You are on page 1of 35

MARMARA NVERSTES TEKNK ETM FAKLTES ELEKTRONK-BLGSAYAR BLM

ELEKTRONK 2
LAB. DENEY FYLER

Elektronik 2 Deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

JFET N GERLMLENDRME
AMA:

1. JFETlerde kendinden n gerilimlendirilmi (self biasinig) devreyi incelemek. 2. JFETlerde gerilim blcl n gerilimlendirilmi devreyi incelemek. 3. JFET DC alma noktas gerilim ve akmlarn, yukarda sralanan her iki devre iin hesaplamak. MALZEME LSTES 1. 2N5459 Silikon N-kanall JFET veya elenii 2. DC g kayna (15V) 3. Direnler: 1-220K, 1-10K, 1- 4.7K, 1-1.5K, 1-1K 4. VOM TEORK BLG BJT transistrlerin tam tersine FET'ler unipolar (tek kutuplu) olarak adlandrlrlar. nk FET'in almas srasnda sadece tek bir tip yk taycs kullanlr. N kanall JFET transistrlerde gate-source gerilimi (VGS) negatif olduunda drain'den source'a bir iletim gerekleir. VGS gerilimi 0V olduunda G-D jonksiyonu ters polarize olur ve akm akmaz. JFET transistrlerle ilgili ilgin bir nokta da BJT'nin tam tersine k akm ID giri gerilimi VGS tarafndan kontrol edilir. BJT emiteri ortak devreye geri dnersek k akm IC giri akm IB tarafndan kontrol edilir. ekil 1'de (ekil 4' te yer alan kendinden n gerilimlendirilmi devrenin) k akm ID ile giri gerilimi VGS arasndaki iliki gzkmektedir. alma noktasndaki akm ve gerilimi hesaplayabilmek iin ncelikle ID ve VGS'nin max olabilecei deerlerin bilinmesi

gerekmektedir. Eer VGS = 0V ise, ID akm max deerdedir ve IDSS olarak adlandrlr.(Drain saturasyon akm) Eer VGS gerilimi artrlrsa (negatif arttrlacak) bir noktada ID akm 0'a eit olacaktr. ID = 0 olduu andaki VGS gerilimi VP (pinch-off gerilimi) olarak adlandrlr.
48

Elektronik 2 Deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ekil -1

ekil - 2

alma noktas anndaki akm ve gerilimi hesaplamak iin, ekil 1'deki denklemlerin ayn anda zlmesi gerekmektedir. Sol taraftaki denklem transistrn transfer denklemidir. Sa taraftaki ise kendinden n gerilimlendirilmi JFET devresi iin yk dorusu denklemidir. ekil 2'de ekil 5'te yer alan gerilim blcl n gerilimlendirilmi devrenin transfer ve yk dorusu denklemleri gzkmektedir. Bu devrede VP ve IDSS deerlerindeki deiimler bir nceki devrede olduunun tersine, ID akmnn fazla deiimine sebep olmamaktadr. LEM BASAMAKLARI:
49

Elektronik 2 Deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

1. IDSS ve VP deerlerini bulabilmek iin aadaki devreyi kurunuz.

ekil-3 2. VGS = 0 V (gate aseye balanacak) iken VRD gerilimini lnz. IDSS akmn aadaki forml kullanarak hesaplaynz. VRD IDSS = R D

3. VRD gerilimi 0V (RD direnci zerinden geen akm 0 olacak ekilde) olacak ekilde VGS gerilimini ayarlaynz. (Negatifliini artrnz) ID akm 0 iken llen VGS gerilimi Vpye eittir. 4. JFET kendinden n gerilimlendirilmi devreyi incelemek iin aadaki devreyi kurunuz.

ekil-4

50

Elektronik 2 Deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

5. VGS, VDS, VRD deerlerini lp kaydediniz. VRD deeri ID akmnn hesaplanmas iin kullanlacaktr. 6. JFET gerilim blcl n gerilimlendirilmi devreyi incelemek iin aadaki devreyi kurunuz.

ekil 5 7. VGS, VDS ve VRD deerlerini lp, kaydediniz. SORULAR 1. lem basama 1'de yaptnz lmlerden faydalanarak IDSS ve VP deerlerini hesaplaynz. 2. ekil 4'deki devre iin alma noktas anndaki VGS, VDS ve ID deerlerini

hesaplaynz ve Tablo 1e kaydediniz. VGS ve ID deerleri, ekil 1'deki denklemlerin ayn anda zmyle bulunacaktr. Hesapladnz deerlerle lm sonularn karlatrnz. 3. ekil 5'teki devre iin Soru 2' yi tekrar ediniz. TABLO 1

ekil 4 teki devre


( Volt ) lm Sonularna gre VGS VDS VRD Hesaplamalara gre

ekil5teki devre
lm Sonularna gre Hesaplamalara gre

51

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

JFET KUVVETLENDRCLER
AMA

10

1. JFET kullanlarak oluturulmu kayna (source) ortak ve drain ortak olarak oluturulmu kuvvetlendiricinin gerilim kazancn lmek. 2. Kuvvetlendiricilerin giri ve k direnlerini lmek. 3. Kaynak direncine paralel bal bypass kondansatrn etkisini incelemek. MALZEME LSTES 1. 1 adet 2N5459 Silikon N kanall JFET veya elenii 2. DC gerilim kayna (15 V) 3. Analog iaret reteci (200 mV t-t, 1KHz) 4. Direnler: 1-220 K, 1-22 K, 1-10 K, 1-4.7 K, 1-1.5 K 5. Kondansatrler: 3-10F (25 Vluk) 6. Potansiyometreler: 1-50 K, 1-10 K 7. ift nl osilaskop 8. Saysal l aleti TEORK BLG ekil 1de kayna (source) ortak bal bir JFET kuvvetlendirici devresi gzkmektedir. JFET kap teminali (gate) bir gerilim blc kombinasyonu ile, kaynak devresi de RS direnci ile kendiliinden n gerilimlendirilmitir. RS direnci direk aseye balanmtr. AC k akmnn giri gerilimine oran olan gm deeri geikenlik olarak adlandrlr ve aadaki forml ile hesaplanr. 2IDSS 2IDSS VGS (1 ) = Vp Vp Vp

