You are on page 1of 59

Dispozitive şi circuite electronice

Note de curs












1
DCE 1 – Curs 1

Mecanismul conducţiei

În mediile conductoare mecanismul conducţiei poate fi explicat prin
deplasarea sarcinilor electrice în acele medii. Mediile conductoare:
- metale
- semiconductoare
În mediile semiconductoare mecanismul conducţiei la nivel microscopic poate
fi explicat prin cele două tipuri de mişcări proprii pentru e
-
din structura materialului
respectiv. Aceste mişcări sunt distincte şi independente. La nivel macroscopic le
putem asocia existenţa a două tipuri de sarcini electrice:
- o sarcină negativă, corespunzătoare e
-

- o sarcină pozitivă, corespunzătoare unor regiuni din structura cristalină,
botezate goluri
În cazul metalelor conducţia electrică este datorată e
-
. Din punct de vedere
grosier atomul unui metal, semiconductor sau izolator poate fi considerat ca fiind
format dintr-o structură centrală denumită nucleu, în care avem particule cu sarcină
pozitivă p
+
şi particule neutre n
0
, precum şi dintr-o structură exterioară nucleului în
care particulele cu sarcină negativă e
-
,

gravitează pe orbite distincte. e
-
din imediata
apropriere a nucleului sunt mai strâns legaţie de acesta, pe când cei din învelişul
extern sunt slab legaţi de nucleu, e
-
de valenţă şi dictează comportarea atomului
respectiv în raport cu atomii altor elemente. e
-
din învelişul unui atom pot absorbi sau
emite cuante de energie şi ca urmare ei pot trece de pe o orbită pe alta, fie datorită
unui câmp electric extern, fie datorită agitaţiei termice. Unitatea de măsură pentru
energia unui e
-
este electronvoltul 1eV=1,6*10
-19
J.
Atunci când materialul respectiv prezintă o structură cristalină e
-
respectivi nu
mai prezintă nivele energetice discrete ci ei se găsesc pe nivele cuprinse între anumite
benzi de energie. De regulă ocupă nivele de energie minimă din banda ocupată,
numită bandă de valenţă. Datorită agitaţiei termice e
-
respectivi pot trece din banda
ocupată într-o bandă, botezată bandă de conducţie sau bandă liberă, devenind astfel e
-
de conducţie.
















bandă liberă(conducţie)
Bandă de valenţă(ocupată)
METALE

2






























La izolatoare DE=510eV, la semiconductori, pentru Ge DE=0,76eV, pentru
Si DE=1,12eV.
În cazul metalelor cele două benzi se întrepătrund, ca urmare e
-
de valenţă
chiar sub influenţa unor câmpuri electrice slabe sau prin încălzire uşoară pot părăsi
această bandă devenind e
-
liberi în banda de conducţie, e
-
capătă o mişcare ordonată în
sens contrar sensului câmpului electric aplicat. Prin încălzire la temperatura
corespunzătoare e
-
pot părăsi suprafaţa metalului respectiv, fenomenul purtând
denumirea de emisiune termo-electronică. În cazul materialelor izolatoare cele două
benzi permise sunt separate de o bandă interzisă cu lăţimea de 510eV, un număr
relativ redus de e
-
, chiar sub influenţa unor câmpuri electrice puternice vor putea trece
în banda de conducţie.
În cazul materialelor semiconductoare, structura acestora este asemănătoare cu
cea întâlnită la izolatoare, cu deosebirea că lăţimea benzii interzise este de numai
0,76eV la Ge şi 1,12eV la Si. În plus plecarea unui e
-
din banda de valenţă lasă în
urma sa o regiune pozitivă de sarcină spaţială egală în valoare absolută cu sarcina e
-
,
cu numele de gol.
Plecarea unui e
-
din banda de valenţă în banda de conducţie conduce la
generarea unui e
-
de conducţie, în urma acestuia rămânând o sarcină pozitivă, legată
DE
IZOLATOARE
DE
SEMICONDUCTOR
3
de regiunea de unde e
-
a plecat, purtând numele de gol. Se generează astfel purtători
de sarcină distincţi. Trecerea unui e
-
din banda de conducţie în banda de valenţă face
ca un e
-
de conducţie să dispară, fenomen însoţit şi de dispariţia unui gol. În acest caz
vorbim şi de recombinarea purtătorilor de sarcină. Materialele semiconductoare sunt
elemente din grupa a IV-a a tabelului şi ca urmare rezultă că acestea au 4 e
-
de
valenţă. Cum aceste materiale au o structură cristalină înseamnă că e
-
de valenţă se
pun în comun 2 câte 2 formând legături covalente. Fiecare atom din structura
cristalină are 4 legături covalente cu 4 atomi vecini acestuia.
















Datorită agitaţie termice la t>0 grade Kelvin, un e
-
poate părăsi legătura
covalentă devenind e
-
liber în reţeaua cristalină. Plecarea e
-
din legătura covalentă
respectivă lasă în urmă o sarcină pozitivă denumită gol. Datorită agitaţiei termice un
e
-
vecin va veni să completeze legătura covalentă nesatisfăcută, şi ca urmare are loc o
deplasare în sens invers a sarcinii pozitive, respectiv a golului.
Materialele semiconductoare la care nu avem elemente impurificatoare poartă
numele de materiale semiconductoare intrinsec, şi dacă notăm cu n concentraţia e
-
, cu
p concentraţia golurilor la aceste materiale n=p=n
i
.
n
i
– concentraţia intrinsecă




A – numărul lui Avogadro
T – temperatura absolută în grade Kelvin
E – lăţimea benzii interzise
k – constanta lui Boltzmann

În cazul materialelor în care toţi e
-
de valenţă sunt legaţi prin legături
covalente conducţia e
-
nu este posibilă deoarece nu există purtători de sarcină liberi
e
-

gol
)
* * 2
exp( * *
t k
E
T A n
i

 
4
care să se deplaseze. În acest caz materialele respective se comportă asemenea unui
izolator, de exemplu: diamantul – variantă a C.
În general se consideră că un material este semiconductor dacă un atom din 10
miliarde are o legătură covalentă deteriorată. Deşi concentraţia atomilor cu legături
convalente deteriorate este foarte mică, proprietăţile fizice şi electrice ale materialelor
respective sunt diferite. e
-
nu sunt menţinuţi în regiunea legăturilor ci sunt liberi să se
deplaseze. Un material este considerat semiconductor dacă are un număr de 10
8
legături covalente deteriorate pe cm
3
. Proprietăţile fizice şi electrice ale
semiconductorilor sunt puternic afectate dacă realizăm impurificarea structurii
acestora cu elemente penta sau tri valente.
Exemplu: o impurificare cu Sb, P, Bi, As(pentavalente).













În acest caz doar 4 dintre e
-
de valenţă ai atomului impurificator vor forma cu
e
-
de valenţă ai atomilor vecini legături covalente. Cel de-al 5-lea e
-
de valenţă
devine e
-
liber în reţeaua cristalină, iar părăsirea acestui atom de către e
-
respectiv nu
înseamnă că va apare un gol, ci va rămâne un ion pozitiv, fix în reţeaua cristalină.
Materialul semiconductor este un material de tip n, iar elementul impurificator este un
element donor. La acest tip de material e
-
sunt purtătorii majoritari, iar golurile sunt
purtătorii minoritari.

Realizăm o impurificare cu elemente trivalente ca In, Al, Ga.










ion +
e
-

n
n
i
n
n
p
2

ion -
e
-


 
D n
N N n
0
5



Elementul impurificator utilizat are doar 3 e
-
de valenţă, ca urmare
doar 3 dintre cele 4 legături covalente vecine atomului respectiv vor fi satisfăcute.
Datorită agitaţiei termice un e
-
vecin va veni să satisfacă legătura covalentă
deteriorată. I-a naştere astfel un ion negativ fix în reţeaua cristalină. Materialul
semiconductor astfel obţinut este unul de tip p, la care concentraţia golurilor este mult
mai mare decât concentraţia e
-
. Dacă notăm cu N
A
concentraţia atomilor
impurificatori atunci:


Concentraţia golurilor.

Acest gen de materiale semiconductoare se numesc materiale semiconductoare
extrinseci, apelează la elemente impurificatoare, luând astfel naştere semiconductoare
de tip n şi/sau p.











 
A
N
A
N
p
p
p
p
i
n
p
n
2

1

DCE – Curs 2

Joncţiunea p-n la echilibru termic.
În practică se utilizează numeroase dispozitive electronice obţinute prin
alăturarea de regiuni semiconductoare de polaritate complementară. Regiunea de tip p
poate fi considerată simplist ca fiind formată din ioni acceptori(-) , ficşi în reţeaua
cristalină şi golurile drept purtători majoritari. Regiunea de tip n poate fi considerată
ca fiind formată din ioni donori(+), ficşi în reţeaua cristalină şi e
-
drept purtători
majoritari. Dacă considerăm două asemenea regiuni semiconductoare unite printr-o
structură cristalină continuă, suprafaţa de separaţie dintre cele două regiuni poartă
numele de joncţiune p-n.
În regiunea p golurile în concentraţie:

sunt purtătorii majoritari, iar e
-
în concentraţie:

constitue purtătorii minoritari.

În regiunea n e
-
în concentraţie:
sunt purtătorii majoritari, iar golurile în concentraţie:
constitue purtătorii minoritari.
Datorită concentraţiei diferite în cele două regiuni golurile majoritare în regiunea p şi
minoritari în regiunea n, respectiv e
-
majoritari în n şi minoritari în p se tinde spre o
stare de echilibru şi ca urmare purtătorii majoritari dintr-o regiune vor difuza spre
cealaltă regiune parţial, unde ei constitue purtătorii minoritari. Ca urmare în
vecinătatea suprafeţei de separaţie dintre cele două semiconductoare apare o regiune
de trecere, de lungime l, de ordinul µm, unde în spaţiul situat în regiunea p pleacă
goluri şi sosesc e
-
, iar în spaţiul regiunii n pleacă e
-
şi sosesc goluri. Ca urmare, în
regiunea p apare o sarcină spaţială pozitivă. Apariţia acestei distribuţii pentru sarcina
spaţială stabileşte un câmp electric intern, orientat de la regiunea n spre regiunea p.
Odată stabilit acest câmp are loc un transport de goluri din regiunea n spre regiunea p
şi de e
-
din regiunea p spre regiunea n. Sensurile acestor deplasări fiind opuse
fluxurilor de difuzie stabilite în faza iniţială. Din acest moment putem spune că o stare
de echilibru a fost atinsă, iar la capetele regiunilor respective se stabileşte o barieră de
potenţial de valoare V
0
.


A
N
p
p =
0
A
N
i
n
p
n
2
0
=
D
N
n
n =
0
D
N
i
n
n
p
2
0
=
2
Joncţiunea p-n în regim staţionar.
Un semiconductor eterogen, prevăzut cu două contacte ohmice astfel încât să
poată fi intercalat într-un circuit electric.
















-I
nm

-I
nM

I
pM

I
pm






















Presupunem că dispozitivul astfel obţinut îl conectăm în circuit astfel încât
regiunea p este legată la borna (-) a sursei de tensiune electromotoare ce furnizează
V
A
iar regiunea n la borna (+) a aceleiaşi surse. Spunem în acest caz că joncţiune p-n
este polarizată invers. Lungimea zonei de trecere:


V
A
p
n
+
-
+V
x
V
A

V
0

3


La polarizarea inversă a joncţiunii lăţimea joncţiunii de trecere este majorată.
În acest caz se constată apariţia unor curenţi datoraţi purtătorilor majoritari şi
minoritari:
I
nM
– curent datorat purtătorilor majoritari de sarcină
I
nm
– curent datorat purtătorilor minoritari de sarcină

În acest caz se constată că practic curenţii datoraţi purtătorilor minoritari sunt
mai mari decât cei datoraţi purtătorilor majoritari. Cum concentraţia purtătorilor
minoritari este mică în comparaţie cu concentraţia purtătorilor majoritari, rezultă că
curentul stabilit prin circuit este mic. La o valoare suficient de mare a tensiunii
electromotoare, curenţii datoraţi purtătorilor majoritari tind spre 0 iar cei datoraţi
purtătorilor minoritari tind spre valoarea de saturaţie: I
s
=I
pm
+I
nm
.






























0 0
)
0 0
)(
0
( 2
p
p
n
qn
p
p
n
n
A
V V
l
+ +
= '
c
0 0
)
0 0
(
0
2
p
p
n
qn
p
p
n
n V
l
+
=
c
0
1
V
A
V
l l + = '
V
0
V
A

+V
x
-
+
V
A

p
n
4

I
pM


I
pm

-I
nM

-I
nm



Considerăm regiunea eterogenă respectivă, conectată într-un circuit electric.
Regiunea p la borna (+) a sursei, regiunea n la borna (-) a sursei. Spunem despre
joncţiune că este polarizată direct, iar curenţii stabiliţi sunt în principal datoraţi
purtătorilor majoritari.

