ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

E S F O T

Carrera: Electrnica y Telecomunicaciones

Materia: Laboratorio de Electrnica I

PRCTICA

Ttulo: AMPLIFICADOR FUENTE COMUN

MARCO TEORICO:

FET: Transistor de efecto de campo, curva caracterstica, resistencia del canal El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre si. Ver la figura Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente (S). Ver el grfico.

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal La curva caracterstica del FET Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye.

Si ahora se repite este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene un conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor negativo. Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (ver grficos a la derecha) Para saber cual es el valor de la corriente se utiliza la frmula de la curva caracterstica de transferencia del FET. Ver grfico de la curva caracterstica de transferencia de un transistor FET de

canal tipo P en el grfico inferior. La frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] )

donde: - IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) - Vgs es el voltaje entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID Resistencia del canal RDS Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del canal), se puede comparar este comportamiento como un resistor cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es slo vlido para Vds menor que el voltaje de estriccin (ver punto A en el grfico). Entonces si se tiene la curva caracterstica de un FET, se puede encontrar La resistencia RDS con la siguiente frmula: RDS = VDS / ID Los smbolos del FET son:

Informe: Mida el voltaje sobre la resistencia R7 sin el condensador. Voltajes de dolarizacin: VG = 0 ; VD = 13.49 ; VS = 0.22 ; Vi = 0.25 ; Vo = 0.9 ; Vpp = 2.76V Voltajes de dolarizacin sin condensador: VG = 0 ; VD = 13.6 ; VS = 0.21 ; Vi = 0.26 ; Vo = 0.3 ; Vpp = 800mV Tabule y grafique los valores calculados y medidos:

Comente las diferencias que podran existir entre los valores calculados y los valores medidos: Estas diferencias existen porque los elementos tienen cierta tolerancia y margen de error que casi no se toma en cuenta al momento de calcular los valores de los circuitos, y estos errores o diferencias que existen son notables al momento de medir dichos datos.

Conclusiones y recomendaciones. Se debe tomar en cuenta la posicin del JFET al momento de empezar a hacer las respectivas medidas, ya que se puede quemar el JFET por ser muy sensible a la temperatura. Los datos en el voltaje de dolarizacin con y sin condensador no son muy notorios. Antes de alimentar el circuito revisar las caractersticas del JFET.