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Transistores de unión bipolar

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Diego Rosales / 142269 Transistores de unión bipolar A principios del siglo XX, la electrónica comenzó a desarrollarse con rapidez debido

a un nuevo elemento, llamado tubo de vacío o bulbo. Este dispositivo comenzó únicamente como un diodo, pero poco tiempo después se le fueron añadiendo terminales agregándole diferentes funcionalidades. El bulbo fue muy utilizado en la radio y la televisión a tal grado que su producción era de cientos de millones. Sin embargo, en el año de 1947, un invento revolucionó la electrónica como la conocían: el transistor. Este dispositivo, al igual que los bulbos, lograban amplificar señales. Sin embargo, el transistor lo hacía sin necesidad de calentarse, con mucho más eficiencia, utilizando mucho menos espacio y siendo considerablemente menos delicado. El transistor consta de tres capas. Una de material tipo p, otra de tipo n y una última de tipo p. A este transistor se le llama pnp, por el orden de sus capas. Existen también transistores npn (dos capas de material n y una de tipo p). Cabe destacar que las capas exteriores tienen un espesor mucho mayor que la capa central (alrededor de 150:1), y que el dopaje de la capa interior es menor al de las capas exteriores (cerca de 10:1). El transistor consta de tres partes: el Colector, la Base y el Emisor. El colector y el emisor se encuentran conectados a las capas exteriores, mientras que la base se encuentra conectada a la capa central. A este tipo de transistores se les conoce como transistores de unión bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor). Para que el diodo pueda funcionar, se necesita polarizar directamente la región Emisor-Base e inversamente la región Base-Colector, para un transistor pnp (lo contrario ocurre para un transistor npn). La corriente entonces fluirá de Emisor a Colector, pasando muy poca corriente por la Base. Esto es debido a que por las dimensiones del elemento central, éste tendrá una baja conductividad, por lo que sólo una pequeña cantidad de portadores mayoritarios tomarán esa trayectoria. Entonces la mayoría de estos portadores se irá por la tercera capa formando una corriente mucho mayor. De este modo, la corriente del emisor IE es igual a la suma de la corriente de la base IB con la corriente del colector IC.. Cabe destacar que los semiconductores son sensibles a la temperatura, por lo que habrá que considerarlo al momento de trabajar con transistores a temperaturas altas.

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