gm =

ID IDSS

Kayna ortak veya drain ortak dzenlemelerde gm deeri bilinmiyorsa, gerilim kazanc hesaplanamaz. Ayrca gm deeri
52

drain

ortak

devrede

direncinin

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

hesaplanmasnda da kullanlr. Bu sebeplerden tr gm deerinin hesaplanmas gerekmektedir. gm deerinin hesaplanmasnda yukardaki forml kullanlr. Kayna ortak devrede giri direnci aadaki yaklam kullanlarak hesaplanr.

Rin = R1 // R2 Burada, R1 ve R2 gerilim blc direnlerdir. Yukardaki formle bakarsanz, burada transistrn kendi direncinin ihmal edildiini grebilirsiniz. nk burada yer alan PN bileimi ters kutuplanmtr. Dolaysyla PN bileimi ok byk bir diren gstermektedir. Bu diren zaten R1 ve R2 direlerinin deerinden ok byk olduundan, her iki direnci paralel kabul ettiimizde sonuta ortaya yeni kacak deer de R1//R2 deerine yaklak eit kacaktr. Kayna ortak dzenlenmi kuvvetlendiricide, kaynaktan yke gerilim kazanc aadaki formlle hesaplanr. VL rin = ( ) (- gm) ( rD // RD// RL) VS rin + rs

Burada, rs iaret retecinin i direnci, rD JFETin drain i direnci, RD harici drain direnci, RL ise yk direncidir. Emiteri ortak BJT kuvvetlendiricilerde de bahsedildii gibi, kayna ortak JFET kuvvetlendiriciler de, eviren kuvvetlendiricilerdir. Kayna ortak kuvvetlendiricinin k direnci aadaki yaklamla hesaplanr. ro = rD // RD RD Yukardaki yaklam, rD deerinin RD deerinden ok byk olduu durumlarda geerlidir. ekil 2de JFET drain ortak olarak dzenlenmi kuvvetlendirici devresi

gzkmektedir. Bu tip dzenlenmi devreler kaynak takipisi olarak ta adlandrlr. Kaynak takipisi kuvvetlendiricilerde kazan 1den kk, giri direnci yksek ve k direnci de
53

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

dktr. Giri direnci bir nceki kuvvetlendirici devrede (kayna ortak) olduu gibi hesaplanr. Drain ortak devrenin kk-iaret edeer devresini analiz edersek, kaynaktan yke olan gerilim kazancnn aadaki formlle hesaplandn grebilirsiniz.

VL rin (gm) (rD // RS // RL ) =( ) VS rin + rs 1 + (gm) (rD // RS // RL)

k direnci ro aadaki gibi hesaplanr. ro = RS 1 gm 1 + gm RS

Yukardaki yaklam gm RS >> 1 olduu durumlarda geerlidir. LEM BASAMAKLARI 1. JFETin IDSS ve Vp deerlerini belirlemek iin Ek Bdeki ilem basamaklarn tamamlaynz. 2. Kayna ortak devreyi incelemek iin ekil 1de verilen devreyi kurunuz. Eer iaret retecinin i direnci bilinmiyor ise, Deney 8deki ilem basamaklarn tekrarlaynz.

ekil-1 3. VS=0 iken, VRD ve VGS gerilimlerinin dc deerlerini lnz. Bu deerleri kullanarak, ID ve gm deerlerini hesaplaynz.

54

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

4. aret retecinin kndan 200 mVt-t ve 1 KHzlik bir sinyal elde ediniz ve bunu devreye balaynz. ift nl bir osilaskop kullanarak giri (VS) ve k (VL) ayn anda gzlemleyiniz. Her iki gerilimin tepeden tepeye deerlerini lp, aralarnda faz fark olup olmadn belirleyiniz. 5. CS kondansatrn devreden karp, VL gerilimini tekrar lnz. 6. CS kondansatrn tekrar devreye balaynz. Kayna ortak kuvvetlendiricinin giri direncini lmek iin 50 Kluk bir potansiyometreyi giri aktarm kondansatr ile iaret retecinin arasna seri balaynz. Potansiyometreyi, VL gerilimi maksimum oluncaya dek ayarlaynz. Daha sonra potansiyometreyi VLnin yarsn elde edecek ekilde ayarlaynz. Potansiyometreyi devreden karp, deerini lnz. Gerilim blme kuralndan yola karak, bu direncin kayna ortak (common source) balantnn giri direncine eit olduu sylenir. 7. k direncini lmek iin 10 Kluk bir potansiyometreyi k aktarm kondansatr ile ase arasna balaynz. (22 Kluk yk direncini kardktan sonra) lem basama 6dakine benzer bir teknikle k direncini lnz. 8. Drain ortak devreyi incelemek iin, aadaki devreyi kurunuz.

ekil-2 9. VS = 0 iken VGS ve VRS gerilimlerini lp, kaydediniz. ltnz bu deerler ID ve gm deerlerinin hesaplanmasnda kullanlacaktr. 10. Drain ortak devre iin ilem basamaklar 4, 6 ve 7yi tekrarlaynz.

