne kompenzacije:
R1o = 2 . R2 o 1

(3.16)

3.4. OTPORNICI PROMENLJIVE OTPORNOSTI (POTENCIOMETRI)

Potenciometri se primenjuju za runu regulaciju struja i napona u elektronskim kolima. Na sl. 3.28 prikazani su simboli kojima se oni oznaavaju u emama elektronskih kola. Po obliku, potenciometri mogu biti kruni i pravolinijski. Na sl. 3.29a prikazan je slojni kruni potenciometar sa osnovnim delovima, a na sl. 3.29b pravolinijski (iber) potenciometar.

Sl. 3.28. Simboli kojima se oznaavaju potenciometri u emama elektronskih kola.

3.4.1. Osnovne karakteristike potenciometara

Pored osnovnih parametara koji definiu otpornike konstantne otpornosti, potenciometre karakteriu jo i sledee osobine: nazivna vrednost ukupne otpornosti, minimalna otpornost, poetni skok otpornosti, postojanost na habanje, dopunski kontaktni um i zakon promene otpornosti. Nazivna vrednost ukupne otpornosti potenciometra jeste otpornost izmeu nepokretnog (11) i pokretnog (12) izvoda (sl. 3.29a), pri maksimalnom uglu obrtanja m pokretnog sistema ( = 270o300o) obrtnih potenciometara, odnosno pri maksimalnom poloaju klizaa kod iber potenciometara. Poetni skok otpornosti predstavlja minimalnu vrednost otpornosti od koje poinje ravnomerna promena otpornosti potenciometra. Ova vrednost obino iznosi (12)% ukupne otpornosti za potenciometre sa logaritamskom promenom, odnosno (510)% za potenciometre sa linearnom promenom otpornosti.

44

a.

b.

Sl. 3.29. a Slojni kruni potenciometar: 1 otporni sloj; 2 zakivka; 3, 11, 12 izvodi; 4 osnova od plastine mase ili pertinaksa; 5 izvod struje; 6 kontaktna etkica; 7 dra etkice; 8 osovina; 9 nosa zavrtnja; 10 metalni poklopac. b Pravolinijski (iber) potenciometar.

Postojanost na habanje je okarakterisana sposobnou potenciometra da sauva nepromenjene karakteristike pri viestrukom korienju pokretnih delova potenciometra. Ona se ocenjuje brojem korienja tih pokretnih delova, a da pri tom karakteristike potenciometra ostanu u dozvoljenim granicama. Ovaj broj korienja iznosi kod potenciometara opte namene do 50000, a kod potenciometara za profesionalnu upotrebu 105107. Dopunski kontaktni um nastaje izmeu otpornog elementa i pokretnog kontakta kako pri pomeranju pokretnog sistema (um pomeranja), tako i pri fiksiranom poloaju istog. Nivo uma pomeranja je znatno vei od nivoa termikog i strujnog uma. Funkcionalna karakteristika otpornosti predstavlja zakon promene otpornosti izmeu nepokretnog (12) i pokretnog (11) kontakta potenciometra (sl. 3.29a) pri pomeranju pokretnog sistema, a zavisi od naina konstrukcije potenciometra. Najee se primenjuju potenciometri sa linearnom (kriva 1 na sl. 3.30), logaritamskom (kriva 2) i inverzno-logaritamskom (kriva 3) promenom otpornosti. Pored njih, postoje potenciometri i sa drugaijom promenom otpornosti, na primer sa sinusnom, kosinusnom i drugim funkcionalnim zavisnostima.

Sl. 3.30. Funkcionalne karakteristike potenciometara: 1 linearna; 2 logaritamska; 3 inverzno-logaritamska. 45

Otpornost krunih potenciometara sa linearnom promenom otpornosti (linearnih potenciometara) zavisi od ugla obrtanja pokretnog sistema, tako da je: R = Rmin + ( Rmax Rmin ) , m (3.17)

gde je Rmin poetna otpornost potenciometra, a Rmax njegova ukupna otpornost. Kod potenciometra sa logaritamskom promenom otpornosti (logaritamskih potenciometara) logaritam relativne promene otpornosti je proporcionalan relativnom pomeranju pokretnog kontakta:
log R . =k Rmin m

(3.18)

Logaritamski potenciometri se primenjuju za regulaciju jaine zvuka, s obzirom da se sa njima moe postii proporcionalnost ugla obrtanja sa jainom zvuka (u decibelima). Inverznologaritamska promena otpornosti (kriva 3 na sl. 3.30) koristi se kod potenciometara od kojih se zahteva ravnomernija promena otpornosti pri veim uglovima obrtanja; obino se primenjuju za regulaciju boje tona kod prijemnih i pojaavakih audio ureaja.

3.4.2. Vrste potenciometara

Kao i otpornici konstantne otpornosti, i potenciometri mogu biti nenamotani i namotani. Nenamotani potenciometri najee imaju otporni materijal u obliku sloja (slojni potenciometri). Namotani ili iani potenciometri se najee proizvode za vee snage i reostate. Slojni potenciometri imaju otporni sloj od ugljenika, oksida metala, razliitih kompozicija, kermeta i provodnih plastinih masa. Nedostatak ugljeninih i kompozitnih potenciometara je to imaju relativno slabu temperaturnu stabilnost. Boljom temperaturnom stabilnou odlikuju se potenciometri sa otpornim slojem od oksida metala; oni su veoma stabilni, ali imaju nazivne vrednosti otpornosti najvie do 100 k. Korienjem kermeta i provodnih plastinih masa kao otpornih materijala, poslednjih godina su dobijeni potenciometri sa izuzetno dobrim eksploatacionim karakteristikama, dobrom regulacijom otpornosti, niskim nivoom strujnih umova i relativno malim dimenzijama. Motani potenciometri se dobijaju motanjem ice od otpornih legura na bazi nikla, hroma, bakra, mangana, a takoe i od ica prevuenih provodnom plastikom (hibritron potenciometri). Ovi potenciometri imaju ogranienu oblast nazivnih otpornosti, poveanu parazitnu kapacitivnost i induktivnost, vrlo visoku stabilnost, imaju nizak nivo strujnih umova i mali temperaturni koeficijent otpornosti. Pri manjim snagama se motani potenciometri ree koriste od nenamotanih; obino se primenjuju za obezbeenje poveanih zahteva u pogledu tanosti i stabilnosti elektrinih i eksploatacionih karakteristika elektronskih ureaja. Naprotiv, pri velikim snagama, iskljuivo se koriste motani, i to iani, potenciometri.

b.

c.

Sl. 3.31. Spoljanji izgled nekih vieokretnih (helikoidalnih) potenciometara.

46

Posebnu grupu motanih potenciometara ine vrlo precizni vieokretni (helikoidalni) potenciometri (sa tolerancijom otpornosti do 1%), sl. 3.31; kod njih, da bi se dobila maksimalna vrednost otpornosti, kliza treba okrenuti (po 360o) 2-, 3-, 5- ili 10-puta. Mogu biti za direktnu ili servo ugradnju (preko kainika, sl. 3.31c).

3.4.3. Regulacioni otpornici (trimeri)

Trimeri se koriste u kolima kada otpornost treba tano odrediti u toku njihovog podeavanja i koju ne treba esto menjati u toku eksploatacije. Po konstrukciji se ne razlikuju mnogo od standardnih potenciometara, sem to su manjih dimenzija i, kao i oni, mogu biti jednookretni i vieokretni, sa nenamotanim (ugljeninim, kermetnim) ili namotanim otpornim elementom. Na sl. 3.32 prikazano je nekoliko razliitih oblika regulacionih otpornika, a na sl. 3.33 dva proizvodnje BOURNS.

Sl. 3.32. Regulacioni otpornici (trimeri).

a.

b.

Sl. 3.33. Regulacioni otpornici (trimeri) proizvodnje BOURNS: a jednoobrtni trimer; b trimer sa puastim zupanikom za pomeranje klizaa (kruna putanja klizaa). 47

3.5. OTPORNICI SA NELINEARNOM PROMENOM OTPORNOSTI

Poslednjih godina sve veu primenu u elektronskim ureajima imaju otpornici ija otpornost zavisi od spoljanjih uticaja, kao to su temperatura, svetlost, elektrino polje, mehanika sila, itd. S obzirom da karakteristike ovih otpornika nisu linearne funkcije promene otpornosti sa uzrokom promene otpornosti, to se ovi otpornici zajednikim imenom zovu nelinearni otpornici. Na sl. 3.34 su prikazani osnovni tipovi nelinearnih otpornika.

Sl. 3.34. Osnovni tipovi nelinearnih otpornika.

Kada se otpornost otpornika menja sa temperaturom, takvi otpornici se zovu termistori i u zavisnosti od naina zagrevanja (sl. 3.35), ovi otpornici se dele na termistore sa direktnim i indirektnim zagrevanjem. Razlikuju se dve osnovne vrste termistora: sa negativnim temperaturnim koeficijentom otpornosti (NTC otpornici) i sa pozitivnim temperaturnim koeficijentom otpornosti (PTC otpornici, ili kako se jo zovu, pozistori). Otpornici kod kojih se otpornost nelinearno menja pod uticajem elektrinog polja zovu se varistori ili VDR otpornici, a oni koji menjaju otpornost pod uticajem svetlosti jesu fotootpornici (sl. 3.34).

Direktno zagrevanje

Indirektno zagrevanje

Sl. 3.35. Naini zagrevanja termistora (NTC i PTC otpornika).

3.5.1. NTC otpornici

NTC otpornici su termistori sa relativno velikim negativnim temperaturnim koeficijentom otpornosti. Najee se izrauju od polikristalnih oksidnih poluprovodnikih materijala
48

oksida prelaznih metala (od titana do cinka u Mendeljejevom sistemu). Veliku primenu su nali oksidi kobalta (Co2O3), titana (TiO2), aluminijuma (Al2O3), nikla (NiO), mangana (Mn2O3), cinka (ZnO), bakra (CuO i Cu2O), hroma (Cr2O3), kalaja (SnO), itd. Obino se upotrebljavaju smese nekoliko oksida, od kojih se, metodom keramike tehnologije, dobijaju NTC otpornici razliitog oblika, sl. 3.36.

SMD

3.36. Razliiti tipovi NTC otpornika (napomena: 2, 3, 4. i 5. termistor su sa znatno duim izvodima nego to je prikazano na slici). Radno telo NTC otpornika se pravi u obliku tapia, diska (tablete) i perlice (bisera). Ponekad se minijaturni NTC otpornici oblika perlice smetaju u staklene ampule (sl. 3.36). NTC otpornici oblika tapia imaju maksimalnu snagu od vie vati, snaga NTC otpornika u obliku diska (tablete, ploice) dostie jedva 1 W, a minijaturni NTC otpornici oblika perlice su snaga od nekoliko mW. Nadalje e se razmatrati samo NTC otpornici sa direktnim zagrevanjem. Kod takvih NTC otpornika promena otpornosti nastaje pod dejstvom toplote koja se razvija u telu termistora usled struje koja protie kroz njega, ili kao rezultat promene temperature NTC otpornika usled promene toplotnog reima termistora (npr. pri izmeni temperature okolne sredine). Njihove najznaajnije karakteristike su:
1. Temperaturna karakteristika NTC otpornika to je zavisnost otpornosti NTC otpornika od temperature. Primer temperaturnih karakteristika razliitih NTC otpornika dat je na sl. 3.37. U opsegu radnih temperatura zavisnost otpornosti NTC otpornika od temperature moe se predstaviti sledeim izrazom:

B R = R exp , T

(3.19)

gde je B koeficijent temperaturne osetljivosti, ili kratko, temperaturna osetljivost i izraava se u Kelvinovim stepenima (K), T apsolutna temperatura (K) i R konstanta koja zavisi od materijala i dimenzija NTC otpornika (to je uslovna otpornost termistora na beskonano visokoj temperaturi).
2. Nazivna otpornost NTC otpornika to je njegova otpornost pri odreenoj temperaturi (obino 20oC). Nazivne otpornosti razliitih tipova NTC otpornika kreu se od nekoliko do nekoliko k.
49

Sl. 3.37. Temperaturne karakteristike razliitih NTC otpornika; RT0 je nazivna otpornost NTC otpornika pri T = 20oC.

3. Koeficijent temperaturne osetljivosti B to je konstanta koja se nalazi u eksponentu izraza kojim je definisana temperaturna karakteristika NTC otpornika, jedn. (3.19). Vrednost ovog koeficijenta, koji zavisi od svojstava materijala od kojeg je NTC otpornik nainjen, praktino je konstantna za dati termistor u opsegu radnih temperatura i za razliite tipove NTC otpornika iznosi od B = 700 K do B = 15000 K. 4. Koeficijent disipacije NTC otpornika H brojno je jednak snazi koju treba dovesti NTC otporniku da bi se on zagrejao za 1oC = 1K. Ovaj koeficijent se izraava u (mW/K) ili, kada se rauna po jedinici povrine, u (mW/m2K). Vrednost koeficijenta disipacije zavisi od tipa NTC otpornika i iznosi H = (0,530) mW/K. 5. Statika strujno-naponska karakteristika NTC otpornika to je zavisnost pada napona na NTC otporniku od struje koja protie kroz njega u uslovima termike ravnotee izmeu termistora i okolne sredine. Na sl. 3.38 prikazana je statika strujno-naponska karakteristika NTC otpornika u dvostrukoj logaritamskoj razmeri, ija nazivna otpornost iznosi 10 k pri 20oC; za druge vrednosti nazivnih otpornosti dobijaju se sline krive. Ova karakteristika se eksperimentalno snima pri konstantnoj temperaturi okolne sredine. Za svaku taku statike strujno-naponske karakteristike NTC otpornika postoji toplotna ravnotea. Naime, u ustaljenom reimu zagravanja NTC otpornika strujom koja protie kroz njega, sva snaga koja se razvija u termistoru predaje se okolnoj sredini, tako da je:

P=

V2 U2 = I 2 R = H (T Tos ) , R R

(3.20)

gde je T temperatura NTC otpornika, a Tos temperatura okolne sredine.

50

Sl. 3.38. Statika strujno-naponska karakteristika NTC otpornika.

Iz (3.19) i (3.20) mogue je dobiti jednainu strujno-naponske karakteristike NTC otpornika u parametarskom obliku:
B V U = HR (T Tos ) exp ; T

(3.21) (3.22)

I=

H (T Tos ) exp B . R T

Dakle, oblik statike strujno-naponske karakteristike NTC otpornika odreen je samo koeficijentom disipacije H, njegovom otpornou na temperaturi T i temperaturom okolne sredine. Iz jedn. (3.21) i (3.22) mogue je odrediti ekstremume statike strujno-naponske karakteristike uz uslov da su konstantni koeficijent temperaturne osetljivosti i koeficijent disipacije:
Teks = B B(B 4Tos ) 2

(3.23)

pri emu je Teks temperatura pri ekstremnoj vrednosti strujno-naponske karakteristike, tj. pri dU/d I = 0. Iz jedn. (3.23) sledi: statika strujno-naponska karakteristika NTC otpornika imae ekstremnu vrednost napona samo ako je ispunjen uslov B > 4Tos; temperatura, a to znai i otpornost NTC otpornika, pri ekstremnim vrednostima napona odreeni su samo vrednostima B i Tos. Temperatura NTC otpornika pri ekstremnim vrednostima napona ne zavisi, na primer, od koeficijenta disipacije, a to znai da e maksimumi (i minimumi) statikih strujno-naponskih karakteristika NTC otpornika biti tano pri jednoj te istoj vrednosti otpornosti NTC otpornika, nezavisno od njegovog oblika i dimenzija.

51

3.5.2. PTC otpornici (pozistori)

Termistori sa velikom pozitivnom vrednou temperaturnog koeficijenta otpornosti se drugim imenom zovu pozistori. Koriste se kao ograniavai struje (za prekostrujnu zatitu, sl. 3.39) i kao limitatori temperature (sl. 3.40), zatim za demagnetizaciju kolor-katodnih cevi, za zatitu motora, za regulaciju struja u telefoniji (sl. 3.40), za zatitu telefonskih linija, itd. SMD

SMD

3.39. PTC za prekostrujnu zatitu.

Sl. 3.40. PTC za prekostrujnu zatitu u telefonskoj aplikaciji (prva etiri) i kao senzorski limitatori temperature (poslednja etiri).

Osnovne karakteristike PTC otpornika su: 1. Temperaturni koeficijent otpornosti pozistora ima pozitivnu vrednost (T > 0) samo u odreenom intervalu temperature, a van tog opsega je T < 0 (sl. 3.41); 2. najee je vrednost temperaturnog koeficijenta otpornosti pozistora znatno vea od apsolutne vrednosti T NTC otpornika; 3. promena otpornosti termistora sa temperaturom znatno zavisi od frekvencije; ova promena je najvea pri jednosmernoj polarizaciji i opada sa porastom frekvencije signala koji se prikljuuje na pozistor, sl. 3.41.
52

Sl. 3.41. Promena otpornosti pozistora sa temperaturom i frekvencijom.

U najveem broju sluajeva pozistori se izrauju na bazi keramike od barijum titanata sa polikristalnom strukturom, ija se otpornost znatno smanjuje ako se doda izvesna koliina primesa. Naime, barijum titanat (BaTiO3) je dielektrik sa specifinom otpornou pri sobnoj temperaturi od (10101012) cm. Ako se u barijum titanat unese mala koliina ((0,10,3)%) primesa, kao to su lantan, niobijum, itrijum, specifina otpornost se smanjuje na vrednost (10102) cm. U delu karakteristine promene otpornosti sa temperaturom, u kome je pozitivna vrednost temperaturnog koeficijenta otpornosti, a za sluaj jednosmerne polarizacije (kriva 0 Hz na sl. 3.41), otpornost se moe aproksimirati izrazom: R PTC = A + C exp(BT ) , gde su A, B i C konstante. (3.24)

3.5.3. Varistori
Varistori ili VDR otpornici (sl. 3.42) su otpornici kod kojih se otpornost nelinearno menja sa promenom jaine elektrinog polja, odnosno napona na njima (sl. 3.43). Koriste se za naponsku stabilizaciju, posebno veih vrednosti napona. Varistori se najee izrauju od cink oksida. Nelinearnost otpornosti od elektrinog polja uslovljava nelinearnost i naponsko-strujne karakteristike varistora, sl. 3.44. Strujno-naponska karakteristika varistora data je izrazom:
I = K V K U ,

(3.25)

gde je K konstanta, a koeficijent nelinearnosti varistora, ija vrednost (npr. proizvodnje SIEMENS) iznosi = 3055.
53

Sl. 3.42. Razliiti tipovi varistora.

Sl. 3.43. Promena otpornosti varistora u lin-lin i log-log razmeri.

Sl. 3.44. Naponsko-strujna karakteristika varistora u lin-lin i log-log razmeri.

Iako je izrazom (3.25) definisana strujno-naponska karakteristika, proizvoai merene vrednosti struja i napona predstavljaju u obliku naponsko-strujne karakteristike; na sl. 3.45 je prikazana jedna takva realna zavisnost. Sa slike se vidi da je u radnoj oblasti koeficijent nelinearnosti 38 (U-I karakteristika u log-log razmeri na sl. 3.45 je data za radnu oblast), a dobija se na osnovu (3.25):
=

log I 2 log I 1 log1 log10 3 0 (3) 3 = = = 38 . log U 2 log U 1 log 470 log 390 2.67 2.59 0.08
54

Sl. 3.45. Realna naponsko-strujna karakteristika varistora.

3.5.4. Fotootpornici
Jedan tip fotootpornika prikazan je na sl. 3.46. Fotootpornici su poluprovodniki otpornici kod kojih se otpornost smanjuje pod uticajm svetlosti. Rad poluprovodnikih fotootpornika zasnovan je na efektu fotoprovodnosti (unutranjem fotoelektrinom efektu). Izrauju se od kadmijum sulfida (CdS), kadmijum selenida (CdSe), kadmijum sulfoselenida (CdSSe), cink sulfida (ZnS), a za oblast infracrvenog zraenja od olovo sulfida (PbS), indijum antimonida (InSb), kadmijum telurida (CdTe), itd. U najveem broju sluajeva otporni materijal se nanosi na izolacionu podlogu, a preko toga se prekriva providnim materijalom, sl. 3.47.

Sl. 3.46. Jedan od moguih spoljanjih izgleda fotootpornika (uveliano).

Osnovne karakteristike i svojstva fotootpornika su: 1. Statika strujno-naponska karakteristika predstavlja zavisnost jednosmerne struje koja protie kroz fotootpornik od napona na njemu pri konstantnom osvetljaju, sl. 3.48a. Razlika izmeu struje koja protie kroz fotootpornik kada je on osvetljen i struje neosvetljenog fotootpornika (struje tame) zove se fotostruja. Strujno-naponska karakteristika fotootpornika je u veini sluajeva linearna ili bliska linearnoj, sl. 3.48a.
55

Sl. 3.47. Konstruktivni izgled fotootpornika: aploica od steatita; bfotoosetljivi otporni sloj (CdS); celektrode za kontakt (ovde su u obliku elja); dprovidno kuite od epoksidne smole; eizvodi.

2. Promena otpornosti sa osvetljajem, sl. 3.48b, meri se pri razliitom osvetljenju otpornika svetlou sloenog spektralnog sastava. Ova promena otpornosti iznosi 104105 puta. 3. Svetlosna karakteristika predstavlja zavisnost fotostruje IF od osvetljenosti E, pri konstantnom naponu, sl. 3.49. U nekoj oblasti promene osvetljenosti za svetlosnu karakteristiku se koristi zavisnost:

IF = A E ,

(3.26)

gde su: A konstanta koja zavisi od tipa fotootpornika; konstanta koja zavisi od talasne duine svetlosti i tipa fotootpornika; E osvetljenost.

Sl. 3.48. a Strujno-naponska karakteristika fotootpornika; b promena otpornosti dva fotootpornika sa osvetljajem.

56

Sl. 3.49. Svetlosna karakteristika fotootpornika.

4. Spektralna karakteristika (sl. 3.50) izraava relativnu promenu fotostruje u zavisnosti od talasne duine svetlosti koja pada na fotootpornik. Karakteristino je za sve fotootpornike da postoji talasna duina opt, zavisno od materijala od koga je sainjen fotootpornik, pri kojoj je najvea promena fotostruje. To je tzv. maksimalna spektralna osetljivost.

Sl. 3.50. Spektralna karakteristika fotootpornika.

57

4. KONDENZATORI
Kondenzator predstavlja sistem od najmanje dva provodna tela (ploe, folije, metalizirane folije) razdvojena dielektrikom, a koji ima sposobnost akumulacije elektrine energije. Na sl. 4.1 su prikazani simboli kojima se oznaavaju kondenzatori u emama elektronskih kola.

Sl. 4.1. Simboli kojima se oznaavaju kondenzatori u emama elektronskih kola.

4.1. OPTE O KONDENZATORIMA 4.1.1. Kapacitivnost kondenzatora

Osnovna veliina kondenzatora je njegova elektrina kapacitivnost C, koja je odreena odnosom koliine naelektrisanja Q i napona V( U) na oblogama kondenzatora:
C= Q . V

(4.1)

Nazivna kapacitivnost jeste kapacitivnost pri normalnim radnim uslovima i oznaena je na samom kondenzatoru. Nazivne kapacitivnosti kondenzatora sa dozvoljenim tolerancijama biraju se iz nizova E6, E12... datih u T3.1. Kapacitivnost se izraava u faradima (F). Meutim, s obzirom da je farad vrlo velika jedinica, kapacitivnost se obino izraava u mikrofaradima (F), nanofaradima (nF) i pikofaradima (pF). Kapacitivnost kondenzatora zavisi od vrste dielektrika, geometrijskog oblika, dimenzija, itd. Uticaj dielektrika na kapacitivnost je uslovljen intenzitetom polarizacije samog dielektrika. Kao to je poznato, sposobnost dielektrika da se polarizuje u elektrinom polju karakterie se dielektrinom propustljivou, koja se jo zove i dielektrina konstanta:

= r o ,

(4.2)

gde je r relativna dielektrina konstanta dielektrika, a o dielektrina konstanta vakuuma i ona iznosi o = 8,8510-12 F/m. Kapacitivnost kondenzatora razliitih konstrukcija (sl. 4.2) izraunava se sledeim izrazima, u kojima je kapacitivnost u pF, a dimenzije u cm: kapacitivnost ploastog kondenzatora sa N obloga (sl. 4.2a):

58

a.

b.

Sl. 4.2. Kondenzatori razliitih konstrukcija: a ploasti sa vie obloga; b tubasti.

C = or

S (N 1) S ( N 1) = 0,0885 r , d d

(4.3)

pri emu je S povrina obloga, a d debljina dielektrika (rastojanje izmeu obloga); kapacitivnost tubastog kondenzatora, dobijenog namotavanjem trake (sl. 4.2b): C = 0,177 r bL , d (4.5)

gde je b irina, a L ukupna duina trake. Kada je vie kondenzatora vezano paralelno (na sl. 4.3 su, kao primer, prikazana dva paralelno vezana kondenzatora), ukupna kapacitivnost Cekv takve veze je:
C ekv = C i ,
i =1 n

(4.6)

a kada je njih vie vezano na red, ukupna kapacitvnost se izraunava na osnovu izraza:
n 1 1 = . C ekv i =1 C i

(4.5)

Sl. 4.3. Paralelno i redno vezivanje dva kondenzatora. 59

4.1.2. Klase tanosti; oznaavanje kondenzatora

Kada je to mogue, vrednosti kapacitivnosti kondenzatora (ako nije posebno naglaeno, u pF), kao i dozvoljena odstupanja kapacitivnosti od nazivne vrednosti, nazivni napon, itd. ispisuju se na samom telu kondenzatora. Dozvoljena odstupanja kapacitivnosti od nazivne vrednosti, koja se izraavaju u procentima, definisana su klasama tanosti. Ta odstupanja mogu biti simetrina (10%, 20%) i nesimetrina (10%, +30%). S obzirom da veoma esto, zbog malih dimenzija kondenazatora, na njima nema mesta za ispisivanje tolerancije kapacitivnosti, to je za iste uveden sistem slovnog oznaavanja (isti standard vai i za oznaavanje tolerancije otpornosti otpornika); na primer, oznaka F se odnosi na toleranciju 1% (100 F 100 pF 1%), a J na toleranciju 5% (47 J 47 pF 5%)1. Pored toga, za oznaavanje kondenzatora koriste se i boje koje se nanose u obliku trake ili take (videti fusnotu br. 2). Naalost, nain oznaavanja kondenzatora bojama, kao i slovima i ciframa, nije jedinstven za sve vrste kondenzatora i esto odstupa od standarda. Kada se kapacitivnost u pF oznaava pomou tri cifre, trea cifra kazuje koliko nula ima iza prve i druge cifre. Na primer: 220 pF 221; 47 pF 470; 56 nF 563. Meutim, kada se kapacitivnost oznaava takom iza koje je neka cifra, onda je C u F; na primer: .0047 0,0047 F. Na sl. 4.3 je prikazano nekoliko naina oznaavanja kondenzatora (uz korienje T2.1 i T2.2 u knjizi navedenoj u fusnoti br. 1).

1000 pF = 1 nF 10%, 50 VDC

0,22 F 10%, 250 VDC

4,7 nF, 400VDC

0,15 F 20%, 100 VDC

47 pF 20%, C = 2200 ppm/oC

0,47 F, 100VDC

10 nF 20%, 250 VDC

330 nF 5%, 160 VDC

20 pF 20%, 50 VAC, 400VDC

Sl. 4.3. Razliiti naini obeleavanja kondenzatora; naalost, mnogi proizvoai imaju svoja interna obeleavanja, tako da je za konkretnu primenu kondenzatora neophodno korienje kataloga dotinog proizvoaa.
O detaljnijem oznaavanju kondenzatora, kako slovima tako i bojama, videti u knjizi: Stojan Risti, RLC komponente, Prosveta, Ni, 2005.
1

60

4.1.3. Dielektrici i dielektrina konstanta

Kapacitivnost i karakteristike kondenzatora znatno zavise od toga koji je dielektrik upotrebljen u kondenzatoru. Pored podele na polarne i nepolarne, dielektrici se mogu podeliti i u sledee grupe: Liskun, staklo, keramika sa malim gubicima (keramika tipa I) i njima slini; koriste se za kondenzatore ije su kapacitivnosti od nekoliko pF do nekoliko stotina pF. Keramika sa velikom vrednou dielektrine konstante (keramika tipa II i tipa III); koristi se za kondenzatore kapacitivnosti od nekoliko stotina do nekoliko desetina hiljada pF. Papir i metalizirani papir; koristi se za kondenzatore kapacitivnosti od nekoliko hiljada pF do nekoliko F. Oksidni slojevi; koriste se za elektrolitske kondenzatore kapacitivnosti reda F i vee. Dielektrici u obliku folija, kao to su stirofleks, poliester, polikarbonat, itd.; koriste se za kondenzatore kapacitivnosti od stotinu pF do nekoliko F. Dielektrina konstanta dielektrika zavisi, u optem sluaju, od temperature, napona i frekvencije promene elektrinog polja izmeu obloga kondenzatora, a takoe i od niza drugih spoljanjih faktora, to znai da je i kapacitivnost kondenzatora funkcija pomenutih veliina.

4.1.4. Otpornost izolacije i vremenska konstanta kondenzatora

Realni dielektrici poseduju neku elektroprovodnost, uslovljenu postojanjem slobodnih jona i elektrona u njima. Ta provodnost je mala, ali ipak konana. Konstantna struja Icu koja protie kroz dielektrik pod uticajem napona na oblogama kondenzatora i koja je, praktino, struja gubitaka, zove se struja curenja. Prema tome, otpornost dielektrika, odnosno otpornost izolacije kondenzatora, a to je otpornost izmeu obloga kondenzatora, jednaka je:
R= V . I cu

(4.6)

Struja curenja Icu je vrlo mala, reda stotog ili hiljaditog dela mikroampera (izuzev kod elektorlitskih kondenzatora) i raste sa temperaturom priblino po eksponencijalnom zakonu, tako da otpornost izolacije jako zavisi od temperature i veoma je velika (izraava se u megaomima, gigaomima, a takoe i u teraomima). Otpornost izolacije prvenstveno zavisi od specifine zapreminske otpornosti dielektrika i od njegovih dimenzija (debljine d i povrine S):
R= d . S

(4.7)

Otpornost izolacije se meri pri normalnim klimatskim uslovima. Sa poveanjem temperature ova otpornost se eksponencijalno smanjuje (sl. 4.4). Za N = 2, iz (4.3) i (4.7) sledi:
RC = o r = C .

(4.8)

Veliina C = RC se zove vremenska konstanta kondenzatora i izraava se u sekundama. Kao to se iz (4.8) vidi, vremenska konstanta ne zavisi od dimenzija kondenzatora, ve
61

samo od fizikih osobina dielektrika. Praktino, vremenska konstanta kondenzatora predstavlja vreme za koje koliina elektriciteta opadne na 1/e deo (ili 36,8%) poetne vrednosti. Ona, takoe, odreuje vremensko punjenje i pranjenje kondenzatora. Naime, neka je na kondenzator prikljuen jednosmerni napon E. Napon na kondenzatoru nee trenutno dostii tu vrednost, ve e se poveavati po zakonu:
t vC (t ) = E 1 exp( ) . C

(4.9)

Sl. 4.4. Otpornost izolacije razliitih vrsta dielektrika u funkciji temperature pri 500 V jednosmernog napona na oblogama kondenzatora: 1 liskun zatopljen epoksidnom smolom; 2 izolovana keramika; 3 neizolovana keramika; 4 namotan impregnisan papir; 5 liskun zatpoljen bakelitom; 6 metalizirani papir; 7 impregnisani papir.

Ako je, pak, kondenzator bio napunjen i na njegovim oblogama je bio napon E, pri njegovom slobodnom pranjennju napon na kondenzatoru e se smanjivati po zakonu: vC (t ) = E exp( t ). C (4.10)

Treba naglasiti da su vremenske konstante kondenzatora ije su kapacitivnosti manje od 100 nF vie uslovljene konstrukcijom i spoljanjim izgledom kondenzatora, nego samim osobinama dielektrika. Za razliite tipove kondenzatora vrednost vremenske konstante iznosi od nekoliko sekundi do nekoliko dana (T4.1). T4.1. Vrednosti vremenskih konstanti razliitih tipova kondenzatora
Tip kondenzatora Kond. sa plastinim folijama (polistirolni, stirofleksni) Papirni Tantalni elektrolitski Keramiki sa velikom vrednou dielektrine konstante Aluminijumski elektrolitski sa nenagrienom anodom 62 Vremenska konstanta Nekoliko dana Nekoliko sati Jedan do dva sata Nekoliko minuta Nekoliko sekundi

4.1.5. Frekventna svojstva kondenzatora

Kapacitivnost kondenzatora zavisi od frekvencije i to zbog toga to se sa frekvencijom menja dielektrina konstanta i, znatno ee, zbog toga to kondenzator poseduje i parazitne veliine, kao to su parazitna otpornost i parazitna induktivnost LC. Na visokim frekvencijama svaki kondenzator se moe predstaviti ekvivalentnom emom kao na sl. 4.5. Ovom ekvivalentnom emom obuhvaeni su ne samo osnovna kapacitivnost i otpornost kondenzatora, nego i induktivnost i aktivne otpornosti izvoda.

Sl. 4.5. Ekvivalentna ema kondenzatora.

Induktivnost kondenzatora obino je mala i ima vrednost reda nanohenrija. Otpornost gubitaka r, koja se sastoji od aktivnih otpornosti obloga kondenzatora i izvoda, za obine kondenzatore (ne elektrolitske), iznosi desetine delova oma. Otpornost R >> r u naznaenoj ekvivalentnoj emi jednaka je otpornosti izolacije kondenzatora (ova otpornost se obeleava i sa Rp paralelna otpornost). Postojanje sopstvene induktivnosti uslovljava pojavu rezonance koja nastaje pri rezonantnoj frekvenciji:

fr =

1 2 LC C

(4.11)

To znai da e se kondenzator pri frekvencijama f > fr ponaati kao impedansa koja ima induktivni karakter. Drugim reima, kondenzator treba koristiti pri frekvencijama f < fr, pri kojima impedansa kondenzatora ima kapacitivni karakter. Najee se radni opseg frekvencija bira tako da je najvia frekvencija 23 puta nia od rezonantne frekvencije kondenzatora. Na sl. 4.6 prikazane su tipine zavisnosti impedanse aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora i kondenzatora sa plastinim metaliziranim folijama od frekvencije. Poveanje rezonantne frekvencije fr postie se smanjenjem parazitne kapacitivnosti LC. Jedan od naina dobijanja malih vrednosti induktivnosti LC jeste primena kratkih izvodnica, ili upotreba kondenzatora za povrinsko montiranje (SMD). Smanjenje induktivnosti LC kod namotanih tubastih kondenzatora postie se postavljanjem kontakata izvodnica to je mogue blie jedan drugome. Gubici u parazitnim kapacitivnostima, do kojih neminovno dolazi usled konstruktivnih izvoenja kondenzatora (inkapsulacija, zalivanje ili presovanje u plastine mase, itd.), kao i gubici na otpornosti izolacije (otpornosti R = Rp na ekvivalentnoj emi na sl. 4.5) odreuju donju graninu frekvenciju kondenzatora. Slika 4.7 prikazuje opseg frekvencija pri kojima se kondenzatori sa razliitim dielektricima mogu koristiti. S obzirom da se konstrukcijom i tehnologijom proizvodnje kondenzatora moe unekoliko da utie na frekventni opseg, to je dijagram na sl. 4.7 samo orijentacionog karaktera.

63

Sl. 4.6. Frekventna zavisnost modula impedanse: a aluminijumskih elektrolitiskih kondenzatora; b kondenzatora sa metaliziranim plastinim folijama.

Sl. 4.7. Frekventni opseg primene kondenzatora sa razliitim dielektricima.

4.1.6. Gubici u kondenzatoru

U realnom kondenzatoru, koji je prikljuen u elektrino kolo, jedan deo energije se uvek bespovratno izgubi. Ovaj gubitak energije je posledica zagrevanja kondenzatora i rasejavanja toplote u okolnu sredinu. Pri tom, izdvojena toplota moe u kondenzatoru da dovede do nedopustivog poveanja njegove temperature. Poveanje temperature iznad temperature okolne sredine direktno je proporcionalno snazi gubitaka Pa. Kondenzatori velikih reaktivnih snaga, kod kojih gubici energije imaju i ekonomski smisao, karakteriu se dopustivim gubicima snage Pa,dop. Ukupna snaga gubitaka Pa u kondenzatoru iznosi:
64

Pa = P + Pm ,

(4.12)

gde je P snaga gubitaka u dielektriku, a Pm snaga gubitaka u metalnim delovima kondenzatora. Gubici u dielektriku su, u osnovi, povezani sa procesom polarizacije dielektrika i njegovom provodnou. Gubici u metalnim delovima uslovljeni su zagrevanjem obloga, izvoda i kontakata.

Sl. 4.8. a Redna ekvivalentna ema kondenzatora; b fazorski dijagram napona i struja.