În extrem curenţii datoraţi purtătorilor minoritari tind la 0.
I
A
=I
pM
+I
nM
-(I
pm
+I
nm
)
Bariera de potenţial în acest caz este diminuată cu valoarea tensiunii
electromotoare. Dacă se ridică caracteristica Voltamper în acest caz:





















În zona de conducţie directă curentul creşte relativ repede, în raport cu
tensiunea la bornele joncţiunii. În zona de conducţie inversă curentul este mic şi
aproximativ constant, într-o plajă largă de tensiune inversă aplicată. Pentru tensiunii
inverse de străpungere în dispozitiv au loc topiri şi recristalizări locale care
deteriorează joncţiunea, iar curentul creşte mult, dispozitivul având capacitatea de a
menţine tensiunea constantă la borne.
Caracteristica statică a joncţiunii p-n în regim staţionar.
0 0
)
0 0
)(
0
( 2
p
p
n
qn
p
p
n
n
A
V V
l
+ ÷
= '
c
0
V
A
V
l l l ÷ = '
l l < '
I
d

V
d

zonă directă
V
i

V
st

zonă
străpunsă
zonă
inversă
I
i

5
Vom considera în această abordare câteva ipoteze simplificatoare. Se
consideră nivelul de injecţie ca fiind mic.






























p
p
0

concentraţia purtătorilor majoritari, golurile în p
n
n
0

concentraţia purtătorilor majoritari, e
-
în n
l – lăţimea regiunii de trecere l=l
p
+l
n

n
p
0

– concentraţia purtătorilor minoritari, e
-
în regiunea neutră p la echilibru
p
n
0
– concentraţia

purtătorilor minoritari, golurile, în regiunea neutră n la
echilibru
n
e
– e
-
în exces la zona de separaţie dintre regiunea de trecere şi regiunea
neutră n
e
<n
n0

p
e
– golurile în exces la zona de separaţie dintre regiunea de trecere şi regiunea
neutră
L
p
,L
n
– lungimile de difuzie a e
-
, respectiv golurilor
În condiţiile ipotezei făcute, e
-
vor difuza din regiunea n spre regiunea p şi
golurile vor difuza dinspre p spre n. La marginile zonei de trecere aceşti purtători
l
0
0
p
p
n
p
0
0
n
n
p
n
n
e

p
e

l
p
l
n

L
p
L
n

6
ating valorile în exces n
e
,p
e
. Ca urmare a procesului de difuzie purtătorii în exces în
zonele neutre se recombină cu purtătorii majoritari din aceste regiuni după o lege
exponenţială, putându-se considera că procesul de recombinare este încheiat dacă
ducem tg la curbă în punctul respectiv.
D
n
,D
p
– constante de difuzie
,
n
,,
p
– timpii de viaţă a golurilor, respectiv e
-

Determinarea lăţimii reduse a zonei de trecere putem considera densităţile de
curenţi în aceste zone ca fiind constante. În zona de trecere distribuţia purtătorilor de
sarcină urmează o lege exponenţială:
V
T
=25 mV(28 grade Celsius)
Concentraţia în exces a golurilor:


Se poate calcula curentul ce se stabileşte prin joncţiune pornind de la
densităţile de curenţi, de goluri, respectiv e
-
.
j
p
– densitatea de curent corespunzătoare golurilor în regiunea l
n
a zonei de
trecere. Expresia j
p
funcţie de constanta de difuzie şi sarcina elementară:

j
n
– densitatea de curent corespunzătoare e
-
în regiunea l
p
a zonei de trecere


p p
D
p
L , =
n n
D
n
L , =
)
) (
exp(
0
) (
T
V
A
V x V
p
p x p
÷
÷ =
) exp( )
0
exp(
0
)
0
exp(
0
) (
T
V
A
V
T
V
V
p
p
T
V
A
V V
p
p
n
l p
e
p ÷ =
÷
÷ = =
0
)
0
exp(
0
n
p
T
V
V
p
p = ÷ ) exp(
0
T
V
A
V
n
p
e
p =
0
)
0
exp(
0
p
n
T
V
V
n
n = ÷ ) exp(
0
T
V
A
V
p
n
e
n =
)
0
( ) (
n
p
e
p
p
L
p
qD
n
l
p
j ÷ =
)
0
( ) (
p
n
e
n
n
L
n
qD
p
l
n
j ÷ = ÷
)] ( ) ( [
p
l
n
j
n
l
p
j
j
A
A
I + =
) 1 )(exp
0 0
( ÷ + =
T
V
A
V
n
L
p
n
n
D
p
L
n
p
p
D
j
qA
A
I
)
0 0
(
n
L
p
n
n
D
p
L
n
p
p
D
j
qA
S
I + =
] 1 ) [exp( ÷ =
T
V
A
V
S
I
A
I
7












În cadranul I V
A
>>V
T

În cadranul II V
A
<0

Comportarea joncţiunii p-n la tensiuni inverse mari.
















În cazul polarizării inverse a joncţiunii p-n câmpul intern care este de acelaşi
sens cu câmpul extern aplicat acesta este întărit foarte mult. Prezenţa unui asemenea
câmp smulge e
-
din structurile lor şi în drumul lor se ciocnesc cu alte particule. Pentru
anumite valori ale câmpului aplicat procesul se desfăşoară în avalanşă, curentul invers
creşte deşi tensiunea rămâne constantă. Tensiunea de la care se produce – tensiune de
străpungere.
I II
I
A

V
A

III
IV
1 exp >>
T
V
A
V
T
V
A
V
S
I
A
I exp =
1 exp <<
T
V
A
V
S
I
A
I ÷ =
I
A

V
A

I
inv

V
inv

s
MI
inv
I =
n
str
V
inv
V
M
) ( 1
1
÷
=
8
V
inv
=V
str
. Curentul poate creşte nelimitat de mult şi dispozitivul poate fi
deteriorat.
Dacă se realizează o dopare foarte puternică a joncţiunii semiconductorului
lăţimea zonei de trecere se îngustează foarte mult. Lăţimea de difuzie a purtătorilor de
sarcină devine mai mare decât lungimea zonei de trecere. Purtătorii de sarcină nu vor
mai ciocni alte particule – Efectul Zenner.
Străpungerea care are loc nu mai este una distructivă. Câmpul electric este
foarte mare, astfel încât smulge e
-
, contribuind la creşterea curentului invers. În acest
caz nu mai avem multiplicare în avalanşă deoarece purtătorii respectivi de sarcină nu
mai întâlnesc alte particule în zona de trecere.





















DCE 3

Un amplificator ideal este amplificatorul care nu depinde de parametrii externi. Vom discuta
asupra schemei următoare:
În figura 1(a) avem reprezentat un amplificator folosind elementele de cuadripol Z
S

impedanţă de ieşire şi este egală cu: 1/Y
S
; Z
s
=1/Y
S
. În punctele 1 şi 1’ amplificatorul poate fi atacat fie
în curent, folosind în acest scop I
g
din figura 1(b) cu admitanţă Y
g
internă, fie în tensiune folosind
generatorul de tensiune u
g
cu rezistenţa internă R
g
din 1(c). Ieşirea poate fi în tensiune, având ca sarcină
impedanţa Z
S
sau o rezistenţă R
S
sau în curent, când avem o admitanţă Y
S
. Amplificatorul este
caracterizat de o amplificare proprie, notată cu A
u
sau A
I
sau A
y
sau A
z
. În funcţie de parametrii externi
ai amplificatorului vom putea scrie:
Amplificarea transadmitanţă A
Y
=I
2
/U
1
;
Amplificarea transimpedanţă proprie A
Yg
=I
2
/u
g
;
Amplificarea transimpedanţă A
Z
=u
2
/I
1
; A
Zg
=u
2
/I
g

Folosind 1(c) şi considerând că la intrare avem atac în tensiune:
u
2
=-I
2
Z
2
; A
y
=I
2
/u
g
=u
2
/(Z
S
u
g
); A
u
=u
2
/u
g
=-Z
g
A
Yg

Acest exemplu demonstrează posibilitatea de a transforma un amplificator transadmitanţă într-un
amplificator de tensiune, valabil numai în cazul amplificatorului ideal.
În cazul amplificatoarelor reale intervin ca factori perturbatori rezistenţa generatorului şi
admitanţa de sarcină.
Pentru a stabili influenţa acestor parametrii vom folosi schema din figura 2 care utilizează
parametrii h sau hibrizi de cuadripol.
Cazul prezentat în figura 2 este un amplificator real despre care putem spune că nu amplifică
unilateral. Circuitul de intrare este influenţat de circuitul de ieşire, parametrul h
12
u
2
, identic circuitul de
intrare influenţează parametrul h
21
I
1
. Amplificatoarele ideale sunt unilaterale, amplificarea se face
într-un singur sens dinspre intrare spre ieşire. Analiza amplificatorului se poate face cu parametrii
hibrizi h, parametrii Giacolleto g, sau folosind parametrii de semnal mic ai dispozitivului activ.
Deci amplificatorul din figura 2 reprezintă schema interna a unui tranzistor de semnal mic.
Vom considera două amplificatoare atacate în tensiune şi dispuse ca în figura 3.

g
I
I
g
I
A
I
I
I
A
g
u
u
g
u
A
u
u
u
A
2
;
1
2
;
2
;
1
2
   
Privind circuitul dinspre ieşirea primului amplificator spre intrare putem scrie:
Identic putem scrie: scopul urmărit fiind acela de a factoriza toţi parametrii astfel încât funcţia de
transfer globală să ne permită determinarea cu precizie a rădăcinilor polinoamelor de la numitor şi
numărător. Funcţia de transfer este foarte utilizată în cazul amplificării, în cazul unui etaj real,
impedanţa de intrare a primului etaj depinde de sarcina de ieşire adică de impedanţa de intrare a
etajului 2. În acest scop pentru a elimina eventualele nepotriviri de impedanţă se utilizează etaje
adaptoare de impedanţă. În cazul etajelor ideale nu apar astfel de probleme deoarece etajul este
unilateral.
Considerăm un amplificator unilateral de tensiune ideal cu schema din figura 4.
PP Z
S
=R
S
;
Condiţiile de existenţă pentru un amplificator ideal de tensiune sunt: R
in
 ∞ şi R
S
 0.
În cazul unui amplificator real R
in
>>R
g
iar R
S
>>R
ies
. Caracteristicile R
ies
= f(U
ies
) sunt date de figura 5.
În practică aceste caracteristici nu există. În figura 6 este reprezentat dispozitivul care realizează aceste
caracteristici.
in
Z
g
Z
in
Z
u
A
g
u
u
u
u
g
u
u
A


   
2 , 1
1
2 , 1 2 , 1
11
) , , (
2
in
R
S
R
u
A
ug
A
ug
A
ies
R
S
R
S
R
i
R
g
R
in
R
u
A
g
u
u
ug
A


 

 
Conform circuitului din figura 7 putem calcula influenţa intrării asupra ieşirii atunci când în circuit
apare un element de reacţie, în cazul nostru condensatorul C
1
.
Datorită acestui condensator apare următoarea relaţie:
Relaţia (7) poartă numele de efect Miller sau efect de feedback. Considerăm încă un amplificator atacat
în curent cu ieşirea în curent, figura 8.
Facem convenţia: Z
g
=1/Y
g
=R
g
: Z
S
=1/Y
S
=R
S
această convenţie ne permite calcularea mai facilă a
amplificării.
Unde: A
Io
reprezintă factor de amplificare în curent pentru R
S
=0 sau ieşirea în scurtcircuit. Condiţie ca
amplificatorul să fie ideal este: R
in
 0 R
ies
 ∞.
Într-un amplificator ideal de curent vom condiţiile: R
in
<<R
g
şi R
ies
>>R
s
. Caracteristicile ideale sunt
date în figura 9.

) 7 ( ) 1 ( ;
1
) 1 (
1 1
);
2 1
(
1 1 
 

   
u
A C
e
C
dt
du
u
A C i u u
dt
d
C i
) 8 (
2
in
R g
R
g
R
S
R
ies
R
ies
R
Io
A
g
I
I
I
A



 
Practic aceste caracteristici nu există. Un eventual dispozitiv care poate realiza acest lucru este dat în
figura 10.
Dacă avem un amplificator atacat la intrare în tensiune şi cu ieşirea în curent acest amplificator va purta
numele de amplificator transadmitanţă. Acest amplificator este prezentat în figura 11.


