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TERCERA SEMANA
Defectos de estructuras, puntuales, lineales, superficiales
Grano, Tamao de grano
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DEFECTOS DE ESTRUCTURAS
OBJETIVO
Comprender la influencia de los defectos en las propiedades de los materiales.
3.1 INTRODUCCION
La estructura cristalina es un concepto terico que permite comprender cmo
estn formados los materiales. A partir del concepto de estructura cristalina es
posible explicar muchas de las propiedades que exhiben los materiales, sean
stos cristalinos o amorfos. El plantear que un material clasificado como
cristalino posee estructura cristalina es una idealizacin que no siempre se
cumple en los materiales reales. La forma como estn colocados los tomos
en un material real normalmente difiere de la posicin ideal que se espera a
partir de la estructura cristalina. Esas diferencias pueden explicarse
planteando que el modelo de arreglo atmico puede poseer defectos.
En la realidad, no existen cristales perfectos y contienen varios tipos de
defectos que afectan a muchas propiedades fsicas y mecnicas, que a la vez
afectan a muchas propiedades importantes de materiales para ingeniera
como la conformacin en fro de aleaciones, la conductividad elctrica de
semiconductores, la velocidad de migracin de tomos en aleaciones y la
corrosin de metales.
Se entiende por defecto cristalino a una irregularidad en la red, la
clasificacin de las imperfecciones cristalinas se hace de acuerdo a su
geometra o las dimensiones del defecto
Cuando un metal en su estado lquido se enfra sus tomos se agrupan y
forman cristales segn su tipo de red, y se van solidificando formando
estructuras, las que crecen uniformes hasta que se encuentran con otra
estructura que tambin ha estado creciendo, en ese lugar de encuentro de las
dos estructuras se forman los lmites de los granos de los materiales. Entre
ms lento el enfriamiento de un material, mayor uniformidad en el crecimiento
de los granos, o sea estos sern de mayor tamao.
Un material con granos pequeos ser ms duro que uno con granos
grandes, debido a que los granos grandes tienden a fracturarse y deslizarse
uno sobre el otro, lo que no sucede con los granos pequeos.
La mejor forma de determinar el tamao de grano de un material es por medio
de microscopio metalrgico, el que acta por medio de un rayo de luz que se
lanza sobre una superficie pulida.
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En realidad, no existen cristales perfectos y contienen varios tipos de defectos
o imperfecciones que afectan a muchas de las propiedades fsicas y
mecnicas, que a su vez afectan a muchas propiedades importantes de
materiales para ingeniera como !a conformacin en fro de aleaciones, la
conductividad elctrica de semiconductores, la velocidad de migracin de
tomos en aleaciones y la corrosin de metales.
3.2 CLASIFICACION DE LOS DEFECTOS
Las imperfecciones en la red cristalina se clasifican segn su forma y
geometra. Los tres grupos principales son: defectos puntuales, defectos de
lnea o de una dimensin (dislocaciones) y defectos de dos dimensiones que
incluyen superficies externas y superficies de lmite de grano.
Tambin deben incluirse los defectos macroscpicos tales como fisuras,
poros y las inclusiones extraas.
3.3 DEFECTOS PUNTUALES
Los defectos puntuales son alteraciones o discontinuidades puntuales de la
red cristalina provocadas por uno o varios tomos. En principio, como su
nombre indica consisten en presencias o ausencias de un determinado tomo
o ion, pero es preciso tener en cuenta que de alguna forma el entorno
inmediato se ve afectado. Por ejemplo, una vacante catinica presenta una
carga efectiva negativa y ocasiona un desplazamiento de los aniones que le
rodean. Los defectos puntuales se debe al movimiento de tomos durante el
calentamiento o el procesado del material, tambin se pueden ocasionar
debido a la introduccin de impurezas o por aleacin.
Los defectos puntuales pueden tener su origen en una de las siguientes
causas (o en combinacin de ellas):
Ausencia de tomos/iones en algunas posiciones de la red: vacantes.
Presencia de tomos/iones en posiciones intersticiales:
autointersticiales
Presencia de tomos/iones extraos al compuesto: impurezas
3.3.1 Defecto Vacante
El defecto ms simple es un defecto puntual conocido como una
vacancia, o un sitio vacante en la red, el cual normalmente es ocupado
por un tomo, pero que se encuentra ausente. Las vacancias se
forman durante la solidificacin del material por perturbaciones locales
durante el crecimiento de los cristales. Tambin puede producirse por
reordenamientos atmicos en el cristal ya formado como consecuencia
de la movilidad de los tomos o bien por efecto de una radiacin de
alta energa.
4
El nmero de vacancias en equilibrio por m
3
o cm
3
, Nv, para un
material dado depende del incremento de temperatura de acuerdo a:
-Q
k*T
v
N =N*e
T R*
Q
v
e N* N

=
En esta expresin, N es la cantidad de tomos por m
3
o cm
3
, Q es la
energa de activacin (energa de vibracin requerida para la formacin
de una vacancia), T es la temperatura absoluta (Kelvin), k es la
constante de Boltzman, k es 1.38*10
-23
J/tomo.K o 8.62*10
-5
eV/tomo.K y R es la constante de los gases, R es 1.987 cal/mol.K o
8.314 J/mol.K, dependiendo de las unidades de Q. As el nmero de
vacancias se ve incrementado exponencialmente con el incremento en
la temperatura, cuando T se incrementa en la ecuacin, tambin lo
hace el valor de la expresin exp(-Q/kT). Para la mayora de los
metales la fraccin de vacancias Nv/N justo abajo del punto de fusin
es del orden de 10
-4
; esto es un sito estar vaco en una red de 10,000.