Snaga gubitaka u kondenzatoru moe se izraziti preko gubitaka na ekvivalentnoj rednoj otpornosti kondenzatora Re, sl. 4.8 (sl. 4.8 je redna ekvivalentna ema kondenzatora sa sl. 4.5). Ekvivalentna redna otpornost Re i ekvivalentna kapacitivnost Ce iznose (zanemaruje se Lc):

Re = r +

Rp 1 + (R p C ) 2

1 ; C e = C 1 + ( R p C ) 2

C za (R p C ) 2 >> 1.

(4.13)

Ugao , koji dopunjuje ugao izmeu vektora struje I i napona V (sl. 4.8b) do 90o zove se ugao gubitaka. Tangens tog ugla, ija je vrednost pri zadatoj kapacitivnosti kondenzatora C i frekvenciji direktno proporcionalna otpornosti gubitaka Re, zove se tangens ugla gubitaka kondenzatora:
tg = V Re R I 1 e = r C + = tg m + tg , 1 VCe R p C I C (4.14)

gde je tgm = rC tangens ugla gubitaka u metalnim delovima, a gubici u dielektriku su dati uglom gubitaka i tangensom ugla gubitaka tg 1/(RpC). Veliina inverzno proporcionalna tangensu ugla gubitaka (Q = 1/tg) jeste faktor dobrote kondenzatora (Q-faktor). Kao to se iz jedn. (4.14) vidi, tangens ugla gubitaka jednak je zbiru tangensa ugla gubitaka u metalu (tgm) i dielektriku (tg). Treba naglasiti da je tg dominantan pri vrlo niskim frekvencijama i da sa porastom frekvencije naglo opada. Sa druge strane, kao to je evidentno iz jedn. (4.14), tgm raste sa frekvencijom, tako da se moe smatrati da je na visokim frekvencijama tg tgm, sl. 4.9a,b. Tangens ugla gubitaka, meren za razliite tipove kondenzatora u njihovom radnom opsegu frekvencije, iznosi a10-4, pri emu koeficijent a ima vrednosti od jedinice za vazdune do a = 1000 3000 za elektrolitske kondenzatore.
65

Sl. 4.9. Zavisnost tg: a od uesatnosti za kondenzatore sa nepolarnim dielektrikom; b od uesatnosti za kondenzatore sa polarnim dielektrikom; c od temperature za kondenzatore sa nepolarnim dielektrikom; d od temperature za kondenzatore sa polarnim dielektrikom; e od napona.

4.1.7. Stabilnost kondenzatora

Elektrina svojstva i radni vek kondenzatora zavise od dejstva spoljanjih klimatskih i mehanikih uticaja (temperature, pritiska, vlanosti, radijacije, vibracija, itd.). Uticaj temperature ogleda se u promeni kapacitivnosti i ugla gubitaka (faktora dobrote kondenzatora), a takoe i elektrine vrstoe. Naime, promena temperature utie na metalne delove kondenzatora u vidu skupljanja ili irenja, usled ega se menja kapacitivnost. Isto tako, promena temperature moe da utie i na dielektrik, koji moe ili da omeka (staklo), ili da se rastopi (parafin), ili da ovrsne (kao ulje na niskim temperaturama), ili da u dielektriku nastanu naprsline i pukotine. Pored pomenutih promena u dielektriku, sa promenom temperature menja se i dielektrina konstanta dielektrrika. Linearna promena kapacitivnosti kondenzatora sa temperaturom moe se predstaviti izrazom:
C = C o (1 + C T ) ,

(4.15)

gde je Co kapacitivnost pri temperaturi To u odnosu na koju se meri promena kapacitivnosti, a C je temperaturni koeficijent kapacitivnosti:
C = 1 dC . C dT

(4.16)

Ako promena kapacitivnosti sa temperaturom C(T) ima nelinearni karakter, to je za ocenu temperaturne stabilnosti kapacitivnosti kondenzatora bolje koristiti relativnu promenu kapacitivnosti C:

66

C =

C (T ) C (To ) 100 (%). C (To )

(4.17)

Uticaj vlage na karakteristike kondenzatora moe biti znatan u sluaju da vlaga prodre u dielektrik, ime se menja dielektrina konstanta dielektrika (dielektrina konstanta vode iznosi r = 80), a to znai da se menja i kapacitivnost kondenzatora. Pored toga, prisustvo vlage znatno smanjuje otpornost izolacije. Kao rezultat smanjenja otpornosti izolacije rastu gubici, posebno pri povienim temperaturama, a takoe se smanjuje i elektrina vrstoa usled porasta verovatnoe nastajanja toplotnog proboja. Pri konstantnom dejstvu vlage postoji mogunost nastajanja elektrohemijskih pojava u dielektriku. Katastrofalne promene vrednosti parametara kondenzatora najee se javljaju kod kondenzatora koji due vreme nezatieni rade pri visokoj vlanosti, posebno u tropskim krajevima. Kondenzatori koji su zatopljeni u plastine mase mogu pouzdano da rade pri relativnoj vlanosti vazduha do 90%, a hermetizovani do iznad 98%.

4.2. KONDENZATORI STALNE KAPACITIVNOSTI

Sl. 4.10. Razliite vrste kondenzatora stalne kapacitivnosti.

Kondenzatori stalne (konstantne) kapacitivnosti najee se dele prema vrsti upotrebljenog dielektrika, tako da se razlikuju: papirni kondenzatori, kondenzatori sa metaliziranim papirom, kondenzatori sa plastinim i metaliziranim plastinim folijama, liskunski kondenzatori, stakleni kondenzatori, keramiki kondenzatori, elektrolitski kondenzatori, itd. Vie informacija o njima u odnosu na ono to e nadalje biti dato mogu se nai u knjizi navedenoj u fusnoti br. 1.
67

4.2.1. Papirni kondenzatori

Papir je jedan od najstarijih dielektrika koji se koristi pri proizvodnji kondenzatora. Pri tom, papir mora biti posebno izraen (tkzv. kondenzatorski papir). Treba napomenuti da se papir nikada ne koristi sam, ve se uvek impregnie sintetikim tenostima, mineralnim uljima, votanim materijalima ili vazelinom. To se ini zbog toga da bi se smanjila higroskopnost kondenzatorskog papira. Istovremeno, na taj nain se poveava dielektrina vrstoa papira, ali poveava i koeficijent dielektrinih gubitaka. Papirni kondenzatori se najee rade tubastog oblika namotavanjem papirnih traka izmeu kojih su, kao kondenzatorske obloge, metalne folije. Kao kondenzatorske obloge obino se koriste aluminijumske folije, sl. 4.2b. U elektronici se papirni kondenzatori sve manje koriste i zamenjuju se kondenzatorima sa plastinim folijama. Meutim, jo se koriste u telefoniji (npr. u aluminijumskom kuitu), u energetskoj elektronici, za korekciju faktora snage, itd. Nedostaci papirnih kondenzatora su postojanje vazdunih mehuria u papiru i velike dimenzije samoga kondenzatora. Ovi nedostaci su, donekle, izbegnuti kod kondenzatora sa metaliziranim papirom, kod kojih je jedna strana papirne trake metalizirana. Druga dobra osobina ovih kondenzatora je autoregeneracija, koja se sastoji u sledeem: ako pod dejstvom napona nastane proboj ili kratak spoj izmeu obloga, usled velike lokalne temperature isparie veoma tanak sloj metala u okolini mesta proboja i spreie obrazovanje stalnog kratkog spoja. Trea prednost u odnosu na papirne kondenzatore jeste manja dimenzija kondenzatora sa metaliziranim papirom, s obzirom da se umesto aluminijumskih folija (debljine oko 6 m) koristi sloj metalizacije debljine (0,020,06) m. Postoji vie razliitih tipova i modela kondenzatora sa metaliziranim papirom, od kojih se izdvajaju: cilindrini kondenzatori za iroku potronju u plastinim kuitima, kondenzatori za kompenzaciju faktora snage kod fluoroscentnih svetiljki, kondenzatori za kompenzaciju faktora snage kod motora, itd.

4.2.2. Kondenzatori sa plastinim i metaliziranim plastinim folijama

Kondenzatori sa plastinim folijama (filmovima) i metaliziranim plastinim folijama su skoro u potpunosti potisnuli papirne kondenzatore, s obzirom da od njih imaju znatno veu otpornost izolacije i istovremeno znatno manji tangens ugla gubitaka. Kao dielektrik koriste se nemetalizirane i metalizirane folije od razliitih materijala, kao to su stirofleks (zove se jo i polistiren i polistirol), poliester, polikarbonat, polipropilen, itd. Konstrukcija kondenzatora sa plastinim folijama i metaliziranim plastinim folijama je slina konstrukciji papirnih kondenzatora. Kada su folije nemetalizirane, one i metalne folije se slau kao na sl. 4.11a (kod blok kondenzatora), ili se metalne folije, izmeu kojih se smetaju dva ili tri sloja folija od pomenutih materijala, namotavaju (sl. 4.2b). Na sl. 4.11b je prikazan deo blok kondenzatora sa metaliziranim plastinim folijama, a na sl. 4.12 spoljanji izgled tih kondenzatora (zovu se jo i metal-film kondenzatori). Kao to se sa sl. 4.11b vidi, kontaktiranje metalizacije sa izvodnicama ostvareno je posredstvom metalnog draa, za razliku od kondenzatora sa folijama bez metalizacije (sl. 4.11a), u kome su metalne folije u direktnom kontaktu sa izvodnicama. Pored izrazito boljih karakteristika u odnosu na papirne kondenzatore i kondenzatore sa metaliziranim papirom u pogledu otpornosti izolacije, gubitaka, vremenske konstante, faktora dobrote, frekventnog opsega, itd., nedostatak kondenzatora sa plastinim i metaliziranim plastinim folijama je to imaju relativno malu zapreminsku kapacitivnost.

68

a.

b.

Sl. 4.11. Detalji konstrukcije blok kondenzatora sa plastinim folijama (a) i metaliziranim plastinim folijama (b).

Sl. 4.12. Spoljanji izgled kondenzatora sa metaliziranim folijama (metal-film kondenzatora).

Sl. 4.13. Spoljanji izgled stirofleksnih kondenzatora. 69

Od kondenzatora sa plastinim folijama u ureajuma iroke potronje najee se koriste stirofleksni (polistirenski, polistirolski) i poliesterski (polietilenski) kondenzatori. Spoljnji izgled nekih stirofleksnih kondenzatora prikazan je na sl. 4.13, a poliesterskih na sl. 4.14. Osovne razlike izmeu stirofleksnih i poliesterskih kondnezatora prikazane su na sl. 4.15. Sa sl. 4.15 se vidi da poliesterski kondenzatori imaju neto loije karakteristike od stirofleksnih, ali treba naglasiti da se, za razliku od stirofleksnih foilija, poliesterske folije mogu metalizirati, te postoje (oni se vie i koriste) i kondenzatori sa metaliziranim poliesterskim folijama.

Sl. 4.14. Spoljanji izgled razliitih vrsta poliesterskih kondenzatora.

a.

b.

d.
Sl. 4.15. Uporedne zavisnosti promene kapacitivnosti sa temperaturom (a), tg sa temperaturom (b) i frekvencijom (c) i otpornosti izolacije sa temperaturom (d) za stirofleksne i poliesterske kondenzatore.

c.

Pored pomenutih, veliku primenu su nali i polikarbonatski (sl. 4.16) i polipropilenski kondenzatori (sl. 4.17) koji su izraeni od metalizirane polikarbonatske, odnosno polipropilenske
70

folije, respektivno. Po elektrinim karakteristikama i polikarbonatski i polipropilenski kondenzatori su veoma slini stirofleksnim kondenzatorima, ali za razliku od njih imaju 1015 puta manju zapreminu (manjih su dimenzija) i mogu se koristiti u irem temperaturnom opsegu.

Sl. 4.16. Spoljanji izgled razliitih vrsta polikarbonatskih kondenzatora.

Sl. 4.17. Spoljanji izgled razliitih vrsta polipropilenskih kondenzatora.

4.2.3. Liskunski kondenzatori

Liskunski kondenzatori, ili kako se jo zovu mika kondenzatori spadaju u red preciznih i stabilnih kondenzatora primenljivih na visokim frekvencijama. Ovi kondenzatori imaju izuzetno malu rednu otpornost, maksimalni odnos kapacitivnosti i zapremine, mali i jako stabilan temperaturni koeficijent kapacitivnosti i uske tolerancije. Liskun je mineral sloenog hemijskog sastava i u prirodi se sree u vie razliitih varijanti. Jedna od osobina liskuna, koja je iskoriena za proizvodnju kondenzatora, jeste mogunost njegovog cepanja na tanke listie (zato se od njih mogu dobiti samo blok kondenzatori, sl. 4.18).
71

Sl. 4.18. Spoljanji izgled nekih liskunskih kondenzatora.

4.2.4. Stakleni kondenzatori

Stakleni kondenzatori su namenjeni za visoke frekvencije i dopunjuju nazivne vrednosti kapacitivnosti liskunskih kondenzatora iz E-nizova. Kao dielektrik se koristi borsilikatno staklo. To su blok kondenzatori (sl. 4.19) sa naslaganim listiima stakla i aluminijumske folije. Sami kondenzatori su monolitni, izvanredno hermetiki zatvoreni. Ono to staklene kondenzatore izdvaja od ostalih jeste to oni zadravaju stabilne karakteristike ak od 180oC do +200 oC i to su od svih ostalih kondenzatora najotporniji na kosmika i nuklearna zraenja, sl. 4.20 (u svemirskim letilicama upravo zato ima najvie ovih kondenzatora).

Sl. 4.19. Spoljanji izgled nekih staklenih kondenzatora.

4.2.5. Keramiki kondenzatori

Postoji veliki broj razliitih vrsta keramikih kondenzatora (njihov spoljanji izgled je prikazan na sl. 4.21), a svi se primenjuju pri srednjim i visokim frekvencijama. Iako su to, moda, kondenzatori koji se brojano najvie koriste (zbog niske cene), u principu to nisu kvalitetne komponente. Najee se dele u tri osnovne grupe: tipa I, tipa II i tipa III. Keramiki kondenzatori tipa I (keramike tipa I su titanati magnezijuma ili kalcijuma, sa r = 5 470) su temperaturno stabilni kondenzatori, sa kapacitivnou (10 30) pF/mm3. Ono
72

po emu se kondenzatori razlikuju od keramikih kondenzatora tipa II i tipa III jeste to je kod njih promena kapacitivnosti sa temperaturom linearna, sl. 4.21.

Sl. 4.20. Uporedni prikaz otpornosti na promene kapacitivnosti razliitih tipova kondenzatora usled kosmikog i nuklearnog zraenja.

Sl. 4.21. Spoljanji izgled razliitih vrsta keramikih kondenzatora.

Sl. 4.22. Temperaturne zavisnosti kapacitivnosti keramikih kondenzatora tipa I; oznaka, npr. N1500, znai da je temperaturni koeficijent kapacitivnosti negativan i da iznosi C = 150010-6 1/oC. 73

Keramiki kondenzatori tipa II su temperaturno nestabilni kondenzatori sa velikom vrednou dielektrine konstante (r = 700 15000), pogodni za upotrebu u kolima za spregu i odvoenje ili odvajanje frekvencije, gde nisu bitni mali tangens ugla gubitaka ili velika stabilnost kapacitivnosti. Iako su kondenzatori malih dimenzija, kapacitivnosti su relativno velike, s obzirom da se koriste keramike sa velikim vrednostima dielektrinih konstanti; kapacitivnost je oko 500 pF/mm3. Za razliku od keramikih kondenzatora tipa I, koji imaju definisan i stabilan temperaturni koeficijent kapacitivnosti, keramiki kondenzatori tipa II imaju nestabilnu kapacitivnost, koja je sloena funkcija temperature (sl. 4.23a), frekvencije, prikljuenog napona i vremena rada kondenzatora. Kod njih temperaturni koeficijent kapacitivnosti nije definisan, te se i ne normira. Za keramike tipa II se koristi i naziv senjetokeramike. To su titanati i cirkonati barijuma ili stroncijuma. Nju karakterie Kirijeva temperatura, tj. temperatura pri kojoj jedan tip kristalne reetke prelazi u drugi tip. Tako, keramika na bazi titanata barijuma ima tetragonalnu kristalnu strukturu na 25oC; poveanjem temperature do (120125)oC tetragonalna kristalna struktura transformie u kubinu. Ovaj fenomen nije poeljan, s obzirom da poveava kapacitivnost, a vraanje na prvobitnu kristalnu strukturu u toku vremena se odvija priblino po eksponencijanom zakonu. Proizvodnja keramike, njena metalizacija i zatopljavanje kondenzatora su iznad Kirijeve temperature. Stoga se, tokom vremena, smanjuje kapacitivnost kondenzatora.

Sl. 4.23a. Temperaturne promene kapacitivnosti keramikih kondenzatora tipa II.

Keramiki kondenzatori tipa III su veoma temperaturno nestabilni kondenzatori (sl. 4.23b) sa izuzetno velikom vrednou dielektrine konstante (r = 50000100000), pogodni za sprena kola, kola za blokiranje i slino, u kojima mali tangens ugla gubitaka, velika otpornost izolacije i velika stabilnost kapacitivnosti nisu bitni. U poreenju sa keramikim kndenzatorima tipa II, ovi kondenzatori imaju manju otpornost izolacije ili manji proizvod RC i vei tg (znai, jo su loiji). Sa druge strane, usled vrlo velike vrednosti dielektrine konstante, ovi kondenzatori imaju najveu zapreminsku kapacitivnost, iznad 1 nF/mm3.
74

Sl. 4.23b. Temperaturna zavisnost kapacitivnosti keramikih kondenzatora tipa III.

4.2.6. Elektrolitski kondenzatori

Osnovna osobina elektrolitskih kondenzatora je velika zapreminska kapacitivnost, posebno izraena pri malim radnim naponima. Velika kapacitivnost se postie upotrebom veoma tankih oksidnih slojeva nekih metala (Al, Ta) kao dielektrika; naime, iz
C = or S , d

(4.18)

vidi se da e, pri istim vrednostima povrine S i relativne dielektrine konstante dielektrika r, kapacitivnost utoliko biti vea ukoliko je debljina dielektrika d manja. Stoga, da bi se obezbedio dobar (ravnomeran) elektrian kontakt izmeu povrine tako tankog dielektrika (tj. oksida metala) i druge elektrode (jedna elektroda je metalna folija ili tapi na kojoj je oksid, a druga obino neoksidisana metalna folija, sl. 4.24a) neophodno je da se upotrebi provodna tenost zato se koristi tean elektrolit (kod kondenzatora sa tenim elektrolitom, sl. 4.24a), ili mangan dioksid koji ima poluprovodnike osobine (kod kondenzatora sa vrstim elektrolitom, sl. 4.24b). Drugim reima, elektrolit ima ulogu produetka druge elektrode.

Aluminijumski kondenzatori sa tenim elektrolitom

Aluminijumski kondenzatori sa tenim elektrolitom (sl. 4.25) dele se na polarizovane i nepolarizovane (bipolarne). U osnovi je svaki polarizovani aluminijumski elektrolitski kondenzator izraen kao i svaki drugi kondenzator: izmeu provodnih elektroda je izolator (sl. 4.24a). Kao jedna elekroda (anoda) koristi se aluminijumska folija, koja je posebnim tehnolokim postupkom oksidisana. Taj oksidni sloj predstavlja dielektrik, a njegova debljina zavisi od nazivnog napona kondenzatora. Druga elektroda (katoda) je izvedena preko provodnog elektrolita (npr. rastvora glikola,
75

borne kiseline i amonijaka), a za dovod elektrine struje i kontakt sa elektrolitom koristi se druga aluminijumska folija. Izmeu oksidisane aluminijumske folije i folije za dovod struje (katode) nalazi se u elektrolitu uvijen (slino kao kod papirnih kondenzatora) papir. Papir ima ulogu razdvajaa izmeu pozitivne folije (anode) i negativne folije (katode).

Sl. 4.24. Principijelna predstava konstrukcije polarizovanog elektrolitskog kondenzatora sa tenim (a) i vrstim (b) elektrolitom.

Sl. 4.25. Spoljanji izgled razliitih vrsta aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora.

Ono o emu mora da se vodi rauna jeste da pri inverznoj polarizaciji polarizovanog elektrolitskog kondenzatora, ve pri naponu od 2V, nastaje proces oksidacije katodne aluminijumske folije, to se oituje poveanjem struje, a sve to dovodi do pogoravanja karakteristika kondenzatora (pri veim inverznim naponima nastupa proboj uz jako ujan prasak). Zbog toga su polarizovani alumijumski elektrolitski kondenzatori namenjeni za rad pri jednosmernoj polarizaciji, a kada se jednosmernoj polarizaciji superponira naizmenini napon, mora se voditi rauna da pri negativnoj poluperiodi naizmeninog napona inverzni napon ne bude vei od 2V. Kod nepolarizovanih (bipolarnih) elektrolitskih kondenzatora katodna neoksidisana folija je zamenjena oksidisanom folijom. Zbog toga ovi kondenzatori mogu raditi i pri jednosmernoj i pri naizmeninoj polarizaciji. Svaki od slojeva dielektrika moe se u takvom kondenzatoru
76

nalaziti pod punim radnim naponom. Meutim, s obzirom da se debljina dielektrika udvostruila, pri istom nazivnom naponu kapacitivnost nepolarizovanih kondenzatora je dva puta manja u odnosu na kapacitivnost polarizovanih kondenzatora. Ve je ranije napomenuto (sl. 4.6a) da impedansa aluminijumsih elektrolitskih kondenzatora jako zavisi od frekvencije i temperature (u cilju kompletnosti, na sl. 4.26 ponovo su prikazane zavisnosti modula impedanse od frekvencije i temperature za dva razliita kondenzatora). Naime, pri viim frekvencijama ekvivalentna ema kondenzatora sa sl. 4.5, kada se zanemari otpornost izolacije, koja je Ri > 100 M, svodi se na ekvivalentnu emu kao na sl. 4.27.

Niskonaponski

Visokonaponski

Sl. 4.26. Moduo impedanse aluminijumsih elektrolitskih kondenzatora u funkciji frekvencije i temperature.

Sl. 4.27. Ekvivalentna ema aluminijumsih elektrolitskih kondenzatora.

U tom sluaju moduo impedanse kondenzatora iznosi:

1 Lc . Z = r + C
2 2

(4.19)

U poslednjem izrazu r je, praktino, ekvivalentna redna ili serijska otpornost elektrolitskog kondenzatora, koja se esto obeleava sa ESR, i koja, za odreenu temperaturu, odgovara minimalnoj vrednosti |Z| = f(f) sa sl. 4.26. Pored modula impedanse, i tangens ugla gubitaka (sl. 4.28) jako zavisi od frekvencije i temperature. Osim toga, vrednosti tg aluminijumskih elektrolitiskih kondenzatora nisu male. Naprotiv. Upravo zbog tako velikih vrednosti tg, posebno na niskim temperaturama i relativno niskim frekvencijama (sl. 4.28), preporuljivo je ove kondenzatore koristiti samo pri jednosmernim reimima, a ako je to neophodno, pri naizmeninim strujama vrlo niske frekvencije.

77

Sl. 4.28. Tangens ugla gubitaka aluminijumsih elektrolitskih kondenzatorau funkciji frekvencije i temperature: a niskonaponski (100 F/63V); b visokonaponski (47 F/350V).

Kao to je u taki 4.1.4 napomenuto, kod elektrolitskih kondenzatora struja curenja nije mala i ovde se ona ee zove struja gubitaka, a predstavlja struju koja pri prikljuenju jednosmernog napona protie kroz kondenzator. Struja gubitaka raste sa temperaturom (sl. 4.29a). Kada je re o zavisnosti ove struje od vremena, treba rei da je odmah po ukljuenju napona ona velika i zatim opada, tako da posle izvesnog vremena dostie konstantnu vrednost, sl. 4.29b.

Sl. 4.29. Zavisnost struje gubitaka od: a temperature, b vremena.

Ukoliko je aluminijumski elektrolitiski kondenzator due bio uskladiten, ili u samom ureaju nije bio pod naponom, neophodno ga je ponovo formirati. Formiranje se vri pod nazivnim naponom i pri tome je dozvoljeno da struja gubitaka u prvom minutu bude vea i do 100 puta (sl. 4.29b) od dozvoljene; ukoliko taj uslov nije ispunjen (struja gubitaka u trenutku ukljuenja je znatno vea od strostruke dozvoljene vrednosti), ili ne opadne posle (1020) min kao na sl. 4.29b, takav kondenzator treba odbaciti.

78

Tantalni elektrolitski kondenzatori

Sa tenim elektrolitom

Sa vrstim elektrolitom

SMD (sa vrstim elektrolitom) Sl. 4.30. Spoljanji izgled razliitih vrsta tantalnih elektrolitskih kondenzatora.

Princip rada tantalnih kondenzatora je slian radu aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora. Sami kondenzatori su manjih dimenzija, ali skuplji od aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora. U poreenju sa aluminijumskim elektrolitskim kondenzatorima, pored vee zapreminske kapacitivnosti, imaju i sledea preimustva: poveano vreme uskladitenja (od 5 do 10 godina), s obzirom da je oksidni sloj na tantalu stabilniji nego na aluminijumu; manju struju gubitaka; manji tangens ugla gubitaka; due vreme ivota; mogunost rada pri znatno viim frekvencijama (do 100 kHz). Dobra osobina tantala je i to to ne reaguje sa drugim materijalima sa kojima je u dodiru, to doputa upotrebu elektrolita visoke provodnosti, ime se obezbeuje niska redna otpornost. Na osnovu vrste elektrolita, tantalni kondenzatori se dele na kondenzatore sa tenim i sa vrstim elektrolitom (sl. 4.30). Kod kondenzatora sa tenim elektrolitom anode su obino u obliku folija od tantala, koje se namotavaju slino kao kod aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora. Mnogo eu primenu imaju tantalni kondenzatori sa vrstim elektrolitom. Anoda moe biti u vidu sinterovanog otpreska tantalnog praha, ili od ice tantala (za kondenzatore manje kapacitivnosti), kao i u vidu tapia od tantala. Dielektrik sainjava tantal-oksidni sloj, a za elektrolit vrstih tantalnih elektrolitskih kondenzatora koristi se mangandioksid (MnO2, sl. 4.24b). Provodnik za katodu je grafitna i srebrna prevlaka, koja se nanosi na sloj mangandioksida i na nju lemi katodni izvod. S obzirom da MnO2 ima poluprovodnike osobine, ovi kondenzatori se zovu i oksidno-poluprovodniki tantalni kondenzatori. Nedostatak im je to se, u sluaju proboja, ponaaju kao kratak spoj, a zamena pola dovodi do eksplozije samoga kondenzatora.
79

Kao i kod aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora, i kod tantalnih elektrolitskih kondenzatora impedansa jako zavisi od frekvencije. Meutim, kao to se vidi sa sl. 4.31, tantalni kondenzatori zadravaju kapacitivne osobine do znatno viih frekvencija.

Sl. 4.31. Zavisnost impedanse tantalnih elektrolitskih kondenzatora od frekvencije i temperature za kondenzatore: a sa vrstim elektrolitom (8,2 F/35 V); b sa tenim elektrolitom (20 F/60 V).

4.2.7. UltraCap kondenzatori

Sl. 4.32. Spoljanji izgled ultraCap kondenzatora.

UltraCap kondenzatori su komponente koje su namenjene za uvanje energije, s obzirom da imaju izuzetno velike vrednosti kapacitivnosti, iznad farada: 5 F, 10 F, 110 F, ak do 5000 F. Stoga se one i tretiraju kao komponente koje, u energetskom smislu, popunjuju jaz izmeu elektrolitskih kondenzatora i punjivih baterija. Meutim, radni naponi ultraCap kondenzatora su niski (Un 2,5 V), i njihov vek jako zavisi od temperature i vrednosti napona sa kojima su radili. Za
80

postizanje veih vrednosti napona oformljuju se moduli sa vie redno i paralelno vezanih ultraCap kondenzatora (sl. 4.33), ali se, da bi se temperatura odravala to niom, istovremno mora obezbediti hlaenje tih modula, jer se jedino u tom sluaju moe garantovati njihov dug radni vek.

Modul 300 F/14 V

Modul 150 F/42 V

Sl. 4.33. Moduli od ultraCap kondenzatora.

U osnovi, ultraCap kondenzator je elektrohemijski dvoslojni kondenzator kojeg ine dve elektrode uronjene u elektrolit. Ovi kondenzatori nemaju klasian dielektrik, ve je tu ulogu preuzela elektrohemijski ostvarena (zato su to elektrohemijski kondenzatori) suprotstavljena koliina naelektrisanja na oblogama od aktivnog ugljenika, sl. 4.34. Rastojanje izmeu pozitivnog i negativnog naelektrisanja (kvazidielektrik) iznosi samo d = (25) nm, to uslovljava izuzetno velike vrednosti kapacitivnosti (zbog C = orS/d).

Sl. 4.34. Konstrukcija ultraCap kondenzatora.

Treba naglasiti da su, zbog specifinosti izrade, kao i zbog toga to to nisu kondenzatori u klasinom smislu rei (nemaju fiziki dielektrik), ultraCap kondenzatori poznati i pod drugim imenima: elektrohemijski dvoslojni kondenzator, pseudokondenzator, superkondenzator, itd.
81

4.3. KONDENZATORI PROMENLJIVE KAPACITIVNOSTI

Kondenzatori promenljive kapacitivnosti, koji se obino koriste u oscilatornim kolima za promenu rezonantne frekvencije tih kola, dele se na obrtne kondenzatore (vazdune i sa vrstim dielektrikom izmeu obloga), polupromenljive kondenzatore (trimere) i varikap diode. Na sl. 4.35 su prikazani simboli kojima se oznaavaju kondenzatori promenljive kapacitivnosti u emama elektronskih kola.

Obrtni kondenzator

Trimer kondenzator

Varikap dioda

Sl. 4.35. Simboli kondenzatora promenljive kapacitivnosti u emama elektronskih kola.

4.3.1. Obrtni kondenzatori

Sl. 4.36. Izgled nekih kondenzatora promenljive kapacitivnosti.

Obrtni kondenzatori promenljive kapacitivnosti (sl. 4.36) se sastoje od grupe nepokretnih paralelnih ploa statora i grupe pokretnih paralelnih ploa rotora. Rotorske ploe su tako smetene da se izmeu svake dve statorske ploe nalazi po jedna rotorska ploa. Pri obrtanju rotorskih ploa menja se aktivna povrina izmeu ploa, tj. menja se kapacitivnost kondenzatora. Od oblika kondenzatorskih ploa jako zavisi promena kapacitivnosti u funkciji ugla obrtanja, odnosno, drugim reima, izborom oblika ploa kondenzatora moe se menjati frekvencija oscilatornog kola po eljenom zakonu pri obrtanju rotorskih ploa. Na primer, za kondenzatore sa pravolinijiskom promenom frekvencije, koji se koriste u oscilatornim kolima u kojima se sa obrtanjem rotorskih ploa frekvencija menja linearno sa uglom obrtanja, rotorske ploe su srpastog oblika, dok su za linearnu promenu talasne duine te ploe bubreastog oblika.

4.3.2. Polupromenljivi kondenzatori trimeri

Kod polupromenljivih kondenzatora (trimera), sl. 4.37, kapacitivnost se menja samo u toku podeavanja elektronskih kola, a u toku eksploatacije ostaje stalna. Proizvode se vazduni polupromenljivi kondenzatori i kondenzatori sa vrstim dielektrikom. Svi polupromenljivi kondenzatori imaju izolacionu podlogu (npr. keramiku) za koju se privruje stator, leite za rotorsku osovinu i izvode pomou kojih se kondenzator lemi za tampanu plou. Kapacitivnost je odreena povrinom i debljinom rotora i dielektrinom konstantom materijala izmeu rotora.

82

Sl. 4.37. Vieslojni keramiki trimer kondenzatori.

4.3.3. Varikap diode

Sl. 4.38. Varikap diode u razliitim kuitima. Varikap diode su poluprovodnike diode (o diodama i p-n spoju videti glavu 8) sa kontrolisanim kapacitivnim osobinama. Kod njih se koristi kapacitivnost inverzno polarisanog p-n spoja, pri emu se promenom inverznog napona menja irina prelazne oblasti p-n spoja, a time i kapacitivnost varikap diode. Zbog toga se varikap diode mogu koristiti umesto klasinih promenljivih kondenzatora (npr. za podeavanje oscilatornih kola). Prednosti varikap dioda u odnosu na vazdune promenljive kondenzatore su: neuporedivo su manjih dimenzija i mogu da se oklope zajedno sa kalemom, ime se izbegavaju parazitne sprege; otpornije su na mehanika dejstva (udare, potrese, itd.) i atmosferski uticaj; ne postoji osovina kao kod vazdunih promenljivih kondenzatora, ve se promena kapacitivnosti vri promenom napona na diodi, to se moe ostvariti promenom otpornosti potenciometra, koji moe biti daleko od same diode, sl. 4.39.

Sl. 4.39. Uz ilustraciju promene napona na varikap diodi.

83

Nedostaci varikap dioda kao kondenzatora su: gubici su vei nego kod vazdunih promenljivih kondenzatora; kapacitivnost je nelinearna funkcija napona, usled ega nastaju izoblienja, to dovodi do pojave viih harmonika. Od posebnog znaaja su varikap diode sa superstrmim p-n spojem kod kojih je promena kapacitivnosti sa inverznim naponom Vinv data izrazom:
C= Co V 1 + inv Vk
2

(4.20)

gde je Vk tkzv. kontaktna razlika potencijala koja za silicijumske diode iznosi oko 0,9 V (videti glavu 8), a C0 je kapacitivnost nepolarisane varikap diode. Kada se varikap dioda sa promenom kapacitivnosti po (4.20) iskoristi za oscilatorno LC kolo, onda je rezonantna frekvencija

fr =

1 2 LC

C 1 / 2 ((Vk + Vinv ) 2 )

1 / 2

(V k + Vinv ),

tj. frekvencija oscilatornog kola se linearno menja sa naponom.

84

5. KALEMOVI
Kalem (sl. 5.1) je elektronska komponenta koja poseduje reaktivnu otpornost direktno proporcionalnu frekvenciji dovedenog signala na tu komponentu; koeficijent proporcionalnosti izmeu otpornosti i frekvencije predstavlja induktivnost tog kalema. Na sl. 5.2 su prikazani simboli kojima se oznaavaju kalemovi u emama elektronskih kola.

Sl. 5.1. Razliite vrste kalemova.

Kalem se jezgrom

Kalem sa jezgrom induktivnosti L

Kalem bez jezgra induktivnosti L

Sl. 5.2. Simboli kojima se oznaavaju kalemovi u emama elektronskih kola.

5.1. OPTE O KALEMOVIMA 5.1.1. Induktivnost kalemova

Pri promeni magnetne indukcije B u toku kratkog vremenskog intervala (dt), u provodniku se indukuje elektromotorna sila e: e = S gde je S povrina dejstva magnetne indukcije.
85

dB , dt

(5.1)

Dakle, ako se na provodnik prikljui jednosmerni napon, to se jednosmerna struja u njemu odmah ne uspostavlja, s obzirom da se neposredno nakon prikljuenja napona stvara magnetno polje (sl. 5.3) koje ne dozvoljava trenutno uspostavljanje struje (zbog nastanka elektromotorne sile suprotnog znaka). Kada se magnento polje ustali (postane konstantno), to ono prestaje da utie na proticanje jednosmerne struje.

Sl. 5.3. Nastanak magnetnog polja pri proticanju struje kroz provodnik.

U sluaju da se na provodnik prikljui naizmenini napon, to se struja i uspostavljeno magnetno polje naizmenino menjaju. Pri tom, indukovana elektromotorna sila dovodi do pojave otpornosti proticanju struje. Ova otpornost nije povezana sa gubicima energije, tj. to je reaktivna otpornost i proporcionalna je frekvenciji primenjenog naizmeninog napona, a koeficijent proporcionalnosti L nazvan je induktivnou i izraava se u henrijima (H). Drugim reima, ako je XL reaktivna otpornost, a kruna frekvencija, to je:
X L = L .

(5.2)

Za poveanje induktivnosti provodnik se mota spiralno (sl. 5.3), tako da se svaki zavojak ne nalazi samo u svom magnetnom polju, ve i u magnetnom polju susednog zavojka. Induktivnost takvog namotanog provodnika je mnogo vea od induktivnosti nenamotanog provodnika iste duine.

