Tema 8.

- Transistores de efecto de
campo
1
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO
(Field effect transistor, FET)
INTRODUCCIN:
Son dispositivos de estado slido
Tienen tres o cuatro terminales
Es el campo elctrico el que controla el flujo de cargas
El flujo de portadores es de un nico tipo ( o electrones huecos)
Pueden funcionar en diferentes regiones de polarizacin
Segn en que regin de polarizacin se encuentren, funcionan como:
Resistencias controladas por tensin
Amplificadores de corriente tensin
Fuentes de corriente
Interruptores lgicos y de potencia

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
2
INTRODUCCIN (Continuacin)

Hay de bastantes tipos, pero los mas importantes son los:
MOSFET (Metal-xido semiconductor)
Normalmente tienen tres terminales denominados:
Drenador
Puerta
Fuente surtidor
Son dispositivos gobernados por tensin
La corriente de puerta es prcticamente nula (func. Normal)
Utilizan un solo tipo de portadores de carga,
(Por eso se llaman tambin unipolares):
Electrones si son de canal N
Huecos si son de canal P

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
3
COMPARACIN ENTRE FETs y BJTs
Los FETs necesitan menos rea del chip, y menos pasos de fabr.
Los BJts pueden generar corrientes de salida mas elevadas
para conmutacin rpida con cargas capacitivas.
Los FETs tiene una impedancia de entrada muy alta
En los Fets el parmetro de transconductancia (g
m
) es menor
que en los BJts, y por lo tanto tienen menor ganancia.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
4
DIFERENTES TIPOS DE TRANSISTORES FET
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
5
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
ENRIQUECIMIENTO ACUMULACIN
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
6
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N (N-MOS) DE
ENRIQUECIMIENTO ACUMULACIN(CONT)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
7
EL N-MOS DE ACUMULACIN (CONT)
CREACIN DEL CANAL
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
8
EL N-MOS DE ACUMULACIN (CONT)
ESTANGULACION DEL CANAL
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
9
hmica regin v v v v
t D G GD
> = ) (
Si:
Entonces la corriente de drenador viene dada por:
( ) | | ( ) | |
2 2
) 2
2
) 2
DS DS to GS DS DS to GS D
v v v v
k
v v v v K i =
N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIN HMICA (CONT)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
10
Es decir:
( ) | | ( ) | |
2 2
) 2
2
) 2
DS DS to GS DS DS to GS D
v v v v
k
v v v v K i =
Donde:
cia tan c transcondu de parmetro C
L
W
k
ox n
=
N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIN HMICA
(CONT)
Siempre que se cumpla que: t DG t GD
v v v v < >
Y teniendo en cuenta que v
DG
=v
DS
-v
GS

Es lo mismo que decir: siempre que se cumpla que:
v
DS
<v
GS
- v
t
, adems de v
GS
> v
t

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
11
EL N-MOS EN LA ZONA HMICA:
RESISTENCIA LINEAL CONTROLADA POR TENSIN
En la zona hmica, el mosfet se comporta como una resistencia
controlada por la tensin puerta-surtidor.
Par valores de V
DS
pequeos, el trmino V
2
DS
puede
despreciarse, y entonces:
( ) | | ( )
( ) ( )
t GS t GS
NMOS
DS
NMOS
DS to GS DS DS to GS D
V V k V V K
R Donde
V
R
v v v K v v v v K i