Las vacantes pueden trasladarse cambiando su posicin con sus
vecinos. Este proceso es importante en la migracin o difusin de los
tomos en el estado slido, sobre todo a altas temperaturas donde la
movilidad de los tomos es mayor.
FIGURA 3.1
REPRESENTACION DE UNA VACANTE Y UN INTERSTICIO
Ejemplo
Calcular la concentracin de vacantes por m
3
en el equilibrio en aluminio puro
a 550 C suponga que la energa de formacin de una vacante en aluminio
puro es de 0.76 eV. Cul es la fraccin de vacante a 600 C?
Solucin:
T = 550 + 273 = 823 K
K = 8.62*10
-5
eV/tomo.K
Q = 0.76 eV
5
*Navogadro
N=
pesoatomico
,
6 23
3
28
3
g
atomos
2.699*10 *6.023*10
mol
m
atomos
N= =6.025*10
g m
26.981
mol
,
28
3
v
-5
eV
-0.76
atomo
atomos
N = 6.025*10 *exp
eV m
8.62*10 *823K
atomo.K
|
|
|
'
24
3
atomos
Nv=1.3409*10
m
Fraccin de vacante a T = 600 + 273 = 873 K
-Q
v
k*T
N
=e
N
-5 v
-5
eV
-0.76
N
atomo
=exp =4.1108*10
eV
8.62*10 *873K
atomo.K
N
|
|
|
'
3.3.2 Defectos Intersticiales
Algunas veces, un tomo extra se inserta dentro de la estructura de la
red en una posicin que normalmente no esa ocupada formando un
defecto llamado defecto intersticial. Generalmente este tipo de
defecto introduce relativamente grandes distorsiones en los
alrededores puesto que normalmente el tomo es sustancialmente ms
grande que la posicin intersticial en la que se sita. Se pueden
introducir en una estructura por radiacin.
Un intersticio es un tomo en un cristal que ocupa un espacio de la
red que bajo circunstancias normales no se encuentra ocupado. Este
tipo de defecto se encuentra representado en la Figura 3.1. En los
metales un tomo intersticial produce grandes distorsiones en los
alrededores de la red debido a que el tomo es ms grande que el
intersticio en el cual se encuentra situado. Por consiguiente, la
formacin de este defecto no es muy comn y existe en muy bajas
concentraciones, las cuales son significativamente ms bajas que las
vacancias.
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FIGURA 3.2
DEFECTO INTERSTICIAL
3.3.3 Defectos Sustitucionales
En teora un material puro est formado exclusivamente por el mismo
tipo de tomos. Los materiales reales no son 100% puros sino que
poseen impurezas, las cuales se definen como tomos diferentes a los
tomos del material original. Cuando uno de esos tomos diferentes
sustituye a un tomo original ocupando su punto de red, recibe el
nombre de tomo sustitucional. Es la sustitucin de un tomo de la red
cristalina por otro distinto. Si el defecto sustitucional es mayor que los
tomos normales la red esta se comprime, si es menor la red entonces
se expande (tensin). El nmero de defectos sustitucionales no
depende de la temperatura.
FIGURA 3.3
DEFECTO SUSTITUCIONAL
tomo sustitucional pequeo tomo sustitucional grande
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3.3.4 Defecto de SCHOTTKY
Ocurre cuando dos iones opuestamente cargados (anin y catin)
faltan en un cristal inico, se crea una divalente aninica catinica.
Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para
mantener la neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como
un anin. Obviamente es un defecto estequiomtrico, para preservar la
electroneutralidad del cristal debe haber igual nmero de cationes que
de aniones vacantes. Es el principal defecto puntual presente en los
haluros alcalinos.
FIGURA 3.4
DEFECTO SCHOTTKY
FIGURA 3.5
REPRESENTACION ESQUEMATICA DE UN DEFECTO SCHOTTKY EN NaCl
Las vacantes pueden estar distribuidas al azar por el cristal o
asociadas formando pares o clusters ms grandes. La razn por la que
tienden a asociarse es su carga efectiva: una vacante positiva atrae a
las vacantes negativas y viceversa, y as se restablece la
electroneutralidad local.
3.3.5 Defecto de FENKEL
Es cuando un catin se desplaza a un hueco intersticial en un cristal
inico, lo cual crea una vacante catinica en la posicin primitiva del ion.
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Es una imperfeccin combinada Vacancia Defecto intersticial. Ocurre
cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a un sitio
intersticial dejando entonces una vacancia, donde es estabilizado por
interaccin electrosttica con sus vecinos. Este defecto es el
predominante en el AgCl (cuya estructura es tipo NaCl).
FIGURA 3.6
DEFECTO FENKEL
FIGURA 3.7
DEFECTO FENKEL EN EL AgCl
Habitualmente, son los cationes los que emigran a posiciones
intersticiales, debido a su menor tamao que les permite colocarse en
otros huecos diferentes de los que habitualmente ocupan. Sin
embargo, no es una regla que deba llevarse hasta sus extremos, as
por ejemplo el CaF
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presenta predominantemente defectos Fenkel,
pero es el anin F
-
el que ocupa las posiciones intersticiales.
Evidentemente, y aunque tericamente es posible, es muy improbable
que ambos, cationes y aniones ocupen simultneamente posiciones
intersticiales; normalmente, al menos uno de los defectos ser
energticamente desfavorable por razones de tamao. Como ocurrira
con los defectos de Schottky, las vacantes y los iones intersticiales de
un defecto Fenkel estn cargados opuestamente y pueden atraerse
mutuamente para formar un par. Estos pares son elctricamente
neutros pero bipolares por lo que pueden atraerse unos a otros para
formar agregados superiores.
