C

1











C
C
U
U
R
R
S
S
O
O


D
D
E
E


E
E
L
L
E
E
T
T
R
R
Ô
Ô
N
N
I
I
C
C
A
A
D
D
E
E
P
P
O
O
T
T
Ê
Ê
N
N
C
C
I
I
A
A

















C
2
Capítulo I - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES.................................................................... 4
1. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO( SCR ) ........................................................ 4
1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ................................................................................... 4
1.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA............................................................ 4
1.3 - CURVA CARACTERÍSTICA DO SCR......................................................................... 7
1.4 - TIPOS DE SCR`s............................................................................................................ 8
1.5 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM SCR.................................................... 8
1.6 - TESTE DE UM SCR....................................................................................................... 9
1.7 - IDENTIFICAÇÃO E PARÂMETROS PARA A ESCOLHA DE UM SCR.................. 9
2. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO DE MÃO DUPLA “O TRIAC” ................ 11
2.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ................................................................................. 11
2.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA.......................................................... 11
2.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO TRIAC.................................................................. 12
2.3 - TRIAC`s COMERCIAIS .............................................................................................. 13
2.4 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM TRIAC.............................................. 13
2.5 - TESTE DE UM TRIAC................................................................................................. 14
3. O TRANSISTOR UNIJUNÇÃO( UJT ) .................................................................................. 14
3.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ................................................................................. 14
3.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA.......................................................... 14
3.3 – PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO......................................................................... 15
3.4 - PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA........................................................... 15
3.4 – IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DO UJT.......................................................... 16
3.5 – TESTE DE UM UJT...................................................................................................... 16
4.O DIAC ( DIODO DE CORRENTE ALTERNADA )............................................................... 17
4.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS................................................................................. 17
4.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA.......................................................... 17
4.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIAC..................................................................... 17
4.3 –IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM DIAC................................................. 18
4.4 –TESTE DO DIAC........................................................................................................... 18
4.5 – APLICAÇÕES PARA O DIAC..................................................................................... 18
5. O IGBT( TRANSISTOR BIPOLAR DE GATILHO ISOLADO )............................................ 19
5.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS................................................................................. 19
5.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA.......................................................... 19
5.3 - PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO......................................................................... 20
5.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO IGBT..................................................................... 21
5.4 – IGBT´s COMERCIAIS ................................................................................................ 21
5.5 –PINAGEM DO IGBT..................................................................................................... 22
C
3
5.6 –VANTAGENS DO IGBT................................................................................................ 22
Capítulo II – CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES..................................................... 25
1 – INTRODUÇÃO..................................................................................................................... 25
2 – DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CC NO GATILHO............................................ 25
3 - DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CA NO GATILHO........................................... 25
4 - CONTROLE DE FASE COM SCR....................................................................................... 26
5 - CONTROLE DE FASE COM TRIAC .................................................................................. 29
6 – DISPARO POR REDE DEFASADORA............................................................................... 32
7 – DISPARO POR PULSOS E COMPONENTES ASSOCIADOS............................................ 34
8 – TRANSFORMADORES DE PULSO.................................................................................... 34
9 – ACOPLADORES ÓPTICOS OU ISOLADORES ÓPTICOS................................................. 35
10 – CIRCUITO DE DISPARO PULSADO COM UJT.............................................................. 38
11 – CIRCUITO DE DISPARO COM TCA-785......................................................................... 44
12 – OUTROS MÉTODOS DE DISPARO DO SCR................................................................... 49
Capítulo III - CIRCUITOS RETIFICADORES.......................................................................... 51
1.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE MEIA-ONDA.................................... 53
2.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA.......................... 56
3.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM PONTE..... 57
4.RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO MONOFÁSICO EM PONTE.................................. 59
5.RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE MEIA-ONDA ......................................... 64
6. RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM PONTE ......... 66
7. RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO TRIFÁSICO EM PONTE...................................... 67
Capítulo IV ................................................................................................................................. 68
CIRCUITOS CONVERSORES CC-CC E COMUTAÇÃO CC.................................................... 68
1. CIRCUITOS CONVERSORES............................................................................................... 68
2.CIRCUITOS DE COMUTAÇÃO PARA SCR.......................................................................... 72
Capítulo V................................................................................................................................... 74
CONVERSÃO DE FREQUÊNCIA............................................................................................. 74
1.INVERSORES......................................................................................................................... 75
1.1– PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO.......................................................................... 75
1.2 - INVERSORES TRIFÁSICOS ....................................................................................... 77
2. CICLOCONVERSORES......................................................................................................... 80
2.1 -PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO........................................................................... 81
2.2 - CICLOCONVERSOR TRIFÁSICO ............................................................................. 83
BIBLIOGRAFIA ........................................................................................................................ 83



C
4

Capítulo I - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

1. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO( SCR )

1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS

 CONCEITO
É um dispositivo que se comporta como um diodo, porém solicita de uma
autorização para que haja condução.

1.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA

- Os diodos são formados por dois pedaços de material semicondutor
( P – N );

- Os transistores são formados por três blocos de material semicondutor
( P-N-P ou N-P-N );

- O SCR apresentam uma constituição interna com quatro camadas de
material semicondutor dispostos em “pilha”.




























P
P
N
N
G
A
K
ANODO
CATODO
GATILHO
( a )
( b )
Fig. 1.1 – a) estrtura interna de um SCR
b) Símbolo do SCR
C
5
 EQUIVALÊNCIA COM DOIS TRANSISTORES






















Efetuando-se um hipotético corte inclinado nas “pilhas” de materiais
semicondutores que forma o SCR, teremos, como mostra a configuração acima, duas
estruturas equivalentes a dois transistores bipolares: Um PNP e outro NPN.
Percebamos que tudo se passa como se a base do transistor PNP estivesse ligada ao
coletor do NPN. Esta observação é fundamental para entendermos o por quê do SCR
permanecer “ ligado” após a retirada do pulso em seu gatilho, explicado mais tarde.





















DIRETA
INVERSA
DIRETA
+
P
P
N
N
+

+
P
P
N
N
G
+

ANODO(A)
CATODO(K)
GATILHO
A
K
G
Fig. 1.2 – a) Corte inclinado em um SCR
b) Modelo de um SCR com transistores
P
N
N
C
K
E
B
P
P
N
G
A
C
E
B
PNP
NPN
G
A
K
+
-
( a )
( b )
Fig. 1.3 – Equivalência com diodos
C
6
 CONDUÇÃO DE UM SCR

Observamos na figura 1.3 que mesmo quando o SCR é diretamente polarizado, ele
não é capaz de conduzir, mesmo com dois diodos diretamente polarizados, mas haverá uma
junção inversamente polarizada localizada no meio do super sanduíche, representada pelo
diodo do meio, que diodo “chato” não é? Logo não adianta apenas polarizar diretamente o
SCR, é preciso trabalharmos com um terceiro terminal, conectado ao terceiro bloco de
material, conforme mostra a figura 1.3 acima. Sem a atuação desse terminal, o SCR não
permite a passagem da corrente elétrica, pois a polarização dos seus diodos “internos” é “
conflitante” . Vejamos então o que acontece se aplicarmos uma polarização positiva ao
terminal G, como mostra a figura 1.4, logo a seguir.
Ao conectarmos o terminal G ao positivo, a junção inferior do “sanduíche” fica
polarizada no sentido de condução, permitindo a passagem de uma pequena corrente,
chamada de “ corrente de gatilho”, como mostra a seta tracejada menor. Esta corrente pode
adquirir níveis perigosos para o SCR, portanto usualmente é utilizada uma resistência de
gatilho para limitá-la, e assim manter a integridade do dispositivo, e não danificá-lo.
Ao surgir, contudo, essa pequena corrente, através da junção( A ), diretamente
polarizada, ocorre um interessante fenômeno, nas “ tripas” do SCR: Essa pequena corrente
como que “ arrasta” consigo os portadores de carga existentes na junção( B ), fazendo com
que a mesma se “ desinverta”, para efeitos práticos, e permitindo assim a livre passagem de
intensa corrente entre o anodo e o catodo. O SCR então entra no que chamamos de estado
de condução, e até quando?
O SCR mesmo ao retirarmos a conexão do gatilho, após o mesmo ter sido
polarizado, ele se mantém conduzindo, esta é uma característica muito importante do SCR,
e isto só é possível graças a sua configuração equivalente a dois transistores apresentada na
figura 2, vejamos: Suponha que polarizamos o SCR diretamente( terminal A positivo e
terminal K negativo ), assim que aplicarmos polarização positiva ao terminal G, a base do
transistor NPN receberá tal polarização, fazendo com que esse transistor entre em
condução. Ao entrar o transistor NPN em condução, a sua “resistência interna”, entre
emissor e coletor, baixa bastante, permitindo então que a polarização negativa atinja, com
facilidade, a base do transistor PNP. O transistor PNP, por sua vez, ao receber em sua base
essa polarização negativa, também entra em plena condução, “trazendo” polarização
positiva à base do transistor NPN, assim, todo o conjunto entra e permanece em condução,
podemos então resumir este círculo vicioso em uma pequena frase: “ Eu te ajudo, e você
me ajuda”... E Este processo de condução tem fim? ...

RG
P
N
P
N
+
-
Corrente intensa
Corrente
pequena de
gatilho
A
K
A
B
Figura 1.4 – Circulação de corrente em um SCR
C
7
Claro que tem, existe algumas formas de se bloquear o processo de condução de
um SCR : Uma delas é desligar a fonte do circuito e outra é curto circuitar os terminais
do dispositivo, ou seja, o anodo com o catodo. Essas são algumas ações verificadas em
circuitos CC, outras também utilizadas são chamadas de comutação forçada, onde são
elaborados circuitos para que se faça a comutação do SCR no momento desejado. Em
circuitos CA há o que chamamos de comutação natural, pois o simples fato do sinal
alternado passar por zero, desliga o SCR.

1.3 - CURVA CARACTERÍSTICA DO SCR
























 PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA

V
BO
- Tensão de Breakover.

I
H
- ( Holding current), corrente de retenção ou de manutenção:
A corrente de manutenção é o valor de corrente anódica abaixo do qual o
SCR irá entrar em estado de corte.

I
L
– (Latching current), corrente de engatamento ou disparo:
A corrente de disparo é o menor valor de corrente anódica que deve circular
no SCR, a fim de que possamos retirar o sinal do gatilho e o dispositivo permanecer
conduzindo.










V
BO
V
BO
I
máx
V
CA
I
A
I
L
I
H
Característica de
bloqueio reversso
Característica de
bloqueio direto
(a)
+
V1
RL

I
A
V
AC
(b)
Figura 1.5 a)Curva característica do SCR
b)Circuito para obtenção da curva característica
C
8
1.4 - TIPOS DE SCR`s















1.5 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM SCR






















Invólucros típicos de SCR´s de baixa potência
Figura 1.6 - SCR´s comerciais


Tipos de Tiristores - rosca

Tipos de Tiristores - disco

Módulo de Tiristores
K

G
A
Figura 1.7 - SCR e seus terminais
G – Gatilho

A – Anodo

K – Catodo


C
9

1.6 - TESTE DE UM SCR




















Notamos que na figura 1.8a o multímetro mostra que não há condução, mesmo com
polarização direta A(+) e K(-), isto acontece devido a autorização não ser solicitada através
do Gatilho(G).
Na figura 1.8b observa-se que o SCR permite a condução, pois curto-circuitando os
terminais A e G com a ponteira positiva do multímetro, um pulso positivo é dado no
gatilho, solicitando a autorização, logo verificamos uma diminuição na resistência indicada
pelo instrumento.
Na figura 1.8c, retomamos a ligação feita na figura 1.8a, porém a resistência se
mantém baixa devido a característica que o SCR apresenta de permanecer em condução
após o pulso de disparo, isto só é possível se sua corrente de manutenção for suficiente para
tal.
1.7 - IDENTIFICAÇÃO E PARÂMETROS PARA A ESCOLHA DE UM SCR
Com a folha de dados técnicos de um SCR em mãos, é importante que saibamos o
significado de alguns parâmetros existentes na mesma para que possamos especificar o
nosso SCR, são eles:

 DADOS TÉCNICOS DE TENSÃO:












G
K
A
K
G
K
A
K
G
K
A
K Figura 1.8 – Sequência de testes do SCR

V
DRM
V
RWM
V
DWM
V
RRM
V
D
V
RSM
V
DSM
V
R
t

Figura 1.9 - Sinal da rede com os transientes
V
RSM
: Pico de tensão reversa não repetitivo(surto). Esta
capacidade é quotada para transientes com o tempo de duração
t s 10ms.
V
RRM
:

Pico de tensão Reversa repetitivo. É o valor de pico dos
transientes que ocorrem em todos os ciclos.
V
RWM
: Tensão de crista de trabalho, no estado de corte, aplicada
no sentido inverso.
V
DSM
: Tensão de pico não repetitivo(surto), no estado de corte,
aplicada no sentido direto.
V
DRM :
Tensão de pico repetitivo,

no estado de corte, aplicada no
sentido direto.
V
DWM
: Tensão de crista de trabalho, no estado de corte,
aplicada no sentido direto.

c)
b) a)
C
10
Obs: Quando o tiristor é operado diretamente na rede de energia elétrica, é recomendável
que se escolha um dispositivo cujas capacidades de tensão de pico repetitiva V
RRM
e V
DRM

sejam pelo menos 1.5 vezes o valor de pico da tensão senoidal de alimentação, ou seja,
V
DRM >
V
DWM.


 DADOS TÉCNICOS DE CORRENTE

I
TAV
: Valor médio da forma de onda ideal de corrente da rede durante um ciclo,
supondo a condução durante 180º
I
TRMS
: Corrente RMS(eficaz) no estado de condução.
I
TRM
: Corrente de pico repetitiva na condução.
I
TSM
: Corrente de pico não repetitiva(surto) na condução. Este tempo é
estabelecido para ½ ciclo do sinal da rede.
I
H
: Corrente de manutenção( Holding Current ). É o valor de corrente anódica
abaixo do qual o SCR corta.
I
L
: Corrente de engatamento( Latching Currente ). É o mínimo valor de corrente
anódica necessário para o engatamento do tiristor.

 DADOS TÉCNICOS GATILHO-CATODO

V
GRM
: Tensão reversa máxima de gatilho.
V
GD
: Tensão máxima aplicada ao gatilho que não provocará o chaveamento do
estado de bloqueio para o estado de condução.
I
GTM
: Máxima corrente de disparo de gatilho.
I
GT
: Mínima corrente de disparo de gatilho.
P
GM
: Máxima dissipação de potência no gatilho.

Obs: Uma folha de especificação consta em anexo no final deste material.

 CODIFICAÇÃO DA SÉRIE TIC

Devido a família dos tiristores da série TIC ser a mais comumente encontrada no
mercado, efetuaremos a identificação dos tiristores através dos códigos impressos
no corpo dos mesmos, como mostram os exemplos relacionados nos itens a seguir:

1 – Número 1(um) iniciando o número da série representa tiristor unidirecional
( SCR ) e o número 2(dois) iniciando o número de série representa tiristor
bidirecional.

Ex: TIC 106


2 – A letra que segue o número da série representa a tensão V
DRM
(

Tensão
máxima direta, com tiristor bloqueado).


Ex: TIC 106 - A


Indica tiristor unidirecional Indica tiristor bidirecional TIC 206
100V
TIC 106 - B

200V
C
11

2. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO DE MÃO DUPLA “O TRIAC”

2.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS

a) CONCEITO:
É um dispositivo que permite a passagem de corrente em ambos os sentidos,
conhecido também como dispositivo bidirecional, já que o SCR é um dispositivo
unidirecional.

2.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA
O TRIAC “por dentro” é equivalente a dois SCR`s ligados em paralelo, porém
“cada um olhando numa direção”... Os terminais de controle ( gatilhos ) são “juntados”
para que ambos os SCR`s possam ser autorizados através de um único contato esterno,
como pode ser visto na figura 1.10.
Percebemos então que a constituição interna de um TRIAC apresenta as mesmas
características de um SCR.


















 PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRIAC

O TRIAC funciona da seguinte maneira:

Normalmente o componente fica intercalado entre a carga e a rede de
alimentação CA e ao receber, pelo seu terminal de gatilho( G ) uma polarização positiva(
em relação ao terminal M2), “entra em condução plena”, permitindo a passagem da
corrente elétrica pela carga, nos dois sentidos, como mostram as setas. Para que a corrente
na carga permaneça, contudo, é necessário que a polarização positiva no gatilho também
seja constante, isso porque, da mesma forma que ocorre com o SCR, o TRIAC “desliga”
sempre que a tensão entre seus terminais M1 e M2 cair a “zero”( ainda que
momentaneamente).



M1
M2
G
K
A
A
K
G
G
SÍMBOLO
Figura 1.10 – a) Simbololgia
b) Constituição interna
( b )
( a )
C
12

2.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO TRIAC





















Como pode ser observado, o TRIAC pode conduzir nos dois sentidos de
polarização. E no que diz respeito aos parâmetros da curva, são equivalentes aos vistos
na curva do SCR.
Uma diferença importante entre o TRIAC e o SCR que podemos citar é que o SCR
requer uma tensão de gatilho positiva, enquanto o TRIAC irá responder tanto a uma
tensão de gatilho positiva quanto a uma negativa. Isto significa dizer que o seu disparo,
que pode ser em qualquer direção, pode ser reduzido fazendo-se o gatilho mais positivo
ou mais negativo, com relação ao M1, que é usado como terminal de referência.
Em suma, pode-se dizer que a curva característica do TRIAC mostra as
características de um SCR nas duas direções, e quanto aos parâmetros da curva, a
denominação e conceito são equivalntes aos definidos na curva característica do SCR.

 DESVANTAGENS DO TRIAC EM RELAÇÃO AO SCR
Embora o TRIAC tenha a capacidade de controlar a corrente nas duas direções e
responder a correntes e gatilho que fluam em qualquer destas direções, o dispositivo
apresenta certas desvantagens quando comparado ao SCR. Em geral, os TRIAC`s têm
valores de corrente menores que os do SCR e não competem com estes quando correntes
extremamente elevadas devem ser controladas.
A frequência máxima na qual o TRIAC pode operar, fica em torno de 300Hz, visto
que o mesmo opera nos dois semiciclos da rede.








Figura 1.11 – Curva característica do TRIAC
I
C
13
2.3 - TRIAC`s COMERCIAIS
No comércio, através da consulta do data Book, encontramos TRIAC`s com valores
de I
TRMS
de até 300A e valores de V
DRM
de até 1.6kV. Por estes dados, podemos perceber
que 300A é pouco, frente ao SCR que possui valores de corrente acima de 3000A. Nas
figuras 1.12 e 1.13, respectivamente são mostrados alguns tipos de encapsulamentos
fabricados para o mercado e alguns TRIACS fabricados para potências mais altas. O
invólucro mais conhecido é o TO220(TO220AB) dos quais se utilizam as séries TIC”xxx”,
BTA12”AAA” e vários tantos outros triacs mais comuns.












2.4 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM TRIAC






















M1

G
M2
G – Gatilho

M1 – Anodo 1 ou Main Terminal 1

M2 – Anodo 2 ou Main Terminal 2

Obs: Main Terminal = Terminal principal
Figura 1.14 – Terminais do Triac
Figura 1.12 – Tipos de encapsulamento do TRIAC
Figura 1.13 – TRIAC’s para alta potência
T0202-1 T092 T0220AB T0202-2 T0P3 RD91
C
14
Alguns invólucros de TRIACS apresentam denominações diferentes com relação
aos terminais de ligação, a figura 1.15 mostra um conjunto desses invólucros.





2.5 - TESTE DE UM TRIAC
Na prática, devemos encontrar duas resistências baixas no teste do TRIAC. Estas duas
resistências baixas são entre os terminais M1 e gatilho, nos dois sentidos de
polarização(algo em torno de 10 a 200ohms), pois estamos pegando a resistência da
pastilha P comum a estes dois terminais.
O terminal que sobrou, quando encontramos duas resistências baixas, é o M2, inclusive
o M2, na maioria dos casos, é a carcaça do TRIAC.
Para identificarmos quem é M1 e gatilho, devemos consultar o manual, pois através do
teste prático não podemos diferençar estes dois terminais.

3. O TRANSISTOR UNIJUNÇÃO( UJT )
3.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS

 CONCEITO
É um transistor que comporta apenas de uma única junção.

3.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA
Formado por dois blocos de material semicondutor, um do tipo P e outro do
tipo N, semelhante a um diodo. O material P, entretanto é de dimensões bem
reduzidas em relação ao material N, ficando como que Embutido no mesmo, como
mostra a figura 1.16.








Figura 1.16 – Constituição interna



P
N
EMISSOR
BASE 2
BASE 1
UJT

Figura 1.17 – Simbologia
E
B2
B1
Figura 1.15 – Invólucros com denominações de terminais ligeiramente diferentes
C
15
3.3 – PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
De acordo com o diagrama estruturado( fig. 1.18 ) onde representa o transistor de
unijunção, caso o terminal B2 seja ligado ao positivo de uma fonte de Alimentação
E o terminal B1 ao negativo de tal fonte, uma corrente muito pequena circular
Através dos “resistores série”, RB2 e RB1. Isto ocorre devido os valores
ôhmicos desses resistores serem elevados( semicondutor). Porém
ao aplicarmos uma tensão positiva ao terminal E, estaremos
polarizando diretamente o diodo, dessa forma uma corrente I
começará a circular no sentido indicado, como mostra a figura 3.2.













Assim que a tensão de entrada ultrapassar 0.6V, que é o limite mínimo, a
resistência interna da base( RB1 ) cai significativamente para um valor muito baixo,
fazendo com que a corrente que percorre B2 para B1, aumente sua intensidade. Caso o sinal
de tensão caia para valores abaixo de 0.6V, imediatamente a resistência interna RB1 “sobe
”, novamente para um valor elevado impedindo assim que haja circulação de corrente.




3.4 - PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA

V
P
- Tensão de pico.
Esta tensão também é conhecida como tensão de disparo do UJT .



RB1
RB2
E
B1
B2
I
+
-
D1
DIODE
RB2
RB1
+
-
Q1
UJT
Figura 1.18 – Condução do UJT e diagrama estruturado
Figura 1.19 – Curva característica do UJT
C
16

q - (Intrinsic Stand-off ratio) Relação intrínseca de corte.
É a relação
RBB
RB1
e a faixa de q é de 0.51 a 0.82. Dado que RBB é a
resistência medida entre os terminais de base com o emissor aberto. O valor de RBB
está na faixa de 4KO a 10KO.

I
P
– Corrente de pico.
É a corrente de emissor mínima necessária para disparar o UJT. O valor de I
P

está na faixa de 2µA a 25µA para os diversos UJT’s encontrados no mercado.

V
V
– Tensão de vale.
É o valor de tensão de emissor abaixo do qual ocorre o corte do UJT. Esta
tensão de encontra na faixa de 1V a 5V.

I
V
– Corrente de Vale.
É o valor máximo de corrente de emissor na região de resistência negativa.
A faixa de valores de I
V
Para UJT’s comerciais é de 1mA a 10mA.

3.4 – IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DO UJT



3.5 – TESTE DE UM UJT

Para que se verifique o estado de Um UJT, efetua-se as medições segundo a tabela
de teste resumida , como mostra a tabela 1.1.


POLARIZAÇÃO
RESISTÊNCIA
MEDIDA
B2+ B1- RBB
B2- B1+ RBB
E+ B1- RB1
E- B1+
·
E+ B2- RB2
E- B2+
·


B1 – Base 1

B2 – Base 2

E - Emissor
Figura 1.20 – Terminais do UJT
Tabela 1.1 – Tabela teste do UJT
C
17

4.O DIAC ( DIODO DE CORRENTE ALTERNADA )
4.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS

 CONCEITO
É uma chave bidirecional disparada por tensão, muito utilizada nos circuitos
de disparo, onde a tensão no qual o DIAC é submetido ocorre normalmente entre
20V e 40V.

4.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA

O DIAC é construído, em grande parte, do mesmo modo que um transistor bipolar.
O dispositivo tem três camadas semicondutoras alternadamente dopadas, como se pode ver
na figura 1.21. Entretanto ele difere do transistor bipolar devido às concentrações de
dopagem em torno das duas junções serem iguais e aos terminais conectados unicamente
às camadas externas. Não há conexão elétrica na sua região intermediária. Uma vez que o
DIAC tem apenas dois terminais, ele é geralmente encapsulado em invólucros de metal ou
plástico com terminais axiais. Portanto, o dispositivo lembra em muito um diodo de junção
PN comum na aparência. Porém, ele é, algumas vezes, também encapsulado como um
transistor bipolar convencional, mas com apenas dois terminais.