=
= ~ =
1
2
1
1
) 2 ) 2
2
Siempre que
se verifique:
( ) ( )
DS t GS DS DS t GS DS
v V v v v V v v s << 2 10 2
2 2
t GS DS
V v v s 2 , 0 :
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
12
FUNCIONAMIENTO EN LA REGIN DE
SATURACIN (ZONA ACTIVA)
LMITE DE REGIONES
Cuando v
DS
se hace igual a v
GS
- v
t
, la anchura del canal
se hace cero, y el dispositivo entra a funcionar en la zona
de saturacin (tambin llamada zona activa), y la corriente
de drenador se hace constante
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
13
FUNCIONAMIENTO EN LA REGIN DE
SATURACIN
LMITE DE REGIONES (CONT)
El lmite de las dos regiones viene marcado por la igualdad:
v
DS
=v
GS
- v
t
Y sustituyendo en la expresin
de i
D
:
i
D
=K (v
DS
)
2
= (k/2) (v
DS
)
2
,
que es la parbola que fija la
zona lmite entre las dos
regiones
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
14
FUNCIONAMIENTO EN LA REGIN DE
SATURACIN
(O TAMBIN LLAMADO ESTADO ACTIVO)
Por tanto:Cuando v
DS
>v
GS
- v
t
, adems de v
GS
> v
t
el transitor
est en la regin de saturacin, y entonces i
D
se hace constante y vale:
i
D
=K (v
GS
-v
t
)
2
= (k/2) (v
GS
-v
t
)
2

Fig. 5.12 The i
D
- v
GS
characteristic for an enhancement-type NMOS transistor in saturation (V
t
= 1 V and k
n
(W/L) =
0.5 mA/V
2
).
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
15
MODELOS DE GRAN SEAL PARA EL NMOS DE
ENRIQUECIMIENTO
Zona hmica: v
GS
> v
t
y adems:
v
DS
<v
GS
- v
t
o lo que es lo mismo:
v
DG
<-V
t

Zona activa: v
DS
>v
GS
- v
t
, adems de v
GS
> v
t
Zona de Corte:
v
GS
<= (V
t
>0)
Caracterstica de transferencia en la regin
De saturacin ( zona activa)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
16
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
DEPLEXIN
Es casi idntico al de enriquecimiento. La nica diferencia es
que hay un delgado canal de semiconductor de tipo n que conecta
la fuente y el drenador, antes de aplicar ninguna tensin a la puerta
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
17
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
DEPLEXIN (CONT)
Ahora an con v
GS
cero, existe un canal de conduccin, y podr
haber corriente de circulacin entre drenador y surtidor.
Habr que aplicar una tensin v
GS
negativa para que el canal
desaparezca y el transistor deje de conducir
Observe en el smbolo que D y S
estn unidos por un trazo continuo
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
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TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
DEPLEXIN (CONT)
Fig. 5.21 The current-voltage characteristics of a depletion-type n-
channel MOSFET for which V
t
= -4 V and k
n
(W/L) = 2 mA/V
2
: (a)
transistor with current and voltage polarities indicated; (b) the i
D
- v
DS

characteristics; (c) the i
D
- v
GS
characteristic in saturation.
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campo
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TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
DEPLEXIN (CONT):
Tensin umbral: v
t
esencialmente negativa
I
DSS
= corriente de drenador para V
GS
=0 (en zona activa)
Expresiones y zona lmites idnticas a los NMOS de enriquecimiento
Carcterstica de transferencia en la
Zona activa ( regin de saturacin)
Salvo que la tensin umbral en los
nmos de deplexin es negativa, las
ecuaciones que describen su
comportamiento en las diferentes
zonas, son idnticas a las de los
nmos de enriquecimiento
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
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TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P
Ahora el sustrato es semiconductor de tipo N, y los pozos
drenador y fuente son de tipo P.
Ahora los portadores de corriente son huecos
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
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TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS),
DE ENRIQUECIMIENTO
El transistor estar a corte si v
GS
> v
t
En los transistores P-MOS de enriquecimiento,
V
t
es esencialmente negativa
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
22
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS)
DE DEPLEXIN
En los P-MOS de deplexin, previamente existe un canal de
conduccin de tipo P.
En los P-MOS de deplexin, V
t
esencialmente positiva
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
23
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS)
DE DEPLEXIN (CONT)
Tensin umbral: v
t
esencialmente positiva
I
DSS
= corriente de drenador para V
GS
=0 (en zona activa)
Expresiones y zona lmites idnticas a los PMOS de enriquecimiento
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
24
TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P (CONT)
circuitos equivalentes de gran seal
Las definiciones de estados de los PMOS son las mismas
que las de los N-MOS, salvo que el sentido de todas las
desigualdades se invierte, y las corrientes drenador fuente
se consideran positivas en sentido contrario (positivas de
surtidor a drenador)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
25
POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES MOSFET
Anlisis del Punto de Operacin
El procedimiento a seguir es idntico al estudiado con los
transistores bipolares.
Existen dos posibilidades:
Hallar el P.O. Cuando se conoce el estado del transistor.
Hallar el P.O. Cuando el estado es desconocido
En el primer caso, en el circuito equivalente de continua,
sustituiremos el transistor por su modelo , y realizaremos el
anlisis correspondiente.
En el segundo caso, al igual que hicimos con diodos y
transistores bipolares, supondremos un estado, realizaremos el
anlisis correspondiente, y posteriormente comprobaremos si los
resultados de corrientes y tensiones obtenidos son coherentes con
el estado supuesto del transistor
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
26
POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES MOSFET
Anlisis de transistores en estado activo
En el circuito equivalente de continua sustituimos el mosfet
por su modelo de gran seal en la zona activa:
i
D
=K (v
GS
-v
t
)
2
= (k/2) (v
GS
-v
t
)
2
i
G
=0; I
D
=I
S

