You are on page 1of 6

Sklopovi

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

POLUVODIKI ELEMENTI
MATERIJALI ZA IZRADU POLUVODIKIH ELEMEMATA
Osnovne osobine i vrste materijala za izradu poluvodikih elemenata
Poluvodiki elektronski elementi, kao to su: poluvodika dioda, tranzistor, tiristor i dr. izrauju se od poluvodikih materijala. To je vrsta materija, pa se dio fizike koji prouava poluvodie naziva i fizika vrstog stanja. Specifini otpor ovih materijala je po veliini izmeu specifinog otpora provodnika i izolatora, zbog ega su i dobili naziv poluvodii (kree se od 10-5 m do 104 m). vrsta tijela mogu imati kristalnu ili amorfnu strukturu, to ovisi o rasporeenosti atoma i molekula. Kristalna tijela imaju pravilan raspored atoma, odnosno molekula koji obrazuju tzv. kristalnu reetku. Kod amorfnih materijala razmak izmeu pojedinih atoma je razliit. Tijelo kod kojega je cijela zapremina kristalne strukture naziva se monokristal. Ako je struktura djelomino kristalna, a djelomino amorfna, tijela se zovu polukristali.
tabela

FIZIKA OSOBINA Kemijski simbol Specifina masa Atomska teina Redni broj Valentnost Specifini otpor Broj atoma u 1m3

GERMANIJ SILICIJ Ge Si 3 3 3 5,3310 kg/m (T=300K) 2,3310 kg /m3( T=300K ) 72,6 28,1 32 14 4 4 0,6Sm (T=300K) 50m (T=300K ) 4,22*1028 (T=300K) 4,96*1028 (T=300K )

Poluvodii imaju kristalnu strukturu. Za izradu elektronskih elemenata koriste se selen, bakarni oksid, germanij i silicij. Germanij i silicij imaju daleko najveu primjenu. Fizikalne osobine germanija i silicija prikazane su u tabeli . Iz tabele se vidi da su germanij i silicij etverovalentni elementi. Rasporeenost elektrona po energetskim nivoima u atomima germanija i silicija prikazana je, shematski, na slici. U stvaranju elektrine struje uestvuju samo elektroni iz vanjske ljuske. U istoj ljusci svi elektroni imaju jednaku energiju i ona je utoliko vea to je ljuska udaljenija od jezgra.

Shema atoma a) germanija ; b) silicija

Zbog lakeg razumijevanja protoka struje kroz poluvodie, atome emo crtati pojednostavljeno, to nimalo nee smetati pri analizi elektrinih pojava u njima. Tako se atomi germanija i silicija mogu. s elektrotehnikog stanovita, prikazati pojednostavljeno prema slici 1.68.
Pojednostavljena shema atoma Ge i Si

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Sklopovi
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Ranije smo naveli da su materijali za poluvodike elemente kristalne strukture. Pravilan raspored atoma u kristalnoj reetki uzrokuju sile koje su elektrostatike prirode. To su Coulombove sile, koje djelujui na svaku naelektriziranu esticu, tono odreuju njen poloaj u prostoru. Kristalnu vezu izmeu susjednih atoma kod germanija i silicija ostvaruju valentni elektroni. Svaki valentni elektron jednog atoma udruuje se sa jednim valentnim elektronom susjednog atoma, stvarajui time tzv. kovalentnu vezu. Kovalentna veza se sastoji u preklapanju putanja valentnih elektrona dva susjedna atoma. Tako svi valentni elektroni uestvuju u kovalentnim vezama, to je shematski, za atom Ge i Si, prikazano na slici. Ako se svi valentni elektroni nalaze u kovalentnim vezama, oni se ne mogu kretati kroz kristal, to jest, nema slobodnih elektrona, a time ni elektrine struje. Meutim, kroz poluvodike elemente struja treba tei.