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3.3.6 IMPUREZAS EN SOLIDOS
Este defecto se introduce cuando un tomo es reemplazado por un
tomo diferente. El tomo sustituyente puede ser ms grande que el
tomo original y en este caso los tomos alrededor estn a compresin
o puede ser ms pequeo que el tomo original y en este caso los
tomos circundantes estarn a tensin. Este defecto puede
presentarse como una impureza o como una adicin deliberada en una
aleacin.
FIGURA 3.8
IMPUREZAS O REEMPLAZAMIENTOS
Dependiendo de la clase de impurezas que se halle en el cristal, de su
concentracin y de la temperatura se formar en el cristal una solucin
slida. Cuando se hable de solucin slida hay que hacer claridad
sobre algunos trminos.
Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones slidas
pueden generarse por dos mecanismos:
Sustitucin: Aqu el soluto o las impurezas reemplazan a
tomos originales. Esto se da cuando los tomos que
constituyen el soluto y el solvente cumplen los siguientes
requerimientos (Reglas de Hume-Rothery):
Los radios atmicos no difieran ms del 15 %
Las estructuras cristalinas deben ser las mismas
Las electronegatividades deben ser similares ya que de
otra manera
reaccionaran y se formaran nuevos compuestos
Deben tener la misma valencia
Un ejemplo de solucin slida en metales lo constituyen el Cobre
y el Nquel.
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Intersticial: Aqu los tomos de las impurezas llenan los vacos
o intersticios dentro del material original. En la mayora de los
materiales metlicos el empaquetamiento atmico es alto y los
intersticios son pequeos. Consecuentemente los dimetros de
los tomos que constituyen las impurezas intersticiales deben
ser sustancialmente ms pequeas que los del material original,
razn por la cual este defecto es mucho menos comn. Un
ejemplo de este tipo de impureza por sustitucin lo constituyen el
carbn y el hierro. En una solucin slida de estos dos
elementos, el carbn puede sustituir al hierro en no ms del 2%.
FIGURA 3.9
SOLUCION SOLIDA POR SUSTITUCION DE Cu Y Ni
FIGURA 3.10
IMPUREZAS INTERSTICIALES DE CARBON EN HIERRO
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FIGURA 3.11
DEFECTOS PUNTUALES
TABLA 3.1
ENERGIAS DE FORMACION DE VACANCIAS PARA ELEMENTOS Y NMERO
DE VACANCIAS A VARIAS TEMPERATURAS
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Los defectos puntuales distorsionan el acomodamiento perfecto de los
tomos circundantes. Cuando se tiene una vacante o un pequeo tomo
sustitucional, los tomos circundantes se colapsan hacia el defecto puntual,
estirando los enlaces entre los tomos cercanos y produciendo un campo de
esfuerzo de traccin. Un tomo intersticial o sustitucional grande empuja los
tomos circundantes produciendo un campo de esfuerzo de compresin, en
cualquier caso este defecto se difunde, provocando un trabamiento de planos
y aumentando la resistencia mecnica del metal.
La presencia de defectos puntuales hace entonces ms difcil la deformacin
plstica de los metales, y por tanto decimos que aumentan su resistencia
mecnica. Cuando a un metal le aadimos tomos de naturaleza qumica
diferente con el propsito de causar tomos intersticiales o sustitucionales,
entonces decimos que estamos aleando al metal. Las aleaciones no son ms
que materiales formados por la mezcla de varios tomos diferentes, a modo
de causar distorsiones locales de la estructura cristalina con el propsito de
hacer difcil el desplazamiento de las dislocaciones. Por ejemplo, el acero es
una aleacin de Hierro y Carbono. Los tomos de Carbono se ubican en los
espacios intersticiales entre los tomos de Hierro, distorsionando la estructura
cristalina del Hierro (el tomo de Carbono es un poco ms grande que el
espacio intersticial que ocupa entre los tomos de Hierro).
Estas distorsiones hacen que el acero presente mayor resistencia a las
deformaciones plsticas que el Hierro puro, haciendo al acero un material
ms resistente que el Hierro. Hay otros factores que tambin pueden
contribuir al aumento de la resistencia. Al proceso de aumentar la resistencia
de un metal aadindole impurezas se le llama endurecimiento por solucin
slida. El producto de un proceso de endurecimiento por solucin slida es
una aleacin.
3.4 DEFECTOS DE LINEA O DISLOCACIONES
Una dislocacin es un defecto extendido unidireccionalmente en un material.
Se producen bien durante el proceso de solidificacin del fundido de partida o
bien por efecto de las fuerzas deformantes ejercidas sobre el material. Se
producen sobre todo tipo de slidos pero son especialmente importantes en
metales por sus aplicaciones estructurales. Se distinguen habitualmente dos
grandes tipos de dislocaciones, las dislocaciones de arista y las
dislocaciones helicoidales. Aunque lo ms frecuente es que se presente
dislocaciones mixtas entre ambas. La magnitud y direccin de las
distorsiones reticulares inducidas por las dislocaciones se definen en funcin
del llamado vector de Burgers (b), que es el vector necesario para completar
un ciclo alrededor del eje del defecto y volver al punto de partida siguiendo un
camino que transcurra a travs de tomos igualmente espaciados en todas
las direcciones.
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El proceso por el cual se mueve una dislocacin y causa que un metal se
deforme se denomina deslizamiento.
Aunque el deslizamiento puede ocurrir en algunas cermicas y polmeros, el
proceso de deslizamiento es particularmente til para comprender el
comportamiento mecnico de los metales. Primero, el deslizamiento explica
porque la resistencia de los metales es mucho ms baja que el valor
calculado a partir de la unin metlica. Si tuviramos que romper una barra de
hierro, rompiendo todos los enlaces metlicos en la seccin transversal,
tendramos que aplicar una fuerza de muchos millones de kilos por centmetro
cuadrado. En cambio podramos deformar la barra ocasionando deslizamiento
durante el cual solo una pequea fraccin de todas las uniones metlicas
necesita romperse a la vez.