Condiţia ca un amplificator să fie amplificator transadmitanţă ideal este:
R
in
 ∞ şi R
ies
 ∞.
Cazul real al unui amplificator transadmitanţă:
R
in
>>R
g
şi R
ies
>>R
S
. Un dispozitiv ideal care ar putea îndeplini aceste condiţii este dat în figura 12.
Un amplificator atacat în curent şi cu ieşirea în tensiune este reprezentat în figura 13.
Acest amplificator se numeşte amplificator transimpedanţă sau transrezistenţă.
S
R
ies
R
ies
R
g
R
in
R
in
R
Gu
A
g
u
I
G
A



 
2
A
Zo
reprezintă amplificarea etajului în cazul în care R
S
∞. Pentru ca montajul să fie ideal trebuie
satisfăcute următoarele condiţii: R
in
0 şi R
ies
0.







in
R
g
R
g
R
ies
R
S
R
S
R
Zo
A
g
I
u
Z
A



 
2
1
Curs 4
Tranzistorul
Dispozitivul electronic format dintr-un monocristal semiconductor care are trei regiuni al căror tip de
conducţie alternează formând două joncţiuni foarte apropiate se numeşte tranzistor. Regiunile extreme,
cu acelaşi tip de conducţie se numesc emitor, E şi respectiv colector C, iar regiunea mediană se
numeşte bază. Conducţie şi simbolurile pentru cele două tipuri posibile(p-n-p, respectiv n-p-n) sunt
prezentate în figura 1:
O parte din golurile injectate în bază de emitor încep să se recombine cu electronii din bază care
formează curentul(de e
-
) I
Bn
.
Aici intervine însă fenomenul esenţial în tranzistor. Joncţiunea bază-colector polarizată invers prezintă
un câmp intern puternic E
i
( de la bază la colector care împinge imediat golurile în foarte mare proporţie
spre colector. Într-adevăr, golurile fiind purtători minoritari în bază sunt antrenate prin joncţiunea bază-
colector de câmpul intern E
i
spre colector, dând naştere curentului I
Cp
, De asemenea, purtătorii
minoritari din colector, e
-
, sunt antrenaţi de acelaşi câmp E
i
prin joncţiune, în bază, unde se recombină
cu goluri, formând curentul cu intensitatea I
Cn
. Deoarece concentraţia purtătorilor minoritari în colector
este foarte mică şi intensitatea curentului I
Cn
este foarte mică, principalul curent de colector fiind un
curent de goluri cu intensitatea I
Cp
. Din analiza de mai sus, se vede că într-un tranzistor p-n-p
principalul curent este un curent de goluri , creat de fluxul de goluri injectate din emitor în bază, de
unde sunt preluate, aproape în întregime de câmpul E
i
spre colector. Este evident că într-un tranzistor
n-p-n curentul principal prin dispozitiv va fi un curent de e
-
(injectaţi din emitor în bază).
Pentru funcţionare normală,
joncţiunea bază-emitor se
polarizează direct, iar
joncţiune bază-colector se
polarizează invers. Astfel la
un tranzistor de tip p-n-p acest
lucru se poate realiza prin
conectarea unei surse de
tensiune între bază şi emitor
cu plusul pe emitor şi a altei
surse între colector şi bază cu
minusul pe colector, figura 2.
Vom explica în continuare fenomenul fundamental care se petrece în
acest dispozitiv: intensitatea curentului în colector este aproape tot
atât de mare cât şi cea din emitor şi relativ independentă de tensiunea
bază-colector, figura 3. De asemenea, intensitatea acestor doi curenţi
este practic proporţională cu intensitatea curentului în bază. În
joncţiunea bază-emitor, polarizată direct, trece un curent important de
purtători majoritari, I
E
. Astfel, golurile, majoritare în regiunea
emitorului trec prin joncţiune în bază, formând curentul I
Bp
, electronii
majoritari în bază trec în emitor, o parte din ei recombinându-se cu
golurile, formând curentul I
En
.
În bază pătrunde deci curentul de goluri din
emitor cu intensitatea I
Bp
=I
E
-I
En
.
Practic prin construcţia tranzistorilor
regiunea emitorului este dopată mult mai
puternic decât cea a bazei, deci I
Ep
>>I
Bn
, iar
aceasta mai puternic decât colectorul.
Concentraţia purtătorilor majoritari din bază
care dau componenta I
En
, fiind mult mai
mică decât concentraţia purtătorilor
majoritari din emitor rezultă I
En
<<I
Ep
şi deci
) (
Ep
I
E
I
Bp
I  
În concluzie, făcând bilanţul curenţilor prin cele două
joncţiuni, rezultă că:
Cp
I
Cn
I
Bn
I
En
I
Ep
I    
2
Vom introduce notaţiile:
I
Ep
=I
E
I
En
+I
Bn
=I
B
I
Cn
+I
Cp
=I
C
Cu aceste notaţii vom putea scrie: I
E
=I
B
+I
C
. Această ecuaţie reprezintă ecuaţia fundamentală a
tranzistorului cu joncţiuni. Deoarece I
En
<<I
E
şi I
Bn
<<I
E
, rezultă I
B
<<I
E
, deci
sau I
C
=αI
E
.
Constanta de proporţionalitate α se numeşte factor de amplificare în curent şi are valori apropiate de
unitate, fiind cuprinse, în general între 0,96 şi 0,998. Caracteristicile statice ale tranzistorului în această
configuraţie , BC(baza comună atât pentru circuitul de intrare, cât şi pentru cel de ieşire sunt prezentate
în figura 4.
În cadranul I s-a figurat caracteristica de ieşire I
C
=f(E
CB
)|I
E
=constant. După cum s-a arătat curentul de
colector este foarte apropriat de cel din emitor şi începând de la o anumită valoare suficientă a tensiunii
E
CB
(care să antreneze cea mai mare parte a golurilor din bază spre colector, nu depinde de această
tensiune.
În cadranul III s-a figurat caracteristica de intrare I
E
=f(E
EB
)|E
CB
=constant. Joncţiune de intrare, E-B
fiind polarizată direct, se observă dependenţa exponenţială a curentului de emitor de tensiunea dintre
emitor şi bază(ca la o joncţiune p-n). Totuşi, datorită imediatei vecinătăţi a joncţiunii colector-bază,
tensiunea la bornele acesteia va influenţa şi ea, slab, curentul de emitor, astfel încât şi caracteristica de
intrare devine o familie de curbe cu parametrul E
CB
.
În cadranul II s-a figurat caracteristica de transfer direct I
C
=f(I
E
)|E
CB
=constant. Se observă o
dependenţă liniară, de pantă α apropiată de unitate, după cum rezultă din relaţia fundamentală I
C
=αI
E
.
Există totuşi, cum s-a arătat o foarte slabă dependenţă a curentului de colector şi de tensiunea
colector-bază, prin intermediul factorului α din relaţia precedentă.
În cadranul IV s-a figurat caracteristica de transfer invers( de la colector la emitor), adică
E
BE
=f(E
CB
)|I
E
=constant. Datorită apropierii fizice a celor două joncţiuni, tensiunea de polarizare a
joncţiunii bază-colector influenţează foarte slab căderea de tensiune pe joncţiunea emitor-bază. Panta
dreptelor care exprimă această dependenţă este foarte mică şi de cele mai multe ori acest efect se
neglijează.
Existenţa relaţiei de proporţionalitate între curentul de emitor şi cel de colector determină
proporţionalitate între curentul de bază şi cel de colector. Într-adevăr din relaţiile:
I
C
=αI
E
şi I
E
=I
C
+I
B
rezultă că I
C
=α(I
C
+I
B
) I
C
(1-α)=αI
B

Factorul de proporţionalitate β pentru α cuprins între 0,96 şi 0,998 ia valori între 25 şi 500. Rezultă că
I
C
este direct proporţional cu I
B
fiind de zeci sau sute de ori mai mare. Astfel, dacă se introduce un
semnal sub formă de curent în bază, el apare în circuitul de colector amplificat de β ori. Emitorul va fi
C E
I I 
B
I
B
I
C
I 





1
3
în acest caz comun atât circuitului de intrare(bază-emitor) cât şi celui de ieşire(bază-colector), de aceea
factorul β se mai numeşte factor de amplificare în curent, în configuraţia EC, emitor comun.
O schemă posibilă de polarizarea tranzistorului în această configuraţie este prezentată în figura 5.
În afară de amplificarea în curent existentă la configuraţia cu emitorul comun, la ambele configuraţii se
poate obţine şi o amplificare în tensiune. Pentru aceasta se înseriază cu colectorul o rezistenţă numită
rezistenţă de sarcină, figura 5, la bornele căreia se va culege semnalul de ieşire sub forma unor variaţii
de tensiune. Această rezistenţă reduce tensiunea de polarizare a colectorului, dar atâta timp cât acesta
rămâne negativ faţă de bază curentul din colector practic nu este influenţat. Pentru tensiuni de colector
uzuale de 5-25V şi curenţi de colector de ordinul mA, rezistenţa de sarcină poate lua valori între 1 şi 20
kΩ.
Impedanţa de intrare este impedanţa joncţiunii polarizate direct emitor-bază.
Evident, conform I
C
=αI
E
, vor apărea variaţii ale intensităţii curentului de colector.
Variaţia intensităţii curentului în colector şi deci şi rin rezistenţa de sarcină provoacă variaţii ale căderii
de tensiune la bornele acesteia: ΔU
o
=R
S
ΔI
C

Definim amplificarea în tensiune ca raportul dintre variaţia tensiunii la ieşire şi variaţia tensiunii la
intrare, rezultă:
Deoarece R
S
>>Z
i
, rezultă că A
U
>>1. Uzual A
U
este cuprins între 10 şi 200. În general se poate scrie:
unde A
i
este amplificarea în curent a circuitului electronic. Într-adevăr, un calcul similar arată că,
pentru configuraţia cu emitorul comun, amplificarea în tensiune este:

fiind cuprinsă uzual între 10 şi 200.



Condiţia de funcţionare normală este ca
E
CE
>>E
BE
, deoarece cu polarizarea din figura
colectorul va fi negativ în raport cu baza
joncţiunea bază colector va fi polarizată
invers. De asemenea joncţiune bază-emitor
direct, deci sunt îndeplinite condiţiile de
polarizare normală a tranzistorului.
Sursa de tensiune de semnal
cu amplitudinea variaţiilor
ΔU
i
se înseriază în circuitul
emitorului, ducând la
variaţia ΔI
E
a intensităţii
curentului de emitor
ΔI
E
=ΔU
i
/Z
i
, unde Z
i
este
impedanţa de intrare a
tranzistorului(50-200Ω BC)
i
Z
i
U
E
I
C
I

     
i
Z
i
U
S
R
o
U

   
i
Z
S
R
i
U
o
U
U
A  



i
Z
S
R
i
A
U
A 
i
Z
S
R
U
A  
1
Curs 6
Regimul termic al tranzistorului bipolar

Parte din puterea preluată de dispozitiv de la sursă este degajată sub formă de căldură
în mediul ambiant. Această putere este transformată în căldură, cu efect de creştere a
temperaturii joncţiunii semiconductorului. Aproape întreaga căldură este localizată la
nivelul regiunii de tranziţie a joncţiunii respective. În cazul tranzistorului bipolar
avem două joncţiuni şi aproape întreaga tensiune aplicată joncţiunii cade pe regiunea
de tranziţie. Procesele de încălzire sunt localizate în aceste regiuni.
Dacă vom considera joncţiunile polarizate cu tensiunile V
EB
, V
CB
curenţii fiind
egali, puterea consumată este:

Deoarece v
EB
<<v
CB

Este important ca această putere disipată să nu depăşească puterea maximă admisă,
specificată pentru ca temperatura joncţiunii să nu crească dincolo de temperatura
maximă admisă T
jmax
, pentru Ge T
jmax
= 85 grade Celsius, pentru Si T
jmax
= 150 grade
Celsius. Se poate calcula puterea disipată de un dispozitiv cu o relaţie de tipul:
T
a
– temperatura mediului ambiant
Rthja – rezistenţa termică joncţiune – mediu ambiant
[Rthja]=grad Celsius/Watt şi este de 100....500 grade Celsius/Watt pentru dispozitive
de mică putere.
În cazul dispozitivelor de putere rezistenţa este de două tipuri:
Rth joncţiune – capsulă
Rth capsulă - mediu ambiant
Rth jc = 2 grade Celsius/Watt Rth ca = 40 grade Celsius/Watt
În aceste condiţii dispozitivele semiconductoare de mică putere sunt de până la 2 W
pentru Ge şi 5 W pentru Si. Temperatura maximă admisibilă T
jmax
; şi Rth sunt utile
pentru calculul radiatorului ; un element din Al cu o suprafaţă de radiere cât mai mare
pentru a prelua o cantitate de putere sub formă de căldură pentru ca P
D
să nu fie mai
mare decât P
max
admisibilă în calcule T
a
= 25 grade Celsius.