55

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

SORULAR 1. lem basama 3ten elde edilen sonularla ve Vp ve IDSS deerlerini kullanarak, ID ve gm deerlerini hesaplaynz. 2. Soru 1in cevabn kullanarak ykten girie gerilim kazancn hesaplaynz. Ayrca giri ve k direnlerini de bulunuz. Bulduunuz diren deerleri ile ltnz deerleri karlatrnz. 3. Kayna ortak devrede gerilim kazanc asndan CS kondansatrnn etkisini aklaynz. RS direncinin kullanm amac nedir? 4. lem basamaklar 9-10daki drain ortak devre iin soru 1 ve 2yi tekrarlaynz.

56

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

RC AKTARIMLI OK-KATLI KUVVETLENDRCLER


AMA

11

1. Kaskat bal emiteri ortak kuvvetlendiricinin ykten kaynaa gerilim kazancnn hesaplanmas. 2. Kaskat bal emiteri ortak kuvvetlendiricide yk etkisini aratmak.

MALZEMELER
1. 2-2N2222 silicon npn transistor veya edeeri 2. DC g kayna (15V) 3. Analog sinyal jeneratr (50mVt-t 1KHz) 4. Direnler : 2-100k , 2-12k, 3-10k, 2-1k 5. Kondansatrler :3-10F 25V) 6. ift nl osiloskop 7. VOM

TEORK BLG
Elektronik kuvvetlendirici sistemlerinde, yeterli kazanc salayabilmek iin birden fazla kuvvetlendirici arka arkaya (kaskad) balanr. ki kat kaskat bal ideal kazanlarnn kuvvetlendiricinin ykten kaynaa kazanc, herbir kuvvetlendirici katnn

arpmna eittir. Bununla birlikte gerilim kaynaklar ve kuvvetlendiricilerler, k direncine sahip olduklarndan; yine kuvvetlendiriciler ve ykler giri direncine sahip olduklarndan; katlar arasnda meydana gelen gerilim blmeleri olmaktadr. Dolaysyla da ykseltme leminde baz dmeler olmaktadr.

57

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ekil 1`de iki adet kaskat bal kuvvetlendirici devresi gorulmektedir. A01 ve A02 , yksz her katn ak devre gerilim kazanlardr.

ekil-1 ok katl kuvvetlendiricilerin kazancn hesaplarken herbir katn ak devre kazanlarnn arpm, her katn giri ve kndaki gerilim blclerden tr azalr. Aadaki denklem, iki kat kaskat bal kuvvetlendiricinin tm kazancn hesaplamak iin kullanlr:

ri1 ri2 rL VL = r +r Ao1 r +r Ao2 r +r VS s i1 o1 i2 o2 L

LEM BASAMAKLARI
1. Transistrlerin larn lmek iin, Ek A da verilen ilem basamaklarn tamamlaynz. 2. Her bir katn ak devre gerilim kazancn hesaplamak iin, aadaki emiteri edilmi, emiteri ortak kuvvetlendirici devresinin balantsn gerekletiriniz. stabilize

58

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ekil-2 3. aret retecini 50 mVt-t , 1KHz e ayarlayarak, yksz ac k gerilimi V0 yu ve girile k arasndaki faz farkn lnz. Bu, yksz ak devre gerilim kazanc A0 hesaplanrken kullanlacaktr. 4. ki kat kaskat bal emiteri ortak kuvvetlendirici devresinin ykten kaynaa gerilim kazanc bulmak iin, zde iki kuvvetlendiriciyi ekildeki gibi birbirine balaynz.

ekil-3 5. aret retecini 50 mVt-t, 1KHz e ayarlayarak, yk direnci zerinde den k gerilimi VL yi ve giri gerilimi VS ile k gerilimi VL arasndaki faz farkn lnz.

59

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

SORULAR
1.

Ek A` da yaptnz lmeleri kullanarak, her bir transistrn akm kazanc `yi hesaplaynz.

2. 1. sorunun sonularn kullanarak, emiteri ortak kuvvetlendirici katlarnn giri direnci rin
(kat)

, k direnci r0(kat)

ve yksz gerilim kazanc A0 yu hesaplaynz. Hesaplanan

gerilim kazanlar ile 3. ilem basamanda llen kazanlar karlatrnz. 3. 2. sorunun sonularn kullanarak, kaynaktan yke tm gerilim kazanc VL/VS ` yi hesaplaynz. Hesapladnz gerilim kazanc ile 5. basamakta llen kazanc karlatrnz. 4. 5. ilem basamanda gzlenen, giri gerilimi VS ile k gerilimi VL arasindaki faz ilikisini aklaynz.

60

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ALT KESM FREKANSI


AMA 1- Emiteri ortak kuvvetlendiricinin alt kesim frekansn lmek.

12

2- Aktarm ve bypass kondansatrlerinden kaynaklanan alt kesim frekanslarn lmek. MALZEME LSTES 1- 2N2222 Silikon npn transistr veya edeeri 2- DC g kayna (15V) 3- Analog iaret retici (50 mVt-t 50 Hz-10kHz) 4- Direnler: 1-82k , 1-15k , 1-6.8k , 1-2.2k , 1-1.5k 5- Kondansatrler: 2-100F , 1-4.7F , 1-0.22F , 1-0.1F (hepsi 25V) 6- ift nl osiloskop TEORK BLG Frekans azaldka aktarm kondansatrlerinin empedans artar. Dolaysyla BJT kuvvetlendiricinin gerilim kazanc frekans azaldka azalr. ok dk frekanslarda aktarm kondansatrlerinin kapasitif reaktans, giri ve k gerilimlerinin bir ksmn drmek iin yeterli byklkte olabilir. Ayn zamanda emiter bypass kondansatr de ok dk frekanslarda emiter direncini ksa devre etmeyecek bykle ulaabilir.(Frekans azaldka XC deeri bydnden artk CE kondansatr ksa devre kabul edilemez bykle ulam olacaktr.) Aadaki denklemler gerilim kazancnn ortaband deerinden 3dB dt yani ortaband gerilim kazancnn (Av) 0.707 kat olduu andaki alt kesim frekansn hesaplamak iin kullanlr. 1 [2(rin(kat) + rS)C1]

f1(C1) =

Bu formlde, f1(C1) C1 den kaynaklanan alt kesim frekans, C1 giri aktarm kondansatr,
61