( )
ss s s g g gg GS
D s d ss dd DS
V I R I R V V
I R R V V V
=
+ =
Que junto a las ecuaciones impuestas por la red
de polarizacin (ecuaciones de polarizacin)
Da lugar a resolver dos ecuaciones, una de ellas
cuadrtica, con dos incgnitas, que matemticamente
tiene dos posibles soluciones (P.O.), de los cuales,
solamente una de ellas tendr significado fsico
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
27
POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES MOSFET
Anlisis de transistores en estado activo (cont)
[1] i
D
=K (v
GS
-v
t
)
2
= (k/2) (v
GS
-v
t
)
2
i
G
=0; I
D
=I
S
( )
( )
| | 2
0
)
`

=
+ =
=
=
+ =
D s ss gg GS
D s d ss dd DS
G
ss s s g g gg GS
D s d ss dd DS
I R V V V
I R R V V V
I con que
V I R I R V V
I R R V V V
[1] y [2] dan lugar a resolver dos ecuaciones, una de ellas
cuadrtica, con dos incgnitas, que dar lugar
matemticamente a dos posibles soluciones (P.O.), de los
cuales, solamente uno de ellos tendr significado fsico
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
28
ANLISIS DE TRANSISTORES EN ESTADO
DESCONOCIDO
Se sigue el mismo procedimiento que con los transistores bipolares:

1) Hacer una suposicin sobre el estado de cada transistor.
2) Reemplazar cada transistor con el modelo apropiado.
3) Utilizar los resultados del anlisis y las definiciones de estados
para confirmar cada estado del transistor.
4) Si hay alguna contradiccin, hacer una nueva suposicin y repetir
el anlisis.
(Ver ejemplos del Malik Captulo 5)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
29
RESISTENCIAS FET Y LINEAS DE CARGA
NO LINEALES
En circuitos integrados donde se necesiten resistencias de elevado
valor, fabricadas mediante proceso de difusin, stas ocupan
excesivo espacio. Una alternativa ampliamente utilizada es utilizar
transistores de efecto de campo como resistencias no lineales, para
lo que sirven tanto transistores de enriquecimiento como
transistores de deplexin. Ahora la relacin I-V en lugar de ser una
recta como lo es en una resistencia lineal, ser una parbola.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
30
RESISTENCIAS NO LINEALES DE
ENRIQUECIMIENTO
CONEXIN BSICA:
Si en un NMOS de enriquecimiento, unimos la puerta con el
drenador, el dispositivo tendr ahora dos terminales.
Para v
R
=v
GS
<= v
t,
el transistor no est en conduccin, y por tanto
i
R
=0.
Cuando v
R
>= V
t
, el est en
conduccin y adems en la zona
activa (saturacin), ya que se
cumple la desigualdad V
DG
>-V
t