Consideraţii privind alegerea PSF-ului unui tranzistor bipolar.
Pentru ca un tranzistor să funcţioneze în scopul dorit trebuie să utilizăm un circuit
electric exterior lui care să asigure polarizarea tranzistorului astfel încât PSF-ul său să
se găsească în regiunea activă normală.
CB
v
C
i
CB
v
C
i
EB
v
E
i
D
P · ~ · + · =
a j h t R
a
T
j
T
D
P
· · · ·
÷
=
max
max
2

A fost figurat în planul caracteristicilor de ieşire domeniul corespunzător regiunii
active normale. Această zonă este delimitată de o hiperbolă de disipaţie,
T
Dmax
= i
C
* v
CE
, este delimitată la dreapta de verticala corespunzătoare V
CEmax
.
Situarea PSF-ului dincolo de hiperbola de disipaţie atrage după sine distrugerea
dispozitivului iar în cazul în care PSF-ul este la dreapta lui V
CEmax
avem o multiplicare
în avalanşă a purtătorilor de sarcină, rezultă că dispozitivul se deteriorează. Zona
activă normală este limitată superior de orizontala corespunzătoare lui i
Cmax
. Plasarea
PSF-ului mai sus decât orizontala corespunzătoare lui i
Cmax
nu atrage obligatoriu după
sine deteriorarea dispozitivului ci cel mai adesea are loc o reducere a performanţelor
realizate de dispozitivul respectiv. Se mai observă că în domeniul curenţilor mici
ZAN este delimitată de zona de tăiere sau blocare. În domeniul tensiunilor mici
delimitarea este produsă de zona de separaţie.

Circuite polarizate utilizând două surse de alimentare.

bază comună

3
emitor comun

I
C

F
I
E
+I
CB0


V
EB
- zecimi de V
I
CB0
– μA
în practică

Circuitul simplu pentru polarizarea tranzistorului bipolar în montaj emitor comun.

¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
· + ÷ = ÷ + · =
÷
= ÷ · =
C
I
L
R
C
E
BC
V
BC
V
C
I
L
R
C
E
E
R
EB
V
E
E
E
I
E
I
E
R
E
E
EE
E
CB
I
L
R
EE
E
EB
V
E
R
L
R
F
E
E
C
E
CB
I
L
R
EB
V
E
E
E
R
L
R
F C
E
CB
V
0
) 1 (
0
) (
·
+ ÷ > + ÷ + ÷ = o o
E
R
L
R
F
E
E
C
E
· > o
4

E
C
=R
B
I
B
+r
D

F
+1)I
B
+V
0



Expresia curentului din colectorul tranzistorului scoate în evidenţă că sunt prea puţine
modalităţi pentru a ajusta circuitul astfel încât performanţele să fie crescute.
Rezistorul R
L
, tensiunea de alimentare E
C
, curentul I
C
se determină din proprietăţile
de semnal mic dorite pentru circuitul respectiv. Amplitudinea semnalului de ieşire,
lărgimea de bandă reprezintă prea puţine posibilităţi care să asigure stabilitatea PSF-
ului cu variaţia semnalului de lucru pentru tranzistor.

d
r
F
C
I
V
C
E
F
B
R
D
r
F B
R
V
C
E
F
C
I
D
r
F B
R
V
C
E
B
I
) 1 (
)
0
(
) 1 (
) 0
(
) 1 (
0
+ ÷
÷
=
+ +
÷
=
+ +
÷
=
|
|
|
|
|
5




(1) E
C
=R
B
I
B
+V
BE
~R
B
I
B

(2) E
C
=R
L
I
C
+V
BC

(1) – Putem găsi PSF-ul în planul caracteristicilor de intrare la intersecţia între
caracteristica corespunzătoare lui V
CE
, impus şi treapta de pantă –1/R
B
, această
treaptă este aproximativ orizontală şi cum aceste caracteristici acoperă un evantai
îngust, rezultă că putem considera cu suficientă precizie caracteristica
corespunzătoare lui V
CE
impus ca fiind cea dată de condiţia V
CE
=E
C
/2 când
amplitudinea semnalului de la ieşire este de valoare maximă.
(2) – Ecuaţia dreptei de sarcină a circuitului 1, corespunde 1 corespunde lui (0,E
C
/R
L
),
(E
C
,0).
PSF-ul în planul caracteristicilor de ieşire se va găsi la intersecţia acestei drepte cu
caracteristica având drept parametru circuitul în bază anterior determinat. Deşi acest
circuit nu asigură o stabilitate a PSF-ului într-o plajă de temperatură reală el este util
atunci când T
a
nu suferă modificări , iar P
D
sunt mici. Pentru asigurarea stabilităţii
PSF-ului se procedează la a utiliza fie elemente liniare, fie elemente neliniare. În
cazul elementelor liniare circuitul obţine cvasistabilitatea PSF-ului atât în raport cu
variaţia de temperatură cât şi în raport cu dispersia de fabricaţie a elementelor active,
tranzistoare. În cazul elementelor neliniare, diode, termistoare circuitul obţine un cu
real stabilitatea PSF-ului în raport cu dispersia de fabricaţie, în schimb solicită
precauţii suplimentare pentru împerecherea corespunzătoare a elementelor de circuit.


Circuit practic pentru polarizarea tranzistorului bipolar în montaj emitor
comun.
Circuitul simplu anterior prezentat asigură curentul continuu DC, necesar polarizării
prin intermediul unui rezistor conectat în baza tranzistorului, botezat rezistor de
polarizare. Lucrurile se ameliorează simţitor dacă asigurăm DC necesar în bază prin
intermediul unui rezistor diviziv şi în plus dispunem în emitorul tranzistorului un
rezistor care să asigure reacţia negativă de curent necesară stabilizării PSF-ului.
Schema devine.
6






În schema echivalentă divizorul rezistiv de la intrare a fost modelat prin sursa de
tensiune Thevenin. E
B
=E
C
R
2
/(R
1
+R
2
). Şi rezistorul echivalent R
B
=R
1
||R
2
. Rezistorul
din emitor R
E
are dispus în paralel un condensator C
E
care constitue o cale de
impedanţă minimă pentru eventualele semnale mici prezente în emitorul
tranzistorului(aceste semnale sunt scurtcircuitate la masă).
În DC condensatorul respectiv apare ca un întrerupător deschis(nu intervine în
discuţie). Circuitul echivalent reprezintă similitudinea cu cel întâlnit la circuitul
simplu de polarizare. Rezultă că putem scrie curentul prin colector printr-o relaţie:
7
Putem dimensiona R
B

F
(E
B
-V
0
)/I
C
-(β
F
+1)(r
d
+R
E
).
Expresia circuitului din colector conţine 2 parametri ai tranzistorului care depind de
temperatură β
F
şi V
0
. Am putea elimina β
F
dacă am alege R
B
suficient de mic şi R
E

suficient de mare astfel încât (β
F
+1)(r
d
+R
E
) să domine numitorul. De unde rezultă că
β
F
s-ar simplifica. De asemenea E
B
poate fi ales suficient de mare astfel încât
variaţiile lui V
0
cu temperatura să fie neglijabile. În realitate R
E
nu poate fi ales oricât
de mare deoarece un R
E
mare realizează o reducere a tensiunii disponibile pentru
rezistenţa de sarcină, adică influenţează drastic amplitudinea semnalului de la ieşire.
R
B
nu poate fi ales suficient de mic deoarece şuntează la masă semnalul mic util din
baza tranzistorului.
E
B
nu poate fi făcut oricât de mare deoarece are o limită superioară pe care nu o poate
depăşi şi anume E
C
. Din aceste considerente în practică pentru dimensionarea
circuitului se parcurg următoarele etape:
(1) se adoptă pentru căderea de tensiune pe R
E
o valoare de 3-4 V şi din această
condiţie se dimensionează rezistorul R
E
.
(2) pentru o a doua etapă se adoptă pentru rezistenţa în bază o valoare de aproximativ
R
B
=~10*R
E
. Pentru tranzistorul β
F
=100 alegerea acestei valori are ca efect că
eventualele variaţii sunt reprimate de 10 ori faţă de situaţia în care am fi ales un
circuit cu R
E
=0.
E
B
=R
B
*I
B
+(β
F
+1)(r
d
+R
E
)+V
0
;
(3) Dacă nu avem toate elementele necesare de calcul
I
B
=I
C

F
; V
0
=~0,6V pentru tranzistorul cu Si
(4) Pornind de la ecuaţiile 1 şi 2 putem găsi valoarea rezistenţei R
1
=R
B
*R
C
/E
B

R
2
=R
1
*R
B
/(R
1
-R
B
)




) )( 1 (
)
0
(
E
R
d
r
F B
R
V
B
E
F
C
I
+ + +
÷
=
|
|
] [
] [
] [ 4 ... 3
) 4 ... 3 ( O ¬ = = · ~ · k
E
R
mA
C
I
V
E
R V
C
I
E
R
E
I
E
R
1
Cursul 7
Polarizarea tranzistoarelor cu Ge.
La tranzistorului cu Ge apare un al treilea parametru puternic dependent de
temperatură :curentul rezidual de colector.
β
F
, respectiv V
0
au o dependenţă aproximativ liniară cu temperatura, curentul rezidual
de colector I
CB0
are o dependenţă exponenţială cu temperatura. Exemplu:
I
CB0
=1μA la 25 grade Celsius, ajungând la 60μA la 85 grade Celsius. Din această
cauză modelul utilizat pentru tranzistori cu Ge trebuie să ţină seama de curentul
rezidual de colector.
Pentru curentul din colector: I
C

F
*I
B
- (β
F
+1)I
CB0

O soluţie de polarizare care menţine curentul din baza tranzistorului constant se
dovedeşte a fi neoperabilă deoarece curentul din colector este puternic afectat de
dependenţa exponenţială cu temperatura a I
CB0
. Soluţia de polarizare pentru aceste
tranzistoare este cu divizor rezistiv la intrarea tranzistorului şi reacţii serie de curent în
emitorul acestuia.


Schema pentru analiza în curent continuu devine:
2
Alegând un sens de parcurgere în ochiul de la intrare:
E
B
=R
B
I
B
+(β
F
+1)(r
d
+R
E
)I
B
-(β
F
+1)(r
d
+R
E
)I
CB0
+V
0

rd<<RE => E
B
=[R
B
+(β
F
+1)R
E
]I
B
-(β
F
+1)R
E
I
CB0
+V
0


I
C
=[β
F
(E
B
-V
0
)+β
F

F
+1)R
B
I
CB0
-(β
F
+1)R
B
I
CB0

F

F
+1)R
E
I
CB0
-(β
F
+1)R
E
I
CB0
]/[R
B
+(β
F
+1)R
E
]

Procedee neliniare pentru stabilizarea PSF-ului
Cele mai frecvent utilizate metode apelează la o diodă polarizată invers, dispusă în
baza tranzistorului sau la un termistor.
În cazul circuitului care nu utilizează dioda dispusă în baza tranzistorului, I
CB0
este
dirijat spre masa montajului prin joncţiunea emitorului deoarece rezistenţa prezentată
de această joncţiune este mult mai mică decât rezistenţa ce apare în baza tranzistorului.
Dacă utilizăm o diodă polarizată invers şi dispusă în baza tranzistorului se poate
observa că curentul invers al acesteia se închide prin joncţiunea emitorului în sens
invers I
CB0
şi dacă alegem în mod corespunzător dioda astfel încât curentul invers al
diodei să fie egal cu I
CB0
putem realiza o compensare a acestuia. De observat cum I
CB0

influenţează puternic curentul din colector în lipsa unui semnal în baza tranzistorului:
R
B
=∞, I
C
=(β
F
+1)I
CB0
Dacă dioda este selectată corespunzător I
CB0
=I
inv
al diodei, atunci I
CB0
se va închide la
masa montajului nu prin joncţiunea colectorului ci prin diodă. Rezistorul R
E
din
0
) 1 (
) 1 (
0
) 1 ( )
0
(
0
) 1 (
) 1 (
0
) 1 (
0
CB
I
F
E
R
F B
R
CB
I
E
R
F F
V
B
E
F
C
I
CB
I
F B
I
F C
I
E
R
F B
R
CB
I
E
R
F
V
B
E
B
I + ÷
+ +
+ + ÷
= ¬ + ÷ · =
+ +
+ + ÷
= |
|
| | |
| |
|
|
E
R
F B
R
CB
I
B
R
E
R
F
V
B
E
F
C
I
) 1 (
0
) )( 1 ( )
0
(
+ +
+ + ÷ ÷
=
|
| |
3
emitorul tranzistorului are rolul de a stabiliza factorul de câştig direct în curent β
F
cu
modificarea de temperatură şi în plus, pentru alegerea lui R
E
corespunzător se obţine
un potenţial ridicat în baza tranzistorului, astfel încât dioda respectivă să fie polarizată
invers.
A doua soluţie apelează la termistoare.
În schemă divizorul R
2
este înlocuit cu un termistor R
T
(NiO,MgO, PaO) au
proprietatea că îşi reduc rezistenţa cu creşterea de temperatură. În lipsa lui R
T
o
modificare a temperaturii atrage după sine creşterea I
CB0
şi deci nu mai este asigurată
stabilitatea PSF-ului, în prezenţa R
T
, la modificarea temperaturii, rezistenţa acesteia se
reduce, rezultă că potenţialul aplicat în baza tranzistorului se reduce, rezultă că scade
curentul din baza tranzistorului şi implicit scade şi curentul din colectorul
tranzistorului. Se asigură astfel stabilitatea PSF-ului.
Pentru R
E
din emitor se alege o valoare mai mică decât în cazul circuitului la care
stabilizarea se asigură numai prin reacţia serie de curent. Această metodă asigură
stabilitatea numai în raport cu dispersia tehnologică a tranzistorului, şi în acelaşi timp
alegând o valoare mai mare pentru R
E
putem alege un termistor cu o rezistenţă mai
ridicată în raport cu rezistenţa de intrare a tranzistorului.