5.1.2. Kalemska tela i vrste namotaja

Od kalemskog tela unekoliko zavise i karakteristike kalema. Kalemska tela su obino cilindrinog oblika sa glatkom ili rebrastom povrinom od lakoobradivih materijala (sl 5.4), ali mogu biti i u obliku prizme, posebno za kalemove za povrinsko montiranje (SMD). Namotaji mogu biti jednoslojni i vieslojni. Kod jednoslojnih kalemova zavojci su jedan do drugoga bez koraka (sl. 5.5) ili su razmaknuti sa korakom (sl. 5.6). Korak zavojaka (p na sl. 5.6) bira se na osnovu razliitih konstruktivnih zahteva; sa jedne strane, pri poveanju koraka smanjuje se magnetna veza izmeu zavojaka, usled ega se smanjuje induktivnost, a sa druge strane to smanjuje sopstvenu (parazitnu) kapacitivnost kalema. U jednoslojne kalemove spadaju i tampani kalemovi (sl. 5.7), koji mogu biti krunog, pravougaonog, estouagaonog ili kvadratnog oblika u vidu rama. Za dobijanje veih vrednosti induktivnosti proizvode se vieslojni kalemovi (sl. 5.8). Meutim, vieslojni kalemovi sa zavojcima motanim po pravilnom redu (sl. 5.9) imaju mali Qfaktor, malu stabilnost i veliku sopstvenu kapacitivnost, tako da su primenljivi samo kao prigunice i u opsegu dugih talasa u radiodifuziji. Zbog toga se za motanje vieslojnih kalemova kori86

sti unakrsno (sl. 5.9) i nasumino motanje (sl. 5.10), ime se postie da takvi kalemovi imaju relativno veliki Q-faktor (Q = 80100) i neznatnu sopstvenu kapacitivnost. Pored toga, ovakav nain motanja obezbeuje veliku mehaniku vrstou ak i bez kalemskog tela.

SMD

Sl. 5.4. Kalemska tela i presek jednog kalema za povrinsko montiranje (SMD).

Sl. 5.5. Jednoslojni kalemovi bez koraka.

Sl. 5.6. Jednoslojni kalem sa korakom.

87

Sl. 5.7. Neki od tampanih kalemova.

Sl. 5.8. Vieslojni kalem sa osnovnim veliinama koje su neophodne za njihov proraun.

Jedan od naina da se obrazuju zavojci jeste motanjem ice. Mogu se ostvariti motanjem hladne zategnute ice (kalemovi sa stegnutim zavojcima) ili sa neznatno zategnutom icom koja je zagrejana do (80120)oC i koja nakon hlaenja vrsto prijanja za kalemsko telo (kalemovi sa vruim zavojcima). Drigi nain je taloenjem sloja metala na neko izolatorsko kalemsko telo. Ovakvi kalemovi imaju neto nii Q-faktor od odgovarajuih kalemova dobijenih namotavanjem ice, ali su zato znatno stabilniji.

Sl. 5.9. Dvoslojni (vieslojni) kalem sa unakrsnim motanjem. 88

Sl. 5.10. Dvoslojni (vieslojni) kalem sa nasuminim motanjem.

Za namotaje se najee koriste lakom izolovane bakarne ice. Pored masivne ice, koriste se i visokofrekventni (VF) gajtani. VF gajtan se sastoji od upredenih tankih, lakom izolovanih bakarnih ilica, debljine (0,05 0,1) mm. Upredanjem ilica se znatno smanjuje uticaj skin efekta, s obzirom da je svaka ilica aktivna pri provoenju struje. Zbog toga je Q-faktor kalema sa VF gajtanom pri visokim frekvencijama vei nekoliko puta od Q-faktora odgovarajueg kalema motanog masivnom icom.

5.1.3. Frekventna svojstva kalemova

Ekvivalentna ema kalema izgleda kao na sl. 5.11a, na kojoj je L induktivnost kalema, C0 parazitna (sopstvena) kapacitivnost, a R = R0 + Rf je otpornost gubitaka, koja, pored omske otpornosti R0, sadri i frekventno zavisne otpornosti usled skin efekta i efekta blizine Rf. Kod kalemova se jezgrom otpornost R sadri i gubitke u jezgru Rj; dakle, R = R0 + Rf + Rj.

Sl. 5.11. Ekvivalentna ema kalema (a), redna ekvivalentna ema (b) i odgovarajui fazorski dijagram (c).

Iz ekvivalentnosti ema sa sl. 5.11a i sl. 5.11b dobijaju se sledei izrazi za ekvivalentnu otpornost Re i ekvivalentnu induktivnost Le:
Re = R

(1 LC ) + (C R )
2 2 o o
2

(5.3)

Co R 2 1 LC o L Le = L . 2 2 2 1 LC o + (C o R )

(5.4)

89

Iz (5.4) je evidentno da se induktivnost smanjuje sa poveanjem frekvencije i da je Le uvek manje od L. Moduo impedanse kalema, na osnovu sl. 5.11a, iznosi:
Z = R 2 + (L )
2 o 2 2

(1 LC ) + (C R )
2 o

(5.5)

a.

b.

Sl. 5.12. Frekventna zavisnost modula impedanse kalemova razliitih induktivnosti.

Dakle, ako su gubici relativno mali, moduo umpedanse e se sa frekvencijom linearno poveavati samo do neke frekvencije, a zatim, kada se uticaj parazitne kapacitivnosti Co vie ne moe da zanemari, poveanje modula impendanse je sa znatno veim nagibom (sl. 5.12). Parazitna kapacitivnost uslovljava nastanak rezonanse na nekoj frekvenciji, i tada moduo impedanse dobija maksimalnu vrednost (sl. 5.12); iznad te frekvencije kalem gubi induktivne osobine, odnosno tada dominantnu ulogu preuzima parazitna kapacitivnost, i kalem se ponaa kao kondenzator. Ve je napomenuto da parazitna kapacitivnost zavisi od naina motanja kalema, to ima posledice na vrednost modula impedanse, a to se najbolje vidi na sl. 5.12b.

5.1.4. Faktor dobrote kalemova

Faktor dobrote kalemova (Q-faktor) definisan je izrazom:
Q= Le 1 , = Re tg

(5.6)

gde je ugao gubitaka izmeu pada napona na induktivnoj otpornosti VLe = LeI i napona na kalemu, sl. 5.11c. Kako i ekvivalentna otpornost kalema Re i ekvivalentna induktivnost Le zavise od frekvencije, to se Q-faktor nee u celom frekventnom opsegu linearno poveavati sa frekvencijom, to na prvi pogled proizilazi iz jedn. (5.6), ve e, naprotiv, pri visokim frekvencijama opadati sa poveanjem frekvencije. Naime, pri viim frekvencijama ekvivalentna otpornost Re, jedn. (5.3),
90

bre raste sa frekvencijom od induktivne otpornosti Le (Le po (5.4)), te Q-faktor dostie maksimum i sa daljim poveanjem frekvencije isti opada, sl. 5.13. Radni frekventni opseg kalema se bira tako da Q-faktor ima maksimalnu vrednost u sredini tog opsega.

Sl. 5.13. Merene vrednosti Q-faktora kalemova razliitih induktivnosti.

Treba napomenuti da kod kalemova se jezgrom otpornost Re sadri i gubitke u jezgru Rj (usled histerezisnih, remanentnih i gubitaka usled vihornih struja u magnentom materijalu). Stoga kod kalemova sa jezgrom nije Qj = rQ0 (Qo faktor dobrote kalema bez jezgra); na primer, usled gubitaka, kod kalemova sa otvorenim jezgrom je Q Qo i , (5.7)

gde je i poetna relativna magnetna permeabilnost na krivoj magneenja (u taki P1 na sl. 5.14): i = B 1 lim . H 0 H o (5.8)

Sl. 5.14. Kriva magneenja magnetnih materijala za jezgra kalemova. 91

Kod kalema sa jezgrom zatvorenog tipa, Q-faktor se moe poveati 23 puta ubacivanjem nemagnetnog procepa meugvoa. To je zbog toga to se uvoenjem meugvoa smanjuje magnetna permeabilnost, a to znai da su i manji gubici. Naime, ako su e i tge magnetna permeabilnost jezgra sa meugvoem i tangens ugla gubitaka kalema sa tim jezgrom, a tg tangens ugla gubitaka kalema sa jezgrom bez procepa, vai:
tg e tg , e i

(5.9)

tako da je Q-faktor kalema sa jezgrom i meugvoem (Qe):

Qe = 1 1 i =Q i . tg e tg e e

(5.10)

S obzirom da je e < i, iz (5.10) se vidi da se Q-faktor poveava uvoenjem meugvoa.

5.2. KALEMOVI BEZ JEZGRA

U ovom delu bie dati izrazi kojima se mogu izraunati induktivnosti pojedinih kalemova bez jezgra i bez koraka, u zavisnosti od njihove veliine i oblika.
Induktivnost dugakih jednoslojnih cilindrinih kalemova. Pod dugakim kalemom podrazumeva se kalem kod kojeg je duina l najmanje 10 puta vea od njegovog prenika do (l i do prema sl. 5.6). Induktivnost takvog kalema (l 10 do) sa dosta dobrom tanou moe se izraunati prema obrascu:

L = 2 u kojem su do i l u cm, a N je broj zavojaka.

d o2 N 2 10 3 (H), l

(5.11)

Induktivnost kratkih jednoslojnih cilindrinih kalemova. Ova induktivnost se sa dosta dobrom tanou moe aproksimirati izrazom, u kojem su do i l u cm:

L = 2,26 10 2

do N 2 l 1 + 2,25 do

(H).

(5.12)

Induktivnost kratkih vieslojnih cilindrinih kalemova. Za izraunavanje induktivnosti kratkih vieslojnih cilindrinih kalemova, koji se najee motaju unakrsno ili nasumino, koristi se Vilerov (Wheeler) obrazac (sve dimenzije su, prema sl. 5.8, u cm):

L = 78,7

d o2 N 2 10 3 (H). 3d o + 9l + 10h
92

(5.13)

Induktivnost ploastih kalemova. Ploasti kalem je onaj kod kojeg je duina kalema l veoma mala i manja od visine namotaja h i srednjeg prenika do; kod njih se, sa dimenzijama u cm, induktivnost rauna po:

L = 2

d o2 N 2 10 3 (H). h

(5.14)

5.3. KALEMOVI SA JEZGROM

Sl. 5.15. Razliite vrste kalemova sa jezgrom.

Sl. 5.16. Razliite vrste feritnih jezgara za kalemove. 93

Za poveanje induktivnosti kalemova koriste se magnetna jezgra. Iako jezgra za kalemove mogu biti i od magnetodielektrika (metalnog magnetnog praha), znatno ee se prave od ferita, sl. 5.16. To je stoga to pri vrlo visokim frekvencijama jezgra od magnetodielektrika imaju prevelike gubitke usled vihornih struja, te je u tom sluaju neophodno koristiti feritna jezgra, kod kojih su ti gubici znatno manji. Feriti su jedinjenja oksida gvoa (Fe2O3) i dvovalentnih oksida metala (ZnO, MnO, NiO, BaO, CuO i dr.) koji poseduju ferimagnetne osobine; to su tkzv. meki feriti. Dobijaju se sinterovanjem u inertnoj atmosferi i strogo kontrolisanim temperaturnim ciklusima, a dobijena jezgra su vrlo tvrda i otporna na vodu, slino kao keramike sinterovane mase. S obzirom da se jezgra razlikuju po konstrukciji, to se ona mogu podeliti na otvorena, poluzatvorena i zatvorena. Najmanje iskorienje magnetnih osobina je kod jezgara otvorenog tipa u obliku tapia ili cevica (sl. 5.17), s obzirom da kod njih magnetni fluks dobrim delom protie kroz vazduh.

Sl. 5.17. Jezgra otvorenog tipa i kalemovi sa takvim jezgrima.

Sl. 5.18. Prividna permeabilnost app u funkciji odnosa duine l i prenika d feritnih tapia za razliite vrednosti poetne permeabilnosti i

Induktivnost kalemova sa otvorenim jezgrom se izraunava na osnovu:

L = app Lo ,
94

(5.15)

pri emu je Lo induktivnost kalema bez jezgra, a app prividna permeabilnost. Prividna permeabilnost zavisi od oblika jezgra i kalema, poloaja kalema na jezgru, itd. Na sl. 5.18 je prikazana zavisnost prividne permeabilnosti od odnosa duine l i prenika d feritnih tapia za razliite vrednosti poetne permeabilnosti i (definicija poetne permeabilnosti je data sa (5.8)). Najbolje iskorienje magnetnih osobina pruaju torusna jezgra, sl. 5.19. Kalemovi sa torusnim jezgrima praktino nemaju rasipanje magnetnog fluksa i imaju relativno velike vrednosti Q-faktora i magnetne permeabilnosti koja se obeleava sa tor (tor je torusna permeabilnost snima se na torusnom jezgru na poetku krive magneenja). Ovi kalemovi se ne moraju da oklopljavaju. Jezgra su kompaktna, tako da se induktivnost kalemova sa torusnim jezgrima ne moe da menja.

Sl. 5.19. Torusno jezgro i torusni kalemovi.

Ako su L0, Q0 i R0 induktivnost, Q-faktor i gubici torusnog kalema bez jezgra, a Rj gubici u jezgru, onda je induktivnost i Q-faktor torusnog kalema sa jezgrom, respektivno:

L j ( tor ) = tor L0
i
Q j ( tor ) = tor Q0 . Rj 1+ R0

(5.16) (5.17)

I kod kalemova sa jezgrima zatvorenog tipa (sl. 5.20) se osigurava veoma dobro iskorienje magnetnih osobina materijala. To su tzv. lonasta jezgra, RM i PM jezgra (sl. 5.21). Kod njih je magnetno kolo zatvoreno, usled ega kalemovi imaju vei Q-faktor, manju zavisnost parametara od frekvencije i spoljanjeg magnetnog polja, te mogu raditi na viim frekvencijama. Induktivnost kalema sa jezgrom zatvorenog tipa moe da se izrauna na osnovu sledeeg izraza:
L = oe Se 2 N , le

(5.18)

u kojem su e, le i Se efektivna magnetna permeabilnost, efektivna duina magnetnih linija sila i efektivna povrina magnetnog jezgra, respektivno, a N broj zavojaka.
95

Sl. 5.20. Kalemovi sa zatvorenim feritnim jezgrima za povrinsku montau (SMD).

Kalem sa lonastim jezgrom i njegovi sastavni delovi

Kalem sa RM jezgrom i njegovi sastavni delovi

Kalem sa PM jezgrom i njegovi sastavni delovi

Sastavni delovi dva razliita kalema sa E jezgrima Sl. 5.21. Zatvorena feritna jezgra i odgovarajui kalemovi sa njima.

96

Kao to se iz (5.18) vidi, induktivnost kalemova sa jezgrom direktno zavisi od vrednosti efektivne magnetne permeabilnosti e, koja umnogome zavisi od oblika i dimenzija jezgra, vrste materijala, a pogotovo od vrednosti vazdunog procepa u magnetnom materijalu. Analitiko odreivanje vrednosti efektivne permeabilnosti i induktivnosti kalema sa vazdunim procepom ponekad je veoma zametno. Stoga se definie faktor induktivnosti AL, koji se eksperimentalno odreuje. Naime, faktor induktivnosti AL praktino predstavlja induktivnost kalema sa jezgrom koji ima samo jedan zavojak. Induktivnost kalema sa N zavojaka je onda:

L = AL N 2 .

(5.19)

Faktor induktivnosti (ili, prosto, AL vrednost) predstavlja konstantu jezgra koju daje proizvoa za svaki tip jezgra i za odgovarajui materijal i izraava se u nH. Iako je AL u nH, uobiajeno je da se ta vrednost daje samo brojano, npr. AL = 1340 (to znai da AL = 1340 nH). Uporeujui (5.18) i (5.19), sledi da je efektivna magnetna permeabilnost:
e = AL le . o Se

(5.20)

Iz (5.20) je evidentno da kako AL vrednost zavisi od vazdunog procepa, tako e zavisiti i efektivna magnetna permeabilnost e, te i induktivnost kalema. Veza izmeu efektivne magnetne permeabilnosti e, poetne permeabilnosti i (definisane sa (5.8)), efektivne duine magnetnih linija le i debljine vazdunog procepa dobija se primenom zakona o cirkulaciji magnetnog polja, odakle, ali samo za male vrednosti , sledi: 1 1 + . e i le (5.21)

Smenjujui (5.21) u (5.18) dobija se za induktivnost kalema sa vazdunim procepom (meugvoem):

L = oi N 2 Se . le + i

(5.22)

97

6. TRANSFORMATORI I PRIGUNICE
Transformatori se sastoje od najmanje dva induktivno spregnuta kalema, primara i sekundara. U sekundaru se indukuje napon koji moe biti jednak, manji ili vei od napona dovedenog na primarni namotaj. Za bolji prenos snage, sa to manjim gubicima, potrebno je da je induktivna sprega izmeu namotaja to jaa; zbog toga se kod transformatora koriste magnetna jezgra. Na sl. 6.1 su prikazani simboli kojima se oznaavaju transformatori u emama elektronskih kola, a na sl. 6.2 spoljanji izgled nekih transformatora.

Sl. 6.1. Simboli kojima se oznaavaju transformatori u emama elektronskih kola.

Sl. 6.2. Spoljanji izgled nekih transformatora.

6.1. KONSTRUKCIJA I PRORAUN 6.1.1. Materijali za magnetna jezgra

Kada se jezgro od magnetnog materijala nalazi u naizmeninom magnetnom polju, to se deo energije tog polja izgubi. Ti gubici se pri veim magnetnim indukcijama B sastoje od gubitaka usled vihornih struja i gubitaka usled histerezisa. Histerezisni gubici su srazmerni povrini histerezisnog ciklusa i zbog toga su oni, kao i zagrevanje jezgra, utoliko vei ukoliko je vea povrina histerezisne petlje. Zbog toga se nastoji da materijali koji se upotrebljavaju za magnetna jezgra transformatora (i prigunica) imaju to je mogue uu histerezisnu petlju. Ova petlja je najvea kada se materijal magnetie do zasienja; ako se, pak, sa magneenjem prestane kod manjih indukcija, dobija se sve manja i ua petlja, te i manji gubici.
98

Gubici usled vihornih struja zavise od specifine otpornosti materijala jezgra i od frekvencije magnetnog polja. Zato se, za smanjenje ovih gubitaka, za jezgra klasinih transformatora koriste limovi (ili trake) koji moraju biti meusobno izolovani, a s obzirom da se sa kvadratom frekvencije poveavaju gubici usled vihornih struja, to se za jezgra transformatora koji rade na viim frekvencijama koriste tanji limovi. Upravo iz tog razloga se, na visokim frekvencijama, a posebno pri visokofrekventnim impulsnim signalima, umesto limova za transformatore koriste feritna jezgra. Od limova se koriste silicijumom legirani gvozdeni lim (Fe-Si) i niklom legirani gvozdeni lim (Fe-Ni). Silicijumom legirani gvozdeni lim iskljuivo se koristi pri mrenoj frekvenciji (50Hz ili 60Hz), a ponekad i za transformatore za 400Hz; niklom legirani gvozdeni lim je naao primenu u podruju audio frekvencija. 1. Vrue valjani silicijumom legirani gvozdeni lim. Silicijum se dodaje gvou da bi se poveala njegova omska otpornost, odnosno da bi se smanjili gubici, s obzirom da se oni smanjuju sa poveavanjem procenta silicijuma; meutim, istovremeno se smanjuje vrednost magnetne indukcije u zasienju i poveava krtost materijala. Kako je, s druge strane, magnetna indukcija merilo za optereenost namotaja i jainu struje u praznom hodu transformatora (vee vrednosti indukcije omoguavaju manji broj zavojaka i vee optereenje transformatora i prigunica), to se silicijum ne moe dodavati u veim koliinama (najvie do 4%), tako da se dobiju indukcije u zasienju Bm izmeu 1 T i 1,2 T. Pri proraunu transformatora i prigunica sa vrue valjanim silicijumom legiranim gvozdenim limovima uzima se Bm = 1,2 T. 2. Hladno valjani silicijumom legirani gvozdeni lim. Ovi limovi, u poreenju sa vrue valjanim Fe-Si limovima, ali samo ako je smer indukcije u istom smeru sa smerom valjanja lima, maju sledee osnovne prednosti: manje gubitke, veu vrednost magnetne indukcije i veu magnetnu propustljivost; meutim, ako je indukcija sa smerom normalnim na smer valjanja, gubici mogu biti i do tri puta vei. Stoga se prednosti orijentisanog lima mogu iskoristiti jedino kod transformatora kod kojih je indukcija u magnetnom jezgru uvek u smeru valjanja lima (trake). Taj neophodan uslov se obezbeuje kada se od traka oforme torusna i prereza C-jezgra. Zbog toga transformatori sa ovakvim jezgrima imaju znatno manje gubitke i veu vrednost magnetne indukcije (do Bm = 1,85 T), a samim tim i manje dimenzije i manju teinu od odgovarajuih transformatora od vrue valjanih limova. 3. Niklom legirani gvozdeni lim. Iako se kod silicijumom legiranih gvozdenih limova gubici pri frekvencijama viim od 50 Hz donekle mogu smanjiti izborom tankih limova, ipak su ti gubici nedopustivo veliki, tako da su takvi limovi praktino neupotrebljivi u oblasti viih frekvencija. Pored toga, pomenuti limovi imaju relativno male vrednosti i poetne i maksimalne magnetne permeabilnosti, koje su nedovoljne za precizne merne transformatore ili transformatore koji e raditi u podruju audio frekvencija (20Hz 20kHz). Zbog toga se, u sluajevima kada su dozvoljeni samo mali gubici i kada se trai velika relativna magnetna propustljivost, upotrebljavaju niklom legirani gvozdeni limovi. 4. Feritna jezgra. Pored namene za transformisanje visokofrekventnih sinusoidalnih signala, feritna jezgra se najvie koriste za transformatore u visokofrekventnim prekidakim izvorima napajanja (SMPS Switched-Mode Power Supply), koji rade na frekvencijama viim od 15 kHz, a ponekad i iznad 100 kHz. Naime, za napajanje elektronskih ureaja, kao to su TV prijemnici, raunari, avionski ureaji, itd., gde svaki milivat utede znai mnogo u ukupnom energetskom bilansu, i svuda tamo gde se tolerie malo vei napon brujanja (oko 1% od ulaznog napona), SMPS sa transformatorima sa feritnim jezgrima imaju nekoliko prednosti u odnosu na klasine izvore napajanja, a to su prvenstveno vrlo visok stepen iskorienja i to nisu vie potrebni klasini mreni transformatori, tako da se postie uteda u teini i zapremini ureaja. Obino se pri proraunu za magnentnu indukciju u zasienju uzima Bm = (0,2 0,3) T.

99

6.1.2. Oblici magnetnih jezgara

Sl. 6.3. Transformatori sa razliitim oblicima jezgara.

Jezgra od Fe-Si i Fe-Ni se mogu dobiti od profilisanih odvojenih (izolovanih) ploica standardizovanih oblika i dimenzija (npr. EI i UI profila), koje se slau jedna na drugu, ili od traka, koje se koncentrino motaju i zatim seku (trakasta i prerezana trakasta jezgra npr. Cjezgra).
1. Jezgra od limova EI profila. Kod ovih jezgara (sl. 6.4 i sl. 6.5) namotani kalem, sa kalemskim telima kao na sl. 6.4, postavlja se na srednji stub jezgra. Primena jednog kalema pojednostavljuje konstrukciju i omoguuje maksimalnu ispunu bakrom raspoloivog prostora (prozora).

Sl. 6.4. Kalemska tela i odgovarajui transformatori sa jezgrima EI profila.

2. Jezgra od limova UI profila. Kao i kod jezgara od limova EI profila, i kod jezgara UI profila se u ve namotane kalemove umeu listovi magnetnih jezgara, sl. 6.6. Meutim, u ovom sluaju se koriste (najee) dva odvojena kalema, ime se poveava povrina preko koje se zrai toplota i poboljava toplotni reim namotaja, te se transformatori sa jezgrima od limova UI profila obino koriste za vee snage.
100

Sl. 6.5. Limovi EI profila (sa oznakama koje se koriste pri proraunu transformatora) i izgled transformatora.

Sl. 6.6. Limovi UI profila (sa oznakama koje se koriste pri proraunu transformatora) i izgled transformatora.

3. Trakasta torusna jezgra. Da bi se iskoristile dobre osobine hladno valjanog silicijumom legiranog lima, od traka tog lima se namotavaju torusna, kompaktna, jezgra. Najvie se koriste za mrene transformatore (sl. 6.7) sa i bez kalemskog tela, a u poreenju sa odgovarajuim transformatorima sa jezgrima EI profila (za istu snagu) su oko 50% manje mase.

Sl. 6.7. Torusni mreni transformatori.

4. Prerezana trakasta jezgra (C-jezgra). Od traka orijentisanog lima izrauju se gotova, kompaktna jezgra, sl. 6.8, tako da pri gradnji transformatora nema dugotrajnog slaganja limova jezgra. Naime, montaa takvih jezgara je vrlo jednostavna: dve polovine jezgra umetnu se sa jedne i druge strane u kalemsko telo, a onda se stisnu (stegnu) trakom, sl. 6.9.
101

Sl. 6.8. Prerezana trakasta C-jezgra (sa oznakama koje se koriste pri proraunu transformatora) i izgled transformatora.

Sl. 6.9. Mreni transformatori sa C-jezgrima.

5. Feritna jezgra. Od feritnih jezgara za transformatore u visokofrekventnim prekidakim izvorima napajanja koriste se jezgra prikazana na sl. 5.21 (lonasta, PM, RM) i na sl. 5.19 (torusna jezgra).

6.1.3. Osnovne relacije kod transformatora

1. Odnos transformacije n. Pod uticajem magnetnog fluksa, prouzrokovanog naponom U1 V1, u primarnom i sekundarnom namotaju se, respektivno, indukuju elektromotorne sile e1 i e2 (sl. 6.10):

e1 = 4,44 10 4 fN 1 Bm S e

(6.1)

e2 = 4,44 10 4 fN 2 Bm S e ,

(6.2)

pri emu su: f frekvencija primarnog napona u Hz; N1 i N2 broj zavojaka primarnog i sekundarnog sekundarnog namotaja, respektivno; magnetna indukcija u zasienju u T; Se efektivni presek jezgra (sl. 6.11) u cm2. Naponi na krajevima transformatora se razlikuju od indukovanih elektromotornih sila zbog pada napona na namotajima (U1 > e1 i U2 < e2). Ako se, u prvoj aproksimaciji, ovi padovi napona zanemare, moe se smatrati da je e1 U1 i e2 U2, tako da iz (6.1) i (6.2) sledi odnos transformacije napona n:

102

a.

b.
Sl. 6.10. Uz indukovanje elektromotornih sila u transformatoru: a sekundar otvoren (u praznom hodu); b sekudar opereen impedansom Z.

Sl. 6.11. Uz definiciju efektivne povrine magnetnog jezgra.

U2 N2 = . U 1 N1

(6.3)

Kada se na sekundarni namotaj prikljui potroa (sl. 6.10b), to e kroz njega proticati struja I2, koja ima tendenciju da promeni prvobitni magnetni fluks. Na taj nain bi se poremetila naponska ravnotea u primarnom namotaju; meutim, to nije sluaj, s obzirom da primarni namotaj povue dodatnu struju iz izvora pobude, koja u svakom trenutku dri magnetnu ravnoteu struji u sekundaru, tako da prvobitni magnetni fluks ostaje nepromenjen. Ovo je ispunjeno samo kada je I1N1 = I2N2, odakle sledi:
I 2 N1 1 = = . I1 N 2 n

(6.4)

Da li e naponi na primarnom i sekundarnom namotaju biti u fazi ili protivfazi zavisi od toga kako su primar i sekundar motani. Naime, kada su i primarni i sekundarni namotaj motani u istom smeru, naponi U1 i U2 e biti u fazi i, ako se to eli posebno da naglasi, na oznaci za
103

transformator, pored oznaka za primar i sekundar, stavljaju se dve take sa iste strane (sl. 6.12a); meutim, kada je sekundarni namotaj motan suprotno od primarnog, naponi U1 i U2 e biti u protivfazi i to se naznaava takama sa razliitih strana primara i sekundara, sl. 6.11b.

a. Sl. 6.12. Naponi U1 i U2 u fazi (a) i protivfazi (b).

b.

2. Gubici u transformatoru. U transformatorima gubici nastaju u namotajima (gubici u bakru) i u magnetnom jezgru (gubici u gvou usled vihornih struja i histerezisa). Gubici u bakru PCu su posledica omske otpornosti namotaja primara R1 i sekundara R2, tako da je (za transformator koji ima n sekundarnih namotaja):
PCu = R1 I 12 + Ri 2 I i22 ,
i =1 n

(6.5)

pri emu su I1 i Ii2 struje primarnog i i-tog sekundarnog namotaja. Kada je re o gvozdenim jezgrima, ukupni gubici u jezgru PFe (gubici u gvou) za indukcije Bm > 0,7 T mogu se predstaviti izrazom:
2 PFe = ABm m Fe ,

(6.6)

u kojem su A konstanta koja zavisi od vrste i debljine lima, a mFe masa magnetnog jezgra.
3. Koeficijent korisnog dejstva. Koeficijent korisnog dejstva transformatora je definisan odnosom izlazne Pi(=P2) i ulazne Pu snage:
= Pi P2 100 (%). = Pu P2 + PFe + PCu

(6.7)

Vrednost koeficijenta korisnog dejstva kod transformatora koji se koriste u elektronici je relativno velik, i iznosi od = 85% do = 95%.

6.2. MRENI TRANSFORMATORI

Mreni transformatori se u najveem broju sluajeva koriste za obezbeenje potrebnih napona u ispravljakim stepenima elektronskih ureaja. Za njihov proraun potrebni su sledei podaci: vrednost ulaznog napona U1, frekvencija mrenog napona f i vrednosti napona i struja sekundarnih namotaja U2 i I2 (odnosno izlazna snaga transformatora P2). Odmah treba naglasiti da su jezgra mrenih transformatora bez vazdunog procepa. Za mrene transformatore primenljive u elektronici skoro iskljuivo se koriste standardizovani EI (ree UI) limovi ili trakasta prerezana jezgra (C-jezgra). Kako je broj zavojaka i primarnog i sekundarnog namotaja, prema (6.1) i (6.2), obrnuto proporcionalan vrednosti magnetne
104

indukcije u zasienju Bm, tj. N 1/Bm, to e za istu nazivnu snagu broj zavojaka svih namotaja, a samim tim i masa transformatora, biti manji ukoliko je vrednost indukcije Bm vea. S obzirom da hladno valjani silicijumom legirani gvozdeni limovi (tj. trake koje se od njih prave, a potom prerezana C-jezgra) imaju indukciju Bm reda 1,8 T, to e mreni transformatori od ovih limova (traka) imati manju masu od odgovarajuih transformatora sa vrue valjanim silicijumom legiranim limovima, kod kojih je Bm = 1,2 T. Ovde e, ukratko, biti opisan postupak prorauna mrenog transformatora sa EI jezgrima2, koristei oznaavanje sa sl. 6.5.
6.2.1. Dimenzionisanje jezgra

Izmeu standardizovanih dimenzija EI limova (videti fusnotu br. 2) treba izabrati najpodesniji profil sa gledita potronje, magnetnog materijala i bakra (ice za namotavanje). U tu svrhu, osnovni koraci pri proraunu mrenih transformatora su:
1. Odreivanje efektivnog preseka jezgra: Veliina efektivnog preseka jezgra se priblino moe izraunati iz izraza:
S e P2 (cm2),

(6.8)

u kojem je P2 snaga sekundara (izlazna snaga) u W (mnogo ee se izraava u VA).

2. Izbor profila (veliine jezgra) i odreivanje debljine limenog paketa. Za mrene transformatore, sa gledita najmanje upotrebe ice za namotavanje, a istovremeno i najmanje otpornosti namotaja, najpodesnije bi bilo da je povrina poprenog preseka jezgra Se kvadratnog oblika, odakle sledi da treba izabrati lim irine stuba:
max = Se .

(6.9)

Kako je od standardizovanih veliina limova mogue izabrati samo ogranien broj onih sa kvadratnim presekom, to se mora pribei i pravougaonim presecima jezgra. Minimalna irina stuba lima odreena je uslovom da je visina limenog paketa h 1,5, odakle je:

min = 0,82 S e = 0,82 max .

Dakle, bira se veliina lima kod kojeg irina stuba odgovara uslovu: min < < max .

(6.10)

(6.11)

je:

Znajui efektivni presek jezgra Se, irinu stuba i debljinu lima , potreban broj limova
Se .

nL =

(6.12)

Proraun mrenog transformatora sa C-jezgrima, kao i svi podaci za EI jezgra, mogu se nai u knjizi: Stojan Risti, RLC komponente, Prosveta, Ni, 2005

105

4.2.2. Namotaji

Namotaji se uvek motaju na kalemsko telo (sem kod torusnih transformatora). Kalemska tela se izrauju na vie naina i od razliitih izolacionih materijala, to zavisi od toga da li je re o individualnoj ili serijskoj proizvodnji transformatora. Najvie se koriste kalemska tela od prepana i vetakih smola (bakelita), sa takvim dimenzijama da se u njih normalno mogu da umeu limovi.
1. Odreivanje broja zavojaka. Pri odreivanju broja zavojaka namotaja transformatora polazi se od jedn. (6.1), uz pretpostavku da se pad napona na primaru moe da zanemari i da e se njegov uticaj uzeti sa sekundarne strane, tako da je e1 U1, odakle sledi (jedinice su kao u (6.1)):
N1 = U1 10 4 . 4,44 fS e Bm

(6.13)

Na slian nain, tj. na osnovu (6.2) mogao bi da se odredi i broj zavojaka sekundarnog namotaja kod neoptereenih transformatora. Meutim, pri optereenju se mora uzeti u obzir omski i induktivni pad napona u primarnom i sekundarnom namotaju, zbog ega broj zavojaka u sekundaru treba poveati; to poveanje je izraeno preko koeficijenta sekundarnih gubitaka 2, sl. 6.13. Stoga se broj zavojaka sekundarnog namotaja N2 ne rauna iz odnosa transformacije n U2/U1 N2/N1, ve iz izraza:

N 2 = 2 N1

U2 . U1

(6.14)

Na isti nain se izraunava broj zavojaka i kada transformator ima vie sekundarnih namotaja, s tim da se koeficijent gubitaka 2 odreuje u odnosu na ukupno optereenje, tj. pri istovremenom optereenju svih namotaja.

Sl. 6.13. Koeficijent sekundarnih gubitaka 2 u funkciji snage za transformatore sa jezgrima EI profila.

2. Odreivanje prenika ica. Prenici ica za namotaje izraunavaju se na osnovu vrednosti struja primara i sekundara. Struje u sekundarnim namotajima su unapred zadate, dok se struja primara odreuje iz:
106

I1 =

P2 , U 1

(6.15)

pri emu se za koeficijent korisnog dejstva uzima pretpostavljena vrednost (npr. = 0,9). Dakle, znajui struje I1 i I2 i koristei
I = S J = d 2 J, 4

(6.16)

gde je S popreni presek ice, a J gustina struje, dobija se za prenik ice d:

d =

4I . J

(6.17)

Iz poslednjeg izraza sledi da prenik ice namotaja zavisi od gustine struje. Za mrene transformatore snaga do 150 W sa EI jezgrima esto se uzima da je J = 2,55 A/mm2, tako da je iz poslednjeg izraza, ako je struja I u amperima,
d = 0,5I (mm).

(6.18)

6.3. PRIGUNICE
Prigunice se koriste u sluajevima kada je potrebno imati to vee induktivno optereenje, a to znai da one treba da imaju to veu induktivnost (da bi L bilo to vee). Prigunice sa jezgrima od silicijumom legiranih gvozdenih limova za 50 Hz koriste ista jezgra kao mreni transformatori (na primer, EI jezgra kao na sl. 6.14) i proraunavaju se na isti nain kao i mreni transformatori. Kako one najee imaju veliki broj zavojaka, a napon na njima je relativno mali, to je i indukcija u magnetnim jezgrima mala, reda Bm = (0,40,5) T. Zbog toga su gubici u prigunicama mali, te se pri proraunu o njima ne mora mnogo voditi rauna.

Sl. 6.14. EI jezgra za prigunice (ista kao i za mrene transformatore).

107

7. OSNOVNE OSOBINE POLUPROVODNIKA

Pre izlaganja o poluprovodnikim komponentama ovde e biti izloene neke osnovne karakteristike poluprovodnika, i to u prvom redu silicijuma. To i jeste osnovni cilj ovog poglavlja, koje obuhvata izlaganja o strukturi poluprovodnika, o mehanizmu provoenja struje i efektima dopiranja poluprovodnika.