Segundo, el deslizamiento proporciona ductibilidad a los metales. Si no se
presentara dislocaciones, la barra de hierro seria frgil; los metales no podran
ser conformados en formas tiles por los variados procesos de conformado de
materiales que existen.
Tercero, se controlan las propiedades metlicas de un metal o aleacin
interfiriendo el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido en
el cristal impide que se deslice una dislocacin a menos que se aplique
fuerzas elevadas, en este caso el metal debe ser ms resistente.
Las dislocaciones tienen dos caractersticas importantes:
Tienen la capacidad de moverse o desplazarse en el interior del
material.
Cuando una dislocacin se desplaza, se divide aumentando el nmero
de dislocaciones presentes en el material.
Cuando se aplica una fuerza sobre la dislocacin, sta se desplaza sobre un
plano especfico y en determinadas direcciones. Al plano se le llama plano de
deslizamiento y a la direccin se le llama direccin de deslizamiento. A la
combinacin de un plano de deslizamiento con una direccin de
deslizamiento se le llama sistema de deslizamiento. La fuerza aplicada
directamente sobre la dislocacin es una componente de alguna fuerza
externa aplicada sobre el material.
Las dislocaciones se desplazan cuando se aplican fuerzas sobre ellas. La
fuerza aplicada y el desplazamiento resultante de la dislocacin requieren de
un trabajo. Para que la dislocacin pueda realizar el trabajo para desplazarse,
se requiere de energa. La Termodinmica establece que la dislocacin se
mover en aquellos sistemas de deslizamiento en donde se requiera del
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menor consumo de energa para su desplazamiento, o en otras palabras, en
donde se realice el menor trabajo.
FIGURA 3.12
DESLIZAMIENTO DE UNA DISLOCACION
Las dislocaciones juegan un papel muy importante en la deformacin plstica
de los metales. Precisamente la deformacin plstica se da porque la
dislocacin es capaz de moverse en el interior del material, causando la
reubicacin de los tomos que forman la estructura cristalina. La facilidad o
dificultad para deformar plsticamente a un material depende entonces de la
facilidad o dificultad de hacer que las dislocaciones comiencen a moverse y
se mantengan en movimiento. Entre ms difcil sea mover a las dislocaciones
del material, ms difcil ser (porque se requiere de ms fuerza) deformar
plsticamente al material.
La facilidad para hacer que las dislocaciones se muevan depende de muchos
factores, uno de los cuales es el nmero de sistemas de deslizamiento que
posea la estructura cristalina. A mayor nmero de sistemas de deslizamiento,
es ms fcil para las dislocaciones iniciar y mantener su desplazamiento, y
por tanto el material es ms fcil de deformar (o si se quiere, el material
ofrece menor resistencia a ser deformado).
Si por alguna razn las dislocaciones no pueden moverse en la estructura del
material, entonces ste slo puede deformarse plsticamente muy poco. La
cantidad de deformacin plstica que puede sufrir un material se mide con la
propiedad llamada ductilidad. Un material que slo puede deformarse
plsticamente pequeas cantidades es poco dctil. Un material que puede
tener grandes cantidades de deformacin plstica es ms dctil.
Los materiales cermicos estn formados principalmente por tomos con
enlaces inicos. La neutralidad de cargas elctricas que exige este tipo de
enlace hace sumamente difcil que en estos materiales pueda haber
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desplazamiento de dislocaciones, ya que al moverse stas alteraran la
neutralidad elctrica que debe tener el material. Por esa razn en las
cermicas las dislocaciones no pueden moverse, y por eso estos materiales
no poseen ductilidad, lo que significa que no pueden tener deformaciones
plsticas significativas cuando se les aplica una fuerza.
En los metales, el enlace qumico es de tal forma que la neutralidad elctrica
en el material no es afectada por el movimiento de los tomos en su interior.
Las dislocaciones no tienen impedimento para desplazarse y por esa razn
los metales son materiales dctiles. Si alterramos la estructura del metal y
hacemos que el desplazamiento de las dislocaciones sea difcil, entonces el
metal se volvera tan frgil como una cermica (la fragilidad es la propiedad
opuesta a la ductilidad).
En los metales, a medida las dislocaciones se van desplazando para generar
la deformacin plstica, tambin se van multiplicando, aumentando su nmero
en la estructura del material. Debido a que las dislocaciones causan
deformaciones locales en tensin y compresin en la zona que las rodea, se
comportan como si fueran cargas elctricas del mismo signo: cuando se
intenta acercar a dos dislocaciones entre s, ests se resisten a acercarse.
En un metal con pocas dislocaciones, la resistencia al movimiento de las
dislocaciones a causa de su cercana no afecta la facilidad con que stas se
desplazan. Sin embargo, a medida se van desplazando, se van generando
ms dislocaciones, hasta que llega un momento en donde son tantas que se
estorban unas con otras y la resistencia adicional que se genera para
hacerlas que se desplacen se vuelve importante. Esto se traduce en que en
un metal deformado plsticamente, la resistencia que se debe vencer para
seguir deformndolo es mayor que la resistencia que el metal ofreca cuando
no tena deformacin previa. A este fenmeno se le llama endurecimiento por
deformacin plstica, y es caracterstico de los metales: cuando un metal se
deforma plsticamente, la resistencia que le metal ofrece a seguir siendo
deformado aumenta.