Kovalentna veza: a) jedan par valentnih elektrona dva susjedna atoma; b) raspored atoma u kristalnoj reetki monokristala Ge; c) shematski prikaz kristala reetke atoma Ge i Si

Slobodnih elektrona u kristalu poluvodia nema samo na temperaturi apsolutne nule. Tada atomi kristalne reetke miruju. Porastom temperature poinje osciliranje atoma koji time emitiraju energiju u vidu elektromagnetskog zraenja. Ukoliko elektron primi odreenu koliinu energije, dovoljnu da se oslobodi veze s atomom, on postaje slobodan i moe uestvovati u protoku elektrine struje. Kovalentnu veza je time razbijena. To se i deava tako da na temperaturi od 300K(27 C) u 1 cm3 germanija ima 2,5*1013, a kod silicija 1,5*1010 slobodnih elektrona. Nevezani elektroni mogu se stvarati i vanjskim zraenjem kristala. Ako u kristalu nema elektrinog polja, slobodni elektroni se kreu kaotino, a kada polje postoji, kreu se usmjereno i obrazuju elektrinu struju. Iz navedenog zakljuujemo da poluvodii imaju negativni temperaturni koeficijent, tj. porastom temperature otpor im se smanjuje.

Slobodni nosioci elektrine struje u poluvodiima


Na temperaturi apsolutne nule isti kristal poluvodia ima izolatorska svojstva. Kada elektron dobije dodatnu energiju, za raskidanje valentne veze postaje slobodan, a atom koji je napustio postaje pozitivan ion. Elektrini naboj ovoga iona jednak je po apsolutnom iznosu naboju elektrona, ali je suprotnog predznaka. Tako je u promatranom atomu nastala praznina na mjestu gdje se nalazio osloboeni elektron. U tu prazninu dolazi elektron iz neke druge valentne veze stvarajui novi pozitivni ion. Prividno izgleda kao da je dolo do kretanja iona. Meutim, poznato je da se ioni u vrstim tijelima ne mogu kretati. Da bi se okarakteriziralo premjetanje pozitivnog naboja, uvedena je estica nazvana upljina. upljina se moe javiti samo na mjestu na kojem se nalazio elektron. Stvaranje para elektron upljina u kristalu Ge ili Si prikazano je na slici

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Sklopovi
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Stvaranje para elektron-upljina zraenjem u kristalu Ge i Si

Uvoenje upljine ima veliku praktinu opravdanost. Pored naboja , pripisuju joj se i efektivna masa, brzina i energija, pa je tretiramo kao esticu. Smjer kretanja upljina je suprotan kretanju valentnih elektrona. Prema tome, elektrinu struju u poluvodiima ini usmjereno kretanje slobodnih elektrona i upljina. Broj upljina u istom kristalu uvijek je jednak broju slobodnih elektrona. Pod utjecajem elektrinog polja elektroni se kreu u smjeru suprotnom od smjera polja, a upljine se kreu u smjeru elektrinog polja . Poluvodii od istog kristala imaju na sobnoj temperaturi nedovoljnu koliinu slobodnih elektrona. Zbog toga, sa takvom strukturom nisu pogodni za izgradnju elektronikih elemenata. Broj slobodnih nosilaca elektrine struje treba biti znatno vei. To se postie dodavanjem primjesa (neistoa) istom kristalu poluvodia
Kretanje elektrona i upljina u elektrinom polju

Poluvodii N i P tipa
Poluvodi N-tipa
Ovaj poluvodi se dobiva kada se istom kristalu germanija ili silicija dodaju primjese nekog peterovalentnog elementa, a to su duik, fosfor, arsen i antimon. Broj atoma primjese u odnosu prema broju atoma istog kristala ovisi o tome kakva elektrina svojstva takav poluvodi treba imati. Za proizvodnju Ge i Si dioda i tranzistora neistoe se dodaju u odnosu od 1:107 do 1:106. Zbog ovakvog odnosa, velika je vjerojatnost da e atom primjese uvijek biti okruen u kristalnoj reetki atomima materijala u koji su tehnolokim putem unesene. Ako se, na primjer, istom germaniju ili siliciju doda neka petovalentna primjesa, kristalna reetka e se formirati kao to je shematski prikazano na slici .