4.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIAC













Como pode ser observado, a curva característica do DIAC mostra que a condução
do mesmo se dá a partir do momento em que o nível de tensão ultrapassa V
BO
( tensão de
Breakover), em ambas as polaridades, caracterizando assim o DIAC como um componente
bilateral.
P
N
P
T
1

T
2

Figura 1.21 – Estrutura interna do DIAC Figura 1.22 – Símbolos do DIAC
Figura 1.23 – Curva característica do DIAC
C
18

4.3 –IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM DIAC






4.4 –TESTE DO DIAC
Na prática, realizando o teste do DIAC com um multiteste na escala em ohms,
devemos encontrar duas resistências altas entre seus terminais e o resultado sendo positivo,
o dispositivo se encontra em perfeitas condições de uso, caso contrário, o DIAC não estará
em condições de uso.
Em perfeito estado, a resistência entre os terminais do DIAC sempre será alta, pois,
como mostra sua curva característica, apenas sua resistência diminuirá caso a tensão entre
seus terminais seja maior que V
BO
, e a tensão aplicada pelo multímetro não chagará a tanto.

4.5 – APLICAÇÕES PARA O DIAC
O DIAC é aplicado normalmente em circuitos de proteção contra sobretensão,
gerador de dente de serra e disparo de TRIAC. Algumas configurações de circuitos são
mostradas nas figuras 1.25 e 1.26.





























Figura 1.25 – a) Circuito gerador de dente de serra
b) Forma de onda no capacitor
Figura 1.26 – Circuito de proteção contra sobretensão
(a)
(b)

T
1
T
1
Figura 1.24 – Curva característica do DIAC
C
19
5. O IGBT( TRANSISTOR BIPOLAR DE GATILHO ISOLADO )
5.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS

 CONCEITO
Formado por quatro camadas dispostas na sequência P-N-N-P, o IGBT não faz
parte da família dos tiristores, porém este é um componente “híbrido” por apresentar
características tanto dos transistores bipolares(alta velocidade de operação) quanto
dos transistores FET( pequena perda na condução).


5.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA


(a) (b)



A estrutura de um IGBT é constituída em duas partes:
A Primeira envolve o canal–n, juntamente com camadas n
-
, p e dopadas com n
+
.
Este conjunto é chamado de MOSFET, devido o princípio de funcionamento interno se
igualar a este.
A região n
-
é denominada de Dreno (fictício) D’ do MOSFET, a camada da região p
abrange o Gate (G) e alcança a região n-dopada( n
+
) que é conectada a fonte S.
A Segunda envolve uma camada longa contendo uma dopagem p
+
.Chamada de
Substrato, esta camada é responsável pela injeção de portadores minoritários e
parcialmente pela baixa tensão de trabalho e alta condutividade entre o Dreno( D ) e a
fonte ( S ) do IGBT, estando conectada ao Dreno( D ) do IGBT. e sob esta camada é
inserido uma outra contendo uma dopagem n ( n
-
) e logo após esta encontramos uma
camada p, comentadas anteriormente na primeira parte. A formação desta Segunda parte
representa um transistor bipolar pnp, e opera como tal.
O Gate( G ) é isolado eletricamente das porções de dopagem das camadas por uma
camada muito fina de Dióxido de Silício ( SO
2
), este isolante é um tipo particular
denominado Dielétrico, que cria campos elétricos opostos.


(Fonte)
(Dreno)
Figura 1.27 – a) Estrutura interna do IGBT
b) Símbolos do IGBT

C
20
5.3 - PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO














Figura 1.28 – Estrutura interna de um IGBT

FUNCIONAMENTO:

Ao se alimentar positivamente o terminal Gate, haverá a criação de um campo
Elétrico devido a existência do Dielétrico, este campo criado induzirá cargas positivas que
incidirão sobre a região p, onde se faz próximo e repelirá suas cargas positivas( + ),
criando lacunas, e dessa forma ocorrerá a atração de elétrons para esta região, elétrons
estes vindos das n
+
-dopadas, colaborando assim para a formação de um canal que
chamamos canal – n. Com a criação deste canal inicia o processo de condução de
corrente através do IGBT. Esta condução de corrente se dá entre o Dreno( D) e a
Fonte(S), e atravessa a região p, de onde se fez o canal.
Quando começa a circulação de corrente no IGBT ocorre um processo de
recombinação entre os elétrons da camada n
-
e lacunas que são criadas a partir da
camada p
+
(Substrato), pois os portadores da camada n
-
são elétrons e os da camada p
portadores positivos, e ainda devido a este fenômeno ocorre um processo de difusão
através da junção J
2
, pois os elétrons da Fonte (S) tendem também a se recombinarem com
as lacunas em questão. Logo podemos dividir a corrente total de um IGBT em duas
importantes componentes a saber:
- Uma delas se forma quando da formação do canal-n, Há uma circulação de
elétrons entre as regiões n
-
e n
+
via este canal criado na região p. Isto provoca
uma criação de lacunas no substrato p, ocasionando como foi explicado antes,
uma recombinação entre p e n
-
, esta corrente apresenta um valor bastante
substancial para o IGBT.
- A outra está inclusa no processo de difusão através da juncão J
2
, descrita
anteriormente.











C
21
5.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO IGBT
Figura 1.29 a) Circuito típico com IGBT
b) Formas de onda dos sinais de entrada e saída do IGBT
c) Curva característica ideal do IGBT
d) Curva característica real do IGBT

5.4 – IGBT´s COMERCIAIS







IRG4BC30F
SKM 75 GAR 063 D







IRGPC50F

SK 13 GD 063

Figura 1.30 – Tipos comerciais de IGBT






C
22
5.5 –PINAGEM DO IGBT












Figura 1.31 – Terminais do IGBT

5.6 –VANTAGENS DO IGBT

O IGBT atinge limites de tensão e corrente consideravelmente mais elevados do que
dispositivos como o MOSFET que possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando,
tipicamente, entre: 100V/200A e 1000V/20A, enquanto os IGBT´S atingem até
1200V/500A. Tais limites especialmente para os IGBT´s têm se ampliado rapidamente em
função do intenso trabalho de desenvolvimento que tem sido realizado.
Os IGBT´s também apresentam baixas perdas na condução assim como podem
trabalhar em freqüências mais elevadas de até 20kHz, inferiores no caso para os
MOSFET´s que trabalham em freqüências maiores do que 50kHz.


























2
3
1
1 – GATILHO
2 – COLETOR
3 - EMISSOR
C
23

EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM
1) Conceitue um SCR?

2) O SCR TIC126D possui uma corrente de manutenção(I
H
) igual a 40mA. Em um certo
momento, encontra-se passando pelo mesmo uma corrente de 5A, e logo após, por um
motivo qualquer, ocorre uma brusca redução dessa corrente para 30mA. O que você diz
sobre o SCR. O mesmo manterá conduzindo a corrente ou entrará em corte? Explique
porquê.

2) Explique sucintamente, porque não é viável disparar o SCR aplicando sobre o mesmo
uma tensão de breakover com frequência.

4) Dado o TIC106D disposto no invólucro T0220AB, indique a correta pinagem do mesmo.







5) Identifique que defeitos apresentam os SCR´s abaixo, analisando as medidas de
resistência.













C
24
6) Por que motivo o TRIAC é chamado de dispositivo bidirecional?

7) Identifique a pinagem do TRIAC TIC216 a seguir:










8) Dado o transistor de unijunção abaixo, identifique seu defeito a partir das medições
realizadas.

9) De acordo com os testes realizados a seguir, realize o diagnóstico do DIAC










............
............
............
C
25

Capítulo II – CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES

1 – INTRODUÇÃO
O circuito de disparo de Tiristores representa uma das partes mais importantes nos
circuitos de controle. Um correto funcionamento do circuito de disparo, assegurará um bom
funcionamento do tiristor e com isto eficiência no controle a ser realizado.
Neste capítulo estudaremos os diversos tipos de circuitos de disparo dos tiristores,
estes circuitos acionados através de três tipos de fontes: Fonte de sinal CC, fonte de sinal
CA e fontes geradoras de pulsos, descrevendo algumas vantagens e desvantagens entre as
mesmas.

2 – DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CC NO GATILHO

 CIRCUITOS TÍPICOS


















Tendo em vista os circuitos da figura 2.1, é possível calcular o valor das constantes
RG e RL visando, respectivamente, manter o valor de corrente de gatilho abaixo de IG
MAX

e acima de IG
MIN
, e controlar a corrente de anodo que passa pelo Tiristor.
Circuitos desta natureza, apresentam um inconveniente. A corrente no gatilho
permanece o tempo todo. Isto não é necessário, visto que a necessidade da corrente no
gatilho é só na hora do disparo, depois a mesma pode ser retirada. Caso contrário, estamos
dissipando energia no gatilho além do necessário, o que não é conveniente.

3 - DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CA NO GATILHO

O disparo em CA ocorre quando uma amostra deste sinal alcança um valor
suficiente para disparar o Tiristor. Variante com o tempo, o sinal AC alcança o valor de
disparo em um ângulo o, chamado ângulo de disparo. Neste circuito não acarreta da
corrente se manter no gatilho, pois ao Tiristor ser disparado o circuito de gatilho é curto-
circuitado.(Ver figura 2.2 ).

VCC
RL
RG
Figura 2.1 – Disparos de Tiristores com sinal CC.
(Circuitos Típicos )
RG
RL
VCC
C
26

 CIRCUITOS TÍPICOS



















4 - CONTROLE DE FASE COM SCR

Observe o circuito da figura 2.3 e o comportamento da tensão sobre a carga resistiva
R
L
= 100O, mostrado na figura 2.4.

















O circuito da figura 2.3, como podemos observar, alimenta uma carga resistiva de
100O com uma tensão eficaz V
rede
= 127V, através de um SCR TIC 106B, que apresenta
I
GT
= 200µA e V
GT
= 0.6V. A idéia deste exemplo é mostrar que através da escolha de um
valor para o potenciômetro P
1
, tem–se disparos em instantes diferentes em relação ao sinal
alternado de entrada ( V
rede
) através do controle de fase, ou seja, controlar a tensão
fornecida à carga e, portanto a sua potência.

C1
RL
P1
R1
~
V
rede
R1
P1
RL
C1
~ V
rede
Figura 2.2 – Disparos de Tiristores com sinal CA.
(Circuitos Típicos )
Figura 2.3 – Circuito de disparo com SCR
( Controle de fase )
1k
P1 100
V
rede ~
TIC 106B
(200kO)
C
27
 FORMAS DE ONDA


































As formas de ondas características da tensão nos terminais da carga, são mostrados nas
ilustrações acima, observe-se que há um valor médio diferente de zero aplicado a carga
quando a alimentação da mesma é controlado pelo SCR, e este valor médio pode ser
calculado como mostraremos em seguida. É verificado também que a fluxo de potência
aplicada a carga é controlado, podendo-se então fornecer mais ou menos potência. Mas do
que depende este controle de fluxo de potência para a carga?

Vejamos:


O valor médio calculado sobre uma carga quando a mesma recebe um sinal
o
o
o
o
o
Figura 2.4 – Comportamento das tensões na carga para os diversos
ângulos de disparo do SCR
C
28
retificado em meia onda controlado através de um ângulo de disparo, é calculado pela
expressão:





Enquanto o valor eficaz de tensão é dado por:






Logo é possível então aplicarmos estas equações para calcularmos a tensão média e
eficaz aplicadas na carga de um circuito qualquer que se utilize de dispositivos como o
SCR para o controle de potência sobre a mesma. A potência então pode ser calculada pela
expressão que segue: 0






Notamos que assim como a tensão eficaz varia segundo um ângulo, chamado ângulo
de disparo, varia a potência consumida pela carga, conclui-se então que o fluxo de potência
sobre a carga depende do ângulo em que o SCR é disparado.
A tabela abaixo mostra alguns valores de grandezas para os ângulos de disparos em
questão, verificados para o circuito da figura 2.3

Ângulo de
disparo(o)
Tensão na
rede( V
rede
)
Tensão média
na carga( V
medio
)
Tensão eficaz na
carga( V
eficaz
)
Potência consumida
pela carga( P
eficaz
)
2º 6.3V 57.1V 89.8V 80.64W
15º 46.5V 56.2V 89.6V 80.28W
30º 89.8V 53.3V 88.5V 78.32W
60º 155.5V 42.9V 80.5V 64.80W
90º 179.6V 28.6V 63.5V 40.32W

Você pode observar que o valor máximo da tensão de rede é obtido com um ângulo
de disparo de 90º, e isto nos leva a concluir que a partir deste ângulo não temos mais
controle de potência sobre a carga, “e agora José ? ” o que faremos.....
Fique tranqüilo caro leitor, logo adiante mostraremos circuitos de disparo que
permitem variar o ângulo o de 0º a 180º no semiciclo positivo assim como de 180º a 360º
no semiciclo negativo, caso estejamos trabalhando com circuitos para disparar o TRIAC.
No primeiro instante entenderemos o por quê deste limite de controle em torno de
90º, certo?





2
) 1 ( COS V
V
P
médio
+
=





8
2 sen
4 4
1
+ ÷ =
P eficaz
V V
L
eficaz
eficaz
R
V
P
2
=

C
29

Observe a figura 2.5.












Verifica-se que o circuito se encontra projetado de tal forma que quando o sinal de
tensão da rede alcançar 89.8V, o SCR estará com uma corrente de gatilho necessária para
garantir seu disparo, que neste caso se dará em o = 30º. Analisaremos agora para o Caso
em que o = 150º, dado que
0
150 sen . 2 . 127 =
rede
V . Calculando-se o valor desta tensão
encontra-se V
rede
= 89.8V. Opa! Mas esse valor não é o mesmo para o = 30º ? . Pois é caro
leitor, é dessa forma que concluímos a impossibilidade deste circuito atingir ângulos
maiores do que 90º, entendeu? A figura 2.6 ajuda a esclarecer este ponto.















5 - CONTROLE DE FASE COM TRIAC

Semelhante ao SCR, o TRIAC também pode ser utilizado para o controle de fase de
tensão alternada, levando em conta as mesmas considerações adotadas a respeito do limite
do ângulo de disparo do SCR. Um circuito típico de disparo de TRIAC é mostrado na
figura 5.1, bem como as formas de onda para os ângulos o = 2º, o = 15º, o = 30º, o = 60º,
o = 90º adotados para o circuito com SCR, mostradas na figura 2.7





o
Figura 2.5 – Tensão de disparo
Figura 2.6 – Tensão de disparo para o = 30º e o = 150º
o
C
30
















 FORMAS DE ONDA





















Figura 2.7 –Circuito de controle de fase com TRIAC
100
R1
R2
100
0.1uF
~
Figura 2.8 – Comportamento das tensões na carga para os diversos
ângulos de disparo do SCR
C
31


Observa-se nas formas de onda da figura 2.8 que o controle de fase no TRIAC,
diferente do controle em SCR’s, é feito nos semiciclos positivo e negativo.
Assim como os resultados do circuito com SCR, é possível calcular os valores de
V
médio
, V
eficaz
e a P
eficaz
utilizando circuitos com TRIAC’s através das relações matemáticas
mostradas a seguir:







A partir dessas relações, obtemos assim uma tabela para os ângulos de disparo em
questão mostrados nos gráficos da figura 2.8

Ângulo de
disparo(o)
Tensão na
rede( V
rede
)
Tensão média
na carga( V
medio
)
Tensão eficaz na
carga( V
eficaz
)
Potência consumida
pela carga( P
eficaz
)
2º 6.3V 0 127V 161.29W
15º 46.5V 0 126.8V 160.78W
30º 89.8V 0 125.2V 156.75W
60º 155.5V 0 113.9V 129.73W
90º 179.6V 0 89.8V 80.64W

Observando com cuidado a tabela, podemos destacar duas grandezas que
apresentam valores curiosos em relação a tabela destinada ao SCR. Pois bem, uma delas é a
tensão média na carga( V
medio
), que apresenta valor nulo para todos os ângulos de disparo,
você sabe o porquê?
Caso você preste atenção nas formas de onda apresentadas na figura 2.8, o ângulo
de disparo é igual nos dois semiciclos e como a forma de onda da tensão na carga é
simétrica, o seu valor médio é nulo.
A outra grandeza é a potência eficaz consumida pela carga. Verifica-se que a mesma
para o circuito com TRIAC’s apresenta valores maiores do que aquelas observadas para os
circuitos com SCR’s, e você sabe porque?
Para um ângulo de disparo de 2º é visto que na figura 2.8, mais senóide é aplicada a
carga, comparado ao observado na figura 2.6, e isto significa dizer que mais potência é
fornecida à carga. Dessa forma é fácil entendermos que uma mesma lâmpada acenderá com
mais intensidade quando ligada a um circuito com TRIAC, e menos intensidade quando
ligada a um circuito com SCR.
Vimos que até o momento, trabalhamos com circuitos de disparo que limitam o
ângulo em até 90º, no semiciclo positivo e 270º no semiciclo negativo, este controle de
potência portanto não é completo, ou seja, não se desenvolve de 0º a 180º e 180º a 360º,
variando a potência desde 0(zero) até o valor máximo, o controle desta natureza é estudado
no tópico seguinte, que trata sobre disparo por rede defasadora.




0 =
médio
V





4
2 sen
2 2
1
+ ÷ =
P eficaz
V V

L
eficaz
eficaz
R
V
P
2
=

C
32
6 – DISPARO POR REDE DEFASADORA

A idéia destes circuitos é produzir um ângulo de disparo o’ maior que 90º em
relação à tensão da rede, na figura 2.9 representado por o + u.















A figura 2.9 mostra que a tensão de rede ao alcançar o valor de V
o
, o disparo
acontece para um certo ângulo o, deslocado o sinal de tensão no circuito de disparo de um
ângulo |, verifica-se que o disparo se dará em um ângulo maior que o primeiro, ora, então
descobrimos a filosofia da solução do nosso problema, pois dessa forma podemos disparar
o tiristor sob ângulos maiores que 90º, não é mesmo? Identificamos então um circuito
típico capaz de gerar este sinal defasado, como mostra a figura 2.10













O ângulo |( discutido anteriormente ) que representa a defasagem da tensão de
disparo, tomada sobre o capacitor, em relação a tensão da rede, depende do valor da
constante de tempo t = ( R
1
+ R
2
)C
1.
Variando-se valor do resistor R
2
, é possível então
alterar o valor do ângulo de defasagem em questão, mudando assim o ângulo em que
ocorrerá o disparo do SCR.
O diodo D
1
garante que só haverá corrente de gatilho no semiciclo positivo da
tensão da rede, evitando perdas desnecessárias no gatilho do SCR quando este estiver
bloqueado.
O diodo D
2
conduz no semiciclo negativo carregando C
1
com tensão negativa. Isso
garante que, em cada semiciclo positivo, o capacitor comece sempre a se carregar a partir
de uma tensão fixa, mantendo a regularidade do disparo.
o = Ângulo de disparo normal
| = Atraso da rede defasadora
u = Defasagem no disparo
o’ = Ângulo de disparo com rede
defasadora.
Figura 2.9 – Comportamento da tensão de disparo com rede
defasadora
D2
carga
R2
R1
C1
SCR
D1
V
rede
Figura 2.10 – Circuito típico de disparo com rede defasadora
C
33

EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM
1) Dado o circuito abaixo, responda por que não é viável sua utilização.











2) Responda se o circuito de disparo em CA, como mostra a figura abaixo, apresenta vantagem sobre o
circuito de disparo CC, montado no exercício ( 1 ). Justifique sua resposta.










3) Partindo do circuito mostrado na figura abaixo, explique sucintamente a idéia de como podemos disparar
em instantes diferentes o SCR, de acordo com o sinal alternado de entrada.







VCC
RL
RG
R1
P1
RL
C1
~ V
rede
1k
P1 100
V
rede ~
TIC 106B
(200kO)
C
34
4) Qual a vantagem do controle do fluxo de potência efetuado com o TRIAC comparado com o SCR?
5) Responda se é possível controlarmos o valor médio de tensão na carga, utilizando-se um circuito com
TRIAC. Justifique sua resposta.
6) Explique a função dos diodos D1 e D2 no circuito abaixo.













7 – DISPARO POR PULSOS E COMPONENTES ASSOCIADOS

O disparo por pulsos é vantajoso em relação ao disparo CC no que diz respeito a
potência dissipada na junção gatilho - catodo além da possibilidade de obter isolação entre
os sinais de disparo e o dispositivo. Esta isolação, “Galvânica”, não permite a passagem de
corrente de um lado para outro do circuito, mantendo assim a integridade do dispositivo.
Esta isolação normalmente é feita através de “ Transformadores de pulso” e
“ Acopladores ópticos”, estudados mais adiante.

8 – TRANSFORMADORES DE PULSO

Especialmente projetados para a transmissão de pulsos de disparo aos SCR’s e
TRIAC’s, os transformadores de pulso devem apresentar como exigência um ótimo
acoplamento entre o primário e secundário além de possuir uma elevada isolação (
tipicamente da ordem de kV ), esta isolação é importante para evitar que tensões
desenvolvidas nos enrolamentos, em função da operação normal do conversor, possam
causar-lhes danos, e quanto ao acoplamento ser perfeito pode ser melhor entendido nas
ilustrações mostradas na figura 8.1.



Figura 2.11 – Espalhamento da corrente ao longo do disparo
D2
carga
R2
R1
C1
SCR
D1
V
rede
C
35
Verifica-se portanto a medida que a corrente no gatilho é injetada transversalmente,
uma corrente Anodo – catodo vai encontrando uma maior facilidade na passagem ao longo
da seção do dispositivo, porém caso não haja conformidade nesta distribuição, devido a um
possível mau acoplamento, a corrente I se concentrará mais em uma única região
provocando um aquecimento( ponto quente ) podendo danificar o componente.

 TRANSFORMADORES DE PULSO COMERCIAIS









9 – ACOPLADORES ÓPTICOS OU ISOLADORES ÓPTICOS
Estes dispositivos surgiram na década de 70 e foram desenvolvidos com a finalidade
de isolar pulsos de disparo.
Os acopladores ópticos consistem em uma fonte de luz(fotoemissor) e um
fotosensor, que deve ter alta sensibilidade na faixa de frequência de luz emitida pelo
fotoemissor. O fotosensor pode ser um transistor ou até um SCR ou TRIAC, disparados
num mesmo invólucro, como ilustra a figura 2.13.








Um inconveniente em usar acopladores ópticos com transistor é a necessidade de
uma fonte adicional, para polarizar o circuito de coletor do transistor e fornecer a corrente
de gatilho ao SCR ou TRIAC.
Imagine, caro leitor, que você agora deseje disparar um tiristor utilizando-se de um
acoplador óptico com transistor, como mostra a figura 2.13, verifique que será necessário
uma fonte adicional para polarizar o circuito de coletor do transistor e assim fornecer a
corrente de gatilho para efetuar o devido disparo, isto não será inconveniente?
Figura 2.12 – Transformador de pulso
Figura 2.13 – a) Esquema interno de acoplador óptico
b) Acoplador óptico com fototransistor
c) Encapsulamento do componente

a)
b)
c)
C
36
Claro que sim, pois haveria um circuito mais complexo para o disparo de seu
tiristor, pois bem, há uma solução interessante para este caso, que é o uso de acopladores
ópticos com tiristores, ilustrado na figura 2.14.














 TIPOS COMERCIAIS











 CIRCUITO DE DISPARO COM FOTOTRIAC














Observe na figura 2.16 que para que seja acionado o TRIAC Q
1
, o sistema digital
deve fornecer nível lógico “1” a entrada de controle da porta nand. Assim, o pino 2 do
MOC3011 vai para nível lógico “0” e o led D
2
fica polarizado diretamente, disparando o
fotosensor Q
2
e, como consequência, o TRIAC Q
1
.

Figura 2.14 – Circuito integrado MOC3011

Figura 2.16 – Circuito típico de disparo com o MOC3011

VCONTROLE
R3
R2
+V
F1
R1
“1”
1/4 - 7400
D
2
Q
2
Q
1
CARGA

MOC3011

MOC3020
MOC3021
MOC3022
MOC3023
Figura 2.15 – Circuito típico de disparo com o MOC3011

C
37
Para podermos especificar um circuito integrado desta natureza é importante
estarmos atento a dois parâmetros: A tensão máxima reversa(V
RRM
) e a corrente máxima
direta(I
D
), suportadas pelo elemento fotosensor, no caso o TRIAC.
Uma breve análise do comportamento do circuito com o MOC3011 quanto ao uso
dentro de seus parâmetros máximos, é feito para que possamos ter a idéia da sequência de
cálculos para um bom dimensionamento do circuito de disparo.
A partir da figura 2.16 e dado as características do TRIAC Q
1
, assim como do
circuito integrado MOC3011 faremos a análise.












Visto que a tabela 2.1 nos mostra os parâmetros do MOC3011, a corrente I
A
de
entrada do pino 1(anodo do led) deve ser inferior a 50mA,. Para não danificar o dispositivo,
e deve ser superior a 10mA, para garantir o disparo de Q
2
.
Desejamos então dispararmos o TRIAC Q
2
, tendo no pino 2 nível lógico “0”, a
corrente I
A
vale:

mA
R
V
I
F
A
3 . 12
300
3 . 1 5 5
1
=
÷
=
÷
=

Desta forma o MOC3011 está protegido e garante o disparo do TRIAC interno Q
2.