7.1. ELEMENTARNI POLUPROVODNICI I POLUPROVODNIKA JEDINJENJA

U kolonama na levoj strani tablice periodnog sistema elemenata nalaze se metali. Atomi metala mogu lako izgubiti jedan ili dva elektrona i postati pozitivni joni. Oni su, kao to je poznato, dobri provodnici elektrine struje, s obzirom da je kod njih veza izmeu atoma i elektrona u spoljanjoj orbiti slaba, tako da se elektroni mogu relativno lako osloboditi i postati slobodni. Elementi u kolonama na desnoj strani tablice periodnog sistema imaju elektrone u spoljanjim opnama vrsto vezane; oni su, prema tome, izolatori. U srednjim kolonama tablice nalaze se elementi kod kojih je provodnost znatno manja nego kod dobrih provodnika, a znatno vea nego kod izolatora. Oni ine klasu poluprovodnika. Tu spadaju 12 elementarnih poluprovodnika: bor (B), ug1enik (C), silicijum (Si), fosfor (P), sumpor (S), germanijum (Ge), arsen (As), selen (Se), kalaj (Sn), antimon (Sb), telur (Te) i jod (J). U tabl. 7.1 prikazani su poloaji pomenutih elemenata u periodnom Mendeljejevom sistemu. Danas se od elementarnih poluprovodnika skoro iskljuivo koristi silicijum, dok se drugi, kao sto su arsen, fosfor i bor upotrebljavaju za dopiranje silicijuma, ime se menja njegova provodnost. Tabl. 7.1. Poloaj elementarnih poluprovodnika u periodnom sistemu elemenata Grupa II III IV V VI VII Perioda II Be B C N O III Al Si P S Cl IV Ga Ge As Se Br V In Sn Sb Te J Xe VI Pb Bi Po At I neka jedinjenja elemenata III i V grupe periodnog sistema imaju poluprovodnike osobine. Zahvaljujui svojim osobinama, posebnu panju privlai galijum-arsenid (GaAs), koji se koristi za visokofrekventne i mikrotalasne komponente (na primer kod MESFET-a). Istraivanja poluprovodnikih jedinjenja su vrlo aktuelna, s obzirom da komponente na bazi ovih jedinjenja mogu biti efikasni izvori, ili, pak, detektori kako infracrvenih radijacija, tako i radijacija u vidljivom spektru. U tabl. 7.2 prikazana su poluprovodnika III-V jedinjenja koja se danas najvie koriste, sa naznakom vrste prelaza elektrona iz valentne u provodnu zonu.
108

Tabl. 7.2. Poluprovodnika III-V jedinjenja Elementi V grupe Elementi III Fosfor (P) Arsen (As) Antimon grupe (Sb) Aluminijum (Al) AlP AlAs AlSb indirektan indirektan indirektan Galijum (Ga) GaP GaAs GaSb indirektan direktan direktan Indijum (In) InP InAs InSb direktan direktan direktan

a. Dijamantska (C, Si, Ge)

b. Sfaleritna (GaAs, GaP)

Sl. 7.1. Kristalna struktura elementarnih poluprovodnika (a) i poluprovodnikih jedinjenja (b).

Svi poluprovodnici, i elementarni i poluprovodnika jedinjenja, imaju kristalnu strukturu. Elementarni poluprovodnici imaju kristalnu reetku dijamantskog tipa, dok je reetka poluprovodnikih jedinjenja modifikovana dijamantska struktura, tkzv. struktura sfalerita, sl. 7.1. Reetke dijamantskog tipa ine kovalentne veze, tj. atomi u teitu tetraedra povezani su sa etiri atoma na vrhovima tetraedra, sl. 7.1a. Struktura sfalerita je ista kao dijamantska, ali atomi
109

u reetki nisu isti, sl. 7.1b. Dakle, kod reetki sa dijamantskom strukturom svaki atom je vezan sa etiri oblinja atoma, tako da su ovi od njega podjednako udaljeni i meusobno se nalaze na jednakim rastojanjima, poznatim pod nazivom tetraedralni radijus. Tetraedralni radijus se kod dijamantske strukture izraunava na osnovu ( 3 / 8)a , pri emu je a konstanta reetke. Na primer, kod silicijuma je a = 0,543072 nm, tako da je tetraedralni radijus 0,118 nm. Poluprovodniki materijal od koga se proizvode komponente treba da ima pravilnu kristalnu strukturu po celoj zapremini; to je, takozvani, monokristal. Meutim, monokristal nije izotropan, s obzirom da njegove osobine zavise od pravca. To uslovljava da i karakteristike poluprovodnikih komponenata u znatnoj meri zavise od orijentacije povrine monokristala. Zbog toga se kristali seku po odreenoj ravni. Naime, poloaj svake ravni kristalne reetke moe se odrediti sa tri cela uzajamno prosta broja, ako se kao koordinatne ose izaberu pravci koje imaju tri ivice kristalne reetke. Jedinice merenja su odseci na izabranim koordinatnim osama koje odseca jedna od kristalografskih ravni u kristalnoj reetki. Obino se u kristalografiji koristi desni koordinatni sistem, a merna jedinica na x-osi se oznaava sa a, na y-osi sa b i na z-osi sa c. Jedinina duina za svaku osu se odreuje izborom jedinine kristalografske ravni u kristalnoj reetki. Svaka ravan u kristalnoj reetki se smatra moguom kristalografskom ravni ako joj pripadaju tri srazmerno postavljene take na koordinatnim osama u odnosu na koordinatni poetak. Ravan u kristalnoj reetki kojoj ne pripadaju srazmerno postavljene take na koordinatnim osama moe se premestiti translacijom u poloaj da joj pripadaju srazmerno postavljene take na koordinatnim osama. Shodno tome, odnos odseaka OA, OB i OC koje ravan ABC odseca na koordinatnim osama x, y i z pravouglog koordinatnog sistema, moe se napisati u sledeem obliku: OA:OB:OC = ma:nb:pc, gde su a, b i c odseci jedininih duina na odgovarajuim koordinatnim osama, a m, n i p celi brojevi. Ovako izabrana ravan predstavlja jedininu ravan.

(020)

(110)

(111)

Sl. 7.2. Prikaz orijentacije tri karakteristine ravni sa Milerovim indeksima (020), (110) i (111).

Za oznaavanje orijentacije ravni kristala koriste se Milerovi indeksi. Naime, prema osnovnoj eliji povuku se ortogonalne koordinatne ose x, y i z i proizvoljne ravni koje seku ove ose u takama OA = x1, OB = y1 i OC = z1. Kada se reciprone vrednosti ovih koordinata pomnoe najmanjim zajednikim imeniocem, dobijaju se Milerovi indeksi. Na primer, ako ravan see koordinatne ose u takama x1 = 3, y1 = 2 i z1= 1, reciprone vrednosti su: 1/x1 = 1/3, 1/ y1 = 1/2 i 1/ z1 =1/1. Najmanji zajedniki imenilac je 6, tako da su Milerovi indeksi: (1/3)6 = 2, (1/2)6 = 3 i (1/1)6 = 6. Milerovi indeksi se belee u srednjoj ili maloj zagradi, te je orijentacija kristala za pomenuti primer (236). Na sl. 7.2 prikazane su tri karakteristine ravni ije su orijentacije (020), (110) i (111).
110

7.2. SLOBODNI ELEKTRONI I UPLJINE U POLUPROVODNICIMA

Atomski broj silicijuma je 14 i njegova 14 elektrona su rasporeena po orbitama oko jezgra. Prve dve orbite su popunjene, jer sadre dva, odnosno osam elektrona, respektivno, dok je poslednja, trea orbita nepopunjena i sadri etiri elektrona, sl. 7.3a. Elektroni u unutranjim, popunjenim orbitama, nazivaju se stabilnim elektronima, s obzirom da se nalaze na niim energetskim stanjima od elektrona u spoljanjoj, nepopunjenoj orbiti. Oni ne uestvuju u mehanizmu provoenja struje u poluprovodnicima, kao to je, uostalom, to sluaj i kod metala, te se nee pominjati u daljim izlaganjima.

a.

b.
Sl. 7.3. ematski prikaz atoma silicijuma u prostoru (a) i u ravni (b).

Zbog toga se silicijumov atom moe ematski da predstavi jezgrom sa pozitivnim naelektrisanjem od etiri elektronske jedinice (+4) koje je okrueno sa etiri elektrona iz spoljanje orbite, sl. 7.3b. etiri elektrona iz spoljanje orbite, zbog toga to ulaze u hemijske veze, nazivaju se valentnim elektronima. U savrenom kristalu silicijuma, odnosno germanijuma, koji su, dakle, etvorovalentni, svaki od ova etiri elektrona obrazuje po jednu valentnu vezu sa po jednim elektronom iz spoljanje orbite oblinjeg atoma.
111

Prema tome, potpuno ist kristal poluprovodnika, kod koga su svi elektroni povezani valentnim vezama, ponaao bi se kao izolator, s obzirom da kod njega nema slobodnih nosilaca naelektrisanja. Meutim, pri normalnoj sobnoj temperaturi, usled termikih vibracija kristalne reetke, izvesni valentni elektroni poveavaju svoju energiju do te mere da mogu da se oslobode valentnih veza i postaju slobodni elektroni, sl. 7.4a. Oslobaanjem svakog elektrona po jedna valentna veza ostala je nepopunjena. Atom, koji je izgubio elektron, postaje elektrino pozitivan sa naelektrisanjem jednakim naelektrisanju elektrona po apsolutnom iznosu (pre gubitka valentnog elektrona atom je bio elektrino neutralan). Na taj nain se stvara pozitivno opterereenje ija se prava priroda moe protumaiti tek pomou kvantne fizike, ali koje se po mnogim svojstvima ponaa kao estica sa pozitivnim naelektrisanjem jednakim naelektrisanju elektrona. Njemu se moe pripisati odreena efektivna masa, brzina u kretanju i energija, to znai da se moe tretirati kao estica. Ova estica se, zbog naina postanka, naziva upljinom. Eksperimentalnim rezultatima pokazana je opravdanost ovako uproene koncepcije upljina.

a.

b.

Sl. 7.4. Prikaz generacije para elektron-upljina (a) i rekombinacije elektrona sa upljinom (b).

Kretanje upljina u poluprovodniku moe se predstaviti na sledei nain. Atom, koji je izgubio jedan elektron, tei da upotpuni pekinutu valentnu vezu. On izvlai elektron iz neke oblinje valentne veze u kojoj je elektron na relativno viem energetskom nivou. Usled toga, posmatrani atom postaje elektrino neutralan, ali se upljina pojavijuje na mestu sa koga je privuen elektron za neutralizaciju. Drugim reima, praktino se kreu elektroni, ali izgleda kao da se kreu prazna mesta (upljine) u suprotnom smeru od kretanja elektrona. Na sl. 7.5 prikazano je kretanje elektrona i upljina u silicijumu kada je na njega prikljuen spoljanji nspon V. Slobodni elektroni i upljine u kristalu poluprovodnika predstavljaju energetske nesavrenosti kristala i imaju ogranieno vreme ivota, jer se u kretanju kroz kristal susreu i rekombinuju uspostavljajui ponovo valentne veze, sl. 7.4b. Termiko raskidanje valentnih veza raste sa temperaturom, dok je brzina ponovnog uspostavljanja valentnih veza srazmerna koncentraciji slobodnih nosilaca naelektrisanja. Zbog toga, koncentracije slobodnih elekrona i upljina pri svakoj temperaturi imaju onu vrednost pri kojoj se uspostavlja ravnotea izmeu brzine raskidanja i brzine ponovnog uspostavljanja valentnih veza. Koncentracije slobodnih elektrona (n0) i upljina (p0) meusobno su jednake (n0 = p0). Ova koncentracija se zove koncetracija sopstvenih nosilaca naelektrisanja ili sopstvena koncentracija i obeleava se sa ni = pi. Na sobnoj temperaturi (300K) sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja za silicijum iznosi ni =1,131010 slobodnih elektrona ili upljina po cm3. Na sl. 7.6 su prikazane vrednosti sopstvenih koncentracija nosilaca naelektrisanja germanijuma, silicijuma i galijum-arsenida u funkciji temperature.

112

Sl. 7.5. Kretanje elektrona i upljina u istom (sopstvenom) silicijumu pod uticajem spoljanjeg napona V.

Proces raskidanja valentnih veza, kao i obrnuti proces ponovnog vezivanja slobodnih elektrona i upljina u valentne veze, zavisi u znatnoj meri i od postojanja izvesnih strukturnih nesavrenosti kristala (defekata). Ove nesavrenosti postoje, na primer, kod kristala kod kojih se poneki atomi nalaze u kristalnoj reetki na mestima koja bi zauzimali kada bi kristal bio savren. I povrinski sloj kristala moe imati slian uticaj kao i strukturne nesavrenosti, to je posliedica nepotpunosti valentnih veza u povrinskom sloju. Prisustvo strukturnih nesavrenosti, meutim, ne menja koncentraciju sopstvenih nosilaca naelektrisanja, jer strukturne nesavrenosti u istoj meri potpomau razbijanje valentnih veza i njihovo ponovno uspostavljanje. Ove nesavrenosti, dakle, samo smanjuju vreme ivota slobodnih elektrona, odnosno upljina.

113

Sl. 7.6. Sopstvene koncentracije nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature.

7.3. PRIMESNI POLUPROVODNICI

Kada elektrina svojstva poluprovodnika, a tu se pre svega misli na provodnost, zavise od prisustva nekog stranog elementa, onda je takav poluprovodnik primesni poluprovodnik. Treba primetiti da se atomi stranih elemenata (neistoe), koje se obino nazivaju primesama, ne mogu nikada u potpunosti da odstrane. Meutim, ukoliko je njihova koncentracija vrlo mala, onda primese ne utiu u veoj meri na elektrina svojstva poluprovodnika. Naprotiv, ako je koncentracija primesnih atoma relativno velika, njihov uticaj na elektrina svojstva poluprovodnika je dominantan unutar irokog intervala temperature. Primese mogu biti veoma razliite. U poluprovodnikim komponentama su od prevashodnog znaaja one primese koje se namerno i kontrolisano, pomou odgovarajuih tehnolokih postupaka, dodaju poluprovodniku. Koncentracije primesa kreu se obino izmeu 1014 cm-3 i 1020 cm-3. To su, redovno, primese iji su atomi petovalentni ili trovalentni. Ukoliko se dodaju petovalentne primese, onda nastaju poluprovodnici n-tipa, a dodavanjem trovalentnih primesa se dobijaju poluprovodnici p-tipa. Atomi primesa zauzimaju u kristalnoj reetki mesta gde bi se u istom poluprovodniku nalazili atomi samoga poluprovodnika oni se, dakle, ukljuuju u kristalnu reetku supstitucijom. Karakteristino je da pojedine primese pokazuju vei afinitet prema
114

mestima u kristalnoj reetki poluprovodnika, na kojima se kod istog kristala nalaze atomi poluprovodnika, nego sami atomi poluprovodnika. Zbog toga e, dodavanjem primesa poluprovodniku u istopljenom stanju, posle ovravanja primesni atomi zameniti na pojedinim mestima atome poluprovodnika.

7.3.1. Poluprovodnici n-tipa

Kao to je napomenuto, n-tip poluprovodnika nastaje kada se poluprovodnik dopira petovalentnim primesama, na primer fosforom (P), arsenom (As) ili antimonom (Sb). ematski prikaz kristalne reetke poluprovodnika n-tipa dat je na sl. 7.7.

Sl. 7.7. ematski prikaz kristalne reetke poluprovodnika n-tipa.

S obzirom da je broj primesnih atoma u jedinici zapremine vrlo mali u poreenju sa brojem atoma poluprovodnika, svaki atom primese normalno je okruen atomima poluprovodnika. Kako samo etiri valentna elektrona primese ulaze u valentne veze, peti valentni elektron je samo slabo vezan za atom, te se lako moe osloboditi veze i postati slobodan elektron. Energija potrebna za oslobaanje ovog elektrona je vrlo mala, reda 0,01 eV do 0,02 eV kod germanijuma i 0,04 eV do 0,07 eV kod silicijuma, tako da su ve na vrlo niskim temperaturama, a posebno na sobnoj temperaturi, svi elektroni koji potiu od atoma primesa u provodnoj zoni i slobodno se mogu kretati kroz kristal. Petovalentne primese, dakle, daju slobodne elektrone, te se, stoga, zovu donorske primese, ili kratko donori i njihova koncentracija se oznaava sa ND. Donorski atomi gubitkom elektrona postaju pozitivni joni i ostaju vezani u strukturi kristalne reetke, ali treba napomenuti da je dodavanjem donora poluprovodnik ostao elektrino neutralan. Usled toga to se dodavanjem donorskih primesa razbijaju valentne veze, u poluprovodniku n-tipa postojae i odreena koncentracija upljina. Naravno, koncentracija upljina bie znatno manja od koncentracije slobodnih elektrona. Zbog toga, osnovni nosioci naelektrisanja u n-tipu poluprovodnika bie elektroni, iji je broj (no) veoma blizak broju donorskih primesa, tj. no ND. Elektroni se u n-tipu poluprovodnika esto zovu veinski, a upljine manjinski nosioci naelektrisanja.
115

7.3.2. Poluprovodnici p-tipa

Ovaj tip poluprovodnika nastaje kada se poluprovodnik dopira trovalentnim primesama, meu koje spadaju bor (B), aluminijum (Al), galijum (Ga) i indijum (In). Kristalna reetka koja sadri trovalentne primese prikazana je ematski na sl. 7.8. Trovalentnoj primesi nedostaje jedan elektron da dopuni valentnu vezu. Ona se kompletira na taj nain to je dopuni valentni elektron iz susedne veze, ili, drugim reima, da bi se obrazovala i etvrta valentna veza, privlai se jedan elektron iz neke oblinje veze. Tako se stvara upljina na mestu odakle je valentni elektron privuen. Kako trovalentne primese kompletiraju valentne veze primajui elektrone iz valentne zone, zovu se akceptorske primese, ili kratko akceptori, a njihova koncentracija obeleava se sa NA. Akceptorski atom postaje negativan jon vrsto vezan za kristalnu reetku. Energije jonizacije akceptorskih primesa su vrlo male i lee u istom intervalu energija kao i za donorske primese, tako da je broj upljina po na sobnoj tempertauri veoma blizak broju akceptorskih primesa (p0 NA). Ove upljine se mogu slobodno kretati po unutranjosti kristala na nain opisan ranije (taka 7.2).

Sl. 7.8. ematski prikaz kristalne reetke poluprovodnika p-tipa.

Kao i u poluprovodniku n-tipa, i u poluprovodniku p-tipa postoji raskidanje valentnih veza, tako da ovde postoji i odreena koncentracija elektrona no, iji je broj znatno manji od broja upljina; drugim reima: no << po. Prema tome, u poluprovodniku p-tipa upljine su veinski, a elektroni manjinski nosioci naelektrisanja.

7.4. ENERGETSKE ZONE

Teorija energetskih zona, koja obuhvata prouavanje promena energetskih stanja elektrona u atomima kristalne resetke, predstavlja veoma podesan put za analizu pojava u poluprovodnicima i to ne samo u kvalitativnom, ve i u kvantitativnom pogledu. Iz fizike je poznato da
116

se elektroni u izolovanom atomu nalaze na razliitim energetskim nivoima, koji su jednaki celim umnocima kvanta energije. Napominje se da su ovi energetski nivoi, koji odgovaraju energijama elektrona na pojedinim orbitama, meusobno razdvojeni energetskim procepima (zabranjenim zonama), sl. 7.9a, ime se ukazuje na injenicu da ne postoji nijedan elektron koji bi imao energiju unutar zabranjene zone. Ako se dva atoma sa jednakim energetskim nivoima elektrona priblie jedan drugome, doi e do cepanja svakog pojedinog energetskog nivoa u dva nova nivoa koji su jedan prema drugome malo pomereni, sl. 7.9b. S obzirom da se u kristalnoj reetki veliki broj atoma (reda 1022 cm-3) nalazi u meusobnoj sprezi, svaki energetski nivo se cepa u vei broj novih, meusobno malo pomerenih nivoa, koji obrazuju energetske zone, sl. 7.9c. Za utvrivanje elektrinih svojstava poluprovodnika od vanog interesa je da se poznaju energetska stanja u dva najvia energetska opsega. Kod idealnog kristala poluprovodnika najvia energetska zona je skoro prazna, s obzirom da sadri veoma mali broj elektrona (jednak koncentraciji sopstvenih nosilaca naelektrisanja ni, dok je prva nia energetska zona potpuno popunjena. Ova druga energetska zona popunjena je elektronima iz spoljanje orbite atoma poluprovodnika, tj. valentnim elektronima. Zbog toga se ona naziva valentnom zonom, za razliku od prve zone (najvie zone), koja predstavlja provodnu zonu, sl. 7.10.

Sl. 7.9. Energetski nivoi atoma (a), dva atoma (b) i kristala (c) silicijuma.

Provodna zona je od valentne zone razdvojena nizom energetskih nivoa koje elektroni ne mogu da zauzimaju i koji se zbog toga naziva zabranjenom zonom. irina zabranjene zone Eg kod poluprovodnika relativno je mala i na sobnoj temperaturi (300K) iznosi Eg = 0,66 eV za germanijum, Eg = 1,1 eV za silicijum i Eg = 1,42 eV za galijum-arsenid. Ove vrednosti predstavljaju najmanje iznose energije koje je potrebno dovesti elektronu u valentnoj zoni da bi mogao da pree u provodnu zonu i uestvuje u provoenju elektrine struje kroz poluprovodnik (ovo ne znai da elektron, u fizikom smislu, prelazi iz valentne u provodnu zonu, ve da je elektron na energetskim nivoima koji odgovaraju pomenutim zonama). Treba naglasiti da se irina zabranjene zone poluprovodnika smanjuje sa poveanjem temperature, sl. 7.11.
117

Sl. 7.10. Energetske zone du jednog pravca u istom (sopstvenom) kristalu silicijuma pri T = 0 K.

Usled toga to kod poluprovodnika irine zabranjenih zona nisu velike, izvestan broj valentnih elektrona ak i na relativno niskim temperaturama raspolae dovoljnom energijom da se oslobodi valentnih veza i iz valentne zone pree u provodnu zonu, ostavljajui za sobom upljine u valentnoj zoni. Treba napomenuti da je valentna zona prelaskom izvesnog broja valentnih elektrona u provodnu zonu ostala nepopunjena, tako da i u njoj moe da doe do kretanja naelektrisanja pod dejstvom stranog elektrinog polja. Prema irini zabranjene zone, materijali se dele na provodnike, poluprovodnike i izo1atore, sl. 7.12. Kod metala, sa napomenom da oni nemaju zabranjenu zonu (provodna i valentna zona se dodiruju ili preklapaju), najvia energetska zona, koja sadri valentne elektrone, nije popunjena, sl. 7.12a. Zbog toga kod metala elektroni mogu lako prelaziti u energetske nivoe iznad Fermijevog i slobodno se kretati pod uticajem elektrinog polja (Fermijev nivo kod metala se definie kao onaj energetski nivo ispod koga su na temperaturi apsolutne nule svi nivoi popunjeni, a iznad njega svi nivoi prazni, pri emu verovatnoa da e taj nivo biti popunjen na temperaturi T>0 iznosi 50%). Kod izolatora je zabranjena zona iroka, sl. 7.12c, obino nekoliko elektronvolti, ili vie. Zbog toga pri normalnim uslovima samo zanemarljivo mali broj elektrona moe da pree u provodni opseg, to objanjava izolaciona svojstva ovakvih materijala. Bitne razlike izmeu izolatora i poluprovodnika nema, niti je granica izmeu njih otra. Ako je irina zabranjene zone do oko 3 eV, smatra se da je to poluprovodnik, a ako je vea od 3 eV moe se govoriti o izolatoru. I dok su metali dobri provodnici sa otpornou oko 10-4 cm, a izolatori izuzetno loi provodnici elektrine struje, jer imaju otpornost reda 1012 cm, dotle poluprovodnici mogu imati otpornost u vrlo velikom opsegu, od male, kada se ponaaju kao provodnici, do velike, koja se pribliava otpornosti izolatora. Bitna razlika izmeu provodnika i poluprovodnika ogleda se u tome to je provodnost kod provodnika ostvarena uglavnom pomou elektrona, a kod poluprovodnika jo i pomou upljina.
118

SI. 7.11. irina zabranjene zone germanijuma, silicijuma i galijum-arsenida u funkciji temperature.

Sl. 7.12. Energetske zone provodnika (a), poluprovodnika (b) i izolatora (c) (EV vrh valentne zone; EC dno provodne zone).

Treba napomenuti da u dijagramu energetskih nivoa prisustvo donorskih primesa ima za posledicu postojanje dodatnog energetskog nivoa unutar zabranjene zone, i to u blizini dna provodne zone. Taj nivo se zove donorski nivo ED. To to se donorski nivo nalazi u zabranjenoj zoni u blizini provodne zone lei u injenici da je za prebacivanje elektrona (koji potiu od donorskih atoma) u provodnu zonu potreban vrlo mali iznos energije. Akceptorske primese uvode u dijagram energetskih nivoa dodatni akceptorski nivo EA, koji lei unutar zabranjene zone i to u blizini vrha valentne zone. Unutar zabranjene zone se nalazi jo jedan energetski nivo tkzv. Fermijev nivo EF, koji je konstanta u Fermi-Dirakovoj funkciji raspodele, a prema kojoj po energetskim nivoima
119

podlee raspodela elektrona i upljina. Pokazuje se da se kod sopstvenog poluprovodnika Fermijev nivo nalazi na sredini zabranjene zone (sl. 7.13a), a kod n-tipa poluprovodnika u gornjoj polovoni zabranjene zone (sl. 7.13b), i to to je koncentracija donorskih primesa vea, to je Fermijev nivo blii dnu provodne zone; kod p-tipa poluprovodnika (sl. 7.13c) je obrnuto: Fermijev nivo je u donjoj polovini zabranjene zone i to je utoliko blii vrhu valentne zone ukoliko je koncentracija akceptorskih primesa vea.

Sl. 7.13. Poloaj Fermijevog nivoa.

Treba napomenuti da je Fermijev nivo energetski nivo sa odreenim fizikim znaenjem samo kod metala, kada predstavlja maksimalni nivo elektrona na temperaturi apsolutne nule. Iako se Fermijev nivo kod poluprovodnika ne moe tano da definie, odnosno ne moe mu se dati odreena fizika interpretacija, ipak je njegovo uvoenje od izuzetne koristi pri prouavanju provoenja struje u poluprovodnicima i poluprovodnikim komponentama. Po analogiji sa metalima, gde Fermijev nivo odraava termodinamiku energiju sistema, i kod poluprovodnika Fermijev nivo mora biti kontinualan na mestu spoja dva poluprovodnika, odnosno poluprovodnika i metala. Uvoenjem Fermijevog nivoa moe se pokazati da je u termodinamikoj ravnotei (kada kroz poluprovodnik ne protie struja) proizvod koncentracija elektrona n0 i upljina p0 jednak kvadratu sopstvene koncentracije nosilaca naelektrisanja:
p 0 n0 = ni2 .

(7.1)

Ovaj izraz je veoma bitan, s obzirom da prua mogunost izraunavanja koncentracije manjinskih nosilaca. Na primer, ako je na sobnoj temperaturi koncentracija donorskih primesa u n-tipu poluprovodnika ND = 51016 cm-3, prema (7.1) koncenracija upljina kao manjinskih nosilaca n-tipu poluprovodnika iznosi p0 = ni2/ND = (1,131010)2/51016 2,5103 cm-3.

120

7.5. TRANSPORT NOSILACA NAELEKTRISANJA

Kada na poluprovodnik nije prikljueno spoljanje elektrino polje, elektroni i upljine se nalaze u stalnom kretanju usled termike energije kristala. Ovo kretanje nosilaca naelektrisanja je haotino, tj. svi smerovi kretanja su podjednako verovatni. Ukoliko bi jedan smer kretanja bio favorizovan, to bi znailo da kroz poluprovodnik protie elektrina struja i bez prikljuenja napona, to je, oigledno, nemogue. Putanje po kojima se kreu nosioci naelektrisanja u odsustvu spoljanjeg elektrinog polja imaju oblik izlomljenih linija. Ovakav oblik putanja nastaje prvenstveno usled uticaja termikih vibracija kristalne resetke. Naime, ove vibracije se sastoje od longitudinalnih ili transverzalnih talasa odreene talasne duine i brzine prostiranja, a kao rezultat javljaju se fononi koji imaju dvojni karakter estice i talasa. Pri sudarima sa fononima, nosioci naelektrisanja skreu sa prvobitne putanje, usled ega putanja ima oblik izlomljene linije. U poluprovodnicima jak uticaj na haotino kretanje elektrona i upljina imaju, takoe, jonizovane primese usled dejstva Kulonove sile zbog pozitivno, odnosno negativno naelektrisanih donorskih i akceptorskih jona. Treba napomenuti da i atomi drugih stranih nejonizovanih hemijskih elemenata, koji se mogu nai u kristalu, kao i defekti kristalne reetke, mogu imati udela na kretanje i putanje pokretnih nosilaca naelektrisanja.

Sl. 7.14. (a) Ilustracija haotinog kretanja elektrona u poluprovodnicima; (b) kretanje elektrona u prisustvu spoljanjeg elektrinog polja.

Kretanje elektrona moe se, u odsustvu spoljanjeg elektrinog polja, prikazati kao na sl. 7.14a, na kojoj je prikazano sedam uzastopnih sudara elektrona sa fononima ili drugim uzronicima. Rastojanja izmeu sudara su razliita, ali se moe definisati srednji slobodan put l, koji se kree u granicama od 10-5 cm do 10-4 cm, to je je oko 2 do 3 reda veliine puta vee od rastojanja izmeu atoma poluprovodnika. Brzine kojima se nosioci kreu izmeu sudara su statistiki rasporeene, a u proseku pri sobnoj temperaturi iznose oko 107 cm/s. Srednje vreme izmeu dva sudara iznosi oko 10-12 s do 10-11 s.

7.5.1. Drift nosilaca naelektrisanja

Kada se poluprovodnik podvrgne spoljanjem elektrinom polju, opisanom termikom kretanju nosilaca naelektrisanja superponira se usmereno kretanje pod dejstvom toga polja. Kretanje elektrona u prisustvu elektrinog polja prikazano je na sl. 7.14b. Vidi se da u pravcu delovanja elektrinog polja elektron izmeu dva sudara dobija dodatnu, usmerenu brzinu, tkzv. driftovsku brzinu. Ova brzina, usled estih sudara i promena pravca kretanja nosilaca, nee se
121

stalno poveavati, ve e postii jednu srednju vrednost, koja se za elektrina polja K koja nisu suvie velika, moe izraziti u obliku:
vn = n K ,

(7.2)

gde koeficijent proporcionalnosti n izmeu brzine i elektrinog polja predstavlja pokretljivost elektrona i izraava se u cm2/Vs. I upljine se vladaju na slian nain, ali zbog razliite mase i drugaijeg naina postanka, pokretljivost upljina p je manja od pokretljivosti elektrona (sl. 7.15). Slino (7.2), srednja driftovska brzina upljina vp iznosi:
vp = pK .

(7.3)

Sl. 7.15 Eksperimentalno dobijene zavisnosti brzine nosilaca naelektrisanja od elekrinog polja za ist Ge, Si i GaAs.

Za velike vrednosti elektrinog polja prestaje da vai linearna zavisnost izmeu brzine kretanja nosilaca i elektrinog polja data jedn. (7.2) i (7.3). Pri tim poljima se poveava broj sudara nosilaca, te brzina usmerenog kretanja sve manje zavisi od polja. Postoji granina brzina kojom se nosioci mogu kretati kroz kristal, sl. 7.15. Kada nosioci dostignu graninu brzinu, dalje poveanje elektrinog polja ne poveava brzinu usmerenog kretanja nosilaca, ve samo njihovu kinetiku energiju. Na sl. 7.15 su prikazane eksperimentaine zavisnosti driftovske brzine od elektrinog polja za Ge, Si i GaAs. Kao to se vidi sa slike, granina brzina za sva tri poluprovodnika iznosi oko 107 cm/s. Pokretljivost nosilaca naelektrisanja jako zavisi od temperature i koncentracije primesa. Zbog toga su na sl. 7.16 prikazane eksperimentalne zavisnosti pokretljivosti elektrona i upljina u Ge, Si i GaAs od koncentracije primesa na sobnoj temperaturi, a na sl. 7.17 zavisnosti pokretljivosti u Si od temperature pri razliitim vrednostima koncentracije primesa. Sa slika 7.16 i 7.17 moe se videti da je pri sobnoj temperaturi pokretljivost elektrona priblino dva puta vea od pokretljivosti upljina.

122

Sl. 7.16. Zavisnost pokretljivosti elektrona i upljina od koncentracije primesa u Ge, Si i GaAs.

Sl. 7.17. Zavisnost pokretljivosti elektrona (a) i upljina (b) od temperature pri razliitim vrednostima koncentracije primesa u silicijumu.

123

7.5.2. Specifina otpornost i provodnost homogenih poluprovodnika; driftovska struja

Specifina otpornost poluprovodnika predstavlja koeficijent proporcionalnosti izmeu elektrinog polja K i gustine struje J:
K = J .

(7.4)

Ova veliina je inverzno proporcionalna specifinoj provodnosti, tj. = 1/, tako da je:
J = K .

(7.5)

Kada su poznate pokretljivosti upljina p i slobodnih elektrona n, kao i njihova koncentracija u poluprovodniku (uz napomenu da se, kada kroz poluprovodnik protie struja, koncentracija upljina oznaava sa p, a koncentracja elektrona sa n), specifina otpornost se izraunava prema izrazu:

1 1 = . q( n n + p p)

(7.6)

U istom (sopstvenom) poluprovodniku koncentracija slobodnih elektrona je jednaka koncentraciji upljina (ni = pi), te jedn. (7.6) za specifinu otpornost postaje:
i = 1 1 . = i qni ( n + p )

(7.7)

Specifina otpornost, odnosno provodnost istog poluprovodnika zove se sopstvena ili unutranja otpornost (provodnost) poluprovodnika. Ako je n ND >> p (n-tip poluprovodnika), onda je:
n

1 1 . q n n q n N D

(7.8)

Ako je, pak, p NA >> n (p-tip poluprovodnika), sledi:

1 1 . q p p q p N A

(7.9)

Izmerene vrednosti specifine otpornosti (pri T = 300K) za silicijum dopiran borom (ptip) i fosforom (n-tip) u zavisnosti od koncentracije primesa prikazane su na sl. 7.18. Driftovska struja. Struja koja nastaje kretanjem elektrona i upljina pod uticajem elektrinog polja predstavlja driftovsku struju. Gustina struje usled kretanja elektrona (gustina struje elektrona) jeste:
J ndrift = qnv n = qn n K = n K ,

(7.10)

gde je vn brzina elektrona prema jedn. (7.2), a n provodnost poluprovodnika usled postojanja pokretnih elektrona.

124

Sl. 7.18. Specifina otpornost silicijuma pri T = 300K u zavisnosti od koncentracije primesa.

Gustina struje nastala kretanjem upljina pod uticajem elektrinog polja (gustina struje upljina) je:
J pdrift = qpv p = qp p K = p K ,

(7.11)

gde je p provodnost poluprovodnika usled postojanja pokretnih upljina. Prema tome, za poluprovodnik kod koga u procesu proticanja struje uestvuju i elektroni i upljine, driftovska gustina struje je:
J drift = J ndrift + J pdrift = ( n + p ) K = q (n n + p p ) K .

(7.12)

7.5.3. Difuzija u poluprovodnicima; difuziona struja

Difuziono kretanje estica nastaje, uopte, kada u prostoru postoji razlika njihove gustine. To vai i za poluprovodnike. Naime, kada postoji razlika u gustini slobodnih nosilaca naelektrisanja, nastae njihovo kretanje sa mesta vie koncentracije ka mestu nie koncentracije, sa tendencijom da se koncentracije nosilaca izjednae. Ovo kretanje nosilaca prouzrokuje elektrinu struju, tkzv. difuzionu struju. Ako se posmatraju, na primer, upljine ija se koncentracija menja samo du koordinate x, a u smerovima y i z je konstantna, difuziona struja e biti proporcionalna gradijentu koncentracije upljina u smeru ose x. Kada promena koncentracije postoji samo du jedne koordinate, gradijent je jednak dp/dx i treba ga uzeti sa negativnim predznakom, jer se kretanje upljina obavlja sa mesta vie koncentracije prema mestu sa niom koncentracijom, sl. 7.19a. Difuziona struja e, takoe, biti proporcionalna sposobnosti estice da difunduje, tj. difuzionoj konstanti D. U sluaju upljina, difuziona konstanta se oznaava sa Dp. Prema tome, za gustinu difuzione struje upljina moe se napisati:

125

Sl. 7.19. Difuziono kretanje upljina (a) i elektrona (b).

J pdiff J pd = qD p

dp . dx

(7.13)

U sluaju difuzije elektrona, za difuzionu gustinu struje elektrona vai sledee:

J ndiff J nd = qDn dn . dx

(7.14)

U poslednjoj jednaini je pozitivan predznak zbog toga to je naelektrisanje elektrona negativno, tako da je q(dn/dx) = qdn/dx. Ovde se ukazuje da difuziona komponenta struje ima odluujuu ulogu u radu bipolarnih poluprovodnikih komponenata na bazi p-n spojeva (pod bipolarnom komponentom podrazumeva se komponenta kod koje u procesu provoenja elektrine struje uestvuju obe vrste nosilaca naelektrisanja i elektroni i upljine).

7.5.4. Ukupna struja

Kada u uzorku poluprovodnika postoji i elektrino polje i gradijent koncentracije nosilaca i kada je elektrino polje relativno malo (tako da pokretljivost ne zavisi od polja), gustine struje elektrona i upljina u jednodimenzionalnoj predstavi su: dn (7.15) J n = qn n K + qDn dx i dp . (7.16) J p = qp p K qD p dx Poslednje dve jednaine poznate su pod nazivom transportne jednaine. Ukupna struja u poluprovodniku jednaka je zbiru struje elektrona i struje upljina, tj.:
J = Jn + J p .