Cerinţe de polarizare pentru tranzistoarele bipolare în montaj colector
comun, respectiv bază comună.

În colector comun, colectorul este comun atât pentru circuitul de intrare cât şi
pentru cel de ieşire.

4





Rezistorul de sarcină este dispus în emitorul tranzistorului, semnalul de intrare
aplicându-se în baza acestuia, iar cel de ieşire în se culege din emitorul acestuia.
o creştere a curentului din baza tranzistorului determină o creştere a curentului în
emitorul acestuia, şi cum tensiunea de ieşire este produsul dintre R
L
şi curentul din
emitor, rezultă că tensiunea de ieşire este în fază cu tensiunea de intrare. Cerinţele de
polarizare pentru ca tranzistorul să funcţioneze în regiunea activă normală impun ca
joncţiunea emitorului să fie polarizată direct, iar a colectorului invers.
Soluţia cea mai simplă:


Între curenţi avem o relaţie: I
E
=(β
F
+1)I
B
, aplicând teorema II a lui Kirkoff pentru
ochiul din colectorul tranzistorului, avem
E
C
=V
CE
+R
L
I
E

Pentru ochiul din bază avem
E
C
=R
B
I
B
+U
BEsat
+R
L
I
E
Din expresia teoremei II a lui Kirkoff pentru ochiul colectorului
Atunci când se doreşte a se obţine pentru semnalul de la ieşire o amplitudine maximă
tensiunea colector - emitor este egală cu jumătate din tensiunea de alimentare a
montajului. V
CE
=V
CEq
=E
C
/2. R
L
=E
C
/2*I
C
. Pentru dimensionarea rezistenţei din baza
tranzistorului putem utiliza expresia dată de teorema a doua a lui Kirkoff pentru
ochiul bazei:
în aceleaşi condiţii de amplitudine maximă a semnalului de ieşire.

L
R
F B
R
BEsat
V
C
E
B
I
B
I
F E
I
) 1 (
) 1 (
+ +
÷
= ¬ + =
|
|
C
I
CD
V
C
E
L
R
÷
=
;
B
I
BEsat
V
E
I
L
R
C
E
B
R
÷ ÷
=
2
C
E
E
I
L
R =
B
I
BEsat
V
C
E
B
R
÷
=
2
de unde rezultă
5
În cazul montajului bază comună semnalul de intrare este aplicat în emitorul
tranzistorului şi cel de ieşire cules în colectorul acestuia.
Polarizarea bazei este asigurată prin RB, condensatorul CB(cale de impedanţă minimă
pentru eventualele semnale de AC prezente în baza tranzistorului). La o creştere a
curentului prin emitor rezultă o creştere a curentului în colector, de unde rezultă că
semnalul de la ieşire este în fază cu cel de la intrare. O schemă simplă de polarizare:
Conform teoremei II a lui Kirkoff avem: E
C
=R
L
*I
C
+V
CE
+R
E
*I
E
, β
F
>>1, I
E
=~I
C
de
unde rezultă că E
C
=I
C
(R
L
+R
E
)+V
CE
.
Aplicând teorema II a lui Kirkoff pentru ochiul din baza tranzistorului obţinem:
E
C
=R
B
*I
B
+V
BEsat
+R
E
*I
E
, I
E
=(β
F
+1)I
B
; E
C
=R
B
I
B
+V
BEsat
+R
E

F
+1)I
B
, de unde rezultă
Circuite echivalente de cuadripol.
Dacă variaţiile de semnal la terminalele unui tranzistor sunt relativ mici astfel
încât caracteristicile tranzistorului în jurul PSF-ului se pot aproxima prin linii drepte
atunci tranzistorul poate fi modelat pentru analiza în curent alternativ printr-un
cuadripol liniar activ cu o bornă comună atât circuitului de intrare cât şi celui de
ieşire.
La bornele cuadripolului avem 4 mărimi, câte un curent şi o tensiune atât pentru
circuitul de intrare cât şi pentru cel de ieşire. Cele 4 variabile pot fi măsurate şi
definite matematic, fiecare dintre ele, funcţie de celelalte, V
in
=f(I
in
,V
out
),
I
out
=f(I
in
,V
out
). Sunt suficiente aceste două funcţii pentru a obţine un circuit, circuitul
hibrid. Există în fapt 6 modalităţi de a alege variabilele independente. Rezultă 6
sisteme de ecuaţii, fiecare este caracterizat de 4 parametrii, numiţi parametrii de
cuadripol, cel mai frecvent utilizat fiind sistemul hibrid:
V
in
=f
1
(I
in
,V
out
), I
out
=f
2
(I
in
,V
out
).
Pentru a înţelege comportarea circuitului în curent alternativ, respectiv a Black Box-
ului, trebuie să diferenţiem aceste ecuaţii.
E
R
F B
R
BEsat
V
C
E
B
I
) 1 ( + +
÷
=
|
6
dV
in
=ΔV
in
=v
in
dV
out
=ΔV
out
=v
out

dV
in
=ΔI
in
=i
in
dI
out
=ΔI
out
=i
out



Derivatele parţiale care apar drept coeficienţi au următoarele semnificaţii:


h
11
– rezistenţa de intrare a tranzistorului
h
12
– tensiunea de reacţie inversă
h
21
– câştig direct în curent
h
22
– conductanţă de ieşire
v
in
=h
11
i
in
+h
12
v
out

i
out
=h
21
i
in
+h
22
v
out









out
dV
out
V
f
in
dI
in
I
f
out
dI
out
dV
out
V
f
in
dI
in
I
f
in
dV
c
c
+
c
c
=
c
c
+
c
c
=
2 2 1 1
¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
c
c
+
c
c
=
c
c
+
c
c
=
out
v
out
V
f
in
i
in
I
f
out
i
out
v
out
V
f
in
i
in
I
f
in
v
2 2
1 1
Siemens te condunc unei ensiunea are
out
V
out
I
out
V
f
ensional a este
in
I
out
I
in
I
f
ensional a este
out
V
in
V
out
V
f
rezistente unei ensiunea are
in
I
in
V
in
I
f
tan dim
2
dim
2
dim
1
dim
c
c
=
c
c
c
c
=
c
c
c
c
=
c
c
c
c
=
c
c
22 21
12 11
h
out
V
out
I
h
in
I
out
I
h
out
V
in
V
h
in
I
in
V
=
c
c
=
c
c
=
c
c
=
c
c
Cursul 8

Circuitul de intrare se comportă asemenea unei surse de tensiune Thevenin. Circuitul
de ieşire este o sursă de curent Norton. Parametrii hibrizi poţi fi măsuraţi prin
măsurători. Pentru v
out
=0, h
11
=v
in
/i
in
, h
21
=i
out
/i
in
. Pentru i
in
=0, h
12
=v
in
/v
out
, h
22
=i
out
/v
out
.
Acest gen de circuit defineşte comportarea tranzistorului bipolar în raport cu
tensiunile şi curenţii alternativi.
Modelul de circuit cu sarcină.
Pentru o analiză completă a tranzistorului în curent alternativ trebuie să luăm
în considerare existenţa unei surse de semnal la intrarea circuitului, precum şi a unei
rezistenţe de sarcină pe care acesta debitează.
v
in
=V
g
-R
g
i
in

v
out
=-R
L
i
out

Tensiunea culeasă pe R
L
este de polaritate negativă datorită sensului curentului prin
acest rezistor.
Se poate determina din (1), (2), (3) şi (4) următoarele: A
i ,
(amplificare în curent)A
v
,
(amplificare în tensiune) R
in
,(rezistenţă de intrare) R
out
,(rezistenţă de ieşire) P
g
.(amplificare în putere).
¦
¹
¦
´
¦
+ =
· + · =
out
v h
in
i h
out
i
out
v h
in
i h
in
v
22 21
12 11
¦
¦
¦
¹
¦
¦
¦
´
¦
÷ =
÷ ÷ =
+ =
+ =
) 4 (
) 3 (
) 2 (
22 21
) 1 (
12 11
out
i
L
R
out
v
in
i
g
R
g
V
in
v
out
v h
in
i h
out
i
out
v h
in
i h
in
v
Parametrii hibrizi ai dispozitivului din interiorul cutiei negre nu se modifică prin
modificarea rezistenţei de sarcină sau a sursei de semnal de la intrare. Rezultă că
modificări ale A
i
, A
v
, respectiv R
i
, R
out
, nu înseamnă că se modifică valorile numerice
ale parametrilor hibrizi h. În practică parametrii hibrizi utilizează o altă simbolistică în
care semnificaţia indicilor este: i – rezistenţă de intrare, r – factor de transfer în
tensiune inversă, f – factor de câştig în curent direct, o – conductanţă de ieşire, iar al
doilea indice reprezintă: e – montaj emitor comun, b – montaj bază comună, c –
montaj colector comun. În montaj emitor comun:



i
A
v
A
g
P
L
R h h
h
g
R
out
i
out
v
out
R
L
R h
h
L
hR
in
i
in
v
in
R
L
hR h
L
R h
v
A
h h h h h
L
R h h
L
R h h h
L
R h
v
A
in
v
out
v
v
A
out
v
L
R h
L
R h h
L
R h h h
in
v
out
v h
h
out
v h
L
R
out
v
h
in
v
h
out
v h
L
R
out
v
h
out
v h
out
i
in
i
in
i h
out
v h
out
i
L
R h
h
in
i
out
i
i
A
in
i
L
R h
L
R h
out
i
L
R
in
i h
L
R
L
R h
out
v
in
i h
out
v h
L
R
out
v
out
v h
in
i h
L
R
out
v
L
R
out
v
out
i
=
+ A
+
= =
+ +
+ A
= =
A +
÷ =
÷ = A
÷ +
÷ =
=
+ ÷ ÷
=
+
÷ ÷
=
÷ ÷
=
÷
= = ÷
+
= =
= +
= + ÷ = ÷ + = ÷ ÷ =
;
22
11
;
1
22
11
11
21
.
21 12 22 11
;
21 12 22 11 11
21
;
21
21 12 22 11 11
12
21
22
11
;
21
22
21
22
;
21 22
1
22
21
21
)
22
1 (
21
)
22
1 ( ;
21 22
;
22 21
;
v
BE
=h
ie
i
B
+h
re
v
CE
; i
C
=h
fe
i
B
+h
oe
v
CE

În situaţiile practice cu cât un tranzistor se apropie de condiţia ideală factorul de
reacţie în tensiune inversă este nul, iar rezistenţa de ieşire a tranzistorului este infinită,
circuitul echivalent de cuadripol devine:
În condiţia tranzistorului ideal A
i
=h
fe
, A
v
=-(h
fe
*R
L
)/h
ie
, R
in
=h
ie
, R
out
=∞.
Modelul Π hibrid.
Pentru frecvenţe de lucru inferioare la câteva sute de KHz, pentru frecvenţe
superioare modelul trebuie modificat cu considerarea că factorul de transfer în
tensiune inversă este 0.