i
R
=K (v
R
-v
t
)
2
= (k/2) (v
R
-v
t
)
2
Aunque la caracterstica i-v es una cuadrtica
en vez de una exponencial, se puede hablar
de transistor conectado como diodo
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
31
RESISTENCIAS NO LINEALES DE
ENRIQUECIMIENTO (CONT)
CONEXIN CON FUENTE DE POLARIZACIN:
La figura muestra una variacin que utiliza una fuente de
polarizacin externa. Con V
GS
=V
R
+V
t ,
, si V
R
<=0 el transistor no
est en conduccin; si V
R
>=0 el transistor est en conduccin y en
la zona activa.
En c.i. es muy fcil modificar las caractersticas variando la relacin
W/L.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
32
RESISTENCIAS NO LINEALES DE DEPLEXIN
En la figura se muestra un NMOS de deplexin con la puerta y el
surtidor conectados entre si. La caracterstica I-V ser la
correspondiente a la del transistor, para V
GS
=0.
Cuando V
R
=V
DG
<= -V
t
(V
t
es negativo en lo transistores de deplexin)
El dispositivo es hmico.
Cuando V
R
=V
DG
>-V
t
el dispositivo se comportar como una
fuente de corriente constante

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
33
DIVISORES DE TENSIN MOS
Las resistencias de enriquecimiento crean divisores de tensin
que ocupan poco espacio en el chip y manejan corrientes bajas.
En la figura a), la tensin v
x
puede ajustarse
fcilmente en funcin de las dimensiones w
1
,L
1
y w
2,
L
2
de los transistores M1 y M2,
con el adecuado diseo de las mscaras
Anlogamente para conseguir dos o mas
tensiones , tal como se indica en al figura b)
Todas ellas estarn comprendidas dentro de
los valores de las alimentaciones.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
34
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CON
PUERTA DE UNIN
En este tipo de transistores, al contrario que en los MOS, la puerta
no est aislada galvnicamente.
Siguen siendo transistores unipolares, y la conductividad del canal
se controla mediante una tensin aplicada a la unin puerta-fuente
polarizada inversamente
Existen dos tipos fundamentales de transistores FET con puerta de
unin:
Los MESFET FETs metal-semiconductor, donde el canal es
un semiconductor compuesto, como arseniuro de galio, la puerta
un metal, y el interfase puerta-canal una unin Schottky.
Los J-FETs, donde la puerta y el canal consisten en Si dopado
de forma inversa, y una unin PN polarizada inversamente forma
la interfase puerta-canal
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
35
TRANSISTORES MESFET
Aprovechan la alta movilidad del electrn en el arseniuro de
galio.
El resultado es un dispositivo muy superior en velocidad pero
inferior en densidad de integracin, y actualmente mucho mas
caro que los transistores de Si.
Se utiliza principalmente en circuitos lineales que funcionan a
frecuencias de microondas, y en circuitos digitales de altsima
velocidad.
Su funcionamiento se asemeja al Mosfet de deplexin
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
36
TRANSISTORES MESFET (CONT)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
37
TRANSISTORES JFET
El transistor de efecto de campo de
unin (JFET: junction field-effect
transsitor) de canal N consiste en un
canal semiconductor de tipo N con
contactos hmicos en cada extremo ,
llamados drenador y fuente (
surtidor).
A los lados del canal hay regiones de material semiconductor tipo P
Conectadas elctricamente entre si y al terminal denominado puerta.
La unin PN entre puerta y el canal es similar a la unin PN de un
diodo.
En las aplicaciones normales , esta unin debe estar polarizada
inversamente.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
38
TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT)
Cuanto mas negativa es la tensin inversa de polarizacin de una
unin PN, mas ancha se hace la zona de deplexin (no conductora,
libre de cargas),y por tanto en este caso mas se estrecha el canal
conductor
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
39
TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT)
Cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal,
decimos que ocurre un fenmeno llamado de estrangulamiento.
La tensin de estrangulamiento V
to
(V
P
)