Para garantirmos a proteção do TRIAC Q
2
, a partir da carga a ser acionado, é
necessário calcularmos o valor do resistor R
1
, inserido no pino 6, vejamos:

O = = = 29 . 161
100
) 127 (
2 2
L
REDE
L
P
V
R

Portanto, a corrente máxima no pino 6 será:

A
R R
V
I
L
REDE
529 . 0
29 . 341
2 127
2
6
= =
+
=

Isto garante que o TRIAC interno não será danificado, pois opera com corrente
menor que máxima permitida(I
6
= 1.2A).
Garantidas então as condições normais de trabalho do MOC3011, é possível
determinar o que nível de tensão da rede, o TRIAC Q
1
irá Disparar, dado que saibamos seus
parâmetros.
A partir da tabela 9.1, temos que I
GT
= 100mA e V
GT
=2V, considerando que V
T

=3V (TRIAC Q
2
), obtemos então através do circuito em questão:
PARÂMETROS DO MOC3011
LED
I
A

10mA(min) 50mA(max)
V
F

1.3V-10mA

TRIAC
V
RRM,
V
DRM
250V(min)
V
T
3V(max) – 100mA
I
6
1.2A(max)

PARÂMETROS DO TRIAC Q
1

V
GT
2V
I
GT
100mA

Tabela 2.1 – Parâmetros do TRIAC e do MOC 3011
C
38


2 1
1 2
) ( ) (
R R
Q V Q V V
I
GT T REDE
GT
+
÷ ÷
=


29 . 341
2 3
10 100
3
÷ ÷
=
÷ REDE
V
x , V V
REDE
13 . 39 =

Isto significa que a tensão da rede ao atingir 39.13V, o TRIAC Q
1
será disparado.
Você deve estar questionando o fato do controle de potência, não estar disponível
nesta tipologia de circuito, não é? Pois bem, é possível sim criarmos um controle de ângulo
de disparo nesta topologia de circuito, basta inserirmos no pino 6 um resistor variável(R
V
),
e logo teremos disparos para vários valores de tensão da rede. Porém temos que ter um
cuidado especial com o mínimo valor para esta resistência inserida no pino 6, pois poderá
haver um aumento de I
6
superior ao suportado pelo TRIAC Q
2
.
Uma recomendação para evitarmos este tipo de problema, é inserirmos em série
com o resistor variável(R
V
) uma resistência que garante o valor limite quando este resistor
estiver próximo de zero(0), como ilustra o circuito da figura 2.17
















10 – CIRCUITO DE DISPARO PULSADO COM UJT

OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM UJT













R1
RB2
RB1
+
VCC
C1
UJT
B1
B2
E
(a)
rb1
RB1
rb2
RB2
D1
DIODE
R1
C1
+
VCC
B2
B1
E
(b)
Figura 2.18 a) Circuito típico de um oscilador com UJT
b) Oscilador de relaxação com circuito equivalente do UJT
Figura 2.17 – Circuito de disparo com MOC 3011
100W
R1
180
5V
F1
1A
R2
300
V
Rede


D
2
Q
2
Q
1
V
controle
“1”
MOC3011
1/4 - 7400
R3
C
39
 PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO

Observe a figura 2.19, inicialmente ao aplicarmos uma tensão VCC, o capacitor se
carregará até que o diodo dom emissor comece a ficar polarizado diretamente. Quando a
tensão no capacitor atingir a tensão de disparo do UJT(V
p
), O mesmo conduz, temos então
uma diminuição de r
b1
, permitindo então que o capacitor C
1
se descarrega sobre (R
B1
+ r
b1
).
Esta descarga se dará até que o UJT entre novamente no estado de corte.














Este ciclo se repete segundo constantes de tempo, de carga e descarga, formando
assim um circuito oscilador.
E o que são constantes de tempo? Vejamos,
Por definição, uma constante de tempo é o tempo necessário para que o capacitor se
carregue( ou descarregue) em até 63% do valor de tensão de entrada no circuito, e é dada
pela expressão t = RC.
No nosso caso temos duas diferentes constantes de tempo a considerar, a de carga e
a de descarga, respectivamente representadas pelas expressões: t
carga
= R
1
C
1
e
t
descarga
= (R
B1
+ R
B1
) C
1
, e o comportamento das mesmas então observados na figura 2.20.



















D2
DIODE
RB1
rb1
C1
R1
+
VCC1
B1
E
Figura 2.19 – Circuito equivalente ao oscilador de relaxação após o corte do UJT
V
E

t
2

V
B2

V
B2

V
B1

V
B1

V
V

V
P

t
1

Tensão de disparo
Tensão contínua em B
1
Tensão de vale
Tensão no terminal
B
1
( usada para
disparar tiristores)
Tensão no terminal B
2

t
t
t
0
Figura 2.20 – Circuito equivalente ao oscilador de relaxação após o corte do UJT
C
40

Verifica-se que de 0 a t
1
, o capacitor se carrega através de R
1
, com constante de
tempo t
carga
= R
1
C
1.
Em t
1
, o UJT dispara e entre t
1
e t
2
, o capacitor se descarrega com uma
constante de tempo t
descarga
= (r
B1
+ R
B1
) C
1,
de valor menor do que t
carga.

Aprendemos então como funciona o circuito de um oscilador de relaxação com
UJT, mas de que forma podemos nos servir do mesmo para disparar um SCR ou TRIAC?
Veja bem, caro leitor, observe que na figura 2.20, a forma de onda adquirida no
terminal de B
1
representa pulsos de tensão e exatamente estes que são utilizados para
disparar os tiristores em questão. O circuito típico para o disparo de SCR´s ou TRIAC´s é
mostrado na figura 2.21.














 PROJETO DE UM OSCILOSDOR DE RELAXAÇÃO COM UJT
Para que um SCR seja disparado com sucesso através de um circuito como
mostrado na figura 2.21, é preciso especificarmos os parâmetros do mesmo.
É necessário então efetuarmos alguns cálculos baseando nas características
do UJT, assim como nas características do SCR que desejamos acionar, um
exemplo ilustrativo é do SCR que desejamos acionar, um exemplo ilustrativos é
mostrado a seguir, apresentando a você de que forma podemos obter os
parâmetros deste circuito oscilador.
Para o projeto em questão iremos considerar o circuito da figura 2.21, com o
UJT 2N2646 e o SCR TIC 106, onde algumas de suas características são
apresentadas a seguir:


UJT – 2N2646
q
0.56(min) 0.75(max)
r
bb
4.7kO(min) 9.1kO(max)
I
p
1µA(tip) 5µA(max)
I
v
4mA(min) 6mA(tip)

SCR – TIC106
V
GD
=0.2V

V
GT
=1V

- CÁLCULO DOS PARÂMETROS R
1
, R
2
, R
3
E C
1

CÁLCULO DE R2:
carga
R3
R2
R1
C1
UJT
SCR
+
Vcc
Vrede
~
Figura 2.21 – Circuito típico de disparo de SCR com UJT
C
41
Um valor prático de R
2
é calculado em torno de 15% de r
bb
, verificado nas
características técnicas do dispositivo.
CÁLCULO DE R
3
:
Dado Vcc, calcula-se o valor de R
3
através da relação:





CÁLCULO DE R
1
:

O valor do cálculo do resistor do emissor(R
1
) deve ficar dentro do seguinte
limite:

p
p cc
v
v cc
I
V V
R
I
V V
÷
< <
÷
1

A partir da seção 3.4 que trata dos parâmetros do UJT, temos que V
V
=2V, I
V
= 4mA
e I
P
= 4µA escolhidos assim para efetuarmos o cálculo em questão. Porém Vp é encontrado
através da expressão:
BB D p
V V V  + >


onde V
D
= 0.6, q = 0.6 e ÷
+ +
÷ =
3 2
2
R R R
R V
V V
BB
cc
cc BB
V
3
e Sabendo que V
3
< 0.6V,
consideraremos então V
3
= 0.3V
.

CÁLCULO DO CAPACITOR C
1
:
Para o cálculo do capacitor, devemos fixar uma faixa de frequência
de operação do circuito. O valor de C
1
é então calculado pela expressão que
segue:

|
|
.
|

\
|
÷
=
 1
1
ln
1
1
1
f R
C , dado que são conhecidos os valores de R
1
, f e q.
Como exemplo, aplicamos então uma tensão de alimentação Vcc = 12V e
queremos que a saída do circuito oscile com uma frequência de 1kHZ. De posse então
desses dados de entrada e de acordo com a ferramenta de cálculo de cada parâmetro
obtemos então o valor dos mesmos mostrados no circuito da figura 2.22.

R
2
= 1kO, R
3
= 220O, R
1
= 10kO e C
1
= 0.1µF








Vcc
r R x
R
bb
(min)) ( 6 . 0
2
3
+
<

carga
R3
R2
R1
C1
UJT
SCR
+
Vcc
Vrede
~
10kO
0.1µF
1kO
220O
Figura 2.22 – Circuito típico de disparo
de SCR com UJT
C
42

EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM
1)Cite uma vantagem do disparo por pulsos em relação ao disparo CC.

2) Qual a função do transformador de pulso em um circuito de disparo?

3) Cite algumas vantagens do uso de um acoplador óptico no disparo de um tiristor?

4)Dado o circuito abaixo, e consultando os dados técnicos necessários, dimensione o circuito com o objetivo
de protegermos o optoacoplador?








5) Dado o circuito abaixo, explique de que forma é possível retardarmos o disparo do UJT.



















VCONTROLE
R3
R2
+V
F1
R1
“1”
1/4 - 7400
D
2
Q
2
Q
1
CARGA(R
L
=500O)

V = 110V
5V
R1
RB2
RB1
+
VCC
C1
UJT
B1
B2
E

C
43

 OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM UJT SINCRONIZADO COM A REDE

No circuito de disparo visto anteriormente, há um pequeno problema: O ângulo de
disparo(o) é aleatório, pois o circuito gerador de pulsos fica oscilando independente do
sinal da rede. Quando isto
ocorre, os pulsos enviados podem “pegar” a senóide a cada ciclo, em momento diferente.
Como mostra a fig. 2.23 abaixo:










Para evitar o problema do ângulo o ficar aleatório, devemos sincronizar
funcionamento do circuito de disparo com o sinal que alimenta o circuito de potência.
Um circuito típico de disparo sincronizado com a rede é mostrado na figura 10.7:















Este circuito funciona da seguinte forma: No semiciclo negativo da tensão de rede,
o diodo zener funciona como um diodo normal, pois é polarizado diretamente como mostra
a figura 2.25:










R1
RB1
RB2
UJT
D1
R
C1
~
Figura 2.23 – Formas de ondas para o circuito de disparo
Com o aleatório
de disparo de SCR com
Figura 2.24 – Circuito sincronizado de disparo com UJT
R1
D1
~
V
rede
V
rede
I
Figura 2.25 – Etapa de estabilização zener
C
44
Neste instante o oscilador estará
em curto e o UJT não irá disparar,
permitindo assim que não haja alguma
dissipação desnecessária no gatilho, já
que no semiciclo negativo o SCR não
deve conduzir, como de costume.
No semiciclo positivo, até que a
tensão de rede atinja a tensão V
Z
, o
diodo zener estará bloqueado. A partir
daí o diodo zener irá manter a tensão,
no circuito gerador de pulsos,
estabilizada no valor de V
Z
, isto
ocorrerá logo no início do semiciclo
positivo.
Uma vez alimentado, o circuito
oscilará normalmente e o primeiro
pulso(com ângulo o em relação à tensão
da rede) irá disparar o SCR.

Os demais pulsos são desnecessários, mas inevitáveis neste circuito e como os sinais
são repetitivos, ou seja, as condições de carga repetem-se em todos os semiciclos negativos,
o primeiro pulso ocorrerá sempre com o mesmo ângulo o, como pode ser visto na figura
2.26.



11 – CIRCUITO DE DISPARO COM TCA-785
O TCA-785 é um circuito integrado desenvolvido para controlar o ângulo de
disparo de tiristores, continuamente de 0º a 180º.













O TCA-785 faz parte de um grupo de circuitos integrados de disparo. A finalidade
destes circuitos é a de facilitar o projeto de circuitos de disparo e torná-los mais compactos
e confiáveis.
Dentre suas excelentes características é possível destacar:
 Largo campo de aplicação devido à possibilidade de controle externo;
 Operação em circuitos trifásicos, utilizando-se 3(três) CI´s;
 Duas saídas com corrente de disparo( TCA-785 - 250mA), duas saídas adicionais
complementares;
Figura 2.26 – Formas de ondas para o circuito de disparo
sincronizado com a rede.
Figura 2.27 – Circuto integrado TCA 785
C
45
 Duração de pulsos de disparo determinado por um capacitor externo;
 Detecção de passagem de tensão por zero volt;
 Possibilidade de inibição dos pulsos de disparo;
 Faixa de fonte de alimentação de 8V a 18V;
 Consumo interno de corrente até 10mA.

 DIAGRAMA DE BLOCOS DO TCA-785



Para melhor entendermos o funcionamento deste circuito, analisaremos suas principais
etapas.

 DETETOR DE PASSAGEM POR ZERO
Vimos a importância do circuito de disparo estar em sincronismo com a rede, para que
não ocorra disparos aleatórios dos tiristores. TCA-785 apresenta um bloco chamado
DPZ(Detector de Passagem por Zero) que gera um pulso de sincronismo toda vez que a
tensão da rede passa por zero. A entrada para a tensão de referência de sincronismo é no
pino 5, como mostra a figura 2.28.




Figura 2.28 – Diagrama de blocos do TCA 785
Figura 2.29 – a)Detalhe parcial do TCA 785
b) Conexão de referência
a)
b)
C
46
Quanto a tensão de alimentação V
S
(pino 16) pode variar dentro do intervalo
8Vs V
S
s 18V, pois a alimentação interna do TCA-785 é regulada em 3.1V pelo
próprio CI, de uma tensão de alimentação externa(V
S
), como pode ser observada na figura
2.29.

 GERADOR DE RAMPA
O gerador de rampa(cujo controle está na unidade lógica) consiste essencialmente de
uma fonte controlada por uma resistência R
R
. O tempo de subida da rampa é assim
determinado pela combinação R
R
e C
R
, como pode ser observado na figura 2.30.
A tensão fornecida pelo gerador de rampa varia linearmente com o tempo(reta), ou
seja, a tensão dobra se o intervalo de tempo dobrar. Em outras palavras, a tensão cresce
proporcionalmente ao aumento do tempo, como se vê, por exemplo, na figura 2.30.















A equação então que rege este comportamento da tensão de rampa(V
CR
), no
capacitor(c
r
) é dada por:

t x
C
I
V
R
CR
CR
=

Verifica-se então que a equação impõe restrições quanto ao valor de C
R
, logo para o
correto funcionamento do circuito, devem ser considerados os valores mínimos e máximos
adotados na prática 500pF e 1µF, respectivamente. Um valor elevado de C
R
tornaria a
descarga do mesmo muito lenta, comprometendo o novo ciclo de carga e,
consequentemente, o sincronismo do disparo.












Figura 2.30 – Saída de um gerador de rampa
C
47
 COMPARADOR DE DISPARO DO TCA-785
A finalidade deste bloco é comparar a tensão de rampa(V
R
) com a tensão de
controle(V
C
), quando estas forem iguais, envia pulsos nas saídas, via unidade lógica.
Obtém-se, então, no pino 15, pulsos positivos no semiciclo positivo da tensão de
sincronismo e no pino 14, pulsos positivos no semiciclo negativo da tensão de sincronismo,
defasadas entre si de 180º.
Uma ilustração do bloco comparador, bem como as formas de onda do sinal de
controle e rampa são mostrados na figura 2.31

















Observe na figura 2.31 que a mudança de estado na saída V
O
do bloco comparador
de disparo indicará ao bloco lógico de formação de pulsos, que um pulso de disparo deve
ser acoplado a uma de suas saídas, a duração destes pulsos é determinada pela conexão de
um capacitor externo C
12
, entre o pino 12 e o terra e amplitudes iguais a tensão de
alimentação do pino 16.
Na tabela 2.2 é apresentada uma relação de capacitores para o pino 12 com as
respectivas larguras de pulsos.

C
12
Aberta 150pF 220pF 33pF 680pF 1000pF Curto
| = 620µs/qF 30µs 93µs 136µs 205µs 422µs 620µs 180º - o

Assim podemos monitorar a largura dos pulsos adquiridos nas saídas do bloco
lógico de formação dos pulsos.
A figura 2.32 ilustra as formas de onda dos sinais de interesse do TCA 785,
apresentando os pulsos adquiridos com larguras diferentes.











Figura 2.31 – a)Comparador de disparo do TCA
b) Sinal aplicado ao bloco lógico de formação de pulsos
b)
a)
C
48




































Figura 2.32 – Formação dos pulsos de disparo

Observa-se então com mais clareza que os pulsos são criados a partir de interseção
do sinal de controle(V
controle
) com o sinal de rampa(V
CR
), e é fácil de percebermos em que
caso elevarmos ou abaixarmos o sinal de controle, o pulso irá se deslocar para frente ou
para trás, respectivamente. Verifica-se também o quanto a largura do pulso é alterada
quando alteramos o valor do capacitor C
12
, conectado ao pino 12, na verdade, no primeiro
momento o pino é deixado aberto e no segundo momento o mesmo é curto-circuitado.







C
49

12 – OUTROS MÉTODOS DE DISPARO DO SCR
Os métodos que estudamos até o momento são dedicados a sinais aplicados ao
gatilho do dispositivo, disparando-o sob uma tensão bem menor que sua tensão de
breakover.
Neste tópico analisaremos as possíveis formas de ocorrer o disparo do S R onde
alguns destes são indesejáveis e por tal motivo, proteções deverão ser utilizadas para evitar
disparos acidentais.

 DISPARO POR TENSÃO DE BREAKOVER(V
BO
)
Existe um valor de tensão anodo-catodo capaz de levar o SCR do estado de
corte para o estado de condução, sem aplicações de corrente de gatilho(i
g
=0),
conhecido como tensão de Breakover. Este processo de disparo, nem sempre
destrutivo, raramente é utilizado na prática, pelo fato de necessitarmos de valores
elevados de tensão capaz de fazer o SCR conduzir.

 DISPARO POR RUÍDO ( SINAIS DE INTERFERÊNCIA)
Esta forma de disparo é indesejável, pois um tiristor poderá conduzir a
qualquer momento, desde que o gatilho capte estes sinais de interferência. Este
tipo de disparo só ocorre para a linha de SCR´s mais sensíveis(ex.: TIC 106)
onde pequenos níveis de sinal no gatilho são suficientes para disparar o
componente.
Para evitarmos um disparo indesejável por ruído, deveremos utilizar um
resistor do SCR. Na figura 2.33 temos a localização do resistor que evita o
disparo do SCR por ruído e vale a pena ressaltar que em alguns casos(ex.: TIC
116, TIC 126) este resistor já vem colocado internamente no componente.









Figura 2.33 – Disparo por ruído

 DISPARO POR VARIAÇÃO DE TENSÃO(dV/dt)
Toda junção PN reversamente polarizada, apresenta característica capacitiva.
Observe a figura 2.34










Figura 2.34 – Capacitância refletida na junção
J
2


RG

A
G
K
C
50
A partir do circuito da figura 2.34, observe que ao fecharmos a chave CH
1,
a
capacitância da junção J
2
fará com que circule uma corrente de gatilho. Caso o valor da
corrente capacitiva seja suficiente para que haja o processo regenerativo, o SCR entra em
condução, é aplicado um disparo acidental podendo atém provocar sérios danos ao sistema,
como por exemplo um grave curto-circuito.
Muito bem, caro leitor, a questão é como reduzirmos este efeito, certo? Então
partimos do conhecimento que o capacitor possui a propriedade de se opor a variações de
tensão, visto que a tensão nos seus terminais cresce de forma gradativa.
Podemos reduzir o efeito da variação brusca de tensão no SCR, colocando um
circuito que amorteça esta variação. Este circuito é constituído de um ramo RC em paralelo
com os terminais anodo e catodo do SCR, que impedirá que a tensão entre anodo varie
bruscamente. Este circuito é conhecido como Snubber(amortecedor).










 DIS
PA
RO
POR AUMENTO DE TEMPERATURA
A medida que a temperatura é aumentada, diversos parâmetros do SCR variam tais
como, I
fuga
, V
BO
e I
H
.
Notamos que o aumento de temperatura, facilita o disparo do SCR, uma vez que um
aumento da corrente de fuga, diminuição de V
BO
e uma diminuição I
H
, ou seja, as
alterações nestes parâmetros contribuem para uma maior facilidade de disparo do
componente.

 DISPARO POR LUZ
A incidência de luz em uma junção pode fazer surgir elétrons livres na mesma. A
medida que aumenta a incidência de luz, aumenta o número de elétrons livres. Para
ocorrer tal tipo de disparo, o componente deve apresentar uma janela que propicie a
entrada da luz. Na verdade, o componente disparado pela luz é o LASCR(SCR
ativado à luz). O papel do gatilho, neste componente, é possibilitar o controle da
intensidade de luz necessária para o disparo do mesmo.










Figura 2.35 – Circuito SNUBBER

C
51

EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM
1)Explique a função do diodo zener(D1) no circuito abaixo

2)Cite algumas vantagens do TCA 785
3) Explique o funcionamento do circuito detector de passagem por zero, mostrado abaixo

4)Na configuração do circuito mostrado abaixo, responda qual a função dos diodos D1 e D2?








5)Responda porque é importante mantermos o capacitor e o resistor de rampa fixos?



SAÍDA
S1
60 Hz
VCC
C
R3
R2
R1
C
52
6)Responda em qual dos casos abaixo, há um capacitor de valor mais elevado conectado no pino 12 do TCA.









7)Explique o que você entende sobra tensão de BREAKOVER
8)Responda de que forma podemos minimizar os efeitos do disparo por ruído em SCR´s tipo TIC 106.
9)Responda de que forma podemos minimizar os efeitos do disparo no SCR causado por variação de tensão
ocorrida no momento de ligação de um sistema.
10)Explique de que forma um aumento de temperatura pode fazer com que um SCR dispare.

Capítulo III - CIRCUITOS RETIFICADORES

Neste capítulo trataremos dos circuitos retificadores controlados, também chamados
de conversores CA-CC, aplicados no fornecimento de uma tensão contínua, de valor médio
variável à carga.
Entre diversas aplicações de retificadores controlados, podemos destacar:
 Controle de velocidade de motores CC por tensão de armadura variável, nas indústrias
de aço e papel;
 Fontes de tensão CC variável para alimentação de inversores usados no controle de
motores de indução por variação de frequência;
 Controle de velocidade variável para ferramentas elétricas portáteis.

Entre os retificadores monofásicos e trifásicos estudados neste capítulo, temos:
1. Retificador controlado monofásico de meia-onda;
2. Retificador controlado monofásico de onda completa;
3. Retificador controlado monofásico de onda completa em ponte;
4. Retificador semi-controlado monofásico em ponte;
5. Retificador controlado trifásico de meia-onda;
6. Retificador controlado trifásico de onda completa em ponte;
7. Retificador semi-controlado trifásico em ponte.


(A)
(B)
C
53
1.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE MEIA-ONDA

1.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA

 CIRCUITO
Figura 3.1 – a) Circuito retificador controlado de meia onda.

FORMAS DE ONDA

Figura 3.2 – a) Formas de onda para carga puramente resistiva
b)Formas de onda para carga indutiva



CARGA
60 Hz
C
54

1.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA

 Carga puramente resistiva


) cos 1 (
2


+ =
Vmáx
V
DC


 Carga indutiva


) cos (cos
2
 

÷ =
Vmáx
V
DC
, onde | = t + o’ e representa o ângulo
de corte do SCR, resultado do atraso da corrente na carga devido a ação da indutância na
carga, como observado na figura 2.2b.

1.c) CIRCUITO COM DIODO DE CIRCULAÇÃO

 Estrutura








Figura 3.3 – Retificador monofásico de meia onda a SCR com diodo de circulação

 Funcionamento

O circuito da figura 2.3 apresenta duas etapas de funcionamento distintas, conforme
mostra as figuras 2.4

a e 2.4b.











Figura 3.4 – a) 1
a
etapa de funcionamento
b) 2
a
etapa de funcionamento

CARGA
60 Hz
L
R
60 Hz


i
L

(a)
L
R
60 Hz

i
L

(b)
C
55
 FORMAS DE ONDA
(a) (b)
Figura 3.5 – a) Formas de onda para um ângulo de disparo o pequeno
b)Formas de onda para um ângulo de disparo o elevado



C
56
Observa-se na figura 2.5 que o valor de o’ = 0, ou seja, o valor médio da
tensão na carga, torna-se independente da carga. Desta forma, para uma dada carga
indutiva, o diodo de circulação provoca um aumento no valor médio da tensão na carga, em
relação à estrutura sem este diodo.