R
in
(h
ic
) este înlocuită cu rezistenţa r
b
care apare scurtcircuitată la masă prin paralelul
dintre capacitoarele C
be
şi C şi rezistorul r
be
, deasemenea generatorul de curent
controlat h
fe
*v
ce
este înlocuit cu generatorul g
m
*v
ce
.
C
be
– capacitatea de difuzie proprie joncţiunilor polarizate direct. Este determinat de
timpii de întârziere necesar propagării purtătorilor de sarcină printr-o joncţiune
polarizată direct.
C
bc
– capacitate de epuizare determinată de suprafeţele de epuizare care apar într-o
joncţiune polarizată invers, în cazul montajului EC capacitatea C este C=C
bc
(1-A
v
).
Avem o bifurcare a curentului de la intrare pe două ramuri:
1) prin rezistorul r
be

2) prin capacitoarele C
be
şi C
Rezultă Z
in
=r
be
||(C
be
+C)
Se defineşte în cazul acestor tranzistoare punctul de –3dB ca cel corespunzător
situaţie în care curenţii prin cele două ramuri sunt egali. Se poate determina frecvenţa
la care este îndeplinită această condiţie ca: f
β
=1/[2*πr
be
(C
be
+C)].
r
be
=ω(C
be
+C). De unde rezultă f
β
=1/[2*πr
be
(C
be
+C)].
În cataloage se mai găseşte frecvenţă produs lărgime bandă (f
T
), corespunde situaţiei
în care câştigul în curent direct este egal cu unitatea.
¦
¹
¦
´
¦
=
=
B
i
fe
h
C
i
B
i
ie
h
BC
v
) ( 1 C
be
C
be
r j
be
r
in
Z
+ +
=
=
f
T
=h
fe
*f
β


Observaţii privind determinarea parametrilor circuitului echivalent.
Panta tranzistorului g
m
se determină dintr-o relaţie de tipul:
Se poate determina rezistenţa r
be
, r
be
=h
fe
/g
m
r
b
=h
ie
-r
be

r
b
apare ca diferenţă între două mărimi relativ mari, imprecis de determinat, valoarea
ei depinde de frecvenţă şi poate fi neglijat atunci când tranzistorul lucrează la
frecvenţe joase.
Determinarea parametrilor C
bc
şi C
be
.
C
bc
poate fi determinat prin măsurarea capacităţii între electrozii bază şi colector ai
tranzistorului, cu emitorul în gol în curent alternativ, la o anumită pulsaţie. Practic se
măsoară capacitatea de ieşire a tranzistorului în conexiune BC, putându-se observa că
această capacitate apare înseriată cu rezistenţa rb care poate fi neglijată dacă ω la care
se efectuează măsurarea este suficient de joasă astfel încât 1/(ωC
bc
)>>r
b
.
Se poate determina capacitatea C
be
.
Circuitul echivalent al tranzistorului bipolar funcţionând la semnale mici,
Giacoletto.
Obţinem curentul în colectorul acestuia prin procesul de difuzie a purtătorilor
majoritari din emitorul său.
Dacă tranzistorul este de tip PNP, înseamnă că el este datorat golurilor ce părăsesc
emitorul, iar curentul de difuzie ce apare în colectorul său depinde fundamental de
distribuţia purtătorilor minoritari în baza tranzistorului, aceştia sunt goluri la
tranzistoarele PNP şi electroni la tranzistoarele NPN.


C
I
m
g
Celsius grade la mV
q
KT
T
V
V
mA
KT
C
qI
m
g
* 40
25 25
] [
=
= =
=
bc
C
T
f
m
g
be
C ÷ =
t 2
n
p
E(x) – concentraţia purtătorilor minoritari (electroni) în regiunea neutră a emitorului
(PNP)
P
n
(x) – concentraţia purtătorilor majoritari, golurile în regiunea neutră a bazei
tranzistorului
n
p
C(x) - concentraţia purtătorilor minoritari, electroni în regiunea neutră a
colectorului
I
C
– curent de difuzie.
Curentul din colector i
c
=A
j
*j
Pd

A
j
– aria secţiunii transversale
j
Pd
– densitatea de curent de suprafaţă
i
C
=A
j
[-qD
PB
dP
n
(x)/dx]=-A
j
qD
PB
dP
n
(x)/dx
D
PB
– constantă de difuzie a golurilor
P
n
(x) – concentraţia purtătorilor din bază la adâncimea x
ω – lărgimea regiunii neutre a bazei
P’
n
(x) – surplusul de purtători de sarcină în exces în regiunea neutră a bazei în raport
cu concentraţia acestor purtători de la echilibru
P’
n
(x)=P
n
(x)-P
n
0.
Distribuţia acestor purtători de sarcină în exces în regiunea neutră a bazei este de tip
triunghiular de unde rezultă că pentru o pătrundere x P’
n
(x)= P’
n
0(1-x/W).
Rezultă i
C
=-A
j
qD
PB

Ecuaţiile Ebers-Moll ce modelează tranzistorul bipolar funcţionând în
AC.
Curentul din colector

] 1 ) [exp( 0 ) 0 ( ÷ = '
KT
EB
qV
n
P
n
P
] 1 ) [exp(
0
) 0 ( ) (
÷ =
'
=
'
KT
EB
qV
W
n
P
PB
D
j
qA
C
i
W
n
P
PB
D
j
qA
dx
x
n
P d
] 1 ) [exp( ] 1 ) [exp( ÷ ÷ ÷ =
KT
EB
qV
CS
I
KT
EB
qV
ES
I
F C
i o
Ţinând cont că tranzistorul funcţionează în regiunea activă normală, pentru:
V
EB
>0, V
CB
<0,|V
CB
|>>KT/q




W
n
P
PB
D
J
qA
ES
I
KT
EB
qV
ES
I
C
i
F
KT
EB
qV
ES
I
F C
i
0
]; 1 ) [exp(
1 ]; 1 ) [exp(
=
¬ ÷ ~
~ ÷ ~ o o
Cursul 9
Rezistenţa de intrare a acestui amplificator este practic R
g
având în vedere că aceasta
apare în paralel cu rezistenţa unei joncţiuni poartă – canal de valoare foarte mare şi
paralelul dintre acestea este practic o rezistenţă apropiată ca valoare de rezistenţa cea
mai mică. Considerăm o configuraţie a amplificatorului cu divizor rezistiv pe poartă:





Rezistenţa de intrare a amplificatorului este practic paralelul dintre R
1
şi R
2
,
capacitorul C
S
pune la masă semnalele de AC prezente în sursa tranzistorului şi se
menţionează din condiţia ca rezistenţa pentru frecvenţe joase să reprezinte o zecime
din rezistenţa chimică a R
S
(rezistenţa din sursă). În circuitul echivalent generatorul de
curent este botezat g
m
*v
gs
care debitează pe rezistenţa de ieşire a r
ds
şi rezistenţa R
L
.
Amplificarea în tensiune:
A
v
=v
out
/v
in
, v
in
=v
gs
, v
out
=-i
o
R
L
;
v
out
este defazat cu 180 de grade în raport cu v
in
.
Circuit drenă comună de joasă frecvenţă
L
R
m
g
v
A
L
R
ds
r
ds
r
L
R
L
R
m
g
v
A
L
R
ds
r
L
R
ds
r
m
g
v
A
gs
v
L
R
ds
r
L
R
ds
r
gs
v
m
g
v
A
L
R
ds
r
ds
r
gs
v
m
g
o
i
÷ ~ ¬
>>
+
÷ = ¬
+
÷
= ¬
+
÷ = ¬
+
=
1
) (
v
out
este cules pe rezistorul dispus în sursa tranzistorului. Rezistenţa de intrare a
circuitului poate fi considerată chiar rezistenţa dispusă pe poarta tranzistorului,
R
in
=R
G
se observă deasemenea că întreaga tensiune de pe circuit este adusă înapoi la
intrare, de unde rezultă că β
v
=1 (factor de reacţie). Rezistenţa de ieşire a circuitului
este paralelul dintre rezistenţa de ieşire a tranzistorului, r
ds
şi rezistorul de sursă R
S
.

Amplificarea în tensiune în prezenţa reacţiei:


Modelarea răspunsului la semnal mic pe baza fenomenelor din regiunile neutre.

Se consideră ca asupra fluxurilor de polarizare ale celor două joncţiuni se aplică
perturbaţiile Δv
EB
şi Δv
CB
şi să evidenţiem influenţa lor asupra curenţilor din colector,
emitor.
Analizăm nişte perturbaţii de tipul Δi
C
şi Δi
E
. Considerăm variaţiile tensiunilor
suficient de mici pentru a putea liniariza dependenţa puternic neliniară dintre curent şi
tensiune de tip exponenţial în cazul unei joncţiuni deschise. Ne interesează acest
comportament în cazul tranzistorului aflat în RAN, adică acolo unde tranzistorul
realizează amplificarea. Pentru început considerăm teorema superpoziţiei astfel încât
tensiunea rezultantă: v
EB
=V
EB
+Δv
EB
(1). În regiunea neutră a bazei tranzistorului
S
R
m
g
v
R
vf
R
S
R
m
g
v
A
v
A
v
o
R
vf
R
+
= ¬ ~
+
=
1 1 |
S
R
m
g
S
R
m
g
v
A
v
v
A
vf
A
+
=
+
=
1 1 |
distribuţia purtătorilor de sarcină minoritari în exces este de tip triunghiular şi prin
urmare putem considera concentraţia purtătorilor minoritari în exces în bază la o
adâncime de pătrundere x:
Efectul majorării concentraţiei de purtători minoritari în exces în baza neutră a
tranzistorului la marginea dinspre emitor a acestuia, constă într-o majorare a
curentului din colector.
Δi
C
=g
m
Δv
EB
. În schema echivalentă acesta se reprezintă printr-un generator de curent.
Se mai observă că are loc şi o creştere a sarcinii electrice stocate în regiunea neutră a
bazei, sarcină proporţională cu aria triunghiului haşurat.
Δq
B
=C
dE
Δv
EB
. Ca urmare curentul în bază este majorat cu o cantitate dată de această
sarcină suplimentară:
C
dE
– reprezintă capacitatea de difuzie a joncţiunii emitorului şi este asociată
încărcării bazei prin proces de difuzie, proces determinat de purtătorii majoritari ce
părăsesc joncţiunea emitorului. Mai are loc o majorare a curentului din bază cu o
cantitate Δi
BR
. Δi
BR

π
Δv
EB
; ρ
π
reprezintă conductanţa
EB
v
KT
q
n
P
EB
v
KT
q
KT
EB
qV
n
P
n
P
n
P
KT
EB
qV
n
P
n
P
n
P
EB
v
KT
q
KT
EB
qV
n
P
EB
v
KT
q
KT
EB
qV
n
P
KT
EB
qV
n
P
KT
EB
v q
KT
EB
qV
n
P
n
P
EB
v
KT
q
KT
EB
v q
KT
EB
v q
KT
EB
qV
n
P
KT
EB
v
EB
qV
n
P
n
P
KT
EB
qV
n
P
n
P
bazei a neutra regiune W
W
X
n
P x
n
P
A ' ~ A = ' A
' A + ÷ = ' ¬ ' A = A
A + ÷ = ÷
A
+ = '
A + ~
A
÷
A
= ÷
A +
= '
÷ = '
÷ ' = '
) 0 ( ) exp( 0 ) 0 (
) 0 ( ] 1 ) [exp( 0 ) 0 ( ) 0 ( ) exp( 0
) exp( 0 ] 1 ) [exp( 0 ] 1 ) 1 )( [exp( 0 ) 0 (
1 ) exp( ] 1 ) exp( ) [exp( 0 ] 1 ) [exp( 0 ) 0 (
] 1 ) [exp( 0 ) 0 (
) 1 )( 0 ( ) (
dt
EB
v d
dE
C
BQ
i
EB
d
dE
C
dt
d
B
q
dT
d
BQ
i
) (
) ( ) (
A
= A
A = A = A
Parametrii care intervin:
g
m
, C
dE
, ρ
π
, pot fi determinaţi pe baza distribuţiei triunghiulare a purtătorilor
minoritari în exces în baza neutră a tranzistorului.
Influenţele exercitate de perturbaţiile suprapuse tensiunii de polarizare a tranzistorului
se pot exprima asupra curenţilor din tranzistor prin relaţii de tipul:
Δi
C
=g
m
Δv
EB
, Δi
B
=Δi
BQ
+Δi
BR

F
m
g
g similar
F m
g
dE
C
F
PB
D
W
EB
v
PB
D
W
m
g
B
q
EB
v
PB
D
W
KT
q
C
I
B
q
EB
v
KT
q
PB
D
W
W
n
P
PB
D
j
qA
B
q
EB
v
KT
q
n
P W
j
qA
B
q
n
P W
j
qA
B
q
EB
v
dE
C
B
q
C
I
m
g
T
V
C
I
KT
q
C
I
m
g
EB
v
m
g
EB
v
KT
q
C
I
C
i
EB
v
KT
q
W
n
P
PB
D
j
qA
C
i
EB
v
KT
q
n
P
n
P
W
n
P
PB
D
j
qA
C
i
W
n
P
PB
D
j
qA
C
I
|
t
t
t
= =
=
A
= A
A = A
A
'
= A
A ' = A ' A = A ¬ A = A
= = =
A = A = A
A
'
= A
A ' = ' A
' A
= A
'
=
;
2
2
1
2
2
1
2
2
1
2
2
1
) 0 (
) 0 (
2
1
)] 0 (
2
1
[ ;
40
) 0 (
) 0 ( ) 0 (
) 0 (
) 0 (
dt
EB
v d
dE
C
EB
v g
B
i
) (A
+ A = A
t
Comportarea circuitului echivalent la semnal mic trebuie să ţină cont de capacităţile
de barieră a celor două joncţiuni: C
BE
, C
BC
.



