Universidad San Francisco de Quito Laboratorio de Control de Máquinas Eléctricas Práctica No.

1 Gate-Drives de MOSFETS e IGBTS Objetivo: Analizar, diseñar, simular e implementar gate-drives para dispositivos MOSFET e IGBTS. Trabajo Preparatorio: Dado el circuito de la Figura 1,

R6

R3

V1 15 T4 R1 T2 D1 VF1 T5 R4 1k R2 T7

R5 T1

V4 30

V2 10

Z1

T3 VG1

T4 y T5 2N2222A T2 y T3 TIP31A o TIP32A T7 Optoacoplador

+

Figura 1 1. Describir el funcionamiento de cada etapa del circuito. 2. Dimensionar y escoger los distintos elementos del circuito de tal manera que la corriente máxima en la carga sea de 3 A y 30 V. 3. Simular el circuito Trabajo en laboratorio 1. Traer el circuito ensamblado en un proto-board y probar. Para probar el circuito, generar una onda cuadrada de 1 kHz a la entrada del optoacoplador utilizando un LM555 en modo aestable. 2. Dibujar las formas de onda en todos los nodos del circuito, incluyendo la carga. Informe 1. Comparar las formas de onda obtenidas en la práctica con las de la simulación. 2. Indicar al menos 3 mejoras que se pueden realizar al circuito, implementarlas en la simulación y comentar los resultados.

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