Bandas de energa Los niveles de energa de los electrones en los tomos de un cristal no coinciden con los niveles de energa

de los electrones para tomos aislados. En un gas, por ejemplo, se pueden despreciar las interacciones de unos tomos con otros y los niveles de energa no se ven modificados. Sin embargo, en un cristal el campo elctrico producido por los electrones de los tomos vecinos modifica los niveles energticos de los electrones de los tomos de sus alrededores. De este modo el cristal se transforma en un sistema electrnico que obedece al principio de exclusin de Pauli, que imposibilita la existencia de dos electrones en el mismo estado, transformndose los niveles discretos de energa en bandas de energa donde la separacin entre niveles energticos se hace muy pequea. La diferencia de energa mxima y mnima es variable dependiendo de la distancia entre tomos y de su configuracin electrnica. Dependiendo de la distancia interatmica y del nmero de electrones de enlace entre otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas que pueden estar llenas, vacas o separaciones entre bandas por zonas prohibidas o bandas prohibidas, formndose as bandas de valencia, bandas de conduccin y bandas prohibidas. As en un aislante la separacin entre la banda de valencia y la banda de conduccin es muy grande ( 10 eV), y esto significa que un electrn en la banda de valencia necesita mucha energa para ser liberado y convertirse en un electrn libre necesario para la conduccin. En un

conductor las dos bandas estn solapadas, no necesitndose ninguna energa para alcanzar la conduccin. En un semiconductor la banda prohibida es muy estrecha, o lo que es lo mismo, es muy fcil que un electrn sea liberado y pueda contribuir a la conduccin.

MATERIALES TIPO N Y TIPO P

Cuando al dopar introducimos tomos con tres electrones de valencia en un elemento de tomos con cuatro estamos formando un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del exceso de carga aparentemente positiva (porque los tomos siguen siendo neutros, debido a que tienen igual nmero de electrones que de protones) que tienen estos elementos. Estos tomos "extraos" que hemos aadido se recombinan con el resto pero nos queda un hueco libre que produce atraccin sobre los electrones que circulan por nuestro elemento. Tambin se produce una circulacin de estos huecos colaborando en la corriente. Sin embargo, si los tomos aadidos tienen cinco electrones en su ltima capa el semiconductor se denomina de tipo N, por ser potencialmente ms negativo que uno sin dopar. En este tipo de materiales tenemos un quinto electrn que no se recombina con los dems y que, por tanto, est libre y vaga por el elemento produciendo corriente. Para hacerse una idea de las cantidades que entran en juego en esto del dopaje se podra decir que se introduce un tomo extrao por cada doscientos millones de tomos del semiconductor. Hasta ahora hemos descrito la corriente elctrica como el paso de electrones de un lado a otro pero ha llegado el momento de aumentar este concepto. Como hemos visto la aparicin de un hueco produce el movimiento de un electrn hacia l dejando de nuevo un hueco al que ir otro electrn. Este movimiento puede verse desde dos puntos de vista. El primero es el del electrn movindose de derecha a izquierda, el segundo sera el del hueco desplazndose de izquierda a derecha. Pues bien, no es correcto ni uno ni otro, sino los dos a la vez. Hay que pensar que tan importante es un movimiento como el otro, y que la corriente elctrica hemos de concebirla como la suma de los dos. Como veremos, en unos casos ser ms importante, cuantitativamente hablando, la corriente creada por el movimiento de los electrones y, sin embargo, en otros lo ser la creada por los huecos. Se ha adoptado por