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

rin(kat) kuvvetlendiricinin giri direnci ve rS kaynak direncidir. 1 [2(rO(kat) + RL)C2]

f1(C2) = Burada,

f1(C2) C2 den kaynaklanan alt kesim frekans, C2 k aktarm kondansatr, rO(kat) kuvvetlendiricinin k direnci ve RL yk direncidir. 1 [2(rTH)CE]

f1(CE) =

Burada, f1(CE) CE den kaynaklanan alt kesim frekans, CE emetr bypass kondansatr ve rTH kondansatre parelel olan Thevenin direncidir. RB // rs ]

rTH = RE // [ re + burada:

RB= giri n gerilimlendirme direlerinin paralel edeeri f1(C1), f1(C2), ve f1(CE) frekanslar deer olarak birbirine yakn deildir. Gerek alt kesim frekans yaklak olarak bu deerin en byne eittir. LEM BASAMAKLARI 1. Transistrn sn lmek iin Ek A daki ilem basamaklarn tamamlaynz. 2. Emiteri ortak kuvvetlendiricinin alt kesim frekansa tepkisini lmek iin, aadaki devreyi kurunuz. 5 ile 8 nolu ilem basamaklar arasnda kullanlacak olan elektrolik kondansatrlerin polariteleri art (+) iareti ile gsterilmitir.

62

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ekil 1 3. aret retecini Vs = 50mVt-t ve 10kHze ayarlayarak VL gerilimini lnz ve VL kaydediniz. Bu deer orta band gerilim kazanc V nin hesaplanmasnda kullanlacaktr. S 4. aret retecinin (Signal Generator) frekansn Tablo 1 de verilen her frekans deerine drerek, her bir frekanstaki VL gerilimini lnz. aret retecinin k geriliminin sabit olduundan emin olunuz. Bu deerler kuvvetlendiricinin dk frekanslara olan tepkisinin grafie aktarlmasnda kullanlacaktr. 5. ki kondansatrn deeri ok yksek seilerek, bu kondansatrlerin alt kesim frekans zerindeki etkileri ihmal edilebilir. Bundan sonra nc kondansatrden kaynaklanan kesim frekans daha rahat llebilir. Bunun iin ekil 1 deki devreyi aadaki kondansatr deerlerine gre tekrar kurunuz. ediniz.) C1 =0.1F , C2 =100F , CE =100F 6. Vsnin 50mVt-t deerde olduundan emin olduktan sonra, iaret retecinin frekansn, k gerilimi ( yani dolaysyla gerilim kazanc ) 3. ilem basamanda llen gerilimin 0.707 katna eit oluncaya kadar ayarlaynz. Bu olayn meydana geldii frekans f1(C1) deeridir.
63

(ekil 1 de gsterilen polaritelere dikkat

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

7. Aada verilen kondansatr deerlerini kullanarak f1(C2) frekansn bulmak iin 5 ve 6 nolu ilem basamaklarn tekrarlaynz. C1 =100F , C2 =0.22F , CE =100F 8. Aada verilen kondansatr deerlerini kullanarak f1(CE) frekansn bulmak iin 5 ve 6 nolu ilem basamaklarn tekrarlaynz. C1 =100F , C2 =100F , CE =4.7F SORULAR 1. Ek A nn sonularn kullanarak transistrn sn hesaplaynz. 7. Deneyin 1 nolu sorusunda anlatlan yntemi kullanarak re yi bulunuz. Daha sonra bu deeri kullanarak, ekil 1deki devrenin orta band ac parametrelerini ( rin(kat), rO(kat), VL/VS ) hesaplaynz. 2. Tablo 1deki her bir frekans iin VL/VS deerlerini hesaplaynz. Sonra logaritmik katta bu deerleri gsteriniz. Bu grafik her bir kondansatrden kaynaklanan krlma frekansn gsteren asimtotik izgileri de iersin. Bu frekans grafiinden alt kesim frekansn (-3dB point) elde ediniz ve buna bal olarak grafii leklendiriniz. 3. Emiteri ortak kuvvetlendiricinin f1(C1), f1(C2) ve f1(CE) deerlerini hesaplaynz ve Tablo 2ye kaydediniz. Bu deerleri 5 ile 8 nolu ilem basamaklar arasnda llen alt kesim frekanslaryla karlatrnz. 4. Hangi kondansatr alt kesim frekans zerinde daha ok etkilidir? 2. Soruda saptanan tm kesim frekans ile bu kondansatrden kaynaklanan alt kesim frekansn karlatrnz. Yorumlayarak aklaynz.