(7.17)

126

8. DIODE
Rad poluprovodnikih dioda zasniva se na usmerakim osobinama p-n spojeva. Zbog toga e prvi deo ove glave biti posveen karakteristikama p-n spojeva. U praksi je skoro iskljuivo jedna oblast p-n spoja male specifine otpornosti, to znai da je u njoj velika koncentracija primesa; drugim reima, jedna oblast p-n (ili n-p) spoja je najee jako dopirana (NA,D > 1017 cm3 ). Prema tome, re je o p+-n ili n+-p spojevima, ali, da se ta injenica ne bi stalno isticala, nadalje e se umesto oznaka spojeva p+-n i n+-p koristiti oznake p-n i n-p, respektivno.

8.1. p-n I n-p SPOJEVI

Danas se iskljuivo proizvode planarne diode, sl. 8.1. Planarne diode, koje treba da imaju malu direktnu otpornost, prave se u epitaksijalnom sloju silicijuma. Naime, da bi redna otpornost diode bila to manja, silicijumska ploica na kojoj se planarnim postupkom istovremeno oformljuje veliki broj dioda, trebalo bi da je to tanja. Meutim, ukoliko je ploica tanja, utoliko se lake lomi. Minimalna debljina ploice sa kojom se uopte moe raditi je (120150) m, dok je za dobar rad diode neophodna znatno manja debljina (vea debljina ploice samo poveava rednu otpornost). Zbog toga se smanjenje redne otpornosti postie epitaksijalno naraslim slojem, sl. 8.1. Kako je supstrat male otpornosti, to je otpornost tog dela zanemarljivo mala, te je i redna otpornost diode mala. Mala otpornost osnove ima prednost i zbog toga to je sa njom mogue lako ostvariti dobar neusmeraki spoj, te i to smanjuje rednu otpornost.

Sl. 8.1. Planarna epitaksijalna dioda.

127

Iako diode sa epitaksijalnim slojem imaju bolje karakteristike od dioda bez takvog sloja (prvenstveno manju rednu otpornost i vei probojni napon), nadalje e se, u cilju jednostavnosti, razmatrati samo diode koje ne sadre epitaksijalni sloj, sl. 8.2, kao i diode sa tkz. skokovitim p-n spojem kada sa p-tipa na n-tip postoji nagla promena koncentracije primesa, sl. 8.6.

Sl. 8.2. Ilustracija diode bez epitaksijalnog sloja; velikim krugovima u prelaznoj oblasti p-n spoja oznaene su jonizovane primese (pozitivni donorski i negativni akceptorski joni), a kruii sa znakom + oznaavaju upljine kao veinske nosioce u p-oblasti, dok je za veinske elektrone u n-oblasti iskoriena oznaka .

Dakle, p-n spoj se sastoji od intimnog spoja poluprovodnika p-tipa i poluprovodnika n-tipa. Mesto na kome se prelazi sa jednog na drugi tip poluprovodnika zove se metalurki spoj, sl. 8.3a; to je, praktino, povrina dodira poluprovodnika p- i n-tipa. Kao to je u sedmoj glavi reeno, moe se smatrati da su na sobnoj temperaturi skoro sve primese jonizovane. Zbog toga e u p-oblasti veinski nosioci biti upljine, ija je koncentracija ppo NA, a u n-tipu elektroni, sa koncentracijom nno ND. Manjinski nosioci u p-oblasti su elektroni (sa koncentracijom npo), a u n-oblasti upljine, sa koncentracijom pno. S obzirom da je u p-oblasti koncentracija upljina za nekoliko redova veliine vea nego u n-oblasti, to e iz p-oblasti ka n-oblasti nastati difuzija upljina. Na mestu uz metalurski spoj, odakle su difuzijom otile upljine, ostaju nekompenzovani akceptorski joni (sl. 8.2 i sl. 8.3a) i, kako su oni negativno naelektrisani, u p-oblasti ostaje negativna koliina naelektrisanja (Q). Isto tako, sa strane n-oblasti difuzijom kroz metalurki spoj odlaze elektroni u p-oblast, te u n-oblasti ostaju nekompenzovani donorski joni (sl. 8.2 i sl. 8.3a), odnosno pozitivna koliina naelektrisanja (+Q). Ta oblast sa nekompenzovanim primesama, tj. sa prostornim naelektrisanjem vrsto vezanim za kristalnu reetku, zove se prelazna oblast p-n spoja (sl. 8.2 i sl. 8.3a). U njoj, usled prostornog naelektrisanja postoji elektrino polje K (sl. 8.3a), odnosno tolika potencijalna razlika Vbi da u ravnotei zaustavlja dalje difuziono kretanje nosilaca naelektrisanja. Zbog postojanja naelektrisanja, prelazna oblast p-n spoja zove se i barijerna oblast ili oblast prostornog naelektrisanja.

128

Sl. 8.3. p-n spoj sa izvodima bez polarizacije (a), pri direktnoj (b) i inverznoj polarizaciji (c).

129

Sl. 8.4. Uz objanjenje proticanja struje kroz direktno polarisan p-n spoj.

irina prelazne oblasti, ili barijera, moe se menjati prikljuenjem spoljanjeg napona. Smanjenje irine barijere postie se kada se na p-oblast prikljui pozitivan, a na n-oblast negativan pol spoljanjeg napona, sl. 8.3b; takav napon V zove se direktan napon. U suprotnom sluaju, tj. prikljuenjem inverznog napona VR, irina prelazne oblasti se poveava, sl. 8.3c. Neka se na p-n spoj dovede napon tako da se barijera smanji, sl. 8.3b. Usled smanjenja barijere difuziona struja kroz p-n spoj postaje vea od driftovske i kroz p-n spoj e proticati struja. Na sl. 8.4 simbolino je prikazano kretanje elektrona i upljina koje ine struju kroz p-n spoj, odnosno kroz diodu. U n-oblasti veinski nosioci su elektroni i oni se kreu sdesna u levo, inei driftovsku struju elektrona Indrift, koja je suprotnog smera od smera kretanja elektrona znai, u desno. Injektovane upljine iz p-oblasti u n-oblast predstavljaju manjinske nosioce u toj oblasti (na sl. 8.4a su one predstavljene belim kruiima). Njihova koncentracija je najvea neposredno uz prelaznu oblast, tj. na poetku n-oblasti. upljine se kroz n-tip poluprovodnika (noblast) kreu difuzijom sleva u desno, usled ega, takoe sleva u desno, nastaje difuziona struja upljina Ipdiff. U bilo kojoj taki u n-oblasti ukupna struja koja protie kroz direktno polarisanu diodu bie jednaka zbiru driftovske struje elektrona i difuzione struje upljina, tj. ID = Indrift + Ipdiff (ovo je razlog zbog kojeg dioda spada u tkzv. bipolarne komponente komponente kod kojih struju ine oba tipa naelektrisanja, i elektroni i upljine). S druge strane, u p-oblasti veinski nosioci su upljine i one se kreu sleva u desno, od kojih nastaje driftovska struja upljina Ipdrift, koja je istog smera sa smerom kretanja upljina znai, u desno. Injektovani elektroni iz noblasti u p-oblast predstavljaju manjinske nosioce u toj oblasti. Kako je njihova koncentracija najvea neposredno uz prelaznu oblast, oni se kroz p-tip poluprovodnika (p-oblast) kreu difuzijom sdesna u levo, inei difuzionu struju elektrona Indiff, sa smerom suprotnim od difuzionog kretanja elektrona. I ovde, u bilo kojoj taki u p-oblasti ukupna struja koja protie kroz direktno polarisanu diodu je jednaka zbiru driftovske struje upljina i difuzione struje elektrona.

130

Sl. 8.5. Simbolina predstava nastanka veoma male struje pri inverznoj polarizaciji diode.

Kada se, pak, na diodu dovede inverzan napon (sl. 8.3c), barijera se povea. U tom sluaju difuziona struja veinskih nosilaca kroz barijeru prestaje, a driftovska struja ne moe da poraste iznad ravnotene, jer u prelaznoj oblasti nema odgovarajuih nosilaca. Na primer, difuzionoj struji upljina, koju ine veinski nosioci iz p-oblasti, dri ravnoteu driftovska struja istih nosilaca koji su uli u prelaznu oblast. Prema tome, driftovska komponenta struje kroz p-n spoj ne moe biti vea od difuzione. Da bi ona porasla, potrebno je da iz n-oblasti dou upljine. upljine su u n-oblasti manjinski nosioci; njih ima vrlo malo, te e i struja u ovom smeru biti vrlo mala, sl. 8.5. Zbog toga se p-n spoj zove i usmeraki spoj, jer on u jednom smeru proputa, a u drugom ne proputa elektrinu struju.

8.1.1. Ravnoteno stanje na p-n spoju

Raspodela koncentracije primesa u okolini metalurskog spoja moe biti takva da je prelaz sa p- na n-tip poluprovodnika skokovit, linearan, eksponencijalan, ili po nekoj drugoj funkciji (erfc, Gausovoj, itd.). Skokovitim prelazom se moe smatrati onaj prelaz kod kojeg je koncentracija primesa priblino konstantna u samoj prelaznoj oblasti, sl. 8.6. Tako se i spoj dobijen difuzijom u izvesnim uslovima moe smatrati skokovitim, a to je kada je dubina p-n spoja relativno mala. Duboki difundovani p-n prelazi su priblino linearni. Nadalje e se samo analizirati skokoviti p-n spojevi pri sobnoj temperaturi (T = 300 K). Neka su otpornosti p- i n-oblasti silicijuma respektivno p = 0,009 cm i n =1 cm. Sa sl. 7.18 se za ove otpornosti dobija da je koncentracija akceptora NA = 1019 cm-3, a koncentracija donora ND = 51015 cm-3. U tom sluaju koncentracija manjinskih nosilaca u p-tipu (elektrona), na osnovu (7.1) i ni = 1,131010 cm-3, iznosi n po ni2 / N A 1,281020/(11019) 13 cm-3, a upljina u n-tipu p no ni2 / N D 1,281020/(51015) 2,6104 cm-3. Na sl. 8.7 su slikovito prikazane koncentracije akceptora, upljina i elektrona u p-tipu i koncentracije donora, elektrona i upljina
131

u n-tipu silicijuma sa pomenutim brojnim vrednostima. Ovde je uzeto da je koncentracija veinskih nosilaca priblino jednaka koncentraciji primesa (pretpostavlja se da su sve primese jonizovane).

Sl. 8.6. Aproksimacija skokovitom raspodelom primesa (skokovit pn-spoj).

Sl. 8.7. Uz ilustraciju vrednosti koncentracija nosilaca naelektrisanja i primesa u p- i n-oblasti silicijuma koje ine p-n spoj. 132

Na sl. 8.8a nacrtana je prelazna oblast p-n spoja. Kako je ovaj crte u linearnoj razmeri, to slika ne prua pravi odnos veliina. Sa leve strane metalurkog spoja, usled odlaska upljina, ostali su nekompenzovani akceptorski joni. Sa desne strane, odlaskom elektrona, ostali su nekompenzovani donorski joni. Kako u ravnotei p-n spoj mora biti elektroneutralan (+Q = |Q|), to je broj nekompenzovanih donora sa jedne strane jednak broju nekompenzovanih akceptora sa druge strane. Prema tome, prelazna oblast e biti ira sa one strane sa koje je koncentracija primesa manja (u ovom sluaju u n-oblasti (xn >> xp)). Koncentracija veinskih nosilaca kroz prelaznu oblast opada za nekoliko redova veliine (sl. 8.7), te je u odnosu na koncentraciju primesnih jona zanemarljivo mala. To daje mogunost da se u razmatranjima pretpostavi da postoji totalno osiromaenje nosilaca naelektrisanja u prelaznoj oblasti (sl. 8.8b). Drugim reima, aproksimacija totalnim osiromaenjem prelazne oblasti, koja se, kao to je reeno, jo zove i barijera i oblast prostornog naelektrisanja, kazuje da je u toj oblasti koncentracija nekompenzovanih primesa jednaka ukupnoj koncentraciji primesa. Totalno osiromaenje se posebno moe prihvatiti u sluaju kada se prikljui takav spoljanji napon na p-n spoj da se barijera povea (pri inverznoj polarizaciji, sl. 8.3c).

Sl. 8.8. Prelazna oblast skokovitog p-n spoja (nije u pravoj razmeri): (a) p-n spoj sa naznakom prelaznih oblasti; (b) aproksimacija totalnog osiromaenja.

U p-tipu poluprovodnika Fermijev nivo je blizu vrha valentne zone, a u n-tipu blizu dna provodne zone. Kako je u ravnotei Fermijev nivo u celom poluprovodniku konstantan, to e nastati krivljenje zona, sl. 8.9. Na osnovu sl. 8.9 moe se pokazati da se za kontaktnu razliku potencijala Vbi p-n spoja dobija:
Vbip n Vbi = N N kT p po U T ln A 2 D , ln q p no ni

(8.1)

pri emu su k Bolcmanova konstanta, a UT = kT/q tkzv. termiki potencijal i na sobnoj temperaturi (T = 300K) je UT 0,026 V. Analogno, kontaktna razlika potencijala n-p spoja data je izrazom:
n Vbi p =

N N kT nno U T ln A 2 D . ln q n po ni

(8.2)

133

Sl. 8.9. (a) Odvojeni poluprovodnici p- i n-tipa pri termodinamikoj ravnotei; (b) ravnoteno stanje na p-n spoju bez prikljuenog spoljanjeg napona.

Na sl. 8.10 prikazane su zavisnosti kontaktnih razlika potencijala u Si od koncentracije primesa u slabije dopiranoj oblasti, pri emu je, na osnovu (8.1) i (8.2), raunato sa koncentracijom primesa u jae dopiranoj oblasti NA = 51016 cm-3, NA = 1018 cm-3 i NA = 51019 cm-3,

Sl. 8.10. Zavisnosti kontaktnih razlika potencijala za skokovite p-n spojeve Si od koncentracije primesa u slabije dopiranoj oblasti. 134

Prikljuenjem spoljanjeg napona napon na barijeri se menja. Drugim reima, usled direktnog napona V, napon barijere VB, koji je u ravnotei bio jednak kontaktnoj razlici potencijala (VB = Vbi), smanjuje se na VB = Vbi V; ukoliko se prikljui inverzni spoljanji napon ( Vinv ), napon barijere se poveava i iznosi VB = Vbi ( Vinv ) = Vbi + Vinv .

8.1.2. Kapacitivnost prostornog naelektrisanja

U prelaznoj oblasti, kao to je pokazano, postoji prostorno naelektrisanje od jonizovanih primesa. Ako je, dakle, re o p-n spoju, prema sl. 8.8 u p-oblasti irine xp postojae negativno naelektrisanje Qp = qSxpNA (S je povrina p-n spoja), a u n-oblasti irine xn pozitivno nalektrisanje Qn = qSxnND. S obzirom da poluprovodnik ima tano definisanu vrednost dielektrine konstante s = 0rs (0 dielektrina konstanta vakuuma), to se naelektrisanja Qp i Qn mogu smatrati kao naelektrisanja na oblogama jednog kondenzatora, pri emu je rastojanje izmeu tih obloga w = xp + xn. Kapacitivnost takvog kondenzatora
C = s S w

(8.3)

zove se kapacitivnost prostornog naelektrisanja ili barijerna kapacitivnost. Kako se, kao to je reeno, promenom napona na diodi moe menjati vrednost irine prelazne oblasti p-n spoja, tj. w (sl. 8.4 i sl. 8.5), to se, na osnovu (8.3), moe spoljanjim naponom V menjati i barijerna kapacitivnost u relativno irokim granicama. Na sl. 8.11 je, u funkciji napona, prikazana promena barijerne kapacitivnosti jedne diode sa skokovitim p-n prelazom U praksi je to iskorieno kod varikap dioda (videti deo 4.3.3). Iako je promena kapacitivnosti sa naponom vea kod direktno polarisanih p-n spojeva, koristi se samo inverzna polarizacija dioda, s obzirom da tada kroz diodu protie zanemarljivo mala struja (o emu e kasnije biti vie rei). koje se ugrauju u tjunere televizora i radio aparata (napominje se da su prave varikap diode sa tkzv. superstrmim prelazom, a ne sa skokovitim p-n spojem).

Sl. 8.11. Kapacitivnost skokovitog p-n spoja u funkciji napona na diodi.

135

8.2. STRUJA DIODE

Difuziona struja. Uz pretpostavku strmog p-n spoja, na sl. 8.12a je kvalitativno predstavljena raspodela nosilaca naelektrisanja du nepolarisane diode. Meutim, kada se na p-n spoj prikljui direktni napon V (na p-tip pozitivan a na n-tip negativan pol napona, sl. 8.3b), smanjie se napon barijere na vrednost VB = Vbi V, odnosno smanjie se koee elektrino polje u prelaznoj oblasti p-n spoja. Usled toga nastae injekcija nosilaca naelektrisanja, i to upljina iz p- u n-oblast i elektrona iz n- u p-oblast, sl. 8.12b. Stoga to sada postoji gradijent koncentracije manjinskih nosilaca naelektrisanja, a u skladu sa onim to je ranije napomenuto, proticae u ntipu difuziona struja upljina i u p-tipu poluprovodnika difuziona struja elektrona.

Sl. 8.12. Kvalitativna predstava koncentracija nosilaca naelektrisanja du (a) nepolarisane i (b) direktno polarisane (samo za manjinske nosioce) p-n diode.

Injektovane upljine, kao manjinski nosioci u n-oblasti, kreui se du x-ose u desno ine difuzionu struju upljina (ija je gustina Jpdif). Te upljine se rekombinuju sa veinskim nosiocima elektronima, sl. 8.13; istovremeno, usled prikljuenog napona elektroni se du n-oblasti kreu u suprotnom smeru od kretanja upljina, tj. sdesna u levo i to njihovo kretanje definie driftovsku struju elektrona, ija je gustina Jndrift. Drugim reima, kako gustina difuzione struje upljina Jpdif opada, tako gustina driftovske struje elektrona Jndrift raste (sl. 8.13). Smer difuzione struje upljina je u smeru kretanja upljina, a ovo kretanje je u smeru opadanja njihove kon136

centracije, tj. u desno. Elektroni se, pak, kreu u susret upljinama, u levo, te je i smer struje elektrona u desno. U p-oblasti je situacija obrnuta: injektovani elektroni se difuziono kreu u levo (od njih potie difuziona struja elektrona gustine Jndif Jnd). Ovi elektroni se u p-oblasti rekombinuju sa veinskim upljinama (sl. 8.12), koje se, pak, kreu sleva na desno, usled kojih nastaje driftovska gustina struje Jpdrift.

Sl. 8.13. Kvalitativna predstava raspodele gustina struja u p-n diodi.

Ne ulazei u nain analitikog odreivanja, za struju diode se dobija:

V V , I = I s exp 1 I s exp UT UT

(8.4)

gde je V spoljanji napon na diodi, UT termiki potencijal (UT = 0,026 V pri T = 300K), a Is je inverzna struja zasienja diode. Struja Is je nazvana inverznom zbog toga to bi, na osnovu srednjeg lana u (8.4), ta struja tekla pri inverznoj polarizaciji. Naime, pri inverznoj polarizaciji (na n-tip pozitivan a na ptip negativan pol napona, sl. 8.3c) je u jedn. (8.4) exp(-V/UT) << 1 ve pri naponima V = 0,2V, tako da iz (8.4) sledi da je tada I = Is. Inverzna struja zasienja je veoma mala (kod silicijumskih dioda reda pA do nA), s obzirom da nju odreuju koncentracije manjinskih nosilaca naelektrisanja, a one su, kao to je pokazano, male. Pri direktnoj polarizaciji p-n spoja eksponencijalna funkcija u jedn. (8.4) brzo raste i ve pri naponu veem od 0,2V je exp(V/UT) >> 1. Prema tome, p-n spoj ukljuen u kolo elektrine struje, proputa struju kada je direktno polarisan, a praktino je ne proputa pri inverznoj polarizaciji; drugim reima, p-n spoj (dioda) ima usmerake karakteristike, sl. 8.14. Kao to se sa sl. 8.14a vidi, struja silicijumske diode naglo poinje da raste oko 0,6V, ali se kao napon voenja diode uvek uzima V = 0,7 V. Izraz (8.4) daje izuzetno dobro slaganje teorijskih i eksperimentalnih vrednosti struja pri direktnoj polarizaciji diode za napone V 0,4 V, a to su upavo oni naponi pri kojima se dioda i koristi. Pri niim direktnim naponima, a posebno pri inverznoj polarizaciji izmerene vrednosti inverznih struja Ir su znatno vee od Is (obino je Ir 1000Is). Stoga, pri inverznoj polarizaciji ne treba raunati sa strujom Is, ve sa sa inverznom strujom Ir >> Is.

137

Sl. 8.14. Struja (Id I) jedne silicijumske diode u funkciji napona.

Sl. 8.15. Praktian model silicijumske diode. 138

Ako to nije posebno naglaeno, za struju diode se koristi desni lan u izrazu (8.4). Kao to se i sa sl. 8.14 vidi, a ve je to i pomenuto, struja koja protie kroz diodu pri inverznoj polarizaciji je veoma mala, reda nA. Zbog tako izuzetno male struje inverzne polarizacije, a relativno velike struje kada je dioda direktno polarisana, dioda se, u prvoj aproksimaciji, moe smatrati elektrinim ventilom, tj. komponentom koja u jednom smeru (direktna polarizacija) proputa, a u suprotnom (inverzna polarizacija) ne proputa struju. Stoga je mogue uvesti tkzv. praktian model diode, koji je za silicijumsku diodu dat na sl. 8.15. Naime, u ovom modelu se dioda pri direktnoj polarizaciji u kolu prikazuje kao kratkospojeni prekida P sa padom napona izmeu katode i anode Vd = 0,7 V (sl. 8.15a); pri inverznoj polarizaciji prekida P je otvoren, a zbog Iinv = 0 napon izmeu anode i katode je jednak naponu izvora napajanja Vbat (sl. 8.15b). Pri tom, strujno-naponska karakteristika se smatra idealnom (sl. 8.15c), sa naponom voenja kod silicijuskih dioda Vd = 0,7 V.

8.2.1. Testiranje ispravnosti dioda

Korienjem univerzalnih mernih instrumenata (multimetara), bilo digitalnih, bilo analognih, mogue je veoma brzo i efikasno ustanoviti da li je dioda ispravna ili ne. Naime, veina digitalnih multimetara ima mogunost direktnog testiranja ispravosti dioda. Tipian takav multimetar, kao to se vidi na sl. 8.16, ima oznaku diode ka kojoj treba usmeriti funkcionalni preklopnik. Svi multimetri poseduju baterije kojima se napajaju. U primeru na sl. 8.16 prikazani merni instrument se napaja sa Vbat = 2,6 V. Ispravna dioda. Prikljuivanjem pozitivnog pola baterije digitalnog multimetra (crvena ica na sl. 8.16a) na anodu i negativnog pola (cna ica na sl. 8.16a) na katodu, na displeju se oitava vrednost napona na diodi koja moe biti od 0,5 V do 0,9 V, sa tipinom vrednou oko 0,7 V (kao na sl. 8.16a). Vrlo esto takvi multimetri poseduju i zvuni signal koji se u tom trenutku oglaava. Da bi bili sigurni da je dioda stvarno (tanije: najverovatnije) ispravna, okreu se izvodi diode (dioda se fiziki okrene za 180o, sl. 8.16b); tada se ista testira pod uslovima inverzne polarizacije. U tom sluaju se na displeju oitava napon napajanja instrumenta (2,6 V na primeru na sl. 8.16b). Kada se merenje ispravnosti diode vri analognim multimetrom, preklopnik se postavi u poloaj kojim se izabira merenje otpornosti. Napominje se da je kod takvih instrumenata u odnosu na digitalne multimetre izmenjen polaritet napona napajanja samog instrumenta: oznaka uzemljenja (obino iz nje izlazi crna ica) je na pozitivnom, a oznaka koja oznaava merenje otpornosti (trebalo bi po pravilu da bude crvena ica) je na negativnom polu baterije kojom se napaja multimetar. Stoga e kod ispravne diode igla multimetra skrenuti krajnje desno. Kada se dioda okrene (anoda i katoda izmene prethodni poloa), merna igla multimetra se ne pomera (u zavisnosti koji merni opseg otpornosti je izabran moe se desiti da se igla malo i pomeri u desno). Neispravna dioda. Neispravna dioda moe biti kada se dioda ponaa kao prekid u kolu (tkzv. otvorena dioda) ili kada je kratkospojena. U testu u kojem se koristi digitalni multimetar na displeju se kod otvorene diode i pri direktnoj i pri inverznoj polarizaciji oitava ista identifikacija, tj. napon baterije u instrumentu, sl. 8.17a. (kod nekih multimetara pie OL). Sa druge strane, kod kratkospojene diode i pri direktnoj i pri inverznoj polarizaciji na displeju pie takoe ista cifra, ali je to ili 0 (kao na sl. 8.17b) ili napon znatno manji od napona baterije u instrumentu. Kada se koristi analogni instrument, skretanje merne igle je isto i pri direktnoj i pri inverznoj polarizaciji diode, s tim to je kod otvorene diode skretanje igle znatno vee nego kod kratkospojene diode.

139

Sl. 8.16. Test kojim se pokazuje da je dioda ispravna.

Sl. 8.17. Test kojim se pokazuje da je dioda neispravna: (a) kod otvorene diode i pri direktnoj i pri inverznoj polarizaciji je ista identifikacija (kod nekih multimetara pie OL); (b) kod kratkospojene diode i pri direktnoj i pri inverznoj polarizaciji na displeju pie ista cifra: ili 0 ili napon znatno manji od napona baterije u instrumentu.

140

8.3. PROBOJ p-n SPOJA

Inverzni napon na p-n spoju se ne moe poveavati neogranieno. Pri izvesnom inverznom naponu Vpr inverzna struja poinje naglo da raste, sl. 8.18. Kada je nastupio ovaj trenutak, govori se o proboju p-n spoja, a Vpr je probojni napon. Proboj moe nastati usled tunelskog efekta, odnosno neposrednog prelaska elektrona iz valentne u provodnu zonu pod uticajem elektrinog polja (Zenerov proboj). Drugi uzrok proboju moe biti umnoavanje (multiplikacija) nosilaca naelektrisanja usled jakog elektrinog polja (lavinski proboj).

Sl. 8.18. Strujno-naponske karakteristike dve diode u lin-lin razmeri: kod jedne diode proboj nastaje usled tunelovanja a kod druge usled lavinskog umnoavanja nosilaca naelektrisanja.

8.3.1. Zenerov proboj

Iz fizike je poznato da elektroni, usled svoje talasne prirode, mogu prolaziti kroz potencijalnu barijeru. Prolaenje elektrona kroz barijeru mogue je ako on moe da zadri svoju energiju i na drugoj strani barijere. Verovatnoa prolaenja je utoliko vea ukoliko je barijera ua, a takoe i ukoliko ima vie elektrona sa jedne strane barijere i vie slobodnih mesta (nezauzetih energetskih nivoa) sa druge strane. Takva situacija moe da se ostvari kod inverzno polarisanog p-n spoja. Naime, pod uticajem inverznog napona barijera na p-n spoju se proiruje, ali se i energetske zone krive. U sluaju kada je krivljenje zona toliko veliko da provodna zona u n-tipu bude naspram valentne zone u p-tipu (sl. 8.19), ispunie se uslov za tunelsko prelaenje elektrona iz valentne zone poluprovodnika p-tipa u provodnu zonu poluprovodnika n-tipa, s obzirom da u valentnoj zoni u p-tipu ima mnogo elektrona, a u provodnoj zoni u n-tipu mnogo praznih mesta (nezauzetih stanja). Kako verovatnoa tunelskog prelaza zavisi i od irine barijere, to je za nastajanje ovog proboja potrebno da irina barijere bude mala, a to e biti ako su i p-tip i n-tip poluprovodnika jako dopirani i istovremeno oformljuju strm p-n prelaz. Napominje se da tunelski proboj (Zenerov proboj Vz) p-n spoja nastaje pri inverznim naponima koji nisu vei od 5 V (sl. 8.18).

141

Sl. 8.19. Uz objanjenje tunelskog prelaska elektrona iz valentne u provodnu zonu.

8.3.2. Lavinski proboj

Lavinski proboj nastaje udarnom jonizacijom atoma poluprovodnika u prelaznoj oblasti p-n spoja. Na sl. 8.20 je prikazan mehanizam jonizacije. Naime, pod uticajem jakog elektrinog polja, elektroni se kreu i dobijaju poveanu kinetiku energiju. Na kraju slobodnog puta l elektron se sudari sa atomom kristalne reetke. Ako izmeu dva sudara elektron stekne kinetiku energiju jednaku ili veu od energije jonizacije, izvrie jonizaciju atoma, te stvoriti jo jedan slobodan elektron. Sada oba elektrona u sledeim sudarima stvore jo dva elektrona i tako dalje se elektroni umnoavaju. Prilikom stvaranja slobodnog elektrona stvara se i upljina, koja se kree u suprotnom smeru. Prelazei slobodan put, i ona, sudarom sa atomom, moe da izvri njegovu jonizaciju. Prema tome, bilo da pone proces umnoavanja nosilaca elektronima, bilo upljinama, usled toga to se pri sudaru stvara par elektron-upljina, u ovom procesu uestvuju i elektroni i upljine, a inverzna struja pri naponu Vpr naglo poinje da raste (sl. 8.18).

Sl. 8.20. Uz objanjenje lavinskog umnoavanja nosilaca naelektrisanja.

142

8.4. KONTAKT METAL-POLUPROVODNIK

Pri kontaktu metala sa poluprovodnikom (m-s kontakt) obrazuje se oblast prostornog naelektrisanja u okolini kontakta. Kod kontakta metala sa n-tipom poluprovodnika prelaskom elektrona iz poluprovodnika u metal formira se u poluprovodniku oblast pozitivnog, a u metalu oblast negativnog prostornog naelektrisanja. Treba naglasiti da je u povrinskom delu metala naelektrisanje rasporeeno samo do jednog atomskog sloja, usled ega se ova oblast u metalu zanemaruje. Znai, oblast prostornog (nepokretnog) nalektrisanja je, praktino, samo u poluprovodniku. Drugim reima, u poluprovodniku n-tipa neposredno uz metal postoji osiromaena oblast (osiromaena elektronima). Osiromaeni sloj m-s kontakta je analogan osiromaenoj obm lasti p-n spoja, a to znai da se i kod m-s kontakta pojavljuje kontaktna razlika potencijala Vbi s ,
m ali je ona manja nego kod p-n spojeva ( Vbi s < Vbip n ). Kod kontakta metala i poluprovodnika ptipa se u poluprovodniku uz metal pojavljuje oblast (sloj) koja je osiromaena upljinama. Pri direktnoj polarizaciji (kod m-s kontakta sa n-tipom poluprovodnika na metal pozitivan a na poluprovodnik negativan pol napona, a kod m-s kontakta sa p-tipom poluprovodnika na metal negativan a na poluprovodnik pozitivan pol napona) smanjuje se kontaktnta razlika pom tencijala Vbi s za vrednost prikljuenog napona direktne polarizacije V. Obrnuto, pri inverznoj polarizaciji naponom VR, kontaktna razlika potencijala se poveava za vrednost tog napona. To znai da e pri direktnoj polarizaciji m-s kontakta kroz njega proticati vea struja nego pri inverznoj polarizaciji, a to, pak, znai da i m-s kontakt ima usmerake osobine, sl. 8.21.

Sl. 8.21. Strujno-naponska karakteristika Si diode sa p-n spojem i otkijeve diode.

Diode na bazi m-s kontakta zovu se otkijeve diode. Osnovna razlika izmeu otkijevih dioda i dioda sa p-n spojevima je u tome to je kod prvih struja uglavnom posledica kretanja
143

veinskih nosilaca naelektrisanja, dok je kod p-n spojeva struja najveim delom uslovljena difuzionim kretanjem manjinskih nosilaca nalektrisanja. Stoga su otkijeve diode znatno bre od dioda sa p-n spojevima, s obzirom da kod njih nema nagomilavanja manjinskih nosilaca naelektrisanja. Razlika u strujno-naponskoj karakteristici otkijevih dioda i silicijumskih dioda sa p-n spojevima najbolje se moe uoiti sa sl. 8.21. Tipine vrednosti napona pri kojima u direktnom smeru struja naglo poinje da raste su kod Si dioda oko 0,6 V, dok je ta vrednost kod otkijevih dioda oko 0,3 V. Istovremeno, inverzna struja otkijevih dioda je oko tri do etiri reda veliine vea od inverzne struje Si diode. Ali, sa druge strane, kao to je pomenuto, otkijeve diode su bre od silicijumskih dioda, te su, stoga, pogodnije za tad na visokim frekvencijama.

8.5. PRIMENA DIODA U IZVORIMA NAPAJANJA

Nijedan elektronski ureaj ne bi mogao da radi bez jednosmernog izvora napajanja. Neki ureaji (raunari, televizori, DVD plejeri) se direktno prikljuuju na mreni napon, koji je kod nas frekvencije 50 Hz i efektivne vrednosti 220 V, dok drugi (mobilni telefoni, lap-topovi) koriste baterije. Da bi oni ureaji koji se direktno prikljuuju na mreni napon mogli da rade, neophodno je da se taj naizmenini mreni napon ispravi, tj. da se od naizmeninog napona dobije jednosmerni napon. Taj proces se odvija u ispravljaima, sl. 8.22. Ispravljai su neophodni i kod mobilnih telefona, lap-topova i mnogih drugih ureaja koji danas koriste punjive baterije (niklkadmijumske, nikl-metal hibridne, litijum-jonske), s obzirom da se te baterije dopunjuju jednosmernim naponima iz ispravljaa. Osnovna elektronska komponenta u ispravljaima jeste dioda.

Sl. 8.22. Princip dobijanja jednosmernog (ispravljenog) napona od naizmeninog mrenog napona. 144

Princip na kome se zasniva dobijanje jednosmernog od naizmeninog napona pomou jedne diode prikazan je na sl. 8.23. Kada na anodu diode naie pozitivna poluperioda ulaznog napona Vin (od trenutka t0 do trenutka t1, sl. 8.23a), dioda proputa struju i na potroau (otporniku RL) stvara pad napona Vout istog oblika sa ulaznim naponom (sl. 8.23a). Meutim, kada na anodu u vremenskom periodu od t1 do t2 (sl. 8.23b) naie negativna poluperioda ulaznog napona Vin, dioda ne proputa struju i na potroau je izlazni napon Vout jednak nuli. Nailaskom sledee pozitivne poluperiode ulaznog napona dioda ponovo provede, a zatim sa negativnom poluperiodom napon na izlazu ponovo biva jednak nuli, sl. 8.23c. Nedostatak ovog naina ispravljanja jeste to struja protie kroz potroa samo za vreme jedne poluperiode naizmeninog napona, dok je za vreme od t1 do t2 struja kroz potroa jednaka nuli.

Sl. 8.23. Ispravljanje napona pomou jedne diode.

Sl. 8.24. Ispravljanje napona pomou dve diode. 145

Bolji nain dobijanja ispravljenog napona dobija se pomou dve diode, sl. 8.24. Na istoj slici je prikazan i transformator koji mreni napon od 220 V sniava na eljenu vrednost, i tako snieni naizmenini napon se sa sekundarnog namotaja (sekundara) transformatora dovodi na diode D1 i D2. Za vreme pozitivne poluperiode naizmeninog napona vodi dioda D1 (sl. 8.25a), a dioda D2 je tada inverzno polarisana i kroz nju ne protie struja (dioda D2 je zakoena). Situacija je potpuno izmenjena kad na diodu D2 naie negativna poluperioda napona sa sekundara: tada ona vodi (sl. 8.25b), a dioda D1 je tada zakoena. Kao posledica, kroz potroa sve vreme protie struja, koja na njemu stvara pad napona Vout kao na sl. 8.25b.

Sl. 8.25. Prikaz voenja i zakoenja pojedinih dioda u ispravljau sa dve diode.

Najei i najbolji nain dobijanja ispravljenog napona postie se pomou etiri diode vezane na nain prikazan na sl. 8.26 (tako vezane diode ine tkzv. Grecov spoj). Naime, za vreme pozitivne poluperiode naizmeninog napona koji se dovodi sa sekundara transformatora provede dioda D1; struja prolazi kroz potroa RL i strujni krug se zavrava preko diode D2 (sl. 8.26a). Drugim reima, tada vode diode D1 i D2, a diode D3 i D4 su tada zakoene. Meutim, kada na diodu D3 naie negativna poluperioda napona sa sekundara, uloge dioda su izmenjene: tada vode diode D3 i D4 (sl. 8.26b), a diode D1 i D2 su tada zakoene. Na taj nain kroz potroa sve vreme protie struja, koja na njemu stvara pad napona kao na sl. 8.26b. Na sl. 8.27 je prikazano nekoliko razliitih Grecovih spojeva, na kojima se vidi gde se prikljuuje naizmenini napon, a sa kojih izvoda se uzima + i ispravljenog napona (to je, takoe, naznaeno i na sl. 8.26). Do sada je bilo rei o nainima ispravljanja napona. Meutim, tako dobijeni su i kod punotalasnog (sl.8. 28b), a posebno kod polutalasnog ispravljanja (sl. 8.28a), takvi da su talasni oblici napona na izlazu neprihvatljivi za praktinu primenu (na primer kod audio ureaja bi bio jako ujan nedozvoljeni brum). Stoga se posle ispravljakih dioda koristi kondenzator velike kapacitivnosti (obino su to elektrolitski kondenzatori kapacitivnosti nekoliko stotina F), sl. 8.29.
146

Sl. 8.26. Ispravljanje napona pomou etiri diode (Grecov spoj).