convenio que la corriente elctrica lleva el sentido de los huecos, es decir, cuando seguimos el sentido de los electrones la corriente es negativa y positiva en caso contrario. Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrnsecos y extrnsecos. Los semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les ha dopado de alguna forma, produciendo as un semiconductor tipo P o del tipo N. Y los intrnsecos son los que no han sufrido ninguna clase de dopaje Puesto que el paso de electrones a travs de cualquier material siempre produce calor nos va a ser imposible separar los efectos producidos por el dopaje y el aumento de temperatura en un semiconductor; as que ambos efectos se suman y la circulacin de electrones y huecos va a ser mayor. Portadores mayoritarios y minoritarios No est completa nuestra explicacin sin comentar brevemente lo que se conoce con el nombre de portadores mayoritarios y minoritarios. Cuando existe corriente dentro de un material hemos visto que es debida a electrones movindose hacia un lado y a huecos desplazndose en sentido contrario. Pero las cantidades de unos y otros no tienen por qu ser iguales ni parecidas, esto depende del material por el que circule la corriente. Llamamos portadores mayoritarios a quien contribuya al paso de la corriente en mayor medida y, obviamente, los minoritarios sern aquellos que lo hagan en menor medida. Si tenemos un material tipo N por el que circula corriente, los portadores mayoritarios sern los electrones que le sobran por el dopaje junto con los electrones que saltan debido al calor y los portadores minoritarios sern los huecos producidos al marcharse los electrones de su sitio. Por el contrario, en un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios sern los huecos que tiene en exceso por el dopaje ms los huecos que se producen por efecto del calor, mientras que los portadores minoritarios sern los electrones que han saltado de su sitio. Unin P-N Llegados a este punto, cualquiera con un poco de curiosidad se habr hecho la siguiente pregunta: Qu ocurrira si se juntase un trozo de material tipo P con un trozo de material tipo N? Pues bien, esta pregunta ya se la hizo alguien hace unos cuantos aos y dio origen a lo que hoy da se conoce como unin PN. De nuevo, como electrnicos que somos, solamente nos interesa algo muy concreto de esta unin, lo cual no es otra cosa que su comportamiento de cara al paso de corriente elctrica.

Supongamos, primeramente, que hemos unido por las buenas un trozo de material tipo P con uno tipo N; Qu ocurre?, pues que los electrones que le sobran al material tipo N se acomodan en los huecos que le sobran al material tipo P. Pero, ojo!, no todos los de un bando se pasan al otro, solamente lo hacen los que estn medianamente cerca de la frontera que los separa. A esto se le llama recombinacin Y Por qu solo unos pocos? Pues porque el hecho de que se vayan los electrones con los huecos es debido a la atraccin mutua que existe entre ellos ya que poseen cargas opuestas; sin embargo, una vez que se han pasado cierta cantidad de electrones al otro bando comienza a haber una concentracin de electrones mayor de lo normal, lo que provoca que estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se llega a un equilibrio al haberse ido los suficientes electrones para apaciguar la atraccin hueco-electrn inicial pero no tantos como para llegar a repelerse entre ellos. Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de potencial. Una barrera de potencial es simplemente una oposicin a que sigan pasando los electrones y huecos de un lado a otro. Esta situacin permanecer inalterable mientras no hagamos nada externo para modificarla, es decir, compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro potencial aportado por nosotros, por ejemplo, conectndolo a una batera. Polarizacin directa e inversa Existen dos formas de conectar una batera a una unin P-N. Primero conectar el borne positivo de la batera con el material tipo P y el borne negativo con el material tipo N y la otra conectar el borne positivo con el material tipo N y el borne negativo con el tipo P. A la primera de ellas se la denomina polarizacin directa y a la segunda polarizacin inversa. Veamos qu ocurre en cada una de ellas. Al polarizar directamente una unin P-N el polo negativo de la batera est inyectando electrones al material N, mientras que el polo positivo recibe electrones del lado P crendose as una corriente elctrica. Con esta batera hemos conseguido vencer el obstculo que se haba creado debido a la barrera de potencial existente entre ambos materiales. De nuevo los electrones y los huecos pueden pasar libremente a travs de la frontera.

Sin embargo, al polarizar inversamente una unin P-N no se crea una corriente en sentido opuesto sino que, curiosamente, no hay corriente alguna. Esto es por que los huecos libres del tipo P se recombinan con los electrones que proceden del polo negativo de la batera, y los electrones libres del tipo N son absorbidos por sta, alejndose tanto huecos como electrones de la unin, en vez de vencer nuestra barrera de potencial sta se ha hecho ms grande y no existe corriente; aunque, para ser exactos, s existe una corriente y esta es la producida por los portadores minoritarios, pero es demasiado pequea e inapreciable.