2.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA

2.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA

 CIRCUITO
Figura 3.6 – a) Circuito retificador controlado de onda completa.


 FORMAS DE ONDA
CARGA
60 Hz

Figura 3.7 – Formas de onda do circuito retificador
controlado de onda completa.

C
57
2.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA


 Carga puramente resistiva



) cos 1 ( 

+ =
Vmáx
V
DC


 Carga indutiva


) cos (cos  

÷ =
Vmáx
V
DC
, onde | = t + o’ .


3.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM
PONTE

3.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA

 CIRCUITO









Figura 3.8 – Circuito retificador controlado de onda completa em ponte.


















CARGA
60 Hz
C
58
 FORMAS DE ONDA


















































Figura 3.9 – Formas de onda do circuito retificador de onda completa em ponte.

C
59
3.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA

 Carga puramente resistiva


) cos 1 ( 

+ =
Vmáx
V
DC


 Carga indutiva


) cos (cos  

÷ =
Vmáx
V
DC
, onde | = t + o’ .

Observa-se do ponto de vista funcional que como é necessário os pulsos de disparo
simultâneos dos SCR 3 e SCR 4 ou SCR 1 e SCR 2, é aconselhável que os pulsos
aplicados a estes SCR´s provenham de um mesmo circuito, portanto é importante que
tenham os transformadores de pulso com dois enrolamentos secundários.
Este circuito apresenta vantagens sobre o circuito anterior devido ao melhor
aproveitamento da tensão de saída do transformador, pois este aproveita todo o
enrolamento secundário, já que o outro só aproveita a metade.
Verifica-se também neste circuito que o comportamento da corrente de saída não é
senoidal, isto ocorre devido ao processo de chaveamento do SCR´s, fazendo com que a
mesma se torne contínua pulsante. Este fato evidencia um problema bastante discutido hoje
na escala industrial, que é a “injeção de harmônicos” na rede.


4.RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO MONOFÁSICO EM PONTE

4.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA

 CIRCUITO
Figura 3.10 – Circuito retificador semi - controlado em ponte.









CARGA
60 Hz
C
60
 Funcionamento

O circuito da figura 2.11 apresenta quatro etapas de funcionamento distintas,
conforme mostra as figuras 3.11a, 3.11b,3.11c e 3.11d.


























Figura 3.11 – Etapas do funcionamento da ponte mista com carga R-L :
a) 1
a
etapa - o s wt s t
b) 2
a
etapa - t s wt s t + o
c) 3
a
etapa - t +o s wt s 2 t
d) 4
a
etapa - 0 s wt s o














SCR2
D2
L
R
SCR1
D1
60 Hz

b)
SCR2
D2
L
R
SCR1
D1
60 Hz

a)
SCR2
D2
L
R
SCR1
D1
60 Hz

d)
SCR2
D2
L
R
SCR1
D1
60 Hz

c)
C
61
 FORMAS DE ONDA









































Figura 3.12 –Formas de onda do circuito retificador controlado de onda completa em
ponte, sem diodo de retorno







C
62
4.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA

 Carga puramente resistiva e carga indutiva


) cos 1 ( 

+ =
Vmáx
V
DC


O retificador semi-controlado, apresenta algumas vantagens e desvantagens com
relação ao controlado. Entre as vantagens, é possível citar a economia de componentes
diante da substituição de SCR´s por diodos semicondutores, e quanto as desvantagens é a
não possibilidade deste conversor ser utilizado na operação como inversor . Uma outra
desvantagem que ele apresenta, é uma maior distorção na corrente de saída devido aos
trechos em que a mesma se anula, como pode ser verificado na figura 2.12.

4.c) CIRCUITO COM DIODO DE CIRCULAÇÃO

 Estrutura

Figura 3.13 – Circuito retificador semi - controlado em ponte com diodo de circulação.

 Funcionamento
O circuito da figura 2.14 apresenta a atuação do diodo de circulação no circuito em
questão.












Figura 3.14 – Circuito retificador semi - controlado em ponte com diodo de circulação.



CARGA
60 Hz
DR
D2 D4
SCR3
SCR1
CARGA
60 Hz
C
63
O diodo D4 ao ser diretamente polarizado em wt = t, o mesmo aplica uma tensão
reversa em D2 que bloqueia . Dessa forma a corrente passa a circular por D4 e SCR1,
mantendo a tensão na carga nula. Perceba que na verdade ocupamos um SCR acionado,
atrasando seu estado de bloqueio. E o que este processo tem haver com o diodo de
circulação, também chamado de “diodo de retorno” ?
Ao inserirmos um diodo de retorno em paralelo com a carga, proporcionamos um
caminho preferencial, chegando a conduzir antes do diodo D4, permitindo assim que o
SCR1 reassumia sua condição de bloqueio antes do disparo de SCR3.

 Formas de onda



































Figura 3.15 –Formas de onda do circuito retificador controlado de onda completa em ponte,
com diodo de retorno.




C
64
EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM

RETIFICADORES CONTROLADOS MONOFÁSICOS

1)Explique a principal função de um conversor CA-CC(Retificador controlado)
2)Cite algumas aplicações dos conversores CA-CC
3)Explique a função do diodo de retorno no circuito abaixo





4)Responda o que acontece com a tensão média sobre a carga quando o diodo de retorno é retirado do circuito
do iten (3)
5)Responda em qual dos circuitos abaixo, obtém-se maior valor de tensão média na carga.
6)Cite uma vantagem do circuito retificador de onda completa sobre os demais anteriores.
7)Cite uma desvantagem e uma vantagem do circuito retificador semicontrolado em ponte sobre o circuito
retificador controlado também em ponte

5.RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE MEIA-ONDA

5.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA

CIRCUITO











Figura 3.16 – Circuito retificador controlado trifásico de meia onda.


VC
VB
carga
VA
SCR
3
SCR
2
SCR
1
I
0
CARGA
60 Hz
CARGA
60 Hz
CARGA
60 Hz
C
65
 FORMAS DE ONDA



Figura 3.17 –Formas de onda do circuito retificador trifásico controlado de meia onda.


5.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA

 Carga indutiva




cos
2
3 3 Vmáx
V
DC
=


Neste caso, para dimensionarmos os dispositivos semicondutores utilizamos a
relação que segue:


ef DRMáx
v V 2 3 =






C
66
6. RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM
PONTE

6.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA

 CIRCUITO

Figura 3.18 – Circuito retificador controlado trifásico de onda completa em ponte.

 FORMAS DE ONDA



























Figura 3.19 –Formas de onda do circuito retificador trifásico controlado de onda completa
em ponte.


2
5 3
6 4
VC
VB
carga
1
VA
C
67

6.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA

 Carga indutiva




cos
3Vmáx
V
DC
=


7. RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO TRIFÁSICO EM PONTE

7.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA

 CIRCUITO

Figura 3.20 – Circuito retificador semi - controlado trifásico em ponte.

 FORMAS DE ONDA






















Figura 3.21 –Formas de onda do circuito retificador trifásico semi-controlado.

4 2 6
5 3
VC
VB
carga
1
VA
C
68

7.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA

 Carga indutiva


) cos 1 (
2
3


+ =
Vmáx
V
DC



Capítulo IV
CIRCUITOS CONVERSORES CC-CC E COMUTAÇÃO CC

1. CIRCUITOS CONVERSORES
Há diversas aplicações industriais que se utilizam de uma fonte de alimentação
contínua para obter tensão CC variável, como por exemplo na aplicação de veículos de
tração, acionados por motores CC. Para que estas aplicações sejam possíveis, é preciso
utilizar conversores CC chamados de conversores Chopper. O circuito destes conversores é
mostrado na figura abaixo.












Figura 4.1 – Circuito básico chopper.

A idéia de funcionamento deste circuito está baseada na aplicação ou não de tensão
à carga, segundo o fechamento e abertura, respectivamente da chave CH. Porém a
continuidade de corrente através da carga é percebida através do diodo de retorno DR,
quando a chave CH mantém-se aberta.
Podemos assim resumir o comportamento da tensão na carga, através do gráfico
mostrado na figura 4.2

Figura 4.2 – Forma de onda na carga
CH
carga
DR
+
V
V
0
t
ON
V

t

t
OF
C
69

A partir então deste gráfico, definimos então o valor médio da tensão na carga, que
é dado por:

f T V
T
T V
V
ON
ON
DC
= =


Através desta expressão, observamos que é possível variarmos o valor médio na
carga( V
DC
) de três maneiras diferentes:

1. Variando T
ON
e mantendo o T constante, também chamado controle por largura
de pulso ou MLP(Modulação por Largura de Pulso)
2. Mantendo T
ON
ou T
OF
constante e variando T, ou seja, modulação em
frequência.
3. Variando T
ON
e T.

1. Modulação por Largura de Pulso(MLP)
Figura 4.3 – Controle MLP

Neste controle e a partir da expressão da tensão média( v
dc
), observa-se que
mantendo a frequência constante, basta aumentarmos ou diminuirmos a largura do
pulso para que tenhamos um aumento ou diminuição no nível médio de tensão na carga.










V
0
t
ON
t
ON
T

T

t

t

V
0
V

V

C
70
2. Modulação em freqüência
Nesta modulação, T
ON
ou T
OFF
são mantidos constantes enquanto a frequência f é
variável, como ilustra a figura 4.4

















Observa-se que o emprego desta modulação dificulta o projeto de filtros para aliviar
possíveis interferências devidas ao chaveamento, devido a variação de frequência
apresentada.

3. Variação de T
ON
e T








V
0
t
ON
T

T

t

t

V
0
V
V
t
ON
V
0
t
OF
T

T

t

t

V
0
V

V

t
OF
Figura 4.4 – Controle de modulação em
frequência
Figura 4.5 – Controle com t
OF
fixo

C
71
Este tipo de controle evidencia a variação da frequência f, o que implica como no
caso anterior, em dificuldade para projeto de filtros. A figura 4.5 ilustra este tipo de
controle.
Dentre estas técnicas, a técnica de modulação mais utilizada é a modulação por
largura de pulso devido a mesma apresentar vantagens sobre os outros nas quais foram
identificados problemas quanto a variação da frequência no que se diz respeito a
dificuldades do projeto de filtros.

Para o controle de tensão aplicada à carga, discutido anteriormente, o emprego de técnicas
tradicionais como por exemplo, a inserção de uma resistência variável entre a fonte e a
carga, como mostra o circuito da figura 3.6, era bastante utilizado, até que, com o advento
dos semicondutores, este modo de controle vem sendo substituído por chaves estáticas
( SCR ) para o caso de correntes elevadas, transistores ( para o caso de correntes baixas ).









Figura 4.6 – Obtenção da tensão CC desejada através da variação de uma
resistência.
O método tradicional ainda hoje utilizado e que implica na colocação de uma
resistência em série com a carga, torna-se insuficiente devido ao excedente de potência ser
dissipado na resistência sob forma de calor, o que acarreta em perdas de energia. Enquanto
nos circuitos chopper dotados de chave estática, observa-se uma maior eficiência, pois
quando a carga não consome energia(chave aberta) o circuito não está consumindo
também. A figura 4.6 ilustra um circuito chopper com um SCR como chave.


Figura 4.6 – Obtenção da tensão CC desejada através da variação de uma
resistência.






CARGA
RV
+
V
DR
carga
+
V
C
72
2.CIRCUITOS DE COMUTAÇÃO PARA SCR

Quando se utiliza um SCR como chave em um circuito chopper é importante
lembrarmos que em tensão contínua, o SCR ao ser disparado é mantido conduzindo, ou
seja, o mesmo não bloqueia, já que a corrente não se anula. E agora, caro leitor? Como
desenvolvermos o controle deste circuito através desta chave estática?
Pois é, caro leitor, este tipo de circuito não apenas necessita de um circuito de
disparo pra o SCR, mas também um circuito que proporcione o seu bloqueio. Este circuito
então é chamado de circuito de comutação.
O processo de comutação se baseia em fazer com que a corrente de manutenção em
um SCR, torne-se menor que o mínimo solicitada pelo mesmo, bloqueando-o
Os métodos utilizados na comutação de um SCR são divididos em duas categorias:

1.Comutação Natural;
2.Comutação Forçada.

O processo de comutação natural é aquele que ocorre quando a alimentação da fonte
é CA, onde a corrente do tiristor passa naturalmente por zero e uma tensão reversa aparece
sobre o mesmo.
O processo de comutação forçada é um processo artificial que tende a fazer com que
a corrente direta do tiristor seja forçada através de um circuito dedicado, chamado circuito
de comutação.


CIRCUITOS DE COMUTAÇÃO

1. CIRCUITO DE COMUTAÇÃO FORÇADA POR CAPACITÂNCIA EM
PARALELO.
A figura 4.7 mostra o circuito de comutação deste tipo.
1.1– Circuito


















Figura 4.7 – Circuito de comutação forçada

SCRa
R1
RL
C1
SCRp
+V
C
73
1.2– Princípio de funcionamento
A figura 4.8 mostra a sequência de estados de funcionamento deste circuito.
I II III




Observa-se que no estágio II, o SCR( SCR principal ) é disparado, carregando o
capacitor C
1
através do SCR
P
e de R
1
.
No estágio III, revela-se então o corte do SCR
P
, disparando o SCR auxiliar( RCS
A
),
colocando-se então o capacitor C
1
em paralelo com o SCR
P
, polarizando-o reversamente,
Levando então o componente ao corte.
Quando o SCR
P
é novamente disparado, retorna-se ao estágio II e o ciclo se repete.
A desvantagem deste circuito está no consumo de potência perdido no resistor R
1
,
enquanto o SCR principal( SCR
P
).

2. CIRCUITO DE COMUTAÇÃO FORÇADA POR RESSONÃNCIA
AUXILIAR (REDE LC )

2.1 – Circuito
















SCRa
R1
RL
C1
SCRp
+V
SCRp
SCRa
R1
RL
C1
+V
+
-
SCRp SCRa
R1
RL
C1
+V
-
+
Figura 4.8 – Sequência de funcionamento do processo de comutação forçada: Estágios I,II
e III

SCRp
L1
D1 SCRa
C1
+V
RL
C
74
2.2 – Princípio de funcionamento
















- I - - II - - III -

3.31 – Sequência de funcionamento do processo de comutação forçada: Estágios I,II
e III

Inicialmente, tem-se no estágio II o disparo do SCR
A
, e o capacitor C
1
é carregado
através de RL e SCR
A
, levando o SCR
A
naturalmente ao bloqueio, devido a sua polarização
reversa. Em seguida o SCR
P
é disparado e o capacitor C
1
fica praticamente em paralelo
com L
1
e D
1
.
Enquanto o SCR
P
conduz, o capacitor C
1
lança sua energia sobre o indutor L
1
, e
quando o mesmo é energizado lança sua energia de volta ao capacitor, só que nesta
condição a polaridade da tensão no capacitor torna-se oposta ao apresentada no estágio II,
tem-se então o estágio III.
No estágio III ocorre o bloqueio então do SCR
P
, pois o mesmo é polarizado
reversamente quando o SCR
A
é disparado, fecha-se então o ciclo. Observa-se também neste
estado que o capacitor, polarizado de forma como está, não troca energia com o indutor L
1
,
pois o diodo D
1
é polarizado inversamente, impedindo tal feito, e assim uma oscilação
permanente entre o capacitor e o indutor.
Observa-se neste circuito que não haverá dissipação de potência, como no circuito
anterior, pois basta que seja disparado o SCR
A
para que o capacitor C
1
fique em paralelo
com o SCR
P
, levando-o ao corte.


Capítulo V
CONVERSÃO DE FREQUÊNCIA

Neste capítulo será discutido o princípio de funcionamento de circuitos inversores
bem como citado algumas de suas aplicações. Também será abordado o funcionamento de
circuitos cicloconversores, bem como aplicações envolvendo o mesmo.


SCRp
L1
D1 SCRa
C1
+V
RL
SCRp
L1
D1 SCRa
C1
+V
RL
+
-
SCRp
L1
D1 SCRa
C1
+V
RL
+
-
C
75
1.INVERSORES
Figura 5.1 – Circuito inversor monofásico

Os circuitos inversores fazem a conversão CC-CA, e são os grandes responsáveis
pela automação industrial, no que se diz respeito ao controle de velocidade das máquinas de
corrente alternada, promovendo a possibilidade de variação de frequência e amplitude da
corrente produzida.
Devido ao motivo de sua frequente utilização para variação de frequência, também
são denominadas de conversores estáticos de frequência, utilizados normalmente no
estágio intermediário CA/CC.
Dentre as aplicações deste circuito podemos citar as seguintes:
a) Controle de velocidade de motores de indução;
b) Transmissão de energia por CC;
c) Sistema de alimentação de emergência;
d) Tração elétrica.

1.1– PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
Utilizaremos uma ponte inversora monofásica para que o leitor possa entender
melhor a idéia de funcionamento de um circuito inversor, e mais tarde, a mesma será
aplicada aos circuitos inversores trifásicos.
Considere o inversor monofásico, como mostra a figura 4.1alimentando uma carga
RL.












- I - - II -

Figura 5.2 – Circuito inversor com corrente invertida na carga: Estágios I e II


S4
S3
S2
S1
RL
V
V-
S4
S3
S2
S1
RL
V
+
V
-
S4
S3
S2
S1
RL
V
V
C
76
O seu funcionamento se resume nos estágios I e II, como mostra a figura 4.2
Observando a figura 5.2, é fácil verificarmos que é possível alterarmos a
polaridade nos terminais da carga através do acionamento conveniente de chaves(S
1
, S
2,
S
3
e
S
4
), dessa forma, o inversor alimentado através de um barramento CC, cuja tensão seja V,
obtém-se uma saída como mostra a figura 5.3













Figura 5.3 – Forma de onda na saída do inversor

Verifica-se que a tensão contínua no barramento CC é transformada em uma
tensão alternada, cuja frequência é determinada pela frequência de chaveamento das
chaves e a amplitude da tensão na carga depende de tensão aplicada a entrada do
inversor.
Com o advento dos semicondutores, na verdade estas chaves são substituídas
por chaves estáticas(SCR e transistores) por exemplo, com obtenção dos mesmos
resultados.
Substituímos então as chaves mecânicas por SCR´s. é preciso que sejam
levados em conta o circuito de disparo e o circuito de corte destes
dispositivos(circuitos de comutação), a fim de que possamos sincronizar os disparos
para obtermos os resultados desejados. O circuito inversor monofásico com SCR´s é
mostrado na figura 5.4














Figura 5.4 – Inversor com ponte de SCR´s


V
RL
V
t
-V
T
+
V
SCR4
SCR3
SCR2
SCR1
RL
C
77
Para que este circuito funcione perfeitamente, é necessário um circuito de
disparo para acionar os SCR´s 1 e 4 e também um circuito de corte para realizar o
desligamento destes SCR´s quando for feito o disparo dos SDCR´s 2 e 3, pois caso
os SCR´s de um mesmo braço conduzirem, haverá um curto-circuito na fonte.
Os circuitos com transistores comuns apresentam uma vantagem sobre os
SCR´s em relação à sua facilidade de corte, pois ao se retirar o sinal aplicado à base,
o mesmo deixa de conduzir.
Hoje são utilizados os transistores bipolares de gatilho isolado( IGBT´s ) por
apresentarem características que se adaptam ao uso de frequências elevadas, assim
como correntes elevadas, solicitadas nos inversores de potência.

1.2 - INVERSORES TRIFÁSICOS
A figura 5.5 mostra a configuração do circuito inversor trifásico.
Figura 5.5– Inversor trifásico com ponte de SCR´s

Os dispositivos são numerados e disparados em uma ordem tal que passam a
produzir tensões numa sequência de fases positiva, V
AB
, V
BC
e V
CA
. Para o caso de
uma carga ligada em triângulo, são estas as tensões de interesse. A figura 5.6 mostra
o esquema de ligação da carga e a figura 5.7 as formas de onda assim nela aplicada.




















+
SCR2
SCR5
D6
D5
D4
D3
D2
SCR6
SCR4
SCR3
D1
+
SCR1
C
78






























Ligando-se uma carga em estrela, já contamos com as tensões fase-neutro
como as de menor interesse. A figura 5.8 mostra o esquema desta ligação assim
como o circuito equivalente após o disparo de uma das combinações das chaves e o
respectivo comportamento das tensões fase-neutro.








Figura 5.6– Conexão em triângulo

Figura 5.7– Formas de onda da saída do inversor
trifásico em ponte.

C
79





Figura 5.8– Conexão em estrela








Figura 5.9 - circuitos equivalentes









Figura 5.10– Formas
de onda das tensões
de fase na saída do
inversor trifásico

















Figura 5.11– (a)Formas de onda de tensão de fase na saída do inversor trifásico
(b)Forma de onda da corrente de fase na saída do inversor trifásico






(a)
(b)
C
80

Entendido então o comportamento do inversor trifásico na alimentação de
cargas resistivas, a questão é, e no caso do inversor estar alimentando uma carga
indutiva?
Se a carga fosse indutiva, caro leitor, é sabido que haverá um atraso da
corrente em cada ramo do inversor, logo teríamos um comportamento mostrado na
figura 5.11.

Observe que a corrente aplicada em uma das fases da carga, mostrada na
figura 5.11b é “quase” senoidal, pois apresenta distorção devido ao chaveamento.

2. CICLOCONVERSORES

Cicloconversor é um circuito capaz de converter um sinal CA de frequência
fixa em outro CA cuja frequência é variável. Um circuito típico de um
cicloconversor é mostrado na figura 5.12


Observa-se que este circuito é formado por uma associação de dois
grupos retificadores monofásicos de onda completa com derivação central.
Os tiristores 1 e 2 formam o primeiro grupo, chamado de grupo positivo do
cicloconversor, e os tiristores 3 e 4 formam o segundo grupo, chamado de grupo
negativo do cicloconversor.
RL
60 Hz
SCR4
SCR2
SCR3
SCR1
Figura 5.12 – Cicloconversor monofásico
RL
60 Hz
SCR4
SCR2
SCR3
SCR1
C
81

2.1 -PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO

Dado o sinal de saída do transformador V
E
, os tiristores 1 e 2 são disparados
durante um número inteiro de semiperíodo da tensão de alimentação V
E
e em
seguida, faz-se o mesmo com os tiristores 3 e 4, repetindo o ciclo. A figura 4.13
mostra o comportamento da forma da tensão na carga.










Observe que o resultado deste controle de disparos é a aplicação de dois
semiciclos positivos e dois semiciclos negativos a carga, aumenta o período do sinal
de tensão em duas vezes, o que implica em reduzir a frequência pela metade.

2
E
S
f
f =

A partir desta idéia de controle dos SCR´s, é possível reduzirmos a 1/3 e até
mais, a frequência da tensão V
E
. Basta dispararmos os SCR´s 1 e 2 em números de
ciclos positivos e 3 e 4 em números de ciclos negativos iguais a fração em que se
deseje dividir a frequência.
A figura 5.14 mostra o sinal de tensão V
E
reduzido a 1/3 e ou 1/5 de sua
frequência, segundo o disparo sincronizado dos SCR´s.







Figura 5.14 – Sinal de saída de um cicloconversor com 1/3 e 1/5 da frequência do sinal de
entrada
Verifica-se então que através deste processo é possível convertermos um
sinal CA de frequência fixa em um sinal CA de frequência variável. Este processo
realizado da forma como mostrado nas figuras 5.13 e 5.14, onde os SCR´s são
disparados em o = 0º, provocam um conteúdo harmônico elevado e indesejável na
tensão de saída. E assim para que seja evitado harmônicos de baixa ordem com
amplitude elevada, disparam-se os SCR´s com o = 0º e preferencialmente variável.
Esta variação do ângulo o é melhor aplicada tomando como referência o
valor de amplitude do sinal AC, ou seja, quanto maior a amplitude, menor o ângulo
o, e quanto menor a amplitude, maior o ângulo o, como mostra a figura 5.15


Figura 5.13 – Sinal de saída de um cicloconversor com metade da freqüência
do sinal de entrada


C
82








Figura 5.15 – Forma de onda na saída de um cicloconversor com o variável


Os cicloconversores trifásicos são bastantes utilizados no controle de
velocidade de motores de alta potência e baixa velocidade.
A figura 5.16 mostra a configuração de um circuito cicloconversor assim
como a conversão de uma forma de onda da tensão de saída para uma de frequência
3(três) vezes menor que a frequência de alimentação.