3.4.1 Dislocacin de Arista o Borde o Cua
Una dislocacin de arista se crea en un cristal por la interseccin de un
semiplano extra de tomos. La distancia de desplazamiento de los
tomos alrededor de la dislocacin se llama deslizamiento o vector de
Burgers b y es perpendicular a la lnea de dislocacin de arista. Las
dislocaciones no son defectos de equilibrios y almacena energa en la
regin distorsionada de la red cristalina alrededor de la dislocacin. La
dislocacin de arista presenta una regin de tensin a compresin
donde se encuentra el semiplano extra y una regin de tensin a
traccin debajo del semiplano extra de tomos.
16
FIGURA 3.13
POSICION DE LOS ATOMOS EN UNA DISLOCACION DE BORDE
FIGURA 3.14
DISLOCACION DE BORDE
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3.4.2 Dislocacin Helicoidal o de Tornillo
La dislocacin de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial a
travs de un cristal perfecto, torcindolo y desplazando un lado del
corte sobre el otro la distancia de un tomo. La dislocacin helicoidal
puede formarse en un cristal perfecto aplicando tensiones de
cizalladura en las regiones del cristal perfecto que han sido separadas
por un plano cortante. Estas tensiones de cizalladura introducen la
estructura cristalina una regin de distorsin en forma de una rampa en
espiral de tomos distorsionados o dislocacin helicoidal. Aqu el vector
de Burgers o de desplazamiento es paralelo a la lnea de dislocacin.
FIGURA 3.15
DISLOCACION HELICOIDAL O DE TORNILLO
En este tipo b es paralelo a la lnea de dislocacin. La lnea de
dislocacin se mueve perpendicular a la direccin de la tensin. Las
dislocaciones helicoidales se pueden mover segn cualquier plano que
contenga la lnea de dislocacin, esta caracterstica las hace mucho
ms mviles y capaces de superar obstculos cambiando a un
segundo plano de deslizamiento.
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FIGURA 3.16
DISLOCACION HELICOIDAL
3.4.3 Dislocacin Mixta
Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde como de
tornillo, con una regin de transicin entre ambas. El vector de Burgers,
sin embargo, se conserva igual para todas las porciones de la
dislocacin mixta. Su vector de Burgers no es ni perpendicular ni
paralelo a la lnea de dislocacin, pero mantiene una orientacin fija en
el espacio. La estructura atmica local en torno a la dislocacin mixta
es difcil de visualizar, pero el vector de Burgers proporciona una
descripcin conveniente y sencilla.
FIGURA 3.17
DISLOCACION MIXTA
La dislocacin de tornillo en la cara frontal del cristal gradualmente se convierte en
dislocacin de borde en el costado del cristal.
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TABLA 3.1
COMPARACION DE LAS CARACTERISTICAS DE LAS DISLOCACIONES
Por qu es ms fcil deformar un material con dislocaciones?
Porque se desplaza la dislocacin que provoca la deformacin; desplazar la
dislocacin requiere menos energa que desplazar un bloque.
Cuando una dislocacin intenta desplazarse a travs de estas distorsiones
localizadas, encuentra una resistencia adicional a su movimiento. La analoga es
similar a transitar en vehculo sobre una calle asfaltada (no hay distorsiones) y sobre
una calle de tierra con agujeros y piedras (muchas distorsiones). Obviamente el
vehculo se desplazar con mayor facilidad sobre la calle asfaltada que sobre la de
tierra. De igual manera, las dislocaciones se mueven con mayor facilidad sobre la
estructura sin defectos puntuales.
FIGURA 3.18
RED CRISTALINA QUE PRESENTA DISLOCACIONES
Las dislocaciones pueden deslizarse ms fcilmente hasta provocar la deformacin anloga
al movimiento en cadena de un gusano.
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3.5 DEFECTOS DE SUPERFICIE
Son imperfecciones de la estructura cristalina ubicados en un rea
determinada del material. Los principales defectos de superficie son la misma
superficie del material y las fronteras de los granos.
La superficie del material es un defecto de la estructura cristalina porque se
rompe la simetra con que los tomos estn enlazados. Los tomos que se
encuentran en la superficie tienen enlaces qumicos no completos, lo cual los
hace ms reactivos qumicamente que el resto de tomos. Estos enlaces
qumicos incompletos son los causantes de que algunos metales se oxiden
con facilidad cuando se exponen al medio ambiente.
FIGURA 3.19
ENLACES INCOMPLETOS EN LA SUPERFICIE DEL MATERIAL
Para comprender qu son las fronteras de los granos, debemos comprender
cmo se forma un material cristalino en estado slido. Se ha planteado que
los tomos buscan formar estructuras cristalinas ordenadas de cierta manera
en los materiales cuando estn en estado slido. Si un material estuviera
formado por un nico grupo de tomos ordenado de cierta manera, entonces
diramos que ese material est formado por un slo cristal, o que es
monocristalino. Los materiales cristalinos bajo condiciones normales no
buscan formar un nico cristal, sino que forman muchos cristales cuando
solidifican, cada uno de ellos siguiendo el patrn de la estructura cristalina.
Por esta razn, los materiales normales se dice que son policristalinos, lo que
significa que estn formados por muchos cristales. El proceso de formacin
de estos cristales se ilustra a continuacin.
En estado lquido los tomos no tienen enlaces fuertes entre ellos, por lo que
son libres para moverse en el volumen del material. Esta movilidad de los
tomos permite a los lquidos adaptarse a la forma del recipiente que los
contiene.
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FIGURA 3.20
ENLACES DEL ESTADO LQUIDO
La solidificacin comienza con una etapa llamada nucleacin. En esta etapa
se forman pequeas partculas en estado slido ordenadas segn la
estructura cristalina del material. A estas partculas se les llama ncleos y se
forma una gran cantidad de ellos al inicio de la solidificacin.