es valor necesario de la
tensin puerta - canal para que desaparezca el canal conductor
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
40
TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT)
La tensin de estrangulamiento V
to
(V
p
), es el valor necesario de
la tensin puerta - canal para que desaparezca el canal conductor.
En los JFET de canal N sta tensin es esencialmente negativa:
En funcionamiento normal, la tensin V
GS
debe ser: V
to
<=V
GS
<=0
En los JFET de canal N, el drenador es positivo respecto a la
fuente.
La corriente entra por el drenador y sale por la fuente.
Como la resistencia del canal depende de la tensin puerta-fuente,
la corriente de drenador se controla con V
GS

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
41
CURVAS CARACTERSTICAS DE UN JFET DE
CANAL N
0 < s
P GS
V v
El J-FET es un dispositivo de tres estados:
Zona de corte si : entonces: I
D
=I
S
=0

> s
s >
>
P DG P G D
P DG P G D
P GS
V V V V V si activa Zona
V V V V V si hmica Zona
V v conduccin de Zona
:
:
:
El lmite entre la zona hmica y la activa viene marcada en viene
marcada por la igualdad V
DG
=-V
P

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
42
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DE UN JFET DE
CANAL N
El JFET es un dispositivo muy parecido a los MOSFET.
A tensiones V
DS
pequeas, el dispositivo funciona como
una resistencia controlada por la tensin V
GS

Cuando V
DS
alcanza tensiones suficientemente elevadas, es
decir cuando :
P GS DS DG
V v v v > =
Entonces polarizacin inversa de drenador es tan grande que el
canal se estrangula, y un incremento adicional de V
DS
no
afecta demasiado a la corriente de drenador, al igual que ocurre
con los transistores MOSFET, el JFET entra en el estado
activo, tambin llamado zona de saturacin del canal. La
corriente se hace prcticamente constante
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
43
ESTADO HMICO DEL TRANSISTOR JFET
P DG P GS
V V adems y V V s > :
( ) | |
2
2
DS DS P GS D
v v V v i = |
El JFET de canal N, se encuentra en el estado hmico o zona
hmica si:
Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresin:
Donde (K), tiene la expresin:
D
Si
n
tN L
W
3
4c
| =
W,L,t, son la anchura, longitud, y espesor del canal.
n
la movilidad de los
electrones, N
D
la concentracin del dopado, y
Si
la constante dielctrica del
silicio
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
44
Resistencia del JFET controlada por tensin
( ) | |
2
2
DS DS P GS D
v v V v i = |
( )
( )
P GS
JFET N DS
JFET N
DS P GS D
V v
R v
R
V V v i

= = ~

|
|
2
1
;
1
2
( )
P GS DS
V v v s 2 , 0
Si en la ecuacin:
v
DS
es tan pequeo que el trmino cuadrtico es despreciable,
entonces:


Esta expresin se podr considerar vlida si:
Discusin interpretativa:
Compare la definicin dada de R
N-JFET
con la de resistencia dinmica r
d,JFET,
:
DSQ DQ
V I
DS
D
JFET d
v
i
r
,
,
1
c
c
=
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
45
ESTADO ACTIVO DEL TRANSISTOR JFET
El JFET de canal N, se encuentra en el estado activo o zona de
saturacin del canal si:
P DG P GS
V V adems y V V > > :
Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresin:
( )
2
P GS D
V v i = |
La corriente i
D
que circula cuando V
GS
es igual a cero y el
transistor est en estado activo, se denomina I
DSS

2
p DSS
V I | =
I
DSS
es un parmetro que suele aparecer en las hojas de
caractersticas, junto con V
P
, de los cuales se puede deducir
(V
P
negativo en los JFET N)