Sl. 8.27. Nekoliko razliitih Grecovih spojeva.

Uloga kondenzatora (sl. 8.28 i sl. 8.29) se ogleda u sledeem: u prvom trenutku kada dioda provede, kondenzator se napuni (sl. 8.39a) i napon na njemu je VC = Vp(in) 0,7 V, gde je Vp(in) maksimalna vrednost ulaznog napona. Odmah nakon toga kondenzator poinje da se prazni preko potroaa RL (sl. 8.29b) i to pranjenje kondenzatora traje sve do trenutka kada, pri pozitivnoj poluperiodi naizmeninog napona, struja koja protie kroz diodu ne dopuni kondenzator (na sl. 8.29c je to trenutak koji je iznad t2). Na taj nain se dobija prilino ispeglan napon na potroau, sl. 8.28. Oigledno je, stoga, da e to peglanje ispravljenog napona biti bolje ukoliko je kapacitivnost kondenzatora vea, s obzirom da je vreme pranjena kondenzatora srazmerno kapacitivnosti istog. Na kraju, na sl. 8.30 dat je izgled jednog ispravljaa sa etiri diode, a na sl. 8.31 je prikazano nekoliko vrsta dioda, sa naznakom na kom je izvodu katoda.

147

Sl. 8.28.Naponski oblici ispravljenog napona bez kondenzatora i sa kondenzatorom.

Sl. 8.29 Uz objanjenje uloge kondenzatora u ispravljaima. 148

Sl. 8.30. Izgled jednog ispravljaa sa etiri diode.

Sl. 8.31. Razliite vrste dioda.

149

9. BIPOLARNI TRANZISTORI
9.1. VRSTE TRANZISTORA
Sama re tranzistor nastala je saimanjem rei TRANSfer-resISTOR, koje na engleskom jeziku znae prenosna otpornost. Moe se, s pravom, rei da je elektronska revolucija zapoela pronalaskom bipolarnih tranzistora 1947. godine. Do tada su se poluprovodnici koristili samo za termistore, fotodiode i ispravljae. 1949. godine okli je publikovao teoriju o radu poluprovodnikih dioda i bipolarnih tranzistora i od tog trenutka poinje nagli razvoj kako teorijskih istraivanja, tako i industrijske proizvodnje ovih komponenata. Zahvaljujui intenzivnom napretku tehnologije poveala se, znatno, pouzdanost, snaga, granina frekvencija i primena bipolarnih tranzistora. Za razliku od dioda, koje su, kao to je pokazano, elektronske komponente sa dva izvoda, tranzistori su komponente sa tri izvoda, sl. 9.1. Ti izvodi su kontaktirani za tri oblasti: oblast tranzistora iz koje se injektuju nosioci naelektrisanja zove se emitor, oblast u koju se injektuju ti nosioci je baza, a oblast u koju ekstrakcijom iz baze dolaze nosioci zove se kolektor, sl. 9.1a. Osnovna karateristika bipolarnog tranzistora jeste da je to komponenta koja ima pojaavaka svojstva, tj. da signal koji se dovodi na ulaz tranzistora biva pojaan na njegovom izlazu, to je figurativno prikazano na sl. 9.1b.

Sl. 9.1. Bipolarni tranzistor komponenta sa tri izvoda (a) i kao pojaavaka kompoenta (b).

Bipolarni tranzistor se sastoji od dva p-n spoja, sl. 9.2. Meutim, naglaava se da ti p-n spojevi moraju da budu u jednoj poluprovodnikoj komponenti tranzistor se ne moe, dakle, dobiti jednostavnim spajanjem dva p-n spoja (dve diode); osnovno svojstvo tranzistora sastoji se ba u tome da izmeu tih p-n spojeva postoji uzajamno dejstvo strujom jednog spoja moe se upravljati struja drugog p-n spoja. Kao to se sa sl. 9.2 vidi, u zavisnosti od toga koga je tipa srednja oblast, koja se, kao to je reeno, zove baza, razlikuju se p-n-p (nadalje e se oznaavati sa PNP) i n-p-n (NPN) tranzistori.

150

Sl. 9.2. Ilustrativni i ematski prikazi PNP (a) i NPN (b) tranzistora.

Sl. 9.3. NPN tranzistor kao diskretna komponena i u okviru integrisanih kola. 151

Sl. 9.4. Kvalitativna predstava preseka epitaksijalnog dvostruko difundovanog PNP tranzistora male snage

Bipolarni tranzistori male i srednje snage se najee dobijaju planarnom tehnologijom, pri emu se emitorski i kolektorski spoj oformljuju dvostrukom difuzijom primesa u epitaksijalni sloj. Na sl. 9.3 prikazan je NPN, a na sl. 9.4 PNP planarni tranzistor. Epitaksijalni sloj je sa niskom koncentracijom primesa i prvenstveno slui za poveanje probojnog napona spoja kolektor-baza (ceo kolektor ne moe biti sa niskom koncentracijom primesa, jer bi, u tom sluaju, bila velika redna otpornost kolektora, a time i veliki pad napona na toj otpornosti; sa druge strane, velika koncentracija primesa u kolektoru dovela bi do niskog probojnog napona kolektorskog spoja, to bi bilo neodrivo za normalan rad tranzistora).

Sl. 9.5. Fotografija diskretnog tranzistorskog ipa (a) i njegova montaa u metalno kuite TO 18.

152

Ne ulazei u tehnoloki niz proizvodnje bipolarnih tranzistora, na sl. 9.3 su prikazana dva NPN tranzistora: jedan se odnosi na diskretnu komponentu (svaki tranzistor je pojedinana komponenta), a drugi je izdvojen iz jednog integrisanog kola. Osnovna razlika izmeu njih ogleda se u tome to se kod diskretnog tranzistora kolektorski i emitorski kontakt nalaze sa suprotnih strana, a kod tranzistora u integrisanim kolima su svi kontakti sa jedne strane, sl. 9.3. Stoga kolektorska struja kod diskretnog tranzistora protie vertikalno kroz komponentu, a kod integrisanog tranzistora ona je najveim delom planparalelna. Slika 9.5 prikazuje fotografiju ipa jednog diskretnog bipolarnog tranzistora i figurativni odnos veliina samoga ipa i kuita. Kako tranzistor ima tri izvoda, to se on moe ukljuiti na 6 razliitih naina u dva elektrina kola, pri emu je jedan kraj zajedniki za oba kola. Meutim, u praksi se koriste samo 3 naina vezivanja; to su: spoj sa uzemljenom (zajednikom) bazom (sl. 9.6a), spoj sa uzemljenim emitorom (sl. 9.6b) i spoj sa uzemljenim kolektorom (sl. 9.6c).

Sl. 9.6. Tri naina vezivanja PNP tranzistora: (a) sa uzemljenom bazom; (b) sa uzemljenim emitorom; (c) sa uzemljenim kolektorom.

9.1.1. Nain rada tranzistora

U normalnom radnom reimu (aktivnom reimu) jedan p-n spoj tranzistora je direktno, a drugi inverzno polarisan; direktno polarisan spoj jeste emitor-bazni (ili, kratko, emitorski) spoj, a inverzno polarisan spoj je kolektor-bazni (kolektorski) spoj. Prema tome, kod PNP tranzistora pozitivan pol izvora prikljuen je za emitor preko metalnog kontakta, a negativan za bazu; pozitivan pol kolektorskog izvora prikljuen je na bazu, a negativan na kolektor (sl. 9.2a). Kod NPN tranzistora je obrnuto (sl. 9.2b). Na sl. 9.7 figurativno je prikazano kako se kreu elektroni kod normalno polarisanog NPN tranzistora sa uzemljenim emitorom, sa naznakom smerova emitorske IE, bazne IB i kolektorske struje IC, s napomenom da su smerovi struja suprotni od smera kretanja elektrona. Rad bipolarnog tranzistora bie objanjen na primeru PNP tranzistora sa uzemljenom bazom. Analiza, meutim, ostaje nepromenjena i kod NPN tranzistora, sa napomenom da kod njega naponi i struje menjaju smerove, a upljine i elektroni uloge. Dakle, sve ono to se kod PNP tranzistora odnosi na upljine, kod NPN tranzistora odnosi se na elektrone, i obratno. Na sl. 9.8 ematski su prikazane komponente struja u PNP tranzistoru (u preseku AA' na sl. 9.4). Naime, usled direktne polarizacije emitorskog spoja upljine se, koje su u emitoru veinski nosioci naelektrisanja, iz emitora injektuju u podruje baze; ove injektovane upljine ine emitorsku struju upljina IpE. Sa druge strane, iz baze, gde su veinski nosioci, elektroni prelaze
153

u podruje emitora, inei emitorsku struju elektrona InE. Kako su elektroni i upljine nosioci naelektrisanja suprotnog znaka, to je i emitorska struja elektrona InE istog smera kao i emitorska struja upljina IpE, tako da je emitorska struja IE jednaka zbiru ovih dveju struja. Meutim, samo komponenta struje koja nastaje prolaskom upljina kroz emitorski spoj doprinosi pojaavakom svojstvu tranzistora, s obzirom da ona efektivno uestvuje u formiranju kolektorske struje. Otuda se u konstrukciji tranzistora tei da se emitorska struja elektrona InE kroz emitorski spoj to vie smanji (ne treba zaboraviti da je ovde re o PNP tranzistoru; kod NPN tranzistora je upravo obrnuto). Prema tome, emitorska struja IE je:
I E = I pE + I nE .

(9.1)

Sl. 9.7. Figurativna predstava kretanja elektrona u normalno polarisanom NPN tranzistoru.

154

Sl. 9.8. Komponente struja u PNP tranzistoru u aktivnom reimu rada.

Injektovane upljine e se, usled njihove poveane koncentracije u bazi uz emitorski spoj, difuziono kretati kroz bazu ka kolektorskom spoju, sa napomenom da su u bazi upljine manjinski nosioci naelektrisanja. Kreui se ka kolektoru, jedan manji broj upljina se rekombinuje sa elektronima u bazi; ta komponenta struje upljina obeleena je sa IpB = InB (sl. 9.8). Meutim, daleko najvei broj upljina injektovanih iz emitora stie do prelazne oblasti kolektorskog spoja. Kako je, zbog inverzne polarizacije, elektrino polje u prelaznoj oblasti kolektorskog spoja takvog smera da pomae kretanje manjinskih nosilaca naelektrisanja (u ovom sluaju upljina), to, praktino, sve upljine koje su stigle do kolektorskog spoja prelaze u kolektor, inei kolektorsku struju upljina IpC. Kroz inverzno polarisani kolektorski spoj protie i struja ICB0, koja se sastoji od tri komponente: inverzne struje upljina kao posledice prelaska ravnotenih manjinskih nosilaca (pno) iz baze, struje zasienja elektrona koja potie od ravnotenih manjinskih nosilaca u kolektoru (npo) i generaciono-rekombinacione struje usled generacije nosilaca u kolektorskoj prelaznoj oblasti, ali, zbog toga to je ICB0 << IpC, o struji ICB0 nadalje se nee voditi rauna. Prema tome, bazna struja IB e biti:
I B = I pB + I nE ,

(9.2)

a kolektorska struja IC je:

I C I pC .

(9.3)

Na osnovu sl. 9.8 moe se, takoe, videti da je:

I E = I B + IC .

(9.4)

Dakle, iz jedn. (9.1) do (9.4) sledi:

155

I B = I E I C = I pE + I nE I pC .

(9.5)

Bazna struja je vrlo priblino jednaka razlici emitorske struje upljina IpE i kolektorske struje upljina IpC, s obzirom da je struja InE znatno manja u poreenju sa strujama IpE i IpC. Kolektorska struja upljina IpC je vrlo malo manja od emitorske struje upljina IpE, jer se samo neznatan broj upljina gubi rekombinacijom sa elektronima u toku difuzionog kretanja kroz bazu; stoga je bazna struja relativno mala. (Napominje se da je bazna struja vrlo mala samo kod tranzistora male snage; naprotiv, kod tranzistora velike snage bazna struja moe iznositi i nekoliko ampera, to je osnovni nedostatak takvih bipolarnih tranzistora snage.) Ako se na red sa izvorom VBE (sl. 9.2a) prikljui izvor naizmenine struje, polarizacija emitorskog spoja menjae se u ritmu pobudnog naizmeninog napona. Oigledno je da e se u istom ritmu menjati i emitorska i kolektorska struja i da e, s obzirom na reeno, i naizmenine komponente emitorske i kolektorske struje biti priblino jednake. Sa druge strane, otpornost direktno polarisanog emitorskog spoja je mala, dok je otpornost inverzno polarisanog kolektorskog spoja vrlo velika. Drugim reima, tranzistor se ponaa u odnosu na spoljanji kolektorski prikljuak kao izvor konstantne struje. To omoguava da se na otporniku vezanom na red u kolektorskom kolu dobije znatno vea snaga i napon od onih kojim se tranzistor pobuuje, to je osnovno svojstvo tranzistora (tranzistorski efekat) kao pojaavake komponente. Napominje se da je do sada bilo rei o tranzistoru sa uzemljenom bazom, koji ne moe da slui kao strujni pojaava, jer je kolektorska struja manja od emitorske; meutim, kao to e kasnije biti pokazano, znatno strujno pojaanje se moe dobiti kod tranzistora sa uzemljenim emitorom.

9.2. KOEFICIJENT STRUJNOG POJAANJA

Odnos izlazne i ulazne struje zove se koeficijent strujnog pojaanja. Tako, kod tranzistora sa uzemljenom bazom, koeficijent strujnog pojaanja je:
= IC za VEB = const. IE

(9.6)

Ovde, zapravo, nije re o strujnom pojaanju, s obzirom da je < 1; ovaj termin koeficijent strujnog pojaanja ima pravo znaenje kod tranzistora sa uzemljenim emitorom, gde predstavlja odnos kolektorske (izlazne) i bazne (ulazne) struje:
= IC za VBE = const. IB

(9.7)

Veza izmeu koeficijenata strujnih pojaanja tranzistora sa uzemljenim emitorom i uzemljenom bazom dobija se iz (9.6) i (9.7):
IC I IC IE . = C = = = IC 1 I B I E IC 1 IE Iz poslednjeg izraza, takoe, sledi:

(9.8)

156

. 1+

(9.9)

Treba napomenuti da su vrednosti koeficijenta strujnog pojaanja kod svih tipova tranzistora 1 (ali uvek < 1), a vrednosti koeficijenta strujnog pojaanja kod tranzistora male snage su 100300, dok su kod tranzistora snage te vrednosti znatno manje ( 2060). Koeficijent strujnog pojaanja se esto obeleava i sa hFE.

9.3. STATIKE STRUJNO-NAPONSKE KARAKTERISTIKE 9.3.1. Statike strujno-naponske karakteristike tranzistora sa uzemljenom bazom
Ulazna strujno-naponska karakteristika tranzistora sa uzemljenom bazom jeste zavisnost ulazne struje IE od ulaznog napona VEB. Ova zavisnost je prikazana na sl. 9.9a. Vidi se da za VCB = 0 i VCB < 0 karakteristika odgovara strujno-naponskoj karakteristici emitorskog p-n spoja. Kada tranzistor radi u zasienju kada je i kolektorski spoj direktno polarisan (VCB > 0), pri istom emitor-baznom naponu emitorska struja je manja nego u sluaju kada je VCB < 0. Takoe, sa sl. 9.10a vidi se da pri naponima VEB < VEB(0) (kada je IE = 0), emitorska struja menja znak, tj. tee u suprotnom smeru od smera koji ima kada tranzistor radi u aktivnom reimu. Izlazne karakteristike tranzistora sa uzemljenom bazom predstavljaju zavisnost izlazne struje IC od izlaznog napona VCB pri konstantnoj ulaznoj struji IE. Uobiajeno je da se sa pozitivnim predznakom uzimaju struje koje utiu u tranzistor, iako kod PNP tranzistora bazna i kolektorska struja istiu iz tranzistora. U skladu sa takvim oznaavanjem, na sl. 9.9b su prikazane izlazne karakteristike PNP tranzistora (zato je kolektorska struja IC sa negativnim predznakom; kod NPN tranzistora su i IC i VCB sa pozitivnim znakom). Vidi se da je za IE = 0 kolektorska struja jednaka struji kolektorskog p-n spoja (pri otvorenom ulazu) i da su te karakteristike, praktino, pomerene za IE kada je IE > 0.

9.3.2. Statike strujno-naponske karakteristike tranzistora sa uzemljenim emitorom

Ulazna karakteristika tranzistora sa uzemljenim emitorom jeste zavisnost ulazne struje IB od ulaznog napona VBE, sl. 9.10. Treba naglasiti da je u aktivnom reimu rada VBE > 0 i kada je IB = 0, s obzirom da i tada kroz emitorski spoj protie inverzna struja kolektorskog spoja, usled ega na emitorskom spoju postoji izvestan napon VBE(0) (sl. 9.10). Ako je, pak, VCE = 0 (VCB = VEB) napon VBE je, pri datoj baznoj struji, manji nego u sluaju VCE << 0, to je posledica direktno polarisanog kolektorskog spoja, te se struja raspodeljuje izmeu emitorskog i kolektorskog spoja. Izlazne karakteristike tranzistora sa uzemljenim emitorom predstavljaju zavisnost izlazne struje IC od izlaznog napona VCE pri konstantnoj ulaznoj struji IB, sl. 9.11. Vidi se da i kada je bazna struja jednaka nuli, izmeu kolektora i emitora protie struja ICE0; ova struja praktino je jednaka ICE0 = (1 + )ICB0, pri emu je, kao to je pomenuto, ICB0 struja inverzno polarisanog ko-

157

lektorskog p-n spoja. Sa sl. 9.11 se, takoe, vidi da su, desno od isprekidane krive (aktivna oblast emitorski spoj direktno a kolektorski spoj inverzno polarisan), izlazne karakteristike paralelne (to je samo teorijski, dok su u praksi one nagnute sa pozitivnim koeficijentom nagiba, sl. 9.12); isprekidana kriva oznaava granicu oblasti zasienja (saturacije) i njome je odreen napon zasienja VCEsat izmeu emitora i kolektora nakon kojeg je kolektorska struja praktino konstantna i jednaka ICsat. Levo od isprekidane krive (za napone 0 < VCE VCEsat i struje 0 < IC < ICsat) je i kolektorski p-n spoj direkno polarisan i ta oblast se ne koristi u pojaavake svrhe.

Sl. 9.9. Statike strujno-naponske karakteristike PNP tranzistora sa uzemljenom bazom: (a) ulazne i (b) izlazne karakteristike.

158

Sl. 9.10. Ulazne karakteristike PNP tranzistora sa uzemljenim emitorom.

Sl. 9.11. Izlazne karakteristike PNP tranzistora sa uzemljenim emitorom.

Napon izmeu kolektora i emitora se ne moe neogranieno poveavati, s obzirom da je, u normalnom reimu rada, kolektorski spoj inverzno polarisan, te e u jednom trenutku u njemu, kao kod inverzno polarisane diode (odeljak 8.3, sl. 8.18), nastati proboj VCB0. Meutim, kod tranzistora sa uzemljenim emitorom, pored probojnog napona VCB0, postoji i proboj izmeu kolektora i emitora VCE0. Ne ulazei u analizu i mehanazme nastanka proboja VCE0, ovde su samo na sl. 9.13 prikazane izlazne karakteristike tranzistora u oblasti proboja. Napominje sa da je napon proboja VCE0 izmeu kolektora i emitora manji od probojnog napona kolektor-baznog spoja VCB0, a moe se priblino odrediti iz izraza:
159

VCE 0 =

VCB 0 , (1 + )1 / m

(9.10)

gde je m koeficijent ija je vrednost, zavisno od koncentracoje primesa u bazi, 2 m 4.

Sl. 9.12. Realne izlazne karakteristike NPN tranzistora sa uzemljenim emitorom.

Sl. 9.13. Izlazne karakteristike NPN tranzistora sa uzemljenim emitorom u oblasti proboja.

160

9.4. PRIMENA TRANZISTORA

Osnovna primena tranzistora je kao pojaavake komponente u pojaavakim kolima i prekidake komponente u prekidakim kolima. Da je tranzistor sa uzemljenim emitorom elektronska komponenta koja ima pojaavake osobine vidi se sa sl. 9.14. Naime, na sl. 9.14 je prikazan NPN tranzistor sa koeficijentom strujnog pojaanja = 200. Izvorima napajanja VCC (u primeru na sl. 9.14 je VCC = 6,5 V) i VBB obezbeuju se potrebni naponi za rad tranzistora u aktivnom reimu: izborom vrednosti otpornosti otpornika RB podeava se napon izmeu baze i emitora (VBE 0,7 V, kojim se osigurava bazna struja IB = 40 A), a vrednou otpornosti otpornika RC definie se tkzv. radna prava. Naime, sa sl. 9.14a je VCE = VCC RC I C , odakle je:

IC =

VCC 1 VCE . RC RC

(9.11)

Sl. 9.14. Uz objanjenje primene tranzistora kao pojaavake elektronske komponente.

161

Poslednji izraz (IC = f(VCE)) u koordinatnom sistemu IC VCE, u kojem su i izlazne karakteristike tranzistora, predstavlja radnu pravu, sl. 9.14b (za primer na sl. 9.14, ako se eli da u radnoj taki M, u kojoj je bazna struja IB = 40 A, kolektorska struja pri naponu VCE = 3,5 V bude IC = 8 mA, iz (9.11) se dobija da otpornost otpornika RC iznosi RC = 375 ). Kada se na bazu dovede i naizmenini signal Vin (sl. 9.14a), jednosmernoj baznoj struji IB se superponira naizmenina komponenta ib(t) = Ibmsin(t) (u primeru na sl. 9.14 je amplituda naizmenine bazne struje Ibm = 35 A). Pri pozitivnoj poluperiodi naizmeninog signala poveava se i kolektorska struja (od take M u levo po radnoj pravoj, sl. 9.14b; za primer na sl. 9.14 pri maksimalnoj vrednosti Ibm = 35 A promena kolektorske struje je do take A, u kojoj je Icm = Ibm = 200 35 A = 7 mA, odnosno u taki A kolektorska struja je ICA = ICM + Icm = 8 + 7 = 15 mA). Isto tako, pri negativnoj promeni naizmenine komponente bazne struje, kolektorska struja se po radnoj pravoj od jednosmerne radne take M smanjuje u desno (za primer na sl. 9.14 promena kolektorske struje je do take B, u kojoj je kolektorska struja je ICB = ICM Icm = 8 7 = 1 mA). Dakle, ako je promena bazne struje IB, promena kolektorske struje je IC = IB (za primer na sl. 9.14 je IB = 70 A, tako da je IC = 20070 A = 14 mA). Drugim reima, malom promenom ulazne struje mogue je ostvariti relativno veliku promenu izlazne struje, koja na otporniku RC stvara pad napona koji se dalje, na isti nain, moe poveavati; treba napomenuti da je naizmenina komponenta napona na otporniku RC, usled vc(t) = RCic(t) = RCib(t) = RCIbmsin(t) u protivfazi sa baznom strujom kad se bazna struja poveava napon na kolektoru se smanjuje i obrnuto (kao to je i naznaeno na sl. 9.14a). Kao to je i pokazano na sl. 9.14, radna taka na radnoj pravoj pomerala se do dake A, odnosno do take B. To je, stoga, da ne bi dolo do deformacije signala. Naime, na sl. 9.15a su ponovo prikazane izlazne karakteristike jednog NPN tranzistora sa naznakom dozvoljenog pomeranja radne take Q po radnoj pravoj; na pomenutoj slici ta oblast se kree od saturacije (za dati primer je VCEsat 0,5 V) do prekidne oblasti, kada je IB = 0 (VCEprekid 9,5 V na sl. 9.15a). U suprotnom, ako je ulazni signal relativno veliki, odnosno takav da radna taka na radnoj pravoj zalazi bilo u oblast saturacije, bilo u prekidnu oblast, dolazi do deformacije izlaznog signala bilo u pogledu izlazne struje Ic, bilo u pogledu izlaznog napona Vce, sl. 9.15b (napominje se de su jednosmerne komponente napona i struje oznaene u indeksu velikim, a naizmenine malim slovom).

Sl. 9.15. Dozvoljeno pomeranje radne take po radnoj pravoj (a) i deformacija izlaznog signala kada radna taka zalazi i u oblast saturacije i u prekidnu oblast (b) (ovde je ak uzeto da je u pitanju idealni tranzistor sa VCEsat = 0 V).

162

Kao to je reeno, pored primene kao pojaavake komponente u pojaavakim kolima, tranzistor se koristi i kao prekidaka komponenta u prekidakim kolima. Naime, ako se tranzistor dovede u stanje zakoenja, a to je kad je bazna struja IB = 0 (tada radna prava preseca u I-V karakteristikama pravu koja se odnosi na IB = 0, sl. 9.15a), tada tranzistor ne vodi (kroz njega ne protie struja, tj. IC = 0) i moe se tretirati kao otvoren prekida, sl. 9.16a. Napon na kolektoru, koji je tada priblino jednak naponu napajanja VCC moe se tretirati kao logika jedinica (1), to se moe da iskoristi u digitalnim logikim kolima. Naprotiv, kada napon izmeu kolektora i emitora opadne na VCEsat (kae se tranzistor je u zasienju), kroz njega protie maksimalna kolektorska struja, tj. IC(sat), i tranzistor se tada ponaa kao zatvoren prekida, sl. 9.16b; u tom sluaju napon izmeu kolektora i emitora je majmanji i to moe da bude logika nula u digitalnim kolima.

Sl. 9.16. Tranzistor kao prekidaka komponenta.

9.5. ELEKTRINI MODEL TRANZISTORA

U cilju uspenog projektovanja nekog elektronskog kola (ukljuujui i integrisana kola), pogodno je raspolagati elektrinim modelom tranzistora koji se koriste u razliitim simulatorima rada elektonskih kola. Osnovni model se zove Ebers-Molov model, koji su Ebers i Mol razvili na bazi poznavanja fizike rada samih bipolarnih tranzistora. Na sl. 9.17 prikazan je uproen ovaj elektrini model i to samo kada je emitorski spoj direktno, a kolektorski inverzno polarisan. Na osnovu dosadanjeg izlaganja moe se, u normalnom reimu rada, kada je emitorski spoj direktno a kolektorski spoj inverzno polarisan, spoj kolektor-baza predstaviti strujnim izvorom koji zavisi od vrednosti napona VBE izmau baze i emitora. S obzirom da je IC = IE + IB IE, a struja IE je struja direktno polarisanog emitorkog spoja, to se na osnovu (8.4) moe napisati:
I C I E I s exp VBE . UT

(9.12)

Stoga se izrazom (9.12) moe predstaviti strujni izvor kolektorskog spoja, to je prikazano na sl. 9.17. Sa druge strane, direktno polarisani emitor-bazni spoj se na uproenom Ebers-Molovom modelu predstavlja diodom (sl. 9.17), sa strujom IB = IC/(+1).

163

Sl. 9.16. Uproeni Ebers-Molov model NPN i PNP tranzistora za rad u aktivnom reimu.

9.6. TESTIRANJE ISPRAVNOSTI TRANZISTORA

S obzirom da se tranzistor, praktino, sastoji od dva p-n spoja, testiranje njegove ispravnosti je slino testiranju ispravnosti dioda (odeljak 8.2.1 i slike 8.16 i 8.17). Stoga je na sl. 9.17 prikazan samo jedan od naina ispitivanja emitorskog i kolektorskog spoja digitalnim multimetrom (sa napomenom da preklopnik treba prebaciti u poloaj koji oznaava merenje dioda).

(a)

(b)

(c)

(d)

Sl. 9.17. Testiranje ispravnosti dioda: (a) direktno polarisan emitor-bazni spoj; (b) inverzno polarisan emitor-bazni spoj; (c) direktno polarisan kolektor-bazni spoj; (d) inverzno polarisan kolektor-bazni spoj.

164

10. MOS TRANZISTORI

Do sada je sve vreme bilo rei o bipolarnim komponentama, tj. o komponentama u kojima u procesu provoenja elektrine struje uestvuju obe vrste nosilaca naelektrisanja (i elektroni i upljine). Za razliku od njih, MOS tranzistori su unipolarne komponente kod kojih u provoenju elektrine struje u normalnom radnom reimu uestvuje samo jedna vrsta nosilaca naelektrisanja. Odmah treba napomenuti da je najvea prednost MOS tranzistora u tome to su to naponski kontrolisane komponente, za razliku od strujno kontrolisanih (strujom baze) bipolarnih tranzistora. Ovo je od veoma bitnog znaaja, posebno u komponentama snage. MOS (Metal-Oxide-Semicoductor) tranzistori spadaju u grupu tranzistora sa efektom polja, takozvane FET (Field-Effect Transistor), tako da se mogu sresti i pod nazivom MOSFET. Zanimljivo je da je princip rada tranzistora sa efektom polja predloen jo 1932. godine, ali je prve zamisli o izradi ovih tranzistora bilo mogue ostvariti tek kada se ovladalo planarnom tehnologijom. Tek 1960. godine je proizveden prvi silicijumski MOS tranzistor korienjem procesa termike oksidacije. Nakon toga MOS tranzistor je postao osnovna komponenta integrisanih kola vrlo visoke gustine pakovanja, kao i procesora i memorija.

Sl. 10.1. Principijelna struktura MOS tranzistora

Na sl. 10.1 je predstavljena principijelna struktura MOS tranzistora. Praktino, u silicijumski supstrat (osnovu) koji, kao to e kasnije biti pokazano, moe biti ili p- ili n-tipa, difunduju se dve oblasti suprotnog tipa provodnosti (u p-supstrat difunduju se n-oblasti, a u n-supstrat p-oblasti). Prva difundovana oblast zove se sors, a druga drejn. Na povrini supstrata naini se
165

vrlo tanak sloj oksida (SiO2, Si3N4), a preko njega (ali obavezno da zahvata oblasti sorsa i drejna) sloj metala koji slui kao upravljaka elektroda. Ova upravljaka elektroda zove se gejt.

10.1. VRSTE MOS TRANZISTORA

Kao to je reeno, u procesu provoenja elektrine struje u normalnom radnom reimu uestvuje samo jedna vrsta nosilaca nelektrisanja. U zavisnosti od toga koja vrsta nosilaca uestvuje u provoenju, MOS tranzistori se dele na n-kanalne i p-kanalne, sl. 10.2.

Sl. 10.2. Osnovne strukture n-kanalnih i p-kanalnih tranzistora.

Ve u samom nazivu o tipu MOS tranzistora pominje se kanalni, to ukazuje na to da u strukturi MOS tranzistora postoji neki kanal. Naime, re je o kanalu koji se formira u supstratu izmeu sorsa i drejna, i koji, praktino, uspostavlja elektrinu vezu izmeu te dve oblasti, odnosno omoguava da protie elektrina struja izmeu sorsa i drejna, sl. 10.3 i sl. 10.4.

Sl. 10.3. n-kanalni MOS tranzistor pre (a) i posle (b) uspostavljanja (indukovanja) kanala.

166

Sl. 10.4. p-kamalni MOS tranzistor pre (a) i posle (b) uspostavljanja (indukovanja) kanala.

Kanal moe biti ugraen (na primer difuzijom ili implantacijom primesa) ili, to je mnogo ei sluaj, indukovan. Kod MOS tranzistora sa indukovanim kanalom, kanal se formira elektrinim poljem koje nastaje usled primene odgovarajueg napona na gejtu. MOS tranzistor je osnovna komponenta integrisanih kola (IC) vrlo visoke gustine pakovanja. U praktinim izvoenjima danas dominiraju CMOS IC. CMOS kao osnovnu jedinicu imaju komplementarni par sastavljen od po jednog n- kanalnog i p-kanalnog MOS tranzistora. Na sl. 10.5 prikazano je oznaavanje MOS tranzistora u elektrinim emama. Napominje se da se srednje oznake na pomenutoj slici koriste kod tranzistora kod kojih supstrat nije na potencijalu sorsa, ve se on prikljuuje na poseban izvor napona.

Sl. 10.5. Oznaavanje MOS tranzistora.

10.1.1. Osnovni principi rada MOS tranzistora

Nadalje e biti rei samo o najee korienim MOS tranzistorima, a to su MOS tranzistori sa indukovanim kanalom i sa uzemljenim sorsom i supstratom (supstrat i sors su kratkospojeni). Takvi tranzistori, sa potrebnim polarizacijama, prikazani su na slikama 10.3 i 10.4.
167

Sl. 10.6. n-kanalni MOS tranzistor sa relevantnim podacima za analizu njegovog rada.

Sl. 10.7. Prikljuivanjem pozitivnog napona na gejt u odnosu na p-supstrat indukuje se n-kanal.

Kao to je ve pomenuto, na povrini, izmeu sorsa i drejna a jednim delom i iznad njih, nalazi se tanak sloj oksida (SiO2, Si3N4), koji slui kao dielektrik, sl. 10.6. Preko oksida nalazi se gejt (upravljaka elektroda), kojeg ini tanak sloj aluminijuma (kod MOS tranzistora sa aluminijumskim gejtom) ili polikristalnog silicijuma (kod tranzistora sa polisilicijumskim gejtom). S obzirom da su i sors i drejn oblasti suprotne provodnosti od provodnosti supstrata, to se u oblasti sorsa i drejna u supstratu (zato to je koncentracija primesa u supstratu znatno nia nego u sorsu i drejnu) formiraju prelazne oblasti p-n spojeva, koje se, zbog toga to su sors i drejn veoma blizu (L je reda m), spajaju (sl. 10.7). U daljem razmatranju naina rada MOS tranzistora ove prelazne oblasti se nee analizirati, a bie pomenute samo kada je to neophodno.
168

MOS tranzistori koriste efekat poprenog polja (normalnog na povrinu), kojim se ostvaruje inverzija tipa provodnosti povrinskog sloja poluprovodnika ispod gejta i na taj nain formira kanal izmeu sorsa i drejna. Naime, ako se, na primer, kod n-kanalnog MOS tranzistora gejt prikljui na pozitivan napon u odnosu na p-supstrat, pri emu su i sors i drejn uzemljeni, sl. 10.7, u supstratu e se neposredno ispod oksida na njegovoj povri, usled Kulonove sile, indukovati negativno naelektrisanje i to tako to e se upljine iz povrinskog sloja udaljiti i ostaviti nekompenzovane negativno naelektrisane akceptorske jone. Poveavanjem pozitivnog napona na gejtu sve vie se udaljavaju upljine, a iz zapreminskog dela supstrata ka povini kreu manjinski elektroni sve dok, pri odreenom naponu na gejtu, ne nastupi inverzija tipa provodnosti supstrata. Drugim reima, pri jednoj vrednosti napona na gejtu, koji se zove napon praga i obeleava sa VT, povrinski sloj p-supstrata ispod oksida gejta, a izmeu sorsa i drejna, ponaa se kao n-tip poluprovodnika. Stoga se ta oblast ponaa kao kanal od sorsa do drejna (sors i drejn su istog tipa provodnosti kao indukovani kanal, sl. 10.7), tj. ako se u tim uslovima dovede pozitivan napon na drejn u odnosu na sors, elektroni iz sorsa kroz kanal mogu driftovski da dou do drejna, odnosno u tom sluaju izmeu sorsa i drejna e proticati struja drejna, sl. 10.3. Ukoliko je napon na gejtu vei, utoliko je jaa inverzija tipa, odnosno utoliko je vei broj elektrona u kanalu. Kada je re o p-kanalnom MOS tranzistoru inverzija tipa n-supstrata ostvaruje se negativnim naponom na gejtu u odnosu na supstrat, a u indukovanom kanalu se skupljaju upljine, sl. 10.4. Kao to je reeno, napon na gejtu VT potreban da se stvori kanal od sorsa do drejna je napon praga. Tano definisanje napona praga je veoma teko. Zbog toga se za napon praga uslovno moe prihvatiti definicija da je to onaj napon izmeu upravljake elektrode (gejta) i supstrata pri kome koncentracija manjinskih nosilaca na povrini postaje jednaka koncentraciji veinskih nosilaca u unutranjosti supstrata.

10.2. IZLAZNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA

Uspostavljanje kanala izmeu sorsa i drejna omoguuje proticanje struje od sorsa do drejna kada se prikljui odgovarajui napon na drejn (slike 10.3, 10.4 i 10.8). Izlazne karakteristike MOS tranzistora predstavljaju zavisnosti struje drejna ID od napona na drejnu VD.