FIGURA 3.21
ETAPA DE NUCLEACION
Gradualmente los tomos todava en estado lquido van adhirindose a los
ncleos cercanos. El ncleo crece y por eso a esta etapa se le llama
crecimiento. La cantidad de slido aumenta y la de lquido disminuye.
FIGURA 3.22
ETAPA DE CRECIMIENTO
22
Al final del proceso, todos los tomos se han adherido a algn ncleo cercano
y el material es completamente slido. Cada ncleo ha formado un cristal
dentro del material. Debido a que la orientacin de estos cristales durante la
nucleacin fue aleatoria, los cristales no coinciden entre s, no pudiendo
unirse entre ellos para formar un nico cristal. A cada una de esas porciones
de material se les llama granos.
FIGURA 3.23
ETAPA DE SOLIDIFICACION
Todos los materiales cristalinos estn formados por granos (cristales). Una
buena analoga para comprender esto consiste en considerar a los granos
como los ladrillos de una pared. Cada ladrillo representara a un grano del
material. As como al unir los ladrillos se forma la pared, al unir los granos se
forma el material. La diferencia en esta analoga sera que en la pared, los
ladrillos estn unidos con mezcla de cemento. En el material, los granos
pueden estar unidos entre s por algunos enlaces qumicos aleatorios, pero en
general, los granos estn adheridos entre s nicamente por interferencia
fsica de forma parecida a como se unen las piezas de un rompecabezas.
Cada grano presenta una interface o superficie. Esta interface queda definida
por los enlaces qumicos incompletos de los tomos que la forman.
Si la superficie del material se pule y se ataca con un agente qumico
adecuado, los tomos de la superficie de los granos (los cuales son reactivos
a causa de su enlace incompleto) reaccionan con el qumico formando
compuestos que se observan de color diferente al del resto del material al
utilizar un microscopio. Las fronteras de los granos, y los granos en s,
pueden entonces estudiarse. Las fronteras de los granos se consideran un
defecto de la estructura cristalina porque causan la prdida de simetra en el
ordenamiento de los tomos.
23
FIGURA 3.24
FRONTERA DE GRANOS
FIGURA 3.25
SUPERFICIE DE UN DISCO DE ALUMINIO
Un disco de aluminio cuya superficie fue
pulida y tratada qumicamente para
revelar sus granos. Los granos son
suficientemente grandes para poder ser
observados a simple vista.
FIGURA 3.26
SUPERFICIE DE UN ACERO 1080
La superficie del acero (100X) fue
pulida y atacada con un reactivo
qumico para revelar su
microestructura (el conjunto de
granos que forman al material). Se
observan granos de color claro y de
color oscuro. La diferencia en el
color se debe a que poseen
estructura cristalina diferente.
Adems es posible observar las
fronteras de los granos.
24
PROBLEMAS PROPUESTOS
1 Calcular el nmero de vacantes por metro cubico en el cobre en equilibrio a
1000 C. la energa de activacin para la formacin de vacantes es 0.9
eV/tomo; el peso atmico el cobre es 63.5 g/mol y la densidad 8.4 g/cm
3
.
2 Calcule la cantidad de vacancias por cm
3
que se esperan en el cobre a
1080 C (FCC). La energa de formacin de vacancias es 20000 cal/mol.
3 Calcule la concentracin de vacancias en cobre a temperatura ambiente
(25 C). A qu temperatura ser necesario calentar el cobre para que la
concentracin de vacancias obtenida sea 1000 veces mayor que la
concentracin a temperatura ambiente? Suponga que se requieren 20000 cal
para producir un mol de vacancias en el cobre.
4 Determine la cantidad necesaria de vacancias para que un cristal de hierro
BCC tenga una densidad de 7.87 g/cm
3
. El parmetro de red del hierro es
2.866*10
-8
cm.
25
GRANO, TAMAO DE GRANO
OBJETIVO
Discernir el concepto de tamao de grano
Utilizar correctamente los distintos mtodos de medicin del tamao de grano.
3.1 GRANOS
Los metales comnmente utilizados para la manufactura de varios productos
consisten en muchos cristales individuales orientados al azar (granos).
Estamos, por tanto, tratando con estructuras metlicas que no son
monocristales, sino que son policristales (muchos cristales).
Cuando una masa de metal fundido empieza a solidificarse, comienzan a
formarse cristales de manera independiente uno del otro, en varios sitios
dentro de la masa lquida; tienen orientaciones aleatorias y no relacionadas
(Figura 3.1) Cada uno de estos cristales crece formando una estructura
cristalina es decir un grano.
El nmero y tamao de los granos desarrollados en la unidad de volumen del
metal depende de la tasa a la cual ocurre la nucleacin (la etapa inicial de
formacin de los cristales) El nmero de sitios diferentes en el cual se
empiezan a formar los monocristales (siete en la Figura 3.1 a) y a la velocidad
a la cual crecen estos cristales influencian de forma importante el tamao
medio de los granos que se desarrollan.
Si la rapidez de nucleacin del cristal es elevada, ser grande el nmero de
granos por unidad de volumen de metal; en consecuencia, el tamao del
grano ser pequeo. Por lo mismo, si la velocidad de crecimiento de los
cristales es elevado (comparado con su rapidez de nucleacin), habr menos
granos por unidad de volumen y su tamao ser ms grande. Por lo general,
un enfriamiento rpido produce granos ms pequeos, en tanto que un
enfriamiento lento produce granos ms grandes.