Stvaranje glavnih i sporednih nosilaca elektriciteta u N-tipu poluvodia

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Sklopovi
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

etiri elektrona atoma peterovalentnog elementa obrazuju sa susjednim atomima germanija ili silicija valentne veze. Peti elektron je vezan za svoj matini atom zbog privlane sile jezgra. Meutim, dovoljna je veoma mala energija (0,05 eV) da se on oslobodi. Tako su na sobnoj temperaturi ti elektroni slobodni. Moemo zakljuiti da unoenje peterovalentnih primjesa daje slobodne elektrone kao nosioce elektrine struje u poluvodiu. Takve primjese se zovu donori. Oslobaanjem petog elektrona, atom donora postaje pozitivan ion. Pored ovako nastalih slobodnih elektrona, dolazi i do razbijanja valentnih veza, to je opisano ranije, ime se pojavljuju novi nevezani elektroni, a time i upljine. U poluvodiima N vrste nosioci elektrine struje u veini su elektroni, a manje upljine. Zbog toga je i dobio naziv poluvodi N tipa, jer su glavni nosioci struje elektroni, to jest estice s negativnim nabojem.

Poluvodi P-tipa
P-tip poluvodia nastaje kada tehnolokim postupkom etverovalentnom poluvodiu dodamo trovalentne primjese, a to su: aluminij, galij, indij, i bor. Atom trovalentne neistoe je okruen atomima osnovnog poluvodia, to je shematski prikazano na slici
Stvaranje glavnih i sporednih nosilaca elektricitete u P-tipu poluvodia

Kako atom neistoe ima tri valentna elektrona, on e privui jedan elektron iz susjednih atoma. Na mjestu u atomu iz kojega je otiao elektron ostaje upljina, a atom primjese postaje negativan ion. Primjese sa ovakvim svojstvima nazivamo akceptori. Broj upljina koje su nastale na ovaj nain jednak je broju akceptorskih atoma koji su nepomini negativni ioni u kristalnoj reetki. Prema tome, glavni nosioci struje u poluvodiu P-tipa su upljine. Kako smo upljinama pripisali pozitivan naboj, naziv P-tip potie od pozitivan. Sporedni nosioci elektrine struje su slobodni elektroni koji nastaju raskidanjem valentne veze. Ovi elektroni ne ulaze u akceptorski atom. Poluvodii P ili N-vrste nisu naelektrizirana tijela. Broj svih pozitivnih jednak je broju svih negativnih naboja u poluvodiu. PN spoj
Poluvodii P i N-tipa se koriste za izgradnju dioda, tranzistora i ostalih poluvodikih elemenata. U svim tim konstrukcijama postoje mjesta dodirivanja P i N-tipa poluvodia. Zbog toga je potrebno

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Sklopovi
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

razmotriti kakve se elektrine promjene deavaju u poluvodiima P i N-vrste kada su u meusobnom kontaktu. Ovaj spoj se ostvaruje tehnolokim postupkom, a ne mehanikim kontaktom. Razmotrimo prvo nepolariziran PN spoj, tj. spoj P i N-tipa poluvodia kada nije prikljuen vanjski napon. Dio zapremine PN spoja prikazan je na slici a, a dijagrami raspodjele koliine naboja i potencijala na slici c i d. Nosioci elektrine struje su pokretne naelektrizirane estice i to slobodni elektroni u N-tipu i upljine u P-tipu poluvodia. Donorski i akceptorski ioni, kao nepokretni naboji, ne uestvuju u provoenju elektrine struje, ali stvaraju elektrino polje koje djeluje na pokretljive naboje.
P-N spoj a)prostorni izgled; b)raspodjela naboja; c)dijagram raspodjele naboja; d)dijagram potencijala