Sl. 10.8. Proticanje struje drejna u n-kanalnom MOS tranzistoru pri malim naponima na drejnu.

169

Pri veoma malim naponina na drejnu kanal se moe predstaviti kao otpornik, tako da je struja drejna u jednom delu ID-VD karakteristike priblino linearno proporcionalna naponu na drejnu; to je tkzv. linearna oblast rada MOS tranzistora (sl. 10.10). Nakon linearne oblasti, a pri naponima |VD| < |VG VT|, struja drejna sporije raste sa poveavanjem napona na drejnu, sl. 10.11. To je, stoga, to se kanal u okolini drejna suava, sl. 10.9a, kao posledica poveavnja irine prelazne oblasti p-n spoja drejn-supstrat (sl. 10.7), koji je inverzno polarisan. Ta oblast, zajedno sa linearnom oblau, sve do napona na drejnu |VD| = |VG VT| zove se triodna oblast, sl. 10.11 (zato to podsea na slinu oblast na strujno-naponskoj karateristici triode).

Sl. 10.9. n-kanalni MOS tranzistor u: (a) linearnoj oblasti rada (mali napon na drejnu); (b) na ivici zasienja i (c) u zasienju.

Sl. 10.10. ID-VD karakteristike n-kanalnog MOS tranzistora u linearnoj oblasti rada.

Kada u taki y = L debljina kanala postane jednaka nuli, dolazi do prekida kanala (sl. 10.9b) i to se deava pri naponu na drejnu |VD| = |VG VT|. Napon drejna pri kome nastaje prekid kanala zove se napon zasienja (saturacije) VDsat. Sa daljim poveanjem napona na drejnu (sl. 10.8), tj. pri |VD| > |VG VT|, duina kanala se smanjuje sa L na L' (sl. 10.9c). Na prvi pogled moe se pomisliti da e struja drejna prestati da tee. Meutim, ona i dalje protie i sa
170

poveanjem napona na drejnu ostaje konstantna, sl. 10.11. To znai da broj nosilaca naelektrisanja koji sa sorsa stiu u taku y = L' ostaje nepromenjen, a s obzirom da su oni zahvaeni poljem osiromaene oblasti drejna, bivaju prebaeni u drejn, tako da struja drejna ostaje, takoe, nepromenjena i konstantna. Zbog toga se oblast rada MOS tranzistora pri naponima VD VDsat zove oblast zasienja (sl. 10.11).

Sl. 10.11. Izlazne (ID-VD) karakteristike n-kanalnog MOS tranzistora.

Sl. 10.12. Struja izmeu sorsa i drejna ne prestaje i kada se kanal prekine, jer se MOS tranzistor ponaa kao bipolarni tranzistor u stanju prodiranja.

Da struja drejna ostaje konstantna nakon prekida kanala moe se protumaiti i uz pomo sl. 10.12. Naime, u pogledu rasporeda p- i n-oblasti n-kanalni MOS odgovara strukturi NPN tranzistora (za p-kanalni MOS ova struktura e biti PNP tranzistor). Sors sa kanalom je emitor, drejn je kolektor, a supstrat MOS tranzistora je baza. Prelazna oblast irine w prostire se od drej171

na do kanala (sl. 10.12). Ovo u potpunosti odgovara sluaju kod bipolarnog tranzistora kada se prelazna oblast kolektorskog spoja prostire od kolektora do emitora, pa kod bipolarnog tranzistora nastaje proboj (dostignut je tkzv. napon prodiranja). Dakle, kod MOS tranzistora proboj nastaje izmeu kanala i drejna i struju drejna ograniava samo otpornost preostalog dela kanala L'. Da bismo izveli zavisnost struje drejna od napona na njemu, kao i od napona na gejtu, posmatrajmo ponovo sliku 10.6, sa naznaenim koordinatnim sistemom na njoj. Na osnovu izraza za gustinu driftovske struje
J = qnv = qn n K y ,

(10.1)

struja drejna kroz kanal (pretpostavlja se da koncentracija nosilaca ne zavisi od z) je:

I D = J S = q n K yW ndx ,
0

(10.2)

gde su: S povrina kanala normalna na smer struje, Ky elektrino polje u smeru y, W irina kanala (sl. 10.6), a n efektivna pokretljivost elektrona u kanalu. Kako koncentracija elektrona opada sa udaljavanjem od povrine po sloenom zakonu, integral u (10.2) relativno je teko izraunati. Stoga se vri aproksimacija kojom se vrednost pomenutog integrala izjednaava sa ukupnom koliinom naelektrisanja po jedinici povrine kanala (povrine gejta), koja zavisi od elektrinog polja u oksidu:
q ndx =
0 x

dQ = D x = ox K x , dS x

(10.3)

pri emu su: Q koliina naelektrisanja na povrini Sx gejta, Dx dielektrini pomeraj, ox dielektrina konstanta oksida i Kx elektrino polje normalno na povrinu gejta. Prema tome, iz (10.2) i (10.3) sledi:
I D = n oxWK x K y .

(10.4)

Elektrino polje u pravcu kanala je:

Ky = dV y dy

(10.5)

Elektrino polje u oksidu, koje utie na provodnost kanala, zavisi od efektivnog napona na gejtu (VGeff = VG VT) i potencijala take y na kanalu. Smatrajui da je oksid homogen i bez prostornog naelektrisanja, debljine tox, bie:
Kx = VGeff V y t ox = VG VT V y t ox

(10.6)

Zamenom vrednosti Ky iz (10.5) i Kx iz (10.6) u (10.4), dobija se:

ID =

n oxW
t ox

(VG VT V y )

dV y dy

(10.7)

172

Iz jednaine (10.7), razdvajanjem promenljivih i integraljenjem du kanala, sledi:

I D dy =
0 L

n oxW
t ox

VD

(V
0

VT V y )dV y .

(10.8)

Granice za promenljivu y su poetak (0) i kraj (L) kanala, a za promenljivu Vy napon kod sorsa, Vy(0) = 0, i napon kod drejna, Vy(L) = VD. Posle integraljenja i sreivanja dobija se:

ID =
gde je

n oxW 2 2 2(VG VT )VD VD = n 2(VG VT )VD VD , 2t ox L

(10.9)

n =

n oxW . 2t ox L

(10.10)

Jednaina (10.9) za struju drejna vai samo za |VG VT| |VD|, odnosno u triodnoj oblasti, sl. 10.11. Za male napone na drejnu drugi lan u srednjim zagradama u (10.9) se moe zanemariti u odnosu na prvi lan, pa je tada struja drejna:
I D 2 n (VG VT )V D = VD , Ron

(10.11)

gde je Ron otpornost kanala pri malim naponima na drejnu:

Ron =

1 . 2 n (VG VT )

(10.12)

Iz (10.11) vidi se da za vrlo mele napone na drejnu struja drejna linearno zavisi od napona drejna, tj. tada se MOS tranzistor nalazi u linearnoj (omskoj) oblasti rada, sl. 10.10. Drugim reima, tada se MOS tranzistor ponaa kao otpornik ija je otpornost kontrolisana naponom izmeu gejta i sorsa. Sa druge strane, kada se u (10.9) uvrsti |VG VT| = |VD|, dobija se izraz za struju drejna

I D = n (VG VT ) ,
2

(10.13)

koji reprezentuje parabolu koja deli triodnu oblast od oblasti zasienja na izlaznim karakteristikama MOS tranzistora, sl. 10.11. Realna struja drejna e, ipak, rasti sa porastom napona na drejnu, posebno kod MOS tranzistora sa kratkim kanalima. Ovaj efekat se najjednostavnije moe opisati izrazom:
V 2 I D = n (VG VT ) 1 + D , VA gde je VA tkzv. Erlijev napon, ije se znaenje vidi na sl. 10.13. (10.14)

173

Sl. 10.12. Realna struja drejna ipak raste sa porastom napona na drejnu.

Sl. 10.13. Uz objanjenje definicije Erlijevog napona.

10.3. PRENOSNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA

Prenosne karakteristike MOS tranzistora predstavljaju zavisnost struje drejna od napona na gejtu, tj. ID = f(VG) pri VD = const. One se mogu dobiti iz jedn. (10.9) za triodnu oblast i iz jedn. (10.12) za oblast zasienja, stavljajui VD = const.
174

Sl. 10.14. Grafika konstrukcija prenosnih karakteristika n-kanalnog MOS tranzistora iz datih izlaznih karakteristika.

Drugi nain dobijanja prenosnih karakteristika je grafiki, sl. 10.14. Izabere se vrednost napona VD = const. na izlaznim karakteristikama MOS tranzistora i povue vertikala, koja preseca karakteristike VG = const. u takama A, B, C, D, E. U koordinatnom sistemu ID-VG koji se nacrta levo od izlaznih karakteristika povuku se vertikalne prave za odgovarajue VG. Horizontalne linije povuene iz taaka A, B, C, D i E su odgovarajue struje drejna za napone VG = 3 V, 4 V, 5 V, 6 V i 7 V na sl. 10.14. Na preseku odgovarajuih horizontalnih i vertikalnih linija dobijamo take A', B', C', D' i E', koje lee na prenosnoj karakteristici. Kada ih spojimo, dobijamo prenosnu karakteristiku MOS tranzistora za izabranu vrednost napona na drejnu. Presek ove karakteristike sa VG-osom daje vrednost napona praga VT (na sl. 10.14 je VT = 3 V).

175

11. OSNOVI FOTOELEKTRONSKIH KOMPONENATA

Prilikom osvetljavanja poluprovodnika u njemu se poveava koncentracija i manjinskih i veinskih nosilaca. To je tkzv. unutranji fotoelektrini efekat. Ovaj efekat se javlja kada usled energije fotona elektroni prelaze iz valentne zone (sl. 11.1a), ili sa primesnih nivoa, u provodnu zonu, kao i iz valentne zone na primesne nivoe. Pri tom, energija fotona mora biti vea ili jednaka aktivacionoj energiji Ea odgovarajueg prelaza, tj.: hf E a , (11.1)

gde je h = 6,6710-34 Js Plankova konstanta, a f frekvencija elektromagnetnog zraenja (svetlosti). Iz jedn. (11.1) se dobija maksimalna talasna duina elektromagnetnog talasa koji moe izazvati fotoefekat, tkzv. crvena granica fotoefekta. Crvena granica unutranjeg fotoefekta u poluprovodnicima esto se nalazi u oblasti infracrvenog zraenja (max reda nekoliko m), tako da se neke poluprovodnike komponente mogu koristiti u prijemnicima infracrvenog zraenja. Osvetljavanje poluprovodnika i poluprovodnikih komponenata ima sledee posledice: 1. Poveava se provodnost poluprovodnika; ovaj fenomen je iskorien kod fotootpornika (deo 3.5.4). 2. Ukoliko je fotoefekat u blizini p-n spoja, nastaje poveanje inverzne struje p-n spoja. 3. Usled difuzionog kretanja nosilaca, na p-n spoju e se promeniti visina barijere, te osvetljen p-n spoj moe sluiti kao izvor elektrine energije. Obrnuto, prilikom proticanja struje kroz p-n spoj, usled rekombinacije nosilaca moe biti emitovana svetlost (sl. 11.1b), te takav elemenat moe sluiti kao izvor svetlosti.

Sl. 11.1. Apsorpcija (a) i emisija (b) svetlosti.

176

11.1. FOTODIODA
Na sl. 11.2 prikazan je presek fotodiode. To je planarna dioda kod koje je anodni kontakt izveden samo na delu difundovane povrine, tako da je samo mali deo povrine p-tipa zaklonjen kontaktom. Svetlost koja pada na povrinu prodire u silicijum. Struja inverzno polarisane diode pri osvetljavanju poraste usled poveanja koncentracije manjinskih nosilaca u p-oblasti, koja je vrlo tanka, i u n-oblasti u dubini ispod prelazne oblasti. Osim toga, inverzna struja poraste i usled generacije nosilaca u prelaznoj oblasti. Stvoreni elektroni odlaze iz prelazne oblasti u n-oblast, a upljine u p-oblast.

Sl. 11.2. Fotodioda i njen grafiki simbol.

Sl. 11.3. Statike karakteristike fotodiode.

Ako je koncentracija generisanih nosilaca proporcionalna svetlosnom fluksu koji je pao na aktivnu povrinu diode, tj. ako je n i p , onda e i poveanje inverzne struje biti proporcionalno svetlosnom fluksu:
177

I = K ,

(11.2)

gde se koeficijent K zove osetljivost fotodiode. Na sl. 11.3 prikazane su strujno-naponske karakteristike fotodiode. One podseaju na tranzistorske karakteristike bipolarnog tranzistora sa uzemljenom bazom, samo je ovde parametar svetlosni fluks.

11.2. FOTOGENERATOR (SOLARNA ELIJA)

Fotogenerator stvara elektromotornu silu pod uticajem svetlosti. To je, u stvari, fotodioda koja nije prikljuena na spoljanji izvor napajanja. Naime, pod dejstvom ugraenog polja u prelaznoj oblasti p-n spoja, svetlou generisani elektroni iz prelazne i p-oblasti prei e u n-oblast, a upljine iz prelazne i n-oblasti u p-oblast, sl. 11.4. Usled prelaska ovih nosilaca naruie se ravnotea, anoda e se naelektrisati pozitivno, a katoda negativno. Ako spojimo krajeve (anodu i katodu), potei e struja, to znai da se ovakva dioda ponaa kao generator elektrine energije. Drugim reima, ovakva dioda, koja se esto zove solarna elija, pretvara sunevu energiju u elektrinu. Paralelnim i rednim vezivanjem veeg broja solarnih elija (sl. 11.4) dobijaju se solarni paneli dovoljno velike elektrine energije da mogu da napajaju manje potroae.

Sl. 11.4. Uz opis foto elije i solarnih panela.

Struja nastala usled foftoefekta, a koja protie kroz neki potroa, kao to je reeno kod fotodiode, proporcionalna je svetlosnom fluksu:
178

I = KF .

(11.3)

Ako dioda nije kratkospojena, kontaktna razlika potencijala se mora smanjiti za V0 da bi potekla i difuziona struja, odnosno da bi ukupna struja bila jednaka nuli. Na sl. 11.5 prikazana je statika karakteristika fotogeneratora. Karakteristika za neosvetljeni fotogenerator ( = 0) je praktino karakteristika diode. Osvetljavanjem je porasla inverzna struja, te se karakteristika prosto sputa na nie. Struja je usled svetlosnog fluksa (jedn. (11.3)) jednaka struji kratkog spoja fotogeneratora.

Sl. 11.5. Diodna karakteristika fotogeneratora pomera se na nie za veliinu struje kroz p-n spoj nastale usled svetlosnog fluksa.

Sl. 11.6. a. Ekvivalentna ema, b. grafiki simbol fotogeneratora.

Na sl. 11.6a prikazana je ekvivalentna ema fotogeneratora. Idealnoj diodi, kroz koju protie difuziona struja usled promene barijere, na red je vezana otpornost Rs, a paralelno otpornost Rp i strujni generator fotoelektrine struje I. Za razliku od redne otpornosti, paralelna otpornost Rp se uglavnom moe zanemariti. Ekvivalentna ema fotogeneratora kod koga su zanemarene i redna i paralelna otpornost prikazana je na sl. 11.7a, a radni deo njegove statike karakteristike na sl. 11.7b. Sa sl. 11.7 vidi se da se fotostruja I deli na jednu kroz otpornost potroaa Rp to je spoljanja struja I i drugu I1 to je difuziona struja kroz diodu. Reim rada fotogeneratora se bira tako da korisna snaga bude najvea. Kako je korisna snaga
179

Sl. 11.7. a Uproena ekvivalentna ema fotogeneratora; b strujno-naponska karakteristika fotogeneratora u aktivnom podruju.

PK = UI ,

(11.4)

to se Rp tako bira da osenena povrina na sl. 11.7b bude maksimalna. Danas se intenzivno radi na poboljanju karakteristika fotogeneratora, odnosno solarnih elija, prvenstveno u cilju poveanja stepena korisnog dejstva. Postignuti su izuzetno dobri rezultati, pa se u mnogim delovima sveta, gde ima dosta sunanih dana, velikim solarnim panelima koji sadre veoma veliki broj solarnih elija, a koji se i kompjuterski upravljaju tako da na njih uvek pada najvie svetlosti, dobijaju izvori relativno velike elektrine energije, sl. 11.8.

Sl. 11.8. Razliiti primeri primene solarnih elija.

180

11.3. FOTOTRANZISTOR
Dalje poveanje osetljivosti fotoelemenata postie se fototranzistorima. Na sl. 11.9a prikazan je presek fototranzistora. Kao to se vidi, fotodiodi je dodat jo mali emitor, te je dobijen tranzistor, koji ima veliku povrinu kolektorskog spoja. Svetlost deluje uglavnom na kolektorski spoj. Ovaj tranzistor je zatvoren u providno kuite kako bi svetlost prodire do tranzistorske strukture. S obzirom da je najveim delom osvetljen kolektorski p-n spoj, to je kao da je kolektor-baznom spoju paralelno vezana fotodioda, sl. 11.9c, a kako je bazna struja praktino jednaka fotostruji I, to znai da je kolektorska struja IC = I. Drugim reima, fototranzistor je puta osetljiviji od fotodiode koja ima istu efektivnu povrinu.

Sl. 11.9. Fototranzistor: a presek; b grafiki simbol; c fototranzistor je ekvivalentan fotodiodi i obinom bipolarnom tranzistoru.

11.4. SVETLEE DIODE (LED)

Dosad smo analizirali poluprovodnike komponente koje svetlosni signal ili svetlosnu energiju pretvaraju u elektrini signal, odnosno u elektrinu energiju. Svetlea dioda, sl. 11.10, koja se znatno ee zove LED (od Light-Emitting Diode) ili fotoluminiscentna dioda, vri obrnuti proces: elektrinu energiju, odnosno elektrini signal pretvara u svetlosnu energiju. Na sl. 11.1b prikazan je osnovni princip na kome se zasniva rad svetleih dioda. Naime, elektron u valentnoj zoni ima manju energiju od elektrona u provodnoj zoni za veliinu irine zabranjene zone Eg. Ako je mogua rekombinacija direktnim prelaskom elektrona iz provodne u valentnu zonu, a kod svetleih dioda se biraju upravo takvi poluprovodniki materijali koji to omoguavaju, oslobaa se tom prilikom elektrina energija ija je vrednost jednaka Eg. Ova energija se pretvara u foton svetlosti energije hf = Eg.
181

Sl. 11.10. Svetlee diode (LED); anoda je uvek sa duim izvodom.

Da bi poluprovodnik emitovao svetlost, neophodno je da postoji veliki broj pobuenih elektrona. Pobuivanje elektrona sa nieg na vii energetski nivo najbolje se postie injekcijom, dakle pomou p-n spoja pri direktnoj polarizaciji, sl. 11.11a. U tom sluaju slobodni elektroni iz provodne zone n-tipa prelaze u provodnu zonu p-tipa. Poto u p-tipu ima mnogo upljina, porae intenzitet rekombinacije, te e nastati svetlosno zraenje tkzv. spontana emisija. Ukoliko je struja vea, a to je direktna struja diode IF, bie vea i jaina svetlosti, sl. 11.11b.

Sl. 11.11. a Nain povezivanja luminiscentne diode; b zavisnost jaine svetlosti od struje direktno polarisane diode.

Od irine zabranjene zone zavisie energija fotona, odnosno talasna duina svetlosti. Prema tome, izborom poluprovodnika moemo dobiti eljenu talasnu duinu svetlosti, sl. 11.12. Odmah treba istai da se LED ne realizuju u silicijumskoj tehnologiji, tako da je njihov napon pri
182

direktnoj polarizaciji znatno vei od 0.7 V. Drugim reima, LED se izrauju od poluprovodnikih materijala ije su vrednosti energetskih procepa vee nego u sluaju silicijuma. Na primer, trokomponentno jedinjenje galijum-arsenid-fosfid (GaAsP) zrai vidljivu crvenu svetlost, dok se LED od galijum-arsenida (GaAs) koristi za infracrveno (nevidljivo) podruje spektra, sl. 11.13.

Sl. 11.12. Spektralne karakteristike LED u vidljivom delu spektra.

Sl. 11.13. Spektralna karakteristika LED za infracrveno podruje.

11.5. KOMPONENTE SA SVETLOSNOM SPREGOM

Sve poluprovodnike komponente koje imaju ulaz i izlaz, iako se tretiraju kao da imaju etiri izvoda, u sutini imaju samo tri kraja, s obzirom da je jedan kraj zajedniki i za ulazno i za izlazno kolo. Prema tome, nije mogue ulaz izolovati od izlaza. I ne samo to, ve postoji i povratno dejstvo izlaznog kola na ulazno. Kod komponenata sa svetlosnom spregom, koji se popularno zovu optokapleri, ulaz je izolovan od izlaza i, osim toga, izlaz nema nikakvog povratnog dejstva na ulaz. Izmeu izlaznog i ulaznog kola potencijalna razlika moe biti i nekoliko kilovolta. Komponenta sa svetlosnom spregom sastoji se od dve nezavisne optokomponente koje su u nekom kuitu, obino plastinom, zatopljene. Prva komponenta je svetlea dioda (LED), a
183

druga je neka od fotokomponenata: fotootpornik, fotodioda ili, najee, kao to je prikazano na sl. 11.14, fototranzistor. Izmeu njih je providan izolator. LED je prema tranzistoru okrenuta tako da zrai najvei intenzitet svetla, a fototranzistor je okrenut prema diodi svojom fotoosetljivom stranom.

Sl. 11.14. Komponenta sa svetlosnom spregom (optokapler).

Svetlost se od svetlee diode do fototranzistora moe prenositi i posredstvom svetlosnog provodnika. To je nit nainjena od transparentnog materijala, sa izuzetno dobro obraenom povrinom. Svetlost se usled totalne refleksije od zida prenosi kroz nit sa vrlo malim slabljenjem.

11.6. POLUPROVODNIKE LASERSKE DIODE

Poluprovodniki laseri predstavljaju praktino jednu od najbitnijih optoelektronskih naprava, koje se koriste u optikim fiber komunikacijama, kao i u optikom skladitenju podataka u nizu aplikacija u mnogim oblastima.

Sl. 11.15. Laserskie diode u razliitim kuitima. 184

Veina laserskih dioda male snage inkapsulirana su u kuita tranzistorskog tipa (sl. 11.15 a, b i c), a manji deo ima kuita drugih oblika, sa razliitim talasnim duinama svetla koje emituju (npr. oko 670 nm za crveno podruje spektra). Laserske diode koje se koriste u optikim komunikacijskim sistemima ugrauju se u kuita koja na prozoru imaju ugraen (nalepljen) svetlovod (sl. 11.15 d i e). Na sl. 11.16 ilustrativno je prikazano poreenje veliine laserskih dioda sa drugim predmetima.

Sl. 11.16. Uz prikaz dimenzija laserskih dioda.

Slika 11.17 prikazuje delove diodnog lasera. Okruglo kuite zatvoreno je hermetiki. Sa prednje strane (gore) ima tanki stakleni prozor kroz koji prolazi laserska svetlost, a sa zadnje strane tri elektrina kontakta (noice). U kuitu se nalazi ne samo laserski ip mikronskih dimenzija, priblino 0,5 5 300 m (desni gornji uago na slici, strelice oznaavaju snopove svetlosti), nego i jedna integrisana fotodioda, takoe mikronskih dimenzija. Ona slui za praenje intenziteta svetla lasera koje dolazi iz zadnjeg ogledala laserske diode. Ova fotodioda, u principu, omoguuje kontrolu snage i talasne duine zraenja lasera optoelektronskom povratnom vezom, preko odgovarajueg sklopa koji je deo elektronike za napajanje diode.

Sl. 11.17. Uz prikaz inkapsulirane laserske diode.

185

Bitna karakteristika lasera, koja ga izdvaja od ostalih izvora svetlosti, jeste emisija strogo definisanih (uzanih) snopova monohromatske svetlosti. Sam princip rada laserske diode je slian radu svetlee diode, sl. 11.18, ali za razliku od LED kod koje svetlost nastaje usled spontane emisije, kod laserskih dioda svetlost je rezultat procesa stimulisane emisije. Drugim reima, kod lasera se sreemo sa terminom stimulisana emisija, jer i sam naziv laser potie od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, to znai: pojaanje svetlosti stimulisanom emisijom zraenja. Stimulisana emisija nastaje kada kod direktno polarisane diode pored emisije fotona (spontana emisija) dolazi do stvaranja fotonske lavine, tj. kada svaki ovako stvoreni foton uzrokuje stvaranje drugih fotona koji imaju iste optike osobine (istu frekvenciju, smer, stanje polarizacije).

Sl. 11.18. Uz slinost i razliku izmeu svetlee diode i laserske diode.

Kod laserske diode se p-n spoj nalazi u optikoj upljini (rezonatoru) koju ine kristalne ravni po kojima je kristal seen, tako da fotoni nastali stimulisanom emisijom doivljavaju viestruke refleksije unutar ovog rezonatora. Ako pojaanje emisije svetlosti (kao posledica stimulisane emisije) uspe da kompenzuje gubitak fotona usled apsorpcije i difuzije iz p-n spoja, moe se pojaviti laserski efekt, odnosno laserska emisija, sl. 11.19.

Sl. 11.19. Ilustracija laserske emisije.

Laserski efekat se javlja u ravni p-n spoja ako kroz njega protie struja elektrona dovoljno velike gustine. Poluprovodniki diodni laser nema spoljanjih ogledala. Viestruka refleksija
186

unutar rezonatora lasera odvija se na izlaznim ravnima kristala poluprovodnika (sl. 11.20) ija je prirodna refleksivnost samo oko 30%. Meutim, veliko pojaanje kojim se odlikuje laserska dioda ipak, i sa ogledalima tako niske refleksije, omoguava lasersku emisiju. Treba napomenuti da je laserski efekat u smeru normalnom na osu laserskog zraenja uguen time to se dve bone ravni naprave da budu hrapave, ime se onemogui refleksija svetla u tom smeru koja bi, inae, dovela do dodatnih gubitka i smanjenja efikasnosti laserske diode.

Sl. 11.20. Ilustracija viestruke refleksije laserskog zraka unutar rezonatora.

Treba napomenuti da se laserske diode proizvode od poluprovodnika sa tkzv. direktnim prelazom nosilaca iz provodne u valentnu zonu, u koje ne spada silicijum. To su jedinjenja iz III i V ili iz II i VI grupe periodnog sistema. I ne samo to, ve se p-n spoj formira kao heterospoj, a to znai da je takav spoj sainjen od razliitih poluprovodnikih jedinjenja. Na sl. 11.21a je prikazana realna struktura jednog InGaAsP poluprovodnikog lasera. Slika je dobijena skenirajuim elektronskim mikroskopom, i na njoj se lepo vidi struktura laserskog ipa. U cilju boljeg objanjenja realne strukture na slici 11.21b data je skica te iste strukture. Uoava se da je aktivni sloj mikronskih dimenzija, oko 0.3 3 m (duina ipa je 200 300 m).

a.
Sl. 11.21. Realna struktura InGaAsP poluprovodnikog lasera (a) i skica iste strukture (b).

b.

187

12. OSNOVI INTEGRISANIH KOLA

Integrisano kolo je sloeno elektrino kolo sastavljeno iz mnotva elemenata objedinjenih na jedinstvenoj podlozi i spremno za ugradnju u sloenije sisteme, ali kao jedinstvena komponenta. Ono u sebi sadri itave elektrine eme sa razliitim komponentama, kao to su tranzistori, otpornici, kondenzatori. Sastoji se (sl. 12.1) od kuita koje je od plastike ili keramike, izvoda pomou kojih se montira na tampanu plou i ipa (u kojem su integrisani svi elementi) u sreditu integrisanog kola, koji je sa izvodima povezan najee veoma tankim icama.

Sl. 12.1. Integrisano kolo sa osnovnim sastavnim delovima.

Broj izvoda zavisi od tipa integrisanog kola, tj. od njegove funkcije i moe se rei da je taj broj standardizovan za razliite funkcije. Upravo funkcija koju obavlja uslovljava osnovnu podelu integrisanih kola na: analogna (na primer, operacioni pojaava, sl. 12.2), digitalna (na primer, procesor, sl. 12.3) i meovita na primer, A/D i D/A konvertori ona koja obrauju i analogni i digitalni signal na istom ipu (ip poluprovodnika ploica s monolitnim sklopom).

12.1. VRSTE INTEGRACIJE

Posle otkria tranzistora, verovatno najzasluniji izum koji je doveo do elektronske revolucije kakvu poznajemo u sadanjem obliku, posebno kada je re o raunarskoj tehnologiji, jesu integrisana kola, koja su uslovila tehnoloki napredak nezabeleen u istoriji civilizacije. Naime, integrisana kola su postajala i postaju i sada sve bra i monija zahvaljujui stalnom poveavanju

188

broja komponenata u njima, a novi modeli raznovrsne raunarske opreme pojavljuju se takvom brzinom da ih s potekoama prate i najbolje upueni poznavaoci. Da se, na primer, automobilska industrija razvijala istim tempom, automobil bi danas prelazio milion kilometara s potronjom od jednog litra goriva, razvijao bi brzinu veu od milion km/h, kotao bi svega nekoliko evra, imao bi teinu manju od 100 g, a vreme eksploatacije bi mu bilo preko 10000 godina.

Sl. 12.2. Nekoliko SMD operacionih pojaavaa i oznaka u emama.

Sloenost, odnosno kompleksnost integrisanih kola meri se stepenom integracije, koji predstavlja broj osnovnih elemenata (sada se tu misli na broj tranzistora) integrisanih u jednom kolu. Usavravanjem tehnologije stepen integracije iz godine u godinu raste. O ovakvom tempu razvoja govori poznati Murov zakon (sl. 12.4), nazvan po osnivau Intela Gordonu Muru, koji kae da se broj elektronskih komponenata u procesoru udvostruuje svakih 18 meseci. Meutim, fantastian napredak koji je doiveo silicijumski ip, ucrtan Murovim zakonom, ima svoje granice posle kojih nee postojati fizika mogunost da u jedan silicijumski ip stane jo elektronskih komponenata. Ogranienje je uslovljeno smanjivanjem najmanje komponente integrisanog kola na veliinu atoma, kada e dalji razvoj mikroprocesora biti zaustavljen. Poluprovodnika tehnologija potovala je Murov zakon gotovo 40 godina, a prema miljenju mnogih strunjaka to bi trebalo da potraje do 2020. godine, dok mikroprocesori ne dou do atomske granice, to e znaiti kraj ere silicijuma. Po stepenu integracije integrisana kola se mogu podeliti u sledee grupe: SSI (od Small Scale Integration) kola malog stepena integracije (sl. 12.5), koja u sebi sadre do 100 osnovnih elemenata; MSI (od Medium Scale Integration) kola srednjeg stepena integracije (sl. 12.5), sa 100 do 1000 osnovnih elememata; LSI (od Large Scale Integration) kola visokog stepena integracije (sl. 12.6), koja imaju 1000 do 10000 elemenata;
189

Sl. 12.3. Procesor (iz generacije 486) u okviru personalnog raunara.

Sl. 12.4. Prikaz poveanja broja tranzistora u Intelovim procesorima tokom godina.

VLSI (od Very Large Scale Integration) kola vrlo visokog stepena integracije (sl. 12.6), koja u sebi sadre 10000 do 100000 tranzistora; ULSI (od Ultra Large Scale Integration) kola izuzetno visokog stepena integracije (sl. 12.7), sa preko milion tranzistora po integrisanom kolu ili ipu;
190

 U2LSI3 (od Ultra-Ultra Large Scale Integration) kola izuzetno-izuzetno visokog stepena integracije (sl. 12.8), sa preko milijardu tranzistora po integrisanom kolu ili ipu (sa preko milion tranzistora po mm2).

Sl. 12.5. Neka od SSI i MSI integrisanih kola.

Sl. 12.6. LSI i VLSI integrisanih kola.

Dakle, broj tranzistora u procesorima koji se sada ugrauju u raunare vei je od milijarde. Stoga je disipacija na njima izuzetno velika. Kao primer kako se poveava snaga disipacije Intelovih procesora sa smanjivanjem duine kanala MOS tranzistora, na sl. 12.9 je prikazan dijagram koji u budunosti predvia snage za koje je komentar izlian. (Napominje se da su ve sada napajanja naponima od 0.8 V, tako da za snagu od npr. 80 W, struja iznosi 100 A!). Iz tog razloga je ULSI i U2LSI kola potrebno dodatno hladiti. Hlaenje moe biti pasivno dodavanjem
3

Ovaj termin nije zvanian, ve je autor ovog teksta dao sebi za pravo da ga uvede.

191

masivnih hladnjaka koji odaju toplotu, ili aktivno ugradnjom ventilatora (to je danas redovan sluaj kod procesora).

Sl. 12.7. Intelovi procesori 486 iz generacije ULSI kola.

Intel: 45 nm-ski procesor

Intel: 32 nm-ski procesor AMD: 45 nm-ski procesor

Sl. 12.8. Nove generacije etvojezgarnih procesora.

Sl. 12.9. Murov prikaz poveanja snage sa smanjivanjem duine kanala tranzistora u Intelovim procesorima tokom godina. 192

12.2. VRSTE INTEGRISANIH KOLA

Integrisana kola se mogu podeliti na vie naina: prema vrsti podloge (sl. 12.10), prema tehnologiji izrade (sl. 12.11) i prema nainu rada.

Sl. 12.10. Podela integrisanih kola prema vrsti podloge (osnove).

Sl. 12.11. Podela integrisanih kola prema tehnologiji izrade.

12.2.1. Monolitna integrisana kola

Daleko najvei broj svih dananjih integrisanih kola jesu monolitna integrisana kola sve njegove osnovne komponente su od istog materijala. Ova kola se jo zovu i planarna integrisana kola, i to iz tri razloga: prvo, njihova izrada je bazirana na planarnom tehnolokom postupku; drugo, struktura osnove na kojoj su realizovai elementi kola je planarna, tj. ravna, i tree, dimenzije elemenata kola, normalne na povrinu osnove, su za vie od reda veliine manje od debljine osnove, pa se stie utisak kao da su svi elementi u jednoj ravni. Ne ulazei u detalje, ovde se istiu dve bitne prednosti planarnog procesa u poreenju sa svim ostalim postojeim procesima, koja se nee posebno opisivati: p-n spojevi, kao osnovni delovi svih bipolarnih i unipolarnih monolitnih integrisanih kola, zatieni su na povrini poluprovodnika oksidnim slojem od spoljanjih uticaja, to omoguuje da se postignu vrlo male vrednosti struja inverzno polarisanih p-n spojeva i visoka pouzdanost elemenata kola;

193

 tehnika fotolitografije omoguuje postizanje izuzetno malih dimenzija elemenata kola i istovremenu proizvodnju velikog broja istovetnih integrisanih kola na jednoj poluprovodnikoj ploici, sl. 12.12 i sl. 12.13. Dimenzije ipa monolitnih integrisanih kola, zavisno od sloenosti i funkcije koju integrisano kolo treba da obavlja, mogu biti od nekoliko mm2 (kao na sl. 12.14a) do preko 350 mm2 (kao kod procesora na sl. 12.8). Na sl. 12.14b je prikazano jedno minijaturno SMD integrisano kolo na vrhu prsta, upravo da bi se mogla da oceni njegova veliina. Sa sl. 12.11 vidi se da monolitna integrisana kola mogu biti bipolarna, unipolarna i bipolarno-unipolarna (BiNOS i BiCMOS). U bipolarnim integrisanim kolima osnovni element je NPN tranzistor. Izrada svih ostalih elemenata (dioda, PNP tranzistora, otpornika i kondenzatora) je prilagoena tehnologiji NPN tranzistora. Bipolarna integrisana kola se odlikuju velikom opteretljivou, ali i relativno velikom sloenou.

Sl. 12.12. Planarna tehnologija omoguuje istovremenu proizvodnju velikog broja istovetnih integrisanih kola na jednoj poluprovodnikoj ploici (svaki kvadrat predstavlja jedno integrisano kolo).

Sl. 12.13. Uveana slika dva istovetna ipa dobijena planarnom tehnologijom.
194

a.

b.

Sl. 12.14. Poreenje ipa sa veliinom nokta (a) i minijaturnog SMD operacionog pojaavaa sa vrhom prsta (b). Osnovni element unipolarnih integrisanih kola je MOS tranzistor, odnosno komplementaran par n-kanalnog i p-kanalanog MOS tranzistora CMOS (s obzirom da su digitalna CMOS integrisana kola od veoma velike vanosti u savremenoj elektronici, nadalje e vie rei biti o CMOS invertoru, sl. 12.15). Od bipolarnih i unipolarnih elemenata mogue je realizovati i kombinovana integrisana kola (BiMOS i BiCMOS, sl. 12.11). U sutini, kod njih je osnova bipolarna ili MOS tehnologija, pri emu se drugi osnovni element (npr. MOS tranzistor u bipolarnoj tehnologiji) radi komplementarnim postupkom.