Observe en la Figura 3.1d, la forma en que los granos en crecimiento
finalmente interfieren entre si y se estorban. Las superficies que separan
estos granos individuales se conocen como fronteras de grano. Cada grano
est formado, ya sea por un monocristal (para metales puros) o en un
agregado policristalino para aleaciones). Obsrvese que de un grano al
siguiente la orientacin cristalogrfica cambia de manera abrupta a travs de
las fronteras de grano. El comportamiento ideal de una pieza de metal
policristalino es por tanto isotrpico porque sus granos tienen orientaciones
cristalogrficas aleatorias, sus propiedades no varan en funcin a la direccin
del ensayo.
26
La microestructura de la mayor parte de los materiales est formada por
muchos granos. Un grano es una porcin del material dentro del cual el
arreglo atmico es idntico. Sin embargo, la orientacin del arreglo atmico o
de la estructura cristalina, es distinta para cada grano. La frontera de grano,
que es la superficie que separa los granos, es una zona estrecha en la cual
los tomos no estn correctamente espaciados. Esto quiere decir que, en
algunos sitios, los tomos estn tan cerca unos de otros en la frontera de
grano que crean una regin de compresin y en otras estn tan alejados que
crean una regin de tensin.
FIGURA 3.1
ILUSTRACION ESQUEMATICA DE LAS ETAPAS DURANTE LA
SOLIDIFICACION DEL METAL FUNDIDO
a Nucleacin de cristales en sitios aleatorios dentro del metal fundido
b La orientacin cristalogrfica de cada sitio es diferente
c Crecimiento de cristales conforme continua la solidificacin
d Metal solidificado, mostrando granos individuales y fronteras de grano
3.2 LIMITES DE GRANO
Los lmites de grano son defectos de superficie en materiales policristalinos
que separan granos (cristales) de diferentes orientaciones. En metales los
27
lmites de grano se originan durante la solidificacin cuando los cristales
formados a partir de diferentes ncleos crecen simultneamente juntndose
unos con otros. La forma de los lmites de grano viene determinada por la
restriccin impuesta por el crecimiento de los granos vecinos. En la Figura 3.2
se presentan esquemticamente las superficies de los lmites de grano de una
estructura de grano aproximadamente equiaxial.
Los lmites de grano en los materiales metlicos o cermicos pueden
identificarse en una muestra preparada del material como lneas oscuras. Las
muestras metlicas y cermicas se pulen primero para obtener una superficie
lisa y despus se atacan qumicamente, lo que provoca un ataque ms rpido
en los lmites de grano que en los granos, producindose finas grietas a lo
largo de los lmites de grano. Cuando se observan las muestras con un
microscopio ptico, la luz incidente no es tan intensamente reflejada en los
lmites de grano, y como resultado, los lmites de grano aparecen como lneas
oscuras en el ocular del microscopio.
La mayor energa en el lmite de grano y su estructura ms abierta hacen la
regin ms favorable para la nucleacin y crecimiento de precipitados. El
menor empaquetamiento atmico en los lmites de grano tambin permite una
difusin atmica ms rpida en estas regiones. A temperatura ordinaria, los
lmites de grano disminuyen la plasticidad dificultando el movimiento de
dislocaciones en la regin de lmite de grano.
FIGURA 3.2
GRANOS Y LMITE DE GRANOS
Esquema que muestra el ordenamiento de los tomos en la formacin del borde de grano.
Granos y lmites de grano en una muestra de acero inoxidable.
28
3.3 TAMAO DE GRANO
El tamao de grano influye de manera significativa en las propiedades
mecnicas de los metales. A temperatura ambiente, un tamao de grano
grande por lo general se asocia con una baja resistencia, una baja dureza y
una baja ductibilidad. Los granos grandes, particularmente en los metales
laminados, tambin causan una apariencia superficial spera una vez que el
metal ha sido estirado.
El tamao que tengan los granos de un material tambin afecta la resistencia
del mismo. Las fronteras de los granos son lugares donde se ha perdido la
simetra de la estructura cristalina. Para una dislocacin, es ms difcil
atravesar las fronteras al pasar de un grano a otro que desplazarse en el
interior del grano donde la estructura cristalina es regular. Como sabemos, el
que a la dislocacin se le haga difcil moverse se traduce en un aumento de la
resistencia del material.
Si los granos del material son grandes, las dislocaciones atraviesan pocas
fronteras para desplazarse una cierta distancia dentro del material. Sin
embargo si los granos del material son pequeos, la dislocacin encontrar
muchas fronteras en su desplazamiento, incrementndose por tanto la
dificultad para moverse. Por esa razn, un material con granos grandes es en
general menos resistente que un material con granos pequeos. A este
fenmeno se le llama endurecimiento por tamao del grano.
El tamao del grano por lo general se mide contando el nmero de granos en
un rea dada o contando el nmero de granos que se cruzan en la longitud de
una lnea dibujada al azar en una fotografa ampliada de los granos (tomada
bajo un microscopio en un espcimen pulido y mordentado) El tamao de
grano tambin puede determinarse comparndolo con un diagrama estndar.
El nmero ASTM (The American Society for Testing and Materials), de
tamao del grano, n, est relacionado con el nmero de granos N por pulgada
cuadrada en una ampliacin 100X (igual a 0.0645 mm
2
de rea real) mediante
la frmula: N = 2
n-1
Dado que por lo general los granos son extremadamente pequeos, muchos
de ellos pueden ocupar una unidad volumtrica tpica de metal (tabla 3.1) Los
tamaos de grano entre 5 y 8 comnmente se consideran granos finos. Un
tamao de grano de 7 es aceptable para los metales laminados en la
fabricacin de carroceras de automvil, enseres domsticos y utensilios de
cocina. Los granos pueden ser tan grandes que son visibles a simple vista,
como los de zinc en la superficie de las lminas de acero galvanizado.