64

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

TABLO 1 FREKANS VL (Volt) AV = VL VS

10 kHz 7.5 kHz 5 kHz 2 kHz 1.5 kHz 1 kHz 900 Hz 750 Hz 500 Hz 250Hz 200 Hz 100 Hz 50 Hz

TABLO 2
llen deer f1(C1) f1(C2) f1(C3) Hesaplanan deer

65

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ST KESM FREKANSI
AMA 1. Emiteri ortak kuvvetlendiricinin st kesim frekansn belirlemek. 2. nt kapasitanslardan kaynaklanan st kesim frekanslarn belirlemek. 3. Miller kapasitansnn st kesim frekans zerindeki etkisini incelemek. MALZEME LSTES 1. 2N2222 Silikon npn transistr veya edeeri 2. DC g kayna (15V) 3. Analog iaret reteci (50 mVt-t 500Hz-100kHz) 4. Direnler: 1-100K , 1-15K , 1-10K , 1-5.6K , 1-1K 5. Kondansatrler: 1-100F, 2-22F , 3-0.001F (hepsi 25V) 6. ift nl osiloskop TEORK BLG

13

12 nolu deneyde akland gibi; frekans artarsa, kondansatrn kapasitif reaktans azalr. Bu olay, kuvvetlendirici yksek frekansta kullanldnda baz problemler yaratabilir. Transistrler, ularnn her ifti arasnda kendi i yapsnda var olan nt kapasitanslara sahiptir. Bu kapasitanslar yksek frekanslarda ac sinyal gerilimini byk lde ksa devre eder. Bundan dolay, yksek frekans kuvvetlendiricilerinde nt kapasitanslar olduka kk olmaldr. Bu deneyde, kuvvetlendirici devresinde yapay nt kondansatrler kullanlacaktr. nk transistrn i yapsndaki asl kapasitanslarn llmesi ok zordur. Devrenin tasarmnda kullanlan tellerden kaynaklanan kapasitans da lmek ayn derecede zordur. Yapay kondansatrlerin deeri az nce bahsedilen, asl kapasitansn deerinden ok daha fazla byk olduu iin bunlarn paralel kombinasyonu yaklak olarak yapay kondansatrlerin deerine eittir. Ama, kuvvetlendiricilerde nt kapasitanstan kaynaklanan problemler hakknda bilgi kazanmak iin yksek frekans cevabn incelemek ve bir kuvvetlendiricinin st kesim frekans ile ilgili pratik lmeler yapmaktr. st kesim frekans, kuvvetlendiricinin gerilim kazancnn 3 dB dt noktadaki veya orta band deerinin 0.707 kat olduu andaki iki frekanstan (nk bir kuvvetlendiricinin
66

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

kazanc hem alt kesim frekansnda hem de st kesim frekans annda 3dB der) byne eittir. ekil 1deki devre iin, giri nt kapasitans CA dan kaynaklanan st kesim frekans f2(CA) aadaki eitlik kullanlarak hesaplanabilir: f2(CA) = 1 2(rin(kat) // rS) CA

CA = CBE + CM CM Miller kapasitans olarak adlandrlr ve (1-Am) faktr ile i kapasitans CCB nin arpmna eittir. CM= CCB(1-Am) Burada, Am giriten yke gerilim kazancdr. Miller kapasitans, transistrn dier nt kapasitanslarndan daha byktr. Bununla birlikte Miller kapasitans hesaplama denklemi sadece eviren kuvvetlendirici iin geerlidir. Evirmeyen kuvvetlendiriciler, Miller kapasitanstan etkilenmez. Bundan dolay, bu genellikle ok yksek frekanslardaki kuvvetlendirme ilemlerinde kullanlr. Am, iaret retecinin i direncini ve kuvvetlendiricinin giri direnci arasndaki gerilim blcy hesaba katmaz. VL Bundan dolay Am nin deeri kaynaktan yke doru olan tm kazanca V ye eit deildir. S ekil 1deki devre iin, k kondansatrnden kaynaklanan st kesim frekans f2 (CB) aadaki eitlik kullanlarak hesaplanabilir: f2(CB) = CB = CCE f2(CA) ve f2(CB) birbirine deer olarak yakn olmasalar bile, kuvvetlendiricinin asl st kesim frekans yaklak olarak bu iki frekansn kk olanna eittir. LEM BASAMAKLARI 1. Transistrn sn lmek iin Ek A daki ilem basamaklarn tamamlaynz. 1 2 (r0(kat) // rL) CB

67

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

2. Emiteri ortak kuvvetlendiricinin yksek frekans cevabn incelemek iin, aadaki devreyi kurunuz. Devrede gsterilen CCB, CBE ve CCE kondansatrleri interelektrod kondansatrlere karlk gelmektedir. Bu kondansatrler aklama blmnde belirtilen sebeplerden dolay kastl olarak ok daha byk yaplmtr.

ekil-1

3. aret retecini Vs= 50mV

t-t

ve 500 Hz e ayarlayp, VL

gerilimini lerek

kaydediniz. Bu deer orta band gerilim kazanc Am nin hesaplanmasnda kullanlacaktr. 4. aret retecinin kn Tablo 1 de verilen her frekans deerine ayarlayarak, her frekanstaki VL gerilimini lnz. aret retecinin frekans deimelerine karlk 50 mV t-t te sabit kaldndan emin olmak iin periyodik olarak iaret retecini devreden skp, k gerilimini lnz..VL deerleri kuvvetlendiricinin yksek frekans cevabnn izilmesinde kullanlacaktr. 5. k kondansatr CCE den kaynaklanan st kesim frekansn saptamak iin, dier iki nt kapasitans CBE ve CCB yi devreden kartnz. aret retecinin frekansn, k gerilimi 3. ilem basamanda llen deerin 0.707 kat oluncaya kadar ayarlaynz. Bu frekansn meydana geldii deer f2(CCE) veya f2(CB) dir. 6. Giri kapasitanslar CBE ve CCB den kaynaklanan st kesim frekansn hesaplayabilmek iin k nt kondansatr CCE yi kaldrn. Giri kondansatrleri
68