Tensiunile aplicate din exterior nu cad în întregime e regiunile de sarcină
spaţială. Apare o cădere suplimentară de U, datorată în principal curgerii transversale
a curentului de bază. Ea poate fi asimilată unei rezistenţe distribuite pe lungimea
activă a bazei tranzistorului.
Polarizarea directă a joncţiunii emitorului să fie mai pronunţă la marginea dinspre
bază a emitorului, rezultă o concentrare a curentului la marginea emitorului. Acest
fenomen nu poate fi modelat cu un model unidimensional. Ca urmare se apelează la o
rezistenţă internă R
b’b
considerînd că avem în plus o bază internă a.
Comportarea circuitului echivalent de semnal mic, ţinând cont de efectul
Early. Δv
EB
Δv
CB
– modificarea grosimii bazei, dependenţa este o funcţie de forma W=f(Δv
CB
) nu
este semnificativă W=f(Δv
EB
) nu este semnificativă deoarece v
EB
este aproximativ
constantă.
Efectul perturbaţiei Δv
CB
se materializează printr-o majorare a grosimii regiunii
neutre a bazei, se poate considera că nu am avea o modificarea a grosimii regiunii
neutre ci doar o modificare a concentraţiei în purtători minoritari în baza tranzistorului
la adâncimea de pătrundere WE cu o cantitate ΔW.
Putem calcula ΔW prin diferenţiere. Putem afla dependenţa W=f(Δv
CB
) prin tangentă.
η – factor de modulare a grosimii bazei. Efectul perturbaţiei Δv
CB
este similar cu cel
datorat perturbaţiei Δv
EB
– mult mai redus datorită η – valori foarte mici.
Efectul cumulat al celor două perturbaţii Δv
EB
, Δv
CB
se poate exprima printr-o relaţie
de tipul: Δi
C
=g
m
Δv
EB
-ηg
m
Δv
CB
.
W
W
n
P
W
n
P
W
n
P
W
W
n
P
W
W
W W
W
W W
W W
W
n
P
W
n
P
A
'
= ' A
'
=
A
' A
¬
A
~
A +
A
¬ << A
A +
A
=
'
' A
) 0 (
) (
) 0 ( ) (
;
) 0 (
) (
3
10
5
10 ) 0 ( ) (
1
)
1
)( 0 ( ) (
) 0 (
) (
÷
÷
÷
= A ' = ' A ¬ =
c
c
A
c
c
' = ' A
· A
c
c
'
= ' A A
c
c
= A
q q q
CB
v
KT
q
n
P W
n
P
CB
V
W
W q
KT
CB
v
KT
q
CB
V
W
W q
KT
n
P W
n
P
q
KT
CB
v
CB
V
W
W
n
P
W
n
P
CB
v
CB
V
W
W
η oglindeşte faptul că panta distribuţiei triunghiulare a purtătorilor minoritari în exces
în baza neutră este mai mică ca urmare a perturbaţiei Δv
CB
.
Schema echivalentă care ţine cont de toţi aceşti parametrii este:

dt
CB
v d
dE
C
EB
v g
dt
EB
v d
dE
C
EB
v g
B
i
) ( ) ( A
+ A +
A
+ A = A q
t
q
t
t
t
r
c b
r
c b
g g
1 1
=
'
=
'
=
dE
C
bE
C
dE
C
e b
C C ~ + =
'
=
t bc
C
dE
C
bc
C
c b
C C ~ + =
'
= q
µ
t
q
µ
µ
g
c b
r r
g
c b
g =
'
= = =
'
1 1
m
g
ce
r
o
r
ce
g q = = =
1 1

1
Curs 10
Tranzistoare MOS cu canal iniţial
Sunt dispozitive electronice la care conducţia curentului are loc la suprafaţa semiconductorului respectiv.

Acest dispozitiv este prevăzut cu două puţuri unite între ele printr-un canal conductiv de tip n. Nu mai
avem joncţiuni ca la TJS. Cel de-al doilea electrod, poarta tranzistorului este izolată faţă de canal
printr-un strat de oxid, ca urmare rezistenţa de intrare este foarte mare, motiv pentru care este posibil să
se acumuleze sarcină electrostatică care depăşind o valoare poate duce la străpungere.
Producătorii favorizează dispozitivele cu terminalele conectate printr-o foiţă metalică care este scoasă
numai după plantarea dispozitivului pe circuitul imprimat. Unii producători preferă dispozitivele cu o
diodă Zenner între poartă şi masă, care intră în conducţie după ce tensiunea acumulată depăşeşte
valoarea tensiunii Zenner a diodei respective. În practică se utilizează scule conectate la masă. Dacă e
poarta tranzistorului se aplică un potenţial mai pozitiv în raport cu sursa acesteia în canalul conductiv
apare o cantitate suplimentară de e
-
şi ca urmare curentul prin dispozitiv creşte. În acest caz tranzistorul
lucrează în regim de îmbogăţire. Dacă potenţialul aplicat pe poarta tranzistorului este mai negativ în
raport cu cel la care se găseşte sursa are loc o sărăcire în purtători de sarcină prezenţi în canalul
conductiv al dispozitivului şi ca urmare curentul prin dispozitiv scade ceea ce înseamnă că tranzistorul
lucrează în regim de sărăcire.
Caracteristica de ieşire a tranzistorului. Dependenţa dintre curentul de drenă şi
tensiunea drenă-sursă având ca parametru tensiunea poartă-sursă.

Tranzistorul MOS cu canal iniţial indus.
Structura este asemănătoare cu cea al TEC-MOS cu canal iniţial indus cu deosebirea că nu
mai avem canalul fizic între cele două puţuri. De îndată ce tensiunea aplicată între poartă şi sursă
depăşeşte valoarea de tăiere, în zona imediat vecină porţii tranzistorului apare un canal indus
conductiv, poarta şi substratul tranzistorului comportându-se asemenea unui capacitor. Canalul
respectiv se îmbogăţeşte şi poate conduce numai dacă potenţialul aplicat e poartă este suficient de
mare. Simbolul:


2
Caracteristica de ieşire:

Ca şi la tranzistorul cu canal iniţial distingem la caracteristica de ieşire o zonă liniară
corespunzătoare pentru valori mici ale tensiunii drenă-sursă unde curentul ce se stabileşte prin
dispozitiv este proporţional cu tensiunea aplicată, pentru valori mai mari ale lui V
DS
se intră în zona de
saturaţie, curentul prin dispozitiv putându-se exprima printr-o relaţie de tipul: i
D
=gV
DS
;
Conductanţa tranzistorului, g poate fi exprimată printr-o relaţie de tipul: g=β(V
GS
-V
P
).
β - panta [β]=[Siemens/Volt]  iD=β(V
GS
-V
P
)V
DS
.
Polarizarea tranzistorului TEC-MOS cu canal iniţial.

(1) (2)
3
Două soluţii de polarizare (1) – autopolarizare (2) – circuit universal de polarizare cu divizor
rezistiv pe poartă.
(1) tensiunea necesară polarizării tranzistorului este culeasă pe rezistenţa R
S
, fiind produsă de
curentul propriu al tranzistorului. i
D
; I
S
=I
D
>>I
G
.
În cazul circuitului cu divizor rezistiv, tensiunea de polarizare necesară:


În ircuitul din soluţia cu autopolarizare tensiunea de polarizare fiind cea culeasă pe R
S
cu (+) în sursă şi
– la masă pentru ca potenţialul porţii să fie acelaşi cu al masei montajului este necesar să avem pe R
G
o
cădere de tensiune neglijabilă. R
G
, rezistorul de sarcină pentru semnalul util aplicat în poarta
tranzistorului. Ar fi de dorit ca R
G
să fie de valori cât mai ridicate. Compromisul dintre cele două
cerinţe, I
G
– nanoAmperi, rezultă că vom alege pentru R
G
valori de ordinul MΩ. V
GS
=-R
S
I
D
– ecuaţia
dreptei de negativare Pentru ochiul de la ieşire avem:
V
DD
=R
L
I
D
+V
DS
+R
S
I
D
;
C
S
– impedanţă de valoare redusă pentru semnale alternative din sursă, în DC funcţionează ca un
întrerupător deschis
V
DD
=V
DS
+(R
L
+R
S
)I
D
– ecuaţia dreptei statice de sarcină
În AC R
S
este şuntat de C
S
, sursa de alimentare V
DD
lucrează ca un scurtcircuit  0=v
DS
+R
L
i
D
 v
DS
=-
R
L
i
D
– ecuaţia dreptei dinamice de sarcină. În planul caracteristicii de transfer se determină punctul
static de funcţionare la intersecţia caracteristicii respective cu dreapta de negativare, acest punct
proiectat pe dreapta statică de sarcină determină punctul static de funcţionare în planul caracteristicii de
ieşire, unde poate fi dusă şi dreapta dinamică de sarcină. Frecvent se pune problema proiectării unui
circuit care să asigure un anumit PSF pentru tranzistor, caracterizat de i
D
, v
GS
, punct situat în regiunea
D
I
S
R
R R
R
DD
V
GS
V 


2 1
2
4
de saturaţie, punct situat în regiunea de saturaţie. Pentru determinarea PSF-ului de la parametrii
tranzistorului, I
D
,V
P
precum şi de la tensiunea de alimentare V
DD
.
Polarizarea tranzistorului cu canal indus.
(1)
Soluţia (2) este utilizată atunci când se cere pentru intrarea tranzistorului o rezistenţă de valoare foarte
mare, atunci R
1
,R
2
se aleg de valoare mare, R
3
de valoare identică cu cea impusă, fiind dispus între
divizor şi poarta tranzistorului. Semnalul este aplicat pe poarta tranzistorului.
Au fost trasate caracteristicile de ieşire corespunzătoare pentru temperaturile de lucru întâlnite. Are loc
deplasarea PSF-ului cu modificarea de temperatură. Se poate realiza o stabilizare prin introducerea
unui rezistor R
S
în sursa tranzistorului. Această R
S
are rol stabilizator.
Tranzistorul unijoncţiune.
2
2 1
2
) 1 (
P
GS
DSS D DS D L DD DD GS
V
V
I I V I R V
R R
R
V V    


5

Aceste tranzistoare sunt realizate dintr-o bară de semiconductor de tip n, la capetele fiind realizate
două contacte ohmice “baze”: B
1
,B
2
. În zona mediană prin difuzie este creată o regiune
semiconductoare de tip p şi ca urmare o joncţiune p-n ia naştere, la regiunea p este dispus cel de-al
treilea terminal, botezat emitorul tranzistorului, când între B
1
şi B
2
se aplică 10V, ca urmare dacă între
emitor şi B
1
avem o tensiune aplicată <5V, între emitor B
1
are loc o injecţie de goluri şi deci curentul
care apare ia valori reduse de ordinul μA. Când tensiunea aplicată în emitor >5V în semiconductorul n
apar purtători de sarcină e
-
, dispozitivul se comportă ca o rezistenţă negativă, curentul creşte, iar
tensiunea culeasă pe dispozitiv scade. După punctul V dispozitivul se comportă asemenea unei diode
semiconductoare aflată în conducţia directă. Pentru aceste dispozitive sunt specificate în cataloage,
curentul şi tensiunile punctelor: M,V.
Tiristorul.
Constă din 4 regiuni semiconductoare, câte două de polaritate complementară, dispuse
alternant. Din punct de vedere al profilului de dopare, regiunile extreme sunt puternic dopate, regiunile
mediane sunt slab dopate. Dispozitivul are 3 terminale, două fiind A, K, la regiunile extreme, cel de-al
treilea, poarta, la regiunea mediană p.
Presupunem dispozitivul intercalat într-un circuit, conţinând sursele S
1
, S
2
şi întrerupătoarele
k
1
, k
2
, presupunem că avem intercalate în serie un ampermetru.
k
1
– închis, S
1
– cu polaritatea figurată
În acest caz joncţiunile extreme ale dispozitivului sunt polarizate direct, joncţiunea mediană
polarizată invers. Aproape întreaga tensiune de la bornele sursei S
1
cade de joncţiunea mediană
polarizată invers, rezultă că curentul ce se stabileşte prin dispozitiv este de valoare redusă. Considerăm
că inversăm polaritatea sursei S
1
, k
2
deschis, cu această nouă polaritate joncţiunile extreme sunt
polarizate invers, joncţiunea mediană polarizată direct. Curentul ce se stabileşte este şi mai mic în
raport cu cel prezent în situaţia anterioară.
Să considerăm că revenim la polaritatea anterioară a sursei S
1
şi în plus închidem k
2
. Pentru a
înţelege fenomenul care permite aprinderea tiristorului, considerăm dispozitivul ca fiind realizat prin
juxtapunerea a două tranzistoare bipolare de polaritate complementară.