Figura 5.16 – Circuito cicloconversor trifásico










Figura 5.17 – Forma de onda de tensão na saída de um cicloconversor trifásico






C
B
A
CARGA
SCR6
SCR5
SCR4
SCR2
SCR3
SCR1

C
83

3 – O INVERSOR DE FREQÜÊNCIA ( “TÓPICOS GERAIS”)

3.1 – O INVERSOR POR DENTRO













3.2 – MANDAMENTOS DA INSTALAÇÃO DO INVERSOR

•Cuidado! Não inverter a saída trifásica com a entrada de rede trifásica
•Conecte o aterramento tanto ao inversor como ao motor
•O valor do aterramento nunca deve ser maior que 5 Ohms
•Deve-se evitar ao máximo misturar (em um mesmo eletroduto ou canaleta)
cabos de potência com cabos de comando e sempre que possível usar
cabos de comando blindado.

3.3 – DIMENSIONAMENTO DE UM INVERSOR

? COMO POSSO SABER: QUAL É O MODELO, TIPO, E POTÊNCIA
DO MEU INVERSOR PARA A MINHA APLICAÇÃO?


-POTÊNCIA DO INVERSOR

EXEMPLO: REDE ELÉTRICA = 380VCA
MOTOR = 1HP
APLICAÇÃO = EXAUSTOR INDUSTRIAL









-

RS 485
A
DIN
C


P


U


-

M

Interface
Serial
0 – 10 Vcc
Analógico
I/O Digital



REDE
D
I
H
M

~
-
~
C
84

CÁLCULOS:
Temos que o motor possui 1HP = 746W
Cos = 0,80(Fator de potência do inversor)

(CI = Corrente do Inversor)
amperes

Logo o inversor deverá Ter :
-Tensão de entrada : 380Vca
-Corrente Nominal: 2,5A

-TIPO DO INVERSOR

Escalar, pois trata-se de um exaustor.

Obs:
- Seria Vetorial em duas ocasiões: Extrema precisão de rotação,
torque elevado para rotação baixa ou zero(Guindastes, pontes rolantes, elevadores, etc...)

- TÉCNICAS DE CONTROLE
•Aplicações típicas do inversor com controle vetorial
Torque elevado com baixa rotação ou rotação zero
Controle preciso de velocidade
Torque regulável, como tração elétrica

•Aplicações típicas do inversor com controle escalar
Partidas suaves
Operação acima da velocidade nominal do motor
Operações com constantes reversões


















C
85

BIBLIOGRAFIA

 Lander,Cyril W. Eletrônica industrial: Teoria e aplicações. São Paulo. McGraw-Hill, 1988;
 Almeida, J.L.A. Eletrônica industrial. São Paulo: Érica, 1991;
 Almeida, J.L.A. Eletrônica de potência. São Paulo: Érica, 1991;
 Almeida, J.L.A. Dispositivos semicondutores: Tiristores, controle de potência CC e CA. São Paulo.
Érica, 2001;
 Rashid, Muhammad H. Eletrônica de potência: Circuitos, dispositivos e aplicações. São Paulo.
Makron Books, 1999;
 Alves, Edna Andrade. Eletrônica industrial: Análise de dispositivos e suas aplicações. Bahia.
Empresa Gráfica da Bahia. 1996;
 Saites consultados:
o www.ir.com
o www.motorola.com
o www.dee.feis.unesp.br
o www.semikron.com.br
 Revista consultada:
o Saber eletrônica



























C

Capítulo I - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES .................................................................... 4 1. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO( SCR ) ........................................................ 4 1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ................................................................................... 4 1.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................ 4 1.3 - CURVA CARACTERÍSTICA DO SCR......................................................................... 7 1.4 - TIPOS DE SCR`s............................................................................................................ 8 1.5 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM SCR .................................................... 8 1.6 - TESTE DE UM SCR ....................................................................................................... 9 1.7 - IDENTIFICAÇÃO E PARÂMETROS PARA A ESCOLHA DE UM SCR.................. 9 2. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO DE MÃO DUPLA “O TRIAC” ................ 11 2.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ................................................................................. 11 2.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA .......................................................... 11 2.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO TRIAC .................................................................. 12 2.3 - TRIAC`s COMERCIAIS .............................................................................................. 13 2.4 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM TRIAC.............................................. 13 2.5 - TESTE DE UM TRIAC ................................................................................................. 14 3. O TRANSISTOR UNIJUNÇÃO( UJT ) .................................................................................. 14 3.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ................................................................................. 14 3.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA .......................................................... 14 3.3 – PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO ......................................................................... 15 3.4 - PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA........................................................... 15 3.4 – IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DO UJT.......................................................... 16 3.5 – TESTE DE UM UJT...................................................................................................... 16 4.O DIAC ( DIODO DE CORRENTE ALTERNADA )............................................................... 17 4.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS................................................................................. 17 4.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA.......................................................... 17 4.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIAC ..................................................................... 17 4.3 –IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM DIAC ................................................. 18 4.4 –TESTE DO DIAC ........................................................................................................... 18 4.5 – APLICAÇÕES PARA O DIAC..................................................................................... 18 5. O IGBT( TRANSISTOR BIPOLAR DE GATILHO ISOLADO )............................................ 19 5.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS................................................................................. 19 5.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA.......................................................... 19 5.3 - PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO ......................................................................... 20 5.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO IGBT ..................................................................... 21 5.4 – IGBT´s COMERCIAIS ................................................................................................ 21 5.5 –PINAGEM DO IGBT ..................................................................................................... 22
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5.6 –VANTAGENS DO IGBT................................................................................................ 22 Capítulo II – CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES..................................................... 25 1 – INTRODUÇÃO ..................................................................................................................... 25 2 – DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CC NO GATILHO............................................ 25 3 - DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CA NO GATILHO ........................................... 25 4 - CONTROLE DE FASE COM SCR....................................................................................... 26 5 - CONTROLE DE FASE COM TRIAC .................................................................................. 29 6 – DISPARO POR REDE DEFASADORA ............................................................................... 32 7 – DISPARO POR PULSOS E COMPONENTES ASSOCIADOS............................................ 34 8 – TRANSFORMADORES DE PULSO.................................................................................... 34 9 – ACOPLADORES ÓPTICOS OU ISOLADORES ÓPTICOS................................................. 35 10 – CIRCUITO DE DISPARO PULSADO COM UJT .............................................................. 38 11 – CIRCUITO DE DISPARO COM TCA-785 ......................................................................... 44 12 – OUTROS MÉTODOS DE DISPARO DO SCR ................................................................... 49 Capítulo III - CIRCUITOS RETIFICADORES.......................................................................... 51 1.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE MEIA-ONDA .................................... 53 2.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA.......................... 56 3.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM PONTE ..... 57 4.RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO MONOFÁSICO EM PONTE.................................. 59 5.RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE MEIA-ONDA ......................................... 64 6. RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM PONTE ......... 66 7. RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO TRIFÁSICO EM PONTE ...................................... 67 Capítulo IV ................................................................................................................................. 68 CIRCUITOS CONVERSORES CC-CC E COMUTAÇÃO CC.................................................... 68 1. CIRCUITOS CONVERSORES............................................................................................... 68 2.CIRCUITOS DE COMUTAÇÃO PARA SCR .......................................................................... 72 Capítulo V................................................................................................................................... 74 CONVERSÃO DE FREQUÊNCIA............................................................................................. 74 1.INVERSORES ......................................................................................................................... 75 1.1– PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO .......................................................................... 75 1.2 - INVERSORES TRIFÁSICOS ....................................................................................... 77 2. CICLOCONVERSORES......................................................................................................... 80 2.1 -PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO........................................................................... 81 2.2 - CICLOCONVERSOR TRIFÁSICO ............................................................................. 83 BIBLIOGRAFIA ........................................................................................................................ 83

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Capítulo I - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
1. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO( SCR ) 1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS CONCEITO É um dispositivo que se comporta como um diodo, porém solicita de uma autorização para que haja condução.

1.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA Os diodos são formados por dois pedaços de material semicondutor ( P – N ); Os transistores são formados por três blocos de material semicondutor ( P-N-P ou N-P-N ); O SCR apresentam uma constituição interna com quatro camadas de material semicondutor dispostos em “pilha”.

-

-

A ANODO

P
GATILHO

N P N
(b)

G

(a)

K CATODO

Fig. 1.1 – a) estrtura interna de um SCR b) Símbolo do SCR

4

duas estruturas equivalentes a dois transistores bipolares: Um PNP e outro NPN. Esta observação é fundamental para entendermos o por quê do SCR permanecer “ ligado” após a retirada do pulso em seu gatilho.3 – Equivalência com diodos 5 . Percebamos que tudo se passa como se a base do transistor PNP estivesse ligada ao coletor do NPN.C  EQUIVALÊNCIA COM DOIS TRANSISTORES A C E B G P P N P N C (a) A + N PNP B E G NPN K (b) K Fig. 1. explicado mais tarde. + + P DIRETA + ANODO(A) A + P GATILHO N INVERSA P DIRETA N G P N K CATODO(K) N G Fig. como mostra a configuração acima. teremos.2 – a) Corte inclinado em um SCR b) Modelo de um SCR com transistores - Efetuando-se um hipotético corte inclinado nas “pilhas” de materiais semicondutores que forma o SCR. 1.

como mostra a seta tracejada menor. representada pelo diodo do meio. conectado ao terceiro bloco de material. diretamente polarizada. mesmo com dois diodos diretamente polarizados. Ao conectarmos o terminal G ao positivo. logo a seguir. e não danificá-lo.. e permitindo assim a livre passagem de intensa corrente entre o anodo e o catodo. Sem a atuação desse terminal. O transistor PNP.3 acima. Ao surgir. pois a polarização dos seus diodos “internos” é “ conflitante” . assim que aplicarmos polarização positiva ao terminal G. assim. e você me ajuda”. e isto só é possível graças a sua configuração equivalente a dois transistores apresentada na figura 2. todo o conjunto entra e permanece em condução. a base do transistor PNP. a sua “resistência interna”.. através da junção( A ). Esta corrente pode adquirir níveis perigosos para o SCR. ocorre um interessante fenômeno.. contudo. por sua vez. + A P RG Corrente intensa N B P A N Corrente pequena de gatilho K 6 Figura 1.3 que mesmo quando o SCR é diretamente polarizado.4. permitindo então que a polarização negativa atinja. fazendo com que a mesma se “ desinverta”. ele se mantém conduzindo. Vejamos então o que acontece se aplicarmos uma polarização positiva ao terminal G. o SCR não permite a passagem da corrente elétrica. E Este processo de condução tem fim? . chamada de “ corrente de gatilho”. após o mesmo ter sido polarizado. Ao entrar o transistor NPN em condução. é preciso trabalharmos com um terceiro terminal. ele não é capaz de conduzir. ao receber em sua base essa polarização negativa. que diodo “chato” não é? Logo não adianta apenas polarizar diretamente o SCR. nas “ tripas” do SCR: Essa pequena corrente como que “ arrasta” consigo os portadores de carga existentes na junção( B ). como mostra a figura 1. “trazendo” polarização positiva à base do transistor NPN. com facilidade.4 – Circulação de corrente em um SCR . O SCR então entra no que chamamos de estado de condução. mas haverá uma junção inversamente polarizada localizada no meio do super sanduíche. permitindo a passagem de uma pequena corrente. para efeitos práticos.C  CONDUÇÃO DE UM SCR Observamos na figura 1. baixa bastante. portanto usualmente é utilizada uma resistência de gatilho para limitá-la. podemos então resumir este círculo vicioso em uma pequena frase: “ Eu te ajudo. entre emissor e coletor.. e assim manter a integridade do dispositivo. e até quando? O SCR mesmo ao retirarmos a conexão do gatilho. também entra em plena condução. vejamos: Suponha que polarizamos o SCR diretamente( terminal A positivo e terminal K negativo ). a base do transistor NPN receberá tal polarização. a junção inferior do “sanduíche” fica polarizada no sentido de condução. fazendo com que esse transistor entre em condução. essa pequena corrente. conforme mostra a figura 1. esta é uma característica muito importante do SCR.

CURVA CARACTERÍSTICA DO SCR IA Imáx VBO IL IH VBO VCA VAC Característica de bloqueio direto RL IA + V1 Característica de bloqueio reversso (b) (a) Figura 1. Essas são algumas ações verificadas em circuitos CC. onde são elaborados circuitos para que se faça a comutação do SCR no momento desejado. existe algumas formas de se bloquear o processo de condução de um SCR : Uma delas é desligar a fonte do circuito e outra é curto circuitar os terminais do dispositivo. desliga o SCR. corrente de retenção ou de manutenção: A corrente de manutenção é o valor de corrente anódica abaixo do qual o SCR irá entrar em estado de corte.3 .Tensão de Breakover. IH . pois o simples fato do sinal alternado passar por zero. a fim de que possamos retirar o sinal do gatilho e o dispositivo permanecer conduzindo.5 a)Curva característica do SCR b)Circuito para obtenção da curva característica  PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA VBO . corrente de engatamento ou disparo: A corrente de disparo é o menor valor de corrente anódica que deve circular no SCR. outras também utilizadas são chamadas de comutação forçada. o anodo com o catodo. IL – (Latching current). ou seja. Em circuitos CA há o que chamamos de comutação natural.C Claro que tem. 7 .( Holding current). 1.

6 .TIPOS DE SCR`s Invólucros típicos de SCR´s de baixa potência Tipos de Tiristores .7 .4 .IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM SCR G – Gatilho A – Anodo K – Catodo G A K Figura 1.C 1.rosca Figura 1.SCR e seus terminais 8 .disco Tipos de Tiristores .SCR´s comerciais Módulo de Tiristores 1.5 .

7 . É o valor de pico dos transientes que ocorrem em todos os ciclos. logo verificamos uma diminuição na resistência indicada pelo instrumento.6 . um pulso positivo é dado no gatilho. VRRM : Pico de tensão Reversa repetitivo.Sinal da rede com os transientes VRSM : Pico de tensão reversa não repetitivo(surto). aplicada no sentido direto.8 – Sequência de testes do SCR A G K K A G K K Notamos que na figura 1. aplicada no sentido direto.8b observa-se que o SCR permite a condução. 9 . 1. no estado de corte.8c. isto acontece devido a autorização não ser solicitada através do Gatilho(G). no estado de corte. mesmo com polarização direta A(+) e K(-). Na figura 1. no estado de corte. no estado de corte.C 1. pois curto-circuitando os terminais A e G com a ponteira positiva do multímetro. Na figura 1. isto só é possível se sua corrente de manutenção for suficiente para tal.IDENTIFICAÇÃO E PARÂMETROS PARA A ESCOLHA DE UM SCR Com a folha de dados técnicos de um SCR em mãos.9 . porém a resistência se mantém baixa devido a característica que o SCR apresenta de permanecer em condução após o pulso de disparo. é importante que saibamos o significado de alguns parâmetros existentes na mesma para que possamos especificar o nosso SCR. Esta capacidade é quotada para transientes com o tempo de duração t  10ms. retomamos a ligação feita na figura 1. VDWM : Tensão de crista de trabalho. VDSM : Tensão de pico não repetitivo(surto). VDRM : Tensão de pico repetitivo. solicitando a autorização. aplicada no sentido inverso.8a o multímetro mostra que não há condução. aplicada no sentido direto. são eles:  DADOS TÉCNICOS DE TENSÃO: VD VDSM VDRM VDWM t VRWM VRRM VRSM VR Figura 1. VRWM: Tensão de crista de trabalho.8a.TESTE DE UM SCR a) b) c) A G K K Figura 1.

como mostram os exemplos relacionados nos itens a seguir: 1 – Número 1(um) iniciando o número da série representa tiristor unidirecional ( SCR ) e o número 2(dois) iniciando o número de série representa tiristor bidirecional. ITSM : Corrente de pico não repetitiva(surto) na condução. ITRM : Corrente de pico repetitiva na condução.C Obs: Quando o tiristor é operado diretamente na rede de energia elétrica. Ex: TIC 106 Indica tiristor unidirecional TIC 206 Indica tiristor bidirecional 2 – A letra que segue o número da série representa a tensão VDRM( Tensão máxima direta. IH : Corrente de manutenção( Holding Current ). Este tempo é estabelecido para ½ ciclo do sinal da rede.5 vezes o valor de pico da tensão senoidal de alimentação. PGM : Máxima dissipação de potência no gatilho. É o valor de corrente anódica abaixo do qual o SCR corta. com tiristor bloqueado). supondo a condução durante 180º ITRMS : Corrente RMS(eficaz) no estado de condução. IGTM : Máxima corrente de disparo de gatilho. É o mínimo valor de corrente anódica necessário para o engatamento do tiristor. Obs: Uma folha de especificação consta em anexo no final deste material. TIC 106 . IGT : Mínima corrente de disparo de gatilho.  DADOS TÉCNICOS DE CORRENTE ITAV : Valor médio da forma de onda ideal de corrente da rede durante um ciclo. efetuaremos a identificação dos tiristores através dos códigos impressos no corpo dos mesmos.A 100V 10 . é recomendável que se escolha um dispositivo cujas capacidades de tensão de pico repetitiva VRRM e VDRM sejam pelo menos 1. IL : Corrente de engatamento( Latching Currente ). ou seja.  DADOS TÉCNICOS GATILHO-CATODO VGRM : Tensão reversa máxima de gatilho. VDRM  VDWM.  CODIFICAÇÃO DA SÉRIE TIC Devido a família dos tiristores da série TIC ser a mais comumente encontrada no mercado. VGD : Tensão máxima aplicada ao gatilho que não provocará o chaveamento do estado de bloqueio para o estado de condução.B 200V Ex: TIC 106 .

o TRIAC “desliga” sempre que a tensão entre seus terminais M1 e M2 cair a “zero”( ainda que momentaneamente). Percebemos então que a constituição interna de um TRIAC apresenta as mesmas características de um SCR. porém “cada um olhando numa direção”. pelo seu terminal de gatilho( G ) uma polarização positiva( em relação ao terminal M2). Para que a corrente na carga permaneça. conhecido também como dispositivo bidirecional.1 .10..2 .CONCEITO E FUNDAMENTOS a) CONCEITO: É um dispositivo que permite a passagem de corrente em ambos os sentidos. permitindo a passagem da corrente elétrica pela carga. 2.10 – a) Simbololgia b) Constituição interna  PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRIAC O TRIAC funciona da seguinte maneira: Normalmente o componente fica intercalado entre a carga e a rede de alimentação CA e ao receber. como pode ser visto na figura 1. da mesma forma que ocorre com o SCR. como mostram as setas. contudo. 11 . “entra em condução plena”. Os terminais de controle ( gatilhos ) são “juntados” para que ambos os SCR`s possam ser autorizados através de um único contato esterno. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO DE MÃO DUPLA “O TRIAC” 2.CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA O TRIAC “por dentro” é equivalente a dois SCR`s ligados em paralelo. M1 A K G G K A SÍMBOLO (a) G (b) M2 Figura 1. isso porque.C 2. nos dois sentidos. já que o SCR é um dispositivo unidirecional. é necessário que a polarização positiva no gatilho também seja constante..

que é usado como terminal de referência. os TRIAC`s têm valores de corrente menores que os do SCR e não competem com estes quando correntes extremamente elevadas devem ser controladas.C 2. são equivalentes aos vistos na curva do SCR. pode-se dizer que a curva característica do TRIAC mostra as características de um SCR nas duas direções. que pode ser em qualquer direção. fica em torno de 300Hz. o dispositivo apresenta certas desvantagens quando comparado ao SCR.  12 . E no que diz respeito aos parâmetros da curva. pode ser reduzido fazendo-se o gatilho mais positivo ou mais negativo. com relação ao M1. enquanto o TRIAC irá responder tanto a uma tensão de gatilho positiva quanto a uma negativa. Em suma. DESVANTAGENS DO TRIAC EM RELAÇÃO AO SCR Embora o TRIAC tenha a capacidade de controlar a corrente nas duas direções e responder a correntes e gatilho que fluam em qualquer destas direções. e quanto aos parâmetros da curva.11 – Curva característica do TRIAC Como pode ser observado. a denominação e conceito são equivalntes aos definidos na curva característica do SCR. Isto significa dizer que o seu disparo.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO TRIAC I Figura 1. Em geral. A frequência máxima na qual o TRIAC pode operar. visto que o mesmo opera nos dois semiciclos da rede. Uma diferença importante entre o TRIAC e o SCR que podemos citar é que o SCR requer uma tensão de gatilho positiva. o TRIAC pode conduzir nos dois sentidos de polarização.

podemos perceber que 300A é pouco.6kV. T092 T0202-1 T0202-2 T0220AB T0P3 RD91 Figura 1. O invólucro mais conhecido é o TO220(TO220AB) dos quais se utilizam as séries TIC”xxx”.12 – Tipos de encapsulamento do TRIAC Figura 1.TRIAC`s COMERCIAIS No comércio.12 e 1.13 – TRIAC’s para alta potência 2.C 2. frente ao SCR que possui valores de corrente acima de 3000A.3 .14 – Terminais do Triac 13 . encontramos TRIAC`s com valores de ITRMS de até 300A e valores de VDRM de até 1.13. Por estes dados. Nas figuras 1. através da consulta do data Book. respectivamente são mostrados alguns tipos de encapsulamentos fabricados para o mercado e alguns TRIACS fabricados para potências mais altas.4 .IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM TRIAC G – Gatilho M1 – Anodo 1 ou Main Terminal 1 M2 – Anodo 2 ou Main Terminal 2 Obs: Main Terminal = Terminal principal G M2 M1 Figura 1. BTA12”AAA” e vários tantos outros triacs mais comuns.

CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA Formado por dois blocos de material semicondutor. a figura 1. BASE 2 B2 E P EMISSOR UJT B1 N Figura 1.CONCEITO E FUNDAMENTOS  CONCEITO É um transistor que comporta apenas de uma única junção.16. é o M2.TESTE DE UM TRIAC Na prática. O terminal que sobrou. entretanto é de dimensões bem reduzidas em relação ao material N. pois estamos pegando a resistência da pastilha P comum a estes dois terminais.15 – Invólucros com denominações de terminais ligeiramente diferentes 2.5 . inclusive o M2. O TRANSISTOR UNIJUNÇÃO( UJT ) 3.17 – Simbologia BASE 1 14 .C Alguns invólucros de TRIACS apresentam denominações diferentes com relação aos terminais de ligação. Figura 1.1 .16 – Constituição interna Figura 1. semelhante a um diodo.15 mostra um conjunto desses invólucros. devemos encontrar duas resistências baixas no teste do TRIAC. pois através do teste prático não podemos diferençar estes dois terminais. Para identificarmos quem é M1 e gatilho. 3. ficando como que Embutido no mesmo. como mostra a figura 1. O material P. devemos consultar o manual. Estas duas resistências baixas são entre os terminais M1 e gatilho. é a carcaça do TRIAC.2 . na maioria dos casos. quando encontramos duas resistências baixas. um do tipo P e outro do tipo N. 3. nos dois sentidos de polarização(algo em torno de 10 a 200ohms).

fazendo com que a corrente que percorre B2 para B1.C 3. Caso o sinal de tensão caia para valores abaixo de 0.6V. imediatamente a resistência interna RB1 “sobe ”. como mostra a figura 3.Tensão de pico.4 . Isto ocorre devido os valores ôhmicos desses resistores serem elevados( semicondutor).18 – Condução do UJT e diagrama estruturado Assim que a tensão de entrada ultrapassar 0. aumente sua intensidade.PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA VP . 1. que é o limite mínimo.18 ) onde representa o transistor de unijunção. Figura 1. a resistência interna da base( RB1 ) cai significativamente para um valor muito baixo. Porém B2 ao aplicarmos uma tensão positiva ao terminal E.3 – PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO De acordo com o diagrama estruturado( fig. Esta tensão também é conhecida como tensão de disparo do UJT .6V. novamente para um valor elevado impedindo assim que haja circulação de corrente. uma corrente muito pequena circular Através dos “resistores série”. caso o terminal B2 seja ligado ao positivo de uma fonte de Alimentação E o terminal B1 ao negativo de tal fonte.19 – Curva característica do UJT 3. estaremos RB2 polarizando diretamente o diodo.2. E RB2 D1 DIODE RB1 B1 Q1 UJT + - I + RB1 - Figura 1. dessa forma uma corrente I começará a circular no sentido indicado. RB2 e RB1. 15 .

VV – Tensão de vale. É o valor máximo de corrente de emissor na região de resistência negativa.51 a 0. IV – Corrente de Vale.4 – IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DO UJT B1 – Base 1 B2 – Base 2 E . como mostra a tabela 1. Dado que RBB é a RBB resistência medida entre os terminais de base com o emissor aberto. 3. efetua-se as medições segundo a tabela de teste resumida . A faixa de valores de IV Para UJT’s comerciais é de 1mA a 10mA.(Intrinsic Stand-off ratio) Relação intrínseca de corte.C  . POLARIZAÇÃO B2+ B2E+ EE+ EB1B1+ B1B1+ B2B2+ RESISTÊNCIA MEDIDA RBB RBB RB1  RB2  Tabela 1. É a corrente de emissor mínima necessária para disparar o UJT.1 – Tabela teste do UJT 16 .82.5 – TESTE DE UM UJT Para que se verifique o estado de Um UJT.Emissor Figura 1. O valor de RBB está na faixa de 4K a 10K.20 – Terminais do UJT 3. É a relação RB1 e a faixa de  é de 0. É o valor de tensão de emissor abaixo do qual ocorre o corte do UJT. IP – Corrente de pico. O valor de IP está na faixa de 2A a 25A para os diversos UJT’s encontrados no mercado.1. Esta tensão de encontra na faixa de 1V a 5V.