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

CBE ve CCB yi tekrar devre balayn. lem basama 5i tekrarlayn. Bu kesim frekans, CCB den kaynaklanan CM nin olduu andaki f2 (CA) veya f2(CBE+CM) dir. 7. Giri kondansatr CBE yi kaldrn ve ilem basama 5i tekrarlayn. Bu CCB den kaynaklanan Miller kapasitansn etkisini, giri kondansatr CBE ile ilikili olarak kantlayacaktr. SORULAR 1. Ek A nn sonularn kullanarak transistrn sn hesaplaynz. Daha sonra bu deeri kullanarak, ekil 1deki devrenin orta band ac parametrelerini re, rin(kat), rO(kat), Am, VL hesaplaynz. VS

2. Tablo 1deki herbir frekans iin Av deerlerini hesaplaynz. Sonra logaritmik katta bu deerleri gsteriniz. Bu frekans grafiinden st kesim frekansn (-3dB point) ve buna bal olarak grafii izip, leklendiriniz. 3. Emiteri ortak kuvvetlendirici iin f2 (CA), f2 (CB) deerlerini hesaplaynz. Bu deerleri 5 ile 6 nolu ilem basamaklar arasnda llen st kesim frekanslaryla karlatrnz. 4. lem basama 7nin sonularn yorumlaynz. Hangi kondansatr st kesim frekans zerinde daha ok etkilidir?Aklaynz.

69

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

TABLO 1 FREKANS VL(Volt) AV = VL VS

500 Hz 1 KHz 5 KHz 10 KHz 15 KHz 17 KHz 20 KHz 40 KHz 42 KHz 45 KHz 50 KHz 75 KHz 100 KHz

TABLO 2 llen deer F2(CA) F2(CB) Hesaplanan deer

70

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

RC AKTARIMLI KUVVETLENDRCNN FREKANS CEVABI


AMA 1. ki katl emiteri ortak kuvvetlendiricinin alak frekans cevabn incelemek..

14

2. ki katl emiteri ortak kuvvetlendiricide, her bir aktarma kondansatrnden kaynaklanan alt kesim frekansn belirlemek. MALZEME LSTES 1. 2-2N2222 Silikon npn transistr veya edeeri 2. DC g kayna (15V) 3. Analog iaret reteci (50mV t-t deien frekanslarda) 4. Direnler : 2-100K, 2-12K, 3-10K, 2-1K 5. Kondansatrler :3-100F, 1-0.1F, 1-0.01F, 1-0.0022F (hepsi 25Vluk) 6. ift nl osiloskop TEORK BLG Birok kuvvetlendiricide yeterli kazanc salayabilmek iin, kuvvetlendiriciler RC aktarml olarak arka arkaya balanr.Bu durumda alt kesim frekans cevabn etkileyecek ek aktarma kondansatrleri olumaktadr. 12. deneyde tek katl kuvvetlendiricide olduu gibi, her bir aktarma ve bypass kondansatr ile ilikili bir alt kesim frekans vardr. Alt kesim frekans iin tm hesaplamalar, eklenen kondansatrlerin hesaba katlmas dnda, tek katl kuvvetlendiriciler iin olan hesaplamalarla ayndr. Bu deneyde emiter bypass kondansatr kullanlmayacaktr. Bu orta bandta rin(kat) ve VL/VS iin hesaplamalarn basitletirecek ve hesaplanacak alt kesim frekanslarnn saysn azaltacaktr. ekil 1, iki katl kuvvetlendiricinin Thevenin edeerini gstermektedir. AO1 ve AO2 her katn ak devre (yksz) gerilim kazancdr. C1, C2 ve C3 kondansatrleri aktarma kondansatrleridir.
71

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ekil-1

ekil-1 Aadaki denklemler her bir aktarma kondansatrnden (C1, C2 ve C3) kaynaklanan alt kesim frekansnn hesaplanmasnda kullanlr. Aadaki eitliklerle, tek katl kuvvetlendiricinin alt kesim frekansn hesaplamak iin 12. deneyde kullanlan eitlikler arasndaki benzerlie dikkat ediniz.

f1(C1) = f1(C2) = f1(C3) =


Burada,

1 2 (rS+ri1) C1 1 2 (rO1+ri2)C2 1 2 (rO2+rL)C3

f1(C1) giri kuplaj kondansatrnden kaynaklanan kesim frekans, f1(C2) kuvvetlendirici katlar arasndaki aktarma kondansatrlerinden kaynaklanan kesim frekans ve f1(C3) k aktarma kondansatrnden kaynaklanan kesim frekansdr.

72

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

LEM BASAMAKLARI 1. ki transistrn de larn hesaplamak iin Ek A daki ilem basamaklarn tamamlaynz. 2. ki katl RC kuplajl kuvvetlendiricinin alt kesim frekansn lmek iin aadaki devreyi kurunuz. (5. ve 8. ilem basamaklarnda kullanlacak olan elektrolitik kondansatrlerin polariteleri ekilde (+) iareti ile gsterilmitir.)

ekil. 2 3. aret retecini 15 KHz 50mVt-t ayarlayarak, k gerilimi VL yi lnz. Bu deer VL kaynaktan yke ortaband gerilim kazancnn ( V ) saptanmasnda kullanlacaktr.
S