Promatrajui PN spoj na slici b, izgleda da e kontaktom P i N-tipa ploica poluvodia slobodni elektroni iz N-tipa prei kroz dodirnu povrinu i popuniti upljine u P-tipu. Meutim, to se dogaa samo u malom sloju oko granine plohe. Slobodni elektroni se iz tog sloja kreu kroz graninu povrinu od N prema P-tipu, a upljine od P prema N-tipu poluvodia. To kretanje obrazuje elektrinu struju koja se zove struja difuzije. Kada slobodni elektron doe na mjesto gdje se nalazi upljina ili obrnuto, dolazi do nestanka slobodnog naboja, tj. nosilaca elektrine struje. Ta pojava se zove rekombinacija. U sloju lijevo i desno od dodirne povrine P i N poluvodia u kojem je dolo do rekombinacije ostaju nepomini akceptorski i donorski ioni, prema slici b. Oni e zbog prikazane prostorne raspodjele stvarati elektrini potencijal, prikazan na slici , koji spreava potpunu rekombinaciju. Koncentracija naboja oko dodirne plohe, prikazana na slici c, spreava daljnja difuzijska kretanja elektrona i upljina. Donorski ioni e odbijati upljine, a akceptorski ioni e odbijati elektrone. Taj sloj se zbog toga zove zaporni sloj. irina mu je malena u odnosu na ukupnu irinu PN spoja. Ako je, na primjer, irina ploica ispod 0,5 cm, zaporni sloj iznosi oko 0,5 m. U zapornom sloju stvorena je potencijalna barijera koja ne dozvoljava daljnja difuzijska kretanja. Razlika potencijala izmeu dva kraja zapornog sloja naziva se kontaktna razlika potencijala. Ovaj kontaktni napon je prepreka ili barijera kretanju glavnih nosilaca elektriciteta pri kretanju kroz kontaktnu plohu P-N spoja, pa se zove i potencijalna barijera.

Polarizacija PN spoja Razmatrali smo stanje u PN spoju kada na njega nije prikljuen vanjski napon. Prikljuivanjem slobodnih strana PN spoja na izvor istosmjernog napona, kroz njega e tei elektrina struja. Znamo da e se elektroni i upljine kretati kada se nau u elektrinom polju. Elektrino polje u kristalu PN spoja poluvodia stvaraju nepomini atomi donora i akceptora, Nepolarizirani PN spoj moe se predstaviti, simboliki, prema slici , gdje je Upn napon ekvivalentnog izvora kontaktnog napona.
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Sklopovi
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Simboliki prikaz nepolariziranog PN spoja

Propusna (direktno) polariziran PN spoj nastaje ako je P podruje spojeno na pozitivan pol, a N podruje na negativan pol istosmjernog napona. Na slici je prikazano elektrino stanje u direktno polariziranom PN spoju.

Propusno polariziran PN-spoj a) shema prikljuenja ; b)U-I karakteristika

Elektrina struja kroz PN spoj e se obrazovati ukoliko je napon vanjskog izvora vei od ekvivalentnog napona PN spoja, tj. ako je U > Upnd. Bilo da se radi o glavnim ili sporednim nosiocima elektriciteta u nekoj oblasti elektroni se kreu prema pozitivnom, a upljine prema negativnom polu vanjskog izvora, napona U. Ovako nastala struja zove se direktna struja. Ovisnost struje o vanjskom naponu u direktno polariziranom PN spoju prikazana je na slici b. Inverzno polariziran PN spoj nastaje onda kada P oblast veemo sa negativnim, a N oblast sa pozitivnim polom istosmjernog izvora napona U. Inverzna polarizacija PN spoja prikazana je na slici.

Vidimo da napon vanjskog izvora U i napon ekvivalent izvora PN spoja Upni djeluju u istom smjeru. Posljedica je da e se glavni nosioci elektriciteta koncentrirati dalje od granine povrine PN spoja, tako da oni nee obrazovati struju kroz PN spoj.
Inverzno polariziran PN spoj: a)shema prikljuivanja ; b)U-I karakteristika

Kroz graninu povrinu kreu se samo sporedni nosioci elektriciteta i to elektroni iz P podruja i
upljine iz N podruja. Tako nastala struja zove se inverzna struja. Zavisnost te struje od veliine prikljuenog napona prikazana je na slici b. Iz dijagrama se vidi da poveanje napona inverzne polarizacije neznatno utie na porast inverzne struje. To proizlazi iz toga to elektrino polje vanjskog napona neznatno utie na kidanje valentnih veza, odnosno generiranje sporednih nosilaca elektriciteta. Ti nosioci se stvaraju utjecajem temperature i drugih zraenja. Struja koju obrazuju manjinski nosioci elektriciteta zove se inverzna struja zasienja.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________