C 4. onde a tensão no qual o DIAC é submetido ocorre normalmente entre 20V e 40V.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS  CONCEITO É uma chave bidirecional disparada por tensão. em ambas as polaridades. Porém. a curva característica do DIAC mostra que a condução do mesmo se dá a partir do momento em que o nível de tensão ultrapassa VBO( tensão de Breakover). Não há conexão elétrica na sua região intermediária. em grande parte. Uma vez que o DIAC tem apenas dois terminais.21 – Estrutura interna do DIAC Figura 1. como se pode ver na figura 1.23 – Curva característica do DIAC Como pode ser observado. 17 .2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA O DIAC é construído.22 – Símbolos do DIAC 4.21. muito utilizada nos circuitos de disparo. ele é.O DIAC ( DIODO DE CORRENTE ALTERNADA ) 4. O dispositivo tem três camadas semicondutoras alternadamente dopadas. o dispositivo lembra em muito um diodo de junção PN comum na aparência. do mesmo modo que um transistor bipolar. algumas vezes. T1 P N P T2 Figura 1.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIAC Figura 1. Portanto. caracterizando assim o DIAC como um componente bilateral. 4. ele é geralmente encapsulado em invólucros de metal ou plástico com terminais axiais. mas com apenas dois terminais. Entretanto ele difere do transistor bipolar devido às concentrações de dopagem em torno das duas junções serem iguais e aos terminais conectados unicamente às camadas externas. também encapsulado como um transistor bipolar convencional.

26. apenas sua resistência diminuirá caso a tensão entre seus terminais seja maior que VBO. devemos encontrar duas resistências altas entre seus terminais e o resultado sendo positivo. realizando o teste do DIAC com um multiteste na escala em ohms. Em perfeito estado. 4.C 4. e a tensão aplicada pelo multímetro não chagará a tanto.5 – APLICAÇÕES PARA O DIAC O DIAC é aplicado normalmente em circuitos de proteção contra sobretensão. pois.25 – a) Circuito gerador de dente de serra b) Forma de onda no capacitor Figura 1.3 –IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM DIAC T1 T1 Figura 1. como mostra sua curva característica.4 –TESTE DO DIAC Na prática.25 e 1. Algumas configurações de circuitos são mostradas nas figuras 1. caso contrário. o DIAC não estará em condições de uso. gerador de dente de serra e disparo de TRIAC. o dispositivo se encontra em perfeitas condições de uso. a resistência entre os terminais do DIAC sempre será alta.26 – Circuito de proteção contra sobretensão 18 .24 – Curva característica do DIAC 4. (b) (a) Figura 1.

O Gate( G ) é isolado eletricamente das porções de dopagem das camadas por uma camada muito fina de Dióxido de Silício ( SO2 ).Chamada de Substrato. O IGBT( TRANSISTOR BIPOLAR DE GATILHO ISOLADO ) 5. este isolante é um tipo particular denominado Dielétrico. p e dopadas com n+. esta camada é responsável pela injeção de portadores minoritários e parcialmente pela baixa tensão de trabalho e alta condutividade entre o Dreno( D ) e a fonte ( S ) do IGBT. e sob esta camada é inserido uma outra contendo uma dopagem n ( n. 5.27 – a) Estrutura interna do IGBT b) Símbolos do IGBT (b) A estrutura de um IGBT é constituída em duas partes: A Primeira envolve o canal–n. 19 . Este conjunto é chamado de MOSFET. comentadas anteriormente na primeira parte.. estando conectada ao Dreno( D ) do IGBT. que cria campos elétricos opostos. o IGBT não faz parte da família dos tiristores.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS  CONCEITO Formado por quatro camadas dispostas na sequência P-N-N-P.C 5. A região n.é denominada de Dreno (fictício) D’ do MOSFET. devido o princípio de funcionamento interno se igualar a este. e opera como tal.) e logo após esta encontramos uma camada p.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA (Dreno) (Fonte) (a) Figura 1. a camada da região p abrange o Gate (G) e alcança a região n-dopada( n+ ) que é conectada a fonte S. A formação desta Segunda parte representa um transistor bipolar pnp. juntamente com camadas n. A Segunda envolve uma camada longa contendo uma dopagem p+ . porém este é um componente “híbrido” por apresentar características tanto dos transistores bipolares(alta velocidade de operação) quanto dos transistores FET( pequena perda na condução).

e n+ via este canal criado na região p. ocasionando como foi explicado antes.são elétrons e os da camada p portadores positivos. Esta condução de corrente se dá entre o Dreno( D) e a Fonte(S).3 .PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO Figura 1. e ainda devido a este fenômeno ocorre um processo de difusão através da junção J2. criando lacunas.28 – Estrutura interna de um IGBT FUNCIONAMENTO: Ao se alimentar positivamente o terminal Gate. descrita anteriormente. de onde se fez o canal. . pois os portadores da camada n.C 5. colaborando assim para a formação de um canal que chamamos canal – n. onde se faz próximo e repelirá suas cargas positivas( + ).Uma delas se forma quando da formação do canal-n. Com a criação deste canal inicia o processo de condução de corrente através do IGBT. e dessa forma ocorrerá a atração de elétrons para esta região. Quando começa a circulação de corrente no IGBT ocorre um processo de recombinação entre os elétrons da camada n. uma recombinação entre p e n-. pois os elétrons da Fonte (S) tendem também a se recombinarem com as lacunas em questão. elétrons estes vindos das n+-dopadas. esta corrente apresenta um valor bastante substancial para o IGBT. e atravessa a região p. este campo criado induzirá cargas positivas que incidirão sobre a região p. Isto provoca uma criação de lacunas no substrato p. 20 . Há uma circulação de elétrons entre as regiões n. haverá a criação de um campo Elétrico devido a existência do Dielétrico.A outra está inclusa no processo de difusão através da juncão J 2. Logo podemos dividir a corrente total de um IGBT em duas importantes componentes a saber: .e lacunas que são criadas a partir da camada p+(Substrato).

3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO IGBT Figura 1.4 – IGBT´s COMERCIAIS IRG4BC30F SKM 75 GAR 063 D IRGPC50F SK 13 GD 063 Figura 1.30 – Tipos comerciais de IGBT 21 .C 5.29 a) Circuito típico com IGBT b) Formas de onda dos sinais de entrada e saída do IGBT c) Curva característica ideal do IGBT d) Curva característica real do IGBT 5.

22 . ficando. Os IGBT´s também apresentam baixas perdas na condução assim como podem trabalhar em freqüências mais elevadas de até 20kHz. enquanto os IGBT´S atingem até 1200V/500A. tipicamente.EMISSOR 3 1 2 Figura 1.5 –PINAGEM DO IGBT 1 – GATILHO 2 – COLETOR 3 .6 –VANTAGENS DO IGBT O IGBT atinge limites de tensão e corrente consideravelmente mais elevados do que dispositivos como o MOSFET que possuem uma faixa mais reduzida de valores. entre: 100V/200A e 1000V/20A.31 – Terminais do IGBT 5. Tais limites especialmente para os IGBT´s têm se ampliado rapidamente em função do intenso trabalho de desenvolvimento que tem sido realizado. inferiores no caso para os MOSFET´s que trabalham em freqüências maiores do que 50kHz.C 5.

e logo após.C EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM 1) Conceitue um SCR? 2) O SCR TIC126D possui uma corrente de manutenção(IH) igual a 40mA. indique a correta pinagem do mesmo. O mesmo manterá conduzindo a corrente ou entrará em corte? Explique porquê. O que você diz sobre o SCR. 5) Identifique que defeitos apresentam os SCR´s abaixo. 23 . porque não é viável disparar o SCR aplicando sobre o mesmo uma tensão de breakover com frequência. por um motivo qualquer. Em um certo momento. 2) Explique sucintamente. analisando as medidas de resistência. 4) Dado o TIC106D disposto no invólucro T0220AB. ocorre uma brusca redução dessa corrente para 30mA. encontra-se passando pelo mesmo uma corrente de 5A.

.. 8) Dado o transistor de unijunção abaixo.............. 9) De acordo com os testes realizados a seguir......... .. identifique seu defeito a partir das medições realizadas.... ... realize o diagnóstico do DIAC 24 ...C 6) Por que motivo o TRIAC é chamado de dispositivo bidirecional? 7) Identifique a pinagem do TRIAC TIC216 a seguir: ...

Caso contrário. Isto não é necessário. respectivamente. 25 . é possível calcular o valor das constantes RG e RL visando. 3 . o que não é conveniente.1.C Capítulo II – CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES 1 – INTRODUÇÃO O circuito de disparo de Tiristores representa uma das partes mais importantes nos circuitos de controle. Um correto funcionamento do circuito de disparo. manter o valor de corrente de gatilho abaixo de IGMAX e acima de IGMIN. Neste circuito não acarreta da corrente se manter no gatilho. Neste capítulo estudaremos os diversos tipos de circuitos de disparo dos tiristores. descrevendo algumas vantagens e desvantagens entre as mesmas. apresentam um inconveniente. visto que a necessidade da corrente no gatilho é só na hora do disparo. o sinal AC alcança o valor de disparo em um ângulo . chamado ângulo de disparo. assegurará um bom funcionamento do tiristor e com isto eficiência no controle a ser realizado. depois a mesma pode ser retirada. estamos dissipando energia no gatilho além do necessário. estes circuitos acionados através de três tipos de fontes: Fonte de sinal CC.(Ver figura 2. Variante com o tempo.DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CA NO GATILHO O disparo em CA ocorre quando uma amostra deste sinal alcança um valor suficiente para disparar o Tiristor. Circuitos desta natureza. A corrente no gatilho permanece o tempo todo. 2 – DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CC NO GATILHO  CIRCUITOS TÍPICOS VCC VCC RG RL RG RL Figura 2. pois ao Tiristor ser disparado o circuito de gatilho é curtocircuitado. e controlar a corrente de anodo que passa pelo Tiristor. (Circuitos Típicos ) Tendo em vista os circuitos da figura 2. fonte de sinal CA e fontes geradoras de pulsos.1 – Disparos de Tiristores com sinal CC.2 ).

como podemos observar. (Circuitos Típicos ) 4 .C  CIRCUITOS TÍPICOS RL RL R1 R1 Vrede Vrede ~ P1 ~ P1 C1 C1 Figura 2. ou seja.CONTROLE DE FASE COM SCR Observe o circuito da figura 2. que apresenta IGT = 200A e VGT = 0.3 e o comportamento da tensão sobre a carga resistiva RL = 100. A idéia deste exemplo é mostrar que através da escolha de um valor para o potenciômetro P1. 26 .3 – Circuito de disparo com SCR ( Controle de fase ) O circuito da figura 2. tem–se disparos em instantes diferentes em relação ao sinal alternado de entrada ( Vrede ) através do controle de fase. controlar a tensão fornecida à carga e. portanto a sua potência. alimenta uma carga resistiva de 100 com uma tensão eficaz Vrede = 127V. mostrado na figura 2. P1(200k) 100 Vrede ~ 1k TIC 106B Figura 2. através de um SCR TIC 106B.6V.3.4.2 – Disparos de Tiristores com sinal CA.

C  FORMAS DE ONDA      Figura 2. podendo-se então fornecer mais ou menos potência. e este valor médio pode ser calculado como mostraremos em seguida.4 – Comportamento das tensões na carga para os diversos ângulos de disparo do SCR As formas de ondas características da tensão nos terminais da carga. são mostrados nas ilustrações acima. observe-se que há um valor médio diferente de zero aplicado a carga quando a alimentação da mesma é controlado pelo SCR. É verificado também que a fluxo de potência aplicada a carga é controlado. Mas do que depende este controle de fluxo de potência para a carga? Vejamos: O valor médio calculado sobre uma carga quando a mesma recebe um sinal 27 .

No primeiro instante entenderemos o por quê deste limite de controle em torno de 90º.64W 80. verificados para o circuito da figura 2.5V 179. “e agora José ? ” o que faremos. e isto nos leva a concluir que a partir deste ângulo não temos mais controle de potência sobre a carga.5V 89. A potência então pode ser calculada pela expressão que segue: 0 Peficaz V 2 eficaz  RL Notamos que assim como a tensão eficaz varia segundo um ângulo. chamado ângulo de disparo. é calculado pela expressão: Vmédio  VP (1  COS ) 2 Enquanto o valor eficaz de tensão é dado por: Veficaz  VP 1  sen 2   4 4 8 Logo é possível então aplicarmos estas equações para calcularmos a tensão média e eficaz aplicadas na carga de um circuito qualquer que se utilize de dispositivos como o SCR para o controle de potência sobre a mesma..3V 42.C retificado em meia onda controlado através de um ângulo de disparo.8V 89. Fique tranqüilo caro leitor. A tabela abaixo mostra alguns valores de grandezas para os ângulos de disparos em questão.80W 40.6V Tensão eficaz na carga( Veficaz ) 89. logo adiante mostraremos circuitos de disparo que permitem variar o ângulo  de 0º a 180º no semiciclo positivo assim como de 180º a 360º no semiciclo negativo.32W 64. conclui-se então que o fluxo de potência sobre a carga depende do ângulo em que o SCR é disparado.8V 155..6V 88. varia a potência consumida pela carga.3V 46..32W Você pode observar que o valor máximo da tensão de rede é obtido com um ângulo de disparo de 90º.28W 78.5V 80.1V 56.3 Ângulo de disparo() 2º 15º 30º 60º 90º Tensão na rede( Vrede ) 6.2V 53. certo? 28 .6V Tensão média na carga( Vmedio ) 57.5V Potência consumida pela carga( Peficaz ) 80.5V 63.9V 28. caso estejamos trabalhando com circuitos para disparar o TRIAC..

8V. sen 150 0 .  = 90º adotados para o circuito com SCR.  Figura 2.CONTROLE DE FASE COM TRIAC Semelhante ao SCR. é dessa forma que concluímos a impossibilidade deste circuito atingir ângulos maiores do que 90º.  Figura 2. levando em conta as mesmas considerações adotadas a respeito do limite do ângulo de disparo do SCR. que neste caso se dará em  = 30º. Opa! Mas esse valor não é o mesmo para  = 30º ? .C Observe a figura 2. Analisaremos agora para o Caso em que  = 150º. 2.7 29 .  = 30º.1.5 – Tensão de disparo Verifica-se que o circuito se encontra projetado de tal forma que quando o sinal de tensão da rede alcançar 89. mostradas na figura 2. entendeu? A figura 2. Pois é caro leitor.6 ajuda a esclarecer este ponto. o TRIAC também pode ser utilizado para o controle de fase de tensão alternada. dado que Vrede  127.5. Um circuito típico de disparo de TRIAC é mostrado na figura 5.  = 60º.8V. o SCR estará com uma corrente de gatilho necessária para garantir seu disparo. bem como as formas de onda para os ângulos  = 2º. Calculando-se o valor desta tensão encontra-se Vrede = 89.  = 15º.6 – Tensão de disparo para  = 30º e  = 150º 5 .

8 – Comportamento das tensões na carga para os diversos ângulos de disparo do SCR 30 .1uF Figura 2.7 –Circuito de controle de fase com TRIAC  FORMAS DE ONDA Figura 2.C 100 R1 100 ~ R2 0.

ou seja. e você sabe porque? Para um ângulo de disparo de 2º é visto que na figura 2.8V 160.64W Observando com cuidado a tabela. trabalhamos com circuitos de disparo que limitam o ângulo em até 90º. no semiciclo positivo e 270º no semiciclo negativo. este controle de potência portanto não é completo. o ângulo de disparo é igual nos dois semiciclos e como a forma de onda da tensão na carga é simétrica.73W 0 89.8. comparado ao observado na figura 2. que trata sobre disparo por rede defasadora. mais senóide é aplicada a carga. Vimos que até o momento. que apresenta valor nulo para todos os ângulos de disparo. e isto significa dizer que mais potência é fornecida à carga.3V 46.8V 155.6.C Observa-se nas formas de onda da figura 2. é feito nos semiciclos positivo e negativo. o seu valor médio é nulo. A outra grandeza é a potência eficaz consumida pela carga. diferente do controle em SCR’s.78W 0 125.75W 0 113. podemos destacar duas grandezas que apresentam valores curiosos em relação a tabela destinada ao SCR. uma delas é a tensão média na carga( Vmedio ). não se desenvolve de 0º a 180º e 180º a 360º. é possível calcular os valores de Vmédio. Pois bem.29W 0 126.5V 89.5V 179. Verifica-se que a mesma para o circuito com TRIAC’s apresenta valores maiores do que aquelas observadas para os circuitos com SCR’s.8 Ângulo de disparo() 2º 15º 30º 60º 90º Tensão na rede( Vrede ) 6.8. 31 .8 que o controle de fase no TRIAC.6V Tensão média Tensão eficaz na Potência consumida na carga( Vmedio ) carga( Veficaz ) pela carga( Peficaz ) 0 127V 161. Assim como os resultados do circuito com SCR.2V 156. Veficaz e a Peficaz utilizando circuitos com TRIAC’s através das relações matemáticas mostradas a seguir: Vmédio  0 Veficaz  VP 1  sen 2   2 2 4 Peficaz V 2 eficaz  RL A partir dessas relações. você sabe o porquê? Caso você preste atenção nas formas de onda apresentadas na figura 2.9V 129.8V 80. obtemos assim uma tabela para os ângulos de disparo em questão mostrados nos gráficos da figura 2. o controle desta natureza é estudado no tópico seguinte. Dessa forma é fácil entendermos que uma mesma lâmpada acenderá com mais intensidade quando ligada a um circuito com TRIAC. e menos intensidade quando ligada a um circuito com SCR. variando a potência desde 0(zero) até o valor máximo.

C 6 – DISPARO POR REDE DEFASADORA A idéia destes circuitos é produzir um ângulo de disparo ’ maior que 90º em relação à tensão da rede. não é mesmo? Identificamos então um circuito típico capaz de gerar este sinal defasado. em relação a tensão da rede.  = Ângulo de disparo normal  = Atraso da rede defasadora  = Defasagem no disparo ’ = Ângulo de disparo com rede defasadora. na figura 2. Isso garante que. O diodo D1 garante que só haverá corrente de gatilho no semiciclo positivo da tensão da rede. é possível então alterar o valor do ângulo de defasagem em questão.10 – Circuito típico de disparo com rede defasadora O ângulo ( discutido anteriormente ) que representa a defasagem da tensão de disparo. 32 . Variando-se valor do resistor R2. como mostra a figura 2. evitando perdas desnecessárias no gatilho do SCR quando este estiver bloqueado. em cada semiciclo positivo. mudando assim o ângulo em que ocorrerá o disparo do SCR. Figura 2. ora. O diodo D2 conduz no semiciclo negativo carregando C1 com tensão negativa. deslocado o sinal de tensão no circuito de disparo de um ângulo . então descobrimos a filosofia da solução do nosso problema.9 – Comportamento da tensão de disparo com rede defasadora A figura 2. mantendo a regularidade do disparo. verifica-se que o disparo se dará em um ângulo maior que o primeiro.9 mostra que a tensão de rede ao alcançar o valor de V .9 representado por  + .10 carga R1 D2 Vrede R2 D1 SCR C1 Figura 2. tomada sobre o capacitor. o capacitor comece sempre a se carregar a partir de uma tensão fixa. o disparo acontece para um certo ângulo . depende do valor da constante de tempo  = ( R1 + R2 )C1. pois dessa forma podemos disparar o tiristor sob ângulos maiores que 90º.

explique sucintamente a idéia de como podemos disparar em instantes diferentes o SCR. como mostra a figura abaixo. de acordo com o sinal alternado de entrada. VCC RG RL 2) Responda se o circuito de disparo em CA.C EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM 1) Dado o circuito abaixo. P1(200k) 100 Vrede ~ 1k TIC 106B 33 . Justifique sua resposta. responda por que não é viável sua utilização. montado no exercício ( 1 ). RL R1 Vrede ~ P1 C1 3) Partindo do circuito mostrado na figura abaixo. apresenta vantagem sobre o circuito de disparo CC.

em função da operação normal do conversor. e quanto ao acoplamento ser perfeito pode ser melhor entendido nas ilustrações mostradas na figura 8. utilizando-se um circuito com TRIAC. “Galvânica”. esta isolação é importante para evitar que tensões desenvolvidas nos enrolamentos. possam causar-lhes danos. Figura 2. 8 – TRANSFORMADORES DE PULSO Especialmente projetados para a transmissão de pulsos de disparo aos SCR’s e TRIAC’s. Esta isolação.catodo além da possibilidade de obter isolação entre os sinais de disparo e o dispositivo.1. Justifique sua resposta. os transformadores de pulso devem apresentar como exigência um ótimo acoplamento entre o primário e secundário além de possuir uma elevada isolação ( tipicamente da ordem de kV ).11 – Espalhamento da corrente ao longo do disparo 34 . 6) Explique a função dos diodos D1 e D2 no circuito abaixo. não permite a passagem de corrente de um lado para outro do circuito. Esta isolação normalmente é feita através de “ Transformadores de pulso” e “ Acopladores ópticos”.C 4) Qual a vantagem do controle do fluxo de potência efetuado com o TRIAC comparado com o SCR? 5) Responda se é possível controlarmos o valor médio de tensão na carga. mantendo assim a integridade do dispositivo. carga R1 D2 Vrede R2 D1 SCR C1 7 – DISPARO POR PULSOS E COMPONENTES ASSOCIADOS O disparo por pulsos é vantajoso em relação ao disparo CC no que diz respeito a potência dissipada na junção gatilho . estudados mais adiante.

C Verifica-se portanto a medida que a corrente no gatilho é injetada transversalmente. disparados num mesmo invólucro. devido a um possível mau acoplamento.13. b) a) c) Figura 2.13 – a) Esquema interno de acoplador óptico b) Acoplador óptico com fototransistor c) Encapsulamento do componente Um inconveniente em usar acopladores ópticos com transistor é a necessidade de uma fonte adicional. como mostra a figura 2. Imagine. a corrente I se concentrará mais em uma única região provocando um aquecimento( ponto quente ) podendo danificar o componente.  TRANSFORMADORES DE PULSO COMERCIAIS Figura 2. que você agora deseje disparar um tiristor utilizando-se de um acoplador óptico com transistor. para polarizar o circuito de coletor do transistor e fornecer a corrente de gatilho ao SCR ou TRIAC. uma corrente Anodo – catodo vai encontrando uma maior facilidade na passagem ao longo da seção do dispositivo.13. verifique que será necessário uma fonte adicional para polarizar o circuito de coletor do transistor e assim fornecer a corrente de gatilho para efetuar o devido disparo. Os acopladores ópticos consistem em uma fonte de luz(fotoemissor) e um fotosensor.12 – Transformador de pulso 9 – ACOPLADORES ÓPTICOS OU ISOLADORES ÓPTICOS Estes dispositivos surgiram na década de 70 e foram desenvolvidos com a finalidade de isolar pulsos de disparo. como ilustra a figura 2. que deve ter alta sensibilidade na faixa de frequência de luz emitida pelo fotoemissor. caro leitor. porém caso não haja conformidade nesta distribuição. O fotosensor pode ser um transistor ou até um SCR ou TRIAC. isto não será inconveniente? 35 .

pois haveria um circuito mais complexo para o disparo de seu tiristor. o TRIAC Q1. há uma solução interessante para este caso.16 – Circuito típico de disparo com o MOC3011 Observe na figura 2. que é o uso de acopladores ópticos com tiristores.7400  Q2 “1” Figura 2. disparando o fotosensor Q2 e. como consequência. pois bem. o sistema digital deve fornecer nível lógico “1” a entrada de controle da porta nand. o pino 2 do MOC3011 vai para nível lógico “0” e o led D2 fica polarizado diretamente. Assim.14. 36 . Figura 2.C Claro que sim. ilustrado na figura 2.16 que para que seja acionado o TRIAC Q1.14 – Circuito integrado MOC3011  TIPOS COMERCIAIS MOC3020 MOC3021 MOC3022 MOC3023 Figura 2.15 – Circuito típico de disparo com o MOC3011  CIRCUITO DE DISPARO COM FOTOTRIAC CARGA R3 +V R1 MOC3011 R2 F1 D2 VCONTROLE Q1 1/4 .

