You are on page 1of 26

MEMORI INTERNAL

 Zahratul

Aini (110170002)  Rahayu (110170003)  Mukhlis (110170010)  M. Al-Hafizh Hasmar (110170016)  M. Shamwial (110170020)  Cut Nurhasanah (110170028)  Aryandi (110170009)

.

Ciri-cirinya :  Sel memori memiliki dua keadaan stabil (semi-stabil)  Sel memori mempunyai kemampuan untuk ditulisi (sedikitnya 1 kali)  Sel memori mempunyai kemampuan untuk dibaca. untuk merasakan keadaan. .Elemen dasar suatu memori semikonduktor adalah sel memori.

OPERASI SEL MEMORI .

RAM (READ ONLY MEMORY) Ciri-cirinya :  Dapat membaca data dari memori  Dapat menulis data baru ke memori  Bersifat volatil (D-RAM maupun S-RAM)  Penyimpanannya bersifat sementara. .

 Setiap sel menyimpan 1  .RAM DINAMIS (D-RAM) RAM DINAMIS memerlukan isi ulang secara berkala yang menyegarkan untuk memelihara penyimpanan data.

.RAM STATIS (S-RAM)  Penyimpanan nilai biner menggunakan gerbang Logika Hip-Hop  S-RAM akan menjaga data sepanjang tersedia tenaga.

S-RAM VERSUS D-RAM Perbedaannya : D-RAM  Sel memori lebih kecil  Harganya murah  Membutuhkan rangkaian penyegaran pendukung  Lambat  Digunakan untuk memori utama S-RAM  Sel memori lebih besar  Harganya Mahal  Tidak membutuhkan rangkaian penyegaran  Lebih cepat  Digunakan untuk Cache Memory .

.ROM (READ ONLY MEMORY) Ciri-cirinya :  Datanya bersifat permanen  Non-Volatil  Data yang tersimpan pada ROM tidak dapat diganggu gugat. dan tidak ada ruang untuk kesalahan.

KEUNTUNGAN ROM   Data atau program secara permanen berada didalam memori utama Tidak pernah terisi dari perangkat penyimpan sekunder. .

PROM (PROGRAMMABLE ROM)   Bersifat Non-Volatil Ditulis secara elektrik .

3. . dan bersifat NonVolatil.RMM(RAD MOSTLY MEMORY) Merupakan bagian dari ROM. EPROM (Erasable PROM) :  Lebih mahal dari PROM  Memiliki kemampuan multiple update. RMM terbagi 3 yaitu : 1. EEPROM (Electrically EPROM) :  Hanya menghapus muatan utama saja (byte/alamat byte saja yang diupdate)  Lebih mahal dari EPROM. Flash Memory :  Berada diantara EPROM dan EEPROM. 2.

LOGIKA KEPING (D-RAM) DRAM (4M x 4) 16 Megabit yang umum .

PENGEMASAN KEPING (EEPROM) .

ORGANISASI MEMORI Organisasi Memori 356-kbyte .

ORGANISASI MEMORI Organisasi Memori 1-Mbyte .

2 .JENIS-JENIS MEMORI SEMIKONDUKTOR Gambar 5.

yaitu :  Kesalahan keras (Kerusakan secara fisik yang bersifat permanen)  Kesalahan lunak.KOREKSI KESALAHAN Sistem memori semikonduktor dapat memiliki kesalahan. Kesalahan tersebut terbagi 2. .

FUNGSI KODE PENGOREKSI KESALAHAN .

dan sangat mungkin untuk melakukan koreksi kesalahan. Bit-bit data yang diambil dikirimkan. Kondisi hanya dilaporkan. Bit-bit koreksi kesalahan diberikan ke korektor yang menghasilkan set M bit yang dikoreksi untuk dikirimkan.  Suatu kesalahan dideteksi. tetapi tidak mungkin untuk melakukan koreksi.  .PERBANDINGAN Tidak ada kesalahan yang dideteksi.  Suatu kesalahan dideteksi.

Peningkatan panjang word dengan koreksi kesalahan. .

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM (SDRAM) .

SDRAM .

STRUKTUR RDRAM .

SEKIAN TERIMA KASIH .