4. imdi, k gerilimi 3. basamakta llen deerin 0.707 kat oluncaya kadar, iaret retecinin frekansn azaltnz. Bu durumun meydana geldii andaki frekans, kuvvetlendiricinin alt kesim frekansdr. Kuvvetlendiricinin alak frekans cevabn grafie aktarrken kullanmak iin 15KHz den 50Hz e kadar yeterli sayda lmeler yapnz. (Tablo 1) 5. ki kondansatrn deerinin ok yksek seilmesiyle, bu kondansatrlerin alt kesim frekansna olan etkileri yok edilebilir. Bylece dier kondansatrden kaynaklanan kesim frekans llebilir. Bu mantkla, ekil-2deki devreyi aadaki kondansatr deerlerini kullanarak tekrar kurunuz. (kondansatrlerin polariteleri ekil-2 de gsterilmitir. ) C1=0.1F C2=100F C3=100F
73

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

6. k gerilimi (bundan dolay gerilim kazanc) 3. ilem basamanda llen k geriliminin 0.707 katna eit oluncaya kadar iaret retecinin frekansn ayarlaynz. Bu frekansn meydana geldii yer f1(C1) frekansdr. 7. f1(C2) yi lmek iin aadaki kondansatr deerlerini kullanarak, 5. ve 6. ilem basamaklarn tekrarlaynz. C1=100F basamaklarn tekrarlaynz. C1=100F SORULAR 1. Ek A da yaplan lmleri kullanarak her bir transistrn akm kazanc y hesaplaynz. Sonra bu deerleri kullanarak kuvvetlendiricinin ac parametrelerini VL rin(kat1) , ro(kat1), rin(kat2), ro(kat2), ve VS (iki katl emiteri ortak kuvvetlendiricinin tm kazanc) hesaplaynz. VL 2. 4. ilem basamanda yaplan her bir lme iin VS deerini hesaplaynz. Bu C2=100F C3=0.01F C2=0.0022F C3=100F

8. f1(C3) yi lmek iin aadaki kondansatr deerlerini kullanarak, 5. ve 6. ilem

deerleri logaritmik kattta gsterip, iziniz. Bu grafie asimtotik erileri de ekleyin ve her bir aktarm kondansatrnden kaynaklanan krlma frekansn gsteriniz. lk krlmada kazancn 6dB/oktav, ikinci krlmada 12dB/oktav, nc krlmada ise 18dB/oktav a azaldn dorulamak iin asimtotlar kullannz.
3.

ekil-2 deki iki katl emiteri ortak kuvvetlendiricinin teorik olarak f1(C1), f1(C2) ve f1(C3) deerlerini hesaplaynz. 5. ve 8. ilem basamanda llen alt kesim frekanslaryla, bu deerleri karlatrnz. Btn deerleri Tablo 2ye kaydediniz.

4. Tipik olarak duyulabilir frekans aralnn 20 Hz ile 20 kHz arasnda olduu varsaylr. ok katl kuvvetlendiricinin bu aralkta yeterli olarak alabilecei C1, C2, C3 deerlerini pratik olarak seiniz.(Yani alt kesim frekans 20 Hz olacaktr.) aret retecinin i direncini 50 kabul ediniz.

74

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

TABLO 1 FREKANS VL (Volt) AV = VL VS

15 KHz 10 kHz 7.5 kHz 5 kHz 2 kHz 1.5 kHz 1 kHz 900 Hz 750 Hz 500 Hz 250Hz 200 Hz 100 Hz 50 Hz

TABLO 2 llen deer Hesaplanan deer f1(C1) f1(C2) f1(C3)

75

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

FARK KUVVETLENDRCS
AMA 1. 2.

15

Fark kuvvetlendiricisini, farksal ve ortak alma modunda incelemek. Ortak Mod Reddetme Oran (OMRO) n hesaplamak.

MALZEME LSTES 1. 3 - 2N2222 npn silikon transistr veya edeeri 2. DC g kaynaklar ( + 15V) 3. Analog iaret reteci (0-1 Vtepe sins 1 KHz) 4. Direnler :1-100K, 1-15K , 2-10 K, 1-1 K (%5 tolerans) 5. Potansiyometre : 200 veya daha kk 6. ift nl osiloskop 7. Saysal l aleti TEORK BLG lemsel kuvvetlendiriciler, saysal olmayan (lineer) uygulamalarda en ok kullanlan elektronik malzemelerdir. lemsel kuvvetlendiricilerin (bundan sonra ksaca OPAMP denilecektir.) giri devresi bir fark kuvvetlendiricisidir. Fark kuvvetlendiricilerinin ou birletirilmi devreler olarak imal edilir. Fakat bu deneyi kolaylatrmak iin ayn devrenin farkl bir biimini inceleyeceiz. Farksal kuvvetlendiriciler iki farkl yntem altnda altrlr. Giri sinyalleri farkl olabilir veya giri sinyalleri birbirinin ayns olabilir. Eer giri sinyalleri farkl ise, kuvvetlendiricinin farksal modda alt sylenir. Bu u anlama gelir : k gerilimi giri sinyalleri arasndaki farkla orantl olacaktr. Eer giri sinyalleri birbirinin ayns ise, kuvvetlendiricinin ortak modda alt sylenir. ekil 1deki devre harici kk emiter direnlerini de kapsayan bir farksal kuvvetlendiriciden olumutur. Bu tasarm iki transistrn re deerlerindeki farkllklar gidermek iin yaplmtr.