C

Para podermos especificar um circuito integrado desta natureza é importante estarmos atento a dois parâmetros: A tensão máxima reversa(VRRM) e a corrente máxima direta(ID), suportadas pelo elemento fotosensor, no caso o TRIAC. Uma breve análise do comportamento do circuito com o MOC3011 quanto ao uso dentro de seus parâmetros máximos, é feito para que possamos ter a idéia da sequência de cálculos para um bom dimensionamento do circuito de disparo. A partir da figura 2.16 e dado as características do TRIAC Q1, assim como do circuito integrado MOC3011 faremos a análise. PARÂMETROS DO MOC3011 LED IA 10mA(min) 50mA(max) VF 1.3V-10mA TRIAC 250V(min) 3V(max) – 100mA 1.2A(max)

PARÂMETROS DO TRIAC Q1 VGT 2V IGT 100mA

VRRM,VDRM VT I6 Tabela 2.1 – Parâmetros do TRIAC e do MOC 3011

Visto que a tabela 2.1 nos mostra os parâmetros do MOC3011, a corrente I A de entrada do pino 1(anodo do led) deve ser inferior a 50mA,. Para não danificar o dispositivo, e deve ser superior a 10mA, para garantir o disparo de Q2. Desejamos então dispararmos o TRIAC Q2, tendo no pino 2 nível lógico “0”, a corrente IA vale:

IA 

5  VF 5  1.3   12.3mA R1 300

Desta forma o MOC3011 está protegido e garante o disparo do TRIAC interno Q2. Para garantirmos a proteção do TRIAC Q2, a partir da carga a ser acionado, é necessário calcularmos o valor do resistor R1, inserido no pino 6, vejamos: RL  V 2 REDE (127) 2   161.29 PL 100

Portanto, a corrente máxima no pino 6 será:
I6  V REDE 127 2   0.529 A R2  R L 341.29

Isto garante que o TRIAC interno não será danificado, pois opera com corrente menor que máxima permitida(I6 = 1.2A). Garantidas então as condições normais de trabalho do MOC3011, é possível determinar o que nível de tensão da rede, o TRIAC Q1 irá Disparar, dado que saibamos seus parâmetros. A partir da tabela 9.1, temos que IGT = 100mA e VGT =2V, considerando que VT =3V (TRIAC Q2), obtemos então através do circuito em questão:
37

C

I GT 

VREDE  VT (Q2 )  VGT (Q1 ) R1  R2
V REDE  3  2 , 341.29

100 x10 3 

VREDE  39.13V

Isto significa que a tensão da rede ao atingir 39.13V, o TRIAC Q1 será disparado. Você deve estar questionando o fato do controle de potência, não estar disponível nesta tipologia de circuito, não é? Pois bem, é possível sim criarmos um controle de ângulo de disparo nesta topologia de circuito, basta inserirmos no pino 6 um resistor variável(R V), e logo teremos disparos para vários valores de tensão da rede. Porém temos que ter um cuidado especial com o mínimo valor para esta resistência inserida no pino 6, pois poderá haver um aumento de I6 superior ao suportado pelo TRIAC Q2. Uma recomendação para evitarmos este tipo de problema, é inserirmos em série com o resistor variável(RV) uma resistência que garante o valor limite quando este resistor estiver próximo de zero(0), como ilustra o circuito da figura 2.17
100W 5V 300 R2 F1 1A 180 R1
R3

MOC3011

VRede Q1

Vcontrole 1/4 - 7400 “1”

D2

Q2

Figura 2.17 – Circuito de disparo com MOC 3011

10 – CIRCUITO DE DISPARO PULSADO COM UJT OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM UJT
RB2
RB1

R1 + VCC C1

B2 B2 E
UJT

R1 + VCC D1 DIODE

rb2

B1
RB2

E
C1

rb1

B1
RB1

(a) Figura 2.18 a) Circuito típico de um oscilador com UJT (b) b) Oscilador de relaxação com circuito equivalente do UJT

38

C

PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO

Observe a figura 2.19, inicialmente ao aplicarmos uma tensão VCC, o capacitor se carregará até que o diodo dom emissor comece a ficar polarizado diretamente. Quando a tensão no capacitor atingir a tensão de disparo do UJT(Vp), O mesmo conduz, temos então uma diminuição de r b1, permitindo então que o capacitor C1 se descarrega sobre (RB1 + rb1). Esta descarga se dará até que o UJT entre novamente no estado de corte.

R1 + VCC1 C1

E

D2 DIODE rb1

B1
RB1

Figura 2.19 – Circuito equivalente ao oscilador de relaxação após o corte do UJT Este ciclo se repete segundo constantes de tempo, de carga e descarga, formando assim um circuito oscilador. E o que são constantes de tempo? Vejamos, Por definição, uma constante de tempo é o tempo necessário para que o capacitor se carregue( ou descarregue) em até 63% do valor de tensão de entrada no circuito, e é dada pela expressão  = RC. No nosso caso temos duas diferentes constantes de tempo a considerar, a de carga e a de descarga, respectivamente representadas pelas expressões: carga = R1C1 e descarga = (RB1 + R B1 ) C1, e o comportamento das mesmas então observados na figura 2.20.
VE VP

Tensão de disparo

VV VB1 VB1

Tensão de vale t Tensão no terminal B1( usada para disparar tiristores) Tensão contínua em B1 t Tensão no terminal B2

VB2 VB2

0

t1 t2

t

Figura 2.20 – Circuito equivalente ao oscilador de relaxação após o corte do UJT
39

C

Verifica-se que de 0 a t 1, o capacitor se carrega através de R1, com constante de tempo carga = R1C1. Em t1, o UJT dispara e entre t1 e t2, o capacitor se descarrega com uma constante de tempo descarga = (rB1 + R B1 ) C1, de valor menor do que carga. Aprendemos então como funciona o circuito de um oscilador de relaxação com UJT, mas de que forma podemos nos servir do mesmo para disparar um SCR ou TRIAC? Veja bem, caro leitor, observe que na figura 2.20, a forma de onda adquirida no terminal de B1 representa pulsos de tensão e exatamente estes que são utilizados para disparar os tiristores em questão. O circuito típico para o disparo de SCR´s ou TRIAC´s é mostrado na figura 2.21.
carga R2 R1 + Vcc C1 R3 UJT SCR

~

Vrede

Figura 2.21 – Circuito típico de disparo de SCR com UJT

PROJETO DE UM OSCILOSDOR DE RELAXAÇÃO COM UJT Para que um SCR seja disparado com sucesso através de um circuito como mostrado na figura 2.21, é preciso especificarmos os parâmetros do mesmo. É necessário então efetuarmos alguns cálculos baseando nas características do UJT, assim como nas características do SCR que desejamos acionar, um exemplo ilustrativo é do SCR que desejamos acionar, um exemplo ilustrativos é mostrado a seguir, apresentando a você de que forma podemos obter os parâmetros deste circuito oscilador. Para o projeto em questão iremos considerar o circuito da figura 2.21, com o UJT 2N2646 e o SCR TIC 106, onde algumas de suas características são apresentadas a seguir:

 rbb Ip Iv

UJT – 2N2646 0.56(min) 0.75(max) 4.7k(min) 9.1k(max) 1A(tip) 5A(max) 4mA(min) 6mA(tip)

SCR – TIC106 VGD=0.2V VGT=1V - CÁLCULO DOS PARÂMETROS R1, R2, R3 E C1 CÁLCULO DE R2:
40

R1 = 10k e C1 = 0.22 – Circuito típico de disparo de SCR com UJT SCR 0. dado que são conhecidos os valores de R1. De posse então desses dados de entrada e de acordo com a ferramenta de cálculo de cada parâmetro obtemos então o valor dos mesmos mostrados no circuito da figura 2.3V.6 x( R2  rbb (min)) Vcc CÁLCULO DE R1: O valor do cálculo do resistor do emissor(R1) deve ficar dentro do seguinte limite: Vcc  V p Vcc  Vv  R1  Iv Ip A partir da seção 3. verificado nas características técnicas do dispositivo. calcula-se o valor de R3 através da relação: R3  0.C Um valor prático de R2 é calculado em torno de 15% de rbb.1F 1k R2  R1 10k + Vcc UJT carga Figura 2.6.6 e VBB  Vcc  consideraremos então V3 = 0. f e . R3 = 220.  1  R1 f ln  1     Como exemplo.1F C1 220 R3  ~ Vrede 41 .  = 0. IV = 4mA e IP = 4A escolhidos assim para efetuarmos o cálculo em questão. devemos fixar uma faixa de frequência de operação do circuito.4 que trata dos parâmetros do UJT. aplicamos então uma tensão de alimentação Vcc = 12V e queremos que a saída do circuito oscile com uma frequência de 1kHZ. Porém Vp é encontrado através da expressão: V p  V D  V BB Vcc R2  V3 e Sabendo que V3 < 0. R2 = 1k.6V. temos que VV=2V.22. CÁLCULO DO CAPACITOR C1: Para o cálculo do capacitor. CÁLCULO DE R3: Dado Vcc. O valor de C1 é então calculado pela expressão que segue: 1 C1  . R2  RBB  R3 onde VD = 0.

2) Qual a função do transformador de pulso em um circuito de disparo? 3) Cite algumas vantagens do uso de um acoplador óptico no disparo de um tiristor? 4)Dado o circuito abaixo. e consultando os dados técnicos necessários.7400 5V  Q2 “1” 5) Dado o circuito abaixo. dimensione o circuito com o objetivo de protegermos o optoacoplador? CARGA(RL=500) R3 +V R1 R2 F1 V = 110V Q1 D2 VCONTROLE 1/4 .C EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM 1)Cite uma vantagem do disparo por pulsos em relação ao disparo CC. R1 + VCC C1 RB1 B2 E UJT B1 RB2 42 . explique de que forma é possível retardarmos o disparo do UJT.

Como mostra a fig.23 abaixo: Figura 2. há um pequeno problema: O ângulo de disparo() é aleatório.24 – Circuito sincronizado de disparo com UJT Este circuito funciona da seguinte forma: No semiciclo negativo da tensão de rede.25 – Etapa de estabilização zener 43 . pois é polarizado diretamente como mostra a figura 2. os pulsos enviados podem “pegar” a senóide a cada ciclo.23 – Formas de ondas para o circuito de disparo Com  aleatório de disparo de SCR com ângulo  ficar aleatório.C  OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM UJT SINCRONIZADO COM A REDE No circuito de disparo visto anteriormente. devemos sincronizar Para evitar o problema do funcionamento do circuito de disparo com o sinal que alimenta o circuito de potência. pois o circuito gerador de pulsos fica oscilando independente do sinal da rede.25: R1 Vrede ~ I D1 Figura 2.7: R RB2 R1 Vrede ~ D1 C1 UJT RB1 Figura 2. 2. Um circuito típico de disparo sincronizado com a rede é mostrado na figura 10. Quando isto ocorre. o diodo zener funciona como um diodo normal. em momento diferente.

Figura 2. no circuito gerador de pulsos. permitindo assim que não haja alguma dissipação desnecessária no gatilho. Figura 2. até que a tensão de rede atinja a tensão VZ.C Neste instante o oscilador estará em curto e o UJT não irá disparar. como de costume.26 – Formas de ondas para o circuito de disparo sincronizado com a rede. isto ocorrerá logo no início do semiciclo positivo. A partir daí o diodo zener irá manter a tensão. as condições de carga repetem-se em todos os semiciclos negativos. 11 – CIRCUITO DE DISPARO COM TCA-785 O TCA-785 é um circuito integrado desenvolvido para controlar o ângulo de disparo de tiristores. utilizando-se 3(três) CI´s. A finalidade destes circuitos é a de facilitar o projeto de circuitos de disparo e torná-los mais compactos e confiáveis.27 – Circuto integrado TCA 785 O TCA-785 faz parte de um grupo de circuitos integrados de disparo. continuamente de 0º a 180º. ou seja. mas inevitáveis neste circuito e como os sinais são repetitivos. Os demais pulsos são desnecessários. duas saídas adicionais complementares. estabilizada no valor de VZ. 44 . Uma vez alimentado. como pode ser visto na figura 2. o primeiro pulso ocorrerá sempre com o mesmo ângulo . o circuito oscilará normalmente e o primeiro pulso(com ângulo  em relação à tensão da rede) irá disparar o SCR. No semiciclo positivo.250mA).  Duas saídas com corrente de disparo( TCA-785 . o diodo zener estará bloqueado.  Operação em circuitos trifásicos.26. já que no semiciclo negativo o SCR não deve conduzir. Dentre suas excelentes características é possível destacar:  Largo campo de aplicação devido à possibilidade de controle externo.

29 – a)Detalhe parcial do TCA 785 b) Conexão de referência 45 .C       Duração de pulsos de disparo determinado por um capacitor externo. Detecção de passagem de tensão por zero volt. TCA-785 apresenta um bloco chamado DPZ(Detector de Passagem por Zero) que gera um pulso de sincronismo toda vez que a tensão da rede passa por zero. para que não ocorra disparos aleatórios dos tiristores.28 – Diagrama de blocos do TCA 785 Para melhor entendermos o funcionamento deste circuito.  DETETOR DE PASSAGEM POR ZERO Vimos a importância do circuito de disparo estar em sincronismo com a rede. como mostra a figura 2. A entrada para a tensão de referência de sincronismo é no pino 5. b) a) Figura 2. analisaremos suas principais etapas. Possibilidade de inibição dos pulsos de disparo. DIAGRAMA DE BLOCOS DO TCA-785 Figura 2. Consumo interno de corrente até 10mA. Faixa de fonte de alimentação de 8V a 18V.28.

na figura 2. O tempo de subida da rampa é assim determinado pela combinação RR e CR. A tensão fornecida pelo gerador de rampa varia linearmente com o tempo(reta). Um valor elevado de CR tornaria a descarga do mesmo muito lenta.30 – Saída de um gerador de rampa A equação então que rege este comportamento da tensão de rampa(VCR). ou seja. de uma tensão de alimentação externa(VS). logo para o correto funcionamento do circuito. a tensão dobra se o intervalo de tempo dobrar. como pode ser observado na figura 2. como pode ser observada na figura 2.C Quanto a tensão de alimentação VS(pino 16) pode variar dentro do intervalo 8V VS 18V.29. Figura 2. Em outras palavras.30. o sincronismo do disparo. pois a alimentação interna do TCA-785 é regulada em 3. por exemplo.  GERADOR DE RAMPA O gerador de rampa(cujo controle está na unidade lógica) consiste essencialmente de uma fonte controlada por uma resistência RR. respectivamente. 46 .30. devem ser considerados os valores mínimos e máximos adotados na prática 500pF e 1F. comprometendo o novo ciclo de carga e. no capacitor(cr) é dada por: VCR  I CR xt CR Verifica-se então que a equação impõe restrições quanto ao valor de CR.1V pelo próprio CI. a tensão cresce proporcionalmente ao aumento do tempo. consequentemente. como se vê.

 Assim podemos monitorar a largura dos pulsos adquiridos nas saídas do bloco lógico de formação dos pulsos. que um pulso de disparo deve ser acoplado a uma de suas saídas. apresentando os pulsos adquiridos com larguras diferentes. bem como as formas de onda do sinal de controle e rampa são mostrados na figura 2. via unidade lógica.C  COMPARADOR DE DISPARO DO TCA-785 A finalidade deste bloco é comparar a tensão de rampa(VR) com a tensão de controle(VC).2 é apresentada uma relação de capacitores para o pino 12 com as respectivas larguras de pulsos. quando estas forem iguais. pulsos positivos no semiciclo positivo da tensão de sincronismo e no pino 14. a duração destes pulsos é determinada pela conexão de um capacitor externo C12. Uma ilustração do bloco comparador. defasadas entre si de 180º.31 – a)Comparador de disparo do TCA b) Sinal aplicado ao bloco lógico de formação de pulsos Observe na figura 2. então. C12 Aberta  = 620s/F 30s 150pF 93s 220pF 33pF 136s 205s 680pF 1000pF 422s 620s Curto 180º . 47 . entre o pino 12 e o terra e amplitudes iguais a tensão de alimentação do pino 16. pulsos positivos no semiciclo negativo da tensão de sincronismo. no pino 15.31 que a mudança de estado na saída V O do bloco comparador de disparo indicará ao bloco lógico de formação de pulsos. Na tabela 2.32 ilustra as formas de onda dos sinais de interesse do TCA 785. Obtém-se.31 a) b) Figura 2. A figura 2. envia pulsos nas saídas.

na verdade. e é fácil de percebermos em que caso elevarmos ou abaixarmos o sinal de controle. o pulso irá se deslocar para frente ou para trás. respectivamente. no primeiro momento o pino é deixado aberto e no segundo momento o mesmo é curto-circuitado. 48 . Verifica-se também o quanto a largura do pulso é alterada quando alteramos o valor do capacitor C12. conectado ao pino 12.C Figura 2.32 – Formação dos pulsos de disparo Observa-se então com mais clareza que os pulsos são criados a partir de interseção do sinal de controle(Vcontrole) com o sinal de rampa(VCR).

: TIC 106) onde pequenos níveis de sinal no gatilho são suficientes para disparar o componente. TIC 126) este resistor já vem colocado internamente no componente. raramente é utilizado na prática. disparando-o sob uma tensão bem menor que sua tensão de breakover. Neste tópico analisaremos as possíveis formas de ocorrer o disparo do S R onde alguns destes são indesejáveis e por tal motivo.34 Figura 2.  DISPARO POR TENSÃO DE BREAKOVER(VBO) Existe um valor de tensão anodo-catodo capaz de levar o SCR do estado de corte para o estado de condução. Este tipo de disparo só ocorre para a linha de SCR´s mais sensíveis(ex. A G RG  K Figura 2. Este processo de disparo. apresenta característica capacitiva.34 – Capacitância refletida na junção J2 49 . desde que o gatilho capte estes sinais de interferência. DISPARO POR RUÍDO ( SINAIS DE INTERFERÊNCIA) Esta forma de disparo é indesejável.: TIC 116. Na figura 2.C 12 – OUTROS MÉTODOS DE DISPARO DO SCR Os métodos que estudamos até o momento são dedicados a sinais aplicados ao gatilho do dispositivo. proteções deverão ser utilizadas para evitar disparos acidentais.33 – Disparo por ruído  DISPARO POR VARIAÇÃO DE TENSÃO(dV/dt) Toda junção PN reversamente polarizada. Observe a figura 2. conhecido como tensão de Breakover.33 temos a localização do resistor que evita o disparo do SCR por ruído e vale a pena ressaltar que em alguns casos(ex. pelo fato de necessitarmos de valores elevados de tensão capaz de fazer o SCR conduzir. sem aplicações de corrente de gatilho(ig=0). deveremos utilizar um resistor do SCR. Para evitarmos um disparo indesejável por ruído. nem sempre destrutivo. pois um tiristor poderá conduzir a qualquer momento.

caro leitor. Na verdade. VBO e IH.35 – Circuito SNUBBER  DIS PA RO POR AUMENTO DE TEMPERATURA A medida que a temperatura é aumentada. A medida que aumenta a incidência de luz. é possibilitar o controle da intensidade de luz necessária para o disparo do mesmo. Figura 2. as alterações nestes parâmetros contribuem para uma maior facilidade de disparo do componente. o SCR entra em condução. diversos parâmetros do SCR variam tais como. observe que ao fecharmos a chave CH1. colocando um circuito que amorteça esta variação. a questão é como reduzirmos este efeito. Este circuito é conhecido como Snubber(amortecedor). facilita o disparo do SCR. Notamos que o aumento de temperatura. visto que a tensão nos seus terminais cresce de forma gradativa. uma vez que um aumento da corrente de fuga. ou seja. aumenta o número de elétrons livres.C A partir do circuito da figura 2. Caso o valor da corrente capacitiva seja suficiente para que haja o processo regenerativo. neste componente. certo? Então partimos do conhecimento que o capacitor possui a propriedade de se opor a variações de tensão. o componente deve apresentar uma janela que propicie a entrada da luz. que impedirá que a tensão entre anodo varie bruscamente. DISPARO POR LUZ A incidência de luz em uma junção pode fazer surgir elétrons livres na mesma. é aplicado um disparo acidental podendo atém provocar sérios danos ao sistema.34. Ifuga. O papel do gatilho. como por exemplo um grave curto-circuito. diminuição de VBO e uma diminuição IH. a capacitância da junção J2 fará com que circule uma corrente de gatilho. Muito bem.  50 . o componente disparado pela luz é o LASCR(SCR ativado à luz). Para ocorrer tal tipo de disparo. Podemos reduzir o efeito da variação brusca de tensão no SCR. Este circuito é constituído de um ramo RC em paralelo com os terminais anodo e catodo do SCR.

mostrado abaixo VCC R1 R3 SAÍDA C 60 Hz R2 S1 4)Na configuração do circuito mostrado abaixo. responda qual a função dos diodos D1 e D2? 5)Responda porque é importante mantermos o capacitor e o resistor de rampa fixos? 51 .C EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM 1)Explique a função do diodo zener(D1) no circuito abaixo 2)Cite algumas vantagens do TCA 785 3) Explique o funcionamento do circuito detector de passagem por zero.

Retificador controlado monofásico de onda completa. Retificador controlado monofásico de onda completa em ponte.C 6)Responda em qual dos casos abaixo. há um capacitor de valor mais elevado conectado no pino 12 do TCA. 6. (A) (B) 7)Explique o que você entende sobra tensão de BREAKOVER 8)Responda de que forma podemos minimizar os efeitos do disparo por ruído em SCR´s tipo TIC 106. 7. 4.CIRCUITOS RETIFICADORES Neste capítulo trataremos dos circuitos retificadores controlados. Retificador controlado trifásico de meia-onda. 2. Retificador controlado trifásico de onda completa em ponte. Entre os retificadores monofásicos e trifásicos estudados neste capítulo. também chamados de conversores CA-CC. 52 . Retificador controlado monofásico de meia-onda. 3. de valor médio variável à carga. 5. Capítulo III . Retificador semi-controlado trifásico em ponte. nas indústrias de aço e papel.  Controle de velocidade variável para ferramentas elétricas portáteis. Entre diversas aplicações de retificadores controlados. 9)Responda de que forma podemos minimizar os efeitos do disparo no SCR causado por variação de tensão ocorrida no momento de ligação de um sistema. podemos destacar:  Controle de velocidade de motores CC por tensão de armadura variável. temos: 1. Retificador semi-controlado monofásico em ponte. 10)Explique de que forma um aumento de temperatura pode fazer com que um SCR dispare.  Fontes de tensão CC variável para alimentação de inversores usados no controle de motores de indução por variação de frequência. aplicados no fornecimento de uma tensão contínua.

C 1.2 – a) Formas de onda para carga puramente resistiva b)Formas de onda para carga indutiva 53 .1 – a) Circuito retificador controlado de meia onda.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE MEIA-ONDA 1.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA  CIRCUITO CARGA 60 Hz Figura 3. FORMAS DE ONDA Figura 3.

onde  =  + ’ e representa o ângulo 2 de corte do SCR. 1.C 1.4b.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA  Carga puramente resistiva VDC   Vmáx (1  cos ) 2 Carga indutiva V DC  Vmáx (cos   cos  ) . como observado na figura 2. iL 60 Hz L L iL 60 Hz R R (a) (b) Figura 3.4 – a) 1a etapa de funcionamento b) 2a etapa de funcionamento 54 . conforme mostra as figuras 2.3 apresenta duas etapas de funcionamento distintas.3 – Retificador monofásico de meia onda a SCR com diodo de circulação  Funcionamento O circuito da figura 2. resultado do atraso da corrente na carga devido a ação da indutância na carga.4 a e 2.c) CIRCUITO COM DIODO DE CIRCULAÇÃO  Estrutura 60 Hz CARGA Figura 3.2b.

C  FORMAS DE ONDA (a) (b) Figura 3.5 – a) Formas de onda para um ângulo de disparo  pequeno b)Formas de onda para um ângulo de disparo  elevado 55 .

para uma dada carga indutiva.7 – Formas de onda do circuito retificador controlado de onda completa. torna-se independente da carga. o valor médio da tensão na carga.C Observa-se na figura 2.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA 2. Desta forma. ou seja.  FORMAS DE ONDA Figura 3. 2.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA  CIRCUITO CARGA 60 Hz Figura 3. o diodo de circulação provoca um aumento no valor médio da tensão na carga.6 – a) Circuito retificador controlado de onda completa. em relação à estrutura sem este diodo.5 que o valor de ’ = 0. 56 .

b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA  Carga puramente resistiva V DC   Vmáx (1  cos  )  Carga indutiva VDC  Vmáx (cos   cos  ) . 57 .C 2.  3.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA  CIRCUITO CARGA 60 Hz Figura 3. onde  =  + ’ .RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM PONTE 3.8 – Circuito retificador controlado de onda completa em ponte.

9 – Formas de onda do circuito retificador de onda completa em ponte.C  FORMAS DE ONDA Figura 3. 58 .