CMOS invertor
Osnovna elija digitalnih CMOS integrisanih kola jeste CMOS invertor, u kojem se koristi par MOS tranzistora sastavljen od jednog n-kanalnog i jednog komplementarnog p-kanalnog tranzistora, sl. 12.15. Korienje komplementarnog para MOS tranzistora omoguava projektovanje digitalnih kola sa minimalnom potronjom energije. Karakteristika CMOS kola da imaju nisku potronju energije enormno je proirila primenu digitalnih kola, koja se kree od dejih igraaka do mobilnih telefona i kompjutera koje sada poznajemo. Prekidaka brzina, odnosno maksimalna radna frekvencija, bila je u poetku nedostatak CMOS kola, ali je savremenim tehnolokim postupcima postugnuto izuzetno smanjivanje dimenzija MOS tranzistora, to je dovelo do veoma velikog porasta brzine. Smanjivanje dimenzija je, takoe, omoguilo porast nivoa integracije, dovodei do realizacije digitalnih integrisanih kola velikih operativnih mogunosti. Stoga je CMOS tehnologija danas postala dominantna elektronska tehnologija. CMOS invertor redovno se formira u supstratu n-tipa koji je istovremeno podloga integrisanog kola kao celine i podloga p-kanalnog tranzistora. Da bi se formirao n-kanalni tranzistor, potrebno je u zajednikom n-supstratu oformiti lokalnu p-podlogu. Ona se dobija difuzijom bora. U tako dobijeno p-podruje difunduju se n+-podruja sorsa S1 i drejna D1 n-kanalnog tranzistora, sl. 12.15b. p-kanalni tranzistor dobija se difuzijom bora direktno u n-podlogu, ime se formiraju p+-podruja sorsa S2 i drejna D2. U CMOS invertoru upravljake elektrode G1 i G2 n-kanalnog i p-kanalnog tranzistora meusobno su spojene i slue kao ulazna elektroda invertora. Drejn D1 n-kanalnog i drejn D2 p195

kanalnog tranzistora su takoe meusobno spojeni i oni su izlazna elektroda invertora, sl. 12.15. Sors S1 n-kanalnog tranzistora je uzemljen, a sors S2 p-kanalnog tranzistora je spojen na napajanje VDD. Uz pretpostavku da su p-kanalni i n-kanalni tranzistori komplementarni po karakteristikama i da su im naponi praga suprotni po predznaku i jednaki po apsolutnom iznosu, princip rada CMOS invertora moe se objasniti pomou slika 12.15 i 12.16. Naime, kad se na ulaz G CMOS invertora dovede napon logike nule, to odgovara naponu VGS1 = 0, tada n-kanalni MOS ne vodi. Istovremeno je napon izmeu kontrolne elektrode G2 i sorsa S2 p-kanalnog MOS tranzistora negativan i priblino jednak VDD. Zato to je napon praga tog tranzistora negativan, p-kanalni MOS tranzistor vodi. Meutim, kako je n-kanalni tranzistor zatvoren, p-kanalni MOS radi s vrlo malom strujom drejna Is n-kanalnog MOS tranzistora, te se nalazi na samom poetku triodnog podruja. Zato je napon VDS1 = Viz VDD, pa logikoj nuli na ulazu odgovara logika jedinica na izlazu. Taj sluaj ilustrovan je na sl. 12.16a. Radna taka T1 odgovara izlaznom naponu VDD i struji drejna ID = IS. Pri tome se menjanjem napona napajanja VDD moe menjati po elji napon logike jedinice.

a.

b.
Sl. 12.15. Presek (a) i ematski prikaz (b) MOS invertora.

196

Sl. 12.16. Uz opis rada CMOS invertora: a - stanje logike jedinice na izlazu; b - stanje logike nule na izlazu.

Ukoliko se na ulaz CMOS invertora dovede napon logike jedinice, tj. napon +VDD, tada n-kanalni MOS tranzistor vodi. Istovremeno je napon kontrolne elektrode G2 prema sorsu S2 jednak nuli, pa p-kanalni tranzistor ne vodi. Zato n-kanalni MOS tranzistor vodi vrlo malu struju drejna p-kanalonog MOS tranzistora, te se nalazi na samom poetku triodnog podruja karakteristika. Taj sluaj je predstavljen na sl. 12.16b, gde je oznaena taka T2 koja odgovara stanju logike nule na izlazu. Dakle, i pri voenju n-kanalnog i pri voenju p-kanalnog MOS tranzistora troi se veoma malo energije, s obzirom da u oba sluaja protie izuzetno mala struja drejna jednog od tranzistora.

12.2.2. Tankoslojna i debeloslojna integrisana kola

Paralelno sa monolitnim integrisanim kolima razvijala su se, ali u znatno manjoj meri, i integrisana kola u tehnologiji debelog i u tehnologiji tankog filma. U oba sluaja kao podloga kola slui tanka ploica od izolatorskog materijala, npr. od specijalnih vrsta keramike. U tehnologiji debelog filma se na podlogu metodom sito-tampe nanose provodni, otporni, dielektrini i izolatorski slojevi, pomou kojih se formiraju pasivne komponente debeloslojnog integrisanog kola (npr. otpornici, kondenzatori, provodne veze), sl. 12.17.

Sl. 12.17. Debeloslojna integrisana kola. 197

U tehnologiji tankog filma se za nanoenje odgovarajuih slojeva koristi tehnika vakuumskog naparavanja ili tehnika katodnog (jonskog) raspravanja. Ovom tehnologijom, kao i debeloslojnom, mogu se dobiti dovoljno kvalitetne pasivne komponente, sl. 12.18. Mada je ovom tehnikom mogue dobiti i pojedine aktivne komponente, one se u praksi, ipak, dodaju kao diskretne. Na sl. 12.19 prikazano je nekoliko razliitih tankoslojnih inetgrisanih kola.

Sl. 12.18. Otponiki modul u tehnici debelog ili tankog filma (sloja).

Sl. 12.19. Tankoslojna integrisana kola.

12.2.3. Hibridna integrisana kola

Hibridna integrisana kola su kombinacija monolitnih kola i elemenata s kolima uraenim tehnikama debelog ili tankog filma. Pri tome, pasivne komponente se realizuju debeloslojnom ili tankoslojnom tehnologijom. Aktivna kola, realizovana planarnim procesom, dodaju se naknadno u formi ipa koji se na pasivnoj podlozi povezuje sa debeloslojnim ili tankoslojnim komponentama. Stoga postoje deboslojna i tankoslojna hibridna integrisana kola, sl. 12.20 i sl. 12.21. U optem sluaju, u jednom hibridnom kolu mogu da budu i tankoslojne i debeloslojne i monolitne i diskretne aktivne i pasivne komponente. Tehnologija kojom se komponente povezuju odreuje naziv kola. Tako, na primer, debeloslojna hibridna integrisana kola, osim debeloslojnih pasivnih elemenata, mogu da sadre u ip formi aktivne komponente (tranzistore, diode, monolitna integrisana kola) i tankoslojne komponente. Stoga to se sve te komponente meusobno povezuju tehnikom debelog filma, kola se zovu debeloslojna.
198

Sl. 12.20. Debeloslojna i tankoslojna hibridna integrisana kola.

Kombinovanjem svih raspoloivih tehnika koje omoguuju hibridno udruivanje komponenata (sl. 12.21) dobijaju se integrisana kola optimalnih karakteristika. Tako, na primer, tankoslojni otpornici imaju manje tolerancije otpornosti, a tehnika debelog filma omoguuje vei raspon vrednosti otpornosti otpornika. Ako u jednom hibridnom integrisanom kolu postoje oba zahteva, kolo e se uraditi u debeloslojnoj tehnologiji, pri emu e se otpornici, kod kojih se trae uske tolerancije otpornosti, realizovati kao ip komponenta tankoslojnom tehnologijom. Ovde je neophodno istaknuti da se hibridna integrisana kola neuporedivo manje koriste od monolitnih integrisanih kola. To je, stoga, to je monolitna tehnologija znatno univerzalnija, s obzirom da omoguuje realizaciju i aktivnih i pasivnih komponenata veoma irokog raspona vrednosti osnovnih parametara, i to, takoe, omoguuje za nekoliko redova veliine veu gustinu pakovanja, kao i znanto veu pouzdanost. Sa druge strane, hibridnom tehnikom se prvenstveno realizuju pasivne komponente. Dodue, tankoslojna tehnologija omoguuje realizaciju tranzistora koji su slini MOS-u, ali se, po pravilu, u hibridnoj tehnici, kao to je pomenuto,
199

aktivne komponente dodaju u obliku ipa napravljenog planarnom tehnologijom. Moe se rei da e se korisnik opredeliti za hibridnu tehniku u sledeim sluajevima: kod maloserijske proizvodnje, jer je hibridna tehnologija, zbog nie cene, prihvatljivija; za izradu kola specijalne namene; kada se monolitnom tehnikom ne mogu ostvariti potrebne performanse (npr. vee kapacitivnosti kondenzatora); kada je potrebno smanjiti dimenzije sistema realizovanog na tampanoj ploi sa diskretnim komponentama (sl. 12.22).

Ovo hibridno IC sadri 2 SMD integrisana kola, precizne debeloslojne otpornike i tankolsojne otpornike i kondenzatore

Ovo debeloslojno hibridno IC sadri 20 integrisanih kola i 600 ica za bondiranje

Sl. 12.21. Razliita hibridna integrisana kola.

Sl. 12.22. Spoljanji izgled hibridnih integrisanog kola.

200

13. TAMPANE PLOE

tampane ploe slue da se na njih montiraju pasivne komponente (otpornici, kondenzatori, kalemovi, diode), aktivne diskretne komponente (bipolarni i MOS tranzistori), integrisana kola i sve ostale elektronske komponente, kao i za meusobno elektrino povezivanje tih komponenata. Na sl. 13.1 je prikazan deo tampane ploe za komponente sa izvodima (komponente su sa suprotne strane), na kojoj se vide zalemljeni izvodi tih komponenata (sjajne zadebljane take) i natampane provodne veze izmeu komponenata; na sl. 13.2 se vidi prednji deo tampane ploe sa otvorima za izvode komponenata, koji e titi zalemljeni sa suprotne strane ploe.

Sl. 13.1. Deo tampane ploe za komponente sa izvodima; komponente su sa suprotne strane.

Sl. 13.2. Prednji deo pripremljene tampane ploe za komponente sa izvodima. 201

Primenom tampanih provodnih veza u proizvodnji elektronskih ureaja obezbeuje se vea pouzdanost komponenata i samih ureaja, poboljana tehnoloka izvodljivost (uslovljena automatizacijom nekih montanih procesa), poveana gustina pakovanja komponenata (zbog smanjenja dimenzija i mase pojedinih komponenata), poveana brzina rada i zatita od smetnji. Za tampanu plou neophodna je fabriki pripremljena tanka ploa od nekog izolacionog materijala, npr. od vitroplasta, pertinaksa (obino se zove kairani pertinaks) ili fiberstakla sa epoksidnom smolom, na koju je sa jedne ili sa obe strane nanesen tanak sloj bakra. Na sl. 13.3 su predstavljene jednoslojne tampane ploe, koje se, pak, dele na jednostrano (sl. 13.3a) i dvostrano (sl. 13.3b) tampane ploe. Jednostrano tampane ploe imaju provodne veze samo na jednoj strani podloge, dok su dvostrano tampane ploe (kao i na sl. 13.2) sa provodnim vezama na obema stranama. Pored njih, u industrijskoj proizvodnji i za veoma sloena elektronska kola koriste se i vieslojne tampane ploe, sl. 13.4. Vieslojne tampane ploe se sastoje od naizmenino rasporeenih slojeva provodnog i izolacionog materijala spojenih zajedno. Provodni slojevi su povezani preko metaliziranih otvora koji se koriste kako za montiranje, tako i za elektrino povezivanje komponenata.

Sl. 13.3. Jednoslojne tampane ploe.

13.1. JEDNOSLOJNE TAMPANE PLOE

Postoji vie naina da se jednoslojna tampana ploa napravi, i svi su oni zasnovani na istom principu, a to je da se ukloni tanak sloj bakra sa neeljenih mesta, a da ostane samo tamo gde je potrebno (za provodne veze i stopice za koje se leme komponente). Uklanjanje sloja bakra ostvaruje se tako to se ploica nagriza hemijskim putem nekom kiselinom, ili se nepotrebni delovi bakra mehaniki odstranjuju posebnim glodalicama.
202

Sl. 13.4. Vieslojne tampane ploe.

13.1.1. Izrada crtea tampanog kola

Da bi se na ploici ostvarile provodne tampane veze, potrebno je prvo da se na njoj iscrta ema tih veza. To se radi tako to se na bakarni povrinski sloj (jednom od tehnika koje e u delu 13.1.2 biti opisane) nanosi slika tampanih veza, vodei, pri tom, rauna da se provodne veze ne seku i da budu to krae (na sl. 13.5 prikazane su dve dobro i dve loe projektovane provodne veze). Nadalje e se, kao najprostiji sluaj, razmatrati samo jednostrano tampane ploe kao na sl. 13.3a, a da bi postupak izrade maske bio jasniji, prikazae se kako se, od ulaznih taaka 1 i 2 do izlaza + i , crta tampa za elektrino kolo sa sl. 13.64 (to je jedan klasian stabilisani ispravlja kod kojeg se, pomou trimer potenciometra TP, izlazni napon moe podesiti na bilo koju vrednost do 9 V).
Primer sa sl. 13.6 i slike oznaene sa *, kao i dobar deo objanjenja vezan za njih, uz saglasnost autora Miomira D. Filipovia i izdavaa Mikoelektronika (Beograd, 2008) preuzet je iz knjige Komponente i praktina realizacija elektronskih ure|aja.
4

203

Dobro

Loe

Dobro

Loe

Sl. 13.5. Dobro i loe projektovane provodne tampane veze.

Sl. 13.6*. Klasian stabilisani ispravlja.

Pre poetka crtanja tampanog kola neophodno je nabaviti sve komponente, da bi se znale kolike su im dimenzije i kolika su rastojanja izmeu njihovih izvoda (noica). Takve raspoloive komponente sa naznakom njihovih relevantnih dimenzija za ispravlja sa sl. 13.6, od ulaznih taaka 1 i 2 do izlaza + i , prikazane su na sl. 13.7.
204

Sl. 13.7*. Komponente za ispravlja sa sl. 13.6. (O prikazanim komponentama videti sledee delove: za Grecov spoj (a) deo 8.5; za elektrolitske kondenzatore (b) i (g) deo 4.2.6; za otpornik (c) deo 3.1.1); za Zener diodu (d) deo 8.3; za trimer potenciometar (e) deo 3.4.3: za NPN tranzistor (f) deo 9.1.1)

Sl. 13.8*. Postupak crtanja tampanog kola ispravljaa sa sl. 13.6.

Postupak crtanja je prikazan na sl. 13.8. Prvo su, sl. 13.8a, nacrtana dva kruia prenika 2 mm do 3 mm, na meusobnom rastojanju od oko 13 mm. To su stopice u koje e biti zalemljene noice elektrolitskog kondenzatora C1 (sa sl. 13.7b). Ispod ovih stopica, a na osnovu dimenzija sa sl. 13.7a, nacrtane su etiri stopice na meusobnom rastojanju od oko 5 mm u koje e se zalemiti noice Grecovog spoja (usmeraa). Prema sl. 13.6, noica usmeraa koja je obeleena sa +, spojena je sa + noicom kondenzatora C1, a noica obeleena sa , spojena je sa noicom kondenzatora. Te dve veze su na sl. 13.8a nacrtane u obliku dve izlomljene prave linije. Pri tome, treba se truditi da te linije budu, kao to je ve reeno, to krae i da se dobro pazi da se ne dodirnu meusobno ili sa nekom od stopica pored kojih prolaze. Na sl. 13.8a su nacrtani i kondenzator C1 i Grecov usmera onako kako izgledaju gledani sa donje strane (gde su im noice), mada oni ne mogu da se vide, jer se nalaze sa suprotne strane ploice. Zgodno ih je, ipak, crtati, da bi se lake snalazili i pri crtanju i pri kasnijoj montai komponenata na ploicu.

205

Na sl. 13.8b su nacrtane jo dve stopice, 1 i 2, koje su povezane sa stopicama u koje se leme noice Grecovog spoja, obeleene sa . U stopice 1 i 2 e biti zalemljene dve bakarne ice kojima se na ploicu dovodi naizmenini napon sa sekundara mrenog transformatora. Desno od kondenzatora C1 i Grecovog usmeraa, vodei rauna o dimenzijama, nacrtane su stopice za otpornik R i Zener diodu D. U daljem postupku crtanja tampanih veza, na sl. 13.8c su dodate i linije kojima su otpornik R i Zener dioda D spojeni meusobno, kao i sa + krajem kondenzatora C1 i krajem Grecovog spoja. Na istoj slici su nacrtane i stopice u koje e biti zalemljene noice NPN tranzistora T, elektrolitskog kondenzatora C2 i trimer potenciometra TP, kao i dve stopice (gore desno, sa oznakama + i ) u koje se leme dve bakarne ice kojima se odvodi ispravljeni izlazni napon. Odgovarajuim meusobnim povezivanjem pomenutih stopica, kao i njihovim spajanjem sa ostalim komponentama, dobija se konaan izgled tampane ploe, prikazan na sl. 13.8d. To je pogled na ploicu sa strane tampe. Sve komponente su sa druge strane (strane komponenata), pa kao to je ve reeno, ne mogu da se vide. Raspored komponenata i izgled tampanih veza ne mora da bude kao na sl. 13.8d. Na primer, samo malo drugaijim rasporedom komponenata dobija se izgled tampane ploe kao na sl. 13.8e, odnosno na sl. 13.8f, na kojoj je prikazano kolo sa slike 13.8e bez komponentata, onako kako ono stvarno treba da izgleda. Pored toga, sigurnije je, posebno ako kroz provodne veze teku vee struje, da same veze budu ire. Stoga, kolo sa slike 13.8f moe da izgleda kao na sl. 13.9, na kojoj su linije kroz koje teku struje proirene do maksimuma (napominje se da u sluaju ispravljaa sa sl. 13.6 to nije neophodno). Time se ostvaruje uteda tenosti za nagrizanje bakra, ploica postaje otpornija na mehanika oteenja, a komponente se efikasnije hlade, jer bakarne povrine odvode sa njih toplotu i emituju je u okolni prostor. Nekada se upravo eli da se provodna povrina za masu (uzemljenje) ureaja maksimalno povea, to doprinosi stabilnijem radu ureaja, posebno ako su to ureaji koji rade na visokim frekvencijama.

Sl. 13.9*. Drugaiji oblik (u odnosu na sl. 13.8f) tampanih veza ispravljaa sa sl. 13.6.

13.1.2. Prenoenje crtea na ploicu

Pripremljeni crte tampanih veza neophodno je sada preneti na povrinu ploice na kojoj se nalazi bakar. Postoji vie naina prenoenja tog crtea. Najjednostavnije je da se crtanje provodnih veza kao na sl. 13.8 uradi alkoholnim flomasterom direktno na bakarnoj povrini. Meutim, ovako relativno prost postupak crtanja crtea tampanog kola mogu je samo kada su u pitanju elektronski ureaji koji nisu sloeni, kao to su ispravljai, razni pojaavai, alarmni ureaji, jednostavniji digitalni ureaji i sl. Opisani postupak nije mogue koristiti u sloenijim digitalnim ureajima koji imaju vrlo veliki broj minijaturnih stopica i vrlo tanke provodne veze (linije). Jednostavno, stopice su suvie malih dimenzija, a linije suvie tanke (ak i do desetog dela milimetra) i sasvim blizu jedna pored druge, tako da ih nije mogue nacrtati rukom. U takvim sluajevima koristi se raunar i neki
206

od programa za projektovanje tampanih kola (primer jednog takvog tampanog kola prikazan je na sl. 13.10b). Najpoznatiji su TANGO, OrCAD PCB, PROTEL, EAGLE, itd. U takvim sluajevima se za prenoenje crtea koristi fotopostupak. Za prenoenje crtea fotopostupkom potreban je fotolak u obliku spreja, a postupak je sledei: 1. tampano kolo se nacrta rukom (npr. kao na sl. 13.10a), ili odtampa visokokontrastno na printeru sa raunara na poluprovidnoj hartiji (pausu) ili nekom drugom propustljivom materijalu za ultraljubiastu (UV) svetlost (fotografski film, prozirna folija visoke stabilnosti i sl.). Kako odtapani sloj treba da prijanja uz bakarni sloj na ploici, to je crtanje, odnosno printanje crtea neophodno izvesti u Mirror (kao lik u ogledalu) opciji, sl. 13.10. Sam nacrt mora biti izraen tako da budui elektrino provodni putevi budu potpuno neprozirni za UV deo spektra, a da delovi koji e odgovarati nagrienim povrinama bakarne folije budu potpuno prozirni.

a.

b.

Sl. 13..10. Crtei koji se prenose fotopostupkom mora du budu u Mirror opciji (kao lik u ogledalu).

2. Bakarna povrina treba da bude savreno ista. Najbolje ienje mogue je postii nekim prakom koji sadri sitan pesak (npr. VIM), a zatim je prebrisati suvom istom tkaninom (povrina mora biti sjajna, bez otisaka prstiju, a posle ienja se bakarni sloj ne sme dodirivati prstima). 3. Bakarna strana ploice se ravnomerno isprska lakom (sl. 13.11) u tankom sloju. Nanoenje laka je potrebno izvesti u (cik-cak) horizontalnoj i zatim vertikalnoj osnovi, koso drei sprej na udaljenosti oko 20 cm. Lak je, neto manje nego fotografski film, osetljiv na svetlost, pa se prskanje obavlja u nekoj polutamnoj prostoriji. Osim toga, lak je osetljiv i na prainu, pa i o tome treba voditi rauna. Sloj laka treba da je vrlo tanak i ravnomerno preliven preko cele povrine. 4. Suenje laka na ploici na sobnoj temperaturi moe da potraje itava 24 sata. Ovo vreme se skrauje na samo oko 15 minuta ako se suenje obavlja u penici tednjaka, na temperaturi oko 70C. Pri suenju lak promeni boju, odnosno postane malo svetliji. Hlaenje ploice traje nekoliko minuta. I suenje i hlaenje treba obavljati u polumraku, titei ploicu od svetlosti. 5. Za dalji rad potrebni su ravno staklo i komad ravne drvene podloge istih dimenzija, koje su vee od dimenzija tampane ploice koja se pravi. Prema sl. 13.12, na drvenu podlogu se stavi
207

ploica. Bakarna strana, koja je isprskana lakom, mora da bude gore. Na nju se stavi paus sa crteom kola. Strana na kojoj je crte mora da bude sa donje strane, tako da boja kojom je crte pravljen lei na bakru. Preko pausa se stavi staklo. Staklo se pritisne i komadima lepljive trake spoji po uglovima za drvenu podlogu (tako je dobijen tkzv. sendvi). Sve ovo se radi u polumraku sa to manje svetlosti koja bi mogla da oteti fotolak.

Sl. 13.11*. Prskanje ploice lakom.

Sl. 13.12*. Sendvi: drvena podloga, ploica sa lakiranim bakrom na gore, paus sa slikom na dole, staklo.

6. Sledei korak je osvetljavanje (ekspozicija) ploice (sl. 13.13). Sendvi, sa staklom na gore, stavi se ispod UV (ultravioletne) sijalice i dri ispod nje nekoliko minuta. U nedostatku ove sijalice moe da se koristi i neki drugi izvor svetlosti talasne duine od 370 nm do 440 nm (uz striktno pridravanje uputstva za vreme osvetljavanja ploice), pri emu je neophodno da ploica bude ravnomerno osvetljena. Da bi cela povrina ploice bila ravnomemo osvetljena, s vremena na vreme ploicu treba pomerati levo-desno, napred-nazad. Vreme izlaganja sendvia svetlosti, kao i udaljenost izvora svetlosti od ploice, zavisi od vrste i jaine svetla, ali i od vrste fotolaka.
208

Sl. 13.13. Osvetljavanje (ekspozicija) ploice.

7. Odmah nakon zavretka osvetljavanja, ploica se odvoji iz sendvia u zatamnjenoj prostoriji i izlae procesu koji se zove razvijanje. Razvija se pravi tako to se 7 grama natrijum hlorida (NaOH iva soda) rastvori u jednom litru vode na sobnoj temperaturi. Ploica se, sa bakarnom stranom okrenutom na gore, stavi u neku plitku posudu od plastike ili keramike i sipa razvija, tako da prekrije ploicu za nekoliko milimetara (sl. 13.14a). Ploica ostaje u rastvoru oko 2 minuta, dok lak koji nije bio zatien od svetlosti (to je sav lak van stopica i linija na crteu) ne bude rastvoren. Razvijanje je gotovo kada se na ploici pojavi crte tampanog kola, nacrtan lakom, sl. 13.14b. Odmah treba izvaditi ploicu i isprati je pod mlazom vode. Razvijanjem prestaje svaka osetljivost na svetlo i tako dobijen sloj je stabilan u duem vremenskom periodu.

a. b. Sl. 13.14. a Uz proces razvijanja; b razvijena ploica.

Pre nego to bude rei o zavrnom delu u dobijanju tampane ploice, a to je nagrizanje, odnosno odstranjivanje vika bakra sa ploice koji nije bio zatien crteom, ovde e se navesti jo jedan nain prenoenja crtea na ploicu, koji po kvalitetu daje tampane veze skoro kao i fotografska tehnika, ali je znatno jednostavniji (jer se preskau koraci od 3 do 7 opisani u okviru fotopostupka). Naime, postoji posebna plastina folija koja se zove Press and Peel Blue (PnP Blue). To je tanka plastina folija presvuena specijalnim plavim premazom. Spoj izmeu premaza i plastine podloge je veoma slab. ema tampane veze se otiskuje na PnP Blue, a zatim se peglanjem prenosi na istu bakarnu povrinu ploice. Zagrejana pegla topi toner, usled ega se on lepi za bakar. Zatim se PnP Blue skida sa ploice, a toner ostaje na bakru.
209

13.1.3. Nagrizanje ploice

Krajnji rezultat opisanih postupaka projektovanja tampanog kola i njegovog precrtavanja na ploicu je nagrizanje vika bakra, odnosno odstranjivanje sa ploice bakra koji nije zatien stopicama i linijama. To se u kunim uslovima obavlja pomocu ferihlorida, ili pomou meavine sone kiseline i vodonik peroksida (hidrogena). Treba naglasiti da su oba sredstva za nagrizanje, kao i veina drugih kiselina, otrovni, opasni za oi, otvorenu ranu i sluzokou. Dakle, pri radu sa sredstvima za razvijanje, treba biti oprezan.
Nagrizanje pomou ferihlorida

U trgovini se ferihlorid (FeCl3) moe nabaviti ili kao tenost crveno-smee boje, ili u vrstom stanju u obliku grumenova kristala. Da bi se dobila tenost, u plastinu posudu u kojoj 0,5 kg grumenja treba naliti jedan litar vode i saekati da se grumenovi otope. Za nagrizanje ploice je potreban neki plitak sud, najbolje pravougaonog oblika, izraen od plastike, stakla ili keramike. Ferihlorid se sipa u sud tako da dubina tenosti bude nekoliko centimetara. Ploica, sa bakrom na dole, stavlja se tako da pliva po povrini tenosti (sl. 13.15). Ploicu treba povremeno vaditi iz rastvora i proveravati kako se proces razvija, jer ako ploica suvie dugo ostane u rastvoru, on e poeti da unitava i bakar ispod boje. Vaenje ploice se vri iskljuivo nemetalnim pomagalima (plastinom pincetom ili, kao na sl. 13.15, pomou selotejpa zalepljenog u obliku malog draa za gornji deo ploice). Pored toga, potrebno je pomerati ploicu, naroito ako je veih dimenzija, nekoliko puta levo-desno da bi se bilo sigurno da se ispod nje nisu zadrali mehuri od vazduha.

Sl. 13.15*. Nagrizanje ferihloridom.

Tenost e poeti da nagriza i rastvara bakar koji nije zastien flomasterom ili lakom i posle izvesnog vremena, oko 15 minuta, sav ovaj bakar e nestati i ploica e izgledati kao na sl. 13.16a. Kada je nagrizanje zavreno i na ploici nema vie nezatienog bakra, treba je prvo dobro oprati u vodi, a zatim skinuti boju koja je titila tampane veze. Na ploici e se pojaviti sjajne bakarne linije i stopice kao na sl. 13.16b.
Nagrizanje pomou H2O + HCl + H2O2

Umesto ferihlorida, za nagrizanje se ee koristi meavina 35% hlorovodonine (sone) kiseline (HCl), hidrogena (H2O2 vodonik peroksid, ili kako se jo zove, oksien) i vode. Smea se pravi neposredno pre nagrizanja.

210

a.

b.

Sl. 13.16. Izgled ploica posle nagrizanja (a) i posle uklanjanja zatitnog sloja (b).

Na dno plitkog plastinog ili nekog drugog nemetalnog suda stavi se ploica sa bakrom na gore i sipa sona kiselina tako da tenost prekrije ploicu (sl. 13.17). Zatim se u nju dodaje hidrogen, koji se sipa direktno iznad ploice. Koliina hidrogena koji se dodaje zavisi od njegove koncentracije, kao i od koncentracije sone kiseline. To znai da treba iznad ploice sipati malo hidrogena, podii malo levi pa desni kraj suda, da se tenosti izmeaju, i posmatrati ploicu. Smea je potpuno providna, i ako bakar posle desetak sekundi pone da menja boju, nagrizanje je poelo. Pri tome, iz tenosti izlaze mehurii, a ako i nema ili ih je malo, dodaje se jo malo hidrogena. Pri dodavanju hidorogena se pazi da se ne pretera, jer ako mehuria ima previe, tenost e poeti da se zagreva i moe da uniti boju.

Sl. 13.17*. Nagrizanje sonom kiselinom i hidrogenom.

Proces nagrizanja se lako prati, jer je tenost providna. Nagrizanje je zavreno kada na ploici nema vie nezatienog bakra (sl. 13.16a). Nju treba izvaditi i dobro oprati u vodi, a boju koja je titila tampane veze treba skinuti (sl. 13.16b) trljanjem vlanom krpicom, zamoenom u neko od prakastih sredstava za ienje. Zavrena ploica, sa prethodno izbuenim rupicama (obino prenika 1 mm) za komponente i dve rupe od 3 mm za zavrtnje kojima se ploica montira u kutiju u koju je smeten ispravlja sa slike 13.6, prikazana je na sl. 13.18a.

13.1.4. Dvostrano tampana ploa

Pored jednostrano kairanog pertinaksa o kome je do sada bilo rei, kao to je reeno (sl. 13.3b) postoji i pertinaks na ije je obe strane naneen tanak sloj bakra. On se najee koristi pri
211

praktinoj realizaciji elektronskih kola koja imaju mnogo linija kojima se spajaju komponente, dovode i odvode signali, itd.

Sl. 13.18*. a Zavrena tampana ploica ispravljaa sa sl. 13.6; b crte tampane ploice (sl. 13.8b); c tampana ploa sa komponentama.

a.

b.

c.

Komponente se montiraju na jednoj strani strani komponenata, a veina veza, sve koje mogu da se ostvare, su na suprotnoj strani, kao i kod obinih (jednostranih) tampanih ploa. Preostale veze se crtaju na strani komponenata. Spojevi izmeu bakarnih linija (veza) sa jedne i sa druge strane ostvaruju se na taj nain to se te linije crtaju tako da se ukrtaju, a na mestu ukrtanja se bui rupica kao za komponentu. U fabrikoj proizvodnji te rupe se metalizuju (obloe metalom), ime se ostvaruje potreban spoj. U kunoj izvedbi spoj se ostvaruje tako to se kroz rupicu provue komad ice koji se zalemi za obe bakarne linije. Moe i kolo da se tako projektuje, da kroz tu rupicu prolazi prikljuak neke komponente koji se zalemi za obe bakarne linije. Ako se crte tampanih veza koji se realizuje na jednostrano kairanom pertinaksu po precrtavanju na bakarnu stranu ploice pomeri malo levo ili desno, to nema velikog znaaja. Ali u sluaju dvostrane tampe, ak i vrlo malo pomeranje moe da dovede do toga da je vrlo teko, esto i nemogue, ostvariti potrebne veze izmeu jedne i druge strane. Zato je najbolje nacrtati samo jednu stranu, izvriti nagrizanje bakra i izbuiti rape. Rupe kroz koje prolaze provodnici kojima se ostvaruje spoj izmeu veza sa suprotnih strana, omoguuju da se veze sa druge strane nacrtaju tano na potrebnim mestima. Naravno, te veze ne smeju da prelaze preko ostalih rupa, jer su one zauzete. Zatim se izvri nagrizanje bakra i sa te strane. Dok se nagriza jedna strana, druga mora biti zatiena. To se najlake ostvaruje tako to se na nju, pomou lepljive trake, privrsti komad neke plastine folije otporne na kiseline.

13.2. VIESLOJNE TAMPANE PLOE

Odmah treba rei da se vieslojne tampane ploe, iji su popreni preseci prikazani na sl. 13.4 i sl. 13.19, ne realizuju u kunim uslovima, ve je njihova proizvodnja iskljuivo industrijska, s obzirom da su za njih neophodne veoma velike investicije i skupa oprema. Na svetskom tritu postoje dve velike grupe proizvoaa ovih tampanih ploa. Prvu grupu ine tkzv. nezavisni ili trini proizvoai, koji svoje proizvode nude na otvorenom tritu. Te ploe su, pre svega, namenjene za ugradnju u ureaje koji se proizvode i prodaju u veoma velikom broju (TV aparati, PC raunari, mobilni telefoni). Pored toga, ova grupa proizvoaa nudi mogunost kupcima da i sami uestvuju u dizajniranju tampanih ploa, ime je trite znaajno proireno i na proizvodnju ureaja koji se ne proizvode u

212

tako velikim serijama. Drugu veliku grupu proizvoaa vieslojnih tampanih ploa ine tkzv. proizvoai zatvorenog tipa, koji proizvode ove ploe iskljuivo za ugradnju u svoje sopstvene proizvode (Hewlett Packard, Texas Instruments, IBM).

Sl. 13.19. Popreni presek vieslojne tampane ploe.

Sl. 13.20. Blok ema tipinog tehnolokog niza za proizvodnju vieslojnih tampanih ploa.

Kao to je ve reeno, vieslojne tampane ploe se sastoje od naizmenino rasporeenih slojeva provodnog i izolacionog materijala spojenih zajedno (sl. 13.4 i sl. 13.19). Provodni slojevi su povezani preko metaliziranih otvora koji se koriste kako za montiranje, tako i
213

za elektrino povezivanje komponenata, uz napomenu da se pojedini itavi provodni slojevi koriste kao kontakti za napajanje ili za uzemljenje (sl. 13.19) Proces proizvodnje vieslojnih tampanih ploa predstavlja veoma sloen tehnoloki postupak koji ubuhvata preko 50 proizvodnih koraka, ali se, grubo, moe podeliti u 9 procesnih koraka, kao to je prikazano blok emom na sl. 13.20. Procesi projektovanja, kao i formiranja unutranjih i spoljanjih slojeva tampane ploe su potpuno automatizovani primenom snanih raunara i softverskih paketa za razmetaj komponenata. Trei procesni korak (laminiranje unutranjih slojeva) je proces spajanja razliitih slojeva, u kojem se elektrino povezuju provodni likovi prethodno nezavisno uraeni na svakom sloju bakar-dielektrik. Ovaj proces na kraju ukljuuje i presovanje sloenih ploa u jedinstvenu sendvi tampanu plou (sl. 13.4 i sl. 13.21). Posle buenja otvora (etvrti korak, sl. 13.20) i njihovog ienja (peti korak), pristupa se metalizaciji otvora. Proizvoai za metalizaciju koriste razliite materijale: jedni je izvode hemijskim nanoenjem bakra, drugi za to koriste ugljenik, trei grafit, a etvrti se opredeljuju za paladijum. Zavrna obrada na kraju (sl. 13.20), izmeu ostalog, predvia i elektrotestiranje ploe u cilju otklanjanja neispravnosti provodnih veza, kao to su prekidi i kratki spojevi.

13.3. TAMPANE PLOE ZA POVRINSKU MONTAU

To su, praktino, vieslojne tampane ploe sa stopicama prilagoenim za komponente za povrinsku montau (SMD), sl. 13.21. Procenjuje se da svetsko trite ovakvih tampanih ploa iznosi izmeu 20 i 25 milijardi dolara. Do pre par godina vodei proizvoai su bili SAD i Japan, a sada je primat preuzela Kina, uz stalno prisutnu tendenciju daljeg rasta proizvodnje.

Metalizirana rupa Sl. 13.21. Deo vieslojne tampane ploe za povrinsku montau komponenata.

Na sl. 13.22 je prikazana fotografija (sa uveanjem 16 puta) dela tampane ploe sa povrinski montiranim komponentama, a sl. 13.23 se, takoe, odnosi na deo takve ploe, snimljenom odozgo.
214

Sl. 13.22. Fotografija (sa uveanjem 16 puta) dela tampane ploe sa povrinski montiranim komponentama.

Sl. 13.23. Snimak odozgo dela tampane ploe sa povrinski montiranim komponentama.

215

216