76

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ekil-1 deal bir farksal kuvvetlendiricinin, tek ve ift kl fark mod kazanlar srasyla aada gsterilmitir. Vo1 - RC Tek kl Av = Vi1-Vi2 = re1 + Re1 + re2 + RE2 ift kl Av = Farksal giri direnci : rid= (re1 + RE1 + re2 + RE2 ) rid giri ular arasndaki toplam ac direntir. Aadaki denklemler farksal kuvvetlendiricinin ortak mod almasnda kullanlr. (ortak mod almas iin iki sinyalde byklk ve faz olarak ayn olmaldr. Vo1-Vo2 - 2RC = Vi1-Vi2 re1 + Re1 + re2 + RE2

Tek kl Av =

Vo1 Vo1 = Vi1 Vi2

77

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ift kl Av =

Vo1 - Vo2 Vo1- Vo2 = Vi1 Vi2

Ortak mod almada farksal kuvvetlendiricinin en nemli yarar, her iki girite de varolan grlt faktrn ortadan kaldrmasdr. deal olarak girilerdeki grlt gerilimi kuvvetlendiricinin her iki ucunun faz terslemesi ile yokedilir. Ortak mod reddetme oran (OMRO) iaret kazancnn grlt kazancna orandr. Yani, kuvvetlendiricinin istenilen bir iareti ne kadar iyi ykseltip; istenmeyen grlty de ne kadar iyi ortadan kaldrdnn bir ifadesidir. Tek kl OMRO, tek kl fark mod gerilim kazancnn tek kl ortak mod gerilim kazancna orandr. ift kl OMRO, ift kl fark mod gerilim kazancnn ift kl ortak mod gerilim kazancna orandr. Genel olarak OMRO ok yksektir. (75-100dB normaldir)

OMRO(dB) = 20 log Burada,

Ad Aa

Ad fark mod gerilim kazanc ve Aa ortak mod gerilim kazancdr.

LEM BASAMAKLARI 1. ki transistrnde birbiriyle ayn olmas iin Ek Adaki ilem basamaklarn tamamlaynz. Ek Adaki ilem basamaklarn iki transistrn lar birbirine ok yakn oluncaya kadar uygulayn. 2. Eletirilmi olan Q1 ve Q2 transistrlerini kullanarak ekil-2deki farksal kuvvetlendirici devresini kurunuz. Farksal kuvvetlendiricinin kollektrlerine balanan 10k luk direnlerin %5 sapmay amayacak ekilde birbiriyle ayn olduundan emin olun. Ayn zamanda potansiyometrenin maksimum direncini ln.

78

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

ekil-2

3. Vi1 ve Vi2 yi 0V yapnz.(direk aseye balaynz) Vo1 ve Vo2 klar arasna dc gerilimleri okumak iin saysal bir voltmetre balaynz. imdi, voltmetrede 0V dc okuyuncaya kadar 200 luk potansiyometreyi ayarlaynz. Bu ilem farksal kuvvetlendiriciyi dengelemek(balancing) amacyla yaplr. 4. Devredeki ani akmlar hesaplayabilmek iin, her bir kollektr direnci ular arasndaki VRC dc gerilimini ve Q3 transistrnn emiter direnci ularndaki VRE gerilimini lp, kaydediniz. 5. Vi1 gerilimini 1kHzte 50mVtepe deerine ayarlayp, Vi2yi de aseye balaynz. Potansiyometrenin orta noktas ile ase arasndaki ac gerilimi lp, kaydediniz. Teksonlu (Single-ended) k gerilimleri V01 ve Vo2 yi lmek iin ift nl bir osiloskop kullannz. Osiloskop zerinde fark modulme konumu varsa, ayn
79

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

zamanda k fark gerilimini de (V01 - Vo2) lnz. Her iki ilemde de girile faz ilikisini not ediniz. 6. Vi2 gerilimini 1KHzde 50mVtepe deerine ayarlayp, Vi1 i de aseye balaynz. 5.basamaktaki lmeleri tekrarlaynz. 7. Tek iaret reteci kullanarak Vi1 ve Vi2 gerilimlerini 1kHzte 1 Vtepe deerine

ayarlayp, 5.basamaktaki lmeleri tekrarlaynz. Kuvvetlendirici ok kk ortak mod kazancna sahip ise giriler 1Vtepe nin zerine karlabilir. Aksi takdirde k gerilimi llemeyecek kadar kk olabilir. SORULAR 1. 4. basamaktaki dc gerilim lmelerini kullanarak her transistrn de kollektr akmlarn hesaplaynz. Bu deerleri T1 ve T2 transistrlerinin re1 ve re2 i emiter direnlerini hesaplamak iin kullannz. 2. 1.sorudaki sonular ve potansiyometrenin maksimum direncini (RE1+RE2) ve ayn zamanda 1 KHzte 50 mVtepe deerine ayarlanm olan Vi1 gerilimi ile 0Va ayarlanm olan Vi2 gerilimini kullanarak fark modu tek-sonlu (single-ended) gerilim kazancn hesaplaynz. Ayn zamanda ayn girileri kullanarak farksal gerilim kazancn (veya ift sonlu gerilim kazancn) hesaplaynz. Bu sonular 5.ilem basamanda llen sonularla karlatrnz. 3. 1. sorudaki sonular ve Ek Adaki hesaplanan deerini kullanarak rid deerini hesaplaynz. 4. 7.basamaktaki sonular kullanarak farksal ortak mod kazancn ve dB olarak OMROyu hesaplaynz. 5. Kollektr devresinde farksal kuvvetlendiriciye sahip emiteri ase katn amac nedir? Aklaynz.

80

Elektronik 2 deney fyleri Ar. Gr. Hayriye Korkmaz tarafndan hazrlanmtr.

TABLO 1 Vi1 0V (Topraa bal) Vi2 0V DC Deerler VRC1 = VRE3 = 50 mV tepe 0V 50 mV tepe 0V 50 mV tepe 50 mV tepe Vo1 Vo2 Vo1 Vo2

(Topraa bal) VRC2 =

81