6

k
1
, k
2
– închise, joncţiunea emitorului tranzistorului T
1
este polarizată direct rezultă că e
-
majoritari în
E
1
vor difuza spre baza B
1
unde doar puţini dintre ei se vor recombina cu golurile majoritare aici,
majoritatea e
-
vor fi antrenaţi în colectorul C
1
al tranzistorului T
1
, rezultă că T
1
trece în stare de
conducţie şi potenţialul negativ este transferat în baza B
2
a tranzistorului T
2
.Cum în emitorul lui T
2
se
aplică un potenţial pozitiv (+), rezultă că joncţiunea emitorului tranzistorului T
2
este polarizată direct,
ca urmare, golurile majoritare în E
2
vor fi antrenate prin difuzie în baza B
2
, majoritatea lor fiind
captate de colectorul C
2
al tranzistorul T
2
. T
2
este în stare de conducţie şi ca urmare potenţialul pozitiv
din anodul tranzistorului este transmis prin baza B
1
a lui T
1
- reacţia de curent intervine, şi după acest
moment dispozitivul rămâne în stare de conducţie chiar dacă k
2
este deschis. Stingerea dispozitivului
poate avea loc doar dacă tensiunea aplicată este redusă la 0, sau dacă curentul scade sub o anumită
valoare, numită curent de menţinere I
H
(HOLD). Circuitul de poartă pentru tiristor poate fi dimensional
fie pentru funcţionare în (1) regim permanent, fie (2) regim de funcţionare în impulsuri de scurtă
durată.
(1) – amorsarea se face în DC
(2) pentru curent de comandă care circulă un timp scurt
Stingerea tiristorului poate avea loc chiar la valoarea I
H
a curentului numai dacă scăderea respectivă de
curent este suficient de lentă pentru a permite recombinarea purtătorilor de sarcină. La viteze mai mari
de scădere a curentului stingerea poate avea loc la valori mai mici ca I
H
sau chiar pentru valori negative
(–) ale curentului.





Curs 11
Reacţia în amplificatoare.
În practică nu există amplificatoare ideală, capabile să asigure la ieşire un semnal identic cu semnalul
aplicat la intrare, multiplicat doar printr-un anumit factor constant. Chiar dacă amplificatorul este
suficient de liniar pentru o anumită plajă a tensiunii de la intrare, amplificarea în tensiune se modifică
fie datorită variaţiilor de tensiune ale sursei, fie din cauze ambientale, rezultând modificarea
caracteristicilor tranzistorului cu PSF-ul. Aceste efecte pot fi minimizate dacă se apelează la reacţia
negativă.
Schemă de fluenţă a semnalului a unui amplificator bloc – reacţie, precum şi schema
electrică. Pe lângă amplificatorul de bază sunt prezente un comparator şi un atenuator de precizie.
Obţinem comparatorul prin modul de conectare al semnalului de intrare V
1
, respectiv semnalul de
reacţie V
4
. Atenuatorul de precizie, factorul de atenuare f este realizat cu elemente pasive, mult mai
insensibile la variaţii ale tensiunilor de alimentare sau ale temperaturii. Funcţiile de transfer sunt
independente de frecvenţă. Se poate neglija încărcarea pe care o realizează atenuatorul de precizie
pentru amplificatorul de bază. Putem considera amplificatorul de bază cu R
in
 ∞ iar R
out
=0. Semnalul
de reacţie V
4
=V
3
– semnalul de la ieşire multiplicat cu factorul f.
V
4
=fV
3
; V
3
=aV
2
; V
2
=V
1
-V
4
. A
vf
– reprezintă amplificarea în tensiune cu reacţie.
În prezenţa reacţie amplificarea a amplificatorului de bază a fost eliminată şi ca urmare A
vf
depinde
numai de f, poate fi controlată cu mai multă precizie deoarece atenuatorul de precizie este construit cu
elemente mai puţin sensibile la variaţia de temperatură. A
vf
este independentă de a atunci când a>>1.
Deoarece V
2
care îl produce pe V
3
este diferenţă între două tensiuni mult mai mari şi ca urmare dacă a
scade de două ori este suficientă o mică variaţie a V
3
pentru a avea asigurată dublarea lui V
2
şi prin
urmare compensarea pierderii de amplificare. Deşi ne-am referit doar la amplificarea de tensiune
scopul este altul, o simplă amplificare de tensiune putând fi obţinută şi cu un transformator. Ceea ce ne
interesează este amplificarea puterii astfel încât să putem aplica sarcinii o putere substanţială, funcţie
de necesităţile impuse de această sarcină.
O variaţie a amplificării amplificatorului de bază este atenuată pentru amplificatorul cu reacţie prin
factorul 1/(1+af). Dacă presupunem că af=99  că o variaţie de 10% a amplificării amplificatorului
de bază este concretizată pentru ieşirea amplificatorului cu reacţie printr-o variaţie de doar 0,01% a
f
vf
A a
af
a
V
V
vf
A
V fa V
V a
V f V
V a
V V
V
V
V
vf
A
1
; 1
1
1
3
2 2
2
3 2
2
4 2
3
1
3
 

 





 
a
da
af
vf
A
vf
dA
da
af
vf
dA
) 1 (
1
2
) 1 (
1




amplificării globale. Aplicarea reacţie are ca efect reducerea amplificării obţinute prin acelaşi factor
1/(1+af).
Amplificarea globală este redusă prin acelaşi factor prin care este redusă variaţia amplificării
amplificatorului de bază. O reducere de 100 de ori a variaţie amplificării de bază, antrenează o reducere
tot de 100 de ori a amplificării globale A
vf
. În schimb o amplificare nestabilizată se obţine cu uşurinţă
prin adăugarea de mai multe etaje când aducerea amplificării nestabilizate la stabilitate nu este o
limitarea serioasă când asemenea etaje sunt dispuse în partea circuitului unde semnalele sunt de
tensiuni joase şi când pierderea pe care o avem în partea circuitului care vehiculează puteri mari poate
fi uşor compensată. Uzual spunem că reacţia este negativă dacă a şi f au acelaşi semn. În practică
putem considera reacţia ca fiind negativă dacă o modificare a lui f antrenează o scădere a lui A
vf
.
Amplificatoarele nu sunt liniare însemnând că nu asigură aceeaşi amplificare pe întreaga plajă de
variaţie a semnalului de la intrare. Considerăm un amplificator cu următoarea caracteristică de transfer:
Se observă că distingem mai multe porţiuni liniare şi ca urmare putem analiza separat fiecare porţiune.
Dacă introducem o reacţie negativă, caracteristica de transfer obţinută va fi mai liniară deoarece reacţia
negativă are rolul de a elimina neliniarităţile amplificatorului de bază. Considerăm pentru tensiunea de
la ieşire V
3

variind între –1 şi +1V panta caracteristicii este 1000, iar pentru plaja între 1 şi 3,5,
respectiv –1 şi –3,5V panta este de 100. Datorită neliniarităţii circuitului analiza nu mai poate fi
efectuată în domeniul frecvenţă ci în domeniul timp. v
3
(t)=av
2
(t)
v
4
(t)=fv
3
(t) v
2
(t)=v
1
(t)-v
4
(t) a=0,1
Aplicarea reacţiei negative reduce variaţia amplificării amplificatorului de bază printr-un raport de
10:1. Adică schimbarea intervalului în amplificare este de la 9,9 la 9,1 deşi plaja de variaţie a
semnalului de intrare a rămas aceeaşi. Preţul plătit pentru acest avantaj este reducerea amplificării cu
acelaşi factor. Pierderea în amplificare poate fi refăcută adăugând un nou amplificator la intrarea
amplificatorului de reacţie, acesta putând fi proiectat să nu introducă nici o distorsiune. Prin această
acţiune se reduce amplificarea părţii din sistem care comandă semnale mari pentru a îmbunătăţi
fidelitatea la semnale mari, şi se transferă această sarcină părţii care amplifică semnalele mici şi deci
ale căror distorsiuni sunt mici.

Caracteristica de transfer în prezenţa reacţiei:
af a
vf
A


1
1
af
a
v
v
vf
A
t v t v t v t v t v t v t v t v

 
 
 
  
 

1
1
3
) (
1
1 . 9 ) (
3
) (
1
1 . 0 100 1
100
) (
3
) (
1
9 . 0 ) (
3
); (
1
1 . 0 1000 1
1000
) (
3
Evident prezenţa reacţie nu poate elimina în totalitate toate neliniarităţile în caracteristica de transfer,
există o anumită limită pentru care a  0 şi A
vf
 0. În situaţiile extreme ale tranzistorului blocat,
saturat reacţia nu poate să mai intervină.
Efectul reacţiei asupra semnalelor parazite.
Semnale parazite:
a) datorate surselor de alimentare
b) zgomotul datorat agitaţiei termice
c) diafonie atunci când în vecinătatea amplificatorului respectiv sunt şi alte amplificatoare
Toate acestea conduc la reducerea performanţelor amplificatorului respectiv. Reducerea efectelor
acestor zgomote se poate face prin reacţia negativă. Presupunem că zgomotul este prezent la intrarea
amplificatorului de bază, în acest caz, schema bloc electrică:



Într-o asemenea situaţie, practic prezenţa reacţiei nu are nici o influenţă, ca şi cum nu ar exista.


n
V
V
N
S
n
V
af
a
V
af
a
V
1
1
1
1
3





Reacţia în această situaţie nu îmbunătăţeşte raportul semnal/zgomot, rezultă că putem renunţa la reacţie
dacă zgomotul se aplică în acelaşi punct cu semnalul util. Presupunem că zgomotul se aplică în alt
punct.

Raportul semnal/noise este majorat de a
1
ori faţă de situaţia anterioară. Deci dacă este posibil să se
construiască un amplificator a
1
care nu este afectat de zgomot asemenea lui a
2
atunci este posibil să
îmbunătăţim raportul semnal/zgomot al amplificatorului a
2
cu ajutorul reacţiei. Rezultă că zgomotul V
n

nu poate fi un zgomot de agitaţie termică, deoarece acesta afectează în aceeaşi măsură şi pe a
1
şi pe a
2
.
El poate fi un zgomot de reţea al sursei de intrare, când intensitatea curentului de colector fiind de
ordinul amperilor este dificil pentru sursa de alimentare respectivă să asigure un filtraj corespunzător.
Cum însă etajele precedente funcţionează cu o amplificare mai mică pentru acestea putem asigura
filtrarea sursei de alimentare, rezultă că este mai raţional să reprezentăm amplificatorul de ieşire de
putere prin blocul a
2
şi să considerăm blocul V
n
ca fiind zgomotul sursei de alimentare. Amplificatorul
a
1
este a l doilea amplificator care funcţionează la nivele de semnal mult mai mici şi deci poate fi
alimentat de la o sursă bine filtrată. Presupunem că a
2
are o amplificare unitară de tensiune dar un
câştig mare de putere şi că zgomotul sursei de alimentare de 100 Hz are amplificarea de 1V. Locul
exact unde intervine zgomotul V
n
nu este impus în această discuţie. Presupunem că este aplicat la
intrarea lui a
2
, dar că semnalul activ de la V
1
are 1V rezultă când a
2
funcţionează singur avem S/N=1.
Dacă presupunem a
1
are amplificarea egală cu 100 şi în plus funcţionează fără zgomot, iar reţeaua de
reacţie are f=1, rezultă că tensiunea de ieşire va conţine un semnal util de aproximativ 1V aplicat la
intrarea comparatorului, zgomotul va fi redus de 101 ori. Putem utiliza reacţia pentru reducerea
zgomotului numai dacă putem realiza un al doilea amplificator care să asigure o amplificare
substanţială şi un raport S/N substanţial mai bun ca raportul amplificatorului de bază. Se pot minimiza
zgomotele în etajul de amplificare unde nu intervine obiectivul unei amplificări mari de putere sau a
unei puteri mari de ieşire.

n
V
V a
N
S
n
V
f a a
a
V
f a a
a a
V
1 1
2 1
1
2
1
2 1
1
2 1
3























7 . 2
31
1 1
1
;
1
   



  
E
R
F
R
f
F
R
E
R
E
R
f
o
V
F
R
E
R
E
R
f
V
f
in
V
o
V
vf
A