 Observa-se do ponto de vista funcional que como é necessário os pulsos de disparo simultâneos dos SCR 3 e SCR 4 ou SCR 1 e SCR 2. Verifica-se também neste circuito que o comportamento da corrente de saída não é senoidal. é aconselhável que os pulsos aplicados a estes SCR´s provenham de um mesmo circuito.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA  Carga puramente resistiva V DC   Vmáx (1  cos  )  Carga indutiva VDC  Vmáx (cos   cos  ) . isto ocorre devido ao processo de chaveamento do SCR´s.RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO MONOFÁSICO EM PONTE 4. portanto é importante que tenham os transformadores de pulso com dois enrolamentos secundários.C 3. onde  =  + ’ . pois este aproveita todo o enrolamento secundário. já que o outro só aproveita a metade. fazendo com que a mesma se torne contínua pulsante. 4. que é a “injeção de harmônicos” na rede.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA  CIRCUITO CARGA 60 Hz Figura 3.controlado em ponte. Este circuito apresenta vantagens sobre o circuito anterior devido ao melhor aproveitamento da tensão de saída do transformador. 59 . Este fato evidencia um problema bastante discutido hoje na escala industrial.10 – Circuito retificador semi .

11 apresenta quatro etapas de funcionamento distintas.  wt   +  c) 3a etapa .11c e 3.11d. +  wt  2  d) 4a etapa .C  Funcionamento O circuito da figura 2.11a. SCR1 SCR2 R SCR1 SCR2 R 60 Hz D1 a) 60 Hz D2 L b) D1 D2 L SCR1 SCR2 R SCR1 SCR2 R 60 Hz D1 c) 60 Hz D2 L d) D1 D2 L Figura 3.0  wt   60 .11 – Etapas do funcionamento da ponte mista com carga R-L : a) 1a etapa . 3.3.  wt   b) 2a etapa . conforme mostra as figuras 3.11b.

sem diodo de retorno 61 .C  FORMAS DE ONDA Figura 3.12 –Formas de onda do circuito retificador controlado de onda completa em ponte.

 SCR1 SCR3 DR CARGA 60 Hz D4 D2 Figura 3. apresenta algumas vantagens e desvantagens com relação ao controlado. é uma maior distorção na corrente de saída devido aos trechos em que a mesma se anula.13 – Circuito retificador semi .controlado em ponte com diodo de circulação. como pode ser verificado na figura 2. é possível citar a economia de componentes diante da substituição de SCR´s por diodos semicondutores.14 apresenta a atuação do diodo de circulação no circuito em questão. 4.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA  Carga puramente resistiva e carga indutiva V DC  Vmáx (1  cos  )  O retificador semi-controlado. CARGA 60 Hz Funcionamento O circuito da figura 2.controlado em ponte com diodo de circulação. Uma outra desvantagem que ele apresenta. 62 . Entre as vantagens. e quanto as desvantagens é a não possibilidade deste conversor ser utilizado na operação como inversor .c) CIRCUITO COM DIODO DE CIRCULAÇÃO  Estrutura Figura 3.14 – Circuito retificador semi .C 4.12.

Dessa forma a corrente passa a circular por D4 e SCR1. chegando a conduzir antes do diodo D4.  Formas de onda Figura 3. com diodo de retorno. o mesmo aplica uma tensão reversa em D2 que bloqueia . permitindo assim que o SCR1 reassumia sua condição de bloqueio antes do disparo de SCR3. atrasando seu estado de bloqueio. proporcionamos um caminho preferencial.15 –Formas de onda do circuito retificador controlado de onda completa em ponte. 63 . também chamado de “diodo de retorno” ? Ao inserirmos um diodo de retorno em paralelo com a carga. E o que este processo tem haver com o diodo de circulação.C O diodo D4 ao ser diretamente polarizado em wt = . mantendo a tensão na carga nula. Perceba que na verdade ocupamos um SCR acionado.

RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE MEIA-ONDA 5. obtém-se maior valor de tensão média na carga.16 – Circuito retificador controlado trifásico de meia onda.C EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM RETIFICADORES CONTROLADOS MONOFÁSICOS 1)Explique a principal função de um conversor CA-CC(Retificador controlado) 2)Cite algumas aplicações dos conversores CA-CC 3)Explique a função do diodo de retorno no circuito abaixo 60 Hz CARGA 4)Responda o que acontece com a tensão média sobre a carga quando o diodo de retorno é retirado do circuito do iten (3) CARGA 60 Hz CARGA 60 Hz 5)Responda em qual dos circuitos abaixo. 6)Cite uma vantagem do circuito retificador de onda completa sobre os demais anteriores.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA CIRCUITO VA VB VC SCR1 SCR2 SCR3 I0 carga Figura 3. 64 . 7)Cite uma desvantagem e uma vantagem do circuito retificador semicontrolado em ponte sobre o circuito retificador controlado também em ponte 5.

C  FORMAS DE ONDA Figura 3.17 –Formas de onda do circuito retificador trifásico controlado de meia onda. 5.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA  Carga indutiva VDC  3 3Vmáx cos  2 Neste caso. para dimensionarmos os dispositivos semicondutores utilizamos a relação que segue: V DRMáx  3 2 vef 65 .

a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA  CIRCUITO VA VB VC 1 3 5 carga 4 6 2 Figura 3.  FORMAS DE ONDA Figura 3.C 6.18 – Circuito retificador controlado trifásico de onda completa em ponte. 66 .19 –Formas de onda do circuito retificador trifásico controlado de onda completa em ponte. RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM PONTE 6.

controlado trifásico em ponte. 67 .21 –Formas de onda do circuito retificador trifásico semi-controlado.  FORMAS DE ONDA Figura 3. RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO TRIFÁSICO EM PONTE 7.C 6.20 – Circuito retificador semi .a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA  CIRCUITO VA VB VC 4 6 2 1 3 5 carga Figura 3.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA  Carga indutiva V DC  3Vmáx cos   7.

como por exemplo na aplicação de veículos de tração. segundo o fechamento e abertura. respectivamente da chave CH. A idéia de funcionamento deste circuito está baseada na aplicação ou não de tensão à carga. quando a chave CH mantém-se aberta.1 – Circuito básico chopper. CH + V DR carga Figura 4. CIRCUITOS CONVERSORES Há diversas aplicações industriais que se utilizam de uma fonte de alimentação contínua para obter tensão CC variável. é preciso utilizar conversores CC chamados de conversores Chopper. Porém a continuidade de corrente através da carga é percebida através do diodo de retorno DR. Para que estas aplicações sejam possíveis.2 – Forma de onda na carga 68 t .2 V V0 tON tOF Figura 4.C 7. através do gráfico mostrado na figura 4. O circuito destes conversores é mostrado na figura abaixo. acionados por motores CC. Podemos assim resumir o comportamento da tensão na carga.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA  Carga indutiva V DC  3Vmáx (1  cos  ) 2 Capítulo IV CIRCUITOS CONVERSORES CC-CC E COMUTAÇÃO CC 1.

observa-se que mantendo a frequência constante. 3. modulação em frequência. 1. ou seja. que é dado por: VDC  V TON  V TON f T Através desta expressão. 69 . Variando TON e mantendo o T constante. basta aumentarmos ou diminuirmos a largura do pulso para que tenhamos um aumento ou diminuição no nível médio de tensão na carga. Variando TON e T.3 – Controle MLP Neste controle e a partir da expressão da tensão média( vdc ). também chamado controle por largura de pulso ou MLP(Modulação por Largura de Pulso) 2. Mantendo TON ou TOF constante e variando T. observamos que é possível variarmos o valor médio na carga( VDC ) de três maneiras diferentes: 1. definimos então o valor médio da tensão na carga.C A partir então deste gráfico. Modulação por Largura de Pulso(MLP) V0 V tON T V0 V tON T t t Figura 4.

TON ou TOFF são mantidos constantes enquanto a frequência f é variável. devido a variação de frequência apresentada.5 – Controle com tOF fixo 70 .C 2. Variação de TON e T V0 V tON T V0 V tON T t t t t Figura 4.4 V0 V tOF T V0 V tOF T Observa-se que o emprego desta modulação dificulta o projeto de filtros para aliviar possíveis interferências devidas ao chaveamento. como ilustra a figura 4.4 – Controle de modulação em frequência Figura 4. 3. Modulação em freqüência Nesta modulação.

o que implica como no caso anterior. + V DR carga Figura 4. Para o controle de tensão aplicada à carga. 71 . torna-se insuficiente devido ao excedente de potência ser dissipado na resistência sob forma de calor. até que. este modo de controle vem sendo substituído por chaves estáticas ( SCR ) para o caso de correntes elevadas. como mostra o circuito da figura 3. pois quando a carga não consome energia(chave aberta) o circuito não está consumindo também. o emprego de técnicas tradicionais como por exemplo. a inserção de uma resistência variável entre a fonte e a carga. observa-se uma maior eficiência. O método tradicional ainda hoje utilizado e que implica na colocação de uma resistência em série com a carga. em dificuldade para projeto de filtros. era bastante utilizado.C Este tipo de controle evidencia a variação da frequência f. com o advento dos semicondutores.5 ilustra este tipo de controle. transistores ( para o caso de correntes baixas ).6. RV + V CARGA Figura 4. a técnica de modulação mais utilizada é a modulação por largura de pulso devido a mesma apresentar vantagens sobre os outros nas quais foram identificados problemas quanto a variação da frequência no que se diz respeito a dificuldades do projeto de filtros. A figura 4. A figura 4.6 ilustra um circuito chopper com um SCR como chave. discutido anteriormente.6 – Obtenção da tensão CC desejada através da variação de uma resistência.6 – Obtenção da tensão CC desejada através da variação de uma resistência. Enquanto nos circuitos chopper dotados de chave estática. o que acarreta em perdas de energia. Dentre estas técnicas.

Comutação Forçada.7 – Circuito de comutação forçada 72 . este tipo de circuito não apenas necessita de um circuito de disparo pra o SCR.7 mostra o circuito de comutação deste tipo. já que a corrente não se anula.1– Circuito +V RL C1 R1 SCRp SCRa Figura 4. CIRCUITOS DE COMUTAÇÃO 1. mas também um circuito que proporcione o seu bloqueio.CIRCUITOS DE COMUTAÇÃO PARA SCR Quando se utiliza um SCR como chave em um circuito chopper é importante lembrarmos que em tensão contínua. onde a corrente do tiristor passa naturalmente por zero e uma tensão reversa aparece sobre o mesmo. ou seja. o mesmo não bloqueia. torne-se menor que o mínimo solicitada pelo mesmo. CIRCUITO DE COMUTAÇÃO FORÇADA POR CAPACITÂNCIA EM PARALELO. Este circuito então é chamado de circuito de comutação. O processo de comutação natural é aquele que ocorre quando a alimentação da fonte é CA. 1. caro leitor. 2. E agora. O processo de comutação forçada é um processo artificial que tende a fazer com que a corrente direta do tiristor seja forçada através de um circuito dedicado.C 2. o SCR ao ser disparado é mantido conduzindo. caro leitor? Como desenvolvermos o controle deste circuito através desta chave estática? Pois é. chamado circuito de comutação. bloqueando-o Os métodos utilizados na comutação de um SCR são divididos em duas categorias: 1. O processo de comutação se baseia em fazer com que a corrente de manutenção em um SCR. A figura 4.Comutação Natural.

enquanto o SCR principal( SCRP ).2– Princípio de funcionamento A figura 4. revela-se então o corte do SCRP.II e III Observa-se que no estágio II. +V +V +V RL C1 R1 RL C1 R1 RL C1 R1 SCRp + SCRp + SCRa SCRp SCRa SCRa I II III Figura 4. Levando então o componente ao corte.C 1. CIRCUITO DE COMUTAÇÃO FORÇADA POR RESSONÃNCIA AUXILIAR (REDE LC ) +V 2. Quando o SCRP é novamente disparado.8 – Sequência de funcionamento do processo de comutação forçada: Estágios I.8 mostra a sequência de estados de funcionamento deste circuito. 2. colocando-se então o capacitor C1 em paralelo com o SCRP. retorna-se ao estágio II e o ciclo se repete. polarizando-o reversamente. o SCR( SCR principal ) é disparado. No estágio III. carregando o capacitor C1 através do SCRP e de R1. A desvantagem deste circuito está no consumo de potência perdido no resistor R1. disparando o SCR auxiliar( RCSA ).1 – Circuito RL C1 L1 SCRp SCRa D1 73 .

II - . Observa-se neste circuito que não haverá dissipação de potência. Observa-se também neste estado que o capacitor. o capacitor C1 lança sua energia sobre o indutor L1.III - 3. Capítulo V CONVERSÃO DE FREQUÊNCIA Neste capítulo será discutido o princípio de funcionamento de circuitos inversores bem como citado algumas de suas aplicações.C 2. como no circuito anterior. pois o diodo D1 é polarizado inversamente. pois basta que seja disparado o SCRA para que o capacitor C1 fique em paralelo com o SCRP. e assim uma oscilação permanente entre o capacitor e o indutor. impedindo tal feito. devido a sua polarização reversa. Em seguida o SCRP é disparado e o capacitor C1 fica praticamente em paralelo com L1 e D1.2 – Princípio de funcionamento +V +V +V RL RL C1 RL + L1 L1 C1 C1 . Enquanto o SCRP conduz. tem-se no estágio II o disparo do SCRA. só que nesta condição a polaridade da tensão no capacitor torna-se oposta ao apresentada no estágio II.+ L1 SCRp SCRp SCRa D1 SCRa D1 SCRp SCRa D1 -I- . tem-se então o estágio III. Também será abordado o funcionamento de circuitos cicloconversores. bem como aplicações envolvendo o mesmo. levando o SCRA naturalmente ao bloqueio. levando-o ao corte.31 – Sequência de funcionamento do processo de comutação forçada: Estágios I. pois o mesmo é polarizado reversamente quando o SCRA é disparado. e o capacitor C1 é carregado através de RL e SCRA. polarizado de forma como está. fecha-se então o ciclo. e quando o mesmo é energizado lança sua energia de volta ao capacitor. não troca energia com o indutor L1.II e III Inicialmente. No estágio III ocorre o bloqueio então do SCRP. 74 .

INVERSORES V S1 RL S3 S2 S4 VFigura 5. no que se diz respeito ao controle de velocidade das máquinas de corrente alternada. também são denominadas de conversores estáticos de frequência. c) Sistema de alimentação de emergência. Considere o inversor monofásico.2 – Circuito inversor com corrente invertida na carga: Estágios I e II 75 . V + S1 RL S3 S1 V S3 RL S2 S4 S2 S4 -I- V - . a mesma será aplicada aos circuitos inversores trifásicos.II - V Figura 5. promovendo a possibilidade de variação de frequência e amplitude da corrente produzida. como mostra a figura 4.1alimentando uma carga RL. utilizados normalmente no estágio intermediário CA/CC. Devido ao motivo de sua frequente utilização para variação de frequência. 1.1– PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO Utilizaremos uma ponte inversora monofásica para que o leitor possa entender melhor a idéia de funcionamento de um circuito inversor.C 1. b) Transmissão de energia por CC. e são os grandes responsáveis pela automação industrial. Dentre as aplicações deste circuito podemos citar as seguintes: a) Controle de velocidade de motores de indução.1 – Circuito inversor monofásico Os circuitos inversores fazem a conversão CC-CA. d) Tração elétrica. e mais tarde.

é preciso que sejam levados em conta o circuito de disparo e o circuito de corte destes dispositivos(circuitos de comutação).2 Observando a figura 5. cuja frequência é determinada pela frequência de chaveamento das chaves e a amplitude da tensão na carga depende de tensão aplicada a entrada do inversor. S2. cuja tensão seja V.S3 e S4). é fácil verificarmos que é possível alterarmos a polaridade nos terminais da carga através do acionamento conveniente de chaves(S 1. a fim de que possamos sincronizar os disparos para obtermos os resultados desejados. Com o advento dos semicondutores.2.4 – Inversor com ponte de SCR´s 76 . como mostra a figura 4.3 SCR1 + V RL SCR2 SCR3 SCR4 Figura 5.C O seu funcionamento se resume nos estágios I e II. com obtenção dos mesmos resultados. o inversor alimentado através de um barramento CC. dessa forma.4 VRL V t -V T Figura 5. O circuito inversor monofásico com SCR´s é mostrado na figura 5. na verdade estas chaves são substituídas por chaves estáticas(SCR e transistores) por exemplo. obtém-se uma saída como mostra a figura 5. Substituímos então as chaves mecânicas por SCR´s.3 – Forma de onda na saída do inversor Verifica-se que a tensão contínua no barramento CC é transformada em uma tensão alternada.

INVERSORES TRIFÁSICOS A figura 5.5– Inversor trifásico com ponte de SCR´s Os dispositivos são numerados e disparados em uma ordem tal que passam a produzir tensões numa sequência de fases positiva. A figura 5. VAB. 1. o mesmo deixa de conduzir. pois caso os SCR´s de um mesmo braço conduzirem. é necessário um circuito de disparo para acionar os SCR´s 1 e 4 e também um circuito de corte para realizar o desligamento destes SCR´s quando for feito o disparo dos SDCR´s 2 e 3.5 mostra a configuração do circuito inversor trifásico. pois ao se retirar o sinal aplicado à base. Hoje são utilizados os transistores bipolares de gatilho isolado( IGBT´s ) por apresentarem características que se adaptam ao uso de frequências elevadas. + SCR1 D1 SCR3 D3 SCR5 D5 + SCR4 D4 SCR6 SCR2 D6 D2 77 . Figura 5.6 mostra o esquema de ligação da carga e a figura 5. Para o caso de uma carga ligada em triângulo.7 as formas de onda assim nela aplicada. são estas as tensões de interesse. solicitadas nos inversores de potência.C Para que este circuito funcione perfeitamente. haverá um curto-circuito na fonte. assim como correntes elevadas. VBC e VCA.2 . Os circuitos com transistores comuns apresentam uma vantagem sobre os SCR´s em relação à sua facilidade de corte.

já contamos com as tensões fase-neutro como as de menor interesse. 78 . A figura 5.7– Formas de onda da saída do inversor trifásico em ponte. Ligando-se uma carga em estrela.6– Conexão em triângulo Figura 5.8 mostra o esquema desta ligação assim como o circuito equivalente após o disparo de uma das combinações das chaves e o respectivo comportamento das tensões fase-neutro.C Figura 5.

9 .circuitos equivalentes Figura 5.C Figura 5.10– Formas de onda das tensões de fase na saída do inversor trifásico (a) (b) Figura 5.8– Conexão em estrela Figura 5.11– (a)Formas de onda de tensão de fase na saída do inversor trifásico (b)Forma de onda da corrente de fase na saída do inversor trifásico 79 .

12 Observa-se que este circuito é formado por uma associação de dois grupos retificadores monofásicos de onda completa com derivação central. SCR1 SCR2 60 Hz RL SCR3 SCR4 Observe que a corrente aplicada em uma das fases da carga. caro leitor. e no caso do inversor estar alimentando uma carga indutiva? Se a carga fosse indutiva.C Entendido então o comportamento do inversor trifásico na alimentação de cargas resistivas. logo teríamos um comportamento mostrado na figura 5. pois apresenta distorção devido ao chaveamento. é sabido que haverá um atraso da corrente em cada ramo do inversor. 2. chamado de grupo positivo do cicloconversor.12 – Cicloconversor monofásico SCR2 60 Hz RL SCR3 SCR4 80 .11. mostrada na figura 5. a questão é. Os tiristores 1 e 2 formam o primeiro grupo. chamado de grupo negativo do cicloconversor. CICLOCONVERSORES Cicloconversor é um circuito capaz de converter um sinal CA de frequência fixa em outro CA cuja frequência é variável. Um circuito típico de um cicloconversor é mostrado na figura 5. SCR1 Figura 5.11b é “quase” senoidal. e os tiristores 3 e 4 formam o segundo grupo.

A figura 5.13 e 5.13 mostra o comportamento da forma da tensão na carga. a frequência da tensão VE. provocam um conteúdo harmônico elevado e indesejável na tensão de saída. aumenta o período do sinal de tensão em duas vezes. Este processo realizado da forma como mostrado nas figuras 5. repetindo o ciclo. quanto maior a amplitude. é possível reduzirmos a 1/3 e até mais. A figura 4. disparam-se os SCR´s com   0º e preferencialmente variável.14 – Sinal de saída de um cicloconversor com 1/3 e 1/5 da frequência do sinal de entrada Verifica-se então que através deste processo é possível convertermos um sinal CA de frequência fixa em um sinal CA de frequência variável. Esta variação do ângulo  é melhor aplicada tomando como referência o valor de amplitude do sinal AC. E assim para que seja evitado harmônicos de baixa ordem com amplitude elevada. faz-se o mesmo com os tiristores 3 e 4. os tiristores 1 e 2 são disparados durante um número inteiro de semiperíodo da tensão de alimentação VE e em seguida. fS  fE 2 A partir desta idéia de controle dos SCR´s. Figura 5. maior o ângulo . o que implica em reduzir a frequência pela metade.14.14 mostra o sinal de tensão VE reduzido a 1/3 e ou 1/5 de sua frequência. segundo o disparo sincronizado dos SCR´s. Figura 5.1 -PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO Dado o sinal de saída do transformador VE. Basta dispararmos os SCR´s 1 e 2 em números de ciclos positivos e 3 e 4 em números de ciclos negativos iguais a fração em que se deseje dividir a frequência. ou seja.13 – Sinal de saída de um cicloconversor com metade da freqüência do sinal de entrada Observe que o resultado deste controle de disparos é a aplicação de dois semiciclos positivos e dois semiciclos negativos a carga. e quanto menor a amplitude. como mostra a figura 5. onde os SCR´s são disparados em  = 0º.15 81 . menor o ângulo .C 2.

SCR1 A B C SCR2 SCR3 SCR4 CARGA SCR5 SCR6 Figura 5. A figura 5.16 – Circuito cicloconversor trifásico Figura 5.15 – Forma de onda na saída de um cicloconversor com  variável Os cicloconversores trifásicos são bastantes utilizados no controle de velocidade de motores de alta potência e baixa velocidade.17 – Forma de onda de tensão na saída de um cicloconversor trifásico 82 .16 mostra a configuração de um circuito cicloconversor assim como a conversão de uma forma de onda da tensão de saída para uma de frequência 3(três) vezes menor que a frequência de alimentação.C Figura 5.

TIPO. 3.2 – MANDAMENTOS DA INSTALAÇÃO DO INVERSOR •Cuidado! Não inverter a saída trifásica com a entrada de rede trifásica •Conecte o aterramento tanto ao inversor como ao motor •O valor do aterramento nunca deve ser maior que 5 Ohms •Deve-se evitar ao máximo misturar (em um mesmo eletroduto ou canaleta) cabos de potência com cabos de comando e sempre que possível usar cabos de comando blindado.1 – O INVERSOR POR DENTRO REDE Interface Serial 0 – 10 Vcc Analógico RS 485 C I H M - ~~ A D P I/O Digital DIN U M 3. E POTÊNCIA DO MEU INVERSOR PARA A MINHA APLICAÇÃO? -POTÊNCIA DO INVERSOR EXEMPLO: REDE ELÉTRICA = 380VCA MOTOR = 1HP APLICAÇÃO = EXAUSTOR INDUSTRIAL 83 .C 3 – O INVERSOR DE FREQÜÊNCIA ( “TÓPICOS GERAIS”) 3.3 – DIMENSIONAMENTO DE UM INVERSOR ? COMO POSSO SABER: QUAL É O MODELO.

elevadores.5A -TIPO DO INVERSOR Escalar. etc..) .Seria Vetorial em duas ocasiões: Extrema precisão de rotação.C CÁLCULOS: Temos que o motor possui 1HP = 746W Cos = 0.. Obs: .TÉCNICAS DE CONTROLE •Aplicações típicas do inversor com controle vetorial Torque elevado com baixa rotação ou rotação zero Controle preciso de velocidade Torque regulável. pois trata-se de um exaustor. torque elevado para rotação baixa ou zero(Guindastes. pontes rolantes. como tração elétrica •Aplicações típicas do inversor com controle escalar Partidas suaves Operação acima da velocidade nominal do motor Operações com constantes reversões 84 .80(Fator de potência do inversor) (CI = Corrente do Inversor) amperes Logo o inversor deverá Ter : -Tensão de entrada : 380Vca -Corrente Nominal: 2.

A.ir. 1991. McGraw-Hill. Eletrônica industrial: Teoria e aplicações. São Paulo: Érica.br Revista consultada: o Saber eletrônica 85 . Érica.L. Rashid.com o www. 1999. Edna Andrade. Makron Books. Bahia. São Paulo. J. Eletrônica de potência. Empresa Gráfica da Bahia.br o www. Dispositivos semicondutores: Tiristores. Almeida.motorola. J. São Paulo. 1991. São Paulo.com o www. 2001. São Paulo: Érica. Saites consultados: o www. Almeida. 1996.L. Muhammad H. Alves.com.A.C BIBLIOGRAFIA         Lander.unesp. 1988. dispositivos e aplicações.feis.A. controle de potência CC e CA.Cyril W. Eletrônica de potência: Circuitos.dee. Eletrônica industrial: Análise de dispositivos e suas aplicações.semikron. Eletrônica industrial. J. Almeida.L.

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