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Elettronica Analogica

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A fresh 270+ pages document containg everything you have to know about analog electronics. By Alberto Tibaldi
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08/08/2015

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Una volta esaurito l’argomento BJT, dovremmo a questo punto parlare di

MOSFET in comportamento dinamico.

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La situazione ora non `e analoga alle precedenti: se prima per alcuni mo-

tivi, di cui si `e parlato, i tempi di accensione e spegnimento erano differenti,

asimmetrici, con problemi per quanto riguarda soprattutto lo spegnimento

del transistore, ora non vi `e pi`u l’asimmetria, bens`ı latenze simmetriche e

dovute a motivazioni concettualmente differenti rispetto a quelle concernenti

i BJT.

Le latenze dei circuiti interruttori a MOSFET dipendono dal fatto che il

circuito di pilotaggio, la rete sulla quale si monta il MOSFET, non `e asso-

lutamente un generatore ideale di tensione. Per poter regolare lo stato del

MOSFET bisogna ovviamente agire su VGS, ma ci`o non `e banale da farsi:

affinch`e VGS possa modificarsi, si devono caricare le capacit`a parassite tra

gate e source e tra gate e drain.

Studiamo il comportamento del MOSFET al variare dell’ampiezza della

tensione del segnale, in modo da capire come funzioni il circuito in questione.

Quando Vi 0V, la capacit`a parassita tra gate e drain, CGD, si carica,
dal momento che si trova compresa tra VAL e 0 V; al contrario, CGS,

ossia la capacit`a parassita compresa tra gate e source, non si potr`a

caricare, dal momento che compresa tra due potenziali di riferimento

(tra due 0 V). In questo stato, il MOSFET `e in stato di interdizione,

dal momento che la tensione VGS `e 0 V.

Man mano che si aumenta Vi, capita il seguente fatto: la tensione tra
gate e source aumenta, iniziando a polarizzare il transistore MOS; dual-

mente, la tensione tra gate e drain diminuisce, dal momento che diviene

pari a VALVi, dove per`o Vi non `e pi`u 0 V. Ci`o che capita, dunque, `e

il fatto che la carica da CGD si ”dirige” verso CGS, dal momento che la

capacit`a ”sopra” si scarica, quella ”sotto” si carica.

Una volta caricata CGS, si ha una VGS tale da ”accendere” il MOS-
FET, ma dunque, quando VGS VTn, si attiva la strong inversion del

MOSFET, dunque si crea il canale di conduzione, e il MOSFET entra

in zona di saturazione (zona di funzionamento lineare), dove si ha un

guadagno in tensione; il fatto che a questo punto il MOSFET abbia

il guadagno in tensione induce l’effetto Miller sulla capacit`a tra gate e

drain: essa si pu`o ”scomporre” in due capacit`a, di cui una sull’ingres-

so, moltiplicata per un fattore circa uguale al guadagno in tensione,

che va a ”sommarsi” alla capacit`a CGS; quello che capita, dunque, `e

un grosso aumento della capacit`a tra gate e source, capacit`a che dovr`a

essere caricata in qualche modo. Per caricare questa capacit`a, ci an-

dr`a una carica molto pi`u elevata, e qui arrivano i limiti della rete di

pilotaggio del MOSFET: non essendo ideale, il generatore di tensione

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con il quale si modellizza la rete di pilotaggio non pu`o fornire una cor-

rente (e dunque un apporto di cariche) in un tempo arbitrario, bens`ı

abbastanza elevato.

Aumentando ulteriormente la tensione, si esce dalla zona di saturazione
del MOSFET e si entra in zona quadratica, quindi resistiva, uscendo di

fatto dal comportamento lineare della transcaratteristica ed entrando

in una zona di non linearit`a (si noti che ”zona lineare” per quanto

riguarda un MOSFET significa che una variazione lineare di corrente

comporta una variazione di lineare di tensione, come in una resistenza!);

si perde dunque l’effetto Miller, e si entra in un terzo stato di accumulo

di carica.

In un circuito a MOSFET, al fine di capire quanta carica `e necessaria per

accendere il transistore, `e necessario consultare il datasheet. Supponendo ad

esempio di avere letto Q = 100nC, volendo accendere in un tempo massimo

pari a 100 ns il MOSFET, a corrente costante (per ipotesi) avremo:

I = Q

∆t = 100·10−9
100·10−9 = 1A

Avremo quindi bisogno di un generatore in grado di generare 1 A per 100

ns. Dato un circuito di pilotaggio in grado di soddisfare questa specifica,

potremo realizzare l’esempietto di progetto appena citato.

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