29
TABLA 3.1
TAMAO DE GRANO
NASTM Granos/mm
2
Granos/mm
3
-3 1 0.7
-2 2 2
-1 4 5.6
0 8 16
1 16 45
2 32 128
3 64 360
4 128 1020
5 256 2900
6 512 8200
7 1024 23000
8 2048 65000
9 4096 185000
10 8200 520000
11 16400 1500000
12 32800 4200000
TABLA 3.2
TAMAO DE GRANOS ASTM
Numero nominal de granos
ndice del tamao
de Grano
Por milmetro
cuadrado a 1X
Por pulgada
cuadrada a 100X
1 15.5 1.0
2 31.0 1.0
3 62.0 1.0
4 124 8.0
5 248 16.0
6 496 32.0
7 992 64.0
8 1980 128
9 1970 256
10 1940 512
3.4 CLASIFICACION DE LOS TAMAOS DE GRANO
Existen diversos mtodos para determinar el tamao de grano, como se ven
en un microscopio. El mtodo que se explica aqu es el que utiliza con
frecuencia los fabricantes. El tamao de grano se determina por medio de la
cuenta de los granos en cada pulgada cuadrada bajo un aumento de 100X. La
30
figura A es una carta que representa el tamao real de los granos tal como
aparece cuando se aumenta su tamao 100X. El tamao de grano
especificado es por lo general, el tamao de grano austentico. Un acero que
se temple apropiadamente debe exhibir un grano fino.
FIGURA 3.3
CLASIFICACION DE LOS TAMAOS DE GRANOS
3.5 INFLUENCIA DE LAS FRONTERAS DE GRANO
Las fronteras de grano tienen una influencia importante en la resistencia y
ductibilidad de los metales. Dado que interfieren con el movimiento de las
dislocaciones, las fronteras de grano tambin influencian el endurecimiento
por deformacin. Estos efectos dependen de la temperatura, la rapidez de
deformacin y del tipo y cantidad de impurezas presentes a lo largo de las
fronteras de grano.
Las fronteras de grano son mas reactivas que los granos mismos, ya que los
tomos a lo largo de las fronteras de grano estn empacados de una manera
menos eficiente y mas desordenados. Como resultado, tienen una energa
ms elevada que los tomos en la red ordenada dentro de los granos. Por
esta razn, una superficie pulida y atacada qumicamente puede hacerse
spera.
31
A temperaturas elevadas y en materiales cuyas propiedades dependen de la
rapidez de deformacin, ocurre tambin la deformacin plstica mediante el
deslizamiento de las fronteras de grano. El mecanismo de cedencia plstica,
elongacin bajo esfuerzo a lo largo de un periodo de tiempo por lo general a
temperaturas elevadas, cedencia es resultado del deslizamiento de fronteras
de grano
El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los tomos no estn
uniformemente separados, o sea que hay tomos que estn muy juntos
causando una compresin, mientras que otros estn separados causando
tensin. De cualquier forma los lmites de grano son reas de alta energa y
hace de esta regin una ms favorable para la nucleacin y el crecimiento de
precipitados
La frontera de grano, que es la superficie que separa los granos, es una zona
estrecha en la cual los tomos no estn correctamente espaciados. Esto
quiere decir que, en algunos sitios, los tomos estn tan cerca unos de otros
en la frontera de grano que crean una regin de compresin y en otras areas
estn tan alejados que crean una regin de tensin.
Un mtodo para controlar las propiedades de un material es controlando el
tamao de los granos. Reduciendo el tamao de estos se incrementa su
nmero y, por tanto, aumenta la cantidad de fronteras de grano. Cualquier
dislocacin se mover solamente una distancia corta antes de encontrar una
frontera de grano, incrementando as la resistencia del metal. La ecuacin de
Hall Petch relaciona el tamao de grano con el esfuerzo de cedencia del
material.
2
1
o y
d K*

+ =
Donde
y
es el esfuerzo de cedencia, es decir el esfuerzo bajo el cual el
material se deforma de manera permanente; d es el dimetro promedio de los
granos y
o
y K son constantes del metal.
EJERCICIOS DESARROLLADOS
1 Son los limites de gramos observables fcilmente en microscopios pticos?
Solucin:
S, ya que el ordenamiento de tomos es idntico por consiguiente se puede
observar el lmite de cada grano, bien sea una regin de compresin o
cuando estn ms separadas que originan una regin de transicin.
32
2 Como de mide por el mtodo ASTM el tamao de granos de materiales
policristalinos?
Solucin:
N = 2
n-1
N = nmero de granos por pulgada cuadrada
n= nmero de ndice ASTM.
n = log(N)/log(2) + 1
3 Si hay 800 granos por pulgada cuadrada sobre una micro fotogrfica de un
metal (a) x100 de aumento Cul es el ndice ASTM del tamao de granos del
material por ASTM?
Solucin:
n = log(N)/log(2) + 1
n = log(800 granos/pulg
2
)/log(2) + 1
n = 10.64 granos/pulg
2
4 Si hay 550 granos por pulgada cuadrada sobre una microfotogrfica de un
material cermico (a) x 250 de aumento. Cul es el ndice del tamao de
grano del material por el mtodo ASTM?
Solucin:
N = (250/100)
2
*550 = 3437.5 granos/pulg
2
(se lleva a x 100 de aumento)
n = log(N)/log(2) + 1
n = log(3437.5 granos/pulg
2
)/log(2) + 1
n = 12.75 granos/pulg
2
BIBLIOGRAFIA
1. Askeland, Donald R., Ciencia e ingeniera de los materiales, Madrid
Paraninfo/Thomson Learning cop. 2004.
2. Shackelford, James F., Introduccin a la ciencia de materiales para
ingenieros, Madrid, Prentice Hall, D. L. 1998.
3. Callister, William D., Introduccin a la ciencia e ingeniera de materiales,
Barcelona, reverte, 1996.